Pin фотодиоды: Публикация не была найдена — Студопедия — Производство и поставка электростанций, Бензиновые и дизельные генераторы от 1 до 100 кВт. Мини ТЭЦ на базе двигателя Стирлинга.

Фотодиоды

Добавлено 2 июля 2017 в 04:55

Сохранить или поделиться

Фотодиод

Фотодиод представляет собой диод, оптимизированный для вырабатывания потока электронов в ответ на облучение ультрафиолетовым, видимым или инфракрасным светом. Для изготовления фотодиодов чаще всего используется кремний; хотя могут использоваться и германий, и арсенид галлия. Переход, через который свет проникает в полупроводник, должен быть достаточно тонким, чтобы пропускать большую часть света в активную область (обедненная область), где свет преобразуется в пары электронов и дырок.

На рисунке ниже неглубокая диффузия P-типа в пластине N-типа создает PN переход вблизи от поверхности пластины. Слой P-типа должен быть тонким, чтобы пропускать как можно больше света. Сильная диффузия N+ на задней стороне пластины контактирует с металлизацией. Верхняя металлизация для больших ячеек может быть тонкой металлической сеткой на верхней части пластины. В небольших фотодиодах верхний контакт может быть просто одиночным проводом, непосредственно контактирующим наверху с кремнием P-типа.

Фотодиод: условное графическое обозначение и поперечное сечение

Интенсивность света, падающего на верхнюю поверхность фотодиода, экспоненциально убывает с увеличением глубины. Тонкий верхний слой P-типа позволяет большинству фотонов проходить в обедненную область, где образуются пары электрон-дырка. Электрическое поле через обедненную область благодаря встроенному диодному потенциалу заставляет электроны сместиться в N-слой, а дырки в P-слой. Фактически электронно-дырочные пары могут образовываться в любой из областей полупроводника. Однако те, которые сформированы в обедненной области, скорее всего, будут разделены в соответствующие N и P области. Многие из электронно-дырочных пар, образованных в P и N областях, рекомбинируют. Лишь немногие делают это в области истощения. Таким образом, несколько электронно-дырочных пар в N и P областях и большинство в обедненной области вносят вклад в фототок, то есть ток, возникающий в результате падения света на фотодиод.

На выводах фотодиода может наблюдаться появление напряжения. Работа в этом фотогальваническом режиме в большом динамическом диапазоне не линейна, хотя она и чувствительна и имеет низкий уровень шумов на частотах менее 100 кГц. Предпочтительным наиболее часто является фотодиодный режим, поскольку ток линейно пропорционален световому потоку в большом диапазоне, и может быть достигнута более высокочастотная характеристика. Фотодиодный режим достигается путем обратного или нулевого смещения фотодиода. В фотодиодном режиме совместно с фотодиодом должен использоваться усилитель тока. Линейность и фотодиодный режим достигаются, если диод не смещается в прямом направлении.

Для фотодиодов, в отличие от солнечных элементов, часто требуется высокая скорость работы. Скорость – это функция емкости диода, которая может быть сведена к минимуму за счет уменьшения площади ячеек. Таким образом, датчик для высокоскоростной волоконно-оптической линии будет использовать площадь, не превышающую необходимую, например, 1 мм². Емкость также может быть уменьшена за счет увеличения толщины обедненной области или путем увеличения обратного смещения диода.

PIN диод.p-i-n диод или PIN диод – это фотодиод с внутренним слоем собственного полупроводника между P и N областями, как показано на рисунке ниже. Структура P—I(собственный)-N увеличивает расстояние между проводящими слоями P и N типа, уменьшая емкость и увеличивая скорость. Объем фоточувствительной области также увеличивается, повышая эффективность преобразования. Ширина полосы пропускания может достигать десятки гигагерц. PIN фотодиоды являются предпочтительными при необходимости в высокой чувствительности и высокой скорости при умеренной стоимости.

PIN фотодиод: область собственного полупроводника увеличивает толщину области истощения

Лавинный фотодиод.Лавинный фотодиод (APD), предназначенный для работы при высоком обратном смещении, демонстрирует эффект электронного умножителя, аналогичный фотоумножителю. Обратное смещение может достигать от десятков вольт до почти 2000 вольт. Высокий уровень обратного смещения ускоряет создание электронно-дырочных пар в области собственного полупроводника до высокой скорости, достаточной для освобождения дополнительных носителей заряда из-за столкновений с кристаллической решеткой. Таким образом, в результате получается много электронов на фотон. Целью использования лавинных фотодиодов является достижения усиления внутри фотодиода для преодоления уровня шума во внешних усилителях. В некоторой степени эта цель достигается. Однако лавинный фотодиод создает собственный шум. На высоких скоростях лавинный фотодиод превосходит комбинацию PIN фотодиода и усилителя, хотя в низкоскоростных приложениях этого не происходит. Лавинные фотодиоды стоят дорого, примерно как фотоумножитель. Таким образом, они конкурируют только с PIN фотодиодами в нишевых применениях. Одним из таких применений является однофотонный подсчет применительно к ядерной физике.

Оригинал статьи:

Тематические статьи по фотонике

Импульсные лазерные диоды и лавинные фотодиоды для промышленных и коммерческих применений

Авторы: Winfried Reeb, Laser Components GmbH

Использование импульсных лазерных диодов и лавинных фотодиодов позволяет быстро, точно и бесконтактно измерить расстояние в различных оптоэлектронных применениях. В зависимости от требований к производительности и сроку службы системы в качестве излучателя могут использоваться как одноэлементные, так и многоэлементные импульсные лазерные диоды (стеки), в то время как в качестве фотоприемника применяются лавинные фотодиоды разной внутренней структуры.

Импульсные лазерные диоды и лавинные фотодиоды берут свое начало в военных применениях. Благодаря пиковой мощности импульсных лазерных диодов более 200 Вт и высокой чувствительности лавинных фотодиодов они идеально подходят для дальнометрии основанной на «времяпролетном» методе. Развитие технологии и уменьшение себестоимости открыли для данных устройств новые области промышленных, коммерческих и автомобильных применений.

Импульсные лазерные диоды

Большинство лазерных диодов предназначены для работы в режиме непрерывного излучения с мощностью от нескольких мВт до нескольких Вт. Такие лазерные диоды нельзя перегружать, т.к. если напряжение питания будет превышено даже на короткое время, резонатор лазера может выйти из строя, и как следствие излучение прекратится.

Импульсные лазерные диоды, в свою очередь, предназначены для перегрузки по питанию на короткие промежутки времени. Для достижения максимальной пиковой мощности необходимой для конкретного применения, коэффициент заполнения может принимать очень маленькие значения, обычно он составляет 0,1%. Например, после импульса длительностью 100 нс идет пауза 100 мс, это означает, что очень короткие импульсы могут идти с частотой следования на уровне кГц. Максимальная длительность импульса находится на уровне нескольких сотен нс. Для получения таких импульсов лазерные токи могут достигать уровня нескольких десятков ампер, что требует применения быстро переключающихся транзисторов и подходящей схемы с минимально допустимыми электрическими соединениями для снижения индукционных потерь.

Рис.1. Импульсные лазерные диоды и лавинные фотодиоды фирмы Laser Components в различных вариантах корпусов.

Важным критерием для выбора лазерных диодов является длина волны излучения. В первую очередь она зависит от материала активного и пассивного слоя полупроводника. Для большинства коммерческих применений доступны следующие длины волн излучения — 850-870 нм, 905 нм, 1550 нм. Структура AlGaAs лазеров на 905 нм широко известна за свою надежность, качество пучка и температурную стабильность. Высокая эффективность (порядка 1 Вт/А) позволяет получить пиковую мощность до 40 Вт с одного эмиттера и до 220 Вт с многоэлементного (несколько эмиттеров — стэковый) лазерного диода при длительности импульса 100 нс. При меньше длительности импульса достижима пиковая мощность более 500 Вт. Преимуществом длины волны излучения 905 нм является то, что максимум спектральной чувствительности кремниевых лавинных фотодиодов как раз лежит в этой области. Лазерные диоды с длиной волны, лежащей в средней ИК области — 1550 нм, доступны с более высокой выходной мощностью по сравнению с диодами на 905 нм, тем не менее они также безопасны для человеческого глаза ввиду того, что излучение не фокусируется непосредственно на сетчатку.

Лазерные диоды на 1550 нм основаны на материале InP с дополнительными слоями InGaAs, которые можно получить как путем молекулярно-лучевой эпитаксии, так и путем осаждения металлорганических соединений из паровой фазы. Благодаря эффективности на уровне 0,35 Вт/A выходная пиковая мощность излучения многоэлементных лазерных диодов может достигать 50 Вт при длительности импульса 150 нс. Из-за необходимости использования теплоотвода эти лазерные диоды в большинстве своем доступны в корпусе 9-мм и TO-18, в то время как импульсные лазерные диоды с длинами волн 850-870 нм и 905 нм также доступны в недорогих пластиковых корпусах.

Наряду с длиной волны излучения и электрооптическими характеристиками, надежность является еще одним важным критерием при выборе прибора. Как и для большинства источников излучения, особенно это касается полупроводниковых лазеров, срок службы импульсных лазерных диодов сильно зависит от условий эксплуатации. Лазерные диоды могут подвергаться значительному перенапряжению на короткие промежутки времени, а также уменьшению энергии импульса за счет сокращения длительности импульса до единиц нс без угрозы повреждения. Пользователь должен выбирать подходящий лазерный диод и настройку драйвера исходя из требований применения и необходимого срока службы устройства. В то время как для некоторых военных применений требуемый срок службы лазерного диода может составлять менее часа, например, в тиристорном зажигании, для таких применений как промышленный сканер безопасности, работающий круглосуточно, надежность диода должна составлять десятки тысяч часов.

Многолетний опыт в области работы с импульсными лазерными диодами помог составить формулу средней наработки на отказ в качестве функции нескольких характеристик:

MTTF = k · (P/L)^-6 · t_w^-2 · F^-1 · f(T),

где MTTF – средняя наработка на отказ в часах, k – константа, зависящая от материала, которая составляет 1.14 · 10²⁰ для импульсного лазерного диода фирмы Laser Components с длиной волны излучения 905 нм, P – выходная оптическая мощность в мВт, L – длина эмиттера в мм, t_w – длительность импульса в нс, F – частота следования импульсов в кГц, f(T) – температурно-зависимый коэффициент усиления (равен 1 при 25°С).

Лавинные фотодиоды

Для распознавания коротких импульсов лазерных диодов измерительные системы используют как PIN фотодиоды, так и лавинные фотодиоды (ЛФД) в качестве фотоприемника. Срок службы данных компонентов не столь важен, т.к. при правильной эксплуатации они могут работать практически вечно. В обычных фотодиодах поступающие фотоны образуют электронно-дырочные пары, также называемые носителями заряда, что в свою очередь отражается на измеряемом фототоке. Мощность регистрируемых фотонов преобразуется в электрическую энергию. В данном случае лавинные фотодиоды пошли гораздо дальше. Лавинные фотодиоды отличаются от «обычных» PIN фотодиодов тем, что регистрируемые фотоны внутри фотодиода вызывают лавину зарядов. Она возникает вследствие приложения к лавинному фотодиоду обратно смещённого напряжения для расширения слоя поглощения «А». В лавинных фотодиодах носители заряда, высвобожденные светом, ускоряются в электрическом поле таким образом, что образуют дополнительные электронно-дырочные пары за счет ударной ионизации. Если напряжение обратного смещения ниже, чем напряжение пробоя, лавина утихнет из-за потери на трение внутри полупроводника. Таким образом единичный фотон может возбудить сотни или даже тысячи электронов. При напряжении выше напряжения пробоя ускорение носителей заряда находится на достаточном уровне для поддержания лавины. Единичный фотон может генерировать постоянный ток, который, в свою очередь, можно измерить внешним электронным оборудованием. Сгенерированный ток рассчитывается следующим образом:

I = R₀ · M · P_s,

где R₀ (А/Вт) – это спектральная чувствительность лавинного фотодиода, М – это внутренний коэффициент усиления, P_s (Вт) – оптическая мощность падающего излучения. Коэффициент усиления лавинного фотодиода зависит от приложенного напряжения обратного смещения (см. рис. 2).

Рис. 2. Типовая зависимость коэффициента усиления от рабочего напряжения для кремниевых лавинных фотодиодов при разных температурах, где активная область D = 500 мкм.

Наиболее важными параметрами лавинного фотодиода, которые необходимо учитывать при выборе, являются — спектральный диапазон, размер активной области, внутренние шумы и полоса пропускания. Лавинные фотодиоды доступны в спектральном диапазоне от 300 нм до 1700 нм. Кремниевые лавинные фотодиоды, в зависимости от их структуры, подходят для диапазона от 300 нм до 1100 нм, германиевые фотодиоды от 800 нм до 1600 нм, фотодиоды на основе InGaAs от 900 нм до 1700 нм. Кремниевые лавинные фотодиоды представлены наибольшим количеством моделей. Для конкретных применений возможно получение специальных параметров лавинных фотодиодов в зависимости от процесса изготовления. Обзор наиболее важных параметров представлен в Таблице 1.

Таблица 1. Сравнительный обзор различных структур и характеристик кремниевых лавинных фотодиодов

Типы кремниевых лавинных фотодиодов	Со скошенным краем	Эпитаксиальный	Сквозной
Структура
Область «поглощения»	большая	малая	средняя
Область «умножения»	большая	малая	малая
Типовой размер (диаметр)	до 16 мм	до 5 мм	до 5 мм
Коэффициент усиления	от 50 до 1000	от 1 до 1000	от 10 до 300
Фактор «избыточного шума»	очень хороший	хороший	от хорошего до очень хорошего
	(k = 0.0015)	(k = 0.03)	(k = 0.02 до 0.002)
Рабочее напряжение	от 500 до 2000 В	от 80 до 300 В	от 150 до 500 В
Время нарастания	медленное	быстрое	быстрое
Емкость	малая	большая	малая
Чувствительность к синему спектру (400 нм)	хорошая	слабая	слабая
Чувствительность к красному спектру (650 нм)	хорошая	хорошая	хорошая
Чувствительность в ближнем ИК спектре (905 нм)	очень хорошая	хорошая	очень хорошая

По сравнению с германиевыми лавинными фотодиодами лавинные фотодиоды на основе InGaAs имеют значительно меньшие шумы, более широкую полосу пропускания относительно активной области и расширенную спектральную чувствительность до 1700 нм. Как бы то ни было, лавинные фотодиоды на основе InGaAs имеют один недостаток — они дороже германиевых лавинных фотодиодов. Германиевые лавинные фотодиоды в первую очередь рекомендуется использовать в недорогих применениях или в системах подвергающихся электромагнитному воздействию, и в которых вторичный шум усилителя значительно выше. Очевидно, что лавинные фотодиоды с меньшей активной областью имеют меньшую стоимость по сравнению с детекторами с большой активной областью, т.к. в этом случае при производстве чипов на одной пластине изготавливается большее количество изделий. Поэтому в первую очередь необходимо определить минимально допустимую активную область для получения оптической структуры. Иногда более предпочтительными в использовании могут оказаться лавинные фотодиоды с большей активной областью, т.к. специальная оптика, фокусирующая излучение на малую активную область может быть дороже чем использование детектора с первоначально большей активной областью. Для сравнения эффективности лавинных и PIN фотодиодов недостаточно просто сравнить шумовые характеристики детекторов. Решающее значение имеет отношение сигнал-шум всей системы. В случае с PIN фотодиодами необходимо также учитывать соответствующий предусилитель. Его шумовые характеристики, помимо всего прочего, зависят от частоты. Лавинные фотодиоды превосходят PIN фотодиоды, т.к. они могут значительно увеличить уровень сигнала без серьезного увеличения шумов всей системы. Таким образом, ЛФД предпочтительно использовать там, где необходимо регистрировать световой сигнал низкой интенсивности на средних или высоких частотах. Оптимальный внутренний коэффициент усиления выбирается тогда, когда шум детектора приблизительно равен входному шуму вторичного усилителя (или сопротивлению нагрузки). В таком случае лавинный фотодиод не влияет на шум системы. Независимо от того какой детектор используется, лавинный или PIN фотодиод, шум увеличивается пропорционально пропускной способности системы. Следовательно, очень важно уменьшить пропускную способность настолько, на сколько это практически возможно.

Применения

Самое распространенное применение оптопары в виде импульсного лазерного диода + лавинного фотодиода — это дальнометрия, основанная на «времяпролетном» методе. Один из вариантов применения – измеритель скорости автомобиля. Используя импульсы длительностью в несколько нс и мощностью в десятки Вт, можно легко измерить скорость транспортного средства, движущегося со скоростью до 250 км/ч. Расстояние между лазерным устройством измерения скорости (будь то базовая станция или полицейский с ручным измерителем скорости) и движущимся транспортным средством может достигать 1000 м. Точность таких измерений лежит в пределах 1-3%.

Охотники используют безопасные для глаза дальномеры для определения расстояния до цели. Ни оленю, в которого целится охотник, ни кому-либо другому, находящемуся рядом не стоит беспокоиться о своем зрении. В этом случае лазерный дальномер первого класса предоставляет точную информацию в течение 1 секунды с точностью до 2 м на расстоянии 600 м. Также данные полученные с помощью дальномера используются в гольфе для улучшения результатов игрока, или в автомобилестроении для предупреждения об опасном приближении к препятствию или впереди идущему автомобилю (рис. 3).

Рис. 3. Измерение расстояния и относительной скорости в автомобильной промышленности с использованием импульсных лазерных диодов и лавинных фотодиодов.

Лазерные устройства детектирования также широко используются в навигационных целях для кораблей, в особенности в портах и гаванях, для измерения высоты облаков в аэропортах, а также в области геодезии и строительства, когда необходимо провести обмеры карьера или отвала, измерить высоту зданий, деревьев или других объектов. Лазерные сканеры безопасности, построенные на импульсных лазерных диодах и высокочувствительных лавинных фотодиодах, создают завесу лазерного излучения, которая регистрирует наличие человека или объекта в потенциально опасных областях, например, на автоматизированной производственной линии (рис. 4).

Рис. 4. Лазерные сканеры безопасности, создают завесу лазерного излучения, которая регистрирует наличие человека или объекта в потенциально опасных областях.

Выводы

Импульсные лазерные диоды и лавинные фотодиоды идеально подходят для применений связанных с дальнометрией. Комбинации различных длин волн и мощности излучателя найдут соответствующие оптимальные аналоги среди различных структур лавинных фотодиодов исходя из требований применения. Прогресс в области производства открыл возможности для ряда новых коммерческих и промышленных применений.

Дополнительные ссылки:

Более подробную информацию о продукции, описываемой в данной статье можно найти, перейдя по следующим ссылкам:

Импульсные лазерные диоды

Лавинные фотодиоды

PIN-диод — PIN diode — qwe.wiki

PIN — диод представляет собой диод с широкой, нелегированной внутренними полупроводниковой областью между полупроводником р-типа и полупроводником п-типом областью. Области р-типа и N-типа , как правило , сильно легированные , так как они используются для омических контактов .

Широкая внутренняя область , в отличие от обычного р-п диода . Широкая внутренняя область делает диод подчиненного выпрямитель (одна типичной функции диода), но это делает его пригодным для аттенюаторов, быстрых переключателей, фотодетекторов и высоковольтных применений силовой электроники.

операция

PIN — диод работает под то , что известно как инъекции высокого уровня . Другими словами, внутренняя «я» область залита носителей заряда от «р» и «л» регионов. Ее функция может быть приравнена к заполнению с водой ведра с отверстием на стороне. После того , как вода достигнет уровня дыры начнет выливаться. Кроме того , диод будет проводить ток , как только затопленные электроны и дырки достигают точки равновесия, где число электронов равно числу дырок в собственной области. Когда диод смещен в прямом направлении , нагнетаемые концентрации носителей обычно на несколько порядков выше , чем собственная концентрация носителей. Из — за этой высокой инъекции уровня, который , в свою очередь, из — за процесса истощения , электрическое поле проходит глубоко (почти по всей длине) в регионе. Это электрическое поле помогает в ускорении переноса носителей заряда от Р до N области, что приводит к более быстрой работе диода, что делает его подходящим устройством для высокочастотных операций.

Характеристики

PIN — диод подчиняется стандартным уравнение диода для низкочастотных сигналов. На более высоких частотах, диод выглядит как почти идеальные (очень линейный, даже для больших сигналов) резистор. PIN диод имеет относительно большой накопленный заряд дрейфовать в толстой внутренней области . При достаточно низкой частоте, накапливаемый заряд может быть полностью охватила и диод выключается. На более высоких частотах, не хватает времени , чтобы подметать заряд из области дрейфа, так что диод никогда не выключается. Время , необходимое для развертки накопленного заряда от диода — перехода является его время обратного восстановления , и его относительно длинным в PIN — диоде. Для данного полупроводникового материала, на государственном импедансе, и минимальной полезной РЧ частоте, время обратного восстановления фиксируется. Это свойство может быть использовано, один выбор PIN — диод, на этапе восстановление диода , использует резкое изменение импеданса на конце обратного восстановления , чтобы создать узкий импульс сигнала , полезный для умножения частоты с высокими кратными.

Сопротивление высокочастотного обратно пропорционально ток смещения постоянного тока через диод. PIN — диод, соответствующим образом предвзятым, следовательно , действует как переменный резистор. Это сопротивление высокой частоты может изменяться в широких пределах (от 0,1 Ω до 10 кОм в некоторых случаях, полезный диапазон меньше, хотя).

Широкая внутренняя область также означает , что диод будет иметь низкую емкость при обратном смещении .

В PIN — диода, область обеднения существует почти полностью в пределах внутренней области. Этот регион истощение значительно больше , чем в PN диода, и почти постоянной размер, не зависит от обратного смещения , приложенного к диоду. Это приводит к увеличению объема , где электронно-дырочные пары могут быть получены с помощью падающего фотона. Некоторый фотоприемник устройство, такие как PIN фотодиоды и фототранзисторы (в котором базовые-коллекторном переходе является PIN — диодом), использовать PIN — соединение в своей конструкции.

Конструкция диода имеет некоторые конструктивные компромиссы. Увеличение площади внутренней области увеличивает ее накопленный заряд уменьшая его RF на сопротивлении в открытом состоянии при одновременном увеличении обратного смещения емкости и увеличения тока возбуждения, необходимый для удаления заряда в течение фиксированного времени переключения, при отсутствии эффекта от минимального времени, необходимого для подметать взимают из области I. Увеличение толщины внутренней области увеличивает общий накопленный заряд, уменьшает минимальную частоту РЧА, уменьшает емкость обратного смещения, но не уменьшает прямое смещение ВЧ сопротивления и увеличивает минимальное время, необходимое для развертки заряда дрейфа и перехода от низкого с высоким сопротивлением РФ. Диоды продаются на коммерческой основе в различных геометрий для конкретных радиочастотных диапазонов и использования.

Приложения

PIN — диоды могут использоваться в качестве переключателей РФ , аттенюаторов , фотодетекторов и фазовращателей.

ВЧ и СВЧ-переключатели

PIN-диод ВЧ СВЧ коммутатор.

Под нулевым или обратного смещения ( «выключено» состояние), PIN — диод имеет низкую емкость . Малой емкости не будет передавать большую часть РЧ сигнала . Под прямого смещения 1 мА ( «ON» состояние), типичный PIN — диод будет иметь ВЧ сопротивление около 1 Ом , что делает его хорошим ВЧ проводником . Следовательно, PIN — диод делает хороший радиочастотный переключатель.

Хотя реле РЧ могут быть использованы в качестве переключателей, они переключаются относительно медленно (от порядка 10s миллисекунд ). Переключатель PIN диод может переключаться гораздо быстрее (например, 1 микросекунду ), хотя следует отметить , что при более низких частотах РФ не разумно ожидать , время переключения в том же порядка, что и в РФ периода.

Например, емкость «выключено» -state дискретного PIN — диод может быть 1 пФ . При 320 МГц , емкостная реактивность 1 пФ составляет 497 Ом :

Z d я о d е знак равно 1 2 π е С знак равно 1 2 ⋅ π ⋅ 320 × 10 6 ⋅ 1 × 10 — 12 знак равно 497 Ω {\ displaystyle Z_ {диод} = {\ гидроразрыва {1} {2 \ пи Fc}} = {\ гидроразрыва {1} {2 \ CDOT \ р \ CDOT 320 \ раз 10 ^ {6} \ CDOT 1 \ раз 10 ^ {- 12}}} = {497} \ \ Omega}

В серии элемента в 50 Ом системы, выключенное состояние затухания в дБ:

A знак равно 20 журнал 10 ⁡ ( Z L о a d Z s о U р с е + Z d я о d е + Z L о a d ) знак равно 20 журнал 10 ⁡ ( 50 50 + 497 + 50 ) знак равно +21,5 d В {\ Displaystyle А = 20 \ лог _ {10} \ влево ({\ гидроразрыва {Z_ {нагрузки}} {Z_ {источник} + Z_ {диод} + Z_ {нагрузки}}} \ справа) = 20 \ лог _ { 10} \ влево ({\ гидроразрыва {50} {50 + 497 + 50}} \ справа) = {21.5} \ дБ}

Это ослабление не может быть адекватным. В приложениях, где требуется изоляция выше, могут быть использованы оба шунтирующие и серии элементов, с шунтирующих диодов смещены в дополнительной моды к элементам серии. Добавление шунтирующих элементов эффективно снижает импедансы источника и нагрузок, уменьшение коэффициента сопротивления и увеличение в выключенном состоянии затухания. Тем не менее, в дополнение к дополнительной сложности, ослабление включенного состояния увеличивается за счет последовательного сопротивления блокирующего элемента в открытом состоянии и емкости из выключенного состояния элементов шунтирующих.

PIN-диодные переключатели используются не только для выбора сигнала, но также и выбор компонентов. Например, некоторые генераторы низкого фазового шума используют их для диапазона переключения катушек индуктивности.

аттенюаторы переменной ВЧ и СВЧ

${\ Displaystyle А = 20 \ лог _ {10} \ влево ({\ гидроразрыва {Z_ {нагрузки}} {Z_ {источник} + Z_ {диод} + Z_ {нагрузки}}} \ справа) = 20 \ лог _ { 10} \ влево ({\ гидроразрыва {50} {50 + 497 + 50}} \ справа) = {21.5} \ дБ}$

РФ СВЧ PIN-диод аттенюатор.

Изменяя ток смещения через PIN-диод, можно быстро изменить сопротивление RF.

На высоких частотах, то диод появляется как резистор, сопротивление которого является обратной функцией его прямого тока. Следовательно, PIN-диод может быть использован в некоторых переменных конструкциях аттенюатора как амплитудные модуляторы или выходные выравнивающих цепях.

PIN-диоды могут быть использованы, например, в качестве моста и шунтирующих резисторов в мостовом-T аттенюатора. Другой распространенный подходом является использование PIN диодов в качестве окончаний, подключенных к 0 градусов и -90 градусов портам квадратурного гибрида. Сигнал ослабляться подается на входной порт, и ослабляется результат берется из порта изоляции. Преимущества такого подхода над мостиком-Т и пи подходов (1) диски дополняют друг друга PIN-диод смещения не нужны-то же смещение прилагается к обоим диодам-и (2) потери в аттенюатора равно обратные потери из концевые, которые могут варьироваться в очень широком диапазоне.

Ограничители

PIN-диоды иногда предназначены для использования в качестве защитных устройств ввода для тестовых зондов высокой частоты и других цепей. Если входной сигнал мал, PIN-диод имеет незначительное влияние, представляя лишь малую паразитную емкость. В отличие от диода выпрямителя он не представляет нелинейного сопротивления на частотах РЧ, которые дали бы к возникновению гармоник и интермодуляционных продуктов. Если сигнал велико, то, когда PIN-диод начинает исправить сигнал, прямой ток зарядов область дрейфа и устройство РЧ импеданса сопротивление обратно пропорционально амплитуде сигнала. Это амплитуда сигнала изменения сопротивления может быть использован для завершения некоторых заранее определенной части сигнала в резистивной сети рассеивать энергию или создать рассогласование импеданса, который отражает падающий сигнал обратно в сторону источника. Последнее может быть в сочетании с изолятором, устройство, содержащее циркулятор, который использует постоянное магнитное поле, чтобы разорвать взаимность и резистивную нагрузку, чтобы отделить и прекратить обратную бегущую волну. Следует подчеркнуть, что при использовании в качестве шунта ограничителя ПИНА диод является низким импедансом по всему РФ цикла, в отличии от спаренных диодов выпрямителя, что бы качать с высокой устойчивости к низкому сопротивлению во время каждого РЧ цикла зажима формы волны, а не отражает его как совершенно. Время восстановления ионизации молекул газа, что позволяет создавать более высокого защитное устройство входного зазора мощности искры в конечном счете, зависит от подобных физики в газе.

Фотодетектор и фотоэлемент

PIN фотодиод был изобретен Дзюнъити Нишизава и его коллегами в 1950 году.

PIN фотодиоды используются в сетевых картах и волоконно — оптических переключателях. В качестве фотоприемника, ПИН — диод смещен в обратном направлении. При обратном смещении диода обычно не проводят ( за исключением небольшой темновой ток или я _сек утечки). Когда фотон достаточной энергии поступает в обедненной области диода, оно создает электрон , отверстие пара. Поле обратного смещения подметает носитель из региона , создавая ток. Некоторые детекторы могут использовать лавинного умножения .

Же механизм применяется к структуре PIN, или контактной развязке , из солнечного элемента . В этом случае преимущество использования структуры по сравнению с обычным PIN полупроводника р-п — переходом , тем лучше длинный ответ длиной волны первого. В случае длинной длины волны излучения, фотоны проникают глубоко внутрь клетки. Но только те электронно-дырочные пары , образующиеся в и вблизи обедненной области способствуют генерации тока. Обедненная область структуры PIN проходит через внутреннюю область, вглубь устройство. Это шире ширина Истощения позволяет генерировать электронно-дырочные пары глубоко внутри устройства. Это увеличивает квантовую эффективность ячейки.

Коммерчески доступные фотодиодов PIN имеют квантовая эффективность выше 80-90% в диапазоне длин волн телеком (~ 1500 нм), и , как правило , изготовлены из германия или InGaAs . Они имеют малое время отклика (более высокие , чем их коллеги рп), работает в несколько десятков гигагерц, что делает их идеальными для применения в оптических телекоммуникационных высокоскоростными. Точно так же, кремния контактный фотодиоды имеют еще более высокие квантовые эффективности, но может обнаружить только длины волн ниже запрещенной зоны кремния, то есть ~ 1100 нм.

Как правило, аморфный кремний клетка тонкопленочной использовать PIN — структуру. С другой стороны, CdTe клетка использует структуру Н, изменение структуры PIN — коды. В структуре НПВ, внутренняя CdTe слой зажат п-легированных CdS и р-легированных ZnTe. Фотоны падают на п-легированного слоя в отличие от PIN — диода.

PIN-фотодиод может также обнаружить рентгеновские и гамма-кванты.

Пример PIN фотодиоды

SFh303 и BPW43 дешевые PIN — диоды общего назначения в 5 мм прозрачных пластиковых корпусах с шириной полосы более 100 МГц. RONJA телекоммуникационные системы являются примером приложения.

Смотрите также

внешняя ссылка

Pn/pin фотодиоды

Имеются абсолютно общие требования к фотодетекторам, используемым в системах передачи сообщений:

Высокая чувствительность для заданного значения длины световой волны (высокие величины спектрального отклика [А/Вт].
Высокое быстродействие (сравнимое или превосходящее быстродействие п/п лазерных систем.
Малые размеры.
Высокое отношение сигнал-шум.
Температурная стабильность.
Длительный срок службы и малая стоимость.

Исходя из этих требований, в настоящее время только фотодиоды могут быть использованы в полной мере для обеспечения задач оптоэлектроники. В свою очередь, фотодиоды можно разделить на диоды без внутреннего усиления фототока и фотодиоды, обладающие внутренним усилением фототока (лавинные фотодиоды). Под внутренним усилением понимается способность генерировать несколько электронно-дырочных пар в объеме устройства при поглощении одного фотона. Кроме того, необходимо отметить, что все фотодиодные системы в нормальном режиме работают при обратном смещении, которое обеспечивает низкие паразитные обратные токи в p-n или p-i-n структурах.

Физические принципы

Наиболее важную роль в процессах генерации электронно-дырочных пар в полупроводниковых фотодетекторах играет процесс поглощения света, связанный с переходами электронов из почти заполненной валентной зоны полупроводника в его зону проводимости. Единственно возможным для осуществления процессов такого типа является поглощение фотона с энергией, достаточной для перехода электронов через запрещенную зону, при этом в валентной зоне возникают незаполненные электронные состояния – «дырки», равноправно участвующие в изменении электропроводности полупроводника. Если к кристаллу приложено или уже имеется встроенное электрическое поле, то электроны и дырки приходят в движение и во внешней электрической цепи наблюдается увеличение тока. Такой эффект носит специальное название – фотопроводимость, который наблюдается в некотором интервале световых волн для рассматриваемого полупроводника. На практике такой процесс дает в области разрешенных световых длин волн сплошной спектр интенсивного поглощения, ограниченный более или менее крутым краем поглощения при E_g≈hν, где E_g – энергетическая ширина запрещенной зоны полупроводника, h – постоянная Планка, ν – частота света. Характер поглощения светового потока с заданной длиной световой волны в объеме полупроводника определяется законом Бугера-Ламберта-Бера.

Рис.3. Спектры поглощения света различными полупроводниками.

Закон Бугера-Ламберта-Бера может быть сформулирован на основе самых общих принципов и выполняется с очень высокой степенью точности при условии, если коэффициент поглощения света в материале экспериментально хорошо определен.

Рассмотрим слой полупроводникового материала толщиной (x, x+dx), через который распространяется световой поток в направлении x. Количество поглощенной световой энергии в слое толщиной dx должно быть пропорционально толщине слоя dx и величине светового потока падающего на этот слой J(x). Если обозначить коэффициент пропорциональности между поглощенной энергией и падающей на слой dx через α, то можно записать

. (15)

Поскольку поглощенная энергия приводит к ослаблению интенсивности света, то (dJ<0). Таким образом, α есть количество поглощенной энергии светового потока единичной интенсивности в слое единичной толщины. Из (15) непосредственно следует

, (16)

где σ – сечение поглощение света [см²], а N – число поглощающих свет центров [см^-3].

Соотношение (16) является формулировкой закона Бугера-Ламберта-Бера, при этом α=σN [см^-1]. Если рассмотреть величину (σN^-1), то ее можно назвать средней длиной свободного пробега фотонов l_фот в поглощающей среде:

. (17)

Из (17) следует, что α – коэффициент поглощения – есть вероятность поглощения или рассеяния фотона на единице длины материала. Рис.3 показывает зависимости коэффициента поглощения света и длины пробега фотонов вдоль направления распространения светового потока от длины волны света, поглощаемого в объеме различных полупроводниковых материалов. Если в полупроводнике имеются поглощающие или рассеивающие центры N_i различной природы, характеризующиеся своими эффективными сечениями поглощения σ_i(λ), то

. (18)

Фотодиод представляет собой p—n переход, сформированный в полупроводниковой пластине n-типа проводимости и имеющий p-слой на одной стороне. Вследствие большого градиента концентрации носителей заряда в разных областях перехода происходит диффузия электронов из n-области в p-область и дырок из p-области в n-область. Возникновение диффузионных потоков приведет к разделению зарядов, вследствие чего появится положительный объемный заряд в n-области, примыкающей к переходу, и отрицательный – в p-области около перехода. Эти объемные заряды в области перехода создадут сильное электрическое поле, направленное от n-области к p-области и препятствующие движению электронов и дырок. В результате образуется потенциальный барьер между p и n слоями полупроводника, что сопровождается образованием обедненного слоя. Неосновные носители заряда, генерируемые световым потоком в разных областях диода, движутся к границе обедненного слоя и переходят из одной области в другую, индуцируя во внешней замкнутой цепи электрический ток, или разность потенциалов между электродами, если цепь разомкнута. Физическая реализация фотодиода показана на рис.4

Рис.4. Общая схема p—n фотодиода.

P—I—N фотодиод представляет собой разновидность фотодиода, когда обедненная область распространяется на всю толщину фотодиода (рис.5). Для осуществления такой конструкции необходимо выбирать полупроводниковый материал с максимально высоким удельным сопротивлением (собственный полупроводник или i – полупроводник). Благодаря этому слою генерируемые светом электронно-дырочные пары достигают внешних электродов фотодиода за минимальное время для рассматриваемой конструкции посредством дрейфа носителей заряда в сильном электрическом поле в объеме фотодиода.

Рис.5. Общая схема p—i—n фотодиода показана на верхнем рисунке слева. Схематичное представление распределения потенциала структуры показано на верхнем рисунке справа. Внизу показана кривая поглощения света в полупроводнике.

При большом обратном смещении, приложенным к pn-переходу, которое создает сильное электрическое поле в области пространственного заряда, переход пробивается и через него может протекать очень большой ток. Существуют три основных механизма пробоя: тепловая неустойчивость, туннельный эффект и лавинное умножение или ударная ионизация.

В лавинном p—i—n фотодиоде достигается усиление первичного фототока за счет управляемого лавинного умножения числа носителей заряда. Лавинное умножение достигается за счет увеличения напряжения смещения до величины, близкого к напряжению пробоя p—i—n перехода с достижением напряженностей электрического поля порядка E>10⁵ В/см в узкой области умножения носителей заряда (рис.6). Двигаясь в сильном электрическом поле, носители заряда приобретают большую кинетическую энергию (большую, чем ширина запрещенной зоны полупроводника) и, отдавая часть этой энергии другим носителям, генерируют дополнительные электронно-дырочные пары за счет переходов электронов из валентной зоны полупроводника в зону проводимости. Избыточные электроны и дырки, генерируемые собственными «горячими» носителями заряда вызывают увеличение общего фототока, т.к. в процессе поглощения одного фотона может генерироваться несколько электронно-дырочных пар.

Рис.6. Принцип работы лавинного p—i—n фотодиода.

Пусть с левой стороны обедненной области шириной W в нее втекает ток I_p₀. Если электрическое поле в обедненной области настолько велико, что вследствие ударной ионизации могут генерироваться электронно-дырочные пары, то дырочный ток будет нарастать с координатой и на правой границе обедненной области (x=W) достигнет величины M_pI_p₀ (M_p>1). Аналогично электронный ток будет возрастать в направлении от x=W к x=0. Полный ток I=I_p+I_n в стационарных условиях постоянен. Приращение дырочного тока в точке с координатой x равно числу электронно-дырочных пар, генерируемых за одну секунду на расстоянии dx:

. (19)

или

, (20)

где α_n и α_p – коэффициенты ионизации электронов и дырок.

Решение уравнения (20) с граничным условием I=I_p(W)=M_pI_p₀ записывается в виде

, (21)

где M_p=I_p(W)/I_p(0) – коэффициент умножения дырок.

Уравнение (21) в этом случае можно переписать в виде

. (22)

Напряжение лавинного пробоя определяется выражением, при котором M_p стремится к бесконечности. Следовательно, условие пробоя дается интегралом ионизации

. (23)

Если лавинный пробой инициируется не дырками, а электронами, то интеграл ионизации имеет вид

. (24)

Коэффициенты ионизации α_n или α_pопределяются как среднее число ионизаций, производимых носителем заряда на единице пути в направлении поля, например, для электронов коэффициент ионизации как функция энергии электронов может быть записан в виде

, (25)

где w_i(E) – вероятность ионизации, f(E) – функция распределения электронов, g(E) – плотность квантовых состояний в зоне проводимости и v_d – дрейфовая скорость электронов.

На практике используются аппроксимационные зависимости коэффициентов ионизации, которые в основном представляются в виде:

, (26)

где A и B – коэффициенты, разные для разных полупроводников.

Более простым выражением для коэффициента умножения носителей заряда M_n_,_p является широко распространенное соотношение, предложенное Миллером:

, (27)

где U – напряжение, приложенное к pn-переходу, U_bn_,_p – напряжение пробоя pn-перехода, m – постоянный коэффициент для данного полупроводника.

PIN фотодиодов | First Sensor

First Sensor разрабатывает и производит серийные фотодиоды, охватывающие ряд технологий.

Материалы и обработка могут быть адаптированы к индивидуальным требованиям заказчика и продукта, что позволяет оптимизировать такие параметры, как чувствительность на разных длинах волн, скорость и производительность. Мы будем рады помочь вам найти идеальную технологию для вашего приложения.

Фотодиод является активным компонентом, который преобразует свет в электрическое напряжение (фотоэлектрический эффект) или фототок.Физическим основанием для этого процесса является p-n-переход в кремниевом полупроводнике. Когда фотоны с достаточной энергией поглощаются детектором, это приводит к образованию носителей заряда (электронно-дырочных пар), которые разделяются в области пространственного заряда и, таким образом, генерируют фототок.

Хотя разделение зарядов также происходит без приложения внешнего напряжения, процесс может быть ускорен таким обратным напряжением. Фототок остается линейным по отношению к объему поглощенного света на много порядков, если диод не работает в состоянии насыщения.

В зависимости от внешних подключений мы различаем два различных рабочих состояния: элемент и диод. В случае работы элемента диод подключается напрямую к потребителю без использования внешнего источника напряжения. В этом рабочем состоянии темновой ток не протекает, что облегчает обнаружение минимальных интенсивностей.

Во время работы диода внешний источник напряжения соединен с потребителем последовательно, в результате чего напряжение подается в обратном направлении.Этот режим работы идеально подходит для приложений, в которых требуется быстрая реакция сигнала. Основным недостатком является темновой ток, который экспоненциально растет с температурой.

ПИН-диод содержит почти собственную полупроводниковую область — обычно область пространственного заряда — между диодом p-типа и подложкой n-типа. Однако этот термин также используется для компонентов с обратной проводимостью при условии, что в компоненте не используются другие нелинейные эффекты.

PIN фотодиод | Фотодетекторы

Примечание. Для сортировки и фильтрации требуется JavaScript, который в настоящее время отключен в вашем браузере.

Тип устройства	Тип упаковки	Форма пакета	Размеры упаковки Д х Ш х В (мм)	Пиковая длина волны λp (нм)	Ширина спектральной полосы ⁽¹⁾ (нм)	Выходной ток ⁽²⁾	угол половинной чувствительности φ (град)	Светочувствительный участок (мм ²)
Силиконовый PIN-фотодиод	этилированный	Вид сверху	5.4 х 4,3 х 3,2	950	870 до 1050	45 A	65	7,5
Силиконовый PIN-фотодиод	этилированный	Вид сверху	5.4 х 4,3 х 3,2	950	870 до 1050	45 A	65	7,5
Силиконовый PIN-фотодиод	этилированный	Т-1	5	920	380 до 1100	70 A	20	0.78
Силиконовый PIN-фотодиод	этилированный	Т-1	5	940	790 до 1050	60 A	20	0.78
Силиконовый PIN-фотодиод	этилированный	Вид сверху	5.4 х 4,3 х 3,2	900	430 до 1100	50 A	65	7,5

.PIN-код

для фотодиодов — Wikipédia

PIN-код структуры d’une jonction

PIN-код фотодиодов Symbole d’une

La фотодиод PIN является непревзойденным полупроводником электроники. Elle est utilisée comme photodétecteur dans de nombreuses применений промышленности. В частности, в настоящее время юрисдикция композитора зоны дюны является неотъемлемой частью интернационального форсирования региона и его фортификации.

«Премьер-министр освещения», фотоэлектрический проект, созданный в 1913 году, по версии Elster et Geiter, по-французски фотоэлектрический проект Альберта Эйнштейна, 1905 год.Le премьер-фото трубки фотоумножитель, изобретенный в лаборатории RCA, коммерческое предприятие 1936 ^[1].

C’est en 1940 и далее по номеру PN PN ^[2]. Замечание о том, что у него есть ассоциация «Кристальный кремний», не имеет количественных характеристик, а также является непротиворечивым диодом. Теория юстиции и юриспруденции им. В. Шокли в 1949 году, с целью обеспечения взаимодействия между полу-проводниками.

Ces études ont permis au Japonais Jun-ichi Nishizawa d’inventer la diode PIN dès 1950 ^[3]. Elle était alors utilisée comme redresseur de puissance. Nishizawa Continu ses Recherches et améliora la Photodiode PIN. Il Inventa également la photodiode a лавина в 1952 году.

Год постройки 1950 года — это грандиозный проект по использованию диодов в режиме фотоэлектрических систем, в которых используются фотоэлектрические элементы и оптика. Он получает информацию о своем собственном опыте, в том числе фотографии и фотографии PIN-кодов.Enfin, les premières фотодиоды PIN en Germanium, постоянный детектор инфракрасных лучей, последние годы выпуска 1962 ^[4].

Lorsqu’un photon, d’énergie sufisante, pénètans dans la zone de déspace (ZCE), dune unionction PN, il genére, du fait de son Поглощение, ун-та электрон / тру. Cette derniere is alors disociée sous l’action du champ E et chacun de ces фотокорреспонденты Est Propulsé против региона Дан-Лакель-и-Сера Мажоритар. Le déplacement de ces porteurs est l’origine du photocourant.

Cependant, afin d’obtenir un bon courant, являющийся важным ограничителем количества рекомбинаций по электронике / брюшному спорту, сообщает о себе фотокорреспондентам. Австралийский язык, в котором есть необходимость в использовании фотонов, зависит от зоны действия мобильных телефонов, ZCE.

Si Né Région Est Plus dopée qu’une autre, La ZCE se forme Principalment Survele la Moins Dopée. Или, в сущности, непропорционально присущему ему собственному усмотрению, определению, что это не так. Аусси, лицо, пользующееся дополнительными полномочиями типа P и типа N, без каких-либо дополнительных допущений, от ZCE до основополагающего фактора.L’intérêt de la фотодиодный PIN-код, соответствующий стандарту ZCE. Ainsi, la majorité des photons yst поглощает. De plus, cette région intrinsèque étant pure (99,99% от силикона), имеет большое значение. На самом деле, это не так, как кажется, в действительности это означает, что у нас нет никаких проблем.

Enfin, максимальное количество фотонов, присутствующих в ZCE, в зависимости от зоны действия (P dans la figure ci-contre), до невозможной неисправности.

AINSI UNE Фотодиодный PIN-код для фотолюбителя.

. Соответствие номеру пары электронов / электронов, паро-фотонного поглощения, фотоукратера.

Il s’exprime: η знак равно 1240. S λ {\ displaystyle \ eta = {\ frac {1240.S} {\ lambda}}}

Dans cette выражение:

η {\ displaystyle \ eta} est le rendement

Сравнение спектральных характеристик фотодиода и мощности в ваттах (A / W)

λ {\ displaystyle \ lambda} Начиная с нанометровых значений (нм)

Сравнение моделей фотодиодов PIN и e-jonction PN, en Silicium
типов де Jonction	Rendement Moyen au Maximum De La Sensibilité Spectrale
PN	06 а 0,65
PIN	0,7 € 0,75 voire 0,85 лей плюс исполнители

Schéma électrique équivalent de la photodiode PIN

Ci-contre, le schéma électrique équivalent de la photodiode PIN, используется для анализа электрических цепей, электрических и электрических сетей.

первое сопротивление, динамическое объединение ≈ 10 ¹⁰ Ом

Ассоциация резидентов aux contacts ohmiques, de quelques dizaines d’ohms

C e la la capité de la junction

Монтирование и вывод фотодиода PIN-код в зависимости от ZCE и встроенной функции.Или, по разным меркам, вливание в пространство и возможности для фотопортретов. De plus, ces deux derniers jouent un role majeur sur la montée с последующим использованием фотодиодов. Aussi, deux types de ограничений в следствии не наблюдаемых.

Ограничение по отдельности, ассоциация по постоянному времени = RC для фотодиода PIN

Lorsque la taille ZCE augmente, c емкостью фотодиода уменьшается.Aussi, sa bande passante augmente.

Fréquence de coupure Associée: е с знак равно 1 2 Π р С {\ displaystyle fc = {\ frac {1} {2 \ Pi RC}}}

пробы сопротивления для зарядки фотоаппаратом.

Ограничение по времени, ассоциация по предоставлению услуг фотографам и даным.

«Большой плюс», плюс временные рамки для фотокорреспондентов: «Плюс и лучшая оценка».

Fréquence de coupure Associée: е T знак равно 3,5 v 2 Π W {\ displaystyle ft = {\ frac {3.5v} {2 \ Pi W}}}

Авек 1 v 4 знак равно 0.{4}}}}

Vestse de Насыщение электронов и Vt La Vitesse де насыщения.

Ответ по фотодиоду PIN

Последовательность действий для фотобарабана 3dB: 1 е с ( 3 d В ) знак равно 1 е с + 1 е T {\ displaystyle {\ frac {1} {fc (3dB)}} = {\ frac {1} {fc}} + {\ frac {1} {ft}}}

Афин д’Обтенир и бондаж, в том числе и пассивные, а также беспристрастный и компромиссный вариант ZCE.Aussi, организация, использующая домашнюю технику, временные переходы фотодиодов PIN-код аллергии, квантиков, наносекунд, и деминусосекунд.

Matériaux [модификатор | код модификатора]

La фотодиод PIN-код, отличное от других приложений. Наличия дана на виду, а кремний имеет принципиальное значение для производства и производства. Изобилие в стиле поверхности Земли, кварца, суши и вкуса, чистоты и вкуса, формы.Le silicium ainsi obtenu sert de base à la изготовления полупроводников. Прикладные программы, современные технологии, современные технологии и технологии, современные технологии PIN-кодов для фотодиодов. Все существующие фотодиоды PIN-код галлия.

Dopage [модификатор | код модификатора]

Voir la page Допид

Pour pouvoir étre utilisée, is e nessaire que les les différentes party полупроводниковые приборы с фотодиодами PIN-коды, в настоящий момент не имеющие аналогов: все электроны даны в зоне N и вошли в зону P.Ce допинг, как и прежде, методы лечения, допинг по диффузии и допинг по ионике. Dans le dopage par diffusion, неоднозначный налет допинга в условиях полупроводника. Вне зависимости от обстоятельств, он может быть легкомысленным и поверхностным. Внедрение дополняет друг друга, является аппликацией и чемпионом, не уступая ни в чем не уступающему, тем не менее, он принимает участие в поиске и сдаче.

Plusieres procédés, comme la photolitogie ou déposition in phase vapeur (CVD Химическое осаждение, испарение на английском языке), сервант для создания диванов и полупроводниковых фотодиодов.

Контролируемая инфраструктура на расстоянии: все необходимые технологии для обеспечения оптимальной инфраструктуры и дистанционные светильники.

Фотомодель: фотоэлектрический PIN-код, фотоальбом, фотоэлектричество, инструмент для измерения уровня безопасности.

Photodétecteur: else est utilisée dans la lédection de lumière, comme for décnchechement autotique d’éclairage.PIN-код фотодиода.

Детский сад: некоторые виды оптики и аксессуаров для женщин, работающих по принципу рассеивания света. Неисправный свет и фотодиод. ПИН-код не имеет ничего общего с люминесцентными лампами и фотодиодами. Разброс люминесценции по производственному спектру, в частности, в настоящее время. Le faisceau lumineux est reflété par lesfulles de fumée and est enregistré par la photodiode PIN.Схема электронного анализа женских и тревожных событий проходит через всеобщее обозрение.

Система передачи по оптоволоконному кабелю: система использования для передачи высокого качества сигнала ТВ. Фотодиодный PIN-код, используемый в качестве источника оптического сигнала, автомобильного сигнала (0,5 А / Вт) и звукового сигнала (900 кв. Н.)
- Лазер Télémètre: технология Cette использует фотодиоды PIN comme photodétecteurs.Les lélémètres lasers qui utilisent la photodiode PIN se retrouvent dans les systèmes de sécurité, queue on retrouve au sein des cars. Пармезан прикладных программ, предназначенных для обеспечения безопасности, на пути к определению расстояний, систем безопасности и свободы передвижения, а также систем свободы передвижения по всему миру.
Примеры технических характеристик фотодиодов PIN au silicium de différents constructeurs:
- Физика полупроводниковых приборов де Саймона SZE, Джон Вили и сыновья, 1981
- Optoélectronique Industrielle: концепция и приложения Пьера Мэй, DUNOD, 2001
- Физические данные и композиторы Электроника Генри Матиу, DUNOD, 2004
- Les composants optoélectroniques de François CERF, Hermes Science Publications, 1999
,

Pin фотодиоды: Публикация не была найдена — Студопедия

Фотодиоды

Теги

Тематические статьи по фотонике