Проверка фототранзисторов. Фототранзисторы: принцип работы, виды и применение в электронике

Что такое фототранзистор и как он работает. Какие бывают виды фототранзисторов. Где применяются фототранзисторы в электронике и технике. Как проверить исправность фототранзистора.

Что такое фототранзистор и принцип его работы

Фототранзистор — это полупроводниковый прибор, который преобразует световой сигнал в электрический. По своей структуре он похож на обычный биполярный транзистор, но имеет прозрачное окно в корпусе для попадания света на базовую область.

Принцип работы фототранзистора основан на внутреннем фотоэффекте:

1. Под действием света в базе генерируются электронно-дырочные пары
2. Неосновные носители (дырки для n-p-n транзистора) втягиваются в коллектор, создавая фототок
3. Основные носители (электроны) накапливаются в базе, снижая потенциальный барьер эмиттерного перехода
4. Это усиливает инжекцию носителей из эмиттера в базу
5. Инжектированные носители создают дополнительный ток коллектора

Таким образом, небольшой фототок базы усиливается в десятки и сотни раз. Это главное преимущество фототранзистора перед фотодиодом.

Основные виды фототранзисторов

Различают следующие основные виды фототранзисторов:

• Биполярные фототранзисторы — наиболее распространенный тип
• Полевые фототранзисторы — имеют более высокое входное сопротивление
• Фототиристоры — обладают эффектом памяти
• Составные фототранзисторы — имеют сверхвысокий коэффициент усиления
• Фототранзисторы с гетеропереходами — обладают повышенной чувствительностью

Какой тип выбрать, зависит от конкретного применения. Биполярные подходят для большинства задач, полевые — для высокоомных схем, составные — когда нужно максимальное усиление.

Характеристики и параметры фототранзисторов

Основными характеристиками фототранзисторов являются:

• Световая характеристика — зависимость тока коллектора от светового потока
• Спектральная характеристика — зависимость чувствительности от длины волны света
• Вольт-амперная характеристика — зависимость тока от напряжения при разных световых потоках
• Частотная характеристика — зависимость коэффициента усиления от частоты модуляции света

Ключевые параметры фототранзисторов:

• Коэффициент усиления по фототоку — во сколько раз усиливается фототок базы
• Токовая чувствительность — отношение изменения выходного тока к изменению светового потока
• Темновой ток — ток коллектора при отсутствии освещения
• Быстродействие — максимальная частота модуляции светового сигнала

Применение фототранзисторов в электронике и технике

Благодаря высокой чувствительности фототранзисторы широко применяются в различных областях:

• Системы автоматики и контроля — датчики присутствия, счетчики предметов
• Оптические линии связи — приемники инфракрасного излучения
• Измерительная техника — люксметры, колориметры, спектрофотометры
• Бытовая электроника — пульты ДУ, системы автоматического включения света
• Фототехника — экспонометры, автофокус фотоаппаратов
• Охранные системы — датчики движения, системы сигнализации

Фототранзисторы часто используются в оптронах — приборах для гальванической развязки цепей.

Как проверить исправность фототранзистора

Для проверки работоспособности фототранзистора можно использовать следующие методы:

1. Проверка мультиметром в режиме прозвонки диодов:
   • Между эмиттером и коллектором должно быть высокое сопротивление
   • Между базой и эмиттером/коллектором — низкое в одном направлении и высокое в другом
2. Измерение тока коллектора при освещении:
   • Подключите коллектор через резистор к плюсу питания, эмиттер к минусу
   • Измерьте напряжение на резисторе в темноте и при освещении
   • При исправном фототранзисторе напряжение должно заметно меняться

Для точной проверки параметров фототранзистора требуется специальное оборудование.

Преимущества и недостатки фототранзисторов

Основные преимущества фототранзисторов:

• Высокая чувствительность к свету за счет внутреннего усиления
• Большой выходной ток — до десятков миллиампер
• Простота применения — не требуют сложных схем включения
• Низкая стоимость массовых типов

Недостатки фототранзисторов:

• Меньшее быстродействие по сравнению с фотодиодами
• Нелинейность световой характеристики
• Зависимость параметров от температуры
• Разброс параметров у разных экземпляров одного типа

Тем не менее, в большинстве применений достоинства фототранзисторов перевешивают их недостатки.

Выбор фототранзистора для конкретного применения

При выборе фототранзистора следует учитывать следующие факторы:

• Спектральная чувствительность — должна соответствовать длине волны источника света
• Быстродействие — зависит от требуемой частоты модуляции светового сигнала
• Коэффициент усиления — определяет чувствительность схемы
• Максимально допустимые напряжения и токи
• Рабочий диапазон температур
• Тип корпуса — для поверхностного или выводного монтажа

Для большинства применений подойдут распространенные биполярные фототранзисторы общего назначения. Для более специфических задач может потребоваться выбор специализированных типов.

Как проверить фототранзистор мультиметром

Фоточувствительные приборы используются в разных отраслях электроники и радиотехники. Все больше сейчас применяется фототранзистор, у которого более простой принцип работы, нежели у фотодиодов. Фототранзистор — это полупроводниковый прибор оптоволоконного типа, который используется для управления электрическим током при помощи определенного оптического излучения. Эти устройства разработаны на базе обычного транзистора. Их современными аналогами являются фотодиоды, но фототранзисторы лучше подходят для многих современных радио и электронных приборов.

Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

• Метод проверки оптопары PC817
• Фоторезисторы устройство и принцип действия
• Фототранзистор своими руками: ltr 4206e, фт 1к, arduino
• ИК-приемник устройство, работа и проверка
• Как проверить работоспособность разных видов биполярных транзисторов мультиметром?
• ПРОБНИК ДЛЯ ПРОВЕРКИ ОПТОПАР
• Как проверить оптопару мультиметром
• инфракрасные свето- и фото- диоды 3мм и доработка тестера UT-61E

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: ФОТОТРАНЗИСТОРЫ ФОТОРЕЗИСТОРЫ ФОТОДИОДЫ Чем отличаются Схемы включения ?

Метод проверки оптопары PC817

Инфракрасные приемники обнаруживают и реагируют на излучение от ИК-передатчика. Схемотехнически ИК приемники строятся на основе фотодиодов и фототранзисторов. Инфракрасные фотодиоды отличаются от стандартных фотодиодов, так как они воспринимают только инфракрасное излучение. Обычно, микросборка ИК-приемника имеет от трех выводов. Один является общим и подсоединяется к минусу питания GND , другой к плюсу V s , а третий является выходом принимаемого сигнала Out.

В отличие от стандартного ИК фотодиода, ИК-приемник способен не только принимать, но еще и обрабатывать инфракрасный сигнал, в виде импульсов фиксированной частоты и заданной длительности. Это защищает устройство от ложных срабатываний, от фонового излучения и помехам со стороны других бытовых приборов, излучающих в ИК диапазоне.

Достаточно сильные помехи для приемника могут создавать люминесцентные энергосберегающие лампы со схемой электронного балласта.

Микросборка типичного ИК-приемника излучения включает: PIN-фотодиод, регулируемый усилитель, полосовой фильтр, амплитудный детектор, интегрирующий фильтр, пороговое устройство, выходной транзистор.

PIN-фотодиод из семейства фотодиодов, у которого между областями n и p создана еще одна область из собственного полупроводника i-область — это по сути прослойка из чистого полупроводника без примесей. Именно она придаёт PIN-диоду его особенные свойства. В нормальном состоянии ток через PIN-фотодиод не идет, так как в схему он подсоединен в обратном направлении. Когда под действием внешнего ИК излучения в i-области генерируются электронно-дырочные пары, то через диод начинает течь ток.

Который потом идет на регулируемый усилитель. Затем сигнал с усилителя следует на полосовой фильтр, защищающий от помех в ИК диапазоне. Полосовой фильтр настроен на строго фиксированную частоту. Обычно применяются фильтры, настроенные на частоту 30; 33; 36; 36,7; 38; 40; 56 и килогерц. Для того, чтобы излучаемый ПДУ сигнал принимался ИК -приемником, он должен быть модулирован той же частотой, на которую настроен фильтр.

После фильтра сигнал поступает на амплитудный детектор и интегрирующий фильтр. Последний необходим для блокирования коротких одиночных всплесков сигнала, могущих появиться от помехам. Далее сигнал идет на пороговое устройство и выходной транзистор. Для устойчивой работы коэффициент усиления усилителя настраивается системой автоматической регулировки усиления АРУ. Корпуса ИК-модулей изготавливаются специальной формы способствующей фокусировке принимаемого излучения на чувствительную поверхность фотоэлемента.

Материал корпуса пропускает излучение с строго определенной длиной волны от до нм. Таким образом, в устройстве задействован оптический фильтр. Для защиты внутренних элементов от воздействия внешних эл. Ниже рассмотрим работу схемы ИК приемника, которую можно использовать во многих радиолюбительских разработках. Существуют различные виды и схемы ИК приемников в зависимости от длины волны длины волны, напряжения, пакета передаваемых данных и т. При использовании схемы в комбинации инфракрасного передатчика и приемника длина волны приемника обязательно должна совпадать с длиной волны ИК передатчика.

Рассмотрим одну из таких схем. Схема состоит из ИК-фототранзистора, диода, полевого транзистора, потенциометра и светодиода. Когда фототранзистор получает какое-либо инфракрасное излучение, через него идет ток и полевой транзистор включается. Далее, загорается светодиод, вместо которого может быть подключена и другая нагрузка. Потенциометр используется для управления чувствительностью фототранзистора. Так как приемник ИК-сигналов является специализированной микросборкой, то для того, чтобы убедиться в ее работоспособности требуется подать на микросхему напряжение питания, обычно это 5 вольт.

Потребляемый ток при этом будет около 0,4 — 1,5 мА. Если на приемник не поступает сигнал, то в паузах между пачками импульсов напряжение на его выходе практически соответствует напряжению питания. Его между GND и выводом выхода сигнала можно измерить с помощью любого цифрового мультиметра.

Также рекомендуется замерить потребляемый микросхемой ток. Если он превышает типовой см. Итак, перед началом теста модуля обязательно определяем цоколевку его выводов. Обычно эту информацию легко найти, в нашем мегасправочнике даташитов по электронике. Скачать его вы можете кликнув на рисунок справа. Проведем проверку на микросхеме TSOP ее распиновка соответствует рисунку выше.

А третий вывод OUT подсоединяем к плюсовому щупу мультиметра. Минусовой щуп подсоединяем к общему проводу GND. Мультиметр переключаем в режим напряжения DC на 20 V.

Как только на фотодиод ИК-микросборки начнут поступать пачки инфракрасных импульсов от пульта дистанционного управления , то напряжение на его выходе будет падат на несколько сотен милливольт. При этом будет хорошо заметно, как на экране мультиметра значение снизиться с 5,03 вольт до 4, Если отпустим кнопку ПДУ, то на экране вновь отобразиться 5 вольт. Как видим, приемник ИК излучения правильно реагирует на сигнал с пульта.

Значит модуль исправен. Аналогичным образом можно проверить любые модули в интегральном исполнении. ИК-приемник устройство, работа и проверка В телевизионной, бытовой, медицинской техники и другой аппаратуре широкое распространение получили ИК-приемники инфракрасного излучения. Их можно увидеть почти в любом виде электронной техники, управляют ими с помощью пульта дистанционного управления.

Фоторезисторы устройство и принцип действия

Рассуждения весьма общие, но вопросы появляются достаточно часто, поэтому — почему бы и нет, почему бы не затронуть самые вершки? Берем очень условный кусочек схемы с очень условной оптопарой, но, тем не менее, в большинстве случаев эта схема или соответствует действительности, или близка к ней: Может быть питание не 5 вольт, а 3,3 что последнее время чаще , может быть другого типа оптопара — что уже реже. Тем не менее, рассмотрим то, что есть. Имеем: оптопара DA, разъем, через который она соединена со схемой XT, балластное сопротивление светодиода R1 и резистор оттяжки сигнала на питание R2. Ну, и некуда деваться — землю и питание.

Рассмотрены методы как проверить исправность биполярного полевые, составные, многоэмиттерные, фототранзисторы и тому подобные. В данном.

Фототранзистор своими руками: ltr 4206e, фт 1к, arduino

Мне кажется, что транзисторный оптрон PC самый распространенный хотя бы потому, что он стоит практически в каждом импульсном блоке питания для гальванической развязки цепи обратной связи. Производитель PC — Sharp, многие другие производители электронных компонентом выпускают аналоги. И при ремонте электронной аппаратуры можно наткнутся именно на аналог:. Для PC схема включения стандартная как для любого транзисторного оптрона: на входе нужно ограничивать ток — например с помощью резистора, на выходетакже не стоит превышать ток. В оптопаре PC он определяется буквой после основного кода, также как и большинстве других оптопар и других полупроводниковых приборов. На многих форумах можно прочитать, что раз деталь такая дешевая, то и проверять её не стоит, а просто меняем и все. У меня против этого мнения следующие доводы: все равно нужно узнать сгорела оптопара или нет, потому что это поможет понять, что ещё могло сгореть, да и новый оптрон может оказаться бракованным.

ИК-приемник устройство, работа и проверка

By Laic , August 16, in Начинающим. Логика довольна и разрешает нормальное использование большого устройства. Маркировки транзистора понятно нет буржуи спрятали. Надо чегойто придумать, чтобы эмулировать сигналы транзистора и таким образом обойти защиту. Вопрос: как просечь токи, которые выдает транзистр и как их запомнить и потом выдавать на логику.

Они маленькие, недорогие, требуют мало энергии, легки в использовании, практически не подвержены износу.

Как проверить работоспособность разных видов биполярных транзисторов мультиметром?

Фотодиод и АЦП Собрался построить датчик движения. Принцип работы таков: На вход АЦП поступает сигнал с фотодиода Фотодиод vs Фототранзистор Знатоки, подскажите пожалуйста. Занимаюсь астрономией, хочу сделать ночной фотодатчик света Луны Как подключить фотодиод к Ардуино Здравствуйте, возник такой вопрос: фотодиод в фотогальваническом режиме работы выдает напряжение от

ПРОБНИК ДЛЯ ПРОВЕРКИ ОПТОПАР

Инфракрасные приемники обнаруживают и реагируют на излучение от ИК-передатчика. Схемотехнически ИК приемники строятся на основе фотодиодов и фототранзисторов. Инфракрасные фотодиоды отличаются от стандартных фотодиодов, так как они воспринимают только инфракрасное излучение. Обычно, микросборка ИК-приемника имеет от трех выводов. Один является общим и подсоединяется к минусу питания GND , другой к плюсу V s , а третий является выходом принимаемого сигнала Out.

Согласен. К выводам СНАЧАЛА подключить омметр, потом ПОСВЕТИТЬ на фототранзистор. Айн цвайн драйн фир унд зиптцих, что в.

Как проверить оптопару мультиметром

Приветствую всех любителей электроники, и сегодня в продолжение темы применение цифрового мультиметра мне хотелось бы рассказать, как проверить биполярный транзистор с помощью мультиметра. Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый прибор, который предназначен для усиления сигналов. Так же транзистор может работать в ключевом режиме. Транзистор состоит из двух p-n переходов, причем одна из областей проводимости является общей.

инфракрасные свето- и фото- диоды 3мм и доработка тестера UT-61E

Забыли пароль? Номенклатурный номер Производитель: Honeywell. Сайт производителя: Honeywell. Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации. Для получения актуализированной информации отправьте запрос на адрес techno platan.

Этот пробник, предназначен для проверки большого количества видов оптопар: оптотранзисторов, оптотиристоров, оптосимисторов, опторезисторов, а также микросхемы таймера NE, отечественным аналогом которой является микросхема ВИ1. Сигнал с третьего вывода микросхемы через резистор R9 поступает на один вход диодного моста VDS1, при условии, что к контактам Анод и Катод подсоединен рабочий излучающий элемент оптопары, в таком случае через диодный мост потечет ток, и будет мигать светодиод HL3, при условии что фотоприемник исправен, будет открываться VT1 и загораться HL3, который будет проводить ток, HL4 при этом будет моргать.

Теория и практика. Кейсы, схемы, примеры и технические решения, обзоры интересных электротехнических новинок. Уроки, книги, видео. Профессиональное обучение и развитие. Сайт для электриков и домашних мастеров, а также для всех, кто интересуется электротехникой, электроникой и автоматикой. Фотодатчики и их применение. В различных электронных устройствах, устройствах домашней и промышленной автоматики, различных радиолюбительских конструкциях фотодатчики используются очень широко.

Сайт помогает найти что-нибудь интересное в огромном ассортименте магазинов и сделать удачную покупку. Если Вы купили что-то полезное, то, пожалуйста, поделитесь информацией с другими. Также у нас есть DIY сообщество , где приветствуются обзоры вещей, сделанных своими руками. Добавь огонька в тортик.

Фототранзисторы биполярные и полевые, обозначение на схемах,…

Привет, Вы узнаете про фототранзисторы, Разберем основные ее виды и особенности использования. Еще будет много подробных примеров и описаний. Для того чтобы лучше понимать что такое фототранзисторы, фототранзистор , настоятельно рекомендую прочитать все из категории Электроника, Микроэлектроника , Элементная база.

фототранзистор — это управляемый излучением прибор с двумя или большим числом взаимодействующих между собой электрических переходов. Его применяют в качестве чувствительного к излучению элемента оптоэлектронных пар и фотоприемных устройств, первичного преобразователя измерительных информационных систем, элемента приемного модуля волоконно-оптических линий связи средней пропускной способности и др. Различают биполярные и полевые фототранзисторы . К фототранзисторам также относится фототиристор.

Обозначения на схемах фототранзисторов

Схематическое изображение фототранзистора на электрических схемах

VТ1 – фототранзисторы с базой, VТ2 – фототранзисторы без базы.

История

Фототранзистор изобрел Джон Нортроп Шив (John Northrup Shive) в 1948 г., во время его работы в Bell Laboratories , но об этом изобретении было заявлено только в 1950 г. Тогда же фототранзисторы были впервые применены в считывателе перфокарт в автоматической телефонной станции.

Биполярный фототранзистор. Устройство и принцип действия.

Рис. 1

Один из возможных вариантов конструкции фототранзистора показан на Рис.1. Как видно из этого рисунка, фототранзистор отличается от обычного транзистора лишь прозрачным окном в корпусе; через него световой поток падает на пластину полупроводника, служащую базой, в центре которой путем вплавления создан коллекторный переход.

Возможны и другие варианты расположения электродов, например кольцеобразный коллектор на освещаемой поверхности базы.

Устройство и схема включения биполярного фототранзистора также показаны на Рис.2.а.

Фототранзистор состоит из:

1 — эмиттерной области р+- типа;

2 — области базы n- типа, большая часть которой пассивна и открыта световому потоку;

3 — широкой коллекторной области р- типа.

Рис.2

Пассивная часть базы расположена на Рис.2.а слева от штрих пунктирной линии. Фототранзистор, как правило, включается по схеме ОЭ с резистором нагрузки Rн в коллекторной цепи (Рис. 2.а). Входным сигналом фототранзистора является модулированный световой поток, а выходным — изменение напряжения на его коллекторе.

Типовая спектральная чувствительность кремниевого фототранзистора

Рассмотрим принцип работы фототранзистора в схеме с разорванной цепью базы. Оптический сигнал генерирует в коллекторном переходе и области пассивной базы носители. Эти носители диффундируют в базе к коллекторному переходу и разделяются его электрическим полем. Не основные носители создают фототок коллекторного перехода, а основные накапливаются в базе и компенсируют заряд неподвижных ионов примесей на границе эмиттерного перехода. Потенциальный барьер перехода снижается, что усиливает инжекцию носителей из эмиттера в базу. Инжектированные носители диффундируют через базу к коллекторному переходу и втягиваются его электрическим полем в область коллектора. Ток инжектированных носителей, а соответственно и образованный ими коллекторный ток многократно превышает фототок оптически генерируемых носителей.

Общий ток коллектора — это сумма фототока Iфб и тока Iкр инжектированных эмиттером дырок, прошедших коллекторный переход.

Коэффициент усиления фототока:

М=(Iфв+Iкр)/Iфб=β+1, если , (1)

где β — статический коэффициент передачи по току транзистора в схеме с ОЭ.

Усиленный в М раз фототок создает падение напряжения на резисторе нагрузки Rн, изменяя напряжение коллектора на:

, (2)

Из этого соотношения следует, что фототранзистор можно представить в виде эквивалентного фотодиода VD и усилительного транзистора VT (Рис.2.б). Эквивалентный фотодиод образован пассивной базой и областью коллектора слева от штрих-пунктирной линии на Рис. 2.а, структура усилительного транзистора расположена справа от этой линии. Транзистор увеличил чувствительность эквивалентного фотодиода в ( β+1) раз.

Вывод базы Б фототранзистора иногда используется для подачи смещения при выборе рабочей точки на входной и выходной характеристиках транзистора и обеспечения ее температурной стабилизации.

Семейство выходных характеристик фототранзистора в схеме с ОЭ приведено на Рис.2.в. Фототок образован генерируемыми в области базы неравновесными носителями.

Характеристики фототранзистора.

Световая характеристика фототранзистора — это зависимость тока коллектора от светового потока Iк=f(Ф). Она линейна только при малых потоках. С увеличением светового потока и ростом концентрации неравновесных носителей в базе повышается вероятность их рекомбинации, снижаются коэффициенты переноса, и инжекции фототранзистора. Прямо пропорциональная зависимость коллекторного тока от светового потока нарушается.

Рис. 3

Большинство параметров биполярного фототранзистора аналогично по физическому смыслу параметрам фотодиодов. Кроме того, фототранзистор характеризуется рабочим напряжением питания, емкостями переходовСк и Сэ, статическим коэффициентом усиления по току и другими параметрами обычного транзистора.

Вольт-амперные характеристики фототранзистора (Рис.3) напоминают выходные характеристики обычного транзистора в схеме ОЭ, но параметром здесь служит не ток IК, а световой поток Ф.

Крутой начальный участок этих характеристик соответствует режиму насыщения: при малых Uкэ коллекторный переход, как и в биполярном транзисторе, за счет накопления дырок в коллекторе открывается . Об этом говорит сайт https://intellect. icu . Наклон характеристик к оси абсцисс в их пологой части объясняется, так же как и для биполярного транзистора, эффектом модуляции ширины базы.

Рис. 4

Частотные свойства фототранзисторов определяются в основном диффузионным движением носителей в базе прибора и процессами заряда емкостей переходов.

С увеличением частоты модуляции светового потока фототок уменьшается так же, как и в фотодиодах (Рис.4).

Одним из важнейших параметров фототранзистора служит коэффициент усиления по фототоку фототранзистора (Куф) — отношение фототока коллектора фототранзистора при отключенной базе к фототоку освещаемого р-n перехода, измеренному в диодном режиме:

, (3)

Токовая чувствительность фототранзистора — это отношение изменения электрического тока на выходе фототранзистора к изменению потока излучения при холостом ходе на входе и коротком замыкании на выходе по переменному току. Для схемы с общим эмиттером токовая чувствительность равна:

(4)

Эмиттерный переход биполярного фототранзистора включен в прямом направлении. Его удельная емкость около 105 . Постоянная времени заряда емкости эмиттерного перехода увеличивается с ослаблением интенсивности светового потока. При малых световых потоках она определяет в основном инерционность фототранзистора. При больших световых потоках на инерционность фототранзистора влияют время диффузии носителей в базе и емкость коллекторного перехода. Поэтому для фототранзистора выбирают материалы с высокой подвижностью носителей, используют структуру с внутренним электрическим полем в базе или с тонкой базой. Уменьшать емкость коллекторного перехода снижением концентрации примесей в области коллектора удается лишь до некоторого предела. Сокращать для этой цели площадь эквивалентного фотодиода нецелесообразно, так как при этом падает чувствительность фототранзистора.

Рис. 5

Для повышения чувствительности фототранзистора следует увеличивать толщину базы,время жизни носителей в базе и, следовательно, выбирать материалы с высоким удельным сопротивлением. Но для повышения его граничной частоты толщину базы и время жизни носителей необходимо уменьшать. Разрешает противоречие между быстродействием и чувствительностью структура фотодиод — транзистор, эквивалентная схема которой показана на Рис.5. Оба элемента структуры изготовлены в одном кристалле. Параметры фотодиода выбирают из условий достижения максимальной чувствительности и быстродействия, а параметры транзистора — максимальной граничной частоты и усиления. В совокупности оба элемента эквивалентны быстродействующему фототранзистору с высоким коэффициентом усиления

Полевой фототранзистор.

Рис.6

Устройство и схема включения полевого фототранзистора с управляющим р-n переходом показаны на Рис.6.а

где: 1 — просветляющее покрытие;

2 — диэлектрический слой;

3 — область истока n+ — типа;

4 — канал n- типа;

5 — область затвора р- типа;

6 — стоковая область n+ — типа;

7 — выводы прибора;

Rн — резистор нагрузки в цепи затвора;

Rн. тр — резистор нагрузки фототранзистора.

Световой поток генерирует неравновесные носители в области затвора 3 и р-n перехода затвор-канал. Электрическое поле этого перехода разделяет неравновесные носители. В цепи затвора появляется фототок Iф. Он создает на резисторе Rн падение напряжения:

(5)

Напряжение на затворе увеличивается, ток стока изменяется на:

, (6)

где S — крутизна стокозатворной характеристики полевого транзистора. Проводимость канала возрастает, и соответственно уменьшается напряжение стока на:

, (7)

Изменение напряжения стока является выходным электрическим сигналом схемы. Таким образом, полевой фототранзистор эквивалентен фотодиоду “затвор-канал” и усилительному полевому транзистору с управляющим р-n переходом (Рис.6.б).

Рис.7

В эквивалентной схеме полевого фототранзистора (Рис.7) источники Iфи и Iфс моделируют фототоки р-n переходов “исток-затвор” и “сток-затвор”; источник SUз — усиление в транзисторе; резистор rДИФ — дифференциальное выходное сопротивление транзистора; резисторы Rи, Rc и конденсаторы Си, Сс учитывают сопротивление и емкости переходов между областями “исток-затвор”, “сток-затвор”. Резисторы Rпс, Rпи, R`пс, R`пи с учетом сопротивления омических контактов определяют последовательно включенные сопротивления областей между выводом затвора и областью стока, выводом затвора и областью истока, выводом истока и областью затвора, выводом стока и областью затвора. Для источника тока в выходной цепи фототранзистора можно записать:

, (8)

где Iф.к. — фототок p-n перехода “канал-затвор”.

При коротком замыкании цепи “затвор-исток” объемные сопротивления Rпu, R`пи, Rпс выполняют роль резисторов нагрузки. Постоянными времени (Rпи+R`пи)Cи и (Rпс+R`пс)Cс, а также временем пролета носителей в канале определяется предельное быстродействие фототранзистора.

Параметры полевого фототранзистора аналогичны по физическому смыслу параметрам биполярного.

Структуры полевых транзисторов с р-n переходом и МОП фототранзисторов многообразны. Наибольшие быстродействие и чувствительность у структуры фотодиод — полевой транзистор. Фотодиод совмещен с областью истока полевого транзистора — усилительного элемента. Каждая из составляющих структуры оптимизирована: фотодиод — по чувствительности и быстродействию, полевой транзистор — по граничной частоте и усилению.

Сравнительная оценка параметров фототранзисторов показывает, что наибольшая чувствительность у составного фототранзистора, а максимальное быстродействие при хорошей чувствительности у структуры фотодиод — биполярный транзистор (ФД-БТ). Структура фотодиод — полевой транзистор имеет параметры, близкие к параметрам структуры ФД-БТ. Фототранзисторы уступают фотодиодам по быстродействию, но за счет усиления сигнала имеют высокую чувствительность.

Свойство усиления

Фототранзисторы имеют рабочий диапазон, размер которого зависит от интенсивности падающего света, так как это связано с положительным потенциалом его базы.

Ток базы от падающего света подвергается усилению в сотни и тысячи раз. Дополнительное усиление тока обеспечивается особым транзистором Дарлингтона, который представляет собой полупроводник, эмиттер которого соединен с базой другого биполярного транзистора. На схеме изображен такой вид фототранзистора.

Это дает возможность создать повышенную чувствительность при слабом освещении, так как происходит двойное усиление двумя полупроводниками. Двумя транзисторами можно добиться усиления в сотни тысяч раз. Необходимо учитывать, что транзистор Дарлингтона медленнее реагирует на свет, в отличие от обычного фототранзистора.

Схемы подключения биполярных фототранзисторов

Схема с общим эмиттером

По этой схеме создается сигнал выхода, переходящий от высокого состояния в низкое, при падении лучей света.

Эта схема выполнена с помощью подключения сопротивления между коллектором транзистора и источником питания. Напряжение выхода снимают с коллектора.

Схема с общим коллектором

Усилитель, подключенный с общим коллектором, создает сигнал выхода, переходящий от низкого состояния в высокое, при попадании света на полупроводник.

Эта схема образуется подключением сопротивления между отрицательным выводом питания и эмиттером. С эмиттера снимается выходной сигнал.

В обоих вариантах транзистор может работать в 2-х режимах:

1. Активный режим.
2. Режим переключения.

Активный режим

В этом режиме фототранзистор создает сигнал выхода, зависящий от интенсивности падающего света. Когда уровень освещенности превосходит определенную границу, то транзистор насыщается, и сигнал на выходе уже не будет повышаться, даже если увеличивать интенсивность лучей света. Такой режим действия рекомендуется для устройств с функцией сравнения двух порогов потока света.

Режим переключения

Действие полупроводника в этом режиме значит, что транзистор будет реагировать на подачу света выключением или включением. Такой режим необходим для устройств, в которых необходимо получение выходного сигнала в цифровом виде. Путем изменения значения резистора в схеме усилителя, можно подобрать один из режимов функционирования.

Для эксплуатации фототранзистора в качестве переключателя чаще всего применяют сопротивление более 5 кОм. Напряжение выхода повышенного уровня в переключающем режиме будет равно питающему напряжению. Напряжение выхода малого уровня должно равняться менее 0,8 В.

Проверка фототранзистора

Такой транзистор легко проверяется мультитестером, даже без наличия базы транзистора. Если подключить мультитестер к участку эмиттер-коллектор, то его сопротивление при любой полярности будет большим, так как транзистор закрыт. Если луч света попадает на чувствительный элемент, то измерительный прибор покажет низкое значение сопротивления, так как транзистор в этом случае открылся, благодаря свету, при правильной полярности питания.

Так ведет себя обычный транзистор, но он открывается сигналом электрического тока, а не лучом света. Кроме силы света, большую роль играет спектральный состав света.

Конструкция корпусов

Приборы, предназначенные для приема внешнего излучения заключают в пластмассовый, металлостеклянный или металлокерамический корпус с прозрачным окошком или линзой, изготовленных из пластмассы или стекла. Исключение составляют фототранзисторы, входящие в состав оптронов, заключенные совместно с источником излучения в непрозрачный корпус.

Приборы, оформленные в металлостеклянных и металлокерамических корпусах, обычно имеют электрический вывод базы.

Сдвоенный фототранзистор

Преимущества и Недостатки фототранзисторов

Преимущества фототранзисторов

• Выдают ток больше, чем фотодиоды.
• Способны создать мгновенную высокую величину тока выхода.
• Основное достоинство – способность создания повышенного напряжения, в отличие от фоторезисторов.
• Невысокая стоимость.

Недостатки фототранзисторов

Фототранзисторы являются аналогом фотодиодов, однако имеют серьезные недостатки, которые создают условия для узкой специализации этого полупроводника.

• Многие виды фототранзисторов изготавливают из силикона, поэтому они не могут работать с напряжением более 1 кВ.
• Такие светочувствительные полупроводники имеют большую зависимость от перепадов напряжения питания в электрической цепи. В таких режимах фотодиод ведет себя гораздо надежнее.
• Фототранзисторы не сочетаются с работой в лампах, по причине малой скорости носителей заряда

Применение фототранзисторов

Оптопара с составным транзистором фототранзистор-транзистор по схеме Дарлингтона

Так как фототранзисторы более чувствительны чем фотодиоды их удобно применять в качестве приемников излучения в различных системах автоматики безопасности, системах охранной сигнализации, считывателях перфокарт и перфолент, датчиках положения и расстояния и др. применениях, где некритично быстродействие.

Часто фототранзисторы применяют в оптопарах в качестве приемников излучения в оптронах.

так же фототранзисторы применяются в

• Системы охраны (чаще применяются инфракрасные ф-транзисторы).
• Фотореле.
• Системы расчета данных и датчики уровней.
• Автоматические системы коммутации осветительных приборов (также применяются инфракрасные ф-транзисторы).
• Компьютерные управляющие логические системы.
• Кодеры.

См. также

• транзистор
• фоторезистор
• фотосемистр
• фотодиод ,
• оптрон

В общем, мой друг ты одолел чтение этой статьи об фототранзисторы. Работы в переди у тебя будет много. Смело пишикоментарии, развивайся и счастье окажется в ваших руках. Надеюсь, что теперь ты понял что такое фототранзисторы, фототранзистор и для чего все это нужно, а если не понял, или есть замечания, то нестесняся пиши или спрашивай в комментариях, с удовольствием отвечу. Для того чтобы глубже понять настоятельно рекомендую изучить всю информацию из категории Электроника, Микроэлектроника , Элементная база

Лучшее руководство по фототранзистору

Ⅰ Введение

Фототранзистор представляет собой полупроводниковое устройство, которое может определять уровень освещенности и регулировать ток, протекающий между эмиттером и коллектором, в зависимости от количества получаемого света.

И фототранзисторы, и фотодиоды могут обнаруживать свет, но фототранзистор более чувствителен из-за того, что он является биполярным транзистором. В результате фототранзисторы больше подходят для различных приложений.

Ⅰ Введение

Ⅱ Видео по теме фототранзистора

Ⅲ Что такое фототранзистор?

Ⅳ Конструкция фототранзистора

Ⅴ Конструкция фототранзистора

9000

Ⅶ Характеристики фототранзистора

Ⅷ Properties of Phototransistors

Ⅸ Types of Phototransistor

Ⅹ Phototransistor Circuits 10. 1 Example Circuits using Phototransistors

Ⅺ Performance Specifications

Ⅻ Обзор преимуществ и недостатков фототранзисторов

XIII Применение фототранзисторов

XIV Photodiode Vs Phototransistor

XV FAQ

 

 

Phototransistor Tutorial

 

 

Ⅲ What Is a Phototransistor?

Фототранзистор представляет собой компонент электронного переключения и усиления тока, работающий под воздействием света. Когда свет падает на соединение, пропорционально обратный ток течет к яркость . Фототранзисторы широко используются для обнаружения и преобразования световых импульсов в цифровые электрические сигналы. Они питаются от света, а не от электричества. Эти фототранзисторы имеют высокий коэффициент усиления, низкую стоимость и могут использоваться в различных приложениях.

 

 

Рисунок 1: Фототранзистор Символ

Он может преобразовывать световую энергию в электрическую. Фототранзисторы функционируют аналогично фоторезисторам, также известным как 9.0005 LDR ( светозависимые резисторы ), но способны вырабатывать как ток, так и напряжение, тогда как фоторезисторы могут вырабатывать ток только за счет изменения сопротивления.

Транзисторы с открытой базовой клеммой известны как фототранзисторы. Фотоны от падающего света активируют транзистор, а не посылают ток в базу. Это связано с тем, что фототранзистор состоит из биполярного полупроводника и концентрирует энергию, проходящую через него. Они активируются световыми частицами и присутствуют почти во всех электронных устройствах, которые так или иначе используют свет. Все 9Кремниевые фотодатчики 0005 (фототранзисторы) реагируют как на видимое, так и на инфракрасное излучение. Все диоды, транзисторы, транзисторы Дарлингтона, симисторы и другие полупроводниковые устройства имеют одинаковую базовую частотную характеристику излучения.

Конструкция фототранзисторов была специально оптимизирована для фотоприложений. Фототранзистор имеет более широкую базу и ширину коллектора, чем обычный транзистор, и изготавливается с использованием диффузионной или ионной имплантации.

 

 

Ⅳ Конструкция фототранзистора

Хотя обычные биполярные транзисторы проявляют светочувствительность при воздействии света, структура фототранзистора специально оптимизирована для фотоприложений. Фототранзистор имеет гораздо большую площадь базы и коллектора, чем стандартный транзистор. Эти устройства обычно создавались путем диффузии или ионной имплантации.

Рисунок 2: Конструкция фототранзистора

Ⅴ Конструкция фототранзистора

Древние фототранзисторы имели структуру гомоперехода , поскольку они были сделаны из германия или кремния по всему устройству. В современных фототранзисторах используются полупроводниковые материалы типа III-V, такие как арсенид галлия и другие. Поскольку применяются системы отрицательного заземления, а транзисторы NPN лучше подходят для этого режима работы, транзисторы NPN более популярны.

Гетероструктуры с различными материалами по обе стороны от PN-перехода также пользуются большим спросом из-за их высокой эффективности преобразования. Обычно они создаются путем эпитаксиального роста материалов с соответствующей структурой решетки.

Мезаструктура обычно используется в фототранзисторах. Переход Шоттки (металл-полупроводник) иногда можно использовать в качестве коллектора в фототранзисторе, хотя эта практика становится менее распространенной, поскольку другие структуры предлагают более высокие уровни производительности.

Чтобы обеспечить оптимальное преобразование и, следовательно, чувствительность, контакты эмиттера часто смещены внутри структуры фототранзистора. Это гарантирует, что максимальное количество света достигнет активной области фототранзистора.

 

 

Ⅵ Как работает фототранзистор?

Типичный транзистор имеет эмиттер , базу и коллектор . Клемма коллектора смещена положительно относительно клеммы эмиттера, а переход BE смещен отрицательно.

Фототранзистор активируется, когда свет падает на базовую клемму, и свет запускает фототранзистор, обеспечивая конфигурацию пар дырка-электрон, а также протекание тока через эмиттер или коллектор. Когда ток увеличивается, он концентрируется и преобразуется в напряжение.

Фототранзистор, как правило, не имеет базы. Поскольку свет используется для обеспечения протекания тока через фототранзистор, базовая клемма отключена.

 

 

Ⅶ Характеристики фототранзистора

Поскольку фототранзисторы по существу представляют собой биполярные NPN-транзисторы с большим переходом база-коллектор, их характеристики аналогичны характеристикам простого биполярного транзистора.

Фототранзисторы доступны в конфигурациях с двумя и тремя выводами. Терминал Base электрически недоступен в фототранзисторе с двумя выводами, и устройство полностью зависит от света.

Чтобы вызвать обратное смещение в переходе база-коллектор , клемма коллектора обычно имеет более высокий потенциал, чем эмиттер. Когда свет не попадает на фототранзистор, небольшой ток утечки, известный как темновой ток, течет от коллектора к эмиттеру.

Когда на клемму базы падает достаточно света, создается базовый ток, пропорциональный интенсивности света.

 

обратное смещение

 

Затем ток базы инициирует процесс усиления, что приводит к току коллектора с высоким коэффициентом усиления. Кривая токовых характеристик коллектора изображена на изображении ниже.

 

 

ток базы

Приведенная выше кривая показывает, что по мере увеличения интенсивности света увеличивается ток коллектора.

Как указывалось ранее, фототранзисторы также доступны в конфигурациях с тремя выводами. В этом случае использование базового терминала не является обязательным. При использовании он работает как стандартный BJT; когда он не используется, он работает как фототранзистор.

 

 

Ⅷ Свойства фототранзисторов

При выборе фототранзистора необходимо учитывать несколько факторов или свойств, чтобы фототранзистор можно было использовать в полной мере.

Некоторые из важных свойств:

• Длина волны
• Линейность
• Чувствительность
• Время отклика
• Размер
• Стоимость

 

 

Ⅸ Типы фототранзисторов

Фототранзисторы делятся на два типа: BJT и FET .

• Фототранзистор BJT

При недостатке света фототранзистор BJT допускает утечку между коллекторами, а также эмиттер 100 нА, в противном случае низкий. Когда этот транзистор подвергается воздействию луча, он может выдавать до 50 мА. Это отличает его от фотодиода, который не может выдержать большой ток.

• Полевой транзистор Фототранзистор

Этот тип фототранзистора имеет две клеммы, которые соединяются внутри устройства через коллектор и эмиттер, или исток и сток внутри полевого транзистора. Базовый вывод транзистора реагирует на свет и управляет током, протекающим между выводами.

 

 

Ⅹ Схемы фототранзисторов

Целью фототранзисторов, как и фотодиодов , является создание полезного выходного напряжения из генерируемого светом тока. Нам не нужен трансимпедансный усилитель на основе операционного усилителя, поскольку в полупроводниковую структуру фототранзисторов встроено усиление (TIA). Вместо этого мы можем использовать конфигурации усилителей, знакомые по нечувствительным к свету биполярным транзисторным транзисторам.

Конфигурации с общим коллектором и с общим эмиттером подходят для преобразования света в напряжение. Я предпочитаю подход с общим эмиттером, потому что он более интуитивно понятен, но если вы предпочитаете избегать инверсии, то есть если вы хотите, чтобы более высокая освещенность давала более высокое выходное напряжение, вам может понравиться усилитель с общим коллектором.

 

схемы

Чтобы преобразовать фототранзистор в преобразователь освещенности в напряжение, используйте конфигурацию усилителя с общим коллектором или общим эмиттером.

10.1 Пример схемы с использованием фототранзисторов

РЕВЕТ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ С помощью Phototransistor

. ток базы транзистора Q2. В результате активируется Q2 и активируется реле.

 

 

Реле темноты с использованием фототранзистора

Реле, управляемое темнотой, с использованием фототранзистора

Вы можете реализовать реле, управляемое темнотой , внеся небольшие изменения в схему реле, управляемого светом. Когда темно или интенсивность света мала, фототранзистор выключается, обеспечивая правильное смещение транзистора Q2. В результате он включается и реле находится под напряжением.

 

Световой сигнал тревоги

 

Световой сигнал прерывания

Как показано выше, вы можете реализовать простую систему сигнализации, используя фототранзисторы. Когда свет падает на фототранзистор, что обычно и бывает, он включается, и на затворе тринистора находится НИЗКИЙ уровень. В результате SCR остается выключенным.

Когда свет прерывается, как в случае вторжения, фототранзистор выключается, обеспечивая достаточный потенциал на затворе SCR, чтобы включить его. В результате срабатывает сигнал тревоги, и его можно сбросить с помощью переключателя.

 

Ⅺ Рабочие характеристики

Фототранзисторы можно выбирать на основе различных параметров и спецификаций, таких как перечисленные ниже.

• Ток коллектора (IC)
• Базовый ток (Iλ)
• Пиковая длина волны
• Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (VCE)
• Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (VBRCEO)
• Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (VBRECO)
• Темновой ток (ID)
• Рассеиваемая мощность (PD или Ptot)
• Время нарастания (tR)
• Время спада (тс)

 

 

Ⅻ Обзор преимуществ и недостатков фототранзисторов

Хотя эти полупроводниковые устройства используются в широком диапазоне электронных устройств, схем и приложений, их преимущества и недостатки необходимо взвесить, чтобы определить, являются ли они лучшими. электронный компонент для данного приложения. Фоторезисторы, также известные как светочувствительные резисторы или LDR; фотодиоды, фотодарлингтоны, фототранзисторы и даже фототиристоры и симисторы — все они доступны и могут подходить для любого конкретного применения.

Преимущества фототранзистора	Недостатки фототранзистора
Они имеют относительно высокий коэффициент усиления и, следовательно, относительно чувствительны.	Эти устройства не могут выдерживать высокие напряжения, необходимые для других полупроводниковых устройств, таких как фототиристоры и симисторы.
Поскольку они по существу представляют собой открытые для света транзисторы, эти электронные компоненты относительно недороги.	Они уязвимы к повреждению в приложениях, где они подвергаются скачкам напряжения переходного процесса.
Могут быть встроены в интегральную схему.	Не так быстро, как другие светочувствительные электронные компоненты, такие как фотодиоды.
Обеспечить разумную скорость

 

 

XIII Применение фототранзисторов

Благодаря простоте использования и универсальности фототранзисторы находят широкое применение.

• Оптоизоляторы — в данном случае датчиком света служит фототранзистор, а излучатель света расположен рядом, но с другим потенциалом. Физическое разделение между излучателем света и детектором обеспечивает значительную электрическую изоляцию.
• Датчик положения — в этом приложении оптоизолятор может использоваться для определения положения движущегося элемента, который часто имеет свет или прерывает луч света, обнаруженный фототранзистором.
• Системы безопасности — Фототранзисторы обычно используются в системах безопасности для обнаружения наличия светового луча или его прерывания злоумышленником.
• Счетчики монет — фототранзисторы могут использоваться для подсчета монет и других целей. Когда монета или другой предмет проходит через определенную точку, луч света прерывается. Количество прерываний луча равно количеству монет или предметов, которые нужно подсчитать.

 

XIV Фотодиод против фототранзистора

Фотодиод	Фототранзистор
Фотодиод представляет собой диод с PN-переходом, который генерирует электрический ток, когда фотон света попадает на его поверхность.	Фототранзистор преобразует энергию света в электрическую энергию.
Менее чувствительный	Более чувствителен
Выходной сигнал фотодиода быстрый.	Выходной отклик фототранзистора низкий.
Производит ток	Он производит напряжение и ток
Он используется, помимо прочего, в производстве солнечной энергии, для обнаружения УФ- и ИК-лучей и измерения света.	Его можно найти, среди прочего, в проигрывателях компакт-дисков, детекторах дыма, лазерах и приемниках невидимого света.
Более чувствителен к падающему свету	Менее реактивный
Фотодиод производит меньший темновой ток.	Слишком высокий темновой ток фототранзистора
Здесь используется как прямое, так и обратное смещение.	В этом случае используется прямое смещение.
Диапазон линейного отклика фотодиода намного шире.	Линейный диапазон отклика фототранзистора очень узок
По сравнению с фототранзистором фотодиод обеспечивает меньший ток.	По сравнению с фотодиодом фототранзистор может проводить более высокий ток.
Фотодиод применяется в маломощных устройствах с батарейным питанием.	В отличие от фотодиода фототранзистор используется в качестве твердотельного переключателя.

XV Часто задаваемые вопросы

1. К какому типу относится фототранзистор?

Фототранзисторы представляют собой транзисторы с открытой клеммой базы . Вместо того, чтобы посылать ток в базу, фотоны от падающего света активируют транзистор. Это связано с тем, что фототранзистор сделан из биполярного полупроводника и фокусируется на энергии, проходящей через него.

2. В чем разница между транзистором и фототранзистором?

Единственная разница между транзистором и фототранзистором заключается в том, что у фототранзистора нет базовой клеммы . Базовая сторона фототранзистора улавливает свет от источника.

 3. Является ли фототранзистор датчиком?

Продукты семейства фототранзисторов представляют собой дискретные светочувствительные компоненты, которые ведут себя подобно биполярным транзисторам, но используют падающий свет вместо электрического тока, подаваемого через клемму устройства, чтобы заставить устройство проводить ток.

4. Как найти фототранзистор?

Проверка цепи фототранзистора

• Если через окна падает прямой солнечный свет, закройте жалюзи.
• Введите и загрузите LeftLightSensor и откройте Serial Monitor.
• Запишите значение, отображаемое в Serial Monitor.

5. Что лучше фотодиод или фототранзистор?

Фотодиод состоит из полупроводникового диода, который генерирует ток при воздействии света. С другой стороны, фототранзистор состоит из переходного транзистора, который при воздействии световой энергии генерирует ток. А 9Фототранзистор 0005 более эффективен по сравнению с фотодиодом.

 

 

pcb — это фотодиод или фототранзистор?

спросил 7 лет, 5 месяцев назад

Изменено 3 года, 10 месяцев назад

Просмотрено 1к раз

\$\начало группы\$

Я работал над схемой со светочувствительным элементом, припаянным к печатной плате. Я запутался, фотодиод это или фототранзистор. Есть ли способ, с помощью которого я могу выяснить, является ли это фотодиодом или фототранзистором, не выпаивая его? это двухтерминальное устройство. Прикрепляю его изображение.

• печатная плата
• фотодиод
• фототранзистор

\$\конечная группа\$

3

\$\начало группы\$

Это можно сделать несколькими способами:

1. Подсоедините вольтметр к проводам и посветите на него ярким светом или лазерной указкой. Если вольтметр показывает напряжение (а не только шум), то, вероятно, это фотодиод.
2. Подсоедините тестер диодов к проводам. Хотя это не идеально, поскольку они внутрисхемные, это все же может работать. Если ваш тестер диодов ничего не читает, поменяйте местами провода. Если вы все еще не видите показания, то, вероятно, это фототранзистор.
3. Если на плате есть какой-то усилитель (скорее всего, операционный усилитель), подключенный рядом с этими устройствами, это, вероятно, фотодиоды. В противном случае они могли бы быть фототранзисторами, которые являются просто переключателями и не нуждаются в усилении.
4. Обозначения печатных плат содержат букву «D» или «Q»? «D» для диода, «Q» для транзистора

Для получения более точных показаний (особенно при проверке диодов) лучше всего перед измерением отпаять одну ножку устройства (вынуть ее из цепи). Тем не менее, похоже, что есть какой-то мусор, удерживающий его на плате, поэтому вам, возможно, придется сначала удалить его.

Очевидно, что в этом случае было бы очень полезно лучше рассмотреть (всю) плату и номера деталей.

\$\конечная группа\$

14

\$\начало группы\$

Судя по активной области, это определенно фотодиод.