Малошумящие транзисторы: характеристики, применение и сравнение моделей — Производство и поставка электростанций, Бензиновые и дизельные генераторы от 1 до 100 кВт. Мини ТЭЦ на базе двигателя Стирлинга.

Каковы основные преимущества малошумящих транзисторов. Как выбрать оптимальный малошумящий транзистор для конкретного применения. Какие параметры наиболее важны при сравнении малошумящих транзисторов разных производителей.

Содержание

Принцип работы и особенности малошумящих транзисторов

Малошумящие транзисторы — это специально разработанные полупроводниковые приборы, оптимизированные для работы с минимальным уровнем собственных шумов. Их основное отличие от обычных транзисторов заключается в особой конструкции и технологии производства, позволяющих снизить влияние различных источников шума.

Ключевые особенности малошумящих транзисторов:

Низкое сопротивление базы (обычно менее 100 Ом)
Малая емкость коллекторного перехода
Высокий коэффициент усиления по току
Оптимизированная геометрия кристалла
Специальные методы обработки поверхности полупроводника

Благодаря этим особенностям, малошумящие транзисторы способны обеспечить коэффициент шума порядка 1-2 дБ в диапазоне частот до нескольких ГГц. Это делает их незаменимыми в высокочувствительных аналоговых схемах.

Основные параметры малошумящих транзисторов

При выборе малошумящего транзистора для конкретного применения важно учитывать следующие ключевые параметры:

Коэффициент шума (NF) — основной показатель уровня собственных шумов транзистора, измеряемый в дБ
Коэффициент усиления по току (h21) — определяет усилительные свойства транзистора
Граничная частота (fT) — максимальная рабочая частота транзистора
Максимально допустимые напряжения и токи
Входное и выходное сопротивления
Емкости переходов

Оптимальный выбор транзистора зависит от конкретных требований схемы. Например, для входных каскадов УВЧ критичен минимальный коэффициент шума, а для усилителей мощности важнее высокий коэффициент усиления.

Сравнение популярных моделей малошумящих транзисторов

Рассмотрим характеристики некоторых распространенных малошумящих транзисторов:

Модель	Тип	NF (дБ)	h21	fT (ГГц)
BFR93A	NPN	1.4	140	5
BFG591	NPN	1.2	160	9
2SK170	JFET	0.7	—	0.4

Как видно из таблицы, транзисторы на основе полевой технологии (например, 2SK170) обеспечивают наименьший коэффициент шума, но уступают биполярным по граничной частоте. Биполярные транзисторы серии BFG имеют хороший баланс между шумовыми и частотными характеристиками.

Применение малошумящих транзисторов в электронных устройствах

Малошумящие транзисторы нашли широкое применение в различных областях электроники, где требуется обработка слабых сигналов с минимальными искажениями. Основные сферы применения включают:

Входные каскады радиоприемных устройств
Усилители для измерительной аппаратуры
Предусилители для аудиотехники высокого класса
Малошумящие усилители для систем связи
Считывающая электроника для датчиков и сенсоров

В каждом из этих применений малошумящие транзисторы позволяют достичь высокой чувствительности и точности обработки сигналов. Например, в радиоприемниках использование малошумящего входного каскада позволяет увеличить дальность приема слабых сигналов.

Особенности применения малошумящих транзисторов

Для получения максимальной эффективности от малошумящих транзисторов необходимо соблюдать ряд правил при проектировании схем:

Выбор оптимального режима по постоянному току
Правильное согласование входных и выходных цепей

Минимизация паразитных емкостей и индуктивностей
Использование малошумящих элементов в цепях смещения
Тщательная фильтрация питания

При соблюдении этих правил можно добиться коэффициента шума схемы, близкого к теоретическому минимуму для выбранного транзистора. Например, для входного каскада УКВ-приемника на транзисторе BFR93A реально получить коэффициент шума около 1.5-1.6 дБ.

Современные тенденции в развитии малошумящих транзисторов

Развитие технологий производства полупроводников позволяет постоянно улучшать характеристики малошумящих транзисторов. Основные направления совершенствования включают:

Снижение минимально достижимого коэффициента шума
Повышение граничной и максимальной рабочей частоты
Улучшение линейности характеристик
Повышение устойчивости к электростатическим разрядам
Миниатюризация корпусов

Современные малошумящие транзисторы способны обеспечить коэффициент шума менее 0.5 дБ на частотах до 10 ГГц. Это открывает новые возможности для создания сверхчувствительной аппаратуры в различных областях техники.

Сравнение малошумящих транзисторов с альтернативными решениями

Несмотря на высокие характеристики, малошумящие транзисторы имеют альтернативы в виде интегральных усилителей и специализированных микросхем. Рассмотрим основные преимущества и недостатки различных подходов:

Решение	Преимущества	Недостатки
Малошумящие транзисторы	Низкий коэффициент шума Высокая гибкость применения Широкий выбор моделей	Требуют разработки обвязки Чувствительны к режимам работы
Интегральные усилители	Простота применения Стабильные характеристики Малые габариты	Выше коэффициент шума Ограниченный выбор моделей

Выбор оптимального решения зависит от конкретной задачи. Малошумящие транзисторы остаются незаменимыми в случаях, когда требуется предельно низкий уровень шума и возможность тонкой настройки параметров схемы.

Методы измерения шумовых характеристик транзисторов

Точное измерение шумовых параметров малошумящих транзисторов представляет собой сложную техническую задачу. Основные методы измерений включают:

Метод Y-фактора с использованием калиброванного источника шума
Метод холодного источника (cold-source method)
Корреляционный метод

Каждый из этих методов имеет свои особенности и область применения. Например, метод Y-фактора наиболее распространен для измерений в СВЧ диапазоне, а корреляционный метод позволяет достичь наивысшей точности на низких частотах.

Для получения достоверных результатов при измерении шумовых характеристик необходимо соблюдать ряд важных условий:

Тщательное экранирование измерительной установки
Использование малошумящих источников питания
Учет влияния измерительного оборудования
Поддержание стабильной температуры

Соблюдение этих условий позволяет измерять коэффициент шума транзисторов с точностью до сотых долей децибела.

Малошумящие на GaAs

Главная
Продукция
ВЧ/СВЧ компоненты
СВЧ транзисторы
Малошумящие Mitsubishi Electric

Подробнее на сайте:

www.mitsubishielectric.com

Малошумящие транзисторы компании Mitsubishi Electric предназначены для использования в МШУ на частотах от 1 до 26 ГГц. В таблице ниже приведены параметры, измеренные для фиксированной частоты.

Таблица 1 Малошумящие транзисторы на GaAs

Артикул	Частота, ГГц	Усиление, дБ ( мин / тип )	Коэффициент шума, дБ ( тип / макс )	Напряжение, В	Ток, мА	Уровень качества	Корпус	Данные	S2P
MGF4921AM	4	11. 5 / 13	0.35 / 0.55	2	15	AEC-Q 101	GD-30
MGF4934BM	12	11.5 / 12.5	0.5 / 0.8	2	10	—	GD-30
MGF4934CM	12	11.5 / 13	0.5 / 0.75	2	10	—	GD-30
MGF4935AM	12	11 / 12	0.45 / 0.65	2	10	—	GD-30
MGF4937AM	12	11.5 / 13	0.35 / 0.5	2	10	—	GD-30
MGF4941AL	12	12 / 13. 5	0.35 / 0.5	2	10	—	GD-32
MGF4941CL	25.2	7.5 / 10	2.4 / 3.8	1.5	36 @ Vgs=0V	AEC-Q 101	GD-32
MGF4964BL	20	11.5 / 13.5	0.65 / 0.9	2	10	—	GD-32
MGF4965BM	20	9.5 / 11.5	0.95 / 1.25	2	10	—	GD-30

Малошумящий транзистор — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Cтраница 1

Малошумящие транзисторы должны иметь [2, 4] низкие обратные токи коллекторного перехода, поэтому будем предполагать, что транзисторы удовлетворяют этому требованию. [1]

Поэтому создание малошумящих транзисторов основано на совершенствовании обработки поверхности. [2]

С этой точки зрения малошумящие транзисторы должны обладать повышенной стабильностью параметров и меньшими величинами тока утечки. Таким образом, уровень шумов транзистора может являться критерием качества обработки его поверхности, а следовательно, в какой-то степени характеризовать надежность и стабильность транзистора. [3]

Схема полосового фильтра ПЧ с корректором ГВЗ. [4]

Для первого каскада ПУПЧ выбирается специальный малошумящий транзистор с большим коэффициентом передачи тока иа высокой — частоте. Ослабление влияния последующих каскадов иа коэффициент шума ПУПЧ достигается при большом значении коэффициента усиления первого каскада ( Ki, для чего применяется схема с общим эмиттером. [5]

Использовав в качестве первых трех транзисторов малошумящие транзисторы типа П27А, можно значительно снизить шумы и понизить порог чувствительности усилителя. [6]

Кремниевые р — n — p сплавные малошумящие транзисторы предназначены для работы в усилительных и генераторных схемах. [7]

В наиболее благоприятных условиях при использовании современных малошумящих транзисторов уровень собственных шумов полупроводниковых усилителей может оказаться близким по величине к уровню шумов усилителей на электронных лампах. [8]

С учетом всех указанных выше зависимостей изготовляют специальные малошумящие транзисторы, предназначенные для первых каскадов усилителей и радиоприемников. Чтобы шумы были минимальными, такие транзисторы работают при пониженных ик. [9]

Первый каскад УНЧЗ-2 корректирующего усилителя выполнен на малошумящем транзисторе Т1 ( П28), работающем в оптимальном режиме ( ток коллектора 0 2 мА) при сравнительно малом сопротивлении ( 1 — 2 кОм) головки звукоснимателя на нижних частотах. Для обеспечения необходимого входного сопротивления ( 47 кОм) на частотах выше 1000 Гц и температурной стабильности база транзистора Т1 питается через обмотку катушек головки звукоснимателя. Транзистор Т / включен по схеме с общим эмиттером. [10]

Первый и второй каскады УРЧ выполнены на малошумящих транзисторах VT1 и VT2, включенных по схеме с общим истоком. Для увеличения добротности контура и электрической устойчивости схемы блока УКВ применяется частичное включение контуров нагрузки первого и второго каскадов УРЧ. [11]

Принципиальная электрическая схема. [12]

Для понижения уровня собственных шумов на входе поставлен малошумящий транзистор VT1, работающий в режиме малых токов. Температурная и режимная стабилизация осуществляется за счет ООС по постоянному и переменному токам. На входе первого каскада УЗЧ включен регулятор громкости ( R2), а в коллекторную цепь транзистора VT2 включены регуляторы тембра высоких ( R9) и низких ( R11) звуковых частот. [13]

Зависимости приведенных среднеквадратичных значений эквивалентного шумового напряжения и эквивалентного шумового тока на частоте 10 кгц от тока коллектора.

[14]

Таким образом, можно считать, что для малошумящих транзисторов эквивалентное шумовое напряжение определяется тепловым шумом сопротивления базы и дробовым шумом тока коллектора. Эквивалентный шумовой ток представляет дробовой шум тока базы. [15]

Страницы: 1 2 3 4

Малошумящие транзисторы | Nexperia

Малошумящие транзисторы | Нексперия

Логин

Имя пользователя/электронная почта Пожалуйста, введите ваше имя пользователя/email

Пароль Пожалуйста введите ваш пароль Имя пользователя/электронная почта и пароль не совпадают Ваш аккаунт нуждается в дополнительной проверке.
Пожалуйста Проверьте свой адрес электронной почты продолжать. Что-то пошло не так. Пожалуйста, повторите попытку позже!

Создать учетную запись Забыли свой пароль?

Вы можете изменить настройки уведомления об изменении (CN) в My Nexperia. Эти настройки позволяют настроить представление CN в My Nexperia и электронных письмах CN.

По умолчанию вы увидите все доступные вам уведомления об изменениях.

Изменить настройки

Минимизация шума в звуковых и сенсорных системах

Шум является критическим фактором во многих приложениях, особенно в тех, которые связаны со звуком или сенсорными операциями. Чтобы свести к минимуму шум транзисторов в вашей конструкции, обратите внимание на наши устройства с низким уровнем шума — мы, конечно же, не умалчиваем об их качественных характеристиках и небольших размерах.

Параметрический поиск

Ключевые функции и преимущества

NF MAX 4 DB
I _C из 100 мА
Небольшие пакеты
V _CEO из 30 В и 45 В (PNP и NPN)

9 2762.

Аудио и сенсорное усиление

Параметрический поиск

Малошумящие транзисторы

Пожалуйста, подождите загрузки данных…

Параметрический поиск недоступен.

Как пользоваться параметрическим поиском?

Вы можете выбрать количество результатов на странице: 10, 25, 50, 100 или все результаты.
Вы можете использовать фильтры во второй строке, чтобы сузить выбор. Нажмите на одно или несколько значений в списках, которые вы хотите выбрать. Или используйте ползунки, перетаскивая манипуляторы или заполняя поля.
Общие характеристики — это параметры с одинаковыми значениями для всех номеров типов.
Дополнительную информацию о номере типа можно найти, наведя указатель мыши на номер типа и щелкнув одну из ссылок во всплывающем окне.
Вы можете сравнить два или более типовых номеров, установив флажки для типовых номеров и нажав Сравнить. Все остальные строки будут скрыты.
Чтобы скрыть строку с параметрами фильтрации, нажмите на серую полосу со стрелками под параметрами.
Чтобы добавить или удалить столбцы с параметрами, нажмите кнопку «Добавить/удалить параметры» в правом верхнем углу. Вы можете проверить столбцы, которые хотите видеть.
Вы можете изменить порядок столбцов, перетащив их в нужное место.
Вы можете загрузить результаты вашего (отфильтрованного) выбора в Excel, нажав кнопку «Загрузить Excel».

Изделия

Номер типа	Описание	Статус	Быстрый доступ
до н.э.849; до н.э.850	Транзисторы общего назначения NPN	АКТ	Скачать техпаспорт
BC849B	Транзисторы общего назначения NPN	Производство	Скачать техпаспорт Образцы
BC849C	Транзисторы общего назначения NPN	Производство	Скачать техпаспорт Образцы
БК850Б	Транзисторы общего назначения NPN	Производство	Скачать техпаспорт Образцы
BC850C	Транзисторы общего назначения NPN	Производство	Скачать техпаспорт Образцы
BC849W; BC850W	Транзисторы общего назначения NPN	АКТ	Скачать техпаспорт
BC849BW	Транзисторы общего назначения NPN	Производство	Скачать техпаспорт Образцы
BC849CW	Транзисторы общего назначения NPN	Производство	Скачать техпаспорт Образцы
БК850БВ	Транзисторы общего назначения NPN	Производство	Скачать техпаспорт Образцы
БК850КВ	Транзисторы общего назначения NPN	Производство	Скачать техпаспорт Образцы
до н. э.859; до н.э.860	Транзисторы общего назначения PNP	АКТ	Скачать техпаспорт
BC859B	Транзисторы общего назначения PNP	Производство	Скачать техпаспорт Образцы
BC859C	Транзисторы общего назначения PNP	Производство	Скачать техпаспорт Образцы
BC860B	Транзисторы общего назначения PNP	Производство	Скачать техпаспорт Образцы
BC860C	Транзисторы общего назначения PNP	Производство	Скачать техпаспорт Образцы
BC859W; BC860W	Транзисторы общего назначения PNP	АКТ	Скачать техпаспорт
BC859BW	Транзисторы общего назначения PNP	Производство	Скачать техпаспорт Образцы
BC859CW	Транзисторы общего назначения PNP	Производство	Скачать техпаспорт Образцы
BC860BW	Транзисторы общего назначения PNP	Производство	Скачать техпаспорт Образцы
BC860CW	Транзисторы общего назначения PNP	Производство	Скачать техпаспорт Образцы

Посетите наш центр документации для получения всей документации

SOT23_мк	пластиковая, накладная упаковка; 3 терминала; шаг 1,9 мм; 2,9корпус мм x 1,3 мм x 1 мм	Графика Marcom	28. 01.2017
Nexperia_Selection_guide_2022	Руководство по выбору Nexperia 2022	Руководство по выбору	05.01.2022

Если у вас есть вопросы по поддержке, сообщите нам об этом. Если вам нужна поддержка дизайна, дайте нам знать и заполните форму ответа, и мы свяжемся с вами в ближайшее время.

Или свяжитесь с нами для получения дополнительной поддержки.

Выберите подкатегорию

Select Sub -Category

Фильтр по типу

DataShats

Примечания применения,
Руководства и документы

Пакет и упаковки

Качество

Брошюры, листки и
Guides

Модели

70005 9000 904 904 904 904 904 904 904 904 904 904. Insure Doctlets и
.

Документация ({{ всего }})

Техническое описание ({{ всего }})

Результаты поиска не найдены

Выберите фильтры или используйте поле поиска выше, чтобы найти документы

length > 0″>

Тип	Титул	Дата	Скачать
{{entry.type}}	{{ запись.название }}	{{ entry.dateModified\|dateIso }}	{{ abbrevString(entry.filename, 20) }}

Ничего не найдено по запросу

Эффективность побеждает

Продукты

Защита от электростатического разряда, TVS, преобразование сигнала
Биполярные транзисторы
Диоды
Аналоговые и логические ИС
МОП-транзисторы
Полевые транзисторы GaN
Автомобилестроение

Ультрамалошумящие усилители

Вернуться к оглавлению.

<< Перейти к части 2 Перейти к части 4 >>

Сверхмалошумящие усилители. (часть 3)

Измерения шума нескольких транзисторов NPN. (За Транзисторы PNP, см. часть 5 )

На этой странице тестируются шумовые характеристики нескольких транзисторов NPN.

Рисунок 1, это усилитель, который я использую для измерения шума транзистор.
T1 — проверяемый транзистор, транзистор работает с коллектором 10 мА ток.
Для других токов коллектора необходимо изменить R7 и R2.
С помощью потенциометра R4 выход операционного усилителя можно отрегулировать примерно до 6 вольт.
R10 и C7 добавлены для предотвращения колебаний усилителя.
Диод D1 защищает переход база-эмиттер транзистора от слишком высокого обратного напряжения.
Коэффициент усиления схемы примерно в 1000 раз (60 дБ), определяется резисторами R11, R1 и ESR (последовательное сопротивление) C5 и C6.
Выход поступает на другой усилитель на 60 дБ в тестовой установке, а затем к анализатору спектра, как описано в часть 1.
Входной сигнал (точно!) -140 дБВ, таким образом, усиливается примерно на 120 дБ и достигает анализатора спектра на уровне около -20 дБВ.
Уровень минимального входного шума измеряется относительно частоты 1 кГц -140 дБВ. тестовый тон.

Рисунок 2, усилитель для измерения шума транзистора.

Тип транзистора	Производитель	Посмотреть техническое описание транзистора	hfe при 25°C Ic=10 мА	Измеренный входной шум испытательного усилителя на частоте 1 кГц, Ic = 10 мА. нВ/√Гц	Расчетный транзистор Сопротивление базы R _bb (Ом)	Расчетный входной шум только транзистор. (R_цепь = 0 Ом) при 1 кГц, Ic=10 мА. нВ/√Гц	Просмотр спектра измерений. Ic=10 мА.
BC337-40	Филипс	BC337	400	1.406	116,56	1,397	Spectrum_BC337-40_10mA. jpg
БК550К	Филипс	BC550	500	3,148	595,61	3,144	Spectrum_BC550C_10mA.jpg
BD139 (старый 70-х или 80-х годов)	Телефункен	БД139 (техническое описание от Fairchild)	85	1,183	? (спектр не плоский)		Spectrum_BD139_10mA.jpg
ZTX618	Диоды вкл. / Зетекс	ЗТХ618	400	0,471	10,58	0,443	Spectrum_ZTX618_10mA.jpg
ЗТХ690Б	Диоды вкл. / Зетекс	ЗТХ690Б	860	0,516	13,26	0,491	Spectrum_ZTX690B_10mA. jpg
ZTX851	Диоды вкл. / Зетекс	ZTX851	185	0,274	1,72	0,223	Spectrum_ZTX851_10mA.jpg
ZTX853	Диоды вкл. / Зетекс	ЗТХ853	183	0,271	1,62	0,220	Spectrum_ZTX853_10mA.jpg
ZTX857	Диоды вкл. / Зетекс	ЗТХ857	185	0,274	1,72	0,223	Spectrum_ZTX857_10mA.jpg
ЗТХ1048А	Диоды вкл. / Зетекс	ZTX1048A	450	0,396	6,65	0,363	Spectrum_ZTX1048A_10mA. jpg
ЗТХ1051А	Диоды вкл. / Зетекс	ZTX1051A	450	0,420	7,84	0,389	Spectrum_ZTX1051A_10mA.jpg
ZXTN25012EFL	Диоды вкл. / Зетекс	ZXTN25012EFL	780	0,746	30,79	0,729	Spectrum_ZXTN25012EFL_10mA.jpg
ЗСТН25050ДФХ	Диоды вкл. / Зетекс	ЗСТН25050ДФХ	445	0,488	11,57	0,461	Spectrum_ZXTN25050DFH_10mA.jpg
2SCR533PFRA	Ром	2SCR533PFRA	270	0,435	8,61	0,405	Spectrum_2SCR533PFRA_10mA. jpg
2SCR542PFRA	Ром	2SCR542PFRA	310	0,430	8,35	0,400	Spectrum_2SCR542PFRA_10mA.jpg
2SCR552PFRA	Ром	2SCR552PFRA	310	0,471	10,58	0,443	Spectrum_2SCR552PFRA_10mA.jpg
2SD2662	Ром	2SD2662	360	0,560	16.12	0,537	Spectrum_2SD2662_10mA.jpg

В этой таблице представлен обзор протестированных транзисторов с измеренным входным напряжением. шума испытательного усилителя, а расчетное базовое сопротивление R _бб транзисторы.
Также рассчитывается шум напряжения только транзистора при токе коллектора 10 мА. ток.
Пояснение значения R _bb см. часть 4 .
Дополнительные сведения о методе тестирования см. часть 1 и часть 2 .
Коллекторный ток транзисторов во всех случаях равен 10 мА.

Для BD139 не удалось определить R _bb, так как спектр не плоский, поэтому по всему спектру мы имеем влияние 1/f-шума и/или токовый шум создает неплоский шум на входном конденсаторе C1.
Для всех остальных транзисторов значение R _bb определялось по шуму на частоте 1 кГц.

На следующем рисунке входные шумовые напряжения всех измеренных транзисторов нанесены в виде графика. одна диаграмма.

Рис. 3, входное шумовое напряжение тестовой установки с различными входными транзисторами.
Также для сравнения добавлен малошумящий операционный усилитель AD797A.

Для этой диаграммы я компенсировал значения частотной характеристики Испытательная установка.
На рис. 4 показана реакция тестовой установки и компенсация, которую я применил. изготовление рисунка 3.

Рисунок 4, частотная характеристика тестовой установки и кривая компенсации.

Рисунок 5, шумовой спектр усилителя AD797A версии 4, как описано в часть 2 .
AD797A является одним из доступных операционных усилителей с самым низким (напряжением) шумом.

Рис. 6, спектр шума тестового усилителя на транзисторе ZTX851 при токе коллектора 10 мА.
По сравнению с AD797A этот транзисторный усилитель имеет значительно меньший уровень шума.

Для тестовой установки с транзистором ZTX851 на 10 мА два звуковых файла записано.
Первый тестовый тон 1000 Гц на уровне -140 дБВ, первые 10 секунд тон включен, последние 5 секунд он выключен.
ZTX851_10мА_1000Гц_-140дБВ.mp3

Вторая запись содержит музыку со средним уровнем -143 дБВ (0,07 мкВ) на входе усилителя.
ZTX851_10mA_music_-143dBV.mp3

Для хорошего сравнения записи сделаны с одинаковыми входными уровнями и содержание, как с усилителем AD797A, которое вы можете найти в нижней части часть 2 .
Как вы видите на картинке спектра шума ZTX851, есть некоторый гул видны выше уровня шума.
Я применил фильтр высоких частот 80 Гц к аудиофайлам, чтобы удалить как минимум самая сильная составляющая (50 Гц), что очень раздражало в моих колонках.

Рисунок 7, здесь ZTX851 снова тестируется при 10 мА, как и на рисунке 6, но входной конденсатор тестового усилителя (С1) изменен со 100 мкФ электролитический до 100 мкФ пластиковый пленочный конденсатор.
Электролитический конденсатор имеет ESR (последовательное сопротивление) около 0,5 Ом, в то время как пластиковый пленочный конденсатор имеет ESR, вероятно, ниже 0,01 Ом
Это приводит к снижению минимального уровня шума примерно на 0,5 дБ.
Но пленочный конденсатор емкостью 100 мкФ такой большой, что я не могу надеть на него металлическую крышку. тестовая установка больше.
Это приводит к увеличению уровня помех 50 Гц (+ гармоники). значительно, ситуация улучшилась, когда я обернул алюминиевой фольгой вокруг тестовая установка, которая экранировала большую часть помех.