Что такое MJ15023. Каковы основные характеристики MJ15023. Где применяется транзистор MJ15023. Какие аналоги есть у MJ15023. Как правильно использовать MJ15023 в схемах.
Общее описание транзистора MJ15023
MJ15023 — это мощный биполярный PNP-транзистор, разработанный компанией ON Semiconductor (ранее Motorola). Он относится к семейству силовых транзисторов PowerBase и предназначен для использования в мощных аудиоусилителях и других линейных устройствах, требующих высокой мощности.
Основные характеристики MJ15023:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 200 В
- Максимальный ток коллектора: 16 А
- Рассеиваемая мощность: 250 Вт
- Корпус: TO-3 (металлический)
- Полярность: PNP
Область применения транзистора MJ15023
Благодаря своим характеристикам, MJ15023 находит применение в следующих областях:
- Мощные аудиоусилители высокого класса
- Линейные стабилизаторы напряжения большой мощности
- Драйверы электродвигателей
- Источники питания с высоким КПД
- Позиционеры головок жестких дисков
Особенно широко MJ15023 используется в выходных каскадах аудиоусилителей высокой мощности, где требуется качественное усиление сигнала при больших токах.
Основные электрические параметры MJ15023
Рассмотрим ключевые характеристики транзистора MJ15023:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): 200 В
- Максимальный постоянный ток коллектора (IC): 16 А
- Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot): 250 Вт
- Коэффициент усиления по току (hFE): 20-70 (при IC = 8 А, VCE = 4 В)
- Граничная частота (fT): 4 МГц (типовое значение)
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)): 2,2 В (макс. при IC = 16 А)
Эти параметры позволяют использовать MJ15023 в мощных линейных схемах, обеспечивая высокую выходную мощность при хорошей линейности.
Особенности конструкции и корпуса MJ15023
Транзистор MJ15023 выпускается в металлическом корпусе TO-3, который обладает следующими преимуществами:
- Отличный теплоотвод, позволяющий эффективно рассеивать большую мощность
- Надежная герметизация кристалла транзистора
- Удобство монтажа на радиатор
- Высокая устойчивость к механическим воздействиям
Корпус TO-3 имеет два вывода (эмиттер и база) и металлическое основание, которое служит коллектором транзистора. Это позволяет напрямую крепить транзистор к радиатору, обеспечивая оптимальный теплоотвод.
Аналоги и совместимые транзисторы
У MJ15023 есть ряд аналогов и совместимых транзисторов, которые могут использоваться в качестве замены в большинстве схем:
- MJ15025 — версия с более высоким напряжением (250 В)
- 2N6031 — транзистор с близкими характеристиками
- MJ15003 — NPN-версия с аналогичными параметрами
- 2N3792 — более старая версия с похожими характеристиками
При выборе аналога важно учитывать не только основные электрические параметры, но и особенности применения в конкретной схеме.
Рекомендации по применению MJ15023 в схемах
При использовании MJ15023 в электронных устройствах следует учитывать несколько важных моментов:
- Обеспечение эффективного теплоотвода. Транзистор должен быть установлен на радиатор с достаточной площадью.
- Правильный выбор рабочей точки. Необходимо обеспечить оптимальный режим работы для минимизации искажений.
- Защита от перегрузки и короткого замыкания. Рекомендуется использовать схемы защиты для предотвращения выхода транзистора из строя.
- Учет температурной зависимости параметров. При проектировании схемы нужно принимать во внимание изменение характеристик транзистора при нагреве.
Соблюдение этих рекомендаций позволит максимально эффективно использовать возможности MJ15023 и обеспечить надежную работу устройства.
Типовые схемы включения MJ15023
Рассмотрим несколько типовых схем включения транзистора MJ15023:
1. Выходной каскад аудиоусилителя класса AB
В этой схеме MJ15023 используется в паре с комплементарным NPN-транзистором (например, MJ15003) для построения двухтактного выходного каскада. Такая конфигурация обеспечивает высокую выходную мощность при низких искажениях.
2. Эмиттерный повторитель
MJ15023 может применяться в схеме эмиттерного повторителя для создания мощного буферного каскада с низким выходным сопротивлением. Это полезно в случаях, когда требуется согласование высокоомного источника сигнала с низкоомной нагрузкой.
3. Линейный стабилизатор напряжения
Благодаря высокой мощности и напряжению, MJ15023 может использоваться как регулирующий элемент в схемах линейных стабилизаторов напряжения большой мощности.
Каждая из этих схем имеет свои особенности и требует тщательного расчета режимов работы транзистора для обеспечения оптимальной производительности и надежности.
Меры предосторожности при работе с MJ15023
При использовании MJ15023 необходимо соблюдать следующие меры предосторожности:
- Избегать превышения максимально допустимых значений тока, напряжения и мощности рассеивания
- Обеспечивать надежный тепловой контакт между транзистором и радиатором
- Использовать теплопроводящую пасту для улучшения теплоотвода
- Предусмотреть защиту от статического электричества при монтаже
- Не допускать механических повреждений выводов и корпуса транзистора
Соблюдение этих мер позволит избежать преждевременного выхода транзистора из строя и обеспечит его долговременную и надежную работу в устройстве.
Заключение
MJ15023 — это мощный PNP-транзистор, который благодаря своим характеристикам находит широкое применение в аудиотехнике высокого класса и других линейных устройствах большой мощности. Его ключевыми преимуществами являются:
- Высокая мощность рассеивания (250 Вт)
- Большой допустимый ток коллектора (16 А)
- Высокое напряжение коллектор-эмиттер (200 В)
- Надежный металлический корпус с хорошим теплоотводом
При правильном применении и соблюдении рекомендаций по эксплуатации, MJ15023 обеспечивает высокую производительность и надежность в различных электронных устройствах.

Выходные транзисторы Motorola 20A 200V MJ15004 MJ15023 MJ15025 MJ15027
|
Положить в корзину
Все фото на одной странице 1 человек добавил лот в Избранное
| ||||||||||||||||
|
|||
запчасти Радиодетали радиокомпоненты радиотехника радиоэлементы электрика электротехника радиодетали запчасть СССР транзистор выходные выходники аудио MJ15004 MJ15023 MJ15025 MJ15027 Еще…
Что можно сделать:
Обычно отвечает в течение 3 часов.
— Приватный вопрос
Положите в корзину один или несколько лотов, а затем купите их все сразу.
Купить этот лот по цене 500.00 р.
Помощь: Как покупать?
Вы можете наблюдать за ходом торгов по этому лоту, добавив его в «Избранное».
1 человек добавил лот в Избранное
Запрашиваемая страница не найдена!
- Главная
- Запрашиваемая страница не найдена!
Категории
- УФ-ППЗУ (Eprom)
- Flash, Eeprom, Firmware Hub
- Serial Eeprom, Serial Flash
- Static RAM
- Микроконтроллеры Atmel
- PIC-микроконтроллеры Microchip
- Микроконтроллеры Winbond/Nuvoton
- Микроконтроллеры NXP/Philips
- Микроконтроллеры Texas Instruments
- Микроконтроллеры ST Microelectronics
- Устройства программирования микросхем (переходники, клипсы, УФ-приборы), прочие приборы, инструмент
- Макетные платы, текстолит
- Панели, разъёмы, переключатели, герконы, кабель
-
Микросхемы импортные для ремонта (TDA, AN, LA, STR и пр.
)
- Логика
- Компоненты Analog Devices
- Компоненты Maxim/Dallas
- Компоненты FTDI
- Компоненты International Rectifier
- Светодиоды
- Транзисторы
- Диоды, мосты, стабилитроны
- Тиристоры, симисторы
- Оптоэлектроника
- Кварцы, генераторы
- AC/DC преобразователи
- Магниты
- Импортные выводные (=К50-35, К50-24) и SMD электролитические конденсаторы, ионисторы
- Импортные выводные керамические конденсаторы (=К10-17Б, К15-5, КД-2)
-
Импортные выводные плен.
полиэстер. конденсаторы (=К73-9)
- Чип конденсаторы керамические
- Чип танталовые конденсаторы
- Резисторы подстроечные
- Чип резисторы
- Резисторы выводные МЛТ-0,25 (С1-4), МЛТ-1, МЛТ-2 (С2-33)
- Звукоизлучатели
- Реле
-
Аккумуляторы свинцово-кислотные герметизированные
- Наборы для переделки шуруповерта с Ni-Cd на Li-ion аккумуляторы
- Тюнеры
- Прочее
- Товары под заказ
MJ15023 datasheet — Power 16A 200V Discrete PNP , Упаковка: TO-204 (TO-3),
Детали, техпаспорт, цитата по артикулу: MJ15023
| Part | MJ15023 |
| Категория | Дискретные => Транзисторы => Биполярные => Силовые |
| Описание | Мощность 16 А 200 В Дискретный PNP, упаковка: TO-204 (TO-3), Pin=2 |
| Компания | ON Semiconductor |
| Техническое описание | Загрузить MJ15023 Техническое описание |
Крест. | Аналогичные детали: MJ15003, 2N6031, ECG6, MJ15025 |
| Цитата |
Где купить |
| Функции, приложения |
| MJ15023 и MJ15025 — это силовые транзисторы PowerBase, предназначенные для мощных аудиоустройств, позиционеров дисковых головок и других линейных устройств. 16 AMPERE SILICON POWER TRANSISTORS 200 AND 250 VOLTS 250 WATTSНоминальное обозначение VCEO VCBO VEBO VCEX 250 400 Unit Vdc Adc Диапазон температур перехода при эксплуатации и хранении 250 1,43 Вт W/_C _C TJ, Tstg до +200 (1) Импульсный тест: длительность импульса = 5 мс, коэффициент заполнения v 10 %.Предпочтительные устройства ON Semiconductor рекомендуются для использования в будущем и имеют наилучшую общую ценность. Характеристика ВЫКЛ. ХАРАКТЕРИСТИКИ Символ Мин. Макс. Единица Коллектор-эмиттер Поддерживаемое напряжение (1) (IC = 100 мА пост. СОЕДИНИТЕЛЬНЫЙ ПРОВОД С ОГРАНИЧЕННЫМ ТЕПЛОВЫМ ОГРАНИЧЕНИЕМ (ОДИН ИМПУЛЬС) ВТОРОЙ ПРОБОЙ ОГРАНИЧЕННОЕ VCE, НАПРЯЖЕНИЕ КОЛЛЕКТОР-ЭМИТТЕР (ВОЛЬТ) 1k На мощность транзистора накладываются два ограничения: средняя температура перехода и второй пробой. Кривые безопасной рабочей области указывают пределы IC VCE транзистора, которые необходимо соблюдать для надежной работы; т. е. транзистор не должен подвергаться большему рассеянию, чем показывают кривые. Данные на рис. 1 основаны на TJ(pk) TC, которая изменяется в зависимости от условий. При высоких температурах корпуса тепловые ограничения уменьшат допустимую мощность до значений, меньших, чем ограничения, налагаемые вторым пробоем. |
| Связанные продукты с тем же паспортом |
| МДЖ15025 |
| Номер детали того же производителя ON Semiconductor |
| MJ15024 Мощность 16 А 200 В Дискретный NPN, упаковка: TO-204 (TO-3), контакты = 2 |
| MJ15025 Мощность 16А 200В Дискретный PNP, упаковка: TO-204 (TO-3), Pin=2 |
| MJ16010 Силовые кремниевые транзисторы NPN серии Switchmode |
| МДЖ16012 |
| МДЖ16018 НПН силовые транзисторы кремния |
| Силовые транзисторы | кремния серии NPN Switchmode MJ16020
| МДЖ16022 |
| МДЖ16110 НПН кремниевые силовые транзисторы |
| MJ21193 Мощность 16А 250В PNP, упаковка: TO-204 (TO-3), Pin=2 |
| MJ21195 Питание, 16 А, 250 В, PNP, упаковка: TO-204 (TO-3), контакты = 2 |
| MJ2501 Комплементарные кремниевые транзисторы средней мощности |
| MJ2955 Мощность 15A 60V Дискретный NPN, Упаковка: TO-204 (TO-3), Pin=2 |
| МДЖ2955А НПН 15 ампер дополнительный кремниевый силовой транзистор |
| MJ3001 Комплементарные кремниевые транзисторы средней мощности |
| MJ423 Высоковольтный кремниевый транзистор NPN |
| MJ4502 Мощность 30A 100V Дискретный PNP, упаковка: TO-204 (TO-3), Pin=2 |
| MJ802 Мощность 30A 90V Дискретный NPN, упаковка: TO-204 (TO-3), контакты = 2 |
| МДЖБ18004Д2Т4 |
| МДЖБ41К |
| MJB41C Дополнительные кремниевые пластиковые силовые транзисторы |
| MJB42C Дополнительные кремниевые пластиковые силовые транзисторы, пакет: D2PAK, Pins=3 |
|
1SMA5938B : Стабилитрон 1SMB8. MC33264D-2.8 : Микромощные регуляторы напряжения с управлением включением/выключением NCP303LSN23T1 : Детектор напряжения 0,9 В с контролем напряжения с программируемой задержкой и сбросом с высоким дополнительным выходом, упаковка: SOT-23 / TSOP-5, контакты = 5 NB3N502DR2G: множитель тактовой частоты PLL от 14 МГц до 190 МГц MCR72-3G : Выпрямители с чувствительным затвором, управляемые кремнием, тиристоры с обратной блокировкой MMBD914LT3G : ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЙ ДИОД, 100 В, 200 мА, SOT-23 Технические характеристики: Тип диода: Малый сигнал; Прямой ток If(AV): — ; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс.: 100 В; Прямое напряжение VF Макс.: 1 В; Время обратного восстановления trr Макс.: 4 нс; Прямой импульсный ток Ifsm Max: — ; Диапазон рабочих температур: от -55°C до +150°C; Стиль корпуса диода: SOT-23; Число Пи 2SD1805G-TL-E : Транзистор (bjt) — один дискретный полупроводниковый продукт 5A 20V 1W NPN; TRANS NPN BIPO 5A 20V TP-FA Технические характеристики: Тип транзистора: NPN; Напряжение — пробой коллектор-эмиттер (макс. NTMFS5C670NLT1G : MOSFET TRENCH 6 60V NFET ON Semiconductor Силовые MOSFET NxMFS5C представляют собой N-канальные MOSFET-устройства, способные обеспечивать низкие показатели RDS(on) сопротивления в открытом состоянии. Они минимизируют потери проводимости и повышают общий уровень эффективности работы. NxMFS5C также имеют низкую добротность и емкость, чтобы минимизировать потери драйвера |
| Та же категория |
| 1N957-1N979 : Стабилитроны. Кремниевые планарные силовые стабилитроны. Стандартный допуск по напряжению Зенера составляет 5% для суффикса «B». Другие допуски доступны по запросу. Футляр: Стеклянный футляр DO-35 Вес: прибл. 0,13 г Коды упаковки/варианты: D7/10K на 13-дюймовую катушку (лента 52 мм) D8/10K на ленту Ammo (лента 52 мм) Параметр Ток стабилитрона (см. EC10DS2 : Устройство = диод ;; Резкое пиковое обратное напряжение (В) = 200 ;; Средний выпрямленный ток (А) = 1 ;; Состояние (cace или температура окружающей среды) = Ta=25 ;; Импульсный прямой ток (А) = 25 ;; Максимальная рабочая температура перехода (C) = 150; Температура хранения (С) = от -40 до 150; Пиковый обратный ток (мА) = 0,010 ;; Пиковое прямое напряжение (В) = 1,1;; Пик вперед. HSM104 : Технические характеристики высокоэффективного выпрямителя для поверхностного монтажа. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ВЫСОКОЭФФЕКТИВНОГО ВЫПРЯМИТЕЛЯ ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА Идеально подходит для поверхностного монтажа Низкий ток утечки Быстрое переключение для повышения эффективности Пассивированное стеклом соединение * Корпус: литой пластик * Эпоксидная смола: UL 9Огнестойкость класса 4V-0 * Клеммы: с покрытием под пайку, возможность пайки в соответствии с MIL-STD-202E, гарантируется метод 208 * Полярность: Цветная полоса обозначает катод. NTMS4N01R2 : Мощный МОП-транзистор 4,2 А, 20 В, упаковка: Soic, контакты = 8. Мощный полевой МОП-транзистор высокой плотности со сверхнизким значением RDS(on) обеспечивает более высокую эффективность Миниатюрный корпус SO8 для поверхностного монтажа экономит место на плате; Предоставляется информация по монтажу для пакета SO8, указанная IDSS при повышенных температурах. XP161A02A1PR : . NN-Channel Power MOS FET NDMOS Структура NLow Сопротивление в открытом состоянии: 0,11 (макс.) NUltra High-Speed Switching Пакет NSOT-89 GНоутбуки GМобильные и портативные телефоны GВстроенные источники питания GСистемы ионно-литиевых аккумуляторов Это N-Channel Power МОП-транзистор с низким сопротивлением в открытом состоянии и сверхвысокой скоростью переключения. Потому что скоростное переключение. IXFC74N20P : Полярные МОП-транзисторы с быстрым собственным диодом # BVDSS до 600 В # Лавинный номинал # Быстродействующий внутренний диод # ID(25): 1A — 200A. 0805CA100J4Z1A : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 600 В, C0G, 0,00001 мкФ, ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ, 0805. s: Конфигурация/Форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: многослойная; диэлектрик: керамический состав; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 1,00E-5 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 5 (+/- %); WVDC: 600 вольт; Температурный коэффициент: 30 частей на миллион/°C; Способ крепления: поверхностный. M80T47 : 1 ЭЛЕМЕНТ, 0,53 мкГн, ВОЗДУШНЫЙ СЕРДЕЧНИК, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ. s: Устройства в пакете: 1 ; Основной материал: воздух; Тип руководства: Радиальный, WIRE; Применение: общего назначения, радиочастотный дроссель; Диапазон индуктивности: 0,5300 мкГн; Номинальный постоянный ток: 100 мА; Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F). MPLCH0740L1R0 : 1 ЭЛЕМЕНТ, 1 мкГн, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ, SMD. s: Вариант монтажа: технология поверхностного монтажа; Устройства в упаковке: 1 ; Стиль ведения: WRAPAROUND; Применение: общего назначения, силовой дроссель; Диапазон индуктивности: 1 мкГн; Номинальный постоянный ток: 13600 мА; Рабочая температура: от -20 до 120 C (от -4 до 248 F). PMBFJ108TRL13 : 25 В, N-КАНАЛЬНЫЙ, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛ, JFET. s: Полярность: N-канальный ; V(BR)DSS: 25 вольт; RDS(вкл.): 8 Ом; Количество единиц в IC: 1. RR0816P4990D : РЕЗИСТОР, МЕТАЛЛОПЛЕНОЧНЫЙ, 0,0625 Вт, 0,5 %, 25 частей на миллион, 499 Ом, ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ, 0603. s: Категория/Применение: Общее использование; Технология/Конструкция: Металлопленка; Монтаж/упаковка: технология поверхностного монтажа (SMT/SMD), 0603, ЧИП, СООТВЕТСТВУЕТ ROHS; Диапазон сопротивления: 499 Ом; Допуск: 0,5000 +/- %; Температурный коэффициент: 25 ± ppm/°C; Номинальная мощность:. T0068 : ТРАНСФОРМАТОР ДАННЫХ ДЛЯ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ. s: Категория: Сигнал ; Другие типы трансформаторов/применения: Импульсные трансформаторы, DATACOM TRANSFORMER; Монтаж: Чип-трансформер. T1971N44TOH : 3700 А, 4400 В, SCR. с: ВДРМ: 4400 вольт; ВРРМ: 4400 вольт; ИТ (RMS): 3700 ампер; IGT: 350 мА; Количество выводов: 4. |

В случае покупки нескольких (или даже одного) лотов, больших по размеру, по весу, по количеству, доставка остается экономная в одном пакете, но ее стоимость рассчитывается по факту покупки, сколько тариф на почте, столько и платить. Иными словами — стоимость доставки рассчитывается по факту, исходя из веса и места назначения. Доставка заказным письмом с трек номером или мелким пакетом, бандеролью. Cтраховка и объявленная ценность по договоренности. За работу почты продавец ответственность не несет.
Данная оценка носит приближенный, условный, справочный характер.
Все же исходя из опыта продавца, по его субъективному мнению реплик и новоделов нет, либо об этом будет явно сказано.
п.). Оплата строго в течении 3х дней после согласования и покупки лота.
тока, = 0) Ток отсечки коллектора (VCE = 200 В пост. тока, VBE(выкл.) = 1,5 В пост. тока) (VCE = 250 В пост. тока, VBE(выкл.) = 1,5 В пост. тока) Ток отсечки коллектора (VCE = 150 В пост. тока, = 0) (VCE = 200 В пост. тока, = 0) Ток отсечки эмиттера (VCE = 5 В пост. тока, = 0) VCEO(sus) 200 250 ICEX Adc MJ15023 MJ15025 ICEO Adc MJ15023 MJ15025 IEBO Adc Оба Ток коллектора второго пробоя с прямым смещением базы (VCE = 50 В пост. тока, 0,5 с (однократно)) (VCE = 80 В пост. тока, 0,5 с (однократно)) IS/b Adc 2 ON ХАРАКТЕРИСТИКИ Коэффициент усиления по постоянному току (IC = 8 А пост. тока, VCE = 4 В пост. тока) (IC = 16 А пост. тока, VCE = 4 В пост. тока) hFE 5 60 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (IC = 8 А пост. тока, = 0,8 А пост. тока) (IC = 16 А пост. тока, = 3,2 А пост. тока) Напряжение включения базы-эмиттера ( IC = 8 А пост. тока, VCE = 4 В пост. тока) VCE(sat) В пост. тока 4,0 2,2 VBE(on) В пост. , = 0, ftest = 1 МГц) fT 4 МГц pF C ob 600 (1) Импульсный тест: длительность импульса = 300 с, коэффициент заполнения 2%.
100 IC, ТОК КОЛЛЕКТОРА (АМП) 10 5,0
0A: Стабилитрон 600 Вт
): 20 В; Ток — коллектор (Ic) (макс.): 5A; Мощность — макс.: 1 Вт; Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce: 120 при 500 мА, 2 В; Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic: 500 мВ при 60 мА, 3 А; Частота-переход: 120 МГц; Текущий — Колле
таблицу «Характеристики») Рассеиваемая мощность = 25C Тепловая.0053