Сопротивление транзистора: что нужно знать о параметрах биполярных транзисторов

Какое сопротивление имеет переход коллектор-эмиттер транзистора. Как рассчитать входное и выходное сопротивление транзистора. Почему сопротивление транзистора не является постоянной величиной.

Что такое сопротивление транзистора и почему оно важно

Сопротивление транзистора — это ключевой параметр, определяющий его работу в электрических схемах. При этом важно понимать, что у транзистора нет фиксированного значения сопротивления, как у обычного резистора. Сопротивление транзистора зависит от режима его работы и может меняться в широких пределах.

Основные виды сопротивления транзистора, которые необходимо учитывать при проектировании схем:

• Входное сопротивление — сопротивление между базой и эмиттером
• Выходное сопротивление — сопротивление между коллектором и эмиттером
• Дифференциальное сопротивление — отношение малого изменения напряжения к вызвавшему его малому изменению тока

Знание этих параметров позволяет правильно рассчитать режимы работы транзистора и обеспечить его оптимальное функционирование в схеме.

Входное сопротивление транзистора

Входное сопротивление биполярного транзистора — это сопротивление между базой и эмиттером. Оно определяет, какой ток будет протекать через базу при подаче на нее определенного напряжения.

Входное сопротивление транзистора можно рассчитать по формуле:

R_вх = β * r_e

Где:

• β — коэффициент усиления транзистора по току
• r_e — сопротивление эмиттерного перехода

Типичные значения входного сопротивления для биполярных транзисторов составляют от единиц до десятков кОм.

Выходное сопротивление транзистора

Выходное сопротивление биполярного транзистора — это сопротивление между коллектором и эмиттером. Оно определяет, как сильно будет меняться напряжение коллектор-эмиттер при изменении тока коллектора.

Выходное сопротивление можно рассчитать по формуле:

R_вых = (V_A + V_CE) / I_C

Где:

• V_A — напряжение Эрли
• V_CE — напряжение коллектор-эмиттер
• I_C — ток коллектора

Типичные значения выходного сопротивления составляют десятки-сотни кОм.

Почему сопротивление транзистора не является постоянной величиной

Сопротивление транзистора не является постоянной величиной по нескольким причинам:

1. Оно зависит от режима работы транзистора (активный режим, насыщение, отсечка)
2. На него влияют рабочая точка и ток коллектора
3. Сопротивление меняется при изменении температуры
4. На высоких частотах проявляются емкостные эффекты

Поэтому при расчетах обычно используют дифференциальное или малосигнальное сопротивление транзистора, определяемое для конкретной рабочей точки.

Как измерить сопротивление транзистора

Измерить сопротивление транзистора можно несколькими способами:

1. С помощью мультиметра в режиме измерения сопротивления
2. Методом вольтметра-амперметра
3. Снятием вольт-амперных характеристик

При измерении мультиметром важно учитывать, что показания будут зависеть от полярности подключения щупов. Для более точных измерений рекомендуется использовать специализированные приборы — измерители параметров транзисторов.

Влияние температуры на сопротивление транзистора

Температура оказывает существенное влияние на параметры транзистора, в том числе на его сопротивление. При повышении температуры:

• Уменьшается напряжение база-эмиттер
• Увеличивается обратный ток коллектора
• Уменьшается коэффициент усиления по току

Все это приводит к изменению входного и выходного сопротивления транзистора. Поэтому при проектировании схем необходимо учитывать температурную зависимость параметров и при необходимости применять схемы температурной стабилизации.

Сопротивление транзистора в различных схемах включения

Сопротивление транзистора будет различаться в зависимости от схемы его включения:

• В схеме с общим эмиттером входное сопротивление составляет единицы кОм, а выходное — десятки-сотни кОм
• В схеме с общей базой входное сопротивление очень мало (десятки Ом), а выходное — велико (сотни кОм)
• В схеме с общим коллектором входное сопротивление максимально (сотни кОм), а выходное минимально (сотни Ом)

Выбор схемы включения зависит от требуемых параметров усиления и согласования с источником сигнала и нагрузкой.

Расчет сопротивления транзистора в электрических схемах

При расчете схем с транзисторами необходимо учитывать их нелинейные свойства. Для упрощения расчетов часто используют линеаризованные модели транзисторов, в которых сопротивление представлено в виде линейных элементов.

Основные этапы расчета:

1. Определение рабочей точки транзистора
2. Расчет параметров малосигнальной модели
3. Составление эквивалентной схемы
4. Расчет коэффициентов усиления и входного/выходного сопротивления

Для точных расчетов рекомендуется использовать специализированное программное обеспечение, позволяющее моделировать работу транзисторных схем с учетом всех нелинейностей.

Заключение

Сопротивление транзистора — важный, но сложный для понимания параметр. Его нельзя рассматривать как постоянную величину, поскольку оно зависит от множества факторов. При проектировании схем необходимо учитывать нелинейные свойства транзисторов и правильно выбирать режимы их работы. Понимание особенностей сопротивления транзисторов позволяет создавать эффективные и надежные электронные устройства.

Выходное сопротивление транзистора при постоянном базовом токе Калькулятор

✖Напряжение коллектор-эмиттер — это электрический потенциал между базой и коллектором транзистора.ⓘ Напряжение коллектор-эмиттер [V CE]		AbvoltАттовольтсантивольтДецивольтДекавольтEMU электрического потенциалаESU электрического потенциалаФемтовольтГигавольтГектовольткиловольтМегавольтмикровольтмилливольтНановольтпетавольтпиковольтПланка напряженияStatvoltТеравольтвольтВатт / АмперЙоктовольтЦептовольт	+10% -10%
✖Коллекторный ток представляет собой усиленный выходной ток биполярного транзистора.ⓘ Коллекторный ток [Ic]		AbampereАмперАттоамперБайотсантиамперСГС ЭМБлок ЭС СГСДециамперДекаампереEMU текущегоESU текущегоExaampereФемтоамперГигаамперГилбертгектоамперкилоамперМегаампермикроамперМиллиампернаноамперПетаамперПикоамперStatampereтераамперЙоктоампереЙоттаампереZeptoampereZettaampere	+10% -10%

✖Сопротивление является мерой сопротивления току, протекающему в электрической цепи. Его единицей СИ является ом.ⓘ Выходное сопротивление транзистора при постоянном базовом токе [R]

AbohmEMU сопротивленияESU сопротивленияExaohmГигаомкилооммегаоммикроомМиллиомНаномомПетаомПланка сопротивлениеКвантованная Hall СопротивлениеВзаимный СименсStatohmВольт на АмперYottaohmZettaohm

⎘ копия

👎

Формула

сбросить

👍

Выходное сопротивление транзистора при постоянном базовом токе Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Напряжение коллектор-эмиттер: 3.15 вольт —> 3.15 вольт Конверсия не требуется
Коллекторный ток: 5 Миллиампер —> 0.005 Ампер (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

-630 ом —>-0.63 килоом (Проверьте преобразование здесь)

< 15 Сопротивление Калькуляторы

Входное сопротивление общей цепи затвора с учетом крутизны

Идти Входное сопротивление = (1/крутизна)+(Сопротивление нагрузки/(крутизна*Конечное выходное сопротивление))

Выходное сопротивление усилителя CS, когда GMRO больше 1

Идти Выходное сопротивление = (1+(крутизна*Сопротивление))*Конечное выходное сопротивление

Выходное сопротивление BJT

Идти Сопротивление = (Напряжение питания+Напряжение коллектор-эмиттер)/Коллекторный ток

Входное сопротивление слабого сигнала между базой и эмиттером с использованием крутизны

Идти Сопротивление сигнала = Коэффициент усиления по току с общим эмиттером/крутизна

Выходное сопротивление транзистора при постоянном базовом токе

Идти Сопротивление = -(Напряжение коллектор-эмиттер/Коллекторный ток)

Сопротивление эмиттера при заданном пороговом напряжении

Идти Сопротивление эмиттера = Пороговое напряжение/Ток эмиттера

Сопротивление эмиттера при заданном токе эмиттера

Идти Сопротивление эмиттера = Пороговое напряжение/Ток эмиттера

Входное сопротивление слабого сигнала между базой и эмиттером с использованием базового тока

Идти Сопротивление сигнала = Пороговое напряжение/Базовый ток

Выходное сопротивление простого тока BJT

Идти Выходное сопротивление = Напряжение питания/Выходной ток

Выходное сопротивление биполярного транзистора простого тока с учетом раннего напряжения

Идти Выходное сопротивление = Напряжение питания/Опорный ток

Выходное сопротивление источника тока с заданным параметром устройства

Идти Выходное сопротивление = Параметр устройства/Ток стока

Входное сопротивление слабого сигнала между базой и эмиттером

Идти Сопротивление сигнала = Входное напряжение/Базовый ток

Входное сопротивление BJT

Идти Входное сопротивление = Входное напряжение/Сигнал Ток

Входное сопротивление слабого сигнала при заданном токе эмиттера

Идти Малый сигнал = Сигнал Ток*Сопротивление эмиттера

Сопротивление эмиттера BJT

Идти Сопротивление эмиттера = Малый сигнал/Сигнал Ток

Выходное сопротивление транзистора при постоянном базовом токе формула

Сопротивление = -(Напряжение коллектор-эмиттер/Коллекторный ток)
R = -(V_CE/I_c)

Определите динамическое выходное сопротивление транзисторного усилителя в конфигурации с общим эмиттером.

При постоянном базовом токе IB динамическое выходное сопротивление (r

Share

Copied!

Расчет входного сопротивления транзистора со стороны базы

Входное сопротивление со стороны базы соответствует входному сопротивлению транзистора без учета шунтирующего действия резистивного делителя в цепи базы: .

7. Расчет резистивного делителя в цепи базы транзистора

Резистивный делитель R1, R2, формирует потенциал базы относительно земли. Уровень данного потенциала не должен зависеть от тока эмиттера , протекающего по резистору . Последний является датчиком температуры. Если ток делителя значительно превышает ток базы , то потенциал определяется напряжением питания и соотношением резисторов R1, R2. Поскольку коэффициент , а ток , то потенциал базы не зависит от тока при условии:

.

Потенциал базы определяется по второму закону Кирхгофа:

,

где  _d  статический потенциал эмиттерного рn — перехода.

Резисторы R1, R2 рассчитываются по закону Ома:

; .

Определяются мощности , рассеиваемые на сопротивлениях R1, R2:

; .

Примечание. Для германиевых транзисторов ; для кремневых транзисторов [9].

В среде «CIRCUITMAKER» принимается .

7. Расчет эквивалентного сопротивления базового делителя

При усилении сигналов переменного тока с частотой шина источника питания заземлена через внутренний конденсатор фильтра (на рисунке 1 не показан), т.к. емкостное сопротивление . Следовательно, по переменному току резисторы R1, R2 соединены параллельно. Эквивалентное сопротивление делителя .

7. Расчет активного входного сопротивления усилителя

На низких частотах, несоизмеримых с быстродействием выбранного транзистора, входное сопротивление усилителя является чисто активным и соответствует параллельному соединению сопротивлений и :

.

Примечание. В области высоких частот, соизмеримых с быстродействием выбранного транзистора, начинают влиять межэлектродные емкости: входное сопротивление (импеданс) транзистора является комплексной величиной

7. Расчет емкости разделительного конденсатора на входе усилителя

Разделительный конденсатор отделяет постоянный потенциал базы от источника информационного сигнала, подавляет низкие частоты и пропускает высокие частоты. Величина емкости рассчитывается на нижней частоте информационного сигнала по формуле:

.

Для уменьшения ослабления входного сигнала на низких частотах расчетное значение емкости увеличивается в 10-100 раз.

13. Расчет коэффициента усиления

Определяется емкость шунтирующего конденсатора в цепи эмиттера для заданного значения модуля коэффициента усиления

.

Определяется модуль коэффициента усиления для расчетного значения емкости

.

14. Расчет амплитуды входного напряжения и тока

Номинальная амплитуда входного напряжения

Амплитуда входного тока .

14. Расчет коэффициента усиления по току и по мощности

Коэффициент усиления по току .

Коэффициент усиления по мощности .

16. Расчет номинальной мощности входного сигнала

Номинальная входная мощность определяется из тождества:

.

2.2 Расчет усилителя с общим коллектором

Исходными данными для расчета усилителя с общим коллектором (Рисунок 2) являются следующие параметры:

• активное сопротивление нагрузки ;

• активная мощность нагрузки ;

• напряжение питания ;

• коэффициент передачи тока базы транзистора;

• рабочая частота (частотный диапазон) информационного сигнала .

Методика расчета

1. Расчет амплитуды выходного напряжения и тока нагрузки

Амплитуда выходного напряжения и ток нагрузки усилителя определяется в соответствии с разделом 2.1, п.1.

2. Выбор транзисторов

Выбор транзисторов осуществляется в соответствии с разделом 2. 1, п.2.

3. Расчет емкости разделительного конденсатора на выходе усилителя

Расчет емкости разделительного конденсатора на выходе осуществляется в соответствии с разделом 2.1, п.3: .

3. Расчет резистора в цепи эмиттера и его мощности

Для исключения искажений информационного сигнала потенциал эмиттера и ток эмиттера в статическом режиме (при отсутствии входного сигнала) выбираются из условия: , .

Резистор в цепи эмиттера . Мощность , рассеиваемая на сопротивлении R3: .

3. Расчет эквивалентного сопротивления эмиттерной цепи

При достаточно большой емкости разделительного конденсатора С3 эквивалентное сопротивление эмиттерной цепи соответствует параллельному соединению сопротивлений и : .

3. Расчет входного сопротивления транзистора

Для схемы с общим коллектором входное сопротивление транзистора определяется без учета шунтирующего действия резистивного делителя со стороны базы: .

3. Расчет тока базы в статическом режиме

При известном значении параметров и транзистора статический ток базы .

3. Расчет резистивного делителя в цепи базы транзистора

Резистивный делитель R1, R2, формирует потенциал базы относительно земли. Элементы делителя выбираются таким образом, чтобы минимизировать шунтирование входного сопротивления . По первому закону Кирхгофа в базовом узле ток растекается: по резистору R2 течет ток , а по резистору R1 – ток . Для уменьшения шунтирующего действия делителя R1, R2 величина тока выбирается из условия: .

Расчет сопротивлений делителя R1, R2:

• расчет потенциала базы в статическом режиме: .

• расчет сопротивления R2 делителя: .

• расчет сопротивления R1 делителя: .

• расчет мощностей резисторов делителя: , .

Примечание. Для германиевых транзисторов ; для кремневых транзисторов . В среде «CIRCUITMAKER» принимается .

9. Расчет эквивалентного сопротивления делителя в цепи базы

При достаточно большой емкости фильтра эквивалентное сопротивление базового делителя на переменном токе соответствует параллельному соединению его элементов: .

9. Расчет активного входного сопротивления усилителя

На низких частотах, несоизмеримых с быстродействием выбранного транзистора, входное сопротивление усилителя является чисто активным и соответствует параллельному соединению сопротивлений и :

.

11. Расчет емкости разделительного конденсатора на входе усилителя

Расчет емкости разделительного конденсатора на входе осуществляется в соответствии с разделом 2.1, п.12: .

11. Расчет коэффициента усиления по напряжению

Модуль коэффициента усиления по напряжению зависит от коэффициента транзистора, а также от соотношения эквивалентных сопротивлений участка коллектор-эмиттер и цепи эмиттера : .

Входной и выходной сигналы ЭП формируются относительно коллектора, имеющего на переменном токе нулевой потенциал. Следовательно, эквивалентное сопротивление эмиттерной цепи подключено параллельно динамическому сопротивлению участка коллектор – эмиттер транзистора :

;

.

11. Расчет амплитуды входного напряжения и тока

Номинальная амплитуда входного напряжения

Амплитуда входного тока .

11. Расчет коэффициента усиления по току и по мощности

Коэффициент усиления по току .

Коэффициент усиления по мощности .

11. Расчет номинальной мощности входного сигнала

Номинальная мощность информационного сигнала на входе усилителя определяется из тождества: .

3. Расчет транзисторного ключа

Исходными данными для расчета транзисторного ключа (Рисунок 3, 4) являются следующие параметры:

• напряжение питания ;

• абсолютная температура окружающей среды ;

• коэффициент передачи тока базы транзистора ;

• ток эмиттера транзистора ;

• активное сопротивление коллекторной нагрузки ;

• остаточное напряжение на коллекторе транзистора

Методика расчета

1. Выбор транзистора: (см. раздел 2.1, п. 2) .

2. Расчет тока коллектора (тока нагрузки): .

3. Расчет тока эмиттера: .

4. Расчет тока базы (тока управления): ..

5. Расчет температурного потенциала: .

6. Расчет активного сопротивления эмиттерного вывода: .

7. Расчет ограничивающего резистора в цепи базы: .

8. Расчет мощности ограничивающего резистора в цепи базы: .

9. Расчет входного сопротивления транзисторного ключа: .

Примечание. Уровень входного напряжения должен обеспечить насыщение транзистора: , где максимальное напряжение между базой и эмиттером транзистора. У биполярных транзисторов: – германий, – кремний, [9, 11].

В среде «CIRCUITMAKER» принимается . При расчете ТК обычно выбирают напряжение .

2.4 Расчет инвертирующего усилителя

Исходными данными для расчета инвертирующего операционного усилителя (Рисунок 8, а) являются следующие параметры:

• активное сопротивление нагрузки усилителя ;

• амплитуда напряжения на нагрузке усилителя

• активное входное сопротивление усилителя ;

• коэффициент усиления по напряжению .

Методика расчета

1. Расчет амплитуды тока нагрузки

Амплитуда тока нагрузки .

2. Расчет сопротивления отрицательной обратной связи

Входное сопротивление инвертирующего усилителя . При заданных значениях параметров и сопротивление отрицательной обратной связи определяется из выражения для модуля коэффициента усиления по напряжению , .

3. Расчет амплитуды входного напряжения

Амплитуда входного сигнала .

4. Расчет амплитуды входного тока

Амплитуда входного тока .

5. Расчет коэффициента усиления по току

Модуль коэффициента усиления по току .

6. Расчет коэффициента усиления по мощности

Модуль коэффициента усиления по мощности .

2.5 расчет неинвертирующего усилителя

Исходными данными для расчета неинвертирующего операционного усилителя (Рисунок 8, б) являются следующие параметры:

• активное сопротивление нагрузки усилителя ;

• амплитуда напряжения на нагрузке усилителя

• активное входное сопротивление усилителя ;

• коэффициент усиления по напряжению .

Методика расчета

Если заданный коэффициент усиления по напряжению , то при фиксированном значении параметра сопротивление обратной связи определяется из выражений: , .

Если параметр , то неинвертирующий ОУ вырождается в повторитель напряжения (ПН): сопротивление R1 в схеме отсутствует , сопротивление – короткое замыкание между выходом ОУ и его инвертирующим входом (Рисунок 8, в).

Входное сопротивление ПН соответствует сопротивлению утечки интегральной микросхемы ОУ по неинвертирующему входу [1, 4, 6, 11].

Примечание. Для компенсации напряжения смещения на выходе ПН при отсутствии входного сигнала между выходом и инвертирующим входом ОУ включают резистор обратной связи , где внутреннее сопротивление источника информационного сигнала.

Дальнейший расчет неинвертирующего ОУ осуществляется в соответствии с методикой, изложенной в разделе 2. 4, п.п. 1, 3…6.

Какое сопротивление коллектор-эмиттер транзистора NPN?

спросил 8 лет, 8 месяцев назад

Изменено 5 лет, 7 месяцев назад

Просмотрено 41к раз

\$\начало группы\$

вопрос может показаться смешным, так как я не уверен, существует сопротивление коллектор-эмиттер или нет. Вот простая схема эмиттера с общим эмиттером

Когда я узнаю, что когда Vb увеличивается, это увеличивает Ib, поэтому Ic тоже должен увеличиваться. Когда Ic увеличивается из-за наличия нагрузочного резистора, но Vcc остается постоянным, а Ic = (Vcc-Vc)/RL (нагрузочный резистор), тогда Vc должно уменьшаться, и наоборот. Вот как работает общий эмиттер

Теперь, что меня беспокоит, так это то, что падение напряжения между Vcc и землей является постоянным, а также значением нагрузочного резистора. Предположим, что между эмиттером и землей нет ничего, что делало бы Ve = 0 и Vb = 0,6-0,7, а Vc намного больше (зависит от нагрузочного резистора). Итак, должно быть что-то, что тратит энергию впустую, чтобы сделать Ve=0, что вызывает падение напряжения между коллектором и эмиттером. Есть ли что-то вроде переменного резистора между коллектором и эмиттером, чтобы сделать это.

Другими словами, чтобы создать падение напряжения между коллектором и эмиттером, между ними должно быть что-то вроде резистора, верно? Если нет, то какая разница в напряжении?

В другой конфигурации коллектор-эмиттер тоже имеет сопротивление?

• транзисторы

\$\конечная группа\$

1

\$\начало группы\$

Уравнение тока коллектора BJT равно 9{\frac{V_{BE}}{V_T}}}{V_A} = \frac{i_C}{V_A + v_{CE}}$$

Очевидно, что это нелинейная функция напряжения коллектор-эмиттер и ток коллектора, поэтому это нельзя интерпретировать как проводимость.

Однако для небольших изменений вокруг некоторого фиксированного значения тока коллектора \$I_C\$ и напряжения коллектор-эмиттер \$V_{CE}\$ можно записать

$$I_C + i_c \приблизительно I_C\left(1 + \frac{v_{ce}}{V_A + V_{CE}} \right) = I_C + \frac{v_{ce}}{r_o}$$

, где

$$r_o = \frac{V_A + V_{CE}}{I_C}$$

Назовем \$r_o\$ коллектор-эмиттер динамическим, или дифференциальным, или малосигнальным сопротивлением .

Это не истинное сопротивление, поскольку оно не является постоянным, а изменяется в зависимости от рабочей точки транзистора, как видно из формулы.

\$\конечная группа\$

1

\$\начало группы\$

У вас есть пара хороших ответов. Я постараюсь добавить немного интуитивного понимания.

Когда транзистор смещен так, что он не насыщается, он ведет себя как приемник тока (напомним, что идеальный приемник тока имеет бесконечное полное сопротивление), поэтому переход коллектор-нагрузка выглядит как источник напряжения с эквивалентным импедансом источника Тевенина. равно нагрузочному резистору. Напряжение зависит от базового тока и бета. Это эквивалентно тому, что написал Альфред, но с бесконечным ранним напряжением. Полное сопротивление коллектора из-за раннего напряжения параллельно нагрузочному резистору, поэтому, чтобы получить реалистичный ответ без нагрузочного резистора, вы должны включить его, как это сделал Альфред.

Когда транзистор насыщен, он ведет себя скорее как источник напряжения << 1 вольт с довольно низким сопротивлением источника слабого сигнала.

\$\конечная группа\$

\$\начало группы\$

Чтобы ответить простыми словами: коллектор ведет себя как приемник тока, и напряжение коллектора стабилизируется до любого значения, позволяющего протекать такому количеству тока (хотя оно не может быть ниже, чем примерно V _e +0,2 В).

В схеме, приведенной в вашем примере, переход коллектор-эмиттер можно представить как переменное сопротивление, значение которого зависит от электронной схемы на выходе усилителя. Он тоже греется как резистор: I _c * V _c = количество выделяемого тепла в ваттах, нагревающего транзистор.

\$\конечная группа\$

\$\начало группы\$

Если напряжение питания и сопротивление нагрузки остаются постоянными, то при изменении тока базы будут изменяться напряжение и ток коллектора.

В таком случае при любом токе коллектора сопротивление между коллектором и эмиттером должно быть таким, что:

РЕДАКТИРОВАТЬ:

$$R2 = \frac{E2R1}{E1 — E2}$$

Где R2 — сопротивление коллектор-эмиттер транзистора, E1 — напряжение питания, E2 — коллектор-эмиттер. напряжение, а R1 — сопротивление нагрузки.

\$\конечная группа\$

6

\$\начало группы\$

Это не совсем правильный вопрос. В то время как полупроводник имеет сопротивление потоку тока, конденсатор тоже. Для начала нужно спросить, каково падение напряжения на транзисторе. Это значение, которое обычно публикуется для каждого компонента. Таким образом, когда вы знаете конкретные рабочие условия, вы можете легко рассчитать напряжение и соответствующие сопротивления для размещения в других частях цепи.

\$\конечная группа\$

Зарегистрируйтесь или войдите в систему

Зарегистрируйтесь с помощью Google

Зарегистрироваться через Facebook

Зарегистрируйтесь, используя электронную почту и пароль

Опубликовать как гость

Электронная почта

Требуется, но никогда не отображается

Опубликовать как гость

Электронная почта

Требуется, но не отображается

Нажимая «Опубликовать свой ответ», вы соглашаетесь с нашими условиями обслуживания, политикой конфиденциальности и политикой использования файлов cookie

. Внутреннее сопротивление транзистора

0001

спросил 3 года, 2 месяца назад

Изменено 3 года, 2 месяца назад

Просмотрено 2к раз

\$\начало группы\$

Есть ли у транзистора внутреннее сопротивление, потому что, когда я запускал симуляцию схемы в proteus, я обнаружил, что bc547 имеет сопротивление коллектор-эмиттер 99 Ом… Это применимо к реальным приложениям??

---

Как видите, падение на коллекторе должно было составлять 9 вольт, но осталось 0,04 вольта, что означает сопротивление транзистора.

• внутреннее сопротивление

\$\конечная группа\$

4

\$\начало группы\$

К сожалению, мы ничего не знаем о вашей симуляции. Но вот что можно использовать:

Между базой и коллектором имеется полупроводниковый переход. На самом деле есть еще один между базой и эмиттером, и база настолько тонкая, что переходы должны учитываться как одна особым образом работающая структура (=транзистор).

Полупроводниковые переходы и транзисторы не подчиняются закону Ома, связь между током и напряжением намного сложнее, чем I=U/R, где R — константа. Обычно используемая экспоненциальная зависимость известна как диодный закон Шокли.

Полупроводниковые соединения часто можно рассматривать как последовательное соединение диода и резистора. Резистор удобно объясняет, почему экспоненциальный закон тока диодов не действует при больших токах. Я предполагаю, что этот резистор — тот, который Вы только что нашли. Но это только предположение.

При анализе, который пытается предсказать, как сигналы переменного тока диапазона микровольт или милливольт будут вести себя в диодах или транзисторах, когда они питаются от значительно более высоких напряжений постоянного тока, можно рассчитать, а также измерить динамическое сопротивление переменному току слабого сигнала, которое сильно зависит от постоянного тока в состоянии покоя. и напряжение (= рабочая точка).

ДОБАВИТЬ после того, как вопрос был отредактирован , чтобы иметь схему моделирования спрашивающего, но до другого редактирования, где заявленное сопротивление CB 99 Ом было изменено на сопротивление CE:

Вставленное изображение не дает ни малейшего намека (если все бессмысленные интерпретации исключены) насколько велико сопротивление между C и B в транзисторе. Он также не показывает внутреннее сопротивление между C и E. Изображение показывает, что транзистор получает гораздо больший базовый ток через R1, чем это необходимо, чтобы опустить нижний конец R2. Там еще 0,04 В, потому что транзисторы не могут работать, если между C и E нет хотя бы небольшого напряжения. Вы довели транзистор до насыщения — так этот случай обычно описывают словами.

Чтобы понять принцип работы транзисторов, уменьшите R2. Наконец, напряжение между C и E начинает существенно расти, потому что тока базы уже недостаточно. Чтобы Vce оставался низким (менее 0,5 В), вы должны, наконец, уменьшить R1, чтобы получить больший базовый ток.