Pnp транзисторы. PNP-транзистор: принцип работы, структура и применение

Что такое PNP-транзистор и как он работает. Какова структура PNP-транзистора. Чем PNP-транзистор отличается от NPN-транзистора. Где применяются PNP-транзисторы. Какие преимущества и недостатки у PNP-транзисторов.

Что такое PNP-транзистор

PNP-транзистор — это разновидность биполярного транзистора, в котором основными носителями заряда являются дырки. PNP расшифровывается как Positive-Negative-Positive, что отражает структуру транзистора — он состоит из двух областей p-типа, разделенных тонким слоем n-типа.

Основные характеристики PNP-транзистора:

  • Состоит из трех слоев полупроводника: p-n-p
  • Имеет три вывода: эмиттер, база и коллектор
  • Основные носители заряда — дырки
  • Ток течет от эмиттера к коллектору
  • Управляется током базы

Принцип работы PNP-транзистора

Принцип работы PNP-транзистора основан на инжекции дырок из эмиттера в базу. Рассмотрим основные этапы:

  1. На переход эмиттер-база подается прямое смещение. Это приводит к инжекции дырок из эмиттера в базу.
  2. Большая часть инжектированных дырок проходит через тонкий базовый слой и попадает в коллектор.
  3. Небольшая часть дырок рекомбинирует с электронами в базе, образуя ток базы.
  4. Переход коллектор-база смещен в обратном направлении. Это создает электрическое поле, которое ускоряет движение дырок к коллектору.
  5. В результате через коллектор протекает усиленный ток, который в β раз больше тока базы.

Таким образом, небольшой ток базы управляет гораздо большим током коллектора. В этом и заключается усилительное действие транзистора.


Структура PNP-транзистора

PNP-транзистор имеет следующую структуру:

  • Эмиттер — сильнолегированная область p-типа (p+)
  • База — тонкий слабо легированный слой n-типа
  • Коллектор — умеренно легированная область p-типа

Между эмиттером и базой, а также между базой и коллектором образуются p-n переходы. Переход эмиттер-база смещается в прямом направлении, а переход коллектор-база — в обратном.

Отличия PNP-транзистора от NPN

Основные отличия PNP-транзистора от NPN заключаются в следующем:

  • В PNP основные носители заряда — дырки, в NPN — электроны
  • Ток в PNP течет от эмиттера к коллектору, в NPN — от коллектора к эмиттеру
  • Для работы PNP требуется отрицательное напряжение на базе относительно эмиттера, для NPN — положительное
  • Стрелка на условном обозначении PNP направлена к базе, у NPN — от базы

Применение PNP-транзисторов

PNP-транзисторы широко применяются в электронике в следующих областях:

  • Усилители тока и напряжения
  • Ключевые схемы
  • Источники стабильного тока
  • Схемы защиты от перегрузки
  • Схемы смещения в операционных усилителях
  • Составные транзисторы (пара Дарлингтона)
  • Токовые зеркала

Преимущества и недостатки PNP-транзисторов

Основные преимущества PNP-транзисторов:


  • Высокий коэффициент усиления по току
  • Низкое напряжение насыщения
  • Возможность работы с положительным напряжением питания
  • Хорошая температурная стабильность

Недостатки PNP-транзисторов:

  • Более низкая подвижность дырок по сравнению с электронами
  • Меньшее быстродействие по сравнению с NPN
  • Сложность изготовления интегральных PNP-транзисторов

Сравнение характеристик PNP и NPN транзисторов

Рассмотрим основные параметры PNP и NPN транзисторов в сравнении:

ПараметрPNPNPN
Основные носителиДыркиЭлектроны
Направление токаОт эмиттера к коллекторуОт коллектора к эмиттеру
Напряжение смещения базы ОтрицательноеПоложительное
БыстродействиеНижеВыше
Коэффициент усиленияНижеВыше

Как видно из таблицы, NPN транзисторы имеют некоторые преимущества по быстродействию и усилению. Однако в ряде применений PNP транзисторы незаменимы.

Схемы включения PNP-транзисторов

Существует три основные схемы включения PNP-транзисторов:


1. Схема с общим эмиттером (ОЭ)

Это наиболее распространенная схема включения. Особенности:

  • Эмиттер является общим для входной и выходной цепи
  • Обеспечивает усиление как по току, так и по напряжению
  • Имеет инверсию фазы входного сигнала

2. Схема с общей базой (ОБ)

Характеристики схемы с общей базой:

  • База является общей для входной и выходной цепи
  • Усиливает только по напряжению, но не по току
  • Не инвертирует входной сигнал
  • Имеет низкое входное сопротивление

3. Схема с общим коллектором (ОК)

Особенности схемы с общим коллектором:

  • Коллектор общий для входа и выхода
  • Усиливает по току, но не по напряжению
  • Имеет высокое входное и низкое выходное сопротивление
  • Не инвертирует сигнал

Как выбрать PNP-транзистор

При выборе PNP-транзистора следует учитывать следующие параметры:

  • Максимально допустимый ток коллектора
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер
  • Коэффициент усиления по току (h21E)
  • Граничная частота усиления (fT)
  • Мощность рассеивания
  • Температурный диапазон работы
  • Корпус транзистора

Выбор конкретной модели зависит от требований схемы и условий эксплуатации.


Заключение

PNP-транзисторы являются важными элементами современной электроники. Несмотря на некоторые недостатки по сравнению с NPN, они незаменимы во многих схемах. Понимание принципов работы и особенностей PNP-транзисторов позволяет эффективно применять их в различных электронных устройствах.


Транзисторы NPN и транзисторы PNP

Для начала p-n-p-транзисторы, такие как n-p-n, — это просто базовые транзисторы, которые попадают в категорию транзисторов. биполярные переходные транзисторы. Они используются в большом количестве разнообразных схем, начиная от усиления и заканчивая нахождением их в схемах модуляции. Наиболее частое использование, которое мы можем найти среди его приложений, заключается в его режиме работы полностью на(на) и от(выкл.), другими словами, то, что известно как простой переключатель.

СимволикаТранзистор NPN и транзистор PNP

Что такое транзисторы NPN и PNP?

Транзисторы NPN и PNP — это транзисторы с биполярным переходом, это не что иное, как довольно распространенный электрический и электронный компонент, который в настоящее время используется для работы всего современного электрического и электронного оборудования. За работу этих типов транзисторов отвечают как электроны, так и дырки. Одной из самых известных особенностей транзисторов PNP и NPN является усиление тока. Эти типы транзисторов используются в качестве переключателей, усилителей и генераторов во всех видах электронных схем. Биполярные транзисторы можно найти как в составе интегральных схем, так и в повседневных компонентах и ​​оборудовании. 

Для транзисторов типа PNP будем иметь, что большинство носителей заряда полые, а в транзисторах типа NPN Мы получим, что электроны являются основными носителями заряда. Не так для полевые транзисторы(FET) которые имеют только один тип несущего заряда. Принцип работы этих транзисторов основан на диодах с типом перехода pn. Как и в транзисторах npn, транзисторы n-типа составляют большинство, поэтому в качестве носителей заряда включается избыточное количество электронов. В pnp-транзисторах есть 2 p-типа, в результате чего большинство носителей заряда являются полыми.

Основное отличие транзистора NPN от транзистора PNP заключается в том, что транзистор NPN работает, когда через базу этого транзистора протекает ток. В транзисторе этого типа ток течет с коллектора, обозначенного буквой C эмитенту, указанному в письме E. Транзистор PNP работает или работает при отсутствии сигнала тока на базе транзистора, обозначенного буквой B. В этом транзисторе мы увидим, что ток течет от эмиттера (E) коллектору (C). Можно сказать, что PNP-транзистор включается низким опорным сигналом или сигналом на (землю) и наоборот в NPN-транзисторе, который работает с помощью высокого сигнала (тока). Все будет зависеть от технических свойств каждого транзистора с точки зрения сигнала для срабатывания.

Транзистор NPN Характеристики и Транзистор PNP

Первые характеристики п-н-п транзистор Это биполярный транзистор. PNP, первая буква P указывает полярность напряжения, необходимого для клеммы эмиттера; вторая буква N указывает полярность клеммы для базы. Работа транзистора типа PNP прямо противоположна работе транзистора NPN. Мы также имеем, что у этого типа транзистора самые большие носители заряда полые. Материалы, которые используются для создания выводов эмиттера, базы и коллектора в транзисторе PNP, сильно отличаются от материалов, используемых в транзисторе NPN. Конфигурация смещения транзистора PNP показана на схеме на следующем слайде. Мы обнаружим, что клеммы коллектор-база PNP-транзистора всегда смещены в обратном направлении, поэтому для коллектора необходимо использовать отрицательное напряжение.

п-н-п транзистор

Производство транзистора PNP

Конструктивные характеристики транзисторов PNP и NPN аналогичны, за исключением того, что смещение направлений напряжения и тока меняется на противоположное для любой из трех возможных конфигураций, таких как общая база (CB), общий эмиттер (CE) и общая база. (CB) общий коллектор (CC). Напряжение между базой и выводом эмиттера VBE отрицательно на выводе базы и положительно на выводе эмиттера, потому что для PNP-транзистора вывод базы всегда смещен отрицательно по отношению к выводу эмиттера. Кроме того, напряжение эмиттера положительно по отношению к коллектору (VCE).

Источники напряжения подключены к транзистору PNP, эмиттер подключен к Vcc с RL, этот резистор, которым он обладает, ограничивает максимальный ток, протекающий через устройство, которое подключено к клемме коллектора. Базовое напряжение VB подключено к базовому резистору RB, смещенному отрицательно по отношению к эмиттеру. Чтобы базовый ток протекал через PNP-транзистор, клемма базы должна быть более отрицательной, чем клемма эмиттера, примерно на 0,7 В (вольт) или Si-устройство. Самая фундаментальная большая разница между PNP и PN транзистором заключается в правильном смещении переходов транзистора; направления тока и полярности напряжения всегда противоположны друг другу.

Основы ПНП

Транзисторы Pnp формируются с n-типом, присутствующим между p-типами. Большинство этих носителей, ответственных за генерацию тока, обнаруженных в этом транзисторе, полые. Текущая операция такая же или похожая на операцию npn. Но приложения напряжений или токов с точки зрения полярности совершенно различны в обоих случаях.

Транзистор NPN

Транзистор NPN также является транзистором с биполярным переходом. Первая буква N указывает на отрицательно заряженный слой материала, а буква P указывает на положительно заряженный слой. В этих транзисторах мы увидим, что они имеют положительную область, которая находится между двумя отрицательными слоями. Транзисторы NPN обычно используются в коммутационных схемах, усиливая проходящие через них электрические сигналы. Эти транзисторы состоят из 3 выводов (базы, коллектора и эмиттера), и через эти выводы или проводники транзистор подключается к плате или электронной схеме. Когда через NPN-транзистор протекает ток, на базу транзистора поступает электрический сигнал, коллектор генерирует более сильный электрический ток, чем ток, проходящий через базу, а эмиттер передает этот более сильный ток на остальную часть цепи.

npn-транзистор

Этот тип транзистора обычно используется из-за простоты производства. Чтобы транзистор NPN работал правильно, он должен быть изготовлен из материала полупроводник, что позволяет проходить некоторому электрическому току, в отличие от других проводящих материалов, таких как металлы. Кремний (Si) является одним из наиболее широко используемых полупроводников, а NPN-транзисторы проще всего изготовить из кремния. Применение, которое обеспечивают транзисторы, невероятно в развитии современных технологий, какими мы их знаем сегодня.

Например, компьютерам необходимо, чтобы вся их информация была переведена в двоичный код (0 и 1), и этот процесс осуществляется с помощью этих маленьких переключателей, которые включают и выключают печатные платы компьютера. Транзисторы NPN можно использовать для реализации функции переключения режимов. С помощью электрического сигнала достигается включение выключателя, а при отсутствии сигнала состояние выключено.

Производство транзисторов NPN

Напряжение на клемме базы положительное, а на клемме NPN-транзистора отрицательное. Клемма базы всегда положительна по отношению к клемме эмиттера, но также напряжение питания коллектора положительно по отношению к клемме эмиттера. В транзисторе NPN коллектор соединен с VCC через нагрузочный резистор RL. Это сопротивление нагрузки ограничивает ток, протекающий через максимальный базовый ток. В этом транзисторе движение электронов через базовый вывод составляет действие транзистора. 

Основной особенностью действия транзистора является связь между входной и выходной цепями. Поскольку усилительные свойства транзистора зависят от управления, которое база использует для тока от коллектора к эмиттеру. Транзистор – это устройство, работающее с током. Когда транзистор работает, ток IC протекает между коллектором и эмиттером внутри транзистора. Однако это происходит только тогда, когда небольшой ток смещения Ib протекает через вывод базы транзистора. 

Это биполярный транзистор NPN; ток представляет собой отношение этих двух токов (Ic/Ib), которое называется непрерывным коэффициентом усиления по току устройства и обозначается символом «hfe» или текущий бета. Значение бета может достигать 200 для стандартных транзисторов, это соотношение между Ic и Ib делает транзистор очень полезным усилителем в электронике. Когда этот NPN-транзистор используется в активной области, Ib обеспечивает вход, а Ic обеспечивает выход. Бета не имеет единиц, так как это пропорция.

Коэффициент усиления транзистора по току от коллектора к эмиттеру называется альфа, т.е. Ic/Ie является функцией самого транзистора. Поскольку ток эмиттера Ie представляет собой сумму малого тока базы и большого тока коллектора, значение альфа очень близко к единице, и для типичного маломощного сигнального транзистора это значение варьируется примерно от 0,950 до 0,999.

Различия между транзисторами NPN и PNP

Транзисторы с биполярным переходом представляют собой компоненты с 3 выводами и изготовлены из легированных материалов, часто используемых в приложениях усиления и переключения. По сути, на каждом из них есть пара диодов с PN-переходом. BJT. Когда пара диодов собрана вместе, они образуют переход, который помещает один тип полупроводника между теми же двумя типами. Следовательно, существует только два типа биполярного соединения: PNP и NPN. В полупроводниках NPN имеют характерно более высокую подвижность электронов по сравнению с подвижностью дырок. Таким образом, он пропускает много тока и работает очень быстро. Другим важным фактором является то, что изготовление этого типа транзистора легко осуществить из кремния.

  • Транзисторы PNP, как и транзисторы NPN, изготовлены из разных материалов, и ток, протекающий через эти транзисторы, также отличается.
  • В транзисторе NPN ток течет от коллектора (C) к эмиттеру (E), а в транзисторе PNP ток течет от эмиттера к коллектору.
  • Транзисторы PNP состоят из двух слоев P-материала с перемежающимся слоем N. NPN-транзисторы состоят из двух слоев N-материала и перемежаются слоем P-материала.
  • В NPN-транзисторе положительное напряжение подается на клемму коллектора, чтобы создать ток от коллектора к коллектору. Для PNP-транзистора положительное напряжение подается на клемму эмиттера, чтобы создать ток от эмиттера к коллектору.
  • Принцип работы NPN-транзистора таков, что при увеличении тока на базовый вывод транзистор включается и полностью проводит от коллектора к эмиттеру. Когда ток на базовом выводе уменьшается, транзистор включается меньше, и пока ток не станет таким низким, транзистор больше не проводит через коллектор к эмиттеру и выключается.
  • Принцип работы PNP-транзистора таков, что при наличии тока на базовом выводе транзистора транзистор открывается, не пропуская ток. Когда ток на базовой клемме PNP-транзистора отсутствует, транзистор переключается, пропуская ток.

Сравнение Транзисторэто НПН и ПНП

NPN

  • В этом присутствует большинство типов N.
  • Большинство концентраций носителей составляют электроны.
  • Если на базу терминала подается наибольшее количество тока, транзистор переходит во включенное или коммутируемое состояние.
  • В транзисторе npn ток будет течь от коллектора к выводу эмиттера.
  • На этот транзистор указывает стрелка.

PNP

  • Присутствует большинство типовых материалов P.
  • Большинство концентраций носителей в транзисторах этого типа являются полыми.
  • При малых значениях токов транзистор открыт или включен. В противном случае при больших значениях тока транзисторы выключены или открыты.
  • В pnp-транзисторе ток течет от выводов эмиттера к выводам коллектора.
  • На этом транзисторе стрелка всегда указывает внутрь.

Стрелки на транзисторах npn и pnp показывают основные различия между транзисторами, которые мы можем легко различить. Стрелка в npn указывает на эмиттер, а в pnp стрелка направлена ​​в обратную сторону от npn. В обоих случаях стрелка указывает направление тока. Поэтому работа будет одинаковой, но их полярность различается в зависимости от типа транзистора. 


Похожие статьи, которые могут быть вам интересны:

Транзисторы типа p-n-p.

Интегральные транзисторы типа р-п-р существенно уступают транзисторам типа п-р-п по коэффициенту усиления и предельной частоте. Для их изготовления используют стандартную технологию, оптимизированную для формирования транзистора типа п+-р-п. Естественно, что получение транзисторов типа р-п-р с близкими к теоретическим пределам параметрами в этом случае невозможно.

Горизонтальные транзисторы типа p-n-p.

В настоящее время эти транзисторы используют в ИМС наиболее часто. Их изготовляют одновременно с транзисторами типа п+-р-п по обычной технологии. Эмиттерный и коллекторный слои получают на этапе базовой диффузии, причем коллекторный слой охватывает эмиттер со всех сторон. Базовая область формируется на основе эпитаксиального слоя с подлегированием контактной области во время эмиттерной диффузии. Перенос носителей заряда в транзисторе типа

р-п-р происходит в горизонтальном направлении. Дырки, инжектированные из боковых частей эмиттера в базу, диффундируют к коллекторной области. Перенос наиболее эффективен в приповерхностной области, так как здесь расстояние w между коллектором и эмиттером минимально и, кроме того, наиболее высокая концентрация примеси в р — слоях. Ширину базы w удается выполнить равной 3 — 4 мкм (мешает боковая диффузия под маску), в результате чего коэффициент усиления оказывается равным 50, а fт = 20 — 40 МГц. Без особого труда получают w = 6 — 12 мкм, но при этом
В =
1,5 — 20, а fт = 2 — 5 МГц. Для подавления действия паразитных р-n-р — транзисторов (р -эмиттер, n — эпитаксиальный слой, р – подложка) стремятся уменьшить площадь донной части эмиттера (его делают возможно более узким), используют скрытый n+-слой вдоль границы эпитаксиального слоя и подложки. На основе горизонтального транзистора легко сформировать многоколлекторный транзистор типа р-n-р (рис. 6.4).

Рис. 6.4. Конструкция многоколлекторного горизонтального

транзистора типа p-n-p.

Основные недостатки горизонтального транзистора типа р-п-р — сравнительно большая ширина базы и однородность распределения примесей в ней (транзистор является бездрейфовым). Их можно устранить двумя способами. Для этого используют дрейфовую структуру. Два электрода в противоположных концах базы создают в базовом слое электрическое поле, которое уменьшает время переноса инжектированных дырок и создает в эмиттере смещение, снижающее инжекцию из его донной части.

Вертикальные транзисторы типа p-n-p.

Можно использовать также вертикальную р-n-р — структуру. Для ее формирования необходимо изменить технологию: проводить более глубокую диффузию для формирования р — слоя и вводить дополнительную операцию диффузии для создания р++ — слоя, причем для получения р++ — слоя требуется акцепторная примесь, у которой предельная растворимость больше, чем у донорной примеси в n+-слое. Фактически перед проведением диффузии акцепторов приходится стравливать наиболее легированную часть n+-слоя, т. е. вводить еще одну дополнительную операцию.

Рис.6.5. Структура вертикального транзистора

Составные транзисторы.

Составные интегральные транзисторы могут быть реализованы на основе двух транзисторов одного или разных типов, расположенных в одной изолированной области. В зависимости от схемы соединений могут быть реализованы составные транзистора, состоящие из двух транзисторов типа п-р-п с общим коллектором или из вертикального транзистора типа п-р-п и горизонтального транзистора типа р-п-р. В принципе возможна реализация составных транзисторов в разных изолированных областях.

Рис.6.6. Структура составного транзистора

Составной транзистор имеет коэффициент усиления, равный произведению коэффициентов усиления составляющих его транзисторов: B = B1B2, однако быстродействие составного транзистора определяется наименее быстродействующим транзистором.

Транзистор

PNP — как это работает?

PNP-транзистор для многих остается загадкой. Но это не обязательно. Если вы хотите проектировать схемы с транзисторами, действительно стоит знать об этом типе транзисторов.

Например: Хотите автоматически включать свет, когда темнеет? Транзистор PNP облегчит вам эту задачу.

В своей статье о том, как работают транзисторы, я объяснил, как работает стандартный транзистор NPN . Если вы еще этого не сделали, я настоятельно рекомендую вам сначала прочитать эту статью.

Если вы понимаете транзистор NPN , вам будет легче понять транзистор PNP . Они работают примерно одинаково, с одним существенным отличием: токи в PNP-транзисторе текут в направлении, противоположном току в NPN-транзисторе.

Примечание. Эта тема намного проще, если вы понимаете ток и напряжение.

Как работают транзисторы PNP

Транзистор PNP имеет те же названия ветвей, что и NPN:

  • Базовый
  • Излучатель
  • Коллектор

Транзистор PNP «включается», когда у вас есть небольшой ток, протекающий от эмиттера к базе транзистора. Когда я говорю «включить», я имею в виду, что транзистор откроет канал между эмиттером и коллектором. И этот канал может нести гораздо больший ток.

Чтобы ток протекал от эмиттера к базе, необходима разница напряжений около 0,7 В. Поскольку ток идет от эмиттера к базе, база должна быть 0,7 В ниже , чем эмиттер.

Установив базовое напряжение PNP-транзистора на 0,7 В ниже напряжения эмиттера, вы «включаете транзистор» и позволяете току течь от эмиттера к коллектору.

Я знаю, что это может показаться немного запутанным, поэтому читайте дальше, чтобы узнать, как можно разработать схему с PNP-транзистором.

Пример: схема транзистора PNP

Давайте посмотрим, как создать простую схему транзистора PNP. С помощью этой схемы вы можете использовать для включения светодиода, когда становится темно.

Шаг 1: Эмиттер

Прежде всего, чтобы включить PNP-транзистор, нужно, чтобы напряжение на базе было на ниже на , чем на эмиттере. Для такой простой схемы обычно эмиттер подключается к плюсу источника питания. Таким образом, вы знаете, какое напряжение у вас есть на эмиттере.

Шаг 2: Чем вы хотите управлять

Когда транзистор открывается, ток может течь от эмиттера к коллектору. Итак, давайте подключим то, чем мы хотим управлять: светодиод. Поскольку у светодиода всегда должен быть последовательный резистор, давайте также добавим резистор.

Вы можете заменить светодиод и резистор тем, чем хотите управлять.

Шаг 3: Транзисторный вход

Чтобы включить светодиод, нужно открыть транзистор, чтобы открылся канал от эмиттера к коллектору. Чтобы включить транзистор, нужно, чтобы напряжение на базе было на 0,7 В ниже, чем на эмиттере, то есть 9 В — 0,7 В = 8,3 В.

Например, теперь вы можете заставить светодиод включаться, когда темнеет, используя фоторезистор и стандартный резистор, настроенный как делитель напряжения.

Напряжение на базе не будет соответствовать формуле делителя напряжения. Это связано с тем, что транзистор также влияет на напряжение.

Но в целом, когда значение фоторезистора велико (нет света), напряжение будет близко к 8,3 В, а транзистор будет включен (что включает светодиод). Когда значение фоторезистора низкое (присутствует много света), напряжение будет близко к 9 В и выключит транзистор (который выключит светодиод).

Что контролирует базовое напряжение?

Вы можете задаться вопросом: «Каким образом фоторезистор и резистор на базе волшебным образом создают правильное напряжение 8,3 В в темноте?»

Отчасти потому, что эмиттер и база составляют диод. И диод всегда пытается получить напряжение диода выше себя. Этот конкретный диод имеет напряжение на диоде около 0,7 В. А 8,3В на 0,7В меньше 9В.

Но отчасти это также связано с тем, что размер фоторезистора и резистора на основании настраивает напряжение в правильном диапазоне.

Проверьте мою схему

Вот видео схемы в действии:

В этом видео я использовал транзистор BC557 PNP. Это один из транзисторов, которые Джеймс Льюис рекомендует в своей статье о четырех транзисторах, которые лучше всего иметь в своем наборе деталей.

Фоторезистор, который я использовал, имеет сопротивление около 10 кОм, когда светло, и 1 МОм, когда темно. Резистор на базе транзистора имеет сопротивление 100 кОм. Светодиод представляет собой стандартный выходной светодиод. Резистор последовательно со светодиодом 470 Ом.

Если у вас есть какие-либо вопросы или комментарии, дайте мне знать в поле для комментариев ниже!

Больше руководств по транзисторам

Что такое транзистор PNP? — Определение, символ, конструкция и работа

Определение: Транзистор, в котором один материал n-типа легирован двумя материалами p-типа, такой тип транзистора известен как PNP-транзистор. Это устройство с текущим управлением. Небольшое количество тока базы контролировало как ток эмиттера, так и ток коллектора. Транзистор PNP имеет два кварцевых диода, соединенных встречно-параллельно. Левая сторона диода известна как диод эмиттер-база, а правая сторона диода известна как диод коллектор-база.

Отверстие является основным носителем PNP-транзисторов, которые составляют ток в нем. Ток внутри транзистора возникает из-за изменения положения отверстий, а в выводах транзистора из-за потока электронов. Транзистор PNP включается, когда через базу протекает небольшой ток. Направление тока в транзисторе PNP — от эмиттера к коллектору.

Буква транзистора PNP указывает на напряжение, требуемое эмиттером, коллектором и базой транзистора. База PNP-транзистора всегда была отрицательной по отношению к эмиттеру и коллектору. В транзисторе PNP электроны берутся с базовой клеммы. Ток, поступающий в базу, усиливается в концах коллектора.

Обозначение PNP-транзистора

Обозначение PNP-транзистора показано на рисунке ниже. Стрелка, направленная внутрь, показывает, что ток в PNP-транзисторе направлен от эмиттера к коллектору.

Конструкция PNP-транзистора

Конструкция PNP-транзистора показана на рисунке ниже. Переход эмиттер-база подключен с прямым смещением, а переход коллектор-база подключен с обратным смещением. Эмиттер, который подключен в прямом смещении, притягивает электроны к батарее и, следовательно, создает ток, протекающий от эмиттера к коллектору.

База транзистора всегда поддерживается положительной по отношению к коллектору, так что отверстие от коллекторного перехода не может войти в базу. А база-эмиттер удерживается вперед, за счет чего дырки из области эмиттера входят в базу, а затем в область коллектора, пересекая область обеднения.

Работа PNP-транзистора

Переход эмиттер-база включен с прямым смещением, из-за чего эмиттер проталкивает отверстия в области базы. Эти отверстия составляют эмиттерный ток. Когда эти электроны перемещаются в полупроводниковый материал или основу N-типа, они объединяются с электронами.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *