MJE13003 (to-252) | Биполярные транзисторы
Транзистор MJE13003
MJE13003 — NPN Bipolar Power Transistor 400V, 1.5A, TO-252
Особенности, параметры, характеристики
- Excellent Switching Times
- Ton=1.1 S(Max.), tf=0.7 S(Max.), at IC=1A
- High Collector Voltage : VCBO=700V
Применение
- Switching regulator’s, inverters
- Motor controls
- Solenoid/relay drivers
- Deflection circuits
| Код товара : | M-122-6908 |
|---|---|
| Обновление: | 2022-09-18 |
| Тип корпуса : | TO-252 |
Дополнительная информация:
Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики.
Полная информация о том как проверить MJE13003 (to-252), чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.
В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.
Полная информация о том как проверить MJE13003 (to-252), чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.*** тэги, это текстовые метки, которые формируют сами посетители, для быстрого поиска требуемых компонентов, радиотоваров, инструментов, и тд. Например, добавив метку «ремонт», этот товар будет отображаться в результатах поиска по этому слову. В дальнейшем, достаточно будет нажать на ссылку для вывода списка товаров с этой меткой.
Что еще купить вместе с MJE13003 (to-252) ?
Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд.
Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.
| Код | Наименование | Краткое описание | Розн. цена |
** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара | |||
| 6908 | MJE13003 (to-252) | Транзисторы MJE13003 — NPN Bipolar Power Transistor 400V, 1.5A, TO-252 | 9.5 pyб. |
| 612 | MJE13003 to-126 | Транзисторы MJE13003 (MJE13003F, MJE13003C) — NPN Bipolar Power Transistor 600V, 3A, TO-126 | 5.3 pyб. |
| 6906 | 2SD882 (to-252) | Транзистор 2SD882 (маркировка D882M) — NPN silicon transistor 40V, 3A, TO-252 | 9. 5 pyб. |
| 303 | IRF740 to-220 | Транзистор IRF740 (IRF740N, IRF740B) — MOSFET, N-канал, 400В, 10А, 134Вт, 0.54 Ом, TO-220 | 32 pyб. |
| 7091 | FQU2N60C | Транзистор FQU2N60C — Power MOSFET N-Channel, 600V, 2A, TO-251 | 15 pyб. |
| 1930 | TDA2030A | Микросхемы TDA2030 (TDA2030A) — Power Amplifier, 18W, TO-220-5 | 32 pyб. |
| 3981 | LM2596S-ADJ | Микросхемы LM2596S-ADJ — SIMPLE SWITCHER Power Converter 150 kHz 3A Step-Down Voltage Regulator, TO-263 | 29 pyб. |
| 7228 | P6KE24CA | Защитный двунаправленный TVS диод P6KE24CA — Transient Voltage Suppression Diode 600Вт, 24В | 4.3 pyб. |
| 5527 | SRD-24VDC-SL-C | Реле электромагнитное SRD-24VDC-SL-C (24В, 10A 250VAC, 1 группа на переключение, размеры 19.2X15.5X15.2mm) | 43 pyб. |
| 7212 | RJP63K2 to-263 | Транзисторы RJP63K2 (полный партномер RJP63K2DPE) — Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching, 630V, 35A, TO-263 | 43 pyб. |
Транзистор 13001
MJE13001 — биполярный маломощный высоковольтный N-P-N транзистор.
Основные параметры:
Транзистор MJE13001 широко применяется в сетевых зарядных устройствах.
Отечественым аналогом MJE13001 является транзистор КТ538А, приближенным аналогом (с учётом другого корпуса) также транзистор КТ8270А. |
передачи тока)Э К Б
Транзистор 13001
Дата
добавления: 30.
05.13
ТвитнутьНравится
Рейтинг:
Начало формы
Give it 1/5
Give it 2/5
Give it 3/5
Give it 4/5
Give it 5/5
Среднее: 5 (2[2] голосов)
Конец формы
Биполярный
транзистор 13001 является чрезвычайно
мощным и высоковольтным. Этот вид
транзисторов относится к устройствам
ввезенного производства, с корпусом
TО-126, а так же данные приборы имеют
высокий уровень скорости переключения.
Область использования импортных из
стран ближнего и дальнего зарубежья
транзисторов серии 13003 является достаточно
широкой по сравнению с транзисторами
и бытовыми электроприборами, привезенными
из других стран. Как правило, в основном
это лампочки, которые сберегают энергию,
зарядные устройства, регуляторы по
освещению и лампы для дневного освещения.
Замена 13003 на российский транзистор
происходит согласно таблицам аналогов. Транзистор
13001 цоколевка возможен так же как вариант. Импортные
транзисторы, относящиеся к серии 13001-
13009 широко распространены в производстве
бытовой аппаратуры.
Информация про транзистор 13001 аналог широко распространена и используются на сайтах в Интернете. Транзистор зачастую используют при сборке импортного электрического бытового прибора, например, энергосберегающей лампы, фонаря дневного света, зарядного устройства и т.д.
Технические характеристики
Uкэ(max) | 400V |
Iк(max) | 300mA |
Iк.имп(max) | 600mA |
P(max), при t=25 o C | 750mW |
Hfe (коэфф. передачи тока) | 10..40 |
Iк.обр, не более | 100uA |
Fгр. (граничная частота) | 8MHz |
Корпус | TO-92 |
Транзистор
13001s — это так же биполярный, щироко
распространенный высоковольтный
транзистор.
Упаковки транзистора бывает разных типов, к примеру, это может быть трубка, лоток, лента и катушка, ящик и т.д.
Новый, оригинальный транзистор модели 13001 вы можете в Интернете приобрести как по оптовой цене, с гарантией в один месяц, так и по роздничной цене. Мы предоставим вам бесплатный образец, быструю работу, доставку и надежную, понятную систему оплаты товара.
Транзистор 13001 аналог которому с легкостью можно подобрать ниже, относится к серии транзисторов MJE13001 — MJE13000, которые так же, соответственно, относятся к биполярным, высоковольтным, c N-Р-N cтруктурой, устройствам, которые специально разработаны с единой целью использования при работе импульсной техники.
отечественный аналог, тип | импортный транзистор аналог | Uкэ, V | Iк, A | h31 | Uнас, V | tрас, мкс | цоколевка тип корпуса |
[fгр, МГц] | |||||||
MJE13005, MJE 13005, 13005 | 400 | 4 |
| 1. | 0.4 | КТ28 | |
замена импортных транзисторов КТ8126А | MJE13007, MJE 13007, 13007 | 400 | 8 | >10 | 1.0 | 0.4 | КТ28 |
замена импортных транзисторов КТ8137А | MJE13003, MJE 13003, 13003 | 400 | 1,5 — 3 | 50 | 1.0 | 0.4 | КТ27 |
КТ8164А | MJE13005, MJE 13005, 13005 | 600 | 4 |
|
|
| КТ28 |
КТ8170А | MJE13003, MJE 13003, 13003 | 400 | 1,5 — 3 | 40 | 1. | 0.004 | КТ27 |
КТ8175А | MJE13003, MJE 13003, 13003 | 700 | 1,5 — 3 | 40 |
| 0.4 | КТ27 |
КТ8181А | MJE13005, MJE 13005, 13005 | 700 | 4 | 50 |
| 0.4 | КТ28 |
КТ8182А | MJE13007, MJE 13007, 13007 | 700 | 8 | 50 |
| 0. | КТ28 |
КТ8201А | MJE13001, MJE 13001, 13001 | 400 | 0.6 | 40 |
| 0.3 | КТ27 |
КТ8203А | MJE13003, MJE 13003, 13003 | 400 | 1,5 — 3 | 25 |
| 0.7 | КТ27 |
КТ8205А | MJE13005, MJE 13005, 13005 | 400 | 4 | 40 |
| 0. | КТ28 |
КТ8207А | MJE13007, MJE 13007, 13007 | 400 | 8 | 30 |
| 0.7 | КТ28 |
КТ8209А | MJE13009, MJE 13009, 13009 | 400 | 12 | 30 |
|
| КТ28 |
КТ8258А | MJE13005, MJE 13005, 13005 | 400 | 4 | 60 | 0. |
| to220 или to263 |
замена импортных транзисторов КТ8259А | MJE13007, MJE 13007, 13007 | 400 | 8 | 60 | менее 1-1,5 |
| to220 или to263 |
замена импортных транзисторов КТ8260А | MJE13009, MJE 13009, 13009 | 400 | 12 | 60 | менее 1-1,5 |
| to220 или to263 |
замена импортных транзисторов КТ8270А | MJE13001, MJE 13001, 13001 | 400 | 5. | 90 | 0.5 |
| КТ27 |
0
0
15
9
8
0
Транзисторы данной марки характеризуются такими показателями, как чрезвычайно высокое напряжение и повышенный уровень быстродействия устройства.
Диоды общего применения 1N400x | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Максимальные значения электрических характеристик (при 25°С)
Кривые характеристик | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
..+125MJE13003 NPN Транзистор Спецификация, схема выводов, характеристики и применение
Сегодня в этом посте я продемонстрирую введение в MJE13003. MJE13003 — кремниевый NPN-транзистор, в основном используемый для высокоскоростных… Привет друзья! Надеюсь, ты сегодня в порядке. Я приветствую вас на борту. Сегодня в этом посте я продемонстрирую введение в MJE13003.
MJE13003 — кремниевый NPN-транзистор, в основном используемый для высокоскоростных коммутационных приложений высокого напряжения. Эта микросхема представляет собой трехконтактное устройство, в котором небольшой ток на одном выводе используется для создания большого тока на остальных выводах.
Ток коллектора составляет 1,5 А, что означает, что это устройство может поддерживать нагрузку до 1,5 А.
Я предлагаю вам пристегнуться, поскольку я опишу полное введение в MJE13003, включая техническое описание, распиновку, принцип работы, приложения, номинальную мощность и физические размеры.
Давайте начнем.
- MJE13003 — это транзистор с биполярным переходом, принадлежащий к семейству транзисторов NPN. Он в основном используется для коммутации и усиления и поставляется в корпусе TO-220.
- Рассеиваемая мощность этого устройства составляет 40 Вт, что соответствует количеству энергии, выделяемой во время работы этого устройства.
- MJE13003 — это силовой транзистор с тремя выводами, известными как эмиттер, база и коллектор. Небольшой входной ток на выводе базы используется для наведения большого выходного тока на выводах эмиттера и коллектора.
- Транзисторы с биполярным переходом — это тип транзисторов, в которых два носителя заряда, то есть дырки и электроны, играют жизненно важную роль в проводимости устройства.
- Транзисторы с биполярным переходом делятся на два типа, один из которых представляет собой NPN-транзистор, а другой — PNP-транзистор.
- В транзисторах NPN и электроны, и дырки отвечают за проводимость устройства, однако в этом случае электроны являются основными носителями заряда, а дырки — неосновными носителями.
- Точно так же и электроны, и дырки играют жизненно важную роль в проводимости PNP-транзисторов, но здесь дырки являются основными носителями, а электроны — неосновными.
- Кроме того, в PNP-транзисторах ток течет от эмиттера к коллектору, тогда как в случае NPN-транзисторов ток течет в противоположном направлении, то есть от коллектора к выводам эмиттера.
- При сравнении NPN-транзисторов с PNP-транзисторами NPN-транзисторы предпочтительнее PNP-транзисторов, поскольку электроны могут течь быстрее, чем дырки, что делает PNP-транзисторы более ценными для ряда приложений.
- Эти транзисторы с биполярным переходом являются устройствами, управляемыми током, в то время как МОП-транзисторы представляют собой тип транзисторов, которые являются устройствами, управляемыми напряжением, и имеют выводы, называемые стоком, истоком и затвором.
Целесообразно просмотреть техническое описание компонента, прежде чем включить это устройство в свой электрический проект. В даташите указаны основные характеристики устройства. Вы можете скачать техническое описание MJE13003, нажав на ссылку ниже.
MJE13003 РаспиновкаMJE13003 — это силовой транзистор с тремя выводами, названными:
- Основание
- Коллектор
- Излучатель
На следующем рисунке показана схема распиновки MJE13003.
- Внешняя электрическая цепь подключается к этому транзистору через эти клеммы. Все эти клеммы поставляются с различной концентрацией легирования.
- Вывод эмиттера сильно легирован, а вывод коллектора легирован слабо. А базовый вывод в 10 раз более легирован, чем вывод коллектора.
- Большой ток на выводах эмиттера и коллектора создается за счет использования малого тока на выводе базы.
- Базовый контакт отвечает за работу транзистора в целом. Когда вы подаете напряжение на базовый вывод, оно будет смещать устройство, и в результате ток начнет течь от коллектора к выводу эмиттера.
- Поскольку это NPN-транзистор, электроны являются основными носителями, а дырки — неосновными носителями.
- Знайте, что транзисторы с биполярным переходом не являются симметричными устройствами. Какие проекты, если вы поменяете местами клеммы эмиттера и коллектора, это предотвратит работу клемм в прямом активном режиме, и, таким образом, обе клеммы начнут работать в обратном активном режиме.
- Замена этих клемм также повлияет на значения коэффициента усиления по току с общей базой и коэффициента усиления по току с общим эмиттером.
В следующей таблице показаны абсолютные максимальные рейтинги MJE13003.
| Абсолютные максимальные значения MJE13003 | ||||
|---|---|---|---|---|
| Номер контакта | Описание контакта | Имя контакта | ||
| 1 | Напряжение коллектор-эмиттер | 400 В | ||
| 2 | Напряжение коллектор-база | 700В | ||
| 3 | Напряжение база-эмиттер | 9В | ||
| 4 | Токосъемник | 1,5 А | ||
| 5 | Рассеиваемая мощность | 40 Вт | ||
| 6 | Базовый ток | 0,75 А | ||
| 7 | Рабочий и складской узел диапазон температур | от -55 до 150°С | ||
- Суммарная рассеиваемая мощность этого устройства составляет 40 Вт, что соответствует количеству энергии, выделяемой во время работы этого устройства.
- При напряжении коллектор-база 700В и коллектор-эмиттер 400В. Напряжение эмиттер-база составляет 9 В, что показывает величину напряжения, необходимого для смещения этого устройства.
- При работе с компонентом убедитесь, что рейтинги не превышают абсолютные максимальные рейтинги. В противном случае они могут сильно повредить устройство, а значит и весь проект.
- Также не применяйте эти рейтинги дольше необходимого времени, иначе они могут повлиять на надежность устройства.
Напряжение эмиттер-база составляет 9 В, что показывает величину напряжения, необходимого для смещения этого устройства.MJE13003 используется в следующих приложениях.
- Используется в современных электронных схемах.
- Используется в импульсном блоке питания.
- Используется в схемах регулятора напряжения.
- Используется для коммутации и усиления.
- Используется в схемах бистабильных и нестабильных мультивибраторов.
- Используется для поддержки нагрузок до 1,5 А.
- Используется в схемах Н-моста.
- Используется в цепи управления двигателем.
На следующем рисунке показаны физические размеры MJE13003.
Используя эти размеры, вы можете оценить пространство, необходимое для установки этого устройства в электрическую цепь. Это было все о введении в MJE13003. Надеюсь, вам понравилось читать эту статью. Если у вас есть какие-либо вопросы, вы можете обратиться ко мне в разделе комментариев ниже. Я готов и счастлив помочь вам наилучшим образом. Мы всегда рады поделиться своими отзывами и предложениями по контенту, которым мы делимся. Они помогают нам создавать качественный контент с учетом ваших конкретных потребностей и требований. Спасибо за прочтение статьи.
JLBCB — прототип 10 печатных плат за 2 доллара США (любой цвет) Китайское крупное предприятие по производству прототипов печатных плат, более 600 000 клиентов и онлайн-заказ Ежедневно Как получить денежный купон PCB от JLPCB: https://bit.
ly/2GMCH9w-Автор сайта
Сайед Заин Насир
Саидзаиннасир Я Сайед Заин Насир, основатель The Engineering Projects (TEP). я программист с 2009 годадо этого я просто искал вещи, делал небольшие проекты, а теперь делюсь своими знания через эту платформу. Я также работаю фрилансером и сделал много проектов, связанных с программирование и электрические схемы. Мой профиль Google+Подписаться Присоединиться
MJE13003 datasheet — Power 2A 400V SM NPN , Package: TO-225, Pins=3
Детали, спецификация, цитата по номеру детали: MJE13003
| Part | MJE13003 |
| Категория | Дискретные => Транзисторы => Биполярные => Силовые |
| Описание | Питание 2A 400V SM NPN, упаковка: TO-225, контакты = 3 |
| Компания | ON Semiconductor |
| Лист данных | Загрузить MJE13003 Технический паспорт |
Крест. | Аналогичные детали: BUL381D, STL128D, TTD1409B, BUJ101 |
| Цитата | Где купить |
| Функции, области применения |
Эти устройства предназначены для высоковольтных высокоскоростных индуктивных цепей, где время спада имеет решающее значение. Они особенно подходят для приложений SWITCHMODE на 115 и 220 В, таких как импульсные регуляторы, инверторы, устройства управления двигателем, соленоиды/релейные драйверы и цепи отклонения. SOA с обратным смещением и индуктивными нагрузками = 100_C Индуктивная коммутационная матрица для 1,5 А, 25 и 700 В Возможность блокировки SOA и информация о коммутационных приложениях 1,5 АМПЕРА NPN КРЕМНИЕВЫЕ СИЛОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 300 И 400 ВОЛЬТ 40 ВАТТ Номинальная мощность Символ Значение 700 9 Напряжение коллектора-эмиттера Напряжение коллектора-эмиттера Базовое напряжение эмиттера VCEO(sus) VCEV VEBO IC ICM IB IBM IE IEM PD Ток коллектора Непрерывный Пиковый (Примечание 1. Тепловое сопротивление, переход к корпусу Тепловое сопротивление, переход к окружающей среде Максимальная температура нагрузки для целей пайки: 1/8 от корпуса в течение 5 секунд 1. Импульсный тест: длительность импульса = 5 мс, коэффициент заполнения 10%. Характеристика ХАРАКТЕРИСТИКИ ВЫКЛ (Примечание 2.) Обозначение Мин. Тип Макс. Единица Поддерживаемое напряжение эмиттера коллектора (IC = 10 мА, = 0) VCEO(sus) ICEV В пост. тока 400 Ток отсечки коллектора (VCEV = номинальное значение, VBE(off) = 1,5 В пост. тока) (VCEV = номинальное значение, VBE(off) = 1,5 В пост. тока, = 100_C) Ток отсечки эмиттера (VEB = 9Vdc, = 0) mAdc IEBO mAdc SECOND BREAKDOWN Второй пробой Коллектор Ток при прямом смещении баса Зажим Индуктивный SOA с обратным смещением основания IS/b См. 104 VCE 250 В IC, ТОК КОЛЛЕКТОРА (A) 50C 25C ОБРАТНЫЙ ПРЯМОЙ VBE, НАПРЯЖЕНИЕ ОСНОВА-ЭМИТТЕР (ВОЛЬТ) +0,6 C, ЕМКОСТЬ (пФ) |
) Ток базы Непрерывный Пик (Примечание Непрерывный пиковый ток эмиттера (Примечание 1.) Суммарная рассеиваемая мощность = 25 _C Снижение номинальной мощности выше 25 _C Вт мВт/_C Вт мВт/_C _C Общая рассеиваемая мощность = 25 _C Снижение номинальной мощности выше 25 _C Диапазон температур перехода при эксплуатации и хранении TJ, Tstg до +150
рис. 11 RBSOA См. рис. 12 НА ХАРАКТЕРИСТИКАХ (Примечание 2.) , VCE = 2 В постоянного тока) (IC = 1 А постоянного тока, VCE = 2 В постоянного тока) hFE Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (IC = 0,5 А постоянного тока, = 0,1 А постоянного тока) (IC = 1 А постоянного тока, = 0,25 А постоянного тока) (IC = 1,5 А постоянного тока, = 0,5 А постоянного тока) ) (IC = 1 А пост. тока, = 0,25 А пост. тока, = 100 _C) VCE(sat) В пост. тока Напряжение насыщения базового эмиттера (IC = 0,5 А пост. тока, = 0,1 А пост. тока) (IC = 1 А пост. тока, = 0,25 А пост. тока) (IC = 1 А пост. тока, = 0,25 Adc, = 100_C) VBE(sat) Vdc ДИНАМИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Коэффициент усиления по току Произведение полосы пропускания (IC = 100 мА пост. тока, VCE = 10 В пост. тока, = 1 МГц) Выходная емкость (VCB = 10 В пост. тока, = 0,1 МГц) фТ МГц пФ Cob ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ Резистивная нагрузка (Таблица 1) Время задержки Время нарастания tr с Время хранения Время спада (VCC = 125 В пост. тока, = 25 с, с Рабочий цикл 0,4 0,7 Индуктивная нагрузка, фиксированная (Таблица 1, рис.
13) Время хранения tsv tc с Время перехода Время спада Vd (IC A A, Vкламп = 300 В пост. тока, 0,2 A, VBE(off) = 5 В пост. тока, = 100_C) tfi 2. Импульсный тест: = 300 с, рабочий цикл v 2%.
| Некоторые номера деталей того же производителя ON Semiconductor |
| MJE13005 Мощность 4A 400V SM1 NPN, упаковка: TO-220, Pin=3 |
| MJE13007 Мощность 8A 400V NPN, упаковка: TO-220, контакты = 3 |
| MJE13009 Мощность 12 А 400 В NPN, упаковка: TO-220, контакты = 3 |
| МДЖЭ1320 НПН кремниевый силовой транзистор |
| MJE15028 Power 8A 120V Pla NPN, Упаковка: TO-220, Pin=3 |
| MJE15030 Биполярный источник питания TO220 NPN 8A 150 В, упаковка: TO-220, контакты = 3 |
| MJE15031 Power 8A 120V Pla NPN, Упаковка: TO-220, Pin=3 |
| Транзистор MJE15032, силовой NPN, аудио драйвер, пакет: TO-220, контакты = 3 |
| MJE15034 Транзистор, мощность npn, аудио драйвер |
| МДЖЭ16002 Силовые транзисторы кремния серии НПН Свитчмоде |
| MJE16004 |
| MJE170 Power 3A 60V PNP, Упаковка: TO-225, Pin=3 |
| MJE18002 Биполярный источник питания TO220 NPN 2A 450 В, упаковка: TO-220, контакты = 3 |
| MJE18004 Switchmode, упаковка: TO-220, контакты = 3 |
| MJE18004D2 Высокоскоростной биполярный силовой транзистор NPN с высоким коэффициентом усиления со встроенным коллекторно-эмиттерным диодом и встроенной эффективной сетью антинасыщения, упаковка: TO-220, контакты = 3 |
| MJE18006 Биполярный источник питания TO220 NPN 6A 450 В, упаковка: TO-220, контакты = 3 |
| MJE18008 SWITCHMODE NPN Биполярный силовой транзистор для переключения источников питания, упаковка: TO-220, контакты = 3 |
| MJE18009 SWITCHMODE Кремниевый планарный силовой транзистор NPN |
| MJE181 Power 3A 60V PNP, Упаковка: TO-225, Pin=3 |
| MJE18204 SWITCHMODE NPN Биполярный силовой транзистор для электронных световых балластов и импульсных источников питания |
| MJE18206 |
CS5233-3GDPR5: 500 мА и 1,5 А, 3,3 В линейный регулятор с двойным входом и вспомогательным управлением, упаковка: Soic, контакты = 8 MC10h280 : 3,3 В Ecl ÷2, ÷4, ÷8 Генерация тактового сигнала ic MMBZ5264BLT1: стабилитрон 2,5 В 5%, упаковка: SOT-23 (TO-236), контакты = 3 NBSG14BA : 2,5 В / 3,3 В Sige 1: 4 дифференциальный драйвер часов с выходами Rsecl, упаковка: Fcbga, контакты = 16 SMF130AT1: Стабилитрон TVS SOD123FL, упаковка: SOD-123FL, контакты = 2 MC100LVEL29DWR2G : 2,5 В / 3,3 В ECL 2, 4, 8 Чип генерации тактового сигнала MC14553 : 3-значный двоично-десятичный счетчик MC100EP196BFAG: Часы/синхронизация — интегральная схема линии задержки (ics), лоток 3 В ~ 3,6 В; IC PDC PROGR DELAY CHIP 32LQFP Технические характеристики: Задержка до 1-го касания: 2,5 нс; Количество нажатий/шагов: 1024 ; Упаковка/кейс: 32-LQFP; Доступные общие задержки: 2,5 нс ~ 13 нс; Количество независимых задержек: 1; Упаковка: Лоток; Функция: программируемый; Напряжение питания: 3 В ~ 3,6 В; Коснитесь Приращение: 10 пс ; Рабочая температура: -40C ~ 85 2SB1201S-TL-E : Транзистор (bjt) — один дискретный полупроводниковый продукт 2A 50V 800mW PNP; TRANS PNP BIPO 2A 50V TP Технические характеристики: Тип транзистора: PNP; Напряжение — пробой коллектор-эмиттер (макс. |
): 50 В; Ток — коллектор (Ic) (макс.): 2A; Мощность — макс.: 800 мВт; Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce: 100 при 100 мА, 2 В; Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic: 700 мВ при 50 мА, 1 А; Частота-переход: 150 МГц; Текущий — Co
