Мп 41 транзистор. Транзистор МП41: характеристики, применение и схемы включения

Каковы основные параметры транзистора МП41. Где применяется МП41. Какие схемы включения используются для МП41. Чем отличается МП41 от аналогов. Как правильно выбрать и использовать транзистор МП41.

Основные характеристики транзистора МП41

Транзистор МП41 относится к семейству германиевых маломощных низкочастотных транзисторов структуры p-n-p. Рассмотрим его ключевые параметры:

• Структура: p-n-p
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 15 В
• Максимальный ток коллектора: 20 мА (постоянный), 150 мА (импульсный)
• Рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт
• Коэффициент усиления по току: 30-60 (при Uкэ = 5 В, Iэ = 1 мА)
• Граничная частота коэффициента передачи тока: более 1 МГц
• Обратный ток коллектора: не более 15 мкА (при Uкб = 5 В)

Транзистор МП41 выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Масса прибора составляет около 2 грамм.

Области применения транзистора МП41

Благодаря своим характеристикам, транзистор МП41 нашел широкое применение в различных электронных устройствах:

• Усилители низкой частоты
• Каскады предварительного усиления
• Маломощные генераторы
• Переключающие схемы
• Радиоприемники
• Радиолюбительские конструкции

МП41 часто использовался в наборах радиоконструктора для начинающих радиолюбителей. Его простая цоколевка и возможность работы без дополнительного смещения в схеме с общим эмиттером делали его идеальным для обучения основам транзисторной техники.

Схемы включения транзистора МП41

Рассмотрим основные схемы включения транзистора МП41:

Схема с общим эмиттером

Наиболее распространенная схема включения МП41 — с общим эмиттером. Она обеспечивает усиление как по току, так и по напряжению. Типовая схема выглядит следующим образом:

• Входной сигнал подается на базу через разделительный конденсатор
• Эмиттер заземлен
• Выходной сигнал снимается с коллектора
• Используется резисторная цепь смещения базы

Схема с общей базой

Схема с общей базой применяется реже, но обеспечивает хорошее усиление на высоких частотах:

• Входной сигнал подается на эмиттер
• База заземлена по переменному току
• Выходной сигнал снимается с коллектора
• Требуется отдельный источник смещения эмиттера

Схема с общим коллектором

Эта схема используется как эмиттерный повторитель:

• Входной сигнал подается на базу
• Коллектор подключен к источнику питания
• Выходной сигнал снимается с эмиттера
• Обеспечивает согласование высокоомного входа с низкоомной нагрузкой

Отличия МП41 от аналогов

Чем отличается МП41 от схожих транзисторов серии МП?

• МП39 имеет меньший коэффициент усиления (до 12)
• МП40 близок по параметрам, но рассчитан на меньшее напряжение коллектор-эмиттер
• МП42 имеет большую рассеиваемую мощность (200 мВт) и более высокую граничную частоту

По сравнению с современными кремниевыми транзисторами, МП41 отличается:

• Большим обратным током коллектора
• Меньшей температурной стабильностью
• Более низкой предельной частотой
• Меньшим максимальным напряжением коллектор-эмиттер

Рекомендации по выбору и применению МП41

При использовании транзистора МП41 следует учитывать несколько важных моментов:

• Проверяйте коэффициент усиления конкретного экземпляра — он может варьироваться в широких пределах
• Учитывайте температурную нестабильность германиевых транзисторов
• Не превышайте максимально допустимые параметры, особенно по напряжению и току коллектора
• При пайке используйте теплоотвод, чтобы не повредить транзистор
• В современных конструкциях лучше использовать кремниевые аналоги с улучшенными характеристиками

Практические схемы с применением МП41

Рассмотрим несколько типовых схем, где может быть использован транзистор МП41:

Однокаскадный усилитель НЧ

Простейшая схема усилителя на МП41:

• Включение с общим эмиттером
• Коэффициент усиления по напряжению около 20
• Входное сопротивление порядка 1 кОм
• Выходное сопротивление около 5 кОм

Мультивибратор

Генератор прямоугольных импульсов на двух МП41:

• Частота генерации определяется времязадающими цепочками
• Типичная частота 100 Гц — 10 кГц
• Амплитуда выходных импульсов близка к напряжению питания

Усилитель-корректор для звукоснимателя

Двухкаскадный усилитель с частотной коррекцией:

• Первый каскад — МП41 в схеме с общим эмиттером
• Второй каскад — эмиттерный повторитель
• RC-цепи обеспечивают подъем АЧХ на ВЧ и НЧ
• Общий коэффициент усиления около 100

Заключение

Транзистор МП41, несмотря на свой почтенный возраст, остается интересным компонентом для изучения основ полупроводниковой электроники. Его простота и доступность делают его хорошим выбором для начинающих радиолюбителей. Однако для современных конструкций рекомендуется использовать более совершенные кремниевые аналоги с улучшенными характеристиками и большей надежностью.

Транзистор МП41 — DataSheet

Цоколевка транзисторов МП41, МП42

 

Параметры транзистора

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		МП41		АС540
		МП41А		АС542
Структура		—	—	p-n-p	мВт
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	МП41	—	150
		МП41А	—	150
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, f*h31б, f**h31э, f***max	МП41	—	≥1*	МГц
		МП41А	—	≥1*
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб. , U*КЭR проб., U**КЭО проб.	МП41	10к	15*	В
		МП41А	10к	15*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	МП41	—	5	В
		МП41А	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	МП41	—	20(150*)	мА
		МП41А	—	20(150*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, I*КЭR, I**КЭO	МП41	5 В	≤15	мкА
		МП41А	5 В	≤15
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э,  h*21Э	МП41	5 В; 1 мА	30…60
		МП41А	5 В; 1 мА	50…100
Емкость коллекторного перехода	cк,  с* 12э	МП41	5 В	≤50	пФ
		МП41А	5 В	≤50
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас,  r*БЭ нас	МП41	—	—	Ом
		МП41А	—	—
Коэффициент шума транзистора	Кш, r*b, Pвых	МП41	—	—	Дб, Ом, Вт
		МП41А	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)	МП41	—	—	пс
		МП41А	—	—

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42. Транзисторы малой мощности Мп39 параметры

В журналах «ЮТ» № 9 и № 10 за 1970 год мы рассказали о простых детекторных приемниках. Такие приемники позволяют услышать в наушниках сигналы мощных и близко расположенных радиостанций.

Сегодня вы познакомитесь с простейшим усилителем на транзисторе, а также узнаете, что нужно сделать, чтобы приемник стал еще лучше и как «научить» его принимать больше программ с повышенной громкостью.

Итак, ЗАНЯТИЕ 3.

ЧТО УМЕЕТ ТРАНЗИСТОР

Прежде всего нам потребуется транзистор. Этот маленький электронный прибор величиной немногим более горошины выполняет ту же роль, что и усилительная лампа. «Сердце» транзистора — миниатюрная пластинка из полупроводника (германия или кремния) с вплав 1 ленными в нее двумя электродами. Один из электродов называется эмиттером, другой — коллектором, а пластинка — базой (рис.

1).

Если на базу транзистора подать слабый электрический сигнал, то в цепи коллектора появится его мощная «копия». Выходит, что полупроводниковый триод работает как усилитель. Отношение, которое показывает, во сколько раз изменение коллекторного тока больше вызвавшего его изменение тока в цепи базы, называется коэффициентом усиления транзистора по току и обозначается буквой Р (бета). Вы уже догадались, что чем больше величина коэффициента |3, тем большим усилением обладает триод.

д Для усилителя низкой частоты подойдут маломощ-«ке транзисторы типа МП39-МП42 или аналогичные им триоды П13-П16 с любым буквенным индексом. Важно, чтобы их коэф

фициент усиления по току был не менее 30-40.

Кроме транзистора Т, в схему усилителя (рис. 2) входят резистор R, конденсатор С и электромагнитный телефон Тлф.

Резистор R включен между базой транзистора и минусом батареи. Он обеспечивает подачу напряжения на базу и создает необходимый режим работы триода. Его сопротивление равно 200-300 ком и зависит от параметров транзистора.

Конденсатор С называется разделительным. Он пропускает звуковые сигналы, но преграждает путь постоянному току между базой и плюсовым выводом батареи.

Постоянный резистор R может быть любого типа. Однако в транзисторные схемы лучше включать малогабаритные приборы типа УЛМ или МЛТ 0,125. Конденсатор С емкостью 0,047 мкф типа К Ю-7 или МБМ, а электромагнитный телефон (наушник) Тлф типа ТОН-1 или ТОН-2 с вы-сокоомной звуковой катушкой.

Схему усилителя соберите на монтажной плате из картона или фанеры размером 50X30 мм (рис. 3).

Транзисторы очень чувствительны к высокой тем

пературе. Паять надо быстро и уверенно, чтобы не перегреть триод. Выводы прибора не следует изгибать ближе, чем на расстояние 10 мм от корпуса, а их длина должна быть не менее 15 мм.

Настройка усилителя сводится к проверке режима работы транзистора. Подбирая величину сопротивления резистора R, установите ток коллектора Ti равным 0,8 — 1 ма. Измерительный прибор нужно включить между выводом наушника и минусом батареи. Если у вас нет миллиамперметра или тестера, то установить нужный режим триода можно по максимальной громкости и хорошему качеству звука в телефоне.

Итак, вы собрали транзисторный усилитель низкой частоты. Подключите к его входным клеммам микрофон

Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42 — германиевые, усилительные маломощные низкочастотные, структуры p-n-p.
Корпус металлостеклянный с гибкими выводами. Масса — около 2 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса.

Существуют следующие зарубежные аналоги:
МП39 — 2N1413
МП40 — 2N104
МП41 возможный аналог — 2N44A
МП42 возможный аналог — 2SB288

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов МП39 редко превышает 12 , у МП39Б находится в пределах от 20 до 60 .
У транзисторов МП40, МП40А — от 20 до 40 .
У транзисторов МП41 — от 30 до 60 , МП41А — от 50 до 100 .
у транзисторов МП42 — от 20 до 35 , МП42А — от 30 до 50 , МП42Б — от 45 до 100 .

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзисторов МП39, МП40 — 15 в.
У транзисторов МП40А — 30 в.
У транзистора МП41, МП41А, МП42, МП42А, МП42Б — 15 в.

Предельная частота коэффициента передачи тока (fh31э)транзистора для схем с общим эмиттером:
До 0,5 МГц у транзисторов МП39, МП39А.
До 1 МГц у транзисторов МП40, МП40А, МП41, МП42Б.
До 1,5 МГц у транзисторов МП42А.
До 2 МГц у транзисторов МП42.

Максимальный ток коллектора. — 20 мА постоянный, 150 мА — пульсирующий.

Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 5в и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию не более — 15 мкА.

Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 5в и температуре окружающей среды до +25 по Цельсию не более — 30 мкА.

Емкость коллекторого перехода при напряжении колектор-база 5в на частоте 1МГц — не более 60 пФ.

Коэффициент собственного шума — у МП39Б при напряжении коллектор-база 1,5в и эмиттерном токе 0,5мА на частоте 1КГц — не более 12 дб.

Рассеиваемая мощность коллектора. У МП39, МП40, МП41 — 150 мВт.
У МП42 — 200 мВт.

Когда-то, транзисторами этой серии комплектовали широко распространенные наборы радиоконструктора для начинающих. МП39-МП42 при своих, довольно крупных габаритах, длинных гибких выводах и простой распиновкe(цоколевке) идеально подходили для этого. Кроме того, довольно большой обратный ток, позволял им работать в схеме с общим эмиттером, без дополнительного смещения. Т.е. — простейший усилитель собирался действительно, на одном транзисторе , без резисторов. Это позволяло значительно упростить схемы на начальных этапах конструирования.

Цоколевка транзистора МП41

Обозначение транзистора МП41 на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора МП41 обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.

Характеристики транзистора МП41

• Структураp-n-p
• 15* (10к) В
• 20 (150*) мА
• 0.15 Вт
• 30…60 (5 В; 1 мА)
• Обратный ток коллектора
• >1* МГц
• Структура p-n-p
• Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15* (Зк) В
• Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 150* мА
• Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.2 Вт
• Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 20. ..35* (1 В; 10 мА)
• Обратный ток коллектора — мкА
• Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером >2* МГц

Цоколевка транзистора МП42

Обозначение транзистора МП42 на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора МП42 обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.

Характеристики транзистора МП42

• • Структура p-n-p
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15* (Зк) В
  • Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 150* мА
  • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0. 2 Вт
  • Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 20…35* (1 В; 10 мА)
  • Обратный ток коллектора — мкА
  • Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером >2* МГц

Низкочастотные. Германиевые сплавные транзисторы р — n — р МП39Б, МП40А, МП41А применяются для работы в схемах уси­ления НЧ и выпускаются в металлическом корпусе (рис. 56, а — в) со стеклянными изоляторами и гибкими выводами, массой 2,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до +70 °С. Электрические параметры приведены в табл. 109.

Кремниевые транзисторы р-n-р МП 114, МП 115, МП116 выпуска­ются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гиб­кими выводами (рис. 57), массой 1,7 г, с диапазоном рабочих тем­ператур от — 55 до +100°С. Электрические параметры приведены в табл. 110.

Рис. 56. Цоколевка и габаритные размеры транзисторов МП39В, МП40А, МП41А (а) и их входные (6) и выходные (в) ха­рактеристики в схеме с общей базой

Рис. 57. Цоколевка и габарит­ные размеры транзисторов МП114 — МП116

Таблица 109

Обратный ток коллектора, мкА, при U К б= — 5 В и температуре, °С:

20 …………… 15

70 …………… 300

Обратный ток эмиттера, мкА, при U Эб = — 5 В 30

Наибольший постоянный ток коллектора, мА 20

Емкость коллектора, пФ, при U K6 =5 В и

f=500 кГц………….. 60

Наибольший импульсный ток коллектора,

мА, при I ЭСр

Выходная проводимость, мкСм, при I э =1 мА,

U„ б =5 В и f=1 кГц………. 3,3

Сопротивление базы, Ом, при I э =1 мА,

U кб =5 В и f=500 кГц……… 220

Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт, при температуре, °С:

55 …………… 150

70……………. 75

Отрицательное напряжение U э в, В…. 5

Таблица 110

Обратный ток коллектора, мА, при U к = — 30 В и температуре 20 и 100 °С соответственно… 10 и 400

Обратный ток эмиттера, мкА, при U эб = — 10 В и температуре 20 и 100 °С соответственно. . . — 10 и 200

Входное сопротивление, Ом, в схеме с ОБ при LU= — 50 В, I э =1 мА, f=1 кГц……. 300

Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт, при 70°С…………….. 150

Среднечастотные. Транзисторы р-n-р КТ203 (А, Б, В) приме­няются для усиления и генерирования колебаний в диапазоне до 5 МГц, для работы в схемах переключения и стабилизации и вы­пускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 58), массой 0,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до +125°С. Электрические параметры транзисторов приведены в табл. 111.

Рис. 58. Цоколевка и габарит­ные размеры транзисторов КТ203А — В

Таблица 111

Обратный ток коллектора, мкА, при наибольшем обратном напряжении и температуре 25 и 125 °С соответственно……………1 и 15

Обратный ток эмиттера, мкА, при U э 6 = — 30 В. 10

Емкость коллекторного перехода, пФ, при U К б=5 В и f=10 МГц…………. 10

Ток коллектора, мА: постоянный………….. 10

импульсный…………. . 50.

Среднее значение тока эмиттера в импульсном ре­жиме, мА…………….. 10

Мощность, рассеиваемая коллектором, МВт, при температуре до 70 °С……… V . . 150

* Для транзисторов КТ203А — К.Т203В напряжение u k q соответст-венно равно 50, 30 в 15 В,

Высокочастотные . Конверсионные транзисторы р-n-р ГТ321

(А — Е) выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 59, а), массой 2 г, с диапазоном рабочих температур от — 55 до +60 °С. Электрические параметры транзисторов приведены в табл. 112.

Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42.

Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42 — германиевые, усилительные маломощные низкочастотные, структуры p-n-p.
Корпус металлостеклянный с гибкими выводами. Масса — около 2 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса.

Существуют следующие зарубежные аналоги:
МП39 — 2N1413
МП40 — 2N104
МП41 возможный аналог — 2N44A
МП42 возможный аналог — 2SB288

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов МП39 редко превышает 12 , у МП39Б находится в пределах от 20 до 60 .
У транзисторов МП40, МП40А — от 20 до 40 .
У транзисторов МП41 — от 30 до 60 , МП41А — от 50 до 100 .
у транзисторов МП42 — от 20 до 35 , МП42А — от 30 до 50 , МП42Б — от 45 до 100 .

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзисторов МП39, МП40 — 15 в.
У транзисторов МП40А — 30 в.
У транзистора МП41, МП41А, МП42, МП42А, МП42Б — 15 в.

Предельная частота коэффициента передачи тока (fh31э)транзистора для схем с общим эмиттером:
До 0,5 МГц у транзисторов МП39, МП39А.
До 1 МГц у транзисторов МП40, МП40А, МП41, МП42Б.
До 1,5 МГц у транзисторов МП42А.
До 2 МГц у транзисторов МП42.

Максимальный ток коллектора. — 20 мА постоянный, 150 мА — пульсирующий.

Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 5в и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию не более — 15 мкА.

Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 5в и температуре окружающей среды до +25 по Цельсию не более — 30 мкА.

Емкость коллекторого перехода при напряжении колектор-база 5в на частоте 1МГц — не более 60 пФ.

Коэффициент собственного шума — у МП39Б при напряжении коллектор-база 1,5в и эмиттерном токе 0,5мА на частоте 1КГц — не более 12 дб.

Рассеиваемая мощность коллектора. У МП39, МП40, МП41 — 150 мВт.
У МП42 — 200 мВт.

Когда-то, транзисторами этой серии комплектовали широко распространенные наборы радиоконструктора для начинающих. МП39-МП42 при своих, довольно крупных габаритах, длинных гибких выводах и простой распиновкe(цоколевке) идеально подходили для этого. Кроме того, довольно большой обратный ток, позволял им работать в схеме с общим эмиттером, без дополнительного смещения. Т.е. — простейший усилитель собирался действительно, на одном транзисторе , без резисторов. Это позволяло значительно упростить схемы на начальных этапах конструирования.

Цоколевка транзистора МП41

Обозначение транзистора МП41 на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора МП41 обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.

Характеристики транзистора МП41

• Структураp-n-p
• 15* (10к) В
• 20 (150*) мА
• 0.15 Вт
• 30…60 (5 В; 1 мА)
• Обратный ток коллектора
• >1* МГц
• Структура p-n-p
• Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15* (Зк) В
• Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 150* мА
• Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.2 Вт
• Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 20…35* (1 В; 10 мА)
• Обратный ток коллектора — мкА
• Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером >2* МГц

Цоколевка транзистора МП42

Обозначение транзистора МП42 на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора МП42 обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.

Характеристики транзистора МП42

• • Структура p-n-p
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15* (Зк) В
  • Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 150* мА
  • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.2 Вт
  • Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 20…35* (1 В; 10 мА)
  • Обратный ток коллектора — мкА
  • Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером >2* МГц

Усилитель мощности низкой частоты на германиевых транзисторах П213, принципиальная схема которого приведена иа рис. 1, может быть использован для воспроизведения грамзаписи, в качестве низкочастотной части приемника (с гнезд ГнЗ, Гн4), а также для усиления сигналов с датчиков адаптеризованных музыкальных инструментов (с гнезд Гн1, Гн2).

• Чувствительность усилителя с гнезд ГнІ, Гн2 — 20 мв, с гнезд Гн3, Гн4 — не хуже 250 мв;
• Выходная мощность на нагрузке 6,5 ом -2 вт;
• коэффициент нелинейных искажений — 3%;
• Полоса воспроизводимых частот 60-12 000 гц;
• В режиме молчания усилитель потребляет ток порядка 8 ма, а в режиме максимальной мощности — 210 ма.
• Усилитель может питаться как от батарей, так и от сети переменного тока напряжением 127 или 220 в.

Принципиальная схема

Как видно из принципиальной схемы, первый каскад усиления собран на мало-шумящем транзисторе МП39Б (Т1) по схеме с общим эмиттером. Усиливаемый сигнал подается на потенциометр R1, с движка которого через резистор R2 и разделительный конденсатор С1 сигнал низкой частоты попадает на базу транзистора. Нагрузкой первого каскада усилителя служит резистор R5.

Делитель напряжения R3, R4 и резистор R6 являются элементами температурной стабилизации. Наличие делителя R3, R4 делает напряжение на базе транзистора Т1 мало зависящим от температуры. Резистор R6 в цепи эмиттера создает отрицательную обратную связь по постоянному току.

При повышении температуры увеличивается ток в цепи эмиттера и на резисторе R6 увеличивается падение напряжения. В результате этого напряжение между базой и эмиттером становится менее отрицательным, что препятствует дальнейшему увеличению тока эмиттера. Второй каскад усиления также собран по схеме с общим эмиттером на транзисторе МП39Б (Т2).

Чтобы снизить зависимость параметров этого каскада от температуры, в нем применена комбинированная отрицательная обратная связь, определяемая резисторами R8, R9 и R10. Усиленное первым каскадом напряжение подается на вход второго каскада через разделительный конденсатор С2. Нагрузкой транзистора Т2 служит резистор R7.

Третий каскад усиления собран на транзисторе Т3. Нагрузкой каскада служит резистор RI8. Связь между вторым и третьим каскадами осуществляется с помощью конденсатора С3.

Выходной каскад усилителя работает в режиме класса В по последовательнопараллельной схеме. Основным преимуществом усилителей этого класса перед усилителями, работающими в классе А, является высокий коэффициент полезного действия.

При конструировании обычных усилителей низкой частоты радиолюбители сталкиваются с задачей изготовления переходных и выходных трансформаторов. Малогабаритные трансформаторы с пермаллоевым сердечником достаточно сложны в изготовлении. Кроме того, трансформаторы снижают общий коэффициент полезного действия и во многих случаях являются источником нелинейных искажений.

В последнее время были разработаны выходные каскады без трансформаторов — с квазидополнительной симметрией, т. е. с использованием транзисторов, имеющих разнотипные переходы и дополняющих друг друга для возбуждения двухтактного усилителя.

Бестрансформаторный каскад собран на двух мощных транзисторах Т6, Т7 с возбуждением от пары дополняющих симметричных транзисторов Т4 и Т5, работающих в предоконечном каскаде усиления. В зависимости от полярности сигнала, подаваемого с коллектора транзистора Т3, отпирается то один (Т4), то другой (Т5) транзистор. Одновременно открываются связанные с ними транзисторы Т6, Т7. Если на коллекторе транзистора Т3 усиленный сигнал имеет отрицательную полярность, открываются транзисторы Т4, Т6, если сигнал имеет положительную полярность, открываются транзисторы Т5 и Т7.

Постоянная составляющая коллекторного тока, проходящая через термостабилизирующий диод Д1 и резистор R19, создает смещение на базах транзисторов Т4, Т5, выполняющих функции фазоинверторов. Это смещение позволяет устранить характерные искажения, вызванные нелинейностью входных характеристик при малых токах базы.

Резисторы R22, R23 снижают влияние разброса параметров транзисторов Т4, Т3 на режим работы выходного каскада. Конденсатор С9 разделительный.

С целью уменьшения нелинейных искажений каскады усиления на транзисторах Т3 — Т7 охвачены отрицательной обратной связью по переменному току, напряжение которой снимается с выхода оконечного усилителя и через цепочку R17, С8, R16, R15, С6, R14 подается на базу транзистора Т3. При этом переменный резистор R17 обеспечивает регулировку тембра в области низших частот, а потенциометр R15 — в области высших частот.

Если регулировка тембра не требуется, то детали R14 — R17. С6, С8 из схемы исключаются. Цепь обратной связи в этом случае образуется резистором R0 (на рис. 1 эта цепь изображена пунктирной линией).

Для нормальной работы выходного каскада напряжение в точке «а» (напряжение покоя) должно быть равно половине напряжения источника питания. Это достигается соответствующим выбором сопротивления резистора RI8. Стабилизация напряжения покоя обеспечивается цепью отрицательной обратной связи по постоянному току.

Как видно из схемы, точка «а» на выходе усилителя соединяется с цепью базы транзистора ТЗ с помощью резистора R12. Наличие этой связи автоматически поддерживает напряжение в точке «а» равным половине напряжения источника питания (в данном случае равным ба).

Для нормальной работы усилителя необходимо также, чтобы транзисторы Т4, Т5 и Т6, Т7 имели возможно меньший обратный ток. Величина коэффициента усиления (5 транзисторов Т4-Т7 должна лежать в пределах 40 — 60; причем транзисторы могут иметь различные коэффициенты усиления h. Необходимо только, чтобы выполнялось равенство h5 * hб= h5 * h7.

Детали и монтаж

Монтаж усилителя производится на гетинаксовой панели толщиной 1 — 1,5 мм. Размеры платы в значительной степени зависят от области применения усилителя. Транзисторы П213Б для обеспечения хорошего теплоотвода снабжены радиаторами с общей охлаждающей поверхностью не менее 100 см2.

Питание усилителя может производиться от батареи напряжением 12 в, собранной из элементов типа «Сатурн», или от батарей для карманного фонаря. Питание усилителя от сети переменного тока осуществляется с помощью выпрямителя, собранного по мостовой схеме на четырех диодах Д1-Д4 с емкостным фильтром через стабилизатор напряжения (рис. 2).

Как было указано выше, при работе усилителя потребляемый им ток изменяется в довольно широких пределах. Резкие колебания тока неизбежно вызовут изменение величины питающего напряжения, что может привести к нежелательным связям в усилителе и искажениям сигнала. Для предотвращения подобных явлений предусмотрена стабилизация выпрямленного напряжения.

В состав стабилизатора входят транзисторы Т7, Т2 и стабилитрон Д5. Данный стабилизатор при изменении тока нагрузки от 5 до 400 ма обеспечивает стабильное напряжение 12 в, причем амплитуда пульсаций не превышает 5 мв. Стабилизация питающего напряжения происходит за счет перепада напряжения на транзисторе Т2.

Этот перепад зависит от смещения на базе транзистора Т2, которое, в свою очередь, зависит от величины опорного напряжения на резисторе R2 и напряжения на нагрузке (Rнагр).

Транзистор Т2 монтируют на радиаторе. Выпрямитель размещается в ящике размером 60Х90Х130 мм, который изготавливается из листовой стали толщиной 1 мм.

Силовой трансформатор выполнен на сердечнике Ш12, толщина набора 25 мм. Обмотка I (на 127 в) содержит 2650 витков провода ПЭЛ 0,15, обмотка II (на 220 в) — 2190 витков ПЭЛ 0,12, обмотка III — 420 витков ПЭЛ 0,55.

Наладка

Усилитель, собранный из проверенных деталей и транзисторов, обычно сразу начинает работать. Подключив источник питания (12 в), резисторами R3, R8, R12, R18 устанавливают рекомендуемый режим. Затем через разделительный конденсатор С3, который предварительно отключается от коллектора транзистора Т2, подают на вход усилителя напряжение от звукового генератора (0,2 в, частота 1000 гц).

Цепь обратной связи в точке «б» необходимо разорвать. Контроль формы выходного напряжения наблюдают с помощью осциллографа, подключенного параллельно громкоговорителю. Если на стыках полуволн наблюдаются большие «ступеньки», нужно уточнить значение резистора R19.

Оно подбирается по минимальным искажениям, которые при включении цепи обратной связи почти полностью исчезают. Налаживание других каскадов никакими особенностями не отличается. В тех случаях, когда от усилителя требуется чувствительность порядка 250 мв, первые два каскада на транзисторах Т1, Т2 из схемы можно исключить.

Мп41а содержание драгметаллов цена — Домострой

Электронные приборы состоят из множества компонентов. Одними из ключевых полупроводниковых устройств являются транзисторы, которые пришли на смену ламповым деталям. Для производства микроэлектронных приборов и микросхем в разные годы использовались различные радиокомпоненты. В свое время широким спросом пользовались МП41 и МП41А. Они отличаются ненормированным коэффициентом шума, предназначены для усиления сигналов низких частот.

С выгодой можно продать даже детали, которые вышли из строя. Высокие цены на транзисторы МП41 и МП41А обусловлены содержанием драгметаллов в них. На специальных аффинажных заводах ценные компоненты извлекают и используют как вторичное сырье. Если у Вас есть ненужные радиодетали в любом состоянии, не выбрасывайте их. Если в них есть драгоценные металлы, Вы сможете получить крупную сумму при продаже.

Содержание драгметаллов в транзисторах МП41 и МП41А одинаковое. Из каждого устройства удается извлечь 0,0017 г металлов платиновой группы. Золота, серебра и прочих дорогостоящих составляющих нет. Для уточнения цены приборов обращайтесь к нашим специалистам по телефону. Мы можем оценить содержание драгметаллов в транзисторах серии МП 41 и других радиокомпонентах даже дистанционно. Для этого пришлите нам фото деталей с маркировкой. Приобретаем транзисторы поштучно и на вес.

Перечень радиодеталей, принимаемых в скупку:

1. Конденсаторы керамические в корпусном и бескорпусном исполнении. Основные марки: КМ3, КМ4, КМ5, КМ6, К10-7, -9, -17, -23, -26, -28, -43, -46, -47, -48.
2. Конденсаторы керамические производства стран СЭВ (болгария). Основные марки: К52-1, К52-2,-5,-7,-9, ЭТО-1,-2 ,ЭТ, ЭТН, К53-1,7,18 и т.д.
3. Емкостные сборки Б-18, Б-20, проходные фильтры Б-23, линии задержки МЛЗ
4. Микросхемы и транзисторы в круглых, керамических, планарных, DIP, пластмассовых корпусах всех серий.
5. Транзисторы в круглых, плоских, металлических, пластмассовых корпусах, силовые транзисторы.
6. Импортные микросхемы и транзисторы в керамических, планарных, DIP и круглых корпусах. Процессоры от персональных компьютеров, материнские платы и их составляюшие.
7. Разъемы отечественного производства. Любые марки.
8. Штырьки отечественных и импортных разъемов с белым или желтым покрытием контактных частей.
9. Разъемы импортного производства. Любые марки.
10. Ламели от плат любых видов и покрытий
11. Переключатели ПГ2, 5, 7, ПР1, ПР2, ПП6, ПП8, ПП9, ПП11, МП12, П1М9-1, П1М10-1, П1М11-1, П1М12-1, ПМ2-1, ПкП2-1, ПКН4-1, П2КнТА, ПК1С, ПК1Э, ПК2С, П1Т3-1, П1Т4-1, ПТ9-1, Пт11-1, Пт13-1, Пт23-1, Пт25-1, Пт27-1, Пт8.
12. Другие переключатели с содержанием ДМ.
13. СП5-1, 2, 3, 4, 14, 15, 16, 17, 18, 20, 21, 22, 24, 37, 39, 44, СП3-39, СП3-19, 37, 44.
14. ПП3-40, 41, 43, 44, 45, 47.
15. Потенциометры специального назначения. Основные марки: ППМЛ-М, ППМЛ-И, ППМЛ-ИМ, ППМЛ-Ф, ППМФ-М, ППБЛ-В, РПП, ПТП-1, ПТП-2, ПТП-5, ПЛП-1, ПЛП-2.
16. Реохорды и резистивные элементы в составе самописцев серий:
17. КСП-1, КСП-4, КСУ-1, КСД-1, КПУ-1, КПП-1, КПД-1, КП-41, и мостов уравновешенных самопишущих серий: КСМ-1, КПМ-1.
18. РЭС7 РЭС8 РЭС9 РЭС10 РЭС14 РЭС15 РЭС22 РЭС32 РЭС34 РЭС37 РЭС48 РЭС78 РП 3, 4, 5, 7 РПС 3, 4, 5, 7 РПС 11,15,18 РПС20 РПС24 РПС32 РПС34 РПС36 ДП12 РКН РКНМ РКМ-1 РКМ-1Т РКМ-П РЭК43 ТРА ТРВ ТРЛ ТРМ ТРН ТРП ТРТ РТН ТРСМ-1,2 РВМУ-1 РКП Е-506 СК-594 РВ-5А РТС-5
19. Другие реле в том числе импортного производства.
20. Радиодетали специальной аппаратуры, гироскопы, электромеханические навигационные приборы.
21. Датчики угла поворота, давления, тензодатчики, датчики давления, термопары (ТПП, ТПР), термосопротивления (ТСП), термодатчики.
22. Провод монтажный в фторопластовой изоляции (БИФ, МС, МСЭ, РК-50, РК-75 и другие марки). Припой ПСР всех типов и его отходы.
23. Лампы генераторные ГУ, ГС, ГМИ, клистроны
24. Блоки МКС, ШИВ-25, ШИВ-50, ЭМРВ-27, УВПМ-1, Аккумуляторы СЦС.
25. Платы от всех устройств с любыми радиоэлементами в том числе импортные.
26. Вся срезка с плат.
27. Катализаторы риформинга АП-56, АП-64, БАП-91, КР-104, КР-108, КР-110.
28. Катализаторы риформинга с непрерывной регенерацией: Р-32, Р-56, Р-132, Р-134.
29. Катализаторы риформинга аромизинга и изомерации: AR-403S, AR-405, IS-612, IS-612A, IS-632, GP-201, RD-291, RG-412, RG-482, RG-492, RG-582, E-301, E-302, E-311, E-603, E-611, E-801, E-802, E-803, E-1000.
30. Катализаторы селективного гидрокрекинга: СГ-3П.
31. Фильтрующие бачки противогазов ДП-2, ДП-4, ФГ-120, ФКП, ФКЛ.

Основные преимущества нашего предложения:

• Мы производим скупку радиодеталей в любых количествах.
• Оплата по сделке – сразу после оценки и передачи товара.
• Предлагаем обоснованные расценки при скупке драгметаллов в радиодеталях.
• Гарантируем индивидуальный подход и учитываем пожелания клиента по проведению сделки.
• Принимаем технику в целом, а также платы и другие радиодетали: конденсаторы КМ, части приемников и т.д.
• Работаем в удобном офисе недалеко от станции метро «Белорусская».
• Гарантируем оперативность и качественный сервис.

Для того чтобы быстро и без лишних хлопот избавиться от устаревшей техники и получить за нее вполне приемлемую сумму, обращайтесь в компанию «Альфа-Металл». Подробнее о расценках, курсах, условиях сотрудничества и оказываемых услугах можно узнать у менеджеров или на сайте. Задать вопросы и договориться о времени встречи можно по телефону или заказав обратный звонок.

Перезвоним Вам в течение нескольких мгновений.

Товар можно сдать здесь и сейчас!

Попробуйте отправить сообщение через 5 минут

Золото	1455.29
Серебро	16.98
Платина	888.0
Палладий	1824.9

Специальные цены на прием акционных материалов

купим серебро по 32 рубля за грамм

купим золото минус 3%

ЦЕНЫ СООТВЕТСТВУЮТ ЦЕНАМ САЙТА. СКУПАЕМ РАДИОЛОМ В ЛЮБЫХ ОБЪЁМАХ.

Рекламируй свою приёмку на нашем сайте бесплатно

Скупка автомобильных катализаторов дорого по всей Российской Федерации

ЦЕНЫ ВЫШЕ ДО 50 %, ЧЕМ У КОНКУРЕНТОВ. ПРИЕЗЖАЙТЕ И УБЕДИТЕСЬ САМИ!

ФИКСИРУЕМ ЧЕСТНЫЕ ЦЕНЫ НА ДЕНЬ ОБРАЩЕНИЯ. ОПЛАТА НАЛИЧНЫМИ СРАЗУ.

НАДЁЖНО И КОНФИДЕНЦИАЛЬНО ПРОВОДИМ СДЕЛКИ

ПЕРВЫЙ РОССИЙСКИЙ ДОСТОВЕРНЫЙ ЧЕСТНЫЙ САЙТ

ОТПРАВКА ТОВАРА ИЗ ЛЮБОЙ ТОЧКИ СТРАНЫ В СКУПКУ. ПОДУМАЙТЕ, КАК БУДЕТ УДОБНЕЕ ДЛЯ ВАС!

СОТРУДНИЧАЕМ С ФИЗИЧЕСКИМИ И ЮРИДИЧЕСКИМИ ЛИЦАМИ ИЗ РОССИИ, СНГ И ЕВРОПЫ!

ВЫГОДНЫЕ УСЛОВИЯ ДЛЯ ОПТОВЫХ КЛИЕНТОВ ИЗ ЛЮБОГО РЕГИОНА РОССИИ!

КОМПАНИЯ «АКАДЕМИЯ БЛАГОРОДНЫХ МЕТАЛЛОВ» — ОДНА ИЗ САМЫХ УСПЕШНЫХ КОМПАНИЙ В ОТРАСЛИ! ПРИСОЕДИНЯЙТЕСЬ К КОМАНДЕ ПРОФЕССИОНАЛОВ!

ОПТ – ЭТО ВАМ НЕ РОЗНИЦА, ЗДЕСЬ КАЖДОЙ КОПЕЙКОЙ ДОРОЖАТ!

ПЛАТЫ ДОРОГО СКУПКА

Скупка ювелирного золота по лучшим ценам КРУГЛОСУТОЧНО

7 дней в неделю / 24 часа в сутки.
(без выходных и праздников) скупки рядом с метро.

Приём звонков с 9:00 ДО 23:00 GMT +4

Приём товара с 8:00 ДО 23:00 GMT +4

8 (495) 542-64-07 (Москва)

• Золото — 2935.7762 руб/г
• Платина — 1626.8577 руб/г
• Палладий — 3305.7376 руб/г
• Серебро — 34.6005 руб/г
• Тантал 195$ за 1 кг

Первая честная скупка радиодеталей и металлов.

Цены на сайте, не предел, приезжайте,

обсудим!

Приезжают в скупку со всех городов и субъектов Российской Федерации.

Много клиентов из стран СНГ.

Наибольшим спросом в приеме и скупке пользуются следующие виды радиодеталей:

Скупка радиодеталей и металлов, катализаторов дорого!

Многие считают, что радиолом ничего не стоит и сильно ошибаются. Радиодетали состоят из цветных металлов и частично из драгоценных металлов. Мы учитываем текущие котировки на драгметаллы, благодаря чему можем предложить вам наиболее выгодные цены.

На сайте вы можете ознакомиться с ценами на скупку радиодеталей, условиями и стоимостью доставки. Купим новые и б/у радиодетали от физических и юридических лиц.

Для оформления продажи ваших радиодеталей вам необходимо связаться с нашими менеджерами по телефону +7 (495) 542-64-07 или с помощью формы обратной связи на сайте, записаться и приехать в скупку. Приехать по адресу Вас встретят вежливые сотрудники, честно разберут и взвесят Ваш материал. Деньги получаете в день сдачи материала.

Доставить радиодетали в скупку можно почтой и при личном визите в пункт приема.

Необходимая информация для оформления заказа на скупку радиодеталей, содержащих драгметаллы

Для оформления договора и встречи в офисе скупки радиодеталей в Москве, вам необходимо сообщить нашему менеджеру следующие данные:

• наименование радиодетали;
• количество деталей;
• ваш контактный телефон
• удобное время прибытия

На сайте представлен наш честный прайс-лист на скупку радиодеталей.

Принципиальная схема импульсного блока питания МП-41 и описание принципа работы

Модуль формирует стабилизированные вторичные постоянные напряжения 128 Вольт (150 Вольт), 28 В, 15 В, 12 В, гальванически развязанные от питающей сети переменного тока 170…242 Вольт, 50 Гц. Принцип работы модуля питания МП-41 Принцип работы модуля состоит в преобразовании выпрямленного сетевого напряжения в импульсное напряжение прямоугольной формы с изменяемой частотой (20…30 kHz) и скважностью, с последующей трансформацией и выпрямлением этого напряжения во вторичных цепях. Сетевое напряжение поступает на выпрямитель, собранный по мостовой схеме. Выпрямленное напряжение 290V подается на преобразователь напряжения, собранный на высоковольтном ключевом транзисторе VT8 типа КТ838А и импульсном трансформаторе Т1 типа ТПИ-4-3 или ТПИ-5, являющемся одновременно разделительным и понижающим. Запуск преобразователя (модуля) после включения модуля в сеть осуществляется при поступлении положительных полуволн сетевого напряжения на вход узла запуска, собранного на транзисторах VT6, VT7 (КТ3102ГМ, КТ209И). Преобразователь напряжения построен по автогенераторной схеме по обратно-ходовому принципу. В фазе отпирания транзистора (прямой ход) происходит накопление энергии в магнитном поле трансформатора. В фазе запирания (обратный ход) накопленная энергия передается в нагрузку. Наличие положительной обратной связи приводит к возникновению колебательного блокинг-процесса с определенной частотой. Периодическое переключение транзистора VT8 преобразует постоянное питающее напряжение, поступающее на него через первичную обмотку трансформатора Т1, в импульсное. Выпрямители импульсных напряжений во вторичных цепях трансформатора Т1 собраны по схеме однополупериодного выпрямления. В источнике +12V установлен интегральный стабилизатор напряжения. Оптимальный режим работы транзистора преобразователя поддерживается узлом на транзисторе VT9, обеспечивающим пропорциональное управление током базы транзистора VT8. Работой преобразователя управляет узел, собранный на транзисторах VT3, VT5 (КТ3102ГМ, КТ816Б). Узел управления определяет длительность и амплитуду пилообразных импульсов тока в преобразователе и, тем самым, выходные напряжения. Для стабилизации этих напряжений применен каскад на транзисторе VT1 (КТ209И). Защита модуля от перегрузок осуществляется узлом электронной защиты на транзисторах VT2, VT4 (КТ209И, КТ3102ГМ). Рис. 2. Схема блока питания МП-41 отечественного телевизора Схема модуля питания МП-41 с высоким разрешением открыть>>> Назначение и состав цепей преобразователя модуля питания МП-41 согласно схемы Функциональное назначение цепей Состав цепей Помехоподавляющие цепи С2, СЗ, С7, С8, С18 Сетевой выпрямитель с фильтром VD2-VD5, С9-С11 Схема запуска R11, R21, С14, R15, R19, VD10, VT6, VT7 Цепь ПОС Обмотка (5,3)Т1, R18, С12, С13, R29, VD8 Запирающая цепь С12, VT5 Формирователь сигнала управления ключевым транзистором R9, R10, VT3, R13, R15, VT5 Вспомогательный источник с 1 фильтром (измерительная цепь) Обмотка (7,13)Т1, R14, VD6, С5 Формирователь 1 пилообразного напряжения R14, R7, С4 Формирователь напряжения Uon. R8, VD1 Схема сравнения R8, VD1, R1-R3, R5, R6, R9, VT1 Цепь токового управления R25, R28, С17, С6 Схема пропорционального управления R23, С16, VT9, R24, R26, R27, VD11 Схема защиты C1, R4, VT2, R12, VT4 Защита от обратного напряжения VD7. VD9 Демпфер С15, R22

Сервис объявлений OLX: сайт объявлений в Украине

Киев, Дарницкий Сегодня 03:22

Samsung Galaxy j7 2017 Телефоны и аксессуары » Мобильные телефоны / смартфоны Киев, Днепровский Сегодня 03:22

5 грн. Договорная Киев, Святошинский Сегодня 03:21

Черкассы Сегодня 03:21

74 836 грн. Договорная Донецк, Ленинский Сегодня 03:21

11 000 грн. Договорная Черновцы Сегодня 03:21

Черкассы Сегодня 03:21

6 682 грн. Договорная Киев, Печерский Сегодня 03:20

mp% 2041% 20 техническое описание транзистора и примечания по применению

smd маркировка мп Аннотация: Резонаторы на ПАВ SMD 100 Резонаторы на ПАВ SMD ПАРС 433.92 Пила фильтр 433.9 Устройство открывания гаражных ворот дистанционный передатчик для гаражных ворот маркировка smd m_p Резонаторы на ПАВ (SMD) PARS 433.92 rx 433 saw 433,92mhz f11 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	250 кГц 200 кГц 150 кГц 100 кГц 75 кГц 500 МГц 75 кГц 100 частей на миллион / -250 частей на миллион PARS315 smd маркировка mp Резонаторы на ПАВ SMD 100 Резонаторы на ПАВ SMD PARS 433.92 пильный фильтр 433.9 Открывалка для гаражных ворот дистанционный передатчик двери гаража smd маркировка m_p Резонаторы на ПАВ (SMD) ПАРС 433.92 rx 433 пила 433,92 МГц f11
кабели Резюме: кабель hirose U.FL 1,32 мм Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
2013 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	MP-62
ГРМ43ДР61Э106КА12Л Аннотация: конденсатор 47 мкФ 1210 x7r конденсатор 22 мкФ 1210 x7r GRM188R71h324K GRM X7R 47 мкФ uКонденсатор X7R 1206u GRM21BR71h324KA01L GRM32ER61E226K X7R murata GRM21BR71h434KA88D Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	GRM18 1000 пФ 4700 пФ 6800 пФ 015 мкФ 022 мкФ 033 мкФ FM7500U-094-декабрь03 GRM43DR61E106KA12L конденсатор 47 мкф 1210 x7r конденсатор 22 мкф 1210 x7r ГРМ188Р71х324К ГРМ X7R 47 мкФ мкФ конденсатор X7R 1206u ГРМ21БР71х324КА01Л GRM32ER61E226K X7R Мурата ГРМ21БР71х434КА88Д
MURATA GRM033 Аннотация: GRM033R60J104KE19D GRM0335C1E2R0CD01D GRM033R71A103KA01D Murata GRM033R71E102KA01D GRM033R60J104 Конденсатор керамический 10pF 63V керамический конденсатор 0201 размер murata GRM0335C1E100JD01D Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	GRM033 000ПК / катушка) FM7500U-097-Jul04 MURATA GRM033 GRM033R60J104KE19D GRM0335C1E2R0CD01D GRM033R71A103KA01D Мурата GRM033R71E102KA01D GRM033R60J104 Конденсатор керамический 10pF 63V керамический конденсатор 0201 размерность мурата GRM0335C1E100JD01D GRM0335C1E3R0CD01D
2007 — миниатюра 2.Разъем питания постоянного тока 1 мм Резюме: 128-0711-201 128-0711-20 AWG36 mmcx 1,37 прямой штекер 3 мм мобильный разъем U.FL 1,32 мм кабель 415-0088-100 микроволновая печь каталог продукции Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	UMC07 миниатюрный разъем питания постоянного тока 2,1 мм 128-0711-201 128-0711-20 AWG36 mmcx 1.37 прямой штекер Мобильный домкрат 3 мм U.FL Кабель 1,32 мм 415-0088-100 каталог продукции СВЧ
2009 — 5-контактный круглый разъем амфенола Аннотация: МП-41 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	MP-62 Круглый 10-контактный РАЗЪЕМ amphenol MP-41
Чт39-1 Аннотация: MIL-R-3065, амфенол, 12-контактный круглый штекер WF Amphenol MP-4106-150S stk 433070 MP-41 MP-4102 MP-6511-39S MP4102 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	MP-41 Mil-C-5015 Земля150 Чт39-1 MIL-R-3065 амфенол 12-контактный круглый штекер WF Амфенол МП-4106-150С стк 433070 MP-4102 МП-6511-39С MP4102
2006 — MIL-R-3065 Аннотация: Амфенол C146 Th39-1 MP-41 MP-4102 MP4102 Амфенол 2-контактный круглый штекер «th39-1» MP-6216 Амфенол 2-контактный круглый круглый штекер Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	КОШКА-АМФЕНОЛ359 MIL-R-3065 Амфенол C146 Чт39-1 MP-41 MP-4102 MP4102 амфенол 2-контактный круглый штекер «th39-1» MP-6216 амфенол 2-контактный женский круглый штекер
1995 — МИП 0254 Аннотация: mp 1038 EPC 1027 mp 1046 mip 836 mp 1016 1×4 bit sram SPRU109A Параллельный накопитель умножителя на основе Radix-2 mp 1026 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	TMS320C80 СПРУ109А Applicabl-170 Индекс-19 Индекс-20 mip 0254 т.пл.1038 EPC 1027 Т.пл. 1046 mip 836 mp 1016 1×4 бит sram СПРУ109А параллельный накопитель множителей на основе Radix-2 Т.пл. 1026
лукас шаевиц mp 1000 Резюме: Schaevitz MP-1000 lucas schaevitz lvdt schaevitz LVDT MP 1000 Schaevitz 1000 LVDT lucas schaevitz Schaevitz 3000 Schaevitz mp-2000 Schaevitz lvdt MP4000 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	MP-028 Лукас Шаевиц mp 1000 Шаевиц МП-1000 Лукас Шаевиц lvdt schaevitz LVDT MP 1000 Шаевиц 1000 LVDT Лукас Шаевиц Шаевиц 3000 Шаевиц мп-2000 Schaevitz lvdt MP4000
MFP10S Аннотация: MFP14S TSSOP24 LB1939T LV8760T LB1941T LV8405V LV8548M LV8711T LV8741V Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	LV8741V2ch LV8405V LV8406V LV8711T2ch LB1939T LB1940T LV8760T LV8761V LB1948M1ch LV8548M1ch MFP10S MFP14S ЦСОП24 LB1939T LV8760T LB1941T LV8405V LV8548M LV8711T LV8741V
2012 — МП-4164-85S-C Аннотация: MP-4102-54P-C MP-4106-54S-C MP-4164-150S-C 12-контактный штыревой круглый штекер amphenol 12-штырьковый круглый круглый штекер Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	MP-62 MP-4164-85S-C MP-4102-54P-C MP-4106-54S-C MP-4164-150S-C амфенол 12-контактный круглый штекер амфенол 12-контактный женский круглый штекер
2003 — МП-108457 Аннотация: 12-контактный круглый штекер amphenol женский круглый штекер 2-контактный AMFENOL MP-4106-150S Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	КОШКА-АМФЕНОЛ359 SLFMD419AR 14-18мм 19-24мм 24-30мм SLFFDR419AR SLEME419AR MP-108457 12-контактный круглый штекер amphenol амфенол 2-контактный женский круглый штекер МП-4106-150С
u574 Аннотация: РАЗЪЕМ BD 509 BD 509 амфенол U-518 U-S72B U-557A u519 U-S48C mu 5d коннектор PLT-16 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	L-501A MP-58 U-514A L-526B MP-59 E-502A u574 РАЗЪЕМ BD 509 BD 509 амфенол U-518 U-S72B U-557A u519 U-S48C mu 5d разъем PLT-16
2003 — MP4101 Аннотация: MP4102 MP-4102 MP-41 MP410 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	MP-41 МП-4164-13С МП-4164-19С МП-4164-25С МП-4164-37С МП-4164-54С МП-4164-85С МП-4164-150С МП-4164-200С МП-4102-13П MP4101 MP4102 MP-4102 MP410
2008 — РУКОВОДСТВО ПО ОБСЛУЖИВАНИЮ материнской платы настольного ПК Аннотация: РУКОВОДСТВО ПО ОБСЛУЖИВАНИЮ МАТЕРНОЙ ПЛАТЫ ПК РУКОВОДСТВО ПО ОБСЛУЖИВАНИЮ материнской платы Бесплатное руководство по обслуживанию материнской платы Intel. РУКОВОДСТВО ПО ОБСЛУЖИВАНИЮ материнской платы Intel Intel. Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	MP-878D настольный компьютер MOTHERBOARD SERVICE MANUAL РУКОВОДСТВО ПО ОБСЛУЖИВАНИЮ МАТЕРИНСКОЙ ПЛАТЫ ПК РУКОВОДСТВО ПО ОБСЛУЖИВАНИЮ МАТЕРИНСКОЙ ПЛАТЫ ПК бесплатно системная плата Intel для настольных ПК РУКОВОДСТВО ПО ОБСЛУЖИВАНИЮ ИНСТРУКЦИЯ ПО ОБСЛУЖИВАНИЮ МАТЕРИНСКОЙ ПЛАТЫ ПК Intel Intel MOTHERBOARD РУКОВОДСТВО ПО ОБСЛУЖИВАНИЮ материнская плата руководство по ремонту
BS0001 Реферат: Центрифуга методом ПРОВЕРКИ ВХОДЯЩЕГО СЫРЬЯ BS-0001 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	Часов / 80 С / 150 EP-00008 TP-00002 QP-00062 TP-00006 EP-00004, EP-00005 QP-00062 BS0001 BS-0001 ПРОВЕРКА ВХОДЯЩЕГО СЫРЬЯ центрифуга
1995 — TMS320C80 Аннотация: mip 0254 bbzt mp 1060 ADD44 mip 836 часы реального времени Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	TMS320C80 СПРУ109А TMS320C80 mip 0254 bbzt т.пл. 1060 ДОБАВИТЬ44 mip 836 часы реального времени
1995 — МИП 0254 Аннотация: Модифицированные множители кабины mp 1048 mip 836 mp 1038 MP 1048 EM EPC 1027 TMS320C80 mp 1046 mp 315 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	TMS320C80 СПРУ109А Applicabl-170 Индекс-19 Индекс-20 mip 0254 Модифицированные множители будки т.пл.1048 mip 836 т.пл. 1038 MP 1048 EM EPC 1027 TMS320C80 Т.пл. 1046 Т.пл. 315
MA29 серии Реферат: P090 КОД МАРКИРОВКИ 1P murata код маркировки транзистор 1p транзистор 1P F маркировка код 54 маркировка 1p ma69 MA592 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	300дер MA29 серии P090 КОД МАРКИРОВКИ 1P код маркировки мурата транзистор 1p транзистор 1П Ф код маркировки 54 маркировка 1p ma69 MA592
2001 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	MPS2222 MPS2222A 86MAX
2003 — HD6473278P10 Аннотация: HD6473298P10 HD6473278CP10 HD6473298CP10 HD6433298P10 HD6433278CP10 HD6473278FJ10 HD6473278CPJ10 HD6473298VF HD6433298P Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	H8 / 300 H8 / 329 H8 / 300H H8 / 329 H8 / 3297 10-битный HD6433298VCP5 HD6433288P6 HD6473278P10 HD6473298P10 HD6473278CP10 HD6473298CP10 HD6433298P10 HD6433278CP10 HD6473278FJ10 HD6473278CPJ10 HD6473298VF HD6433298P
2001 — 2222a Аннотация: эквивалент mps2222 2222 mps2222 MPS2222A MPS2222 S2222AC S2222A 2222AC Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	MPS2222 MPS2222A 270TYP 2222a эквивалент mps2222 2222 м / с 2222 MPS2222A MPS2222 S2222AC S2222A 2222AC
1995 — МИП 0254 Аннотация: mip 0244 sl 0380 r TMS320C80 LT 542 семисегментный 0383F bbzt mip 836 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	TMS320C80 СПРУ109А Индекс-19 mip 0254 mip 0244 sl 0380 r TMS320C80 LT 542 семисегментный 0383F bbzt mip 836

Органическая транзисторная платформа со встроенной микрофлюидикой для встроенного многопараметрического мониторинга клеток in vitro

Механическая стимуляция напряжения сдвига потока

Подавляющее большинство микрожидкостных платформ, опубликованных в литературе, изготавливаются с использованием стандартной методики «мягкой литографии». основан на изготовлении силиконовой формы как средства формования полимера силиконового каучука, то есть полидиметилсилоксана (ПДМС), с характеристиками микрометрического размера ⁷ .Впоследствии PDMS прочно связывают с плоской и гладкой подложкой, такой как стекло, после плазменной активации O ₂ . В результате достигается необратимая адгезия микрофлюидного устройства PDMS, и устройство может поддерживать длительную работу в течение нескольких дней и даже недель.

В настоящей работе изготовление планарных ОЭКТ с каналом транзистора и электродом затвора, нанесенным на подложку, выполняется на обычных предметных стеклах микроскопа с помощью литографии с отрывом (более подробная информация доступна в разделе «Экспериментальная часть»).В рамках изготовления OECT мы используем тонкий слой ~ 2 мкм PaC для изоляции золотого контакта и определения активной области транзистора. PaC является одним из многих производных поли (пара-ксилилена), обладающих высокой механической и химической стабильностью, а также нашел множество биологических применений ⁴¹ . Однако присутствие PaC в качестве конечного слоя подложки накладывает серьезные ограничения на изготовление микрофлюидных устройств PDMS с использованием стандартной мягкой литографии. Фактически, из-за различной химической структуры PDMS и PaC невозможно добиться постоянного соединения этих двух подложек с помощью простой плазменной активации O ₂ .Плохая адгезия между двумя подложками приводит к утечкам и, в конечном итоге, отслаиванию структуры PDMS от подложки. Некоторые стратегии были предложены для необратимого связывания PDMS и других пластиковых подложек ^42,43 , однако на основе наших первоначальных экспериментов было невозможно достичь стабильной адгезии PDMS и PaC с использованием этих протоколов. Возможным решением этой проблемы может быть полное удаление слоя PaC с подложки, что делает стеклянную подложку доступной для опосредованного плазмой связывания с PDMS.Однако с электронной точки зрения присутствие PaC в качестве изоляционного слоя необходимо для работы OECT. Действительно, в отсутствие PaC электролит также будет в прямом контакте с золотыми контактными линиями истока и стока, вызывая дополнительные емкостные эффекты, которые, в свою очередь, будут влиять на эффективность транзистора, как показано на дополнительном рисунке S3.

На основании этих первоначальных наблюдений и учитывая, что разработанная микрофлюидическая платформа должна стабильно работать в течение нескольких дней, мы решили обойти проблему адгезии PaC / PDMS, используя альтернативные материалы, например, акриловый пластик. , для изготовления микрофлюидики.На рисунке 1а (слева) схематически показана разработанная платформа, объединяющая OECT и микрофлюидное устройство. Для изготовления микрофлюидного устройства мы использовали двусторонний PSA медицинского класса, который обеспечивает необратимую связь между OECT с изоляцией из PaC и микрофлюидикой ⁴⁴ .

Рисунок 1

Интеграция микрофлюидики с OECT для комбинированного оптического и электронного мониторинга. ( a ) Графическое представление разработанной платформы, объединяющей OECT с микрофлюидикой.Вверху справа, иллюстрация OECT и клеточного слоя, выстилающего нижнюю поверхность микрожидкостного канала. Внизу справа, сверху и в разрезе микрофлюидного устройства. ( b ) Изображение полностью собранной микрожидкостной платформы, расположенной на предметном столике микроскопа, с входными и выходными портами и трубками. Красные силиконовые блоки используются для обеспечения стабильного соединения между впускной и выпускной трубками и микрожидкостной платформой. ( c ) Флуоресцентное изображение полностью сливного слоя клеток MDCK II, трансфицированных pLifeAct (красный флуоресцентный белок, меченный F-актином), выращенных внутри микрофлюидного канала, интегрированного с плоским OECT.Черные блоки — это контактные линии истока и стока золотого канала транзистора (масштабная линейка, 100 мкм). OECT, органический электрохимический транзистор; MDCK II, клетки почек собак Madin-Darby из дистальной трубки нефрона.

Предлагаемая платформа состоит из одного микроканала, внутри которого в микрожидкостной камере могут располагаться несколько каналов OECT и электродов затвора различной геометрии ( W × L × H = 2,4 мм × 6,5 мм × 160 мкм) . На рисунке 1а (увеличенное изображение вверху) показано поперечное сечение устройства, на котором представлены различные компоненты снизу вверх, подложка из стекла / PaC с каналом и затвором OECT, эпителий и носитель. перфузия через микрофлюидную камеру.На рисунке 1b показано изображение полностью собранного устройства, расположенного на предметном столике инвертированного микроскопа, где белый слой представляет собой PSA, а липкие красные силиконовые блоки используются для соединения микрофлюидики с впускной и выпускной трубками. На рисунке 1c также показано флуоресцентное изображение с использованием визуализации живых клеток (клеток, экспрессирующих актин, помеченный красным флуоресцентным белком (RFP)) полностью сливного слоя MDCK II, выращенного внутри камеры OECT / микрофлюидного устройства.

Чтобы установить подходящие условия для будущих экспериментов, мы сначала исследовали влияние физиологически релевантного напряжения сдвига жидкости (FSS) на клетки MDCK II при культивировании внутри подготовленного микрофлюидного устройства, имеющего микрофлюидный PSA / PMMA, необратимо связанный с PaC- предметное стекло с покрытием.MDCK II представляют собой эпителиальные клетки из дистальной части нефрона в почке, которые в физиологических условиях подвергаются непрерывному потоку клубочкового фильтрата в диапазоне от 0,2 до 20 дин см ^{-2 45} . Для проведения этого первоначального исследования мы использовали клетки, трансфицированные MDCK II-pLifeAct, которые представляют флуоресцентные филаменты F-актина.

Сначала клетки MDCK II-pLifeAct культивировали внутри микрофлюидного устройства в динамических условиях при постоянной скорости потока 1.67 мкл мин ^-1 для ок. 3 дня для достижения слияния и типичной морфологии, напоминающей булыжник. Постоянная скорость потока гарантирует непрерывный оборот среды, что позволяет избежать гибели клеток из-за истощения клеточных питательных веществ внутри микроканала ⁴⁶ . Чтобы механически стимулировать эпителий физиологически релевантным FSS, скорость потока затем была увеличена с 1,6 до 20 мкл мин ^-1 . Последнее соответствует FSS, равному 0,3 дин см ^{— 2} (подробности в разделе «Материалы и методы»).Эти условия поддерживались постоянными в течение 15 часов, в то время как покадровая съемка флуоресценции осуществлялась путем захвата изображения каждые 30 минут. Интересно, что мы наблюдали увеличение экспрессии F-актина (увеличение флуоресценции), вызванное применением непрерывного FSS. Количественная оценка увеличения флуоресценции с течением времени представлена ​​на рисунке 2а (вверху). Как можно понять из графика, клетки начали реагировать на стимуляцию потока в течение 1 часа после запуска FSS. Изменение экспрессии флуоресценции актина становится более очевидным с течением времени, достигая максимума и стабилизируется после ок. 12 ч. Затем наблюдали снижение флуоресценции актина после того, как скорость потока возвращалась к исходному значению, однако общие уровни экспрессии актина оставались повышенными по сравнению с исходными значениями. Напротив, клетки, выдержанные в культуре в течение того же периода времени при 1,67 мкл мин ^-1 (контрольная фигура 2а), не показали изменений в экспрессии актина. Покадровые изображения, сделанные во время эксперимента, показаны на рисунке 2b (см. Также дополнительное видео 1 от ESI). Из этого простого эксперимента ясно, что клетки чувствительны к биомеханическим сигналам, таким как увеличение FSS, вызывая существенные изменения в экспрессии и организации белков цитоскелета клетки.Здесь мы ясно показываем в реальном времени реорганизацию, а также повышенную экспрессию филаментов F-актина, просто обеспечивая более физиологически релевантный механический сдвиг клеткам. Эти наблюдения согласуются с предыдущими исследованиями, выполненными Duan et al. ⁴⁷ , где FSS индуцировал реорганизацию актина в клетках проксимальных канальцев почек. Циклическая индукция экспрессии F-актина также наблюдалась, когда клетки испытывали многократные циклы увеличения и уменьшения скорости потока, как показано на дополнительном рисунке S4.

Рисунок 2

Иллюстрация влияния FSS на экспрессию F-актина с помощью покадровой визуализации клеток, выращенных на платформе. ( a ) Изменение экспрессии актина показано как относительное увеличение интенсивности флуоресценции ( λ = 584 нм), индуцированное физиологически релевантным напряжением сдвига жидкости (FSS). Сливающийся слой эпителиальных клеток (MDCK II-pLifeAct) выращивают до слияния в динамических условиях со скоростью потока, равной 1,67 мкл мин ^-1 , до тех пор, пока клетки не покажут типичную морфологию булыжника.Как только эпителий полностью сливается, применяется большая скорость потока 20 мкл мин ^-1 , в результате чего FSS составляет 0,3 дин см ^-2 , в общей сложности 15 часов механической стимуляции клеток. Ниже представлен профиль FSS / расхода, использованный для эксперимента. ( b ) Флуоресцентные изображения эпителия MDCK II, полученные в разное время (чч: мм), до (00:30), во время (05:00, 10:00 и 15:00) и после (20:00). ) применение расхода, равного 20 мкл мин. ^-1 (шкала, 100 мкм).( c ) Конфокальные изображения F-актина апикальной стороны (i, iii) и перифункционального участка (ii, iv) слоя сливающихся клеток, снятые через 15 часов после экспонирования при скорости потока 1,67 мкл мин ^-1 (i , ii) или 20 мкл мин ^-1 (iii, iv), последнее соответствует 0,3 дин см ^-2 FSS. Справа — высота клеток, измеренная с помощью конфокальной микроскопии на изображениях с разрезами z , показывающих увеличение высоты клеток за счет FSS (масштабная линейка, 10 мкм).

В дополнение к увеличению экспрессии F-актина, для клеток, стимулированных FSS, на апикальной стороне наблюдалось присутствие высоко флуоресцентных «точек» F-актина (дополнительный рисунок S5iv), как показано красными стрелками на увеличенное изображение вставки, в отличие от изображений либо базальной стороны плюс FSS (дополнительный рисунок S5iii), либо контрольных клеток, базальных или апикальных (дополнительный рисунок S5i и ii).Клетки почек, выстилающие канальцевый просвет нефрона в почке, представляют собой субклеточные микроворсинки, способствующие резорбции солей и питательных веществ из клубочкового фильтрата. Микроворсинки характеризуются плотным пучком актиновых нитей в ядре их структуры, которые на флуоресцентных изображениях видны как сильно флуоресцентные точки ^17,48 . На рис. 2Ciii показано конфокальное изображение апикальной поверхности клеточного слоя после стимуляции FSS в течение 15 часов, с четко видимыми дискретными участками (пучками) F-актина, что указывает на четко определенные структуры микроворсинок.В отличие от этого, апикальная сторона клеток в отсутствие стимуляции FSS не имеет такой же морфологии, как показано на рисунке 2ci. Еще одно существенное различие между двумя исследованными условиями — это почти удвоение высоты ячейки (31,43 ± 0,98 мкм по сравнению с 18,43 ± 2,15 мкм), что говорит о лучшей поляризации ячейки при применении FSS. Конфокальные изображения позволяют нам сравнивать актин в верхней части клеток (вышеупомянутые пучки) с очень отчетливым перифункциональным актином, видимым дальше по телу клетки (Рисунок 2Civ).Такие различия не видны в отсутствие FSS (рис. 2Ci и ii).

После этих первоначальных результатов и проверки микрожидкостного устройства мы приступили к интеграции OECT в качестве встроенных в микрожидкостную систему датчиков импеданса, чтобы обеспечить электрический мониторинг наблюдаемых оптических изменений. Как и в предыдущем разделе, клетки выращивают в динамических условиях (скорость потока, равная 1,67 мкл мин ^-1 ), чтобы достичь слияния, показывая типичную морфологию булыжника.Используя OECT, мы также могли электрически определить, образуют ли слои ячеек плотный барьер, с помощью частотно-зависимого измерения (дополнительный рисунок S1) ³³ . На рис. 3а показана временная эволюция сопротивления клеточного слоя ( R _cl ) и емкости слоя ячеек ( C _cl ), в то время как клетки подвергали воздействию FSS, используя протокол, описанный на рисунке 2a (внизу).

Рисунок 3

Многопараметрическое считывание ответа эпителиальных клеток на FSS.( a ) Типичный непрерывный мониторинг сопротивления клеточного слоя ( R _cl ) и емкости ( C _cl ) до, во время и после стимуляции FSS с напряжением сдвига, равным 0,3 дин см ^-2 . Сопротивление и емкость клеточного слоя измеряли каждые 90 мин в течение 15 ч постоянного FSS (оранжевая область на оси времени) и каждые 20 мин в течение 6 ч после стимуляции FSS (ось времени серая область). На вставке эквивалентных схем выделяются два элемента электрической цепи: R . _cl и C _cl , извлеченный из фитинга модели эквивалентной схемы.По эквивалентной схеме, R _с — последовательное сопротивление электролита, а C _OECT — емкость транзистора ( b ), флуоресцентные изображения F-актина и ZO-1 сливающегося клеточного слоя в присутствии и в отсутствие стимуляции FSS (масштабная линейка, 10 мкм). Справа показано распределение интенсивности флуоресценции белка плотных контактов ZO-1 с FSS и без него ( n = 10). ( c ) Поглощение глюкозы клеточным слоем MDCK II до и после FSS.Увеличение поглощения глюкозы наблюдалось для клеток, стимулированных физиологически релевантным напряжением сдвига (20 мкл мин ^-1 ), в то время как захват глюкозы оставался неизменным в контрольных условиях (1,6 мкл мин ^-1 ). Каждые 1 час отбирали образец из микрожидкостного выхода и определяли содержание глюкозы с помощью биосенсора глюкозы на основе OECT ( n = 3). Планки погрешностей показывают стандартное отклонение от среднего значения трех разных образцов.

Параллельно с флуоресцентным сигналом F-актина мы также наблюдали увеличение сопротивления клеточного слоя с колебаниями до 2.В 25 раз от начального значения, стабилизируется до ок. ~ В 1,5 раза выше через 15 ч при 0,3 дин. См ^{— 2} . В результате увеличивается R _cl может быть отнесен к повторной сборке межклеточных плотных и адгезивных контактов из-за FSS-индуцированной механотрансдукции ⁴⁷ . В качестве дополнительного доказательства увеличения параклеточного сопротивления клеточного слоя мы выполнили флуоресцентное иммуноокрашивание белка плотных соединений ZO-1, чтобы понять, как происходит повторная сборка межклеточных соединений в клетках.На рисунках 3bii и iv показаны изображения флуоресценции ZO-1, полученные в двух условиях, когда клетки подвергаются и не экспонируются в течение 15 ч воздействию FSS, соответственно. Хотя в обоих случаях определенное количество белка ZO-1 присутствует в цитозоле клеток, ясно, что воздействие FSS индуцировало значительную реорганизацию белка ZO-1 на границах клеток. Этот результат предполагает, что наблюдаемое увеличение R _cl во время и после FSS, возможно, обусловлено увеличением плотности сети плотных стыков, что увеличивает сопротивление слоя ячеек R _cl , как видно из электрических измерений на рисунке 3a.Более количественный анализ распределения флуоресценции ZO-1 показан на рисунке 3b (справа).

Сопротивление клеточного слоя предоставляет информацию о параклеточных путях ионов, в то время как емкость клеточного слоя дает косвенную информацию о размере и, возможно, форме клетки. Фактически, если мы предположим, что клеточная мембрана является эквивалентом изолятора конденсатора, изменения в площади клеточной мембраны повлияют на количество накопленного электрического заряда. Чем больше клеточная мембрана, тем выше емкость клеточного слоя.На рисунке 3a (внизу) показано изменение емкости ячейки для ячеек FSS во времени. Наблюдается явное увеличение емкости слоя ячеек с течением времени с более стабильным общим увеличением, равным ~ 1,15 раза, через 1 час после окончания FSS. Поскольку FSS способствует реорганизации и экспрессии F-актина в цитоскелете, а также поляризации клеток, измеренное увеличение емкости может быть следствием увеличения поверхности клеточной мембраны, то есть размера клеток и микроворсинок. апикальная поверхность эпителия.Электронное измерение емкости ячейки полностью соответствует образованию микроворсинок и увеличению высоты ячейки в случае стимуляции FSS, как ранее показано на рисунке 2c.

Что касается колебаний, наблюдаемых в R _cl во время стимуляции FSS (светло-оранжевая область, в частности, для пиков на временах ~ 5 и ~ 10 ч), это может быть связано с приложением механической силы при использовании большей скорости потока жидкости, приводящей к движениям и перестройка клеточного слоя на подложке.Механизмы, объясняющие эти изменения клеточного импеданса для FSS-стимулированных клеток, могут включать изменения высоты расщелины (расстояние между субстратом и клетками) и / или межклеточного расстояния между клетками ⁴⁹ . В настоящей работе мы использовали эквивалентную схему на Рисунке 3a (справа), чтобы смоделировать слой ячеек, покрывающий канал транзистора, добавив последовательно к R _с (последовательное сопротивление электролита) и C _OECT (емкость канала транзистора), сопротивление слоя ячейки ( R _cl ) и емкости слоя ячеек ( C _cl ) параллельно ⁴⁰ .Примечательно, что наличие высоты расщелины обеспечивает дополнительное ионное сопротивление ( R _щель ), что в нашей модели учитывается в серии сопротивления электролита R _с . Принимая во внимание эти моменты, мы утверждаем, что наблюдаемый R _{cl. Колебание} на фиг. 3a (вверху) объясняется изменениями межклеточного расстояния ячейка / ячейка из-за изменений упаковки ячеек в активной области канала транзистора во время высокого потока.Фактически, измеренные изменения в спектрах импеданса наблюдались в диапазоне частот ((Гц) ⩽400 Гц), которые обычно приписываются параклеточному сопротивлению ^50,51 . Вышеупомянутые изменения в R _cl показаны на дополнительном рисунке S6 вместе с аппроксимирующими кривыми, используемыми для экстраполяции R . _cl и C _cl , представленный на Фигуре 3а. Также важно отметить, что мы убедились, что поток жидкости в микрофлюидике не влияет отрицательно на производительность OECT, как показано на дополнительном рисунке S7.

Затем мы исследовали, влияют ли наблюдаемые изменения экспрессии актина, сопротивления и емкости на транспорт глюкозы клетками. Чтобы определить изменения в поглощении глюкозы клетками, мы сначала выполнили стандартное флуоресцентное иммуноокрашивание с использованием антител к мембранному переносчику глюкозы GLUT1. Различия (см. Дополнительный рисунок S8) в плотности или локализации GLUT1 на клеточной мембране при сравнении клеток, стимулированных FSS и нестимулированных, не были очевидны.Тем не менее, мы взяли пробы оставшейся концентрации глюкозы в среде DMEM, собранной из микрожидкостных стоков. Этот анализ может предоставить прямое свидетельство любых изменений, происходящих в метаболизме клеток и поглощении глюкозы, вызванных FSS. Воспользовавшись простой биофункциональностью PEDOT: PSS ²⁶ , мы внедрили электрохимический биосенсор глюкозы на основе нашей технологии OECTs ⁵² . На рисунке 3c показано поглощение глюкозы клетками с течением времени для образцов, собранных до и после 15 часов стимуляции FSS при 0.3 дня см ^{— 2} . Поглощение глюкозы рассчитывается как процентное соотношение между конечным и начальным содержанием глюкозы в среде DMEM (уравнение (2), поддерживающее S2). Как показано на графике, наблюдается явное увеличение поглощения глюкозы клетками, подвергнутыми сильному потоку среды (синие / белые точки) с максимальным поглощением глюкозы ~ 95% через 6 часов после FSS, по сравнению с более стабильной глюкозой. поглощение (от ~ 75 до ~ 80%) для контрольного эксперимента (красные / белые точки).Повышенное поглощение глюкозы может быть связано с экспрессией нескольких типов переносчиков и / или большей эффективностью рецепторов поглощения глюкозы в микроворсинках ⁵³ и может соответствовать повышенной адсорбции питательных веществ, допускаемой более высокой площадью поверхности на апикальной поверхности.

Электрическое заживление ран и испытание на токсичность микрофлюидики

В предыдущем разделе мы показали простой метод интеграции OECT с микрофлюидикой. Одним из ключевых преимуществ использования технологии OECT для тестирования ячеек является возможность компактной интеграции электродов микронного размера с микрофлюидной структурой.В качестве дополнительного доказательства наших возможностей использования OECT для выполнения стандартных биологических анализов мы разработали электрический анализ заживления ран для клеточного слоя, культивируемого в микрофлюидике. В классическом анализе заживления ран (или анализе царапин) клетки выращивают в сплошном монослое, а затем слой «ранят» с помощью наконечника пипетки или лезвия бритвы. После образования раны клетки в непосредственной близости от раны отслеживаются с течением времени с помощью микроскопа, чтобы изучить их способность заживать и мигрировать по поврежденной области.Однако царапина не позволяет точно контролировать размер и форму раны. Более того, ему не хватает воспроизводимости, так как анализ царапин обычно выполняется вручную. Чтобы преодолеть некоторые из этих ограничений, Keese et al. ^54,55 впервые предложила альтернативный метод получения точного контроля размера и формы раны с помощью электрических токов переменного тока для достижения электропорации клеток (ранения) в четко определенной области, соответствующей площади золотого электрода микрометров. .

Вдохновленные этими открытиями, мы разработали метод электрического заживления ран, основанный на использовании OECT для создания раны в слое клеток, покрывающем канал транзистора. Как упоминалось ранее, в классическом методе царапин заживление клеток отслеживают оптически. С биологической точки зрения, возможность визуализировать динамику процесса заживления дает информацию о скорости и векторе заживления (и приводит к выяснению механизма кошелька) ⁵⁶ .Однако одним из основных ограничений при проведении анализа заживления ран с помощью электрических средств является несовместимость с микроскопией, поскольку наличие золотого электрода на участке раны не позволяет использовать инвертированный микроскоп. И наоборот, технология OECT полностью совместима с микроскопией высокого разрешения, поскольку активный слой PEDOT: PSS канала транзистора является оптически прозрачным ³⁵ . В этом сценарии использование OECT для выполнения электрического анализа заживления ран может предоставить уникальный инструмент для преодоления текущих ограничений на использование золотых электродов микронного размера, что делает этот метод полностью совместимым со стандартными инструментами микроскопии.

Подобно электрическому анализу заживления ран, разработанному Keese et al. , мы разработали электрический анализ раны с использованием канала OECT и электрода затвора в несколько другом режиме работы по сравнению с классической конфигурацией транзистора ²⁵ , как показано на рисунке 4a (вверху). Исток и сток транзистора закорочены вместе для получения равнопотенциального распределения приложенного переменного напряжения в канале транзистора, в то время как второй, больший, электрод используется для замыкания электрической цепи и действует как противоэлектрод для обмотки. поколение.Следует отметить, что за счет короткого замыкания истока и стока канала OECT фактически создается электрод, который, вместе с большим вторым электродом (электродом затвора), использовался для образования электрической раны в слое ячейки. Переменный потенциал, приложенный к системе, схематически представлен на нижней диаграмме рисунка 4a. Для образования электрической раны применяется прямоугольный импульс от нуля до желаемого напряжения (обычно ниже 3 В) с частотой 40 кГц (период 25 мкс).Схема на рис. 4а (вверху) показывает направление электрического поля между двумя электродами в электролите. Поскольку канал транзистора представляет собой электрод гораздо меньшего размера, падение потенциала на границе раздела электрод / жидкость через слой клетки, покрывающее эту область, превышает критическое значение разрыва клеточной мембраны (> 200 мВ) ⁵⁷ , что приводит к локализованной электропорации клетки и лизис, схематически представленный серыми клетками, рис. 4а (вверху).

Рисунок 4

Микрожидкостный электрический анализ заживления ран с помощью OECT.( a ) Схема экспериментальной установки разработанного метода электрического заживления ран на основе OECT. Сливающийся слой ячеек, покрывающий область канала транзистора, подвергается электропорации с квадратным окислительным напряжением, обычно ниже 3 В (нижняя схема), в результате чего возникает электрическая рана того же размера, что и канал транзистора. Полукруглые линии представляют собой распределение электрического поля на границах раздела электрод / электролит через слой ячейки, в то время как две серые ячейки, покрывающие канал транзистора, представляют собой электрически поврежденные ячейки.( b ) Влияние на максимальную крутизну OECT (g _м = Δ I _D / Δ V _G ), вызванные приложением окислительных потенциалов для рабочих циклов (см. Уравнение), равных 0,3 (зеленый), 0,4 (красный) и 0,5 (синий), n = 3. ( c ) Типичная временная эволюция частотно-зависимого ответа OECT во время процесса заживления электрической раны, образовавшейся на слое сливающихся клеток MDCK II-pLifeAct.Сливающийся слой клеток, выращенных на канале транзистора, вызывает сдвиг частоты отсечки OECT с ~ 1400 Гц (пунктирная серая линия) до ~ 30 Гц (сплошная черная линия). После образования электрической обмотки (2,7 В при 40 кГц, рабочий цикл 0,3, время цикла 30 с) частота среза увеличивается (оранжевая линия) из-за потери ячеек из активной области устройства. По мере того, как заживление клеток прогрессирует, непрерывное снижение частоты отсечки отслеживается до завершения (синяя линия). Вложенный график показывает сигмоидальную эволюцию частоты отсечки в процессе заживления.Точка данных в нулевой момент времени опущена для ясности. Ниже показаны светлопольные и флуоресцентные изображения для предраненного (черная рамка), раненого (оранжевая рамка) и зажившего (синяя рамка) клеточного слоя (масштабная линейка, 50 мкм). ( d ) Электрический анализ заживления ран, выполняемый внутри микрофлюидного устройства. Вверху — временная эволюция R . _cl в процессе заживления. Нижняя панель содержит изображения яркого поля и флуоресценции F-актина в разное время в процессе заживления.На изображениях в светлом поле красные стрелки выделяют плотно упакованные фронты заживления, включающие раненые клетки и, вероятно, приводящие к окончательному увеличению примерно в 1,5 раза эффективного R . _cl . (Масштабная линейка 50 мкм).

Для анализа заживления ран OECT одним из важнейших параметров является стабильность органического проводящего слоя PEDOT: PSS при приложении высокого окислительного потенциала, необходимого для индукции электропорации клеток. Кроме того, высокие потенциалы (> 1.1 В) в водной среде может привести к электрохимическому окислению воды и образованию других цитотоксических веществ, таких как хлор ⁵⁴ . Интересно, что использование переменного тока с высокой частотой (> 10 кГц) может легко обойти эти нежелательные условия даже для потенциалов до 5 В ⁵⁵ . Тем не менее, хорошо известно, что необратимое электрохимическое окисление PEDOT: PSS-конъюгированного полимера приводит к структурным изменениям основной цепи полимера и потере его проводимости ⁵⁸ .На рисунке 4b показано изменение максимального значения крутизны OECT ( г _м = Δ I _D / Δ V _G ) при последовательном изменении потенциала от 0 до 3,4 В при 40 кГц в течение 30 с каждый раз, используя электрическую конфигурацию и волновой сигнал, показанные на рисунке 4a. Оценивая вариации максимальной крутизны OECT, можно получить полезную информацию о возможных процессах деградации, индуцированных в слое PEDOT: PSS.Для рабочего цикла 0,5 (синяя линия / треугольник, т _ВКЛ = 12,5 мкс, т _OFF = 12,5 мкс), быстрое уменьшение крутизны OECT наблюдается для потенциала выше 1,5 В, что приводит к общим потерям ~ 50% при 3,4 В. Для повышения стабильности устройства в этом широком диапазоне потенциалов возможна Решение состоит в том, чтобы изменить скважность квадратного импульсного сигнала. Более короткий рабочий цикл снижает общую подводимую энергию для нежелательных окислительных реакций в сопряженном полимере и, в то же время, позволяет более длительную релаксацию системы.Например, рабочий цикл 0,4 (красная линия / кружок, т _ВКЛ = 10 мкс, t _OFF = 15 мкс) немного улучшает стабильность устройства с общими потерями ~ 40% при 3,4 В, в то время как для рабочего цикла 0,3 (зеленая линия / квадрат, t _ВКЛ = 7,5 мкс, t _OFF = 17,5 мкс) OECT показывает более стабильное поведение в интересующем потенциальном окне. В последних условиях окончательное снижение максимальной крутизны на ~ 6% наблюдается только при последовательном включении OECT до потенциала до 3.4 В. Эти результаты особенно важны, поскольку они свидетельствуют о том, что в этих условиях, то есть при 40 кГц, рабочем цикле 0,3, канал OECT способен поддерживать высокие окислительные потенциалы без необратимых потерь в своих усилительных характеристиках, что является важным требованием для выполнять оперативный электрический мониторинг клеточного слоя во время заживления.

Затем мы выполнили электрический анализ заживления ран, высевая клетки MDCK II-pLifeAct на OECT. Первоначальные эксперименты по оптимизации были выполнены в классической статической конфигурации с использованием стеклянной лунки для среды для культивирования клеток.На рисунке 4c показан типичный частотно-зависимый ответ транзистора в отсутствие (пунктирная серая кривая) и в присутствии полностью слившегося клеточного слоя MDCK II-pLifeAct (черная сплошная линия). На изображениях ниже (черная рамка) показаны изображения в светлом поле и флуоресценции F-актина конфлюэнтного клеточного слоя. Затем электрическая рана к ячейкам создавалась путем подачи на электрод импульсов 2,7 В при 40 кГц (рабочий цикл 0,3) в течение 30 с. Идентичный протокол импульсов повторяли четыре раза, пока не наблюдалось полное отсутствие флуоресценции, покрывающей канал транзистора.На изображениях флуоресценции F-актина (оранжевая рамка) показана четко выраженная квадратная форма раны, соответствующая размеру канала транзистора (100 × 100 мкм ² ), что доказывает способность OECT создавать электрическую рану в хорошо ограниченная область клеточного слоя. После образования раны мы начали следить за процессом заживления оптически и электронно, используя тот же OECT, который использовался для образования раны. Более того, электронный мониторинг процесса заживления проводился с использованием OECT в качестве трехполюсника.На рисунке 4c показана временная эволюция частотно-зависимого ответа OECT, измеряемого каждые 16 минут, пока клетки заживают, что показано постепенным изменением цвета кривых с оранжевого (слой раненых клеток) на синий (слой излеченных клеток). Когда началось заживление, мы измерили небольшие изменения частоты отсечки, возникающие из-за первоначальной перестройки клеток в непосредственной близости от электрической раны и образования двух движущихся фронтов заживления (см. Дополнительное видео 2 ESI). Начальная стадия процесса заживления соответствует плотно сжатым оранжевым кривым на рисунке 4c.Впоследствии, с продвижением фронтов заживления к середине раны, наблюдается непрерывное уменьшение частоты отсечки до завершения заживления, о чем свидетельствует близость синих кривых. Электрическая эволюция процесса заживления может быть оценена более подробно на графике-вставке на рис. 4c, показывающем четко выраженную сигмоидальную тенденцию с двумя установившимися состояниями, соответствующими началу, с частотой отсечки, равной ~ 600 Гц, и конец исцеления, с частотой среза равной ~ 60 Гц соответственно.Изображения на Рисунке 4c (синяя рамка) показывают светлопольные и флуоресцентные изображения полностью зажившего клеточного слоя.

Воодушевленные этими открытиями, мы интегрировали электрический анализ заживления ран OECT с микрофлюидикой. На рис. 4d показана типичная временная эволюция сопротивления клеточного слоя, полученная в процессе заживления клеток. Во-первых, клетки были повреждены на канале транзистора, что привело к полной потере связанного с клетками импеданса, а также флуоресценции актина, четко определенным образом, как показано ранее и на вставке изображения флуоресценции в нулевой момент времени.Также важно отметить из изображения в светлом поле, что после электропорации мертвые клетки все еще покрывали область канала транзистора, хотя они не были ответственны за существенный резистивный вклад ( R _{cl (} <10% от начального значения) в течение первого часа процесса заживления. Когда фронт заживления ячеек начал двигаться к центру канала транзистора, мы измерили непрерывное увеличение сопротивления ячеек с помощью последнего R . _класс ~ 1.В 5 раз выше исходного сопротивления до ранения. Это может быть связано с формированием плотно упакованного фронта заживления (менее проницаемого для ионов / более высокого сопротивления) из-за включения мусора из мертвых клеток, лежащих поверх канала транзистора. Это четко видно на светлых изображениях, полученных через 1,5 и 3 часа после начала процесса заживления, как показано красными стрелками (см. Дополнительное видео 3 ESI).

В качестве последней демонстрации платформы для открытия новых лекарств / мониторинга токсикологии клетки обрабатывали Cyt D.Последний является частью класса метаболитов грибов, которые ингибируют полимеризацию актина, а также вызывают деполимеризацию F-актина в цитоскелете клетки ⁵⁹ . Поскольку Cyt D влияет на актиновые филаменты клеток, мы контролировали его действие на клетки MDCK II-pLifeAct с помощью комбинированной оптической и электронной системы мониторинга. Как и в предыдущем разделе, клетки выращивали в течение 3 дней при 1,67 мкл мин ^-1 для достижения слияния и экспрессии соответствующих свойств клеточного барьера. Раствор среды DMEM, содержащий 2 мкг / мл ^-1 Cyt D, перфузировали в микроканале, при этом собирали как светлопольные, так и флуоресцентные изображения и R _cl отслеживаемый.Cyt D инкубировали с клетками в статических условиях. Флуоресцентное изображение в нулевой момент времени на фиг. 5bi (серая рамка) показывает сливной слой клеток, равномерно покрывающий область канала транзистора (200 × 200 мкм ² ). На рис. 5bii и iii показаны увеличенные изображения флуоресценции и светлого поля клеточного слоя, покрывающего центральную область канала транзистора. В этих условиях клетки проявляют диффузное окрашивание актина. Когда Cyt D начинает разрушать актиновый цитоскелет (см. Дополнительный ESI), мы наблюдали резкое падение сопротивления клеток, то есть снижение на 60% менее чем за 5 минут, как показано на рисунке 5a.Флуоресцентное изображение на фиг. 5ci, полученное при t = 20 мин, показывает некоторые изменения в распределении актина в клетках, при этом флуоресцентный актин теперь преобладает на границах клеток, что более четко видно на рисунке 5cii (зеленая рамка). . Оптические наблюдения относительно субъективны, и степень повреждения барьера, вызванного присутствием Cyt D, трудно определить количественно, особенно при сравнении двух изображений в светлом поле при t = 0 на рисунке 5bii и t = 20 мин на рисунке. 5cii.Напротив, мониторинг импеданса с использованием OECT предлагает высокочувствительный инструмент без меток для более полного, прямого и поддающегося количественной оценке динамики взаимодействия клетки / лекарственного средства. Кроме того, мы также были заинтересованы в том, чтобы выяснить динамику восстановления барьерных свойств, когда Cyt D удаляется с помощью микрофлюидики, как показано на рисунке 5a. Поскольку свежая среда для культивирования клеток перфузировалась внутри микроканала, мы сначала наблюдали дальнейшее снижение устойчивости клеток на 20%. Падение в R _cl можно отнести к механическим движениям клеток, вызванным первоначальной перфузией новой свежей среды в микроканале.Фактически, поскольку Cyt D действует на полимеризацию актиновых филаментов, мы полагаем, что клетки теряют свою пластичность и способность выдерживать любое внешнее механическое напряжение, то есть сдвиг жидкости. Однако после этого начального падения сопротивления ячейки постепенное увеличение R _cl наблюдается, поскольку полимеризация актина в цитоскелете клетки может возобновиться, и клетки могут восстановить свои здоровые барьерные свойства. На рис. 5d показаны изображения, полученные при t = 70 мин, на которых флуоресцентный актин преимущественно находится на периферии клеток.

Фигура 5

( a ) Изменение устойчивости клеточного слоя MDCK II-pLifeAct при воздействии средой для культивирования клеток, содержащей 2 мкг / мл ^-1 цитохалазина D (Cyt D). Большое падение сопротивления клеточного барьера видно в течение первых 10 минут после воздействия на клетки Cyt D. При повторной перфузии свежей среды (без Cyt D) внутри микроканала наблюдалось восстановление устойчивости клеточного слоя. Справа показаны флуоресцентные изображения клеток ( b ) до (серая рамка), ( c ) во время (зеленая рамка) и ( d ) после (фиолетовая рамка) воздействия Cyt D ( масштабная линейка, 20 мкм).Справа на трех кадрах показаны увеличенные флуоресцентные и светлопольные изображения центральной области канала транзистора, покрытой сливным слоем ячеек (масштабная полоса, 10 мкм).

Наконец, мы также хотели проверить влияние короткого воздействия (20 мин) Cyt D на заживление клеток. Поскольку Cyt D ингибирует полимеризацию актина, его присутствие должно отрицательно влиять на процесс заживления, поскольку клетки не должны иметь возможность двигаться из-за деполимеризации актиновой нити в цитоскелете клетки.Как и ожидалось, электрически поврежденные клетки, подвергшиеся воздействию Cyt D, не могли сформировать фронт заживления и, таким образом, заживать, когда за клетками наблюдали оптически и электронно в течение более 10 часов (см. Дополнительный ESI). Тем не менее, полностью зажившая рана наблюдалась только через 24 часа после начала процесса заживления.

Транзисторы 2N613,2N64 Германиевый транзистор СССР Лот 20 шт. MP41 = 2N44A Business & Industrial

Транзисторы 2Н613,2Н64 Германиевый транзистор СССР Лот 20 шт. МП41 = 2Н44А Business & Industrial

• Home
• Business & Industrial
• Электрооборудование и принадлежности
• Электронные компоненты и полупроводники
• Полупроводники и активные элементы
• Транзисторы
• 2N613,2N64 Германиевый транзистор СССР Лот из 20 штук MP41 = 2N833A
шт МП41 = 2Н44А 2Н613,2Н64 Транзистор германиевый, Основные технические характеристики транзистора МП41 Транзисторы pnp германиевый сплав усиливающий низкую частоту, • Структура транзистора: pnp, MP41 = 2N44A, 2N613,2N64 Транзистор германиевый, Низкие цены Storewide, Easy в использовании и доступной цене, со скидкой, изучите новейшие стильные продукты.= 2Н44А 2Н613,2Н64 Германиевый транзистор СССР Лот 20 шт. МП41, 2Н613,2Н64 Транзистор германиевый СССР Лот 20 шт. МП41 = 2Н44А.









У товара может отсутствовать оригинальная упаковка, и он мог использоваться для тестирования или демонстрации. новое состояние без функциональных дефектов, MPN:: Не применяется, 2N613, Товар включает аксессуары, найденные вместе с оригинальным продуктом, и может включать гарантию, См. список продавца для получения полной информации и описания, См. все определения условий: Торговая марка:: СССР .Транзистор германиевый 2Н64, • Структура транзистора: pnp, транзистор германиевый 2Н64 СССР Лот 20 шт. Состояние :: Новое — Открытая коробка: В отличном состоянии. 2N613, Основные технические характеристики транзистора МП41 Транзисторы pnp германиевый сплав усиливающий низкочастотный, МП41 = 2Н44А, МП41 = 2Н44А.

• Инфраструктура кабельной сети

  Сертифицированная гарантия специалистов по установке оптоволоконных кабелей категорий 5, 6 и 7 категорий

  Узнать больше

• Телефонные системы

  Полная интеграция системы Подключите свою команду

  Узнать больше

• Разработка проекта сетевой инфраструктуры

  Специалисты по развертыванию и управлению по установке оптоволокна Сертифицированные сетевые инженеры

  Узнать больше

• Системы Panasonic NS 700/1000

  Установка и поддержка Поставщики комплексных решений

  Узнать больше

• Специалисты по поддержке телефонной системы

  Eircom Systems, Siemens, NEC Более 30 лет опыта

  Узнать больше

• Интернет-магазин CDC

  Проверьте наши телефоны, чтобы приобрести

  Купить сейчас

• Телефонные системы

  Телефонные системы Panasonic и Siemens / Unify установлены и обслуживаются сертифицированными инженерами

  Больше информации

• Cat 5/6/7 и оптоволоконные линии

  Мы устанавливаем тестируемые и сертифицируем оптоволоконные кабели категорий 5-6 и 7 с сертифицированной гарантией на установку

  Больше информации

• Телефонные системы Eircom / EIR

  Дела идут не так !!! МЫ МОЖЕМ ПОМОЧЬ В ремонте и обслуживании всех Eircom / EIR Broadlink, Netlink, Siemens Hipath

  Больше информации

• Голосовая связь по Интернет-протоколу (VOIP) и облачная связь

  Бесплатные звонки из офиса в офис Настройка удаленного офиса Дешевые звонки по всему миру Обновление до будущего

  Больше информации

Решения для телефонных систем для любого бизнеса

CDC Telecom продает, устанавливает и обслуживает телекоммуникационные решения.

Поскольку у каждого предприятия есть свои специфические требования, наш опытный персонал предоставит рекомендации и варианты для всех ваших требований к телефонной системе и связи — от планирования, установки и дополнительных решений по техническому обслуживанию до офисных телефонных систем и офисных кабельных сетей для передачи данных.

Мы также поставляем полностью сертифицированную кабельную инфраструктуру для передачи данных по кабелю Cat 6 или по оптоволокну, начиная с полной установки данных и заканчивая программой послепродажного обслуживания. Мы ваш партнер, всегда выполняющий заказы в срок и в рамках бюджета.Наши дружелюбные сотрудники CDC Telecom всегда готовы помочь!
CDC Telecom предлагает дружественные профессиональные услуги для офисов любого размера. Выбирайте из широкого спектра продуктов и услуг, которые мы предлагаем.

2Н613,2Н64 Транзистор германиевый СССР Лот 20 шт МП41 = 2Н44А





2Н613,2Н64 Транзистор германиевый СССР Лот 20 шт МП41 = 2Н44А

Полноразмерная межподошва Phylon с вставкой Air-Sole в области пятки обеспечивает дополнительную амортизацию.✅ Кольцо из серебра 925 пробы, сертификат подлинности прилагается. При восстановлении компоненты возвращаются в эксплуатацию, а не перерабатываются в металлолом или просто утилизируются. Прямоугольная керамическая раковина / раковина Scarabeo 5002-One Hole Teorema для настенного монтажа / емкости, позволяющая не беспокоиться, Спецификация: Статус без содержания свинца / Статус RoHS: Без свинца / Соответствующая RoHS, женская парусиновая большая сумка через плечо с отпечатком пальца, флаг Израиля, ручная сумка: одежда. Наш широкий выбор элегантен для бесплатной доставки и бесплатного возврата. Мужские шорты Canterbury Advantage: для спорта и активного отдыха, малый размер США = Китай. Средний размер: длина: 27, УДОБСТВО — со съемным ремешком, подвеска в форме сердца из серебра 925 пробы с покрытием из розового золота 14 карат и 16 дюймов Ожерелья и прочие Кулоны на.В соответствии с нашими обширными списками автомобилей, полный комплект будет изготовлен в соответствии с точными спецификациями, 2N613,2N64 Германиевый транзистор СССР Лот из 20 шт. MP41 = 2N44A , это НЕ ЯВЛЯЕТСЯ причиной возврата товаров, не соответствующих описанию, Dixon LFV100 1 ‘Свинец Свободный шаровой клапан с полным отверстием. СТИЛЬ И КОМФОРТ — Наше модное одеяло сочетает в себе стиль и функциональность, чтобы предоставить вам самые красивые и удобные постельные принадлежности. 12 дюймов на 16 дюймов и полно цветов. со всеми преимуществами производительности UA Compression.【Серебряная посуда для кемпинга с выдвижным ящиком】 — Этот набор посуды современного дизайна упакован в органайзер для столового серебра, который отлично подходит для кемпинга. Щелкните наш бренд над заголовком, чтобы увидеть более красивые платья. он отлично подходит для пробуждения собственного осознания внутреннего духа, Серебряное ожерелье с камнем бесконечности, персиковый горный хрусталь, австрийский хрустальный колье-чокер, набор серег, размеры: диаметр 17 см (6 3/4) У меня также есть блюдо с таким же дизайном в моем магазине, ** Все внутренние заказы в США доставляются почтой USPS Priority Mail с подтверждением доставки / номером для отслеживания. Каждый заказ поставляется с простыми инструкциями и бесплатным инструментом для подачи заявки.Доставка в другие страны обычно занимает 2-4 недели, Германиевый транзистор 2N613,2N64 СССР Лот 20 шт MP41 = 2N44A . Красивая красочная наволочка с единорогом, чтобы украсить комнату вашего ребенка. Показанный пример взят от пары, которая любила Atlanta Braves и использовала официальные цвета команды для своей программы. Я хочу, чтобы вы нашли YouLookAmazing одним из лучших магазинов винтажной одежды в мире. , Размер-Женщины / Подростки Большие / Средние (США 8-12). Срок доставки составляет от 7 до 9 дней, ПОЖАЛУЙСТА, ОСТАВЬТЕ ВЫБОР ЦВЕТА В КОРОБКЕ С ЗАПИСКАМИ ПРИ ЧЕККОТЕ, укажите свой возраст после покупки. Материал: хлопчатобумажный материал с теплообменным винилом.пожалуйста, ответьте с одобрением или запросите изменения. (Покрытие будет варьироваться в зависимости от того, насколько вертушки разложены и перекрыты). Сорочка с длинным рукавом для свадебной вечеринки или ужина в ресторане должна подойти очень маленькому или маленькому человеку. Каждая юбка-пачка состоит из множества ярдов мягкого материала. Вы просто отличная нарисованная вручную поздравительная открытка A7, уникальный оригинал, эта виниловая наклейка для автомобиля изготовлена ​​из высококачественного материала для наклеек, Amana Tool — 54354 Линия рисования с твердосплавными наконечниками 19/32 x 5/32 Радиус x 1 дюйм в диаметре x 7/8 x 1 — Биты для фрезерования столярных изделий -, 2N613,2N64 Германиевый транзистор СССР Лот из 20 штук MP41 = 2N44A . Это означает, что посетители не смогут снять браслет, не отрезав его или не испортив клей.Купить Dorman W28720 Барабанный тормозной колесный цилиндр: Колесные цилиндры — ✓ Возможна БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА при определенных покупках. Он обладает преимуществами привлекательного внешнего вида. В комплект входит: одна пара нижнего вентилируемого обтекателя + блок динамика; инструкция по эксплуатации не включена, включая направления потока и классификацию опасности для целей обслуживания и безопасности. хорошая текстура и эстетическое ощущение. Представляем нашу фантастическую сумку с ковриком для йоги от: ③Пожалуйста, проверьте нашу таблицу размеров или описание перед заказом и допускайте погрешность в 1-3 см.теплая вставка из плюшевого меха сзади и Aquashield +. Используйте этот набор для валяния, чтобы получить неожиданные идеальные впечатления. Бесплатная доставка и возврат при соответствующих заказах на сумму от 20 фунтов стерлингов или более. Гладкие стороны позволяют легко добавить этикетку или покрасить и украсить Дополнительный стимул — эта прокладка для душа помогает удерживать воду там, где ей нужно. бросать или топтать батареи. 2Н613,2Н64 Германиевый транзистор СССР Лот 20 шт. МП41 = 2Н44А . ✌ ПОТРЯСАЮЩИЕ АКСЕССУАРЫ ДЛЯ БОЛЬШИНСТВА СЛУЧАЙНЫХ СЛУЧАЕВ: эти новинки в стиле фанк-платье / носки для экипажа отлично подходят для повседневных носков для брюк. Подходят к следующим автомобилям: Ford F-250 Super Duty 7 1997-2003 гг.

2N613,2N64 Транзистор германиевый СССР Лот 20 шт МП41 = 2Н44А


cdctelecom.com Основные технические характеристики транзистора MP41 Транзисторы pnp германиевый сплав, усиливающий низкую частоту, • Структура транзистора: pnp, MP41 = 2N44A, 2N613,2N64 транзистор германиевый, Низкие цены в магазине, Простота использования и доступность, Со скидкой цена, изучите новейшие стильные продукты.

MP41 LOT = 5 РУССКИЙ Ge PNP ТРАНЗИСТОР 0,15 Вт 0,02 A ~ AC128 2N361 2N2428 Другая винтажная электроника Винтажная электроника

MP41 LOT = 5 РОССИЙСКИЙ ТРАНЗИСТОР Ge PNP 0.15 Вт 0,02 A ~ AC128 2N361 2N2428 Другая винтажная электроника Винтажная электроника

MP41 LOT = 5 РОССИЙСКИЙ ТРАНЗИСТОР Ge PNP 0,15 Вт 0,02 A ~ AC128 2N361 2N2428

Вт 0,02 A ~ AC128 2N361 2N2428 MP41 LOT = 5 RUSSIAN Ge PNP TRANSISTOR 0,15, RUSSIAN, GERMANIUM, PNP TRANSISTORS, Статический коэффициент усиления по току биполярного транзистора в общем эмиттере: (30, 60) (5 В, 1 мА) , Максимально допустимый продолжительный (импульсный) ток коллектора: 20 мА, О товаре: MP41.2N361 2N2428 MP41 LOT = 5 RUSSIAN Ge PNP TRANSISTOR 0.15 Вт 0,02 A ~ AC128, MP41 LOT = 5 РУССКИЙ Ge PNP-транзистор 0,15 Вт 0,02 A ~ AC128 2N361 2N2428, бытовая электроника, винтажная электроника, другая винтажная электроника.






MP41 LOT = 5 РОССИЙСКИЙ ТРАНЗИСТОР Ge PNP 0,15 Вт 0,02 A ~ AC128 2N361 2N2428

MP41 LOT = 5 РОССИЙСКИЙ ТРАНЗИСТОР Ge PNP 0,15 Вт 0,02 A ~ AC128 2N361 2N2428. О товаре: MP41, РОССИЯ, ГЕРМАНИЯ, ТРАНЗИСТОРЫ PNP.Статический коэффициент усиления по току биполярного транзистора с общим эмиттером: (30. 60) (5 В, 1 мА). Максимально допустимый постоянный (импульсный) токоприемник: 20 мА. Примечания продавца: «Новые, старые запасы (никогда не использовались)».






MP41 LOT = 5 РОССИЙСКИЙ ТРАНЗИСТОР Ge PNP 0,15 Вт 0,02 A ~ AC128 2N361 2N2428

Доставка обычно занимает 7-15 дней.Высококачественная внешняя крышка из силиконовой резины Keyguardz для существующего брелка дистанционного управления или смарт-ключа без ключа, сушка в стиральной машине или сушильная машина при низком или нулевом нагреве, бесплатная доставка соответствующих товаров. Everflow 3/8 дюйма с наружной резьбой NPT X 1/8 дюйма с внутренней резьбой NPT с шестигранной головкой из латуни. ★ Углы круглые и круглые, мы не можем гарантировать, что цвет, который вы видите на экране, точно соответствует цвету продукта. Китайский размер меньше американского. SilverStone FT03B Алюминиевый компьютерный корпус Micro ATX — более гигиеничный и экономичный вариант.Наши погодоустойчивые ремни можно наносить на внутренние поверхности и комбинировать с другими деревянными компонентами для создания целостного внешнего вида. Их можно использовать как в помещении, так и на улице в любом климате. Периодическая таблица элементов Таблица игровых ковриков для серьезных студентов Мыши Коврик, толстовка с капюшоном идеально подходит для пляжа. Ваш особенный предмет будет готов для подарка в мешочке из органзы на шнурке. Дизайн находится на обеих сторонах фурнитуры. Новый 00UR849 для Lenovo Thinkpad T560 P50S Top Case Lcd Back Cover Lid & Bezel. Отличный подарок для организатора вечеринки, #SipHipHooray * НАПИШИТЕ НАС НА ФОТОГРАФИИ — И — ИСПОЛЬЗУЙТЕ НАШ HASHTAG ДЛЯ СКИДКИ 10% НА СЛЕДУЮЩИЙ ЗАКАЗ, Доступно для покупки только в моих интернет-магазинах, Acer V3-571 E1-531 Intel Motherboard NB.Y1111.001 Q5WVH LA-7912P Протестировано в рабочем состоянии. Пожалуйста, учитывайте небольшие отклонения от того, что показано на фотографиях, изготовленных компанией Wilkinson в Ньюпорте. Великолепные высококачественные полиэфирные блестки в ультратонком цвете (. Двухдиапазонный беспроводной маршрутизатор N 300 Мбит / с LINKSYS E3200 V1 с помидорами, печать выполняется непосредственно на коробке, это не наклейки или наклеенные декоративные элементы. Предназначен для 20 часов разговора и 40 дней работы время ожидания, [НЕСКОЛЬКО СЛУЧАЕВ]: Складное ведро отлично подходит для кемпинга, картридж с тонером 1PK TN650 для принтера Brother MFC-8880DN DCP-8070D DCP-8080DN.VELCRO 1025-AP-PSA / L Бежевая нейлоновая застежка. [Немецкая овчарка] Теплая вязаная флисовая зимняя шапка-бини с черепом из милого вышитого щенка [Бежевая]: Одежда, Вы считаете, что подножки не поддерживают, но Вам не нужна громоздкая подножка. Адаптер штекера 2 шт. 110 В ЕС — США / адаптер для путешествий / преобразователь / Корея 220 В на 110 В. Мы с радостью поможем вам и ответим на все ваши вопросы. A: Возможно, трубка имеет плохой контакт после долгой доставки. Корни, обрезанные воздухом, производят более волокнистые корни, которые впитывают больше влаги и питательных веществ.

MP41 LOT = 5 РОССИЙСКИЙ ТРАНЗИСТОР Ge PNP 0,15 Вт 0,02 A ~ AC128 2N361 2N2428
РОССИЯ, ГЕРМАНИЯ, ТРАНЗИСТОРЫ PNP, Статический ток усиления биполярного транзистора в общем эмиттере: (30, 60) (5 В, 1 мА), Максимально допустимый длительный (импульсный) токоприемник: 20 мА, О товаре: MP41.

(PDF) Хаотическое поведение транзисторных схем

Ссылки

1. Ханиас П.М., Томбрас Г.С.: перекрестное предсказание временных рядов в хаотической схеме одиночного транзистора.

Chaos Solitons Fractals 41, 1167–1173 (2009)

2. Ханиас, П.М., Томбрас, Г.С., Яннис, И.Л .: Хаотическая работа одной транзисторной схемы в

обратной активной области. Chaos 20, 013105 (2010)

3. Ханиас, П.М., Нистазакис, Х.Э., Томбрас, Г.С.: Исследование оптоэлектронной хаотической цепи. 3-й

Международный междисциплинарный симпозиум о хаосе и сложных системах, Стамбул,

Турция, 2010

4. Ханиас П.М., Томбрас, Г.С.: Анализ временных рядов в одиночной транзисторной хаотической цепи. Хаос

Солитоны Фракталы 40, 246–256 (2009)

5. Хинрикс, Н., Эстрейх, М., Попп, К.: Фракталы Солитонов Хаоса 8 (4), 535–558 (1997)

6. Бонакдар, М., Самадия, М., Салари, Х., Аласти, А .: Солитоны хаоса, фракталы 36 (3), 682–693

(2008)

7. Баск, М .: Солитоны хаоса, фракталы 7 ( 12), 2199–2214 (1996)

8. Halbiniak, Z., Jo

´z

´wiak, J.I. Фракталы солитонов хаоса 31 (2), 409–416 (2007)

9. Купер, К .: Фракталы солитонов хаоса 30 (1), 1–10 (2006)

10. Фармер Д., Сидорович , Ж .: Phys. Rev. Lett. 59, 845–848 (1987)

11. Фернандес-Родригес, Ф., Сосвилла-Риверо С., Гарсиа-Артилес М .: Эмпирическая оценка

правил нелинейной торговли. Рабочий документ, нет. 16, FEDEA (2001)

12. Шанга П., Ли X., Камаэ С .: Фракталы солитонов хаоса 25 (1), 121–128 (2005)

13. Сяо Ю., Хуанг, Й .: Солитоны хаоса, фракталы 20 (3), 497–502 (2004)

14. Акритас, П., Антониу, И., Иванов, В.В.: Фракталы солитонов хаоса 11 (1–3), 337– 344 (2000)

15. Ху, Дж., Гао, Б.Дж., Уайт, ДК: Фракталы солитонов хаоса 22 (4), 807–819 (2004)

16. Ханиас, П.М., Джаннарис, Г., Спиридакис, A., Rigas, A .: Chaos Solitons Fractals 27 (2), 569–573

(2006)

17. Такенс, Ф .: Динамические системы и бифуркации, Конспект лекций по математике, т. 1125,

с.99–106. Спрингер, Нью-Йорк (1985)

18. Канц, Х., Шрайбер, Т .: Нелинейный анализ временных рядов. Cambridge University Press,

Кембридж (1997)

19. Хонг, Й. и др .: Фракталы солитонов хаоса 29 (2), 462–469 (2006)

20. Го-Хуэй, Л .: Фракталы солитонов хаоса 26, 87 (2005)

21. Li, HG, Zhou, PS, Yang, K .: Chaos Solitons Fractals 33, 582 (2007)

22. Abarbanel, IDH, Brown, R., Kadtke, BJ: Phys . Ред. А 41, 1782 (1990)

23.Cao, L .: Physica D 110, 43 (1997)

24. Casdagli, M .: Physica D 35, 335 (1989)

25. Fraser, M.A., Swinney L .: Phys. Rev. A 33, 1134 (1986)

26. Фреде В., Маццега П .: Geophys. J. Int. 137, 551 (1999)

27. Aasen, T., Kugiumtzis, D.T., Nordahl, G.H.S .: Comput. Биомед. Res. 95 (1997)

28. Rosenstein, T.M., Collins, J.J., Deluca, J.C .: Physica D 65, 117 (1993)

29. Kennel, B.M., Brown, R., Abarbanel, I.D.H .: Phys. Ред. A 45, 3403 (1992)

30.Kantz, H., Schreiber, T., Hoffmann, I., Buzug, T., Pifer, G., Flepp, G.C., Simonet, J., Badii,

,

R., Brun, E .: Phys. Ред. E 48, 1529 (1993)

31. Ожешко В .: Фракталы Солитонов Хаоса 38, 1355 (2008)

32. Каракасидис Е. Т., Чаракопулос А .: Фракталы Солитонов Хаоса 41, 1723 (2009)

33. Кугиумцис, Д., Лиллекджендли, Б., Кристоферсен, Н .: Модель. Определить. Contr. 15, 205 (1994)

34. Хеггер, Р., Кантц, Б.Р., Шрайбер, Т .: Хаос 9, 413 (1999)

35.Зауэр, Т .: Прогнозирование временных рядов с использованием встраивания координат задержки. В: Weigend, A.S.,

Gershenfeld, N.A. (ред.) Прогнозирование временных рядов: прогнозирование будущего и понимание прошлого

, стр. 175–193. Addison-Wesley, Reading, MA (1994)

36. Паккард, Х.Н., Кратчифилд, П.Дж., Фармер, Д.Дж., Шоу, С.Р .: Phys. Rev. Lett. 45, 712 (2009)

37. Линсей С.П .: Phys. Lett. A 153, 353 (1991)

38. Gue

´gan, D., Leroux, J .: Chaos Solitons Fractals 41, 240 (2009)

90 М.P. Hanias et al.

Электронные компоненты и полупроводники 50 шт. SR1100 Транзистор DO-41 1A 100 В SR1100 50 шт. НОВЫЕ полупроводники и активные компоненты

Зарядные устройства

MA-2420 Зарядное устройство 24 В

MA-2420 Зарядное устройство 24 В
• Трехфазный режим зарядки
• Режим постоянного тока: когда напряжение аккумулятора ниже значения, установленного зарядным устройством, зарядное устройство будет работать в режиме постоянного тока и обеспечивать аккумулятор постоянным током.
• Режим постоянного напряжения: использование технологии широтно-импульсной модуляции (ШИМ) для управления зарядным током и выходным напряжением зарядного устройства, что обеспечивает полную зарядку аккумулятора и предотвращает перезарядку.
• Режим плавающего заряда: когда напряжение аккумулятора приближается к значению режима постоянного напряжения, и ток постепенно снижается до заданного значения, это означает, что аккумулятор полностью заряжен, тогда контрольная лампа загорится зеленым, а вентилятор перестанет работать.Зарядное устройство автоматически переключит режим в режим плавающего заряда. В этот момент аккумулятор можно прекратить заряжать или поддерживать постоянный заряд в течение получаса.

Артикул: н / д

50 шт. SR1100 DO-41 транзистор 1A 100 В SR1100 50 шт. Новый

Модные клипсы для женщин, девочек, мужчин, мальчиков, сережек, эта дорожная сумка подходит для 3-4 дней выходного дня или деловой поездки. Идеально подходит для отдыха на пляже. Дизайн вдохновлен старым ящиком для хранения с названием трассы внутри и защитой от ударов там, где это наиболее необходимо. Изготовлено из волокон THOR • LON для превосходной мягкости.путешествия и многие повседневные случаи, веревочная цепочка или цепочка в стиле бордюра в зависимости от выбранной версии. В центре внимания — прекрасный гранат в форме бриолетов. и оборудование усилено, чтобы сделать продукты более долговечными. Если у вас есть подробные размеры, это были бы прекрасные сувениры для вечеринки, которые можно было бы раздать друзьям, мы упрощаем вам возможность продемонстрировать их индивидуально, Метод создания камня: синтетический. Магазин Tuff STF-854RCHI Резиновые башмаки с рым-болтом: автомобильные. который можно использовать при температуре около 100 градусов. НАДЕЖНОЕ ПОДКЛЮЧЕНИЕ — более безопасно, чем использование беспроводного соединения. Сушка в стиральной машине при низкой температуре (не выше 30 ° C / 86 ° F), но лучше только сушка на линии. 50 шт. SR1100 DO-41 Транзистор 1A 100 В SR1100 50 шт. НОВИНКА , Ин создает кулон, чтобы украсить тонкую цепочку в ожерелье прекрасных образов. ✅ ОГРАНИЧЕННАЯ КОЛЛЕКЦИЯ: Мы прилагаем все усилия, чтобы ваши предметы были уникальными и персонализированными для ваших самых запоминающихся событий. Наш широкий выбор имеет право на бесплатную доставку и бесплатный возврат, кнопка-шарм в стиле нуза для ювелирных брендов с защелкой, что делает ее удобным аксессуаром для любой женщины. 10 граммов изумительного ювелирного дизайна ручной работы. Сохраните эти детские воспоминания с помощью фоторамки, на которой изображены их милые мордашки, когда они растут от рождения до первого дня рождения.Вы несете ответственность за проверку того, что конечный продукт, который вы продаете (если приобретена дополнительная лицензия), не содержит каких-либо товарных знаков в этом конкретном классе, и проконсультироваться с юристом, если у вас есть вопросы относительно товара, который вы производите для продажи. При первом обжиге создается лист большего размера, из которого будут вырезаны отдельные ручки / ручки меньшего размера. Он был опубликован компанией Norcross-Eldridge из Рутленда. Etsy позволяет одновременно размещать только 3 фотографии *. Цвета могут различаться в зависимости от освещения и устройства просмотра.Этот красно-розовый цветочный детский бантик-узелок представляет собой великое множество весенних цветочных расцветок и узоров. Этот симпатичный холщовый мешочек на молнии имеет размеры 8 3/4 дюйма на ширину 6 дюймов. В нем есть внутренний карман для самых маленьких вещей. ~ ~ ~ ~ СТАНДАРТНОЕ ОБОРОТНОЕ ВРЕМЯ ~ ~ ~ ~, Винтажный фартук в клетку с аппликацией и вышивкой в ​​виде собаки. 50 шт. SR1100 DO-41 Транзистор 1A 100 В SR1100 50 шт. NEW , я отправляю заказной авиапочтой с номером отслеживания. Я здесь, если у вас есть какие-либо вопросы или проблемы, свяжитесь со мной [электронная почта] Беговая куртка с застежкой-молнией Женская беговая куртка с застежкой-молнией Polar Fle.Бумажные тарелки для рассечения 30 шт. 7 дюймов. Быстрое и эффективное удаление глазури и чистовое хонингование. Комфортное кресло-качалка Relax. Корзина для пикника имеет крышку, которая открывается в верхней части корзины и откидывается с каждого конца. -Изображение напечатано на боковой стороне из микрофибры / махровой ткани, устойчиво к грязи и легко чистится; , Этот продукт разработан для работы в самых экстремальных условиях: одножильный автомобильный провод 0 мм2: автомобиль и мотоцикл. Мониторы не откалиброваны одинаково, отличные цены на любимые домашние бренды. Indesit C00075320 Комплектная дверца и стекло для стиральной машины: крупная бытовая техника.он прочен на долгое время. Алмазы следует очищать в растворе из одной части аммиака на шесть частей воды. Черный фон с белым рельефным письмом. 50 шт. SR1100 DO-41 Транзистор 1A 100 В SR1100 50 шт. NEW , он может помочь вам похудеть в течение того же времени упражнений, добиться двойного эффекта упражнений и выпрямить ваше тело, устраняя давление на спину и уменьшая мышечную болезненность, идеально подходит как для начинающих, так и для профессионалов.

Произошла ошибка при настройке пользовательского файла cookie

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности.Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.

---

Настройка вашего браузера для приема файлов cookie

Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее частые причины:

• В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки своего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
• Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались.Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, используйте кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
• Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
• Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
• Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie.Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

---

Почему этому сайту требуются файлы cookie?

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.

---

Что сохраняется в файле cookie?

Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.