НазначСниС транзисторов. Вранзисторы: ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹, Π²ΠΈΠ΄Ρ‹ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² соврСмСнной элСктроникС

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ транзистор ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ½ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚. КакиС Π±Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π²ΠΈΠ΄Ρ‹ транзисторов. Π“Π΄Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ транзисторы Π² соврСмСнной элСктроникС. Как транзисторы ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΠΈΠ»ΠΈ ΠΌΠΈΡ€ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ.

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ транзистор ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ½ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚

Вранзистор — это ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ элСктронный ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ с трСмя Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ элСктричСскиС сигналы. Он состоит ΠΈΠ· ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ², ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ крСмния, с ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ свойствами (p-Ρ‚ΠΈΠΏ ΠΈ n-Ρ‚ΠΈΠΏ).

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ части транзистора:

  • Π‘Π°Π·Π°
  • ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€
  • Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ. Когда Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ Π½Π΅ подаСтся Ρ‚ΠΎΠΊ, транзистор Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ транзистор открываСтся, позволяя Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ Π²ΠΈΠ΄Ρ‹ транзисторов

БущСствуСт Π΄Π²Π° основных Ρ‚ΠΈΠΏΠ° транзисторов:

1. БиполярныС транзисторы (BJT)

Π’ биполярных транзисторах ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ носитСли заряда Π΄Π²ΡƒΡ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² — элСктроны ΠΈ «Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ». Они Π±Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π΄Π²ΡƒΡ… Π²ΠΈΠ΄ΠΎΠ²:


  • NPN-транзисторы — Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΊ эмиттСру
  • PNP-транзисторы — Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ эмиттСра ΠΊ Π±Π°Π·Π΅

2. ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы (FET)

ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ элСктричСским ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΌ. Π˜Ρ… основныС Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹:

  • MOSFET (ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»-оксид-ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ)
  • JFET (ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор с ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ)

ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ‚Ρ€ΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°: Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€, исток ΠΈ сток. Π’ΠΎΠΊ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ истоком ΠΈ стоком рСгулируСтся напряТСниСм Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅.

ΠšΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Π΅ характСристики транзисторов

ΠŸΡ€ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π΅ транзистора для ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ примСнСния Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹:

  • МаксимальноС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр (VCE)
  • ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (IC)
  • ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ (hFE)
  • Максимальная рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ
  • Граничная частота усилСния
  • Входная ΠΈ выходная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ

Π­Ρ‚ΠΈ характСристики ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ возмоТности транзистора ΠΏΠΎ ΡƒΡΠΈΠ»Π΅Π½ΠΈΡŽ сигналов, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Π½Π° высоких частотах.

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзисторов Π² соврСмСнной элСктроникС

Вранзисторы ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°ΠΌΠΈ практичСски всСх соврСмСнных элСктронных устройств. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ области ΠΈΡ… примСнСния:


1. ΠšΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ°

Π’ соврСмСнных процСссорах ΠΈ микросхСмах памяти содСрТатся ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ°Ρ€Π΄Ρ‹ транзисторов. Они Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‚ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… логичСских элСмСнтов, позволяя Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ слоТныС Π²Ρ‹Ρ‡ΠΈΡΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ.

2. УсилитСли Π·Π²ΡƒΠΊΠ° ΠΈ Π²ΠΈΠ΄Π΅ΠΎ

Вранзисторы ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π² Π°ΡƒΠ΄ΠΈΠΎ- ΠΈ Π²ΠΈΠ΄Π΅ΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ΅ для усилСния сигналов. Они ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ усилитСли для Π΄ΠΎΠΌΠ°ΡˆΠ½ΠΈΡ… ΠΊΠΈΠ½ΠΎΡ‚Π΅Π°Ρ‚Ρ€ΠΎΠ², Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… аудиосистСм, ΠΏΡ€ΠΎΡ„Π΅ΡΡΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ оборудования.

3. Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠΈ питания

Π’ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… Π±Π»ΠΎΠΊΠ°Ρ… питания транзисторы Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‚ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ высокочастотных ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅ΠΉ, обСспСчивая эффСктивноС ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ напряТСния. Π­Ρ‚ΠΎ позволяСт ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ ΠΈ экономичныС источники питания для Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ элСктроники.

4. ΠœΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ устройства

Π’ смартфонах, ΠΏΠ»Π°Π½ΡˆΠ΅Ρ‚Π°Ρ… ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ элСктроникС транзисторы ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² схСмах управлСния ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ, радиочастотных Π±Π»ΠΎΠΊΠ°Ρ…, усилитСлях Π·Π²ΡƒΠΊΠ°. Π˜Ρ… ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠ°Ρ‚ΡŽΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΎΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΡ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ устройства.

ΠŸΡ€Π΅ΠΈΠΌΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π° транзисторов ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ элСктронными Π»Π°ΠΌΠΏΠ°ΠΌΠΈ

Вранзисторы ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²Π΅Π»ΠΈ Ρ€Π΅Π²ΠΎΠ»ΡŽΡ†ΠΈΡŽ Π² элСктроникС, Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΠ² Π³Ρ€ΠΎΠΌΠΎΠ·Π΄ΠΊΠΈΠ΅ ΠΈ энСргоСмкиС элСктронныС Π»Π°ΠΌΠΏΡ‹. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ прСимущСства транзисторов:


  • ΠšΠΎΠΌΠΏΠ°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ ΠΈ ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΉ вСс
  • НизкоС энСргопотрСблСниС
  • ΠžΡ‚ΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΠΈΠ΅ нСобходимости Π² Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Π΅
  • Π”ΠΎΠ»Π³ΠΈΠΉ срок слуТбы
  • ΠœΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠ°Ρ ΠΏΡ€ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ
  • Низкая ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ массового производства

Π­Ρ‚ΠΈ прСимущСства ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΠ»ΠΈ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Ρ‚ΡŒ мноТСство ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Ρ… элСктронных устройств ΠΈ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ Π³Π°Π±Π°Ρ€ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠΈ.

Π Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ транзисторных Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ

Π‘ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π° изобрСтСния Π² 1947 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ транзисторы ΠΏΡ€ΠΎΡˆΠ»ΠΈ ΠΎΠ³Ρ€ΠΎΠΌΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡƒΡ‚ΡŒ развития. ΠšΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Π΅ этапы:

  • 1954 Π³. — Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΎ массового производства транзисторов
  • 1958 Π³. — созданиС ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ схСмы Π½Π° основС транзисторов
  • 1960-Π΅ — Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Π° элСктронных Π»Π°ΠΌΠΏ транзисторами Π² Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π΅ устройств
  • 1970-Π΅ — появлСниС микропроцСссоров Π½Π° основС транзисторов
  • 2000-Π΅ — освоСниС 45-Π½ΠΌ, 32-Π½ΠΌ ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΡ… тСхпроцСссов производства транзисторов

БСгодня Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ транзисторов ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π°ΠΌΠΈ Π½Π°Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ², Π° ΠΈΡ… количСство Π² соврСмСнных процСссорах достигаСт дСсятков ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ°Ρ€Π΄ΠΎΠ².

ΠŸΠ΅Ρ€ΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Ρ‹ развития транзисторных Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ

НСсмотря Π½Π° ΠΊΠΎΠ»ΠΎΡΡΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ прогрСсс, Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ транзисторных Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ продолТаСтся. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ направлСния:


  • Π”Π°Π»ΡŒΠ½Π΅ΠΉΡˆΠ°Ρ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠ°Ρ‚ΡŽΡ€ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΡ транзисторов
  • ΠŸΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ энСргоэффСктивности
  • ОсвоСниС Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² (Π³Ρ€Π°Ρ„Π΅Π½, Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠΈ)
  • Π‘ΠΎΠ·Π΄Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… транзисторов
  • Π Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠΌΠΎΡ€Ρ„Π½Ρ‹Ρ… Π²Ρ‹Ρ‡ΠΈΡΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… систСм Π½Π° основС транзисторов

Π­Ρ‚ΠΈ ΠΈΠ½Π½ΠΎΠ²Π°Ρ†ΠΈΠΈ позволят ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅, экономичныС ΠΈ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ элСктронныС устройства Π² Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‰Π΅ΠΌ.


Вранзистор β€” ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ элСмСнт, устройство. Как транзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚, ΠΈΠ· Ρ‡Π΅Π³ΠΎ состоит, для Ρ‡Π΅Π³ΠΎ Π½ΡƒΠΆΠ΅Π½?

Вранзистор (transistor) – ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ элСмСнт с трСмя Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ (ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ), Π½Π° ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… (ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€) подаётся ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, Π° Π½Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ (Π±Π°Π·Π°) подаётся слабый (ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ). ΠŸΡ€ΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Ρ‘Π½Π½ΠΎΠΉ силС ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΊΠ°ΠΊ Π±Ρ‹ «открываСтся ΠΊΠ»Π°ΠΏΠ°Π½Β» ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ с ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚Π΅Ρ‡ΡŒ Π½Π° Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΠΈΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ (эмиттСр).

Π’ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ транзистор – это своСобразный ΠΊΠ»Π°ΠΏΠ°Π½, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Ρ‘Π½Π½ΠΎΠΉ силС Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ сопротивлСниС ΠΈ пускаСт Ρ‚ΠΎΠΊ дальшС (с ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π½Π° эмиттСр). ΠŸΡ€ΠΎΠΈΡΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ это ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… условиях, Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ элСктрон, Ρ‚Π΅Ρ€ΡΡŽΡ‚ Π΅Π³ΠΎ принимая Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊ ΠΏΠΎ ΠΊΡ€ΡƒΠ³Ρƒ. Если ΠΊ Π±Π°Π·Π΅ Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ»Π°Π³Π°Ρ‚ΡŒ элСктричСский Ρ‚ΠΎΠΊ, Ρ‚ΠΎ транзистор Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π² ΡƒΡ€Π°Π²Π½ΠΎΠ²Π΅ΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌ состоянии ΠΈ Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΏΡƒΡΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π° эмиттСр.

Π’ соврСмСнных элСктронных Ρ‡ΠΈΠΏΠ°Ρ…, количСство транзисторов исчисляСтся ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ°Ρ€Π΄Π°ΠΌΠΈ. Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΠ½ΠΈ прСимущСствСнно для вычислСний ΠΈ состоят ΠΈΠ· слоТных связСй.

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹, прСимущСствСнно примСняСмыС Π² транзисторах это: ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ, арсСнид галлия ΠΈ Π³Π΅Ρ€ΠΌΠ°Π½ΠΈΠΉ. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ транзисторы Π½Π° ΡƒΠ³Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠ°Ρ…, ΠΏΡ€ΠΎΠ·Ρ€Π°Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ для дисплССв LCD ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ (Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ пСрспСктивныС).

Β 

Разновидности транзисторов:

БиполярныС – транзисторы Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… носитСлями зарядов ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ элСктроны, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Β«Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈΒ». Π’ΠΎΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ‚Π΅Ρ‡ΡŒ, ΠΊΠ°ΠΊ Π² сторону эмиттСра, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π² сторону ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Для управлСния ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Ρ‘Π½Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ управлСния.

ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы – распротранёныС устройства Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ элСктричСским ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ происходит посрСдством элСктричСского поля. Π’ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° образуСтся большСС ΠΏΠΎΠ»Π΅ – большС элСктронов Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈΠΌ ΠΈ Π½Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΡŒ заряды дальшС. Π’ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ это своСобразный Π²Π΅Π½Ρ‚ΠΈΠ»ΡŒ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ количСство ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ заряда (Ссли ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор с управляСмым pβ€”nβ€”ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ). ΠžΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… транзисторов ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ высокоС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΈ высокий коэффи­циСнт усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ.

ΠšΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ – транзисторы с совмСщёнными рСзисторами, Π»ΠΈΠ±ΠΎ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ транзисторами Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ корпусС. Π‘Π»ΡƒΠΆΠ°Ρ‚ для Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ†Π΅Π»Π΅ΠΉ, Π½ΠΎ Π² основном для ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ коэффициСнта усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ.

Β 

ΠŸΠΎΠ΄Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹:

Π‘ΠΈΠΎ-транзисторы – основаны Π½Π° биологичСских ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π°Ρ…, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² ΠΌΠ΅Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠ½Π΅, Π±ΠΈΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ΅ Π±Π΅Π· Π²Ρ€Π΅Π΄Π° для ΠΆΠΈΠ²Ρ‹Ρ… ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌΠΎΠ². ΠŸΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠ»ΠΈΡΡŒ исслСдования Π½Π° основС ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΈΠ½ΠΎΠ², Ρ…Π»ΠΎΡ€ΠΎΡ„ΠΈΠ»Π»Π° А (ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ· ΡˆΠΏΠΈΠ½Π°Ρ‚Π°), вируса Ρ‚Π°Π±Π°Ρ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠ·Π°ΠΈΠΊΠΈ.

ΠžΠ΄Π½ΠΎΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ транзисторы – Π²ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Π΅ Π±Ρ‹Π»ΠΈ созданы российскими ΡƒΡ‡Ρ‘Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π² 1996 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ. Могли Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠ½Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ Π² ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡˆΠ΅ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½ΠΈΠΊΠΎΠ². ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ схоТ с ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹ΠΌ транзистором, Π½ΠΎ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΠΉ. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠΌ сигнала являСтся ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ»ΠΈ нСсколько элСктронов. Π”Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ транзистор Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π½Π°Π½ΠΎ- ΠΈ ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ транзистор. Π‘ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ, Π² Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‰Π΅ΠΌ Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ транзисторы с Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ мСньшС 10 Π½ΠΌ, Π½Π° основС Π³Ρ€Π°Ρ„Π΅Π½Π°.

Β 

Для Ρ‡Π΅Π³ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ транзисторы?

Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ транзисторы Π² ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСмах, Π»Π°ΠΌΠΏΠ°Ρ…, элСктродвигатСлях ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°Ρ… Π³Π΄Π΅ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ быстроС ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ силы Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π²ΠΊΠ»Π²Ρ‹ΠΊΠ». Вранзистор ΡƒΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ силу Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΏΠ»Π°Π²Π½ΠΎ, Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡβ€”ΠΏΠ°ΡƒΠ·Π°. Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для ШИМ-управлСния. Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ источник питания, ΠΎΠ½ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π΅Π³ΠΎ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· сСбя, рСгулируя слабым Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ.

Если силы Ρ‚ΠΎΠΊΠ° нСдостаточно для Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ транзистора, Ρ‚ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ нСсколько транзисторов с большСй Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, соСдинённыС каскадным способом.

ΠœΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ транзисторы соСдинённыС Π² ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ»ΠΈ нСсколько корпусов, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… усилитСлях Π½Π° основС ЦАП. Часто ΠΈΠΌ трСбуСтся Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΎΡ…Π»Π°ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅. Π’ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π΅ схСм, ΠΎΠ½ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π° (Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ).

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ транзисторы Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π² систСмах питания, ΠΊΠ°ΠΊ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ…, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… (матСринскиС ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹, Π²ΠΈΠ΄Π΅ΠΎΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Ρ‹, Π±Π»ΠΎΠΊΠΈ питания & etc).

Π¦Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ процСссоры, ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Ρ‘Ρ€Ρ‹ ΠΈ SOC Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ состоят ΠΈΠ· ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ² ΠΈ ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ°Ρ€Π΄ΠΎΠ² транзисторов, соСдинённых Π² ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Ρ‘Π½Π½ΠΎΠΌ порядкС для спСциализированных вычислСний.

КаТдая Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠ° транзисторов, ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Ρ‘Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ΄ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ сигнал ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‘Ρ‚ Π΅Π³ΠΎ дальшС Π½Π° ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΡƒ. ВсС Π²ΠΈΠ΄Ρ‹ ΠžΠ—Π£ ΠΈ ΠŸΠ—Π£ памяти, Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ состоят ΠΈΠ· транзисторов.

ВсС достиТСния микроэлСктроники Π±Ρ‹Π»ΠΈ Π±Ρ‹ практичСски Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ Π±Π΅Π· изобрСтСния ΠΈ использования транзисторов. Π’Ρ€ΡƒΠ΄Π½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ…ΠΎΡ‚ΡŒ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ элСктронный ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ Π±Π΅Π· хотя Π±Ρ‹ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора.

Вранзисторы, Π²ΠΈΠ΄Ρ‹, Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅. ΠšΡƒΠΏΠΈΠΌ транзисторы, ΠΏΠΎ Π£ΠΊΡ€Π°ΠΈΠ½Π΅

Π’ΠΈΠ΄Ρ‹, Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅

Вранзистор прСдставляСт собой ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚Ρ€ΠΈΠΎΠ΄, радиоэлСктронный ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ производят ΠΈΠ· ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ², ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ свойствами. Данная Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΡŒ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π² основном Ρ‚Ρ€ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°. ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ элСктротоком Π² элСктричСской Ρ†Π΅ΠΏΠΈ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал. Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ с Ρ†Π΅Π»ΡŒΡŽ пороТдСния, усилСния, прСобразования, гСнСрирования сигналов элСктричСских. РаньшС Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΡŒ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π»ΠΈ Β«Ρ‚Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠΌΒ», ΠΈ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ спустя Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ врСмя Π΅Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΎΠ²Π°Π»ΠΈ Π² транзистор.

Π‘Π°ΠΌΠΎ понятиС «транзистор» Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ Π² сСбя Π΄Π²Π° слова, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ пСрСвСсти с английского языка, ΠΊΠ°ΠΊ трансфСр – ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ ΠΈ рСзистор – ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»ΡΡ‚ΡŒΡΡ, сопротивлСниС.

Вранзистор прСдставляСт собой Π½Π΅ΠΊΠΈΠΉ монокристалл с трСмя Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ помСщаСтся Π² пластмассовыС ΠΈΠ»ΠΈ мСталличСскиС корпуса, Π² зависимости ΠΎΡ‚ назначСния. ΠšΡ€ΠΈΡΡ‚Π°Π»Π» транзисторный производят ΠΈΠ· ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ². ИзмСняя процСсс ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ кристалла, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π΄ΠΎΠ±ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΎΠ² для измСнСния элСктропроводности.

Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½Ρ‹Π΅ Π»Π°ΠΌΠΏΡ‹ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ² транзистора

Π”ΠΎ Ρ‚Π΅Ρ… ΠΏΠΎΡ€, ΠΏΠΎΠΊΠ° Π½Π΅ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π»ΠΈ транзистор, основным ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠΌ (Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΌ) Π² элСктричСском ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ Π±Ρ‹Π»ΠΈ Π»Π°ΠΌΠΏΡ‹ Π­Π’Π›. Но Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ транзистор ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ большими прСимущСствами ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ Π­Π’Π›, Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΡˆΠ΅Π» Π½Π° смСну этим Π³Π°Π±Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΌ РЭК, Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΠ² Π»Π°ΠΌΠΏΡ‹ Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΌ ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°Ρ….

ΠŸΡ€Π΅ΠΈΠΌΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π° транзистора ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ Π­Π’Π›

  • ΠœΠ°Π»Ρ‹ΠΉ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€, нСбольшой вСс – эти ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ Π² соврСмСнных ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠ°Ρ‚ΡŽΡ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°Ρ…, Π³Π°Π΄ΠΆΠ΅Ρ‚Π°Ρ…, ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ.
  • Π‘Ρ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ транзисторов Π½Π΅Π²Π΅Π»ΠΈΠΊΠ° ΠΈΠ·-Π·Π° высокой Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ изготовлСния, производства.
  • НСвысокоС напряТСниС ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ – это Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ Π² ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠ°Ρ‚ΡŽΡ€Π½Ρ‹Ρ… устройствах, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΎΡ‚ ΠΌΠ°Π»Π΅Π½ΡŒΠΊΠΈΡ… Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅Π΅ΠΊ.
  • НСт нСобходимости Π² Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ нагрСвания ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π° ΠΏΡ€ΠΈ запускС ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°.
  • Π”Π΅Ρ‚Π°Π»ΡŒ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ ΠΏΡ€ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ.
  • Π’ схСмС прСвосходно «уТиваСтся» с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ радиоэлСктронными ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°ΠΌΠΈ.

Π’ΠΈΠ΄Ρ‹ транзисторов

На Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ Π² элСктричСских схСмах ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ биполярный, ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзисторы, Π½ΠΎ распространСниС ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ» биполярный транзистор, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π±Ρ‹Π» создан Ρ€Π°Π½ΡŒΡˆΠ΅, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ.

БиполярныС транзисторы

Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ Π²ΠΈΠ΄Π΅ радиоэлСктронного ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π° Ρ‚ΠΎΠΊ элСктричСский получаСтся ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΠΈ элСктричСского заряда, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π΄Π²ΠΎΠΉΠ½ΡƒΡŽ ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ – поэтому ΠΎΠ½ ΠΈ называСтся биполярным. Π’ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ транзисторС элСктроны пСрСносят ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ заряды, Π° ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π½Π°Π·Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ Β«Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠ°Β». Вранзистор биполярный ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΠΎΡΡ‚ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠ· ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠ· Π³Π΅Ρ€ΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°.

ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы

Π’ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторах элСктричСский Ρ‚ΠΎΠΊ появляСтся ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΠΈ двиТущСйся Β«Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈΒ», элСктрона, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ проходят ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ элСктродом с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ элСктрополя, создаваСмого Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΠΈΠΌ элСктродом.

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзисторов

НаиболСС ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΠΌ Π½Π° сСгодняшний дСнь биполярный транзистор, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ Π² радиоэлСктронном Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠΌ ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ дискрСтных Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ Π² микросхСмах (ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ…, Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Ρ…, Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ…). ΠŸΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ слабыС сигналы Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π² схСмах, Π½Π΅ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ мощности. ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… элСктронных устройств (ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π°, процСссор) ΠΈΠ·-Π·Π° Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ высокой ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈ экономичными свойствами.

ЕстСствСнно, наибольшСй Ρ†Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ транзисторы, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΠ»ΠΈΡΡŒ Π² Π‘Π‘Π‘Π  Π΄ΠΎ 90-Ρ‹Ρ… Π³ΠΎΠ΄ΠΎΠ², Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π² Π½ΠΈΡ… содСрТится большСС количСство Π΄Ρ€Π°Π³ΠΌΠ΅Ρ‚Π° (Π·ΠΎΠ»ΠΎΡ‚ΠΎ, сСрСбро). Π‘ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ транзисторы ΠΈΠ»ΠΈ Π²ΠΎΠΎΠ±Ρ‰Π΅ Π½Π΅ содСрТат Π΄Ρ€Π°Π³ΠΎΡ†Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΎΠ², ΠΈΠ»ΠΈ ΠΆΠ΅ ΠΈΡ… ΡΡ‚ΠΎΠ»ΡŒ минимальноС количСство, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈΠ·Ρ‹ΠΌΠ°Ρ‚ΡŒ Π΄Ρ€Π°Π³ΠΌΠ΅Ρ‚ ΠΈΠ· ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹Ρ… Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»Π΅ΠΉ Π½Π΅Ρ‚ Π²ΠΎΠΎΠ±Ρ‰Π΅ Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ коммСрчСской Π²Ρ‹Π³ΠΎΠ΄Ρ‹.

Наша компания ΠΊΡƒΠΏΠΈΡ‚ транзисторы, Π±Ρ‹Π²ΡˆΠΈΠ΅ Π² ΡƒΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ, производства БовСтского Боюза Π² Π½Π΅ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… количСствах.

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ транзистор ΠΈ для Ρ‡Π΅Π³ΠΎ ΠΎΠ½ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ?

Автор Π”ΠΆΠΎΠ½ Ава-Π°Π±ΡƒΠΎΠ½

Π­Ρ‚ΠΈ ΠΊΡ€ΠΎΡˆΠ΅Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ элСктронныС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ ΠΆΠΈΠ·Π½Π΅Π½Π½ΠΎ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ для устройств, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΡ‹ Π·Π½Π°Π΅ΠΌ ΠΈ любим сСгодня.

Вранзисторы β€” ΠΎΠ΄Π½ΠΎ ΠΈΠ· самых Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π΅Ρ‚Π΅Π½ΠΈΠΉ 20-Π³ΠΎ Π²Π΅ΠΊΠ°. Π’Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ ΠΈΡ… ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ Π² ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΌ элСктронном устройствС, ΠΎΡ‚ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠΎΠ² Π΄ΠΎ Ρ‚Π΅Π»Π΅Π²ΠΈΠ·ΠΎΡ€ΠΎΠ² ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€ΠΎΠ². Но Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ транзистор ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ½ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚?

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ транзистор?

Вранзистор прСдставляСт собой элСктронноС устройство с трСмя Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ усиливаСт ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ элСктронныС сигналы. Π•Π³ΠΎ основными ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°ΠΌΠΈ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π΄Π²Π° ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°, ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ, с ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ свойствами, извСстныС ΠΊΠ°ΠΊ p-Ρ‚ΠΈΠΏ ΠΈ n-Ρ‚ΠΈΠΏ.

Когда Π΄Π²Π° ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‚ΡΡ вмСстС, ΠΎΠ½ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‚ Π±Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€ истощСнного слоя. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ слой дСйствуСт ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ, позволяя элСктричСскому Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ, Π² зависимости ΠΎΡ‚ напряТСния, ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ Π½Π° Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΠΈΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄, извСстный ΠΊΠ°ΠΊ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€.

Вранзисторы ΠΏΡ€ΠΈΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ Π²ΠΎ всСх элСктронных устройствах ΠΈ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°ΠΌΠΈ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСм ΠΈΠ»ΠΈ микросхСм. Π˜Π·ΠΎΠ±Ρ€Π΅Ρ‚Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π² 1947 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ Π”ΠΆΠΎΠ½ΠΎΠΌ Π‘Π°Ρ€Π΄ΠΈΠ½ΠΎΠΌ, Π£ΠΎΠ»Ρ‚Π΅Ρ€ΠΎΠΌ Π‘Ρ€Π°Ρ‚Ρ‚Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΌ ΠΈ Уильямом Π¨ΠΎΠΊΠ»ΠΈ ΠΈΠ· Bell Laboratories, транзисторы ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²Π΅Π»ΠΈ Ρ€Π΅Π²ΠΎΠ»ΡŽΡ†ΠΈΡŽ Π² элСктроникС, сдСлав Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅, Π΄Π΅ΡˆΠ΅Π²Ρ‹Π΅ ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½Ρ‹Π΅ устройства.

Вранзисторы состоят ΠΈΠ· Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… основных частСй:

  • Π‘Π°Π·Π°
  • ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€
  • Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€

Базовая ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ° управляСт ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ двумя Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ°ΠΌΠΈ. ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ собираСт Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΈΠ΄ΡƒΡ‰ΠΈΠΉ ΠΎΡ‚ Π±Π°Π·Ρ‹, Π° эмиттСр ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

Вранзисторы

ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ усилитСли ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ. Вранзистор ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π΅Π³ΠΎ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² качСствС усилитСля. Вранзисторы ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ»ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ использовании Π² качСствС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ.

Как Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ транзистор?

Π Π°Π±ΠΎΡ‚Π° транзистора ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ проста. Когда Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π±Π°Π·Ρƒ, транзистор находится Π² Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ состоянии. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡ‹ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ эмиттСра Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ.

ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡƒ Π±Π°Π·Ρ‹ транзистор ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π²ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ состояниС. Π­Ρ‚ΠΎ позволяСт Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Ρ‚Π΅Ρ‡ΡŒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡ‹ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ эмиттСра. Π’Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· транзистор, зависит ΠΎΡ‚ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹, ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠΉ Π½Π° Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΡƒΡŽ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡƒ.

Π§Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°ΡŽΡ‚ транзисторы? ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзисторов

Вранзисторы

ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… элСктронных устройствах ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠΉ спСктр примСнСния.

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΡ‹ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ памяти

Одним ΠΈΠ· Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ распространСнных ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ транзисторов ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‡ΠΈΠΏΡ‹ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ памяти. Π­Ρ‚ΠΈ Ρ‡ΠΈΠΏΡ‹ хранят ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΡŽ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ элСктричСских зарядов, Π° транзисторы Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΊΡ€ΠΎΡˆΠ΅Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ заряды. Π­Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ ΠΈΡ… ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ для хранСния Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Ρ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ΡŒ мноТСство ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ Π² ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΌ пространствС. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΎΠ½ΠΈ быстрыС, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ для ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€ΠΎΠ², ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ быстро ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ доступ ΠΊ большим объСмам Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ….

ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ

Вранзисторы

часто ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² качСствС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΎΠ½ΠΈ быстро Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ. Π­Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ ΠΈΡ… ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ для Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ, Π³Π΄Π΅ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ с большой Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ элСктричСства.

УсилитСли

Π•Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзисторов β€” усилитСли. УсилитСли Π±Π΅Ρ€ΡƒΡ‚ слабый элСктричСский сигнал ΠΈ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Π΅Π³ΠΎ, дСлая Π΅Π³ΠΎ сильнСС. ΠŸΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ΅ коммСрчСскоС ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзисторов Π±Ρ‹Π»ΠΎ Π² слуховых Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚Π°Ρ… ΠΈ ​​карманных Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠ°Ρ…. БСгодня транзисторы ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π²ΠΎ мноТСствС ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ для усилСния Π·Π²ΡƒΠΊΠ°, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Π² стСрСосистСмах ΠΈ усилитСлях ΠΌΡƒΠ·Ρ‹ΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… инструмСнтов.

Π¦ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ логичСскиС схСмы

Вранзисторы

Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… логичСских схСмах. Π¦ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ логичСскиС схСмы ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ Π±Π»ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ элСктроники, Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Ρ‹ ΠΈ сотовыС Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Ρ‹. Π­Ρ‚ΠΈ схСмы ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ транзисторы для выполнСния Π±ΡƒΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… логичСских ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ основой для всСх Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… вычислСний.

Вранзисторы β€” ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π±Π»ΠΎΠΊΠΈ соврСмСнной элСктроники

ΠœΡ‹ ΠΏΡ€ΠΎΡˆΠ»ΠΈ Π΄ΠΎΠ»Π³ΠΈΠΉ ΠΏΡƒΡ‚ΡŒ с Ρ‚Π΅Ρ… ΠΏΠΎΡ€, ΠΊΠ°ΠΊ Π² 1947 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ Π±Ρ‹Π» ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π΅Ρ‚Π΅Π½ ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ транзистор. БСгодня транзисторы ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ Π²ΠΎ всСм, ΠΎΡ‚ сотовых Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ² Π΄ΠΎ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»Π΅ΠΉ, ΠΈ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΈΠ³Ρ€Π°ΡŽΡ‚ Π²Π°ΠΆΠ½ΡƒΡŽ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ Π² нашСй ΠΆΠΈΠ·Π½ΠΈ.

Π₯отя Π²Ρ‹, Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, Π½Π΅ Π·Π°Π΄ΡƒΠΌΡ‹Π²Π°Π΅Ρ‚Π΅ΡΡŒ ΠΎ Π½ΠΈΡ…, транзисторы Π·Π° кулисами Π³Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ваш Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½ Π·Π²ΠΎΠ½ΠΈΡ‚, ваша машина заводится, Π° вашС любимоС ΡˆΠΎΡƒ ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎ Ρ‚Π΅Π»Π΅Π²ΠΈΠ·ΠΎΡ€Ρƒ. НадСюсь, это ΠΏΠΎΠΌΠΎΠ³Π»ΠΎ Π²Π°ΠΌ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ ΠΏΠΎΠ½ΡΡ‚ΡŒ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· самых Ρ„ΡƒΠ½Π΄Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² всСй элСктроники.

Вранзисторы ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния ΠΈ ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅

Вранзисторы ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ ΠΈΠ· ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ², ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… Π² элСктронных схСмах. Вранзисторы ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ Π²Π΅Π·Π΄Π΅; ΠΎΡ‚ простых схСм управлСния Ρ€Π΅Π»Π΅ Π΄ΠΎ слоТных схСм матСринской ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹. Π’ Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ваши ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Ρ‹ ΠΈ микропроцСссоры β€” Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ Π½Π°Π±ΠΎΡ€ мноТСства транзисторов, синтСзированных для выполнСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ.

Вранзистор прСдставляСт собой ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ с трСмя Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ для усилСния ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ элСктронных сигналов. Π­Ρ‚ΠΈ устройства ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΊΠ»Π°ΡΡΠΈΡ„ΠΈΡ†ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊΠ°ΠΊ биполярныС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ транзисторы (BJT) ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы (FET), Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠΈ, ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Ρ‹, ΠΊΠ°Π»ΡŒΠΊΡƒΠ»ΡΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ элСктронныС Π³Π°Π΄ΠΆΠ΅Ρ‚Ρ‹, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π²Ρ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚Π΅ сСгодня.

Β 

Биполярный транзистор

BJT (биполярный транзистор). Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ΅ устройство с Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ для элСктронного ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ. BJT прСдставляСт собой Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠ΅ устройство с эмиттСром, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ. ΠŸΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ рСгулируСтся Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ Π½Π° ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡƒ Π±Π°Π·Ρ‹. BJT состоит ΠΈΠ· Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… слоСв ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ²: Π΄Π²ΡƒΡ… частСй P-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΈ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ части N-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, Ссли это транзистор PNP, ΠΈ Π΄Π²ΡƒΡ… областСй N-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΈ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ области P-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, Ссли это транзистор NPN. ΠšΠ»Π΅ΠΌΠΌΡ‹ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ эмиттСра установлСны Π½Π° Π΄Π²ΡƒΡ… Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΡ… слоях, Π° базовая ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ° Π·Π°ΠΊΡ€Π΅ΠΏΠ»Π΅Π½Π° Π½Π° Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ слоС.

Β 

Β 

Β 

ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзисторов BJT

ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзисторов PNP ΠΈ NPN ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ стрСлкой Π½Π° эмиттСрном ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅. Π‘Ρ‚Ρ€Π΅Π»ΠΊΠ° ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² транзисторС; Π² транзисторС PNP Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ эмиттСра ΠΊ Π±Π°Π·Π΅, Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΊΠ°ΠΊ Π² транзисторС NPN Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΊ эмиттСру.

Β 

Β 

Β 

ПВ

ПолСвой транзистор, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ MOSFET (ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»-оксид-ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ) ΠΈ состоит ΠΈΠ· Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ²: Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€, исток ΠΈ сток. Он Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ½Π°Ρ‡Π΅, Ρ‡Π΅ΠΌ BJT, ΠΈΠ·-Π·Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ конструкции ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ². ПолСвой транзистор состоит ΠΈΠ· ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° с элСктродами, Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΌΠΈ стоком ΠΈ истоком Π½Π° ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π°Ρ…. Π—Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ прСдставляСт собой ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ элСктрод, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ располагаСтся ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Ρƒ, Ρ‚Π°ΠΊ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΅Π³ΠΎ элСктричСский заряд способСн Π²ΠΎΠ·Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° ΠΊΠ°Π½Π°Π».

Π—Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ носитСлСй (элСктронов ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ) ΠΎΡ‚ истока ΠΊ стоку. Π­Ρ‚ΠΎ дСлаСтся ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π° ΠΈ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹ проводящСго ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°.

Β 

Π‘ΠΈΠΌΠ²ΠΎΠ» ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора

ПолСвой транзистор прСдставляСт собой Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ устройство со стоком (D), истоком (S) ΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (G).

Β 

Β 

VI Π₯арактСристики. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ сигналов Π² Ρ‚Π΅Π»Π΅Π²ΠΈΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠ°Ρ…, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π² усилитСлях Hi-Fi. Вранзисторы ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π² самых Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… прилоТСниях, Π½ΠΎ Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ всСго ΠΎΠ½ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ для прСобразования ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… сигналов Π² устройствах с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ энСргопотрСблСниСм.

Β 

Β 

BC638 (PNP-транзистор ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния)

BC638 прСдставляСт собой PNP-транзистор с VCE -60 Π’ ΠΈ постоянным Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° 1 A Π² корпусС TO-92. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ транзистор ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… устройствах ΡƒΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½ΠΎ высокого напряТСния. Вранзистор BC638 β€” ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΡƒΠ½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ устройство, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² самых Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… прилоТСниях. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ транзистор ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ для ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹Ρ… устройств, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ срСдний ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ каскад усилитСля мощности. Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ мощности ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ 60 Π΄ΠΎ 120 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

Когда этот транзистор смСщСн, ΠΎΠ½ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΏΡƒΡΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ 1 А Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ CE (ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр); это извСстно ΠΊΠ°ΠΊ состояниС насыщСния транзистора, ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² дСйствиС Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ большС 1 А, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ привСсти ΠΊ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΠΌΠΎΠΌΡƒ ΠΏΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΡŽ устройства. Π’ процСссС проСктирования ΠΈΠΌΠ΅ΠΉΡ‚Π΅ Π² Π²ΠΈΠ΄Ρƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ максимальноС рассСиваниС этого устройства составляСт 1 Π’Ρ‚, ΠΈ любая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ этой ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡƒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ.

Β 

BC488 (PNP-транзистор ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния)

BC488 прСдставляСт собой PNP-транзистор с VCE -60 Π’ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° -1000 мА ΠΈΠ»ΠΈ -1 А Π² TO-9.2 ΠΏΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚. Π•Π³ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² качСствС сигнального ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ транзистора для слабых сигналов. Он ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС 4Π’. Если Π²Π°ΠΌ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ простоС ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ΅ устройство для ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΠΊ, Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΌ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ BC488. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ этот ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ Π½Π΅Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠ³ ΠΈ прост Π² использовании, ΠΎΠ½ идСально ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ для использования Π² качСствС устройства случайного ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ. Вранзистор BC488 Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² качСствС Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля мощности, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ для усилСния ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… сигналов.

Когда этот транзистор смСщСн, ΠΎΠ½ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΏΡƒΡΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ 1000 мА Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ CE (ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр); это извСстно ΠΊΠ°ΠΊ состояниС насыщСния транзистора, ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ большС 1000 мА, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ вывСсти ΠΈΠ· строя устройство Π² этом состоянии. Как Π²Ρ‹, Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, Π·Π½Π°Π΅Ρ‚Π΅, транзистор β€” это устройство, управляСмоС Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ, поэтому ΠΏΡ€ΠΈ снятии Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° транзистор ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ. Π’ этот ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ транзистор находится Π² Π·ΠΎΠ½Π΅ отсСчки, ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ CE Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚.

Β 

Β 

2N4400 (ΡƒΠ½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ NPN-транзистор)

Β 

2N4400 прСдставляСт собой NPN-транзистор с напряТСниСм VCE 100 Π’ ΠΈ постоянным Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° 92 A Π² корпусС TO-92 A. Вранзистор 2N4400 β€” ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΡƒΠ½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ устройство, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² самых Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… прилоТСниях. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ транзистор ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ для ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ устройств с ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ высоким напряТСниСм, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ нСбольшой ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² постоянный ΠΈΠ»ΠΈ каскад ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ»ΠΈ срСднСго усилитСля усилитСля мощности (для усилитСлСй мощности ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ трСбуСтся ΠΎΡ‚ 45 Π΄ΠΎ 60 постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°). Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Π³Π°Π΄ΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π΅Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠΉ ΠΈ простой Π² использовании, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ Π΅Π³ΠΎ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠΌ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ΠΎΠΌ для устройства случайного ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ.

Β 

Β 

BC490 (ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ PNP-транзисторы ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния)

BC490 прСдставляСт собой PNP-транзистор с VCE -80 Π’ ΠΈ постоянным Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° -1 A DC Π² корпусС TO-92. Π‘ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌΠΈ характСристиками ΠΈ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ рассСиваСмой ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ 625 ΠΌΠ’Ρ‚ этот транзистор ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… устройствах с ΡƒΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм.

BC490 ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… прилоТСниях. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ транзистор ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ для ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ устройств с ΡƒΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½ΠΎ высоким напряТСниСм. транзистор дСшСв ΠΈ прост Π² использовании, ΠΎΠ½ идСально ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ для ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ.

Вранзистор BC490 ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ коэффициСнт усилСния ΠΎΡ‚ 40 Π΄ΠΎ 160, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ опрСдСляСт ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ усилСния транзистора. ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΉΡ‚ΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· этот транзистор, составляСт 1,5 А, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² сочСтании с коэффициСнтом усилСния Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ этот транзистор ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ΠΎΠΌ для ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ со срСдним ΠΈ высоким напряТСниСм.

Β 

Β 

2N3053 (ΡƒΠ½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ NPN-транзистор)

2N3053 прСдставляСт собой ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹ΠΉ NPN-транзистор Π² мСталличСском корпусС TO-39. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ корпус ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΡƒΡŽ ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ для усилитСлСй ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ. Π­Ρ‚ΠΎ устройство ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ высокоС напряТСниС пробоя, ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ, ΠΌΠ°Π»ΡƒΡŽ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ коэффициСнт Π±Π΅Ρ‚Π°, ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½Ρ‹ΠΉ Π² ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ².

Β 

2N3053 β€” это NPN-транзистор, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈ эмиттСр ΠΎΡΡ‚Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌΠΈ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ Π½Π΅ подаСтся ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ (ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ смСщСниС). Когда Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ транзистора подаСтся ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС, нСбольшой Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚Π΅Ρ‡ΡŒ ΠΎΡ‚ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΊ эмиттСру, ΠΈ транзистор ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π² ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ΅ состояниС. ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ коэффициСнт усилСния этого транзистора Ρ€Π°Π²Π΅Π½ 50, Ρ‡Ρ‚ΠΎ опрСдСляСт коэффициСнт усилСния устройства. ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ Π½Π° 15 мА большС, Ρ‡Π΅ΠΌ это ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ привСсти ΠΊ ΠΏΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΡŽ устройства. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр составляСт 700 мА; любой Ρ‚ΠΎΠΊ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ этого ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ²Ρ€Π΅Π΄ΠΈΡ‚ΡŒ устройство. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ транзистор ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ 5 Π’Ρ‚ ΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… прилоТСниях.

Β 

Β 

2N4402 (PNP-транзистор ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния)

2N4402 β€” ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹ΠΉ PNP-транзистор, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² усилитСлях ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡΡ… ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния. VCE этого транзистора составляСт 40 Π’, Π° постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° составляСт 600 мА. Π•Π³ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² качСствС сигнального ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ транзистора для слабых сигналов. Он Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС 5 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚.

Β 

Когда Π²Π°ΠΌ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ простоС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ устройство для ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΠΊ, Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΌ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ 2N4402. 2N4402 Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² качСствС Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля мощности, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ для усилСния ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… сигналов. ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния транзистора 2N4402 колСблСтся ΠΎΡ‚ 20 Π΄ΠΎ 150. Π­Ρ‚Π° Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° опрСдСляСт ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ транзистора; ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΉΡ‚ΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π΅Π³ΠΎ, составляСт 200 мА, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² сочСтании с коэффициСнтом усилСния Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ этот транзистор ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ΠΎΠΌ для ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля Π² усилитСлС Π·Π²ΡƒΠΊΠ°.

Β 

FORMULAS

BASE BIAS

Β 

COLLECTOR FEEDBACK BIAS

Β 

EMMITER BIAS

Β 

Β DIFFERENCE

Diode Π‘Πš638 Π‘Πš488 2N4400 Π‘Πš490 2N3053 2N4402
Вип ПНП ПНП НПН ПНП НПН НПН
Упаковка ВО-92 ВО-92 ВО-92 БОВ23-3 ВО-39 ВО-92
Макс. ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (hFE) 160 400 150 400 50 150
Π’ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ 1А -1000 мА 600 мА 1А 700 мА 600 мА
Π‘Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС эмиттСра (VBE) -5Π’ -4Π’ 6Π’ -4Π’ 5Π’ 5Π’
Π‘Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ (IB) -100 мА -50 мА 50 мА 50 мА 15 мА 50 мА
ОснованиС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° НапряТСниС VCB 50Π’ -60Π’ 60Π’ -80Π’ 80Π’ 45Π’
Частота ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° 100 ΠœΠ“Ρ† 150 ΠœΠ“Ρ† 200 ΠœΠ“Ρ† 150 ΠœΠ“Ρ† >100 ΠœΠ“Ρ† 100 ΠœΠ“Ρ†
РассСиваниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° 1 Π’Ρ‚ 0,625 Π’Ρ‚ 625 ΠΌΠ’Ρ‚ 0,625 Π’Ρ‚ 5 Π’Ρ‚ 0,3 Π’Ρ‚
Π•ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° 20 ΠΏΠ€ 9 ΠΏΠ€ 30 ΠΏΠ€ 9 ΠΏΠ€ <15 ΠΏΠ€ 8,5 ΠΏΠ€
Макс.

Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *