MJE13005: мощный NPN-транзистор для силовой электроники

Какие ключевые характеристики имеет транзистор MJE13005. Где применяется этот высоковольтный быстродействующий NPN-транзистор. Как правильно использовать MJE13005 в электронных схемах.

Основные параметры и особенности транзистора MJE13005

MJE13005 — это мощный кремниевый NPN-транзистор, предназначенный для использования в силовой электронике. Он обладает следующими ключевыми характеристиками:

  • Структура: NPN
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 400 В
  • Максимальный постоянный ток коллектора: 4 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 75 Вт
  • Корпус: TO-220
  • Коэффициент усиления по току: 8-40
  • Максимальная рабочая частота: 4 МГц

Благодаря высокому напряжению и току коллектора, а также хорошему быстродействию, MJE13005 находит широкое применение в импульсных источниках питания, инверторах, схемах управления электродвигателями и других силовых устройствах.

Назначение выводов и цоколевка транзистора MJE13005

Транзистор MJE13005 выпускается в корпусе TO-220 и имеет следующую цоколевку:


  • 1 вывод — база (B)
  • 2 вывод — коллектор (C)
  • 3 вывод — эмиттер (E)

Металлическая пластина корпуса соединена с коллектором. При монтаже на радиатор необходимо использовать изолирующую прокладку, если радиатор не должен иметь электрического контакта с коллектором.

Основные области применения MJE13005

Благодаря своим характеристикам, транзистор MJE13005 находит применение в следующих областях:

  • Импульсные источники питания (SMPS)
  • Инверторы
  • Схемы управления электродвигателями
  • Схемы коммутации индуктивных нагрузок
  • Мощные усилители звуковой частоты
  • Схемы управления реле и соленоидами

Высокое рабочее напряжение и хорошее быстродействие делают MJE13005 отличным выбором для работы в высоковольтных импульсных преобразователях. Способность выдерживать токи до 4 А позволяет использовать его для управления достаточно мощными нагрузками.

Особенности применения транзистора MJE13005

При использовании MJE13005 в электронных схемах следует учитывать ряд важных моментов:

  • Необходимость использования радиатора при работе с большими токами и напряжениями
  • Высокое напряжение насыщения база-эмиттер (до 1.6 В)
  • Относительно небольшой коэффициент усиления по току (8-40)
  • Чувствительность к статическому электричеству

Для эффективного управления транзистором часто требуется использовать специальные драйверы, обеспечивающие необходимый ток базы. При работе на высоких частотах важно минимизировать паразитные индуктивности в цепи эмиттера.


Сравнение MJE13005 с аналогами

MJE13005 имеет ряд аналогов с похожими характеристиками:

  • 2SC3795
  • MJE13007
  • MJE13009
  • KSE13009
  • FJP13009

При выборе между MJE13005 и аналогами следует обращать внимание на следующие параметры:

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер
  • Максимальный ток коллектора
  • Частотные характеристики
  • Тепловое сопротивление переход-корпус

В большинстве случаев MJE13005 и его аналоги взаимозаменяемы, но для оптимальной работы схемы может потребоваться корректировка номиналов некоторых элементов.

Типовые схемы включения MJE13005

Рассмотрим несколько типовых схем с использованием транзистора MJE13005:

Ключевой каскад для управления индуктивной нагрузкой

В этой схеме MJE13005 используется для коммутации индуктивной нагрузки, например, реле или соленоида:

  • Коллектор подключен к нагрузке
  • Эмиттер соединен с общим проводом
  • На базу подается управляющий сигнал через резистор 1-2 кОм
  • Параллельно нагрузке включен защитный диод

Такая схема позволяет управлять нагрузками с током до 4 А при напряжении питания до 400 В.


Мостовой инвертор на MJE13005

Четыре транзистора MJE13005 могут быть использованы для построения однофазного мостового инвертора:

  • Транзисторы образуют Н-мост
  • Нагрузка подключается между средними точками полумостов
  • Управление осуществляется через драйверы затворов
  • Обязательно использование снабберных цепей

Такой инвертор способен работать при входном напряжении до 300 В и выходной мощности до 500 Вт.

Рекомендации по монтажу и эксплуатации MJE13005

При работе с транзистором MJE13005 следует соблюдать ряд правил:

  • Использовать антистатические меры защиты при монтаже
  • Обеспечить надежный тепловой контакт с радиатором
  • Не превышать максимально допустимые напряжения и токи
  • Учитывать снижение предельных параметров при повышении температуры
  • Использовать снабберные цепи при работе с индуктивными нагрузками

Правильное применение этих рекомендаций позволит обеспечить надежную работу устройств на основе MJE13005 и избежать выхода транзисторов из строя.


13005 Транзистор характеристики, цоколевка и аналоги

Главная » Транзистор

Кремниевый транзистор 13005 по характеристикам является достаточно мощным в свой серии, имеет структуру n-p-n. Был разработан для использования в высокоскоростных силовых переключающих цепях, в том числе с индуктивной нагрузкой. Используется для управления электрическими приводами, схемами отклонения, реле и соленоидами.

Содержание

  1. Цоколевка
  2. Технические характеристики
  3. Аналоги
  4. Datasheet

Цоколевка

Цоколевку 13005 рассмотрим в корпусе ТО-220 в котором его выпускают производители. При этом ножки расположены в таком порядке: база, коллектор, эмиттер. Чертёж со всеми размерами, внешний вид, и основные технические характеристики представлены на рисунке.

Часто производители не пишут первые три буквы MJE и оставляют только 13005. Но это одно и тоже уствойство.

Технические характеристики

В первую очередь приведём максимальные параметры. Их превышение при эксплуатации устройства недопустимо ни при каких обстоятельствах, потому что в этом случае он выйдет из строя. Ещё не рекомендуется постоянная работа при параметрах близких к предельным, так как это может сказаться на долговечности транзистора.

Максимальные характеристики 13005:

  • напряжение К-Б VCBO = 700 В;
  • напряжение К-Э VCЕO = 400 В;
  • напряжение Э-Б VEBO = 9 В;
  • ток проходящий через коллектор длительное время IC = 4 А;
  • ток проходящий через коллектор в импульсном режиме I = 8 А;
  • ток протекающий через базу в течении длительного времени IВ = 0,75 А;
  • ток протекающих через базу в импульсном режиме IВ = 2 А;
  • мощность РС = 75 Вт;
  • термическое сопротивление переход-корпус RθJC = 1,67 °С/Вт;
  • термическое сопротивление переход -воздух RθJА = 62,5 °С/Вт;
  • предельная т-ра кристала Tj = 150ОС.
  • рабочие т-ры Tstg = от -65 до 150ОС.

После анализа максимальных значений, перейдём к детальному знакомству с электрическими характеристиками. От них в значительной мере зависят функциональные возможности устройства, определяющие его возможности. Измерения также проводятся при стандартной температуре +25°C. Дополнительные параметры и режимы измерения можно найти в специальной колонке.

Электрические характеристики транзистора MJE13005 (при Т = +25 оC)
Название параметраУсловия измеренияОбозминтипмахЕд. изм
Разность потенциалов (пробивная) К-БIC = 1 мA, IЕ = 0ВV(BR)CВO700  В
Разность потенциалов (пробивная) К-ЭIC=10 мA, IВ= 0 ВV(BR)CEО400  В
Разность потенциалов (пробивная)  Э-БIЕ= 1 мА, IC= 0 ВV(BR)EBO9  В
Ток (идущий в обратном направлении) между К-БV= 700 В, IЕ = 0ICВO  50мкА
Ток (идущий в обратном направлении) между К-ЭVCE= 400 В, IВ= 0ICEО  50мкА
Ток (идущий в обратном направлении) между Э-БVEB = 7 В, IC = 0IEBO  50мкА
К-т усиления тока в схеме с ОЭVCE=5 В,IC= 1 A, VCE=5 В,IC= 200 мA, VCE=5 В,IC= 10 мA, VCE=5 В,IC= 4 AhFE1 hFE2 hFE3 hFE410 20 5 8   40 30   40 
Разность потенциалов, требуемая для насыщения К-ЭIC= 1 A, IB = 0,2 A, IC= 2 A, IB = 0,4 A IC= 4 A, IB = 1 AV CE(sat)1 V CE(sat)2 V CE(sat)3  0,3 0,35 0,8В В В
Разность потенциалов, требуемая для насыщения Б-ЭIC= 2 A, IB = 0,5 AV ВE(sat)  1,6В
Предельная частота к-та усиленияVCE=10 В, IC= 0,5 A, f= 1 МГцfT5  МГц
Время нарастанияIC= 250 мAtr  0,5мкс
Срок храненияIC= 250 мAts2,8 4,2мкс
Время паденияIC= 250 мAtf  0,5мкс

Аналоги

Заменить MJE13005 можно на аналоги иностранных транзисторов с похожими параметрами:

  • KSE13009;
  • MJE13007;
  • MJE13009;
  • 2SC3795;
  • FJP13009;
  • FJP13007.

При этом нужно обязательно ознакомиться с параметрами обеих устройств. Отечественный аналог – это КТ8121А.

Datasheet

Существует достаточно много компаний, которые выпускают транзистор MJE13005, среди них:

  • KEC(Korea Electroncs);
  • First Silcon;
  • Micro Commercal Components;
  • Shenzhen SI Semconductors;
  • Fairchild Semconductor;
  • Motorola;
  • Mospec Semconductor;
  • Dc Components;
  • Savantc;
  • Wing Shng Computer Components.

В отечественных магазинах продают продукцию следующих зарубежных фирм:

  • Unsonic Technologes;
  • Inchange Semconductor Company Limted;
  • ON Semconductor;
  • Central Semconductor Corp;
  • Contnental Device India Limted.

Скачать Datasheet на 13005 от каждого производителя можно кликнув на название компании в списке выше.

Техническое описание транзистора

MJE13005, распиновка, характеристики и эквиваленты

17 мая 2019 — 0 комментариев

          MJE13005 Транзистор
          MJE13005 Распиновка

      MJE13005 представляет собой высоковольтный высокоскоростной NPN-транзистор . Он имеет высокое напряжение коллектор-эмиттер 400В при постоянном токе коллектора 4А. Транзистор имеет очень малое время спада, что делает его пригодным для переключения переменного напряжения (115 В/220 В) в преобразователях и инверторах.

       

      Конфигурация выводов MJE13005

      Номер контакта

      Название контакта

      Описание

      1

      Базовый

      Управляет смещением транзистора, используется для включения или выключения транзистора

      2

      Коллектор

      Ток протекает через коллектор, нормально подключенный к нагрузке

      3

      Излучатель

      Утечка тока через эмиттер, обычно соединенный с землей

       

      Характеристики
      • Высоковольтный транзистор NPN
      • Коэффициент усиления постоянного тока (h FE ) от 8 до 40
      • Непрерывный ток коллектора (I C ) составляет 4 А 
      • Напряжение коллектор-эмиттер (V CE ) 400 В
      • Напряжение коллектор-база (В CB ) составляет 700 В
      • Базовое напряжение эмиттера (V BE ) составляет 9 В
      • Базовый ток 2 А (макс.
        )
      • Доступен в пакете To-220

       

      Примечание: Полную техническую информацию можно найти в MJE13005 техпаспорте , приведенном в конце этой страницы.

       

      MJE13005 Эквивалент

      2SC3795, MJE13007, KSE13007

       

      9002 5 Прочие силовые транзисторы NPN

      BD139, 2SC5200, 2N3055, TIP31C, MJE13001

      Где использовать Транзистор MJE13005

      Модель MJE13005 представляет собой высоковольтный NPN-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 400 В и током коллектора 4 А. Он также имеет высокую скорость переключения 0,9 мкс, что делает его идеальным выбором для высоких высокоскоростные схемы переключения напряжения для преобразователей и инверторов.

      Помимо этого транзистор также используется в простых схемах управления реле или соленоида из-за его способности выдерживать пиковый ток до 8 А

       

      Как использовать MJE13005 Транзистор 

      Из-за высокого напряжения переключения и тока переключения MJE13005 имеет высокое базовое напряжение 9 В и требует около 2 А для полного замыкания переключения при работе с очень высоким напряжением. Это приводит к необходимости иметь схему драйвера транзистора для MJE13005. Они обычно используются в конструкциях SMPS вместе с переключающим трансформатором для переключения переменного напряжения 115 В или 220 В на высоких частотах.

      Так как ИС доступна в формате TO-220, она относительно проста в использовании. Транзистор имеет рассеиваемую мощность коллектора 75 Вт, поэтому при работе при высоких напряжениях радиатор обязателен.

       

      Применения
      • Коммутация сильноточных нагрузок (до 4 А)
      • Преобразователи постоянного тока
      • Инверторы
      • Регулятор скорости двигателей
      • Реле/соленоид привода

       

      2D-модель и размеры

      2D-размеры помогут вам разместить этот компонент во время изготовления схемы на перфорированной плате или печатной плате.

        Метки

        Силовой транзистор

        NPN-транзистор

        Транзистор



      MJE13005 NPN Транзистор Спецификация, схема выводов, характеристики и применение

      Привет, ребята! Я приветствую вас на борту. Спасибо, что нажали на это чтение. В этом посте сегодня я расскажу вам о введении в MJE13005. MJE13005 — это быстродействующий и высоковольтный силовой транзистор, принадлежащий к семейству NPN-транзисторов. Это устройство может поддерживать нагрузку до 4А, а напряжение эмиттер-база составляет 9 В.V — напряжение, необходимое для смещения устройства и запуска транзистора. Я предлагаю вам прочитать этот пост до конца, так как я подробно опишу полное введение в MJE13005, включая техническое описание, распиновку, функции и приложения. Давайте начнем.

      Знакомство с MJE13005
      • MJE13005 — это NPN-транзистор, представляющий собой высокоскоростное и мощное устройство, используемое для усиления и переключения.
      • Этот компонент состоит из трех слоев, один из которых состоит из слоев, легированных p, а два других — из слоев, легированных n. Слой p-типа находится между этими двумя слоями n-типа.
      • MJE13005 представляет собой полупроводниковое устройство, изготовленное из кремниевого материала. Он содержит три вывода, известные как эмиттер, база и коллектор, и называется устройством, управляемым током, в отличие от полевых МОП-транзисторов, которые являются устройствами, управляемыми напряжением, и содержат выводы истока, стока и затвора.
      • Все эти терминалы содержат различные концентрации примесей. Концентрация легирования стержня коллектора мала, а концентрация легирования стержня эмиттера высока по сравнению с двумя другими выводами. Базовый штифт в 10 раз более легирован, чем штифт коллектора. Кроме того, сторона эмиттера несет весь ток устройства, поскольку ток эмиттера является суммой тока коллектора и тока базы.
      • Транзисторы с биполярным переходом в основном делятся на два типа: транзисторы NPN и транзисторы PNP.
      • И электроны, и дырки играют жизненно важную роль в проводимости обоих этих транзисторов. Но в случае транзисторов NPN дырки являются основными носителями, а в случае транзисторов PNP дырки являются основными носителями.
      • Транзисторы NPN предпочтительнее транзисторов PNP для целого ряда приложений, поскольку подвижность электронов лучше, чем подвижность дырок.
      • Устройства
      • NPN иногда называют «приемными устройствами», поскольку они подключают заземление к выходу. Устройства PNP иногда называют «устройствами-источниками», поскольку они подают положительную мощность на выход.
      • Коэффициент усиления по постоянному току этого устройства находится в диапазоне от 8 до 40, что соответствует количеству тока, которое может усилить это устройство.

      MJE13005 Технический паспорт

      Прежде чем встроить это устройство в свой электрический проект, целесообразно просмотреть техническое описание этого компонента, в котором указаны основные характеристики устройства. Щелкните ссылку ниже, чтобы загрузить техническое описание MJE13005.

      MJE13005 Распиновка

      На следующем рисунке показана схема распиновки MJE13005.

      Это устройство содержит три терминала с именами:

      1. Основание
      2. Коллектор
      3. Излучатель

      Небольшой ток на стороне базы используется для создания большого тока на двух клеммах. Это устройство имеет два перехода: переход база-коллектор с обратным смещением и переход база-эмиттер с прямым смещением.

      MJE13005 Принцип работы
      • Работа этого устройства начинается с базового штифта. Когда на базовый вывод подается напряжение, это приводит к смещению устройства, и ток начинает течь от коллектора к выводу эмиттера.
      • Знайте, что эти транзисторы с биполярным переходом не являются симметричными устройствами. Это означает, что если мы поменяем клеммы эмиттера и коллектора, это предотвратит работу обеих этих клемм в прямом активном режиме, и в результате обе эти клеммы начнут работать в обратном активном режиме. Это повлияет на значения коэффициента усиления по току с общим эмиттером и коэффициента усиления по току с общей базой.
      • Это отсутствие симметрии происходит из-за разной концентрации действия всех трех терминалов.
      • Коэффициент усиления по току с общим эмиттером этого устройства находится в диапазоне от 8 до 40, что обозначается бета, а коэффициент усиления по току с общей базой обозначается альфа и всегда меньше единицы.

      MJE13005 Эквивалент

      Ниже приведены альтернативы MJE13005:

      • КСЕ13007
      • МДЖЭ13007
      • 2SC3795

      Лучше проверить распиновку альтернатив, прежде чем применять их к вашему электрическому проекту, так как распиновка альтернатив может отличаться от распиновки MJE13005.

      MJE13005 Номинальная мощность

      В следующей таблице показаны абсолютные максимальные рейтинги MJE13005.

      Абсолютные максимальные значения MJE13005
      Номер контакта Описание контакта Имя контакта
      1 Напряжение коллектор-эмиттер 400В
      2 Напряжение коллектор-база 700В
      3 Напряжение база-эмиттер
      4 Ток коллектора
      5 Рассеиваемая мощность 70 Вт
      6 Базовый ток
      7 Рабочий и складской узел диапазон температур от -55 до 150°С

      Напряжение коллектор-эмиттер 400В, а напряжение коллектор-база 700В. А общая рассеиваемая мощность составляет 70 Вт, что указывает на мощность, выделяемую во время работы этого устройства. Температура спая и температура хранения колеблется от -55 до 150С. Знайте, что не применяйте эти рейтинги дольше, чем требуется, иначе они могут повлиять на надежность устройства. Когда вы работаете с компонентом, следите за тем, чтобы рейтинги не превышали абсолютные максимальные рейтинги. В противном случае они могут сильно повредить устройство, поставив под угрозу весь ваш проект.

      MJE13005 Приложения

      MJE13005 встроен в следующие приложения.

      • Используется в схемах регулятора напряжения.
      • Используется в схемах Н-моста.
      • Используется в современных электронных схемах.
      • Используется в схемах бистабильных и нестабильных мультивибраторов.
      • Используется для поддержки нагрузок до 4А.
      • Используется для переключения и усиления.

      Добавить комментарий

      Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *