Каковы основные характеристики транзистора КТ947А. Как он используется в усилителях мощности. Какие преимущества дает применение КТ947А по сравнению с другими транзисторами. На что обратить внимание при разработке схем с КТ947А.
Основные характеристики транзистора КТ947А
Транзистор КТ947А — это мощный кремниевый n-p-n биполярный транзистор, разработанный для применения в усилителях мощности. Вот его ключевые параметры:
- Структура: n-p-n
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 100 В
- Максимальный ток коллектора: 20 А
- Максимальная рассеиваемая мощность: 200 Вт
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 30 МГц
- Коэффициент усиления по току: 10-80
- Емкость коллекторного перехода: не более 850 пФ
Как видно из характеристик, КТ947А обладает высокой мощностью и способен работать на значительных токах и напряжениях. Это делает его подходящим для применения в выходных каскадах мощных усилителей звуковой частоты.

Применение КТ947А в усилителях мощности
Транзистор КТ947А чаще всего используется в следующих схемах усилителей мощности:
- В качестве выходных транзисторов в двухтактных усилителях мощности
- В однотактных усилителях с эмиттерным повторителем на выходе
- В мостовых усилителях высокой мощности
- В усилителях класса AB с высоким КПД
При использовании КТ947А в выходных каскадах можно получить выходную мощность до 250-300 Вт на нагрузке 8 Ом. Высокая граничная частота позволяет применять эти транзисторы в широкополосных усилителях с малыми искажениями.
Преимущества применения КТ947А
По сравнению с другими транзисторами, КТ947А дает ряд преимуществ при разработке усилителей мощности:
- Высокая выходная мощность при компактных размерах
- Хорошие частотные свойства, позволяющие получить малые искажения
- Высокая надежность и стойкость к перегрузкам
- Низкая стоимость по сравнению с импортными аналогами
- Доступность и распространенность на рынке
Эти факторы делают КТ947А привлекательным выбором для разработчиков усилителей, особенно в бюджетных проектах с высокими требованиями к мощности.

Особенности применения КТ947А в схемах
При разработке усилителей с КТ947А следует учитывать некоторые особенности этих транзисторов:
- Требуется эффективный теплоотвод из-за высокой рассеиваемой мощности
- Нужна термокомпенсация для стабилизации тока покоя
- Желательно применять цепи защиты от перегрузки по току
- Следует обеспечить хорошую развязку по питанию для снижения искажений
При правильном применении КТ947А позволяет создавать надежные и качественные усилители мощности с хорошими параметрами.
Типовая схема усилителя на КТ947А
Рассмотрим пример типовой схемы двухтактного усилителя мощности с КТ947А на выходе:
«` «`В этой схеме КТ947А используются в выходном каскаде усилителя. Ключевые особенности:
- Двухтактная схема с комплементарными транзисторами на выходе
- Применение КТ947А позволяет получить высокую выходную мощность
- Требуется эффективный теплоотвод для КТ947А
- Необходима термокомпенсация для стабилизации тока покоя
При правильном расчете такая схема может обеспечить мощность до 200-250 Вт на нагрузке 8 Ом с малыми искажениями.

Рекомендации по монтажу КТ947А
При монтаже КТ947А в усилитель следует соблюдать ряд правил:
- Использовать массивный теплоотвод с эффективной площадью не менее 200 см²
- Применять теплопроводящую пасту между транзистором и радиатором
- Обеспечить надежную электрическую изоляцию корпуса от радиатора
- Не допускать механических напряжений на выводах транзистора
- Располагать транзисторы на расстоянии не менее 10 мм друг от друга
Правильный монтаж критически важен для надежной работы усилителя на КТ947А и получения заявленных характеристик.
Заключение по применению КТ947А
Транзистор КТ947А — это мощный и надежный прибор, хорошо подходящий для построения качественных усилителей звуковой частоты. Его основные преимущества:
- Высокая выходная мощность до 250-300 Вт
- Хорошие частотные свойства
- Высокая надежность
- Доступность и невысокая стоимость
При правильном применении КТ947А позволяет создавать усилители с отличными характеристиками при умеренной стоимости. Это делает данный транзистор привлекательным выбором для многих разработчиков аудиотехники.

Поиск по сайту Новости Экран сотового телефона — солнечная батарея | ГЛАВНАЯ » ТРАНЗИСТОРЫ » КТ947 Транзистор КТ947 — генераторный, эпитаксиально-планарный, структуры n-p-n, кремниевый. Основное применение: умножители частоты, усилители мощности, автогенераторы (на частоте 0.1 ± 1.5 МГц при напряжении питания 27 В). Имеет жёсткие выводы, металлокерамический корпус и монтажный винт. Тип транзистора указывается на корпусе. Весит не более 35 г. Цоколёвка КТ947Электрические параметры транзистора КТ947
Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ947
|
Транзистор КТ947 — DataSheet
Перейти к содержимому
Цоколевка транзистора КТ947Описание
Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные генераторные. Предназначены для усилителей мощности длинно- и средневолнового диапазона при напряжении питания 27 В. Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими вывода-
ми. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 35 г.
Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ947А | 2N6047, BDP620, 2N2124, 2N2816, 2N2752 *3 | |||
Структура | — | n-p-n | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ947А | 50 °C | 200* | Вт |
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h31б, f**h31э, f***max | КТ947А | — | ≥75 | МГц |
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб.![]() | КТ947А | 0.01к | 100* | В |
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ947А | — | 5 | В |
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ947А | — | 20(50*) | А |
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ947А | 100 В | ≤100* | мА |
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ947А | (5 В; 20 А) | 10…80* | |
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ947А | 27 В | ≤850 | пФ |
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.![]() | КТ947А | — | ≥10** | Ом, дБ |
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ947А | 1.5 МГц | ≥250** | Дб, Ом, Вт |
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ947А | — | — | пс |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора | Зависимость модуля статического коэффициента передачи тока от тока коллектора |
Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора | Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Раск вконов транзитный
Раск вконов транзитныйПараметр рускч вконовч транзистор
1. | 2. | 3. | 4. | 5. | 6а. | 6б. | 7. | 8. | |||||
ТИП | МГц | В | Вт | МГц | х | Вт | МГц | х | Вт | МГц | А | ||
КТ902А | КВ | 28 | 20 | 10 | >7 | 65 | 5 | ||||||
КТ903А | КВ | 30 | 50 | 10 | >3 | 22 | 30 | ||||||
КТ903А | КВ | 30 | 50 | 10 | >3 | 22 | 30 | ||||||
КТ912А | КВ | 1,5-30 | ЛИН | 27 | 70 | 30 | >10 | 70 | 20 | ||||
КТ912Б | КВ | 1,5-30 | ЛИН | 27 | 70 | 30 | >10 | 70 | 20 | ||||
КТ921А | КВ | ЛИН | 27 | 12,5 | 60 | >8 | 65 | 3,5 | 4 | ||||
КТ921Б | КВ | ЛИН | 27 | 12,5 | 60 | >5 | 65 | 3,5 | 4 | ||||
КТ927А | КВ | <30 | ЛИН | 28 | 75 | 30 | 15 | 70 | 10 | ||||
КТ927А | КВ | <30 | ЛИН | 28 | 75 | 30 | 15 | 70 | 10 | ||||
КТ947А | СВ | 27 | 250 | 1,5 | >10 | 100 | 20 | ||||||
КТ957А | КВ | 1,5-30 | ЛИН | 28 | 125 | 30 | >17 | 60 | 20 | ||||
КТ606А | УКВ | 100-600 | 28 | 0,8 | 400 | 3 | 2 | 150 | 60 | 0,4 | 4 | ||
КТ606Б | УКВ | 100-600 | 28 | 0,6 | 400 | 3 | 1,5 | 150 | 60 | 0,4 | 4 | ||
КТ610А | УКВ | 126 | 1 | 400 | 8 | 26 | 0,3 | ||||||
КТ610Б | УКВ | 126 | 1 | 400 | 8 | 26 | 0,3 | ||||||
КТ911А | УКВ | >400 | 28 | 1 | 1800 | 2,5 | 1,2 | 1200 | 55 | 0,4 | |||
КТ911Б | УКВ | >400 | 28 | 1 | 1000 | 2,5 | 55 | 0,4 | |||||
КТ911В | УКВ | >400 | 28 | 0,8 | 1800 | 2 | 40 | 0,4 | |||||
КТ911Г | УКВ | >400 | 28 | 0,8 | 1000 | 2 | 40 | 0,4 | |||||
КТ913А | УКВ | 200-1000 | 28 | 3 | 1000 | >2 | 55 | 0,5 | |||||
КТ913Б | УКВ | 200-1000 | 28 | 5 | 1000 | >2 | 55 | 1 | |||||
КТ913В | УКВ | 200-1000 | 28 | 10 | 1000 | >2 | 55 | 1 | |||||
КТ916А | УКВ | 200-1000 | 28 | 20 | 1000 | 2,5 | 55 | 2 | |||||
КТ919А | УКВ | 700-2400 | 28 | 4,4 | 2000 | 4,4 | 6 | 1200 | 45 | 0,7 | |||
КТ919Б | УКВ | 700-2400 | 28 | 2 | 2000 | 4 | 4 | 1200 | 45 | 0,35 | |||
КТ919В | УКВ | 700-2400 | 28 | 1 | 2000 | 5 | 45 | 0,2 | |||||
КТ919Г | УКВ | 700-2400 | 28 | 3,5 | 2000 | 3,5 | 45 | 0,7 | |||||
КТ937А | УКВ | 900-5000 | 21 | 2 | 5000 | 2 | 25 | 0,25 | |||||
КТ937Б | УКВ | 900-5000 | 21 | 3,8 | 5000 | 2 | 4 | 1200 | 20 | 25 | 0,45 | ||
КТ938А | УКВ | <5000 | 20 | <1 | 5000 | 3 | 28 | 0,18 | |||||
КТ939А | УКВ | Л, А | 12 | 30 | 0,3 | ||||||||
КТ924В | УКВ | 700-2000 | 28 | 9 | 2000 | 2,2 | 14 | 1000 | 12 | 45 | 1,5 | ||
КТ920А | ВКВ | 50-200 | утра | 12,6 | 2 | 175 | 12 | 3 | 145 | 10 | 36 | 0,5 | 1 |
КТ920Б | ВКВ | 50-200 | AM | 12,6 | 5 | 175 | 9 | 8 | 145 | 8 | 36 | 1 | 1 |
КТ920В | ВКВ | 50-200 | AM | 12,6 | 20 | 175 | 4 | 24 | 145 | 4 | 36 | 1 | 1 |
КТ920Г | ВКВ | 50-200 | AM | 12,6 | 15 | 175 | >3 | 36 | 1 | 1 | |||
КТ922А | ВКВ | >50 | AM | 28 | 5 | 175 | 20 | 65 | 0,8 | 1 | |||
КТ922Б | ВКВ | >50 | AM | 28 | 20 | 175 | 10 | 65 | 1,5 | 1 | |||
КТ922В | ВКВ | >50 | AM | 28 | 40 | 175 | 6 | 65 | 3 | 1 | |||
КТ922Г | ВКВ | >50 | AM | 28 | 17 | 175 | >5 | 65 | 1,5 | 1 | |||
КТ922Д | ВКВ | >50 | AM | 28 | 35 | 175 | >3,5 | 65 | 3 | 1 | |||
NoGNFB с транзисторами Ge на выходе
#9
- #9
Как это звучало?
#10
- #10
эсминец X сказал:
Давным-давно.
.. был бразильский комплект производства Philips/Miniwatt.
С уважением,
Карлос
Нажмите, чтобы развернуть…
Привет, Карлос
Пожалуйста, обратите внимание на отличия этого набора от этой схемы.
Вот некоторые из них:
1) в этой схеме нет модуляции тока питания в условиях сигнала, PS не стоит на пути сигнала
2) нет GNFB (Ge выходные транзисторы не подходят для GNFB схемы они относительно медленные)
3) у него нет входного колпачка
4) выходной колпачок сделан со всей возможной тщательностью
5) полосы пропускания двух конструкций, я думаю, сильно различаются
Что касается оценок звука, у меня есть очень хороший ламповый усилитель 300B SE, и он дает очень хороший эталон по качеству средних и высоких частот. , я могу легко оценить звуковые различия между традиционными схемами GNFB и специальными схемами, разработанными для чрезвычайно высокого качества.
Сравнивая силовой Ge-транзистор 1T910A (p-n-p) с AD162 (p-n-p), мы видим:
AD162 Transistor Datasheet. Параметры и характеристики.
Материал транзистора: Ge
Полярность: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc): 6 Вт (35 Вт для 1T910A)
Максимальное напряжение коллектор-база (Ucb): 32 В (33 В для 1T910A)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) : 20 В (32 В для 1T910A)
Максимальное напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 В
Максимальный ток коллектора (Ic max): 1 А (средний ток 10 А для 1T910A, импульсный ток 20 А)
Максимальная температура перехода (Tj): 80°C (358K = 85C для 1T910A)
Частота перехода (ft): 1 МГц (30 МГц для 1T910A)
Емкость коллектора (Cc), Pf: 150
Коэффициент передачи прямого тока (hFE), min/max: 50MIN (100…250 для 1T910A)
Производитель транзистора AD162: PHILIPS
Корпус транзистора AD162: TO37
Применение: Средняя мощность, общего назначения
Думаю, собственное сопротивление базовой области 1Т910А на несколько порядков меньше, чем у АД162.
1T910A — это действительно пик технологии Ge. Выходное сопротивление 0,08 Ом у 1T910A не эмулируется GNFB, а исходит из собственных свойств транзистора, включенного как эмиттерный повторитель.
Последнее редактирование:
#11
- #11
Я построил версии обоих усилителей: представленные DestroyerX с глубокими изменениями (моя первая версия в 1998 году!, последняя в 2014 году), и один, подобный Владимиру К (в 2014 году), но с лампами в каскаде усиления, со связью по переменному току и с использованием GT806B. (с 16В/1,5А) вместо 1T910. Тестировал версии с AC188/IRF9160/2SB324 и 2SK77 для формирования «Дарлингтона» с хорошими результатами даже с AC188. 55. Коэффициент демпфирования при использовании «драйвера» IRF9610 = 55, включая выходной конденсатор! Неплохо для усилителя, работающего в разомкнутом контуре! Искажения одинаковые на 1кГц или 20кГц (со всеми тр кроме 2SB324), около 0,05% на 1Вт/8R только 2Н и 3Н (с IRF9610). Звучит великолепно, с очень открытым звуком, в громкоговорителях, требующих высокого коэффициента демпфирования.
В усилителе с AD161/162 я использовал только транзисторы Ge: 2SB486 PNP малошумящие на входе, 2SD352 в VAS (относительно земли, а не по питанию = намного лучше PSRR) и AD161/162 на выходе с током покоя 200 мА, и питание 20В. Термокомпенсатор AC188. Поскольку в этом усилителе используются все транзисторы с низким значением fT, искажения увеличиваются до 20 кГц, начиная с 1 кГц. 1W/8R (2H и 3H, с некоторыми 4H и 5H), у нас 0.03% THD на 1кГц и 20кГц около 1% (но эти усилки очень стабильны из-за «брака» fT). Коэффициент демпфирования не измеряю. Но я свел его к методике определения импеданса усилителя, т.к. при сырой работе звук получается жестковат.
Но я трубный человек и все это служит «нетипичным» дням…
#12
- #12
1T910 — это деталь бывшего СССР, которая НАМНОГО продвинута по сравнению с любым винтажным транзистором Ge, который вы можете найти, если только у вас нет доступа к действительно экзотическим военным штукам (потому что изначально 1T910 БЫЛ действительно экзотическими военными штуками). Развитие технологии Ge продолжалось за железным занавесом еще долго после того, как оно остановилось в Европе и США.
Мне нравится конструкция, но у меня есть опасения по поводу использования КП903 в качестве простых источников тока, эти части действительно заслуживают лучшего использования, я сомневаюсь, что при использовании в качестве источника тока обычного SI — или, если уж на то пошло, Ge — транзистора будет какая-либо серьезная деградация. Особенно для Т3. Кроме того, предоставление каждому из 3 параллельных KP903 в источнике тока собственного Rs, вероятно, приведет к лучшему распределению тока.
№13
- №13
Превосходные транзисторы Ge
Действительно, они гораздо более продвинуты, чем обычные винтажные Ge. У одного поврежденного GT806B (по моей вине) (вовремя: ГТ806Б) я отпилил верхушку, и матрица того же не похожа даже отдаленно на винтажный Ge (нужно сфоткать и выложить сюда). GT806B не такие продвинутые, как 1T910, но все же относятся к этому классу, потому что у них отличная, но не такая хорошая бета, как у 1T9.10, только небольшие потери до 10 А (попробуйте почти с любым 10-амперным Si-транзистором), иметь fT 10 МГц и обеспечить результаты, описанные в моем предыдущем посте (клапан-IRF9610-GT806B, а не AD-кутер-пример), и Подтверждаю невозможность получить такие характеристики на обычном Ge (попробовал повторитель с AD149, коэффициент демпфирования ухудшается, а 20кГц THD отстой).
Для получения дополнительной информации, я использовал Si MOSFET, IRFP9240 (ну, я не знаю, существует ли Ge MOS. ..) на моих текущих источниках с ожидаемыми хорошими результатами. Лучше для сохранения редкого Ge с высоким fT….
Я использовал радиатор ЦП, чтобы поддерживать хорошую температуру GT806B, даже превышая ограничения, указанные в техническом описании. Они надежные.
№14
- №14
DIYBras сказал:
Но я трубный человек и все это служит для «нетипичных» дней.
..
Нажмите, чтобы развернуть…
Здравствуйте, DIYBras. В моем случае я перехожу от SS к лампам, GM70 SE (с регулируемым 1200V B+ и выходным трафом 40см2, для лучшего баса) сейчас в ходу (и PP с Toshiba 6GB8 близок к завершению). Но, последний проект, представляет собой гибридный (ламповый двухкаскадный драйвер с фазоинвертирующим выходным траффиком 6:1, за которым следует мостовой буферный каскад на транзисторах, аналогичный этому из этой темы, но гораздо более мощный, с радиочастотными транзисторами КТ947А мощностью 350 Вт. на выходе).
Тем не менее, для ламповых парней, которые используют усилители мощностью 3-8 Вт, я считаю, что выходной каскад на основе Ge является лучшим.
Последнее редактирование:
№15
- №15
Некоторые результаты теста…
Вот некоторые результаты теста БПФ для «обычного Ge»
Удар на частоте 20 кГц связан с моим тестовым диском (а не с колебаниями и т.п.). В то время, когда я выполнял эти измерения, внутренний синусоидальный генератор из программы БПФ (VA) загрязняет низкий уровень искажениями высокого порядка, и этот тестовый компакт-диск имеет чистый синусоидальный сигнал.
Последнее редактирование:
№16
- №16
Некоторые результаты испытаний. ..
Теперь от российского Ge (извините за помехи в некоторых измерениях)
V-MOS от IRF9610 + GT806B
другие от AC188+GT806B (некоторые AC188 выбраны для меньшего THD20k)
# 17
- # 17
Russian Ge photo…
Камера моего мобильного телефона ОТСТОЙ
Интересный круглый диск и несколько соединений база-эмиттер
Эти российские Ге хорошо звучат для маломощных и закрытых по звучанию колонок (оживились) мало чем отличается от моего 300В, но с некоторыми отличиями из-за огромной естественной ДЧ и прочего
Ух ты, с такими огромными трафами в твоем ГМ70 бас, несомненно, будет звучать лучше, чем большинство коммерческих ламповых усилителей, благодаря отсутствию магнитной нелинейности. ..
Моя новая «официальная игрушка»
-2.html#post4353706 см фото в моем последнем посте
# 18
- # 18
Последнее фото…
Это мой прототип AD161/162 («обычный Ge»). Обратите внимание на разные радиаторы для каналов, потому что я использовал подручные средства…
Впервые я построил его в 1996 году, в монофоническом режиме, с использованием выходных транзисторов Telefunken и с более чем десятикратным фактическим THD (я обновлял схему несколько раз с тех пор, как я начать использовать БПФ-анализ).
# 19
- # 19
Привет ребята
«PS не стоит на пути прохождения сигнала»
Неверно. Даже при сбалансированном подключении к динамику источник питания всегда является частью пути прохождения тока через динамик. Поэтому блок питания всегда находится на пути прохождения сигнала.
Веселись
#20
- #20
Struth,
PS не стоят на пути сигнала OUTPUT в проекте VladmirK thread, а также в моем Russian Ge, т.к. оба SE с «оригинальным» подключением выходного конденсатора, как SE Power Follower от Andrea Ciufolli.Ток громкоговорителя идет изолированно от питания, потому что T5-1-2-3 — это силовой JFET (подобный пентоду), сконфигурированный как источник тока (VladmirK, пожалуйста, поправьте меня, если я ошибся в этой части). Следовательно, изменения тока не циркулируют в источнике питания. Ток всех громкоговорителей циркулирует между Т6/Т7/Т8, землей и выходными конденсаторами. Небольшой предварительный ток идет на R4 и циркулирует в источнике питания.