Чем отличаются отечественные электронные компоненты от импортных аналогов. Насколько полно совпадают их характеристики. Как правильно подбирать аналоги. Какие факторы нужно учитывать при замене импортных компонентов на отечественные.
Основные различия между отечественными и импортными электронными компонентами
При сравнении отечественных и зарубежных электронных компонентов часто выявляются следующие различия:
- Электрические параметры могут незначительно отличаться даже при полном совпадении типа корпуса и цоколевки
- Корпус и расположение выводов могут отличаться при схожих электрических характеристиках
- Качество упаковки и маркировки у отечественных компонентов часто уступает импортным
- Показатели надежности отечественных компонентов нередко ниже
- Отечественные компоненты, как правило, дешевле импортных аналогов
Эти различия обусловлены разницей в технологических возможностях, требованиях потребителей и подходах к разработке у отечественных и зарубежных производителей.
Причины неполного соответствия отечественных аналогов импортным компонентам
Основные причины, по которым отечественные электронные компоненты не всегда полностью соответствуют импортным аналогам:
- Технологические ограничения отечественных производств
- Стремление адаптировать характеристики под запросы российских потребителей
- Различия в стандартах и требованиях к компонентам
- Ограниченные возможности для инвестиций в разработку и производство
- Отсутствие доступа к некоторым передовым технологиям
При этом по ключевым параметрам отечественные аналоги часто вполне сопоставимы с импортными компонентами.
На что обращать внимание при выборе отечественных аналогов
При подборе отечественных аналогов импортным электронным компонентам следует учитывать:
- Совпадение основных электрических характеристик (напряжение, ток, мощность и т.д.)
- Соответствие типа корпуса и расположения выводов
- Диапазон рабочих температур
- Наличие дополнительных функций (защита от КЗ, термозащита и т.п.)
- Показатели надежности
- Возможные ограничения по применению
Важно тщательно сравнивать параметры и при необходимости консультироваться с производителем для подтверждения возможности замены.
Преимущества и недостатки использования отечественных электронных компонентов
Основные преимущества отечественных электронных компонентов:
- Более низкая стоимость по сравнению с импортными аналогами
- Доступность и стабильность поставок
- Возможность адаптации под требования заказчика
- Техническая поддержка на русском языке
Недостатки отечественных компонентов:
- Часто уступают импортным по надежности и стабильности параметров
- Ограниченный ассортимент современных типов компонентов
- Не всегда соответствуют международным стандартам качества
- Могут иметь ограничения по применению в коммерческой продукции
Перспективы развития отечественной электронной компонентной базы
Несмотря на имеющиеся проблемы, отечественная электронная промышленность постепенно развивается. Основные направления этого развития:
- Модернизация производственных мощностей
- Разработка новых типов компонентов, в том числе импортозамещающих
- Повышение качества и надежности выпускаемой продукции
- Расширение ассортимента современных микросхем и полупроводниковых приборов
- Улучшение технической документации и информационной поддержки
Это позволяет рассчитывать на постепенное сокращение отставания от мировых лидеров и увеличение доли отечественных компонентов на российском рынке электроники.
Рекомендации по выбору между отечественными и импортными электронными компонентами
При выборе между отечественными и импортными электронными компонентами рекомендуется учитывать следующие факторы:
- Требования к надежности конечного изделия
- Планируемые объемы производства
- Бюджет проекта
- Необходимость сертификации по международным стандартам
- Доступность компонентов и стабильность поставок
- Возможности технической поддержки
Для ответственных применений и серийных изделий часто оптимальным является использование импортных компонентов. В то же время для прототипов, мелкосерийных устройств и бюджетных разработок вполне подойдут качественные отечественные аналоги.
Заключение
Отечественные электронные компоненты, несмотря на имеющиеся недостатки, во многих случаях могут успешно заменять импортные аналоги. При грамотном подборе и учете особенностей применения они способны обеспечить хорошее соотношение цены и качества. Однако необходимо внимательно анализировать их характеристики и возможные ограничения. Дальнейшее развитие отечественной электронной промышленности позволит постепенно сокращать отставание от мировых лидеров и расширять сферу применения российских компонентов.
Диоды и стабилитроны — справочник радиолюбителя
Диоды Шотки отечественного производства — справочник, таблица
Справочная таблица по характеристикам диодов Шотки отечественного производства, где применяются. В настоящее время очень популярны импульсные источники питания, так называемые DC-DC или AC-DCконверторы. В выпрямителе вторичного напряжения в них обычно используются диоды Шотки. Диод Шотки …
1 1760 0
Варикапы отечественного производства, характеристики, справочникПриведены электрические характеристики варикапов отечественного производства. Параметры варикапов Д901, КВ102, КВ103, КВС111 и других. Информация будет полезна радиолюбителям и конструкторам, радиоинженерам и тем кто занимается ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.
1 7990 0
Выпрямительные диоды малой, средней и большой и мощности, справочник Приведены электрические характеристики выпрямительных диодов отечественного производства. Рассмотрены выпрямительные диоды малой, средней и большой мощности. Справочник по отечественным полупроводниковым диодам.4 28981 13
Технические характеристики стабилитронов серии 1N47, справочникПриведены справочные данные по стабилитронам серии 1N47*, информация будет полезна для радиолюбителей и радиоинженеров которые занимаются конструированием и ремонтом радиоаппаратуры. Стабилитрон Номинал. напр. стаб. Номинал. ток (Іном.) Макс, эквив. сопрот. Макс, эквив. сопрот …
1 8534 0
Подбор выпрямительных мостов, обратное напряжение и прямой токПриведена таблица, помогающая в выборе выпрямительного моста по максимальному обратному напряжению и максимальному прямому току (импульсный ток, А). Полезные справочные данные радиолюбителю в табличном виде. Максимальное обратное напряжение, V. 50 100 200 400 600 800 …
0 1618 0
Параметры диодов КА136, KA206, KA207, KA221-KA225, KA261-KA267, KA501-KA504Справочные листы для зарубежных диодов КА136, KA206, KA207, KA221-KA225, KA261-KA267, KA501-KA504.
0 3925 0
Диоды — характеристики, обозначение и маркировка диодовПод диодом обычно понимают электровакуумные или полупроводниковые приборы, которые пропускают переменный электрический ток только в одном направлении и имеют два контакта для включения в электрическую цепь. Односторонняя проводимость диода является его…
9 34872 14
Диоды TRANSIL, TVS и TRISILВ последние годы за рубежом для защиты дорогостоящего оборудования все чаще применяют быстродействующие TRANSIL-, TRISIL- и TVS-диоды (встречаются и другие названия этих элементов). Несмотря на разные названия, это один класс приборов — сапрессоров, имеющих небольшое различие…
1 7377 0
Радиодетали, электронные блоки и игрушки из китая:
Хрулев А.К. Черепанов В.П. Справочник. Диоды и их зарубежные аналоги Том 3
Хрулев А.К. Черепанов В.П. Справочник. Диоды и их зарубежные аналоги Том 3
Предисловие
В справочнике приводятся электрические и эксплуатационные характеристики и параметры полупроводниковых приборов, используемых в различной аппаратуре для преобразования сигналов, в системах передачи и обработки информации: сверхвысокочастотных диодов, излучающих диодов ИК диапазона, светоизлучающих диодов, знакосинтезирующих индикаторов, oптoпap и оптоэлектронных интегральных микросхем.
Настоящий справочник является третьей книгой базового издания по полупроводниковым диодам. В первую книгу включены сведения по выпрямительным диодам и столбам, диодным сбор. кам и матрицам, во вторую — стабилитронам, ограничителем напряжения, импульсным и высокочастотным диодам, варикапам, туннельным и обращенным диодам, генераторам шума.
Настоящее издание отличается от предшествующих справочников расширенной номенклатурой приборов и большей полнотой сведений о параметрах и их зависимостях от режимов применения. В неrо включены как вновь разработанные, так и находящиеся в составе эксплуатируемой радиоэлектронной аппаратуры.
Справочные сведения составлены на основе данных, зафиксированных в государственных стандартах и технических условиях на конкретные типы приборов. Авторами сохранена также зарекомендовавшая себя структура представления данных, принятая 1 более ранних изданиях аналогичных справочников: приведены краткие сведения о технологии, основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке (в том числе цветной), значениях параметров и их зависимостях от условий эксплуатации, о режимах измерения, предельных эксплуатационных режимах и условиях работы приборов.
В части «Общие сведения» приводятся особенности физики работы СВЧ диодов и оптоэлектронных приборов, классификация приборов и системы их условных обозначений. Для полноты сведений о приборах, помещенных в справочнике, дается перечень действующих стандартов.
Для удобства пользования книгой приведен цифро алфавитный указатель.
В настоящую редакцию справочника впервые включен раздел, содержащий зарубежные аналоги отечественных приборов, помещенных в справочнике.
Новый раздел, no мнению авторов, может облегчить радиолюбителям и специалистам ремонт зарубежных образцов радиоэлектронной аппаратуры.
Справочник не заменяет технических условий, утверждаемых в установленном порядке, и не является юридическим документам для предъявления рекламаций.
Справочник:Полупроводниковые приборы. Диоды выпрямительные, стабилитроны, тиристоры — Справочники
Приведены справочные данные по электрическим параметрам, габаритным размерам, предельным эксплуатационным характеристикам, сведения по основному функциональному назначению серийно выпускаемых приборов: выпрямительных диодов, столбов, диодных сборок, блоков, матриц, стабилитронов, тиристоров. Даны динамические, импульсные, частотные и температурные зависимости параметров. Описаны особенности применения в радиоэлектронной аппаратуре.
Для широкого круга специалистов, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.
Название: Полупроводниковые приборы. Диоды выпрямительные, стабилитроны, тиристоры: Справочник
Автор: Под. ред. А. В. Голомедова
Издательство: Радио и связь
Год: 1998
Формат: DJVU
Размер: 6,87 МБ
Качество: Хорошее
Содержание:
Предисловие
Часть первая. Общие сведения о выпрямительных диодах, стабилитронах, тиристорах
Раздел первый. Классификация
1.1. Классификация и система обозначений приборов
1.2. Условные графические обозначения
1.3. Условные обозначения электрических параметров
1.4. Основные стандарты
Раздел второй. Особенности применения полупроводниковых приборов в радиоэлектронной аппаратуре
Часть вторая. Справочные данные диодов
Раздел третий. Диоды выпрямительные
Раздел четвертый. Выпрямительные столбы
Раздел пятый. Диодные сборки, блоки и матрицы
Раздел шестой. Стабилитроны и стабисторы.
6.1. Стабилитроны общего назначения
6.2. Стабилитроны прецизионные
6.3. Стабилитроны импульсные
6.4. Стабилитроны двуханодные
6.5. Стабисторы
Раздел седьмой. Диоды ограничительные
Часть третья. Справочные данные тиристоров
Раздел восьмой. Тиристоры
Обновлено: 14.04.2021
Поделитесь записью в своих социальных сетях!
Маркировка, обозначение радиоэлементов, резисторов, транзисторов
О книге: Справочник. Маркировка и обозначение радиоэлементов, резисторов, конденсаторов, диодов, стабилитронов, биполярных и полевых транзисторов, интегральные микросхемы.
Автор: В.В. Мукосеев, И.Н. Сидоров
Издание: 2015 года.
Формат книги: файл pdf в архиве zip
Страниц: 348
Язык: Русский
Размер: 65.3 мб
Скачать книгу: бесплатно, без ограничений, на нормальной скорости, без SMS, логина и пароля. Файл взят из открытых источников.
Маркировка и обозначение радиоэлементов, резисторов, конденсаторов, диодов, стабилитронов, биполярных и полевых транзисторов, интегральные микросхемы.
Современная радиоэлектронная аппаратура, аппаратура средств связи, приборы и устройства промышленного производства и самодельные электронные изделия, и входящие в них функциональные блоки и узлы изготавливаются на базе радиоэлементов, номенклатура которых насчитывает сотни наименований, типов и типоразмеров. Наряду с применяемой передовой технологией изготовления, радиоэлементы определяют, и обеспечивают качество и надежность этих изделий, а также основные технические характеристики, устойчивую и безаварийную работу в различных климатических условиях.
Технико-экономические и эксплуатационные характеристики радиоэлементов, их обозначения и маркировка, а также другие сведения, приведенные в справочнике, подготовлены на основе действующих государственных и международных стандартов, межведомственных документов и технических условий.
В справочнике приведены классификация основных типов радиоэлементов, системы их маркировки и условных обозначений, отраженные в них параметры и изложены вопросы применения и во взаимозаменяемости. Информационные материалы содержат также сведения о назначении, габаритных размерах, предельных эксплуатационных данных и некоторых зависимостей от эксплуатационных и температурных условий, которые находят отражение в обозначениях радиоэлементов.
Оглавление справочника «Маркировка и обозначение радиоэлементов».
Общие нормы и требования к обозначениям и маркировке радиоэлементов.
— Список сокращений.
— Условные обозначения.
— Термины и определения.
— Условные обозначения электрических величин радиоэлементов.
— Общие сведения, используемые при маркировке радиоэлементов.
— Общие правила маркировки радиоэлементов.
Обозначения и маркировка резисторов.
— Общие сведения. Система условных обозначений резисторов.
— Условные обозначения постоянных резисторов широкого применения.
— Условные обозначения переменных резисторов широкого применения.
— Основные параметры резисторов, наносимые на корпус резистора при помощи маркировки.
— Примеры полной буквенно-цифровой маркировки резисторов.
— Цветная маркировка резисторов.
Маркировка и обозначения конденсаторов.
— Общие сведения.
— Система условных обозначений конденсаторов.
— Маркировка конденсаторов.
— Коды для маркировки конденсаторов и их условные обозначения.
— Примеры условных обозначений и маркировок конденсаторов отечественного производства.
— Маркировка конденсаторов зарубежного производства.
— Маркировка электролитических конденсаторов.
— Коды маркировки конденсаторов и их условные обозначения.
Маркировка и обозначения полупроводниковых диодов и стабилитронов.
— Общие сведения.
— Обозначения параметров полупроводниковых диодов.
— Обозначение параметров полупроводниковых стабилитронов и стабисторов.
— Система условных обозначений отечественных полупроводниковых диодов, стабилитронов и тиристоров.
— Маркировка отечественных выпрямительных диодов.
— Маркировка полупроводниковых стабилитронов.
— Маркировки светоизлучающих диодов.
— Обозначения и маркировка тиристоров.
— Системы обозначений зарубежных полупроводниковых приборов.
— Обозначения основных типов корпусов зарубежного производства.
— Обозначения основных серий зарубежных стабилитронов.
— Маркировка зарубежных светодиодов.
— Маркировка основных типов зарубежных тиристоров.
Обозначения и маркировка биполярных и полевых транзисторов.
— Общие сведения. Система условных обозначений транзисторов.
— Типы транзисторов. Основные параметры, определяемые в технических справочниках по условному обозначению или маркировке транзистора.
— Маркировка отечественных транзисторов.
— Обозначения и маркировка зарубежных транзисторов.
Интегральные микросхемы.
— Общие сведения.
— Система условных обозначений интегральных микросхем.
— Корпуса отечественных и зарубежных интегральных схем.
— Цифровые интегральные микросхемы.
— Элементная база цифровых микросхем.
— Триггеры, счетчики, регистры, мультиплексоры, шифраторы, дешифраторы.
— Основные, наиболее распространенные отечественные цифровые микросхемы.
— Маркировка отечественных микросхем.
— Обозначения аналоговых и аналого-цифровых интегральных микросхем. Отечественные и зарубежные операционные усилители, таймеры и компараторы.
Предупреждение!
Электронная версия данной книги создана исключительно для ознакомления только на локальном компьютере. Скачав файл, вы берете на себя полную ответственность за его дальнейшее использование и распространение. Начиная загрузку книги, вы подтверждаете свое согласие с данными утверждениями.
Реализация данной электронной книги с целью получения прибыли незаконна и запрещена. По вопросам приобретения данной книги обращайтесь непосредственно к законным издателям или их представителям.
Маркировка и обозначение радиоэлементов, резисторов, конденсаторов, диодов, стабилитронов, биполярных и полевых транзисторов, интегральные микросхемы — СКАЧАТЬ КНИГУ >>>
Похожие статьи:
- Руководство по эксплуатации на ГАЗ-330811 Вепрь многофункционального назначения, 330811-3902010 РЭ.
- Термическая обработка титановых сплавов, виды термической, термомеханической и химикотермической обработки, сведения о взаимодействии титана с легирующими элементами, принципы классификации титановых сплавов.
- Руководство по эксплуатации на УАЗ Патриот и УАЗ Пикап с МКПП Dymos, АКПП Punch 6L50, раздаточными коробками Dymos, Divgi TTS и УАЗ, 316300-3902002-18.
- Руководство по эксплуатации и ремонту на Toyota Camry V50 с 2011 года выпуска с двигателями 2,5 л 2AR-FE и 3,5 л 2GR-FE.
- Руководство по эксплуатации на Валдай ГАЗ-33106, ГАЗ-331061 и ГАЗ-331063 с двигателями Cummins ISF3.8s3154 Евро-3 и Cummins ISF3.8е4R154 Евро-4, 33106-3902010 РЭ.
- Руководство по эксплуатации на ГАЗ-3307, ГАЗ-3309 и ГАЗ-33098 с двигателями ЗМЗ-5244, ММЗ Д-245.7, ЯМЗ-5344 и ЯМЗ-53443, 33098-3902010 РЭ.
Справочник по электронным компонентам — микросхемы, транзисторы, тиристоры и другие полупроводниковые приборы зарубежного и отечественного производства
При практической работе, связанной с ремонтом бытовой радиоэлектронной техники и автоэлектроники, возникает задача определить тип электронного компонента, его параметры, расположение и назначение выводов, принять решение о прямой замене или использовании аналога. Справочник по электронным компонентам окажет помощь при работе как с зарубежными, так и с отечественными радиоэлектронными компонентами.
В справочнике по микросхемам, транзисторам, тиристорам, диодам и другим электронным компонентам изложены принципы и особенности радиодеталей, приведена информация по взаимозаменяемости, их основные характеристики, расположение и назначение выводов, систематизированная информация и техническая документация ведущих фирм — производителей электронных полупроводниковых приборов. Справочник предназначен для радиолюбителей, инженерно-технического персонала занимающегося сервисным обслуживанием и ремонтом электронной техники и автоэлектроники. Так же будут полезны разделы на нашем сайте — статьи по ремонту бытовой техники, радиотехника, автоэлектроника.
- Зарубежные тиристоры симисторы динисторы
- Тиристоры CR02AM-8,
CR03AM-16A,
CR04AM-12A,
CR05AM-16A,
CR05AS-8,
CR05BM-12A,
CR05BS-8,
CR08AS-12A,
CR12CM-12A,
CR12CM-12B,
CR12CS-16B,
CR12FM-12B,
CR12LM-12B,
CR12PM-12A,
CR12PM-12B,
CR25RM-12D,
CR2AS-16A,
CR2AS-8UE,
CR2PM-8UE,
CR3AS-8ME,
CR3AS-8UE,
CR3PM-12G,
CR3PM-8ME,
CR5AS-12A,
CR5AS-8UE,
CR6CM-12A,
CR6CM-12B,
CR6FM-12B,
CR6LM-12B,
CR6PM-12A,
CR6PM-12B,
CR6PM-12G,
CR8CM-12A,
CR8CM-12B,
CR8FM-12B,
CR8LM-12B,
CR8PM-12A,
CR8PM-12B - Симисторы BCR 1 — BCR 30
- Симисторы BTA серии
- Симисторы и тиристоры BT серии
- Симисторы BT134
- Тиристоры, симисторы, динисторы Philips
- Тиристоры BSt
- Симисторы и тиристоры TAG
- Динисторы симисторы тиристоры tic серии
- Тиристоры X0402MF, X0402NF, X0405MF, X0405NF
- Симисторы BTA40, BTA41, BTB41
- Тиристоры CR02AM-8,
- Отечественные тиристоры симисторы динисторы
- Ионисторы
- Микросхемы для блоков питания — онлайн справочник
- Микросхемы для фотовспышек
- Стабилизаторы напряжения
- Микросхемы выходного каскада кадровой развертки
- Микросхемы для аудио и радиоаппаратуры
- Драйверы
- Отечественные микросхемы
- Биполярные транзисторы
- Как проверить исправность транзистора
- Аналоги отечественных и зарубежных транзисторов
- Транзисторы Philips для блоков питания
- Транзисторы Philips для строчной развертки телевизоров и мониторов
- IGBT — Insulated-gate bipolar transistor или БТИЗ — биполярные транзисторы с изолированным затвором
- Mosfet — полевые МОП транзисторы
- Отечественные транзисторы
- Маркировка smd предохранителей
- Малогабаритные реле Советского производства
Динисторы симисторы тиристоры
Диоды, стабилитроны
Ионисторы, Li-ion батарейки
Процессоры, микроконтроллеры
Микросхемы
Транзисторы
Предохранители
Электромагнитные реле
Не все, что не блестит — не золото — Компоненты и технологии
Несмотря на неоднократно провозглашенный близкий конец отечественных производителей электронных компонентов, они пока еще живы и продолжают нелегкую борьбу за существование на рынке.
При этом многие руководители этих предприятий и их отделов маркетинга начали понимать, что важно не только произвести продукт, но и донести информацию о нем до потребителя, сломать устоявшиеся представления о невозможности использования отечественной элементной базы в серьезных разработках. Примером подобной попытки является приводимая ниже статья — в ней авторы пытаются не только рассказать о продукции одного из отечественных производителей, но и указывают на отличия выпускаемых изделий от импортных аналогов, а также на то, в каких случаях эта разница является существенной, а в каких — нет.
На рынке электронных компонентов одной из самых актуальных проблем остается соответствие импортной и отечественной элементных баз. Да, предприятия электронной промышленности в своих каталогах выпускаемой продукции предпочитают указывать зарубежный аналог производимым изделиям. Но всегда ли декларируемая сопоставимость приборов оказывается реальностью? Ответ на этот вопрос кроется в задачах, которые ставят перед собой разработчики электронных компонентов. При всем их разнообразии существуют лишь два варианта направлений разработки. Первый — максимально полно воссоздать характеристики зарубежного прибора, а второй — разработать собственный прибор, который бы удовлетворял специфическим запросам потребителей.
В первом случае, по идее, совпадение характеристик должно быть абсолютным. Однако на практике так получается далеко не всегда. Например, при полном совпадении электрических параметров цоколевка или корпусировка могут отличаться. Или, наоборот, количество и назначение выводов, а также тип корпуса могут полностью совпадать, а по току, напряжению и (или) другой электрической характеристике могут наблюдаться различия с зарубежным аналогом, иногда довольно существенные. Причины таких различий вполне естественны: либо потребитель требует оптимизирующих изменений по сравнению с импортным аналогом, либо технологические возможности отечественного предприятия не позволяют создать, что называется, абсолютный аналог.
Понятие «абсолютный» здесь в некоторой степени условно, поскольку досконально повторить, например, топологию интегральной схемы, даже при большом желании, невозможно, да, в общем-то, и не нужно.
Отдельно следует рассмотреть показатели качества. В технической документации зарубежных электронных компонентов особо указываются варианты упаковки. Отечественные же предприятия не всегда готовы обеспечить вариант упаковки интегральных схем в кассеты, а полупроводниковых приборов — в блистер-ленту. Примерно так же обстоит дело и с маркировкой. Лишь небольшая часть производителей электронных компонентов стран СНГ маркирует интегральные схемы столь же качественно, сколь подав- ляющее большинство зарубежных предприятий микроэлектронной промышленности. Вопросы качества упаковки, маркировки, в целом внешнего вида электронных компонентов являются решающими лишь для 3–10 % потребителей (по различным оценкам), причем в основном стран дальнего зарубежья. Другое дело — показатели надежности, от которых зависит качество работы конечного изделия. Мотивация отечественных и зарубежных предприятий при разработке электронных компонентов заданного уровня надежности в значительной мере различна. Отличается она на долю приборов, которые применяются данным производителем при изготовлении собственных изделий бытовой, промышленной, автомобильной электроники. А у крупных мировых производителей электронных компонентов эта доля значительна. Их отечественным коллегам суждено жить в постоянном, скрытом или явном, конфликте со своими потребителями по поводу вопросов надежности выпускаемых изделий, часто оказываясь в узле неблагоприятных взаимоувязанных обстоятельств: низкий уровень технологии — недостаток квалифицированных разработчиков — недостаточная надежность — высокая себестоимость — цена. Ибо цена и является тем фактором, ради которого потребители ищут отечественные аналоги импортным компонентам.
Впрочем, и при разработке вроде бы уникального прибора отечественный производитель может столкнуться с тем, что этот прибор все-таки имеет зарубежный аналог, пусть последний пока и не вышел на наш рынок.
Очень высока вероятность такого «попадания» для дискретных приборов. Например, ежегодно публикуемый издательством D.A.T.A. Business Publishing каталог Discrete Semiconductors содержит информацию о десятках тысяч дискретных полупроводниковых компонентов, охватывающий практически весь спектр возможных сочетаний электрических параметров. Здесь можно найти аналог в принципе любому отечественному дискретному прибору. Различия могут касаться только типа корпуса. Немного труднее бывает подобрать соответствия для новых интегральных схем. Однако с возрастанием сложности микросхемы падает вероятность того, что отечественные конструкторы при ее создании не оглядывались на параметры зарубежных разработок.
Интерес представляет и сама технология поиска аналогов отечественным или зарубежным электронным компонентам. Импортный аналог найти гораздо проще, если под рукой имеется иностранный справочник вроде того, о котором говорилось выше. Такие справочники (в отличие от отечественных, с которыми мы работали) очень удобны и предоставляют возможность поиска нужного компонента в достаточно широком диапазоне при хотя бы одном заданном условии: наименовании компонента, техническом параметре, производителе или типе корпуса. Мощные опции поиска представляют специализированные сайты сети Интернет — например, www. questlink.com. Они предлагают практически ту же информацию, что и справочники, плюс возможность онлайн-заказа и сведения о наличии.
Гораздо сложнее найти отечественный аналог. Отечественные справочники и Интернет-ресурсы пока не выдерживают критики. Ни удобство поиска, ни объем и качество информации печатных или электронных баз данных не могут удовлетворить тех, кто находится в поиске нужного вида компонентов. Достаточно быстро найти схожий отечественный прибор может тот, у кого есть перечни выпускаемой продукции всех предприятий-производителей, причем постоянно обновляемые. Такой информацией владеют единицы потребителей электронных компонентов, имеющие развитую сеть сбора информации о рынке.
Допустим все же, что вы нашли на отечественном рынке производителя аналога зарубежного прибора, то есть того самого, у кого в перечне продукции соотнесены отечественный и импортный продукт. Насколько полным будет такой аналог? Ответим на этот вопрос, рассмотрев спектр электронных компонентов, которые выпускает наше предприятие.
Выбор именно «Орбиты» можно аргументировать следующим образом:
1. Перечень выпускаемой продукции включает в себя достаточно широкий спектр полупроводниковых приборов и интегральных схем, характерных именно для отечественной электронной промышленности: аналоговые интегральные схемы и полупроводниковые приборы низкой и средней мощности.
2. Уровень технологии производства, а соответственно и производственные возможности, вполне могут быть названы среднеотраслевыми.
Около двух третей интегральных схем, представленных в каталоге ОАО «Орбита», имеют импортные аналоги. Так, для микросхемы усилителя НЧ К174УН30 представлен аналог фирмы STMicroelectronics TDA2050. Сравним, насколько эти микросхемы соответствуют друг другу (табл. 1).
Таблица 1
| Параметры интегральных схем | К174УН30 | TDA2050 | Причины несоответствия |
| Внешний вид | |||
| Маркировка | Краской | Лазерная | Отсутствие мощностей для лазерной маркировки в ОАО «Орбита» |
| Корпус | Pentawatt | Pentawatt | — |
| Вывода | обычные | горячее обслуживание выводов | Отсутствие технологии горячего обслуживания, материал ленты для выводов отличается по причине несоответствия стандартов промышленности |
| Основные электрические параметры (при t=25±10° C) | |||
| Ucc Диапазон напряжения питания, В | ±18 | ±15 | Особенности технологии |
| Р, максимальная мощность, Вт | 32 | 32 | — |
| Kh, Коэффициент гармоник, % | 0,5 | 0,5 | — |
| RI, Сопротивление нагрузки, Ом | 4 | 4 | — |
| DT, диапазон рабочих температур, °С | -10…+70 | -40…+150 | Особенности материала выводов |
| Специальные черты | |||
| назначение выводов | соответствуют | соответствуют | — |
| Выходная мощность в 50 Вт | + | + | — |
| Низкий коэффициент гармоник | + | + | — |
| Наличие радиатора | + | + | — |
| Защита от КЗ | + | + | — |
Как видно из таблицы, различия между интегральными схемами касаются в основном внешнего вида интегральной схемы.
У К174УН30 шире диапазон напряжения питания. Характерным отличием является разница тепловых характеристик микросхем, например, не указанного в таблице теплового сопротивления. Несоответствие тепловых параметров связано с двумя факторами: материалом ленты, из которой изготовлена микросхема (отечественные производители ленты не позволяют выйти на мировые показатели), и разницей стандартов по диапазону рабочих температур. Для всех отечественных интегральных схем с приемкой «5» диапазон шире соответствующего зарубежного.
Типичные различия проявляются для микросхем с корпусами Dip. Расстояние между соседними выводами отечественных микросхем 2,5 мм, у импортных — 2,54 мм (рассчитывается по дюймовой шкале), то есть 0,1 дюйма. Для приборов с небольшим количеством выводов такая разница незаметна и скрадывается диаметром посадочного места для ножки на плате. Если же выводов больше 28, то есть более 14 с одной стороны, микросхема может не подойти под дюймовые (или отечественные) стандарты. Есть и другие особенности корпусов. Между корпусом Dip-8 и аналогичным ему MiniDip имеется разница в толщине выводов, их длине и т. п. Последнее, видимо, обусловлено стандартами упаковки микросхем в пеналы и стандартами посадочных мест при установке на плату. Различия могут быть связаны и с их количеством, предлагаемым для той или иной интегральной схемы. Скажем, «Орбита» предлагает один корпус для микросхемы КР1055ГП1 (генератор сигналов указателей поворота и аварийной сигнализации) — Dip8, а STMicroelectronics для аналогичной микросхемы L9686 — MiniDip и SO-8.
Отличаются друг от друга отечественные и зарубежные частоты кодировок PAL и SECAM соответственно, при одинаковых схемных функциях (декодер PAL, SECAM) различаются частотными характеристиками такие микросхемы «Орбиты» и зарубежных производителей, как К174ХА32 и TDA4555.
В принципе даже изначально очень близкая к зарубежным аналогам отечественная микросхема может при доработке по требованиям потребителей приобрести новый тип корпуса, параметры, показатели надежности.
Особенно это характерно для автомобильных микросхем. Факторами таких замен также становятся специфические стандарты отрасли, особенности совместимости с электронными компонентами. В настоящее время в схеме вклю- чения интегральных схем в отечественной промышленности подчас применяются разнородные активные и пассивные приборы разных уровней качества и стран-производителей.
Отдельно хотелось бы упомянуть об интегральных схемах, которые указаны в каталоге «Орбиты» как не имеющие аналогов. Их тоже можно подразделить на несколько типов. Во-первых, это модификации интегральных схем, соответствующих зарубежным (К174ХА32А— декодер PAL/SECAM, модификация К174ХА32). Во-вторых, это микросхемы, которые созданы «без оглядки» на зарубежные, но для которых, при соответствующих временных затратах, можно найти аналог, полный или близкий. В-третьих, это микросхемы, разработанные под потребителя/группу потребителей. Данные изделия в принципе являются новинкой, хотя не исключается, что кто-либо в мире выпускал или выпускает схожие изделия. К таким принадлежат: частотный компаратор блока управления экономайзером принудительного холостого хода карбюратора автомобилей КР1086СС1, двухканальный УНЧ К174УН20, двухканальный усилитель воспроизведения К157УЛ1, ряд транзисторных сборок, интегральные прерыватели и др. интегральные схемы.
Иначе обстоит дело с полупроводниковыми приборами. Как уже отмечалось, даже если производитель не указывает в каталоге аналог, найти его несложно. Например, у диода КД522Б, достаточно популярного на отечественном рынке полупроводникового прибора, который выпускает и «Орбита», и брестский «Цветотрон», наиболее близким аналогом является импульсный диод BAW62 фирмы Philips, с тем же типом корпуса. Сравнительные вольтамперные характеристики данных диодов приведены на рис. 1.
Целая серия BZX83 указана в каталоге «Орбиты» как аналогичная для стабилитронов КС417, КС528. Однако это не означает, что не существует других стабилитронов с аналогичными параметрами.
Стабилитрону КС528А по всем показателям соответствуют такие приборы, как 05Z11 (Toshiba) и 1N6001 (Microsemi, Motorola). Единственное отличие перечисленных и целого ряда других приборов от зарубежных субститутов составляет корпус. В мире принят корпус DO-35 (отечественное обозначение КД-3), а у «Орбиты» корпус КД-2, который ни по качеству, ни внешне не отличается, но максимальная длина его вывода на 2,5 мм короче. Это не позволяет упаковывать диоды и стабилитроны в корпусе КД-2 в блистер-ленту (для автоматизированных процессов сборки плат). Отличием от зарубежных аналогов также может являться более тусклый цвет выводов из-за другой, как и у микросхем, технологии лужения.
С другими сериями полупроводниковых приборов ОАО «Орбита» ситуация складывается примерно таким же образом, поскольку для всех типов корпусов существуют зарубежные аналоги, а разнообразие предлагаемых параметров позволяет найти необходимое соответствие. Чуть сложнее дело обстоит только с лавинными диодами по типу КД29ХХ, аналоги по электрическим параметрам для которых существуют, а тип корпуса DO-21 мировыми производителями при изготовлении аналогичных лавинных диодов не используется.
Подводя итог, отметим, что отечественные электронные компоненты в целом вполне соответствуют заявляемым зарубежным аналогам, поскольку технология производства на предприятиях отрасли, как правило, достаточно отработана. Развиваясь обособленно от общемировой магистрали, российская электроника удовлетворяла и удовлетворяет те же потребности, что и общемировая, поэтому практически любому отечественному прибору можно найти достаточно полно соответствующий иностранный аналог, и, как правило, не один. К сожалению, обратная логика на 100 % в настоящее время по понятным причинам не действует. Последнее замечание в большей мере касается высокотехнологичных полупроводниковых приборов и интегральных схем, например СВЧ-приборов или цифровых микросхем с высокой степенью интеграции элементов.
Наиболее типичными различиями отечественного прибора и зарубежного аналога являются внешний вид (маркировка, материал выводов и технология их обработки), а также количество вариантов корпусирования, в част- ности, возможность поверхностного монтажа прибора, которые предоставляет производитель.
Впрочем, данное различие не является непреодолимым, и при росте принципиальности для потребителя параметров внешнего вида, упаковки и корпусировки, может быть преодолено отечественными производителями по одиночке или сообща.
Разумеется, ключевой вопрос — соответствие показателей надежности. Пока он решается нашими предприятиями индивидуально, то есть по отдельным приборам, с отдельным потребителем, в каждом отдельном случае. Именно поэтому отечественные приборы вызывают, как правило, незаслуженное недоверие на новых рынках, у новых потребителей. Кардинальным решением проблемы является стандартизация и сертификация выпускаемой продукции, причем по требованиям общемирового уровня. Только в этом случае соответствие полным или рекомендуемым зарубежным аналогам, обозначенное в каталогах наших предприятий, станет законом. Довольно большая часть производителей электронных компонентов в России и странах СНГ уже выбрала путь внедрения систем ИСО, другие вынуждены будут это сделать. А значит, довольно унизительный для отечественных предприятий электронной отрасли вопрос, соответствуют ли их приборы зарубежным аналогам, в новом веке должен окончательно и бесповоротно получить утвердительный ответ.
|
1Т313, ГТ328, ГТ806, 1Т813, 1Т905, ГТ905, |
| ГТ906, КТ201, КТ203, КТ208, КТ209, КТ306 | |
| КТ3101, КТ3102, КТ3107, КТ108, КТ3109, КТ3115, КТ3117, КТ312 | |
| КТ3123, КТ3126, КТ3127, КТ3128, КТ3129, КТ313, КТ3130 | |
| КТЗ132, КТ315, КТ3157, КТ316, КТ3165, КТ3168, КТ325 | |
| КТ326, КТ339, КТ342, КТ345, КТ347, КТ349, | |
| КТ350, КТ351, КТ352, КТ355, КТ361 | |
| КТ363, КТ368, КТ371, КТ372, КТ382, КТ391, КТ399, КТ501 | |
| КТ502, КТ503, КТ504, КТ505, КТ506, КТ509 | |
| КТ601, КТ602, КТ603, КТ604, КТ605, КТ606, КТ608, КТ610 | |
| КТ611, КТ6111, КТ6112, КТ6113, КТ6114, КТ6115 | |
| КТ6116, КТ6117, КТ6127, КТ626 | |
| КТ630, КТ632, КТ633, КТ635, КТ638, КТ639, КТ640, КТ642 | |
| КТ643, КТ644, КТ645, КТ646, КТ647, КТ648 | |
| КТ653, КТ659, КТ660, КТ668, КТ680, КТ681 | |
| КТ683, КТ684, КТ685, КТ686, КТ698, КТКТ704, 2Т708, 2Т709 | |
| 2Т713, КТ716, КТ720, КТ801, КТ802, КТ803 | |
| КТ805, КТ807, КТ808, КТ809 | |
| КТ8101, КТ8102, КТ8104, КТ8105, КТ8106, КТ8107, КТ8108 | |
| КТ8109, КТ8110, КТ8111, КТ8114, КТ8116, КТ8117, КТ8118 | |
| КТ812, КТ8120, КТ8121, КТ8123, КТ8124, КТ8127, КТ8129 | |
| КТ8130, КТ8131, КТ8136, КТ814 | |
| КТ8140, КТ815, КТ816, КТ8116, КТ8163, КТ8167, КТ8168, КТ817 | |
| КТ8175, КТ818, КТ8181, КТ8182, КТ8183, КТ819, КТ825 | |
| КТ826, КТ827, КТ828, КТ829, КТ830, КТ831, КТ834, КТ835, КТ836 | |
| КТ837, КТ838, КТ839, КТ840, КТ841, КТ844, КТ845, КТ846 | |
| КТ847, КТ848, КТ850, КТ851, КТ852, КТ853, КТ854, КТ855, КТ857 | |
| КТ858, КТ859, КТ863, КТ864, КТ865, КТ866, КТ867, КТ872, КТ878 | |
| КТ879, 2Т886, КТ886, КТ887, КТ890, КТ892, КТ896, КТ897, КТ898 | |
| КТ899, КТ903, КТ904, КТ907, КТ908, КТ9115, КТ9120, КТ9166 | |
| КТ9170, КТ9171, КТ9176, КТ9177, КТ9178, КТ9179, КТ9184 | |
| КТ926, КТ928, КТ935, КТ940, КТ944, КТ945, КТ947, КТ961 | |
| КТ968, КТ969, КТ972, КТ974, КТ973, КТ997 |
— Разработка электронных устройств
Стабилитроны позволяют току проходить в нормальном направлении, как любой нормальный диод, и с падением 0,6 В, опять же, как любой нормальный диод. Разница в них заключается в том, что, в отличие от обычного диода, который блокирует ток в обратном направлении (до тех пор, пока вы не достигнете его обратного напряжения пробоя), стабилитрон будет блокировать ток в обратном направлении, пока не будет достигнуто его заданное напряжение, а затем он будет пропускать ток. течь.Это означает, что при использовании в обратном направлении стабилитрон вызовет падение напряжения на заданную величину (примерно — напряжение стабилитрона будет варьироваться в зависимости от условий, допуска и т. Д.) Аналогично тому, как 0,6 Виш падает на нормальном диоде, работающем в нормальном прямом направлении. проточный текущий режим.
Важные характеристики
Vz = стабилитрон (падение напряжения на диоде)
Iz (или Itest и т. Д.) = Ток, проходящий через него. Это ток, который дает другие характеристики
Zz = импеданс / сопротивление переменному току.У стабилитрона есть внутреннее сопротивление, которое можно представить как последовательный резистор внутри диода. Это динамическое сопротивление — оно меняется в зависимости от тока, температуры и т. Д.
Мощность — помните, что стабилитрон будет нагреваться пропорционально рассеиваемой мощности, как, скажем, линейный регулятор напряжения!
Расчет номинала резистора, который нужно подключить последовательно к стабилитрону, чтобы получить выходное напряжение стабилитрона:
Сопротивление = (Vin — Vz) / Iz
Итак, для 1N4733 скажем, (12 В — 5.31 В) / 50 мА = 138 Ом
Затем вы можете удалить Zz из используемого сопротивления, но часто вы не беспокоитесь, так как он обычно низкий и не сильно повлияет на вещи.
Что происходит, когда вы меняете ток
Дополнительный ток — увеличение входного напряжения, но с тем же внешним последовательным резистором = увеличение тока через стабилитрон = большее падение напряжения на его внутреннем сопротивлении = увеличение выходного напряжения. Это одна из причин, по которой они часто не являются отличной заменой линейному стабилизатору напряжения, потому что их выходное напряжение будет изменяться с входным напряжением.Другие причины заключаются в том, что вам нужно сбросить ток через них, чтобы получить их выходное напряжение, плюс изменения схемы в зависимости от нагрузки, если ее переменная. Тем не менее, если ваше входное напряжение фиксировано, а ток нагрузки фиксирован, тогда стабилитрон может быть отличным выбором в схемах, так как вы затем можете выбрать свой резистор серии Vin в зависимости от тока нагрузки и тока стабилитрона, который вы хотите, и знать, что он не изменится. .
Пониженный ток — стабилитроны не работают при uA (Vz падает), им нужен небольшой ток, чтобы выполнять свою работу.Однако при более низких токах мА они обычно работают нормально.
Использование стабилитронов для фиксации, защиты входов и т. Д.
Стабилитроны могут быть хороши для этого, если вы не возражаете против необходимости добавить перед ними последовательный резистор — так хорошо для сигналов, не подходящих для входов питания. Вам просто нужно выбрать размер своего последовательного резистора в зависимости от ожидаемого входного напряжения наихудшего случая (чтобы гарантировать, что номинальная мощность стабилитрона не будет достигнута) и для более низких напряжений, чтобы через него протекал ток, достаточный для правильной работы.Еще одно преимущество стабилитронов в этом приложении заключается в том, что, поскольку стабилитрон действует как обычный диод в другом направлении, он естественным образом ограничивает отрицательное напряжение на -0,6 В.
ПОЛЕЗНЫЙ?
Мы получаем огромную выгоду от ресурсов в Интернете, поэтому мы решили, что должны попытаться вернуть часть наших знаний и ресурсов сообществу, открыв многие внутренние заметки и библиотеки нашей компании через такие мини-сайты.Мы надеемся, что вы найдете этот сайт полезным.
Пожалуйста, не стесняйтесь комментировать, если вы можете добавить справку к этой странице или указать проблемы и решения, которые вы нашли, но обратите внимание, что мы не предоставляем поддержку на этом сайте. Если вам нужна помощь в решении проблемы, воспользуйтесь одним из множества онлайн-форумов.
ОУ опорное напряжение | Книга Ultimate Electronics
Ultimate Electronics: практическое проектирование и анализ схем
Делитель напряжения (или другой опорный элемент), а также операционный усилитель может создать фиксированный или регулируемый источник опорного напряжения.Читать 12 мин
В предыдущем разделе мы использовали идеальный операционный усилитель для создания буфера напряжения операционного усилителя, который копирует сигнал напряжения с входа с высоким импедансом на выход с низким сопротивлением.
Один полезных особый случаем является объединение буфера напряжения ОУ с резистивным делителем напряжения, чтобы формировать задание фиксированного напряжения:
Эта комбинация дает два результата:
- Уменьшает входное напряжение на долю делителя напряжения f = R2R1 + R2 .
- Обеспечивает выход с низким выходным сопротивлением: просто неидеальный Ro операционного усилителя (или 0 в идеале).
Как описано в разделе «Максимальная передача сигнала и минимизация межкаскадной нагрузки», импедансы важны при соединении частей цепи вместе. Эта комбинация позволяет вам добиться этого, выбрав соотношение между R1 и R2, чтобы получить желаемую долю напряжения, а затем независимо выбрать значения, чтобы они не загружали предыдущий этап.
Если операционный усилитель идеален, то неинвертирующий (+) вход не потребляет ток, поэтому мы можем просто рассматривать R1 и R2 как ненагруженный делитель напряжения, поэтому:
Vdiv = ВинР2Р1 + Р2
Идеальный буфер напряжения операционного усилителя идеально копирует вход на выход, поэтому:
Vout = Vdiv
Объединение двух приведенных выше уравнений дает:
Выход = ВинР2Р1 + Р2
Также поучительно увидеть эту схему при моделировании операционного усилителя как источника напряжения, управляемого напряжением (VCVS):
Математика выполняется точно так же, как и для буфера напряжения операционного усилителя, просто подставляя Vdiv вместо Вин , поэтому мы не будем повторять это здесь.
Эта модель на основе VCVS, возможно, не нужна для такой простой схемы, но если вы освоите ее в этих более простых сценариях, вы обнаружите, что это мощный инструмент для анализа более сложных схем, в том числе с транзисторами BJT и FET.
Мы назвали это «эталонным напряжением», потому что вы обычно увидите такую схему, когда необходимо преобразовать напряжение источника постоянного тока в источник питания более низкого уровня. В этой конфигурации вход будет подключен напрямую к одному из напряжений источника питания .Уменьшается выходное напряжение может использоваться для питания других устройств, или, чтобы обеспечить уровень опорного напряжения для других устройств, таких как аналого-цифровые преобразователи (АЦП).
Вот пример преобразования из +5 В источник до +1,8 В опорный сигнал, который может поступать в низковольтный АЦП:
Exercise Щелкните, чтобы открыть и смоделировать эту схему. Что будет, если поменять Vcc и заново запустить симуляцию?
Обратите внимание, что отношение сопротивлений — это отношение падений напряжения на каждом из двух резисторов:
36 кОм 64 кОм = 1.8 В 5 В − 1,8 В
Это дешевый и простой способ преобразования одного регулируемого напряжения в другое при наличии всего двух резисторов и операционного усилителя.
Поскольку эта схема просто снижает входное напряжение на постоянный коэффициент, мы также можем использовать ее для уменьшения амплитуды сигнала, который изменяется во времени:
Таким образом, мы можем рассматривать эту конфигурацию как «усилитель» с коэффициентом усиления по напряжению 0≤Av≤1. .
Exercise Щелкните, чтобы открыть и смоделировать эту схему.Что произойдет, если вы измените смещение постоянного тока Vsig на 0 и повторно запустить симуляцию?
Эта конфигурация встречается реже, потому что мы отбрасываем часть нашего сигнала и добавляем шум. Однако иногда это именно то, что нужно. Например, у нас может быть аналоговый входной сигнал с большой амплитудой и аналого-цифровой преобразователь (АЦП) с ограниченным входным диапазоном. Мы можем использовать эту конфигурацию для уменьшения амплитуды входного сигнала, чтобы он удобно помещался в рабочий диапазон АЦП.
Зачем нам вообще нужен операционный усилитель в этом случае? Почему бы просто не подключить резистивный делитель напряжения непосредственно ко входу АЦП? Ответ, как обычно, — сопротивление. Вход АЦП может иметь относительно большую емкость, которая в сочетании с большими резисторами делителя напряжения может давать непреднамеренно большую постоянную времени. Если это сделано намеренно, его часто называют сглаживающим фильтром . Но это может произойти непреднамеренно и на слишком низкой частоте, если входной импеданс источника слишком высок для АЦП.Поэтому часто рекомендуется входной драйвер АЦП (т.е. буфер напряжения).
До сих пор мы рассматривали только случаи, когда фиксированный конец R2 заземлен. Однако, если мы ослабим это ограничение и вместо этого подключим его к другому входу напряжения (фиксированному или изменяющемуся), тогда R1 и R2 образуют делитель напряжения, который выводит напряжение, которое находится посередине двух входных напряжений. Если R1 = R2 тогда он будет ровно посередине, Vdiv = Vin1 + Vin22 . Симметричный делитель напряжения принимает среднее значение двух входов.
Давайте посмотрим на примере, где это может быть полезно.
Во многих случаях полезно передавать сигналы как дифференциальные напряжения по паре проводов, а не односторонние сигналы по одному проводу. Это позволяет нам рассматривать разницу (вычитание) между двумя проводами как реальный интересующий нас сигнал. Если мы соединяем две системы, любое несовпадение относительных заземлений между двумя системами повлияет на напряжения обоих проводов одновременно и в одном и том же направлении, поэтому мы можем игнорировать это смещение, глядя только на сигнал дифференциального режима.
Вот пример, в котором мы используем этот эффект усреднения для восстановления синфазной несущей с двух входов, которые включают как общую, так и дифференциальную составляющие:
Exercise Щелкните, чтобы открыть и смоделировать эту схему. Можете ли вы также восстановить сигнал дифференциального режима? (Подсказка: вам нужно добавить только один компонент моделирования и несколько проводов.)
Дифференциальный сигнал представляет интерес. Однако восстановление синфазной составляющей может быть полезно в тех случаях, когда мы хотим явно скорректировать синфазное смещение, например, чтобы усилитель работал в хорошем диапазоне.Эти случаи входят в конструкцию дифференциального усилителя, и вы услышите эту технику под названием с синфазной обратной связью (CMFB) .
Обратите внимание, что если два напряжения, которые вы пытаетесь усреднить, имеют ненулевое сопротивление источника, это может ухудшить или смещать вашу операцию усреднения. В этом случае вы можете добавить буфер напряжения операционного усилителя к каждому входу перед их усреднением.
Из-за допусков на изготовление резисторов точность этого подхода ограничена, если требуется точное выходное напряжение.Для настройки калибровки можно использовать потенциометр, но это увеличивает стоимость и сложность.
Резисторы потребляют мощность по закону Ома.
Операционный усилитель также потребляет мощность (см. Ток покоя).
Даже если наше опорное напряжение не питая никакого тока или от его нагрузки, мы должны платить за это потребление энергии в нашем бюджете мощности.
Если на нашем входе колебания напряжения Δvin , то наш результат также будет колебаться пропорционально f⋅Δvin .Это не может служить нашей цели создания стабильной опорного напряжения.
Это аналогичная проблема с коэффициентом отклонения источника питания (PSRR), обсуждаемым для неидеальных операционных усилителей, но в этом случае поведение, основанное на коэффициенте, является характерным для конструкции внешней схемы, а не внутренним для операционного усилителя. дизайн.
Выбираем соотношение наших сопротивлений R1R2 чтобы дать нам желаемый коэффициент деления напряжения, но есть компромиссы при выборе фактических значений R1 или R2 . Если сопротивление слишком низкое, они потребляют слишком много энергии.Оказывается, что если сопротивление слишком велико, мы получим слишком большое напряжение шума резистора (которое увеличивается с увеличением абсолютных значений сопротивления).
Можно добавить конденсатор между Vdiv и заземлите, чтобы помочь смягчить два последних недостатка, описанных выше.
В частности, добавление конденсатора помогает стабилизировать напряжение относительно земли. Это означает, что он лучше подавляет шум источника питания, как демонстрирует это моделирование:
Exercise Щелкните, чтобы открыть и смоделировать эту схему.Как соотносится амплитуда пульсаций выходного напряжения при подключении конденсатора (t <50 мс ) по сравнению с отключенным конденсатором (t> 50 мс )?
Добавление конденсатора потенциально может позволить нам использовать резисторы большего номинала, снижая энергопотребление, не жертвуя такими шумовыми характеристиками, поскольку конденсатор действует как резервуар с низким импедансом на высоких частотах.
По этим причинам довольно часто можно увидеть эту схему с установленным конденсатором.
Конденсатор большего размера приведет к более низкой частоте среза и лучшему подавлению шума.Однако конденсаторы большего размера физически больше и дороже. Конденсаторы большей емкости также заставляют эту схему дольше выходить на установившееся напряжение после включения или выключения. Такая задержка включения или выключения может иметь неожиданные последствия, если ее не учтет разработчик.
Вместо использования двух резисторов для определения выходного напряжения мы можем использовать стабилитрон и один резистор. Стабилитрон — это кремниевый диод с p-n переходом, который был специально разработан для перехода в режим обратного пробоя при четко определенном напряжении.
Для краткого описания различных типов диодов:
- Идеальный (теоретический) диод проводит при прямом смещении и не проводит при обратном смещении.
- Реальный неидеальный диод при обратном смещении в конечном итоге начинает проводить при большом и не точно заданном напряжении пробоя. Мы разрабатываем схему, чтобы избежать этого напряжения пробоя.
- Стабилитрон спроектирован так, что этот пробой обратного смещения происходит при не очень большом и достаточно хорошо заданном напряжении.Мы разработали схему для работы диода в режиме обратного смещения.
недорого можно приобрести в широком диапазоне заданных обратных напряжений пробоя VZ. , который обычно имеет допуск ± 5% или так.
Вот пример использования стабилитрона 1N4733A, который указан как VZ = 5,1 В. :
Exercise Щелкните, чтобы открыть и смоделировать эту схему. Сколько опорное напряжение изменение как Vin развевается от 0 до 15 вольт?
Резистор R1 все еще необходим, чтобы позволить току течь в обратносмещенный D1.Выбор слишком низкого R1 может привести к чрезмерному потреблению энергии и тепловому выходу из строя диода и / или резистора. Выбор большего R1, вероятно, подойдет, но выходное напряжение немного изменится, так как VZ диода
указывается на конкретном уровне тестового тока. Вы можете быстро смоделировать этот эффект, добавив вторую развертку параметра постоянного тока на R1.R .
Это часто также сочетается с добавлением конденсатора. Стабилитрон обеспечивает подавление колебаний напряжения питания на постоянном токе, в то время как конденсатор улучшает это на высоких частотах.
Для опытных читателей: мы можем улучшить это еще больше, вставив еще один резистор между катодом стабилитрона и неинвертирующим входом операционного усилителя, а затем подключив конденсатор между неинвертирующим входом операционного усилителя и землей. Добавление дополнительного сопротивления снижает частоту среза в этой конфигурации:
Exercise Щелкните, чтобы открыть и смоделировать эту схему. Обратите внимание, что выходная амплитуда шума, исходящего от шины питания, существенно уменьшается за счет увеличения Rs. .
В целом, с помощью диода Зенера, один или два резистора, один конденсатор и ОУ, мы можем получить недорогую и достаточно стабильную referfence напряжения, до тех пор, как напряжение, мы ищем соответствует тому, который имеет стабилитроны регулярно доступны!
Если нет, мы можем изменить эту схему, добавив резистивный делитель напряжения, например, с помощью потенциометра:
Exercise Щелкните, чтобы открыть и смоделировать эту схему. Изменяется ли выходное напряжение линейно, как параметр уставки потенциометра R2.К настроен?
Теперь у нас есть опорное напряжение, которое настраивается пользователем в широком диапазоне и достаточно устойчив к изменениям входного напряжения.
Может показаться, что мы только что наш источник опорного напряжения и добавили буфер напряжения ОУ в конце. Действительно, есть, но не зря!
Давайте рассмотрим последнюю схему, регулируемое опорное напряжение на стабилитроне. Что произойдет, если мы загружаем с выхода: например, используя опорное напряжение к власти другого компонента?
Мы можем смоделировать это, добавив нагрузочный резистор RL. , и его сопротивление на много порядков.Во-первых, давайте попробуем этот без буфера напряжения операционного усилителя :
Exercise Щелкните, чтобы открыть и смоделировать эту схему. Обратите внимание на S-образные кривые выходного напряжения при изменении сопротивления нагрузки по оси абсцисс.
Не хорошо! Без буфера выходное напряжение резко меняется как функция сопротивления нагрузки RL.R , так и как функция уставки потенциометра R2.K .
Эффект нагрузки незначителен на крайних значениях потенциометра R2.K = 0 или R2.K = 1 , когда регулируемая клемма потенциометра замкнута на любую конечную точку. Однако эффект нагрузки гораздо более выражен между этими крайностями.
Это сильно неидеальной поведение для опорного напряжения, и поэтому мы, как правило, включают в буфер в приложениях, как это.
Давайте повторим тот же эксперимент с буфером напряжения операционного усилителя :
Exercise Щелкните, чтобы открыть и смоделировать эту схему.Обратите внимание, что выходное напряжение ровное (горизонтальное), поскольку сопротивление нагрузки изменяется по оси x.
Вышеприведенное моделирование показывает, что мы хотим опорное напряжение выглядеть следующим образом: Vout не меняется даже при настройке RL на многие порядки.
Может показаться заманчивым попытаться сэкономить на стоимости операционного усилителя и устранить буфер напряжения, но, как ясно демонстрируют эти два моделирования, результатом является схема, которая сильно зависит от нагрузки и уставки.Оба нежелательные характеристики для опорного напряжения.
Вместо диода Зенера в качестве эталона, мы можем также использовать ссылки напряжения IC, как LM317, TL431, или 7805. Они могут превзойти диод Зенера, обеспечивая более устойчивую ссылку, которая является менее чувствительным к входному напряжению. Фактически, они, как правило, способны напрямую подавать значительный выходной ток и могут обеспечивать фиксированные или регулируемые опорные напряжения. Они обычно содержат внутренний источник опорного напряжения запрещенной зоны ОУ в одном небольшом 3-выводном корпусе (вход, выход, земля).
Концептуально те же принципы, что и в этом разделе, применимы к этим интегрированным устройствам:
- Старт из известного напряжения (например, диод Зенера или опорного напряжения кремния ширина запрещенной зоны)
- Масштабировать (с помощью делителя напряжения)
- Буферизируйте его с помощью операционного усилителя (с низким выходным сопротивлением)
Если вы кладете в то время, чтобы понять простой источник опорного напряжения ОУ в этом разделе, внутренние блок-схема этого опорного напряжения IC начинает иметь смысл.
Мы тщательно изучили буфер напряжения ОУ с коэффициентом усиления 1 и его применения в качестве опорного напряжения. А теперь давайте прибавим громкости! Мы рассмотрим усилители с коэффициентом усиления по напряжению Av> 1. начиная с конфигурации неинвертирующего усилителя операционного усилителя.
Роббинс, Майкл Ф. Ultimate Electronics: Практическое проектирование и анализ схем. CircuitLab, Inc., 2021, ultimateelectronicsbook.com. Доступно. (Авторское право © CircuitLab, Inc., 2021 г.)
TVS диоды | Диоды поверхностного монтажа
Littelfuse предлагает широкий ассортимент TVS-диодов, включая варианты с высоким пиковым импульсным током и пиковой импульсной мощностью до 10 кА и 30 кВт соответственно. Littelfuse поддерживает нашу продукцию благодаря более чем 80-летнему опыту в области защиты цепей и прикладным знаниям, полученным в результате работы с нашими ведущими в отрасли заказчиками. Вы можете узнать больше о нашем ассортименте диодов для телевизоров, просмотрев наше руководство по выбору диодов для телевизоров.
Диод-ограничитель переходного напряжения (также известный как TVS-диод) — это защитный диод, предназначенный для защиты электронных схем от переходных процессов и угроз перенапряжения, таких как EFT (электрически быстрые переходные процессы) и ESD (электростатический разряд). TVS-диоды — это кремниевые лавинные устройства, которые обычно выбирают из-за их быстрого времени отклика (низкое напряжение ограничения), меньшей емкости и низкого тока утечки. TVS-диоды Littelfuse доступны как в однонаправленных (однополярных), так и в двунаправленных (биполярных) схемах диодных схем.
При выборе диодов TVS необходимо учитывать некоторые важные параметры, а именно: Обратное напряжение зазора (VR), пиковый импульсный ток (IPP) и максимальное напряжение ограничения (VC max). Ознакомьтесь с руководством по выбору TVS-диодов, чтобы узнать больше о том, как выбирать эти устройства и полный TVS-диод Littelfuse из предложения
Что такое диоды TVS?
TVS-диоды — это электронные компоненты, предназначенные для защиты чувствительной электроники от высоковольтных переходных процессов.Они могут реагировать на события перенапряжения быстрее, чем большинство других типов устройств защиты цепей, и предлагаются в различных форматах для поверхностного и сквозного монтажа печатных плат.
Они работают, ограничивая напряжение до определенного уровня (называемого «зажимным устройством») с p-n-переходами, которые имеют большую площадь поперечного сечения, чем у нормального диода, что позволяет им проводить большие токи на землю без повреждений.
TVS-диоды обычно используются для защиты от электрического перенапряжения, например, вызванного ударами молнии, переключением индуктивной нагрузки и электростатическим разрядом (ESD), связанным с передачей по линиям передачи данных и электронным схемам.
Littelfuse TVS-диоды подходят для широкого диапазона приложений защиты цепей, но в первую очередь были разработаны для защиты интерфейсов ввода-вывода в телекоммуникационном и промышленном оборудовании, компьютерах и бытовой электронике.
Характеристики диодаLittelfuse TVS включают:
- Низкое сопротивление скачку напряжения
- Доступны однонаправленные и двунаправленные полярности
- Диапазон обратных напряжений от 5 до 512 В
- Соответствует требованиям RoHS — олово с матовым покрытием, бессвинцовое покрытие
- Номинальная мощность для поверхностного монтажа от 400 Вт до 5000 Вт
- Номинальная мощность осевых выводов от 400 Вт до 30 000 Вт (30 кВт)
- Сильноточная защита доступна для 6кА и 10кА
Чтобы получить представление о других технологиях подавления переходных процессов и их сравнение, см. Примечание по применению Littelfuse AN9768.
Littelfuse TVS Diode Таблица выбора продукции
TVS-диоды используются для защиты полупроводниковых компонентов от высоковольтных переходных процессов. Их p-n-переходы имеют большую площадь поперечного сечения, чем у обычных диодов, что позволяет им проводить большие токи на землю без повреждений. Littelfuse поставляет TVS-диоды с пиковой мощностью от 400 Вт до 30 кВт и обратным противостоящим напряжением от 5 В до 495 В.
Вы можете получить дополнительные инструкции по выбору TVS-диодов, посетив страницу определения и выбора TVS-диодов, щелкнув здесь
| Название серии и ссылка на страницу | Тип корпуса | Напряжение обратного зазора (В R ) | Диапазон пиковой импульсной мощности 2 (P PP ) | Пиковый импульсный ток (I PP 8×20 мкс) | Рабочая температура |
|---|---|---|---|---|---|
| Поверхностный монтаж — стандартные приложения (400-5000 Вт): | |||||
| SMAJ | ДО-214AC | 5.0-440 | 400 Вт | Не применимо | от -85 ° до + 302 ° F (от -65 ° до + 150 ° C) |
| P4SMA | ДО-214AC | 5,8-495 | 400 Вт | ||
| SACB | DO-214AA | 5,0-50 | 500 Вт | ||
| SMBJ | DO-214AA | 5.0-440 | 600 Вт | ||
| P6SMB | DO-214AA | 5,8-495 | 600 Вт | ||
| 1КСМБ | DO-214AA | 5,8-136 | 1000 Вт | ||
| SMCJ | ДО-214АБ | 5,0-440 | 1500 Вт | ||
| 1.5SMC | ДО-214АБ | 5,8-495 | 1500 Вт | ||
| SMDJ | ДО-214АБ | 5,0–170 | 3000 Вт | ||
| 5.0SMDJ | ДО-214АБ | 12-170 (однонаправленный) 12-45 (двунаправленный) | 5000 Вт | ||
| с осевыми выводами — стандартные приложения (400-5000 Вт): | |||||
| P4KE | ДО-41 | 5.8-495 | 400 Вт | Не применимо | от -85 до + 302 ° F (от -55 до + 175 ° C) |
| SA | ДО-15 | 5,0–180 | 500 Вт | ||
| SAC | ДО-15 | 5,0-50 | 500 Вт | ||
| P6KE | ДО-15 | 5.8-512 | 600 Вт | ||
| 1.5КЭ | ДО-201 | 5,8-495 | 1500 Вт | ||
| LCE | ДО-201 | 6.5-90 | 1500 Вт | ||
| 3KP | P600 | 5,0-220 | 3000 Вт | ||
| 5КП | P600 | 5.0–250 | 5000 Вт | ||
| с осевыми выводами — высокая мощность: | |||||
| 15 кПа | P600 | 17–280 | 15000 Вт | Не применимо | От -85 ° до + 302 ° F (от -55 ° до + 175 ° C) |
| 20 кПа | P600 | 20.0-300 | 20000 Вт | ||
| 30 кПа | P600 | 28,0–288 | 30000 Вт | ||
| AK6 | Радиальный вывод | 58-430 | NA | 6000A | От -67 до + 347 ° F (от -55 до + 150 ° C) |
| AK10 | Радиальный вывод | 58-430 | NA | 10000A | |
| Автомобильные приложения: | |||||
| SLD | P600 | 10-24 | 2200 на основе импульса 1 мкс / 150 мс | NA | от -85 ° до + 302 ° F (от -65 ° до + 175 ° C) |
- Подробную информацию о большинстве перечисленных здесь серий продуктов можно найти, щелкнув название серии в крайнем левом столбце.
- Максимальное напряжение зажима (В C ) см. В таблице электрических характеристик в листе технических данных каждой серии
- Вы можете получить дополнительные инструкции по выбору TVS-диодов, прочитав Руководство по выбору электронных продуктов Littelfuse.
- Все продукты не содержат галогенов
- Вся продукция соответствует требованиям RoHS
Временные угрозы — что такое переходные процессы?
Переходные процессы напряжения определяются как кратковременные всплески электрической энергии и являются результатом внезапного высвобождения энергии, ранее накопленной или вызванной другими средствами, такими как тяжелые индуктивные нагрузки или молния.В электрических или электронных схемах эта энергия может выделяться предсказуемым образом посредством контролируемых переключающих действий или произвольно индуцироваться в цепи от внешних источников.
Повторяющиеся переходные процессы часто вызываются работой двигателей, генераторов или переключением компонентов реактивной цепи. С другой стороны, случайные переходные процессы часто вызываются молнией и электростатическим разрядом (ESD). Молнии и электростатические разряды обычно возникают непредсказуемо, и для их точного измерения может потребоваться тщательный мониторинг, особенно если они индуцируются на уровне печатной платы.Многочисленные группы по разработке стандартов на электронику проанализировали возникновение переходных напряжений с использованием общепринятых методов мониторинга или тестирования. Ключевые характеристики нескольких переходных процессов показаны в таблице ниже.
| НАПРЯЖЕНИЕ | ТЕКУЩИЙ | ВРЕМЯ НАРАЩИВАНИЯ | ПРОДОЛЖИТЕЛЬНОСТЬ | |
|---|---|---|---|---|
| Освещение | 25 кВ | 20кА | 10 мкс | 1 мс |
| Переключение | 600 В | 500A | 50 мкс | 500 мс |
| EMP | 1кВ | 10A | 20 нс | 1 мс |
| ESD | 15 кВ | 30A | <1 нс | 100 нс |
Таблица 1.Примеры переходных источников и магнитуды
Характеристики скачков напряжения в переходных процессах
Переходные пики напряжения обычно представляют собой волну «двойной экспоненты», как показано ниже для молний и электростатических разрядов.
Рис. 1. Форма волны переходного процесса при молнии
Рис. 2. Форма сигнала ESD-теста
Экспоненциальное время нарастания молнии находится в диапазоне от 1,2 мкс до 10 мкс (по существу, от 10% до 90%), а продолжительность находится в диапазоне от 50 до 1000 мкс (50% от пикового значения).С другой стороны, ESD — это событие гораздо меньшей продолжительности. Время нарастания составляет менее 1.0 нс. Общая продолжительность составляет примерно 100 нс.
Почему переходные процессы вызывают все большее беспокойство?
Миниатюризация компонентов привела к повышенной чувствительности к электрическим нагрузкам. Например, микропроцессоры имеют структуры и токопроводящие дорожки, которые не способны выдерживать высокие токи от переходных процессов электростатического разряда. Такие компоненты работают при очень низких напряжениях, поэтому нарушения напряжения необходимо контролировать, чтобы предотвратить прерывание работы устройства и скрытые или катастрофические отказы.
Чувствительные микропроцессоры сегодня преобладают в широком спектре устройств. Все, от бытовой техники, такой как посудомоечные машины, до промышленных устройств управления и даже игрушек, использует микропроцессоры для повышения функциональности и эффективности.
В большинстве автомобилей теперь также используется несколько электронных систем для управления двигателем, климатом, торможением и, в некоторых случаях, системами рулевого управления, тяги и безопасности.
Многие вспомогательные или вспомогательные компоненты (например, электродвигатели или аксессуары) в приборах и автомобилях представляют временные угрозы для всей системы.
Тщательная разработка схемы должна учитывать не только сценарии окружающей среды, но и потенциальные эффекты этих связанных компонентов. В таблице 2 ниже показаны уязвимости различных компонентных технологий.
| Тип устройства | Уязвимость (вольт) |
|---|---|
| VMOS | 30-1800 |
| МОП-транзистор | 100-200 |
| GaAsFET | 100-300 |
| СППЗУ | 100 |
| JFET | 140-7000 |
| КМОП | 250-3000 |
| Диоды Шоттки | 300-2500 |
| Биполярные транзисторы | 380-7000 |
| SCR | 680-1000 |
Таблица 2: Диапазон уязвимости устройства.
Сравнение с другими диодными технологиями:
| Класс диода | Приложение | Замечания |
|---|---|---|
| Обычный диод, выпрямитель | Регулятор мощности | Используется для «рулевого» больших токов; преобразование переменного тока в постоянный. Обычно встречается в больших упаковках, таких как ТО-220. |
| Стабилитрон | Регулятор мощности | Используется для регулирования постоянного напряжения в источниках питания.Обычно встречается в средних и больших упаковках (Axial, TO-220). |
| Кремниевый авалансный диод (SAD), ограничитель переходных напряжений (TVS) | Защита от перенапряжения | Используется для защиты цепей, подверженных воздействию высоких энергий, таких как скачки молнии или переходные процессы напряжения, от механического переключения электрических цепей (EFT). Обычно встречается в корпусах среднего размера (Axial, DO-214). |
| Диодная матрица | Защита от перенапряжения | Диодные массивыотносятся к более широкой категории кремниевых защитных массивов (SPA), предназначенных для защиты от электростатического разряда.Обычно встречается в небольших корпусах для поверхностного монтажа (SOIC-8, SOT-23, SC-70 и т. Д.). |
| Диод Шоттки | Регулятор мощности | Используется для высокочастотного выпрямления, необходимого для импульсных источников питания. |
| Варакторный диод | RF тюнинг | Единственное известное применение диодов, в котором используется характеристика емкости перехода. |
Сравнение по рабочим характеристикам:
| Класс диода | Обратное напряжение пробоя (В BR , В Z ) | Емкость (C Дж ) | Замечания |
|---|---|---|---|
| Обычный диод, выпрямитель | 800-1500В | Очень высокий | Преобразование переменного тока в постоянный |
| Стабилитрон | до 100 В | от среднего до высокого | Регулировка мощности постоянного тока |
| Кремниевый диод Avalance (SAD), | до 600 В | Средний | Защита от грозовых перенапряжений и переходных процессов напряжения |
| Диодная матрица | до 50 В | Низкий (<50 пФ) | Защита от электростатического разряда высокочастотных цепей передачи данных |
Сравнение по конструкции устройства:
Диод Шоттки образован переходом металл-полупроводник.В электрическом отношении он проводит по основной несущей и обладает быстрым откликом с меньшими токами утечки и напряжением прямого смещения (VF). Диоды Шоттки широко используются в высокочастотных цепях.
Стабилитроны образованы сильно легированным полупроводниковым переходом P-N. Есть два физических эффекта, которые можно назвать состоянием Зенера (эффект Зенера и эффект Лавины). Эффект Зенера возникает, когда к переходу P-N приложено низкое обратное напряжение, проводящее из-за квантового эффекта.Эффект лавины возникает, когда напряжение более 5,5 В, прикладываемое в обратном направлении к PN-переходу, во время которого образованная электронно-дырочная пара сталкивается с решеткой. Диоды Зенера, основанные на эффекте Зенера широко используются в качестве эталонных источников напряжения в электронике схеме.
A TVS-диод образован специально разработанным полупроводниковым переходом P-N для защиты от перенапряжения. PN-переход обычно покрывается покрытием, чтобы предотвратить преждевременное искрение напряжения в непроводящем состоянии.Когда происходит переходное напряжение, TVS-диоды проводят, чтобы ограничить переходное напряжение, используя эффект лавины. TVS-диоды широко используются в качестве устройства защиты от перенапряжения в телекоммуникациях, общей электронике и цифровых потребительских товарах для защиты от молний, электростатического разряда и других переходных процессов напряжения.
SPA означает Silicon Protection Arrays . Это массив интегрированных PN-переходов, тиристоров или других кремниевых защитных структур, собранных в многополюсную структуру.SPA можно использовать в качестве интегрированного решения для защиты от электростатического разряда, молнии и EFT для телекоммуникаций, общей электроники и цифровых потребительских рынков, где существует множество возможностей защиты. Например, его можно использовать для защиты от электростатических разрядов HDMI, USB и Ethernet.
Глоссарий по TVS-диодам
Зажимное устройство
TVS — это зажимное устройство, которое ограничивает скачки напряжения из-за лавинного пробоя с низким импедансом надежного кремниевого PN перехода.Он используется для защиты чувствительных компонентов от электрического перенапряжения, вызванного наведенной молнией, переключением индуктивной нагрузки и электростатическим разрядом.
Диапазон рабочих температур
Минимальная и максимальная рабочая температура окружающей среды контура, в котором будет применяться устройство. Рабочая температура не учитывает влияние соседних компонентов, это параметр, который должен учитывать проектировщик.
Емкость
Свойство элемента схемы, позволяющее накапливать электрический заряд.В защите цепи емкость в закрытом состоянии обычно измеряется на частоте 1 МГц при подаче напряжения смещения 2 В.
Напряжение обратного зазора (В R )
В случае однонаправленного TVS-диода это максимальное пиковое напряжение, которое может быть приложено в «блокирующем направлении» без значительного протекания тока. В случае двунаправленного переходного процесса он применяется в любом направлении. Это то же самое определение, что и максимальное напряжение в выключенном состоянии и максимальное рабочее напряжение.
Напряжение пробоя (В BR )
Напряжение пробоя, измеренное при заданном испытательном постоянном токе, обычно 1 мА. Обычно указывается минимум и максимум.
Пиковый импульсный ток (I PP )
Максимальный импульсный ток, который можно применять повторно. Обычно это двойной экспоненциальный сигнал 10×1000 мкс, но также может быть 8×20 мкс, если указано.
Максимальное напряжение зажима (В C или В CI )
Максимальное напряжение, которое может быть измерено на устройстве защиты при воздействии на него максимального пикового импульсного тока.
Пиковая импульсная мощность (P PP )
Выражаясь в ваттах или киловаттах, для экспоненциального переходного процесса 1 мс (см. Рисунок 1, стр. 23) это I PP , умноженное на V CL .
| Инженеры Edge
Связанные ресурсы: контрольно-измерительные приборы
Стабилитрон
Стабилитрон — это уникальный диод, который позволяет току течь в прямом направлении так же, как идеальный диод, но также позволяет ему течь в обратном направлении, когда напряжение выше определенного значения, известного как напряжение пробоя. , «напряжение изгиба стабилитрона» или «напряжение стабилитрона».
| Стабилитрон показан с типичными корпусами. Отображается обратный ток-отображается iZ |
Операция:
Обычный твердотельный диод не пропускает значительный ток, если он смещен в обратном направлении ниже напряжения обратного пробоя. Когда напряжение пробоя обратного смещения превышено, обычный диод подвергается сильному току из-за лавинного пробоя. Если этот ток не ограничен схемами, диод будет необратимо поврежден из-за перегрева.Стабилитрон демонстрирует почти те же свойства, за исключением того, что устройство специально спроектировано так, чтобы иметь значительно пониженное напряжение пробоя, так называемое напряжение стабилитрона. В отличие от обычного устройства, стабилитрон с обратным смещением будет демонстрировать управляемый пробой и позволяет току поддерживать напряжение на стабилитроне, близкое к напряжению пробоя стабилитрона. Например, диод с напряжением пробоя стабилитрона 3,2 В будет демонстрировать падение напряжения почти на 3,2 В в широком диапазоне обратных токов.Стабилитрон поэтому идеально подходит для таких применений, как генерации опорного напряжения (например, для каскада усилителя), или в качестве стабилизатора напряжения для слаботочных применений.
| Вольт-амперная характеристика стабилитрона с напряжением пробоя 17 вольт. Обратите внимание на изменение шкалы напряжения между прямым (положительным) направлением и обратным (отрицательным) направлением |
Другой механизм, производящий аналогичный эффект, — это лавинный эффект, как в лавинном диоде.На самом деле два типа диодов сконструированы одинаково, и в диодах этого типа присутствуют оба эффекта. В кремниевых диодах с напряжением около 5,6 вольт эффект стабилитрона является преобладающим и демонстрирует заметный отрицательный температурный коэффициент. При напряжении выше 5,6 вольт лавинный эффект становится преобладающим и имеет положительный температурный коэффициент.
В диоде 5,6 В эти два эффекта возникают вместе, и их температурные коэффициенты почти компенсируют друг друга, таким образом, 5.Диод 6 В является предпочтительным компонентом в приложениях с критичными температурами. Современные технологии производства позволяют производить устройства с напряжением ниже 5,6 В с пренебрежимо малыми температурными коэффициентами, но по мере того, как встречаются устройства с более высоким напряжением, температурный коэффициент резко возрастает. Диод на 75 В имеет в 10 раз больший коэффициент, чем диод на 12 В.
Такие диоды, независимо от напряжения пробоя, обычно продаются под общим термином «стабилитрон».
Заявление:
стабилитроны широко используются в качестве опорного напряжения и в качестве регуляторов шунта для регулирования напряжения на малые контуры.При параллельном подключении к источнику переменного напряжения с обратным смещением стабилитрон становится проводящим, когда напряжение достигает обратного напряжения пробоя диода. С этого момента относительно низкий импеданс диода поддерживает напряжение на диоде на этом значении.
В этой схеме, типичного опорного напряжения или регулятора, входное напряжение, УИН, регулируется вплоть до UOUT стабильного выходного напряжения.Напряжение пробоя диода D стабильно в широком диапазоне токов и поддерживает относительно постоянное значение UOUT, даже если входное напряжение может колебаться в довольно широком диапазоне. Из-за низкого импеданса диода при такой работе резистор R используется для ограничения тока в цепи.
В случае этой простой ссылки ток, протекающий в диоде, определяется с использованием закона Ома и известного падения напряжения на резисторе R;
IDiode = (UIN — UOUT) / RЗначение R должно удовлетворять двум условиям:
1.R должен быть достаточно малым, чтобы ток через D удерживал D в обратном пробое. Значение этого тока указано в таблице данных для D. Например, обычное устройство BZX79C5V6, стабилитрон 5,6 В 0,5 Вт, имеет рекомендуемый обратный ток 5 мА. Если через D существует недостаточный ток, то UOUT будет нерегулируемым и будет меньше номинального напряжения пробоя (это отличается от ламп регулятора напряжения, где выходное напряжение будет выше номинального и может подняться до UIN). При вычислении R необходимо сделать поправку на любой ток через внешнюю нагрузку, не показанную на этой диаграмме, подключенную через UOUT.
2. R должно быть достаточно большим, чтобы ток через D не разрушил устройство. Если ток через D равен ID, его напряжение пробоя VB и максимальная рассеиваемая мощность PMAX, тогда IDVB просты, но требования, чтобы балластный резистор был достаточно малым, чтобы избежать чрезмерного падения напряжения в худшем случае (низкое входное напряжение одновременно с большим током нагрузки), как правило, оставляют большой ток, протекающий в диоде, большую часть время, что делает регулятор довольно расточительным с высокой рассеиваемой мощностью в режиме покоя, подходящим только для небольших нагрузок. Эти устройства также встречаются, обычно последовательно с переходом база-эмиттер, в транзисторных каскадах, где можно использовать выборочный выбор устройства, сосредоточенного вокруг точки лавины или стабилитрона, для введения компенсационного температурного коэффициента балансировки PN перехода транзистора.Примером такого использования может быть усилитель ошибки постоянного тока, используемый в системе обратной связи цепи регулируемого источника питания. также используются в устройствах защиты от перенапряжения для ограничения скачков напряжения при переходных процессах. Еще одно примечательное применение стабилитрона — использование шума, вызванного его лавинным пробоем, в генераторе случайных чисел, который никогда не повторяется. © Copyright 2000-2021, Engineers Edge, LLC www.engineersedge.com Дата / Время: Стабилитрон — это особый тип диода, который позволяет току течь в прямом направлении так же, как идеальный диод, но также позволяет ему течь в обратном направлении, когда напряжение выше определенного значения, известного как напряжение пробоя, «напряжение перегиба стабилитрона» или «напряжение стабилитрона.Устройство было названо в честь Кларенса Зенера, открывшего это электрическое свойство. Многие диоды, описываемые как «стабилитроны», вместо этого полагаются на лавинный пробой в качестве механизма. Используются оба типа. Общие приложения включают в себя обеспечение опорного напряжения для регуляторов напряжения, или для защиты других полупроводниковых устройств от кратковременных импульсов напряжения. Стабилитрон — это особый тип диода, который позволяет току течь в прямом направлении как обычно, но также позволяет ему течь в обратном направлении, когда напряжение выше определенного значения — напряжения пробоя, известного как напряжение стабилитрона. Напряжение стабилитрона стандартного диода высокое, но если через него проходит обратный ток, превышающий это значение, диод необратимо выходит из строя. Стабилитроны сконструированы так, что их напряжение на стабилитронах намного ниже — например, всего 2,4 В. Когда через стабилитрон проходит обратный ток, превышающий напряжение стабилитрона, происходит управляемый пробой, который не повреждает диод. Падение напряжения на стабилитроне равно напряжению стабилитрона этого диода, независимо от того, насколько высокое напряжение обратного смещения выше напряжения стабилитрона. На рисунке выше это явление показано на графике зависимости тока от напряжения. Когда стабилитрон подключен в прямом направлении, он ведет себя точно так же, как и стандартный диод — то есть небольшое падение напряжения от 0,3 до 0,7 В при практически неограниченном протекании тока. Однако в обратном направлении между 0 В и напряжением стабилитрона существует очень небольшой ток утечки, то есть может протекать только небольшое количество тока. Затем, когда напряжение достигает напряжения пробоя (Vz), внезапно через него может свободно течь ток. Использование стабилитронов Electronics Media — это индийская платформа электронной и технической журналистики, предназначенная для международной электронной и технической индустрии.EM освещает новости из области полупроводников, аэрокосмической промышленности, обороны, Интернета вещей, дизайна, технологических стартапов, новых технологий, инноваций и мировых тенденций в бизнесе. Следите за нами в Твиттере, чтобы быть в курсе последних новостей в отрасли. Ответ на вопрос «Разве диоды не должны ограничивать это перенапряжение?» есть да и нет. Это действительно зависит от выходного сопротивления того, что на него подается, и мощности шины питания. Как вы думаете, что произойдет, если вы подключили этот вывод к источнику питания 10 В? Понижает ли диод напряжение питания 10 В или напряжение Vdd повышается до 10 В минус падение напряжения на диоде.Или просто перегорит диод. На самом деле все зависит от остальной схемотехники. Но каким бы грубым ни был этот пример, вы, возможно, поймете идею о том, что диод имеет ограничение на то, насколько далеко он может зайти в роли ограничения сигнала. Контакты ТАКЖЕ имеют ограничение по току. Диод будет работать только до тех пор, пока вы не превысите этот предел тока. Поможет ли добавление внешнего диода? Иногда внутренний ограничивающий диод представляет собой не диод, а схему типа полевого транзистора.Внешний диод, который зажимает на меньше, чем напряжение внутренней защиты , позволит вам сбросить больший ток. Если вы не можете найти диод, который зажимается ниже внутренней цепи, то в этом нет смысла. Чип может сгореть еще до того, как сработает ваш диод. Однако вы все равно не можете замкнуть на другой рельс. Таким образом, при подключении сигналов уровня, не относящегося к устройству, необходимо следить за тем, чтобы полное сопротивление источника было достаточно высоким, чтобы не завышать номинал устройства и не забить направляющую, которую вы зажимаете.Обычно требуется добавление последовательного сопротивления соответствующего размера. Приложение: Входные защитные диоды действительно существуют для защиты «на всякий случай». Обычно не следует полагаться на них как на функциональную часть вашего дизайна. Правильная подготовка сигнала перед вводом в штифт — лучший метод проектирования. Обычно я предпочитаю этот подход. R1 необходимо выбрать, чтобы ограничить ток заданными стабилитронами обратный ток при указанном напряжении стабилитрона.То есть стабилитрон может быть рассчитан, скажем, на \ $ 3.1V @ 5mA \ $. Итак \ $ R1 = (V_ {сигнал} — V_ {стабилитрон}) / I_ {стабилитрон} \ $ смоделировать эту схему — Схема, созданная с помощью CircuitLab Справочник содержит Техническую документацию в формате .PDF для более чем 3500 типов микросхем памяти. Вся техническая документация на микросхемы памяти отсортирована по производителям микросхем памяти.Каждый файл можно скачать отдельно. Скачать файл с содержимым всех архивов 86 КБ, формат .xls Фирмы-производители: АЛЬЯНС — размер файла 16 МБ. AMD — Размер файла 15 МБ. ATMEL — размер файла 30 МБ. CATALYST — размер файла 2,8 МБ. CROSSLINK — размер файла 5,3 МБ. КИПРЕСС — размер файла 44 МБ. Приведены технические характеристики существующего и нового электрооборудования: трансформаторов, электродвигателей, коммутационных аппаратов, кабельных и воздушных линий и др. Дана информация об электрических измерениях, электротехнических материалах, режимах нейтрали, стандартах качества электроэнергии, осветительных приборах и т. Д. .Книга предназначена для инженеров, техников и мастеров, работающих по эксплуатации систем электроснабжения как в промышленности, так и в сельском хозяйстве. В первом томе справочника приведены электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых диодов — выпрямительных диодов и полюсов, диодных сборок, модульных блоков и матриц. Приведена система классификации и обозначения, основные стандарты на устройства, описанные в справочнике. Для конкретных типов устройств приводится информация об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах и маркировке.В приложении приведены зарубежные аналоги полупроводниковых диодов, указанные в справочнике, и названия производителей. Книга посвящена маркировке микросхем, тиристоров, устройств индикации, звуковой сигнализации, коммутации и защите электрических цепей. Помимо информации по маркировке, при маркировке микросхем ведущих зарубежных производителей приводятся типовые схемы подключения, установочные размеры, логотипы и буквенные обозначения. Представлена полезная информация, которая, в целом, поможет определиться с типом и назначением элемента, подобрать ему замену с учетом площади, определенной для него на доске.Книга предназначена для специалистов по ремонту электронной техники, а также широкого круга радиолюбителей. В практической работе, в первую очередь связанной с ремонтом электронного оборудования, возникает проблема определения типа электронного компонента, его параметров, расположения выводов, принятия решения о прямой замене или использовании аналога. Большинство существующих справочников содержат информацию об отдельных типах радиодеталей (транзисторы, диоды и т. Д.).). Однако этого недостаточно, и данное справочное руководство является необходимым дополнением к таким книгам. Представленная читателю книга по маркировке электронных компонентов содержит, в отличие от ранее опубликованных аналогичных публикаций, больший объем информации. В первом томе пятитомного справочника приведены электрические и рабочие характеристики зарубежных маломощных биполярных транзисторов. Габаритные размеры корпусов указаны в российском стандарте с указанием допусков по данным производителей.В справочнике также есть зарубежные аналоги транзисторов (кроме того, размещены аналоги снятых с производства устройств) и список производителей. Для удобства работы со справочником составлен указатель типов устройств, по которому читатель с невероятной легкостью может найти нужное ему устройство. Второй том справочного издания содержит сведения об электрических параметрах, габаритных размерах, предельных эксплуатационных характеристиках, информацию об основном функциональном назначении отечественных силовых тиристоров.Приведены динамические частотно-импульсные зависимости параметров от температуры, описаны особенности использования тиристоров в радиоэлектронной аппаратуре. Для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронного оборудования Год выпуска: 2002 Приведены сведения об иностранных аналогах микросхем советского производства, используемых в бытовой радиоаппаратуре, в том числе по конструкции и функциональному назначению. Содержит информацию о более чем 600 наименованиях микросхем.Для специалистов по ремонту импортной бытовой радиоаппаратуры, а также широкого круга радиолюбителей. Год выпуска: 1992 Автор: Е.В. Пирогова Жанр: Справочник Издательство: М .: БИАР Формат: DjVu Размер: 1,4 МБ Качество: Отсканированные страницы Количество страниц: 48 Скачать книгу >> Отечественные аналоги зарубежных микросхем для бытовой радиоаппаратуры Туры: Справочник Программа для чтения: DjVuReader СОДЕРЖАНИЕ Предисловие Фирменные знаки и сокращения, обозначенные производителями микросхем 1. Справочник содержит подробную информацию о современных логических ИС; быстродействующие маломощные микросхемы ТТЛШ серии КР1533 и быстродействующие КМОП микросхемы серии КР1554 серия КР1533 Маломощные быстродействующие цифровые интегральные схемы серии KPJ53S предназначены для организации высокоскоростного обмена и обработки цифровой информации , согласование времени и электрического сигнала в компьютерных системах. Микросхемы серии КР1533, по сравнению с известными сериями логических микросхем TTL, имеют минимальное значение произведения быстродействия и рассеиваемой мощности. Цель публикации этого справочника из серии «Интегральные схемы» — предоставить разработчикам и техническим специалистам наиболее полную информацию по всему спектру микросхем АЦП и ЦАП, устройств выборки и хранения, систем сбора данных и напряжения — частоты. преобразователи (ПНЧ) и частота — напряжение (ПНЧ). По сравнению с первым изданием справочника «Микросхемы для аналого-цифрового преобразования и мультимедиа», изданным в 1996 году, в котором были представлены микросхемы АЦП серий 572 и 1175 и их аналоги, это издание было значительно расширено. Подборка справочных данных по отечественным биполярным транзисторам малой, средней и большой мощности. В основном произведены в Советском Союзе Полупроводниковые приборы малой мощности имеют допустимую мощность рассеивания в коллекторном переходе до 0,3 Вт … (мощность в этой классификации означает мощность, выделяемую на коллекторном переходе полупроводника. ) Отвод тепла от коллекторного перехода к случаю происходит вдоль тонкую опорную плиту с низкой теплопроводностью.Предназначен для работы без специальных радиаторов (радиаторов). Все внешние выводы расположены по нижнему диаметру и обычно средний вывод является базой, а эмиттер расположен ближе к базе, чем коллектор. К этим полупроводникам относятся устройства с рассеиваемой мощностью в диапазоне от 0,3 до 1,5 Вт Для мощных транзисторов рассеиваемая мощность превышает 1,5 Вт. Виды корпусов транзисторов зарубежного и отечественного производства Корпус — основная и наиболее габаритная часть конструкции абсолютно любого транзистора, выполняющая защитную функцию от внешних воздействий, а также используется для подключения к внешним цепям с помощью металлических выводов.Типы корпусов зарубежных транзисторов стандартизированы для простоты изготовления и использования изделий в радиолюбительской практике. Количество типичных транзисторов в настоящее время исчисляется сотнями. Каждое полупроводниковое устройство, включая транзистор, имеет свое собственное уникальное обозначение, по которому его можно отличить от кучи других радиодеталей и деталей. Основным элементом двухпереходного биполярного транзистора является монокристалл полупроводника p- или p-типа, в котором с помощью примесей создаются три области с электронной и дырочной электропроводностью, разделенные двумя pn-переходами ( см. рисунок вверху страницы).Если средняя область имеет электронную проводимость p-типа, а две крайние стороны p-типа, то такой транзистор имеет структуру ppp, в отличие от транзисторов ppp, которые имеют среднюю область с отверстием, и крайние области с электронной проводимостью. Средняя область 1 полупроводникового кристалла с n-проводником называется базой. Одна крайняя область 2 с p-проводимостью, инжектирующая (излучающая) неосновные носители заряда, называется эмиттером, а другая 3, которая извлекает (удаляет) носители заряда из базы, называется коллектором.База отделена от эмиттера и коллектора pn переходами эмиттера 4 и коллектора 5. Металлические выводы (B, E, K) состоят из основания 1, эмиттера 2 и коллектора 3, которые проходят через изоляторы в нижней части корпуса. выпускаются в герметичных металло-стеклянных, металлокерамических или пластиковых корпусах, а также без корпусов. Открытые транзисторы защищены от воздействия внешней среды слоем лака, смолы, легкоплавкого стекла и герметизированы вместе с устройством, в которое они предварительно смонтированы.В настоящее время большинство транзисторов, в том числе транзисторы интегральных схем, основаны на кремнии с переходным типом. Использование точечных переходов ограничено из-за нестабильности работы. Базовая область транзисторов выполнена очень небольшой толщины (от 1 до 25 мкм). Степень легирования регионов разная. Концентрация примесей в эмиттере на несколько порядков выше, чем в базе. Уровень легирования базы и коллектора зависит от типа транзистора. В рабочем режиме к электродам транзистора подключены постоянные напряжения внешних источников энергии. Помимо постоянного напряжения на электроды подаются сигналы, которые необходимо преобразовать. В этом отношении различают входную цепь, в которую подается сигнал, и выходную цепь, в которой сигнал снимается с нагрузки. В зависимости от того, какой из электродов при включении транзистора является общим для входных и выходных цепей, различают схемы с общей базой OB, общим эмиттером OE и общим коллектором OK.В схеме OB входная цепь — это эмиттерная, а выходная — это коллекторная. В схеме OE вход — это базовая цепь, а выход — это коллекторная цепь. В схеме с ОК вход — это базовая цепь, а выход — это цепь эмиттера. Физические процессы, происходящие в транзисторах со структурой p-p-p и p-p-p, одинаковы. В p-p-p-транзисторах, в отличие от p-p-p-транзисторов, прикладывается напряжение обратной полярности, а токи имеют противоположное направление. В зависимости от полярности напряжений, подаваемых на эмиттерный и коллекторный переходы, различают активный, отсечной, насыщенный и инверсный режимы включения транзистора. Активный режим используется при усилении слабых сигналов. В этом режиме на эмиттерный переход подается постоянное напряжение, а на коллекторное — обратное. В активном режиме эмиттер вводит неосновные носители в базовую область, а коллектор извлекает (удаляет) неосновные носители из базовой области. В режиме отсечки к обоим переходам прикладываются обратные напряжения, при которых ток через транзистор незначителен. В режиме насыщения оба перехода транзистора находятся под постоянным напряжением; инжекция носителей происходит в обоих переходах; транзистор превращается в двойной диод; ток в выходной цепи максимален при выбранном значении нагрузки и не контролируется током во входной цепи; транзистор полностью открыт. В режимах отсечки и насыщения в схемах электронного переключателя обычно используется транзистор.В инверсном режиме функции эмиттера и коллектора изменяются путем подключения постоянного напряжения к коллекторному переходу и обратного напряжения к эмиттерному переходу. Однако из-за асимметрии структуры и разницы в концентрации носителей в коллекторной и эмиттерной областях обратное включение транзистора не эквивалентно его нормальному включению в активном режиме. Для радиолюбителей скачать справочник радиодеталей по транзисторам, микросхемам, SMD-компонентам отечественного и зарубежного производства. Справочник «Микросхемы современных телевизоров». Это справочное руководство содержит информацию о наиболее распространенных интегральных схемах, используемых в современной телевизионной технике. В книге представлена справочная информация о более чем 100 микросхемах таких известных производителей, как SAMSUNG, SANYO, SONY, SIEMENS, MATSUSHITA, PHILIPS, SGS-THOMSON и других. Формат книги DjView. Размер архива 3,29Мб. СКАЧАТЬ Справочник «Микросхемы для современных мониторов». Эта книга представляет собой справочное руководство по ИС для современных ЖК- и ЭЛТ-мониторов. Он предоставляет исчерпывающую информацию о 150 микросхемах от ведущих производителей полупроводниковых компонентов для мониторов. Формат книги DjView. Размер архива 5.77Мб. СКАЧАТЬ Справочник «Бытовые транзисторы для бытовой, промышленной и специальной техники». В данном руководстве представлена полная информация о номенклатуре, производителях, параметрах, корпусах и аналогах 5000 наименований транзисторов! Формат книги DjView.Размер архива — 16,4 Мб СКАЧАТЬ Сборник из 3 Справочники по импортным микросхемам, транзисторам, диодам, тиристорам и SMD-компонентам. Книга 1 из 3 … В данном справочнике представлена информация о радиоэлектронных компонентах зарубежных производителей с буквенным индексом от А до R … Приведены характеристики, распиновка, аналоги и производители компонентов. Размер файла — 198Мб. Формат книги DjView. Скачать из Депозитных Файлов Справочник по импортным микросхемам, тиристорам, диодам, транзисторам и SMD компонентам.Книга 2 из 3 . В данном справочнике представлена информация о радиоэлектронных компонентах зарубежных производителей с буквенным индексом от R до Z . Размер файла — 319Мб. Формат книги DjView. Скачать из Депозитных Файлов Справочник по импортным микросхемам, тиристорам, диодам, транзисторам и SMD компонентам. Книга 3 из 3 . В данном справочнике представлена информация о радиоэлектронных компонентах зарубежных производителей с цифровым индексом от 0 до 9. . Размер файла 180Мб.Формат книги DjView. СКАЧАТЬ Руководство по активным SMD-компонентам. Приведены SMD коды для 33 тысяч транзисторов, тиристоров, микросхем и диодов, типовые схемы включения SMD микросхем, маркировка, характеристики, замена. Размер архива — 16Мб. Формат книги DjView. СКАЧАТЬ Справочник «Транзисторы и их зарубежные аналоги» том 1. В первом томе справочника представлены электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов — маломощных полевых и биполярных транзисторов.Приведены система классификации и обозначения, основные стандарты на устройства, описанные в справочнике. Для конкретных типов устройств приводится информация об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке, ограничивающих условиях эксплуатации и условиях эксплуатации. В приложении приведены зарубежные аналоги транзисторов, включенные в справочник. Формат книги DjView. Размер архива — 6.19Мб СКАЧАТЬ Справочник «Транзисторы и их зарубежные аналоги» Том 2. Второй том справочника содержит информацию о низкочастотных биполярных транзисторах средней и большой мощности с указанием их зарубежных аналогов. Формат книги DjView. Размер архива — 5,62Мб. СКАЧАТЬ Справочник «Транзисторы и их зарубежные аналоги» том 3. В третьем томе представлена справочная информация о полевых и высокочастотных биполярных транзисторах средней и большой мощности с указанием их зарубежных аналогов. Формат книги DjView. Размер архива — 6.28Мб. СКАЧАТЬ Справочник «Маркировка радиодеталей» том 1. Справочник содержит сведения о буквенной, цветовой и кодовой маркировке компонентов, о кодовой маркировке зарубежных полупроводниковых приборов для поверхностного монтажа (SMD). Даны рекомендации по использованию и проверке исправности электронных компонентов. Формат книги DjView. Размер архива — 8Мб СКАЧАТЬ Справочник «Маркировка радиодеталей» том 2. В этой книге читатель найдет много полезной информации по маркировке микросхем, некоторых типов полупроводниковых приборов, монтажных и коммутационных изделий и много другой полезной информации. Формат книги DjView. Размер архива — 3.95Мб СКАЧАТЬ Справочник «Маркировка радиодеталей». В книге описаны системы маркировки для отечественных и зарубежных: резисторов, конденсаторов, индукторов, кварцевых резонаторов, пьезоэлектрических и ПАВ-фильтров, полупроводниковых приборов, SMD-компонентов, микросхем.Описаны особенности тестирования электронных компонентов. Формат книги DjView. Размер архива — 3.60Мб СКАЧАТЬ Справочник по микросхемам для импортных телевизоров. Книга на русском языке содержит структурные схемы и назначение выводов более трехсот микросхем, используемых в цветных телевизорах Европы и Восточной Азии. Описание каждого устройства сопровождается функциональными схемами и характеристиками. Формат книги DjWiev. Размер архива — 16Мб СКАЧАТЬ Аудио и радио ICs Ссылка: генераторы, клавиши и переключатели, УНЧ, малошумящие и предварительные усилители, операционные усилители, регуляторы громкости и тембра, схемы управления индикаторами.В книге представлены основные характеристики, распиновка, структурные схемы и типовые схемы использования более 300 типов микросхем для звукового оборудования. Формат книги DjWiev. Размер архива — 10,7 Мб СКАЧАТЬ Справочник по интегральным схемам для промышленного электронного оборудования. В книге приведены условные обозначения, электрические параметры, структурные схемы, функциональное назначение (цоколевка) и конструкции корпусов широко распространенных зарубежных аналоговых и цифровых микросхем. Формат книги DjWiev.Размер архива — 2.68Мб СКАЧАТЬ Лучшее в Европе Справочник uLF .
Обобщена и систематизирована информация о большинстве УНЧ ИМС в интегральном исполнении, выпускаемых мировыми производителями. Приведены важнейшие характеристики микросхем, типы корпусов, распиновка, внешний вид, аналоги, производители, функциональное назначение. Формат книги DjWiev. Размер архива — 19.9 Мб СКАЧАТЬ Справочник по интегральным схемам для телевидения. В книге представлен обзор интегральных схем, используемых в современных телевизионных приемниках, видео и аудиоаппаратуре.Приведены основные параметры и характеристики микросхем, структурные схемы внутреннего устройства и типовые схемы их включения. Формат книги DjWiev. Размер архива — 2.30Мб СКАЧАТЬ Справочные данные биполярного транзистора От отправителя Данное руководство представляет собой попытку объединить в одной публикации полноту охвата инструментов, компактное изложение информации, а также простоту использования. Справочник предназначен для широкого круга пользователей от разработчиков радиоэлектронных устройств до радиолюбителей. В справочнике представлены основные электрические параметры биполярных транзисторов. Для компактности и простоты использования этого справочника в нем используется табличная форма представления информации. Помимо электрических параметров, в справочнике указаны габаритные и присоединительные размеры, а также типовая область применения биполярных транзисторов. Описанный подход позволил создать компактный, удобный и недорогой справочник, который будет полезен своему владельцу на практике. Справочник содержит параметры биполярных транзисторов, разбросанные в отечественной литературе. Поскольку основным принципом при составлении справочника была полнота номенклатуры, для некоторых устройств приводится лишь несколько параметров (которые были приведены разработчиками устройства в научной статье). По мере появления дополнительной информации она включалась в справочник. Как появилось это руководство? В середине 70-х составитель справочника столкнулся в своей работе с отсутствием справочника, который подошел бы ему и его коллегам. Существующие справочники имели множество недостатков, наиболее очевидные из которых описаны ниже. 1. Большая избыточность: A) Во многих справочниках было много графиков, которые либо достаточно хорошо описывались теоретическими кривыми, либо отражали незначительные зависимости; 2. Неполнота — длительный период прохождения через издательства привел к быстрому устареванию справочника. Большинство составителей тяготели к определенному кругу производителей полупроводниковых приборов, и если продукция одного производителя была представлена достаточно полно, то продукция другого производителя не включала новых разработок. Для работы мне пришлось использовать несколько справочников одновременно (тем более, что разные компиляторы включали разное количество параметров, известных для данного устройства) и ряд журнальных статей, описывающих новые полупроводниковые устройства. 3. Неудобство в использовании — в большинстве компиляторов введена разбивка руководства на части по таким критериям, как рассеиваемая мощность, рабочая частота, тип перехода. Кроме того, очень часто внутри раздела материал дополнительно группировался по схожим принципам. Все это значительно затрудняло поиск нужного устройства и особенно сравнение нескольких полупроводниковых устройств по ряду параметров. 4. Недостоверность — в процессе публикации в любом справочнике накапливались ошибки.В то время как ошибки в простом тексте легко обнаруживаются во время корректуры, ошибки в числовой информации трудно обнаружить даже специалисту. Все описанные причины побудили составить более удобный для разработчика электронного оборудования справочник. Благодаря своей компактной форме гид оказался достаточно дешевым и удовлетворяет большинство потребностей. Если разработчику нужны более подробные характеристики какого-либо продукта (такое бывает довольно редко), он всегда может обратиться либо к специализированному изданию, либо к отраслевому стандарту.В повседневной работе ему достаточно этой книжки. Справочник составлен в 1993 г., переведен на HTML в 2000 г. Составитель: Виктор Козак, эл. Почта: kozak @ inp.nsk.su 24 Год выпуска: 2014 Биполярные транзисторы: 13541 шт. Имеется 38554 технических паспорта, 131 производитель, протестировано 12909 моделей. 18 Сергей, г. Екатеринбург | 18-07-2018 09:16:09 03 Год выпуска: 2009 23 Год выпуска: 2013 29 Год выпуска: 2010 24 Год выпуска: 2011 Тип сборки: Стандартный 29 Год выпуска: 2011 03 Год выпуска: 2011 24 Год выпуска: 2013 30 Год выпуска: 2010 10 Год выпуска: 2013 31 Год выпуска: 2009 24 Год выпуска: 2011 03 Год выпуска: 2009 19 Год выпуска: 2011 20 Год выпуска: 2014
Нагрузки может быть помещена через диод в этой цепи опорного сигнала, и до тех пор, как стабилитроны пребывание в обратном пробое, диод будет обеспечивать источник стабильного напряжения на нагрузку. Стабилитроны в этой конфигурации часто используются в качестве стабильных эталонов для более совершенных схем стабилизатора напряжения.
Все права защищены
Заявление об ограничении ответственности | Обратная связь | Реклама
| Контакты Что такое стабилитрон? и использование стабилитронов
«Стабилитроны
Mouser Electronics можно приобрести у ведущих производителей отрасли. Mouser является авторизованным дистрибьютором многих производителей стабилитронов, включая Central Semiconductor, Diodes Inc, Microsemi, Nexperia, ON Semiconductor, Taiwan Semiconductor, Vishay и других ». «Нажмите здесь, чтобы выбрать стабилитроны»
Поскольку падение напряжения на стабилитроне является известным и фиксированным значением, стабилитроны обычно используются для регулирования напряжения в электрических цепях.Используя резистор, чтобы гарантировать, что ток, проходящий через стабилитрон, составляет не менее 5 мА (0,005 А), разработчик схемы знает, что падение напряжения на диоде точно равно напряжению стабилитрона диода. микроконтроллер — фиксирующие диоды STM32 — какое максимальное входное напряжение?
Справочник основных параметров и характеристик транзисторов. Справочники электронных компонентов
Для некоторых устройств вместо предельных параметров приведены типовые значения, когда нет информации о предельных параметрах, но есть типовые значения.
б) Большинство разработчиков не интересуются такими параметрами, как время хранения на складе и степень устойчивости полупроводниковых приборов к плесени и грибку;
в) От 10% до 30% объема справочников занимали общеизвестные вещи — обозначения на электрических схемах, классификация устройств и аналогичные понятия, неоднократно описанные в различной литературе.
янв
2014
Жанр: Справочник
Разработчик: LordGray
Сайт разработчика: http://rc-db.ru
Язык интерфейса: русский + английский
Тип сборки: Стандартный
Битовая глубина: 32-битная
Операционная система: Windows XP, 7
Системные требования: 70 МБ ОЗУ, 11 ГБ дискового пространства
Описание: Электронный справочник со следующими характеристиками:
Полевые транзисторы: 35661 шт.
IGBT: 2893 шт.
Диоды: 17330 шт.
Стабилитроны: 52 шт.
Программа включает сортировку, фильтрацию, редактирование и ввод новых моделей, обновление через Интернет и из файла. Обновления базы данных выпускаются каждое воскресенье вечером.
июл
2018
янв
2010 Электронный восточный гороскоп гороскоп на 2031 год Русь 2.0
Жанр: гороскоп
Разработчик: dekan
Сайт разработчика: www.dekan.ru
Язык интерфейса: Русский
Платформа: Windows: XP, 2003, Vista, 2008, 7
Системные требования:
Оперативная память: 128 МБ
Видеокарта: 32 МБ
Описание: Электронный гороскоп на 2031 год Рус Если вы любите гороскопы и хотите составить гороскоп на ближайшие дни или узнать о характере человека, тогда Электронный гороскоп поможет вам раскрыть эти секреты! В наши дни практически каждый просматривает астрологические прогнозы, чтобы сверить свою жизнь с ритмами планет.Влияние планет на человека настолько велико, что …
янв
2014
Жанр: охрана труда
Разработчик: Forum Media
Сайт разработчика: http://www.forum-media.ru
Язык интерфейса: Русский
Тип сборки: Стандартный
Битовая глубина: 32-бит
Рабочий Система: Windows (XP)
Системные требования: конфигурация офисного компьютера
Описание: В обязанности инженера по охране труда входит подготовка огромного количества разнообразных документов.Доступность и правильность оформления документов гарантирует готовность вашей организации к проверкам контролирующими органами, избежание штрафов и других санкций. Электронный комплект документов на CD поможет вам …
сен
2010 Xrumer 3.0.165.347, 4.0.165.410, 5.0.0.747
Жанр: Массовая рассылка
Разработчик: Botmaster Labs
Сайт разработчика: http://www.botmasterru.com
Язык интерфейса: русский + английский
Платформа: Windows 2000, XP, XP x64, Vista, Vista x64, 7, 7 x64
Системные требования: Intel или AMD ЦП 800 МГц или выше ОЗУ 512 МБ или больше Свободное место на диске ~ 210 МБ Включенные файлы: Xrumer 3, 4, 5 База данных форума 1500000 Denwer 3.0 Файлы, необходимые для сервера (папка botmaster.ru)
Описание: XRumer — это программа, которая автоматически размещает вашу рекламу на форумах, в гостевых книгах, досках объявлений и каталогах ссылок (а также …
а я
2011 KMPlayer 3.0.0.1441 LAV build 7sh4 от 21.11.2011.
Жанр: Мультимедийный проигрыватель
Битовая глубина: 32/64-бит
а я
2011 Игрок KMPlayer 3.0.0.1441 LAV build 7sh4 от 28.11.2011
Жанр: Мультимедийный проигрыватель
Разработчик: http://www.kmplayer.com/
Сайт разработчика: The KMPlayer
Язык интерфейса: Многоязычный (присутствует русский)
Тип сборки: Стандартный
Битовая глубина: 32 / 64-бит
Операционная система: Windows XP, Vista, 7
Описание: KMPlayer — это универсальный проигрыватель, который может воспроизводить практически любой формат медиафайлов, например: VCD, DVD, AVI, MKV, Ogg Theora, OGM, 3GP, MPEG-1/2/4, WMV, RealMedia, QuickTime и другие.Программа также понимает субтитры на DVD-дисках и может записывать звук, видео или изображения из любой части, которую мы проигрываем …
а я
2011 The KMPlayer 3.0.0.1441 LAV сборка 7ш4 от 02.11.2011
Жанр: Мультимедийный проигрыватель
Разработчик: http://www.kmplayer.com/
Сайт разработчика: The KMPlayer
Язык интерфейса: Многоязычный (присутствует русский)
Тип сборки: Стандартный
Битовая глубина: 32 / 64-разрядная версия
Операционная система: Windows XP, Vista, 7
Системные требования: — 50 МБ свободного места на диске
Описание: KMPlayer — это универсальный проигрыватель, который может воспроизводить практически любой формат медиафайлов, например: VCD, DVD, AVI, MKV, Ogg Theora, OGM, 3GP, MPEG-1/2/4, WMV, RealMedia, QuickTime и другие.Также программа понимает субтитры на DVD дисках и умеет …
янв
2018 Acronis Disk Director 11 Home 11.0.2343 Update 2 (Официальная русская версия) 11.0
Жанр: Работа с жестким диском
Разработчик: Acronis International GmbH
Сайт разработчика: acronis.ru
Язык интерфейса: Русский
Тип сборки: Стандартный
Битовая глубина: 32/64-бит
Операционная система: Windows (2000), Windows (XP), Windows (2003), Windows (Vista), Windows (2008), Windows (7), Windows (8), Windows (10)
Системные требования:
Загрузочное устройство: на основе BIOS *
Главный процессор: Современный процессор с тактовой частотой не менее 800 МГц
Оперативная память: 256 МБ
Разрешение экрана: 800×600 пикселей Место для установки: 150 МБ
Прочее: Мышь * Машины не поддерживаются…
янв
2010 ScrenSaver Girls мойте монитор 3.4.0.0
Жанр: Заставка
Количество файлов: 1
Разработчик: sergunas
Сайт разработчика: http://sergunas.ru/
Язык интерфейса: только английский
Платформа: Windows / Vista
Системные требования:
Операционная система: Windows 2000 / XP / 2003 / Vista
Процессор: Pentium
Память: 128Мб
Видеокарта: 16 бит Свободное место на
ЖД: 126 мб
Таблэтка: Присутствует
Описание: Интересная заставка.Безумно сексуальные и соблазнительные полуобнаженные девушки моют ваш монитор. Блондинка будет очень тщательно мыть заднюю часть экрана монитора. И она будет очень эротично стирать его, частично сама. Оригинал …
авг
2013 г. Конвертер видео Freemake 4.0.3.0
Жанр: Video Converter
Разработчик: Ellora Assets Corporation
Сайт разработчика: http://www.freemake.com/
Язык интерфейса: Многоязычный (присутствует русский)
Тип сборки: Стандартный
Битовая глубина: 32/64-бит
Операционная система: Windows XP, Vista, 7, 8
Системные требования: Microsoft.NET Framework 4
Описание: Freemake Video Converter — бесплатный конвертер видео для Microsoft Windows с предустановленной .NET Framework, разработанный Ellora Assets Corporation. Утилита предназначена для конвертации видео, записи и копирования DVD, записи Blu-ray, создания слайд-шоу из фотографий …
мая
2011 г. Электронный словарь Ожегова и Шведовой 2.00 Портативный
Жанр: Словарь
Разработчик: Kertvin
Сайт разработчика: http: // www.inetio.org/otherdic.html
Язык интерфейса: Русский
Тип сборки: Портативный
Битовая глубина: 32/64-бит
Операционная система: Windows 95, 98, Me, 2000, XP, 2003, Vista, 2008, 7
Описание : Толковый словарь русского языка С.И. Ожегова и Н.Ю. Шведова. Однотомный толковый словарь русского языка содержит 80 000 слов и фразеологизмов. Слова и фразеологизмы, входящие в словарь, относятся как к общей литературной лексике, так и к взаимодействующим с ней специальным сферам языка; словарь также широко включает…
мар
2011 NetLimiter Pro 3.0.0.11 32-разрядная / 64-разрядная
Жанр: Управление трафиком
Разработчик: Locktime Software s.r.o.
Сайт разработчика: http://netlimiter.com
Язык интерфейса: Многоязычный (присутствует русский)
Платформа: Windows XP, XP x64, Vista, Vista x64, 7, 7 x64
Системные требования: Интернет-соединение
Описание: NetLimiter Pro это программа, которая решает проблему мониторинга сетевого трафика.NetLimiter отслеживает активность каждого приложения, использующего доступ в Интернет, и активно управляет трафиком, отслеживая скорость передачи данных. Вы можете самостоятельно регулировать скорость загрузки и отправки информации для …
фев
2010
Жанр: Запись на диск
Разработчик: Nero AG
Сайт разработчика: http://www.nero.com/
Язык интерфейса: Многоязычный (присутствует русский)
Платформа: Windows XP, Vista, 7
Описание: Nero 9 — это самый популярный в мире пакет цифровых мультимедиа и домашних развлечений нового поколения.Он отличается передовой функциональностью, позволяющей легко наслаждаться цифровыми мультимедиа. Этот простой в использовании, но мощный мультимедийный пакет дает вам свободу создавать, читать, копировать, записывать, редактировать …
авг
2013 г. HTMLPad 11.4.0.133
Жанр: Редактор веб-страниц
Разработчик: Blumentals Solutions SIA
Сайт разработчика: http://www.blumentals.net/ru/
Язык интерфейса: Многоязычный (присутствует русский)
Тип сборки: Стандартный
Разрядность: 32-битная
Операционная система: Windows XP, Vista, 7
Описание: HTMLPad — это функциональный и в то же время компактный веб-редактор с удобной панелью инструментов для быстрого форматирования текста, создания форм, таблиц, вставки тегов и т. Д. только HTML, но также JavaScript, ASP и SSI.Основные возможности программы Самый полный на сегодняшний день редактор HTML и XHTML Advanced …
авг
2015 г. Highscreen Zera_S (ред. A) 4.4.2 V1.0.2.2014.12.11
Жанр: Прошивка
Разработчик: Highscreen
Сайт разработчика: http://highscreen.ru/
Язык интерфейса: Многоязычный (присутствует русский)
Платформа: Android
Системные требования: 1 ГБ встроенной памяти, 1 Гб RAM
Описание: Обновленная версия прошивки для Highscreen Zera_S (rev.a) Установка прошивки 1. Загрузите утилиту прошивки https://yadi.sk/d/Dim7kjZePPcie 2. Загрузите и установите драйвер PreLoader USB VCOM https://yadi.sk/d/ZLbie_WQPPcxE 3. Запустите SP Flash Tool, в поле Scatter-loading выберите файл MT6582_Android_scatter.txt, который находится в …
