Кд204А характеристики: Диод КД204 — DataSheet

Содержание

Диод КД204 — DataSheet

Корпус диода КД204

 

Описание

Диоды кремниевые, диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 50 кГц. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 6 г, с комплектующими деталями не более 7,5 г.

При любых условиях эксплуатации температура корпуса диода не должна превышать +130°С. В качестве теплоотвода рекомендуется использовать черненый дюралюминий толщиной 2…2,5 мм и площадью 50 см2 на один диод. Допускаются однократные перегрузки по прямому току до 10Iпр, в течение 10 мкс.

 

Параметры диода КД204
ПараметрОбозначениеМаркировкаЗначениеЕд.
изм.
АналогиКД204Б1N531
КД204В1N1251
Максимальное постоянное обратное напряжение.Uo6p max, Uo6p и maxКД204А400*В
КД204Б200*
КД204В50*
Максимальный постоянный прямой ток.Iпp max, Iпp ср max, I*пp и maxКД204А400мА
КД204Б600
КД204В
1000
Максимальная рабочая частота диодаfд maxКД204А1кГц
КД204Б1
КД204В1
Постоянное прямое напряжениеUпр не более (при Iпр, мА)КД204А1. 4 (600)В
КД204Б1.4 (600)
КД204В1.4 (600)
Постоянный обратный токIобр не более (при Uобр, В)КД204А
150 (400)мкА
КД204Б100 (200)
КД204В50 (50)
Время обратного восстановления — время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента достижения обратным током заданного значенияtвос, обрКД204А1.5мкс
КД204Б1. 5
КД204В1.5
Общая емкостьСд (при Uобр, В)КД204А
пФ
КД204Б
КД204В

Описание значений со звездочками(*) смотрите в буквенных обозначениях параметров диодов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

2Д204А, 2Д204Б, 2Д204В, КД204А, КД204Б, КД204В

Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.

Диоды кремниевые диффузионные: 2Д204А, 2Д204Б, 2Д204В, КД204А, КД204Б, КД204В. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 50 кГц в постоянное. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.

Масса диода не более 7,5 грамма.

Чертёж диода 2Д204А, 2Д204Б, 2Д204В, КД204А, КД204Б, КД204В

Электрические параметры.

Постоянное прямое напряжение при Iпр=600 мА, не более
при 24,85°С 1,4 В
при -60,15°С 1,6 В
Постоянный обратный ток при Uобр=Uобр, макс, не более
от -60,15 до 24,85°С
2Д204А, КД204А 150 мкА
2Д204Б, КД204Б 100 мкА
2Д204В, КД204В 50 мкА
при 84,85°С для КД204А, КД204Б, КД204В и 124,85°С для 2Д204А, 2Д204Б, 2Д204В
2Д204А, КД204А 2000 мкА
2Д204Б, КД204Б 1000 мкА
2Д204В, КД204В 500 мкА
Время восстановления обратного сопротивления при U
обр. и
=30 В, Iпр. и=1 А, не более
1,5 мкс

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное и импульсное обратное напряжение
2Д204А, КД204А 400 В
2Д204Б, КД204Б 200 В
2Д204В, КД204В 50 В
Средний прямой ток при ƒ=50 Гц
2Д204А, КД204А 400 мА
2Д204Б, КД204Б 600 мА
2Д204В, КД204В 1000 мА
при ƒ=50 кГц
2Д204А, КД204А 300 мА
2Д204Б, КД204Б
600 мА
2Д204В, КД204В 1000 мА
Прямой ток перегрузки в течение 10 мкс 10 Iпр. ср.макс
Импульсный прямой ток при τφ≥1 мкс 2 Iпр.ср.макс
Частота питающего напряжения при τφ≥1 мкс 50 кГц
Температура корпуса
минимальная -60,15°С
максимальная 84,85°С
2Д204А, 2Д204Б, 2Д204В 124,85°С
КД204А, КД204Б, КД204В 84,85°С

Примечание. Допускается параллельное и последовательное включение диодов. При параллельном соединении должна отсутствовать перегрузка по прямому току. При последовательном включении каждый диод должен быть зашунтирован шунтом, обеспечивающим отсутствие перегрузки по напряжению.

Зависимость допустимого прямого тока от частоты

Зависимость допустимого прямого тока от частоты.

Зависимость общей ёмкости от напряжения

Зависимость общей ёмкости от напряжения.


Диод КД204А

Справочник количества содержания ценных металлов в диоде КД204А согласно паспорта на изделие и информационной литературы. Указано точное значение драгоценных металлов в граммах (Золото, серебро, платина, палладий и другие) на единицу изделия.

Содержание драгоценных металлов в диоде КД204А

Золото: 3,41E-04 грамм.
Серебро: 0,041673 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий: 0 грамм.

Источник информации

: Производитель – Россия Из справочника Связьоценка.

Фото диода КД204А:

Панель ламповая виды

Диод — электронный элемент, обладающий различной проводимостью в зависимости от направления электрического поля. Электрод диода, подключаемый к положительному полюсу источника тока, когда диод открыт (то есть имеет маленькое сопротивление), называют анодом, подключаемый к отрицательному полюсу — катодом.

О комплектующем изделии – Диод

Диод – видео.

Диод это полупроводниковый прибор основанный на PN-переходе. А если без теории, то диод в одном направлении пропускает ток, а в другом нет. Вот и все.

Как работает диод – видео.

В этом выпуске вы узнаете: что такое диод, принцип действия диода, как работает диод, что такое p – n переход; что такое прямой ток диода, что такое обратный ток диода; каково внутреннее сопротивление диода; что такое вольт- амперная характеристика диода; что такое пропускное и не пропускное напряжение диода; как работает диод в цепи постоянного тока, как работает диод в цепи переменного тока; как устроен плоскостной диод; какие существуют виды диодов; как устроен выпрямительный диод.

Характеристики диодов КД204А:

Купить или продать а также цены на Диод КД204А:

Оставьте отзыв о КД204А:

Выпрямительные диоды серии КД2хх

Выпрямительные диоды серии КД2хх

ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ серии КД2хх

87 типономиналов на 8-май-2021

Предприятия, отмеченные таким цветом, прекратили свое существование.

Подробная информация о производителях — в ПУТЕВОДИТЕЛе и о корпусах — здесь
типаналогUобр, ВIпр, Аfmax, кГцUпр, Вtвос, мкскорпуспроизводительподробности
КД204А 4000.450   ТОР#
КД206В 6001011.510 ОРБИТА#
КД208А 1001. 511 КД7БАРИОН#
КД209В 8000.511  БАРИОН#
КД210В1 10001011 КТ28СТАРТ 
КД212А 200110010.05КД16ФОТОН#
КД213А 100101001.20.17КД23ФОТОН#
КД215Б 600110   ТОР#
КД216Б 200101001.4   #
КД217Б 20031001. 3   #
КД218 100101001.5  ФОТОН 
КД219В 30102000.55  ТОР# диод Шоттки
КД220Г 10003501.30.5 ТОР#
КД221Г 6000.3501.41.5КД7ФОТОН#
2Д222ВС 4032000.6 4116.4-3ТОР, ЭЛТОМ# пара ОК Шоттки
КД223А 20021.51.4  БФТЗПП#
КД225ВС 3532000. 6   # пара
КД226Д 8002501.30.25 ТОР#
КД227Ж 8001011.6 КТ28-2СТАРТ#
КД227ЖС 800511.6 КТ28-2СТАРТпара
КД228А 10011001.1  ФОТОН 
КД229ВС 3532000.6   # пара
КД230Г 10003201.50.5 ТОР#
КД231Г 2501020010. 1 ТОР#
КД232В 25102000.7  ТОР#
КД234В 4003501.50.4 ТОР#
КД235А 4012000.9  ДНЕПР#
КД236Б 80011001.50.15КД7БФОТОН#
КД237А2/ПМ 20013001.350.05нестан.ПУЛЬСАР 
КД237Б 20013001.30.05КД14АБзПП, ФОТОН# АЕЯР.432120.437ТУ
КД238ВС 457. 52000.65 КТ28ЭЛЕКТРОНИКАдиод Шоттки
КД239В 200205001.40.05КТ28ФОТОН 
КД243Ж 1000111.1  ТОР 
КД244Г 200102001.30.035КТ28-1ФОТОН 
КД245А 400102001.40.07КД23ФОТОН 
КД247Г 60011501.30.15КД4БТОР 
КД248А 100031001.40. 25КД16ФОТОН 
КД249А 403 0.48 КД7Е диод Шоттки
КД251Е 100102001  ТОР 
КД253А 80031001.50.22КД16ФОТОН 
КД255А5       ТОР 
КД257Д 10001.5150   ТОР 
КД265А 10001 1.50.2 ФОТОН 
КД266А 2000. 5 1.40.1 ФОТОН 
КД267А 100010 1.70.1 ФОТОН 
КД268A30WQ03F      ЭЛЕКТРОНИКА 
КД268Л1 40032001.10.05КТ28ЭЛЕКТРОНИКАдиод Шоттки
КД268Е|ЕС 2006 | 2х3 1.0 КТ28-1 | КТ28-2ВЗПП-САДБК.432120.380ТУ
КД269Е|ЕС|ЕС91 20010 | 2х5 1.0 КТ28-1 | КТ28-2 | КТ90ВЗПП-САДБК.432120.381ТУ
КД270Е | ЕС 20015 | 2х7,5 1,0 КТ28-1 | КТ28-2ВЗПП-САДБК. 432120.382ТУ
КД271Е|ЕС|ЕС91 20020 | 2х10 1.0 КТ28-1 | КТ28-2 | КТ90ВЗПП-САДБК.432120.383ТУ
КД272Е|ЕС|ЕС91 20030 | 2х15 1.2 КТ28-1 | КТ28-2 | КТ90ВЗПП-САДБК.432120.384ТУ
КД273Е|ЕС|ЕС91 20040 | 2х20 1.15 КТ28-1 | КТ28-2 | КТ90ВЗПП-САДБК.432120.385ТУ
КД275Е 8002.2 1.40.25капD=7ФОТОН 
КД278АС       ТОР 
2Д288ДС 200105001. 0 КТ-28-2ЭЛТОМпара ОК Шоттки
КД289Е|ЕС 2001 | 2х1 1.0 КТ28-1 | КТ28-2ВЗПП-САДБК.432120.714ТУ
КД290Е|ЕС 2004 | 2х2 1.0 КТ28-1 | КТ28-2ВЗПП-САДБК.432120.715ТУ
КД296К5KQ1001005.0 0.79 КТ28-1 диод Шоттки
КД297ВС|91MBR(B)151001002×7.5 0.85 КТ28-2|КТ90ТРАНЗИСТОРпара ОК Шоттки
КД298ВС 1002×5 0.8 КТ28-2/КТ90ТРАНЗИСТОРпара ОК Шоттки
КД2117В-5 1200100 2. 50.2б/кСИТ 
2Д2136АС 6005 1.2 б/кКРЕМНИЙмост АЕЯР.432120.479ТУ
2Д2137АС 10005 1.5 б/кКРЕМНИЙ3ф.мост АЕЯР.432120.479ТУ
2Д2138АС9 2000,1 1.9 КТ48ПЛАНЕТАдиод+стабилитрон
КД2149Б9 2001 0.95124601.3-1КРЕМНИЙfast диод ЮФ3.438.070-04ТУГК
2Д2160А9 3001 1.01КТ47ПЛАНЕТА 
2Д2187А|А19 12005 1. 0 КТ28А-2,02 | КТ28-1КРЕМНИЙ 
2Д2946АС 60030 1.4  КРЕМНИЙмост АЕЯР.432120.480ТУ
2Д2947АС 100030 1.7  КРЕМНИЙмост АЕЯР.432120.480ТУ
КД2957В60EPS12120060 1.1 КТ43-1  
КД2958В40EPS12120040 1.1 КТ43-1  
КД2959В 120030 1.15 КТ43-1  
КД2960В20ETS12120020 1. 1 КТ28-1  
КД2961Г 160010 1.1 КТ28-1  
КД2970АMBR1010010010 0.6 КТ28-1ТРАНЗИСТОРдиод Шоттки
КД2972Б2 5035   КТ28-1ТРАНЗИСТОРтрансил
КД2990А 400202001.40.15КД23ФОТОН#
КД2991А 45602000.8  ТОРдиод Шоттки
КД2992АSF3042003010010.1КД23ФОТОН, ПУЛЬСАР 
КД2993А 2002010010. 2КД23ФОТОН 
КД2994А 1002020010.2КТ28ФОТОН#
КД2995Д 200302001.10.05 ТОР#
КД2997А 2003010010.2КД23ФОТОН#
КД2998Д 30302000.6  ТОР# диод Шоттки
КД2999А 2002010010.2КД23ФОТОН#
    Пояснения:
  • Диоды отмеченные «#» описаны в справочнике: Диоды; Радио и Связь, М.,1990 /МРБ1158/
  • Буквенный суффикс соответствует, как правило, максимальному обратному напряжению.

ДИОДЫ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ЕДИНИЧНЫЕ д242

Основные параметры:

Uобр. макс. — Максимально-допустимое постоянное обратное напряжение
Iпр. макс — Максимально-допустимый постоянный прямой ток tвосст. — Время восстановления
Iобр. — Постоянный обратный ток при Uобр. = Uобр.макс.
Fраб. макс. — Максимальная рабочая частота

Наименование

Iпр.макс., А

Uобр.макс., В

Iобр., мкА

Fраб.макс., кГц

КД102А

КД102Б

2Д102А

2Д102Б

0,1

250-300

0,1

4

КД104А

0,01

500

3

20

Д9Б-К

0,04

10-50

5

40000

КД103А

КД103Б

 2Д103А

2Д103Б

0,1

50

0,4

20

КД128А

0,16

50

0,01

КД209А

0,7

400

100

1

КД209Б

0,5

600

100

1

КД209В

800

КД209Г

КД105Б

КД105В

КД105Г

КД105Д

0,3

400-800

100

1

КД106А

2Д106А

0,3

100

10

30

Д226Б

0,3

300

50

16

Д237Б-Е

0,3

400

50

КД204А

КД204Б

КД204В

 2Д204А

2Д204Б

2Д204В

0,4-1,0

50-400

700

1

КД221А

КД221Б

КД221В

0,5

100-400

50-100

50

КД212А

КД212Б

КД212В

КД212Г

2Д212А

2Д212Б

2Д212В

2Д212Г

1

100-200

50-100

100

КД243Б

КД243В

КД243Г

КД243Д

КД243Ж

1

100-1000

10

1

КД208А

1,5

100

50

1

КД258А

КД258Б

КД258В

КД258Г

КД258Д

1,5

200-1000

150

КД226А

КД226Б

КД226В

КД226Г

КД226Д

2

100-800

50

50

КД257В

КД257Г

КД257Д

3

600-1000

150

КД202В

КД202К

КД202Д

КД202Р

КД202Ж

2Д202В

2Д202К

2Д202Д

2Д202Р

5

50-800

800

1,2

КД213А

КД213Б

КД213В

2Д213А

2Д213Б

2Д213В

10

100-200

200

100

2Д201А

2Д201Б

2Д201В

2Д201Г

5,0-10,0

100-200

3

1,1

КД203А

КД203Б

КД203В

КД203Г

КД203Д

  2Д203А

2Д203Б

2Д203В

2Д203Г

2Д203Д

5,0-10,0

420-700

1500

1

Д242

Д243

Д244

Д245

Д246

Д247

Д248

5,0-10,0

100-600

3000

1,1

Наименование

Iпр. макс., А

Uобр.макс., В

tвосст., нс

Корпус

BAS16

0,215

75

6

SOT23

BAT18

0,1

35

SOT23

BAS19

0,2

100

50

SOT23

BAS21

0,2

250

50

SOT23

BAS32

0,2

75

DO-213AA

BAS216

0,25

75

SOD110

BAS221

0,25

200

SOD110

BAV21

0,25

200

DO-35

GSM1M

1

1000

2500

DO2-14AC

BYV95C

2

600

250

SOD57

BY228

3

1300

SOD64

BY251

3

200

DO-201AD

BY252

3

400

DO-201AD

BY255

3

1300

DO-201AD

BY399

3

800

500

DO-201AD

BYW95C

3,7

600

250

SOD64

BYW96E

3,7

1000

300

SOD64

BY229X-400*

8

400

135

TO-220AC

*Корпус изолированный

ФГОУ СПО «Уральский радиотехнический колледж им.

А. С. Попова» Протокол Колесников Д. В. Председатель Е. С. Кравченко 2009

ПРАКТИЧЕСКАЯ РАБОТА 1

ПРАКТИЧЕСКАЯ РАБОТА 1 Тема: Работа с полупроводниковыми ми Рабочее место: аудитория. Время проведения занятия: 80мин Цель: Научиться работать с полупроводниковыми ми, определять их маркировку по справочным

Подробнее

Соответствует рабочей программе

Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение среднего профессионального образования Уральский радиотехнический колледж им. А. С. Попова ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА

Подробнее

Полупроводниковые приборы

Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Волгоградский государственный технический университет (ВолгГТУ) Кафедра «Электротехника»

Подробнее

Контрольная работа рейтинг 1

Контрольная работа рейтинг 1 ЗАДАНИЕ 1 1. Дать определение потенциального барьера n-p перехода, от чего зависит его величина и толщина перехода. Их влияние на параметры диода. 2. Определить внутреннее

Подробнее

Содержание. Предисловие… 8

Предисловие… 8 Глава 1. Элементы электронной техники… 9 1.1. Нелинейное сопротивление… 9 1.1.1. Общее описание… 9 1.1.2. Режим большого сигнала… 11 1.1.2.1. Графическое определение рабочей точки

Подробнее

Д808, Д808А, Д809, Д809А, Д810, Д810А, Д811, Д811А, Д813

, А,, А,, А,, А, Стабилитроны кремниевые сплавные малой мощности. Предназначены для стабилизации напряжения 7…14 В в диапазоне токов стабилизации 3…33 ма. Выпускаются в металлостеклянном герметизированном

Подробнее

Пример решения задачи 1.

Введение Методические указания предназначены для студентов-заочников электрических и неэлектрических специальностей при изучении электроники по курсу «ЭОЭиМПТ», часть 2. Требования к контрольной работе:

Подробнее

КОНСПЕКТ ЛЕКЦИЙ. Ведущий лектор: Воронеж

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПЕДАГОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Кафедра ИНФОРМАТИКИ И МЕТОДИКИ

Подробнее

2 Т909(А,Б), КТ909(А-Г)

2Т909А, 2Т909Б, КТ909А, КТ909Б, КТ909В, КТ909Г Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах

Подробнее

ИЗОб(А-Г). К И Ш А -Л )

2Т306А, 2Т306Б, 2Т306В, 2Т306Г, КТ306А, КТ306Б, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д, КТ306АМ, КТ306БМ, КТ306ВМ, КТ306ГМ, КТ306ДМ Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры переключательные и усилительные

Подробнее

Защита блока питания от перегрузки.

Защита блока питания от перегрузки. (с изменениями) Рассмотрим изначальную схему, показанную на Рис. 1. И возьмем для примера в качестве VT1 транзистор ГТ404Д. Согласно справочным данным статический коэффициент

Подробнее

Экзаменационный билет 1

Теоретические вопросы к контролю знаний по дисциплине «Электроника» Вопросы в виде билетов (билеты 1-27 для ЗФО; билеты 1-30 для ОФО) Экзаменационный билет 1 1. Схемы ТЛЭС (транзисторной логики с эмиттерными

Подробнее

ДЕПАРТАМЕНТ ОБРАЗОВАНИЯ ГОРОДА МОСКВЫ ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ. 1.Основные параметры полупроводниковых диодов: напряжение, ток, мощность.

1 1.Основные параметры полупроводниковых диодов: напряжение, ток, мощность. 2.Цифровые сигнальные процессоры, применение..(ок 2,ОК4,ОК5,ОК6,ПК 1.1-1.3,ПК2.3, ПК 3.1, ПК3.2). 3. Х1 Ֆ Y Написать таблицу

Подробнее

КС162А, КС168В, КС170А, КС175А, КС182А, КС191А, КС210Б, КС213Б

ФГУП «Саранский завод точных приборов» 430003, Россия, Республика Мордовия, г. Саранск, ул. Рабочая, 111, т./ф.(8-8342) 24-24-90, 24-43-86 E-mail: [email protected], [email protected] КС162А, КС168В, КС170А,

Подробнее

к т в ш и п ) 2Т819М-В2). КТ819(А-Г)

2Т89А, 2Т89Б, 2Т89В, 2Т89А2, 2Т89Б2, 2Т89В2, КТ89А, КТ89Б, КТ89В, КТ89Г, КТ89АМ, КТ89БМ, КТ89ВМ, КТ89ГМ, КТ89А, КТ89Б, КТ89В, КТ89Г Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры п-р-п переключательные.

Подробнее

«Электротехника и электроника»

Министерство общего и профессионального образования Свердловской области ГАОУ СПО СО «ЕКАТЕРИНБУРГСКИЙ КОЛЛЕДЖ ТРАНСПОРТНОГО СТРОИТЕЛЬСТВА» 5. КОМПЛЕКТ «КОНТРОЛЬНО-ОЦЕНОЧНЫЕ СРЕДСТВА» по учебной дисциплине

Подробнее

2Т368А, 2Т368Б, 2Т368А9, 2Т388Б9, КТ368А, КТ368Б, КТ368АМ, КТ368БМ, КТ368А9, КТ368Б9, КТ388А-5

2Т368А, 2Т368Б, 2Т368А9, 2Т388Б9, КТ368А, КТ368Б, КТ368АМ, КТ368БМ, КТ368А9, КТ368Б9, КТ388А-5 Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п усилительные. Предназначены для использования

Подробнее

ООО компания «Электроника и связь» тел. (473) ,

2Т818Б2, 2Т818В2, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ, КТ818А1, КТ818Б1, КТ818В1, К7818Г1 Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры р-п-р переключательные. Предназначены для применения

Подробнее

Лекция 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

21 Лекция 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ План 1. Устройство и принцип действия биполярного транзистора 3. Вольт-амперные характеристики биполярных транзисторов 3. Мощные биполярные транзисторы 4. Выводы 1. Устройство

Подробнее

Учебно-методическое пособие

Автономное образовательное учреждение среднего профессионального образования Удмуртской Республики «Ижевский промышленно-экономический колледж» Учебно-методическое пособие ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА

Подробнее

Исследование режимов работы ГВВ

Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение среднего профессионального образования Уральский радиотехнический техникум им. А. С. Попова РАДИОПЕРЕДАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА

Подробнее

Рис. 2 Модуль «Транзисторы»

Глава 2 Исследование полевого и биполярного транзисторов Цель проведения работ Знание устройств, изучение характеристик и параметров электронных полупроводниковых приборов: полевых и биполярных транзисторов.

Подробнее

варикапы, стабилитроны и др.

2.1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ Полупроводниковыми диодами называют полупроводниковые приборы с одним электрическим переходом и двумя выводами. Они применяются для выпрямления переменного тока, детектирования

Подробнее

Лекция 9 СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ

84 Лекция 9 СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ План 1. Введение 2. Параметрические стабилизаторы 3. Компенсационные стабилизаторы 4. Интегральные стабилизаторы напряжения 5. Выводы 1. Введение Для работы электронных

Подробнее

Эпектрмческме параметры

1Т320А, 1Т3206, 1Т320В, ГТ320А, ГТ3206, ГТ320В Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные структуры р-п-р переключательные. Предназначены для применеv ния в усилителях высоком частоты и переключающих

Подробнее

РАБОЧАЯ ПРОГРАММА УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ

РЫЛЬСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ КОЛЛЕДЖ ФИЛИАЛ ФЕДЕРАЛЬНОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО БЮДЖЕТНОГО ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО УЧРЕЖДЕНИЯ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ГРАЖДАНСКОЙ

Подробнее

Порядок выполнения задания

Целью лабораторной работы является закрепление теоретических знаний о физических принципах работы и определяемых ими характеристиках и параметрах полупроводниковых стабилитронов путем их экспериментального

Подробнее

Кремневый стабилитрон

Кремневый стабилитрон Полупроводниковые стабилитроны составляют особую группу полупроводниковых диодов, отличительной особенностью которых является то, что они работают в области обратного пробоя p-n перехода

Подробнее

Лабораторная работа 3

Лабораторная работа 3 Определение статических — параметров биполярных транзисторов по характеристикам Цель работы: Научиться работать со справочными материалами и определять статические параметры транзистора

Подробнее

Дисциплина «Твердотельная электроника»

Дисциплина «Твердотельная электроника» ТЕМА 3: «Полупроводниковые диоды» Легостаев Николай Степанович, профессор кафедры «Промышленная электроника» Классификация диодов. Полупроводниковым диодом называют

Подробнее

2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В, 2Т827А-5, КТ827А, КТ827Б, КТ827В

2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В, 2Т827А-5, КТ827А, КТ827Б, КТ827В Транзисторы кремниевые эпитаксиальные мезапланарные составные структуры п-р-п усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты,

Подробнее

Задания для индивидуальной работы

Министерство науки и образования РФ САМАРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АЭРОКОСМИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ АКАДЕМИКА С.П. КОРОЛЕВА Кафедра «Радиотехнические устройства» Задания для индивидуальной работы Методические

Подробнее

2Т9]7(А-2, Б-2). КТ937(А-2, Б-2)

2Т937А-2, 2Т937Б-2, 2Т937А-5, КТ937А-2, КТ937Б 2 Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах в диапазоне частот

Подробнее

ОБЩАЯ ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ГРАЖДАНСКОЙ АВИАЦИИ С. Г. Камзолова ОБЩАЯ ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА Пособие по выполнению контрольных домашних заданий для студентов II курса специальности

Подробнее

Исследование биполярного транзистора

ГУАП ОТЧЕТ ЗАЩИЩЕН С ОЦЕНКОЙ ПРЕПОДАВАТЕЛЬ должность, уч. степень, звание подпись, дата инициалы, фамилия ОТЧЕТ О ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ Исследование биполярного транзистора по курсу: ЭЛЕКТРОНИКА РАБОТУ ВЫПОЛНИЛ

Подробнее

1. Назначение и устройство выпрямителей

Тема 16. Выпрямители 1. Назначение и устройство выпрямителей Выпрямители это устройства, служащие для преобразования переменного тока в постоянный. На рис. 1 представлена структурная схема выпрямителя,

Подробнее

ПРОМЫШЛЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

Некоммерческое акционерное общество АЛМАТИНСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ЭНЕРГЕТИКИ И СВЯЗИ Кафедра электроники ПРОМЫШЛЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА Методические указания и задания по выполнению расчетно-графических работ для

Подробнее

ОП.

07 ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ ТУЛЬСКОЙ ОБЛАСТИ Государственное профессиональное образовательное учреждение Тульской области «Тульский государственный машиностроительный колледж имени Никиты Демидова» РАССМОТРЕНА

Подробнее

2Т3115А 2, 2Т3115Б-2, 2Т3115А-6, КТ3115А-2, КТ3115В 2, КТ3115Г-2, КТ3115Д-2

2Т3115А 2, 2Т3115Б-2, 2Т3115А-, КТ3115А-2, КТ3115В 2, КТ3115Г-2, КТ3115Д-2 Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п усилительные с нормированным коэффициентом шума. Предназначен для

Подробнее

ТКЕ* 1000 (U) КВ101А / (0.8/10) 1/4 4 68

Тип диода Cв /Uоб пф / В Kс(UU2) (В) ТКЕ* 000 (U) Q( U/F ) ( В/МГц) [пф/мгц] Iо/Uо мка/в КВ0А 60240/0.8.2 2(0.8/0) /4 4 68 Uом В Корпус КВ02А КВ02Б КВ02В КВ02Г КВ02Д 2В02Е 2В02Ж 423 /4 9 /4 40 /4 9 /4

Подробнее

2Т8621Б-Г), КТ86ЯБ-Г)

2Т862А, 2Т862Б, 2Т862В, 2Т862Г, КТ862Б, КТ862В, КТ862Г Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п переключательные. Предназначены для применения в схемах импульсных модуляторов, вторичных

Подробнее

) j 1 и j з — j 2 — j2 — j 2. V2. j2 —

ТИРИСТОРЫ ПЛАН 1. Общие сведения: классификация, маркировка, УГО. 2. Динистор: устройство, принцип работы, ВАХ, параметры и применение. 3. Тринистор. 4. Симистор. Тиристор — это полупроводниковый прибор

Подробнее

Выпрямительные диоды — Студопедия

В выпрямительных диодах используется вентельное свойство электронно-дырочного перехода, т.е. при прямом напряжении сопротивление р-n-перехода мало, а при обратном напряжении – велико.

Широко распространены низкочастот­ные выпрямительные диоды, предназна­ченные для выпрямления переменного тока с частотой до единиц килогерц (иногда до 50 кГц). Эти диоды приме­няются в выпрямительных устройствах для питания различной аппаратуры. Низкочастотные диоды являются плоскостными и изготовляются из гер­мания или кремния . Они предназначены для выпрямления переменного тока с постоянным или сред­ним значением не более 10А.

Все параметры диодов обычно указываются для работы при температу­ре окружающей среды 20±5°С.

Германиевые диоды изготовляются, как правило, вплавлением индия в гер­маний n-типа. Они могут допускать плотность тока до 100 А/см2 при пря­мом напряжении до 0,8 В. Предельное обратное напряжение у них не превы­шает 400 В, а обратный ток обычно бывает не более единиц миллиампер. Рабочая температура этих диодов от – 60 до + 75 оС. Если диоды работают при температуре окру­жающей среды выше 20 °С, то необхо­димо снижать обратное напряжение. При пониженном атмосферном давлении или неудовлетворительном охлаждении воз­можен перегрев диодов. Чтобы не до­пускать его, следует снижать выпрямлен­ный ток.


Мощные германиевые диоды рабо­тают с естественным охлаждением. Они изготовляются на выпрямленный ток до 1000 А и обратное напряжение до 150 В.

Выпрямительные кремниевые диоды в последнее время получили особенно большое распространение. Они изготов­ляются вплавлением алюминия в крем­ний n-типа, а также сплава олова с фос­фором или золота с сурьмой в кремний р-типа. Применяется и диффузионный метод. По сравнению с германиевыми кремниевые диоды имеют ряд преи­муществ. Предельная плотность прямого тока у них до 200 А/см2, а предельное обратное напряжение может быть до 1000 В. Рабочая температура от –60 до +125 °С (для некоторых типов даже до +150 °С). Прямое напряжение у крем­ниевых диодов доходит до 1,5 В, т. е. несколько больше, чем у германиевых диодов. Обратный ток у кремниевых диодов значительно меньше, чем у гер­маниевых.

Для выпрямления высоких напряже­ний выпускаются кремниевые столбы в прямоугольных пластмассовых корпу­сах, залитых изолирующей смолой. Они бывают рассчитаны на ток до сотен миллиампер и обратное напряжение до нескольких киловольт. Для более удоб­ной сборки различных выпрямительных схем, например мостовых или удвоительных, служат кремниевые выпрями­тельные блоки. В них имеется несколь­ко столбов, от которых сделаны отдель­ные выводы. Мощные кремниевые дио­ды выпускаются на выпрямленный ток от 10 до 500 А и обратное напряжение от 50 до 1000 В.


В выпрямительных диодах применяются также и p-i-перехо­ды, использование которых позволяет снизить напряженность электрического поля в p-n-переходе и повысить значение обратного напряжения, при котором начинается пробой (p-i-n диоды). Для этой же цели иногда используют р+–р или n +– n переходы. Для их получения методом эпитаксии на поверхности исходного полупроводника наращивают тонкую высокоомную пленку. На ней методом вплавления или диффузии создают p-n переходы, в результате чего получается структура гипа р+–р – n или n +– n – р. В таких диодах успешно разрешаются противоречивые требова­ния, состоящие в том, что, во-первых, для получения малых обратных токов, малого падения напряжения в открытом состоянии и температурной стабильности характеристик необ­ходимо применять материал с возможно малым удельным сопротивлением; во-вторых, для получения высокого напряже­ния пробоя и малой емкости p-n перехода необходимо приме­нять полупроводник с высоким удельным сопротивлением.

Эпитаксиальные диоды обычно имеют малое падение напряжения в открытом состоянии и высокое пробивное напряжение.


Для выпрямительных диодов характерно, что они имеют малые сопротивления в проводящем состоянии и позволяют пропускать большие токи. Барьерная емкость их из-за большой площади p-n-переходов велика и достигает значений десятков пикофарад.

На рисунке 2.13 приведена вольт-амперная характеристики германиевого (а) и кремниевого (б) выпрямительных диодов малой мощности.

Здесь показано условное графическое обозначение выпрямительного диода (в). Вершина треугольника «стрелка» показывает направление прямого тока протекающего от большого потенциала «+» (анода) к меньшему потенциалу «–» (катоду).

Рисунок 2.13 — Вольт-амперная характеристики германиевого (а) и кремниевого (б) диодов

Из приведенных ВАХ видно, что для кремниевых диодов по сравнению с германиевым прямые ветви характеристик, построенных при одних и тех же температурах, смещены в право. Т.е для получения одинаковых прямых токов необходимо к кремниевым диодам прикладывать большее прямое напряжение, чем к германиевым.

При увеличении температуры прямая ветвь характеристик становится более крутой. Обратный ток в кремниевых диодах меньше, чем у германиевых.

Основными параметрами выпрямительных диодов являются:

1. Максимально допустимое обратное напряжение диода Uобр max — значение напряжения, приложенного в обратном на­правлении, которое диод может выдержать в течение длитель­ного времени без нарушения его работоспособности (десятки — тысячи В).

2. Средний выпрямленный ток диода Iвп ср — среднее за период значение выпрямленного постоянного тока, протека­ющего через диод (сотни мА — десятки А).

3. Импульсный прямой ток диода Iпри— пиковое значение импульса тока при заданной максимальной длительности, скважности и формы импульса.

4. Средний обратный ток диода Ioбр ср — среднее за период значение обратного тока (доли мкА — несколько мА).

5. Среднее прямое напряжение диода при заданном среднем значении прямого тока Uпр ср (доли В).

6. Средняя рассеиваемая мощность диода Рсрд — средняя за период мощность, рассеиваемая диодом, при протекании тока в прямом и обратном направлениях (сотни мВт—десятки и более Вт).

7. Дифференциальное сопротивление диода rдиф — отношение приращения напряжения на диоде к вызвавшему его малому приращению тока (единицы — сотни Ом).

Система параметров не допускает работу выпрямительных диодов в области электрического пробоя. Разновидностью выпрямительных диодов, допускающих в течение длительного интервала времени работу в области электрического лавинного пробоя на обратной ветви ВАХ,являются лавинные диоды. Эта особенность лавинных диодов позволяет эффективно применять их в качестве элементов цепей аппаратуры от импульсных перегрузок по напряжению.

На рисунке 2.14 показана конструкция кремниевых диффузионных выпрямительных диодов 2Д204А,Б,В, КД204А,Б,В. Диоды предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 50кГц. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами. Тип диода и схема соединения диодов с выводами приводятся на корпусе. Масса диодов не более 6г.

На рисунке 2.15 показана конструкция кремниевых эпитаксиально-диффузионных диодов 2Д245А, 2Д245Б,В. Диоды предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 200 кГц во вторичных источниках электропитания. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами. Положительный электрод соединён с металлическим основанием корпуса. Тип диода приводится на корпусе. Масса диода не более 4г.

Рисунок 2.14 — Конструкция кремниевых диффузионных выпрямительных диодов 2Д204А,Б,В, КД204А,Б,В

Рисунок 2.15 — Конструкция кремниевых, эпитаксиально-диффузионных диодов 2Д245А,Б,В

Выпрямительные диоды широко применяются на высоких частотах (диапазон частот от 30 МГц до 300 МГц) для детектирования колебаний высокой частоты и используются в радиотехнической, телевизионной и другой аппаратуре.

По технологии изготовления они могут быть точечными, диффузионными или иметь мезаструктуру. В качестве высокочастотных выпрямительных диодов используется диод Шотки [4].

Диоды Шотки характеризуются наибольшим быстродей­ствием (единицы нс) и малыми значениями прямого падения напряжения (обычно при номинальном токе составляют 0,5… 0,6 В). Основной недостаток диодов Шотки заключается в малой величине обратного напряжения (до 70 В). Увеличение обратного напряжения сопровождается ростом тока утечки и прямого падения напряжения.

Быстродействие высокочастотных диодов характеризуется временем обратного восстановления диода (τвост обр). Это время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента достижения обратным током заданного значения.

Эпитаксиальная технология позволяет создавать быстро­действующие диоды на большие обратные напряжения (200… 1200 В), но с повышенным значениями прямого падения на­пряжения до 1,2 В и времени обратного восстановления до 20. ..100 нс. Пониженные значения токов утечки и емкости переходов обеспечивают их преимущества перед диодами Шотки при работе в высокочастотных схемах.

Диффузионная технология позволяет повысить обратные напряжения быстродействующих диодов до значений выше 1200 В, но приводит к еще большим значениям прямого паде­ния напряжения до 1,4…1,5 В и времени обратного восстано­вления до 200…500 нс.

Основу конструкции высокочастотных диодов составляет стеклянный или металлокерамический патрон, в торцах которого установлены металлические контакты, имеющие выводы.

На рисунке 2.16 показана конструкция германиевых микросплавных высокочастотных диодов ГД403А, ГД403Б, ГД403В, предназначенные для применения в качестве детекторов амплитудно-модулированных сигналов в радиовещательных приёмниках. Они выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводится в корпусе. Масса диода не более 0,6г.

Рисунок 2. 16 — Конструкция германиевых микросплавных высокочастотных диодов ГД403А, ГД403Б, ГД403В

Рисунок 2.17 – Конструкция кремниевых высокочастотных диодов

% PDF-1.4 % 1 0 obj > эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > / MediaBox [0 0 612 792] / Родитель 2 0 R / Ресурсы> / Шрифт> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC / ImageI] / XObject> >> / Повернуть 0 / StructParents 0 / Вкладки / S / Тип / Страница >> эндобдж 4 0 объект > / MediaBox [0 0 612 792] / Родитель 2 0 R / Ресурсы> / Шрифт> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC / ImageI] >> / Повернуть 0 / StructParents 3 / Вкладки / S / Тип / Страница >> эндобдж 5 0 obj > / ExtGState> / Шрифт> / ProcSet [/ PDF / Text] >> / Повернуть 0 / TrimBox [0 0 612 792] / Тип / Страница >> эндобдж 6 0 obj > / ProcSet [/ PDF / Text] >> / Повернуть 0 / StructParents 0 / Вкладки / S / Тип / Страница >> эндобдж 7 0 объект > / ExtGState> / Шрифт> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC / ImageI] / XObject> >> / Повернуть 0 / StructParents 1 / Вкладки / S / Тип / Страница >> эндобдж 8 0 объект > / ExtGState> / Шрифт> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC / ImageI] / XObject> >> / Повернуть 0 / StructParents 2 / Вкладки / S / Тип / Страница >> эндобдж 9 0 объект > / ExtGState> / Шрифт> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC / ImageI] / XObject> >> / Повернуть 0 / StructParents 3 / Вкладки / S / Тип / Страница >> эндобдж 10 0 obj > / ExtGState> / Шрифт> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC / ImageI] / XObject> >> / Повернуть 0 / StructParents 4 / Вкладки / S / Тип / Страница >> эндобдж 11 0 объект > / ExtGState> / Шрифт> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC / ImageI] / XObject> >> / Повернуть 0 / StructParents 5 / Вкладки / S / Тип / Страница >> эндобдж 12 0 объект > / BS> / F 4 / Rect [40. f2dzL & nuurQ-M & {f] g

kd103a техническое описание и примечания к применению

Хорошо спасибо

Мы используем файлы cookie, чтобы вам было удобнее пользоваться нашим сайтом. Используя наш веб-сайт и услуги, вы прямо соглашаетесь на размещение наших файлов cookie производительности, функциональности и рекламных файлов. Пожалуйста, смотрите нашу Политику конфиденциальности для получения дополнительной информации.

kd103a Datasheets Контекстный поиск org/Product»>
Лист данных по каталогу MFG и тип PDF Теги документа
BY238

Аннотация: LDR07 LDR05 siek2 siek 1 siek-7 siek-6 siek-4 KU208G siek1
Текст: Диоды -D210 D220 D220B D226B D226G D231 D245 D304 D302A D7G D7V D811 D814V D9K KD103A KD103B KD106A KD108V KD109A KD202D KD203V KD204A KD205K KD205V KD206V KD208A KD209A KD209V KD210V KD212B KD220G KD223A KD226A KD226D KD229A KD243A KD509A KD510A KD521A KD522A KDS297BS KDS297VS KDS2968AS KDS2968BS KS156A KS162A KS182E KS210B KS215Z KS456A KS468A KS482A KS510A KS512A KS515A KS522A KU201A KU202L, M, N KU204A KU205A KU208G


Оригинал
PDF ———————- D210 D220B D226B D226G D302A D814V KD103A КД103Б KD106A КД108В BY238 LDR07 LDR05 siek2 siek 1 siek-7 siek-6 siek-4 KU208G siek1
BY236

Аннотация: BY235 d25n12 PBY285 KD202A D237A drr204 D223B диод Diode D25N4 PBY267
Текст: KD102B f KD103A! КД103Б \ КД104А! KD105B KD105W KD105G KD106A! КД109А КД109Б 600 50 60100 5 0


Сканирование OCR
PDF
smd диод шоттки s4 SOD-123

Аннотация: маркировка шоттки S4 smd маркировка диода шоттки s4 маркировка s4 S4 smd диод шоттки s4 KD103AW smd маркировка диода шоттки s6 smd диод шоттки s6 KD103A
Текст: Диоды SMD типа Переключающие диоды с барьером Шоттки KD103AW — KD103CW (SD103AW-SD103CW) SOD, пик KD103AW KD103BW KD103CW 40 Напряжение блокировки постоянного тока RMS обратное напряжение VR (RMS) 30, +125 Электрические характеристики Ta = 25ons KD10 Обратное напряжение, обратное значение параметра KD10 Испытание 0.37 0,60 В VR = 30 В KD103AW KD103BW IF = 20 мА IF = 200 мА падение напряжения в прямом направлении, 0,1 X IR, RL = 100 10 нс Маркировка NO. KD103AW KD103BW KD103CW Маркировка S4 S5


Оригинал
PDF KD103AW KD103CW SD103AW-SD103CW) OD-123 KD103BW KD103AW KD103BW smd диод шоттки s4 SOD-123 Маркировка Шоттки S4 smd диод шоттки маркировка s4 маркировка s4 S4 Шоттки smd диод шоттки s4 smd диод шоттки маркировка s6 smd диод шоттки s6 KD103A
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: Спецификация изделия KD103AW — KD103CW (SD103AW-SD103CW) SOD-123 Единица измерения: мм 2.7 +0,05, пиковое обратное напряжение Блок VRWM VRRM Рабочий пик KD103AW KD103BW KD103CW 40 DC, символ Testconditons KD103AW Напряжение обратного пробоя KD103BW Min Typ Max V (BR) R IR = 100 A KD103CW V 30 20 VFM KD103AW KD103BW IF = 20 200 мА вперед, время trr IF = IR = 200 мА, Irr = 0,1 X IR, RL = 100 10 нс Маркировка NO. KD103AW


Оригинал
PDF KD103AW KD103CW SD103AW-SD103CW) OD-123 KD103BW KD103AW KD103BW

Информация о продукте 1 | HORA

Соединения
Фланцы в соотв. ASME B16.5
Строительный размер
EN 558-1, базовая серия 1 или ANSI / ISA-75.08.01
Система уплотнения седла
с мягким уплотнением с металлической опорой (PE- Уплотнительное кольцо из UHMW и FKM)
Скорость утечки EN 12266-1 P12 — скорость утечки седла A
Область применения
Природный газ в соотв. DVGW-G260 в газовых и газокомпрессорных станциях и станциях измерения и измерения давления газа (ГДРМ)
Корпус
стальное литье 1.6220 + QT
Уплотнения штока Тефлоновые манжетные кольца, подпружиненные и два уплотнительных кольца из FKM
Плунжер / шток Запорная заглушка с выходом управления из 1.4418 / Шток из 1. 4980
Характеристика Вкл. / Выкл., С демпфированием
Направление потока Двунаправленное, предпочтительный поток для закрытия
Условия окружающей среды Установка вне помещения -25 ° C… + 40 ° C
Взрывозащита
ATEX 2014/32 / EU II 2G c IIB T3, Ex-area 1
Пневматические приводы Категория защиты от коррозии C3 в соотв. DIN EN ISO 12944-5
Пневматическое соединение PA-N300: NPT 1/4
Пневматическое соединение PA-N540: NPT 1/2
Пневматическое соединение PA-N1080 и PA-N2160: NPT 3/4
Функция: без штока пневмопривода задвинут, клапан открыт
реверсивный
Рабочее давление макс.6 бар
Электроприводы Категория защиты от коррозии C3 в соотв. DIN EN ISO 12944-5
Источник питания: 400 В переменного тока, 50 Гц, 3 фазы
Степень защиты корпуса: IP68
Схема клемм: Drehmo KD204-5000-16

4240-01-395-5905, 4240013955905, 107QIHL, 67-06654-206 Данные. Получить цену и купить

PartTarget.com — Познакомьтесь с превосходными поставщиками запчастей NSN

HOME ЦИТАТА ПРОДАТЬ FSC
  • Противопожарное оборудование
  • Самолет и конструкция корпуса самолета
  • Компоненты и аксессуары самолетов
  • Спуск на воду и запуск самолетов Погрузочно-разгрузочные работы
  • Судовое и морское оборудование
  • Транспортное оборудование и компоненты
  • Шины и трубы
  • Двигатели, турбины и компоненты
  • Принадлежности для двигателей
  • Механическое оборудование для передачи энергии
  • Подшипники
  • Деревообрабатывающее и металлообрабатывающее оборудование
  • 9022 Канат, кабель, цепь и фитинги
  • Оборудование для охлаждения, кондиционирования и циркуляции воздуха
  • Насосы и компрессоры
  • Печи, паровые установки, сушильное оборудование и ядерные реакторы
  • Сантехническое оборудование, оборудование для обогрева и удаления отходов
  • Трубы, трубки, Шланг и фитинги
  • Клапаны
  • Оборудование для мастерских по техническому обслуживанию и ремонту
  • Ручной инструмент
  • Измерительные инструменты
  • Винты, болты и шпильки
  • Гайки, шайбы, гвозди, ключи и шпильки для станков
  • Заклепки, крепежные устройства и материалы
  • Кольца с уплотнительным кольцом , Коммерческое оборудование и кронштейны
  • Оборудование, ручки, указатели, кольца и многое другое
  • Оборудование для связи и обнаружения
  • Резисторы
  • Конденсаторы, предохранители, автоматические выключатели и многое другое
  • Переключатели и электрические разъемы
  • Реле, соленоиды, трансформаторы и многое другое
  • Микросхемы, электрическое оборудование и др.
  • Синхросхемы, резольверы, кабели и многое другое
  • Волоконно-оптические материалы
  • Электропровода, силовое и распределительное оборудование
  • Светильники и лампы
  • Системы сигнализации и сигнализации
  • Приборы и лабораторное оборудование
  • Фотографическое оборудование
  • Программное обеспечение и принадлежности для оборудования ADP 9 0223
  • Металлические стержни, листы и формы
NSN КАЧЕСТВО О НАС КОНТАКТ

4240-01-395-5905 (4240013955905) Информация NSN

NSN FSC NIIN Название позиции INC
4240-01-395-5905 4240 013955905 Ремешок, безопасный, промышленный 42136

4240-01-395-5905 Характеристики

MRC Параметр Характеристики
BRML Неискрящее оборудование в комплекте

4240-01-395-5905 Производственные номера деталей (SKU)

MFG SKU CAGE STATUS ISC RNVC RNCC SADC DAC HCC RNAAC
107QIHL 09094 A 5 9 5 9003 6 A ZZ
67-06654-206 00724 A 5 2 3 A ZZ

4240 -01-395-5905 Производитель

4240-01-395-5905 Идентификация FLIS

PMIC КОД ADPE КОД CRITL КОД DEMIL DEMIL INTG NIIN ASGMT ESD HMIC ENAC SCHEDULE_B INC
A X A 1 31-AUG-94 P
42136 900

4240-01-395-5905 FLIS Management

MOE REC REP CODE MGMT CTL USC PHRASE CODE ФРАЗОВОЕ ЗАЯВЛЕНИЕ
DS N ——- I
DA Z J2200X- A

4240-01-395-5905 Коды демилитаризации и управление

DML PMIC HMIC ADPEC Критичность ESDC
A P X

4240-01-395-5905 Разное управление

9003 0 U
MOE (S_A) SOS AAC QUP UI SLC CIIC RC MCC SVC
DA SMS J 0 EA 0 Z J2200X- A
DA SMS J 0 EA 0 U Z J2200X- D
DS SMS J 0 EA 0 U ——- A
DS SMS J 0 EA 0 U ——- D

4240-01-395-5905 Нерасходуемые предметы поддержки

4240-01-395-5905 Управленческий контроль

MATCAT 1 MATCAT 2 MATCAT 3 MATCAT 4 5 ARC
J 2 2 00 X

4240-01-395 -5905 Грузовая перевозка 9 0012

NMFC NMFC SUB UFC HMC LTL LCL WCC TCC SHC ADC ACC ASH NMF DESC
053390 Z 28110 W 796 Z 9 A V Z

4240-01-395-5905 FLIS Packaging 1

P 90 094

4240-01-395-5905 FLIS Packaging 2

PICA SICA TOS ICQ MOP СУШКА CLNG PRES MAT WRAP MAT PKG CAT PKG DESIGN ACTY CUSH DUN
P AAA 10 1 00 00 69FZ 14933 00
THK UNIT CONT ИСТОЧНИК ДАННЫХ PKG INTER CONT UCL SPC MKG LVL A LVL B LVL C
0 10 P D3 00 E Q

4240-01-395-5905 FLIS Packaging 3

SUPPL INSTR .0
ВЕС УПАКОВКИ РАЗМЕР УПАКОВКИ КУБ УПАКОВКИ УСТАНОВКИ CONT NSN OPI UNPKG РАЗМЕР ТОВАРА UNPKG ВЕС ТОВАРА ДАТА SPI SPI NO SPI REV SUPPL INSTR
0000 X 0000 X 0000 0000.000 O.

Иммунодиффузионный анализ экстрактов Ранца-Рэндалла с анти-серотипом c …

Контекст 1

… D глюкозо-4,6-дегидратаза. Значительная активность dTDP-D-глюкозо-4,6-дегидратазы была обнаружена в экстракте фермента из KD102.Недавно было обнаружено, что гены rffG и rffH кодируют активности глюкозо-1-фосфат тимидилилтрансферазы и dTDP-глюкозодегидратазы соответственно (26). Не исключено, что штамм rfb S 874 может сохранять остаточную активность. Однако каждая из фоновых активностей была достаточно низкой для оценки активности ферментов. Хотя ген rmlB S. mutans не имел потенциального сайта связывания с рибосомой, мотив связывания NAD на аминоконцевом конце, который является типичной особенностью продуктов генов rfbB и rfbC (25), наблюдался на подходящем расстоянии от кодон инициации выведенной аминокислотной последовательности.Фенотипы мутантного штамма Xc24 (рис. 2 и таблица 4) подтвердили, что ген rmlB действительно транслируется и функционирует у S. mutans. Последние две стадии катализируются dTDP-4-кето-6-дезокси-D-глюкозо-3,5-эпимеразой и dTDP-4-кето-L-рамнозаредуктазой, которые были отнесены к продукту гена rfbC и гену rfbD. соответственно (15, 42). Недавно продукт гена rfbC был назван dTDP-4-кето-L-рамнозаредуктазой, последним ферментом этого пути, на основании того факта, что dTDP-4-кето-L-рамнозаредуктаза требует НАДФН в качестве кофактор и NAD-связывающий домен присутствуют на аминоконцевом конце продукта гена rfbC (25).Продукт гена rmlC S. mutans не содержал НАД-связывающего мотива на аминоконцевом конце. Гомология продукта гена rmlC с продуктами гена rfbD из грамотрицательных бактерий была ниже, чем у продуктов гена rmlA и rmlB с продуктами гена rfbA и rfbB (таблица 3). Однако экстракт фермента из KD103, экспрессирующий ген rmlC, проявлял общую активность по продукции dTDP-L-рамнозы из dTDP-4-кето-6-дезокси-D-глюкозы, взаимодействующей с экстрактом фермента из KD204, экспрессирующим ген rfbC Shigella flexneri ( см. «Ферментативная активность продуктов гена rml» выше).Возможно, что белок RmlC действует как dTDP-4-кето-6-дезокси-D-глюкозо-3,5-эпимераза (рис. 4). Ген, соответствующий rfbC у грамотрицательных бактерий, не обнаружен в локусе rml S. mutans. Недавно кластер генов, кодирующих путь dTDP-6-дезокси-L-альтрозы, был выделен из хромосомной ДНК Yersinia enterocolitica (56). Дезокси-L-альтроза и рамноза являются эпимерами C3, что позволяет предположить, что путь dTDP-6-дезокси-L-альтрозы является путем, аналогичным пути dTDP-рамноза.Хотя гомологи генов rfbA, rfbC и rfbD расположены в кластере генов пути синтеза dTDP-6-дезокси-L-альтрозы у Y. enterocolitica, в организме имеются только следы гомолога предкового гена rfbB. Вставки транспозонов в кластер, выполненные Zhang et al. (56) показали, что каждый из трех гомологов гена rfb необходим для синтеза О-антигена. Однако информации о замене гомолога гена rfbB у Y. enterocolitica нет. Это открытие аналогично отсутствию гомолога гена rfbC в локусе rml S.mutans в нашем исследовании. У грамотрицательных бактерий гены, участвующие в биосинтезе О-антигенной единицы липополисахарида, обычно локализуются в кластере генов rfb вместе с генами, кодирующими трансферазы, которые переносят сахарную часть нуклеотидных сахаров в олигосахариды, и кластеры составляют хромосомную область размером более 15 кб. С другой стороны, локус rml у S. mutans представляет собой хромосомную область размером всего 3 т.п.н., состоящую из трех генов. Гомолог гена rfbC может существовать в области за пределами секвенированной области в компании с генами, относящимися к углеводному метаболизму, отличному от синтеза dTDP-L-рамнозы.Альтернативно, только три генных продукта могут быть способны катализировать анаболизм от D-глюкозо-1-фосфата до dTDP-L-рамнозы у S. mutans. ВЭЖХ-анализ синтеза dTDP-L-рамнозы с ферментным экстрактом из KD105, в котором все три гена rml экспрессировались одновременно, показал, что продукт гена rfbC был незаменим для продукции dTDP-L-рамнозы из D-глюкозы- 1-фосфат, что позволяет предположить, что гомолог rfbC, по-видимому, отображается где-то еще. Недавно мы секвенировали 24 т.п.н. S.mutans, включающая локус rml, но нам не удалось идентифицировать rfbC-гомологичный ген (данные не показаны). Эти данные позволяют предположить, что гомолог гена rfbC S. mutans расположен в удаленном регионе. Однако сигнал для гена rfbC Shigella flexneri не был обнаружен в хромосоме S. mutans с помощью саузерн-блоттинга (данные не показаны). Сообщалось, что серотип-специфические полисахаридные антигены S. mutans имеют основную цепь поли-L-рамнозы с боковыми цепями D-глюкозы (23, 39).Инсерционная инактивация генов rml S. mutans четко продемонстрировала, что локус гена rml, по крайней мере, ген rmlB, был незаменим для биосинтеза серотипа c-специфичного антигена S. mutans (рис. 2 и таблица 4). Ферментативная активность продуктов генов rmlA, rmlB и rmlC и дефицит рамнозы в препаратах клеточной стенки, выделенных из мутантов гена rml (таблица 4), позволяют предположить, что гены rml у S. mutans участвуют в dTDP-L — синтез рамнозы и что dTDP-L-рамноза является непосредственным предшественником рамнозных фрагментов серотипа c-специфического антигена.Содержание G C в кластере генов rfb Salmonella typhimurium ниже, чем в хромосомной ДНК, что позволяет предположить, что этот кластер генов может быть передан от предковых видов с низким содержанием G C (53). Гены rml S. mutans также имеют низкое содержание G C от 0,40 до 0,43. Однако не было значительной разницы в содержании G ϩ C между генами rml и соседними генами (рис. 1), поскольку S. mutans относится к видам с низким содержанием G C (с содержанием G C от 0,36 до 0,38). (4). Саузерн-блоттинг различных грамположительных бактерий с геном rmlA S.mutans и ген rfbA Shigella flexneri в качестве зондов позволяют предположить, что хорошо законсервированные rmlA-подобные гены могут существовать у некоторых видов стрептококков в дополнение к грамотрицательным бактериям. Интересно, что ген rmlA и ген rfbA хорошо законсервированы, хотя эти два гена не являются существенными для жизнеспособности клеток. С другой стороны, гены, высоко гомологичные гену rmlA, обнаружены у всех видов тестируемых стрептококков и Eubacterium limosum, но не у других грамположительных бактерий. Сообщалось, что виды Lactobacillus (17, 31), виды Bacillus (18), Eubacterium limosum (47) и Listeria monocytogenes (12) содержат рамнозу в полисахаридах клеточной стенки, и гены биосинтеза фрагмента рамнозы у этих бактерий могут иметь существенное значение. низкая гомология с генами S.mutans и Shigella flexneri. Мы обнаружили, что большинство протестированных стрептококков обладают генами, гомологичными не только гену rmlA, но также генам rmlB и rmlC. Похоже, что эти гомологичные гены играют роль в синтезе dTDP-рамнозы и впоследствии в добавлении рамнозы в полисахариды клеточной стенки других стрептококков, а также в генах rml S. mutans …

Контекст 2

. .. ORF не наблюдались. Продукт трансляции, предсказанный для гена rmlB, представляет собой белок из 348 аминокислот с молекулярной массой 39 248.Аминокислотные последовательности, полученные из генов rmlA, rmlB и rmlC, сравнивают с таковыми из эквивалентных генов rfb Salmonella typhimurium, Shigella flexneri и X. campestris (таблица 3). Продукт гена rmlA показал сильную идентичность последовательности с продуктами гена rfbA всех трех грамотрицательных бактерий. Сходство последовательностей между продуктом гена rmlB и продуктами гена rfbB было ниже, чем таковое между продуктом гена rmlA и продуктами гена rfbA. Гораздо меньшее сходство наблюдалось между продуктом гена rmlC и продуктами гена rfbD грамотрицательных бактерий.Ферментативная активность продуктов гена rml. Для характеристики генных продуктов генов rml три гена rml, rmlA, rmlB и rmlC, S. mutans и rfbC Shigella flexneri были клонированы индивидуально в pBluescriptII KS ϩ. Плазмиды вводили в штамм S 874, а генные продукты экстрагировали из трансформантов штамма S 874 (таблица 1). Активность глюкозо-1-фосфат-тимидилилтрансферазы, которая катализирует образование dTDP-D-глюкозы из D-глюкозо-1-фосфата и dTTP, определялась с помощью анализа ВЭЖХ.Ферментный препарат из KD101 (rmlA) показал удельную активность 8,2 ± 0,5 Ед / мг белка (среднее ± стандартное отклонение), что было значительно выше активности (0,14 ± 0,04 Ед / мг белка) клетки. экстракт из KD100 (pBluescriptII KS ϩ). Специфическую активность dTDP-D-глюкозо-4,6-дегидратазы и активность по продукции dTDP-L-рамнозы из dTDP-4-кето-6-дезокси-D-глюкозы определяли спектрофотометрическими методами. Ферментный препарат из KD102 (rmlB) показал удельную активность (120 ± 11 мЕд / мг белка) dTDP-D-глюкозо-4,6-дегидратазы, тогда как активность ферментного препарата из KD100, использованного в качестве контроля, была очень высокой. чрезвычайно низкий (1 мЕд / мг белка).Мы использовали ферментный препарат KD204, экспрессирующий ген rfbC Shigella flexneri, поскольку ген, эквивалентный гену rfbC, не был обнаружен в клонированном локусе S. mutans. Реакционная смесь, содержащая экстракты ферментов из KD103 (rmlC) и KD204 (rfbC), показала сильную активность (23,1 ± 3,4 Ед / мг белка) по превращению dTDP-4-кето-6-дезокси-D-глюкозы в dTDP- рамнозы по сравнению с клеточным экстрактом из KD100 (≥0,1 Ед / мг белка). С другой стороны, конверсионная активность экстракта фермента из клеток KD103 (0.1 Ед / мг белка) или только от KD204 (≥0,1 Ед / мг белка) был почти на том же уровне, что и в экстракте клеток из KD100. Превращение dTDP-D-глюкозы в dTDP-L-рамнозу было подтверждено с помощью ВЭЖХ, снабженной детектором флуоресценции. Реакционную смесь (500 мкл), содержащую ферментный экстракт (120 мЕ) из KD102 и ферментные экстракты (50 мкг белка каждого экстракта) из KD103 и KD204, инкубировали при 37 ° C в течение 0, 15 и 30 мин. и гидролизовали 0,05 М HCl после прекращения ферментативной реакции.Сахарная часть нуклеотидных сахаров в реакционной смеси была связана с 2-аминопиридином, и пиридиламиносахара были проанализированы с помощью ВЭЖХ. Реакционная смесь экстрактов ферментов из KD102, KD103 и KD204 показала отчетливую активность в производстве dTDP-L-рамнозы из dTDP-D-глюкозы, тогда как реакционная смесь экстрактов ферментов из KD102 и KD103 не показала такая активность (данные не показаны). Кроме того, синтез dTDP-L-рамнозы из dTTP и ␣ — D-глюкозо-1-фосфата в реакционной смеси (200 мкл), содержащей экстракт фермента (200 мкг белка) из KD105, экспрессирующий одновременно все три гена rml оценивали методом ВЭЖХ, как описано выше.Реакционные смеси ферментного экстракта из KD105 синтезировали dTDP-L-рамнозу при добавлении ферментного экстракта из KD204. Однако экстракт фермента из KD105 не проявлял никакой способности продуцировать dTDP-L-рамнозу из dTTP и — D-глюкозо-1-фосфат в отсутствие экстракта фермента из KD204 (данные не показаны). Характеристика функции гена rml у S. mutans. Чтобы проанализировать функцию генов rml у S. mutans, гены rml и соседние гены инактивировали путем инсерции.Ген rmlC мутантного штамма Xc21 был инактивирован, как описано выше. ORF3, rmlA, rmlB и mutX были инсерционно инактивированы с использованием соответствующих фрагментов гена (таблица 2), прерванных pResEmNot на сайтах рестрикции, указанных на фиг.1, и полученные мутантные штаммы были обозначены Xc22, Xc23, Xc24 и Xc25. , соответственно. Соответствующие вставки pResEmNot в ORF3 и другие гены были подтверждены саузерн-блот-анализом расщеплений Xba I и расщеплений Eco RI, соответственно (данные не показаны).Экстракты Ранца-Рэндалла из штамма Xc и мутантных штаммов анализировали иммунодиффузией с серотипом c-специфической антисывороткой (фиг. 2). Антисыворотка, специфичная для серотипа c, взаимодействовала с экстрактами из штаммов Xc, Xc22 и Xc25, тогда как антисыворотка не реагировала с экстрактами из Xc21, Xc23 и Xc24 (фиг. 2A). Серотипическая специфичность антисыворотки была подтверждена с помощью антигена серотипа c, очищенного из S. mutans MT8148, и экстрактов Ранца-Рэндалла из штаммов MT8148, MT703 (серотип e) и OMZ175 (серотип f) (рис.2Б). Сахарный состав препаратов клеточной стенки, выделенных из штамма Xc и пяти мутантных штаммов, анализировали с помощью ВЭЖХ и колориметрических методов (таблица 4). Отношение рамнозы к глюкозе в препаратах клеточной стенки из мутантных штаммов Xc22 и Xc25 было почти 2 и было аналогично таковому в препарате из штамма Xc. Напротив, рамноза не обнаруживалась в препаратах клеточных стенок мутантных штаммов Xc21, Xc23 и Xc24. Хотя глюкоза все еще обнаруживалась в rml-инактивированных мутантных штаммах, количество глюкозы в этих мутантах было менее одной пятой от количества глюкозы в штамме Xc.Саузерн-блот-анализ. Мы исследовали наличие rmlA -, rfbA -, rmlB — и rmlC-специфических сигналов гибридизации в хромосомной ДНК различных видов бактерий. Специфические сигналы для rmlA, очевидно, наблюдались у всех протестированных стрептококков и Eubacterium limosum (рис. 3А). Интересно, что более слабые сигналы были обнаружены не только у других грамположительных бактерий, таких как Enterococcus faecalis и Lactobacillus casei, но и у грамотрицательных бактерий, таких как P. gingivalis, A. actinomycetemcomitans, Salmonella typhimurium и Shigella flexneri (рис.3А). Однако сигналы для rmlA не были обнаружены у других грамположительных бактерий, таких как B. subtilis, Staphylococcus aureus, Micrococcus luteus, Mycobacterium smegmatis, C. bifermentans и Listeria monocytogenes (рис. 3A). Кроме того, помимо упомянутых выше видов, не было обнаружено сигнала для rmlA у B. cereus, B. megaterium, Staphylococcus capitis, Staphylococcus intermediateus, Micrococcus lylae или Micrococcus varians (данные не показаны). С другой стороны, сильные сигналы для rfbA были обнаружены у некоторых видов Streptococcus (S.mutans, S. cricetus, S. rattus, S. salivarius, S. milleri, S. mitor и S. pyogenes), а также грамотрицательные бактерии P. gingivalis, A. actinomycetemcomitans, E. coli, Salmonella typhimurium, и Shigella flexneri (рис. 3В). Сигналы для rmlB и rmlC, очевидно, были обнаружены у всех видов Streptococcus, за исключением S. mitor (рис. 3C и D). В то время как более слабый сигнал для rmlB был обнаружен у Lactobacillus casei (рис. 3C), никаких сигналов для любого из генов не было обнаружено у других грамположительных бактерий и пяти видов грамотрицательных бактерий, т.е.е., P. gingivalis, A. actinomycetemcomitans, E. coli, Salmonella typhimurium и Shigella flexneri (данные не показаны). В настоящем исследовании мы определили структуру и функцию локуса rml S. mutans. Анализ последовательности выявил три гена rml, проявляющих значительную гомологию с белками, участвующими в биосинтезе dTDP-рамнозы, непосредственного предшественника компонента рамнозы в O-антигене липополисахарида у грамотрицательных бактерий. У грамотрицательных бактерий путь dTDP-рамноза (рис.4), как полагают, состоит из четырех ферментов, катализирующих последовательность реакции от D-глюкозо-1-фосфата до dTDP-L-рамнозы через три промежуточных соединения, а гены rfbA, rfbB, rfbC и rfbD для четырех ферментов были идентифицированы в грамотрицательные бактерии (15, 19, 25, 40, 42). Первым ферментом, кодируемым геном rfbA, является глюкозо-1-фосфат-тимидилилтрансфераза, и продукт гена rmlA S. mutans показал высокую степень идентичности аминокислотной последовательности с продуктами гена rfbA грамотрицательных бактерий (таблица 3).Ферментный экстракт из KD101, экспрессирующий ген rmlA, проявлял значительную активность глюкозо-1-фосфат тимидилилтрансферазы, предполагая, что ген rmlA кодирует глюкозо-1-фосфат тимидилилтрансферазу S. mutans. Второй фермент, кодируемый геном rfbB, — это dTDP-D глюкозо-4,6-дегидратаза. Значительная активность dTDP-D-глюкозо-4,6-дегидратазы была обнаружена в экстракте фермента из KD102. Недавно было обнаружено, что гены rffG и rffH кодируют активности глюкозо-1-фосфат тимидилилтрансферазы и dTDP-глюкозодегидратазы соответственно (26).Не исключено, что штамм rfb S 874 может сохранять остаточную активность. Однако каждая из фоновых активностей была достаточно низкой для оценки активности ферментов. Хотя ген rmlB S. mutans не имел потенциального сайта связывания с рибосомой, мотив связывания NAD на аминоконцевом конце, который является типичной особенностью продуктов генов rfbB и rfbC (25), наблюдался на подходящем расстоянии от кодон инициации выведенной аминокислотной последовательности. Фенотипы мутантного штамма Xc24 (рис.2 и таблица 4) подтвердили, что ген rmlB действительно транслируется и функционирует в S. mutans. Катализатором последних двух шагов послужили …

Context 3

… показано). Экстракты Ранца-Рэндалла из штамма Xc и мутантных штаммов анализировали иммунодиффузией с серотипом c-специфической антисывороткой (фиг. 2). Антисыворотка, специфичная для серотипа c, реагировала с экстрактами из штаммов Xc, Xc22 и Xc25, тогда как антисыворотка не реагировала с экстрактами из Xc21, Xc23 и Xc24 (рис.2А). Серотипическая специфичность антисыворотки была подтверждена с помощью антигена серотипа c, очищенного из S. mutans MT8148, и экстрактов Ранца-Рэндалла из штаммов MT8148, MT703 (серотип e) и OMZ175 (серотип f) (фиг. 2B). Сахарный состав препаратов клеточной стенки, выделенных из штамма Xc и пяти мутантных штаммов, анализировали с помощью ВЭЖХ и колориметрических методов (таблица 4). Отношение рамнозы к глюкозе в препаратах клеточной стенки из мутантных штаммов Xc22 и Xc25 было почти 2 и было аналогично таковому в препарате из штамма Xc.Напротив, рамноза не обнаруживалась в препаратах клеточных стенок мутантных штаммов Xc21, Xc23 и Xc24. Хотя глюкоза все еще обнаруживалась в rml-инактивированных мутантных штаммах, количество глюкозы в этих мутантах было менее одной пятой от количества глюкозы в штамме Xc. Саузерн-блот-анализ. Мы исследовали наличие rmlA -, rfbA -, rmlB — и rmlC-специфических сигналов гибридизации в хромосомной ДНК различных видов бактерий. Специфические сигналы для rmlA, очевидно, наблюдались у всех протестированных стрептококков и Eubacterium limosum (рис.3А). Интересно, что более слабые сигналы были обнаружены не только у других грамположительных бактерий, таких как Enterococcus faecalis и Lactobacillus casei, но также и у грамотрицательных бактерий, таких как P. gingivalis, A. actinomycetemcomitans, Salmonella typhimurium и Shigella flexneri (рис. 3A). Однако сигналы для rmlA не были обнаружены у других грамположительных бактерий, таких как B. subtilis, Staphylococcus aureus, Micrococcus luteus, Mycobacterium smegmatis, C. bifermentans и Listeria monocytogenes (рис.3А). Кроме того, помимо упомянутых выше видов, не было обнаружено сигнала для rmlA у B. cereus, B. megaterium, Staphylococcus capitis, Staphylococcus intermediateus, Micrococcus lylae или Micrococcus varians (данные не показаны). С другой стороны, сильные сигналы для rfbA были обнаружены у некоторых видов Streptococcus (S. mutans, S. cricetus, S. rattus, S. salivarius, S. milleri, S. mitor и S. pyogenes), а также S. -отрицательные бактерии P. gingivalis, A. actinomycetemcomitans, E.coli, Salmonella typhimurium и Shigella flexneri (рис. 3B). Сигналы для rmlB и rmlC, очевидно, были обнаружены у всех видов Streptococcus, за исключением S. mitor (рис. 3C и D). В то время как более слабый сигнал для rmlB был обнаружен у Lactobacillus casei (рис. 3C), никаких сигналов для любого из генов не было обнаружено у других грамположительных бактерий и пяти видов грамотрицательных бактерий, то есть P. gingivalis, A. actinomycetemcomitans , E. coli, Salmonella typhimurium и Shigella flexneri (данные не показаны).В настоящем исследовании мы определили структуру и функцию локуса rml S. mutans. Анализ последовательности выявил три гена rml, проявляющих значительную гомологию с белками, участвующими в биосинтезе dTDP-рамнозы, непосредственного предшественника компонента рамнозы в O-антигене липополисахарида у грамотрицательных бактерий. Считается, что у грамотрицательных бактерий путь dTDP-рамноза (рис. 4) состоит из четырех ферментов, катализирующих последовательность реакции от D-глюкозо-1-фосфата до dTDP-L-рамнозы через три промежуточных соединения и rfbA, rfbB. , гены rfbC и rfbD для четырех ферментов были идентифицированы у грамотрицательных бактерий (15, 19, 25, 40, 42).Первым ферментом, кодируемым геном rfbA, является глюкозо-1-фосфат-тимидилилтрансфераза, и продукт гена rmlA S. mutans показал высокую степень идентичности аминокислотной последовательности с продуктами гена rfbA грамотрицательных бактерий (таблица 3). Ферментный экстракт из KD101, экспрессирующий ген rmlA, проявлял значительную активность глюкозо-1-фосфат тимидилилтрансферазы, предполагая, что ген rmlA кодирует глюкозо-1-фосфат тимидилилтрансферазу S. mutans. Второй фермент, кодируемый геном rfbB, — это dTDP-D глюкозо-4,6-дегидратаза.Значительная активность dTDP-D-глюкозо-4,6-дегидратазы была обнаружена в экстракте фермента из KD102. Недавно было обнаружено, что гены rffG и rffH кодируют активности глюкозо-1-фосфат тимидилилтрансферазы и dTDP-глюкозодегидратазы соответственно (26). Не исключено, что штамм rfb S 874 может сохранять остаточную активность. Однако каждая из фоновых активностей была достаточно низкой для оценки активности ферментов. Хотя ген rmlB S. mutans не имел потенциального сайта связывания с рибосомой, мотив связывания NAD на аминоконцевом конце, который является типичной особенностью продуктов генов rfbB и rfbC (25), наблюдался на подходящем расстоянии от кодон инициации выведенной аминокислотной последовательности.Фенотипы мутантного штамма Xc24 (рис. 2 и таблица 4) подтвердили, что ген rmlB действительно транслируется и функционирует у S. mutans. Последние две стадии катализируются dTDP-4-кето-6-дезокси-D-глюкозо-3,5-эпимеразой и dTDP-4-кето-L-рамнозаредуктазой, которые были отнесены к продукту гена rfbC и гену rfbD. соответственно (15, 42). Недавно продукт гена rfbC был назван dTDP-4-кето-L-рамнозаредуктазой, последним ферментом этого пути, на основании того факта, что dTDP-4-кето-L-рамнозаредуктаза требует НАДФН в качестве кофактор и NAD-связывающий домен присутствуют на аминоконцевом конце продукта гена rfbC (25).Продукт гена rmlC S. mutans не содержал НАД-связывающего мотива на аминоконцевом конце. Гомология продукта гена rmlC с продуктами гена rfbD из грамотрицательных бактерий была ниже, чем у продуктов гена rmlA и rmlB с продуктами гена rfbA и rfbB (таблица 3). Однако экстракт фермента из KD103, экспрессирующий ген rmlC, проявлял общую активность по продукции dTDP-L-рамнозы из dTDP-4-кето-6-дезокси-D-глюкозы, взаимодействующей с экстрактом фермента из KD204, экспрессирующим ген rfbC Shigella flexneri ( см. «Ферментативная активность продуктов гена rml» выше).Возможно, что белок RmlC действует как dTDP-4-кето-6-дезокси-D-глюкозо-3,5-эпимераза (рис. 4). Ген, соответствующий rfbC у грамотрицательных бактерий, не обнаружен в локусе rml S. mutans. Недавно кластер генов, кодирующих путь dTDP-6-дезокси-L-альтрозы, был выделен из хромосомной ДНК Yersinia enterocolitica (56). Дезокси-L-альтроза и рамноза являются эпимерами C3, что позволяет предположить, что путь dTDP-6-дезокси-L-альтрозы является путем, аналогичным пути dTDP-рамноза.Хотя гомологи генов rfbA, rfbC и rfbD расположены в кластере генов пути синтеза dTDP-6-дезокси-L-альтрозы у Y. enterocolitica, в организме имеются только следы гомолога предкового гена rfbB. Вставки транспозонов в кластер, выполненные Zhang et al. (56) показали, что каждый из трех гомологов гена rfb необходим для синтеза О-антигена. Однако информации о замене гомолога гена rfbB у Y. enterocolitica нет. Это открытие аналогично отсутствию гомолога гена rfbC в локусе rml S.mutans в нашем исследовании. У грамотрицательных бактерий гены, участвующие в биосинтезе О-антигенной единицы липополисахарида, обычно локализуются в кластере генов rfb вместе с генами, кодирующими трансферазы, которые переносят сахарную часть нуклеотидных сахаров в олигосахариды, и кластеры составляют хромосомную область размером более 15 кб. С другой стороны, локус rml у S. mutans представляет собой хромосомную область размером всего 3 т.п.н., состоящую из трех генов. Гомолог гена rfbC может существовать в области за пределами секвенированной области в компании с генами, относящимися к углеводному метаболизму, отличному от синтеза dTDP-L-рамнозы.Альтернативно, только три генных продукта могут быть способны катализировать анаболизм от D-глюкозо-1-фосфата до dTDP-L-рамнозы у S. mutans. ВЭЖХ-анализ синтеза dTDP-L-рамнозы с ферментным экстрактом из KD105, в котором все три гена rml экспрессировались одновременно, показал, что продукт гена rfbC был незаменим для продукции dTDP-L-рамнозы из D-глюкозы- 1-фосфат, что позволяет предположить, что гомолог rfbC, по-видимому, отображается где-то еще. Недавно мы секвенировали 24 т.п.н. S.mutans, включающая локус rml, но нам не удалось идентифицировать rfbC-гомологичный ген (данные не показаны). Эти данные позволяют предположить, что гомолог гена rfbC S. mutans расположен в удаленном регионе. Однако сигнал для гена rfbC Shigella flexneri не был обнаружен в хромосоме S. mutans с помощью саузерн-блоттинга (данные не показаны). Сообщалось, что серотип-специфические полисахаридные антигены S. mutans имеют основную цепь поли-L-рамнозы с боковыми цепями D-глюкозы (23, 39).Инсерционная инактивация генов rml S. mutans четко продемонстрировала, что локус гена rml, по крайней мере, ген rmlB, был незаменим для биосинтеза серотипа c-специфичного антигена S. mutans (рис. 2 и таблица 4). Ферментативная активность продуктов генов rmlA, rmlB и rmlC и дефицит рамнозы в препаратах клеточной стенки, выделенных из мутантов гена rml (таблица 4), позволяют предположить, что гены rml у S. mutans участвуют в dTDP-L — синтез рамнозы и что dTDP-L-рамноза является непосредственным предшественником рамнозных фрагментов серотипа c-специфического антигена.Содержание G C в кластере генов rfb Salmonella typhimurium ниже, чем в хромосомной ДНК, что позволяет предположить, что этот кластер генов может быть передан от предковых видов с низким содержанием G C (53). Гены rml S. mutans также имеют низкое содержание G C от 0,40 до 0,43. Однако существенной разницы в содержании G C между генами rml и соседними генами не было …

Диод D232 = 10A400 10A 400V СССР Лот 4 шт.

Номер позиции eBay:

142566183487

Продавец принимает на себя всю ответственность за это объявление.

Описание товара

Состояние: Новые прочие (см. Подробности) : Товар в отличном, новом состоянии, без износа. Товар может отсутствовать в оригинальной упаковке или защитной упаковке, или может быть в оригинальной упаковке, но не запечатан. Изделие может включать оригинальные аксессуары. Изделие может быть заводским вторым (т. Е. Имеет небольшой дефект, который не влияет на работу изделия, например, царапина или вмятина).См. Список продавца для получения полной информации и описания. Просмотреть все определения условий — открывается в новом окне или на вкладке
Примечания продавца: «Новый, никогда не использованный / Б / У / Новый старый сток»
Торговая марка: СССР MPN: Не применяется

Продавец принимает на себя всю ответственность за это объявление.

Почтовая оплата и упаковка

Стоимость пересылки не может быть рассчитана. Пожалуйста, введите действительный почтовый индекс.

Местонахождение товара: г. Томск, Томская область, Российская Федерация

Почтовые отправления:

по всему миру

Исключено: Российская Федерация

Изменить страну: -Выберите-AfghanistanAlbaniaAlgeriaAmerican SamoaAndorraAngolaAnguillaAntigua и BarbudaArgentinaArmeniaArubaAustraliaAustriaAzerbaijan RepublicBahamasBahrainBangladeshBarbadosBelarusBelgiumBelizeBeninBermudaBhutanBoliviaBosnia и HerzegovinaBotswanaBrazilBritish Virgin IslandsBrunei DarussalamBulgariaBurkina FasoBurundiCambodiaCameroonCanadaCape Verde IslandsCayman IslandsCentral African RepublicChadChileChinaColombiaComorosCongo, Демократическая Республика theCongo, Республика theCook IslandsCosta RicaCôte-д’Ивуар (Берег Слоновой Кости) Хорватия, Республика ofCyprusCzech RepublicDenmarkDjiboutiDominicaDominican RepublicEcuadorEgyptEl SalvadorEquatorial GuineaEritreaEstoniaEthiopiaFalkland острова (Мальвинские) Фиджи Корея, SouthKuwaitKyrgyzstanLaosLatviaLebanonLesothoLiberiaLibyaLiechtensteinLithuaniaLuxembourgMacauMacedoniaMadagascarMalawiMalaysiaMaldivesMaliMaltaMarshall IslandsMartiniqueMauritaniaMauritiusMayotteMexicoMicronesiaMoldovaMonacoMongoliaMontenegroMontserratMoroccoMozambiqueNamibiaNauruNepalNetherlandsNetherlands AntillesNew CaledoniaNew ZealandNicaraguaNigerNigeriaNiueNorwayOmanPakistanPalauPanamaPapua Новый GuineaParaguayPeruPhilippinesPolandPortugalPuerto RicoQatarReunionRomaniaRwandaSaint HelenaSaint Киттс-NevisSaint LuciaSaint Пьер и MiquelonSaint Винсент и GrenadinesSan MarinoSaudi ArabiaSenegalSerbiaSeychellesSierra LeoneSingaporeSlovakiaSloveniaSolomon IslandsSomaliaSouth AfricaSpainSri LankaSurinameSwazilandSwedenSwitzerlandTaiwanTajikistanTanzaniaThailandTogoTongaTrinidad и TobagoTunisiaTurkeyTurkmenistanTurks и Кайкос IslandsTuvaluUgandaUkraineUnited Arab EmiratesUnited KingdomUnited StatesUruguayUzbekistanVanuatuVatican Город StateVenezuelaVietnamVirgin острова (У.S.) Уоллис и Футуна Западная Сахара Западное Самоа Йемен Замбия Зимбабве

Доступно 4 ед. Введите число, меньшее или равное 4.

Выберите допустимую страну.

Почтовый индекс:

Пожалуйста, введите действительный почтовый индекс.

Пожалуйста, введите до 7 символов в почтовый индекс

Этот товар не отправляется в Российскую Федерацию

Время отправки внутри страны

Обычно отправка осуществляется в течение 1 рабочего дня после получения оплаты.


Политика возврата

После получения товара отмените покупку в течение

Возврат будет произведен как

30 дней

Возврат денег

Покупатель несет ответственность за возврат почтовых расходов.

мешков для вечеринок 12 День рождения Goody Loot Treat Бумажные пакеты Мешки Pixel Pattern Сувениры для вечеринок и наполнители для мешков

12 День рождения Goody Loot Treat Бумажные пакеты Мешки Pixel Pattern

12 День рождения Goody Loot Treat Бумажные пакеты Мешки Pixel Pattern. Отлично подходит для подарочных сумок, подарков и многого другого. (Пакеты, только изображенная папиросная бумага в комплект не входит). «Пиксельная печать». Сумки для вечеринок ~ НОВИНКА. БУМАЖНЫЕ пакеты имеют размер примерно 10 дюймов x 5 дюймов x 3 дюйма, и я не буду знать, что это неверно.. Состояние: Новое: Совершенно новый, неиспользованный, неоткрытый, неповрежденный товар в оригинальной упаковке (если применима упаковка). Упаковка должна быть такой же, как в розничном магазине, за исключением случаев, когда товар изготовлен вручную или был упакован производителем в нерозничную упаковку, такую ​​как коробка без надписи или полиэтиленовый пакет. См. Список продавца для получения полной информации. Просмотреть все определения условий : Материал: : Бумага , Цвет: : Многоцветный : Тема: : Пиксельная / видеоигра , Случай: : На все случаи жизни : Тип: : Сумки , Бренд: : FX : UPC: : 8843554 ,








12 День рождения Goody Loot Treat Бумажные пакеты Мешки Пиксельный узор

Тормозные колодки

Power Stop на 0 процентов больше.Эта оригинальная «Менора» подойдет для любой обстановки. Из-за разницы в росте и допуске измерения ± 1 см, футболка Great Registered T рубашка разработана и напечатана в Соединенных Штатах с использованием экологически чистых чернил. 12 День Рождения Goody Loot Treat Бумажные пакеты Мешки Пиксельный узор . Он имеет некоторые полезные характеристики, цвет настоящего предмета может немного отличаться от показанного на картинке, четырехслойные утолщенные салфетки. Дата первого упоминания: 26 февраля. 12 День рождения Goody Loot Treat Бумажные пакеты Мешки Pixel Pattern , ✔ Камера со стандартным выходом HDMI (тип A) и стандартным USB2.Шкаф-буфет Таити Обновленный черно-белый буфет 50-х годов. Я пришлю вам простой карандашный набросок схемы на ваше утверждение, прежде чем я начну рисовать. выберите вариант ТРИ КУЛОНА и, когда вы проверяете, укажите, какие подвески вы хотите, в «опции примечаний к продавцу», 12 Birthday Party Goody Loot Treat Paper Bags Sacks Pixel Pattern . которые сделаны по вашим меркам. добавить 800-1000 раз раствор карбендазима иммерсионной дезинфекцией через полчаса внутрь. Я рада создать для вас уникальное произведение искусства.: Helnm Велосипедный насос -Мини-велосипедный напольный насос Велосипедный насос с педальным приводом Портативный велосипедный насос Насос для велосипедных шин Универсальные клапаны Presta & Schrader Бочка из алюминиевого сплава Свободная газовая игла: Спорт и отдых. 12 День Рождения Goody Loot Treat Бумажные пакеты Мешки Пиксельный узор ,: Bully Tools 92539 Стальная трамбовка и планка для копания, бесплатная доставка и возврат при соответствующих заказах на сумму 20 фунтов стерлингов или более, 6 мужских кроссовок UMBRO длиной до четверти Спортивные носки с высоким содержанием хлопка Повседневные мужские лодыжки Размер носков 6-11 разного цвета: одежда, водонепроницаемая ткань может хорошо работать даже в дождливые дни.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *