Память micron. Micron: лидер в производстве памяти для цифровых устройств

Какова доля рынка Micron в сегменте DRAM-памяти. Как распределяется выручка компании по основным продуктовым сегментам. Каковы основные конкуренты Micron на рынке памяти. Какие факторы способствуют росту спроса на продукцию Micron.

Ключевые направления деятельности Micron

Micron Technology является одним из крупнейших мировых производителей полупроводниковых устройств памяти и хранения данных. Компания разрабатывает и производит широкий спектр продукции:

• Оперативная DRAM-память для краткосрочного хранения данных
• Твердотельные SSD-накопители для долговременного хранения информации
• Флеш-память NAND для мобильных устройств и других применений
• Устройства хранения данных по технологии 3D XPoint
• Флеш-память NOR для встраиваемых систем

Продукция Micron используется в персональных компьютерах, серверах, мобильных устройствах, автомобильной электронике и многих других сферах. Компания владеет популярными брендами Crucial, SpecTek и Lexar.

Позиции Micron на мировом рынке памяти

Micron занимает лидирующие позиции на глобальном рынке памяти:

• На рынке DRAM-памяти компания занимает третье место с долей 23,1%
• На рынке NAND флеш-памяти Micron находится на пятом месте с долей 11%

Основными конкурентами Micron являются:

• Samsung Electronics
• SK Hynix
• Western Digital
• Kioxia (бывшая Toshiba Memory)

При этом рынок памяти характеризуется высокой концентрацией — на долю 3-5 крупнейших игроков приходится более 90% продаж. Это создает высокие барьеры для входа новых производителей.

Структура выручки Micron по сегментам

Выручка Micron распределяется по следующим основным сегментам:

• DRAM-память — 73% выручки
• NAND флеш-память — 24% выручки
• 3D XPoint и NOR — 3% выручки

По целевым рынкам выручка компании делится на:

• Вычислительная техника и сети (CNBU) — 43,7% выручки
• Мобильные устройства (MBU) — 27,6% выручки
• Хранение данных (SBU) — 18,5% выручки
• Встроенные устройства (EBU) — 13,7% выручки

Факторы роста спроса на продукцию Micron

Ключевыми драйверами увеличения спроса на память и накопители Micron являются:

• Развитие облачных вычислений и центров обработки данных
• Рост объемов памяти в смартфонах и компьютерах
• Увеличение потребности в хранении данных
• Развитие технологий искусственного интеллекта и машинного обучения
• Расширение применения электроники в автомобилях
• Распространение устройств интернета вещей

Эти тенденции обеспечивают стабильный рост спроса на продукцию Micron в долгосрочной перспективе.

Инновационный потенциал и технологическое лидерство Micron

Micron активно инвестирует в исследования и разработки новых технологий памяти и хранения данных. Компания обладает обширным портфелем интеллектуальной собственности, включающим более 44 тысяч патентов. Это позволяет Micron удерживать технологическое лидерство в отрасли.

Ключевые направления инноваций Micron:

• Увеличение плотности записи и емкости памяти
• Повышение скорости работы и энергоэффективности
• Разработка новых типов памяти (3D XPoint, GDDR6X и др.)
• Совершенствование технологий производства

Благодаря постоянным инновациям Micron удается поддерживать конкурентоспособность своей продукции и выходить на новые растущие рынки.

Производственные мощности Micron

В отличие от многих современных полупроводниковых компаний, Micron располагает собственными производственными мощностями. Компания владеет 13 фабриками, расположенными в ключевых регионах:

• США
• Япония
• Китай
• Сингапур
• Малайзия
• Тайвань

Наличие собственных фабрик позволяет Micron лучше контролировать производственный процесс, оперативно внедрять новые технологии и оптимизировать издержки. Это дает компании дополнительное конкурентное преимущество на рынке памяти.

Финансовые показатели и перспективы роста Micron

За первые три квартала 2021 финансового года Micron продемонстрировала уверенный рост финансовых показателей:

• Выручка от продажи DRAM-продуктов выросла на 37,6% год к году
• Продажи флеш-памяти NAND увеличились на 9,5%
• Выручка сегмента вычислительной техники и сетей выросла на 37,7%
• Продажи в сегменте мобильных устройств увеличились на 23,5%

Ключевыми факторами, способствующими росту бизнеса Micron, являются:

1. Увеличение спроса на память для центров обработки данных и облачных сервисов
2. Рост объемов памяти в смартфонах нового поколения
3. Расширение применения памяти в автомобильной электронике
4. Развитие технологий искусственного интеллекта и 5G, требующих больших объемов памяти

Учитывая лидирующие позиции на рынке, широкий продуктовый портфель и инновационный потенциал, Micron имеет хорошие перспективы для дальнейшего роста бизнеса в долгосрочной перспективе.

Тесты чипов памяти Samsung, Micron и Hynix на процессорах AMD Ryzen 3000

После появления процессоров Ryzen 3000 на рынке прошло несколько недель, и они стали весьма популярными среди наших читателей. Производители памяти анонсировали специальные планки для новых процессоров Ryzen и материнских плат X570. Впрочем, никто не мешает использовать данные модули памяти и с материнскими платами B450 и X470, разве что там могут потребоваться настройки вручную.

Данный обзор был подготовлен нашим форумчанином Reous.

Несмотря на внешние отличия, подобные планки памяти чаще всего оснащаются чипами DRAM, которые показали хорошую совместимость с платформами AMD. Как правило, это 8-Гбит чипы от Samsung, SK Hynix и Micron. Мы получили возможность протестировать несколько комплектов G.Skill и Crucial.

Ниже приведен краткий обзор трех наиболее распространенных чипов на рынке:

Samsung 8 Гбит B-Die:

Данные чипы типа K4A8G085WB изготавливаются по 20-нм техпроцессу. Ранее они показали дружественность к разгону, тактовые частоты почти линейно масштабируются с напряжением и задержками. По сравнению с приведенными ниже чипами, здесь получается достичь меньших задержек, что положительно сказывается на производительности. К сожалению, производство чипов B-Die прекращено, поэтому в ближайшие месяцы они уйдут с рынка. В соответствующей ветке форума перечислены планки памяти на чипах B-Die.

SK Hynix 8 Гбит C-Die:

Чипы типа H5AN8G8NCJR на 8 Гбит производятся по 18-нм техпроцессу, они относятся к третьему поколению после MFR и AFR. Потенциал разгона высокий, но по сравнению с Samsung B-Die придется принести в жертву задержки, такие как tRCDRD, tRP или tRFC. Данные чипы, как правило, встречаются на планках с заявленным режимом до DDR4-3600. Здесь мы тоже дадим ссылку на ветку форума, где можно подробнее ознакомиться с планками на чипах SK Hynix.

Micron 8 Гбит E-Die:

Чаще всего на рынке можно встретить планки памяти на 8 Гбит чипах MT40A1G8SA-075:E (D9VPP), которые производятся по 19-нм техпроцессу. В начале года они вызывали сенсацию, поскольку показали рекордные значения разгона. Из-за хороших возможностей разгона и низкой цены данные планки рекомендуются к покупке. Но и здесь по сравнению с чипами Samsung B-Die придется принести в жертву некоторые тайминги, такие как tRCDRD или tRFC. Дополнительная информация приведена в ветке форума.

Тестовая конфигурация

CPU	AMD Ryzen 7 3700X (на фиксированной частоте 4,1 ГГц)
Материнская плата	ASUS ROG Strix B450-I Gaming BIOS 2703 ABB
	ASUS ROG Strix X570-E Gaming BIOS 1005 ABB
HDD	ADATA XPG SX6000 Lite 128GB M.2 Samsung SSD 850 EVO 250GB
ОС	Windows 10 (Build 1903)
Видеокарта	XFX Radeon R9 270X Black Edition
Оперативная память	G. Skill Trident Z DDR4-3600 CL15-15-15 Samsung 8Gbit B-Die, Single Rank F4-3600C15D-16GTZ
	G.Skill Trident Z DDR4-4000 CL19-19-19 Samsung 8Gbit B-Die, Dual Rank F4-4000C19D-32GTZKK
	Crucial Ballistix Elite DDR4-4000 CL18-19-19 Micron 8Gbit E-Die, Single Rank BLE2K8G4D40BEEAK
	Crucial Ballistix Sport DDR4-3000 CL15-16-16 Micron 8Gbit E-Die, Dual Rank BLS2K16G4D30AESB
	G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16-19-19 Hynix 8Gbit C-Die, Single Rank F4-3600C16D-16GTZNC
	G.Skill SniperX Camouflage DDR4-3600 CL19-20-20 Hynix 8Gbit C-Die, Dual Rank F4-3600C19D-32GSXKB

       

Все тесты проводились на фиксированной частоте CPU 4,10 ГГц при напряжении 1,325 В.

Такой шаг был сделан, чтобы тактовые частоты не менялись в зависимости от температуры CPU, что может негативно сказаться на результате. Для тактовых частот до DDR4-3733 включительно использовалась материнская плата ROG Strix X570-E Gaming, более высокие тактовые частоты от DDR4-4200 были получены на материнской плате ROG Strix B450-I Gaming. В качестве BIOS использовались версии с патчем ComboPi 1.0.0.3 ABB. Мы тестировали одноранговые планки 2x 8 Гбайт и двуранговые 2x 16 Гбайт на чипах памяти Samsung, SK Hynix и Micron.

Мы проводили разные тесты в режимах DDR4-3200, DDR4-3600, DDR4-3733, а также DDR4-4200+ при возможности. Все комплекты за исключением однорангового Micron не смогли дать тактовые частоты выше DDR4-4200, либо чипы памяти не позволяли такие высокие частоты, либо BIOS не оптимизирована. Мы выставляли максимальное напряжение VDIMM 1,50 В для оптимизации задержек. Все тайминги приведены в следующей таблице.

<>Тесты чипов памяти Samsung, Micron и Hynix на процессорах AMD Ryzen 3000
Разгон Infinity Fabric на DDR4-3200

 

Micron

На странице &nbsp 15 30 45 все

Отображать

• org/Product»>

  Оперативная память 32Gb Micron MTA16ATF4G64HZ-3G2E2 DDR4 3200 SODIMM

  Артикул: 6955

  объем памяти: 32 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC25600

  10 500 ₽

• Оперативная память 16Gb Micron MT36KSF2G72PZ-1G6N1 DIMM PC3-12800 1600MHz ECC REG

  Артикул: 7252

  Тип DDR3L Форм-фактор DIMM Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 16 ГБ Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность PC12800 CL 11 Напряжение питания 1. 35 В Количество рангов 2 Особенности ECC, буферизованная (Registered)

  4 500 ₽

• Оперативная память 8Gb Micron MT36KSF1G72PZ-1G4K1FF DDR3 1333 DIMM ECC REG

  1 модуль памяти DDR3 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 9 ​Особенности ECC, буферизованная (Registered)

  4 200 ₽

• Твердотельный накопитель 512Gb Micron 1300 SATA M.2 MTFDDAV512TDL

  Артикул: 7216

  форм-фактор: 2280, B&M емкость: 512 ГБ скорость чтения/записи: 530 МБ/с / 520 МБ/с интерфейсы: SATA 6Gb/s разъем: M. 2

  4 500 ₽

• Оперативная память 16Gb Micron MTA16ATF2G64HZ-2G6h2 DDR4 2666 SODIMM

  Артикул: 7170

  1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 17

  5 500 ₽

• Оперативная память 8Gb Micron MTA8ATF1G64HZ-3G2R1 DDR4 3200 SODIMM

  Артикул: 7077

  объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 22 напряжение питания: 1. 2 В

  3 300 ₽

• Оперативная память 8Gb Micron MTA8ATF1G64AZ-2G3h2 DDR4 2400 DIMM

  Артикул: 7038

  объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 2400 МГц тайминги: 17-17-17 напряжение питания: 1.2 В

  4 000 ₽

• Оперативная память 4Gb Micron MTA4ATF51264AZ-2G3B1 DDR4 2400 DIMM

  Артикул: 5606

  объем памяти: 4 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 2400 МГц тайминги: 17-17-17 напряжение питания: 1. 2 В

  2 110 ₽

• Оперативная память 4Gb Micron MT16KTF51264HZ-1G6M1 DDR3 1600 SODIMM 16chip

  Артикул: 6906

  1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11

  1 900 ₽

• Оперативная память 16Gb Micron MTA16ATF2G64AZ-2G6E1 DDR4 2666 DIMM

  Артикул: 6829

  объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2666 МГц напряжение питания: 1. 2 В пропускная способность: PC21300

  6 000 ₽

• Оперативная память 8GB Micron MTA4ATF1G64HZ-3G2E1 DDR4 3200MHz SODIMM CL22

  Артикул: 6534

  объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 22-22-22 напряжение питания: 1.2 В

  3 900 ₽

• Оперативная память 8Gb Micron MTA16ATF1G64HZ-2G1A2 DDR4 2133 SODIMM

  Артикул: 6553

  объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2133 МГц напряжение питания: 1. 2 В пропускная способность: PC17000

  3 000 ₽

• Оперативная память 8Gb Micron MTA8ATF1G64HZ-2G6D1 DDR4 2666 SODIMM

  Артикул: 6395

  объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19-19-19 напряжение питания: 1.2 В

  4 000 ₽

• Оперативная память 4Gb Micron MTA4ATF51264HZ-2G6E3 DDR4 2666 SODIMM

  Артикул: 6510

  объем памяти: 4 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19-19-19 напряжение питания: 1. 2 В

  1 200 ₽

• Оперативная память 4Gb Micron MTA4ATF51264HZ-2G3E1 DDR4 2400 SODIMM

  Артикул: 6504

  объем памяти: 4 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2400 МГц тайминги: 17-17-17 напряжение питания: 1.2 В

  1 700 ₽

• Оперативная память 4Gb Micron MT16KTF51264AZ-1G6M1 DDR3 1600 SODIMM

  Артикул: 4946

  ​ объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3 SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц напряжение питания: 1. 35 В пропускная способность: PC12800 16 чипов двухсторонняя

  2 570 ₽

• Оперативная память 4Gb Micron MTA4ATF51264HZ-2G6E1 DDR4 2666 SO-DIMM

  Артикул: 4995

  1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19

  1 400 ₽

• Оперативная память 8Gb Micron MTA8ATF1G64HZ-3G2J1 DDR4 3200 SODIMM

  Артикул: 6321

  1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 3200 МГц CAS Latency (CL): 22

  5 500 ₽

• org/Product»>

  Оперативная память 8Gb Micron MTA8ATF1G64HZ-2G6h2 DDR4 2666 SODIMM

  Артикул: 4098

  1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19

  2 400 ₽

• Оперативная память 16Gb Micron MTA16ATF2G64HZ-2G3h2 DDR4 2400 SO-DIMM

  Артикул: 6010

  1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17

  5 500 ₽

• org/Product»>

  Оперативная память 8Gb Micron MTA8ATF1G64HZ-2G3E1 DDR4 2400 SO-DIMM

  Артикул: 4586

  ​ 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 15

  4 000 ₽

• Оперативная память 16Gb Micron MTA16ATF2G64HZ-2G3E1 DDR4 2400 SO-DIMM

  Артикул: 5542

  ​1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17

  5 100 ₽

• org/Product»>

  Оперативная память 8Gb Micron MTA8ATF1G64AZ-2G6E1 DDR4 2666 DIMM

  Артикул: 4438

  1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19

  4 000 ₽

• Оперативная память 2GB Micron MT18HVF25672PY-667E1 DDR2 667 DIMM ECC REG RDIMM

  ​1 модуль памяти DDR2 объем модуля 2Gb форм-фактор DIMM частота 667 МГц поддержка ECC Буферизованная (Registered) Низкопрофильная (Low Profile)​

• org/Product»>

  Оперативная память 8GB Micron MTA16ATF1G64HZ-2G1B1 DDR4 2133 SO-DIMM

  Артикул: 3669

  1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 15

  2 400 ₽

• Оперативная память 4Gb Micron MTA4ATF51264HZ-2G3B1 DDR4 2400 SO-DIMM

  Артикул: 4524

  1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17

  2 200 ₽

• org/Product»>

  Оперативная память 8Gb Micron MTA8ATF1G64HZ DDR4 2666 SODIMM

  Тип памяти DDR4 Тактовая частота (МГц) 2400 МГц Форм-фактор для ноутбуков (SO-DIMM) Пропускная способность 19200 Мб/с Объем 1 модуль 8 Гб Производитель Micron Количество модулей 1 Напряжение питания 1.2 В

  4 500 ₽

• DDR3 4Gb Micron DIMM PC3-12800 1600MHz

  Артикул: 902

  2 000 ₽

Micron Technology: финансовые показатели, потенциал роста

Главная

Блог

Обзор компаний

Micron: память для всех цифровых устройств

16 сентября 2021 8 минут

Компания производит карты памяти, накопители и инфраструктурные хранилища под брендами Micron, Crucial, SpecTek, Lexar и Elpida. В зависимости от типа целевого покупателя, реализация продукции происходит через дистрибьюторов, розничных продавцов или напрямую потребителям через онлайн-платформу.

У Micron 13 собственных фабрик, расположенных в ключевых регионах сбыта: США, Японии, Китае, Сингапуре, Малайзии и Тайване. Это отличает их от большинства современных полупроводниковых компаний, которые разрабатывают технологии, а физическое производство размещают на аутсорсинге у контрактных производителей.

Продукты компании

Micron разрабатывает технологии и производит полупроводниковые устройства памяти и хранения, которые используются в персональных компьютерах, сетях, центрах обработки данных, автомобилях, игровых консолях, бытовой электронике, средствах связи и прочих устройствах.

Оперативная DRAM-память обеспечивает краткосрочное хранение данных: информация сохраняется для оперативного использования до тех пор, пока основное устройство не будет перезагружено или выключено. Она необходима для поддержания работы компьютеров, смартфонов и других устройств.

Твердотельные SSD-накопители, флеш-накопители или другие устройства длительного хранения записывают и хранят данные длительный период времени, даже если основное устройство отключено от питания. Эти устройства работают на основе технологии флеш-памяти (NAND), не требующей питания для хранения данных. Флеш-память — важный компонент ПК, ноутбуков, игровых консолей и смартфонов. Спрос на нее растет в геометрической прогрессии, в первую очередь за счет роста средней емкости смартфонов, ПК и серверов.

Конкуренция в секторе и доля рынка компании

Сегодня 94,1% глобального рынка оперативной DRAM-памяти контролируют всего три игрока — Samsung, SK Hynix и Micron. Их доли рынка составляют 42%, 29% и 23,1% соответственно. Оставшаяся часть рынка поделена между Applied Materials, MediaTek, Intel, SanDisk, Western Digital Corporation и Seagate Technology.

По объемам продаж перекрестных с Micron товаров основные конкуренты не представляют конкурентной угрозы компании. Micron считается технологическим локомотивом сектора памяти и постоянно внедряет инновации, увеличивая скорость записи и емкость хранилищ. По состоянию на конец июня 2021 году в портфеле компании более 44 тысяч зарегистрированных и ожидающих рассмотрения патентов.

На рынке энергонезависимой флеш-памяти (NAND), не требующей питания для хранения данных, пять крупнейших компаний занимают 90% рынка. Лидером является Samsung с долей в размере 34%, далее следует японский производитель Kioxia — 18,3% мирового рынка, Western Digital Corporation и SK Hynix с долей 14,7% и 12,3% соответственно. Micron замыкает пятерку крупнейших производителей NAND-памяти, занимая 11% мирового рынка.

Фактическая олигополия в отрасли повысила порог для входа на рынок новых производителей. К тому же существующие на рынке поставщики вкладывают значительные средства в исследования и разработки новых и инновационных продуктов, имея для этого многомиллиардные бюджеты. Поэтому новые технологические стартапы сразу же становятся объектом для поглощения со стороны крупнейших чипмейкеров.

Операционные результаты

Micron — один из крупнейших мировых производителей оперативной памяти, на которую, по данным последней отчетности, приходится 73% выручки компании. Еще 24% выручки поступает от продажи флеш-памяти NAND, остальные 3% — от реализации устройств хранения по технологии 3D XPoint и NOR.

По итогам первых трех кварталов 2021 финансового года компании выручка от продажи DRAM-продуктов выросла на 37,6% г/г, флеш-памяти — на 9,5%.

Выручка по типу продукта (технологии). Источник данных: аналитический отдел ООО «Ньютон Инвестиции»

Кроме разделения по типу продукта, в своей отчетности Micron разделяет выручку и операционную прибыль на четыре основные категории в зависимости от целевого рынка.

• Сегмент вычислительной техники и сетей CNBU по итогам первых трех кварталов 2021 финансового года сгенерировал 43,7% выручки и 53,5% операционной прибыли компании. К этому сегменту Micron относит устройства памяти, предназначенные для облачных серверов, предприятий и сетей.
• Сегмент мобильных устройств MBU, формирующий 27,6% выручки и 36,5% операционной прибыли. MBU включает продукты памяти и хранилища для смартфонов и других мобильных устройств.
• Сегмент хранения данных SBU включает твердотельные SSD-накопители и их отдельные компоненты, которые предназначены для рынков корпоративных, облачных, клиентских и потребительских систем хранения. Продажи данных устройств формируют около 18,5% общей выручки, но при этом практически не формируют операционной прибыли для Micron.
• Сегмент встроенных устройств EBU включает память и продукты для хранения данных, предназначенные для автомобильного, промышленного и потребительского рынков. По итогам последних 6 месяцев продажи сегмента обеспечили около 13,7% выручки и более 12% операционной прибыли компании.

По итогам первых трех кварталов 2021 финансового года сегмент вычислительной техники и сетей продемонстрировал опережающие темпы роста выручки в размере 37,7% г/г. Выручка сегментов мобильных и встроенных устройств выросла на 23,5% и 35,8% по сравнению с тремя кварталами 2020 финансового года, а продажи хранения данных снизились почти на 3%.

Выручка по типу продукта (технологии). Источник данных: аналитический отдел ООО «Ньютон Инвестиции»

Структура операционной прибыли в размере операционных сегментов. Источник данных: аналитический отдел ООО «Ньютон Инвестиции»

Динамика выручки за три квартала 2021 финансового года компании Micron в размере операционных сегментов. Источник данных: аналитический отдел ООО «Ньютон Инвестиции»

Динамика операционной прибыли за три квартала 2021 финансового года компании Micron в размере операционных сегментов. Источник данных: аналитический отдел ООО «Ньютон Инвестиции»

Стимулы для роста

Глобальная цифровизация является главным драйвером роста всей полупроводниковой промышленности. В этом тренде Micron играет одну из ведущих ролей — на долю компании приходится 1/4 мирового рынка памяти.

Semiconductor Industry Association ожидает, что мировые продажи полупроводников в 2021 году вырастут на 25,1% г/г и достигнут $551 млрд. Продажи устройств памяти увеличатся на 37,1%, аналоговых и логических микросхем — на 29,1% и 26,2% соответственно. Начиная с 2022 года темпы роста рынка полупроводников снизятся за счет нормализации цепочки поставок, но все же останутся в пределах двузначных значений — около 10% г/г вплоть до 2027 года. 

Главными стимулами для роста Micron станут:

• Автомобильная промышленность. Технологические решения сделали современный автомобиль мощнее персонального компьютера. Благодаря информационно-развлекательной системе, управлению трансмиссией, системам помощи водителю и прочим электронным нововведениям автомобили обладают большей вычислительной мощностью, чем современные ноутбуки. Это требует много памяти.
• 5G-сеть. Ее пропускная способность — до 20 раз больше сетей 4G LTE. Это открывает большие перспективы как для мобильных устройств и интернета вещей (IoT), так и для всех отраслей экономики. Высокая скорость позволит перемещать больше данных между конечными устройствами, создавая спрос на быструю память и более емкие хранилища. Micron имеет хорошие возможности для решения этих задач с помощью передовых технологий высокоскоростной и энергоэффективной памяти.
• Промышленный интернет вещей. Он предусматривает подключение различного оборудования, линий и целых промышленных комплексов в единую сеть с целью автоматизации производства. 5G в сочетании с постоянно развивающимися периферийными устройствами позволит фабрикам работать полностью автономно.
• Умные аксессуары. Очки виртуальной реальности, умные часы, 4K-телевизоры, умные колонки и прочие инновационные продукты создают большой спрос у розничных потребителей. Это тоже потребует новых решений в области хранения данных.
• Облачные вычислительные среды и центры обработки данных. Цифровая трансформация различных отраслей производства и государственного сектора также требует актуальных решений.

Подразделение Micron Ventures инвестирует в технологические стартапы, которые создают прикладные решения в области искусственного интеллекта и машинного обучения, промышленной автоматизации и разработки программного обеспечения, облачных хранилищ и аэрофотосъемки, разработки инновационной памяти и даже электрического аэротакси. В данный момент в портфеле Micron одиннадцать технологических стартапов, которые в будущем могут обеспечить компании новые катализаторы роста.

Экономический прогноз

Повышенный спрос на память позволил Micron увеличить выручку на 26,4% г/г за три первых квартала 2021 финансового года компании — до $19,43 млрд. За этот же период чистая прибыль выросла на 83% — до $3,14 млрд.

В последнем отчетном квартале темпы роста ускорились — выручка увеличилась на 19% квартал к кварталу и 36,5% г/г, а скорректированная чистая прибыль подскочила на 131% и достигла $2,173 млрд, или $1,88 на акцию.

Ранее акции Micron имели существенную корреляцию со спросом на память со стороны производителей ПК. Однако в последние годы эта тенденция стала менее заметной — развитие искусственного интеллекта, виртуальной реальности, 5G-устройств, умных автомобилей, а также игровых приставок, IoT и прочих электронных устройств изменило спрос. В результате рынок памяти больше не полагается только на производителей ПК. Это делает бизнес Micron более диверсифицированным и устойчивым. В дополнение к этому у компании устойчивый баланс, отрицательный чистый долг и $12,05 млрд наличных, эквивалентов и дебиторской задолженности покупателей.

Micron непрерывно инвестирует в разработку новых продуктов и технологических процессов. Это позволяет ей оставаться в числе мировых лидеров индустрии, а также обеспечивает рост доходов и технологический задел на будущее. По оценкам менеджмента, в 2021 году капитальные затраты составят около $9,5 млрд, или более 37% от выручки. По этому критерию Micron обходит многих своих конкурентов.

По итогу 2021 финансового года выручка Micron может составить около $27,65 млрд (+29% г/г), а скорректированная чистая прибыль — $6,10 на акцию. Это означает ее рост на 112% г/г.

Структура баланса. Источник данных: аналитический отдел ООО «Ньютон Инвестиции»

Динамика выручки и прибыли. Источник данных: аналитический отдел ООО «Ньютон Инвестиции»

Риски

Micron имеет высокую аллокацию продаж в домашнем регионе — в США (около 49% выручки) — и в дружественных к Америке Тайване (17%) и Японии (6,5%). На прочие страны Азиатско-Тихоокеанского региона, за исключением Китая, приходится около 5,4% продаж. На материковый Китай и контролируемый им Гонконг приходится около 20% продаж компании. Несмотря на относительно невысокую концентрацию продаж в этом регионе, это все же подвергает Micron рискам, связанным с изменениями экспортных и импортных пошлин, а также геополитической нестабильностью взаимоотношений между США и Китаем.

В данный момент это наиболее значимые для Micron риски, которые теоретически могут лишить компанию крупнейшего в мире адресного рынка и ⅕ выручки.

География выручки компании Micron. Источник данных: аналитический отдел ООО «Ньютон Инвестиции»

Оценка компании

Стоимость акций Micron в последнее время существенно упала из-за опасений неизбежного снижения цен на цифровую память. Опасения рынка вполне рациональны, учитывая цикличность спроса на память в прошлом, а также рост цен на полупроводники из-за ажиотажного спроса в последний год.

График котировок акций компании Micron за последние четыре года. Источник данных: аналитический отдел ООО «Ньютон Инвестиции»

Однако появление и массовое распространение сотен наименований электронных устройств — от умных колонок и пылесосов до игровых консолей, смартфонов и современных автомобилей — значительно расширило сферы применения цифровой памяти. Это кардинально изменило цикл спроса, и полупроводниковая промышленность вступила в период его длительного роста. Скорее всего, текущий дефицит чипов продлится как минимум до 2025 года — до ввода в эксплуатацию проектируемых сегодня фабрик.

Исходя из прогноза скорректированной чистой прибыли за 2021 финансовый год в размере $6,10 на акцию, Micron торгуется с форвардным Р/Е 12х, что на 52% дешевле среднеотраслевой оценки.

Прогнозная цена акций Micron составляет $100. Потенциал роста — 36% на горизонте года.

Данный справочный и аналитический материал подготовлен компанией ООО «Ньютон Инвестиции» исключительно в информационных целях. Оценки, прогнозы в отношении финансовых инструментов, изменении их стоимости являются выражением мнения, сформированного в результате аналитических исследований сотрудников ООО «Ньютон Инвестиции», не являются и не могут толковаться в качестве гарантий или обещаний получения дохода от инвестирования в упомянутые финансовые инструменты. Не является рекламой ценных бумаг. Не является индивидуальной инвестиционной рекомендацией и предложением финансовых инструментов. Несмотря на всю тщательность подготовки информационных материалов, ООО «Ньютон Инвестиции» не гарантирует и не несет ответственности за их точность, полноту и достоверность.

---

Аналитический отдел

сервис Газпромбанк Инвестиции

Поделиться статьей

Читайте также

10 июня 2021 AbbVie: инвестиции в рецептурные лекарства 10 минут 19 августа 2021 MetLife: международный страховой холдинг 11 минут 26 августа 2021 Lear Corporation: ставка на автокомпоненты 12 минут

Карьера | Micron Technology, Inc

В Micron мы сосредоточены на одном: использовать наш опыт в неустанном стремлении к инновациям. Наши люди создают решения, которые вдохновляют и трансформируют технологии.

Узнайте о своей карьере в Micron уже сегодня.

Найдите свою следующую карьеру

Найти рекрутинговые мероприятия рядом с вами

Выберите местонахождение

Германия

Германия

Италия

Malaysia

Singapore

Taiwan

HOKO 2022

Germany

10 to 12-Nov-22

Career fair

Federico II Job Fair

Italy

10/13/2022

Career fair

Международный день карьеры

Италия

13.10.2022

Ярмарка вакансий

День вакансий

Италия

29.10.2022

3

0 Ярмарка вакансий0003

Italy

11/26/2022

Career fair

AL Lavoro Campania

Italy

16 to 20-Nov-22

Career fair

Career Symposium Korea 2022

Malaysia

9/24/ 2022

Ярмарка карьеры

Мега -карьера и учебная ярмарка

Малайзия

24. 09.2022

Ярмарка карьеры

Карьера Симпозиум Корея 2022

Малайзия

9/25/2022

Ярмарка

9/25/2022

Ярмарка

9/25/2022

Ярмарка 9000

мега -карьера и учебная ярмарка

Малайзия

25.09.2022

Ярмарка карьеры

Карьера Симпозиум Корея 2022

Малайзия

9/26/2022

Карьера

Национальный университет Синджапора. 2022

Сингапур

10/12/2022

10: 00-16: 00

Индустрия ITE Автомобили.0002 Церемония награждения HREA

Сингапур

10/5/2022

16: 00-22: 00

Инаугурационные навыки FARITURE @ NS FAIR

СИНГАПОР

20-21-SEP-22

9000: 00-18: 00-18: 00-18: 00-18: 00-18: 00-18: 00-18: 00-18: 00-18: 00-18: 00-18: 00

Национальный университет Сингапура, Колледж дизайна и инженерии Ярмарка вакансий 2022

Сингапур

27–28 октября 22

11:00–17:00

Наньянский технологический университет Открытие конкурса MLDA

Стенд карьеры

Сингапур

30. 09.2022

12: 00-18: 00

NYCU осенью ярмарка карьеры

Тайвань

10/12/2022

Ярмарка карьеры

NTH /2022

Ярмарка вакансий

От образования к инновациям

Направьте полученные в школе знания на новую работу. Станьте частью прорывов, лежащих в основе технологий завтрашнего дня.

Стажер в Micron!

Готовы работать над реальными проектами и заводить важные карьерные связи? Сделайте это через программу стажировки Micron. Оплачиваемые стажировки теперь доступны во многих офисах Micron.

Узнать больше

Наши команды

Найдите работу в вашей стране

Компания Micron имеет филиалы и возможности трудоустройства по всему миру. Мы всегда ищем таланты, которые могут развивать наши технологии — где бы эти таланты ни находились.

Где в мире вы хотели бы работать?

Соединенные Штаты

США

Китай

Германия

Индия

Италия

Япония

Малайзия

Сингапур

Тайвань

Великобритания

Идти

Micron IT + You

В Micron мы сосредоточены на одном: использовать наш опыт в неустанном стремлении к инновациям. Наши люди создают решения, которые вдохновляют и трансформируют технологии.

Истории членов команды: Стефани

Узнайте, что побудило Стефани стать инженером-технологом и что делает ее идеально подходящим членом нашей команды здесь, в Micron.

Каково работать в сфере разработки продуктов?

Услышьте это непосредственно от инженеров. Узнайте, каково это работать в компании Micron, занимающейся разработкой продуктов DRAM. Посмотрите, как их инновации меняют то, что мир использует каждый день.

Медицинское страхование

Предлагается выбор медицинских, стоматологических и офтальмологических планов. Также предлагаются конкурентоспособная жизнь, страхование по инвалидности, оплачиваемый отпуск по беременности и родам/отцовству и многое другое.

Пенсионный план

Конкурентоспособный план 401(k) позволяет вам откладывать деньги на пенсию. Выберите инвестировать до налогообложения или после налогообложения и из портфеля средств, которые могут помочь вам достичь ваших пенсионных целей.

Программа покупки акций сотрудниками

Приобретите акции Micron через нашу программу покупки акций для сотрудников, и вы сможете получить их со скидкой.

Оплачиваемый отпуск

Сотрудники получают оплачиваемый отпуск. Ваша начальная ставка начинается с 5,31 часа за двухнедельный период оплаты. Ежегодно увеличивается до 6,93 часов.

Плата за обучение

Micron предоставляет ресурсы через поддержку обучения и отраслевые курсы, которые помогают сотрудникам расширять и расширять свои знания посредством образования.

Обучение и образование

Micron работает над тем, чтобы предоставлять возможности для получения образования мирового уровня. Мы связываем учащихся и преподавателей со всего мира, чтобы помочь расширить ваши профессиональные навыки и понимание.

Ценности, которые нами движут. Они водят тебя?

Люди

Мы заботимся друг о друге.

Инновация

Мы разрабатываем решения, которые формируют будущее мира.

Упорство

Ничто не может поколебать нашу решимость.

Сотрудничество

Мы работаем как одна команда.

Полезные ссылки

Новости и события

Что происходит с Micron? Смотрите нас в новостях и наших последних событиях.

Читать далее >

Инновации

Компания Micron стремится к инновациям. С самого начала, до сих пор и в будущем мы разрабатываем то, что будет дальше.

Подробнее >

Micron дает

Мы поддерживаем наших преподавателей, студентов и сообщества. Посмотрите, как Фонд Micron возвращает деньги.

Подробнее >

О Micron

Мы меняем то, как мир использует данные и информацию. Посмотрите, как это происходит благодаря нашей памяти и памяти.

Подробнее >

Свяжитесь с нами

Свяжитесь с нами, если у вас есть вопросы о возможностях карьерного роста в Micron или о процессе подачи заявки.

Свяжитесь с нами >

Заявление о политике равных возможностей при трудоустройстве

Политика MICRON TECHNOLOGY, INC заключается в том, чтобы не допускать дискриминации в отношении любого сотрудника или кандидата на работу из-за его или ее расы, цвета кожи, религии, пола, сексуальной ориентации, гендерной идентичности, национального происхождения или из-за того, что он или она является человек с инвалидностью или ветеран-инвалид, ветеран с медалью службы в вооруженных силах, недавно уволенный ветеран или ветеран военного времени или кампании, находящийся на действительной военной службе, или в дальнейшем именуемые в совокупности «защищенными ветеранами». Политика MICRON TECHNOLOGY, INC также заключается в том, чтобы принимать позитивные меры для найма и продвижения по службе всех лиц, независимо от их статуса лиц с ограниченными возможностями или защищенных ветеранов, и основывать все решения о трудоустройстве только на действительных требованиях к работе. Настоящая политика применяется ко всем действиям по трудоустройству, включая, помимо прочего, прием на работу, прием на работу, повышение квалификации, продвижение по службе, перевод, понижение в должности, увольнение, отзыв, увольнение, ставки заработной платы или другие формы компенсации, а также отбор для обучения, включая ученичество, в все уровни занятости. Кроме того, компания предоставит квалифицированным кандидатам и сотрудникам, которые запрашивают приспособление из-за инвалидности, разумные приспособления, как того требует закон.

MICRON TECHNOLOGY, INC запрещает притеснение сотрудников и соискателей на том основании, что они являются лицами с ограниченными возможностями или защищенными ветеранами. MICRON TECHNOLOGY, INC также запрещает преследование сотрудников и заявителей за подачу жалобы, противодействие любому дискриминационному акту или практике, помощь или участие каким-либо образом в проверке, расследовании или слушании или иное стремление получить свои законные права в соответствии с любым федеральным законом или законом штата. или местный закон EEO, требующий равных возможностей трудоустройства для лиц с ограниченными возможностями и защищенных ветеранов. Запрещенное возмездие включает, помимо прочего, преследование, запугивание, угрозы, принуждение или другие неблагоприятные действия, которые могут помешать кому-либо отстаивать свои права.

Как президент и главный исполнительный директор MICRON TECHNOLOGY INC, я, Санджай Мехротра, привержен принципам позитивных действий и равных возможностей трудоустройства. Чтобы обеспечить распространение и внедрение равных возможностей трудоустройства и позитивных действий на всех уровнях компании, Дженнифер Лихи была назначена директором по Северной Америке по отношениям с сотрудниками и обеспечению равенства в MICRON TECHNOLOGY, INC. Одна из обязанностей директора по Северной Америке , Отношения с сотрудниками и равенство будут заключаться в создании и поддержании системы внутреннего аудита и отчетности, чтобы обеспечить эффективное измерение программ MICRON TECHNOLOGY, INC.

В поддержку политики MICRON TECHNOLOGY, INC в отношении позитивных действий и равных возможностей трудоустройства, MICRON TECHNOLOGY, INC разработала письменную Программу позитивных действий (AAP), в которой излагаются политики, методы и процедуры, которым MICRON TECHNOLOGY, INC привержена в чтобы обеспечить выполнение своей политики недискриминации и позитивных действий в отношении квалифицированных лиц с ограниченными возможностями и квалифицированных защищенных ветеранов. Этот AAP доступен для ознакомления любому сотруднику или кандидату на работу по запросу с 8:00 до 17:00 по местному времени с понедельника по пятницу в офисе People Organization. Любые вопросы следует направлять мне, вашему руководителю, или Дженнифер Лихи, директору отдела по работе с персоналом и обеспечению равенства в Северной Америке.

Micron (MU) Stock: Чипы памяти не восстановятся до 2024 года

08 сентября 2022 г. 17:52 ETMicron Technology, Inc. (MU)SSNLF84 У Micron и других компаний, производящих память, есть значительные запасы, с которыми нужно работать.

Высокие запасы приводят к значительному падению цен на память.

Сокращение капитальных затрат на расширение памяти негативно скажется на компаниях, занимающихся производством оборудования, особенно на Applied Materials и Lam Research.

Эта идея более подробно обсуждалась с членами моего частного инвестиционного сообщества Semiconductor Deep Dive. Узнать больше »

bfk92/E+ через Getty Images

Под влиянием стремительного роста потребительского спроса, за которым последовали ограничения поставок из-за пандемии, традиционно циклическая индустрия памяти перешла к новому циклу, который начал расти в первом квартале 2021 г. затем начал снижаться во втором квартале 2022 года. Спад был усилен высоким за 40 лет уровнем инфляции и опасениями рецессии, которые снизили спрос в первую очередь на потребительскую электронику.

Поскольку Федеральная резервная система все еще отстает от кривой, а процентная ставка ниже 3%, несмотря на гораздо более высокий уровень инфляции, который в настоящее время составляет 8,5%, продолжительность спада может продолжаться до 2023 года. Доверие потребителей выросло по мере снижения цен на бензин, и так же как и инфляция, но она изменится с наступлением зимы и ростом цен на мазут и природный газ.

Планы капиталовложений

Чтобы противостоять избыточному предложению и высоким запасам, компании-производители памяти запланировали сократить капиталовложения (сочетание строительства и оборудования). Micron (NASDAQ:MU) указала, что сократит капиталовложения в 2023 г. в попытке нормализовать запасы, но не уточнила сумму.

По моим оценкам, первоначальный план Micron по капиталовложениям в размере 10 миллиардов долларов в 2023 году, который, кстати, снизился на 20% по сравнению с 12 миллиардами долларов в 2022 году, снизится до 8 миллиардов долларов в 2023 году.

В то же время SK Hynix (OTC: HXSCL) отложит производство M17 в центральном городе Чхонджу, Корея. Это не означает, что SK перестанет двигаться вперед в своих попытках увеличить долю рынка (помните, что в прошлом году она купила бизнес SSD-памяти Intel и завод Dalian в Китае). SK Hynix объявила, что к началу 2025 года построит новый завод по производству микросхем памяти в Чхонджу, провинция Северный Чхунчхон, и потратит 10,9 долларов США.миллиардов на новом месте в ближайшие пять лет. Этот новый завод является расширением существующей линейки M15, построенной в 2018 году.

Аналогичным образом, Samsung Electronics (OTCPK:SSNLF) отложила поставку оборудования для завода P3. P3 — смешанная фабрика, которая будет производить микросхемы памяти и логические микросхемы. Он будет производить 10-нанометровую память DRAM, изготовленную по технологии экстремального ультрафиолета («EUV»), и 176-слойную память V-NAND поколения 7. Он также будет производить 3-нанометровые чипы EUV для заказчиков логики. По иронии судьбы, в апреле 2022 года, до падения продаж бытовой электроники, Samsung встречалась с поставщиками оборудования, чтобы ускорить доставку оборудования WFE из-за задержек с доставкой в ​​цепочке поставок. Капитальные затраты Samsung в первом полугодии 2022 года упали на 13,5% по сравнению с предыдущим годом, до 15,7 млрд долларов.

Сокращение капиталовложений отрицательно скажется на компаниях, занимающихся производством оборудования. Но опять же, продукты бытовой электроники заполнены логическими и процессорными микросхемами, что означает сильное влияние на Applied Materials (AMAT) и Lam Research (LRCX), согласно отчету The Information Network, озаглавленному « Полупроводниковое оборудование: рынки, доля рынка, Прогнозы рынка ».

Сравнительные данные от поставщиков памяти

Исходя из этого, ниже приведены сравнительные диаграммы для трех компаний — Micron, SK Hynix и Samsung. В этой статье я обсуждаю ASP (средние цены продажи). В моем информационном бюллетене Semiconductor Deep Dive Marketplace моя более обширная статья с тем же названием также обсуждает доходы и поставки битов.

DRAM

ASP (средние цены продажи)

ASP для SK Hynix в 3-м квартале, как ожидается, снизится в старшем подростковом возрасте, поскольку спрос падает как из-за вялых продаж ИТ, так и из-за сокращения инвестиций в центры обработки данных в гиперскейлерах (из-за снижения рекламный доход). Ожидается, что ASP для Micron и Samsung снизятся до среднего уровня, как показано на диаграмме 1.

Диаграмма 1

The Information Network потребительских электронных продуктов, снижает ASP NAND. ASP снижается для 3Q в диапазоне от -8% для Samsung до -19% для SK Hynix, как показано на графике 2.

График 2

Информационная сеть

WSTS DRAM и NAND ASP

ASP DRAM и NAND показаны на графике 3 в среднем за 3 месяца. за период с июля 2019 г. по июнь 2022 г. ASP памяти снизились на 3,2% в июле с -3,3% в июне после роста на 1,0% в мае. ASP DRAM увеличились на 0,6% в июле с -6,0% в июне (+1,2% в мае), а ASP NAND снизились на 1,2% в июле с +3,5% в июне (+1,2% в мае).

Диаграмма 3

The Information Network, WSTS

Выводы для инвесторов

Неопределенность макроэкономических показателей оказала негативное влияние на спрос на смартфоны/ПК. Карантин в Шанхае, Китай, повлиявший на цепочку поставок в начале года, нельзя упускать из виду как фактор, способствующий этому. Задержки с доставкой переместились из-за нехватки компонентов в сбои в логистике, поскольку шанхайский порт был практически закрыт.

Уровни запасов в Micron и ее аналогах растут благодаря вялым продажам таких продуктов, как смартфоны и телевизоры. Стремясь сократить уровень запасов, крупные производители наборов сокращают закупки деталей (включая микросхемы памяти). Хотя спрос на инвестиции в центры обработки данных был стабильным в 1 час 32 минуты, он, вероятно, начнет заметно снижаться в 3 квартале 2022 года, поскольку доходы глобальных гиперскейлеров (включая Google (GOOGL), Meta (META) и Amazon (AMZN)) начинают замедляться. 9IXT), у которого дела обстоят лучше, -15,9%.

Диаграмма 4

YCharts

Когда мы можем ожидать начала цикла повышения цен

Аналитик Citi Кристофер Дейнели сократил свои оценки Micron и понизил целевую цену до 75 долларов с 80 долларов, но повторил свою рекомендацию покупать, отметив Micron показал три признака дна: он снизил свои капиталовложения; он торгуется вблизи минимальной оценки; и у него есть большая часть его недостатка уже в согласованных оценках.

На графике 5 я показываю резкий рост уровня инфляции в США за 5-летний период, который начал быстро увеличиваться в начале 2021 года (синяя линия). Он также показывает индекс потребительских настроений США (оранжевая линия) и обратную зависимость между ними. Потребительские настроения достигли минимума 50,00 несколько месяцев назад, что соответствует 40-летнему максимуму уровня инфляции 9..1%.

Важным следствием потребительского настроения является то, что это экономический показатель, который измеряет, насколько оптимистично потребители относятся к своим финансам и состоянию экономики. И это ключевой вопрос этого спада памяти. Поскольку цены выросли, потребителям пришлось выбирать между едой, бензином или электронными продуктами.

Диаграмма 5

YCharts

Настроения потребителей выросли, поскольку цены на бензин упали. Сейчас ОПЕК сокращает добычу, а Россия закрыла газопровод «Северный поток — 2». С наступлением зимы цены на топочный мазут, которые не снизились, и трубопроводный природный газ вырастут. Я ожидаю, что потребительские настроения снизятся, что станет встречным ветром для индустрии памяти.

Еще одна неопределенная проблема — возможность рецессии. График 6 показывает 10-летнюю и 2-летнюю казначейскую ставку. Обычно 2-летняя ставка ниже, чем 10-летняя ставка. Однако, когда она выше, это называется перевернутой кривой доходности.

Перевернутая кривая доходности возникает, когда увеличиваются краткосрочные риски. Инвесторы требуют относительно большей компенсации от краткосрочных казначейских облигаций, а долгосрочные ожидания в отношении экономики ухудшаются.

Диаграмма 6

YCharts

С 1976 г. в США было шесть крупных рецессий, определяемых как минимум двумя последовательными кварталами отрицательного роста ВВП. Представленные серыми полосами на приведенной ниже диаграмме, всем шести рецессиям предшествовал отрицательный спрэд 10-2, и каждая рецессия произошла менее чем через два года после того, как спрэд 10-2 впервые перевернулся.

Чтобы сбросить текущий цикл памяти, компании, занимающиеся памятью, разумно корректируют капиталовложения, чтобы уменьшить избыточные запасы и избыточное предложение. Тем не менее, отрасль должна преодолеть озабоченность потребителей по поводу траты денег на электронные гаджеты по своему усмотрению, когда недискреционные расходы имеют решающее значение. Я не ожидаю восстановления памяти до 2023 года, связанного с макроэкономическими факторами и исключающего эскалацию геополитических проблем.

В этой бесплатной статье представлен мой анализ полупроводникового сектора. Более подробный анализ доступен на моем информационном бюллетене Marketplace Semiconductor Deep Dive . Вы можете узнать больше об этом здесь и начать безрисковую двухнедельную пробную версию прямо сейчас.

Эта статья была написана

Робертом Кастеллано

13,91 тыс. подписчиков

Автор Deep Dive по полупроводникам

Предоставление глубокой базы знаний для более эффективных инвестиций в акции полупроводников

Доктор Роберт Н. Кастеллано, президент информационной сети www.theinformationnet.com. Большинство данных, а также таблиц и диаграмм, которые я использую в своих статьях, взяты из отчетов об исследованиях рынка. Если вам нужна дополнительная информация о какой-либо статье, пожалуйста, перейдите на мой сайт.

Скоро я начну выпуск информационного бюллетеня для инвесторов. Информация для регистрации будет онлайн на моем сайте.

Я получил докторскую степень. степень в области химии Оксфордского университета (Англия) под руководством доктора Джона Гуденау, изобретателя литий-ионного аккумулятора и 2019 г. Лауреат Нобелевской премии по химии. У меня есть десятилетний опыт работы в области производства пластин в AT&T Bell Laboratories и Стэнфордском университете.

Я являюсь главным редактором рецензируемого журнала Active and Passive Electronic Devices с 2000 года. Я автор книг «Технологические тенденции в производстве СБИС» (Gordon and Breach), «Обработка солнечных панелей» (Old City Publishing), «Альтернативные энергетические технологии» (Old City Publishing). Также в области солнечной энергетики я являюсь генеральным директором компании SolarPA, которая использует запатентованный наноматериал для покрытия солнечных элементов, повышая эффективность до 10%. Недавно я опубликовал вымышленный роман «Блаженны», который доступен на Amazon и других сайтах.

Раскрытие информации: У меня/у нас нет позиций по акциям, опционам или подобным деривативам ни в одной из упомянутых компаний, и мы не планируем открывать такие позиции в течение следующих 72 часов. Я написал эту статью сам, и она выражает мое собственное мнение. Я не получаю за это компенсацию (кроме Seeking Alpha). У меня нет деловых отношений ни с одной компанией, акции которой упоминаются в этой статье.

Комментарии (84)

Рекомендуется для вас

Чтобы этого не произошло в будущем, включите Javascript и файлы cookie в своем браузере.

Часто ли это происходит с вами? Пожалуйста, сообщите об этом на нашем форуме обратной связи.

Если у вас включен блокировщик рекламы, вам может быть заблокировано продолжение. Пожалуйста, отключите блокировщик рекламы и обновите страницу.

США должны финансировать исследования памяти – Blocks and Files

Micron и Western Digital (WD) хотят, чтобы часть из 280 миллиардов долларов финансирования US CHIPS и Science Act была направлена ​​на исследования полупроводников для вычислений, ориентированных на память.

Обновление . WD ответила типом «без комментариев» на наш запрос о причастности к Micron и MCOE. См. предпоследний абзац. 9 августа 2022 г.

Эти двое настаивают на создании Коалиции передового опыта в области памяти (MCOE), финансируемой Национальным центром полупроводниковых технологий (NSTC), которая создается за счет финансирования CHIPS и законодательства в области науки. Аргументы изложены в совместном отчете производителя памяти Micron и поставщика систем хранения данных WD под названием «Рекомендации коалиции передового опыта в области памяти для Национального центра полупроводниковых технологий».

Скотт ДеБоер, руководитель отдела технологий и продуктов Micron, пишет: «Память не только вездесуща, но и находится на переднем крае производства полупроводников, требуя производства передовых технологий, которые подталкивают законы физики. … теперь у нас есть историческая возможность восстановить мировое лидерство в области полупроводников благодаря принятию закона о чипах и науке и последующему финансированию NSTC.

«NSTC будет государственным консорциумом частного сектора, ориентированным на внедрение передовых полупроводниковых технологий. Он будет играть ключевую роль в продвижении технологических инноваций и лидерства США в долгосрочной перспективе. Кроме того, он поддержит США в совершенствовании и ускорении их глобального технологического и полупроводникового лидерства».

Micron и WD хотят, чтобы NSTC сосредоточил внимание на полупроводниках, связанных с памятью: «Создание Коалиции передового опыта в области памяти (MCOE) в качестве основы в рамках NSTC имеет решающее значение для фундаментальных технологий памяти и будет способствовать дальнейшему повышению американской экономической конкурентоспособности и национальной безопасность. MCOE соберет лидеров отрасли, научных кругов и национальных лабораторий, которые еще больше поддержат США в совершенствовании и ускорении их глобального лидерства в области технологий и полупроводников».

По мнению ДеБоера: «NSTC должен разработать и сформулировать долгосрочное (> 5 лет) видение и дорожную карту будущего полупроводниковых технологий следующего поколения». Утверждается, что некоторые ключевые виды деятельности для MCOE включают:

• Исследования и разработки в области материалов, технологий обработки/метрологии и новых методов анализа
• Методологии и инструменты моделирования
• Разработка технологии трехмерной памяти следующего поколения
• Внедрение новой концепции проектирования памяти
• Создание прототипов вычислений в памяти и/или
• Гетерогенная интеграция на уровне пластин и микросхем
• Расширенная упаковка

Отчет

16-страничный отчет MCOE рекомендуется к прочтению всем, кто занимается разработкой NAND и DRAM. Есть 10 участников, пять из Micron и пять из WD. Вклад WD касается NAND, а не жестких дисков. У WD есть совместное предприятие с японской Kioxia по производству чипов 3D NAND, и половина продукции литейного производства используется для производства твердотельных накопителей. У WD нет заводов NAND в США, тогда как у Micron их два; один в Манассасе, штат Вирджиния, а другой в Бойсе, штат Айдахо.

В отчете говорится, что микроэлектронные чипы и полупроводниковые технологии имеют решающее значение для конкурентоспособности США: «Полупроводники играют ключевую роль в национальной экономической деятельности и национальной безопасности США… Конкурентоспособность Соединенных Штатов в области памяти сталкивается с рядом проблем по сравнению с другими странами, включая экономику масштаб и более ограниченные инвестиционные стимулы».

В нем указывается: «Затраты на постоянную переработку и улучшение логических микросхем за последнее десятилетие стали непомерными, ограничивая производственные возможности лишь несколькими крупнейшими мировыми компаниями».

В нем утверждается, что правительство США не оказывает достаточной помощи в исследованиях и разработках: «Хотя на федеральное правительство приходится 13 процентов от общего объема инвестиций в исследования и разработки в области полупроводников в США, этот процент значительно ниже 22 процентов в среднем по всем другим технологическим секторам». Следовательно: «Крайне важно, чтобы федеральные инвестиции США уделяли приоритетное внимание исследованиям и разработкам в области памяти и хранения».

«Повсеместное распространение памяти в электронных системах означает, что ячейки памяти составляют примерно 85 процентов всего количества устройств в производстве полупроводников. Однако производство памяти в США составляет всего 2 процента от общемирового объема… Федеральные инициативы, такие как предложенный NSTC, предоставляют уникальную возможность поддерживать устойчивые инновации в области технологий памяти внутри страны, тем самым укрепляя национальную и экономическую безопасность США».

Компания Micron уже пообещала расширить свою производственную инфраструктуру DRAM/NAND в США.

Основная часть отчета посвящена вопросам технологии DRAM и NAND и заявляет, что существует стена памяти, сдерживающая развитие вычислений: «Существующие схемы обработки данных основаны на архитектуре, в которой хранение данных отделено от обработки данных. Это создает потребность в постоянном перемещении информации в память и из памяти, что происходит с большими затратами времени и энергии. «Стена памяти» относится к этому временному и энергетическому узкому месту в системе».

Архитектуры, ориентированные на память, существуют для обхода этой стены памяти:

• Хранилище вычислений
• Вычисления в ближней памяти
• Вычисления в памяти
• Аналоговые ускорители

Адаптация архитектур доменных ускорителей характеристики нагрузки. Каждый из этих четырех элементов становится все более эффективным с точки зрения энергии, необходимой на байт (пикоджоули/байт или пДж/б):

График отчета MCOE

В отчете говорится: «Технологии чипов памяти и хранения перешли в режим после закона Мура: парадигма трехмерного масштабирования… Дальнейший прогресс на этом пути требует полного переосмысления взаимодействия между вычислениями, памятью и хранилищем.

«Вычисления, ориентированные на память, — это логичный путь для выполнения сложных вычислений с низким энергопотреблением и высокой производительностью для рабочих нагрузок, связанных с памятью, включая вывод и обучение ИИ.

«Любой серьезный шаг к вычислениям, ориентированным на память, требует интегрированных инноваций от приложений до битов хранения, включая архитектуры, платформы, операционные системы и системы памяти. Все элементы в вычислительном стеке должны развиваться вместе в парадигме, ориентированной на память на системном уровне».

«Приближение рабочих нагрузок к памяти началось с трехмерного стекирования микросхем памяти, называемого памятью с высокой пропускной способностью (HBM), и интеграции этих стеков с системами в двухмерном режиме… можно представить себе полное слияние памяти и логики. где функции аналоговой памяти устроены так, чтобы обеспечить возможность параллельных вычислений».

Диаграмма строительных блоков отчета MCOE

Авторы отчета хотят, чтобы MCOE «сосредоточилось на предконкурсных исследованиях материалов, процессов, трехмерных структур и производственных технологий для памяти и сотрудничало с другими COE (центрами передового опыта) в области упаковки. и технологии межсоединений, чтобы обеспечить следующее поколение энергоэффективных вычислений и ускорителей для конкретных областей… MCOE также должен определить ряд общенациональных масштабных проблем, связанных с масштабированием производительности памяти, которые поощряют крупномасштабное сотрудничество в рамках полупроводниковой экосистемы США».

MCOE будет институтом с передовыми средствами: «Помещения и инфраструктура должны обеспечивать расширенную память/хранилище, логику и создание прототипов аналоговых систем с поддержкой вспомогательных материалов, устройств и упаковки. Предполагаемая инфраструктура для таких целей включает в себя современную чистую комнату площадью 300 мм с передовыми возможностями полупроводникового оборудования для изготовления полнопоточных концептуальных прототипов микросхем памяти, компонентов и модулей, а также специализированную системную лабораторию для проверка и тестирование»

Авторы отчета считают, что должен быть «быстрый переход от лаборатории к фабрике».

Заключение по отчету

1. Согласованная инициатива NSTC может ускорить внедрение инноваций в области памяти и хранения за счет создания ориентированной на память архитектуры следующего поколения, разработки технологии трехмерной структуры памяти и гетерогенной интеграции.

2. NSTC следует создать Коалицию передового опыта в области памяти, чтобы сосредоточить внимание на вышеупомянутых ориентированных на память инновациях, необходимых для вычислительной инфраструктуры будущего.

3. Инвестиции в развитие памяти предотвратят стагнацию полупроводниковых технологий и обеспечат непрерывный ритм технологических достижений, тем самым обеспечив экономическую и национальную безопасность США.

Участие Western Digital

Почему Western Digital участвует? У него нет фабрик в Китае, поэтому нет опасности утечки интеллектуальной собственности. Насколько мы здесь, в Blocks & Files , можем видеть, единственный стимул — более тесные отношения с Micron.