Самый мощный транзистор. Самые мощные транзисторы: обзор современных высокомощных полупроводниковых приборов — Производство и поставка электростанций, Бензиновые и дизельные генераторы от 1 до 100 кВт. Мини ТЭЦ на базе двигателя Стирлинга.

Какие транзисторы считаются самыми мощными на сегодняшний день. Какие технологии позволяют достичь рекордных показателей мощности. Где применяются сверхмощные транзисторы. Каковы перспективы развития мощных полупроводниковых приборов.

Содержание

Современные технологии производства высокомощных транзисторов

В настоящее время самые мощные транзисторы создаются на основе нескольких ключевых технологий:

LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) — технология создания мощных полевых МОП-транзисторов с латеральной диффузией. Позволяет достичь высоких значений мощности и рабочих частот.
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — биполярный транзистор с изолированным затвором. Сочетает преимущества биполярных и полевых транзисторов.
SiC (Silicon Carbide) — транзисторы на основе карбида кремния. Отличаются высокой температурной стойкостью и эффективностью.
GaN (Gallium Nitride) — нитрид-галлиевые транзисторы. Обеспечивают высокую удельную мощность и рабочие частоты.

Каждая из этих технологий имеет свои преимущества и области применения. Рассмотрим некоторые рекордные образцы транзисторов, созданных с их использованием.

Рекордсмены по мощности среди современных транзисторов

На сегодняшний день самыми мощными серийно выпускаемыми транзисторами считаются:

MRF1K50H (Qorvo) — LDMOS-транзистор с выходной мощностью 1500 Вт в диапазоне 1,8-500 МГц
MRF6VP11KH (Freescale/NXP) — LDMOS-транзистор с импульсной мощностью 1000 Вт на частоте 130 МГц
BLT53 (NXP) — биполярный ВЧ-транзистор с выходной мощностью 35,5 Вт на частоте 3,9 ГГц
CM600HG-130H (Mitsubishi Electric) — IGBT-модуль на 1200 В / 600 А

Как видим, по уровню выходной мощности лидируют LDMOS-транзисторы, способные обеспечивать киловаттные уровни мощности в ВЧ-диапазоне. IGBT-модули лидируют по коммутируемым токам и напряжениям.

Области применения сверхмощных транзисторов

Транзисторы с рекордными показателями мощности находят применение в следующих областях:

Мощные радиопередатчики
Радиолокационные системы
Промышленные ВЧ-генераторы
Медицинское оборудование (томографы, ускорители частиц)
Силовая электроника (преобразователи для электротранспорта, промышленных электроприводов)
Источники питания большой мощности

Во многих из этих применений мощные транзисторы пришли на смену электровакуумным приборам (лампам), обеспечив повышение надежности и эффективности оборудования.

Ключевые параметры мощных транзисторов

При выборе мощных транзисторов разработчики ориентируются на следующие основные параметры:

Максимальная выходная мощность
Рабочая частота
Коэффициент усиления по мощности
КПД
Максимальное рабочее напряжение

Максимальный рабочий ток
Тепловое сопротивление
Входная и выходная емкость

Оптимальное сочетание этих параметров определяет возможность применения транзистора в конкретной схеме. Рассмотрим типичные значения некоторых параметров для современных мощных транзисторов.

Типичные значения параметров современных мощных транзисторов

Для наиболее распространенных типов мощных транзисторов характерны следующие диапазоны значений ключевых параметров:

Максимальная выходная мощность: от десятков ватт до 1-2 кВт
Рабочая частота: от единиц МГц до единиц ГГц
Коэффициент усиления: 10-20 дБ
КПД: 60-80%
Максимальное напряжение: 50-1200 В
Максимальный ток: до сотен ампер

Конкретные значения сильно зависят от технологии и назначения транзистора. Например, ВЧ-транзисторы обычно имеют меньшую мощность, но работают на более высоких частотах по сравнению с низкочастотными силовыми приборами.

Сравнение мощных транзисторов с другими типами активных приборов

Как мощные транзисторы соотносятся по своим возможностям с другими типами активных электронных компонентов? Давайте сравним:

Электровакуумные приборы (лампы) — могут обеспечивать бóльшую мощность (до мегаватт), но уступают по эффективности, надежности и массогабаритным показателям
Тиристоры — способны коммутировать бóльшие токи, но работают на более низких частотах
Микросхемы — уступают по мощности, но обеспечивают более сложную функциональность

Таким образом, мощные транзисторы занимают свою уникальную нишу, обеспечивая оптимальное сочетание мощности, быстродействия и управляемости.

Перспективы развития технологий мощных транзисторов

Каковы основные направления совершенствования мощных транзисторов? Специалисты выделяют следующие тенденции:

Повышение рабочих частот (особенно для LDMOS и GaN транзисторов)
Увеличение плотности мощности
Повышение эффективности (КПД)

Улучшение тепловых характеристик
Интеграция защитных и управляющих цепей
Снижение стоимости производства

Ожидается, что в ближайшие годы сохранится тенденция к росту удельной мощности транзисторов при одновременном расширении частотного диапазона их работы. Это позволит создавать более компактные и эффективные электронные устройства.

Заключение

Современные мощные транзисторы являются результатом десятилетий развития полупроводниковых технологий. Они позволяют создавать высокоэффективные устройства силовой и высокочастотной электроники, недостижимые с использованием других типов активных компонентов. Дальнейшее совершенствование технологий производства транзисторов открывает перспективы для появления еще более мощных и эффективных электронных систем в будущем.

Самые мощные IGBT для промышленного применения от IR

4 июня 2014

IGBT-IR

Большинство систем промышленного назначения – электропривод, системы питания, индукционный нагрев, сварочные аппараты и др. — должны обеспечивать высокие (десятки кВт) выходные мощности, работать в жестких температурных условиях и обладать высокой надежностью. Как правило, подобные системы строятся на базе IGBT-транзисторов – полупроводниковых приборов, имеющих высокие допустимые рабочие температуры кристаллов и обеспечивающие высокие выходные токи при приемлемом уровне потерь.

Один из признанных мировых лидеров в производстве IGBT– компания InternationalRectifier – выпускает несколько серий IGBT промышленного применения для напряжений от 600 В до 1200 В с рабочими токами до 160 А при температуре кристалла 100°C.

Транзисторы выпускаются как в дискретном исполнении (в корпусе располагается только кристалл IGBT), так и в исполнении Co-Pack (в корпусе компонента располагаются кристаллы IGBT и быстродействующего антипараллельного диода). Некоторые IGBT транзисторы IR могут выдерживать режим короткого замыкания без разрушения структуры кристалла и корпуса в течении не менее 10 мкс (IRG7PSH73K10PBF), что делает их идеальным решением для систем промышленного электропривода.

Все мощные транзисторы выпускаются в выводных силовых корпусах TO-247 и TO-274 (Super-247), позволяющих эффективно отводит избыточное тепло на радиатор.

Характеристики наиболее мощных IGBT различных серий приведены в таблице. Все указанные транзисторы имеют максимальную рабочую температуру кристалла +175°C.

Наименование	Тип	Напряжение Vce, В	Ток при 100°С, А	Vce(on) макс., В	Etotal макс., мДж	Падение диода тип., В	Корпус
IRGP4266DPBF	Co-Pack (встроенный диод)	650	90	2.10	6.4	2.1	TO-247
IRGPS46160DPBF		600	160	2.05	9.2*	2.4	TO-274
IRGPS4067DPBF			160	2.05	12.3	2.4	TO-274
IRGP4690DPBF			90	2.10	4.6*	2.2	TO-247
IRGP4066DPBF			90	2.10	6.4	2.2	TO-247
IRG7PSH73K10PBF	Дискретный	1200	130	2.30	14.3	нет	TO-274
IRG7PH50UPBF		1200	90	2.00	7.8		TO-247
IRGP4266PBF		650	90	2.10	6.8		TO-247
IRGP4066PBF		600	90	2.10	6.4		TO-247

* — приведено типовое значение параметра

Для заказа бесплатных образцов указанных IGBT действуйте по инструкции:

Внимание! Компания Компэл работает только с организациями и индивидуальными предпринимателями — юридическими лицами. Для заказа образцов необходима регистрация на сайте.

•••

Наши информационные каналы

О компании Int. Rectifier

В 2015 году компания Infineon приобрела компанию International Rectifier, тем самым значительно усилив свои лидирующие позиции в области силовой электроники. …читать далее

Поиск по параметрам

600, 650, 1200 V IGBT транзисторы от IR

Самый мощный полевой транзистор — Морской флот

NXP » MRF1K50H

John Powell, NXP Semiconductors

Microwave Engineering Europe

Последние достижения в области технологии LDMOS позволили не только использовать радиочастотные транзисторы в тех приложениях, где раньше безраздельно доминировали электровакуумные приборы, но и расширить сферу их применения. Новый мощный радиочастотный транзистор MRF1K50H компании NXP при питании напряжением 50 В способен как в импульсном, так и в непрерывном режимах отдавать в нагрузку 1500 Вт в диапазоне частот от 1.8 до 500 МГц, что делает его самым мощным транзистором среди выпускаемых отраслью по любым технологиям и для любых частот.

Когда несколько лет назад NXP представила транзистор с непрерывной выходной мощностью 1250 Вт, он быстро завоевал популярность в самых разных приложениях большой мощности, где раньше традиционно использовались электровакуумные триоды и тетроды, поскольку это был первый LDMOS транзистор, способный работать в системах, в которых могут происходить огромные рассогласования импедансов.

Новый MRF1K50H (Рисунок 1) сместил этот уровень надежности в область более высоких мощностей, что делает его еще более привлекательным для приложений большой мощности. Это могут быть, в частности, схемы накачки углекислотных лазеров и источников плазмы, а также установки физики высоких энергий, в которых они формируют электромагнитное поле, ускоряющее пучки заряженных частиц.


Рисунок 1.	Изображенные здесь в трех вариантах корпусов новые 1.5-киловаттные радиочастотные транзисторы компании NXP на сегодня являются самыми мощными твердотельными высокочастотными приборами. Версия с керамическим корпусом с воздушной полостью совместима с существующими транзисторами; для увеличения выходной мощности достаточно лишь небольшой перенастройки.

MRF1K50H также хорошо подойдет для использования во многих промышленных системах, таких как нагревательное, сварочное и сушильное оборудование, в котором всегда использовались электронные лампы, поскольку никаких твердотельных источников радиочастотного диапазона, в которых сочетались бы надежность электровакуумных приборов с высокой выходной мощностью просто не существовало. Кроме того, транзистор найдет применение в УКВ передатчиках телевизионного вещания, УВЧ радарах и наземных базовых станциях подвижной радиосвязи.


Рисунок 2.	MRF1K50H отдает непрерывную мощность 1550 Вт на частоте 27 МГц при усилении 25.9 дБ и КПД 78%.

Кроме того, MRF1K50H, вероятно, приобретет популярность среди производителей линейных усилителей для любительского радио, где один транзистор легко обеспечит максимальную пиковую мощность огибающей (1500 Вт), допустимую почти во всех КВ и некоторых УКВ диапазонах.

По уровню надежности и сроку службы этот транзистор намного превосходит любые электронные лампы. В экстремальных условиях, когда температура перехода может достигать 225 °C, среднее время наработки на отказ транзистора MRF1K50H составляет 35 лет, однако в нормальном режиме работы при температуре корпуса до 100 °C оно превышает 450 лет. Это гарантирует длительный срок эксплуатации без замены транзистора, намного сокращающий вынужденные простои промышленных систем, время их обслуживания и стоимость использования. Кроме того, твердотельные источники радиочастотных сигналов позволяют управлять выходной мощностью в их полном динамическом диапазоне, фактически, предлагая ранее недоступные варианты использования.


Рисунок 3.	Основные характеристики транзисторов MRF1K50H в радиовещательном диапазоне частот. Как можно видеть, КПД остается в пределах 81% … 84%.

Получить выходную мощность 1.5 кВт можно как от транзистора в керамическом корпусе с воздушной полостью (MRF1K50H), так и от транзистора в формованном пластмассовом корпусе (MRF1K50N). MRF1K50H совместим по выводам со своим 1250-ваттным предшественником MRFE6VP61K25H, а также с устройствами других производителей, так что переход на новые транзисторы не вызовет у разработчиков никаких трудностей. Более того, у транзисторов не только одинаковые корпуса, но и очень близкие значения выходной емкости, что позволяет устанавливать MRF1K50H на ту же печатную плату, выполнив лишь минимальные перенастройки, связанные с его большей выходной мощностью.

Предназначен для жестких условий эксплуатации

Как отмечалось выше, MRF1K50H исключительно надежен и устойчив к перегрузкам, что позволяет ему без повреждения и деградации параметров выдерживать КСВ 65:1. Пробивное напряжение прибора, равное 135 В, и способность к поглощению лавинной энергии, увеличенная по сравнению с предшественником на 40%, идеально подходят для тяжелых условий эксплуатации в промышленном оборудовании.


Рисунок 4.	Для демонстрации типичных радиочастотных характеристик MRFK150 NXP предлагает четыре эталонные схемы, охватывающие диапазон от 27 МГц до 230 МГц.

Высокая выходная мощность предъявляет повышенные требования к системам отвода тепла. Для упрощения конструкций устройств охлаждения и повышения надежности тепловое сопротивление керамического корпуса прибора MRF1K50H было уменьшено до 0.12 °C/Вт, а фланцы выпускаемого в пластмассовом корпусе транзистора MRF1K50N изготавливаются из меди, благодаря чему его тепловое сопротивление переход-корпус снижено на 30%. Кроме того, более жесткие допуски на размеры и улучшенная паяемость выводов обеспечивают более точное и надежное крепление транзисторов к печатной плате в процессе производства.

Необходимым дополнением к анонсу любого нового устройства должны быть соответствующие проектные ресурсы, поэтому NXP предлагает четыре базовые схемы, в которых MRF1K50H будет использоваться чаще всего:

27 МГц:
Эта узкополосная эталонная схема работает на частоте, наиболее распространенной в промышленных приложениях, таких как термосклеивание, сушка и сварка.
81.36 МГц:
MRF1K50H хорошо подходит для этой частоты, которую производители выбрали для накачки CO₂ лазеров.
87.5 … 108 МГц:
Очень большая выходная мощность MRF1K50H позволит сократить число транзисторов и усилительных модулей, необходимых для получения требуемой мощности на входах антенн передатчиков УКВ и цифрового радио. Эта широкополосная оценочная плата адресована разработчикам именно таких систем.
230 МГц:
На этой частоте в импульсном режиме работают узкополосные передатчики аэрокосмических и ряда других систем. Данная эталонная схема разработана для приложений с длительностью импульса 100 мкс, коэффициентом заполнения 20% и пиковой выходной мощностью 1500 Вт.

MRF1K50H, как и варианты транзистора в пластмассовых корпусах, уже выпускаются серийно. Во многих системах, в которых будет использоваться MRF1K50H, особенно в оборонных и промышленных приложениях, транзисторам предстоит работать в течение многих лет. Следовательно, для производителей очень важно быть уверенными в том, что важнейшие компоненты их систем будут доступны на протяжении всего этого времени. Для поддержки таких приложений NXP разработала программу «Долголетие продуктов», гарантирующую доступность критически важных компонентов, как минимум, в течение 15 лет после начала их производства. Применительно к MRF1K50H это означает, что NXP обеспечит их поставку, по крайне мере, до 2031 года.

Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман

Полевые транзисторы «IRF. »

ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ «IRF. «

Мощные полевые ключевые транзисторы с изолированным затвором, n-канальные, обогащенного типа.

Uc-и max – максимально допустимое напряжение между стоком и истоком (V).

Ic max – максимально допустимый ток стока (А). Рmах • максимально допустимая мощность рассеяния на стоке (W).

Rc-и – минимальное эквивалентное сопротивление сток-исток в полностью открытом состоянии (Ohm).

Си – емкость стока (nF).

Uз-и (отс) — максимальное напряжение отсечки между затвором и истоком (V).

Uз-и max – пробивное напряж. затвор-исток (V). S(A/V) – крутизна ампер-вольтовой характеристики, от и до.

при Iс – ток стока (А) при котором измерялась

Основные параметры мощных транзисторов

Технологические возможности и успехи в разработке мощных полевых транзисторов привели к тому, что в настоящее время не составляет особого труда приобрести их за приемлемую цену.

В связи с этим возрос интерес радиолюбителей к применению таких MOSFET транзисторов в своих электронных самоделках и проектах.

Стоит отметить тот факт, что MOSFET’ы существенно отличаются от своих биполярных собратьев, как по параметрам, так и своему устройству.

Пришло время ближе познакомиться с устройством и параметрами мощных MOSFET транзисторов, чтобы в случае необходимости более осознанно подобрать аналог для конкретного экземпляра, а также иметь возможность понимать суть тех или иных величин, указанных в даташите.

Что такое HEXFET транзистор?

В семействе полевых транзисторов есть отдельная группа мощных полупроводниковых приборов называемых HEXFET. Их принцип работы основан на весьма оригинальном техническом решении. Их структура представляет собой несколько тысяч МОП ячеек включенных параллельно.

Ячеистые структуры образуют шестиугольник. Из-за шестиугольной или по-другому гексагональной структуры данный тип мощных МОП-транзисторов и называют HEXFET. Первые три буквы этой аббревиатуры взяты от английского слова hexagonal – «гексагональный».

Под многократным увеличением кристалл мощного HEXFET транзистора выглядит вот так.

Как видим, он имеет шестиугольную структуру.

Получается, что мощный MOSFET, по сути представляет собой эдакую супер-микросхему, в которой объединены тысячи отдельных простейших полевых транзисторов. В совокупности они создают один мощный транзистор, который может пропускать через себя большой ток и при этом практически не оказывать значительного сопротивления.

Благодаря особой структуре и технологии изготовления HEXFET, сопротивление их канала R_DS(on) удалось заметно снизить. Это позволило решить проблему коммутации токов в несколько десятков ампер при напряжении до 1000 вольт.

Вот только небольшая область применения мощных HEXFET транзисторов:

Схемы коммутации электропитания.

Системы управления электродвигателями.

Усилители низкой частоты.

Ключи для управления мощными нагрузками.

Несмотря на то, что мосфеты, изготовленные по технологии HEXFET (параллельных каналов) обладают сравнительно небольшим сопротивлением открытого канала, сфера применения их ограничена, и они применяются в основном в высокочастотных сильноточных схемах. В высоковольтной силовой электронике предпочтение порой отдают схемам на основе IGBT.

Транзисторы HEXFET марки IRLZ44ZS

Изображение MOSFET транзистора на принципиальной электрической схеме (N-канальный МОП).

Как и биполярные транзисторы, полевые структуры могут быть прямой проводимости или обратной. То есть с P-каналом или N-каналом. Выводы обозначаются следующим образом:

О том, как обозначаются полевые транзисторы разных типов на принципиальных схемах можно узнать на этой странице.

Основные параметры полевых транзисторов.

Вся совокупность параметров MOSFET может потребоваться только разработчикам сложной электронной аппаратуры и в даташите (справочном листе), как правило, не указывается. Достаточно знать основные параметры:

V_DSS (Drain-to-Source Voltage) – напряжение между стоком и истоком. Это, как правило, напряжение питания вашей схемы. При подборе транзистора всегда необходимо помнить о 20% запасе.

I_D (Continuous Drain Current) – ток стока или непрерывный ток стока. Всегда указывается при постоянной величине напряжения затвор-исток (например, V_GS=10V). В даташите, как правило, указывается максимально возможный ток.

R_DS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) – сопротивление сток-исток открытого канала. При увеличении температуры кристалла сопротивление открытого канала увеличивается. Это легко увидеть на графике, взятом из даташита одного из мощных HEXFET транзисторов. Чем меньше сопротивление открытого канала (R_DS(on)), тем лучше мосфет. Он меньше греется.

P_D (Power Dissipation) – мощность транзистора в ваттах. По-иному этот параметр ещё называют мощностью рассеяния. В даташите на конкретное изделие величина данного параметра указывается для определённой температуры кристалла.

V_GS (Gate-to-Source Voltage) – напряжение насыщения затвор-исток. Это напряжение, при превышении которого увеличения тока через канал не происходит. По сути, это максимальное напряжение между затвором и истоком.

V_GS(th) (Gate Threshold Voltage) – пороговое напряжение включения транзистора. Это напряжение, при котором происходит открытие проводящего канала и он начинает пропускать ток между выводами истока и стока. Если между выводами затвора и истока приложить напряжение меньше V_GS(th), то транзистор будет закрыт.

На графике видно, как уменьшается пороговое напряжение V_GS(th) при увеличении температуры кристалла транзистора. При температуре 175 0 C оно составляет около 1 вольта, а при температуре 0 0 C около 2,4 вольт. Поэтому в даташите, как правило, указывается минимальное (min.) и максимальное (max.) пороговое напряжение.

Рассмотрим основные параметры мощного полевого HEXFET-транзистора на примере IRLZ44ZS фирмы International Rectifier. Несмотря на впечатляющие характеристики, он имеет малогабаритный корпус D 2 PAK для поверхностного монтажа. Глянем в datasheet и оценим параметры этого изделия.

Предельное напряжение сток-исток (V_DSS): 55 Вольт.

Максимальный ток стока (I_D): 51 Ампер.

Предельное напряжение затвор-исток (V_GS): 16 Вольт.

Сопротивление сток-исток открытого канала (R_DS(on)): 13,5 мОм.

Максимальная мощность (P_D): 80 Ватт.

Сопротивление открытого канала IRLZ44ZS составляет всего лишь 13,5 миллиОм (0,0135 Ом)!

Взглянем на «кусочек» из таблицы, где указаны максимальные параметры.

Хорошо видно, как при неизменном напряжении на затворе, но при повышении температуры уменьшается ток (с 51A (при t=25 0 C) до 36А (при t=100 0 С)). Мощность при температуре корпуса 25 0 С равна 80 Ваттам. Так же указаны некоторые параметры в импульсном режиме.

Транзисторы MOSFET обладают большим быстродействием, но у них есть один существенный недостаток – большая ёмкость затвора. В документах входная ёмкость затвора обозначается как C_iss (Input Capacitance).

На что влияет ёмкость затвора? Она в большой степени влияет на определённые свойства полевых транзисторов. Поскольку входная ёмкость достаточно велика, и может достигать десятков пикофарад, применение полевых транзисторов в цепях высокой частоты ограничивается.

В схемах переключения время заряда паразитной входной ёмкости транзистора влияет на скорость его срабатывания.

Важные особенности MOSFET транзисторов.

Очень важно при работе с полевыми транзисторами, особенно с изолированным затвором, помнить, что они “смертельно” боятся статического электричества. Впаивать их в схему можно только предварительно закоротив выводы между собой тонкой проволокой.

При хранении все выводы МОП-транзистора лучше закоротить с помощью обычной алюминиевой фольги. Это уменьшит риск пробоя затвора статическим электричеством. При монтаже его на печатную плату лучше использовать паяльную ст

справочник приборов ВЧ и СВЧ

Транзисторы высокочастотные и СВЧ отечественного и зарубежного производства

Основные параметры:

Uмакс. — Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор — эмиттер
Iмакс. — Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Pмакс. — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
fгран. — Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ
h31э — Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ
Iкбо — Обратный ток коллектора
Kус. — Коэффициент усиления по мощности
Kш. — Коэффициент шума транзистора

Транзисторы малой мощности

Корпус SOT-23

Наименование	Структура	Uмакс., В	Iмакс., А	Pмакс., Вт	fгран., ГГц	Кш., дБ	h31э
BFR92A	N-P-N	15	25	0,3	5	2,1	40-90
BFR93A	N-P-N	12	35	0,3	6	1,9	40-90
BFR193	N-P-N	12	80	0,58	8	1,3	50-200
BFS17A	N-P-N	15	25	0,3	2,8	2,5	25-90
BFT92	P-N-P	15	25	0,3	5	2,5	20-50
BFT93	P-N-P	12	35	0,3	5	2,4	20-50

Корпус TO-50

Наименование	Структура	Uмакс., В	Iмакс., А	Pмакс., Вт	fгран., ГГц	Кш., дБ	h31э
BF970	P-N-P	35	30	0,3	1	4,2	25-90
BF979	P-N-P	20	50	0,3	1,75	3,4	20-90
BFR90A	N-P-N	15	30	0,3	6	1,8	50-150
BFR91A	N-P-N	12	50	0,3	6	1,6	40-150
BFR96TS	N-P-N	15	100	0,7	5	4	25-150

Корпус TO-92

Наименование	Структура	Uмакс., В	Iмакс., А	Pмакс., Вт	fгран., МГц	h31э
BF199	N-P-N	25	25	0,5	550	>38
BF240	N-P-N	40	25	0,3	>150	60-220
BF324	P-N-P	30	25	0,3	450	>25
BF450	P-N-P	40	25	0,3	375	>50
BF494	N-P-N	20	30	0,3	>260	>30
BF959	N-P-N	20	100	0,625	>600	>35

Транзисторы в других типах корпусов

Наименование	Структура	Uмакс., В	Iмакс., А	Pмакс., Вт	fгран., ГГц	h31э	Корпус
BFG425W	N-P-N	4,5	30	0,135	25	50-120	SOT343R
BFP67	N-P-N	10	50	0,2	7,5	65-150	SOT143
BFP450	N-P-N	4,5	100	0,45	24	50-150	SOT343R
BFP540	N-P-N	4,5	80	0,25	33	50-200	SOT343R
BFP620	N-P-N	2,3	80	0,185	65	100-320	SOT343R

Транзисторы высокочастотные советской разработки

Наименование	Структура	Pмакс., Вт	Iмакс., А	Uмакс., В	Iкбо., мкА	h31э	fгран., МГц	Корпус
КТ3102А-Ж	N-P-N	0,25	200	20-50	< 0,05	100/250-400/1000	150	КТ-1-7
КТ3102АМ-КМ	N-P-N	0,25	200	20-50	< 0,05	100/250-400/1000	150	КТ-26
КТ3107	P-N-P	0,3	100	20-45	< 0,1	70/140-380/800	250	КТ-26
КТ3108	P-N-P	0,3	200	45-60	< 0,2	50/150-100/300	250	КТ-1-7
КТ3117А, Б	N-P-N	0,3	400	50	< 10	40/200	300	КТ-1-7
КТ3117А1	N-P-N	0,3	400	50	< 10	40/200	300	КТ-26
КТ3129	P-N-P	0,15	100	20-40	< 1,0	30/120-200/500	200	КТ-46
КТ3130	N-P-N	0,1	100	15-40	< 0,1	100/250-400/1000	150	КТ-46
КТ315	N-P-N	0,15	50-100	25-60	0,5	20/90-50/350	200	КТ-13
КТ3151А9, Д9	N-P-N	0,2	100	80	< 1,0	> 20	100	КТ-46
КТ3153А9	N-P-N	0,3	400	50	< 0,05	100/300	250	КТ-46
КТ3157А	P-N-P	0,2	30	250	< 0,1	> 50	60	КТ-26
КТ3172А9	N-P-N	0,2	200	20	< 0,4	40/150	500	КТ-46
КТ339АМ	N-P-N	0,26	25	25	< 1,0	> 25	550	КТ-26
КТ342АМ, БМ, ВМ	N-P-N	0,25	50	30	< 30	100/250	250	КТ-26
КТ361	P-N-P	0,15	50-100	10-45	< 1	20/90-100/350	150	КТ-13

СВЧ-транзисторы советской разработки

Наименование	Структура	Pмакс., Вт	Iмакс., А	Uмакс., В	Iкбо., мкА	h31э	fгран., МГц	Корпус
КТ3101А-2	N-P-N	0,1	20	15	0,5	35/300	2250	Н/С-1
КТ3101АМ	N-P-N	0,1	20	15	0,5	35/300	1000	КТ-14
КТ3115А-2(Б, Д)	N-P-N	0,07	8,5	7-10	0,5	15/80	5800	КТ-22
КТ3120А	N-P-N	0,1	20	15	5	> 40	1800	КТ-14
КТ3126А,Б	P-N-P	0,15	30	30	0,5	25/100-60/180	500	КТ-26
КТ3128А1	P-N-P	0,3	30	35	0,1	35/150	800	КТ-26
КТ3168А9	N-P-N	0,18	28	15	< 0,5	60/180	<3000	КТ-46
КТ326А,Б	P-N-P	0,2	50	15	0,5	20/70-45/160	250	КТ-1-7
КТ326АМ,БМ	P-N-P	0,2	50	15	0,5	20/70-45/160	250	КТ-26
КТ368А,Б	N-P-N	0,225	30	15	0,5	50/300	900	КТ-1-12
КТ368АМ,БМ	N-P-N	0,225	30	15	0,5	50/450	900	КТ-26
КТ368А9, Б9	N-P-N	0,1	30	15	0,5	50/300	900	КТ-46
КТ399АМ	N-P-N	0,15	30	15	0,5	40/170	1800	КТ-26

Транзисторы средней мощности

Зарубежные

Наименование	Структура	Uмакс., В	Iмакс., А	Pмакс., Вт	fгран., ГГц	h31э	Корпус
BFG135	N-P-N	15	150	1	7	80-130	SOT223
BFG540W	N-P-N	15	120	0,5	9	100-250	SOT343N
BFG97	N-P-N	15	100	1	5,5	25-80	SOT223
BFQ19	N-P-N	15	100	1	5,5	25-80	SOT89
BLT50	N-P-N	10	500	2	0,47	25	SOT223
BLT80	N-P-N	10	250	2	0,9	25	SOT223
BLT81	N-P-N	9,5	500	2	0,9	25	SOT223

Транзисторы высокочастотные советской разработки

Наименование	Структура	Pмакс., Вт	Iмакс., А	Uмакс., В	Iкбо., мкА	h31э	fгран., МГц	Корпус
КТ626А-Д	P-N-P	9	1,5	20-80	1	15/60-40/250	45	КТ-27-2
КТ646А,Б	N-P-N	3,5	1	40-50	10	40/200-150/300	250	КТ-27-2
КТ683А-Е	N-P-N	8	1	60-150		40/120-160/480	50	КТ-27-2
КТ6127А-К	P-N-P	0,8	2	10-200	< 20	> 30	150	КТ-26
КТ630А-Е	N-P-N	0,8	1	60-150	< 1	40/120-160/480	50	КТ-2-7
КТ639А-И	P-N-P	1	1,5	30-80	< 0,1	40/100-180/400	80	КТ-27-2
КТ644А-Г	P-N-P	1	0,6	40-60	< 0,1	40/120-100/300	200	КТ-27-2
КТ645А	N-P-N	0,5	0,3	50	< 10	20/200	200	КТ-26
КТ660А,Б	N-P-N	0,5	0,8	30-45	< 1	110/220-200/450	200	КТ-26
КТ664А9	P-N-P	1	1	100	< 10	40/250	50	КТ-47
КТ665А9	N-P-N	1	1	100	< 10	40/250	50	КТ-47
КТ680А	N-P-N	0,35	0,6	25	< 10	85/300	120	КТ-26
КТ681А	P-N-P	0,35	0,6	25	< 10	85/300	120	КТ-26
КТ698	N-P-N	0,6	2	12-90	< 20	20/118-50/649	100	КТ-26

Транзисторы большой мощности

Зарубежные

Наименование	Структура	Uмакс., В	Iмакс., А	Pмакс., Вт	fгран., ГГц	h31э	Корпус
BLT53	N-P-N	10	2500	35,5	3,9	25	SOT122D

ВЧ-транзисторы советской разработки

Наименование	Структура	Pмакс., Вт	Iмакс., А	Uмакс., В	fгран., МГц	Кус., дБ	Iкбо., мкА	Корпус
КТ9115А	P-N-P	1,2	0,1	300	> 90		< 0,05мкА	КТ-27-2
КТ9180А-В	N-P-N	12,5	3,0	40-80	> 100			КТ-27-2
КТ9181А-В	P-N-P	12,5	3,0	40-80	> 100			КТ-27-2
КТ920А	N-P-N	5,0	0,5	36	30/200	4	2	КТ-17
КТ920Б	N-P-N	10,0	1,0	36	30/200		4	КТ-17
КТ920В	N-P-N	25,0	3,0	36	30/200		7,5	КТ-17
КТ920Г	N-P-N	25,0	3,0	36	30/200	3,5	7,5	КТ-17
КТ922А	N-P-N	8,0	0,8	65	50/175	3	5	КТ-17
КТ922Б	N-P-N	20,0	1,5	65	50/175	3		КТ-17
КТ922В	N-P-N	40,0	3,0	65	50/175		40	КТ-17
КТ922Г	N-P-N	20,0	1,5	65	50/175		20	КТ-17
КТ929А	N-P-N	6,0	0,8	30	> 50	8	5	КТ-17
КТ940А-В, A1	N-P-N	10,0	0,1	160-300	> 90		0,5	КТ-27-2, -26
КТ961А-В	N-P-N	12,5	1,5	60-100	> 50		10	КТ-27-2
КТ969А	N-P-N	6,0	0,1	250	> 60		0,05	КТ-27-2
КТ972А,Б	N-P-N	8,0	4,0	45-60	> 200		1	КТ-27-2
КТ973А,Б	P-N-P	8,0	4,0	45-60	> 200		1	КТ-27-2

СВЧ-транзисторы советской разработки

Наименование	Структура	Pмакс., Вт	Iмакс., А	Uмакс., В	fгран., МГц	Кус., дБ	Iкбо., мкА	Корпус
КТ913А	N-P-N	4,7	0,5	55	900/1500	2	10	КТ-16-2
КТ913Б	N-P-N	8	1	55	900/1500	2	50	КТ-16-2
КТ913В	N-P-N	12	1	55	900/1500	2	50	КТ-16-2
КТ916А	N-P-N	30	2	55	200/1800	2,5	25	КТ-16-2
КТ925А	N-P-N	5,5	0,5	36	500/1250	12	7	КТ-17
КТ925Б	N-P-N	11	1	36	375/1100	7	12	КТ-17
КТ925В	N-P-N	25	3,3	36	300/550	5,3	30	КТ-17
КТ925Г	N-P-N	25	3,3	36	300/550	5,3	30	КТ-17
КТ934А	N-P-N	7,5	0,5	60	> 100		5	КТ-17
КТ934Б	N-P-N	15	1	60	> 100		10	КТ-17
КТ934В	N-P-N	30	2	60	> 100		20	КТ-17
КТ939А	N-P-N	4	0,4	30	> 100		1	КТ-16-2
КТ939Б	N-P-N	4	0,4	30	> 100		2	КТ-16-2

Электронные компоненты

Компания FREESCALE SEMICONDUCTOR представила самый мощный в мире LDMOS ВЧ транзистор высокой мощности

Транзистор MRF6VP11KH обеспечивает получение импульсной ВЧ мощности 1кВт на частоте 130МГц и обеспечивает высочайшую эффективность преобразования энергии и больше коэффициент усиления по мощности, чем у любого другого транзистора в этом классе. Чрезвычайно эффективный транзистор — последний пример приверженности компании FREESCALE к поставке наиболее передовых в отрасли мощных ВЧ изделий для промышленного, научного и медицинского (ISM) рынков. Транзистор работает от напряжения 50В, демонстрируя значительное превосходство над биполярными и полевыми транзисторами, обеспечивая мощность, требуемую в таком оборудовании как системы ядерного магнитного резонанса (MRI), углекислотные лазеры, генераторы плазмы и другие системы. Высокое усиление и беспрецедентный уровень мощности радикально сокращает количество компонентов, до 70% по сравнению с традиционной конструкцией. Такое снижение числа компонентов значительно сокращает необходимую площадь печатной платы и сложность производства, приводя в результате к снижению стоимости усилителя.

«С началом поставок MRF6VP11KH, мы установили новую планку в индустрии по эффективности, выходной мощности, надежности и простоте применения», — говорит Гэвин П Вудс (Gavin P Woods), вице президент и генеральный менеджер отделения ВЧ устройств компании FREESCALE. «Никакие другие мощные ВЧ изделия, будь то LDMOS, MOSFET или биполярные, не могут достичь подобных успехов. Мы продолжим выводить передовые устройства на этот рынок, давая возможность нашим потребителям взять новые высоты в качестве и параметрах своей аппаратуры».

Разработанный для работы в диапазоне от 10 до 150МГц, транзистор использует технологию шестого поколения боковой диффузии оксида металла в полупроводник (LDMOS) очень высокого напряжения (VHV6), и служит последним примером приверженности компании FREESCALE к поставке наиболее передовых в отрасли мощных ВЧ изделий для промышленного, научного и медицинского (ISM) рынков. Транзистор пополняет передовое семейство 50В VHV6 LDMOS изделий, анонсированных в июне 2006, для ответа на потребности ISM аппаратуры работающей в HF, VHF, и UHF диапазонах частот вплоть до 450МГц.

«Компания FREESCALE перешла уровень импульсной ВЧ мощности 1кВт с помощью 50В LDMOS», — говорит Ланс Вильсон (Lance Wilson), директор по исследованию полупроводников компании ABI RESEARCH. «Высокое усиление, высокая эффективность, низкое тепловое сопротивление и высокая устойчивость к рассогласованию выхода транзистора MRF6VP11KH действительно впечатляет».
Преимущества, получение которых обеспечивается MRF6VP11KH, распространяются далеко за его статус наиболее мощного коммерчески доступного LDMOS ВЧ транзистора.

MRF6VP11KH обеспечивает эффективность преобразования энергии до 65%, исключительно высокую величину для любого типа мощных ВЧ транзисторов. А в сочетании с усилением более 27дБ, такой уровень эффективности делает возможным значительное упрощение конструкции усилителя, количества каскадов, количества компонентов и размеров печатных плат. Например, для аппаратуры с импульсной выходной мощностью 2кВт и коэффициентом усиления 45дБ обычно требуется 15Вт предусилитель, два 15Вт усилителя и восемь выходных полевых или биполярных транзисторов – всего три каскада и 11 транзисторов. А в конструкции с использованием MRF6VP11KH применяются всего три транзистора.Один 10Вт LDMOS драйвер и два MRF6VP11KH выходных усилителя обеспечивают получение той же самой выходной мощности при более высоком усилении, 50дБ. Кроме 50В напряжения смещения используемого MRF6VP11KH, транзистор имеет повышенное волновое сопротивление при данном уровне мощности, что упрощает задачу его использования в схемах ВЧ усилителей. Тепловое сопротивление кристалл-корпус, отвечающего требованиям RoHS, корпуса с воздушным охлаждением компании FREESCALE, составляет менее 0,13C/Вт, что обеспечивает эффективный отвод тепла и уменьшает размер теплоотвода. MRF6VP11KH имеет встроенную защиту от статического электричества (ESD), которая делает ненужными специальные меры предосторожности, обычно используемые в электронной промышленности.

MRF6VP11KH присоединяется к передовому семейству 50В VHV6 LDMOS транзисторов компании FREESCALE, анонсированному в июне 2006 года. Среди других изделий компании, находящихся в производстве для диапазона частот 10-450МГц, имеются MRF6V2010N (10Вт CW, усиление 24дБ, эффективность 62%), MRF6V2150N (150 Вт CW, усиление 25дБ, эффективность 68%), и MRF6V2300N (300 Вт CW, усиление 25.5дБ, эффективность 68%).

Источник: terraelectronica.ru

Другие новости …

Мощные СВЧ-транзисторы Philips Semiconductors

СВЧ-транзисторы применяются во многих областях человеческой деятельности: телевизионные и радиовещательные передатчики, ретрансляторы, радары гражданского и военного назначения, базовые станции сотовой системы связи, авионика и т. д.

В последние годы заметна тенденция перехода с биполярной технологии производства СВЧ-транзисторов на технологии VDMOS (Vertical Diffusion Metal Oxide Semiconductors) и LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors). Самая передовая технология LDMOS обладает наилучшими характеристиками, такими, как линейность, усиление, тепловые режимы, устойчивость к рассогласованию, высокий КПД, запас по рассеиваемой мощности, надежность. Производимые Philips транзисторы имеют исключительно высокую повторяемость характеристик от партии к партии, и компания Philips этим гордится. При замене вышедших из строя транзисторов можно не беспокоиться о процессе настройки оборудования заново, так как все параметры транзисторов абсолютно идентичны. Этим не может похвастаться ни один из конкурентов Philips.

Все новые разработки Philips базируются на новой современной LDMOS-технологии.