Справочник диодов с параметрами. Выпрямительные диоды: принцип работы, основные параметры и применение

alexxlabРазное
Что такое выпрямительный диод. Как работает выпрямительный диод. Какие бывают основные параметры выпрямительных диодов. Где применяются выпрямительные диоды. Какие существуют типы выпрямительных диодов.

Содержание

Принцип работы выпрямительного диода

Выпрямительный диод — это полупроводниковый прибор с одним p-n переходом, который проводит электрический ток преимущественно в одном направлении. Основная функция выпрямительного диода — преобразование переменного тока в постоянный.

Принцип работы выпрямительного диода основан на свойствах p-n перехода:

  • При прямом включении (плюс к p-области, минус к n-области) сопротивление p-n перехода мало и через диод протекает прямой ток.
  • При обратном включении (минус к p-области, плюс к n-области) сопротивление p-n перехода велико и ток практически не протекает.

Благодаря этим свойствам, выпрямительный диод пропускает ток только в одном направлении, что позволяет преобразовывать переменный ток в пульсирующий постоянный.


Основные параметры выпрямительных диодов

Основными параметрами, характеризующими выпрямительные диоды, являются:

  • Максимальный прямой ток Iпр.max — наибольший допустимый средний за период ток через диод в прямом направлении.
  • Максимальное обратное напряжение Uобр.max — наибольшее допустимое постоянное напряжение на диоде в обратном направлении.
  • Прямое падение напряжения Uпр — напряжение на диоде при протекании через него прямого тока.
  • Обратный ток Iобр — ток, протекающий через диод при подаче обратного напряжения.
  • Максимальная рабочая частота fmax — предельная частота переменного напряжения, при которой диод сохраняет свои выпрямительные свойства.

Классификация выпрямительных диодов

Выпрямительные диоды классифицируют по различным признакам:

По мощности:

  • Диоды малой мощности (Iпр.max < 0,3 А)
  • Диоды средней мощности (0,3 А < Iпр.max < 10 А)
  • Силовые диоды (Iпр.max > 10 А)

По материалу полупроводника:

  • Германиевые (Ge)
  • Кремниевые (Si)

По конструкции:

  • Точечные
  • Плоскостные

Кремниевые диоды получили более широкое распространение благодаря лучшим характеристикам и большему рабочему диапазону температур по сравнению с германиевыми.


Применение выпрямительных диодов

Основные области применения выпрямительных диодов:

  • Выпрямление переменного тока в источниках питания
  • Детектирование сигналов в радиоприемниках
  • Защита от неправильной полярности подключения
  • Формирование импульсов в импульсных схемах
  • Умножение напряжения
  • Ограничение напряжения

Выпрямительные диоды широко используются в различных электронных устройствах — от бытовой техники до промышленного оборудования.

Схемы включения выпрямительных диодов

Существуют различные схемы включения выпрямительных диодов для преобразования переменного тока в постоянный:

Однополупериодная схема

Самая простая схема выпрямления. Содержит один диод, который пропускает только одну полуволну переменного напряжения. Недостаток — низкий КПД и большие пульсации выпрямленного напряжения.

Двухполупериодная схема со средней точкой

Использует два диода и трансформатор со средней точкой. Оба диода поочередно пропускают положительные полуволны, что обеспечивает лучшее сглаживание выпрямленного напряжения.


Мостовая схема

Содержит четыре диода, соединенных в мостовую схему. Обеспечивает двухполупериодное выпрямление без использования трансформатора со средней точкой. Наиболее эффективная схема для однофазного выпрямления.

Вольт-амперная характеристика выпрямительного диода

Вольт-амперная характеристика (ВАХ) выпрямительного диода имеет ярко выраженный нелинейный характер:

  • При прямом включении ток резко возрастает после превышения порогового напряжения (0,3-0,7 В для кремниевых диодов)
  • При обратном включении протекает очень малый ток утечки до достижения напряжения пробоя

ВАХ реального диода зависит от температуры — с ее повышением прямое падение напряжения уменьшается, а обратный ток возрастает.

Импульсные выпрямительные диоды

Импульсные выпрямительные диоды предназначены для работы в импульсных схемах на высоких частотах. Их основные особенности:

  • Малое время восстановления обратного сопротивления
  • Низкая барьерная емкость p-n перехода
  • Высокое быстродействие

Импульсные диоды широко применяются в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения, ключевых схемах.


Маркировка выпрямительных диодов

Маркировка отечественных выпрямительных диодов обычно состоит из:

  • Буквы, обозначающей материал (Г — германий, К — кремний)
  • Буквы Д (диод)
  • Трехзначного числа — номера разработки
  • Буквы, обозначающей группу по параметрам (А, Б, В и т.д.)

Например, КД213А — кремниевый выпрямительный диод, разработка 213, группа А.

Зарубежные диоды обычно имеют цифро-буквенное обозначение по стандартам Pro Electron или JEDEC.


Параметры универсальных и импульсных диодов. Справочник по диодам

 

 

Д18. .. КД424… 2Д502… 2Д926

 

Тип
прибора

Предельные значения параметров при Т=25°С

 Значения параметров при Т=25°СТк max ,
°С		Кор-
пус
Uобр max, 
В		Uобр,и max, 
В		Iпр max, 
мА		Iпр, и max, А 
при tи, мкс		fmax, МГцСд, пФ при
Uобр,  В		Uпр(Uпр,и),  В
при Iпр, мА (А)
Iобр,
мкА 
(при Uобр max) 
Iпр,и maxtиСдUобр

Uпр
(Uпр,и)

Iпр
2Д502А30 200,310   1,010512520
2Д502Б30 200,310   1,050512520
2Д502В100 200,310   1,010512520
2Д502Г100 200,310   1,050512520
2Д503А3030200,210 501,01041251
КД503А3030200,2 10 501,01041251
2Д503Б3030200,210 2,501,21041251
КД503Б3030200,210 2,501,21041251
2Д504А40 3001,510 2051,2100212523
КД504А40 1601,010 2051,2100210023
1Д507А2030160,21 0,850,5550701
ГД507А2030160,110 0,850,5550601
1Д508А810100,0310 0,750,50,4160701
ГД508А810100,0310 0,750,50,41060551
2Д509А50701001,510 401,1100512533
КД509А50701001,510 401,1100510033
2Д510А50702001,510 401,1200512533
КД510А50702001,510 401,120058533
ГД511А12 150,05  150,65507023
ГД511Б12 150,05  150,651007023
ГД511В12 150,05  150,652007023
КД512А15 200,210 15110510013
КД513А50701001,510 401,110058539
КД514А10 100,0510 0,90110510013
АД516А10 20,0310 0,501,520,7510038
АД516Б10 20,0310 0,3501,520,7510038
КД518А  1001,510   0,571 8539
КД519А3040300,310 401,110058513
КД519Б3040300,310 2,501,110058513
2Д520А1525200,0510 351,020112513
КД520А1525200,0510 351,020110013
КД521А75100500,510 401,05011258
КД521Б6065500,510 401,05011258
КД521В5075500,510 401,05011258
КД521Г3040500,510 401,05011258
КД521Г1215500,510 401,05011258
КД522А30401001,510 401,11002858
2Д522Б50751001,510 401,110051258
КД522Б50751001,510 401,11005858
КД529А 2000102000,50,005  3,5(20)15008548
КД529Б 2000102000,50,005  3,5(20)15008548
КД529В 1600102000,50,005  3,5(20)15008548
КД529Г 1600102000,50,005  3,5(20)15008548
2Д705А9121260,110 40,10,710,2125 
2Д801А52030100,1100 201,010185 
2Д806А35355002,010 2001,050025010056
2Д806Б25255001,010 2001,050020010056
2Д921А18181000,21000009001,501,0750,510056
2Д921Б2121750,151000009001,501,6750,510056
2Д922А1818500,11010001,001,0500,510013
КД922А1818500,11010001,001,0500,510013
2Д922Б2121350,071010001,001,0350,510013
КД922Б2121350,071010001,001,0350,510013
2Д922В1010100,021010001,000,55100,510013
КД922В1010100,021010001,000,55100,510013
2Д925А30301000,2106004,001,040110056
2Д925Б30301000,2106003,500,940410056
2Д926А2525100,0210 0,3500,451510033

 

Uобр —постоянное обратное напряжение диода
Uобр, и —импульсное обратное напряжение диода
Uпр —постоянное прямое напряжение диода
Uпр, и—импульсное прямое напряжение диода
Iпр  —постоянный прямой ток диода
Iпр, и  —импульсный прямой ток диода
Iобр—постоянный обратный ток диода
tи —длительность одноразового импульса перегрузки
fmax —максимально допустимая частота
Сд—общая ёмкость диода
Тк max—максимально-допустимая температура корпуса диода

 
 

    

| Главная | Схемы | Справочник | Книги | Заработок | Программы | Программы-приколы | English version |

Справочник по полупроводниковым диодам

Справочник по полупроводниковым диодам
Содержание   След. >>

От составителя

Область применения
Условные обозначения
Выпрямительные диоды малой мощности 2Д101 — КД128
Выпрямительные диоды средней мощности КД201 — 2Д250
Выпрямительные диоды средней мощности 2Д251 — 2Д2999
Высокочастотные диоды 2Д401 — КД427
Импульсные диоды 2Д502 — 2Д927
Выпрямительные столбы, мосты и т.п. 2Ц101 — КЦ412
Стабилитроны, стабисторы, импульсные ограничители (TVS) 2С101 — 2С291, Д818
Стабилитроны, стабисторы, импульсные ограничители (TVS) КС210 — 2С980
Варикапы КВ101 — АВ151
Цветовая маркировка диодов
Рисунки корпусов
          1 — 20
        21 — 40
        41 — 60
        61 — 80
        81 — 99
 

ОТ СОСТАВИТЕЛЯ

    Справочник предназначен для широкого круга пользователей от разработчиков радиоэлектронных устройств, до радиолюбителей. В справочнике представлены основные электрические параметры полупроводниковых диодов широкого применения. Для компактности и удобства использования настоящего справочника, в нем использована табличная форма представления информации. Кроме электрических параметров в справочнике приводятся габаритные и присоединительные размеры, цветовая маркировка, а также типовые области применения.
    В справочнике собраны параметры диодов, рассеянные по отечественной литературе. Поскольку главным принципом при составлении справочника являлась полнота охвата номенклатуры, то для некоторых приборов приведены всего несколько параметров (которые приводились в научной статье разработчиков прибора). По мере появления дополнительной информации, она включалась в справочник.
    Для некоторых приборов приводятся вместо предельных параметров типовые, когда информация о предельных параметрах отсутствует, а о типовых значениях есть.

    Как появился этот справочник?
    В середине 70-х годов, автор столкнулся в своей работе с отсутствием справочника, устраивающего его самого и его коллег. Существующие справочники обладали многими недостатками, наиболее очевидные из которых описываются ниже.
    1. Большая избыточность:
        а) Многие справочники имели массу графиков, которые либо достаточно хорошо описывались теоретическими кривыми, либо отражали малосущественные зависимости;
        б) Большинство разработчиков не интересуют такие параметры, как время хранения на складе и степень устойчивости полупроводниковых приборов против воздействия плесени и грибков;
        в) От 10% до 30% объема справочников занимали общеизвестные вещи- условные обозначения на электрических схемах, классификация приборов и тому подобные многократно описанные в разнообразной литературе понятия.
    2. Неполнота- долгий срок прохождения через издательства приводил к быстрому устареванию справочника. Большинство составителей имели тяготение к определенному кругу изготовителей полупроводниковых приборов и если изделия одного изготовителя были представлены достаточно полно, то изделия другого производителя не включали новых разработок. Для работы приходилось пользоваться одновременно несколькими справочниками одновременно (тем более что разные составители включали разное количество известных для данного прибора параметров) и рядом журнальных статей, в которых описывались новые полупроводниковые приборы.
    3. Неудобство в пользовании- большинство составителей вводили разбивку справочника на части по различным критериям. Кроме этого, очень часто внутри раздела материал дополнительно группировался. Все это существенно затрудняло поиск нужного прибора и особенно сравнение нескольких полупроводниковых приборов по ряду параметров.
    4. Недостоверность- в процессе издания в любом справочнике накапливались ошибки. Если ошибки в обычном тексте легко обнаруживаются при вычитке, то ошибки в числовой информации даже специалистом обнаруживаются с трудом.

    Все описанные причины побудили составить справочник более удобный для разработчика электронной аппаратуры. Благодаря компактной форме, справочник получился достаточно дешевым и удовлетворяющим большинство потребностей. Если же разработчику потребуются более подробные характеристики какого-либо изделия (это случается достаточно редко), он всегда может обратиться либо к специализированному изданию, либо к отраслевому стандарту. В повседневной же работе ему достаточно этой маленькой книжечки.
    Автор надеется что пользователи этого справочника не разочаруются в своем выборе.

    Справочник составлен в 1991 году, переведен в HTML в 2000 году, перепроектирован в 2001 году.
 
Составитель: Козак Виктор Романович, email: [email protected]
Новосибирск, 1-мар-2001г.

Срезы ↓

  • Измерения
  • Микроконтроллеры
  • Силовая электроника
  • Электронные компоненты
  • Arduino
  • Автоматизация
  • Безопасность
  • Беспроводные технологии
  • Ветроэнергетика
  • Инструменты и технологии
  • САПР и ПО
  • Светотехника
  • Солнечная энергетика
  • Журналы:
    • РадиоЛоцман
    • Радиоежегодник
  • Авторам
  • Подписка на обновления
  • Реклама на РЛ
    • Размещение прайс листов
  • Сотрудничество
  • Контакты
  • РЛ в социальных сетях:
  • Privacy Policy
  • Change privacy settings

принцип действия и основные параметры

Выпрямительный диод — это прибор проводящий ток только в одну сторону. В основе его конструкции один p-n переход и два вывода. Выпрямительный диод изменяет ток переменный на постоянный. Помимо этого, выпрямительные диоды повсеместно практикуют в электросхемах умножения напряжения, цепях, где отсутствуют жесткие требования к параметрам сигнала по времени и частоте.

  • Принцип работы
  • Основные параметры устройств
  • Выпрямительные схемы
  • Импульсные приборы
  • Импортные приборы

Принцип работы

Принцип работы этого устройства основывается на особенностях p-n перехода. Возле переходов двух полупроводников расположен слой, в котором отсутствуют носители заряда. Это запирающий слой. Его сопротивление велико.

При воздействии на слой определенного внешнего переменного напряжения, толщина его становится меньше, а впоследствии и вообще исчезнет. Возрастающий при этом ток называют прямым. Он проходит от анода к катоду. Если внешнее переменное напряжение будет иметь другую полярность, то запирающий слой будет больше, сопротивление возрастет.

Разновидности устройств, их обозначение

По конструкции различают приборы двух видов: точечные и плоскостные. В промышленности наиболее распространены кремниевые (обозначение — Si) и германиевые (обозначение — Ge). У первых рабочая температура выше. Преимущество вторых — малое падение напряжения при прямом токе.

Принцип обозначений диодов – это буквенно-цифровой код:

  • Первый элемент – обозначение материала из которого он выполнен;
  • Второй определяет подкласс;
  • Третий обозначает рабочие возможности;
  • Четвертый является порядковым номером разработки;
  • Пятый – обозначение разбраковки по параметрам.

Вольт-амперную характеристику (ВАХ) выпрямительного диода можно представить графически. Из графика видно, что ВАХ устройства нелинейная.

В начальном квадранте Вольт-амперной характеристики ее прямая ветвь отражает наибольшую проводимость устройства, когда к нему приложена прямая разность потенциалов. Обратная ветвь (третий квадрант) ВАХ отражает ситуацию низкой проводимости. Это происходит при обратной разности потенциалов.

Реальные Вольт-амперные характеристики подвластны температуре. С повышением температуры прямая разность потенциалов уменьшается.

Из графика Вольт-амперной характеристики следует, что при низкой проводимости ток через устройство не проходит. Однако при определенной величине обратного напряжения происходит лавинный пробой.


ВАХ кремниевых устройств отличается от германиевых. ВАХ приведены в зависимости от различных температур окружающей среды. Обратный ток кремниевых приборов намного меньше аналогичного параметра германиевых. Из графиков ВАХ следует, что она возрастает с увеличением температуры.

Важнейшим свойством является резкая асимметрия ВАХ. При прямом смещении – высокая проводимость, при обратном – низкая. Именно это свойство используется в выпрямительных приборах.

Анализируя приборные характеристики, следует отметить: учитываются такие величины, как коэффициент выпрямления, сопротивление, емкость устройства. Это дифференциальные параметры.

Коэффициент выпрямления отражает качество выпрямителя.

Для экономии на платежах за электроэнергию наши читатели советуют «Экономитель энергии Electricity Saving Box». Ежемесячные платежи станут на 30-50% меньше, чем были до использования экономителя. Он убирает реактивную составляющую из сети, в результате чего снижается нагрузка и, как следствие, ток потребления. Электроприборы потребляют меньше электроэнергии, снижаются затраты на ее оплату.


Коэффициент выпрямления можно рассчитать. Он будет равен отношению прямого тока прибора к обратному. Такой расчет приемлем для идеального устройства. Значение коэффициента выпрямления может достигать нескольких сотен тысяч. Чем он больше, тем лучше выпрямитель делает свою работу.

Основные параметры устройств

Какие же параметры характеризуют приборы? Основные параметры выпрямительных диодов:

  • Наибольшее значение среднего прямого тока;
  • Наибольшее допустимое значение обратного напряжения;
  • Максимально допустимая частота разности потенциалов при заданном прямом токе.

Исходя из максимального значения прямого тока, выпрямительные диоды разделяют на:

  • Приборы малой мощности. У них значение прямого тока до 300 мА;
  • Выпрямительные диоды средней мощности. Диапазон изменения прямого тока от 300 мА до 10 А;
  • Силовые (большой мощности). Значение более 10 А.

Существуют силовые устройства, зависящие от формы, материала, типа монтажа. Наиболее распространенные из них:

  • Силовые приборы средней мощности. Их технические параметры позволяют работать с напряжением до 1,3 килоВольт;
  • Силовые, большой мощности, могущие пропускать ток до 400 А. Это высоковольтные устройства. Существуют разные корпуса исполнения силовых диодов. Наиболее распространены штыревой и таблеточный вид.

Выпрямительные схемы

Схемы включения силовых устройств бывают различными. Для выпрямления сетевого напряжения они делятся на однофазные и многофазные, однополупериодные и двухполупериодные. Большинство из них однофазные. Ниже представлена конструкция такого однополупериодного выпрямителя и двух графиков напряжения на временной диаграмме.


Переменное напряжение U1 подается на вход (рис. а). Справа на графике оно представлено синусоидой. Состояние диода открытое. Через нагрузку Rн протекает ток. При отрицательном полупериоде диод закрыт. Поэтому к нагрузке подводится только положительная разность потенциалов. На рис. в отражена его временная зависимость. Эта разность потенциалов действует в течение одного полупериода. Отсюда происходит название схемы.

Самая простая двухполупериодная схема состоит из двух однополупериодных. Для такой конструкции выпрямления достаточно двух диодов и одного резистора.


Диоды пропускают только положительную волну переменного тока. Недостатком конструкции является то, что в полупериод переменная разность потенциалов снимается лишь с половины вторичной обмотки трансформатора.

Если в конструкции вместо двух диодов применить четыре коэффициент полезного действия повысится.

Выпрямители широко используются в различных сферах промышленности. Трехфазный прибор задействован в автомобильных генераторах. А применение изобретенного генератора переменного тока способствовало уменьшению размеров этого устройства. Помимо этого, увеличилась его надежность.

В высоковольтных устройствах широко применяют высоковольтные столбы, которые скомпонованы из диодов. Соединены они последовательно.

Импульсные приборы

Импульсным называют прибор, у которого время перехода из одного состояния в другое мало. Они применяются для работы в импульсных схемах. От своих выпрямительных аналогов такие приборы отличаются малыми емкостями p-n переходов.

Для приборов подобного класса, кроме параметров, указанных выше, следует отнести следующие:

  • Максимальные импульсные прямые (обратные) напряжения, токи;
  • Период установки прямого напряжения;
  • Период восстановления обратного сопротивления прибора.

В быстродействующих импульсных схемах широко применяют диоды Шотки.

Импортные приборы

Отечественная промышленность производит достаточное количество приборов. Однако сегодня наиболее востребованы импортные. Они считаются более качественными.

Импортные устройства широко используются в схемах телевизоров и радиоприемников. Их также применяют для защиты различных приборов при неправильном подключении (неправильная полярность). Количество видов импортных диодов разнообразно. Полноценной альтернативной замены их на отечественные пока не существует.

Выпрямительный диод — это диод на основе полупроводникового материала, который предназначен для того, чтобы преобразовывать переменный ток в постоянный. Правда, этой функцией сфера применения этих радиодеталей не исчерпывается: они применяются для коммутации, в сильноточных схемах, где нет жесткой регламентации временных и частотных параметров электрического сигнала.

Классификация

В соответствии со значением прямого тока, который является максимально допустимым, выпрямительный диод может иметь малую, среднюю и большую мощности:

  • малой — выпрямляют прямой ток до 300 mA;
  • выпрямительные диоды средней мощности — от 300 mA до 10 А;
  • большой — более 10 А.

Германий или кремний


По применяемым материалам они бывают кремниевые и германиевые, однако более широкое применение нашли кремниевые выпрямительные диоды благодаря своим физическим свойствам.

У них обратные токи в несколько раз меньше, чем в германиевых, в то время как напряжение одинаково. Это дает возможность добиваться в полупроводниках очень высокой величины допустимых обратных напряжений, которые могут составлять до 1000-1500 В. В германиевых диодах этот параметр находится в диапазоне 100-400 В.


Кремниевые диоды способны сохранять работоспособность в диапазоне температур от -60 ºС до +150 ºС, а германиевые — только от -60 ºС до +85 ºС. Это происходит потому, что когда температура становится выше 85 ºС, количество образовавшихся электронно-дырочных пар достигает таких величин, что резко увеличивается обратный ток, и выпрямитель перестает работать эффективно.

Технология изготовления


Выпрямительный диод по конструкции представляет пластину полупроводникового кристалла, в теле которой имеются две области, имеющие разную проводимость. Это послужило причиной того, что их называют плоскостными.

Полупроводниковые выпрямительные диоды делаются так: на области кристалла полупроводника, имеющей проводимость n-типа, происходит расплавление алюминия, индия или бора, а на область кристалла с проводимостью p-типа расплавляется фосфор.

При воздействии высоких температур эти два вещества накрепко сплавляются с полупроводниковой основой. Кроме того, атомы этих материалов диффундируют внутрь кристалла с образованием в нем области с преимущественно электронной или дырочной проводимостью. В итоге образуется полупроводниковый прибор, имеющий две области с различного типа электропроводностью, а между ними образован p-n-переход. Таков принцип работы подавляющего большинства плоскостных диодов из кремния и германия.

Конструкция


Для того чтобы организовать защиту от воздействий извне, а также добиться надежного отвода тепла, кристалл, имеющий p-n-переход, монтируется в корпусе.
Диоды, имеющие малую мощность, производят в корпусе из пластмассы, снабдив гибкими внешними выводами. Выпрямительные диоды средней мощности имеют металлостеклянный корпус уже с жесткими внешними выводами. Детали большой мощности размещаются в корпусе из металлостекла или металлокерамики.

Кремниевые или германиевые кристаллы с p-n-переходом припаивают к кристаллодержателю, который одновременно служит основанием корпуса. К нему же приваривают корпус, имеющий стеклянный изолятор, сквозь который идет вывод одного из электродов.

Диоды малой мощности, которые имеют сравнительно малые габариты и вес, обладают гибкими выводами, при посредстве которых монтируются в схемах.

Поскольку токи, с которыми работают полупроводники средней мощности и мощные выпрямительные диоды, достигают значительных величин, их выводы намного мощнее. Нижняя их часть выполнена в виде массивного основания, отводящего тепло, оснащенного винтом и внешней поверхностью плоской формы, которая призвана обеспечивать надежный тепловой контакт с внешним радиатором.

Характеристики

Каждый тип полупроводников имеет свои рабочие и предельные параметры, которые подбирают для того, чтобы обеспечить работу в какой-либо схеме.

Параметры выпрямительных диодов:

  • I прям max — прямой ток, который максимально допустим, А.
  • U обрат max — обратное напряжение, которое максимально допустимо, В.
  • I обрат — обратный ток постоянный, мкА.
  • U прям — прямое напряжение постоянное, В.
  • Рабочая частота , кГц.
  • Температура работы , С.
  • Р max — рассеиваемая на диоде мощность, которая максимально допустима.

Характеристики выпрямительных диодов далеко не исчерпываются данным списком. Однако для выбора детали обычно их бывает достаточно.

Схема простейшего выпрямителя переменного тока


Рассмотрим, как работает схема (выпрямительный диод играет в ней главную роль) примитивного выпрямителя.

На его вход подается сетевое переменное напряжение с положительными и отрицательными полупериодами. К выходу выпрямителя подключается нагрузка (R нагр.), а функцию элемента, выпрямляющего ток, выполняет диод (VD).

Положительные полупериоды напряжения, поступающие на анод, вызывают открывание диода. В это время через него, а следовательно через нагрузку (R нагр.), которая питается от выпрямителя, протекает прямой ток (I прям.).

Отрицательные полупериоды напряжения, поступающие на анод диода, вызывают его закрывание. По цепи протекает небольшой обратный ток диода (I обр.). Здесь диод производит отсекание отрицательной полуволны переменного тока.

В результате выходит, что через подключенную к сети нагрузку (R нагр.), через диод (VD), теперь проходит пульсирующий, а не переменный ток одного направления. Ведь он может проходить исключительно в положительные полупериоды. В этом и заключается смысл выпрямления переменного тока.

Однако такое напряжение может запитать только нагрузку малой мощности, которая питается от сети переменного тока и не предъявляет серьезных требований к питанию, к примеру, лампы накаливания.

Лампа будет пропускать напряжение лишь при прохождении положительных импульсов, вследствие этого электроприбор подвергается слабому мерцанию, имеющему частоту 50 Гц. Правда, вследствие того, что нить подвержена тепловой инертности, она не сможет до конца остывать в перерывах между импульсами, а значит, мерцание будет почти не заметно.

В случае если такое напряжение подать на усилитель или приемник мощности, то в громкоговорителе будет слышен звук низкой частоты (частотой 50 Гц), который называется фоном переменного тока. Этот эффект происходит по причине того, что пульсирующий ток во время прохождения через нагрузку наводит в ней пульсирующее напряжение, порождающее фон.

Подобный недостаток в какой-то мере устраняется, если параллельно нагрузке включить фильтрующий конденсатор (C фильтр), емкость которого достаточно велика.

Конденсатор будет заряжаться импульсами тока при положительных полупериодах, и разряжаться через нагрузку (R нагр.) при отрицательных полупериодах. При достаточной емкости конденсатора за время, которое проходит между двумя импульсами тока, он не успеет полностью разрядиться, а следовательно, на нагрузке (R нагр. ) будет постоянно находиться ток.

Но даже таким, относительно сглаженным, током также не следует питать нагрузку, ведь она будет продолжать фонить, потому что величина пульсаций (U пульс.) пока еще достаточно серьезна.

Недостатки

В выпрямителе, работу которого мы только что разобрали, с пользой применяется лишь половина волн переменного тока, вследствие этого на нем происходит потеря более чем половины входного напряжения. Такой вид выпрямления переменного тока получил название однополупериодного, а выпрямители, которые используют этот вид выпрямления, называются однополупериодными. Недостатки однополупериодных выпрямителей успешно устранены в выпрямителях, использующих диодный мост.

Диодный мост


Диодный мост — это компактная схема, которая составлена из четырех диодов, и служит цели преобразования переменного тока в постоянный. Мостовая схема дает возможность пропускать ток в каждом полупериоде, что выгодно отличает ее от однополупериодной. Диодные мосты производятся в форме сборок небольшого размера, которые заключены в корпус из пластмассы.

На выходе корпуса такой сборки имеются четыре вывода с обозначениями «+», «— » или «~ », указывающими на назначение контактов. Однако диодные мосты встречаются и не в сборке, нередко они собираются прямо на печатной плате путем включения четырех диодов. Выпрямитель, который выполняется на диодном мосте, называется двухполупериодным.

Существует множество приборов и устройств, которые преобразовывают электрический ток. Предлагаем рассмотреть, что такое выпрямительные диоды большой мощности и средней, их принцип работы, а также характеристики и применение.

Описание выпрямительных диодов

Выпрямительный электрический диод высокой и средней мощности (СВЧ) – это устройство, которое позволяет электрическому току двигаться только в одном направлении, в основном он используется для работы определенного источника питания. Выпрямительные диоды могут перерабатывать более высокий ток, чем обычные проводники. Как правило, они применяются для преобразования переменного тока в постоянный, частота которого не превышает 20 кгц. Схема их работы имеет следующий вид:

Фото — Принцип работы выпрямительного диода

Многие электрические приборы нуждаются в данных дискретных компонентах из-за того, что они могут выступать в роли интегральных схем. Чаще всего выпрямительные мощные диоды изготавливают из кремния, благодаря чему их поверхность PN-перехода довольно велика. Такой подход обеспечивает отличную передачу тока, при этом гарантируя отсутствие замыканий или перепадов.


Фото — Выпрямительные диодыВыпрямительные диоды

Кремниевые полупроводниковые выпрямители, ламповые термоэлектронные диоды изготавливаются при использовании таких соединений, как оксид меди или селена. С введением полупроводниковой электроники, выпрямители типа вакуумных трубок с металлической основой устарели, но до сих пор их аналоги используются в аудио и теле-аппаратуре. Сейчас для питания аппаратов от очень низкого до очень высокого тока в основном используются полупроводниковые диоды различных типов (быстродействующие блоки, иностранные германиевые приборы, отечественные устройства таблеточного исполнения, диоды Шоттки и т. д.).

Другие устройства, которые оснащены управляющими электродами, где требуется более простой способ ректификации или переменное выходное напряжение (как пример, для сварочных аппаратов) используют более мощные выпрямители. Это могут кремниевые или германиевые приборы. Это тиристоры, стабилитроны или другие контролируемые коммутационные твердотельные переключатели, которые функционируют как диоды, пропуская ток только в одном направлении. Их использует промышленная электроника, также они широко применяются для инженерной электротехники, сварки или контроля работы линий передач тока.


Фото — Выпрямительный диод и катод с анодом

Типы стандартных выпрямителей

Существуют различные силовые выпрямительные полупроводниковые диоды в зависимости от типа монтажа, материала, формы, количества диодов, уровня пропускаемого тока. Самыми распространенными считаются:

  1. Устройства средней силы, которые могут передавать ток силы от 1 до 6 Ампер. При этом технические параметры большинства приборов говорят, что такие диоды могут изменить ток с напряжение до 1,3 килоВольт;
  2. Выпрямительные диоды максимальной серии могут пропускать ток от 10 Ампер до 400, в основном они применяются как сверхбыстрые преобразователи, для контроля промышленной сферы деятельности. Эти устройства называются также высоковольтные;
  3. Низкочастотные диоды или маломощные.

Перед тем, как купить какие либо устройств данного типа, очень важно правильно подобрать основные параметры выпрямительных диодов. К ним относятся: характеристики ВАХ (максимальный обратный ток, максимальный пиковый ток), максимальное обратное напряжение, прямое напряжение, материал корпуса и средняя сила выпрямленного тока

Мы предоставляем таблицу, где Вы сможете в зависимости от своих потребностей, осуществить выбор типа диода. Указанные технические характеристики могут изменяться по требованию производителя, поэтому перед покупкой уточняйте информацию продавца.


Фото — Таблица низкочастотных диодов

Импортные (зарубежные) выпрямительные диоды (типа КВРС, SMD):


Фото — Таблица импортных диодов

Данные про силовые или высокочастотные диоды:


Фото — Силовые диоды

Выпрямительные схемы включения также бывают разные. Они могут быть однофазными (например, автомобильные и лавинные диоды) или многофазными (трехфазные считаются самыми популярными). Большинство выпрямители малой мощности для отечественного оборудования однофазны, но трехфазный очень важен для промышленного оборудования. Для генератора, трансформатора, станочных приспособлений.

Но при этом, для неконтролируемого мостового трехфазного выпрямителя используются шесть диодов. Поэтому его часто называют шестидиодным выпрямительным прибором. Мосты считаются импульсными и способны нормализовать и выпрямить даже нестабильный ток.

Для маломощных аппаратов (зарядного устройства) двойные диоды, соединенные последовательно с анодом первого диода, также соединены с катодом второго, а изготовлены в едином корпусе. Некоторые имеющиеся в продаже двойные диоды имеют в доступе все четыре терминала, которые можно настроить по своим потребностям.

Фото — Выпрямительный диод средней мощности

Для более высокой мощности одним дискретным устройством обычно используется каждый из шести диодов моста. Его можно применять как для поверхностного оборудования, так и для контроля более сложных приспособлений. Нередко шестидиодные мосты используют ограничительные схемы.

Видео: Принцип работы диодов

Маркировка выпрямительных диодов

В зависимости от конструкций и назначения, выпрямительные диоды маркируются следующим образом:

Исходя из таких данных, мы имеем следующие расшифровки:

КД – импульсный или выпрямительный диод кремниевого исполнения;

КЦ – кремниевые блоки выпрямительного типа.

Перед тем, как купить выпрямительные диоды в Харькове, Москве и любых других городах, обязательно уточняйте справочные характеристики у продавцов-консультантов.

Поиск материала «Справочник — Мощные полупроводниковые приборы — Диоды

Ниже показаны результаты поиска поисковой системы Яндекс. В результатах могут быть показаны как эта книга, так и похожие на нее по названию или автору.

Search results:

  1. Мощные полупроводниковые приборы. Диоды | Авторы…

    Диоды. Авторы: Б.А.Бородин, Б.В.Кондратьев, В.М.Ломакин и др. Под редакцией А.В.Голомедова.

    Для широкого круга инженерно-технических работников. Скачать книгу бесплатно (djvu, 5.16 Mb) | Читать «Мощные полупроводниковые приборы. Диоды». Популярные книги за неделю

    bookscat.org

  2. Мощные полупроводниковые приборы: Диоды, Транзисторы

    Категория: КНИГИ » АППАРАТУРА. Название: Мощные полупроводниковые приборы: Диоды, Транзисторы Автор: Под редакцией А.В. Голомедова Издательство: Радио и связь Год: 1985 Формат: djvu Страниц: 400+558 Размер: 11,8 Mb Язык: русский. Приводятся справочные данные по электрическим параметрам, эксплуатационным характеристикам и зависимостям параметров от режимов использования мощных полупроводниковых диодов.

    litgu.ru

  3. Купить эту книгу

  4. Канцтовары

    Канцтовары: бумага, ручки, карандаши, тетради. Ранцы, рюкзаки, сумки. И многое другое.

    my-shop.ru

  6. Полупроводниковые приборы. Справочник. Под ред….

    Справочник. Под ред. А.В. Голомедова. М., Радио и Связь, 1988.

    Скачать файл: poluprovodnikovie_pribori.djvu (7213.6 Kb). Описание файла. Приведены характеристики и рисунки высокочастотных и импульсных диодов, а т.ж. оптоэлектронных приборов. Цитата.

    www.radioscanner.ru

  7. Справочник «Мощные полупроводниковые приборы.»

    Справочник «Мощные полупроводниковые приборы. Транзисторы» А.В. Голомедов, 1985 год. Название файла.

    [ссылка на файл] [загрузок: 1976]. Содержание: Предисловие; Часть 1. Общие сведения о биполярных и полевых транзисторах: Раздел 1. Классификация биполярных и полевых транзисторов; Раздел 2. Особенности использования транзисторов в радиоэлектронной аппаратуре; Часть 2. Справочные данные транзисторов: Раздел 3. Транзисторы биполярные низкочастотные; Раздел 4. Транзисторы биполярные высокочастотные; Раздел 5. Транзисторы…

    www.proektant.org

  8. Скачать Голомедов А.В. Мощные полупроводниковые приборы.

    Голомедов А.В. Мощные полупроводниковые приборы. Диоды. Файл формата djv. размером 5,16 МБ.

    От предшествующих справочников настоящий отличается полнотой справочных параметров и их зависимостей от режимов использования, а также тем, что в него включены только полупроводниковые приборы с рассеиваемой мощностью более 1 Вт.

    eruditor.io

  9. Книга А.В. Голомедов — Мощные полупроводниковые приборы.

    СтудИзба » Учебные материалы » Схемотехника » Книги » А.В. Голомедов — Мощные полупроводниковые приборы.

    Для студентов НГТУ по предмету СхемотехникаА.В. Голомедов — Мощные полупроводниковые приборы.

    Скачать. Рейтинг

    studizba.com

  10. А.В.Голомедов(ред.). Диоды (Мощные полупроводниковые…

    А.В.Голомедов(ред.). Диоды (Мощные полупроводниковые приборы. Справочник. 1985). Скачать книгу бесплатно (djv, 5.16 Mb).

    Только что пользователи скачали эти книги

    bookscat.org

  11. Полупроводниковые приборы. Диоды выпрямительные…

    Название: Полупроводниковые приборы. Диоды выпрямительные, стабилитроны, тиристоры Автор: Голомедов А.В. Жанр: Справочник Издательство: Радио и связь Год: 1988 Страниц: 529 Язык: Русский Формат: pdf Размер: 17,37 Mb. Приведены справочные данные по электрическим параметрам, габаритным размерам, предельным эксплуатационным характеристикам, сведения по основному функциональному назначению серийно выпускаемых приборов: выпрямительных диодов, столбов, диодных сборок, блоков, матриц, стабилитронов, тиристоров.

    bookskeeper.ru

  12. Мощные полупроводниковые приборы. Транзисторы

    Мощные полупроводниковые приборы. Транзисторы. Авторы: Б.А.Бородин, В.М.Ломакин, В.В.Мокряков и др. Под редакцией А.В.Голомедова. Приводятся справочные данные по техническим, электрическим и эксплуатационным характеристикам и параметрам современных мощных транзисторов, рассеиваемая мощность которых превышает 1 Вт. Рассматриваются особенности использования мощных транзисторов в аппаратуре.

    bookscat.org

  13. Справочник: «Мощные полупроводниковые приборы.»

    Справочник Мощные полупроводниковые приборы Транзисторы Под редакцией А.В. ГоломедоваСправочник Мощные полупроводниковые приборы Транзисторы Под редакцией А.В. Голомедова Скачать

    Учебные материалы » Электротехника и электроника » Справочник: «Мощные полупроводниковые приборы.

    www.antigtu.ru

  14. Наливайко Б.А. и др. — Полупроводниковые приборы | Форум

    Полупроводниковые приборы. Сверхвысокочастотные диоды. Справочник Год: 1992 Автор: Наливайко Б.А. и др. Жанр: Радиоэлектроника Издательство: Томск: МГП «РАСКО» ISBN: 5-88276-023-2 Язык: Русский Формат: DjVu Качество: Отсканированные страницы Количество страниц: 226 Описание: Приведены впервые данные по функциональному назначению, электрическим параметрам, эксплуатационным характеристикам серийно-выпускаемых СВЧ-диодов: смесительных, детекторных, параметрических, ограничительных…

    balator.info

  15. «Справочник» (сер. изд. «Радио и связь»)

    Ⓐ ⒸМощные полупроводниковые приборы: Диоды. [Djv- 5.2M] Справочник. Авторы: Борис Александрович Бородин, Борис Владимирович Кондратьев, Виктор Михайлович Ломакин, Вячеслав Владимирович Мокряков, Владимир Матвеевич Петухов, Аркадий Квинтилианович Хрулев. Под редакцией А.В. Голомедова. Переплет художника Н.А. Пашуро.

    publ.lib.ru

  16. Книга Полупроводниковые приборы — диоды выпрямительные…

    «Полупроводниковые приборы — диоды выпрямительные,стабилитроны,тиристоры» — читать интересную книгу автора (Голомедов А.В.)

    bookree.org

  17. Полупроводниковые приборы. Диоды выпрямительные.

    Полупроводниковые приборы. Диоды выпрямительные. Стабилитроны. Тиристоры. Справочник.

    Скачать книгу бесплатно (djvu, 7.05 Mb) | Читать «Полупроводниковые приборы.

    bookscat.org

  18. Скачать Справочники по элементной базе (48 книг)

    Мощные полупроводниковые приборы-Транзисторы (Голомедов). djvu 19. МРБ-1033 Аналоговые интегральные микросхемы. djvu 20. МРБ-1045 Коммутационные устройства. djvu 21.

    Полупроводниковые приборы — диоды высокочастотные, импульсные, оптоэлектронные приборы. Под ред. А. В. Голомедова.1988. djvu 35. Полупроводниковые приборы (Галкин). djvu 36.

    ra1ohx.ru

  19. Голомедова А.В. Полупроводниковые приборы. Справочник

    Полупроводниковые приборы. Высокочастотные диоды.

    В книге описаны физические механизмы эффекта Ганна — эффекта, на основе которого созданы объемные полупроводниковые приборы, в том числе наиболее мощные генераторы СВЧ на твердом теле. В ней рассматриваются также связанные с ганновской генерацией физические эффекты, различные ганновские приборы и возможности их практического применения.

    www.studmed.ru

  20. Полупроводниковые приборы. Диоды высокочастотные.

    Диоды импульсные. Оптоэлектронные приборы. Справочник.

    Голомедов А. В. (ред). Скачать книгу бесплатно (djvu, 7.04 Mb) | Читать «Полупроводниковые приборы.

    bookscat.org

  21. Под общей редакцией А. В. ГОЛОМЕДОВА. Полупроводниковые…

    Полупроводниковые приборы. Диоды выпрямительные, стабилитроны, тиристоры: Справочник. Приведены справочные данные по электрическим параметрам, габаритным размерам, предельным эксплуатационным характеристикам, сведения по основному функциональному назначению серийно выпускаемых

    Справочник не заменяет технических условий, утверждаемых в установленном порядке, и не является юридическим документом для предъявления рекламаций. Скачать книгу Под общей редакцией А. В. ГОЛОМЕДОВА.

    www.znvo.kz

  22. А.В.Голомедов(ред.). Диоды (Мощные полупроводниковые…

    А.В.Голомедов(ред.). Диоды (Мощные полупроводниковые приборы. Справочник. 1985).

    Только что пользователи скачали эти книги: #1.

    ua.booksee.org

  23. А.В.Голомедов (ред.). Транзисторы. Мощные…

    Мощные полупроводниковые приборы. Справочник.

    А.В.Голомедов (ред.). Транзисторы. Мощные полупроводниковые приборы. Справочник. Скачать книгу бесплатно (djv, 5.58 Mb).

    bookscat.org

  24. Скачать книги по теме Полупроводниковые приборы…

    Полупроводниковые приборы. Диоды выпрямительные, стабилитроны, тиристоры: Справочник.

    7. Под общей редакцией А. В. ГОЛОМЕДОВА. Полупроводниковые приборы.

    32. Завражнов Ю. В. Мощные высокочастотные транзисторы.

    www.toroid.ru

  25. Полупроводниковые приборы. Диоды выпрямительные.

    СПРАВОЧНИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ • ДИОДЫ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ • СТАБИЛИТРОНЫ © ТИРИСТОРЫ Под общей редакцией А. В. ГОЛОМЕДОВА МОСКВА „РАДИО И СВЯЗЬ» 1988.

    Обеспечение отвода теплоты от мощных полупроводниковых приборов является одной из главных задач при конструировании радиоэлектронной аппаратуры. Необходимо придерживаться принципа максимально возможного снижения температуры переходов и корпусов приборов.

    ru.b-ok.xyz

  26. Скачать Мощные полупроводниковые приборы. Диоды…

    ender 6320. Мощные полупроводниковые приборы. Диоды. Голомедов А.В.(ред.) Название. Мощные полупроводниковые приборы.

    От предшествующих справочников настоящий отличается полнотой справочных параметров и их зависимостей от режимов использования, а также тем, что в него включены только полупроводниковые приборы с рассеиваемой мощностью более 1 Вт.

    padabum.com

  27. Cкачать Справочник по полупроводниковым приборам. ..

    Справочник по полупроводниковым приборам — Студентам, радиолюбителям, техникам может очень помочь этот большой справочник по диодам, стабилитронам, светодиодам, варикапам, туннельным диодам, тиристорам, биполярным и полевым транзисторам, микросхемам.

    www.SoftPortal.com

  28. Скачать справочники радиодеталей

    Справочник отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги. В книге приводится описание параметров, цоколевки, маркировки, обозначение на схемах отечественных и импортных полупроводниковых приборов.

    В книге представлены около 80 тысяч полупроводниковых компонентов, включая ТТЛ, логику на МОП структуре и стабилизаторы напряжения в интегральном исполнении. Приведены основные технические параметры, особенности, области применения а так же аналоги.

    kulbakimaster.ru

  29. Справочник по полупроводниковым приборам и их аналогам

    Скачать книги: Начинающему радиолюбителю, Телевидение и Радио, Источники питания, Для дома и быта, Прием-передача, Автолюбителю, Аудиотехника, Справочники, Учебники, Микроконтроллеры, Arduino, Raspberry Pi, Электроника, Электрика Скачать: Программы для

    В справочнике приведены сведения о более 5000 тыс. зарубежных и отечественных полупроводниковых приборах, выпускаемых в настоящее время и выпущенных за последние 20 лет (диодах, стабилитронах и стабисторах, диодах СВЧ, варикапах, тиристорах…

    radiohata.ru

  30. Полупроводниковые приборы. Сверхвысокочастотные диоды.

    Полупроводниковые приборы. Сверхвысокочастотные диоды. Справочник. Нет обложки.

    Скачать книгу бесплатно (djvu, 9.25 Mb) | Читать «Полупроводниковые приборы.

    bookscat.org

  31. Мощные полупроводниковые приборы: диоды. Справочник

    Основные стандарты на мощные полупроводниковые диоды [9] Раздел второй. Особенности использования мощных полупроводниковых диодов [27] ЧАСТЬ ВТОРАЯ СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ диодов [33] Раздел третий. Диоды выпрямительные [33] Раздел четвертый. Диоды импульсные [85] Раздел пятый. Выпрямительные столбы и блоки [92] Раздел шестой. Варикапы [118] Раздел седьмой Стабилитроны [122] Раздел восьмой.

    www.nehudlit.ru

  32. Скачать Мощные полупроводниковые приборы. Диоды…

    ender 6320. Мощные полупроводниковые приборы. Диоды. Голомедов А.В.(ред.) Название. Мощные полупроводниковые приборы.

    В справочнике приводятся электрические параметры и эксплуатационные данные диодов (выпрямительных, импульсных, сверхвысокочастотных, силовых унифицированных и неунифицированных), выпрямительных столбов и блоков, варикапов, стабилитронов, классификация современных полупроводниковых приборов, условные графические обозначения и обозначения электрических параметров…

    padabum.net

  33. Полупроводниковые приборы

    Книга 2 посвящена физике приборов на туннельном эффекте и оптоэлектронных устройств (светодиодов, лазеров, фотодетекторов и солнечных батарей). Для научных работников и инженеров, работающих с области электроники и вычислительной техники, а также студентов с…

    В справочнике дана новая классификация диодов и транзисторов и сведения по новым типам полупроводниковых приборов. Предназначен для инженеров, техников и радиолюбителей, работающих в области использования полупроводниковых п…

    www.studmed.ru

  34. Старые справочники по электронике

    Интегральные микросхемы(Тарабрин). Мощные полупроводниковые приборы. Диоды- Справочник(под ред. Голомедова).

    Полупроводниковые приборы — диоды выпрямительные,стабилитроны,тиристоры.Под ред. А.В.Голомедова.1988″. Полупроводниковые приборы — диоды высокочастотные,импульсные,оптоэлектронные приборы.

    www.texnic.ru

  35. Скачать Полупроводниковые приборы — диоды…

    Полупроводниковые приборы — диоды высокочастотные,импульсные,оптоэлектронные приборы. Под ред.А.В.Голомедова.1988. Размер. 7.04 МБ. Рейтинг книги • ваша оценка: 0/10. 0.00.

    padabum.com


На данной странице Вы можете найти лучшие результаты поиска для чтения, скачивания и покупки на интернет сайтах материалов, документов, бумажных и электронных книг и файлов похожих на материал «Справочник — Мощные полупроводниковые приборы — Диоды — Голомедов А.В.»

Для формирования результатов поиска документов использован сервис Яндекс.XML.

Нашлось 16 млн ответов. Показаны первые 32 результата(ов).

Дата генерации страницы:

СПРАВОЧНИК ПО ИМПОРТНЫМ ДИОДАМ

Основные параметры современных импортных диодов собраны в общий справочник, что поможет быстро сориентироваться по удобной таблице данных электронных компонентов. Собрана большая информация по основным характеристикам импортных диодов – кремниевых, германиевых, варикапов и Шоттки.

 

1N1022 GE-D 380V 0.3A       1N1023 GE-D 380V 0.35A1N1024 GE-D 380V 0.4A       1N1028 SI-D 50V 0.5A 1N1029 SI-D 100V 0.5A       1N1030 SI-D 150V 0.5A 1N1031 SI-D 200V 0.5A       1N1032 SI-D 300V 0.5A 1N1033 SI-D 400V 0.5A       1N1034 SI-D 50V 1A 1N1035 SI-D 100V 1A       1N1036 SI-D 150V 1A 1N1037 SI-D 200V 1A       1N1038 SI-D 300V 1A 1N1039 SI-D 400V 1A       1N1040 SI-D 50V 1A 1N1041 SI-D 100V 1A       1N1042 SI-D 150V 1A 1N1043 SI-D 200V 1A       1N1044 SI-D 300V 1A 1N1045 SI-D 400V 1A       1N1046 SI-D 50V 1A 1N1047 SI-D 100V 1A       1N1048 SI-D 150V 1A 1N1049 SI-D 200V 1A       1N1050 SI-D 300V 1A 1N1051 SI-D 400V 1A       1N1052 SI-D 50V 1.5A 1N1053 SI-D 100V 1.5A       1N1054 SI-D 150V 1.5A 1N1055 SI-D 200V 1.5A       1N1056 SI-D 300V 1.5A 1N1057 SI-D 400V 1.5A       1N1058 SI-D 50V 5A 1N1059 SI-D 100V 5A       1N1060 SI-D 150V 5A 1N1061 SI-D 200V 5A       1N1062 SI-D 300V 5A 1N1063 SI-D 400V 5A       1N1064 SI-D 50V 5A 1N1065 SI-D 100V 5A       1N1066 SI-D 150V 5A 1N1067 SI-D 200V 5A       1N1068 SI-D 300V 5A 1N1069 SI-D 400V 5A       1N1070 SI-D 50V 5A 1N1071 SI-D 100V 5A       1N1072 SI-D 150V 5A 1N1073 SI-D 200V 5A       1N1074 SI-D 300V 5A 1N1075 SI-D 400V 5A       1N1076 SI-D 50V 15A 1N1077 SI-D 100V 15A       1N1078 SI-D 150V 15A 1N1079 SI-D 200V 15A       1N1080 SI-D 300V 15A 1N1081(A) SI-D 100V 0. 5..0.75A       1N1082(A) SI-D 200V 0.5..0.75A 1N1083(A) SI-D 300V 0.5..0.75A       1N1084(A) SI-D 400V 0.5..0.75A 1N1085(A) SI-D 100V 1.5..2A       1N1086(A) SI-D 200V 1.5..2A 1N1087(A) SI-D 300V 1.5..2A       1N1088(A) SI-D 400V 1.5..2A 1N1089(A) SI-D 100V 5A       1N1090(A) SI-D 200V 5A 1N1091(A) SI-D 300V 5A       1N1092(A) SI-D 400V 5A 1N1093 GE-D 15V 500ns       1N1095 SI-D 500V 0.75A1N1096 SI-D 600V 0.75A       1N1100 SI-D 100V 0.75A1N1101 SI-D 200V 0.75A       1N1102 SI-D 300V 0.75A1N1103 SI-D 400V 0.75A       1N1104 SI-D 500V 0.75A1N1105 SI-D 600V 0.75A       1N1108 SI-D 800V 0.45A1N1109 SI-D 1200V 0.43A       1N1110 SI-D 1600V 0.4A1N1111 SI-D 2000V 0.38A       1N1112 SI-D 2400V 0.35A 1N1113 SI-D 2800V 0.33A       1N1115 SI-D 100V 1.5A 1N1116 SI-D 200V 1.5A       1N1117 SI-D 300V 1.5A 1N1118 SI-D 400V 1.5A       1N1119 SI-D 500V 1.5A 1N1120 SI-D 600V 1.5A       1N1124(A) SI-D 200V 3..3.3A 1N1125(A) SI-D 300V 3..3.3A       1N1126(A) SI-D 400V 3..3.3A 1N1127(A) SI-D 500V 3..3.3A       1N1128(A) SI-D 600V 3. .3.3A 1N1130 SI-D 1500V 0.3A       1N1131 SI-D 1500V 0.3A1N1133 SI-D 1.5KV 0.075A       1N1134 SI-D 1.5KV 0.1A1N1135 SI-D 1.8KV 0.065A       1N1136 SI-D 1.8KV 0.085A 1N1137 SI-D 2.4KV 0.05A       1N1138 SI-D 2.4KV 0.06A 1N1139 SI-D 3.6KV 0.065A       1N1140 SI-D 3.6KV 0.065A 1N1141 SI-D 4.8KV 0.06A       1N1142 SI-D 4.8KV 0.05A 1N1143 SI-D 6KV 0.05A       1N1143A SI-D 6KV 0.065A1N1144 SI-D 7.2KV 0.05A       1N1145 SI-D 7.2KV 0.06A 1N1146 SI-D 8KV 0.045A       1N1147 SI-D 12KV 0.045A 1N1148 SI-D 14KV 0.05A       1N1149 SI-D 16KV 0.045A 1N1150(A) SI-D 1.6KV 0.75A       1N1157 SI-D 50V 20A 1N1158 SI-D 100V 20A       1N1159 SI-D 200V 20A 1N1160 SI-D 300V 20A       1N1161 SI-D 50V 35A 1N1162 SI-D 100V 35A       1N1163 SI-D 200V 35A 1N1164 SI-D 300V 35A       1N1169(A) SI-D 400V 0.79A1N1170 GE-D 50V       1N1171 SI-D =1N1157 1N1172 SI-D =1N1158       1N1173 SI-D =1N1159 1N1174 SI-D =1N1160       1N1175 SI-D =1N1161 1N1176 SI-D =1N1162       1N1177 SI-D =1N1163 1N1178 SI-D =1N1164       1N1183 SI-D 50V 35A/480Ap 1N1184 SI-D 100V 35A/480Ap       1N1185 SI-D 150V 35A/480Ap 1N1186 SI-D 200V 35A/480Ap       1N1187 SI-D 300V 35A/480Ap 1N1188 SI-D 400V 35A/480Ap       1N1189 SI-D 500V 35A/480Ap 1N1190 SI-D 600V 35A/480Ap       1N1183A. .90A SI-D =1N1183..1190 40A 1N1183R..90R SI-D =1N1183..1190 revers       1N1183T..90T SI-D =1N1183..1190 1N1191(A) SI-D 50V 20A       1N1192(A) SI-D 100V 20A 1N1193(A) SI-D 150V 20A       1N1194(A) SI-D 200V 20A 1N1195(A) SI-D 300V 20A       1N1196(A) SI-D 400V 20A 1N1197(A) SI-D 500V 20A       1N1198(A) SI-D 600V 20A 1N1191R..98R SI-D =1N1191..1198       1N1199(A,B,C) SI-D 50V 12A 1N1200(A,B,C) SI-D 100V 12A       1N1201(A,B,C) SI-D 150V 12A 1N1202(A,B,C) SI-D 200V 12A       1N1203(A,B,C) SI-D 300V 12A 1N1204(A,B,C) SI-D 400V 12A       1N1205(A,B,C) SI-D 500V 12A 1N1206(A,B,C) SI-D 600V 12A       1N1217 SI-D 50V 1.6A 1N1218 SI-D 100V 1.6A       1N1219 SI-D 150V 1.6A 1N1220 SI-D 200V 1.6A       1N1221 SI-D 300V 1.6A 1N1222 SI-D 400V 1.6A       1N1223 SI-D 500V 1.6A 1N1224 SI-D 600V 1.6A       1N1225 SI-D 700V 1.6A 1N1226 SI-D 800V 1.6A       1N1227 SI-D 50V 1.6A 1N1228 SI-D 100V 1.6A       1N1229 SI-D 150V 1.6A 1N1230 SI-D 200V 1.6A       1N1231 SI-D 300V 1.6A 1N1232 SI-D 400V 1.6A       1N1233 SI-D 500V 1. 6A 1N1234 SI-D 600V 1.6A       1N1235 SI-D 700V 1.6A 1N1236 SI-D 800V 1.6A       1N1237 2xSI-D 1600V 0.75A 1N1238 2xSI-D 1600V 0.75A       1N1239 2xSI-D 2800V 0.5A 1N1240..1250 SI-D =1N1251..1261       1N1251 SI-D 50V 0.5A 1N1252 SI-D 100V 0.5A       1N1253 SI-D 200V 0.5A 1N1254 SI-D 300V 0.5A       1N1255 SI-D 400V 0.5A 1N1256 SI-D 500V 0.32A       1N1257 SI-D 600V 0.3A 1N1258 SI-D 700V 0.28A       1N1259 SI-D 800V 0.27A1N1260 SI-D 900V 0.25A       1N1261 SI-D 1000V 0.24A 1N1262 SI-D 4.5KV 0.25A       1N1301 SI-D 50V 37A 1N1302 SI-D 100V 37A       1N1304 SI-D 200V 37A 1N1306 SI-D 300V 37A       1N1329 SI-D 1500V 0.1A1N1341(A,B,C) SI-D 50V 6A       1N1342(A,B,C) SI-D 100V 6A 1N1343(A,B,C) SI-D 150V 6A       1N1344(A,B,C) SI-D 200V 6A 1N1345(A,B,C) SI-D 300V 6A       1N1346(A,B,C) SI-D 400V 6A 1N1347(A,B,C) SI-D 500V 6A       1N1348(A,B,C) SI-D 600V 6A 1N1396 SI-D 50V 70A       1N1397 SI-D 100V 70A 1N1398 SI-D 150V 70A       1N1399 SI-D 200V 70A 1N1400 SI-D 300V 70A       1N1401 SI-D 400V 70A 1N1402 SI-D 500V 70A       1N1403 SI-D 600V 70A 1N1406 SI-D 600V 0. 125A       1N1407 SI-D 800V 0.125A 1N1408 SI-D 1000V 0.125A       1N1409 SI-D 1200V 0.125A 1N1410 SI-D 1500V 0.125A       1N1411 SI-D 1800V 0.125A 1N1412 SI-D 2000V 0.125A       1N1413 SI-D 2400V 0.125A 1N1414 SI-D 400V 10A       1N1415 SI-D 400V 1A 1N1434 SI-D 50V 30A       1N1435 SI-D 100V 30A 1N1436 SI-D 200V 30A       1N1437 SI-D 400V 30A 1N1438 SI-D 600V 30A       1N1439 SI-D 100V 0.75A1N1440 SI-D 200V 0.75A       1N1441 SI-D 300V 0.75A1N1442 SI-D 400V 0.75A       1N1443(A,B) SI-D 1000V 0.95..1.6A 1N1444(A,B) SI-D 1000V 0.95..1.6A       1N1445 SI-D 300V 0.2A 1N1446 SI-D 100V 1.5A       1N1447 SI-D 200V 1.5A 1N1448 SI-D 300V 1.5A       1N1449 SI-D 400V 1.5A 1N1450 SI-D 100V 1.5A       1N1451 SI-D 200V 1.5A 1N1452 SI-D 300V 1.5A       1N1453 SI-D 400V 1.5A 1N1454 SI-D 100V 25A       1N1455 SI-D 200V 25A 1N1456 SI-D 300V 25A       1N1457 SI-D 400V 25A 1N1458 SI-D 100V 35A       1N1459 SI-D 200V 35A 1N1460 SI-D 300V 35A       1N1461 SI-D 400V 35A 1N1462 SI-D 100V 50A       1N1463 SI-D 200V 50A 1N1464 SI-D 300V 50A       1N1465 SI-D 400V 50A 1N1466 SI-D 100V 75A       1N1467 SI-D 200V 75A 1N1468 SI-D 300V 75A       1N1469 SI-D 400V 75A 1N1486 SI-D 500V 0. 78A       1N1487 SI-D 100V 0.75A1N1488 SI-D 200V 0.75A       1N1489 SI-D 300V 0.75A1N1490 SI-D 400V 0.75A       1N1491 SI-D 500V 0.75A1N1492 SI-D 600V 0.75A       1N1537 SI-D 50V 1.6A 1N1538 SI-D 100V 1.6A       1N1539 SI-D 150V 1.6A 1N1540 SI-D 200V 1.6A       1N1541 SI-D 300V 1.6A 1N1542 SI-D 400V 1.6A       1N1543 SI-D 500V 1.6A 1N1544 SI-D 600V 1.6A       1N1551 SI-D 100V 1A 1N1552 SI-D 200V 1A       1N1553 SI-D 300V 1A 1N1554 SI-D 400V 1A       1N1555 SI-D 500V 1A 1N1556 SI-D 100V 0.75A       1N1557 SI-D 200V 0.75A1N1558 SI-D 300V 0.75A       1N1559 SI-D 400V 0.75A1N1560 SI-D 500V 0.75A       1N1563(A) SI-D 100V 1.5A 1N1564(A) SI-D 200V 1.5A       1N1565(A) SI-D 300V 1.5A 1N1566(A) SI-D 400V 1.5A       1N1567(A) SI-D 500V 1.5A 1N1568(A) SI-D 600V 1.5A       1N1569 SI-D 100V 1A 1N1570 SI-D 200V 1A       1N1571 SI-D 300V 1A 1N1572 SI-D 400V 1A       1N1573 SI-D 500V 1A 1N1574 SI-D 600V 1A       1N1575 SI-D 100V 3.5A 1N1576 SI-D 200V 3.5A       1N1577 SI-D 300V 3.5A 1N1578 SI-D 400V 3. 5A       1N1579 SI-D 500V 3.5A 1N1580 SI-D 600V 3.5A       1N1581 SI-D 50V 10A 1N1582 SI-D 100V 10A       1N1583 SI-D 200V 10A 1N1584 SI-D 300V 10A       1N1585 SI-D 400V 10A 1N1586 SI-D 500V 10A       1N1587 SI-D 600V 10A 1N1612(A) SI-D 50V 15A       1N1613(A) SI-D 100V 15A 1N1614(A) SI-D 200V 15A       1N1615(A) SI-D 400V 15A 1N1616(A) SI-D 600V 15A       1N1617 SI-D 100V 1.5A 1N1618 SI-D 200V 1.5A       1N1619 SI-D 300V 1.5A 1N1620 SI-D 400V 1.5A       1N1621 SI-D 100V 10A 1N1622 SI-D 200V 10A       1N1623 SI-D 300V 10A 1N1624 SI-D 400V 10A       1N1644 SI-D 50V 0.75A 1N1645 SI-D 100V 0.75A       1N1646 SI-D 150V 0.75A1N1647 SI-D 200V 0.75A       1N1648 SI-D 250V 0.75A1N1649 SI-D 300V 0.75A       1N1650 SI-D 350V 0.75A1N1651 SI-D 400V 0.75A       1N1652 SI-D 500V 0.75A1N1653 SI-D 600V 0.75A       1N1680 SI-D 150V 50A 1N1681 SI-D 250V 50A       1N1682 SI-D 300V 50A 1N1683 SI-D 350V 50A       1N1684 SI-D 400V 50A 1N1685 SI-D 450V 50A       1N1686 SI-D 500V 50A 1N1687 SI-D 600V 50A       1N1688 SI-D 700V 50A 1N1689 SI-D 800V 50A       1N1690 SI-D 900V 50A 1N1691 SI-D 1000V 50A       1N1692 SI-D 100V 0. 75A1N1693 SI-D 200V 0.75A       1N1694 SI-D 300V 0.75A1N1695 SI-D 400V 0.75A       1N1696 SI-D 500V 0.75A1N1697 SI-D 600V 0.75A       1N1698 SI-D 6.6KV 0.062A 1N1699 SI-D 10KV 0.058A       1N1700 SI-D 12KV 0.05A1N1701 SI-D 50V 0.3A       1N1702 SI-D 100V 0.3A 1N1703 SI-D 200V 0.3A       1N1704 SI-D 300V 0.3A 1N1705 SI-D 400V 0.3A       1N1706 SI-D 500V 0.3A 1N1707 SI-D 50V 0.5A       1N1708 SI-D 100V 0.3A 1N1709 SI-D 200V 0.3A       1N1710 SI-D 300V 0.3A 1N1711 SI-D 400V 0.3A       1N1712 SI-D 500V 0.3A 1N1730 SI-D 1KV 0.2A       1N1730A SI-D 1KV 0.35A 1N1731 SI-D 1.5KV 0.2A       1N1731A SI-D 1.5KV 0.35A 1N1732 SI-D 2KV 0.2A       1N1732A SI-D 2KV 0.35A 1N1733 SI-D 3KV 0.2A       1N1733A SI-D 3KV 0.35A 1N1734 SI-D 5KV 0.2A       1N1734A SI-D 5KV 0.35A 1N1745 SI-D 1.5KV 0.38A       1N1746 SI-D 1.5KV 0.44A 1N1747 SI-D 1.8KV 0.36A       1N1748 SI-D 1.8KV 0.42A 1N1749 SI-D 2.4KV 0.23A       1N1750 SI-D 2.4KV 0.38A 1N1751 SI-D 3.6KV 0.37A       1N1752 SI-D 3.6KV 0.36A 1N1753 SI-D 4.8KV 0.33A       1N1754 SI-D 4. 8KV 0.32A 1N1755 SI-D 6KV 0.29A       1N1756 SI-D 6KV 0.36A 1N1757 SI-D 7.2KV 0.29A       1N1758 SI-D 7.2KV 0.33A 1N1759 SI-D 8KV 0.25A       1N1760 SI-D 12KV 0.25A1N1761 SI-D 14KV 0.3A       1N1762 SI-D 16KV 0.25A1N1763 SI-D 400V 0.5..1A       1N1764 SI-D 500V 0.5..1A 1N1907 SI-D 50V 1.5A       1N1908 SI-D 100V 1.5A 1N1909 SI-D 200V 1.5A       1N1910 SI-D 300V 1.5A 1N1911 SI-D 400V 1.5A       1N1912 SI-D 500V 1.5A 1N1913 SI-D 600V 1.5A       1N1914 SI-D 700V 1.5A 1N1915 SI-D 800V 1.5A       1N1916 SI-D 900V 1.5A 1N1917 SI-D 50V 4A       1N1918 SI-D 100V 4A 1N1919 SI-D 200V 4A       1N1920 SI-D 300V 4A 1N1921 SI-D 400V 4A       1N1922 SI-D 500V 4A 1N1923 SI-D 600V 4A       1N1924 SI-D 700V 4A 1N1925 SI-D 800V 4A       1N1926 SI-D 900V 4A 1N2013 SI-D 50V 0.2A       1N2014 SI-D 100V 0.2A 1N2015 SI-D 150V 0.2A       1N2016 SI-D 200V 0.2A 1N2017 SI-D 250V 0.2A       1N2018 SI-D 300V 0.2A 1N2019 SI-D 350V 0.2A       1N2020 SI-D 400V 0.2A 1N2021 SI-D 150V 10A       1N2022 SI-D 250V 10A 1N2023 SI-D 300V 10A       1N2024 SI-D 350V 10A 1N2025 SI-D 400V 10A       1N2026 SI-D 50V 1A 1N2027 SI-D 200V 1A       1N2028 SI-D 300V 1A 1N2029 SI-D 400V 1A       1N2030 SI-D 500V 1A 1N2031 SI-D 600V 1A       1N2069(A) SI-D 200V 0. 75A1N2070(A) SI-D 400V 0.75A       1N2071(A) SI-D 600V 0.75A1N2072 SI-D 50V 0.75A       1N2073 SI-D 100V 0.75A1N2074 SI-D 150V 0.75A       1N2075 SI-D 200V 0.75A1N2076 SI-D 250V 0.75A       1N2077 SI-D 300V 0.75A1N2078 SI-D 400V 0.75A       1N2079 SI-D 500V 0.75A1N2080 SI-D 50V 0.5A       1N2081 SI-D 100V 0.5A 1N2082 SI-D 200V 0.5A       1N2083 SI-D 300V 0.5A 1N2084 SI-D 400V 0.5A       1N2085 SI-D 500V 0.5A 1N2086 SI-D 600V 0.5A       1N2088 SI-D 500V 0.75A1N2089 SI-D 600V 0.75A       1N2090 SI-D 50V 0.75A 1N2091 SI-D 100V 0.75A       1N2092 SI-D 200V 0.75A1N2093 SI-D 300V 0.75A       1N2094 SI-D 400V 0.75A1N2095 SI-D 500V 0.75A       1N2096 SI-D 600V 0.75A1N2103 SI-D 50V 0.75A       1N2104 SI-D 100V 0.75A1N2105 SI-D 200V 0.75A       1N2106 SI-D 300V 0.75A1N2107 SI-D 400V 0.75A       1N2108 SI-D 500V 0.75A1N2109 SI-D 50V 2A       1N2110 SI-D 100V 2A 1N2111 SI-D 200V 2A       1N2112 SI-D 300V 2A 1N2113 SI-D 400V 2A       1N2114 SI-D 500V 2A 1N2115 SI-D 365V 0.3A       1N2116 SI-D 400V 0. 75A1N2117 SI-D 720V 0.75A       1N2128 SI-D 50V 60A 1N2129 SI-D 100V 60A       1N2130 SI-D 150V 60A 1N2131 SI-D 200V 60A       1N2132 SI-D 250V 60A 1N2133 SI-D 300V 60A       1N2134 SI-D 350V 60A 1N2135 SI-D 400V 60A       1N2136 SI-D 450V 60A 1N2137 SI-D 500V 60A       1N2138 SI-D 600V 60A 1N2139 SI-D 20KV 0.045A       1N2146 SI-D 120V <50ns1N2147(A) SI-D 50V 6A       1N2148(A) SI-D 100V 6A 1N2149(A) SI-D 200V 6A       1N2150(A) SI-D 300V 6A 1N2151(A) SI-D 400V 6A       1N2152(A) SI-D 500V 6A 1N2153(A) SI-D 600V 6A       1N2154 SI-D 50V 25A 1N2155 SI-D 100V 25A       1N2156 SI-D 200V 25A 1N2157 SI-D 300V 25A       1N2158 SI-D 400V 25A 1N2159 SI-D 500V 25A       1N2160 SI-D 600V 25A 1N2172 SI-D 50V 50A       1N2173 SI-D 100V 50A 1N2174 SI-D 200V 50A       1N2176 SI-D 50V 3A 1N2177 SI-D 100V 3A       1N2178 SI-D 200V 3A 1N2179 SI-D 300V 3A       1N2180 SI-D 400V 3A 1N2181 SI-D 500V 3A       1N2182 SI-D 600V 3A 1N2183 SI-D 100V 3A       1N2184 SI-D 50V 3A 1N2185 SI-D 100V 3A       1N2186 SI-D 150V 3A 1N2187 SI-D 200V 3A       1N2188 SI-D 300V 3A 1N2189 SI-D 400V 3A       1N2190 SI-D 500V 3A 1N2191 SI-D 600V 3A       1N2192 SI-D 800V 3A 1N2193 SI-D 1000V 3A       1N2194 SI-D 50V 6A 1N2195 SI-D 100V 6A       1N2196 SI-D 150V 6A 1N2197 SI-D 200V 6A       1N2198 SI-D 300V 6A 1N2199 SI-D 400V 6A       1N2200 SI-D 500V 6A 1N2201 SI-D 600V 6A       1N2202 SI-D 800V 6A 1N2203 SI-D 1000V 6A       1N2204 SI-D 50V 12A 1N2205 SI-D 100V 12A       1N2206 SI-D 150V 12A 1N2207 SI-D 200V 12A       1N2208 SI-D 300V 12A 1N2209 SI-D 400V 12A       1N2210 SI-D 500V 12A 1N2211 SI-D 600V 12A       1N2212 SI-D 800V 12A 1N2213 SI-D 1000V 12A       1N2216(A) SI-D 50V 1. 5A 1N2217(A) SI-D 50V 1.5A ISO       1N2218(A) SI-D 500V 1.5A 1N2219(A) SI-D 500V 1.5A ISO       1N2220(A) SI-D 600V 1.5A 1N2221(A) SI-D 600V 1.5A ISO       1N2222(A) SI-D 800V 1A 1N2223(A) SI-D 800V 1A ISO       1N2224(A) SI-D 1000V 1A 1N2225(A) SI-D 1000V 1A ISO       1N2226(A) SI-D 1200V 1A 1N2227(A) SI-D 1200V 1A ISO       1N2228(A) SI-D 50V 5A 1N2229(A) SI-D 50V 5A ISO       1N2230(A) SI-D 200V 5A 1N2231(A) SI-D 200V 5A ISO       1N2232(A) SI-D 300V 5A 1N2233(A) SI-D 300V 5A ISO       1N2234(A) SI-D 400V 5A 1N2235(A) SI-D 400V 5A ISO       1N2236(A) SI-D 500V 5A 1N2237(A) SI-D 500V 5A ISO       1N2238(A) SI-D 600V 5A 1N2239(A) SI-D 600V 5A ISO       1N2240(A) SI-D 800V 5A 1N2241(A) SI-D 800V 5A ISO       1N2242(A) SI-D 1000V 5A 1N2243(A) SI-D 1000V 5A ISO       1N2244(A) SI-D 1200V 5A 1N2245(A) SI-D 1200V 5A ISO       1N2246(A) SI-D 50V 10A 1N2247(A) SI-D 50V 10A ISO       1N2248(A) SI-D 100V 10A 1N2249(A) SI-D 100V 10A ISO       1N2250(A) SI-D 200V 10A 1N2251(A) SI-D 200V 10A ISO       1N2252(A) SI-D 300V 10A 1N2253(A) SI-D 300V 10A ISO       1N2254(A) SI-D 400V 10A 1N2255(A) SI-D 400V 10A ISO       1N2256(A) SI-D 500V 10A 1N2257(A) SI-D 500V 10A ISO       1N2258(A) SI-D 600V 10A 1N2259(A) SI-D 600V 10A ISO       1N2260(A) SI-D 800V 10A 1N2261(A) SI-D 800V 10A ISO       1N2262(A) SI-D 1000V 10A 1N2263(A) SI-D 1000V 10A ISO       1N2264(A) SI-D 1200V 10A 1N2265(A) SI-D 1200V 10A ISO       1N2266 SI-D 50V 1A 1N2267 SI-D 50V 1A ISO       1N2268 SI-D 500V 1A 1N2269 SI-D 500V 1A ISO       1N2270 SI-D 600V 1A 1N2271 SI-D 600V 1A ISO       1N2272 SI-D 50V 6A 1N2273 SI-D 100V 6A       1N2274 SI-D 200V 6A 1N2275 SI-D 300V 6A       1N2276 SI-D 400V 6A 1N2277 SI-D 500V 6A       1N2278 SI-D 600V 6A 1N2279 SI-D 800V 6A       1N2280 SI-D 1000V 6A 1N2281 SI-D 1200V 6A       1N2282 SI-D 300V 20A 1N2283 SI-D 400V 20A       1N2284 SI-D 500V 20A 1N2285 SI-D 600V 20A       1N2286 SI-D 800V 20A 1N2287 SI-D 1000V 20A       1N2288 SI-D 1200V 20A 1N2289. .2293 SI-D =1N2289A..2293A       1N2289A SI-D 100V 1.5A 1N2290A SI-D 100V 5A       1N2291A SI-D 200V 1.5A 1N2292A SI-D 300V 1.5A       1N2293A SI-D 400V 1.5A 1N2294 SI-D 50V 22A       1N2295 SI-D 100V 22A 1N2296 SI-D 150V 22A       1N2297 SI-D 200V 22A 1N2298 SI-D 250V 22A       1N2299 SI-D 300V 22A 1N2300 SI-D 350V 22A       1N2301 SI-D 400V 22A 1N2302 SI-D 50V 22A       1N2303 SI-D 100V 22A 1N2304 SI-D 150V 22A       1N2305 SI-D 200V 22A 1N2306 SI-D 250V 22A       1N2307 SI-D 300V 22A 1N2308 SI-D 350V 22A       1N2309 SI-D 400V 22A 1N2310 SI-D 50V 35A       1N2311 SI-D 100V 35A 1N2312 SI-D 150V 35A       1N2313 SI-D 200V 35A 1N2314 SI-D 250V 35A       1N2315 SI-D 300V 35A 1N2316 SI-D 350V 35A       1N2317 SI-D 400V 35A 1N2318 SI-D 50V 35A       1N2319 SI-D 100V 35A 1N2320 SI-D 150V 35A       1N2321 SI-D 200V 35A 1N2322 SI-D 250V 35A       1N2323 SI-D 300V 35A 1N2324 SI-D 350V 35A       1N2325 SI-D 400V 35A 1N2327 SI-D 1100V 0.4A       1N2328 SI-D 2200V 0.4A1N2348 SI-D 50V 3A       1N2349 SI-D 100V 3A 1N2350 SI-D 150V 3A       1N2357 SI-D 1400V 0. 4A1N2358 SI-D 1500V 0.4A       1N2359 SI-D 1600V 0.4A1N2360 SI-D 1800V 0.4A       1N2361 SI-D 2000V 0.4A1N2362 SI-D 1400V 1A       1N2363 SI-D 1400V 1A ISO 1N2364 SI-D 1500V 1A       1N2365 SI-D 1500V 1A ISO 1N2366 SI-D 1600V 1A       1N2367 SI-D 1600V 1A ISO 1N2368 SI-D 1800V 1A       1N2369 SI-D 1800V 1A ISO 1N2370 SI-D 2000V 1A       1N2371 SI-D 2000V 1A ISO 1N2362A..71A SI-D =1N2362..71 5A       1N2362B..71B SI-D =1N2362..71 10A 1N2372 SI-D 1000V 0.2A       1N2373 SI-D 600V 0.25A1N2374 SI-D 1000V 0.25A       1N2375 SI-D 1500V 0.2A1N2376 SI-D 2000V 0.2A       1N2377 SI-D 2400V 0.15A 1N2378 SI-D 3000V 0.15A       1N2379 SI-D 4000V 0.15A 1N2380 SI-D 6000V 0.1A       1N2381 SI-D 10000V 0.075A 1N2382 SI-D 4KV 0.15A       1N2382A SI-D 4KV 0.35A 1N2383 SI-D 6KV 0.1A       1N2383A SI-D 6KV 0.35A 1N2384 SI-D 8KV 0.07A       1N2384A SI-D 8KV 0.275A1N2385 SI-D 10KV 0.07A       1N2385A SI-D 10KV 0.2A 1N2389 2xSI-D 1600V 0.6A       1N2390(A) SI-D 50V 1.5A 1N2391(A) SI-D 100V 1.5A       1N2392(A) SI-D 200V 1. 5A 1N2393(A) SI-D 300V 1.5A       1N2394(A) SI-D 400V 1.5A 1N2395(A) SI-D 500V 1.5A       1N2396(A) SI-D 600V 1.5A 1N2397(A) SI-D 700V 1.5A       1N2398(A) SI-D 800V 1.5A 1N2399(A) SI-D 50V 1.5A       1N2400(A) SI-D 100V 1.5A 1N2401(A) SI-D 200V 1.5A       1N2402(A) SI-D 300V 1.5A 1N2403(A) SI-D 400V 1.5A       1N2404(A) SI-D 500V 1.5A 1N2405(A) SI-D 600V 1.5A       1N2406(A) SI-D 700V 1.5A 1N2407(A) SI-D 800V 1.5A       1N2408(A) SI-D 50V 1.5A 1N2409(A) SI-D 100V 1.5A       1N2410(A) SI-D 200V 1.5A 1N2411(A) SI-D 300V 1.5A       1N2412(A) SI-D 400V 1.5A 1N2413(A) SI-D 500V 1.5A       1N2414(A) SI-D 600V 1.5A 1N2415(A) SI-D 700V 1.5A       1N2416(A) SI-D 800V 1.5A 1N2417(A) SI-D 50V 1.5A       1N2418(A) SI-D 100V 1.5A 1N2419(A) SI-D 200V 1.5A       1N2420(A) SI-D 300V 1.5A 1N2421(A) SI-D 400V 1.5A       1N2422(A) SI-D 500V 1.5A 1N2423(A) SI-D 600V 1.5A       1N2424(A) SI-D 700V 1.5A 1N2425(A) SI-D 800V 1.5A       1N2446 SI-D 50V 45A 1N2447 SI-D 100V 45A       1N2448 SI-D 150V 45A 1N2449 SI-D 200V 45A       1N2450 SI-D 250V 45A 1N2451 SI-D 300V 45A       1N2452 SI-D 350V 45A 1N2453 SI-D 400V 45A       1N2454 SI-D 500V 45A 1N2455 SI-D 600V 45A       1N2456 SI-D 700V 45A 1N2457 SI-D 800V 45A       1N2458 SI-D 50V 60A 1N2459 SI-D 100V 60A       1N2460 SI-D 150V 60A 1N2461 SI-D 200V 60A       1N2462 SI-D 250V 60A 1N2463 SI-D 300V 60A       1N2464 SI-D 350V 60A 1N2465 SI-D 400V 60A       1N2466 SI-D 500V 60A 1N2467 SI-D 600V 60A       1N2468 SI-D 700V 60A 1N2469 SI-D 800V 60A       1N2482 SI-D 200V 0. 75A1N2483 SI-D 400V 0.75A       1N2484 SI-D 600V 0.75A1N2485 SI-D 200V 0.75A       1N2486 SI-D 300V 0.75A1N2487 SI-D 400V 0.75A       1N2488 SI-D 500V 0.75A1N2489 SI-D 600V 0.75A       1N2490 2xSI-D 1600V 0.5A 1N2491 SI-D 50V 6A       1N2492 SI-D 100V 6A 1N2493 SI-D 200V 6A       1N2494 SI-D 300V 6A 1N2495 SI-D 400V 6A       1N2496 SI-D 500V 6A 1N2497 SI-D 600V 6A       1N2501 SI-D 800V 0.15A1N2502 SI-D 1000V 0.15A       1N2503 SI-D 1200V 0.15A 1N2504 SI-D 1500V 0.15A       1N2505 SI-D 800V 0.3A 1N2506 SI-D 1000V 0.3A       1N2507 SI-D 1200V 0.3A1N2508 SI-D 1500V 0.3A       1N2512 SI-D 100V 4A 1N2513 SI-D 200V 4A       1N2514 SI-D 300V 4A 1N2515 SI-D 400V 4A       1N2516 SI-D 500V 4A 1N2517 SI-D 600V 4A       1N2518 SI-D 100V 4A ISO 1N2519 SI-D 200V 4A ISO       1N2520 SI-D 300V 4A ISO 1N2521 SI-D 400V 4A ISO       1N2522 SI-D 500V 4A ISO 1N2523 SI-D 600V 4A ISO       1N2524 SI-D 50V 2.5A 1N2525 SI-D 100V 2.5A       1N2526 SI-D 200V 2.5A 1N2527 SI-D 300V 2.5A       1N2528 SI-D 400V 2.5A 1N2529 SI-D 500V 2. 5A       1N2530 SI-D 600V 2.5A 1N2531 SI-D 700V 2.5A       1N2532 SI-D 800V 2.5A 1N2533 SI-D 900V 2.5A       1N2534 SI-D 1000V 2.5A1N2535 SI-D 50V 2.5A       1N2536 SI-D 100V 2.5A 1N2537 SI-D 200V 2.5A       1N2538 SI-D 300V 2.5A 1N2539 SI-D 400V 2.5A       1N2540 SI-D 500V 2.5A 1N2541 SI-D 600V 2.5A       1N2542 SI-D 700V 2.5A 1N2543 SI-D 800V 2.5A       1N2544 SI-D 900V 2.5A 1N2545 SI-D 1000V 2.5A       1N2546 SI-D 50V 2.5A 1N2547 SI-D 100V 2.5A       1N2548 SI-D 200V 2.5A 1N2549 SI-D 300V 2.5A       1N2550 SI-D 400V 2.5A 1N2551 SI-D 500V 2.5A       1N2552 SI-D 600V 2.5A 1N2553 SI-D 700V 2.5A       1N2554 SI-D 800V 2.5A 1N2555 SI-D 900V 2.5A       1N2556 SI-D 1000V 2.5A1N2557 SI-D 700V 6A       1N2558 SI-D 800V 6A 1N2559 SI-D 900V 6A       1N2560 SI-D 1000V 6A 1N2561 SI-D 700V 6A       1N2562 SI-D 800V 6A 1N2563 SI-D 900V 6A       1N2564 SI-D 1000V 6A 1N2565 SI-D 50V 6A       1N2566 SI-D 100V 6A 1N2567 SI-D 200V 6A       1N2568 SI-D 300V 6A 1N2569 SI-D 400V 6A       1N2570 SI-D 500V 6A 1N2571 SI-D 600V 6A       1N2572 SI-D 700V 6A 1N2573 SI-D 800V 6A       1N2574 SI-D 900V 6A 1N2575 SI-D 1000V 6A       1N2576 SI-D 50V 12A 1N2577 SI-D 100V 12A       1N2578 SI-D 200V 12A 1N2579 SI-D 300V 12A       1N2580 SI-D 400V 12A 1N2581 SI-D 500V 12A       1N2582 SI-D 600V 12A 1N2583 SI-D 700V 12A       1N2584 SI-D 800V 12A 1N2585 SI-D 900V 12A       1N2586 SI-D 1000V 12A 1N2587 SI-D 50V 12A       1N2588 SI-D 100V 12A 1N2589 SI-D 200V 12A       1N2590 SI-D 300V 12A 1N2591 SI-D 400V 12A       1N2592 SI-D 500V 12A 1N2593 SI-D 600V 12A       1N2594 SI-D 700V 12A 1N2595 SI-D 800V 12A       1N2596 SI-D 900V 12A 1N2597 SI-D 1000V 12A       1N2598 SI-D 50V 12A 1N2599 SI-D 100V 12A       1N2600 SI-D 200V 12A 1N2601 SI-D 300V 12A       1N2602 SI-D 400V 12A 1N2603 SI-D 500V 12A       1N2604 SI-D 600V 12A 1N2605 SI-D 700V 12A       1N2606 SI-D 800V 12A 1N2607 SI-D 900V 12A       1N2608 SI-D 1000V 12A 1N2609 SI-D 50V 0. 75A       1N2610 SI-D 100V 0.75A1N2611 SI-D 200V 0.75A       1N2612 SI-D 300V 0.75A1N2613 SI-D 400V 0.75A       1N2614 SI-D 500V 0.75A1N2615 SI-D 600V 0.75A       1N2616 SI-D 800V 0.75A1N2617 SI-D 1000V 0.75A       1N2618 SI-D 1200V 0.75A 1N2619 SI-D 1500V 0.75A       1N2627 GE-D UHF-tunung 5V 1N2628 GE-D UHF-tunung 5V       1N2629 GE-D UHF 5V 1N2630 2xSI-D 1500V 0.085A       1N2631 2xSI-D 1600V 0.6A 1N2632 2xSI-D 2800V 0.2A       1N2633 2xSI-D 1600V 0.6A 1N2634 2xSI-D 1600V 0.6A       1N2635 2xSI-D 1500V 0.085A 1N2636 2xSI-D 1500V 0.085A       1N2637 2xSI-D 10KV 0.25A 1N2638 SI-D 100V 1.5A       1N2641 SI-D 200V 1.5A 1N2644 SI-D 300V 1.5A       1N2647 SI-D 400V 1.5A 1N2650 SI-D 600V 1.5A       1N2653 SI-D 800V 1.5A 1N2656 SI-D 1200V 1.5A       1N2659 SI-D 1600V 1.5A1N2662 SI-D 2000V 1.5A       1N2664 SI-D 2400V 1.5A1N2666 SI-D 3200V 1.5A       1N2667 SI-D 4000V 1.5A1N2668 SI-D 4800V 1.5A       1N2669 SI-D 100V 3.6A 1N2673 SI-D 200V 3.6A       1N2677 SI-D 300V 3.6A 1N2681 SI-D 400V 3.6A       1N2685 SI-D 600V 3. 6A 1N2687 SI-D 800V 3.6A       1N2689 SI-D 900V 3.6A 1N2690 SI-D 1200V 3.6A       1N2691 SI-D 1600V 3.6A1N2692 SI-D 100V 7.2A       1N2694 SI-D 200V 7.2A 1N2696 SI-D 300V 7.2A       1N2698 SI-D 400V 7.2A 1N2700 SI-D 600V 7.2A       1N2701 SI-D 800V 7.2A 1N2702 SI-D 100V 3A       1N2705 SI-D 200V 3A 1N2708 SI-D 300V 3A       1N2711 SI-D 400V 3A 1N2714 SI-D 600V 3A       1N2717 SI-D 800V 3A 1N2720 SI-D 1200V 3A       1N2722 SI-D 1600V 3A 1N2723 SI-D 2000V 3A       1N2724 SI-D 2400V 3A 1N2725 SI-D 100V 3A       1N2728 SI-D 200V 3A 1N2731 SI-D 300V 3A       1N2734 SI-D 400V 3A 1N2737 SI-D 600V 3A       1N2738 SI-D 800V 3A 1N2739 SI-D 1200V 3A       1N2740 SI-D 100V 3.6A 1N2742 SI-D 200V 3.6A       1N2744 SI-D 300V 3.6A 1N2746 SI-D 400V 3.6A       1N2748 SI-D 600V 3.6A 1N2749 SI-D 800V 3.6A       1N2750 SI-D 100V 3A 1N2753 SI-D 200V 3A       1N2756 SI-D 300V 3A 1N2759 SI-D 400V 3A       1N2762 SI-D 600V 3A 1N2763 SI-D 800V 3A       1N2764 SI-D 1200V 3A 1N2772 SI-D 700V 0.75A       1N2773 SI-D 800V 0. 75A1N2774 SI-D 900V 0.75A       1N2775 SI-D 1000V 0.75A 1N2776 SI-D 1100V 0.75A       1N2777 SI-D 1200V 0.75A 1N2778 SI-D 1300V 0.75A       1N2779 SI-D 1400V 0.75A 1N2780 SI-D 1500V 0.75A       1N2781 SI-D 1600V 0.75A 1N2784 SI-D 200V 22A       1N2785 SI-D 400V 22A 1N2786 SI-D 200V 10A       1N2787 SI-D 400V 10A 1N2788 SI-D 200V 50A       1N2789 SI-D 400V 50A 1N2792(A,B) GE-D UHF-M 70GHz       1N2793 SI-D 50V 8.5A 1N2794 SI-D 100V 8.5A       1N2795 SI-D 150V 8.5A 1N2796 SI-D 200V 8.5A       1N2797 SI-D 250V 8.5A 1N2798 SI-D 300V 8.5A       1N2799 SI-D 350V 8.5A 1N2800 SI-D 400V 8.5A       1N2801 GE-D 20V <500ns1N2847(A) SI-D 100V 1.5A       1N2848(A) SI-D 200V 1.5A 1N2849(A) SI-D 300V 1.5A       1N2850(A) SI-D 400V 1.5A 1N2851(A) SI-D 500V 1.5A       1N2852(A) SI-D 600V 1.5A 1N2858(A) SI-D 50V 0.75..1A       1N2859(A) SI-D 100V 0.75..1A 1N2860(A) SI-D 200V 0.75..1A       1N2861(A) SI-D 300V 0.75..1A 1N2862(A) SI-D 400V 0.75..1A       1N2863(A) SI-D 500V 0.75..1A 1N2864(A) SI-D 600V 0. 75..1A       1N2865 SI-D 1000V 0.7A1N2866 SI-D 1500V 0.7A       1N2867 SI-D 1000V 0.7A1N2868 SI-D 1500V 0.7A       1N2878 SI-D 700V 0.25A1N2879 SI-D 1000V 0.25A       1N2880 SI-D 1000V 0.25A 1N2881 SI-D 1000V 0.25A       1N2882 SI-D 1000V 0.25A 1N2883 SI-D 1000V 0.25A       1N2884 SI-D 1400V 0.25A 1N2885 SI-D 1400V 0.25A       1N2886 SI-D 1500V 0.25A 1N2887 SI-D 1500V 0.25A       1N2888 SI-D 1700V 0.25A 1N2889 SI-D 1700V 0.25A       1N2890 SI-D 2000V 0.25A 1N2891 SI-D 2000V 0.25A       1N2892 SI-D 2100V 0.25A 1N2893 SI-D 2100V 0.25A       1N2894 SI-D 2400V 0.25A 1N2895 SI-D 2400V 0.25A       1N2896 SI-D 2500V 0.25A 1N2897 SI-D 2500V 0.25A       1N2898 SI-D 2800V 0.25A 1N2899 SI-D 2800V 0.25A       1N2900 SI-D 3000V 0.25A 1N2901 SI-D 3000V 0.25A       1N2902 SI-D 3100V 0.25A 1N2903 SI-D 3100V 0.25A       1N2904 SI-D 3500V 0.25A 1N2905 SI-D 3500V 0.25A       1N2906 SI-D 3500V 0.25A 1N2907 SI-D 3500V 0.25A       1N2908 SI-D 3800V 0.25A 1N2909 SI-D 3800V 0.25A       1N2910 SI-D 4000V 0.25A 1N2911 SI-D 4000V 0. 25A       1N2912 SI-D 4200V 0.25A 1N2913 SI-D 4200V 0.25A       1N2914 SI-D 4500V 0.25A 1N2915 SI-D 4500V 0.25A       1N2916 SI-D 4500V 0.25A 1N2917 SI-D 4500V 0.25A       1N2918 SI-D 5000V 0.25A 1N2919 SI-D 5000V 0.25A       1N2920 SI-D 5500V 0.25A 1N2921 SI-D 5500V 0.25A       1N2922 SI-D 6000V 0.25A 1N2923 SI-D 6000V 0.25A       1N2924 SI-D 6500V 0.25A 1N2925 SI-D 6500V 0.25A       1N2927(A) SI-D Tunnel diode 1N2928(A) SI-D Tunnel diode       1N2929(A) SI-D Tunnel diode 1N2930(A) SI-D Tunnel diode       1N2931(A) SI-D Tunnel diode 1N2932(A) SI-D Tunnel diode       1N2933(A) SI-D Tunnel diode 1N2934(A) SI-D Tunnel diode       1N2939(A) GE-D Tunnel diode 1N2940(A) GE-D Tunnel diode       1N2941(A) GE-D Tunnel diode 1N2969(A) GE-D Tunnel diode       1N3052 SI-D 12KV 0.1A 1N3053 SI-D 14KV 0.1A       1N3054 SI-D 16KV 0.1A 1N3055 SI-D 18KV 0.1A       1N3056 SI-D 20KV 0.1A 1N3057 SI-D 22KV 0.1A       1N3058 SI-D 24KV 0.1A 1N3059 SI-D 26KV 0.1A       1N3060 SI-D 28KV 0.1A 1N3061 SI-D 30KV 0. 1A       1N3062 SI-D 50V 0.075A <4ns 1N3063 SI-D 50V 0.075A <4ns       1N3064 SI-D 50V 0.075A <4ns 1N3065 SI-D 50V 0.115A <4ns       1N3066 SI-D 50V 0.115A <2ns 1N3067 SI-D 30V 0.115A <4ns       1N3068 SI-D 30V 0.075A <50ns 1N3069 SI-D 65V 0.225A <50ns       1N3070 SI-D 200V 0.15A <50ns 1N3071 SI-D 200V 0.225A <50ns       1N3072 SI-D 50V 0.2A 1N3073 SI-D 100V 0.2A       1N3074 SI-D 150V 0.2A 1N3075 SI-D 200V 0.2A       1N3076 SI-D 250V 0.2A 1N3077 SI-D 300V 0.2A       1N3078 SI-D 350V 0.2A 1N3079 SI-D 400V 0.2A       1N3080 SI-D 500V 0.2A 1N3081 SI-D 600V 0.2A       1N3082 SI-D 200V 0.5A 1N3083 SI-D 400V 0.5A       1N3084 SI-D 600V 0.5A 1N3097 GE-D 30V 0.05A <500ns       1N3106 SI-D 800V 0.75A1N3107 SI-D 1200V 0.5A       1N3108 SI-D 800V 1.5A 1N3109 SI-D 1200V 0.7A       1N3110 GE-D 12V 0.05A 1N3113 GaAs-D tunnel diode       1N3114 GaAs-D tunnel diode 1N3115 GaAs-D tunnel diode       1N3116 GaAs-D tunnel diode 1N3117 GaAs-D tunnel diode       1N3118 GaAs-D tunnel diode 1N3119 GaAs-D tunnel diode       1N3120 GaAs-D tunnel diode 1N3121 GE-D 50V 0. 11A <500ns       1N3122 GE-D 20V 0.18A <3500ns 1N3123 SI-D 40V 0.05A <4ns       1N3124 SI-D 40V 0.05A <4ns 1N3125 GE-D 55V 300ns       1N3128 GE-D tunnel diode 1N3129 GE-D tunnel diode       1N3130 GE-D tunnel diode 1N3138 GaAs-D tunnel diode       1N3139 SI-D 50V 70A 1N3140 SI-D 100V 70A       1N3141 SI-D 150V 70A 1N3142 SI-D 200V 70A       1N3144 GE-D 20V 500ns 1N3145 GE-D 65V       1N3146 GE-D 25V <2ns 1N3149(A) GE-D tunnel diode       1N3150 GE-D tunnel diode 1N3151 SI-D 7.2KV 0.1A       1N3152 SI-D UHF 36GHz 1N3153 SI-D UHF 36GHz       1N3159 GE-D 15V 0.08A <300ns 1N3160 GE-D 60V 0.03A       1N3179 SI-D 240V Uni 1N3180 SI-D 130V Uni       1N3182 SI-D VHF-tunung1N3189 SI-D 200V 1A       1N3190 SI-D 400V 1A 1N3191 SI-D 600V 1A       1N3193 SI-D 200V 0.75A1N3194 SI-D 400V 0.75A       1N3195 SI-D 600V 0.75A1N3196 SI-D 800V 0.75A       1N3197 GE-D 30V 0.08A <300ns 1N3203 GE-D 25V 0.06A 300ns       1N3204 GE-D 60V 0.06A 300ns 1N3206 SI-D 100V 0.075A <4ns       1N3207 SI-D 60V <6ns 1N3208 SI-D 50V 15A       1N3209 SI-D 100V 15A 1N3210 SI-D 200V 15A       1N3211 SI-D 300V 15A 1N3212 SI-D 400V 15A       1N3213 SI-D 500V 15A 1N3214 SI-D 600V 15A       1N3215 SI-D 60V <250ns1N3217 GE-D tunnel diode       1N3218 GE-D tunnel diode 1N3219 GE-D tunnel diode       1N3220 GE-D tunnel diode 1N3221 GE-D tunnel diode       1N3222 GE-D tunnel diode 1N3225 GE-D 40V 0. 03A <500ns       1N3227 SI-D 100V 0.5A 1N3228 SI-D 200V 0.5A       1N3229 SI-D 400V 0.5A 1N3230 SI-D 600V 0.5A       1N3231 SI-D 800V 0.5A 1N3232 SI-D 1000V 0.5A       1N3233 SI-D 1200V 0.5A1N3234 SI-D 1500V 0.5A       1N3235 SI-D 1800V 0.5A1N3236 SI-D 2000V 0.5A       1N3237 SI-D 50V 0.75A 1N3238 SI-D 100V 0.75A       1N3239 SI-D 200V 0.75A1N3240 SI-D 400V 0.75A       1N3241 SI-D 600V 0.75A1N3242 SI-D 800V 0.75A       1N3243 SI-D 1000V 0.75A 1N3244 SI-D 1200V 0.75A       1N3245 SI-D 1500V 0.75A 1N3246 SI-D 50V 1A       1N3247 SI-D 100V 1A 1N3248 SI-D 200V 1A       1N3249 SI-D 400V 1A 1N3250 SI-D 600V 1A       1N3251 SI-D 800V 1A 1N3252 SI-D 1000V 1A       1N3253 SI-D =1N3193 ISO 1N3254 SI-D =1N3194 ISO       1N3255 SI-D =1N3195 ISO 1N3256 SI-D =1N3196 ISO       1N3257 SI-D 80V <3ns 1N3258 SI-D 80V <4ns       1N3277 SI-D 200V 0.75A1N3278 SI-D 400V 0.75A       1N3279 SI-D 600V 0.75A1N3280 SI-D 800V 0.75A       1N3281 SI-D 1000V 0.75A 1N3282 SI-D 1000V 0.1A       1N3283 SI-D 1500V 0. 1A1N3284 SI-D 2000V 0.1A       1N3285 SI-D 2500V 0.1A1N3286 SI-D 3000V 0.1A       1N3298 SI-D 60V 0.3A 1N3298A SI-D 70V 0.3A       1N3354 SI-D 10V 3A 1N3355 SI-D 15V 3A       1N3356 SI-D 25V 3A 1N3357 SI-D 50V 3A       1N3358 SI-D 75V 3A 1N3359 SI-D 100V 3A       1N3360 SI-D 150V 3A 1N3361 SI-D 200V 3A       1N3362 SI-D 300V 3A 1N3363 SI-D 400V 3A       1N3364 SI-D 500V 3A 1N3365 SI-D 600V 3A       1N3366 SI-D 700V 3A 1N3367 SI-D 800V 3A       1N3368 SI-D 900V 3A 1N3369 SI-D 1000V 3A       1N3370 SI-D 1200V 3A 1N3371 SI-D 1500V 3A       1N3372 SI-D 10V 20A 1N3373 SI-D 25V 20A       1N3374 SI-D 50V 20A 1N3375 SI-D 100V 20A       1N3376 SI-D 150V 20A 1N3377 SI-D 200V 20A       1N3378 SI-D 300V 20A 1N3379 SI-D 400V 20A       1N3380 SI-D 500V 20A 1N3464 SI-D 12KV 0.06A       1N3465 GE-D 60V 75mA Uni 1N3466 GE-D 40V 75mA Uni       1N3467 GE-D 18V <2ns 1N3468 GE-D 18V <2ns       1N3469 GE-D 35V 85mA 1N3470 GE-D 35V 85mA       1N3471 SI-D 40V 0.04A <2ns 1N3485 SI-D 175V <50ns       1N3486 SI-D 1000V 0. 4A1N3487 SI-D 1200V 0.4A       1N3488 SI-D VHF-tuning1N3491 SI-D 50V 25A       1N3492 SI-D 100V 25A 1N3493 SI-D 200V 25A       1N3494 SI-D 300V 25A 1N3495 SI-D 400V 25A       1N3544 SI-D 100V 0.6A 1N3545 SI-D 200V 0.6A       1N3546 SI-D 300V 0.6A 1N3547 SI-D 400V 0.6A       1N3548 SI-D 500V 0.6A 1N3549 SI-D 600V 0.6A       1N3550 SI-D 180V 0.08A <1.5us 1N3551 SI-D VHF-tuning       1N3552(A) SI-D VHF-tuning1N3554 SI-D VHF-tuning       1N3555 SI-D VHF-tuning1N3556 SI-D VHF-tuning       1N3557 SI-D VHF-tuning1N3560 GE-D tunnel diode       1N3561 GE-D tunnel diode 1N3562 GE-D tunnel diode       1N3563 SI-D 1000V 0.4A1N3566 SI-D 800V 1A       1N3567 SI-D 75V 0.06A <2ns 1N3568 SI-D 80V <4ns       1N3569 SI-D 100V 3.5A 1N3570 SI-D 200V 3.5A       1N3571 SI-D 300V 3.5A 1N3572 SI-D 400V 3.5A       1N3573 SI-D 500V 3.5A 1N3574 SI-D 600V 3.5A       1N3575 SI-D 60V 0.15A 1N3576 SI-D 125V 0.15A       1N3577 SI-D 175V 0.15A1N3578 SI-D 225V 0.15A       1N3579 SI-D 275V 0.15A1N3592 GE-D 30V 0. 05A <70ns       1N3593 SI-D 40V 0.05A 10ns 1N3594 SI-D 60V 6ns       1N3595 SI-D 150V 0.1A <3us 1N3596 SI-D 20V 0.075A <4ns       1N3597 SI-D 200V 0.275A <300ns 1N3598 SI-D 50V 0.075A <4ns       1N3599 SI-D 150V <50ns1N3600 SI-D 50V 0.2A <4ns       1N3601 SI-D 75V <5ns 1N3602 SI-D 75V 0.115A <5ns       1N3603 SI-D 45V 0.115A <5ns 1N3604 SI-D =1N4151       1N3605 SI-D =1N4152 1N3606 SI-D =1N4153       1N3607 SI-D =1N4151 Min 1N3608 SI-D =1N4152 Min       1N3609 SI-D =1N4153 Min 1N3611(GP) SI-D 200V 1A       1N3612(GP) SI-D 400V 1A 1N3613(GP) SI-D 600V 1A       1N3614(GP) SI-D 800V 1A 1N3615 SI-D 50V 16A       1N3616 SI-D 100V 16A 1N3617 SI-D 150V 16A       1N3618 SI-D 200V 16A 1N3619 SI-D 300V 16A       1N3620 SI-D 400V 16A 1N3621 SI-D 500V 16A       1N3622 SI-D 600V 16A 1N3623 SI-D 800V 16A       1N3624 SI-D 1000V 16A 1N3625 SI-D 200V 0.15A       1N3626 GE-D 50V Uni 1N3627 SI-D VHF-tuning       1N3628 SI-D VHF-tuning1N3629 SI-D 100V 0.75A       1N3630 SI-D 200V 0. 75A1N3631 SI-D 300V 0.75A       1N3632 SI-D 400V 0.75A1N3633 SI-D 500V 0.75A       1N3634 SI-D 600V 0.75A1N3635 SI-D 700V 0.75A       1N3636 SI-D 800V 0.75A1N3637 SI-D 900V 0.75A       1N3638 SI-D 1000V 0.75A 1N3639 SI-D 200V 0.75A       1N3640 SI-D 400V 0.75A1N3641 SI-D 600V 0.75A       1N3642 SI-D 800V 0.75A1N3643 SI-D 1000V 0.25A       1N3644 SI-D 1500V 0.25A 1N3645 SI-D 2000V 0.25A       1N3646 SI-D 2500V 0.25A 1N3647 SI-D 3000V 0.25A       1N3648 SI-D 10KV 0.35A1N3649 SI-D 800V 3.3A       1N3650 SI-D 1000V 3.3A1N3653 SI-D 100V <4ns       1N3654 SI-D 100V <4ns 1N3656 SI-D 200V 0.75A       1N3657 SI-D 400V 0.75A1N3658 SI-D 600V 0.75A       1N3659 SI-D 50V 30A 1N3660 SI-D 100V 30A       1N3661 SI-D 200V 30A 1N3662 SI-D 300V 30A       1N3663 SI-D 400V 30A 1N3664 SI-D 500V 30A       1N3665 SI-D 600V 30A 1N3666 GE-D 80V 0.07A <300ns       1N3667 SI-D 500V 1.5A 1N3668 SI-D 30V 0.075A <150ns       1N3669 SI-D 70V 0.4A <200ns 1N3670(A) SI-D 700V 12A       1N3671(A) SI-D 800V 12A 1N3672(A) SI-D 900V 12A       1N3673(A) SI-D 1000V 12A 1N3711 SI-D 6KV 0. 15A       1N3712 GE-D tunnel diode 1N3713 GE-D tunnel diode       1N3714 GE-D tunnel diode 1N3715 GE-D tunnel diode       1N3716 GE-D tunnel diode 1N3717 GE-D tunnel diode       1N3718 GE-D tunnel diode 1N3719 GE-D tunnel diode       1N3720 GE-D tunnel diode 1N3721 GE-D tunnel diode       1N3723 SI-D 1000V 0.75A 1N3724 SI-D 1200V 0.75A       1N3725 SI-D 1400V 0.75A 1N3726 SI-D 1600V 0.75A       1N3727 SI-D 1800V 0.75A 1N3728 SI-D 550V 0.2A       1N3729 SI-D 600V <500ns 1N3730 SI-D 80V <15ns       1N3731 SI-D 100V 0.175A <3ns 1N3748 SI-D 200V 0.5A       1N3749 SI-D 400V 0.5A 1N3750 SI-D 600V 0.5A       1N3751 SI-D 800V 0.5A 1N3752 SI-D 1000V 0.5A       1N3754 SI-D 100V 0.125A 1N3755 SI-D 200V 0.125A       1N3756 SI-D 400V 0.125A 1N3757 SI-D 200V 1A       1N3758 SI-D 400V 1A 1N3759 SI-D 600V 1A       1N3760 SI-D 800V 1A 1N3761 SI-D 1000V 1A       1N3762 SI-D 7.5KV 0.065A 1N3764 SI-D 3KV 0.4A       1N3765 SI-D 700V 35A 1N3766 SI-D 800V 35A       1N3767 SI-D 900V 35A 1N3768 SI-D 1000V 35A       1N3769 GE-D 90V Uni 1N3770 SI-D UHF-tuning       1N3773 GE-D 25V <40ns 1N3775 SI-D 1500V 3. 3A       1N3777 SI-D 800V 35A 1N3847 GE-D tunnel diode       1N3848 GE-D tunnel diode 1N3849 GE-D tunnel diode       1N3850 GE-D tunnel diode 1N3851 GE-D tunnel diode       1N3852 GE-D tunnel diode 1N3853 GE-D tunnel diode       1N3854 GE-D tunnel diode 1N3855 GE-D tunnel diode       1N3856 GE-D tunnel diode 1N3857 GE-D tunnel diode       1N3858 GE-D tunnel diode 1N3859 GE-D tunnel diode       1N3860 GE-D tunnel diode 1N3861 GE-D tunnel diode       1N3862 GE-D tunnel diode 1N3863 GE-D tunnel diode       1N3864 SI-D 125V <900ns 1N3865 GE-D 80V Uni       1N3866 SI-D 200V 1A 1N3867 SI-D 400V 1A       1N3868 SI-D 600V 1A 1N3869 SI-D 1000V 0.5A       1N3870 SI-D 1500V 0.5A1N3871 SI-D 2000V 0.25A       1N3872 SI-D 90V <15ns 1N3873 SI-D 90V 0.15A <4ns       1N3874 SI-D =1N3879 ISO 1N3875 SI-D =1N3880 ISO       1N3876 SI-D =1N3881 ISO 1N3877 SI-D =1N3882 ISO       1N3878 SI-D =1N3883 ISO 1N3879(A) SI-D 50V 6A <200ns       1N3880(A) SI-D 100V 6A <200ns 1N3881(A) SI-D 200V 6A <200ns       1N3882(A) SI-D 300V 6A <200ns 1N3883(A) SI-D 400V 6A <200ns       1N3884 SI-D =1N3889 ISO 1N3885 SI-D =1N3890 ISO       1N3886 SI-D =1N3891 ISO 1N3887 SI-D =1N3892 ISO       1N3888 SI-D =1N3893 ISO 1N3889(A) SI-D 50V 12A <200ns       1N3890(A) SI-D 100V 12A <200ns 1N3891(A) SI-D 200V 12A <200ns       1N3892(A) SI-D 300V 12A <200ns 1N3893(A) SI-D 400V 12A <200ns       1N3894 SI-D 400V 0. 4A 1N3895 SI-D 350V 0.4A       1N3899 SI-D 50V 20A <200ns 1N3900 SI-D 100V 20A <200ns       1N3901 SI-D 200V 20A <200ns 1N3902 SI-D 300V 20A <200ns       1N3903 SI-D 400V 20A <200ns 1N3904 SI-D 50V 20A <200ns ISO       1N3905 SI-D 100V 20A <200ns ISO 1N3906 SI-D 200V 20A <200ns ISO       1N3907 SI-D 300V 20A <200ns ISO 1N3908 SI-D 400V 20A <200ns ISO       1N3909 SI-D 50V 30A <200ns 1N3910 SI-D 100V 30A <200ns       1N3911 SI-D 200V 30A <200ns 1N3912 SI-D 300V 30A <200ns       1N3913 SI-D 400V 30A <200ns 1N3914 SI-D 50V 30A <200ns ISO       1N3915 SI-D 100V 30A <200ns ISO 1N3916 SI-D 200V 30A <200ns ISO       1N3917 SI-D 300V 30A <200ns ISO 1N3918 SI-D 400V 30A <200ns ISO       1N3919 SI-D 1000V 5A 1N3920 SI-D 1500V 5A       1N3921 SI-D 2000V 5A 1N3922 SI-D 2500V 5A       1N3923 SI-D 3000V 5A 1N3924 SI-D 1000V 10A       1N3925 SI-D 1500V 10A 1N3926 SI-D 2000V 10A       1N3927 SI-D 2500V 10A 1N3928 SI-D 3000V 10A       1N3929 SI-D 1000V 1A 1N3930 SI-D 1500V 1A       1N3931 SI-D 2000V 1A 1N3932 SI-D 2500V 1A       1N3933 SI-D 3000V 1A 1N3934 SI-D 1200V 10A       1N3938 SI-D 200V 2A 1N3939 SI-D 400V 2A       1N3940 SI-D 600V 2A 1N3941 SI-D 800V 2A       1N3942 SI-D 100V 2A/30Ap 1N3944 GE-D 15V <12ns       1N3945 SI-D VHF-tuning1N3946 SI-D VHF-tuning       1N3947 SI-D VHF-tuning1N3948 SI-D Tunnel diode       1N3952 SI-D 130V 0. 2A 1N3953 GE-D 40V <300ns       1N3954 SI-D 50V <4ns 1N3955 SI-D 100V 70A       1N3956 SI-D 30V 2ns 1N3957(GP) SI-D 1000V 1A       1N3958(C) SI-D 100V 3.5A 1N3959(C) SI-D 200V 3.5A       1N3960(C) SI-D 300V 3.5A 1N3961(C) SI-D 400V 3.5A       1N3962(C) SI-D 500V 3.5A 1N3963(C) SI-D 600V 3.5A       1N3964 SI-D 200V 22A 1N3965 SI-D 400V 22A       1N3966 SI-D 600V 22A 1N3967 SI-D 800V 22A       1N3968 SI-D 200V 50A 1N3969 SI-D 400V 50A       1N3970 SI-D 600V 50A 1N3971 SI-D 800V 50A       1N3981 SI-D 200V 3A 1N3982 SI-D 400V 3A       1N3983 SI-D 600V 3A 1N3987 SI-D 700V 6A       1N3988 SI-D 800V 6A 1N3989 SI-D 900V 6A       1N3990 SI-D 1000V 6A

Продолжение таблицы…

Обозначение в таблице:

  • SI-D – кремниевый диод

  • SI-D-S – кремниевый диод Шоттки

  • GE-D – германиевый диод

  • C-D – варикап

Другие используемые в таблицах сокращения:

  • Uобр. макс. – максимально-допустимое постоянное обратное напряжение диода;
  • Uобр.и.макс. – максимально-допустимое импульсное обратное напряжение диода;
  • Iпр.макс. – максимальный средний прямой ток за период;
  • Iпр.и.макс. – максимальный импульсный прямой ток за период;
  • Iпрг. – ток перегрузки выпрямительного диода;
  • fмакс. – максимально-допустимая частота переключения диода;
  • fраб. – рабочая частота переключения диода;
  • Uпр при Iпр – постоянное прямое напряжения диода при токе Iпр;
  • Iобр. – постоянный обратный ток диода;
  • Тк.макс. – максимально-допустимая температура корпуса диода;
  • Тп.макс. – максимально-допустимая температура перехода диода.

Типоразмеры корпусов диодов

Цветовая маркировка планарных чип диодов

Скачать справочник по импортным диодам в PDF формате можно тут.

Транзисторы и полупроводниковые диоды (1963) Николаевский И. Ф.

Настоящее второе издание справочника отличается от первого большей полнотой сведений, включением данных по новым транзисторам и большим количеством плоскостных и точечных диодов, а также вновь написанным общим разделом по транзисторам, более подробно поясняющим физику и значение каждого параметра и характеристики, приведённых в справочнике. Справочник состоит из двух частей: «Транзисторы» и «Полупроводниковые диоды», из которых каждая делится на два раздела: «Общие сведения» и «Справочные данные». Транзисторы и диоды для облегчения отыскания расположены по восходящим цифрам их маркировки.

Предисловие
Условные обозначения

Часть первая. Транзисторы

Раздел I. Общие сведения
Принципы маркировки и классификации
Схемы включения, области и режимы работы транзистора
Вольтамперные характеристики р-n перехода (диода)
Характеристики транзистора в схеме с общей базой
Характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером

Параметры области отсечки
Обратные токи *и*
Сквозной ток *и начальный ток*
Максимальные напряжения

Параметры активной области
Параметры малого сигнала
Параметры большого сигнала
Шумы
Максимальные напряжения
Максимальные токи
Время включения и выключения

Параметры области насыщения
Время задержки
Сопротивление и напряжение насыщения
Максимальный ток

Тепловые параметры
Максимальная температура перехода
Тепловое сопротивление
Теплоёмкость и тепловые постоянные времени

Максимальная мощность, рассеиваемая транзисторов
Предельно допустимые эксплуатационные данные

Особенности применения
Температурная стабилизация
Отвод тепла

Раздел II. Справочные данные
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р, низкочастотные мощные: П4А, П4Б, П4В, П4Г, П4Д (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р низкочастотные: П5А, П5Б, П5В, П5Г, П5Д, П5Е (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р низкочастотные: П6А, П6Б, П6В, П6Г, П6Д (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа * низкочастотные: П8, П9А, П10, П10А, П10Б, П11. П11А (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р низкочастотные: П13, П13Б, П14, П14А, П14Б, П15, П15А (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р импульсные: П16, П16Л, П16Б (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р импульсные: П20, П21, П21А (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р низкочастотные: П25, П25А, П25Б, П26, П26А, П26Б (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р низкочастотные: П27, П27А, П28 (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р низкочастотные: П29, П29А, П30 (общие данные)
Транзисторы кремниевые сплавные типа n-р-n низкочастотные: П101, П101А, П101Б, П102, П103 (общие данные)
Транзисторы кремниевые сплавные типа р-n-р низкочастотные: П104, П105, П106 (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р мощные: П201, П201А, П202, П203 (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р мощные: П209, П209А, П210, П210А (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р низкочастотные: П211, П212, П212А (общие данные)
Транзисторы кремниевые, сплавные типа р-n-р низкочастотные мощные: П302, П303, П303А, П304 (общие данные)
Транзисторы германиевые диффузионные типа р-n-р высокочастотные: П401, П402, П403, П403А (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р высокочастотные: П12, П12А, П406, П407 (общие данные)
Транзисторы германиевые диффузионные типа р-n-р высокочастотные: П410, П410А, П411, П411А (общие данные)
Транзисторы германиевые диффузионные типа р-n-р высокочастотные: П414, П414А, П414Б, П415, П415А, П415Б
Транзисторы германиевые диффузионные типа р-n-р высокочастотные: П416, П416А, П416Б (общие данные)
Транзисторы кремниевые диффузионные типа р-n-р высокочастотные: П501, П501А, П502, П502А, П502Б, П501В, П503, П503А (общие данные)
Транзисторы германиевые конверсионные типа р-n-р высокочастотны с мощные: П601, П601А, П601Б, П602, П602А (общие данные)
Транзисторы германиевые конверсионные типа р-n-р импульсные мощные: П605, П605А, П606, П606А (общие данные)

Часть вторая. Полупроводниковые диоды

Раздел I. Общие Сведения
Принципы маркировки и классификации
Вольтамперные характеристики
Последовательное включение
Параллельное включение
Особенности эксплуатации

Раздел II. Справочные данные
Диоды германиевые точечные Д1А, Д1Б, Д1В, Л1Г, Д1Д, Д1Е, Д1Ж (общие данные)
Диоды германиевые точечные Д2А, Д2Б, Д2В, Д2Г, Д2Д, Д2Е, Д2Ж, Д2И (общие данные)
Диоды германиевые сплавные выпрямительные Д7А, Д7Б, Д7В, Д7Г, Д7Д, Д7Е, Д7Ж (общие данные)
Диоды германиевые точечные Д9А, Д9Б, Д9В, Д9Г, Д9Д, Д9Е, Д9Ж, Д9И, Д9К, Д9Л (общие данные)
Диоды германиевые точечные Д10, Д10А, Д10Б (общие данные)
Диоды германиевые точечные Д11, Д12, Д12А, Д13, Д14, Д14А (общие данные)
Диоды германиевые точечные Д18 (общие данные)
Диоды кремниевые точечные Д101, Д101А, Д102, Д103, Д103А (общие данные)
Диоды кремниевые точечные Д104, Д104А, Д105, Д105А, Д106, Д106А (общие данные)
Диоды кремниевые точечные Д107, Д107А, Д108, Д109 (общие данные)
Диоды кремниевые сплавные выпрямительные Д202, Д203, Д204, Д205 (общие данные)
Диоды кремниевые сплавные Д206, Д207, Д208, Д209, Д210, Д211 (общие данные)
Диоды кремниевые сплавные Д214, Д214А, Д215, Д215А (общие данные)
Диоды кремниевые сплавные Д219А, Д220, Д220А, Д220Б (общие данные)
Диоды кремниевые сплавные Д221, Д222 (общие данные)
Диоды кремниевые Д223, Д223А, Д223Б (общие данные)
Диоды кремниевые сплавные Д231, Д232, Д233, Д231Б, Д232Б, Д233Б, Д234Б, Д231А, Д232А (общие данные)
Диоды германиевые сплавные Д302, Д303, Д304, Д305 (общие данные)
Стабилитроны кремниевые сплавные Д808, Д809, Д810, Д811, Д813 (общие данные)
Диоды германиевые сплавные ДГ-Ц21, ДГ-Ц22, ДГ-Ц23, ДГ-Ц24, ДГ-Ц25, ДГ-Ц26, ДГ-Ц27 (общие данные)

Название: Транзисторы и полупроводниковые диоды
Автор: Николаевский И. Ф.
Год издания: 1963
Формат: DjVu
Язык: Русский
Размер файла: 23,19 Мб

D: диод

D: диод
Следующий: E: Напряжение, управляемое напряжением Up: Описание схемы Предыдущий: Трансконденсатор &nbsp Содержание

Подразделы

  • Синтаксис
  • Назначение
  • Комментарии
  • Параметры элемента
  • Параметры модели
  • Зонды
D xxxxxxx n+ n- mname { область } { аргументы }
.DIOde xxxxxxx n+ n- mname { область } { аргументы }

Соединительный диод.

N+ и n- — узлы положительных и отрицательных элементов, соответственно. Mname — название модели. Район это район фактор. Если коэффициент площади опущен, принимается значение 1,0. Args — это список дополнительных аргументов. Параметры доступные являются расширенным набором доступных в SPICE.

Диод также может использовать модель MOSFET (типа NMOS или PMOS) для представляют собой эквивалент диодов исток-объем или сток-объем.

Когда элемент распечатывается, списком или сохранением команда, вычисленные значения IS, RS, CJ и CJSW печатаются как комментарий, если они не были явно поступил.

Площадь = x
Коэффициент площади. (По умолчанию = 1,0) Если необязательно параметры IS, RS и CJO не указаны, Значение .model умножается на площадь, чтобы получить фактическое ценность.
Перим = х
Фактор периметра. (По умолчанию = 1,0) Если необязательный параметр CJSW не указан, .model значение умножается на perim, чтобы получить фактическое значение.
ИС = х
Исходное состояние. Начальное напряжение до использовать в переходном анализе, если указана опция UIC. По умолчанию: не использовать начальное условие. В настоящее время это игнорируется, но принято для совместимости.
ВЫКЛ
Начать итерацию с выключенным диодом в анализе постоянного тока.
ИС = х
Ток насыщения. Это переопределяет IS в .model и не зависит от площади. По умолчанию: использовать IS из .model * области.
RS = x
Омическое (последовательное) сопротивление. Это отменяет RS в .model и не зависит от площади. По умолчанию: использовать RS из области .model *. Это в настоящее время игнорируется, но принимается для совместимости.
КС = х
Емкость перехода при нулевом смещении. Этот переопределяет CJ в .model и не зависит от площади. По умолчанию: использовать CJ из области .model *.
ЧССВ = х
Емкость боковой стенки с нулевым смещением. Этот переопределяет CJSW в .model и не зависит от перим. По умолчанию: использовать CJSW из .model * perim.
GПараллель = x
Параллельная проводимость. Это отменяет GParallel в .model и не зависит от площади. По умолчанию: использовать GParallel из области .model *.
ИС = х
Нормированный ток насыщения. (Ампер). (По умолчанию = 1.0e-14) IS умножается на область в оператор element, чтобы получить фактический ток насыщения. Это может быть переопределяется указанием IS в операторе элемента.
RS = x
Нормированное омическое сопротивление. (Ом) (по умолчанию = 0.) RS умножается на площадь в элементе заявление, чтобы получить фактическое омическое сопротивление. Это может быть переопределено путем указания RS в операторе элемента. РС это принято и молча проигнорировано для совместимости, но не реализовано.
N = х
Коэффициент выбросов. (По умолчанию = 1,0) В ECA-2 значение по умолчанию было 2.
ТТ = х
Время в пути. (По умолчанию = 0.) Распространение емкость определяется по формуле: где находится диод проводимость.
ВЖ = х
Потенциал соединения. (По умолчанию = 1.0) Используется в вычисление емкости. Для совместимости со старыми версиями SPICE, PB принимается как псевдоним для виджея.
Чжо = х
Нормализованная емкость истощения при нулевом смещении. (По умолчанию = 0.) CJo умножается на область в element, чтобы получить фактическую емкость при нулевом смещении. Это может можно переопределить, указав CJ в операторе элемента.
МДж = х
Коэффициент оценки. (по умолчанию = 0,5)
PBSw = x
Потенциал соединения боковой стенки. (по умолчанию = ПБ)
CJSw = x
Нормализованная боковая емкость при нулевом смещении. (По умолчанию = 0.) CJSw умножается на периметр в оператор element, чтобы получить фактическую емкость при нулевом смещении. Это можно переопределить, указав CJSW в операторе элемента.
MJSw = х
Коэффициент уклона боковины. (по умолчанию = 0,33)
ЭГ = х
Энергия активации. (электрон-вольты) (по умолчанию = 1,11, кремний.) Для других типов диодов используйте:
1,11 эв. Кремний (значение по умолчанию)
0,69 эв. Барьер Шоттки
0,67 эв. Германий
1,43 эв. GaAs
2,26 эв. Зазор
XTI = х
Экспонента температуры тока насыщения. (По умолчанию = 3.0) Для барьера Шоттки используйте 2.0.
КФ = х
Коэффициент мерцания шума. (По умолчанию = 0.) Параметр SPICE принят, но не реализован.
АФ = х
Экспонента шума мерцания. (по умолчанию = 1,0) Параметр SPICE принят, но не реализован.
ФК = х
Коэффициент истощения прямого смещения Формула емкости. (по умолчанию = 0,5)
БВ = х
Обратное напряжение пробоя. (по умолчанию = .) Параметр SPICE принят, но не реализован.
ИБК = х
Ток при напряжении пробоя. (по умолчанию = 1 ma.) Параметр SPICE принят, но не реализован.
GПараллель = x
Параллельная проводимость. (По умолчанию = 0.)
Вд
Напряжение. Первый узел (анод) считается положительным.
Идентификатор
Суммарный ток. Втекает в первый узел (анод), из второго (катодного). I(Dxxxx) совпадает с IJ(Dxxxx) + IC(Dxxxx).
ИЖ
Ток перехода. Ток через переход. IJ(Dxxxx) совпадает с I(Yj.Dxxxx).
ИС
Ток конденсатора. Ток через параллель конденсатор. IC(Dxxxx) совпадает с I(Cj.Dxxxx).
П
Мощность. P(Dxxxx) совпадает с PJ(Dxxxx) + PC(Dxxxx).
ПД
Мощность рассеяна. Энергия рассеивалась в виде тепла. Это всегда положительна и не включает источник питания. Так должно быть то же, что и P, потому что диод пассивен.
ПС
Источник питания. Мощность, получаемая деталью. это всегда позитивен и не считает себя рассеянным. Это должен быть равен 0, потому что диод пассивен.
ПД
Мощность соединения. PJ(Dxxxx) совпадает с P(Yj.Dxxxx).
ПК
Мощность конденсатора. ПК(Dxxxx) такой же, как P(Cj. Dxxxx).
Емкость
Эффективная емкость. C(Dxxxx) то же самое как емкость (Cj.Dxxxx).
Запрос
Эффективное сопротивление. R(Dxxxx) такое же, как R(Yj.Dxxxx).
З
Полное сопротивление порта. Видимое сопротивление порта в цепь через ветку. Не включает часть сам. В переходном анализе он показывает эффективный Z-домен импеданс, который является бессмысленным числом, если есть конденсаторы или катушки индуктивности в цепи. (только DC)
ЗРАВ
Импеданс на порту, необработанный. Это то же самое, что «Z» за исключением того, что он включает в себя саму часть. (только DC)
Регион
Код региона. Числовой код, обозначающий регион, в котором он работает. +1 = вперед, -1 = назад, 0 = неизвестно, -2 = предполагается выключенным.

Доступны все параметры внутренних элементов Yj и Cj. К доступ к ним, соедините метки для внутреннего элемента с диод, разделенный точкой. Yj.D6 — элемент полной проводимости (Yj) диод Д6.

В этом выпуске нет датчиков, доступных для анализа переменного тока, за исключением для внутренних элементов.

Общие датчики элементов не применяются к диодам.


Следующий: E: Напряжение, управляемое напряжением Up: Описание схемы Предыдущий: Трансконденсатор &nbsp Содержание
Эл Дэвис 2002-03-26

Диоды

Любая модель диода SPICE, установленная в библиотеке SIMetrix, может быть преобразована для использования в ПРОСТО. Когда диод помещается на схему SIMPLIS, извлечение параметров модели процедура вызывается для автоматического преобразования модель SPICE в модель SIMPLIS. Во время извлечения параметров модели процесс, SIMetrix/SIMPLIS автоматически запускает несколько симуляций SPICE на модели SPICE и извлекает параметры модели SIMPLIS. После кусочно-линейной (PWL) модели параметры были извлечены, результирующая модель диода будет работать в SIMPLIS. Любой установленную модель диода SPICE можно использовать в SIMPLIS.

Полученную модель диода можно использовать для создания модели одного из четырех конфигураций диодов:

Конфигурация Описание Дополнительный параметр
Одноместный Один диод нет
Параллельный Параллельное подключение нескольких диодов Количество параллельных диодов
Серия Несколько диодов последовательно Количество последовательных диодов
Мост Четыре диода в мостовой конфигурации Перемычка напряжения дисбаланса

Эти конфигурации диодов не просто удобны, SIMPLIS Работайте быстрее с этими моделями и сталкивайтесь с меньшим количеством проблем с ошибками.

В этом разделе:

Извлечение параметров диода

При размещении символа диода на схеме открывается окно Извлечение параметров диода. открывается диалоговое окно для редактирования условий тестирования по умолчанию. По умолчанию условия тестирования задаются с помощью меню командной оболочки Файл > Опции > Параметры SIMPLIS… . Для получения дополнительной информации см. SIMPLIS Варианты диодов.

В следующей таблице описывается тест диалогового окна «Извлечение параметров диода». условия.

Извлекаемый диод Модель

Тест Состояние По умолчанию Значение Единицы Описание
Модель SPICE Д1Н4148   Модель SPICE, используемая для извлечения Параметры СИМПЛИС.
Тип модели Извлечено   Вызывает извлечение параметров модели алгоритмы.
Вперед текущий 200м А пиковый прямой ток, используемый для подгонки кривой. Алгоритм подходит прямая линия между 50% и 100% этого значения.
Реверс напряжение 100 В пиковое напряжение в выключенном состоянии, наблюдаемое этим устройством. Используется для извлечения емкости для уровня модели = 1, который включает паразитную емкость. Авария Модель , а не .
Температура модели 50 °С Температура используется для всех симуляций извлечения.
Уровень модели 0   Модель сложность. Для получения информации о выборе уровня модели смотрите SIMPLIS_Diode_Model_Levels.
Номер сегментов 3   Диоды может иметь два сегмента, представляющих на и Выкл. Сопротивление или три сегмента с третьим сегментом, представляющим переход между состояниями Вкл и Выкл.
Начальный Состояние 0 Обратное смещение Наборы начальный проводящий сегмент.
Максимальный предел от сопротивления Проверено нет Ограничения сопротивление отключения диода. Для некоторых моделей SPICE это создаст модель SIMPLIS, которая работает быстрее.
Максимум от сопротивления 100Мб Вт максимальное сопротивление диода в открытом состоянии. Это значение используется только в том случае, если установлен флажок «Ограничить максимальное сопротивление в выключенном состоянии».

Показать извлеченные осциллограммы PWL, опция

Начиная с версии 8.2, появилась возможность отображать извлеченные параметры на графике. как набор кривых PWL. Чтобы включить эту опцию, выберите Показать извлеченный PWL. waveforms и извлеките модель. После извлечения модели будет создан набор кривых, сравнивающих извлеченные кривые PWL с смоделированные кривые SPICE. Отображаемые кривые будут зависеть от уровня модели извлекается.

Ниже приведена типичная аппроксимация PWL Характеристика тока прямого смещения диода, кривая SPICE показана красным, а кривая PWL — синим.

Уровни модели SIMPLIS Diode

Модели SIMPLIS Diode поддерживают два уровня: 0 и 1.

  • Уровень 0 — это диод с чистой проводимостью.
  • Уровень 1 добавляет емкость перехода.

SIMPLIS извлекает модель на основе уровня модели, выбранного в параметрах извлечения диода. диалог. Хотя эти модели внутренне сохраняются как текст ASCII, следующие иллюстрации показывают два уровня модели в схематической форме.

Уровень 0 Модель

Уровень 0 моделирует только значения сопротивления включения/выключения диода. Эту модель уровня 0 можно использовать практически для любого моделирования, с которым вы можете столкнуться. ПРОСТО.

  • Область проводимости диода моделируется 2- или 3-сегментным резистором.
  • В модели уровня 0 емкость перехода отсутствует.

Ниже представлен схематический вид модели уровня 0:

Уровень 0 моделирует эти элементы схемы Уровень 0 Схема

!R_D_POWER: Диод смоделировано PWL Resistor

Уровень 1 Модель

Уровень 1 моделирует диод со значениями сопротивления включения/выключения и емкость перехода с 4 сегментами PWL.

  • Область проводимости диода моделируется 2- или 3-сегментным резистором.
  • Емкость перехода моделируется с переменным числом сегментов, с максимум четыре.

Ниже представлено схематическое изображение модели уровня 1:

Уровень 1 моделирует эти элементы схемы Схема уровня 1

.
!R_D_POWER: Диод смоделировано PWL Resistor
CJ: Развязка Емкость моделируется конденсатором PWL
 

Модели, определяемые пользователем

Модель, определяемая пользователем, использует параметры, введенные непосредственно в окне редактирования параметров диода. без вызова алгоритмов извлечения модели. Диод может быть переключен с извлеченная модель в пользовательскую модель в любой момент; однако извлеченные параметры по умолчанию копируются в пользовательские параметры, заменяя любые введенные пользователем ценности. Вы можете отключить это поведение в параметрах SIMPLIS, сняв флажок помечено Автоматически копировать извлеченные параметры в Пользовательский параметр. Вы можете получить доступ к этим параметрам из меню командной оболочки Файл > Опции > Параметры SIMPLIS. .. . Для получения дополнительной информации см. Опции диодов SIMPLIS.

Определяемый пользователем диод Модель

Параметры По умолчанию Значение Единицы Описание
Этикетка: ПОЛЬЗОВАТЕЛЬСКАЯ_МЕТКА    
Тип модели: Определяется пользователем    
Прямое напряжение: 750м В Прямое падение напряжения на диоде. диод эффективно включается при этом напряжении.
Прямое сопротивление: 10м Ом Сопротивление диода при напряжении выше, чем Прямое напряжение .
Сопротивление отключения: 1G Ом Сопротивление диода при напряжениях меньше, чем Прямое напряжение .
Выходная емкость: 0 Ф Линейная емкость при обратном напряжении

Пользовательская модель

Модели этих элементов схемы Пользовательская схема

!R_D_POWER: Диод смоделировано PWL Resistor
CJ: Соединение Емкость, смоделированная линейным конденсатором

Создать вручную и настроить модели диодов

Вы можете настроить или вручную создать свой собственный диод модели, использующие строку параметра с несколькими парами ключ-значение PARAM_NAME=PARAM_VALUE. Имена параметров и их функции описаны в разделе «Параметры модели диода» ниже. Вы можете интерпретировать значения параметров SIMPLIS из технических характеристик устройства. и кривые.

Строку параметра можно составить в текстовом редакторе, таблица или сценарий. Порядок имен параметров в строке параметров и использование заглавных букв в именах параметров не имеет значения.

Вы можете включить пару ключ-значение PROTECTED=1 в предотвратить извлечение модели и перезапись сгенерированных вручную параметров. Пара ключ-значение PROTECTED=1 не используется в моделировании.

Примечание. Если щелкнуть устройство после добавления пары ключ-значение PROTECTED=1, Появится следующее окно сообщения, предупреждающее вас о том, что это модель, отредактированная вручную.

Чтобы настроить или создать собственную модель диода, следуйте следующие шаги:

  1. Создайте строку параметров из нескольких пар ключ-значение PARAM_NAME=PARAM_VALUE с помощью предпочитаемого вами текстового редактора, электронной таблицы или скрипта.
  2. Добавьте пару ключ-значение PROTECTED=1 в строку параметра.
  3. Извлеките модель диода и поместите ее на схему.
  4. Щелкните правой кнопкой мыши символ и выберите Изменить/Добавить свойства… .
  5. Дважды щелкните свойство PARAM_VALUES .

    Результат: Откроется диалоговое окно «Редактировать свойство». В этот момент вы можете изменить отдельные параметры в поле «Значение» или заменить все значения по умолчанию свойства со строкой параметра, созданной на шаге 2.

  6. Чтобы заменить всю строку, выполните следующие действия:
    1. Щелкните в поле Value и введите Ctrl A , чтобы выбрать все существующую строку параметров и нажмите Удалить .
    2. Скопируйте строку параметра, введенную на шаге 2, и вставьте в поле Значение. коробка.
    3. Нажмите Хорошо .
  7. Чтобы изменить имя индивидуальной модели, дважды щелкните значок ЗНАЧЕНИЕ . свойство в диалоговом окне «Редактировать свойства» и измените имя в поле Value коробка.
  8. Чтобы вернуться к схеме, нажмите Ok .

В качестве альтернативы вы можете записать свойство PARAM_VALUES в символ с помощью команды Prop в командной строке со следующим синтаксисом:

 реквизит  PARAM_VALUES  параметр_строка

куда параметр_строка — это созданный вами набор пар ключ-значение. в шагах 1 и 2 выше.

Важно: Поскольку параметр_строка содержит пробелы, вся строка должна быть заключена в двойные кавычки.

Параметры модели диода

В следующих таблицах подробно описаны параметры, определяющие электрическое поведение модели диода. Ряд других параметров в Свойство PARAM_VALUES не влияет на электрическое поведение модели. Эти параметры используются для заполнения диалогового окна Extract Diode Parameters.

Примечание. Значения по умолчанию вряд ли появятся в извлеченной модели. Если эти значения параметров появляются в вашем проекте, произошла ошибка при составлении строка параметров.

Модель проводимости

Диоды моделируются в SIMPLIS с кусочно-линейным (PWL) резисторы. Сегменты PWL представлены точками X,Y

  • Точки определяются напряжением на оси X и током на ось Y.
  • Сопротивление обратно пропорционально наклону любого сегмента.
  • Нижние индексы IDx и VDx указывают расположение пары точек от самого нижнего напряжение, т. е. с обратным смещением, к максимальному напряжению, т. е. прямому проводимость.

Параметры проводимости

Имена параметров Значение по умолчанию Описание
НУМСЭГ   3 Количество сегментов в диодная модель.
  • Допустимые значения NUMSEG: 2 , 3, 4, 5, 6
ВД0 ИД0 1. 123456789 Определения точек X-Y для диода:
  • По оси X отложено напряжение анод-катод в вольтах (В).
  • Ось Y представляет собой прямой ток диода в амперах (А).
  • Точки с нижними индексами больше параметра NUMSEG игнорируется.
ВД1 ID1 1.123456789
ВД2 ID2 1. 123456789
ВД3 ID3 1.123456789
ВД4 ID4 1.123456789
ВД5 ID5 1.123456789
ВД6 ID6 1. 123456789
Модель конденсатора

Конденсаторы моделируются в SIMPLIS с кусочным Линейные конденсаторы.

  • Используется та же система пар точек, но плоскость определяется напряжением по оси X и Зарядка по оси X.
  • Та же система индексов используется для определения пар точек.
  • VCJ0 и QCJ0 представляют собой пару с наименьшим напряжением и зарядом, с увеличением нижние индексы, обозначающие увеличение обратного смещения.
  • На плоскости «напряжение-заряд» емкость – это наклон любого сегмента.

Параметры емкости перехода (только LEVEL=1)

Имена параметров Значение по умолчанию Описание
CJ_NSEG   4 Количество сегментов в Разделительный конденсатор модели
VCJ0 QCJ0 1. 123456789 Определения точек X-Y для соединительного конденсатора:
  • По оси X отложено напряжение между катодом и анодом в вольтах (В).
  • По оси Y отложен заряд в кулонах (C).
  • Точки с нижними индексами больше параметра CJ_NSEG игнорируется.
VCJ1 QCJ1 1.123456789
VCJ2 QCJ2 1. 123456789
VCJ3 QCJ3 1.123456789
VCJ4 QCJ4 1.123456789
VCJ5 QCJ5 1.123456789
VCJ6 QCJ6 1. 123456789
VCJ7 QCJ7 1.123456789
VCJ8 QCJ8 1.123456789
VCJ9 QCJ9 1.123456789
VCJ10 QCJ10 1. 123456789

▲ вернуться к началу

Справочник по симулятору: диод — уровень 1 и уровень 3

В этом разделе:

Запись списка соединений 

 Dxxxx n+ n- имя_модели [область] [ВЫКЛ] [IC=vd] [TEMP=local_temp]
+ [PJ=периферия] [L=длина] [W=ширина] [M=множество] [DTEMP=dtemp]

п + Анод
п — Катод
имя_модели Имя модели, определенное в операторе .MODEL. Должен начинаться с буквы, но может содержать любой символ, кроме пробела и «. ».
район Коэффициент умножения площади. Площадь масштабирует устройство. Например. площадь 3 заставит устройство вести себя как 3 параллельных диода. По умолчанию 1.
ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Инструктирует симулятор для расчета анализа рабочей точки с изначально выключенным устройством. Это используется в схемах с фиксацией, таких как тиристоры и бистабильные, для создания определенного состояния. См. .OP для более подробной информации.
вд Начальное условие для напряжения диода. Это действует только в том случае, если в операторе . TRAN указан параметр UIC.
локальная_темп Местная температура. Переопределяет спецификацию в операторах .OPTIONS или .TEMP.
периферия Только уровень 3. Периферия соединения, используемая для расчета боковых эффектов.
длина Только уровень 3. Используется для расчета площади. Смотри ниже.
ширина Только уровень 3. Используется для расчета площади. Смотри ниже.
мульт Множитель устройства. Эквивалентно подключению мульти устройств параллельно.
дтемп Дифференциальная температура. Аналогичен local_temp , но указывается относительно температуры контура. Если указаны и TEMP, и DTEMP, TEMP имеет приоритет.

Примеры

Синтаксис модели диода 

 .model название модели D ( LEVEL=[1|3] параметры )

Параметры модели диода — Уровень = 1

Символы ‘???MATH???\times???MATH???’ и ‘???МАТИКА???\div???МАТИКА???’ в столбце Площадь означает, что указанный параметр необходимо умножить или разделить на площадь фактор соответственно.

Имя Описание Единицы По умолчанию Район
ЯВЛЯЕТСЯ Транспортный ток насыщения А 1е-14 ???МАТЕМАТИКА???\раз???МАТИКА???
ISR Параметр тока рекомбинации А 0 ???МАТЕМАТИКА???\раз???МАТИКА???
Н Коэффициент эмиссии 1
NR Коэффициент выбросов для ISR 2
ИКФ Высокий ток колена инжекции А ???МАТЕМАТИКА???\infty???МАТИКА??? ???МАТЕМАТИКА???\раз???МАТИКА???
РС Серийное сопротивление ???МАТИКА???\Омега???МАТИКА??? 0 ???МАТЕМАТИКА???\div???МАТИКА???
ТТ Время в пути сек 0
CJO или CJ0 Емкость перехода при нулевом смещении Ф 0 ???МАТЕМАТИКА???\раз???МАТИКА???
виджей Потенциал соединения В 1
М Коэффициент оценки 0,5
НАПРИМЕР Энергетическая щель эВ 1,11
XTI Экспонента температуры тока насыщения 3
КФ Коэффициент мерцания шума 0
АФ Показатель мерцания шума 1
ФК Коэффициент истощения емкости при прямом смещении 0,5
БВ Обратное напряжение пробоя В ???МАТЕМАТИКА???\infty???МАТИКА???
ИБК Ток при напряжении пробоя А 1е-10 ???МАТЕМАТИКА???\раз???МАТИКА???
ТНОМ, T_MEASURED Температура измерения параметра ???МАТИКА???°???МАТИКА???C 27
T_ABS Если указано, определяет абсолютную температуру модели, перекрывающую глобальную температуру, определенную с помощью . TEMP ???МАТИКА???°???МАТИКА???C —
T_REL_ ГЛОБАЛЬНЫЙ Смещает глобальную температуру, определенную с помощью .TEMP. Переопределен T_ABS ???МАТИКА???°???МАТИКА???C 0
TRS1 Tempco первого порядка RS /???МАТИКА???°???МАТИКА???C 0
ТРС2 Tempco второго порядка RS 92??? МАТЕМАТИКА??? 0
ТВВ1 Tempco BV первого порядка /???МАТИКА???°???МАТИКА???C 0,0
ТВВ2 92??? МАТЕМАТИКА??? 0,0
НБВ Коэффициент идеальности обратного пробоя 1,0
НБВЛ Коэффициент идеальности обратного пробоя низкого уровня 1,0
ИБВЛ Ток колена обратного пробоя низкого уровня Ампер 0,0 ???МАТЕМАТИКА???\раз???МАТИКА???
ТИКФ Температурный коэффициент IKF 0,0

Примечания Характеристики диода по постоянному току определяются параметрами IS, N, ISR, NR и IKF. Включено омическое сопротивление RS. Эффекты накопления заряда моделируются временем прохождения TT ​​и нелинейной емкостью обедненного слоя, которая определяется параметрами CJO, VJ и M. Температурная зависимость тока насыщения определяется параметрами EG, энергией и XTI, экспонента температуры тока насыщения. Обратный пробой моделируется экспоненциальным ростом тока обратного диода и определяется параметрами BV и IBV (оба числа положительные).

Параметры модели диода — Уровень = 3

Имя Описание Единицы По умолчанию АФ Показатель мерцания шума 1,0 БВ, ВБ, ВАР, ВРБ Обратное напряжение пробоя В ???МАТЕМАТИКА???\infty???МАТИКА??? CJO, CJ Емкость перехода при нулевом смещении Ф 0,0 CJSW, CJP Емкость боковых стенок при нулевом смещении 9{-1}???МАТЕМАТИКА??? НАПРИМЕР Энергетическая щель ев 1. 11 ФК Коэффициент истощения емкости при прямом смещении 0,5 ФКС Коэффициент емкости боковой стенки прямого смещения 0,5 GAP1 7.02e-4 — кремний (старое значение) 4.73е-4 — кремний 4.56е-4 — германий 5.41e-4 — арсенид галлия эВ/???МАТИКА???°???МАТИКА??? 7. 02e-4 GAP2 1108 — кремний (старое значение) 636 — кремний 210 — германий 204 — арсенид галлия ???МАТИКА???°???МАТИКА??? 1108 ИБК Ток при напряжении пробоя А 1Е-3 ИКФ, ИК Высокий ток колена инжекции А ???МАТЕМАТИКА???\infty???МАТИКА??? ИКР Обратный ток высокого инжекторного колена А ???МАТЕМАТИКА???\infty???МАТИКА??? ИС, ЯС Ток насыщения А 1Е-14 ISR Ток рекомбинации А 0 JSW Ток насыщения боковой стенки А 0 КФ Показатель мерцания шума 0 МЮ, М Коэффициент оценки 0,5 MJSW Коэффициент боковины 0,33 Н, НФ Коэффициент прямого излучения 1,0 NR Коэффициент излучения рекомбинации 2,0 PHP Боковая стенка встроена в потенциал ПБ РС Серийное сопротивление ???МАТИКА???\Омега???МАТИКА??? 0 СОКРАЩАТЬСЯ, СЖИМАТЬСЯ Коэффициент усадки 1,0 ТТС Температурный коэффициент BV ???МАТИКА???°???МАТИКА???C-1 0 ТЛЭВ Выбор температурной модели. Допустимые значения: 0, 1, 2 0 ТЛЕВК Выбор температурной модели. Допустимые значения: 0 или 1 0 ТНОМ, ТРЭФ Параметр измерения температуры 27 ТПБ Температурный коэффициент VJ (TLEVC=1) В/???МАТИКА???°???МАТИКА???C 0,0 ТПХП 9{-1}???МАТЕМАТИКА??? 0,0 ТТ Время в пути С 0,0 Виджей, ПБ Встроенный потенциал В 0,8 XW Коэффициент усадки 0,0 ДКАП Модель емкости (1 или 2) 1

Параметры CJSW и JSW масштабируются параметром экземпляра PJ, значение которого по умолчанию равно 0,0.

Если заданы параметры экземпляра L и W, диод масштабируется с коэффициентом: M*(L*СЖАТИЕ-XW)*(W*СЖАТИЕ-XW) в противном случае масштабируется по M*AREA.

Использование диодов Hspice

В Hspice диоды уровня 1 такие же, как диоды SIMetrix уровня 3. Чтобы сопоставить уровень 3 с уровнем 1, добавьте эту строку в список соединений.

 .ОПЦИИ HSPICEMODELS=1

Этот параметр также имеет тот же эффект:

 .ОПЦИИ HSPICECOMPATIBILITY=1

См. .OPTIONS для более подробной информации.

M и AREA — это параметры экземпляра, которые по умолчанию равны 1.0.

◄ Источник тока   Диод — мягкое восстановление ▶

Обзор параметров лазерных диодов доктора Камрана С.

Мобархана

Введение

Часто бывает необходимо количественно оценить качество, производительность и характеристики лазерных диодов. Это делается путем проведения серии экспериментов и получения определенных важных параметров, по которым мы можем определить, насколько хорошо работает лазерный диод. Затем можно установить, соответствует ли лазерный диод желаемым характеристикам. Ниже приводится краткое описание общих параметров, которые могут быть определены экспериментально, и методов анализа исходных данных, позволяющих получить содержательные и легко интерпретируемые результаты.

Кривая зависимости выходного света от входного тока и порогового тока:

Возможно, наиболее важной измеряемой характеристикой лазерного диода является количество света, излучаемого им при подаче тока в устройство. Это генерирует кривую зависимости выходного света от входного тока, чаще называемую L.I. кривая (показана на рисунке 1). По мере увеличения инжектируемого тока лазер сначала демонстрирует спонтанное излучение, которое очень постепенно увеличивается, пока не начнет излучать вынужденное излучение, что и является началом лазерного действия. Первым интересующим параметром является точное значение тока, при котором имеет место это явление. Обычно это называется пороговым током и обозначается символом I -й . Обычно желательно, чтобы пороговый ток был как можно меньше, что приводит к более эффективному устройству. Таким образом, пороговый ток является одним из показателей, используемых для количественной оценки характеристик лазерного диода.

Пороговая плотность тока:

Пороговый ток зависит от качества полупроводникового материала, из которого изготовлено устройство, и общей конструкции волноводной структуры. Однако пороговый ток также зависит от размера и площади лазерного устройства. Один лазерный диод может демонстрировать гораздо более высокий пороговый ток, чем другое устройство, и при этом считаться гораздо лучшим лазером. Это связано с тем, что площадь устройства может быть большой. Лазер, который шире или длиннее, очевидно, требует большего электрического тока для достижения начала лазерного действия, чем лазер меньшей площади. В результате при сравнении пороговых значений тока различных устройств более целесообразно ссылаться на пороговую плотность тока, а не на пороговый ток.

Пороговая плотность тока обозначается символом I th и определяется делением экспериментально полученного значения порогового тока I th на площадь лазера. Всегда желательно, чтобы лазер имел низкое пороговое значение плотности тока. Пороговая плотность тока является одним из параметров, который является прямым показателем качества полупроводникового материала, из которого изготовлен прибор. При сравнении характеристик различных лазерных устройств необходимо сравнивать пороговые значения плотности тока, а не пороговые значения тока. При расчете плотности тока лазера необходимо точно измерить площадь лазера, через которую инжектируется ток. Это возможно только в лазерах с широким полем действия и шириной полосы порядка 100 мкм и более. В таких случаях площадь, через которую протекает ток, очень похожа на площадь металлического контакта лазера. В случае гребенчатых лазеров (рис. 2) ширина гребня составляет всего несколько микрон, тогда как из-за растекания тока реальная ширина канала, по которому течет ток, может быть значительно больше. Это делает нецелесообразным точное определение значений плотности тока в случае узкополосковых гребенчатых лазеров.

Уклон Л.И. Кривая:

Точно так же, как желательно достичь лазерного действия при как можно более низком пороговом токе, также желательно получать все больше и больше света из устройства с затратой как можно меньшего тока. Другими словами, вы хотите иметь возможность медленно увеличивать входной ток и при этом иметь быстрое увеличение светового излучения на выходе. Лазерный диод, который имеет хорошую скорость преобразования входной электрической мощности в выходную мощность света, очевидно, является устройством, которое работает хорошо. Прямым показателем способности прибора сделать это является наклон кривой L.I. кривая выше точки порогового тока. Этот наклон обозначается как ∆P/∆I и измеряется в ваттах на ампер (Вт/А), или, в случае лазеров малой мощности (мВт/мА). ∆P/∆I, наклон Л.И. кривая выше порогового тока I th , прямо сообщает нам, сколько ватт мощности выдает лазер на каждый 1 ампер увеличения его входного тока. Другие важные параметры обычно извлекаются из измерения этого коэффициента наклона ∆P/∆I.

Внешняя дифференциальная квантовая эффективность: кривая — это еще один параметр, называемый внешней дифференциальной квантовой эффективностью, ηd. Это показатель качества, измеряемый в процентах, который указывает эффективность лазерного устройства в преобразовании инжектированных электронно-дырочных пар (входные электрические заряды) в фотоны, испускаемые устройством (выходной свет). Идеальное гипотетическое устройство, которое преобразует 100 % инжектируемого тока в выходной свет без потерь в виде выделения тепла, теоретически должно иметь значение ηd, равное 100 %. Конечно, такого устройства в реальности не существует. Мы можем определить значение внешней дифференциальной квантовой эффективности реального лазерного диода, измерив наклон кривой L.I. кривая, ∆P/∆I, сверхпороговый ток. Затем нам нужно сравнить это с наклоном L.I. кривая идеального, 100% эффективного, теоретического устройства. Это делается, как описано ниже.

Один электрон имеет электрический заряд q, где q = 1,6x10e –19 кулонов. Один кулон, обозначаемый C, представляет собой электрический заряд, равный электричеству, переносимому постоянным током в один ампер за одну секунду. Это означает, что один Кл/сек равен одному ампер. С другой стороны, один фотон с длиной волны λ имеет энергию E = h(c/λ), где h — постоянная Планка, которая связывает энергию и длину волны фотона. Помните, что единицей энергии является джоуль, один джоуль в секунду эквивалентен одному ватту мощности.

В идеальном идеальном лазере рекомбинация каждой электронно-дырочной пары приводит к генерации одного фотона, и, кроме того, фотон проходит через структуру лазерного волновода и излучается устройством, внося свой вклад в выходную мощность света. В реальном лазере некоторые рекомбинации электронно-дырочных пар приводят к генерации фотонов, тогда как другие приводят к генерации других, нежелательных форм энергии, таких как тепло. Кроме того, не все фотоны, генерируемые внутри лазера, испускаются устройством. Некоторые из них реабсорбируются структурой лазера (рис. 3). В результате в случае идеального совершенного лазера электрический заряд q кулонов приводит к выходной оптической энергии h(c/λ) джоулей. Это означает, что ток q кулонов в секунду (ампер) дает световую мощность h(c/λ) джоулей в секунду (ватт). Таким образом, наклон линии Л.И. кривая идеального, совершенного лазера, излучающего на длине волны λ, теоретически будет (hc)/(λq), где, как уже упоминалось, h — постоянная Планка, λ — длина волны генерируемого света, а q — электрический заряд один электрон. Отметим, что длина волны λ света связана с его частотой υ соотношением υ = c/λ , где c — скорость света.

Теперь, чтобы сравнить эффективность реального лазера, испытываемого в лаборатории, с идеальным совершенным лазером, мы можем сравнить наклоны их L. I. кривые. Это означает, что эффективность реального лазера при преобразовании входного тока в выходной свет равна отношению связанного с ним параметра ∆P/∆I к hc/qλ. Поскольку оба члена ∆P/∆I и hc/qλ имеют одни и те же единицы измерения Ватт/Ампер, результирующий член: (∆P/∆I) / (hc/qλ) представляет собой безразмерный параметр, выраженный в процентах. Это то, что называется внешней дифференциальной квантовой эффективностью, ηd, и эквивалентно (∆P/∆I)/(hc/qλ). Чтобы рассчитать ηd, просто измерьте наклон кривой L.I. кривую в единицах ватт/ампер и умножить на qλ/hc

Обратите внимание, что при этом мы учитывали тот факт, что фотоны разной длины волны имеют разную энергию. Например, один синий фотон (фотон излучения синего цвета с длиной волны в диапазоне спектра 400 нм) имеет больше энергии, чем красный фотон (фотон излучения красного цвета с длиной волны в диапазоне спектра 600 нм). . Кроме того, обратите внимание, что, как показано на рисунках 1 и 3, лазерный диод может излучать свет как с передней, так и с задней граней зеркала, или в случаях, когда задняя грань покрыта покрытием с высокой отражательной способностью, излучает только с передней грани. . Это означает, что, говоря о наклоне линии Л.И. кривой или внешней дифференциальной квантовой эффективности, мы всегда должны уточнять, относятся ли ∆P/∆I и ηd к одной грани зеркала или к двум граням зеркала.

Зависимость от длины резонатора пороговой плотности тока и внешней дифференциальной квантовой эффективности:

Пороговая плотность тока J th и внешняя дифференциальная квантовая эффективность ηd являются параметрами, которые зависят от длины резонатора лазера диод. Вследствие этого при сравнении характеристик различных лазерных диодов или партий приборов крайне желательно из экспериментально полученных данных извлекать параметры, не зависящие от геометрии и размеров конструкции прибора и являющиеся прямыми показателями. качества полупроводникового кристаллического материала, из которого изготовлено лазерное устройство. Для этого необходимо экспериментально измерить пороговый ток и крутизну Л.И. кривая не одного конкретного лазера, а устройств с различной длиной резонатора. Полученные данные затем могут быть сведены в таблицу и нанесены на график, чтобы определить некоторые важные интересующие параметры, связанные с лазерными диодами. Как правило, при выполнении этих измерений следует использовать лазерные диоды большой площади с четко определенными областями.

Как и в случае с различными продуктами полупроводниковой промышленности, качество материала, из которого изготовлено любое устройство, является наиболее важным фактором, определяющим надежность, прочность и общий ожидаемый срок службы устройства. В случае мощных полупроводниковых лазеров, которые работают при высоких плотностях оптической мощности и высоких температурах, будет происходить быстрая деградация, если полупроводниковый материал низкого качества. Вы также можете увидеть важность этого вопроса в отношении телекоммуникационных лазеров, используемых в подводных трансокеанских волоконных линиях. Некоторые из этих основных свойств описаны ниже. Данные, представленные в таблице на рисунке 4, можно использовать для извлечения этих параметров.

Внутренняя квантовая эффективность:

Этот параметр является мерой эффективности лазера в преобразовании электронно-дырочных пар (инжектируемый ток) в фотоны (свет) в структуре лазерного диода. Например, если определено, что внутренняя квантовая эффективность составляет 75 %, то 75 % электронно-дырочных пар преобразуются в фотоны, а оставшиеся 25 % — в другие формы энергии, такие как тепло. Символ ηi используется для обозначения этого фундаментального свойства. В отличие от внешней дифференциальной квантовой эффективности внутренняя квантовая эффективность не зависит от геометрических свойств лазерного устройства, таких как длина резонатора или ширина полосы. В результате это подходящий параметр для сравнения качества материалов различных лазеров, изготовленных из различных полупроводниковых пластин. Чтобы сделать это, необходимо экспериментально измерить внешний дифференциальный квантовый выход лазеров с различной длиной резонатора, с результатами, представленными в таблице, как показано на рисунке 4. Затем внутренний квантовый выход определяется путем построения кривой обратного внешнего дифференциального квантового выхода. эффективности в зависимости от длины резонатора, как показано на рисунке 5. Обратная точка пересечения линии линейного соответствия набора точек данных с вертикальной осью представляет собой параметр внутренней квантовой эффективности, указанный в процентах. Внутренняя квантовая эффективность является одним из основных показателей качества, который следует использовать при оценке качества полупроводниковой пластины, из которой изготовлен лазерный диод. Внутренняя квантовая эффективность связана с внешней квантовой эффективностью соотношением, показанным на вставке к рисунку 5.9.0014

Обратите внимание, что существует разница между внутренней квантовой эффективностью ηi и внешней дифференциальной квантовой эффективностью ηd. Внутренняя квантовая эффективность является прямым показателем эффективности лазера в преобразовании электронно-дырочных пар (инжектируемый ток) в фотоны (свет) внутри структуры лазерного диода. Но помните, что не все генерируемые фотоны выходят из устройства; некоторые из них реабсорбируются за счет различных внутренних механизмов потери. В результате внешняя дифференциальная квантовая эффективность является показателем эффективности лазера в преобразовании электронно-дырочных пар (инжектируемый ток) в фотоны, испускаемые лазерным устройством (выходной свет). Величина внешней дифференциальной квантовой эффективности всегда меньше внутренней квантовой эффективности. (ηd) / (ηi) — это отношение числа фотонов, испускаемых лазером, к числу фотонов, генерируемых внутри лазера.

Внутренние потери:

Как упоминалось выше, параметр внутренней квантовой эффективности является мерой доли электронно-дырочных рекомбинаций, которые приводят к оптическим фотонам внутри резонатора лазера (поэтому термин внутренний). Однако частично из-за внутренних потерь (αi) лазерного волновода не все фотоны, генерируемые внутри лазерного резонатора, попадают наружу, чтобы внести свой вклад в выходной свет, излучаемый зеркальной гранью (гранями) лазерного диода. Таким образом, значение внешней дифференциальной квантовой эффективности любого лазерного диода всегда меньше, чем его внутренняя квантовая эффективность. Свет, который распространяется через резонатор лазерного диода, страдает от потерь, как и в случае распространения света в любом оптическом волноводе. Внутренние потери — это параметр, который соответствует потерям оптической волны. Его значение определяется экспериментально путем измерения наклона линии линейного соответствия к обратной зависимости внешней дифференциальной квантовой эффективности от точек данных длины резонатора, как показано на рисунке 5.9.0014

Пороговая плотность тока прозрачности:

Другим важным параметром, который можно извлечь из экспериментально измеренных и сведенных в таблицу данных на рисунке 4, является пороговая плотность тока прозрачности, обозначенная символом J o . Пороговая плотность тока зависит от длины резонатора лазерного диода. В результате было бы неточно сравнивать качество одного набора полупроводниковых пластин с другим, используя только параметр пороговой плотности тока. Используя данные, представленные в таблице на рис. 6, можно извлечь параметр, не зависящий от геометрии устройства. Это делается путем построения кривой зависимости пороговой плотности тока от обратной длины резонатора, как показано на рисунке 7. Пересечение линии линейного соответствия данных, построенных на этой кривой, с вертикальной осью дает нам значение пороговой плотности тока прозрачности. Это подходящий параметр, который следует использовать при сравнении качества различных полупроводниковых пластин, из которых изготовлены различные лазерные диоды. Дж o можно рассматривать как пороговую плотность тока теоретического лазера с бесконечно длинным оптическим резонатором без потери оптической волны на его зеркальных гранях.

Характеристика Температура:

В большинстве приложений способность лазерного диода хорошо работать при повышенных температурах представляет большой интерес. Это особенно важно в случае мощных лазерных диодов, где количество выделяемого тепла приводит к значительному повышению температуры устройства. В результате крайне важно, чтобы полупроводниковый кристалл был достаточно прочным, чтобы не деградировать из-за работы устройства при высоких температурах. Характерная температура лазерного диода, которую обычно обозначают как T o (произносится как Т-ноль) — это показатель температурной чувствительности устройства. Более высокие значения T o означают, что пороговая плотность тока и внешняя дифференциальная квантовая эффективность устройства растут менее быстро с ростом температуры. Это приводит к тому, что лазер становится более термически стабильным. Для измерения характеристической температуры лазерного диода необходимо экспериментально измерить Л.И. кривая лазера при различных температурах. Затем результаты заносятся в таблицу, и T o определено. Обычно люди выполняют эти измерения при температуре от 15 до 80 градусов Цельсия и с шагом 5 или 10 градусов. (Обратите внимание, что эксплуатация негерметичного лазера при температурах значительно ниже комнатной температуры приведет к конденсации воды на устройстве. Это приведет к повреждению лазерного диода из-за короткого замыкания.) Обычные лазеры на AlGaAs обычно имеют T o значений выше 120 градусов.

Из этих экспериментально измеренных Л.И. На кривых характеристическая температура устройства определяется путем построения точек данных J th (или точек I th ) в зависимости от температуры в логарифмическом масштабе с последующим измерением наклона линейной аппроксимирующей линии, как показано на рисунках 8, 9, 10 и 11.

Спектр и пиковая длина волны излучения:

Оптический спектр лазерных диодов зависит от конкретных характеристик оптического резонатора лазера. Большинство обычных устройств с регулировкой усиления или индекса имеют спектр с несколькими пиками (рис. 12).

Количество спектральных линий, которое способен поддерживать лазер, зависит от конструкции резонатора, а также от рабочего тока. В результате многомодовые лазерные диоды демонстрируют спектральные выходы, имеющие много пиков вокруг их центральной длины волны. Оптическая волна, распространяющаяся через резонатор лазера, образует стоячую волну между двумя гранями зеркала лазера. Период колебаний этой кривой определяется расстоянием L между двумя зеркалами. Эта стоячая оптическая волна резонирует только тогда, когда длина резонатора L равна целому числу m половин длин волн, существующих между двумя зеркалами. Другими словами, на каждом конце полости должен существовать узел. Единственный способ, которым это может иметь место, состоит в том, чтобы L было точно целым числом, кратным половине длины волны λ/2. Это означает, что L = m(λ/2), где λ — длина волны света в полупроводниковом веществе и связана с длиной волны света в свободном пространстве через показатель преломления n соотношением λ = λ или /н. В результате этой ситуации в резонаторе лазерного диода может существовать множество продольных мод, каждая из которых резонирует на своей определенной длине волны λ м = 2L/м. Отсюда можно заметить, что две соседние продольные лазерные моды разделены длиной волны ∆λ = (λ o ) 2 /2nL. Для типичного лазера на основе GaAs/AlGaAs n=3,5.

В отличие от обычных лазерных диодов, которые отображают многомодовые спектры, одночастотные лазерные диоды, такие как устройства с распределенной обратной связью (DFB) и устройства с распределенным брэгговским отражателем (DBR), отображают один четко определенный спектральный пик. На рис. 13 показано сравнение этих двух спектральных характеристик при различных уровнях выходной мощности. Даже одномодовые устройства могут поддерживать несколько режимов при низкой выходной мощности. По мере увеличения рабочего тока начинает преобладать одна мода, пока за пределами определенного уровня рабочей мощности не появляется один узкий спектр ширины линии.

Изменение центральной длины волны в зависимости от температуры:

Центральная длина волны лазерного диода прямо пропорциональна его рабочей температуре. Существует линейная зависимость между температурой и центральной длиной волны, как показано на рисунке 14. По мере увеличения температуры увеличивается и центральная длина волны лазерного диода. Эта характеристика полезна в спектроскопических приложениях, лазерной диодной накачке твердотельных лазеров и волоконных усилителях, легированных эрбием, где длина волны излучения лазерного диода может быть точно настроена по температуре в зависимости от конкретных свойств материала, с которым лазерный диод взаимодействует. .

Скачкообразная перестройка мод:

Одномодовые лазеры демонстрируют явление, называемое скачкообразной перестройкой мод (рис. 15), при котором центральная частота лазерного диода прыгает по дискретным диапазонам длин волн и не демонстрирует непрерывной перестройки в широком диапазоне. Можно изменить длину волны, на которой возникают разрывы, путем небольших корректировок тока возбуждения. При выборе определенного лазерного диода для приложения, требующего определенной длины волны, например, для спектроскопии, при настройке температуры устройства необходимо учитывать скачкообразную перестройку режима.

Динамическое последовательное сопротивление:

Последовательное сопротивление лазерного диода обычно определяется путем вычисления производной кривой зависимости напряжения от тока инжекции устройства. Один из способов сделать это — использовать компьютерную программу для определения первой производной кривой зависимости напряжения от тока устройства, полученной экспериментально (рис. 16). Высокие значения последовательного сопротивления лазерного диода могут быть результатом низкокачественных металлических омических контактов, нанесенных на две стороны устройства. В результате измерение значения последовательного сопротивления может быть средством оценки качества металлических контактов, нанесенных на лазер 9.0014

Веб-сайт Saadat

Примеры PSpice для EE-253
Hadi Saadat

PSpice позволяет пользователю моделировать полупроводниковые устройства, такие как диоды, биполярные транзисторы (BJT), полевые транзисторы и интегральные схемы, такие как операционные усилители. Мы обсуждаем здесь только очень простые модели для диода и биполярного транзистора. Подробную информацию об этих и других полупроводниковых устройствах и схемах см. в руководстве PSpice.

Резистор, конденсатор и катушка индуктивности адекватно описываются одним параметром. Однако полупроводники обычно описываются многими параметрами. Например, модель диода в PSpice имеет 14 параметров, а модель BJT — 40! Кроме того, многие электронные схемы содержат несколько одинаковых диодов или транзисторов. По этим причинам полупроводниковые устройства описываются двумя утверждениями. Оператор схемы дает устройство, узлы, к которым подключены, и имя модели. В отдельном определении модели перечислены параметры устройства. Таким образом, если в цепи есть два или более одинаковых диода, в описании каждого диодного контура используется одно и то же название модели. Тогда требуется только одно определение модели. Хотя PSpice позволяет пользователю описывать диоды, биполярные транзисторы и т. д. со многими параметрами, часто нет необходимости явно перечислять их все. PSpice содержит значения по умолчанию для всех параметров. По сути, PSpice имеет встроенные универсальные модели для полупроводниковых устройств. Вам нужно указать только те значения параметров, которые отличаются от значений по умолчанию.

Диоды

Диод представляет собой устройство с двумя выводами, которое позволяет проводить ток только в Одно направление. Основное соотношение тока и напряжения низкочастотного диода определяется как

. Тепловое напряжение, В Т , составляет приблизительно 26 мВ при комнатной температуре, поэтому мы обычно нужно указать только ток насыщения, I S (по умолчанию PSpice: I S = 10 -15 A).

Загрузите файлы схемы PSPICE для EE-253. Для просмотра примеров Pspice необходимо загрузить бесплатную загрузку OrCAD Viewer. Для запуска примеров учащиеся могут загрузить полную версию бесплатного программного обеспечения OrCAD для учащихся.

Пример 1

Пример 2

Пример 3

Пример 4

Пример 5

Пример 6

Пример 7

Пример 8

Пример 9

Пример 10

Пример 11

Пример 12

Пример 13

    

Пример 1 (EE253Ex1. sch)

Используйте PSpice для определения тока и напряжения диода в показанной цепи

Напряжение питания 2 В, токоограничивающий резистор R 1 = 1кВт. Параметры диода: I S = 2,6 x 10 -15 A, V T = 26 мВ и n = 1.

. Мы строим следующую схему, используя деталь Dbreak для диода. Iprobe вставляется в цепь для отображения тока, а Viewpoint используется для получения напряжение диода. (Вместо Iprobe и Viewpoint вы можете включить или отключить смещение напряжения и тока с помощью кнопки панели инструментов V и I ).

Теперь мы должны определить модель диода. Используя левую кнопку мыши, выберите символ диода (символ должен стать красным). В меню Edit выберите Model . появится диалоговое окно со следующими элементами.

Изменить модель Справочник

Редактировать мгновенную модель (текст)

Редактировать мгновенную модель (детали)

Кнопка Change model Reference позволит нам изменить модель с Dbreak на другое название модели. Модель Edit Instant Model(Text) позволит нам создать параметры новой модели. Модель Edit Instant Model(parts) позволит нам для редактирования ранее определенной модели с целью создания новой модели.

Нажмите кнопку Change model Reference и измените название модели Dbreak на новую модель под названием 9.0003 Дх . Затем нажмите Edit Instant Model(Text) и изменить ток насыщения на Is = 2,6e-15. Нажмите кнопку OK, чтобы принять модель. Единственный параметр, который мы изменили, это Is. Обратите внимание, что название модели диода имеет изменен с Dbreak на Dx.

При моделировании мы видим, что ток диода составляет 1,303 мА, а напряжение на диоде равно 696,79 мВ.

К началу страницы

Пример 2 (EE253Ex2.sch)

Используйте программу PSpice для получения ВАХ диода с номером модели D1N4002. Измените входное напряжение от -15 В до 15 В.

Постройте следующую схему. Выберите настройку в меню анализа, нажмите кнопку Кнопка диалогового окна DC Sweep. Появится диалоговое окно развертки постоянным током. Для типа переменной Sweep выберите источник напряжения и установите его имя на Vss. Используя линейный тип развертки, установите начальное значение до -15, конечное значение до 15 и увеличение до 0,1.

Когда моделирование завершено, появляется графическое окно датчика. Добавьте трассу I(D1). Это зависимость тока диода от напряжения питания Vss. Нам нужно изменить ось x переменной V(Vd), чтобы получить график зависимости тока диода от напряжения диода. Сделать это в раскрывающемся меню Plot выберите X Axis Settings, нажмите кнопку Axis Variable, чтобы откройте список переменных и выберите V(Vd) в качестве горизонтальной оси. Нажмите кнопку ОК и вольтамперная характеристика диода отображается, как показано на рисунке.

 

Начало страницы

Пример 3 (EE253Ex3.sch)

В приведенной ниже схеме определите V 0 от -7 до 5 5 в -7 от -7 до 5 в 92 92 V. Два диода идентичны и имеют ток насыщения I S = 10 -15 А.

Схема известна как диодный ограничитель. Когда D1 закорочен, выходное напряжение составляет 2 В. Когда D2 закорочен, выходное напряжение равно -1 В. Таким образом, эта схема ограничивает выходное напряжение. напряжение между -1 и 2 В. На самом деле падение напряжения примерно 0,7 В на диод. Это означает, что мы должны ожидать, что выходное напряжение будет варьироваться примерно между от -1,7 В до 2,7 В.

В пробнике входное напряжение V(Vin) и выходное напряжение V(V0) отображаются как показано.

Начало страницы

Пример 4 (EE253Ex4.sch)

Получите вольт-амперную характеристику стабилитрона (D1N750 — стабилитрон на 4,7 В). Напряжение Схема регулятора, показанная ниже, имеет R = 1 кВт и использует стабилитрон. Д1Н750.

  1. Найдите выходное напряжение для В 1 = 16 В.
  2. Чему равно выходное напряжение, когда напряжение питания падает до В 1 = 8 В?

Создайте приведенную выше схему и обозначьте выходной узел как V out . Выберите setup  в меню анализа нажмите кнопку диалогового окна DC Sweep. Диалог развертки постоянного тока появляется коробка. Для типа переменной Sweep выберите источник напряжения и установите его имя на В1. Используя линейный тип развертки, установите начальное значение на 0, конечное значение на 20 и увеличить до 0,05.

По завершении моделирования появляется графическое окно датчика. В раскрывающемся меню График выберите «Настройки оси X», нажмите кнопку «Переменная оси», чтобы открыть список переменных, и выберите V(Vout) в качестве горизонтальной оси. Нажмите кнопку OK, и диод Зенера i-v характеристика отображается, как показано.

Теперь мы можем провести линии нагрузки, соответствующие V1 = 16 В, и V1 = 8 В. Из КВЛ мы иметь

(а) При i = 0 V вых = В 1 = 16 В и когда V вых = 0, i = 16/1000 = 16 мА

В раскрывающемся меню «Датчик» в меню «Инструменты» выберите «Метка/линия» и нарисуйте указанную выше линию. включить курсор и переместите рабочую точку, а в меню «Инструменты» выберите «Метка/Марка», чтобы отметить координаты рабочей точки. Выходное напряжение равно 4,6698 В.

(b) Повторить (a) для V 1 = 6 В. Выходное напряжение равно 4,5964 В. Это соответствует падению выходного напряжения менее чем на 1,57% при входном напряжение изменяется с 16 В на 8 В.

К началу страницы

Пример 5 (EE253Ex5.sch)

Схема полуволнового диода с понижающим трансформатором с коэффициентом трансформации 14:1 питает нагрузка R L = 10 кВт, как показано. Модель диода 1Н4002. Амплитуда напряжения питания 169 В, частота 60 Гц. Использовать переходный анализ для построения графика напряжения на R L .

В PSpice мы можем смоделировать трансформатор, приблизив коэффициент связи к 1 (приблизительно 0,999) и сделав L1 и L2 достаточно большими, чтобы w L1 и w L2 больше других реактивных сопротивлений в цепи. Свойство идеального трансформатора приводит к

. В PSpice установите K = 0,999, L1 = 10 мГн, тогда

добавлено сопротивление, чтобы предотвратить ошибку. Это может представлять собой первичную обмотку сопротивление.

После настройки первой схемы включите анализ переходных процессов. Используйте окончательное время 33,33 мс (для представления двух циклов) и небольшое максимальное значение 0,01 мс.

На второй схеме конденсатор емкостью 30 мФ используется для получения выходное напряжение постоянного тока с небольшой пульсацией. Смоделируйте и в Probe добавьте трассы V(4) и V(4b). Результат такой, как показано. Среднее значение постоянного тока для цепи с конденсатором равно примерно 10,4 В.

 

Пример 6 (EE253Ex6.sch)

Двухполупериодная диодная схема с понижающим трансформатором с центральным отводом и коэффициентом трансформации 6:1 питает нагрузку R л = 1 кВт, как показано. Для сглаживания пульсаций добавлен конденсатор емкостью 10 мкФ. Добавлен R 2 обеспечить делитель напряжения, чтобы контролировать напряжение на R L . Диод модель 1N4002. Амплитуда напряжения питания 169 В, частота 60 Гц. Использовать анализ переходных процессов для построения графика напряжения на R L .

Два трансформатора (XFRM_Linear) используются для представления трансформатора с отводом от середины. отношение индуктивностей равно

Пусть L1 = 18H, тогда

и мы используем коэффициент связи 0,999. Так как в PSpice у нас не может быть цикла только

индуктор и источник напряжения, добавлено небольшое сопротивление для предотвращения ошибки. Это может представляют собой сопротивление первичной обмотки.

После настройки первой схемы включите анализ переходных процессов. Используйте окончательное время 33,33 мс (для представления двух циклов) и небольшое максимальное значение 0,01 мс.

Результат такой, как показано.

 

Начало страницы

Пример 7 (EE253Ex7.sch)

Стабилитрон (1N750) добавлен в схему примера 7 для получения регулируемого постоянного напряжения 4,7 В. источник питания. Используйте анализ переходных процессов, чтобы построить график напряжения на R L . Зенер диод 1N750 имеет напряжение пробоя 4,7 В.

Результат такой, как показано на рисунке.

Начало страницы

Пример 8 (EE253Ex8. sch)

Разработайте схему ограничителя для отсекания части входного напряжения, которая падает выше 9 V или ниже -5 В. Используйте диоды 1N4002 с падением напряжения примерно 0,7 В. V 1 = 9 — 0,7 = 8,3 В, V2 = 5 — 0,7 = 4,3 В. Вход представляет собой синусоиду 16 В. амплитуда и 60 Частота Гц. R 1 = 1K для ограничения прямого тока диода. Использовать переходный анализ с окончательным временем 33,33 мс и потолком шага 0,01 мс. Постройте ввод и форма волны выходного напряжения. На отдельном графике получают график передаточной характеристики V o по сравнению с в .

Результат показан.

Верхняя часть страницы

Пример 9 (EE253EX9)

с использованием PSPICE, получение выходных характеристик ( I C против V CE ). Переход база-эмиттер смещен в прямом направлении постоянным током источник и переход коллектор-база смещены в обратном направлении от источника постоянного напряжения, подключенного между коллектором и эмиттером.

Мы используем анализ постоянного тока, и нам нужно настроить развертку постоянного тока. Диалоговое окно открывается и для основной переменной Sweep мы вводим V CE , и линейная развертка устанавливается от 0 до 10 В с шагом 0,01 В. Щелчком по кнопке Nested Seep открывается его диалоговое окно, а для переменной Nested Sweep мы вводим i B и используем линейный просачивание от 0 до 60 м A с шагом 10 м A. В Probe добавляем транс IC(Q1) и получаем следующее выходные характеристики.

К началу страницы

Пример 10 (EE253EX10.sch)

Простейшим типом смещения для биполярного транзистора является показанная схема смещения базы. ниже.

(a) Предполагая, что b = 165 и , решите для точку Q вручную и найти и . Также определять . (отв. 8,37 мА, 3,259 В, -2,539 В)

 

0014

.


К началу страницы

Пример 11 (EE253EX11.sch)

Для показанной ниже конфигурации с фиксированным смещением вручную определите точку Q и найдите и . Также определить. Предположим, что b = 165, и ,

(5,08 мА, 4,72 В, -4,01 В)

(b) Используя PSpice, запустите решение точки смещения постоянного тока и определите значения точки Q и .


Начало страницы

Пример 12 (EE253EX12.sch)

Наиболее популярным смещением является смещение делителя напряжения, показанное ниже, определите Q указать рукой и найти и . Также определить. Предположим, что b = 165 и , (1,896 мм A, 13,346 В, -12,67 В)

(b) Используя PSpice, запустите решение точки смещения постоянного тока и определите значения точки Q и .

К началу страницы

Пример 13 (EE253EX13.sch)

Для показанной схемы транзисторного усилителя 2N3904 BJT выполните анализ переменного тока в декаде вариация от 100 Гц до 10 кГц с 500 точками на декаду. В S = 25 мВ переменного тока (использование ВСРЦ). Используйте Probe для получения выходного напряжения Vout. Найдите коэффициент усиления по напряжению.

 

Результат показан на рисунке.


Начало страницы

Модель диода | Онлайн документация для Altium Products

Модельный вид

Общий

модели подкованной

Диод

ПРЕДИСКИЙ ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ

D

Шистики SPICE-FACTOR и SPAICTEL-FACTORTELSIGTIGNELSIGTER и SPICERELELSIGTER. &»ПУСКНЫЕ УСЛОВИЯ» ?»НАЧАЛЬНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ»|IC=@»НАЧАЛЬНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ»| ?TEMPERATURE|TEMP=@TEMPERATURE|

Параметры (определяемые на уровне компонента)

Следующие параметры уровня компонента определяются для этого типа модели и перечислены на вкладке Параметры диалогового окна Sim Model . Чтобы получить доступ к этому диалоговому окну, просто дважды щелкните запись для ссылки на имитационную модель в области Models диалогового окна Component Properties .

Коэффициент площади

указывает количество эквивалентных параллельных устройств указанной модели. Этот параметр влияет на ряд параметров модели.

Начальное состояние

установите на OFF, чтобы установить напряжение на диоде равным нулю во время анализа рабочей точки. Может быть полезен в качестве помощи в конвергенции.

Начальное напряжение

время нулевого напряжения на диоде (в вольтах).

Температура

температура, при которой должно работать устройство (в градусах Цельсия). (по умолчанию = 27).

Параметры (определяемые в файле модели)

Ниже приведен список параметров, которые можно сохранить в связанном файле модели:

ИС

ток насыщения (в амперах). (По умолчанию = 1.0e-14).

RS

омическое сопротивление (в Омах). (По умолчанию = 0).

Н

Коэффициент выбросов

(по умолчанию = 1).

ТТ

время передачи (в секундах). (По умолчанию = 0).

CJO

Емкость перехода при нулевом смещении

(в фарадах). (По умолчанию = 0).

ВЖ

Потенциал соединения

(в вольтах). (по умолчанию = 1).

М

Коэффициент оценки

(по умолчанию = 0,5).

ЭГ

Энергия активации

(в эВ). (по умолчанию = 1,11).

XTI

Ток насыщения, темп.эксп. (по умолчанию = 3,0).

КФ

Коэффициент мерцающего шума (по умолчанию = 0)

АФ

экспонента мерцающего шума (по умолчанию = 1).

ФК

Коэффициент

для формулы емкости истощения при прямом смещении (по умолчанию = 0,5).

БВ

обратное напряжение пробоя (в вольтах). (по умолчанию = бесконечность).

ИБВ

ток при напряжении пробоя (в амперах). (По умолчанию = 1.0e-3).

ТНОМ

параметр измерения температуры (в °C)
— если значение не указано, будет использоваться значение по умолчанию, назначенное для TNOM на странице параметров SPICE диалогового окна «Настройка анализов» (по умолчанию = 27).

Примечания

  1. Значение начального напряжения применимо, только если Параметр Use Initial Conditions включен на странице Transient/Fourier Analysis Setup диалогового окна Analyses Setup .
  2. Фактор площади влияет на следующие три параметра модели:
  • ток насыщения ( IS )
  • омическое сопротивление ( RS )
  • емкость перехода с нулевым смещением ( CJO )
  1. Если коэффициент площади опущен, принимается значение 1,0.
  2. Ссылка на нужный файл модели ( *.mdl ) указана на вкладке Model Kind диалога Sim Model . Имя модели используется в списке соединений для ссылки на этот файл.
  3. Если параметр имеет указанное значение по умолчанию (как часть определения модели SPICE), это значение по умолчанию будет использоваться, если специально не введено значение. Значение по умолчанию должно быть применимо к большинству симуляций. Как правило, вам не нужно изменять это значение.

Примеры

Рассмотрим диод на изображении выше со следующими характеристиками:

  • Контакт 1 (анод) подключен к сети VIN
  • Pin2 (катод) подключен к сети Vhw
  • Обозначение: D1
  • Связанный файл имитационной модели: 1N4002. mdl

Если значения параметров в диалоговом окне Sim Model не введены, записи в списке соединений SPICE будут следующими:

*Схема соединений:
D1 VIN VHW 1N4002
.
.
*Модели и подсхема:
.МОДЕЛЬ 1N4002 D(IS=2,55E-9 RS=0,042 N=1,75 TT=5,76E-6 CJO=1,85E-11 VJ=0,75 + M=0,333 BV=100 IBV=1E- 5 )

, и механизм SPICE будет использовать указанную информацию о параметрах, определенную в файле модели, наряду со значениями параметров по умолчанию, присущими модели, для тех параметров, которые не указаны в файле.
Если следующие значения параметров были указаны на Вкладка Параметры диалогового окна Sim Model :

  • Коэффициент площади = 3
  • Начальное напряжение = 2
  • Температура = 22

, тогда записи в списке соединений SPICE будут такими:

*Схематический список соединений:
D1 VIN VHW 1N4002 3 IC=2 TEMP=22
.
.
*Модели и подсхема:
.МОДЕЛЬ 1N4002 D(IS=2,55E-9 RS=0,042 N=1,75 TT=5,76E-6 CJO=1,85E-11 VJ=0,75
+ M=0,333 BV=100 IBV=1E -5 )

В этом случае механизм SPICE будет использовать эту информацию в сочетании с указанными параметрами, определенными в файле модели (и любыми значениями по умолчанию для неуказанных параметров).

Поддержка PSpice

Чтобы сделать эту модель устройства совместимой с PSpice, поддерживаются следующие дополнительные параметры модели, которые можно ввести в связанный файл модели (*.mdl) для устройства:

ИБВЛ

Ток колена обратного пробоя низкого уровня (в амперах). (По умолчанию = 0).

ИКФ

высокий ток колена инжекции (в амперах). (по умолчанию = бесконечность).

ИСР

параметр тока рекомбинации (в амперах). (По умолчанию = 0).

НБВ

коэффициент идеальности обратного пробоя. (по умолчанию = 1).

НБВЛ

низкоуровневый коэффициент идеальности обратного пробоя. (по умолчанию = 1).

NR

Коэффициент выбросов

для изобр. (по умолчанию = 2).

ТВВ1

bv температурный коэффициент — линейный (в ˚C-1). (По умолчанию = 0).

ТВВ2

bv температурный коэффициент — квадратичный (в ˚C-2). (По умолчанию = 0).

ТИКФ

Температурный коэффициент ikf — линейный (в ˚C-1). (По умолчанию = 0).

ТРС1

rs температурный коэффициент — линейный (в ˚C-1). (По умолчанию = 0).

ТРС2

rs температурный коэффициент — квадратичный (в ˚C-2).

Похожие записи

21.11.2024 0

Особенности питания кормящей мамы: что можно и нельзя есть при грудном вскармливании

19.11.2024 0

Новорожденный какает слизью: причины появления слизи в кале грудничка

19.11.2024 0

Гемангиома у новорожденных: причины, виды, лечение и профилактика

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *