Параллельное включение транзисторов в блоке питания. Параллельное включение транзисторов в блоках питания: особенности и рекомендации

Зачем нужно параллельное включение транзисторов в блоках питания. Как правильно подключать транзисторы параллельно. Какие проблемы могут возникнуть при параллельном включении. Как рассчитать параметры схемы с параллельными транзисторами.

Содержание

Зачем нужно параллельное включение транзисторов в блоках питания

Параллельное включение транзисторов в блоках питания применяется для увеличения выходного тока и мощности устройства. Это позволяет решить несколько важных задач:

Повысить нагрузочную способность блока питания
Снизить нагрев отдельных транзисторов за счет распределения тока между ними
Увеличить надежность устройства благодаря резервированию
Использовать более дешевые транзисторы меньшей мощности вместо одного дорогого мощного

При этом важно обеспечить равномерное распределение тока между параллельно включенными транзисторами. Иначе один из них может взять на себя большую часть нагрузки и выйти из строя.

Способы подключения транзисторов параллельно

Существует несколько основных схем параллельного включения транзисторов в блоках питания:

1. Прямое параллельное соединение

При таком способе одноименные выводы транзисторов просто соединяются между собой. Это самый простой вариант, но он не обеспечивает равномерного распределения тока.

2. Включение с эмиттерными резисторами

В эмиттерные цепи транзисторов включаются небольшие резисторы (0.1-1 Ом). Это позволяет выровнять токи за счет отрицательной обратной связи.

3. Включение с общим радиатором

Транзисторы устанавливаются на общий радиатор с хорошим теплоотводом. Это обеспечивает выравнивание их температур и, как следствие, токов.

4. Схема с управляющими резисторами

В базовые цепи транзисторов включаются резисторы, подобранные для выравнивания токов. Требует тщательного подбора номиналов.

Особенности параллельного включения биполярных и полевых транзисторов

При параллельном включении транзисторов необходимо учитывать особенности разных типов устройств:

Биполярные транзисторы (BJT)

Склонны к тепловому разгону из-за отрицательного температурного коэффициента
Требуют применения эмиттерных резисторов или общего радиатора
Нуждаются в согласовании коэффициентов усиления по току

Полевые транзисторы (MOSFET)

Имеют положительный температурный коэффициент, что упрощает параллельное включение
Не требуют дополнительных мер по выравниванию токов
Желательно использовать транзисторы с близкими пороговыми напряжениями

Как рассчитать параметры схемы с параллельными транзисторами

При разработке блока питания с параллельным включением транзисторов необходимо произвести следующие расчеты:

Определить требуемый выходной ток блока питания
Выбрать тип и модель транзисторов с запасом по току
Рассчитать количество параллельно включаемых транзисторов
Для биполярных транзисторов рассчитать номиналы эмиттерных резисторов
Определить мощность рассеивания на транзисторах и подобрать радиатор

Рассмотрим пример расчета для блока питания на 12 В с выходным током 10 А:

Выбираем транзистор 2N3055 с максимальным током 15 А
Для надежности используем 3 транзистора параллельно
Рассчитываем эмиттерный резистор: R = 0.7 / (10/3) = 0.21 Ом
Мощность на каждом транзисторе: P = 12В * (10/3)А = 40 Вт

Проблемы при параллельном включении транзисторов

При параллельном включении транзисторов могут возникнуть следующие проблемы:

1. Тепловой разгон

Это явление характерно для биполярных транзисторов. При нагреве транзистора увеличивается его ток, что приводит к еще большему нагреву. В результате один из транзисторов может выйти из строя.

2. Неравномерное распределение тока

Из-за разброса параметров транзисторов ток между ними может распределяться неравномерно. Это приводит к перегрузке одних транзисторов и недогрузке других.

3. Паразитные генерации

При неправильном монтаже в схеме с параллельными транзисторами могут возникать высокочастотные колебания.

Заключение

Параллельное включение транзисторов позволяет создавать мощные и надежные блоки питания. При правильном подходе к проектированию и соблюдении основных правил можно добиться равномерного распределения тока и избежать перегрева отдельных компонентов. Это дает возможность значительно повысить выходную мощность устройства без использования дорогостоящих силовых транзисторов.

Параллельное соединение транзисторов в блоках питания

Просмотр полной версии : Блок питания 12,8 вольт 4 Ампера. Страницы : [ 1 ] 2. Посоветуйте надёжную, проверенную на практике схему стабилизатора на 12, Для УКВ радиостанции. Вход от мощного трансформатора с диодным мостом на постоянное 17 или 22 Вольт 5 А уже готов. Ток рабочий 3,

Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

Когда и почему выходят из строя MOSFET?

Параллельное подключение AC-DC блоков питания к нагрузке

Параллельное включение транзисторов

Лабораторный блок питания на транзисторах

www. Radioingener.ru

ПАРАЛЛЕЛЬНОЕ СОЕДИНЕНИЕ КОМПЬЮТЕРНЫХ БЛОКОВ ПИТАНИЯ

Добро пожаловать на vip-cxema.org

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Параллельное соединение кренок. 7805. Проверяем МИФ

Когда и почему выходят из строя MOSFET?

За счет параллельного включения транзисторов с каналами разного типа проводимости в 4 — 5 раз уменьшен эффект модуляции сопротивления канала.

Следует заметить, что использование микросхем 1КТ или КН2 существенно упрощает структуру устройства управления, так как отпадает необходимость в нестандартных формирователях сигналов, реализуемых обычно на дискретных компонентах. Для осуществления параллельного включения транзисторов в режиме переключения следует рекомендовать те же два метода, которые изложены в гл.

Второй метод параллельного включения транзисторов в режиме переключения допускает использование всех транзисторов без разделения на группы.

В стабилизаторе с параллельным включением транзистора рис. За счет такой зависимости общее полное сопротивление нагрузки источника питания изменяется весьма незначительно. При этом может выявиться необходимость параллельного включения транзисторов.

Дальнейшее увеличение выходной мощности достигается параллельным включением транзисторов в плечах каскада. При этом необходимо обеспечить равномерное распределение токов а значит, и мощностей между транзисторами. При этом необходимо обеспечить достаточно равномерное распределение токов а значит, и мощностей между транзисторами. То же самое получается и при параллельном включении транзисторов. Для получения низких напряжений применяют стабилизаторы с параллельным включением регулируемого транзистора и нагрузки.

Если это условие не выполняется, можно применить параллельное включение транзисторов. При больших стабилизируемых мощностях в качестве регулирующего элемента применяется параллельное включение транзисторов.

При этом для обеспечения заданной мощности в нагрузке может потребоваться параллельное включение транзисторов и диодов. В таком варианте схемы высоковольтного питания приходится использовать высоковольтные элементы, прежде всего транзисторы и конденсаторы.

Параллельное включение — транзистор Cтраница 2. Поделиться ссылкой:. Знакопеременное множительно-делительное устройство 18 — Защита эмиттерного перехода от перенапряжения посредством включения последовательно с ускоряющей емкостью сопротивления. Структурная схема.

Схема блока питания. Схема источника питания, в котором осуществляется дискретное управление выходным напряжением.

Параллельное подключение AC-DC блоков питания к нагрузке

By кулак , December 23, in Начинающим. Подскажите, можно ли в блоке питания на выходе ставить больше двух паралельных транзисторов. Чтобы повысить мошность. Нужно плавно менять напряжение от 10 до 15в и от 20 до 30в при токе до 10А.

Решено: Параллельное соединение полeвых транзисторов Электроника Ответ. зделал себе лабораторный блок питания. 0.

Параллельное включение транзисторов

За счет параллельного включения транзисторов с каналами разного типа проводимости в 4 — 5 раз уменьшен эффект модуляции сопротивления канала. Следует заметить, что использование микросхем 1КТ или КН2 существенно упрощает структуру устройства управления, так как отпадает необходимость в нестандартных формирователях сигналов, реализуемых обычно на дискретных компонентах. Для осуществления параллельного включения транзисторов в режиме переключения следует рекомендовать те же два метода, которые изложены в гл. Второй метод параллельного включения транзисторов в режиме переключения допускает использование всех транзисторов без разделения на группы. В стабилизаторе с параллельным включением транзистора рис. За счет такой зависимости общее полное сопротивление нагрузки источника питания изменяется весьма незначительно. При этом может выявиться необходимость параллельного включения транзисторов. Дальнейшее увеличение выходной мощности достигается параллельным включением транзисторов в плечах каскада. При этом необходимо обеспечить равномерное распределение токов а значит, и мощностей между транзисторами.

Лабораторный блок питания на транзисторах

Данные блоки питания могут применяться не только для питания радиостанций, но и для питания различных приборов постоянным током. По сути, это базовая схема блока питания, где в качестве опорного элемента используется интегральный стабилизатор КРЕН серии или импортный аналог. Напряжение стабилизации данных стабилизаторов довольно различно — от 3 В и до 24 В, однако сила тока не превышает А, чего бывает недостаточно для питания мощной аппаратуры, когда необходим ток 10 А и более. На схемах данных блоков питания этот недостаток устранен мощным проходным транзистором. Трансформатор можно использовать любой подходящий по напряжению и току вторичной обмотки, 15 В и А в первом случае и В — 10 А во втором.

К списку Универсальный мощный блок питания.

www.Radioingener.ru

VR1 используется для регулировки выходного напряжения. Микросхема LM и транзистор BD устанавливаются на радиаторы. Вторичная обмотка трансформатора должна иметь напряжение не менее 18В. Для увеличения выходного тока источника питания необходимо установить дополнительные стабилизаторы LM все стабилизаторы можно устанавливать на общий радиатор и увеличит мощность трансформатора, так же применить диодный мост рассчитанный на выбранный вами ток нагрузки. Собрал полностью работает. Но очень хотелось бы чтоб здесь присутствовало ограничение по току а.

ПАРАЛЛЕЛЬНОЕ СОЕДИНЕНИЕ КОМПЬЮТЕРНЫХ БЛОКОВ ПИТАНИЯ

Перейти к содержимому. У вас отключен JavaScript. Некоторые возможности системы не будут работать. Пожалуйста, включите JavaScript для получения доступа ко всем функциям. Отправлено 05 Октябрь — Можно ли параллельно подключить еще один мосфет или несколько что бы распределить мощность? Если да, то можете подсказать как? Я пробовал просто подключить параллельно.

Практически, при параллельном соединении 10 транзисторов типа . работают в блоке питания, то подгонять в предельном режиме.

Добро пожаловать на vip-cxema.org

Параллельное соединение источников питания. Современные способы применения импульсных источников питания ИП могут потребовать использования нескольких ИП в параллельной конфигурации. Параллельное соединение ИП для увеличения требуемой мощности может быть использовано там, где:.

Одним из наиболее распространенных требований при разработке или доработке источников питания является увеличение его выходного тока. В таких источниках простое соединение одноименных выводов транзисторов обычно не дает практических результатов из-за неравномерного распределения тока между транзисторами. При повышении рабочей температуры неравномерное распределение тока между транзисторами становится еще большим до тех пор, пока практически весь ток нагрузки не потечет через один из транзисторов. Предложенный вариант на рисунке 1 может быть реализован при условии, что параллельно соединенные транзисторы имеют совершенно идентичные характеристики и работают при одинаковой температуре.

Высокие температуры и другие параметры эксплуатационной среды, превышающие пределы безопасной работы, могут привести к выходу из строя полевых транзисторов, используемых в коммутационных цепях. Современные полевые транзисторы MOSFET полевой транзистор структуры металл-оксид-полупроводник являются основными компонентами в преобразователях мощности, коммутаторах электрических цепей, в электроприводах и импульсных источниках питания рис.

Лабораторный блок питания БП является важным устройством в радиолюбительской практике наряду с паяльным оборудованием и измерительным тестером. Она собой представляет двухполупериодный выпрямитель со стабилизатором и регулятором выпрямленного напряжения, с узлом защиты от короткого замыкания. Трансформатор питания Tr1 обмоткой I подключается к электрической сети напряжением В. Обмотка II трансформатора и диоды диодной сборки VD1 образуют двухполупериодный выпрямитель. К выпрямителю подключается электролитический конденсатор C1, частично сглаживающий пульсации выпрямленного напряжения.

С него выпрямленное напряжение подается к нагрузке R5 через стабилизатор напряжения, выполняющий роль фильтра питания.

Резервирование можно сделать с помощью последовательных диодов, включенных до нагрузки в каждом источнике. Правда, тогда будет нагружен либо один либо другой источник. На самом деле условий параллельной работы трансформаторов гораздо больше. При их прочтении складывается впечатление, что на параллельную работу надо включать совершенно одинаковые трансформаторы, собранные в одной партии.

Параллельное включение — транзистор — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2

Cтраница 2

Знакопеременное множительно-делительное устройство 18 — 3107. [16]

Для осуществления параллельного включения транзисторов в режиме переключения следует рекомендовать те же два метода, которые изложены в гл. [18]

Второй метод параллельного включения транзисторов в режиме переключения допускает использование всех транзисторов без разделения на группы. [19]

В стабилизаторе с параллельным включением транзистора ( рис. 8 2, г) при изменении нагрузки изменяется сопротивление включенного параллельно ей транзистора. За счет такой зависимости общее полное сопротивление нагрузки источника питания изменяется весьма незначительно. [20]

При этом может выявиться необходимость параллельного включения транзисторов. [21]

Дальнейшее увеличение выходной мощности достигается параллельным включением транзисторов в плечах каскада. При этом необходимо обеспечить достаточно равномерное распределение токов ( а значит, и мощностей) между транзисторами. [23]

Защита эмиттерного перехода от перенапряжения посредством включения последовательно с ускоряющей емкостью сопротивления. [24]

То же самое получается и при параллельном включении транзисторов. [25]

Для получения низких напряжений применяют стабилизаторы с параллельным включением регулируемого транзистора и нагрузки. [26]

Если это условие не выполняется, можно применить параллельное включение транзисторов. [27]

При больших стабилизируемых мощностях в качестве регулирующего элемента применяется параллельное включение транзисторов. [28]

Структурная схема.| Схема блока питания.| Схема источника питания, в котором осуществляется дискретное управление выходным напряжением. [29]

Страницы: 1 2 3 4

Транзисторы в параллельном режиме – Полное руководство и как избежать ошибок

Если схема потребляет много энергии, ей потребуется транзистор для регулирования тока. Однако отдельный транзистор может не справиться с поставленной задачей в достаточной мере, поэтому может потребоваться параллельное подключение транзисторов. Это улучшает общую пропускную способность по току и обеспечивает множество ключевых преимуществ для вашей электронной схемы. Например, это предотвращает повреждение транзистора, в зависимости от вашего метода реализации.

Понимание того, как это работает, может показаться довольно сложным. Итак, приступим! В WELLPCB мы стремимся направить вас в правильном направлении. Прочитав эту статью, вы узнаете о параллельных транзисторах и о том, чего они достигают.

1. Что такое параллельные транзисторы?

В цепи два транзистора с соответствующими выводами образуют соединение, известное как параллельные транзисторы. Достижение этого увеличивает токовую мощность, которую могут выдержать транзисторы. После внедрения вам не нужно будет беспокоиться о транзисторах, имеющих слишком большую мощность.

2. Зачем подключать транзисторы параллельно?

(Схеме потребуются параллельные транзисторы, если она потребляет большое количество энергии). Это связано с тем, что один транзистор не может справиться с такой мощностью, что может привести к необратимому повреждению.

Использование этого метода помогает обеспечить текущий баланс нагрузки. Это происходит из-за распределения мощности от одного транзистора, который остается неповрежденным, к другому. Эти два типа транзисторов могут соединяться параллельно: BJT или MOSFET.

3. Параллельное подключение транзисторов при правильном подходе

(параллельное подключение МОП-транзисторов обеспечивает высокую проводимость, которая эффективно распределяет ток). Если вы подключаете биполярные транзисторы параллельно, вы должны интегрировать балластные резисторы последовательно, что является обычным подходом для аудиоусилителей. Как правило, он имеет дело с высоким энергопотреблением и включает в себя соединение баз и эмиттеров вместе. И это решает текущие проблемы дисбаланса. Первые два шага ниже демонстрируют, как можно рассчитать сопротивление обоих резисторов, что позволит вам соединить их последовательно.

Шаг первый:

(Используйте закон Ома для расчета номинала резистора. )

Сначала вам необходимо выполнить расчет резисторов. Используйте формулу R = V/I для ограничения тока. V служит напряжением цепи. Между тем, значение «I» представляет 70% величины тока, который хранит транзистор. Например, 2N3055 BJT может хранить около 15 А. Таким образом, 70% этого значения соответствует 10,5 А. При питании 12 В расчет выглядит так: R = 12/10,5 = 1,14. Поэтому рейтинг Ом должен отражать значение 1,14.

Шаг второй:

(базовый резистор помогает сбалансировать текущую нагрузку на транзистор.)

Далее вам нужно будет рассчитать сопротивление базового резистора. Используйте эту формулу: Rb = (12 – 0,7)hFE / ток нагрузки. Значение hFE равно 50, а ток нагрузки установлен на уровне 3 А. Наконец, вы можете выполнить расчет с: Rb = 11,3 x 50 / 3. Результат равен 188 Ом.

Шаг третий:

(Можно разместить биполярные транзисторы над радиатором, чтобы упростить управление током.)

Однако, если вы не хотите использовать резисторы, вы можете вместо них установить радиатор. Для этого метода просто установите стандартный радиатор под BJT и нанесите на каждую поверхность большое количество термопасты. Это обеспечивает равномерное распределение тепла, обеспечивая решение проблемы теплового разгона. Кроме того, транзисторы легко соединяются параллельно через металлическую конструкцию радиатора.

Шаг четвертый:

(МОП-транзистор с затворным резистором обеспечивает безопасное и эффективное решение, предотвращающее тепловой разгон.)

MOSTEF также могут подключаться параллельно. При достижении этого вы должны реализовать резистор затвора с каждым устройством. Тем не менее, некоторые преимущества делают его чрезвычайно безопасным и эффективным. Например, при нагреве они становятся менее проводящими и постепенно препятствуют протеканию тока. С положительной стороны, они не проявляют теплового разгона. Они напрямую подключаются через сток к стоку, затвор к затвору и исток к истоку.

4. Решения для транзисторов при параллельных ошибках

Ошибка 1：Тепловой разгон

Метод предотвращения： Тепловой разгон происходит, когда один транзистор, включенный параллельно, не соответствует другим транзисторам. Как правило, это означает, что один транзистор будет потреблять больше тока, чем остальные. Оттуда он собирает больше тепла, которое накапливается, пока, наконец, не получит необратимое повреждение.

Чтобы этого не произошло, вы должны интегрировать резистор с низким номиналом, включенный последовательно с каждым эмиттером. Например, если нагрузка равна 50 Ом, то резистор на 1 Ом будет работать хорошо. Он обеспечивает отрицательную обратную связь, которая поддерживает умеренный ток из-за увеличения напряжения на эмиттерном резисторе.

Ошибка 2: линейный режим MOSFET

Метод предотвращения: MOSFET обычно хорошо работают в качестве переключателя при параллельном подключении. Однако они не распределяют ток в линейном режиме. Это связано с тем, что накопление тепла увеличивает проводимость более быстрыми темпами. Тогда проводимость будет увеличиваться по частоте. По сути, это приводит к образованию горячей точки, потенциально повреждающей полевой МОП-транзистор. Это создает более серьезную проблему по сравнению с параллельным подключением BJT.

Кроме того, крутизна увеличивается при повышении температуры устройства. МОП-транзисторы, включенные параллельно, не будут распределять ток, пока он не достигнет 15А. Обычно они не достигают такого уровня при выполнении под линейным.

Лучшее решение этой проблемы заключается в использовании контура обратной связи на каждом текущем устройстве MOSTEF. Это позволяет лучше контролировать ток в линейном режиме.

Заключение:

В заключение, эта статья в основном посвящена правильному подключению транзисторов параллельно. Кроме того, мы рассказали, как избежать распространенных ошибок, возникающих при использовании BJT и MOSTEF. Например, биполярные транзисторы должны содержать последовательно включенный резистор для распределения тока. Между тем, добавление контура обратной связи на MOSTEF предотвращает повреждение устройства. Кроме того, вы можете интегрировать транзисторы параллельно с радиатором, что является более эффективным подходом по сравнению с биполярными транзисторами. Если у вас есть какие-либо вопросы относительно параллельного подключения транзисторов, не стесняйтесь обращаться к нам!

Параллельное соединение двух или более транзисторов

You are here: Home / Electronics Tutorial / Параллельное соединение двух или более транзисторов

процесс, в котором идентичные выводы двух или более транзисторов соединяются вместе в цепи, чтобы увеличить пропускную способность комбинированного параллельного набора транзисторов.

В этом посте мы узнаем, как безопасно соединить несколько транзисторов параллельно, это могут быть биполярные транзисторы или мосфеты, мы обсудим оба.

Содержание

Зачем нужен параллельный транзистор

При создании силовых электронных схем правильная конфигурация силового выходного каскада становится очень важной. Это включает в себя создание силового каскада, который может работать с большой мощностью с наименьшими усилиями. Обычно это невозможно при использовании отдельных транзисторов и требует, чтобы многие из них были соединены параллельно.

Эти каскады в основном могут состоять из силовых устройств, таких как силовые биполярные транзисторы или полевые МОП-транзисторы. Обычно одного BJT становится достаточно для получения умеренного выходного тока, однако, когда требуется более высокий выходной ток, возникает необходимость добавить большее количество этих устройств вместе. Поэтому становится необходимым параллельное подключение этих устройств. Хотя использование одиночных биполярных транзисторов относительно проще, их параллельное подключение требует некоторого внимания из-за одного существенного недостатка, связанного с характеристиками транзисторов.

Что такое «тепловой разгон» в биполярных транзисторах

Согласно их спецификациям, транзисторы (биполярные транзисторы) должны работать в достаточно холодных условиях, чтобы их рассеиваемая мощность не превышала максимальное указанное значение. И именно поэтому мы устанавливаем на них радиаторы, чтобы соответствовать вышеуказанному критерию.

Кроме того, BJT имеют характеристику с отрицательным температурным коэффициентом, что заставляет их увеличивать скорость проводимости пропорционально увеличению температуры корпуса.

По мере увеличения температуры корпуса увеличивается и ток через транзистор, что приводит к дальнейшему нагреву устройства.

Процесс превращается в своего рода цепную реакцию, быстро нагревая устройство до тех пор, пока оно не становится слишком горячим для поддержания и не получает необратимого повреждения. Эта ситуация в транзисторах называется тепловым разгоном.

Когда два или более транзистора соединены параллельно, из-за их немного различающихся индивидуальных характеристик (hFE) транзисторы в группе могут рассеиваться с разной скоростью, некоторые немного быстрее, другие немного медленнее.

Следовательно, транзистор, который может проводить через себя немного больший ток, может начать нагреваться быстрее, чем соседние устройства, и вскоре мы можем обнаружить, что устройство входит в ситуацию теплового разгона , повреждая себя и впоследствии передавая это явление на остальные устройства. так же в процессе.

Ситуацию можно эффективно решить, добавив резистор небольшого номинала последовательно с эмиттером каждого транзистора, соединенным параллельно. Резистор подавляет и контролирует количество тока, проходящего через транзисторы, и никогда не позволяет ему перейти на опасный уровень.

Значение должно быть правильно рассчитано в соответствии с величиной тока, проходящего через них.

Как это связано? См. рисунок ниже.

Как рассчитать резистор ограничения тока эмиттера в параллельных биполярных транзисторах

На самом деле это очень просто, и его можно рассчитать с помощью закона Ома:

R = V/I,

цепи, а «I» может составлять 70% максимальной пропускной способности транзистора по току.

Например, предположим, что если вы использовали 2N3055 для биполярного транзистора, поскольку максимальный допустимый ток устройства составляет около 15 ампер, 70% этого значения будет составлять около 10,5 А.

R = 12/10,5 = 1,14 Ом

Расчет базового резистора

Это можно сделать по следующей формуле: , Ток нагрузки = 3 ампера, приведенную выше формулу можно решить следующим образом:

Rb = 11,3 x 50 / 3 = 188 Ом

Как избежать эмиттерных резисторов в параллельных биполярных транзисторах

Хотя использование эмиттерных резисторов ограничения тока выглядит хорошо и технически правильно, более простым и разумным подходом может быть их установка BJT поверх общего радиатора с большим количеством теплоотводной пасты, нанесенной на их контактные поверхности.

Эта идея позволит вам избавиться от беспорядочных эмиттерных резисторов с проволочной обмоткой.

Установка на общий радиатор обеспечит быстрое и равномерное распределение тепла и устранит опасную ситуацию теплового разгона.

Кроме того, так как коллекторы транзисторов должны быть параллельны и соединены друг с другом, использование слюдяных изоляторов больше не становится необходимым и делает вещи более удобными, так как корпуса транзисторов подключаются параллельно через сам металл радиатора. .

Это похоже на беспроигрышную ситуацию… транзисторы легко соединяются параллельно через металл радиатора, избавляясь от громоздких эмиттерных резисторов, а также устраняя ситуацию теплового разгона.

Параллельное подключение МОП-транзисторов

В предыдущем разделе мы узнали, как безопасно подключать биполярные транзисторы параллельно, когда дело доходит до МОП-транзисторов, условия становятся совершенно противоположными и во многом в пользу этих устройств.

В отличие от BJT, MOSFET не имеют проблем с отрицательным температурным коэффициентом и, следовательно, не подвержены тепловому разгону из-за перегрева.

Напротив, эти устройства имеют характеристики с положительным температурным коэффициентом, что означает, что устройства начинают менее эффективно проводить ток и начинают блокировать ток, когда он начинает нагреваться.

Таким образом, при параллельном подключении мосфетов нам не нужно ни о чем беспокоиться, и вы можете просто подключить их параллельно, не завися от каких-либо токоограничивающих резисторов, как показано ниже.

Зачем нужно параллельное включение транзисторов в блоках питания