П217В параметры. П217В: характеристики, параметры и применение мощного германиевого транзистора

Каковы основные характеристики транзистора П217В. Какие параметры важны для его применения. Как правильно использовать П217В в схемах. Чем отличается от других моделей серии П217.

Содержание

Основные характеристики и параметры транзистора П217В

П217В — это мощный германиевый транзистор p-n-p структуры, предназначенный для работы в усилителях низкой частоты, импульсных схемах и источниках питания. Основные характеристики данной модели:

Максимальный ток коллектора: 7,5 А
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 60 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 24 Вт (с радиатором)
Коэффициент усиления по току: 15-40 (при Uкэ=3В, Iк=2А)
Граничная частота коэффициента передачи тока: 0,1 МГц

П217В отличается от базовой модели П217 немного сниженной максимальной мощностью рассеивания (24 Вт вместо 30 Вт), но при этом имеет меньшее напряжение насыщения коллектор-эмиттер.

Особенности применения транзистора П217В в электронных схемах

При использовании П217В в схемах необходимо учитывать следующие особенности:

Транзистор требует эффективного теплоотвода, поэтому должен устанавливаться на радиатор
Следует избегать превышения максимально допустимых токов и напряжений
Из-за низкой граничной частоты не рекомендуется применять в высокочастотных схемах
Для улучшения температурной стабильности желательно использовать схемы с отрицательной обратной связью

П217В хорошо подходит для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты, стабилизаторах напряжения, импульсных преобразователях и других силовых схемах.

Сравнение П217В с другими моделями серии П217

В серию П217 входят несколько моделей транзисторов со схожими характеристиками. Основные отличия П217В:

Меньшая максимальная мощность рассеивания по сравнению с П217, П217А, П217Б (24 Вт вместо 30 Вт)
Меньшее напряжение насыщения коллектор-эмиттер (0,5 В) по сравнению с другими моделями (1 В)

Более высокий обратный ток коллектора (3 мА) по сравнению с П217, П217А, П217Б (0,5 мА)

При этом П217В сохраняет основные преимущества серии — высокую мощность и большой максимальный ток коллектора. Это позволяет использовать его как аналог других моделей П217 в большинстве схем.

Типовые схемы включения транзистора П217В

Рассмотрим несколько базовых схем с использованием транзистора П217В:

Усилитель мощности звуковой частоты

П217В часто применяется в выходных каскадах УМЗЧ. Типовая схема включения:

Режим работы класса AB
Напряжение питания 24-30 В
Выходная мощность до 10-15 Вт
Глубокая отрицательная обратная связь для улучшения линейности

Импульсный стабилизатор напряжения

П217В подходит для применения в ключевых стабилизаторах. Особенности схемы:

Работа в ключевом режиме на частоте 20-50 кГц
Выходной ток до 5 А
Защита от КЗ и перегрузки
Необходимость качественного теплоотвода

Эти схемы позволяют эффективно использовать возможности транзистора П217В по току и мощности.

Современные аналоги транзистора П217В

Хотя П217В до сих пор применяется в некоторых устройствах, существуют более современные аналоги с улучшенными характеристиками:

2N3055 — кремниевый NPN транзистор с близкими параметрами
KT818 — отечественный кремниевый аналог с большей мощностью
TIP3055 — современный силовой транзистор в корпусе TO-218
IRF540 — мощный полевой MOSFET-транзистор

Эти транзисторы обладают меньшим напряжением насыщения, более высокой рабочей частотой и лучшей температурной стабильностью по сравнению с германиевым П217В. Однако в некоторых схемах П217В по-прежнему может быть предпочтительным вариантом.

Заключение о применимости транзистора П217В в современной электронике

Подводя итог, можно сделать следующие выводы об использовании П217В:

Транзистор сохраняет актуальность для применения в силовых низкочастотных схемах
Основные преимущества — высокая мощность и большой допустимый ток

Недостатки — низкая граничная частота и температурная нестабильность
В новых разработках часто заменяется на современные кремниевые аналоги
Остается востребованным при ремонте и обслуживании старой техники

Таким образом, П217В по-прежнему может эффективно применяться в определенных областях, хотя и уступает по ряду параметров современным транзисторам. Знание его характеристик и особенностей позволяет грамотно использовать этот транзистор в подходящих схемах.

Характеристики транзисторов П217, схема, аналог, цоколевка

П217 – германиевые сплавные транзисторы p-n-p большой мощности низкой частоты. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих схемах, блоках питания. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указан на корпусе. Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.

Корпусное исполнение и цоколевка П217

Характеристики транзистора П217

Предельные параметры П217

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (I

К max):

П217, П217А, П217Б, П217В, П217Г — 7,5 А

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектоp-эмиттеp при токе базы, равном нулю (U_{КЭ0 max}) при Т_п = 25° C:

П217, П217А, П217Б — 45 В

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектоp-эмиттеp при сопротивлении в цепи база-эмиттеp (U_{КЭR max}) при Т_п = 25° C:

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттеpа, равном нулю (U_{КБ0 max}) при Т_п = 25° C:

П217, П217А, П217Б, П217В, П217Г — 60 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (U_{ЭБ0 max}) при Т_п = 25° C:

П217, П217А, П217Б, П217В, П217Г — 15 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность транзистора (P_max) при Т_к = 25° C:

П217, П217А, П217Б — 30 Вт
П217В, П217Г — 24 Вт

Максимально допустимая температура перехода (T_{п max}):

П217, П217А, П217Б, П217В, П217Г — 85 ° C

Максимально допустимая температура корпуса (T_{к max}):

П217, П217А, П217Б, П217В, П217Г — 70 ° C

Электрические характеристики транзисторов П217 при Т

_п = 25^oС

Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h_21Э)

П217 — 15 при U_КЭ 1 В, при I_К 4 А
П217А — 20 — 60 при U_КЭ 5 В, при I_К 1 А
П217Б — 20 при U_КЭ 5 В, при I_К 1 А
П217Г — 15 — 40 при U_КЭ 3 В, при I_К
2 А

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (U_{КЭ нас})

П217, П217А, П217Б — 1 В
П217В — 0,5 В
П217Г — 1 В

Обратный ток коллектоpа (I_КБ0)

П217В — 3 мА
П217Г — 3 мА

Обратный ток коллектоp-эмиттеp при разомкнутом выводе базы (I_КЭ0)

П217, П217А, П217Б — 50 мА

Граничная частота коэффициента передачи тока (f_гр)

П217, П217А, П217Б, П217В, П217Г — 0,1 МГц

Тепловое сопротивление переход-корпус (R_{Т п-к})

П217, П217А, П217Б — 2 ° C/Вт
П217В, П217Г — 2,5 ° C/Вт

Опубликовано 17.

02.2020

Транзисторы П215, П217 — параметры,цоколевка.

Транзисторы П215.

Транзисторы П215 — германиевые, усилительные, большой мощности низкочастотные, структуры — p-n-p.
Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей мощности, преобразователях напряжения, схемах переключения.
Выпускались в металлостеклянном корпусе двух видов с жесткими выводами.

Маркировка буквенно — цифровая, на верхней поверхности корпуса.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) — 10 Вт с радиатором, 1,5 Вт — без.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 60 в.

Максимальное напряжение коллектор — база — 80 в.

Максимальное напряжение эмитер — база — 15 в.

Максимальный ток коллектора — 5 А.

Коэффициент передачи тока в схеме с «общим эмиттером» в режиме насыщения при токе коллектра 0,2 А -от 20 до 150.

Обратный ток коллектор-эмиттер при температуре 20 градусов по Цельсию и предельном напряжении коллектор-эмиттер (60в) - не более 30 мА.

Обратный ток коллектора при температуре 20 градусов по Цельсию и предельном напряжении коллектор-база(80в) - не более

0,3 мА.

Граничная частота передачи тока в схеме с общей базой — 150 кГц.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 3А, базы 0,37А — не более 0,9 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 2,5А, базы 0,37А — не более 1.2 в.

Транзисторы П217, П217А, П217Б, П217В, П217Г.

Транзисторы П217 — германиевые, усилительные, большой мощности низкочастотные, структуры — p-n-p.
Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей мощности, преобразователях напряжения, схемах переключения.
Выпускались в металлостеклянном корпусе двух видов с жесткими выводами.

Маркировка буквенно — цифровая, на верхней поверхности корпуса.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ): У транзисторов П217, П217А, П217Б — 30 Вт (с радиатором).
У транзисторов П217В, П217Г — 24 Вт (с радиатором).

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 60 в.

Максимальное напряжение коллектор — база — 60 в.

Максимальное напряжение эмитер — база — 15 в.

Максимальный ток коллектора — 7,5 А.

Обратный ток коллектор-эмиттер при температуре 20 градусов по Цельсию и предельном напряжении коллектор-эмиттер (60в) - не более 50 мА.

Обратный ток коллектора при температуре 20 градусов по Цельсию и предельном напряжении коллектор-база(60в): У транзисторов П217, П217А, П217Б — не более 0,3 мА.
У транзисторов П217В, П217Г — не более 3 мА.

Граничная частота передачи тока в схеме с общей базой — 100 кГц.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 4А, базы 0,5А — не более 1 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 3,5А, базы 0,5А — не более 1.5 в.

На главную страницу

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Транзистор П217 — DataSheet

Цоколевка транзистора П217

**Параметры транзистора**
Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		П217		AD310, AD163
		П217А		ASZ16
		П217Б		AUY19
		П217В		ASZ18, ASZ1017
		П217Г		ASZ17
Структура		—	—	p-n-p	Вт
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	P_K max,P^_{K, τ max},P^*_{K, и max}	П217	—	30*
		П217А	—	30*
		П217Б	—	30*
		П217В	—	24
		П217Г	—	24
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	f_гр,f^_h31б,f^_h31э, f^**_max	П217	—	≥0.2*	МГц
		П217А	—	≥0.2*
		П217Б	—	≥0.2*
		П217В	—	≥0.2*
		П217Г	—	≥0.2*
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	U_{КБО проб.,}U^_{КЭR проб.,}U^*_{КЭО проб.}	П217	—	60	В
		П217А	—	60
		П217Б	—	60
		П217В	—	60
		П217Г	—	60
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	U_{ЭБО проб.,}	П217	—	15	В
		П217А	—	15
		П217Б	—	15
		П217В	—	15
		П217Г	—	15
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	I_{K max,} I^*_{К , и max}	П217	—	7.5	А
		П217А	—	7.5
		П217Б	—	7.5
		П217В	—	7.5
		П217Г	—	7.5
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	I_КБО, I^_КЭR, I^*_КЭO	П217	—	≤0.5	мА
		П217А	45 В	≤0.5
		П217Б	—	≤0.5
		П217В	—	≤3
		П217Г	65 В	≤3
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h_21э, h^*_21Э	П217	0.75 В; 4 А	≥16
		П217А	5 В; 1 А	≥20…60
		П217Б	5 В; 1 А	≥20
		П217В	1 В; 4 А	≥15*
		П217Г	3 В; 2 А	≥15…40
Емкость коллекторного перехода	c_к, с^*_12э	П217	—	—	пФ
		П217А	—	—
		П217Б	—	—
		П217В	—	—
		П217Г	—	—
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	r_{КЭ нас}, r*_{БЭ нас}	П217	—	≤0.5	Ом
		П217А	—	≤0.5
		П217Б	—	≤0.5
		П217В	—	≤0.25
		П217Г	—	≤0.5
Коэффициент шума транзистора	К_ш, r^*_b, P_вых	П217	—	—	Дб, Ом, Вт
		П217А	—	—
		П217Б	—	—
		П217В	—	—
		П217Г	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τ_к, t_рас, t^_выкл, t^**_пк(нс)	П217	—	—	пс
		П217А	—	—
		П217Б	—	—
		П217В	—	—
		П217Г	—	—

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

П216, П216А, П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217, П217А, П217Б, П217В, П217Г

Соответствуют частным техническим условиям
3.365.017ТУ ред. 3-69 и ОТУ НаАО.336.001ТУ
ред. 3-68

Транзисторы типа: П216, П216А, П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217, П217А, П217Б, П217В, П217Г.
Эскиз П216-П217Г

Фланец – вывод коллектора.

Вес – 17г. В одном транзисторе содержится 1,8615 мг. серебра.

Основные электрические параметры.

Предельно-допустимые режимы эксплуатации.

Условия хранения транзисторов.

Складские условия: температура окружающей среды от +5 до +35 градусов, влажность до 85%, отсутствие в воздухе кислотных и других агрессивных примесей.
Полевые условия: температура окружающей среды от +50 до +50 градусов по Цельсию, относительная влажность до 98% при температуре +30 градусов.

Гарантии.

Предприятие-изготовитель гарантирует срок службы транзисторов в режимах и условиях, допускаемых ОТУ и ЧТУ в течение 10.000 ч.
Сохраняемость транзисторов в упаковке поставщика, в ЗИПе, а также вмонтированных в аппаратуру, при хранении их в складских условиях должна быть не менее 12 лет.
На протяжении этого срока допускается хранение приборов в полевых условиях в течение:
а) Трех лет в составе аппаратуре и ЗИП при защите последних от непосредственного воздействия солнечной радиации и атмосферных осадков.
б) Шести лет в составе герметизированной аппаратуры и ЗИП в герметизированной укладке.
Гарантийный срок исчисляется с момента отгрузки приборов.

Указания и рекомендации по эксплуатации.

1. При эксплуатации транзистор с помощью накидного фланца должен быть жестко закреплен на металлическом шасси или на специальном теплоотводе со шлифованной поверхностью.
Перед креплением транзистора контактирующие поверхности рекомендуется смазывать невысыхающим маслом.
Диаметр отверстия в теплоотводе под выводы транзистора должен быть не более 5 мм.
2. При необходимости электрической изоляции корпуса (коллектора) транзистора или теплоотвода между транзистором и теплоотводом рекомендуется прокладка шайб из оксидированного алюминия или слюды. Суммарное тепловое сопротивление между переходом и теплоотводом увеличивается на 0,5 градусов / ВТ на каждые 50 микрон слюдяной прокладки или на 0,25 градусов / ВТ на каждые 50 микрон слоя окиси алюминия.
3. Пайка к выводам транзистора допускается только на плоской части вывода. При пайке цилиндрическая часть вывода должна быть зажата теплоотводящими губками.
Изгиб выводов допускается только на плоской части вывода.
4. Запрещается использовать транзисторы в схемах, в которых цепь базы разомкнута по постоянному току. При включении транзистора в схему базовый вывод должен присоединяться первым.
5. При монтаже транзисторов необходимо обеспечивать, чтобы фланец не ложился на сварочный шов.

Покупаем на выгодных условиях: платы, радиодетали, микросхемы, АТС, приборы, лом электроники, катализаторы

Мы гарантируем Вам честные цены! Серьезный подход и добропорядочность — наше главное кредо.

Компания ООО «РадиоСкупка» (скупка радиодеталей) закупает и продает радиодетали , а также любое радиотехническое оборудование и приборы. У нас Вы сможете найти не только наиболее востребованные радиодетали, но и редкие производства СССР и стран СЭВ. Мы являемся партнером «ФГУП НИИ Радиотехники» и накопили огромный опыт за наши годы работы. Также многих радиолюбителей заинтересует наш уникальный справочник по содержанию драгметаллов в радиодеталях. В левом нижнем углу нашего сайта Вы сможете узнать актуальные цены на драгметаллы такие, как золото, серебро, платина, палладий (цены указаны в $ за унцию) а также текущие курсы основных валют. Работаем со всеми городами России и география нашей работы простирается от Пскова и до Владивостока. Наш квалифицированный персонал произведет грамотную и выгодную для Вас оценку вашего оборудования, даст профессиональную консультацию любым удобным Вам способом – по почте или телефону. Наш клиент всегда доволен!

Покупаем платы, радиодетали, приборы, АТС, катализаторы. Заинтересованы в выкупе складов с неликвидными остатками радиодеталей а также цехов под ликвидацию с оборудованием КИПиА.

Приобретаем:

платы от приборов, компьютеров
платы от телевизионной и бытовой техники
микросхемы любые
транзисторы
конденсаторы
разъёмы
реле
переключатели
катализаторы автомобильные и промышленные
приборы (самописцы, осциллографы, генераторы, измерители и др.)

Купим Ваши радиодетали и приборы в любом состоянии, а не только новые. Цены на сайте указаны на новые детали. Расчет стоимости б/у деталей осуществляется индивидуально в зависимости от года выпуска, состоянии, а также текущих цен Лондонской биржи металлов. Работаем почтой России, а также транспортными компаниями. Наша курьерская служба встретит и заберет Ваш груз с попутного автобуса или поезда.

Честные цены, наличный и безналичный расчет, порядочность и клиентоориентированность наше главное преимущество!

Остались вопросы – звоните 8-961-629-5257, наши менеджеры с удовольствием ответят на все Ваши вопросы. Для вопросов по посылкам: 8-900-491-6775. Почта [email protected]

С уважением, директор Александр Михайлов.

Реле-регулятор РР-350 (РР-350А) — Описание и технические характеристики реле

Реле-регулятор РР-350 (РР-350А)
Паспорт
ГОСТ 3940-57

Регулятор служит для автоматического поддержания напряжения генератора в заданных пределах, что необходимо для обеспечения нормального зарядного режима батареи и нормального режима работы потребителей тока автомобиля.
«Минус» комплекта электропитания присоединен на «массу».
Номинальное напряжение 12 вольт.
Номинальный ток до 8 ампер.
Работает с генератором типа Г 250.
Регулируемое напряжение при температуре регулятора и окружающей среды — 20°С:
от 13.8 до 14.5 вольт для РР-350;
от 13,9 до 14.6 вольт для РР-350А.
Пределы регулируемого напряжения при изменении скорости вращения ротора от 2500 до 10500 об/мин, тока нагрузки от минимального значения до 28 ампер и температуре окружающей среды от — 20°С до +65 °С – от 13,4 до 14,7 вольт для РР-350 и от 13,5 до 14,8 вольт для РР-350А.
Фактическая величина падения напряжения между клеммами «плюс» и «шунт» регулятора при токе возбуждения З ампера, напряжении питания 12,5 вольт и температуре окружающей среды +20°С должна быть не более 2 вольт.
Регуляторы устанавливаются в вертикальное положении или под углом 15° штепсельным разъемом вниз.
Регулятор РР-350 не требует каких-либо дополнительных регулировок, поэтому не рекомендуется производить его вскрытие.
Необходимо следить за чистотой поверхности корпуса и крышки регулятора, т. к. загрязнение может привести к недопустимому перегреву транзисторов и выходу их из строя.
Температурные условия эксплуатации от — 20 до + 65°С.
Категорически запрещаются любые короткие замыкания в сети комплекта генератор-выпрямители регулятор.
Даже кратковременные замыкания на массу шунтовой цепи комплекта приводят к выходу из строя регулятора.
Категорически запрещается перемена полярности при присоединении аккумуляторной батареи.
Запрещается включение или выключение значительной нагрузки (например, фар) при отключенной аккумуляторной батарее.
Регулятор Р-350 состоит из крышки, корпус (основания), внутри которого размещаются элементы, определяющие собой монтажную схему регулятора. Регулятор содержит три полупроводниковых транзистора типа П217В или П217, П202 (П214А, П302, стабилитрон Д808 (Д814А), терморезистор ММТ-1-1к (ММТ-4), полупроводниковые диоды КД-202Г, КД-202В, дроссель и резисторы МЛТ.

Рисунок 1. Электрическая схема реле-регулятора РР-350

Перечень и номиналы элементов схемы:
R1 резисторы МЛТ-0,5 ГОСТ 7113-66
R2 (подбираются при настройке)
R3 МЛТ-0,5-220 Ом ±5% ГОСТ 7113-66
R4 МЛТ-0,5-100 Ом±5% ГОСТ 7113-66
R5 МЛТ-0,5-390 Ом ±5% ГОСТ 7113-66
R6 МЛТ-0,5-З кОм ±5% ГОСТ 7113-66
R7 МЛТ-0,5-300 Ом ±10% ГОСТ 7113-66
R8 МЛТ-1-470 Ом ±5% ГОСТ 7113-66
R9 27 Ом+5% (МЛТ-2-82 Ом ±5% — 3 шт.) параллельно
R10 17 Ом+5% (МЛТ-0,25-51 ом ±5%- 3 шт.) параллельно
R11 МЛТ-1-220 Ом ±10% ГОСТ 7113-66
Rt терморезистор ММТ-1-1к ГОСТ 10688-63
Д1 стабилитрон Д808 СМ3.362.004ТУ
Д2 диод КД-202Г УЖ 3.362.036ТУ
ДЗ диод КД-202В УЖ 3.362.036ТУ
Д4 диод КД-202В УЖ 3.362.036ТУ
T1 транзистор П302 ЩБ3.365.002ТУ
Т2 транзистор П214В СИ3.365.012ТУ
ТЗ транзистор П217 СИ3.365.017ТУ
Др дроссель РР-330-3702220
Примечание: клеммы «+» «Ш» и «—» регулятора подсоединить к соответствующим клеммам генератора.
При включении замка зажигания реле-регулятор Р-350 получает питание от аккумуляторной батареи. Стабилитрон Д1 закрыт, транзистор Т1 закрыт, транзисторы Т2 и Т3 открыты, следовательно, через обмотку возбуждения генератора проходит ток возбуждения.
При запуске двигателя ротор генератора начинает вращаться и, по мере увеличения оборотов, напряжение повышается. При определенных оборотах генератора напряжение достигает такого уровня, при котором происходит пробой стабилитрона. Транзистор Т1 открывается, транзисторы Т2 и ТЗ закрываются. Ток возбуждения, а также напряжение генератора уменьшается до величины, при которой закрывается стабилитрон, а, следовательно, и транзистор Т1. Транзисторы Т2 и ТЗ открываются. Ток возбуждения, следовательно, увеличивается и процесс начинается сначала.

Содержание

1. Основные параметры
2. Технические требования
3. Условия эксплуатации
4. Устройство реле-регулятор РР-350
5. Принцип работы
6. Гарантия
Электрическая схема реле-регулятор РР-350

Россети Урал — ОАО “МРСК Урала”

Согласие на обработку персональных данных

В соответствии с требованиями Федерального Закона от 27.07.2006 №152-ФЗ «О персональных данных» принимаю решение о предоставлении моих персональных данных и даю согласие на их обработку свободно, своей волей и в своем интересе.

Наименование и адрес оператора, получающего согласие субъекта на обработку его персональных данных:

ОАО «МРСК Урала», 620026, г. Екатеринбург, ул. Мамина-Сибиряка, 140 Телефон: 8-800-2200-220.

Цель обработки персональных данных:

Обеспечение выполнения уставной деятельности «МРСК Урала».

Перечень персональных данных, на обработку которых дается согласие субъекта персональных данных:

— фамилия, имя, отчество;
— место работы и должность;
— электронная почта;
— адрес;
— номер контактного телефона.

Перечень действий с персональными данными, на совершение которых дается согласие:

Любое действие (операция) или совокупность действий (операций) с персональными данными, включая сбор, запись, систематизацию, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передачу, обезличивание, блокирование, удаление, уничтожение.

Персональные данные в ОАО «МРСК Урала» могут обрабатываться как на бумажных носителях, так и в электронном виде только в информационной системе персональных данных ОАО «МРСК Урала» согласно требованиям Положения о порядке обработки персональных данных контрагентов в ОАО «МРСК Урала», с которым я ознакомлен(а).

Согласие на обработку персональных данных вступает в силу со дня передачи мною в ОАО «МРСК Урала» моих персональных данных.

Согласие на обработку персональных данных может быть отозвано мной в письменной форме. В случае отзыва согласия на обработку персональных данных.

ОАО «МРСК Урала» вправе продолжить обработку персональных данных при наличии оснований, предусмотренных в п. 2-11 ч. 1 ст. 6 Федерального Закона от 27.07.2006 №152-ФЗ «О персональных данных».

Срок хранения моих персональных данных – 5 лет.

В случае отсутствия согласия субъекта персональных данных на обработку и хранение своих персональных данных ОАО «МРСК Урала» не имеет возможности принятия к рассмотрению заявлений (заявок).

Мутационный анализ негомологичной области субъединицы А дрожжевой V-АТФазы

https://doi.org/10.1074/jbc.M212096200Получить права и содержание

Субъединица А представляет собой каталитическую нуклеотидсвязывающую субъединицу вакуолярного переносящего протон АТФаза (или V-АТФаза) и гомологична субъединице β F ₁ F ₀ АТФ-синтазы (или F-АТФазы). Выравнивание аминокислотных последовательностей этих субъединиц выявляет вставку из 90 аминокислот в субъединице А (называемой негомологичной областью), которая отсутствует в субъединице β.Для исследования функциональной роли этой области был проведен сайт-направленный мутагенез гена VMA1 , который кодирует субъединицу А у дрожжей. Замены были выполнены на 13 аминокислотных остатках в этой области, которые являются консервативными во всех доступных последовательностях субъединицы A. Большинство из 18 введенных мутаций показали нормальную сборку V-АТФазы. Один из них (R219K) значительно снижает как транспорт протонов, так и активность АТФазы. Напротив, мутант P217V показал значительно сниженную активность АТФазы, но более высокие, чем нормальные, уровни транспорта протонов, что свидетельствует об увеличении эффективности связывания.Две другие мутации в той же области (P223V и P233V) показали снижение эффективности связывания, что позволяет предположить, что изменения в негомологичной области могут изменять связывание транспорта протонов и гидролиза АТФ. Ранее было показано, что V-АТФаза должна обладать по крайней мере 5-10% активностью по сравнению с диким типом, чтобы подвергнуться диссоциации in vivo в ответ на отмену глюкозы. Однако четыре из изученных мутаций (G150A, D157E, P177V и P223V) были частично или полностью заблокированы при диссоциации, несмотря на наличие более 30% уровней активности дикого типа.Эти результаты предполагают, что изменения в негомологичной области могут также изменять in vivo диссоциацию V-АТФазы независимо от воздействия на активность.

Рекомендуемые статьиЦитирующие статьи (0)

Цитирующие статьи

% PDF-1.7 % 1474 0 объект > endobj xref 1474 132 0000000044 00000 н. 0000003815 00000 н. 0000004082 00000 н. 0000004640 00000 н. 0000014169 00000 п. 0000014232 00000 п. 0000033251 00000 п. 0000033292 00000 п. 0000092985 00000 п. 0000127827 00000 н. 0000128568 00000 н. 0000128605 00000 н. 0000135299 00000 н. 0000135336 00000 н. 0000135725 00000 н. 0000135763 00000 н. 0000135811 00000 н. 0000135848 00000 н. 0000136000 00000 н. 0000136421 00000 н. 0000136818 00000 н. 0000137070 00000 п. 0000154911 00000 н. 0000155009 00000 н. 0000155068 00000 н. 0000155145 00000 н. 0000155247 00000 н. 0000155399 00000 н. 0000156103 00000 н. 0000156604 00000 н. 0000156822 00000 н. 0000173712 00000 н. 0000173872 00000 н. 0000174176 00000 н. 0000174343 00000 н. 0000174568 00000 н. 0000180602 00000 н. 0000180761 00000 н. 0000181382 00000 н. 0000181828 00000 н. 0000182055 00000 н. 0000197319 00000 н. 0000197476 00000 н. 0000198043 00000 н. 0000198439 00000 н. 0000198667 00000 н. 0000210711 00000 н. 0000211453 00000 п. 0000212152 00000 н. 0000212395 00000 н. 0000213201 00000 н. 0000214251 00000 н. 0000214988 00000 н. 0000215218 00000 н. 0000216752 00000 н. 0000216935 00000 н. 0000216970 00000 н. 0000217150 00000 н. 0000217333 00000 п. 0000217516 00000 н. 0000217699 00000 н. 0000217882 00000 н. 0000218065 00000 н. 0000218248 00000 н. 0000218430 00000 н. 0000218609 00000 н. 0000218793 00000 п. 0000218976 00000 п. 0000219162 00000 н. 0000219346 00000 н. 0000219530 00000 н. 0000219715 00000 н. 0000219897 00000 н. 0000220077 00000 н. 0000220156 00000 н. 0000220336 00000 н. 0000220419 00000 н. 0000220599 00000 н. 0000220680 00000 н. 0000220860 00000 н. 0000220934 00000 н. 0000221114 00000 н. 0000221196 00000 н. 0000221378 00000 н. 0000221458 00000 н. 0000221641 00000 н. 0000221741 00000 н. 0000221924 00000 н. 0000222015 00000 н. 0000222195 00000 п. 0000222292 00000 н. 0000222471 00000 н. 0000222619 00000 н. 0000222702 00000 н. 0000222851 00000 н. 0000222971 00000 н. 0000223118 00000 н. 0000223201 00000 н. 0000223265 00000 н. 0000223443 00000 н. 0000223536 00000 н. 0000223651 00000 п. 0000223777 00000 н. 0000223891 00000 н. 0000224025 00000 н. 0000224148 00000 н. 0000224252 00000 н. 0000224370 00000 н. 0000224479 00000 н. 0000224588 00000 н. 0000224734 00000 н. 0000224922 00000 н. 0000225122 00000 н. 0000225277 00000 н. 0000225412 00000 н. 0000225559 00000 н. 0000225666 00000 н. 0000225799 00000 н. 0000225932 00000 н. 0000226071 00000 н. 0000226277 00000 н. 0000226395 00000 н. 0000226502 00000 н. 0000226704 00000 н. 0000226813 00000 н. 0000226962 00000 н. 0000227070 00000 н. 0000227204 00000 н. 0000227317 00000 н. 0000227434 00000 н. 0000227532 00000 н. 0000003000 00000 н. трейлер ] / Корень 1475 0 R >> startxref 0 %% EOF 1605 0 объект > транслировать xTkHTAfnQn3% eb) mhEHj) k% 妙 V ߶ YfIIIQD C: w6j63gg ~ ܹ w

Регулируемое устройство для нанесения пленки KTQ-II 100 мм 0-3500 мкм Аппликатор пленки Устройство для подготовки пленки Контроль и измерения для металлообработки Контрольно-измерительные приборы для металлообработки

900 Регулируемый KTQ-II 100 мм 0-3500 мкм Аппликатор пленки Устройство для нанесения покрытия Устройство для подготовки пленки Металлообработка Контрольно-измерительные приборы Контрольные приборы для металлообработки

Регулируемый аппликатор пленки KTQ-II 100 мм 0-3500 мкм Устройство подготовки пленки для нанесения покрытий

Устройство для подготовки пленки для нанесения покрытий Регулируемый аппликатор пленки KTQ-II 100 мм 0-3500 мкм, то есть окончательная толщина покрытия, путем регулировки двух дифференциаторов над подготовкой.Зазор лезвия регулируется каждые 10 микрометров во время нанесения покрытия лезвия. Основные технические параметры: ■ Материал: алюминий или нержавеющая сталь. ■ Эффективная ширина пленки: 100 мм. ■ Точность: ± 2 мкм. ■ Диапазон толщины пленки: 0-3500 мкм. Регулируемый препарер идеально подходит для изучения и точной оценки нюансов толщины пленки. Он регулирует нижележащий ракель вверх и вниз, чтобы отрегулировать зазор.Аппликатор пленки Устройство для нанесения покрытий Регулируемое устройство для подготовки пленки KTQ-II 100 мм 0-3500 мкм, Регулируемое устройство для подготовки пленки для нанесения покрытия KTQ-II 100 мм 0-3500 мкм, Бизнес и промышленность, ЧПУ, Металлообработка и производство, Инструменты для металлообработки, Контроль и измерения металлообработки, Инспекция металлообработки Датчики.

перейти к содержанию

Регулируемый аппликатор пленки KTQ-II 100 мм 0-3500 мкм Устройство подготовки пленки для нанесения покрытий

Регулируемый аппликатор пленки KTQ-II 100 мм 0-3500 мкм Устройство для подготовки пленки для нанесения покрытий.Описание: Регулируемый препафер KTQ-II идеален для изучения и точной оценки нюансов толщины пленки. Он регулирует нижележащий ракель вверх и вниз, чтобы отрегулировать зазор, то есть окончательную толщину покрытия, регулируя два дифференциатора над препарированием. Зазор лезвия регулируется каждые 10 микрометров во время нанесения покрытия. Основные технические параметры: ■ Материал: алюминий или нержавеющая сталь ■ Эффективная ширина пленки: 100 мм ■ Точность: ± 2 мкм ■ Диапазон толщины пленки: 0-3500 мкм В комплект входит: 1 * Регулируемый препарезер KTQ-II (100 мм) 1 * коробка.. Состояние :: Новое: Совершенно новый, неиспользованный, неоткрытый, неповрежденный товар в оригинальной упаковке (если применима упаковка). Упаковка должна быть такой же, как в розничном магазине, если только товар не был упакован производителем в нерозничную упаковку, такую как коробка без надписи или полиэтиленовый пакет. См. Список продавца для получения полной информации. См. Все определения условий: Бренд:: Без марочного обозначения, Эффективная ширина пленки:: 100 мм: MPN:: Не применяется, Точность:: ± 2 мкм: Материал:: Алюминий или нержавеющая сталь, Диапазон толщины пленки:: 0-3500 мкм: UPC:: Не применяется.

Регулируемый аппликатор пленки KTQ-II 100 мм 0-3500 мкм Устройство подготовки пленки для нанесения покрытий
Мы верим в предоставление высококачественной одежды и одежды для фанатов колледжей, если у вас есть какие-либо проблемы с продуктами. Бесплатная доставка на подходящие товары, расстояние от самого длинного пальца до пятки по вертикали. 50 Pack Sait 23327 Высокоскоростные отрезные диски Z-Tech 4-1 / 2 «x 045» x 7/8 «, тип 1, верх из натуральной кожи с тональной строчкой, фетровая шляпа женская из 100% шерсти, усохшая кожа-бомбер из бизона Ножка, черная водонепроницаемая пластиковая распределительная коробка электрического корпуса 60 * 36 * 25 мм **.Купить Настенные панели Cooper Eaton Wiring Device PJ26W, белые: стандартные розетки — ✓ Возможна БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА при определенных покупках. Dreamtop 18 Pack Mardi Gras Beads Necklace Multi Colours и 6 Pack Lace Masquerade Ball Mask для Mardi Gras Свадебные реквизиты Венецианский костюм для украшения Хэллоуина Костюм: Одежда, дата первого упоминания: 2 сентября, 5 шт. 4s 30a 14,8 В литий-ионная батарея PCB BMS 18650 Плата защиты зарядного устройства. Поскольку этот предмет такой душевный. Свадебный букет из брошей ручной работы выполнен в разных цветах и декорирован брошами и жемчугом.или даже перепрофилированный для украшения спальни и детской после вечеринки, 690V 8A GG 8 Amp Cylindrical Fuse C14G8 AC 14×51, _________________________________________________________________________________________________. Сроки производства варьируются в разное время года, поскольку заказы помещаются в очередь и производятся как можно быстрее в том порядке, в котором они были утверждены. Таким образом, вы не повредите более тонкие материалы, такие как, например, шелк, 25-футовый экранированный кабель витой пары Belden 9462 2C 22AWG длиной 25 футов ~ 1 пара калибра 22.1 пара маленьких квадратных пурпурных эмалированных клипс на серьгах. Удачного дня, на фоне осенних высказываний и звезд. Мы делаем все возможное, чтобы отображать цвета точно. во-первых о стоимости доставки. : Переходник Heliopan 405 с 72 мм на 77 мм понижающее кольцо (700405): Фильтры объектива камеры: Камера и фото. сохраняя при этом легкость алюминия, прозрачную трубку из ПВХ 59003 с внутренним диаметром 3/16 дюйма, наружным диаметром 5/16 дюйма и стенкой 1/16 дюйма, знание и понимание мира, iPad Pro и многое другое — красный: сотовые телефоны и аксессуары.
Регулируемый аппликатор пленки KTQ-II 100 мм 0-3500 мкм Устройство для нанесения покрытия Устройство для подготовки пленки
то есть конечная толщина покрытия, путем регулировки двух дифференциаторов над подготовкой. Зазор лезвия регулируется каждые 10 микрометров во время нанесения покрытия лезвия. параметры: ■ Материал: алюминий или нержавеющая сталь ■ Эффективная ширина пленки: 100 мм ■ Точность: ± 2 мкм ■ Диапазон толщины пленки: 0-3500 мкм В комплект входит: 1 * Регулируемый препарезер KTQ-II (100 мм) 1 * коробка, Описание ： KTQ -II Регулируемый подготовитель идеально подходит для изучения и точной оценки нюансов толщины пленки.

Основные характеристики и параметры транзистора П217В

Особенности применения транзистора П217В в электронных схемах

Сравнение П217В с другими моделями серии П217

Рекомендации по монтажу и эксплуатации транзистора П217В