Транзисторы П215, П216 — DataSheet
Перейти к содержимому
Цоколевка транзисторов П215, П216
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | П215 | AD469, AD439 | |||
| П216 | AD138, AD302 | ||||
| П216А | AD130 | ||||
| П216Б | 2N178 | ||||
| П216В | AD145 | ||||
| П216Г | AD313 | ||||
| П216Д | AD312 | ||||
| Структура | — | — | p-n-p | Вт | |
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | П215 | — | 10* | |
| П216 | — | 30* | |||
| П216А | — | 30* | |||
| П216Б | — | 24* | |||
| П216В | — | 24* | |||
| П216Г | — | 24* | |||
| П216Д | — | 24* | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f *h31б, f**h31э, f***max | П215 | — | ≥0. 2* |
МГц |
| П216 | — | ≥0.2* | |||
| П216А | — | ≥0.2* | |||
| П216Б | — | ≥0.2* | |||
| П216В | — | ≥0.2* | |||
| П216Г | — | ≥0.2* | |||
| П216Д | — | ≥0.2* | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | П215 | — | 80 | В |
| П216 |
— | 40 | |||
| П216А | — | 40 | |||
| П216Б | — | 35 | |||
| П216В | — | 35 | |||
| П216Г | — | 50 | |||
| П216Д | — | 50 | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб. , |
П215 | — | 15 | В |
| П216 | — | 15 | |||
| П216А | — | 15 | |||
| П216Б | — | 15 | |||
| П216В | — | 15 | |||
| П216Г | — | 15 | |||
| П216Д | — | 15 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | П215 | — | 5 | А |
| П216 | — | 7.5 | |||
| П216А | — | 7.5 | |||
| П216Б | — | 7.5 | |||
| П216В | — | 7.5 | |||
| П216Г | — | 7. 5 |
|||
| П216Д | — | 7.5 | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | П215 | — | ≤0.3 | мА |
| П216 | ≤0.5 | ||||
| П216А | — | ≤0.5 | |||
| П216Б | — | ≤1.5 | |||
| П216В | ≤2 | ||||
| П216Г | ≤2.5 | ||||
| П216Д | ≤2 | ||||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | П215 | 5 В; 0. 2 А |
20…150* | |
| П216 | 0.75 В; 4 А | ≥16 | |||
| П216А | 0.75 В; 4 А | 20…80 | |||
| П216Б | 3 В; 2 А | ≥10 | |||
| П216В | 3 В; 2 А | ≥30 | |||
| П216Г | 3 В; 2 А | ≥5 | |||
| П216Д | 3 В; 2 А | 15…30 | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | П215 | — | — | пФ |
| П216 | — | — | |||
| П216А | — | — | |||
| П216Б | — | — | |||
| П216В | — | — | |||
| П216Г | — | — | |||
| П216Д | — | — | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас | П215 | — | ≤0. 3 |
Ом |
| П216 | — | ≤0.2 | |||
| П216А | — | ≤0.2 | |||
| П216Б | — | ≤0.25 | |||
| П216В | — | ≤0.25 | |||
| П216Г | — | — | |||
| П216Д | — | ≤0.25 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r* b, Pвых | П215 | — | — | Дб, Ом, Вт |
| П216 | — | — | |||
| П216А | — | — | |||
| П216Б | — | — | |||
| П216В | — | — | |||
| П216Г | — | — | |||
| П216Д | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | П215 | — | — | пс |
| П216 | — | — | |||
| П216А | — | — | |||
| П216Б |
— | — | |||
| П216В | — | — | |||
| П216Г | — | — | |||
| П216Д | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Транзистор П216 | Радиодетали в приборах
Транзисторы
30.06.2019
Arazbor
Транзистор П216
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.
Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)
Содержание драгоценных металлов в транзисторе: П216
Золото: 0
Серебро: 0.0018
Платина: 0
МПГ: 0.273
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70
Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов.
В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
Типы транзисторов
Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.
1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером.
2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).
Маркировка транзисторов СССР
Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения — буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором.
Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами — МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения — одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 — германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
Обозначение транзисторов после 1964 года
Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 — германий.
Буква К или цифра 2 — кремний.
Буква А или цифра 3 — арсенид галлия.
Второй символ обозначает тип транзистора
П — полевой транзистор
Т — биполярный транзистор
Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.
Четвертый и пятый элементы обозначения — определяют порядковый номер разработки.
Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей — третьего элемента.
Для биполярных транзисторов:
1 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.
Понравилось это:
Нравится Загрузка…
Tags: транзисторКод доступа к стадиону Warzone: описание карт-ключей EL21, CL19 и P216
Пытаетесь найти код доступа к стадиону Warzone? Или, может быть, вы только что наткнулись на карты-ключи EL21, CL19 или P216 и хотите узнать, что они делают? Сезон 5 наступил с новым оружием, таким как ISO и AN94, но для преданного сообщества пасхальных яиц Call of Duty самые захватывающие изменения можно найти в недавно открывшейся части карты «Стадион».
Если вы уже заходили сюда несколько раз, то наверняка наткнулись на некоторые двери, запертые кодами доступа, или даже на новые ключи-карты. Всего на стадионе есть четыре комнаты, которые заперты ключ-картой или панелями кода доступа, и теперь все двери открыты. Каждая из этих трех комнат, открываемых с помощью карт-ключей, содержит несколько легендарных и обычных ящиков с добычей, но настоящим призом является компьютер, который при активации показывает сочетание цифр и символов.
Итак, что означают эти цифры и символы? Они раскрывают код от запертой двери наверху Стадиона, которая, помимо того, что содержит уникальный чертеж Enigma CR56 AMAX, может помочь в продолжающейся пасхалке бункеров Warzone. Процесс взлома кода наконец-то, э-э, взломан… так что присоединяйтесь к нам, и мы проведем вас через новые ключи-карты EL21, CL19 и P216 Warzone и как определить код доступа к стадиону.
Обратите внимание: в каждой игре код разный, так что вам придется самому взламывать двери, но знание этого процесса вам очень поможет.
Ключ-карта EL21 Warzone
Если вы взяли ключ-карту EL21, то вы все равно должны быть рядом с дверью, которую она открывает, поскольку все карты появляются возле соответствующих дверей.
EL21 относится к «представительскому залу», и вы можете найти дверь, которую открывает эта ключ-карта, на верхнем этаже стадиона в самой южной оконечности .
Ключ-карта CL19 Warzone
Ключ-карта CL19 относится к «гостиной вестибюля», которую игроки обычно называют баром. Этот номер находится в западный угол стадиона на среднем уровне над трибунами. Сюда легко добраться из центра Стадиона.
Ключ-карта P216 Warzone
Ключ-карта P216 Warzone относится ко второму уровню парковки, поэтому вам нужно будет спуститься ниже стадиона, чтобы найти эту дверь. Он находится в северо-западном углу стадиона, под землей на стоянке .
Код доступа на стадион Warzone
Последняя дверь, которую вам нужно будет открыть с помощью кода доступа, находится на верхнем этаже вместе с дверью EL21, только на противоположной стороне уровня.
Итак, как открыть дверь? Вам нужно будет собрать отряд и разделиться, чтобы попытаться найти как можно больше ключевых карт — три идеально, но вы можете переборщить с двумя.
Как только вы получите первый ключ, идите в соответствующую комнату и взаимодействуйте с компьютером внутри. На экране появится последовательность из восьми цифр или символов, которые вы должны записать.
Если у вас есть второй ключ, повторите процесс. Последовательность такая же, но компьютер будет показывать символы в другом порядке, показывая больше чисел. Например, если в вашем первом коде есть два символа, похожих на дом, и эти символы были заменены цифрой «7» во втором компьютерном зале, то теперь вы знаете еще две цифры в коде.
Вы можете получить третий ключ для завершения кода, но это не обязательно, так как вы можете ввести его методом грубой силы, перейдя на панель кода доступа к стадиону и угадав последние цифры.
Вся заслуга в этом принадлежит ютуберу Geeky Pastimes, который, как мы думаем, является первым человеком, завершившим пасхальное яйцо.
