Найти транзистор по параметрам: Страница не найдена

Как выбрать транзистор по параметрам

Технологические возможности и успехи в разработке мощных полевых транзисторов привели к тому, что в настоящее время не составляет особого труда приобрести их за приемлемую цену. В связи с этим возрос интерес радиолюбителей к применению таких MOSFET транзисторов в своих электронных самоделках и проектах. Пришло время ближе познакомиться с устройством и параметрами мощных MOSFET транзисторов, чтобы в случае необходимости более осознанно подобрать аналог для конкретного экземпляра, а также иметь возможность понимать суть тех или иных величин, указанных в даташите. Их принцип работы основан на весьма оригинальном техническом решении.

Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

• Проверка и подбор полевых транзисторов
• Совет 1: Как подобрать транзистор
• Каталог компонентов
• подбор транзистора по параметрам
• Справочник по параметрам транзисторов
• ВРемонт.su — ремонт фото видео аппаратуры, бытовой техники, обзор и анализ рынка сферы услуг
• Как подобрать транзистор?
• SMD транзисторы (подбор по параметрам)

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Характеристики транзисторов, 1ч

Проверка и подбор полевых транзисторов

В данной статье я хочу описать, на какие критерии нужно обращать внимание при подборе замены транзисторам. Надеюсь, статья будет полезной для начинающих радиолюбителей. Постараюсь информацию изложить очень кратко, но достаточно для правильного подбора транзистора при отсутствии аналогичного. Предлагаю оценку и подбор аналога для замены транзистора начинать с анализа схемы — частота, напряжение, ток. Начнем подбор по быстродействию транзистора, то есть рабочей частоте транзистора.

При этом граничная fгр. МГц эта та на которой его коэффициент усиления равен единице частота транзистора должна быть больше реальной частоты на которой работает устройство, желательно, во много раз.

После подбора по частоте, производим выбор по допустимой мощности, иными словами ток коллектора транзистора должен превышать максимальный ток в первичной цепи.

Далее подбираем транзистор по допустимому напряжению эмиттер-коллектор, которое также должно превышать максимальное прикладываемое к транзистору напряжение в любой момент времени.

Коэффициент усиления: известно, что ток коллектора у биполярного транзистора с током базы связан через параметр h Проще говоря, ток коллектора больше тока базы в h Из этого можно сделать вывод, что лучше применять транзисторы значение этого параметра у которых как можно больше. Это позволит повысить КПД за счет снижения затрат на управление транзисторами, да и потом, транзистор с большим значением этого параметра проще ввести в режим насыщения. Далее чтобы меньше мощности потерять на транзисторе при этом он будет меньше греться , нужно чтобы его напряжение насыщения напряжение коллектор-эмиттер в открытом состоянии было как можно меньше, ведь мощность выделяемая на транзисторе, равна произведению тока, протекающего через него, и падению напряжения на нем и еще, максимальная мощность рассеяния коллектора приводится в справочнике должна быть не меньше реально выделяемой, иначе транзистор не справится мгновенно выйдет из строя.

Преимуществ перед биполярными у них много, а самое главное, цена ниже. Наиболее важные преимущества полевых транзисторов, на мой взгляд следующие:.

Термоустойчивость полевого транзистора помогает разработчику при параллельном соединении приборов для увеличения нагрузочной способности.

Можно включать параллельно достаточно большое число полевиков без выравнивающих резисторов в силовых цепях и при этом не опасаться рассиметрирования токов, что очень опасно для биполярных транзисторов.

Однако параллельное соединение полевых транзисторов тоже имеет свои особенности. Что касается подбора транзисторов для замены , то порядок примерно тот же самый, т е быстродействие затем мощность. Напряжение исток-сток также выбирается из тех же соображений, что и для биполярных, максимальный ток стока также выбирается с запасом, здесь это выбрать гораздо проще, т к полевые транзисторы имеют довольно большие допустимые токи стока и их разнообразие очень большое, чего не скажешь про биполярные — биполярные транзисторы с током коллектора больше 20 А, это уже редкость.

Полевые транзисторы не имеют напряжения насыщения, у них есть аналогичный параметр — сопротивление открытого канала, у транзисторов с допустимым напряжением до В оно составляет десятки миллиом, у более высоковольтных — омы. Чем меньше значение этого сопротивления, тем ближе параметры транзистора к идеальным и тем меньше потери.

Мощность потерь рассеяния в открытом состоянии определяется как квадрат тока умноженный на сопротивление открытого канала. Естественно, чем меньше будет это значение, тем меньше будет транзистор греться. Аналог параметра h31 у полевого транзистора это крутизна характеристики. Этот параметр связывает между собой ток стока и напряжение на затворе, иными словами ток стока определяется как произведение напряжения на затворе и крутизны характеристики транзистора. Как правило ключевые транзисторы имеют большую крутизну характеристики.

Еще у этого вида транзисторов есть так называемое порговое напряжение на затворе — это минимальное значения управляющего напряжения достаточное для введения транзистора в абсолютно открытый режим насыщение.

При подборе необходимо учитывать, чтобы минимальное напряжение на затворе не было ниже порогового, иначе вся мощность будет выделяться на транзисторе а не на нагрузке, т к он не полностью открыт. Такой режим работы, как правило, транзисторы не выдерживают — после включения выгорают с небольшой или большой задержкой. Параметр мощность рассеяния коллектора для биполярного транзистора имеет аналогичный для полевого — мощность рассеяния стока.

Параметры абсолютно идентичны. Активней пользуйтесь справочниками и интернетом, информации по параметрам транзисторов сейчас достаточно.

Вот ссылка на аналоги. Импортных аналогов нашёл около 17 наименований по параметрам. Но, к сожалению, в наличии ни одного нет. По отечественным, найти аналог не удаётся. Подскажите пожалуйста что это за зверь, в блоке управления двигателем сгорел транзистор корпус sot на нем есть надпись 27с, стоит на линии диагностики. Посмотри здесь. Посоветуйте пожалуйста транзистор по параметрам : за полупериуд минимум 4 ампера , проводить напряжение минимум вольт , ключ для открытия проводимости должен быть по минусу.

Замена такого транзистора в статье. Проанализируйте напряжения в схеме, если оно не превышает вольт, то почему и нет. Корпус уже не имеет значение. Важно смотреть сток-исток не менее 30 вольт. Посмотри здесь по основным параметрам мощность, напряжение. Чем можно заменить аналог транзистора K? Стоит в блоке питания телевизора Mystery. Заранее спасибо.

По расшифровке ничего не могу найти. Прошу помощи. В общем шаговый двигатель, 4 транзистора buka, в следствии заклинивания подшипника один сгорел. Вместо был установлен irln но при нагрузке сгорел. Подумал из-за немного разных параметров и решил поставить все 4.

Так- же не надолго хватило. Поможет-ли применение связки из двух irln на каждую линию? Так-как более подходящего аналога не найду. Добавлю аналоги есть но у них напряжение открытия 10вольт , а 74нс выдаёт 5вольт. У irln меньше ток нагрузки. По поводу установки двух транзисторов, полевые т-ры позволяют такую конструкцию, но может не выдержать 74нс, так как при частоте и напряжении, ток затвора будет иметь место.

Мощный мотор если в холостую крутится транзисторы не греются, а с нагрузкой греются. Я думаю заменить на помощней или я ошибаюсь? Да можно, это немного увеличит надежность, но они будут также греться.

Можно пойти и другим путем, увеличить радиаторы на транзисторах или установить маленький вентилятор если возможно. Высокочастотный полевик N — канал, близкий по параметрам КПА9 возможно уже есть более новые аналоги.

По идее. Сайт необязательно. Главная Начинающему радиолюбителю. Содержание 1 Замена и подбор транзисторов биполярных и полевых 1. Биполярный и полевой транзистор. Похожие записи: Транзисторы для импульсных блоков питания телевизоров. Замена Мощные транзисторы в строчной развертке Как проверить транзистор мультиметром видео.

Ольга Андрей Евгений Серега Ибрагим Виталий Подскажите пожалуйста, чем можно заменить транзистор ТТ? Алексей Доброго времени суток скажите пожалуйста , чем заменить транзистор KSP42 G Ильнар Михаил Татьяна Денис Виктор Подскажите аналоги полевику AO в корпусе SO-8???!!! Максим Заменить транзисторы конечно можно.

Но все таки лучше найти причину почему они так греются. Родион

Совет 1: Как подобрать транзистор

При постройке усилителей без петель отрицательной обратной связи желательно иметь компоненты со строго заданными, или хотя бы по возможности близкими, параметрами. Впрочем, даже в обычном дифференциальном каскаде для уменьшения искажений желательно применять транзисторы или лампы — близнецы, ещё их называют » согласованные пары «. Да и просто проверить полевой транзистор перед тем, как запаять его в схему — будет совсем нелишне. Вобщем я поймал себя на том, что собираю на макетке простенькую схемку для проверки полевиков уже наверное с десятый раз по жизни.

Транзисторы отличаются друг от друга рядом параметров: структурой, максимальной рассеиваемой мощностью, током в открытом.

Каталог компонентов

Характеризуется большим коэффициентом передачи тока, низким уровнем шумов и хорошей линейностью. В связи с этим, он часто встречаются в радио-приемниках передатчиках , различных схемах предварительного усиления сигнала. Полупроводниковый кристалл s размещен в стандартном пластиковом корпусе TO для дырочного монтажа. Оба корпуса имеют три контакта и его цоколевка выглядит стандартно для такого типа транзисторов: эмиттер, коллектор, база. У всех устройств серии s одинаковые предельно допустимые режимы эксплуатации и электрические характеристики. Различия есть только в значениях коэффициента усиления по току H FE. Одной из важнейших характеристик для всех высокочастотников является коэффициент шума F Ш , во многом он предопределяет возможность применения транзистора в схемах усиления слабых сигналов. Значение F Ш определяется при заданном сопротивлении источника сигнала R s на частоте генерации 1 кГц.

подбор транзистора по параметрам

В данной статье я хочу описать, на какие критерии нужно обращать внимание при подборе замены транзисторам. Надеюсь, статья будет полезной для начинающих радиолюбителей. Постараюсь информацию изложить очень кратко, но достаточно для правильного подбора транзистора при отсутствии аналогичного. Предлагаю оценку и подбор аналога для замены транзистора начинать с анализа схемы — частота, напряжение, ток.

Что нового?

Справочник по параметрам транзисторов

Регистрация Вход. Ответы Mail. Вопросы — лидеры А разве понятие «эфир» можно всерьёз рассматривать в электронике? Задача по физике 1 ставка. Провод КСПВ, вопрос к электрикам 1 ставка.

ВРемонт.su — ремонт фото видео аппаратуры, бытовой техники, обзор и анализ рынка сферы услуг

Включите JavaScript для лучшей работы сайта. Транзисторы отличаются друг от друга рядом параметров: структурой, максимальной рассеиваемой мощностью, током в открытом состоянии и напряжением в открытом и др. Только грамотно подобранный транзистор будет длительно работать в схеме, в которую он установлен. Нагрузка транзистора включается между шиной питания и коллектором прибора. Если напряжение на этой шине положительное, используйте транзистор структуры n-p-n, а если отрицательное — структуры p-n-p. Учтите, что управляющий сигнал, подаваемый на базу, должен иметь ту же полярность, что и напряжение питания. Если транзистор будет работать в аналоговом режиме, поделите напряжение питания пополам и умножьте на половину максимального тока нагрузки.

Выбор этих компонентов на современном рынке электроники довольно широк, и подобрать полевой транзистор с требуемыми параметрами отнюдь не.

Как подобрать транзистор?

Войдите , пожалуйста. Хабр Geektimes Тостер Мой круг Фрилансим. Войти Регистрация. Биполярные транзисторы.

SMD транзисторы (подбор по параметрам)

ВИДЕО ПО ТЕМЕ: КАК РАССЧИТАТЬ ТРАНЗИСТОРНЫЙ КЛЮЧ

Определять параметры полевых транзисторов с p-n -переходом на затворе, как n -канальных, так и p -канальных, поможет описанная ниже простая и недорогая приставка к вольтметру, которая позволяет измерять начальный ток стока полевого транзистора и его напряжение отсечки. Таким образом, используя лишь эту приставку в комплекте с каким-нибудь вольтметром, можно, например, отобрать транзисторы с наилучшими характеристиками или подобрать пару одинаковых по параметрам транзисторов.

Кроме того, приставка позволяет проверить полевой транзистор на работоспособность, приблизительно определить крутизну полевого транзистора в предполагаемой рабочей точке, а студентам и начинающим радиолюбителям — исследовать полевой транзистор чтобы лучше понять его принцип работы. Схема приставки-измерителя параметров полевых транзисторов приведена на рис. Главная её особенность — стабилизированное напряжение сток-исток при измерении начального тока стока полевого транзистора.

Теория и практика.

Подпишитесь на автора, если вам нравятся его публикации. Тогда вы будете получать уведомления о его новых постах. К этому надо обязательно добавить про уровень на затворе. А есть с логическим уровнем IRL , для которых описаны режимы при более низких напряжениях. Актуально, если мы хотим вешать мосфет не на силовой выход платы, а на обычную ногу.

Хабр Geektimes Тостер Мой круг Фрилансим. RokkerRuslan RokkerRuslan. Электроника Микроконтроллеры Электронные компоненты.

Параметры транзистора как четырехполюсника

Для переменных сигналов малой амплитуды, приводящих к незначительному изменению электрического режима в линейной части ВАХ, биполярный транзистор можно представить эквивалентным линейным четырехполюсником (рис.  9, а), где и(и) – входной (выходной) ток и напряжение транзистора. Существует несколько систем параметров четырехполюсников:Z, Y, H, A. Каждая система параметров имеет свои преимущества и недостатки. Применительно к биполярным транзисторам наибольшее распространение получила система h—параметров.

Система уравнений четырехполюсника с h-параметрами для синусоидального режима малого сигнала записывается следующим образом:

(8)

где – входное сопротивление транзистора при коротком замыкании на выходе,;– коэффициент обратной связи по напряжению при холостом ходе на входе,;– коэффициент усиления (передачи) тока при коротком замыкании на выходе,;– выходная проводимость при холостом ходе на входе,.

Эквивалентная схема транзистора как четырехполюсника с h-параметрами приведена на рис. 9, б.

a

б

Рис. 9

Одно из преимуществh-параметров заключается в возможности их непосредственного измерения. Для этого проводятся опыты холостого хода на входе () по переменной составляющей, например включением достаточно большой индуктивности в эту цепь без нарушения режима по постоянному току, и короткого замыкания на выходе () (также для переменных составляющих), например подключением к выходным зажимам емкости большого значения. Значенияh-параметров можно найти по статическим входным и выходным ВАХ.

Очевидно, что значения h-параметров в схемах ОБ и ОЭ различны. Приведем формулы, связывающие h-параметры схем ОБ и ОЭ, причем параметрам каждой схемы присвоим соответствующий индекс:

(9)

Анализ Т-образных эквивалентных схем транзистора позволяет найти связь h-параметров с электрическими параметрами этих схем. Для области частот сигнала, когда h-параметры являются вещественными числами, физические параметры транзистора по известным h-параметрам рассчитываются по формулам, приведеным в табл.  1, а h-параметры по заданным физическим параметрам – в табл. 2.

Таблица 1

Физический параметр	Схема включения транзистора
	с ОБ	с ОЭ
Сопротивление эмиттера,
Сопротивление базы,
Сопротивление коллектора,
Коэффициент передачи тока (ОБ),(ОЭ)

Таблица 2

h-параметр	Схема включения транзистора
	с ОБ	с ОЭ

1. Каковы структуры биполярных транзисторов? Укажите полярности напряжений на p—n-переходах в нормальном активном режиме.

2. Какие существуют режимы работы транзистора, какими полярностями напряжений на переходах они характеризуются?

3. Каковы способы включения биполярного транзистора?

4. Какие физические процессы происходят в транзисторе при работе в активном режиме?

5. Какие транзисторы называются бездрейфовыми, какие ‑ дрейфовыми?

6. Какова связь коллекторного тока с эмиттерным? Какова физическая природа коллекторного и базового токов?

7. Каковы входные и выходные ВАХ транзистора в схеме ОБ?

8. Каковы входные и выходные ВАХ транзистора в схеме ОЭ?

9. Какова связь коллекторного тока с базовым в схемах ОЭ и ОБ?

10. Как выглядит малосигнальная Т-образная эквивалентная схема транзистора с ОБ и ОЭ, каков физический смысл ее элементов?

11. Как зависят коэффициенты передачи тока итранзистора от частоты?

12. Какова эквивалентная схема транзистора как четырехполюсника? Какой вид имеет система уравнений транзистора с h-параметрами?

13. Как рассчитываются h-параметры транзистора по статическим ВАХ?

14. Как рассчитываются h-параметры транзистора по его Т-об­разной эквивалентной схеме?

15. Как связаны между собой h-параметры схем его включения с ОЭ и ОБ?

16. Какова связь h-параметров транзистора с физическими параметрами Т-образных эквивалентных схем?

led — Расчет параметров транзистора

спросил 8 лет, 11 месяцев назад

Изменено 8 лет, 11 месяцев назад

Просмотрено 200 раз

\$\начало группы\$

Я использую MJH6284 (действующий как переключатель) для питания 15 светодиодов BXRA (макс. i = 1000 мА, V=9.5) Как узнать электрические условия, при которых транзистор будет питать светодиод, т.е. — напряжение питания — Vcc, сопротивление и напряжение на базе??

Спасибо.

• светодиод
• транзисторы

\$\конечная группа\$

1

\$\начало группы\$

Vcesat — напряжение насыщения транзистора — когда транзистор будет включен, на нем будет падение напряжения не более 1,2В при токе 1А. Так что у вас должно быть не менее 9.5 + 1,2 = 10,7В напряжение питания.

Теперь ток. Графики на стр. 5 таблицы данных показывают коэффициент усиления по току 500 при 1 А. Это означает, что вам нужно по крайней мере 1A/500=2mA базового тока. При включении транзистора на базовом эмиттере будет падение 2,8 В — Vbe(on), примите это во внимание при расчете номинала резистора.

Чтобы убедиться, что вы включаете транзистор действительно сильно, вам нужно запустить базу с током, примерно в 5-10 раз превышающим ток (от 10 до 20 мА), обратите внимание, что Vbe в этом случае будет на уровне 4 В.

Чтобы предоставить более точную информацию, нам необходимо знать напряжение питания и напряжение, которым вы включаете транзистор (микроконтроллер? 5 В, 3,3 В?)

\$\конечная группа\$

4

Зарегистрируйтесь или войдите в систему

Зарегистрируйтесь с помощью Google

Зарегистрироваться через Facebook

Зарегистрируйтесь, используя электронную почту и пароль

Опубликовать как гость

Электронная почта

Требуется, но не отображается

Опубликовать как гость

Электронная почта

Требуется, но не отображается

Нажимая «Опубликовать свой ответ», вы соглашаетесь с нашими условиями обслуживания, политикой конфиденциальности и политикой использования файлов cookie

Тестирование транзисторов — транзисторы с биполярным соединением

Транзисторы с биполярным соединением

Существует несколько различных способов проверки транзисторов. Их можно протестировать а в схеме, методом замещения, или с транзистором тестер или омметр. С помощью большинства тестеров транзисторов можно проверить транзистор в цепи или вне ее.

Существует четыре основных теста, необходимых для транзисторов при практическом поиске и устранении неисправностей: усиление, утечка, пробой и время переключения. Для обслуживания и ремонта, однако проверки двух-трех параметров обычно достаточно, чтобы определить требуется ли замена транзистора.

Поскольку охватить все различные типы тестеров транзисторов нецелесообразно. а поскольку к каждому тестеру прилагается собственное руководство по эксплуатации, будем двигаться дальше на то, что вы будете чаще использовать для проверки транзисторов — омметр.

С помощью омметра можно выполнить два теста: коэффициент усиления и сопротивление перехода. Тесты сопротивления перехода транзистора выявит утечку, короткое замыкание и обрыв.

Тест коэффициента усиления транзистора
Базовый тест коэффициента усиления транзистора можно выполнить с помощью омметра и простой тестовой схемы. Тестовую схему можно составить всего из пары резисторов и переключателя, как показано на рисунке. на рисунке ниже. Принцип теста заключается в том, что мало или совсем нет ток будет течь в транзисторе между эмиттером и коллектором до тех пор, пока эмиттер-база соединение смещено вперед. Единственная предосторожность, которую вы должны соблюдать, связана с омметром. В счетчике можно использовать любую внутреннюю батарею при условии, что ее емкость не превышает максимальное напряжение пробоя коллектор-эмиттер.

Проверка коэффициента усиления транзистора с помощью омметра.

Когда переключатель на рисунке выше находится в разомкнутом положении, как показано, напряжение отсутствует. применяется к базе транзистора PNP, а переход эмиттер-база не смещен в прямом направлении. Следовательно, омметр должен показывать высокое сопротивление. Когда ключ замкнут, цепь эмиттер-база смещена в прямом направлении. напряжением на R ₁ и R ₂ . Актуально сейчас течет в цепи эмиттер-коллектор, что приводит к снижению показаний сопротивления на омметре.

Чтобы проверить NPN-транзистор с помощью этой схемы, просто поменяйте местами выводы омметра. и выполните процедуру, описанную ранее.

Проверка сопротивления перехода транзистора
Омметр можно использовать для проверки транзистора на утечку (нежелательное протекание тока) путем измерения прямой линии база-эмиттер, база-коллектор и коллектор-эмиттер и обратные сопротивления.

Для простоты рассмотрим тестируемый транзистор на каждом изображении на рисунке ниже. как два диода, соединенных встречно. Следовательно, каждый диод будет иметь низкое прямое сопротивление и высокое обратное сопротивление. Измеряя эти сопротивления с помощью омметра, как показано на рисунке, можно определить, Транзистор пропускает ток через свои переходы. При изготовлении этих измерений, избегайте использования глюкометра с высоким напряжением внутренней батареи. Это условие может повредить маломощный транзистор.

Проверка утечки транзистора с помощью омметра.

Теперь рассмотрим возможные проблемы с транзисторами, которые могли бы существовать, если бы указанное показания на рисунке выше не получены.