С8550 транзистор характеристики. Транзистор S8550: характеристики, применение и аналоги PNP-транзистора для общего назначения

alexxlabРазное
Каковы основные параметры транзистора S8550. Для каких целей он используется. Какие есть аналоги S8550. Как правильно подключать S8550 в схеме.

Содержание

Основные характеристики транзистора S8550

S8550 — это биполярный PNP-транзистор общего назначения в корпусе TO-92. Основные характеристики данного транзистора:

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 25 В
  • Максимальное напряжение коллектор-база: 40 В
  • Максимальный ток коллектора: 500-800 мА (в зависимости от модификации)
  • Коэффициент усиления по току (h21E): 100-300
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 300-625 мВт
  • Граничная частота: 100-150 МГц

Транзистор S8550 выпускается различными производителями, поэтому некоторые параметры могут незначительно отличаться в зависимости от конкретной модификации.

Области применения транзистора S8550

Благодаря своим характеристикам, транзистор S8550 находит широкое применение в различных электронных устройствах:


  • Усилители низкой частоты
  • Переключатели и драйверы светодиодов
  • Источники питания и стабилизаторы напряжения
  • Цифровые схемы и логические элементы
  • Бытовая электроника
  • Зарядные устройства

S8550 часто используется в паре с комплементарным NPN-транзистором S8050 для создания двухтактных усилителей или в схемах с парным включением.

Аналоги транзистора S8550

У транзистора S8550 есть ряд аналогов с похожими характеристиками:

  • 2N3906 — один из наиболее распространенных аналогов
  • BC557 — европейский аналог с близкими параметрами
  • KT3107 — отечественный аналог советского производства
  • SS8550 — улучшенная версия с большим током коллектора (1.5 А)
  • MMBT8550 — аналог в корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа

При замене S8550 на аналог необходимо внимательно сравнить их характеристики, так как некоторые параметры могут отличаться.

Как правильно подключать транзистор S8550 в схеме

Для корректной работы транзистора S8550 в схеме нужно соблюдать несколько важных правил:

  1. Правильно определить выводы транзистора. У S8550 в корпусе TO-92 они расположены так: эмиттер, база, коллектор (если смотреть на плоскую сторону корпуса).
  2. Подключать эмиттер к положительному полюсу источника питания, а коллектор — к нагрузке.
  3. Обеспечить ток базы для открытия транзистора. Обычно используется резистор между базой и отрицательным полюсом питания.
  4. Не превышать максимально допустимые значения напряжений и токов, указанные в datasheet.
  5. При необходимости использовать радиатор для отвода тепла, особенно при работе с большими токами.

Соблюдение этих правил позволит обеспечить надежную и долговременную работу транзистора S8550 в вашей схеме.


Особенности использования S8550 в усилительных каскадах

Транзистор S8550 часто применяется в усилительных каскадах. При его использовании в таких схемах следует учитывать несколько важных моментов:

  • Коэффициент усиления по току (h21E) у S8550 может варьироваться в широких пределах (100-300), что нужно учитывать при расчете схемы.
  • Для стабильной работы усилителя рекомендуется использовать отрицательную обратную связь.
  • При работе на высоких частотах необходимо учитывать граничную частоту транзистора (100-150 МГц).
  • Для улучшения температурной стабильности схемы можно использовать термокомпенсацию.

Правильный выбор режима работы и схемы включения позволит максимально эффективно использовать возможности транзистора S8550 в усилительных каскадах.

Применение S8550 в схемах стабилизации напряжения

Транзистор S8550 может успешно применяться в простых схемах стабилизации напряжения. Рассмотрим основные моменты его использования в таких схемах:

  • S8550 может работать как проходной элемент в линейном стабилизаторе напряжения.
  • Для создания опорного напряжения часто используется стабилитрон в цепи базы транзистора.
  • Максимальный ток нагрузки ограничен характеристиками транзистора (обычно не более 500 мА).
  • При больших токах нагрузки необходимо обеспечить хороший теплоотвод от транзистора.

Использование S8550 в схемах стабилизации позволяет создавать простые и недорогие источники стабильного напряжения для маломощных устройств.


Использование S8550 в схемах управления светодиодами

Транзистор S8550 часто применяется для управления светодиодами. При его использовании в таких схемах важно учитывать следующие аспекты:

  • S8550 может управлять несколькими светодиодами, соединенными последовательно или параллельно.
  • Ток через светодиоды ограничивается резистором в цепи эмиттера транзистора.
  • Для управления яркостью можно использовать ШИМ-сигнал на базе транзистора.
  • При работе с мощными светодиодами необходимо обеспечить достаточное охлаждение транзистора.

Правильное применение S8550 в схемах управления светодиодами позволяет создавать эффективные и надежные системы освещения.


C8550 транзистор (8550 PNP 000A80 0035V TO-92 KTC8550 KEC)

  1. Продукция
  2. Транзистори
  3. 2SC… KSC…

Производитель: KEC

Код товара: Т0000009981

Маркировка: C8550

Количество приборов:

Параметры
НаименованиеЗначение
Единица измерения		Режим изменения
ПроводимостьPNP
Функциональное назначение выводов1=E 2=B 3=С
Напряжение коллектор-эмиттер-30Vdc@25*C@Ic=100mA@Ib=0
Напряжение коллектор-база-35Vdc@25*C
Напряжение эмиттер-база-5Vdc@25*C
Ток коллектора max-800mA@25*C(peak)
Обратный ток коллектора-50nA@Vcb=-15V@Ie=0
Коэфф. усиления при схеме вкл с ОЕ100…300@Iс=-50mA@Vce=-1V
Граничная частота120MHz@Ic=20mA@Vce=6V
Мощность рассеивания 625mW@25*C
Температура рабочая-55…+150*C

Качество s8550 pnp транзистор для электронных проектов

О продукте и поставщиках:
Alibaba. com предлагает большой выбор. s8550 pnp транзистор на выбор в соответствии с вашими потребностями. s8550 pnp транзистор являются жизненно важными частями практически любого электронного компонента. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбирая правильно. s8550 pnp транзистор, вы можете быть уверены, что создаваемый вами продукт будет высокого качества и очень хорошо работает. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди прочего. 
s8550 pnp транзистор состоят из полупроводниковых материалов и обычно имеют не менее трех клеммы, которые можно использовать для подключения к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. s8550 pnp транзистор охватывают два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования.  В качестве усилителей. s8550 pnp транзистор скрывают низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели. 
Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. s8550 pnp транзистор для определения опорных ног, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. s8550 pnp транзистор на сайте Alibaba.com используют кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря их превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. s8550 pnp транзистор для любого проекта включает в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника. 
Откройте для себя удивительно доступный. s8550 pnp транзистор на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЗАРЯДА LI-ION АККУМУЛЯТОРОВ

Это полноценное решение проблемы зарядки аккумуляторов мобильных телефонов используемых для питания других устройств. Собранное устройство не является ноу-хау, данный вариант лишь претендует считаться несколько более информативным, дающим возможность предметного контроля за прохождением  процесса заряда аккумулятора. 

Схема

Схема можно сказать типовая. Возможны два варианта питания, от любого БП дающего напряжение 5,5 – 7 вольт и ток до 500 мА (схема собирается со всеми указанными электронными компонентами) и ЗУ мобильного телефона (диод 1N5819 и электролитический конденсатор не ставить). На схеме указаны окончательные номиналы  компонентов собранного и работоспособного устройства. За исключением биполярного транзистора p-n-p S8550, у которого максимальный ток коллектора 0,5 А, поставлен SS8550, с максимальным током коллектора 1,5А. Можно попробовать применить аналог S8550 это КТ815/КТ817, а SS8550 — КТ6115Б.

Фотографии

Первоначально схема была собрана на макетной плате и отрегулирована. Запитана от зарядки  телефона Samsung дающей на выходе 5,5 В и до 650 мА. Необходимое выходное напряжение в 4,2 вольта выставлено путём изменения номиналов резисторов R7 и R12, которые образуют резистивный делитель. Изменение номиналов производится согласованно, сразу на обоих резисторах. Методика такая: первое, что следует помнить это то, что сумма номиналов этих резисторов не должна превышать 10 кОм, но может быть меньшей. Её величина зависит от  фактического соотношения разброса номиналов и характеристик прочих электронных компонентов конкретно собранной схемы.  Соотношение сопротивления подбираемых резисторов для подбора можно применять такое: R7 к R12, как 4/3 или 3/2. 

Например берём сумму двух этих резисторов равную 6 кОм, 6 : 7 = 0,85. Теперь  R7 = 0,85 х 4 = 3,4 кОм, а R12 = 0,85 х 3 = 2,55 кОм. (проверка 3,4 + 2,55 = 5,95 а,  0,05 допустимая погрешность, но можно при желании посчитать и в «ноль»).

Не будьте строги к данной рекомендации — на практике работает — зачастую это главное.

При подключении к схеме аккумулятора, и включения ЗУ в сеть загорелись жёлтый светодиод «питание включено» и зелёный «заряд идёт». Начальный ток заряда для данного аккумулятора составил 160 мА. Максимальный начальный ток, который наблюдал на более разряженных аккумуляторах был 370 мА.

В процессе зарядки ток заряда плавно понижался и втечении двух часов снизился до 70 мА, а пять минут спустя погас зелёный светодиод «заряд идёт» и загорелся красный «заряд окончен». Амперметр зафиксировал падение тока до нуля, вольтметр показывал более 4 вольт.

Напряжение полностью заряженного аккумулятора составило ожидаемые 4,2 вольта. На следующем этапе изготовления устройства для него был выбран корпус. Подошёл от вышедшего из строя блока питания микрокалькулятора «Электроника».

В первую очередь был установлен индикатор от магнитофона выполняющий роль одновременно амперметра и вольтметра, для чего был оборудован шунтом, подстроечным резистором и небольшим тумблером для переключения функций А/V. В верхней части наружной половины корпуса установлены светодиоды индикации.

Затем была помещена плата ЗУ устройства (видно, что на транзистор установлен небольшой радиатор). Подстроечный резистор вольтметра припаян на вывод тумблера.

С учетом, оставшегося в корпусе места была «разведена» печатная плата дополнительного узла производящего контроль заряда.

При изготовлении платы, в целях проверки «повторяемости» схемы, намеренно не стал использовать тщательно подобранные и проверенные электронные компоненты с макетной платы. За исключением микросхемы. К подбору номинала вновь устанавливаемых резисторов  отнёсся без строгости. Подбор резисторов R7 и R12 безусловно понадобился, но схема заработала практически сразу.

Шкала индикатора стала естественно двойной. Миллиамперы измеряются до 400 мА, есть дополнительная отметка на значении в 70 мА – значении окончании заряда. Вольты измеряются до 5 В, дополнительной отметкой обозначены 4,2 В – напряжение максимально допустимого заряда. Шкала подсвечивается светодиодом, перенесённым на неё с платы ЗУ. Переключение между шкалами производится при помощи тумблера. Кнопка и светодиод над ней – проверка правильности подключения предназначенного для зарядки аккумулятора.

Сетевые штыри расположены на противоположной части корпуса. Их наличие обусловило компактность конструкции.

Изначально устройство было собрано для зарядки аккумулятора от мобильного телефона питающего светодиодный фонарь. Но теперь, когда оно есть, появилась возможность беспрепятственного использования таких аккумуляторов и во многих других случаях.

Видео

Так что смело рекомендую данную схему, как доступную альтернативу более продвинутым, но и дефицитным, спецконтроллерам. Собрал зарядное устройство, Babay. 

   Форум по зарядным

   Форум по обсуждению материала УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЗАРЯДА LI-ION АККУМУЛЯТОРОВ

Ss8550-d — параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

MMBT8550 Datasheet (PDF)

1. 1. mmbt8550.pdf Size:332K _upd

1.2. mmbt8550lt1.pdf Size:131K _upd

RoHS
MMBT8550LT1
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SOT-23
3
2W OUTPUT AMPLIFIER OF PORTABLE
1
RADIOS IN CLASS
B PUSH-PULL OPERATION
2
Complement to MMPT8050LT1
1.
1.BASE
Collector-current:Ic=-500mA
2.EMITTER
High Total Power Dissipation:Pc=225mW
2.4
3.COLLECTOR
1.3
Unit:mm
o
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C)
Symbol Rating Unit
Characteristic
Collector-Base Voltage

 5.1. mmbt8099lt1g.pdf Size:154K _upd

MMBT8099LT1G
Amplifier Transistor
NPN Silicon
Features
http://onsemi.com
• These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
COLLECTOR
3
MAXIMUM RATINGS
1
Rating Symbol Value Unit
BASE
Collector-Emitter Voltage VCEO 80 Vdc
Collector-Base Voltage VCBO 80 Vdc 2
EMITTER
Emitter-Base Voltage VEBO 6. 0 Vdc
Collector Current — Continuous IC 500 mAdc
3
THERMAL

5.2. mmbt8050.pdf Size:325K _upd

 5.3. mmbt8050lt1.pdf Size:150K _upd

RoHS
MMBT8050LT1
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SOT-23
3
2W OUTPUT AMPLIFIER OF PORTABLE
RADIOS IN CLASS
1
B PUSH-PULL OPERATION
2
1.
Complement to MMPT8550LT1
1.BASE
Collector Current:Ic=500mA
2.EMITTER
o
2.4
Collector Dissipation:Pc=225mW(Tc=25 C) 3.COLLECTOR
1.3
Unit:mm
o
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C)
Symbol Rating Unit
Characteristic
Collector-Base Volta

5.4. mmbt8050d.pdf Size:351K _upd

MMBT8050D
o
TRANSISTOR (NPN)
FEATURES
SOT-23
Complimentary to S8550
Collector Current: IC=0.5A
1．BASE
2．EMITTER
3．COLLECTOR
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage 40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V
VEBO Emitter-Base Voltage 5 V
IC Collector Current -Continuous 0. 5 A
PC Collector Dissipat

 5.5. mmbt8099lt1.pdf Size:158K _onsemi

MMBT8099LT1G
Amplifier Transistor
NPN Silicon
Features
http://onsemi.com
These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
COLLECTOR
3
MAXIMUM RATINGS
1
Rating Symbol Value Unit
BASE
Collector-Emitter Voltage VCEO 80 Vdc
Collector-Base Voltage VCBO 80 Vdc 2
EMITTER
Emitter-Base Voltage VEBO 6.0 Vdc
Collector Current — Continuous IC 500 mAdc
3
THERMAL CHAR

5.6. mmbt8050d.pdf Size:351K _bytesonic

MMBT8050D
o
TRANSISTOR (NPN)
FEATURES
SOT-23
Complimentary to S8550
Collector Current: IC=0.5A
1．BASE
2．EMITTER
3．COLLECTOR
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage 40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V
VEBO Emitter-Base Voltage 5 V
IC Collector Current -Continuous 0. 5 A
PC Collector Dissipat

8550SS Datasheet (PDF)

1.1. 8550ss.pdf Size:230K _upd

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
TO – 92
8550SS TRANSISTOR (PNP)
1.EMITTER
FEATURES
2.COLLECTOR
General Purpose Switching and Amplification.
3.BASE
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Unit
VCBO Collector-Base Voltage -40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V
VEBO Emitter-

1.2. 8550ss-c 8550ss-d.pdf Size:366K _upd

MCC
8550SS-C
TM Micro Commercial Components
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
8550SS-D
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
• Capable of 1.0Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.
PNP Silicon
• Collector-current 1.5A
• Collector-base Voltage 40V
Transistors
• Operating and storage

 1. 3. 8550sst.pdf Size:344K _secos

8550SST
-1.5A , -40V
PNP Plastic Encapsulated Transistor
Elektronische Bauelemente
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
TO-92
FEATURES
? General Purpose Switching and Amplification.
G H
?Emitter
?Collector
?Base
J
CLASSIFICATION OF hFE (1)
A D
Millimeter
Product-Rank 8550SST-B 8550SST-C 8550SST-D
REF.
B Min. Max.
A 4.40 4.70
Ra

MPS8550 Datasheet (PDF)

1.1. mps8550sc.pdf Size:603K _update

SEMICONDUCTOR MPS8550SC
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
HIGH CURRENT APPLICATION.
FEATURE
·Complementary to MPS8050SC.
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
VCBO -40 V
Collector-Base Voltage
VCEO -25 V
Collector-Emitter Voltage
VEBO
Emitter-Base Voltage -5 V
IC
Collector Current -1,200 mA
PC *
Collector Power Dissipation 350 mW
Tj
Junctio

1. 2. mps8550s.pdf Size:390K _kec

SEMICONDUCTOR MPS8550S
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
HIGH CURRENT APPLICATION.
FEATURE
E
L B L
Complementary to MPS8050S.
DIM MILLIMETERS
_
A 2.93 0.20
+
B 1.30+0.20/-0.15
C 1.30 MAX
2
3 D 0.45+0.15/-0.05
E 2.40+0.30/-0.20
1
MAXIMUM RATING (Ta=25 ) G 1.90
H 0.95
J 0.13+0.10/-0.05
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
K 0.00 ~ 0.10
L 0.55
VCBO -40 V
Collecto

 1.3. mps8550.pdf Size:45K _kec

SEMICONDUCTOR MPS8550
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
HIGH CURRENT APPLICATION.
B C
FEATURE
·Complementary to MPS8050.
N DIM MILLIMETERS
A 4.70 MAX
E
K
B 4.80 MAX
G
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)
C 3.70 MAX
D
D 0.45
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
E 1.00
F 1.27
VCBO -40 V
Collector-Base Voltage
G 0.85
H 0. 45
VCEO -25 V
Collector-Emitter Voltage _
H
J 14.0

Биполярный транзистор MMBT8550 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: MMBT8550

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора: SOT-23

MMBT8550


Datasheet (PDF)

1.1. mmbt8550.pdf Size:332K _upd

1.2. mmbt8550lt1.pdf Size:131K _upd

RoHS
MMBT8550LT1
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SOT-23
3
2W OUTPUT AMPLIFIER OF PORTABLE
1
RADIOS IN CLASS
B PUSH-PULL OPERATION
2
Complement to MMPT8050LT1
1.
1.BASE
Collector-current:Ic=-500mA
2.EMITTER
High Total Power Dissipation:Pc=225mW
2.4
3.COLLECTOR
1.3
Unit:mm
o
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C)
Symbol Rating Unit
Characteristic
Collector-Base Voltage

 5.1. mmbt8099lt1g.pdf Size:154K _upd

MMBT8099LT1G
Amplifier Transistor
NPN Silicon
Features
http://onsemi.com
• These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
COLLECTOR
3
MAXIMUM RATINGS
1
Rating Symbol Value Unit
BASE
Collector-Emitter Voltage VCEO 80 Vdc
Collector-Base Voltage VCBO 80 Vdc 2
EMITTER
Emitter-Base Voltage VEBO 6.0 Vdc
Collector Current — Continuous IC 500 mAdc
3
THERMAL

5.2. mmbt8050.pdf Size:325K _upd

 5.3. mmbt8050lt1.pdf Size:150K _upd

RoHS
MMBT8050LT1
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SOT-23
3
2W OUTPUT AMPLIFIER OF PORTABLE
RADIOS IN CLASS
1
B PUSH-PULL OPERATION
2
1.
Complement to MMPT8550LT1
1.BASE
Collector Current:Ic=500mA
2.EMITTER
o
2.4
Collector Dissipation:Pc=225mW(Tc=25 C) 3.COLLECTOR
1.3
Unit:mm
o
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C)
Symbol Rating Unit
Characteristic
Collector-Base Volta

5.4. mmbt8050d.pdf Size:351K _upd

MMBT8050D
o
TRANSISTOR (NPN)
FEATURES
SOT-23
Complimentary to S8550
Collector Current: IC=0.5A
1．BASE
2．EMITTER
3．COLLECTOR
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage 40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V
VEBO Emitter-Base Voltage 5 V
IC Collector Current -Continuous 0.5 A
PC Collector Dissipat

 5.5. mmbt8099lt1.pdf Size:158K _onsemi

MMBT8099LT1G
Amplifier Transistor
NPN Silicon
Features
http://onsemi.com
These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
COLLECTOR
3
MAXIMUM RATINGS
1
Rating Symbol Value Unit
BASE
Collector-Emitter Voltage VCEO 80 Vdc
Collector-Base Voltage VCBO 80 Vdc 2
EMITTER
Emitter-Base Voltage VEBO 6. 0 Vdc
Collector Current — Continuous IC 500 mAdc
3
THERMAL CHAR

5.6. mmbt8050d.pdf Size:351K _bytesonic

MMBT8050D
o
TRANSISTOR (NPN)
FEATURES
SOT-23
Complimentary to S8550
Collector Current: IC=0.5A
1．BASE
2．EMITTER
3．COLLECTOR
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage 40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V
VEBO Emitter-Base Voltage 5 V
IC Collector Current -Continuous 0.5 A
PC Collector Dissipat

Другие транзисторы… MMBT6517LT1G
, MMBT6520LT1G
, MMBT6521LT1G
, MMBT720
, MMBT8050
, MMBT8050D
, MMBT8050LT1
, MMBT8099LT1G
, BD140
, MMBT8550LT1
, MMBT9012LT1
, MMBT9013LT1
, MMBT9014LT1
, MMBT9015LT1
, MMBT9018LT1
, MMBT918LT1G
, MMBT945-H
.

8550C Datasheet (PDF)

1.1. 8550c.pdf Size:143K _upd

SUNROC
8550C TRANSISTOR(PNP)
MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃ unless otherwise noted)
1. EMITTER
Symbol Parameter Value Units
Collector-Base Voltage 2. BASE
VCBO -40 V
Collector-Emitter Voltage -25
VCEO V
3. COLLECTOR
Emitter-Base Voltage
VEBO -5 V
Collector Current
IC -0.5 A
Collector Power Dissipation
PC 625 mW
Junction Temperature
Tj 150 ℃
Storag Temperature -55～150

1.2. s8550b s8550c s8550d.pdf Size:177K _update

S8550-B
MCC
Micro Commercial Components
TM
S8550-C
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311
S8550-D
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
• Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.
PNP Silicon
• Collector-current 0.5A
• Collector-base Voltage 40V
Transistors
• Operating a

KST8550 Datasheet (PDF)

1.1. kst8550s.pdf Size:985K _kexin

SMD Type Transistors
SMD Type
PNP Transistors
KST8550S
SOT-23
Unit: mm
+0. 1
2.9 -0.1
+0.1
0.4-0.1
3
Features
Collector current: IC-=0.5A
1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1 -0.01
+0.1
1.9 -0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO -40 V
Collector-Emitter Voltage VCEO -25 V
Emitter-Base Voltage VE

1.2. kst8550x.pdf Size:543K _kexin

SMD Type Transistors
PNP Transistors
KST8550X
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9-0.1
+0.1
0.4 -0.1
3
■ Features
● Collector Power Dissipation: PC=0.3W
● Collector Current: IC=-1.5A
1 2
+0.05
0.95+0.1
-0.1 0.1 -0.01
1.9+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO -40 V
Collector-Emit

 1.3. kst8550d-50.pdf Size:1283K _kexin

SMD Type Transistors
SMD Type
PNP Transistors
KST8550D-50
SOT-23
Unit: mm
+0. 1
2.9 -0.1
+0.1
0.4-0.1
3
Features
● Collector Current Capability IC=-1.2A
● Collector Emitter Voltage VCEO=-50V
1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1 -0.01
+0.1
1.9 -0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO -50 V
C

1.4. kst8550m.pdf Size:985K _kexin

SMD Type
SMD Type Transistors
PNP Transistors
KST8550M
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
+0.1
0.4-0.1
3
■ Features
● Collector Current: IC=-0.8A
1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1 -0.01
+0.1
1.9 -0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO -40 V
Collector-Emitter Voltage VCEO -25 V
Emitter-

 1.5. kst8550.pdf Size:1092K _kexin

SMD Type Transistors
SMD Type
PNP Transistors
KST8550
SOT-23
Unit: mm
+0. 1
2.9 -0.1
+0.1
0.4-0.1
3
Features
Collector Current: IC=-1.5A
1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1 -0.01
+0.1
1.9 -0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO -40 V
Collector-Emitter Voltage VCEO -25 V
Emitter-Base Voltage VEB

SS8550-D Datasheet (PDF)

3.1. mmss8550-h.pdf Size:153K _upd

MCC
MMSS8550-L
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
MMSS8550-H
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
PNP Silicon
• Case Material:Molded Plastic. UL Flammability
Classificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1
• Marking:Y2 Plastic-Encapsulate
• Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.
Tra

3.2. mmss8550-l.pdf Size:153K _upd

MCC
MMSS8550-L
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
MMSS8550-H
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
PNP Silicon
• Case Material:Molded Plastic. UL Flammability
Classificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1
• Marking:Y2 Plastic-Encapsulate
• Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.
Tra

 3.3. ss8550-c-d.pdf Size:196K _update

MCC
SS8550-C
TM Micro Commercial Components
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
SS8550-D
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
• Capable of 1.0Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.
PNP Silicon
• Collector-current 1.5A
• Collector-base Voltage 40V
Transistors
• Operating and storage

SS8550-C Datasheet (PDF)

1.1. ss8550-c-d.pdf Size:196K _update

MCC
SS8550-C
TM Micro Commercial Components
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
SS8550-D
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
• Capable of 1.0Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.
PNP Silicon
• Collector-current 1.5A
• Collector-base Voltage 40V
Transistors
• Operating and storage

3.1. mmss8550-h.pdf Size:153K _upd

MCC
MMSS8550-L
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
MMSS8550-H
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
PNP Silicon
• Case Material:Molded Plastic. UL Flammability
Classificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1
• Marking:Y2 Plastic-Encapsulate
• Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.
Tra

3.2. mmss8550-l.pdf Size:153K _upd

MCC
MMSS8550-L
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
MMSS8550-H
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
PNP Silicon
• Case Material:Molded Plastic. UL Flammability
Classificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1
• Marking:Y2 Plastic-Encapsulate
• Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.
Tra

KST8550S Datasheet (PDF)

1.1. kst8550s.pdf Size:985K _kexin

SMD Type Transistors
SMD Type
PNP Transistors
KST8550S
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
+0.1
0.4-0.1
3
Features
Collector current: IC-=0.5A
1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1 -0.01
+0.1
1.9 -0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO -40 V
Collector-Emitter Voltage VCEO -25 V
Emitter-Base Voltage VE

3.1. kst8550x.pdf Size:543K _kexin

SMD Type Transistors
PNP Transistors
KST8550X
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9-0.1
+0.1
0.4 -0.1
3
■ Features
● Collector Power Dissipation: PC=0.3W
● Collector Current: IC=-1.5A
1 2
+0.05
0.95+0.1
-0.1 0.1 -0.01
1.9+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO -40 V
Collector-Emit

3.2. kst8550d-50.pdf Size:1283K _kexin

SMD Type Transistors
SMD Type
PNP Transistors
KST8550D-50
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
+0.1
0.4-0.1
3
Features
● Collector Current Capability IC=-1.2A
● Collector Emitter Voltage VCEO=-50V
1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1 -0.01
+0.1
1.9 -0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO -50 V
C

 3.3. kst8550m.pdf Size:985K _kexin

SMD Type
SMD Type Transistors
PNP Transistors
KST8550M
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
+0.1
0.4-0.1
3
■ Features
● Collector Current: IC=-0.8A
1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1 -0.01
+0.1
1.9 -0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO -40 V
Collector-Emitter Voltage VCEO -25 V
Emitter-

3.4. kst8550.pdf Size:1092K _kexin

SMD Type Transistors
SMD Type
PNP Transistors
KST8550
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
+0.1
0.4-0.1
3
Features
Collector Current: IC=-1.5A
1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1 -0.01
+0.1
1.9 -0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO -40 V
Collector-Emitter Voltage VCEO -25 V
Emitter-Base Voltage VEB

HE8550S Datasheet (PDF)

1.1. he8550s.pdf Size:55K _hsmc

Spec. No. : HE6129
HI-SINCERITY
Issued Date : 1993.01.15
Revised Date : 2004.07.26
MICROELECTRONICS CORP.
Page No. : 1/5
HE8550S
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The HE8550S is designed for general purpose amplifier applications.
Features
TO-92
• High DC Current gain: 100-500 at IC=150mA
• Complementary to HE8050S
Absolute Maximum Ratings
• Maximum Temperatures
Sto

4.1. he8550.pdf Size:156K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
HE8550 PNP SILICON TRANSISTOR
LOW VOLTAGE HIGH
CURRENT SMALL SIGNAL PNP
TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC HE8550 is a low voltage high current small signal PNP
transistor, designed for Class B push-pull 2W audio amplifier for
portable radio and general purpose applications.
FEATURES
* Collector Current up to 1.5A
* Collector-Emitter Voltage up

4.2. he8550l.pdf Size:21K _utc

UTC HE8550 PNP EPITAXIAL SILIC ON TRANSISTOR
LOW VOLTAGE HIGH CURRENT
SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC HE8550 is a low voltage high current small
signal PNP transistor, designed for Class B push-pull
2W audio amplifier for portable radio and general purpose
applications.
1
FEATURES
*Collector current up to 1.5A
*Collector-Emitter voltage up to 25 V
*Complimentary to UTC

 4.3. he8550.pdf Size:46K _hsmc

Spec. No. : HE6114
HI-SINCERITY
Issued Date : 1992.09.30
Revised Date : 2006.07.28
MICROELECTRONICS CORP.
Page No. : 1/4
HE8550
PNP Epitaxial Planar Transistor
Description
The HE8550 is designed for use in 2W output amplifier of portable radios in class B push-pull
operation. TO-92
Absolute Maximum Ratings
• Maximum Temperatures
Storage Temperature……………………………..

H8550S Datasheet (PDF)

1.1. h8550s.pdf Size:127K _shantou-huashan

PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
H8550S
█ APPLICATIONS
Audio Frequency Amplifier.
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）
Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃ TO-92
Tj——Juncttion Temperature…………………………………150℃
PC——Collector Dissipation……………………

5.1. lh8550plt1g.pdf Size:157K _upd

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
LH8550PLT1G
PNP Silicon
Series
FEATURE S-LH8550PLT1G
High current capacity in compact package.
Series
IC =-1.5A.
Epitaxial planar type.
PNP complement: LH8550
3
Pb-Free Package is available.
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique

1
Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and

5.2. lh8550qlt1g.pdf Size:138K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
LH8550PLT1G
PNP Silicon
Series
FEATURE S-LH8550PLT1G
High current capacity in compact package.
Series
IC =-1.5A.
Epitaxial planar type.
PNP complement: LH8550
3
Pb-Free Package is available.
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique

1
Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and

 5.3. h8550.pdf Size:138K _shantou-huashan

 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
H8550
█ PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
2W OUTPUT AMPLIFIER OF PORTABLE RADIOS IN CLASS
B PUSH-PULL OPERATION.
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）
Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃ TO-92
Tj——Junction Temperature…………………………………150℃
PC——Collector Dissipation

5.4. h8550.pdf Size:796K _kexin

SMD Type Transistors
PNP Transistors
H8550
■ Features
1.70 0.1
● Collector Power Dissipation: PC=0.5W
● Collector Current: IC=-1.5A
Comlementary to H8050
●
0.42 0.1
0.46 0.1
1.Base
2.Collector
3.Emitter
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-base voltage VCBO -40 V
Collector-emitter voltage VCEO -25 V
Emitter-base voltage VEBO —

Datasheets

Datasheet

PDF, 228 Кб

Выписка из документа

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website atwww.onsemi.com ON Semiconductor and the ON Semiconductor logo are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba ON Semiconductor or its subsidiaries in the United States and/or other countries. ON Semiconductor owns the rights to a numberof patents, trademarks, copyrights, trade secrets, and other intellectual property. A listing of ON SemiconductorвЂs product/patent coverage may be accessed at www.onsemi.com/site/pdf/Patent-Marking.pdf. ON Semiconductor reserves the rightto make changes without further notice to any products herein. ON Semiconductor makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does ON Semiconductor assume any liabilityarising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. Buyer is responsible for its products and applications using ONSemiconductor products, including compliance with all laws, regulations and safety requirements or standards, regardless of any support or applications information provided by ON Semiconductor. “Typical” parameters which may be provided in ONSemiconductor data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customerвЂstechnical experts. ON Semiconductor does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. ON Semiconductor products are not designed, intended, or authorized for use as a critical component in life support systems or any FDAClass 3 medical devices or medical devices with a same or similar classification in a foreign jurisdiction or any devices intended for implantation in the human body. Should Buyer purchase or use ON Semiconductor products for any such unintendedor unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold ON Semiconductor and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising outof, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that ON Semiconductor was negligent regarding the design or manufacture of the part. ON Semiconductoris an Equal Opportunity/Affirmative Actio …

H8550 Datasheet (PDF)

1.1. lh8550plt1g.pdf Size:157K _upd

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
LH8550PLT1G
PNP Silicon
Series
FEATURE S-LH8550PLT1G
High current capacity in compact package.
Series
IC =-1.5A.
Epitaxial planar type.
PNP complement: LH8550
3
Pb-Free Package is available.
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique

1
Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and

1.2. lh8550qlt1g.pdf Size:138K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
LH8550PLT1G
PNP Silicon
Series
FEATURE S-LH8550PLT1G
High current capacity in compact package.
Series
IC =-1.5A.
Epitaxial planar type.
PNP complement: LH8550
3
Pb-Free Package is available.
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique

1
Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and

 1.3. h8550s.pdf Size:127K _shantou-huashan

PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
H8550S
█ APPLICATIONS
Audio Frequency Amplifier.
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）
Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃ TO-92
Tj——Juncttion Temperature…………………………………150℃
PC——Collector Dissipation……………………

1.4. h8550.pdf Size:138K _shantou-huashan

 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
H8550
█ PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
2W OUTPUT AMPLIFIER OF PORTABLE RADIOS IN CLASS
B PUSH-PULL OPERATION.
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）
Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃ TO-92
Tj——Junction Temperature…………………………………150℃
PC——Collector Dissipation

 1.5. h8550.pdf Size:796K _kexin

SMD Type Transistors
PNP Transistors
H8550
■ Features
1.70 0.1
● Collector Power Dissipation: PC=0.5W
● Collector Current: IC=-1.5A
Comlementary to H8050
●
0.42 0.1
0.46 0.1
1.Base
2.Collector
3.Emitter
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-base voltage VCBO -40 V
Collector-emitter voltage VCEO -25 V
Emitter-base voltage VEBO —

SS8550W Datasheet (PDF)

1.1. mmss8550w-j.pdf Size:187K _upd

MMSS8550W-L
MCC
Micro Commercial Components MMSS8550W-H
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311
MMSS8550W-J
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• Halogen free available upon request by adding suffix «-HF»
PNP Silicon
• Case Material:Molded Plastic. UL Flammability
Classificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1
• Marking:Y2 Plasti

1.2. mmss8550w-h.pdf Size:187K _upd

MMSS8550W-L
MCC
Micro Commercial Components MMSS8550W-H
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311
MMSS8550W-J
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• Halogen free available upon request by adding suffix «-HF»
PNP Silicon
• Case Material:Molded Plastic. UL Flammability
Classificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1
• Marking:Y2 Plasti

 1.3. mmss8550w-l.pdf Size:187K _upd

MMSS8550W-L
MCC
Micro Commercial Components MMSS8550W-H
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311
MMSS8550W-J
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• Halogen free available upon request by adding suffix «-HF»
PNP Silicon
• Case Material:Molded Plastic. UL Flammability
Classificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1
• Marking:Y2 Plasti

1.4. ss8550w.pdf Size:115K _secos

SS8550W
PNP Silicon
Elektronische Bauelemente
General Purpose Transistor
RoHS Compliant Product
SOT-323
FEATURES
Collector
Dim Min Max
3
3
A 1.800 2.200
Power dissipation
1
1 B 1.150 1.350
2 Base
PCM : 0.2 W
C 0.800 1.000
Collector Current
D 0.300 0.400
2
ICM : -1.5 A A G 1.200 1.400
Emitter
L
H 0.000 0.100
Collector-base voltage
J 0.100 0.250
3
V(BR)CBO : — 40 V
S
To

 1.5. ss8550w.pdf Size:264K _wietron

SS8550W
PNP Plastic-Encapsulate Transistor
3
P b Lead(Pb)-Free
1
2
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
1. BASE
Symbol Parameter Value Units
2. EMITTER
3. COLLECTOR
V(BR)CBO Collector- Base Voltage -40 V
ICM Collector Current -1.5 A
SOT-323(SC-70)
.
PCM Power Dissipation (Tamb=25°C) W
0.2
TJ Junction Temperature -55 to +150 ?
Tstg Storage Temperature -55 to +150 ?
EL

Оцените статью:

Биполярный транзистор S8550D, PNP, 40V, 1.5A, корпус TO-92 SS8550D S8550

Описание

Многие задаются вопросом, где купить фирменные Биполярные транзисторы по доступной цене? в интернет-шопе Igostech представлен безграничный ассортимент товара.

Биполярный транзистор S8550D, PNP, 40V, 1.5A, корпус TO-92 SS8550D S8550

Особенности транзисторов SS8550D, PNP, 40V, 1.5A, корпус TO-92

Современные биполярные транзисторы являются отличными, функциональными и качественными радиокомпонентами. Биполярные транзисторы применяются в современных аналоговых и цифровых устройствах. Довольно часто их можно встретить схемах современных радиоприемников, а также в телевизорах, различных усилителях сигнала, в радиопередатчиках и прочих устройствах.

Устройство современных транзисторов

Биполярный транзистор S8550D, PNP, 40V, 1.5A, корпус TO-92 SS8550D S8550

Биполярные транзисторы имеют довольно простое устройство — практически все транзисторы производят из кремниевых кристаллов. Транзистор состоит из трех слоев полупроводника, к каждому из которых подключен электрод. Как правило средний электрод является базой, а два остальных — эмиттером и коллектором.
Свойства транзистора зависят от свойств полупроводниковых слоев, материала, формы и прочих факторов. Собственно от этого зависит и размер транзисторов и тип их корпуса.

Режимы работы биполярных транзисторов

Биполярные транзисторы имеют несколько режимов работы:

  • В нормальном режиме работы переход транзистора эмиттер-база открыт, а вот переход коллектор-база закрыт.
  • Если же переходы транзистора будут открыты в обратном порядке — эмиттер-база закрыт, а коллектор-база открыт, то получим инверсный активный режим.
  • Если оба перехода открыты и направлены к базе, такой режим называют режимом насыщения. При этом, токи насыщения эмиттера и коллектора направлены к базе.
  • Существует так называемый режим отсечки, при котором переход коллектора смещается обратно, а на переход эмиттера будет подаваться как прямое, так и обратное смещение напряжения.
  • В барьерном режиме транзистор будет работать как своеобразный диод. Чтобы активировать такой режим работы транзистора, перед эмиттером или коллектором устанавливают резистор.

Правила безопасности при работе с биполярными резисторами

Биполярные транзисторы могут работать в цепях с довольно высоким напряжением, поэтому необходимо соблюдать элементарные правила безопасности. Не прикасайтесь к контактам транзистора включенного в высоковольтную сеть.

Если вы меняете испорченный транзистор на новый, внимательно проследите за тем, чтобы параметры нового компонента были аналогичны таковым у старого. Особенно если вы берете не такой же компонент, а его аналог.

Ну и конечно всегда нужно учитывать как параметры электросети, так и самого транзистора. Если через цепь будет протекать 100 вольт, а транзистор будет рассчитан максимум на 90, он может просто сгореть.

Похожее

SS8050D / SS8550D — Биполярные импортные — ТРАНЗИСТОРЫ — Электронные компоненты (каталог)

 

Корпус: TO-92

 

SS8050D (N-P-N) и SS8550D (P-N-P) — комплементарная пара среднечастотных транзисторов средней мощности. Применяются в выходных каскадах усилителей небольшой мощности и схемах управления низковольтными нагрузками (электродвигателями, реле и т.п.)

Основные параметры SS8050D и SS8550D:

 

Параметр

SS8050D

SS8550D

Структура

N-P-N

P-N-P

Uк-э.макс.

25V

Uк-б.макс.

40V

Iк.макс.

1,5A

Pрасс.макс.

1W

Fгр.

> 100MHz

(тип. 190..200MHz)

Cк

< 9pF

< 15pF

Iк.обр.

< 0,1µA

Hfe

160..300

Uкэ.нас.

<0,5V

Диапазон рабочих температур

-65..+150°С

Корпус

TO-92

Аналоги

PSS8050D

S8050D

КТ6114В

PSS8550D

S8550D

КТ6115В

 

 

 

Более подробные характеристики транзисторов SS8050D и SS8550D с чертежами корпуса и графиками работы Вы можете получить скачав файл документации ниже (на английском языке).

Обозначение транзисторов SS8050 и SS8550:

 

S8550 datasheet на русском

Биполярный транзистор S8550 как говорят его характеристики является p-n-p структуры. Это означает что коллектор и эмиттер останутся открытыми (смещенными в обратном направлении), когда базовый вывод удерживается на земле, и будут закрыты (смещенными в прямом направлении), когда на базовый вывод подается сигнал.

Распиновка

Цоколевка S8550 корпуса To-92 выглядит следующим образом:

  1. Эмиттер — ток вытекает через излучатель, нормально подключенный к земле;
  2. База — управляет смещением транзистора, используется для его включения или выключения;
  3. Коллектор — ток протекает через коллектор, нормально подключенный к нагрузке.

Основные характеристики

  • Низкое напряжение, большой ток;
  • Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 500 мА;
  • Напряжение коллектора-эмиттера (VCEO) составляет -25 В;
  • Напряжение коллектор-база (VCB0) составляет -40В;
  • Напряжение базы эмиттера (VBE0) -5В;
  • Текущее усиление (hFE) от 85 до 300
  • Обычно используется в качестве двухтактных транзисторов класса B;
  • Корпус To-92.

Комплементарной парой для него является S8050.

Использование в двухтактной конфигурации

Как уже упоминалось в параметрах, S8550 обычно используется в двухтактной конфигурации с усилителем класса B. Итак, давайте обсудим, как это делается.

Двухтактный усилитель, обычно известный как усилитель класса B, является типом многоступенчатого усилителя, обычно используемого для усиления звука динамика. Это очень просто построить и требует двух идентичных дополнительных транзисторов. Под дополнительным подразумевается, что нам нужен транзистор NPN и его эквивалентный PNP. Простая принципиальная схема усилителя класса B с использованием S8050 показана ниже.

2D модель корпуса

Если вы проектируете печатную плату или перфорированную плату с этим компонентом, вам будет полезно изучить следующее изображение , чтобы узнать тип и размеры корпуса данного устройства.

Аналоги

Отечественный аналог транзистора S8550 найти не удалось, но чем заменить из зарубежных достаточно много:

DataSheet

Полные технические данные про s8550 подробно можно найти в его DataSheet.

Раздел: Зарубежные Полупроводники Транзисторы Биполярные

  • Наименование: S8550
  • Тип: PNP
  • Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер VCE (max) (UКЭ (max)): 20 В
  • Максимально допустимое напряжение коллектор-база VCBO (max) (UКБ (max)): 30 В
  • Максимально допустимое напряжение эмиттер-база VEBO (max) (UЭБ (max)): 5 В
  • Максимальный ток коллектора IC (max) (IК (max)): 700 мА
  • Максимальная рассеиваемая мощность (PК (max)): 1 Вт

Граничная частота ft (fГР): 100 МГц

  • Корпус:TO-92
  • Даташит:Даташит
  • Распиновка:
  • Производитель:Unisonic technologies

    • Даташит поиск по электронным компонентам в формате pdf на русском языке. Бесплатная база содержит более 1 000 000 файлов доступных для скачивания. Воспользуйтесь приведенной ниже формой или ссылками для быстрого поиска (datasheet) по алфавиту.Если вы не нашли нужного Вам элемента, обратитесь к администрации проекта .

    Распиновка транзистора

    S8550, техническое описание, характеристики и образец схемы

    S8550 — Транзистор PNP

    S8550 — Транзистор PNP

    S8550 Распиновка транзистора

    нажмите на картинку для увеличения

    Конфигурация распиновки S8550

    Номер контакта

    Имя контакта

    Описание

    1

    Излучатель

    Ток утекает через эмиттер, нормально соединенный с землей

    2

    База

    Управляет смещением транзистора, используется для включения или выключения транзистора

    3

    Коллектор

    Ток протекает через коллектор, обычно подключенный к нагрузке

    Характеристики
    • Низковольтный, сильноточный транзистор PNP
    • Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 500 мА
    • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) -25 В
    • Напряжение коллектор-база (VCB0) составляет -40 В
    • Базовое напряжение эмиттера (VBE0) составляет -5 В
    • Коэффициент усиления по току (hFE), от 85 до 300
    • Обычно используются как двухтактные транзисторы класса B
    • Доступен в пакете To-92

    Примечание. Полную техническую информацию можно найти в описании транзистора S8550 , приведенном в конце этой статьи.

    Дополнительный транзистор NPN для S8550

    S8050

    S8550 Эквивалентный транзистор

    BC527, KSA708, MPS750

    Альтернативные транзисторы PNP

    BC557, 2N3906, A1015, 2SA1943, BD140

    Краткое описание транзистора S8550

    S8550 — это транзистор PNP , поэтому коллектор и эмиттер будут оставаться открытыми (с обратным смещением), когда базовый вывод удерживается на земле, и будут закрыты (с прямым смещением), когда сигнал подается на базовый вывод.Он имеет максимальное значение усиления 300; это значение определяет усилительную способность транзистора обычно S8550. Поскольку он очень высокий, его обычно используют для усиления.

    Когда этот транзистор полностью смещен, через коллектор и эмиттер может протекать максимум 700 мА. Этот этап называется областью насыщения, и типичное напряжение, допустимое на коллектор-эмиттер (VCE) или коллектор-база (VCB), может составлять 20 В и 30 В соответственно. Когда ток базы снимается, транзистор полностью отключается, этот этап называется областью отсечки.

    S8550 в двухтактной конфигурации

    Как упоминалось в характеристиках , транзистор S8550 обычно используется в двухтактной конфигурации с усилителем класса B. Итак, давайте обсудим, как это делается.

    Двухтактный усилитель, широко известный как усилитель класса B, представляет собой тип многокаскадного усилителя, обычно используемого для усиления звука в громкоговорителях. Он очень прост в конструкции и требует работы двух идентичных комплементарных транзисторов.Под дополнительным значением это означает, что нам нужен транзистор NPN и эквивалентный ему транзистор PNP. Как и здесь, NPN-транзистор будет S8050, а его эквивалентный PNP-транзистор будет S8550. Простая принципиальная схема усилителя класса B с использованием S8050 показана ниже.

    Приложения
    • Схемы усиления звука
    • Усилители класса B
    • Двухтактные Транзисторы
    • Схемы, где требуется высокий коэффициент усиления
    • Приложения с низким уровнем сигнала

    2D модель детали

    Если вы разрабатываете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, то следующий рисунок из таблицы данных S8550 будет полезен, чтобы узнать его тип корпуса и размеры.

    Распиновка транзистора

    S8550, эквивалент, применение, особенности и применение

    В этой статье описывается распиновка транзистора S8550, эквиваленты, использование, особенности, приложения, а также подробности использования его в электронной схеме или проекте.

    Характеристики / Технические характеристики:
    • Тип упаковки: TO-92
    • Тип транзистора: PNP
    • Максимальный ток коллектора (I C ): -0.7 А или -700 мА
    • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): -20 В
    • Максимальное напряжение коллектор-база (В CB ): -30 В
    • Максимальное напряжение эмиттер-база (VBE): -5 В
    • Максимальное рассеивание коллектора (шт.): 1 Вт
    • Максимальная частота перехода (fT): 100 МГц
    • Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h FE ): 40–400
    • Максимальная температура хранения и эксплуатации Должна быть: от -65 до +150 по Цельсию

    PNP Дополнительный:

    NPN Дополнительным к S8550 является S8050

    Аналог:

    Альтернативными транзисторами для S8550 являются BC528, 2N2906, BC527 и S8050, это всего лишь несколько эквивалентов, если вы их не штрафуете, есть также другие альтернативы S8550.

    S8550 Транзистор объяснено / Описание:

    Как и S8050, его альтернатива PNP S8550 также является широко используемым транзистором, это надежный недорогой транзистор с очень хорошими техническими характеристиками. Он разработан для усиления звука и других общих требований в электронных схемах, но помимо этого он также широко используется в коммерческих приборах. S8550 обладает некоторыми очень хорошими характеристиками в своем небольшом корпусе TO-92, поэтому его можно использовать во многих электронных приложениях, например, рассеиваемая мощность на выходе составляет 1 Вт, что очень хорошо для использования его для усиления аудиосигнала примерно до 1 Вт, а также во многих других стадиях усиления звука.Максимальный ток коллектора составляет -700 мА, поэтому его также можно использовать для различных применений переключения в электронных схемах. Максимальное усиление транзистора составляет 400, что также является плюсом этого транзистора.

    Где и как использовать:

    S8550 — транзистор общего назначения, поэтому вы можете использовать его на выходе схем аудиоусилителя для усиления выходного аудиосигнала до 1 Вт, например, его можно использовать в схемах электронного дверного звонка, усилителях звука mp3 и на выходе схем зуммера. и т.п.Если вы хотите использовать его в качестве переключателя, вы можете легко управлять большими реле, множеством маленьких светодиодов одновременно и одним или двумя светодиодами высокой мощности мощностью от 10 до 20 Вт, включать другую часть или приложение в электронном проекте / схеме и т. Д. Более того, он также может использоваться в качестве альтернативы или эквивалента многим другим транзисторам общего назначения, а также является идеальным транзистором для использования в ваших электронных проектах, поэтому в вашей лаборатории электроники обязательно должен быть транзистор.

    Приложения:

    Усилители класса B

    Управляющие нагрузки ниже -700 мА

    Как выключатель в электронных схемах

    Усиление сигналов с низким усилением до высокого усиления

    Выходной каскад небольших аудиопроектов и схем

    Как безопасно работать в цепи в течение длительного времени:

    Электронные компоненты очень хорошо работают в схеме в течение длительного периода времени, если все меры безопасности приняты во внимание во время проектирования и изготовления схемы, чтобы обеспечить длительную работу этого транзистора в вашем электронном приложении, рекомендуется не использовать его. в цепи выше 20 В и не увеличивайте выходную нагрузку с -700 мА, всегда используйте хороший токоограничивающий резистор на базе транзистора и не используйте его при температуре выше 150 и ниже -65.

    2 — c8550 техническое описание и примечания к применению

    C8550

    Аннотация: Маркировка транзистора C8550 C c8550 C8550C эквивалент c8550 Транзистор KTC8550 C8550 c8550 d c8550 техническое описание транзистора C8550 техническое описание
    Текст: ПОЛУПРОВОДНИК KTC8550 СПЕЦИФИКАЦИЯ МАРКИРОВКИ TO-92 УПАКОВКА 1. Метод маркировки Лазерная маркировка 2. Маркировка K 816 C8550 C № Позиция Маркировка 1 KEC K 2 № партии Описание 816 KEC CORP. Неделя 16:16 Неделя 3 C8550 KTC8550 4 98.06.23 Название устройства hFE Grade C C, D Номер редакции: 00 1/1 KEC
    Оригинал    		 PDF KTC8550 C8550 C8550 C8550 C маркировка транзистора c8550 C8550C эквивалент c8550 KTC8550 транзистор C8550 8550 г c8550 транзистор лист данных Лист данных C8550
    C8550

    Аннотация: C8550 C c8550 d транзисторы c8550 №
    Текст: • »¿Transistors C8550 USHA (INDIA) LTD 2Вт УСИЛИТЕЛЬ ПОРТАТИВНЫХ РАДИОПРИЕМНИКОВ В РАБОТЕ С ПУСКОМ КЛАССА B.• Ток коллектора lc = -1,5A • Рассеиваемая мощность коллектора PC = 2 Вт (Tc = 25 ° C) АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ (Ta = 25 ° C) Характерный символ Номинальные характеристики Единица Напряжение коллектор-база Vcbo -40 В коллектор-эмиттер Напряжение VcEO -25 В Напряжение эмиттер-база Vebo -6 В Ток коллектора lc -1,5 A Рассеиваемая мощность коллектора Pc 1 Вт Температура перехода Ti 150 ° C Температура хранения Tstg -65M50 ° C TO-92 ELECTRICAL
    Сканирование OCR    		 PDF C8550 -65M50 100 мА -800 мА -800 мА, -80 мА 800 мА, -10 мА -50 мА C8550 C8550 C 8550 г транзисторы c8550
    C8050

    Аннотация: C8550 C5250 C8050 D C9150 c2550 C8450 C6550 C8550 C C8750
    Текст: 1-582483-5 ZZO 213.36 [8.400] 84 C8.550]: 1i795co C9.250] 255 1-532433-4 200.66 C7. 90CO 79 C8
    Сканирование OCR    		 PDF AD7121 50PPER 50LLER C8050 C8550 C5250 C8050 D C9150 c2550 C8450 C6550 C8550 C C8750
    RX-2B

    Аннотация: C8050 C8550 Схема передатчика дистанционного управления 27 МГц ДЛЯ CAR silan semiconductors TX-2B LED IR для Tx, RX пары TX-2B / RX-2B LED IR для Tx, RX приемник 27 МГц RX-2b схема транзистора C8050
    Текст:, C1815, C380, C382 Q2, Q3, Q4: 5610, C8550, B772 Q5, Q6: C8050,5609, D882 Q7, Q8: B564, C8550, B772 Q9, Q10: D471
    Оригинал    		 PDF ДИП-14 ДИП-16 ДИП-14-300-2 ДИП-16-300-2 C8550 C8050 00МИН RX-2B Схема передатчика дистанционного управления 27 МГц для автомобиля силановые полупроводники TX-2B Светодиодный ИК-порт для пары Tx, RX TX-2B / RX-2B Светодиодный ИК для Tx, RX Схема приемника 27 мгц rx-2b транзистор C8050
    Принципиальная схема рации

    Аннотация: транзистор C8050 рация трансивер IC C8550 эквивалентный транзистор транзистор C8050 конфигурация контактов C8550 транзистор c8550 рация схема беспроводной рации транзистор C8550
    Текст: 5.6K 153 C8550 C8050 MICIN + RX VCC 100u 49,405 МГц 30PPM SPEAKER RX VCC
    Оригинал    		 PDF TR5100 C8550 C8050 405 МГц 30 вечера 62 МГц 30 частей на миллион 2SCE3356 100 нГн принципиальная схема рации транзистор C8050 рация трансивер IC ЭКВИВАЛЕНТ ТРАНЗИСТОРА C8550 конфигурация выводов транзистора C8050 C8550 ТРАНЗИСТОР c8550 схема рации беспроводная рация транзистор C8550
    Транзистор Д2061

    Аннотация: B1ABCF000176 C1BA00000407 r2003 ТРАНЗИСТОР c5536 C1BB00000732 B0BC7R500001 C2068 B1BACD000018 B1AACF000064
    Текст: J0JHC0000045 R8567 51 2.2K 0 R8566 56 C8563 6.3V47P R8565 2.2 R8568 47K C8550 6.3V33P
    Оригинал    		 PDF MD0604120A3 SA-VK650GCP SA-VK650GC / GN / GS / GCS / GCT-S, MD0604118C3] SC-VK650 SA-VK650 SB-VK650 SB-WVK650 0A072 F2G0J470A031 Транзистор D2061 B1ABCF000176 C1BA00000407 R2003 ТРАНЗИСТОР c5536 C1BB00000732 B0BC7R500001 C2068 B1BACD000018 B1AACF000064
    ISL9504

    Аннотация: ISL9504B PP3V42G3H M75 MLB 820-2101 c7381 c5855 C8550 N8242 ISL9504 U7500 c3334 принципиальная схема
    Текст: нет текста в файле
    Оригинал    		 PDF ISL10 ISL11 ISL9504 ISL9504B PP3V42G3H M75 MLB 820-2101 c7381 c5855 C8550 N8242 ISL9504 U7500 c3334 принципиальная схема
    ПП3В42Г3Х

    Аннотация: NVIDIA G84m Apple J8000 ISL9504 p66 Apple C4740 Apple компьютер C8050 C7103 338S0432
    Текст: нет текста в файле
    Оригинал    		 PDF MBP15 ISL10 ISL11 PP3V42G3H NVIDIA G84m яблоко J8000 ISL9504 p66 яблоко C4740 яблочный компьютер C8050 C7103 338S0432
    RTL8211E

    Аннотация: ISL6258A 88E1116R Marvell 88E1116R ISL6258 RTL8211 L6703 u9701 Q7055 MCP79-B01
    Текст: нет текста в файле
    Оригинал    		 PDF ISL10 ISL11 RTL8211E ISL6258A 88E1116R Марвелл 88E1116R ISL6258 RTL8211 L6703 u9701 Q7055 MCP79-B01
    ISL9504

    Абстракция: pg65d SH0925 U8550 DP431 U8500 j4310 c5855 PP3V42G3H U4900
    Текст: нет текста в файле
    Оригинал    		 PDF ISL10 ISL11 ISL9504 pg65d SH0925 U8550 DP431 U8500 j4310 c5855 PP3V42G3H U4900
    ISL9504

    Аннотация: j4310 BD9828 ISL9504B NVIDIA G84m RN5VD30A-F SLG2AP101 Q7080 88E8058 eng boost press sht hi 128102 03
    Текст: нет текста в файле
    Оригинал    		 PDF 03/19 / м 100 Ом 95 Ом ISL10 ISL11 ISL9504 j4310 BD9828 ISL9504B NVIDIA G84m РН5ВД30А-Ф SLG2AP101 Q7080 88E8058 eng наддува пресс sht привет 128102 03
    e3 sot363 8pin

    Аннотация: ISL9504 PP3V42G3H C8050 R5370 «перекрестная ссылка» k50 apple p66 apple M75 MLB 820-2101 NVIDIA G84m 051-7225
    Текст: нет текста в файле
    Оригинал    		 PDF 17 января 2007 г. ISL10 ISL11 e3 sot363 8pin ISL9504 PP3V42G3H C8050 R5370 «перекрестная ссылка» k50 яблоко p66 яблоко M75 MLB 820-2101 NVIDIA G84m 051-7225
    ISL9504

    Аннотация: PP3V42G3H NVIDIA G84m ISL9504BCRZ b6886 k50 apple p66 apple M75 MLB 820-2101 PP3V42 C8050 12v
    Текст: нет текста в файле
    Оригинал    		 PDF ISL10 ISL11 ISL9504 PP3V42G3H NVIDIA G84m ISL9504BCRZ b6886 k50 яблоко p66 яблоко M75 MLB 820-2101 PP3V42 C8050 12 В
    MCP79MXT-B3

    Аннотация: ISL6258A ti c3931 u9701 rtl8211 * Эталонный дизайн L6703 88E1116R C3931 FW643E CS4206A
    Текст: нет текста в файле
    Оригинал    		 PDF ISL10 ISL11 MCP79MXT-B3 ISL6258A ti c3931 u9701 rtl8211 * Эталонный дизайн L6703 88E1116R C3931 FW643E CS4206A
    TP4303F-V1.2

    Аннотация: TP4303E-V1.2 XF20259.2 Rh2034-1.2 SUN4004-4.2 BGR25-1600.2 PSB50601HL-V1.2 SLB9655TT1.2 B080EAN02.2 FHD60C4LV0.2
    Текст: нет текста в файле
    Оригинал    		 PDF 73937-XYYY 73937-XYYYLF V06-0544 DG09-0256 V03-0029 V03-1284 V04-0нет ГС-22-008. TP4303F-V1.2 TP4303E-V1.2 XF20259.2 Rh2034-1.2 SUN4004-4.2 BGR25-1600.2 PSB50601HL-V1.2 SLB9655TT1.2 B080EAN02.2 FHD60C4LV0.2
    Rh2034-1.2

    Аннотация: TP4303F-V1.2 PEF55208EV1.2 TP4303E-V1.2 PEB4266TV1.2 PEB4264T-V1.2 PEF2091NV5.2 hnc-0.2 TPS535G2.2 ThinkEngine_2
    Текст: нет текста в файле
    Сканирование OCR    		 PDF LA7155M ВЧИ-18 VCLOW-18 Rh2034-1.2 TP4303F-V1.2 PEF55208EV1.2 TP4303E-V1.2 PEB4266TV1.2 PEB4264T-V1.2 PEF2091NV5.2 hnc-0.2 TPS535G2.2 ThinkEngine_2
    7 + сегментный + дисплей + d5611 + a / b

    Резюме: Rh2034-1.2
    Текст: нет текста в файле
    Сканирование OCR    		 PDF
    Rh2034-1.2

    Аннотация: COGEMAsrl0565.2
    Текст: нет текста в файле
    Сканирование OCR    		 PDF MM1232 10 МГц 43 МГц) ОП-16Б MM1232XF) ДИП-16Б MM1232XD) 43 МГц Rh2034-1.2 COGEMAsrl0565.2
    2006 — Rh2034-1.2

    Аннотация: TP4303F-V1.2 IFL04-100RN508X203.2 ThinkEngine_2
    Текст: нет текста в файле
    Оригинал    		 PDF 5SMCJ150CA 5SMCJ150CA Rh2034-1.2 TP4303F-V1.2 IFL04-100RN508X203.2 ThinkEngine_2
    1999 — Rh2034-1.2

    Аннотация: BA7606 BA7606F XF20259.2 TP4303F-V1.2 ZS2306KE-1.2 L6278-1.2
    Текст: нет текста в файле
    Оригинал    		 PDF BA7606 BA7606F BA7606F 10 МГц, 10 МГц) 20мВП-П.BA7606 Rh2034-1.2 XF20259.2 TP4303F-V1.2 ЗС2306КЕ-1.2 L6278-1.2
    Rh2034-1.2

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: нет текста в файле
    Сканирование OCR    		 PDF
    2008-Rh2034-1.2

    Аннотация: UL E42024
    Текст: нет текста в файле
    Оригинал    		 PDF E42024 LR20812 YS-2622 YS-2216 YS-1614 YS-12 CE-800) Rh2034-1.2 UL E42024
    1998 — Rh2034-1.2

    Аннотация: c2807
    Текст: нет текста в файле
    Оригинал    		 PDF E42024 LR20812 YS-2622 YS-2216 YS-1614 YS-1210 CE-800) Rh2034-1.2 c2807
    2000 — Rh2034-1.2

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: нет текста в файле
    Оригинал    		 PDF 304-бит Rh2034-1.2
    Rh2034-1.2

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: нет текста в файле
    Сканирование OCR    		 PDF 945724м Rh2034-1.2

    c% 208550% 20 техническое описание транзистора и примечания по применению

    2001 — wavetek rms 225
    — цена: + 0 руб.

    Абстракция: DM2510 PM2525 6134a BDM35 6309r 8050 + 2D + C DM800 Meterman
    Текст: нет текста в файле
    Оригинал    		 PDF
    Нет в наличии

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: нет текста в файле
    Оригинал    		 PDF 16789ABC1DAECF 1234567869AB 67CE8 BDAEC8778 ‘ 76C123425 AE878 C425C C213C C95BDB49 6368B
    Нет в наличии

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: нет текста в файле
    Оригинал    		 PDF 16789ABC1DAECF 1234567869AB 67CE8 7C8778 76C123425 AE878 C425C # C213C C2D8E523BDA C95BDB49
    Нет в наличии

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: нет текста в файле
    Оригинал    		 PDF 16789ABC1DAECF 1234567869AB 67CE8 7C8778 и 76C123425 AE878 C425C! C-C99C * C213C C2D8E52
    Нет в наличии

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: нет текста в файле
    Оригинал    		 PDF 16789ABC1DAECF 78C76 1234567869AB 67CE8 7C8778 ‘ 76C123425 AE878 C425C C1C99C + D6C13C
    LA7220

    Аннотация: h32c
    Текст: нет текста в файле
    Сканирование OCR    		 PDF EN1409B 1409B.LA7220 LA7220 3006B-DIP16 h32c
    ТЛА-3М107

    Абстракция: TLA-6T118 KS8761 6t116 6T118 tnete2101 DM9081 BCM5201 6T119 tla-6t102
    Текст: нет текста в файле
    Оригинал    		 PDF 100Base-TX 78Q2120 10Base-T Am79C98 Am79C100 Am79C940 Am79C961 Am79C961A Am79C965 Am79C970A ТЛА-3М107 TLA-6T118 KS8761 6т116 6Т118 tnete2101 DM9081 BCM5201 6Т119 tla-6t102
    2002 — Нет в наличии

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: нет текста в файле
    Оригинал    		 PDF D-73099
    2014 — Нет в наличии

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: нет текста в файле
    Оригинал    		 PDF
    1997 — Перекрестная ссылка

    Реферат: pi74FCT16652 IDT CYPRESS CROSS REFERENCE перекрестная ссылка на полупроводник CYPRESS IDT74FCT162952 IDT CROSS IDT29FCT520 Поиск перекрестных ссылок TI IDT54FCT540
    Текст: нет текста в файле
    Оригинал    		 PDF IDT29FCT52 CY29FCT520 IDT29FCT520 QS29FCT52 QS29FCT520 CY29FCT818 CY74FCT138 IDT74FCT138 PI74FCT138 CY74FCT157 Перекрестная ссылка pi74FCT16652 ПЕРЕКРЕСТНАЯ ССЫЛКА IDT CYPRESS перекрестная ссылка на полупроводник перекрестная ссылка CYPRESS IDT74FCT162952 IDT CROSS IDT29FCT520 Поиск перекрестных ссылок TI IDT54FCT540
    R3133D

    Аннотация: SON1612-6 R3133D15EA R3133D22
    Текст: нет текста в файле
    Оригинал    		 PDF ME-R3133D-0502 R3133D СОН1612-6 R3133D10EA R3133D11EA R3133D12EA R3133D13EA R3133D14EA R3133D15EA R3133D16EA СОН1612-6 R3133D15EA R3133D22
    Нет в наличии

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: нет текста в файле
    Оригинал    		 PDF
    2011 — Нет в наличии

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: нет текста в файле
    Оригинал    		 PDF
    2004 — Нет в наличии

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: нет текста в файле
    Оригинал    		 PDF A923829
    к200a02

    Аннотация: припой СН63А СН63А
    Текст: нет текста в файле
    Оригинал    		 PDF 21-S-004 035мм.k200a02 Припой SN63A SN63A
    конденсаторы hEc

    Аннотация: 333 1 кВ 473 1 кВ конденсатор 103 3 кВ конденсатор 221 1 кВ конденсатор 472 2 кВ
    Текст: нет текста в файле
    Оригинал    		 PDF
    Нет в наличии

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: нет текста в файле
    Сканирование OCR    		 PDF 10 января 2007 г. 31MAR2000 01ИЮНЯ05 01ИЮНЯ05
    Нет в наличии

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: нет текста в файле
    Сканирование OCR    		 PDF C120638-1 025мм 050 мм 010мм 02N0V99 23 февраля 95 г. 02-N0V-99 arnp2B463 / home / amp26463 / HM / 12now / u.
    2004 — транзистор W 3 СОТ-23-5

    Аннотация: ADM6823 код 16 сот ADM6823TART-RL7 сот23-5 ADM6825 ADM6824 ADM6822 ADM6821 SOt 235
    Текст: нет текста в файле
    Оригинал    		 PDF ОТ-23 ADM6821 ADM6825 140 мс ОТ-23 ADM6821 МО-178АА ОТ-23] транзистор Вт 3 СОТ-23-5 ADM6823 код 16 сот ADM6823TART-RL7 sot23-5 ADM6825 ADM6824 ADM6822 СОт 235
    2004 — MUN5111

    Аннотация: MUN5131 MUN5130 MUN5116 MUN5115 MUN5114 MUN5113 MUN5112 MUN5111DW MUN5132
    Текст: нет текста в файле
    Оригинал    		 PDF MUN5111DW ОТ-363 SC-88) MUN5111 ОТ-363 MUN5131 MUN5130 MUN5116 MUN5115 MUN5114 MUN5113 MUN5112 MUN5132
    2009 — конденсатор walsin

    Аннотация: WALSIN 0603 керамический конденсатор walsin WALSIN 0805 конденсатор конденсатор x7r 50v 0805 walsin
    Текст: нет текста в файле
    Оригинал    		 PDF 00-T-001G конденсатор walsin WALSIN 0603 керамический конденсатор walsin WALSIN 0805 Колпачок конденсатор x7r 50v 0805 walsin
    Нет в наличии

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: нет текста в файле
    Сканирование OCR    		 PDF 025мм 050 мм 010мм
    2002 — Нет в наличии

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: нет текста в файле
    Оригинал    		 PDF D-73099
    2006 — Нет в наличии

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: нет текста в файле
    Оригинал    		 PDF CC-02-D 100ПФ
    2014 — Нет в наличии

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: нет текста в файле
    Оригинал    		 PDF

    BC546 — Усилитель на транзисторах NPN Silicon

    % PDF-1.4 % 1 0 объект > эндобдж 5 0 obj > эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > поток BroadVision, Inc.2020-08-10T13: 13: 20 + 02: 002012-06-18T12: 57: 13-07: 002020-08-10T13: 13: 20 + 02: 00application / pdf

  • BC546 — Транзисторы усилителя NPN Silicon
  • ON Semiconductor
    • Acrobat Distiller 9.5.1 (Windows) uuid: dcba616d-3d75-4053-821d-3077f7e6703auuid: c50e4739-adf8-40e9-b3a5-f5b0004621b3 конечный поток эндобдж 4 0 obj > эндобдж 6 0 obj > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 obj > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > эндобдж 14 0 объект > эндобдж 15 0 объект > эндобдж 16 0 объект > эндобдж 17 0 объект > эндобдж 18 0 объект > поток HMoF + Hzw_ * b6bǵ% SJJH) Ao.004

    аудио — Рекомендации по замене транзисторов? (и BC147A)

    Я нахожусь в США и чиню старинный немецкий интегрированный усилитель, у которого есть проблема с потрескиванием статического электричества, которую я изолировал от транзистора в секции предусилителя. Транзистор обозначен на схеме (ниже) как BC147A (технические характеристики), а фактическая часть усилителя выглядит как BC147B (технические характеристики). Обе эти винтажные европейские детали, как правило, недоступны здесь и сейчас. .(Я пытаюсь избежать использования международных почтовых отправлений во время пандемии по части NOS.)

    Я не инженер-электрик и, честно говоря, не очень разбираюсь в транзисторах, кроме их основного использования в схемах, но я хочу научиться. Поэтому я пытаюсь воспользоваться возможностью, чтобы понять, каким руководящим принципам я должен следовать, пытаясь найти транзистор на замену для детали, которую я не могу найти. (Я трачу много времени, пытаясь исправить старые аудиофайлы, поэтому время от времени они возникают.)

    В самом низу этой веб-страницы есть удобный список:

    • Используйте устройство с таким же или большим напряжением пробоя
    • Используйте устройство с равным или большим рабочим током
    • Используйте устройство с равной или большей рассеиваемой мощностью
    • Используйте устройство с равным или большим коэффициентом усиления.
    • Используйте устройство с равным или меньшим временем переключения
    • Используйте устройство с равным или меньшим током срабатывания
    • Используйте устройство с равным или меньшим обратным током

    Я пытаюсь понять, имеет ли смысл этот набор рекомендаций и насколько важна каждая из этих переменных (или как определить, насколько важна для данного устройства).Я болван в большинстве этих вещей, поэтому приношу свои извинения за то, что искал что-то более механическое, но я рад узнать, хочет ли кто-нибудь указать мне куда-нибудь, что могло бы помочь контекстуализировать части для аудиосхем

    Кто-то посоветовал мне, что RCA раньше делал кучу «универсальных» заменяющих транзисторов, и что в моем случае их часть SK3444 (техническое описание) будет подходящей. Однако он не соответствует всем правилам из приведенного выше списка, например, исходная часть, похоже, имеет несколько большее (45 В) напряжение пробоя между коллектором-эмиттером, чем заменяющая (40 В).Не все вышеперечисленные характеристики кажутся легко доступными для обеих частей.

    Спасибо за понимание.

    Книга эквивалентов транзисторов

    C8550

    Транзисторы типа SMD Транзисторы PNP H Характеристики Рассеиваемая мощность коллектора: PC = Вт Ток коллектора: IC = A Комментарий к H emcr.naoyul.site emcr.naoyul.sitetor emcr.naoyul.siter Абсолютные максимальные номинальные значения Ta = 25 ℃ Параметр Символ Номинальное значение Единица Напряжение коллектор-база VCBO V Напряжение коллектор-эмиттер VCEO V Эмиттер-база.

    необычная маркировка транзисторов «C» \ $ \ begingroup \ $ Также есть страница книги со списком распространенных транзисторов 2SCxxxx, на которых они появляются последними, но без префикса 2SC, так что я почти уверен, что японских 2SC \ $ \ endgroup \ никогда не было. $ — SX приветствует эйджистские сплетни 10 декабря 2014 г. Дополнительный транзистор NPN для S — это замена S и эквивалентный транзистор для S. Вы можете заменить S на 2SBA, KSBA, M, MPS, MPS, MPS, MPSG, MPS. , MPSG, MPS, MPSG, MPS, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW51G, S или SS · C ТРАНЗИСТОР PDF — страница 1.

    Транзисторы. C Страница 2. Это техническое описание было загружено из: Таблицы данных для электронных компонентов. предлагает 4 силовых транзистора npn c продуктами. S Datasheet (PDF) sspdf SizeK _fairchild_semi March SS 2 Вт выходной усилитель портативных радиостанций в двухтактном режиме работы класса B • Совместимость с SS • Ток коллектора: IC = A • Рассеиваемая мощность коллектора: PC = 1 Вт (TC = 25 × C ) К 1 1.

    7, 8. АМЕРИКАНСКИЙ Американский эквивалент () почти эквивалент 9. ЯПОНСКИЙ Японский эквивалент USE 01 усилитель 02 высокочастотный усилитель 03 высокочастотный усилитель высокой мощности 04 светочувствительный усилитель 05 многоканальный усилитель 06 высокомощный усилитель 07 коммутирующий усилитель 08 многократный коммутирующий усилитель 09 переключающий усилитель высокой мощности 10 переключающий транзистор 11 высокочастотное переключение.fa87f2 — доступ к электронной книге по перекрестным ссылкам на транзисторы в формате PDF.

    Транзистор — это таблица данных с перекрестными ссылками 2SC, бесплатная загрузка Cross Data Book Free. Точно сказать не могу. Google для: параметрического поиска ИЛИ параметрического поиска транзисторов. поиск по сайту и перекрестная ссылка.

    · TRANSISTOR MANUAL ETRC s GE-4 2 GE 1 GE, перечисленные как близкие эквиваленты, могут не оказаться. Ток в открытом воздухе (MADC).

    S8550 Лист данных, эквивалент, поиск по перекрестным ссылкам …

    бесплатно + транзистор + аналог + книга + скачать техническое описание, крест.Купите International Transistor Equivalents Guide (Bernard Babani Publishing Radio and Electronics Books) Майклса, Адриана (ISBN 🙂 в книжном магазине Amazon. Ежедневно низкие цены и бесплатная доставка на подходящих emcr.naoyul.sites: HR Книга: TV emcr.naoyul.site: 30/05 / TV emcr.naoyul.site kB: full: full: HR THE emcr.naoyul.siter: 26 / 02 / CD каталог за ТХО-та на HR: kB: HR: HR КНИГА: мастер-ключ для Transistor ckt emcr.naoyul.site: 14/08 / советы по неисправности транзисторов: 10 kB: na: na: T_M emcr.naoyul . сайт: 29/02 / Samsung Plasma PPMS3QX.

    · Данные о мировых эквивалентах транзисторов (A – Z) [Eca] на сайте emcr.naoyul.site * БЕСПЛАТНАЯ * доставка по соответствующим предложениям. Мировые аналоги транзисторов (A-Z) Обзоров: 6. D45C1: Транзистор общего назначения.

    MJD Кремниевый транзистор Дарлингтона PNP. Высокое усиление постоянного тока Встроенный демпферный диод на выводе EC, предназначенный для применения на поверхности (без суффикса) Прямой вывод (I-PAK, суффикс) электрически аналогичен популярному дополнению TIP к MJD Абсолютные максимальные характеристики TC = 25 ° C, если не указано иное Символ ВКБО.· Распиновка S-транзистора, эквивалент, применение, особенности и применение.

    C8550 техническое описание — ic (мА) = 1500 ;; VCBO (V) = 40 ;; VCEO (V …

    , автор: admin · Опубликовано Octo · Обновлено J. В этой статье описывается распиновка S-транзистора, эквиваленты, использование, особенности, приложения и подробности использования его в электронной схеме или проекте. Рекламные объявления. · Загрузить базу данных IC — Эквивалентный справочник тысяч компонентов Toni | Ap 4 апреля | Техническое описание, Загрузить базу данных программного обеспечения IC, датированную с информацией из базы данных о более чем полупроводниках, таких как транзисторы и интегральные схемы.

    · Обычно используются как двухтактные транзисторы класса B; Доступно в упаковке. Примечание. Полную техническую информацию можно найти в таблице данных транзистора S, приведенной в конце этой статьи.

    Дополнительный транзистор NPN для эквивалентного транзистора S S S. BC, KSA, MPS Альтернативные транзисторы PNP. BC, 2N, A Дополнительным транзистором PNP к S является S-замена и эквивалентный транзистор для S. Вы можете заменить S на 2SDA, MPS, MPSG, MPS, MPS, MPSG, MPS, MPSG, MPS, MPSW01, MPSW01A , MPSW01AG, MPSW01G, книга эквивалентов транзисторов S или SS Книга эквивалентов распределителей транзисторов Доступная книга эквивалентов транзисторов Техническое описание, книга эквивалентов транзисторов с коротким временем выполнения заказа, вы получите книгу эквивалентов транзисторов, время выполнения заказа книги эквивалентов транзисторов, книгу эквивалентов транзисторов в формате PDF, упаковку упаковка emcr.naoyul.site, мы заходим на emcr.naoyul.site!

    · Отличная книга — обещание найти альтернативные транзисторы. Хотя у всех транзисторов есть технические паспорта на линии, без такой книги поиск эквивалентов может быть очень утомительным и трудоемким.

    Меня беспокоит только качество перепечатки — я заплатил за книгу в твердом переплете — и ожидал первоклассного британского emcr.naoyul.sites: Название: emcr.naoyul.site Автор: emcr.naoyul.site Тема: PDF Datasheet Ключевые слова: emcr .naoyul.сайт, emcr.naoyul.site, PDF Datasheets.

    Чтобы покупатель электронных компонентов и инженеры могли быстрее найти замену, Hotenda Technology специально разработала механизм поиска перекрестных ссылок электронных компонентов и предоставляет: перекрестные ссылки на транзисторы, перекрестные ссылки на полупроводники, перекрестные ссылки на транзисторы, перекрестные ссылки на микросхемы, перекрестные ссылки Siemens, предохранители bussmann / siba Перекрестная ссылка / diode / texas instruments.

    PNP-транзистор средней мощности Характеристики Сильноточный Низкое напряжение насыщения Дополнение к 2SD-приложениям Регулирование напряжения Драйвер реле Общий переключатель Аудиоусилитель мощности Преобразователь постоянного тока в постоянный Описание Устройство представляет собой транзистор PNP, изготовленный с использованием планарной технологии, что позволяет создавать надежные высокопроизводительные устройства.

    Знаменитый справочник по транзисторам — это мастер-руководство по замене полупроводников Philip ECG. В содержании вы можете найти все виды спецификаций электронных компонентов и схемы ИС.

    Это одно из обязательных руководств по полупроводникам для тех, кто любит устранение неисправностей в электронике. Внутренняя схема или расположение микросхемы понятны.

    · 1-е изображение имеет маркировку a, b, c, d, все они представляют собой транзисторы с надписью ml c 38 или ml c 38, а 2-е изображение увеличено, чтобы увидеть модель самостоятельно.пожалуйста, мне нужен быстрый ответ. Вложения IMG__zip. Диоды и транзисторы (PDF 28P) В этой заметке рассматриваются следующие темы: основы физики полупроводников, диоды, модель нелинейных диодов, анализ линии нагрузки, модели диодов для больших сигналов, модель смещенных диодов, транзисторы, модель BJT для больших сигналов, анализ линий нагрузки, малые Модель сигнала и транзистор.

    Полупроводник (транзистор, диод, ИС) Перекрестная ссылка. Перекрестная ссылка IC CI Перекрестная ссылка STK CI Перекрестная ссылка TDA CI Sharp Перекрестная ссылка Hitachi Audio Перекрестная ссылка на ИС и схемы применения Перекрестная ссылка для SMD и ее эквиваленты Мы делаем все возможное, чтобы материалы на этом сайте были точными, однако мы не гарантируем или представляете, что.Лучшими эквивалентными транзисторами являются серии AF12x, которые представляют собой тот же кусок германия, но установлены в корпусе TO72.

    Это похоже на вездесущий пакет TO18 — используемый BC и подобными — но с четвертым выводом для экрана. Я процитировал цифры из сборника данных Малларда. Замена npn-транзистора на эквивалентную схему re приведет к конфигурации, показанной на рис. B. В этой конфигурации базовый ток — это входной ток, в то время как выходной ток по-прежнему равен Ic.

    Напомним из предыдущих лекций, что токи базы и коллектора связаны между собой.Бесплатная книга по эквивалентам транзисторов — бесплатно загрузите в формате PDF (PDF), текстовый файл (TXT) или прочтите бесплатно в Интернете. В условном обозначении транзистора есть стрелка на эмиттере.

    Международное руководство по эквивалентам транзисторов (Бернард Бабани …

    Если транзистор PNP, то стрелка указывает на базу транзистора, в противном случае — на выход. Вы всегда можете помнить, что стрелка указывает на букву N. Это символы: Работа транзистора Описание транзистора через гидравлическую модель.

    Справочник по транзисторам

    : бесплатная загрузка, заимствование и потоковая передача …

    Справочник по транзисторам малой мощности Motorola Motorola Inc Acrobat 7 Pdf Mb. Отсканировано artmisa с использованием планшетного ПК Canon DRC +. · Эквивалентные 2NA транзисторы: 2N (PNP), 2N (PNP), 2N (PNP), BC, S, BC, 2N, MPS, PN, KN, KTN Краткое описание 2NA: 2NA — это транзистор NPN, следовательно, коллектор и эмиттер будет оставлен открытым (смещенным в обратном направлении), когда штифт основания удерживается на земле, и будет закрыт (смещен в прямом направлении) при поступлении сигнала.

    Серия 2N, созданная RETMA, Ассоциацией производителей радиоэлектроники и телевидения, которая впоследствии стала EIA (Ассоциация электронной промышленности), была первой серией транзисторов, которые содержали устройства от многих производителей, использующих общую нумерацию emcr.naoyul.site. уже много лет и содержит тысячи типов.

    Diode, Transistor and FET Circuits Manual — это руководство по схемам, основанным на дискретных полупроводниковых компонентах, таких как диоды, транзисторы и полевые транзисторы.В книгу также включены схемы и практические схемы. В книге описаны основные и специальные характеристики диодов, схемы тепловых выпрямителей, трансформаторы, конденсаторы фильтров и выпрямители. Официальный сайт Inc. Устаревшие аналоги транзисторов.

    Перекрестные ссылки Электронные схемы ТВ-схемы Аудио. Транзисторный Wiki-гид IGN. 2N Транзисторы общего назначения Farnell Element Transistor science Com. Транзисторные аналоги на замену на современные. Биполярный эквивалент книжного транзистора.

    C8550 Транзисторный эквивалент. Книга эквивалентов транзисторов Pdf Скачать бесплатно

    Bipolar. Биполярные переходные транзисторы Используя более точную эквивалентную схему для BJT, мы получаем, 1 k 1 k 1 k 1 k B pnp B 5 VEC 10 V 5 VEC 10 V I3 I1 I2 I3 I1 I2 I1 R Теперь мы получаем, 1 R2 R1 R2 I1 = 5V V R1 = mA (как и раньше), I2 = I1 B. · Все книги по замене, которые я видел, были крайне ненадежны. Вам гораздо лучше понять спецификации, особенно те, которые представляют особый интерес для вашего приложения, и использовать книгу или таблицу спецификаций, чтобы найти подходящую замену, или опубликовать на таких сайтах, как AAC, для помощи в выборе.

    S S Транзисторы Эквивалент J3Y SOT23 D PNP TO 92 NPN C SS SS C BR Транзистор. US $ / шт. 5 шт. (Минимальный заказ) 1 YR. Шэньчжэнь Maoxing Weiye Technology Co., Ltd. (63)% «Служба поддержки клиентов» (7. · Добавлена ​​дата Coverleaf 0 Идентификатор TransistorHandbook Identifier-ark: // t03zx Ocr ABBYY FineReader Ppi Scanner Internet. Категория детали: Транзисторы Производитель: Fairchild Semiconductor Описание : Малосигнальный биполярный транзистор, AI (C), 1-элементный, NPN, кремний, для поиска эквивалентных деталей.

    · Несколько лет назад были книги по эквивалентам транзисторов. Сегодня есть веб-страница. Но все это некое представление о том, что такое эквивалент. Я иду в любое хорошее место, где продаются транзисторы. (emcr.naoyul.site emcr.naoyul.site и т.д.) У них есть поисковик по транзисторам. У большинства есть способ сказать, что мне нужен такой транзистор. Транзистор (PNP) SMD Характеристики транзистора общего назначения (PNP) • Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор PNP для коммутации и применения в усилителе Механические данные Корпус: SOT, Клеммы в пластиковом корпусе: под пайку в соответствии с MIL-STDG, Вес метода: грамм Информация о маркировке BCA BCB BCA BCB BCC BCA BCB BCC.

    Как транзистор действует как переключатель? Функция — напряжение течет через транзистор определенным образом, в зависимости от того, как полупроводниковый материал легирован и имеет слои. Наиболее распространенный способ использования этой функции — сигнализация ВКЛ или ВЫКЛ, 1 или 0.

    Мощность либо течет, либо нет. Исходя из этого, ваша электронная система знает, есть ли.

    Книжная ярмарка в Ченнаи 2013 Placentia

    Джанет ли, живущая в двух словах, книга Книга укромного уголка Магазины подержанных книг в манчестере nh
    Книга взлет и падение цивилизаций в мезопотамии Instructables America 2020 книга Обзоры body book cameron diaz
    Золотое сечение в артбуке Massimo Candiani книга джунглей маугли Тридцатилетняя война Книга II резюме к резюме

    Основы биполярных транзисторов В.Диод.

    S8550 Транзистор pnp, дополнительный npn, замена …

    В обучающих материалах мы видели, что простые диоды состоят из двух частей полупроводникового материала, кремния или германия, которые образуют простой PN-переход, и мы также узнали об их свойствах и характеристиках . Книги по транзисторным эквивалентам, бесплатные книги по транзисторным эквивалентам, загрузка программного обеспечения, страница 2. Абрахам Сингх очень хорошо ответил на этот вопрос.

    Если вам нужна дополнительная информация, ниже приведены их спецификации.1. SL, slpdf таблица данных в формате PDF. СПЕЦИФИКАЦИЯ НА ВСЕ ТРАНЗИСТОРЫ. СИЛОВЫЙ МОП-транзистор, IGBT, IC, БАЗА ДАННЫХ TRIACS. Электронное питание. КАТАЛОГ ИННОВАЦИЙ. emcr.naoyul.site предлагает продукцию транзисторов D. Около 0% из них — транзисторы, 0% — интегральные схемы. Вам доступны самые разные варианты транзисторов d, например, торговая марка.

    .

    Похожие записи

    21.11.2024 0

    Особенности питания кормящей мамы: что можно и нельзя есть при грудном вскармливании

    19.11.2024 0

    Новорожденный какает слизью: причины появления слизи в кале грудничка

    19.11.2024 0

    Гемангиома у новорожденных: причины, виды, лечение и профилактика

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *