НазначСниС транзистора: ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹, Π²ΠΈΠ΄Ρ‹ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ транзистор ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ½ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚. КакиС Π±Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ транзисторов. Для Ρ‡Π΅Π³ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ транзисторы Π² элСктроникС. Как ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΡΠΏΡ€Π°Π²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ транзистора ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ.

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ транзистор ΠΈ Π΅Π³ΠΎ основноС Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅

Вранзистор — это ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ являСтся основой соврСмСнной элСктроники. Π•Π³ΠΎ Π³Π»Π°Π²Π½ΠΎΠ΅ Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² усилСнии ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ элСктричСских сигналов. Вранзистор ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ‚Ρ€ΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° ΠΈ способСн ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ двумя элСктродами, с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ напряТСния ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ Π½Π° Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΠΈΠΉ элСктрод.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ транзистора:

  • УсилСниС слабых элСктричСских сигналов
  • ГСнСрация элСктричСских ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ
  • ΠšΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΡ элСктричСских Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ
  • ΠŸΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ элСктричСских сигналов

Благодаря своим ΡƒΠ½ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ свойствам, транзисторы стали Π½Π΅ΠΎΡ‚ΡŠΠ΅ΠΌΠ»Π΅ΠΌΠΎΠΉ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ практичСски всСх соврСмСнных элСктронных устройств — ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΠΈΡ… Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² Π΄ΠΎ слоТных ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€ΠΎΠ² ΠΈ смартфонов.

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора

Π Π°Π±ΠΎΡ‚Π° транзистора основана Π½Π° взаимодСйствии Π΄Π²ΡƒΡ… Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎ располоТСнных p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ². Рассмотрим ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ дСйствия биполярного транзистора:


  1. Вранзистор состоит ΠΈΠ· Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… областСй ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° с Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠΌ проводимости — эмиттСра, Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.
  2. ΠœΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹.
  3. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ нСбольшого Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ открываСтся ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ эмиттСр-Π±Π°Π·Π°.
  4. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ носитСлСй заряда ΠΈΠ· эмиттСра Π² Π±Π°Π·Ρƒ.
  5. Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠ°Ρ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ этих носитСлСй ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΠΉ слой Π±Π°Π·Ρ‹ Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€.
  6. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ нСбольшоС ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, транзистор усиливаСт Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал ΠΈ позволяСт ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ большим Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ Π²ΠΈΠ΄Ρ‹ транзисторов

БущСствуСт Π΄Π²Π° основных Ρ‚ΠΈΠΏΠ° транзисторов:

1. БиполярныС транзисторы

Π’ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ ΡƒΡ‡Π°ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ носитСли заряда ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… Π·Π½Π°ΠΊΠΎΠ² — элСктроны ΠΈ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ. Π˜ΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ‚Ρ€ΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° — эмиттСр, Π±Π°Π·Π°, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€. Π£ΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π±Π°Π·Ρ‹. ДСлятся Π½Π°:

  • NPN-транзисторы
  • PNP-транзисторы

2. ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ (униполярныС) транзисторы

Π Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ Π½Π° основС управлСния проводящим ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ элСктричСского поля. Π˜ΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€, исток ΠΈ сток. Π£ΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ напряТСниСм Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ Π²ΠΈΠ΄Ρ‹:


  • МОП-транзисторы (MOSFET)
  • ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы с ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ (JFET)

ΠšΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΈΠΏ транзисторов ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ свои особСнности ΠΈ области примСнСния.

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзисторов Π² элСктроникС

Вранзисторы нашли Ρ‡Ρ€Π΅Π·Π²Ρ‹Ρ‡Π°ΠΉΠ½ΠΎ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² самых Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… областях элСктроники:

  • УсилитСли сигналов (аудиоусилитСли, Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠΈ, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ)
  • Π“Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ элСктричСских ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ
  • Π‘Ρ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΠ·Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ напряТСния ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°
  • Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈ ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹
  • ЛогичСскиС элСмСнты Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… схСм
  • Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠΈ питания
  • ΠŸΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ сигналов
  • Π”Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ физичСских Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½

ΠŸΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈ Π½ΠΈ ΠΎΠ΄Π½ΠΎ соврСмСнноС элСктронноС устройство Π½Π΅ обходится Π±Π΅Π· транзисторов. Они ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ ΠΈ Π² составС ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… микросхСм.

Как ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ

Для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ исправности транзистора с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π°Π»Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΠΌ:

  1. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΈΠΏ транзистора (NPN ΠΈΠ»ΠΈ PNP) ΠΈ располоТСниС Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ²
  2. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π²Π΅ΡΡ‚ΠΈ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ «ΠΏΡ€ΠΎΠ·Π²ΠΎΠ½ΠΊΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ²»
  3. Для NPN-транзистора:
    • Π§Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‰ΡƒΠΏ ΠΊ Π±Π°Π·Π΅, красный ΠΏΠΎΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄Π½ΠΎ ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ ΠΈ эмиттСру — Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ прямоС сопротивлСниС
    • ΠšΡ€Π°ΡΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‰ΡƒΠΏ ΠΊ Π±Π°Π·Π΅, Ρ‡Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄Π½ΠΎ ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ ΠΈ эмиттСру — Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ высокоС сопротивлСниС
  4. Для PNP-транзистора Π½Π°ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚:
    • ΠšΡ€Π°ΡΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‰ΡƒΠΏ ΠΊ Π±Π°Π·Π΅, Ρ‡Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ ΠΈ эмиттСру — прямоС сопротивлСниС
    • Π§Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‰ΡƒΠΏ ΠΊ Π±Π°Π·Π΅, красный ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ ΠΈ эмиттСру — высокоС сопротивлСниС
  5. ΠœΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ высокоС сопротивлСниС Π² ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… направлСниях

Если Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ описанным, транзистор считаСтся исправным. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΎΠ±Π½Π°Ρ€ΡƒΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΠΎΠ½Π΅Π½ΠΈΠΉ транзистор, скорСС всСго, нСисправСн.


Π—Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅

Вранзисторы ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²Π΅Π»ΠΈ Π½Π°ΡΡ‚ΠΎΡΡ‰ΡƒΡŽ Ρ€Π΅Π²ΠΎΠ»ΡŽΡ†ΠΈΡŽ Π² элСктроникС, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΠ² ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ ΠΈ энСргоэффСктивныС устройства. ПониманиС ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΎΠ² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΈ примСнСния транзисторов Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ для проСктирования соврСмСнных элСктронных схСм. ΠŸΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΎΡ€ ΠΈ использованиС транзисторов Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΌ опрСдСляСт характСристики ΠΈ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ элСктронной Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹.


НазначСниС транзистора с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

  1. БиполярныС транзисторы: устройство, ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ ΠΈ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹, схСма Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ, ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅, основныС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹
  2. БиполярныС транзисторы: устройство, ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ ΠΈ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹, схСма Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ, ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅, основныС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹
  3. Устройство биполярного транзистора.
  4. ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ биполярного транзистора.
  5. Π Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹.
  6. 1. ΠžΡ‚ΡΠ΅Ρ‡ΠΊΠ°.
  7. 2. Активный Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ.
  8. 3. НасыщСниС.
  9. 4. Π‘Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ.
  10. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ биполярных транзисторов.
  11. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ биполярных транзисторов:
  12. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром (каскад с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром)
  13. Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС схСмы с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром
  14. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС схСмы с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром

БиполярныС транзисторы: устройство, ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ ΠΈ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹, схСма Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ, ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅, основныС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹

БиполярныС транзисторы: устройство, ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ ΠΈ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹, схСма Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ, ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅, основныС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹

Основной Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠ΅ΠΉ биполярного транзистора (Π‘Π’) являСтся ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ мощности Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ элСктричСского сигнала. Π­Ρ‚ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ появились, ΠΊΠ°ΠΊ Π°Π»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π° элСктровакуумных Ρ‚Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ², ΠΈ со Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π΅ΠΌ практичСски вытСснили ΠΈΡ… ΠΈΠ· отрасли. БправСдливости Ρ€Π°Π΄ΠΈ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π»Π°ΠΌΠΏΡ‹ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈ Π΄ΠΎ сих ΠΏΠΎΡ€, Π½ΠΎ Π² ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΈ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΌ сСгмСнтС Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ назначСния. Π’ массовой ΠΆΠ΅ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ, Π² основном, транзисторы – биполярныС ΠΈ ΠΈΡ… блиТайшиС «родствСнники» ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅.

ΠšΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠ΅ прСимущСство этих элСмСнтов состоит Π² ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠ°Ρ‚ΡŽΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ. Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ со схоТими характСристиками оказываСтся Π² нСсколько Ρ€Π°Π· ΠΊΡ€ΡƒΠΏΠ½Π΅Π΅ биполярного транзистора. ВслСдствиС этого ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π‘Π’ Π² радиоэлСктроникС ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ сущСствСнному ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Π³Π°Π±Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠΉ радиотСхничСской ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ†ΠΈΠΈ.

Биполярным Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ транзистор называСтся ΠΈΠ·-Π·Π° Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² физичСских процСссах, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π²ΠΎ врСмя Π΅Π³ΠΎ функционирования, ΡƒΡ‡Π°ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ΠΎΠ±Π° Ρ‚ΠΈΠΏΠ° носитСлСй заряда – ΠΈ элСктроны, ΠΈ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ влияниС Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ управлСния Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ сигналом. Π’ биполярных транзисторах Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ управляСт Ρ‚ΠΎΠΊ, Π° Π½Π΅ элСктричСскоС ΠΏΠΎΠ»Π΅, ΠΊΠ°ΠΊ Π² ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… (униполярных).

Устройство биполярного транзистора.

Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ состоит ΠΈΠ· 3 частСй – эмиттСра, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹ΠΌΠΈ элСмСнтами биполярного транзистора ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π΄Π²Π° p-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°, Π° Π½Π΅ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½, ΠΊΠ°ΠΊ Π² ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ…. Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€ исполняСт Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΡŽ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° носитСлСй заряда, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, ΡΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π² ΠΏΡ€ΠΈΡ‘ΠΌΠ½ΠΈΠΊ – ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€. Π‘Π°Π·Π° Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠ° для ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ напряТСния.

Если Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ»ΠΎΡΠΊΡƒΡŽ модСль Π‘Π’, Ρ‚ΠΎ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ прСдставляСт собой Π΄Π²Π΅ области с p- ΠΈΠ»ΠΈ n-ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ (эмиттСр ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€), Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Ρ‘Π½Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΠΌ слоСм ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° с ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π·Π½Π°ΠΊΠ° (Π±Π°Π·Π°). ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ кристалл со стороны ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° физичСски ΠΊΡ€ΡƒΠΏΠ½Π΅Π΅. Π’Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ обСспСчиваСт ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ биполярного транзистора.

Π’ зависимости ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° проводимости эмиттСра, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ PNP- ΠΈ NPN-транзисторы. Π’ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠ΅, ΠΎΠ½ΠΈ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²ΠΎ с Ρ‚ΠΎΠΉ лишь Ρ€Π°Π·Π½ΠΈΡ†Π΅ΠΉ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊ Π½ΠΈΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠΊΠ»Π°Π΄Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ напряТСния Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΉ полярности. Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π²ΠΈΠ΄Π° Π‘Π’ опрСдСляСтся особСнностями ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… радиотСхничСских устройств.

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ биполярного транзистора.

ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ эмиттСра ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ источнику питания ΡΠΎΠ·Π΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ всС условия для протСкания Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Однако свободному ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΡŽ носитСлСй заряда прСпятствуСт Π±Π°Π·Π°, ΠΈ для устранСния этой ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…ΠΈ Π½Π° Π½Π΅Ρ‘ подаётся напряТСниС смСщСния. Π’ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΌ слоС ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‚ Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΎ-химичСскиС процСссы элСктронно-Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΈ, Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π±Π°Π·Ρƒ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚Π΅Ρ‡ΡŒ нСбольшой Ρ‚ΠΎΠΊ. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ p-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΡƒΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΡƒ носитСлСй заряда ΠΎΡ‚ эмиттСра ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ.

Если Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π±Π°Π·Ρƒ, мСняСтся ΠΏΠΎ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ-Ρ‚ΠΎ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Ρƒ, Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅ измСняСтся ΠΈ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ΠΌ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ биполярного транзистора Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΆΠ΅ сигнал, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Π½Π° Π±Π°Π·Π΅, Π½ΠΎ с Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокой ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ. Π’ этом ΠΈ состоит ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ функция биполярного транзистора.

Π Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹.

БущСствуСт 4 Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°, Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ биполярный транзистор. Π’ этот список входят ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅:

  1. отсСчка;
  2. Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ;
  3. насыщСниС;
  4. Π±Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ.

БущСствуСт Π΅Ρ‰Ρ‘ Ρ‚Π°ΠΊ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ инвСрсный Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ, Π½ΠΎ ΠΎΠ½ Π½Π° ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ Π½Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΈ интСрСсСн Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ тСорСтичСских исслСдованиях повСдСния ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ². ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ опишСм ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Ρ….

1. ΠžΡ‚ΡΠ΅Ρ‡ΠΊΠ°.

Π’ Ρ‚ΠΎΠΌ случаС, Ссли Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ Π½ΠΈΠΆΠ΅ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ значСния (ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ 0.6 Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚), Ρ‚ΠΎ Π±Π°Π·Π°-эмиттСрный p-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ оказываСтся Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ Π½Π΅ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚. Π’ связи с этим ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΌ слоС ΠΎΡ‚ΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ свободныС элСктроны. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, транзистор ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π² состояниС отсСчки ΠΈ сигнал Π½Π΅ усиливаСт. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… схСмах, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π‘Π’ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ Π² ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Β«Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΠΎΒ».

2. Активный Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ.

Π’ этом Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ усиливаСт сигнал, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ исполняСт свою ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π½ΡƒΡŽ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΡŽ. На Π±Π°Π·Ρƒ подаётся Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ², которая ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π±Π°Π·Π°-эмиттСрный p-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄. Как слСдствиС, Π² транзисторС Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹. Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° вычисляСтся ΠΊΠ°ΠΊ арифмСтичСскоС ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ коэффициСнта усилСния.

3. НасыщСниС.

Π’ этот Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ биполярный транзистор Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ Π΄ΠΎ Π½Π΅ΠΊΠΎΠ΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ значСния, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ p-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ. Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π‘Π’ ΠΏΡ€ΠΈ Π΅Π³ΠΎ насыщСнии, зависит лишь ΠΎΡ‚ ΠΏΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ напряТСния ΠΈ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ. Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал Π½Π΅ усиливаСтся, вСдь ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π΅ воспринимаСт ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹. Π‘ΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ транзистора ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ Π² насыщСниС ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ΅, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π‘Π’ ΠΈΠ³Ρ€Π°Π΅Ρ‚ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π° Π² Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ.

4. Π‘Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ.

Π—Π΄Π΅ΡΡŒ транзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΊΠ°ΠΊ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ с ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Ρ‘Π½Π½Ρ‹ΠΌ рСзистором. Для этого Π±Π°Π·Ρƒ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΎΠΌΠ½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‚ с ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ. Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Ρ‚Ρ€ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΎ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ сСбя Π² высокочастотных устройствах. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, использованиС транзистора Π² Π±Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ цСлСсообразно Π½Π° Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ производствС для сниТСния ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ количСства ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ….

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ биполярных транзисторов.

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π² ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ ΠΏΠΎ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ· Ρ‚Ρ€Ρ‘Ρ… схСм – с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром, с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ. Π’ зависимости ΠΎΡ‚ способа ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ элСктричСскиС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ транзистора, Ρ‡Ρ‚ΠΎ опрСдСляСт Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ схСмы Π² ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠΌ случаС.

ΠŸΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ биполярного транзистора с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром достигаСтся максимальноС усилСниС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала. Благодаря этому данная схСма Π² ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… каскадах примСняСтся Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ всСго.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΏΠΎ-Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌΡƒ называСтся эмиттСрным ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ. Π­Ρ‚ΠΎ связано с Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ ΠΈ эмиттСрС ΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ практичСски Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌΠΈ. ΠŸΡ€ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ большоС усилСниС ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, высокоС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΈ совпадСниС Ρ„Π°Π· Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигналов. ВслСдствиС этого эмиттСрныС ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΈ Π±ΡƒΡ„Π΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… усилитСлях.

ΠŸΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Π‘Π’ ΠΏΠΎ схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ отсутствуСт усилСниС ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, Π½ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ оказываСтся усилСниС ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ. ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ способа являСтся ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ΅ влияниС транзистора Π½Π° сигналы высокой частоты. Π­Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ схСму с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ для использования Π² устройствах Π‘Π’Π§.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ биполярных транзисторов:

  1. Максимально допустимый постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°;
  2. МаксимальноС напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ сопротивлСнии Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр;
  3. МаксимальноС напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ Π±Π°Π·Ρ‹, Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ Π½ΡƒΠ»ΡŽ;
  4. МаксимальноС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ эмиттСра, Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ Π½ΡƒΠ»ΡŽ;
  5. Максимально допустимоС постоянноС напряТСниС эмиттСр-Π±Π°Π·Π° ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΌ Π½ΡƒΠ»ΡŽ;
  6. Максимально допустимая постоянная ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, Ρ€Π°ΡΡΠ΅ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π°ΡΡΡ Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅;
  7. БтатичСский коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°;
  8. НапряТСниС насыщСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром;
  9. ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Π’ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ напряТСнии ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΠΎΠΌ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ эмиттСра;
  10. ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСра. Π’ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· эмиттСрный ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ напряТСнии эмиттСр-Π±Π°Π·Π° ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΠΎΠΌ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°;
  11. Граничная частота коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°;
  12. ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ ΡˆΡƒΠΌΠ°;
  13. Π•ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°;
  14. Максимально допустимая Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°.

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром (каскад с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром)

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром β€” это ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, Π³Π΄Π΅ эмиттСр транзистора ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΊΠ°ΠΊ для ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ для ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ наибольшим коэффициСнтом усилСния ΠΏΠΎ мощности, поэтому остаСтся Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ распространСнным Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ для высокочастотных усилитСлСй, систСм GPS, GSM, WiFi. Π’ настоящСС врСмя ΠΎΠ½Π° ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ примСняСтся Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ…ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌ (MAXIM, VISHAY, RF Micro Devices), Π½ΠΎ, Π½Π΅ зная основы Π΅Π΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹, практичСски Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹, ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π² описании микросхСмы. ИмСнно поэтому ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ΅ Π½Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ ΠΈ поискС сотрудников основным Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ являСтся Π·Π½Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΎΠ² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзисторных усилитСлСй с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром.

Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ сигналов, ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠΌ Π±Ρ‹ ΠΎΠ½ Π½Π΅ Π±Ρ‹Π», (ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π°ΡƒΠ΄ΠΈΠΎ, Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΈΠ»ΠΈ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ радиочастоты) прСдставляСт собой Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅Ρ…ΠΏΠΎΠ»ΡŽΡΠ½ΠΈΠΊ, Ρƒ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Π΄Π²Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈ Π΄Π²Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ. Бтруктурная схСма Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ усилитСля ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Π½Π° рисункС 1.

Рисунок 1 Бтруктурная схСма Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ усилитСля

Основной ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ элСмСнт β€” транзистор ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ всСго Ρ‚Ρ€ΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°, поэтому ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² транзистора приходится ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ для ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ источника сигнала (ΠΊΠ°ΠΊ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄) ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ (ΠΊΠ°ΠΊ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄). Π€ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма усилитСля с биполярным транзистором, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠΎ схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Π½Π° рисункС 2.

Рисунок 2 Π€ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзистора с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром

На Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ схСмС ΠΏΡƒΠ½ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Ρ‹ усилитСля, ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π° рисункС 1. На Π½Π΅ΠΉ Π½Π΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ питания транзистора. Π’ настоящСС врСмя схСма с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром практичСски Π½Π΅ примСняСтся Π² Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… усилитСлях, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ Π² схСмах усилитСлСй Ρ‚Π΅Π»Π΅Π²ΠΈΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала, усилитСлях GSM ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… высокочастотных усилитСлях ΠΎΠ½Π° Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅. Для питания транзистора Π² схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Π²Π° источника питания, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ для этого потрСбуСтся Π΄Π²Π° стабилизатора напряТСния. Π’ Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ с Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ это ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΡ‡Π½ΠΎ, поэтому ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ примСняСтся ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ источник питания. Для питания усилитСля с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠΉΡ‚ΠΈ любая ΠΈΠ· рассмотрСнных Π½Π°ΠΌΠΈ схСм:

  • схСма с фиксированным Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π±Π°Π·Ρ‹,
  • схСма с фиксированным напряТСниСм Π½Π° Π±Π°Π·Π΅,
  • схСма с ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ стабилизациСй,
  • схСма с эмиттСрной стабилизациСй.

Рассморим ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ схСмы усилитСля с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром ΠΈ эмиттСрной стабилизациСй Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора. На рисункС 3 ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма каскада Π½Π° биполярном npn-транзисторС, прСдназначСнная для усилСния Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… частот.

Рисунок 3 ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ каскада с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром

РасчСт элСмСнтов Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ схСмы ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Π² ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ «схСма эмиттСрной стабилизации». БСйчас нас Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π΅ΡΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ каскада, собранного ΠΏΠΎ схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром. Π•Π³ΠΎ Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ характСристиками являСтся Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΈ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ мощности. Π’ основном эти характСристики ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ транзистора.

Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС схСмы с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром

Π’ схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС транзистора RΠ²Ρ…ΠžΠ­ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎ Π΅Π³ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ характСристикС. Π­Ρ‚Π° характСристика совпадаСт с Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ характСристикой p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°. ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ характСристики ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора (Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ напряТСния UΠ± ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ IΠ±) ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ Π½Π° рисункС 4.

Рисунок 4 Входная характСристика ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора

Как Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ ΠΈΠ· этого рисунка, Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС транзистора RΠ²Ρ…ΠžΠ­ зависит ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ IΠ±0 ΠΈ опрСдСляСтся ΠΏΠΎ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π΅:

(1)

Как ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Ξ”UΠ±0 ΠΈ Ξ”IΠ±0 Π² окрСстностях Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ транзистора Π² схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рисункС 5.

Рисунок 5 ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния схСмы с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром ΠΏΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ характСристикС ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ сопротивлСния ΠΏΠΎ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π΅ (1) являСтся Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ способом опрСдСлСния Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния. Однако ΠΏΡ€ΠΈ расчСтС усилитСля ΠΌΡ‹ Π½Π΅ всСгда ΠΈΠΌΠ΅Π΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ΄ Ρ€ΡƒΠΊΠΎΠΉ транзисторы, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅ΠΌ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ, поэтому Π±Ρ‹Π»ΠΎ Π±Ρ‹ Π½Π΅ΠΏΠ»ΠΎΡ…ΠΎ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС аналитичСским способом. Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½Π°Ρ характСристика p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΎ аппроксимируСтся ΡΠΊΡΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠ΅ΠΉ.

(2)

Π³Π΄Π΅ IΠ± β€” Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ Π² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅;
Uбэ β€” напряТСниС Π±Π°Π·Ρ‹ Π² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅;
Is β€” ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° эмиттСр-Π±Π°Π·Π°;

β€” Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»;
k β€” постоянная Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡ†ΠΌΠ°Π½Π°;
q β€” заряд элСктрона;
T β€” Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°, выраТСнная Π² градусах КСльвина.

Π’ этом Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ коэффициСнтом, Π½ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ экспонСнту, являСтся Ρ‚ΠΎΠΊ Is, поэтому Ρ‡Π΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Π΅Π΅ ΠΎΠ½ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½, Ρ‚Π΅ΠΌ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ совпадСниС Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΈ аппроксимированной Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… характСристик транзистора. Если Π² Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ (2) ΠΏΡ€Π΅Π½Π΅Π±Ρ€Π΅Ρ‡ΡŒ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π΅ΠΉ, Ρ‚ΠΎ напряТСниС Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ транзистора ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²Ρ‹Ρ‡ΠΈΡΠ»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π΅:

(3)

Из выраТСния (1) Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС являСтся ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ напряТСния Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ транзистора ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ. ΠŸΡ€ΠΎΠ΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌ Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ (3), Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС схСмы с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π΅:

(4)

Однако Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊ Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ характСристики транзистора, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎ схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром, отличаСтся ΠΎΡ‚ ΡΠΊΡΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ. Π­Ρ‚ΠΎ связано с Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ омичСскоС сопротивлСниС ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° Π² Π±Π°Π·Π΅ транзистора Π½Π΅ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ Π½ΡƒΠ»ΡŽ, поэтому ΠΏΡ€ΠΈ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Ρ… транзистора Π² схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром Π΅Π΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡΡ‚Ρ€Π΅ΠΌΠΈΡ‚ΡŒΡΡ ΠΊ омичСскому ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ Π±Π°Π·Ρ‹ rбб’.

Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ схСмы с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС транзистора, Π½ΠΎ ΠΈ ΠΏΠΎ всСм рСзисторам Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ формирования напряТСния Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ транзистора. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС схСмы с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром опрСдСляСтся ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ соСдинСниС всСх этих сопротивлСний. ΠŸΡƒΡ‚ΠΈ протСкания Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΠΎ схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ Π½Π° рисункС 6.

Рисунок 6 ΠŸΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ цСпям схСмы с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром

Π—Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅ вСсти Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ· Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ схСмы ΠΏΠΎ эквивалСнтной схСмС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ, Π³Π΄Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Ρ‚Π΅ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ, ΠΏΠΎ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΎΡ‚ источника сигнала. ЭквивалСнтная схСма Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ схСмы с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Π½Π° рисункС 7.

Рисунок 7 ЭквивалСнтная схСма Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ схСмы с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром

Данная схСма построСна для срСдних частот с ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ эквивалСнтной схСмы транзистора. На срСдних частотах входная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ транзистора Π½Π΅ ΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ влияния, поэтому ΠΌΡ‹ Π΅Π΅ Π½Π΅ ΠΎΡ‚ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ°Π΅ΠΌ Π½Π° эквивалСнтной схСмС. Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ кондСнсатора C3 Π½Π° срСдних частотах Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎ ΠΊ Π½ΡƒΠ»ΡŽ, поэтому Π½Π° схСмС Π½Π΅Ρ‚ элСмСнтов R4C3. Π­Π»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹ RΠ²Ρ‹Ρ… ΠΈ h21Γ—iΠ²Ρ… Π½Π΅ Π²Π»ΠΈΡΡŽΡ‚ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ ΠΈ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Ρ‹ Π½Π° схСмС для отобраТСния ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… свойств транзистора.

И, Π½Π°ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ†, ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ Π·Π°ΠΏΠΈΡΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Ρƒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния схСмы с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром:

(5)

ПослС изготовлСния усилитСля, рассчитанного ΠΏΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΊΠ°ΠΌ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС схСмы с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром. Для измСрСния Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ схСму измСрСния Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния усилитСля, ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π½ΡƒΡŽ Π½Π° рисункС 8. Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ схСмС для измСрСния Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΈ Π΄Π²Π° высокочастотных Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²ΠΎΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ ΠΈ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Π²Π° измСрСния).

Рисунок 8 Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° измСрСния Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ каскада

Π’ случаС, Ссли сопротивлСниС RΠΈ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ усилитСля, напряТСниС, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°ΠΆΠ΅Ρ‚ Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° V2, Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π² Π΄Π²Π° Ρ€Π°Π·Π° мСньшС напряТСния V1. Π’ случаС, Ссли Π½Π΅Ρ‚ возмоТности ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ сопротивлСниС RΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния, Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС усилитСля ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²Ρ‹Ρ‡ΠΈΡΠ»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π΅:

(6)

Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС схСмы с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром

Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС транзистора зависит ΠΎΡ‚ конструктивных особСнностСй транзистора, Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρ‹ Π΅Π³ΠΎ Π±Π°Π·Ρ‹, объСмного сопротивлСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС транзистора, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎ схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ характСристикам транзистора. ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… характСристик транзистора ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ Π½Π° рисункС 9.

Рисунок 9 Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ характСристики ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора

К соТалСнию, Π² характСристиках соврСмСнных транзисторов Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ характСристики ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π½Π΅ приводятся. Бвязано это с Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈΡ… Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС достаточно Π²Π΅Π»ΠΈΠΊΠΎ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС транзисторного каскада с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром опрСдСляСтся сопротивлСниСм Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ. Π’ схСмС, ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π½Π° рисункС 6, это сопротивлСниС рСзистора R3.

Π”Π°Ρ‚Π° послСднСго обновлСния Ρ„Π°ΠΉΠ»Π° 31.05.2018

ΠŸΠΎΠ½Ρ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡΡ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»? ПодСлись с Π΄Ρ€ΡƒΠ·ΡŒΡΠΌΠΈ!

  1. Π¨ΠΈΠ»ΠΎ Π’. Π›. Β«Π›ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Π΅ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ схСмы Π² радиоэлСктронной Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅Β» ΠΏΠΎΠ΄ Ρ€Π΅Π΄. Π•.И. Π“Π°Π»ΡŒΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠ½Π° β€” М.: Β«Π‘ΠΎΠ². Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΒ» 1974
  2. npn транзистор ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния КВ3130
  3. NPN general purpose transistors BC846; BC847; BC848 (ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΡ… транзисторов, извСстных ΠΌΠ½Π΅)
  4. BFQ67 NPN 8 GHz wideband transistor
  5. Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ каскад Π½Π° биполярном транзисторС Π‘Π°Π½ΠΊΡ‚-ΠŸΠ΅Ρ‚Π΅Ρ€Π±ΡƒΡ€Π³ΡΠΊΠΈΠΉ государствСнный унивСрситСт Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΠ½ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΉ ΠΈΠΌ. ΠΏΡ€ΠΎΡ„. М.А. Π‘ΠΎΠ½Ρ‡-Π‘Ρ€ΡƒΠ΅Π²ΠΈΡ‡Π°
  6. Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ° ΠΈ элСктроника Π”Π°Π»ΡŒΠ½Π΅Π²ΠΎΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ государствСнный унивСрситСт ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΉ сообщСния

ВмСстС со ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ΠΉ Β«Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром (каскад с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром)Β» Ρ‡ΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‚:

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ

ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° транзистора ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ: Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзистора

Вранзистор β€” это ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ Π² ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΌ элСктричСском устройствС. Он Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ с элСктричСскими сигналами, Ρ‚.Π΅. способСн Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ, ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ элСктричСскиС сигналы. Вранзисторы Π±Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π΄Π²ΡƒΡ… Π²ΠΈΠ΄ΠΎΠ²: биполярныС ΠΈ униполярныС, ΠΈΠ»ΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈΡ… Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚, ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы. Π”Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ основано Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠ΅ дСйствия ΠΈ конструкции Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»Π΅ΠΉ. ΠšΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΈΠΏ описан Π² этой ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ Π½Π΅ просто Ρ‚Π°ΠΊ β€” это основа для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°.

Π’ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ: биполярныС транзисторы Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² с двумя Ρ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΌΠΈ проводимости: прямой (ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ) ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ (ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ). Π’ зависимости ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΎΠ½ΠΈ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ NPN ΠΈ PNP. ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ эффСкторы, с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ стороны, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ с ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠΌ. Π­Ρ‚ΠΎ Π»ΠΈΠ±ΠΎ N-канальная, Π»ΠΈΠ±ΠΎ P-канальная схСма.

БиполярныС устройства ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ, Π° униполярныС β€” напряТСниСм.

БиполярныС транзисторы ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ Π² Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π΅ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… устройств, Π² Ρ‚ΠΎ врСмя ΠΊΠ°ΠΊ Π² Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… устройствах Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы. Учитывая эти различия, Π΄Π°Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ рассмотрим, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ тСстСра.

ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°

ΠœΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ (тСстСр) β€” это ΡƒΠ½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€. Он рассчитываСт Ρ‚ΠΎΠΊ, напряТСниС, сопротивлСниС ΠΈ Π½Π΅ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. ΠœΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ. Π Π°Π·Π½ΠΈΡ†Π° Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² точности измСрСния ΠΈ способС получСния Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π°: считываниС двиТСния стрСлки ΠΏΠΎ мСханичСским часам (Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅) ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π° экранС (Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΅). Π¦ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅ Π² использовании ΠΏΠΎ ряду ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½, поэтому ΠΎΠ½ΠΈ подходят для ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ с ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ знаниями Π² области элСктроники. НСзависимо ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° тСстСра, ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° транзистора с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° β€” это простой процСсс.

Π‘Π»ΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎ простом: ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор

ΠŸΡ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΡΡ‚ΡƒΠΏΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊ диагностикС транзистора, слСдуСт ΡƒΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ особоС Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ ΠΎΡΠ½Π°Ρ‰Π΅Π½ΠΈΡŽ тСстСра. Π­Ρ‚ΠΎ Π·Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ‚ Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… ΠΌΠΈΠ½ΡƒΡ‚, Π½ΠΎ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ ошибок Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π°Ρ…. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ оснащСн двумя Ρ‰ΡƒΠΏΠ°ΠΌΠΈ. Π§Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ β€” это минус, Π° красный β€” плюс. Π£Π±Π΅Π΄ΠΈΡ‚Π΅ΡΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ Ρ€Π°Π·ΡŠΠ΅ΠΌΡƒ, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π² зависимости ΠΎΡ‚ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ ΠΈ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° тСстСра ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ΅ количСство Ρ‰ΡƒΠΏΠΎΠ². Вранзисторы ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ‚Π΅ΡΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ: Ρ‡Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‰ΡƒΠΏ Π²ΡΡ‚Π°Π²ΡŒΡ‚Π΅ Π² Π³Π½Π΅Π·Π΄ΠΎ, ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ английскими Π±ΡƒΠΊΠ²Π°ΠΌΠΈ COM, красный Ρ‰ΡƒΠΏ Π²ΡΡ‚Π°Π²ΡŒΡ‚Π΅ Π² Π³Π½Π΅Π·Π΄Π°, ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π±ΡƒΠΊΠ²Π°ΠΌΠΈ грСчСского Π°Π»Ρ„Π°Π²ΠΈΡ‚Π°.

Как ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ биполярный транзистор ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ

Π‘ΠΈΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ транзистор β€” это ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для увСличСния мощности Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ элСктричСского сигнала. Π’Π°ΠΊΠΈΠ΅ транзисторы ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ. Он состоит ΠΈΠ· Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… элСмСнтов. ΠŸΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΌ ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… являСтся эмиттСр. Он Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ носитСли заряда. Π Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ являСтся Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ²ΠΈΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠ° ΠΈ Π²Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹ΠΌ элСмСнтом транзистора. Π’Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΠ΅ β€” это основаниС. ИмСнно ΠΎΠ½ обСспСчиваСт напряТСниС.

Как ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор. ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡΠ΅ΠΌ биполярный NPN ΠΈ PNP

ΠŸΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²ΡŒΡ‚Π΅ устройство Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Ρ‹ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ². Они ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹Ρ… направлСниях ΠΈ сходятся Ρƒ основания. Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π²Ρ‹ΡΡΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ, нСисправСн Π»ΠΈ этот Ρ‚ΠΈΠΏ, достаточно провСсти Π΄Π²Π° измСрСния сопротивлСния. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅ Ρ‚ΠΈΠΏ транзистора: p-n-p ΠΈΠ»ΠΈ n-p-n. Рассмотрим ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ n-pn транзистор с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°. Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π°Π»Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΠΌ:

Β 

  • ΠŸΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅ ΠΌΠΈΠ½ΡƒΡΠΎΠ²ΡƒΡŽ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡƒ U ΠΊ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ΅. Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ тСстСр для измСрСния значСния R. УстановитС ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ 2000. Π’Ρ‹ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ «Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Π½Π°Π±ΠΎΡ€Π°», это для Ρ‚Π΅Ρ…, ΠΊΡ‚ΠΎ Ρ…ΠΎΡ‡Π΅Ρ‚ ΡƒΠ·Π½Π°Ρ‚ΡŒ, ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π°Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ транзистор с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°. Какой Π±Ρ‹ способ Π²Ρ‹ Π½ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΡ‡Π»ΠΈ, Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ.
  • Π’ΠΎΠ·ΡŒΠΌΠΈΡ‚Π΅ Ρ‡Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‰ΡƒΠΏ ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π²Π΅Π΄ΠΈΡ‚Π΅ Π΅Π³ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ΅ Π½Π° основании, Π·Π°ΠΊΡ€Π΅ΠΏΠΈΡ‚Π΅ Π΅Π³ΠΎ. ΠšΡ€Π°ΡΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‰ΡƒΠΏ ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Π—Π°Ρ‚Π΅ΠΌ пСрСмСститС Π΅Π³ΠΎ Π½Π° эмиттСр (Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄). Если Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ прямого сопротивлСния находится Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… ΠΎΡ‚ 500 Ом Π΄ΠΎ 1200 Ом, Ρ‚ΠΎ спай исправСн.
  • Π—Π°Ρ‚Π΅ΠΌ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡŒΡ‚Π΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ R-Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€. Для этого поднСситС красный Ρ‰ΡƒΠΏ Π²ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΡƒΡŽ ΠΊ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ΅ ΠΈ зафиксируйтС Π΅Π³ΠΎ. ΠŸΠΎΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄Π½ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Ρ‰Π°ΠΉΡ‚Π΅ Ρ‡Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‰ΡƒΠΏ сначала ΠΊ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, Π° Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ ΠΊ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ΅ эмиттСра. ВСстСр Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ высокоС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅. Если ваш ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€, настроСнный Π½Π° «2000», ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ «1», Ρ‚ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ R большС 2000 Ом. ВысокоС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π½Π° Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзистор находится Π² Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠ΅ΠΌ состоянии.

Β 

Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ для Ρ‚Π΅Ρ…, ΠΊΡ‚ΠΎ ΠΈΡ‰Π΅Ρ‚ способ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°, Π½Π΅ выпаивая Π΅Π³ΠΎ. ΠŸΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΠΌ, Π²Π°ΠΌ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ устройство Π½Π° ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π΅ нСпосрСдствСнно Π² схСмС. Π’ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ случаС, Ссли Π²Ρ‹ ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎ Π·Π°ΡˆΡƒΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚Π΅ p-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΎΠΌΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ рСзисторами. Π­Ρ‚ΠΎ Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ: ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΎΠ±Π° значСния сопротивлСния Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌΠΈ. Π’ этом случаС ΠΎΡ‚ΠΏΠ°ΠΉΠΊΠ° Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΡˆΡ‚ΠΈΡ„Ρ‚Π° являСтся Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹ΠΌ дСйствиСм для дальнСйшСй ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ диагностики. Аналогичным ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ диагностируСтся n-p-n транзистор. ЕдинствСнноС ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ β€” красный, Π° Π½Π΅ Ρ‡Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‰ΡƒΠΏ тСстСра Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π±Π°Π·Ρ‹.

Как ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π΅Ρ‚ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ транзисторов

Π‘ΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ транзисторы, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ для ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ тСстирования ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ, Π±ΡƒΠ΄ΡŒ Ρ‚ΠΎ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Ρ†ΠΈΡ„Π΅Ρ€Π±Π»Π°Ρ‚Π° ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΠΌΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°. Π’Π°ΠΊΠΈΠ΅ Ρ‚Ρ€ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Π² элСктронных ΠΏΡƒΡΠΊΠΎΡ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚Π°Ρ… для ΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΈΠΊΠΎΠ². МодСли Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ MJE13003, 13005, 13007.

Π”Π°Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅ рассмотрим, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ транзисторы 13003 с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°, Π½Π° ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π΅. Π­Ρ‚ΠΎ связано с Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹ΠΌ располоТСниСм Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² транзистора 13003 β€” Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ находится справа. Π’ тСхничСских характСристиках ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ слСва Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²ΠΎ Π² Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ порядкС: Π±Π°Π·Π°, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, эмиттСр. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Π²Ρ‹ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ порядок ΠΈ располоТСниС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΈ ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ описанному Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρƒ.

Ошибки измСрСния Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹Π·Π²Π°Π½Ρ‹ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… транзисторов.

ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΡƒΡŽ структуру тСстируСмого транзистора.

Как ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ

Π­Ρ‚ΠΎ устройство приводится Π² дСйствиС элСктричСским ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΌ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ создаСт напряТСниС. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ΄Π½ΠΎ ΠΈΠ· Π³Π»Π°Π²Π½Ρ‹Ρ… ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΉ ΠΎΡ‚ биполярного ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ. УниполярныС транзисторы дСлятся Π½Π° Π΄Π²Π° Ρ‚ΠΈΠΏΠ°. ΠŸΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Π²ΠΎΡ€ΠΎΡ‚Π°. Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ p-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹. НСзависимо ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, ΠΎΠ½ΠΈ Π±Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ n-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ p-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ. Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ‚Ρ€ΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°: исток, сток ΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€. По ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с биполярным, ΠΎΠ½ΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Ρƒ, ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ ΠΈ Π‘Π°Π·Π΅.

Π’ качСствС основы для тСстирования ΠΌΡ‹ Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ устройство Ρ‚ΠΈΠΏΠ° p-n. НСзависимо ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° (n, p), ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π΅ измСнится. ЕдинствСнноС Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Π·ΠΎΠ½Π΄ΠΎΠ². Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, для диагностики n-канального устройства Π½Π°ΠΌ потрСбуСтся:

Β 

  • УстановитС ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ «R-ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅». Π£Ρ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ 2000. ΠŸΡ€ΠΈΠΊΡ€Π΅ΠΏΠΈΡ‚Π΅ плюсовой Ρ‰ΡƒΠΏ ΠΊ источнику. ΠŸΡ€ΠΈΠΊΡ€Π΅ΠΏΠΈΡ‚Π΅ Ρ‡Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊ сливу. Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΡŒΡ‚Π΅ сопротивлСниС. Π—Π°Ρ‚Π΅ΠΌ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π·ΠΎΠ½Π΄ΠΎΠ². Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΡŒΡ‚Π΅ Π΅Ρ‰Π΅ Ρ€Π°Π·. Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ с Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ транзистором Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ.
  • Π”Π°Π»Π΅Π΅ ΠΌΡ‹ тСстируСм ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ источник-Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€. Для этого Π½Π° ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π΅ устанавливаСм Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ «Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΉ тСст». Плюс ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΊ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Ρƒ, Π° минус β€” ΠΊ источнику. ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ рСгистрируСт ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ U ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 650 ΠΌΠ’. ΠžΡ‚ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‚Π΅ Ρ‰ΡƒΠΏΡ‹ ΠΈ пСрСмСститС Ρ‡Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‰ΡƒΠΏ ΠΊ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Ρƒ, Π° красный β€” ΠΊ источнику. ВСстСр Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρƒ ΠΈΠ»ΠΈ Π±Π΅ΡΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. Π­Ρ‚ΠΎ ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π½Π° Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзистор находится Π² Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠ΅ΠΌ состоянии.
  • Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ сток-Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€, ΠΎΡΡ‚Π°Π²ΡŒΡ‚Π΅ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ². Π’Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅ Ρ‚Ρƒ ΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅Π΄ΡƒΡ€Ρƒ для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ p-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€-исток.

Β 

Если всС Ρ‚Ρ€ΠΈ измСрСния ΡΠΎΠ²ΠΏΠ°Π΄Π°ΡŽΡ‚ с описанными Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ² ΠΊ использованию.

Каково ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзистора Π² элСктроникС?

ΠΎΡ‚ Veerendra

Каково ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзистора Π² элСктроникС?

Вранзисторы:

  1. Вранзистор прСдставляСт собой элСктронноС устройство с трСмя Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ, ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ Π±Π°Π·Π° , ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈ эмиттСр .
  2. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ΅ элСктронноС устройство, Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‰Π΅Π΅ мноТСство Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΉ, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ, ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, стабилизатор напряТСния ΠΈ модулятор сигнала.
  3. Вранзисторы ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ соСдинСния ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² p-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°.

Π’ΠΈΠΏΡ‹ ΠΈ обозначСния транзисторов
  1. БущСствуСт Π΄Π²Π° Ρ‚ΠΈΠΏΠ° транзисторов: npn-транзистор ΠΈ pnp-транзистор.
  2. Вранзистор npn состоит ΠΈΠ· tljin слоя ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° p-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ двумя слоями ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°. Π’ транзисторС npn ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, ΠΈ эмиттСр ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΈ n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, Π° Π±Π°Π·Π° β€” ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ p-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°.
  3. Вранзистор pnp состоит ΠΈΠ· Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠ³ΠΎ слоя ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ двумя слоями ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² p-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°. Π’ транзисторС p-n-p ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, ΠΈ эмиттСр ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΈ p-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, Π° Π±Π°Π·Π° β€” ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°.
  4. На рисункС ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ символы для Π΄Π²ΡƒΡ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² транзисторов: транзистора npn ΠΈ транзистора pnp.
  5. Π‘Ρ‚Ρ€Π΅Π»ΠΊΠ° Π² ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΌ символС ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π’ транзисторС npn Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ C ΠΊ E, Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΊΠ°ΠΊ Π² транзисторС pnp Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ E ΠΊ C.

Π›ΡŽΠ΄ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΡΠΏΡ€Π°ΡˆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚

  • Как ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ транзистор Π² качСствС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ?
  • ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠ΅ свСдСния ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°Ρ…
  • Π§Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄Ρ€Π°Π·ΡƒΠΌΠ΅Π²Π°Π΅Ρ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ исправлСниСм?
  • Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹ΠΏΡ€ΡΠΌΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ?
  • Для Ρ‡Π΅Π³ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π΄Π²ΡƒΡ…ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹ΠΏΡ€ΡΠΌΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ?
  • Π§Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄Ρ€Π°Π·ΡƒΠΌΠ΅Π²Π°Π΅Ρ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ логичСскими вСнтилями?
  • Π§Ρ‚ΠΎ подразумСваСтся ΠΏΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ логичСскими схСмами?

Какова основная функция транзистора?
  1. Вранзистор Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ, Ссли ΠΊ Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ эмиттСра. Говорят, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзистор Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚. На рисункС Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° транзистор Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½, Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π΅Π³ΠΎ Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ, поэтому Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠ° Π½Π΅ загораСтся.
  2. Если ΠΊ Π±Π°Π·Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π΅Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΡƒΡŽ Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΡŽ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рисункС, для прямого смСщСния ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π±Π°Π·Π°-эмиттСр Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π±Π°Π·Ρƒ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ нСбольшой Ρ‚ΠΎΠΊ. Π­Ρ‚ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ транзистор. Вранзистор ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΈ позволяСт Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠ΅ΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Ρ‚Π΅Ρ‡ΡŒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π΅Π³ΠΎ ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ эмиттСру. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠ° Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ‚.
  3. ПовСдСниС транзистора, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π° рисункС Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π΅Π·ΡŽΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ:
    (a) Если Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр присутствуСт нСбольшой Ρ‚ΠΎΠΊ, транзистор Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ элСктричСство.
    (b) НСбольшой Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр позволяСт Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠ΅ΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр.
  4. Π­Ρ‚ΠΈ Π΄Π²Π΅ характСристики ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзистор ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² качСствС усилитСля Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ управлСния.

Как Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ транзистор Π² качСствС усилитСля?

Вранзистор Π² качСствС усилитСля Ρ‚ΠΎΠΊΠ°:

  1. Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΠ΅ ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠ΅ Π½Π° рисункС, состоит ΠΈΠ· схСм усилитСля, состоящих ΠΈΠ· транзисторов. Ѐункция схСмы усилитСля состоит Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ нСбольшой постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ. напряТСниС (сигнал).
  2. Вранзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, позволяя ΠΌΠ°Π»Π΅Π½ΡŒΠΊΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ большим Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ. Π’Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, I C , Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΡƒΡŽ ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ опрСдСляСтся Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π±Π°Π·Ρ‹, I Π‘ .
  3. На рисункС ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° простая схСма усилитСля, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΠ°Ρ для дСмонстрации усилСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ измСрСния I B Β ΠΈ I C .
  4. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ рСзистор R ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для управлСния Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ эмиттСра I B . Π’ΠΎΠΊ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° I C Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°ΡŽΡ‚ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°.
  5. Π’ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊ зависимости I C ΠΎΡ‚ I B , ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π½Π° рисункС, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ для получСния коэффициСнта усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ для транзистора, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ Π² схСмС. ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ нСбольшоС ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΎΠΌΡƒ измСнСнию Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.
  6. Π’Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅Π΅ усилСниС ΠΈΠ»ΠΈ усилСниС ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎ Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΡƒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ:

Вранзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ЭкспСримСнт

ЦСль: ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ транзистор, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.
ΠœΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹: Вранзистор, рСзисторы 2,2 кОм, 3,9 кОм, 4,7 кОм, 6,8 кОм, 8,2 кОм ΠΈ 10,0 кОм, ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π°, сухиС элСмСнты
Аппаратура: ΠœΠΈΠ»Π»ΠΈΠ°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ с Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ΠΎΠΌ 0–1 мА ΠΈ 0–100 ΠΌ0 900 Π’Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅:Β  Π£Π±Π΅Π΄ΠΈΡ‚Π΅ΡΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡ‹ транзистора ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ²Ρ€Π΅Π΄ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор.
ΠœΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄:

  1. ЭлСктричСская схСма устроСна, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рисункС.
  2. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ S 1 , Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚. Π Π΅Π³ΠΈΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ показания Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ I b Π½Π° ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π΅ A 1 ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° I c Π½Π° ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π΅ A 2 .
  3. Π¨Π°Π³ 2 повторяСтся с ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ S 1 Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚, Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ S 2 Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚. Показания Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² Π·Π°ΠΏΠΈΡΡ‹Π²Π°ΡŽΡ‚.
  4. Оба ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ S 1 ΠΈ S 2 Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹. Показания Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² Π·Π°ΠΏΠΈΡΡ‹Π²Π°ΡŽΡ‚.
  5. Π¨Π°Π³ 4 повторяСтся ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‹ рСзистора 10,0 кОм Π² Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ рСзисторами 8,2 кОм, 6,8 кОм, 4,7 кОм, 3,9 кОм ΠΈ 2,2 кОм. ВсС показания Π·Π°ΠΏΠΈΡΡ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ.
  6. ΠŸΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΅Π½ Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊ зависимости I c ΠΎΡ‚ I b .

Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹:

  1. S 1 Β Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚, S 2 Β Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚:
    I b  = 0,08 мА, I мА c
  2. S 1 Β Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚, S 2 Β Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚:
    I b  = 0 мА, I c  = 0 мА
  3. Оба S 1 ΠΈ S 2 Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹:
  4. На рисункС ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊ зависимости I c ΠΎΡ‚ I b .

ΠžΠ±ΡΡƒΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅:

  1. Когда ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ S 1 Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚, ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ A 1 Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π½Π΅Π½ΡƒΠ»Π΅Π²ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΈΠ΅ для I b . ΠœΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Ρ‚Π΅ΠΌ ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ A 2 Π΄Π°Π΅Ρ‚ показания для I c , Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹Π΅ Π½ΡƒΠ»ΡŽ. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ.
  2. Когда ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ S 1 Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚, Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ S 2 Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚, ΠΎΠ±Π° ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° A 1Β  ΠΈ A 2Β  Π΄Π°ΡŽΡ‚ Π½ΡƒΠ»Π΅Π²ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° отсутствуСт.
  3. Когда Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ I b  увСличиваСтся, Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° I c увСличиваСтся.
  4. Π“Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ° прСдставляСт Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅Π΅ усилСниС.
  5. Вранзистор усиливаСт Ρ‚ΠΎΠΊ Π·Π° счСт увСличСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹. НСбольшоС ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹, I b , ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΎΠΌΡƒ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, I c .

Π”Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ²

  1. Как ΡƒΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΡΡŒ Ρ€Π°Π½Π΅Π΅, Ссли Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр Π΅ΡΡ‚ΡŒ нСбольшой Ρ‚ΠΎΠΊ, транзистор Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ элСктричСство.
  2. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, транзистор ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ, измСняя напряТСниС, ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ΅ Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Ρ‹.
  3. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΠ² ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π΄Π²Π° рСзистора ΠΊ основному аккумулятору. Π­Ρ‚ΠΎ называСтся Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Π° .
  4. Π”Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Π° Π² транзисторной схСмС ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ Π½Π° рис.
  5. НапряТСния ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ:

Вранзистор ЧислСнныС Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ΠΈ ΠΈ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ
  1. На рисункС ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊ зависимости I cΒ  ΠΎΡ‚ I b .

    Π Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ.
    РСшСниС:
  2. На рисункС ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° схСма транзистора.

    (a) Какова функция Π΄Π²ΡƒΡ… рСзисторов?
    (Π±) НайдитС напряТСниС Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ транзистора.
    (c) НайдитС Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅Π΅ усилСниС.
    РСшСниС:

Π ΡƒΠ±Ρ€ΠΈΠΊΠΈ: Π€ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠ° Π‘ Ρ‚Π΅Π³Π°ΠΌΠΈ: функция транзистора, Как Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ транзистор Π² качСствС усилитСля?, Как Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ транзистор, транзистор, Вранзистор Π² качСствС усилитСля Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, транзистор Π² качСствС усилитСля, транзистор Π² качСствС усилитСля, транзистор Π² качСствС ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ усилитСля, Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ транзисторов ΠΈ символы, транзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ транзисторов, использованиС транзисторов, ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠ²Π° основная функция транзистора?, ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΎ использованиС транзистора Π² элСктроникС?

Π—Π°Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ транзистор? -Dummies

BY: Cathleen Shamieh ΠΈ

ΠžΠ±Π½ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Ρ‹: 08-29-2016

Из ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ: Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ° для Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΉ для Dummies

Electronics For Kids For Dummies 9039

33333. Appletorore Book
для Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΉ. Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ½ΡΡ‚ΡŒ, насколько Π²Π°ΠΆΠ΅Π½ транзистор Π² схСмС, ΠΏΠΎΠ΄ΡƒΠΌΠ°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΎ схСмС, которая измСняСт врСмя диммирования свСтодиода. Π­Ρ‚Π° схСма состоит ΠΈΠ· рСзистора ΠΈ кондСнсатора, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈΠ³Π»ΡƒΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ свСт ΠΎΡ‚ свСтодиода Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ прСдсказуСмого ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π»Π° Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ. Но Ρ‡Π΅ΠΌ большС Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π», Ρ‚Π΅ΠΌ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ ярко свСтится свСтодиод β€” Π΅Ρ‰Π΅ Π΄ΠΎ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ½ погаснСт ΠΏΡ€ΠΈ разрядкС кондСнсатора!

Π—Π½Π°Π΅Ρ‚Π΅ Π»ΠΈ Π²Ρ‹, ΠΏΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ свСтодиод свСтится ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ ярко ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ диммирования? ΠžΡ‚Π²Π΅Ρ‚ Π² постоянной Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ RC.

ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΡΠ½Π½Π°Ρ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ RC опрСдСляСт, сколько Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ трСбуСтся кондСнсатору для разрядки, Ρ‡Ρ‚ΠΎ, Π² свою ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ, опрСдСляСт, сколько Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ трСбуСтся для ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ яркости свСтодиода. Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ врСмя диммирования, Π²Ρ‹ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚Π΅ Π»ΠΈΠ±ΠΎ сопротивлСниС (R), Π»ΠΈΠ±ΠΎ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ (C), Ρ‚Π°ΠΊ Ρ‡Ρ‚ΠΎ постоянная Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ RC большС. Но большиС кондСнсаторы Ρ‚Ρ€ΡƒΠ΄Π½ΠΎ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ (ΠΈ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π½Π΅ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΡ‡Π½ΠΎ), поэтому ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ сопротивлСния β€” Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠΉ способ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ врСмя диммирования.

Π£Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ сопротивлСния ΡƒΡΠΏΠ΅ΡˆΠ½ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΡΡ‚ΠΎΡΠ½Π½ΡƒΡŽ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ RC, Π½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ослабляСт Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· свСтодиод. (ΠŸΠΎΠΌΠ½ΠΈΡ‚Π΅, большСС сопротивлСниС ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ мСньший Ρ‚ΠΎΠΊ.) β€‹β€‹ΠžΡ‡Π΅Π½ΡŒ большоС сопротивлСниС Π½Π°ΡΡ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ свСтодиод Π½Π΅ свСтится ярко ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ.

Π§Ρ‚ΠΎ, Ссли Π²Ρ‹ Ρ…ΠΎΡ‚ΠΈΡ‚Π΅, скаТСм, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ свСт Π½Π°Π΄ сцСной, Π° Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ ΠΌΠ΅Π΄Π»Π΅Π½Π½ΠΎ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ свСт, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° открываСтся занавСс? Или Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠ»Π°Ρ„ΠΎΠ½ Π² машинС вашСй сСмьи, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π²Ρ‹ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚Π΅ Π΄Π²Π΅Ρ€ΡŒ автомобиля, ΠΈ ΠΌΠ΅Π΄Π»Π΅Π½Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ³Π»ΡƒΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ свСт, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π²Ρ‹ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚Π΅ Π΄Π²Π΅Ρ€ΡŒ автомобиля? Π’ΠΎΡ‚ Ρ„Π°ΠΊΡ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ большоС сопротивлСниС создаСт слабый Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠΎΠΉ: Π»Π°ΠΌΠΏΡ‹ Π½ΠΈΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ярко ΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ β€” Π΄Π°ΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ!

ИспользованиС транзистора для усилСния слабого Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ€Π΅ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡƒ. ΠŸΠΎΠΌΠ΅ΡΡ‚ΠΈΠ² транзистор ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ рСзистор-кондСнсатор ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ свСтодиод-рСзистор, Π²Ρ‹, ΠΏΠΎ сути, ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊ, Ρ‚Π°ΠΊ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π»Π°ΠΌΠΏΡ‹ ярко свСтятся ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ!

Π­Ρ‚ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ: Π²Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π΅Ρ‚Π΅ слабый Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΈΠ΄ΡƒΡ‰ΠΈΠΉ ΠΎΡ‚ рСзисторно-кондСнсаторной части схСмы, Π² Π±Π°Π·Ρƒ транзистора. Π’Ρ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚Π΅ этот слабый Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ для управлСния Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ эмиттСру, ΠΈ Π²Ρ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚Π΅ этот Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ для питания свСтодиодов, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ½ΠΈ ярко ΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΈΠ»ΠΈΡΡŒ (Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΏΠΎΡ‚ΡƒΡΠΊΠ½Π΅ΡŽΡ‚).

На этой Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π΅ ΠΈΠ·Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½ ваш ΠΏΠ»Π°Π½ Π°Ρ‚Π°ΠΊΠΈ для этого ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚Π°. ПолСзно Π²ΠΈΠ·ΡƒΠ°Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ происходит с Π±Π»ΠΎΠΊ-схСмой , ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π²Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡΡ‚ΡŒ ΠΎΠ±Ρ‰ΡƒΡŽ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½Ρƒ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π°Ρ‡Π½Π΅Ρ‚Π΅ Π²ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ Π² ΠΌΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚Π½ΡƒΡŽ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρƒ.

Π‘Π»ΠΎΠΊ-схСма транзистора Π² дСйствии.

Π­Ρ‚Π° ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡ взята ΠΈΠ· ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ:

  • Electronics For Kids For Dummies,

Об Π°Π²Ρ‚ΠΎΡ€Π΅ ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ:

ΠšΡΡ‚Π»ΠΈΠ½ Π¨Π°ΠΌΠΈ β€” ΠΈΠ½ΠΆΠ΅Π½Π΅Ρ€-элСктрик ΠΈ ΠΏΠΈΡΠ°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ, ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉΡΡ Π½Π° высоких тСхнологиях, с ΠΎΠ±ΡˆΠΈΡ€Π½Ρ‹ΠΌ ΠΎΠΏΡ‹Ρ‚ΠΎΠΌ проСктирования ΠΈ ΠΊΠΎΠ½ΡΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ Π² области мСдицинская элСктроника, ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° Ρ€Π΅Ρ‡ΠΈ ΠΈ Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΠ½ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ.

Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *