Кт872: Транзистор КТ872 — DataSheet

Транзистор КТ872 — DataSheet

Параметры транзистора КТ872

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ872А		BU508, MJE 13005, BU508A, BU508D, BU2508A, BU706 *2, BU706D *2, NTE2300 *3, NTE2318 *3
		КТ872Б		BU508A,  BU508A, BU508D, BU2508A, BU706 *2, BU706D *2, NTE2300 *3, NTE2318 *3
		КТ872В		BU508D
Структура			—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	КТ872А	—	100*	Вт
		КТ872Б	—	100*
		КТ872В	—	100*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, f*h31б, f**h31э, f***max	КТ872А	—	≥7	МГц
		КТ872Б	—	≥7
		КТ872В	—	≥7
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб. , U*КЭR проб., U**КЭО проб.	КТ872А	—	1500; 700*	В
		КТ872Б	—	1500; 700*
		КТ872В	—	1200; 600*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	КТ872А	—	6	В
		КТ872Б	—	6
		КТ872В	—	6
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	КТ872А	—	8(15*)	А
		КТ872Б	—	8(15*)
		КТ872В	—	8(15*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, I*КЭR, I**КЭO	КТ872А	1500 В	≤1	мА
		КТ872Б	1500 В	≤1
		КТ872В	1200 В	≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э,  h*21Э	КТ872А	5 В; 30 А	≥6
		КТ872Б	5 В; 30 А	≥6
		КТ872В	5 В; 30 А	≥6
Емкость коллекторного перехода	cк,  с*12э	КТ872А	15 В	≤125	пФ
		КТ872Б	15 В	≤125
		КТ872В	15 В	≤125
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у. р.	КТ872А	—	≤0.22	Ом, дБ
		КТ872Б	—	≤1.1
		КТ872В	—	≤1.1
Коэффициент шума транзистора	Кш, r*b, P**вых	КТ872А	—	—	Дб, Ом, Вт
		КТ872Б	—	—
		КТ872В	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)	КТ872А	—	≤7500*	пс
		КТ872Б	—	≤7500*
		КТ872В	—	≤7500*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Kt872a datasheet pdf ( даташит )

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока
У транзисторов КТ927А —
от 15 до 20.
У транзисторов КТ927Б —
от 25 до 70.
У транзисторов КТ927В —
от 40 до 100.

Выходная мощность при напряжении коллектор — эмиттер 28в на частоте 30МГц — 75 Вт.
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер —

35в.

Максимальный ток коллектора. — постоянный 10А, импульсный 30А.

Обратный ток коллектор-эмиттер

при напряжении эмиттер-коллектор 70в —

не более 40 мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 3,5в

не более 40 мА, при температуре окружающей среды +25 по Цельсию.
При температуре окружающей среды +125 по Цельсию — не более 120 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 10А и базовом 2А —
не более

0,7 в.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 28в —

не более 190 пФ.

Рассеиваемая мощность коллектора
— 83,5 Вт(на радиаторе) при температуре окружающей среды до 70 градусов Цельсия.

Граничная частота передачи тока типовая — 150 МГц,
фактическая — от 105 до 210 МГц.

Транзистор кт 872 технические характеристики — Bitbucket

———————————————————>>> СКАЧАТЬ ФАЙЛ <<<———————————————————Проверено, вирусов нет!———————————————————

Цоколевка транзистора КТ872А.Характеристики транзистора КТ872А. Структура n-p-n. Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 700(1500) В. Основные технические характеристики транзистора КТ872А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт; • fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером. КТ872. n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный высоковольтный транзистор.ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик изделий без предварительного уведомления. Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.Параметры транзистора КТ872. Параметр. Обозначение. Маркировка. Биполярный транзистор КТ872А: технические характеристики, область применения, цветовая маркировка, зарубежные аналоги, схемы и параметры.Rпк C/Вт. Пер. КТ872А. Npn кремниевый высоковольтный эпитаксиально- планарный транзистор.* КТ872А1;Г1 – в корпусе КТ-43 ISOWATT. Предельно- допустимые режимы эксплуатации. Параметры. Транзистор КТ872. Схемы металло искателей.Наиболее важные параметры. Коэффициент передачи тока У транзисторов КТ898А, КТ898Б, КТ898Б1 — свыше 400 У транзисторов КТ898А1 — до 5000. Technical documentation for КТ872 series bipolar transistors.Комментарии. дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ 827 Основные параметры транзистора КТ872АБолее подробные характеристики транзистора КТ872А Вы можете получить скачав файл документации ниже. KT872A — описание производителя.КТ872 n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный высоковольтный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы (КТ872Г с демпфирующим диодом). Транзистор KT872A (КТ872А ). Параметры и характеристики. Описание и техническая документация. Даташит для KT872A. Транзистор КТ872А в наличии и под заказ от производителя Транзистор. Характеристики, описание, инструкция.Особенности. Диапазон рабочих температур: — 60 до + 125 C. Обозначение технических условий. КТ872. n-p-n кремниевый. эпитаксиально-планарный. высоковольтный транзистор. Назначение.ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик. КТ872А транзистор NPN (8А 700В) 100W. Купить Транзистор КТ872А в Москве, СПБ, Ростове, Белгороде по выгодной цене с доставкой по всей России.150. Характеристики. Документация: Техническое описание. Транзистор (англ. transistor), полупроводниковый триод радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи. Характеристики транзистор КТ872А Параметры компонента КТ872А.Напряжение насыщения VCE (sat) — это предел управляющего напряжения, при котором ток через транзистор перестает расти. Не стоит, также, забывать, что транзисторы 2Т8ххх являются аналогами транзисторов КТ8ххх, а отличаются тем, что имеют более жёсткую приёмку, однако параметры для обоих типов транзисторов аналогичны.КТ872А. КТ872Г — мощный высоковольтный NPN транзистор со встроенным демпферным диодом. Применяется в блоках строчной развертки и импульсных блоках питания телевизоров. Параметры и характеристики.

КТ872А

Назначение выводов:1 — база2 — коллектор3 — эмиттер

Характеристики транзистора КТ872А

n-p-n кремниевыйэпитаксиально-планарныйвысоковольтный транзистор   

Структура n-p-n    Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 700(1500) В    Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 700(1500) В

Аналоги транзистора КТ872А

    BU508, BU508A, BU508D

Uкбо    — Максимально допустимое напряжение коллектор-базаUкбои    — Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-базаUкэо    — Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттерUкэои    — Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттерIкmax    — Максимально допустимый постоянный ток коллектораIкmax и    — Максимально допустимый импульсный ток коллектораPкmax    — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотводаPкmax т    — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводомh41э    — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером

Наимен.	тип	Uкбо(и),В	Uкэо(и), В	Iкmax(и), мА	Pкmax(т), Вт	h21э	Iкбо, мкА	fгр., МГц	Uкэн, В
КТ872А	n-p-n	700(1500)	700(1500)	8000 (15000)	(100)	—	1000	7	<1
КТ872Б	700(1500)	700(1500)	8000 (15000)	(100)	—	1000	7	<1
КТ872В	600(1200)	600(1200)	8000 (15000)	(100)	6

600
7
<1

Транзистор КТ872 — DataSheet

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора
P_K max,P*_{K, τ max},P**_{K, и max}
КТ872А
—
100*
Вт

КТ872Б
—
100*

КТ872В
—
100*

Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
f_гр, f*_h41б, f**_h41э, f***_max
КТ872А
—
≥7
МГц

КТ872Б
—
≥7

КТ872В
—
≥7

Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
U_{КБО проб. ,} U*_{КЭR проб.,} U**
_{КЭО проб.}
КТ872А
—
1500; 700*
В

КТ872Б
—
1500; 700*

КТ872В
—
1200; 600*

Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
U_{ЭБО проб.,} 
КТ872А
—
6
В

КТ872Б
—
6

КТ872В
—
6

Максимально допустимый постоянный ток коллектора
I_{K max,} I*_{К , и max}
КТ872А
—
8(15*)
А

КТ872Б
—
8(15*)

КТ872В
—
8(15*)

Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера

I_КБО, I*_КЭR, I**_КЭO
КТ872А
1500 В
≤1
мА
КТ872Б
1500 В
≤1

КТ872В
1200 В
≤1

Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером
h_21э,  h*_21Э
КТ872А
5 В; 30 А
≥6

КТ872Б
5 В; 30 А
≥6

КТ872В
5 В; 30 А
≥6

Емкость коллекторного перехода
c_к,  с*_12э
КТ872А
15 В
≤125
пФ

КТ872Б
15 В
≤125

КТ872В
15 В
≤125

Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером
 r_{КЭ нас},  r*_{БЭ нас, К}**_{у. р.}
КТ872А
—
≤0.22
Ом, дБ

КТ872Б
—
≤1.1

КТ872В
—
≤1.1

Коэффициент шума транзистора
К_ш, r*_b, P**_вых
КТ872А
—
—
Дб, Ом, Вт

КТ872Б
—
—

КТ872В
—
—

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
τ_к, t*_рас,  t**_выкл,  t***
_пк(нс)
КТ872А
—
≤7500*
пс

КТ872Б
—
≤7500*

КТ872В
—
≤7500*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

KT872A Datasheet Download — Integral

Номер произв
KT872A

Описание
NPN Transistor
Производители
Integral
логотип

1Page

No Preview Available !
КТ872

n-p-n кремниевый

эпитаксиально-планарный

высоковольтный транзистор
Назначение

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы (КТ872Г с демпфирующим диодом).

Предназначены для применения в блоках питания, в схемах строчной развертки телевизионных

приемников, узлах и блоках аппаратуры широкого применения.

Зарубежные прототипы

• Прототипы – BU508А, BU508, BU508D

Особенности

• Диапазон рабочих температур от — 60 до + 125°C

Обозначение технических условий

• аАО.336.681 ТУ / 02

Корпусное исполнение

• пластмассовый корпус КТ-43 (ТО-218) — КТ872А, Б, В, Г

• пластмассовый корпус КТ-43 ISOWATT (ТО-218 ISOWATT) — КТ872А1, Г1

Назначение выводов
Вывод

№1

№2

№3

Назначение
База
Коллектор
Эмиттер

КТ872 (январь 2011г., редакция 1.0)

1
No Preview Available !
Таблица 1. Основные электрические параметры КТ872 при Токр. среды = 25 °С

Паpаметpы

Граничное напряжение коллектор-эмиттер

КТ872А, Б, Г, А1, Г1

КТ872В

Обратный ток коллектора

КТ872А, Б, Г, А1, Г1

КТ872В

Обратный ток эмиттера

КТ872А, Б, В, А1

КТ872Г, Г1

Статический коэффициент передачи тока

КТ872В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

КТ872А, Г, А1, Г1

КТ872А, Г, А1, Г1

КТ872Б

КТ872В

Вpемя спада

КТ872А, Г, А1, Г1

КТ872Б, В

Вpемя рассасывания

КТ872А, Г, А1, Г1

КТ872Б, В

Постоянное прямое напряжение диода

КТ872Г, Г1

Обозн. Ед. Режимы измеpения Min Max

изм

Uкэо гp. B Iк=100mA, Iб=0,

L=40мГн

700
600

Iкэк мА

Uкэк =1500B Uбэ=0

1,0

Uкэк =1200B Uбэ=0

0,6

Iэбо мA Uэб=6B

10
75 150

h31э

Uкэ=5B, Iк=0,03A

6

Uкэ(нас) В

Iк=2,5A, Iб=0,6A

0,5

Iк=4,5A, Iб=2,0A

1,0

Iк=4,5A, Iб=2,0A

5,0

Iк=2,5A, Iб=1,0A

1,0

tсп. мкс Uкэ=500В,

Iк нас =4,5А

0,8
1,0

tрас.

Iб нас= Iб зап =1,4 А

6,7

Uбэ зап = -5В

7,5

Uпр.

В Iпр=4,5А

2,0

Таблица 2. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ872

Параметры

Напpяжение коллектоp-эмиттеp:

КТ872А, Б, Г, А1, Г1

КТ872В

Напряжение коллектор-эмиттеp (импульсное):

Uбэ ≤В, Q ≥4, tu ≤20 мкс

КТ872А, Б, Г, А1, Г1

КТ872В

Напряжение эмиттер-база

Постоянный ток коллектора
Импульсный ток коллектора
Постоянный ток базы
Импульсный ток базы
Постоянный запирающий ток базы
Импульсный запирающий ток базы

Рассеиваемая мощность коллектора

КТ872А, Б, В, Г

КТ872А1, Г1

Температура перехода

Обозначение Ед. измер.

Uкэо max

В

Uкэ и max

В

Uэб max

Iк max

Iки max

Iб max

Iби max

Iб зап. max

Iб зап. и max

Pк max

Tj
В
А
А
А
А
мА
А
Вт
°C
Значение
700
600
1500
1200
6
8
15
4
6
100
5
100
34
150

КТ872 (январь 2011г., редакция 1.0)

2
No Preview Available !
ОАО «ИНТЕГРАЛ», г

Минск, Республика Беларусь

Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой

учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.

ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик

изделий без предварительного уведомления.

Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные прототипы не подразумевают

полного совпадения конструкции иили технологии

Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является

ближайшим или функциональным аналогом.

Контактная информация предприятия доступна на сайте

http://www.integral.by

КТ872 (январь 2011г., редакция 1.0)

3

Всего страниц
3 Pages
Скачать PDF

Транзисторы — купить… или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы? В основном здесь два варианта — либо
купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные
запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день.
Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки
— можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги.
Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте.
Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее.
Транзисторы КТ940 можно добыть из отечественных телевизоров Фотон 31ТБ-408, Садко 54ТЦ6002, Рубин 5509Т и многих
других цветных и некоторых черно-белых.

На главную страницу

Использование каких — либо материалов этой страницы,
допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Биполярные транзисторы, 2Т861, 2Т862, КТ863, КТ864, КТ865, 2Т866, 2Т877, КТ868, КТ872, 2Т874, 2Т875, 2Т876, 2Т877, КТ878, 2Т879, 2Т880, 2Т881, 2Т882, 2Т883, 2Т884, КТ885, 2Т886, 2Т887, 2Т888, КТ890

ТИП

B1-B2/Iк       /A

Fт МГц

Cк/Uк   пФ/В

Cэ/Uэб   пФ/В

tp  нс

Uкэ/(Iк/Iб)    В/(А/А)

Uкб  В

UкэR/R    В/Ом

Uэб  В

Iкм/Iкн   А/А

Iбм  А

Pк/Pт Вт/Вт

Rпк C/Вт

Пер

Цок

2Т861А 2Т861Б 2Т861В

40-160/1 50-200/1 80-300/1

10  10  10

150/5  150/5  150/5

1500/5 1500/5 1500/5

0. 35(1/0.2) 0.35(1/0.2) 0.35(1/0.2)

90  70  40

90/100  70/100  40/100

5  5  5

2/4   2/4   2/4

1  1  1

1/10   1/10   1/10

N-P-N N-P-N N-P-N

85  85  85

2Т862А 2Т862Б 2Т862В 2Т862Г

10-100/15 10-100/15 12- 50/5 12- 50/5

5   5   5   5

300/30  300/30  300/10  300/10

3000/3 3000/3 3000/3 3000/3

2  (15/2) 2  (15/2) 1.5(8/2) 1.5(8/2)

450 450 350 350

450/ 450/ 400/ 400/

5  5  5  5

15/30  15/25  10/15  10/15

4  4  3  3

/70    /50    /50    /50

1. 8 2.5 2.5 2.5

N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N

73  87  87  87

КТ863А КТ863Б

100-  /5 70-   /5

4   4

0.3(5/0.5) 0.5(5/0.5)

30  30

30/10  30/10

5  5

10/  10/

3  3

1.5/50 1.5/50

N-P-N N-P-N

86  86

КТ864А

40-200/2

15

300/5

2000/0.5

2. 0(6/0.6)

200

200/10

6

10/15

2

1.5/100

N-P-N

73

КТ865А

40-200/2

15

300/5

2000/0.5

2  (6/0.6)

200

200/10

6

10/15

2

1.5/100

P-N-P

73

2Т866А

15-100/10

-25-

400/10

1. 5(10/1)

200

160/10

4

20/20

5

/30

5

N-P-N

87

2Т867А

12-100/20

10

300/10

4500/2

1300

1.2(20/4)

200/10

7

25/40

8

/100

1.5

N-P-N

73

КТ868А КТ868Б

10- 60/0.6 10-100/0.6

8   8

100/80  100/80

1. 5(2.5/0.5) 1.5(2.5/0.5)

900 750

400/ 375/

5  5

6/8   6/8

3  3

/70    /70

N-P-N N-P-N

КТ872А КТ872Б КТ872В

—  —  6-   /30

7   7   7

125/15  125/15  175/15

7500 7500 7500

1  (4.5/2) 5  (4.5/2) 1  (2.5/2)

1500/0 1500/0 1200*/0

8/15   8/15   8/15

4  4 4/6

/100    /100    /100

N-P-N N-P-N N-P-N

123 123 123

КТ873А5

10-   /3

1. 6(3/ )

200/

5

/60

N-P-N

2Т874А 2Т874Б

15-50 /30 15-50 /30

20  20

200/100 200/100

3500/5 3500/5

500  500

1.0(30/5) 1.0(30/5)

150 150

100/10 120/10

5  5

30/50  30/50

8  8

/75    /75

2  2

N-P-N N-P-N

87  87

2Т875А 2Т875Б 2Т875В 2Т875Г

80-250/5 80-250/5 80-250/5 40-160/5

20  20  20  20

1200/10 1200/10 1200/10 1200/10

7500/0. 5 7500/0.5 7500/0.5 7500/0.5

0.5(5/1) 0.5(5/1) 0.5(5/1) 0.5(5/1)

90  70  50  90

90/100  70/100  50/100  90/100

5  5  5  5

10/15  10/15  10/15  10/15

3/5 3/5 3/5 3/5

3/50   3/50   3/50   3/50

2.5 2.5 2.5 2.5

N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N

73  73  73  73

2Т876А 2Т876Б 2Т876В 2Т876Г

80-250/5 80-250/5 80-250/5 40-160/5

20  20  20  20

1300/10 1300/10 1300/10 1300/10

7500/0.5 7500/0.5 7500/0.5 7500/0.5

0.5(5/1) 0.5(5/1) 0.5(5/1) 0.5(5/1)

90  70  50  90

90/100  70/100  50/100  90/100

5  5  5  5

10/15  10/15  10/15  10/15

3/5 3/5 3/5 3/5

3/50   3/50   3/50   3/50

2.5 2.5 2.5 2.5

P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P

73  73  73  73

2Т877А 2Т877Б 2Т877В

750- /10 2500- /10 2500- /10

1500/20 1500/20 1500/20

3000/3 3000/3 3000/3

2.0(10/0.04) 2.0(10/0.04) 3.0(10/0.04)

80  60  40

80/  60/  40/

5  5  5

20/40  20/40  20/40

1.5 1.5 1.5

3/50   3/50   3/50

2.5 2.5 2.5

P-N-P P-N-P P-N-P

73  73  73

КТ878А КТ878Б КТ878В

12-50 /10 12-50 /10 12-50 /

10  10  10

500/100 500/100

10000/2 10000/2

3000 3000 3000

1.5(16/3.2) 1.5(16/3.2) 1.5(16/3.2)

900/10 800/10 600/10

6  6  6

25/30  25/30  25/30

6/7 6/7 6/7

2/100   2/100   2/100

1.25 1.25 1.25

N-P-N N-P-N N-P-N

73  73  73

2Т879А 2Т879Б

20-   /20 15-   /20

10  10

800/10 800/10

1000/2 1000/2

1200 1200

1.2(20/2) 2.0(20/2)

200 200

200/10 200/10

6  6

50/75  50/75

20 20

/250    /250

0.7 0.7

N-P-N N-P-N

127 127

2Т880А 2Т880Б 2Т880В 2Т880Г

80-250/1 80-250/1 80-250/1 40-160/1

30  30  30  30

400/5 400/5 400/5 400/5

1500/4 1500/4 1500/4 1500/4

0.35(1/0.2) 0.35(1/0.2) 0.35(1/0.2) 0.35(1/0.2)

100  80  50 100

100/1к  80/1к  50/1к 100/1к

4.5 4.5 4.5 4.5

2/4   2/4   2/4   2/4

1  1  1  1

0.8/5 0.8/5 0.8/5 0.8/5

25  25  25  25

P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P

85  85  85  85

2Т881А 2Т881Б 2Т881В 2Т881Г

80-250/1 80-250/1 80-250/1 40-160/1

30  30  30  30

400/5 400/5 400/5 400/5

1500/4 1500/4 1500/4 1500/4

0.35(1/0.2) 0.35(1/0.2) 0.35(1/0.2) 0.35(1/0.2)

100  80  50 100

100/1к  80/1к  50/1к 100/1к

4.5 4.5 4.5 4.5

2/4   2/4   2/4   2/4

1  1  1  1

0.8/5 0.8/5 0.8/5 0.8/5

25  25  25  25

N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N

85  85  85  85

2Т882А 2Т882Б 2Т882В

15-   /0.5 15-   /0.5 15-   /0.5

20  20  20

50/5  50/5  50/5

600/0.5  600/0.5  600/0.5

3000 3000 3000

1  (0.5/0.1) 1  (0.5/0.1) 1  (0.5/0.1)

400 300 250

350/100 275/100 200/100

6  6  6

1/2   1/2   1/2

0.5 0.5 0.5

1/10   1/10   1/10

12.5 12.5 12.5

N-P-N N-P-N N-P-N

86  86  86

2Т883А 2Т883Б

25-   /0.5 25-   /0.5

20  20

70/5  70/5

650/0.5  650/0.5

5200 5200

1.8(0.5/0.1) 1.8(0.5/0.1)

300 250

300/100 250/100

5  5

1/2   1/2

0.5 0.5

1/10   1/10

12.5 12.5

P-N-P P-N-P

86  86

2Т884А 2Т884Б

25-150/0.3 25-150/0.3

10  10

60/5  60/5

1500/0.5 1500/0.5

3000 3000

0.8(0.3/0.03) 0.8(0.3/0.03)

800 600

800/100 600/100

5  5

2/5   2/5

1  1

1/15   1/15

8  8

N-P-N N-P-N

86  86

КТ885А КТ885Б

12-   /20 12-   /20

15  15

200/100 200/100

4500/5 4500/5

2000 2000

2.5(30/6) 2.5(30/6)

400/10 500/10

5  5

40/60  40/60

10 10

/150    /150

0.84 0.84

N-P-N N-P-N

73  73

2Т886А

6-   /

700

1.0(4 / )

1400/

7

10/

5

/175

0.83

N-P-N

73

2Т887А 2Т887Б

20-120/1 20-120/1

15  15

400/10 400/10

700  700

1.4(1/0.4) 1.4(1/0.4)

700 600

700/100 600/100

5  5

2/5   2/5

1/2 1/2

3/75   3/75

P-N-P P-N-P

73  73

2Т888А 2Т888Б

30-120/0.02 30-120/0.02

15  15

25/10  25/10

500/0.5 500/0.5

800  800

1.0(20м/4м) 1.5(20м/4м)

900 600

900/1к 600/1к

7  7

0.1/0.2 0.1/0.2

0.05 0.05

0.8/7 0.8/7

P-N-P P-N-P

85  85

КТ890А КТ890Б КТ890В КТ890А1 КТ890Б1

1.6(7/ ) 1.6(7/ ) 1.6(7/ ) 1.8(8/ ) 1.8(8/ )

650/ 500/ 350/ 650/ 500/

5  5  5  5  5

20/  20/  20/  20/  20/

5  5  5  5  5

/120    /120    /120    /60    /60

1.1 1.1 1.1 1.1 1.1

N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N

Качество kt872a kt872 транзистор поставщики для электронных проектов

Alibaba.com предлагает большой выбор. kt872a kt872 транзистор поставщики на выбор в соответствии с вашими потребностями. kt872a kt872 транзистор поставщики являются жизненно важными частями практически любого электронного компонента. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбирая правильно. kt872a kt872 транзистор поставщики, вы можете быть уверены, что создаваемый вами продукт будет высокого качества и очень хорошо работает. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди прочего. 
kt872a kt872 транзистор поставщики состоят из полупроводниковых материалов и обычно имеют не менее трех клеммы, которые можно использовать для подключения к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. kt872a kt872 транзистор поставщики охватывают два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. kt872a kt872 транзистор поставщики скрывают низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели. 
Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. kt872a kt872 транзистор поставщики для определения опорных ног, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. kt872a kt872 транзистор поставщики на сайте Alibaba.com используют кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря их превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. kt872a kt872 транзистор поставщики для любого проекта включает в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника. 
Откройте для себя удивительно доступный. kt872a kt872 транзистор поставщики на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

Kt312a — параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор KT312B — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT312B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25

KT312B

5.1. kt312a-b-v 2t312a-b-v.pdf Size:893K _russia

5.2. kt3120a 2t3120a.pdf Size:694K _russia

 5.3. kt3127.pdf Size:191K _integral

КТ3127А
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
p-n-p транзистор
Назначение
Кремниевый эпитаксиально-планарный СВЧ транзистор малой мощности. Предназначен для
генерирования, усиления, преобразований колеба

5.4. kt3129.pdf Size:205K _integral

КТ3129
кремниевый эпитаксиально-планарный
биполярный p-n-p транзистор
Назначение
Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный p-n-p транзистор. Предназначен для использования
в низкочастотных устройствах радиоэле

 5.5. kt3126.pdf Size:179K _integral

КТ3126
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
p-n-p транзистор
Назначение
Кремниевый эпитаксиально-планарный СВЧ транзистор малой мощности. Предназначен для
использования в радиоэлектронной аппаратуре, из

5.6. kt3128.pdf Size:174K _integral

КТ3128
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
p-n-p транзистор
Назначение
Кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор малой мощности. Предназначен для использования
в радиоэлектронной аппаратуре, изгот

Другие транзисторы… KT3128A9
, KT3128B-1
, KT3129A9
, KT3129B9
, KT3129D9
, KT3129G9
, KT3129V9
, KT312A
, TIP42C
, KT312V
, KT3130A9
, KT3130B9
, KT3130D9
, KT3130E9
, KT3130G9
, KT3130J9
, KT3130V9
.

Ремонтируем блока питания компьютера

М1114ЕУ4 -- 1 2 3 4 5 6  7  8  9 10 11 12 13 14 15 16
М1114ЕУ3 -- 4 5 6 7 8 9 15 10 11 12 13 14 16  1  2  3
Основные параметры М1114ЕУ3, М1114ЕУ4
Uпит.микросхемы(вывод 12) - Uпит.min=9В; Uпит.max=40В
Допустимое напряжение на входе DA1, DA2 не более Uпит/2
Допустимые параметры выходных транзисторов Q1, Q2:
Uнас менее 1.3В;
Uкэ менее 40В;
Iк.max менее 250мА
Остаточное напряжение коллектор-эммитер выходных транзисторов не более 1.3В.
I потребляемый микросхемой - 10-12мА
Допустимая мощность рассеивания:
0.8Вт при температуре окр.среды +25С;
0.3Вт при температуре окр.среды +70С.
Частота встроенного опорного генератора не более 100кГц.
  Алгоритм поиска неисправностей М1114ЕУ3, М1114ЕУ4 Проверка работоспособности микросхемы производится при отключенном БП и при питании ИС от внешнего ИВЭП напряжением +9В...+15В поданного на 12-й вывод относительно 7-го. Все измерения проводятся тоже относительно 7-го вывода. Кроме того подключение к ИС лучше осуществлять подпайкой проводов, а не с помощью "крокодилов", это обеспечит повышенную надежность контакта и исключит возможность ложных соприкосновений.
При подаче внешнего напряжения осциллографируем напряжение на 14-ом выводе, оно должно быть +5В(+/-5%) и оставаться стабильным при изменении напряжения на 12-ом выводе от +9В до +15В. Если этого не происходит, то значит вышел из строя внутренний стабилизатор напряжения DA5 
С помощью осциллографа наблюдаем наличие пилообразного напряжения на выводе 5 (см.рис.1.1а UвхDA4) если оно отсутствует или имеет искаженную форму, то необходимо проверить исправность времязадающих элементов C1 и R1 подключаемых соответственно к 5-му и 6-му выводам, если эти элементы исправны, то неисправен встроенный генератор и необходима замена ИС.
Проверяем наличие прямоугольных импульсов на выводах 8 и 11.
Они должны соответствовать диаграмме 5 и 5' на рис.1.1а. Если импульсы отсутствуют, то ИС неисправна, а если присутствуют, то проверяем работоспособность других узлов ИС. 
Соединив проводником 4-й вывод с 7-м, мы должны увидеть, что ширина импульсов на 8-м и 11-м выводах увеличилась; соединив 4-й вывод с 14-м импульсы должны исчезнуть, если этого не наблюдается, то надо менять ИС. Снизив напряжение внешнего до 5В, мы должны увидеть, что импульсы исчезли (это говорит, что сработало реле напряжения DA6), а подняв напряжение до +9В...+15В импульсы должны снова появиться, если этого не произошло и импульсы (которые могут быть произвольными) присутствуют на 8 и 11, то значит в ИС неисправно реле напряжения и необходима замена микросхемы.
Проверка работоспособности DA2. Снимаем ранее установленную перемычку между 4-м и 7-м выводом, подаем на 12-й вывод напряжение питания в пределах +9В...+15В и соединив 1-й вывод с 14-м мы должны увидеть, что на 8-м и 11-м выводах ширина импульсом стала равгой нулю, если этого не происходит, то DA2 неисправна и надо менять ИС.
В БП на рис.2, рис.3, рис3.4, DA1 используется в узлах токовой защиты и если предыдущие тесты показали, что все другие узлы ИС функционируют нормально, то проверка исправности DA1 осуществляется следующим образом: подаем на 12-й вывод +9В...+15В и наблюдаем на 8 и 11 примоугольные импульсы. От другого источника питания подаем отрицательное напряжение на 15 вывод (относительно 7-го) при этом импульсы на 8 и 11 должны исчезнуть. Если этого не происходит, то значит не работает узел защиты на DA1.



Источник: shems.h2.ru

kt872 техническое описание и примечания к применению

Управление светодиодным индикатором путем программирования NODE MCU ESP8266-12E с использованием Arduino IDE — KT872

• NODE MCU ESP8266-12E — 1
• Кабель Arduino DUE — 1
• Мини-макетная плата 170 точек — 1
• светодиодный индикатор — 2
провода (папа-папа) — по 40 штук

Arduino IDE (программируемое программное обеспечение для плат Arduino)

Программное обеспечение можно скачать по этой ссылке: https: // www.arduino.cc/en/Main/Software

ESP8266-12E

ESP8266EX предлагает полное и автономное сетевое решение Wi-Fi; его можно использовать для размещения приложения или для разгрузки сетевых функций Wi-Fi с другого процессора приложений. Когда ESP8266EX размещает приложение, оно загружается непосредственно с внешней флеш-памяти. In имеет интегрированный кеш для повышения производительности системы в таких приложениях.

• Плата разработчика NodeMCU ESP-12E может быть подключена к 5V с помощью разъема micro USB или контакта Vin, имеющегося на плате.
• Контакты ввода / вывода ESP8266 обмениваются данными или ввод / вывод только с максимальным напряжением 3,3 В. То есть контакты НЕ являются входами, устойчивыми к 5 В.
• В случае, если вам необходимо взаимодействовать с выводами ввода / вывода 5 В, вам необходимо использовать систему преобразования уровня (либо построенную самостоятельно с использованием резисторного делителя напряжения, либо с использованием готовых к использованию преобразователей уровня

ШАГ-1 Установка Arduino Core для NodeMCU ESP -12E Использование диспетчера плат Arduino

Как показано на изображении, скопируйте файл.json ссылка на последнюю стабильную версию пакета NodeMCU со страницы Github здесь.

Ссылка должна выглядеть примерно так:

http://arduino.esp8266.com/stable/package_esp8266com_index.json

Шаг 2. Вставьте ссылку для файлов пакета .json NodeMCU в Arduino IDE

Вставьте скопированную ссылку и вставьте ее в Arduino IDE, используя следующую последовательность:

Файл -> меню -> Настройки

Вставьте скопированную ссылку в область, показанную в черном поле на изображении выше.

Закройте и перезапустите Arduino IDE.

Шаг 4: Инструменты — Менеджер плат

Инструменты -> Менеджер плат, найдите ESP8266 и установите библиотеки / файлы, указанные в разделе ESP8266 сообществом ESP.

Перезагрузите Arduino IDE еще раз.

Шаг 4: Выбор платы NodeMCU в Arduino IDE

Перейдите в Инструменты -> Платы (прокрутите список плат вниз) -> Выберите NodeMCU 1.0 (ESP-12EModule).

Выберите номер порта, к которому вы подключили nodeMCU. Остальные настройки можно оставить по умолчанию.

Мы будем подключать внешний светодиод напрямую к контакту GPIO16 или D0 NodeMCU (внешний резистор ограничения тока не требуется). Это номер пина для встроенного светодиода или BUILTIN_LED

Перейдите в Файл -> Примеры -> ESP8266 à Мигает

Загрузите эскиз в ESP, и синий светодиод на плате и красный внешний светодиод начинают попеременно мигать каждый раз. второй.

Примечание. В случае, если Arduino IDE версии 1.6.7 не работает для вас, попробуйте вернуться к Arduino 1.6.5 или более ранней версии. (на некоторых платах NodeMCU есть проблемы с последними версиями IDE Arduino, и переход к более ранним версиям Arduino IDE решает проблемы).

Обновление законодательства — Информационные бюллетени — Международное юридическое бюро

Кредитные товарищества
Микрокредитные организации
Компенсация по вкладам

Парламент Казахстана недавно принял ряд законов, которые будут интересны игроки банковского сектора.

Кредитные товарищества

Закон о кредитных товариществах (400/2003) регулирует правовой статус, деятельность, создание, реорганизация и ликвидация кредитных товариществ. Кредитное партнерство могут быть созданы в форме товарищества с ограниченной ответственностью физическими лицами и / или юридических лиц, с целью погашения кредита и других финансовых обслуживание потребностей его участников за счет накопления их средств и других активы, не запрещенные законодательством Казахстана.Должно быть не менее трех участники кредитного товарищества. Участники не несут ответственности за кредитного товарищества и несут риск убытков, связанных своей деятельностью в пределах их индивидуальных вкладов.

Для координации своей деятельности, защиты и представления общих интересов, реализация совместных проектов и решение других общих вопросов, кредитное партнерство может создавать ассоциации с другими кредитными товариществами, а также консорциумами на основании договоров о совместной эксплуатации.Это позволяет кредитное товарищество преследовать свои интересы в максимально широком масштабе.

Микрокредитные организации

Развитие и поддержка малого бизнеса — один из актуальных приоритетов. правительства Казахстана. Новый Закон о микрокредитных организациях (392/2003) еще один шаг к этой цели. Микрокредитные организации могут предоставлять микрокредиты. в размере до 1000-кратного установленного месячного тарифа, установленного годовой бюджет (872 000 кт (5 737 долл. США) на 2003 г.) на одного заемщика, хотя общая сумма сумма предоставляемого кредита не должна превышать 25% от капитала микрокредитования. организация.Микрокредитная организация может предоставлять обеспеченный или необеспеченный микрокредит, и взять имущество в залог под предоставленный микрокредит. Коммерческий микрокредитные организации могут создаваться как деловые партнерства, а некоммерческие микрокредитные организации могут создаваться как государственные фонды.

Возмещение по вкладам

Указ Президента 1006 от 28 декабря 2002 г. уполномочил правительство предоставить компенсация вкладов граждан Казахстана в бывшей Казахской Республике Сбербанк Советского Союза, которые сейчас хранятся в ОАО «Народный сберегательный банк». Казахстанские счета.Компенсация будет присуждена путем преобразования государства внутренний дефицит остатков депозитов в Сбербанке Казахской Республики в государственные специальные компенсационные казначейские билеты. Эти записи должны быть выпущены в бездокументарной форме. формируется тремя выпусками на один, два и три года. Номинальная стоимость одна банкнота — один тенге. Процентная ставка по каждому выпуску фиксируется на уровне краткосрочных и среднесрочных государственных казначейских облигаций с соответствующими сроки погашения, установленные на последнем аукционе, предшествующем дате, когда примечания выпускаются.

Казахстан — единственное государство бывшего Советского Союза, которое начало выплачивать компенсацию по вкладам граждан, хранящих свои сбережения в Сбербанке Советского Союза.

За дополнительной информацией по этой теме обращайтесь к Юрию Мальцеву в White & Дело по телефону (+7 3272 50 74 91) или по факсу (+7 3272 50 74 93) или по электронная почта ([email protected]) .