Заменяемость транзисторов
Заменяемость транзисторовЗаменяемость отечественных транзисторов старых выпусков
на главнуюНОВАЯ ВЕРСИЯ САЙТА
КЛАССИФИКАЦИЯ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ ТРАНЗИСТОРОВВсем транзисторам, разработанным до 1964 года, присвоены условные обозначения по стандарту, установленному в 1959 году. Согласно этому стандарту условное обозначение транзисторов может состоять из трех элементов: первый — буквенный (П — плоскостной транзистор): второй — цифровой, указывающий на материал прибора (германий или кремний) и обычное применение или назначение транзистора. Основная классификация ведется по максимальной допустимой мощности, рассеиваемой на коллекторе Р
к.доп и частотным свойствам — частоте fa или /макс Классификация различает транзисторы малой мощности (Рк.доп < 0,25 вт) и большой мощности (Рк.доп > 0,25 вт.), низкочастотные (fa < 5 Мгц)Например, условное обозначение П13 расшифровывается: «транзистор низкочастотный, германиевый, малой мощности, типа 13».
В настоящее время эта система классификации транзисторов устарела и не соответствует возросшему количеству и разнообразию приборов. В связи с этим с 1964 года была введена новая система классификации и условных обозначений на полупроводниковые приборы, в том числе и на транзисторы. Согласно новому стандарту основная классификация ведется по исходному материалу, рассеиваемой прибором мощности и частотным свойствам.
В зависимости от этого транзисторы могут называться германиевыми или кремниевыми, малой, средней или большой мощности; транзисторами низкой, средней или высокой частоты. Энергетической характеристикой транзистора является мощность, рассеиваемая на коллекторе Р к.доп,
а частотной — максимальная частота генерации fмакс.Условное обозначение транзистора по новому стандарту состоит из четырех элементов.
Первый элемент — буква или цифра, обозначающая исходный материал: Г или 1 — германий, К или 2 — кремний, А или 3 — арсенид галлия. Одновременно первый элемент обозначает верхний предел допустимой температуры корпуса прибора: Г-+ 60° С, 1-+70° С; К—+85° С, 2— +120° С.
Второй элемент — буква, указывающая класс полупроводникового прибора: Т—транзистор (биполярный с проводимостью р-п-р или п-р-п).П—полевой транзистор (с каналом р или п типа).
Четвертый элемент обозначения — буквенный — указывает на разновидность прибора.
Например, условное обозначение прибора ГТ108А означает: «германиевый транзистор малой мощности, низкочастотный, подтипа А, предназначенный для работы при температуре не выше +60° С».
Все необходимые сведения о параметрах транзисторов можно найти в специальных справочниках по полупроводниковым приборам.
Следует заметить, что ряд транзисторов может иметь условные индексы, которых нет в приведенных выше классификациях. Это главным образом транзисторы, разработанные до 1964 года, но выпускаемые в модернизированном варианте. В этом случае дополнительные буквенные индексы означают следующее:
М — холодносварной корпус;
Э — улучшенная влагостойкость;
И — улучшенные импульсные свойства. Например, МП39Б означает, что это низкочастотный маломощный транзистор с холоднссварным корпусом; П601 А(И) — высокочастотный транзистор средней мощности с улучшенными импульсными свойствами.
ВЗАИМОЗАМЕНЯЕМОСТЬ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Наличие значительного количества типов и подтипов
транзисторов связано с большим разнообразием технологических средств и приемов,
а также исходных материалов, используемых при изготовлении транзисторов.
Производство транзисторов — очень сложный и трудоемкий процесс, требующий
высокой точности, чистоты и жесткого соблюдения технологических режимов.
Выполнение всех этих требований связано с большими техническими трудностями, чем
и объясняется имеющийся большой разброс параметров выпускаемых транзисторов. В
связи с этим обычно указываются средние либо минимальные значения параметров,
гарантированные для данного типа транзисторов. Наибольший разброс наблюдается у
коэффициента усиления по току бета в схеме с общим эмиттером, обратного тока
коллектора /
Большой разброс параметров транзисторов делает весьма условными границы между типами транзисторов, что позволяет в ряде случаев без особых затруднений заменять одни транзисторы другими. При такой замене в первую очередь обращается внимание на параметры в режиме, при котором транзистор будет работать в данной схеме Фк, /к, Рк). Исходя из этих сведений подбираются типы транзисторов, обладающие некоторым запасом по указанным параметрам и необходимыми частотными и усилительными свойствами (fa или fmakс и beta). Предпочтение при этом отдается более дешевым и доступным транзисторам.
Например, имеется описание схемы усилителя низкой частоты на двух транзисторах типа МП41. Постоянное напряжение источника питания составляет 9 в, постоянный ток коллектора каждого транзистора не превышает 1—2 ма, а сама схема допускает применение транзисторов с beta = 20—40.
Из приведенных в приложении справочных таблиц видно, что в данном случае возможно применение транзисторов типа МП40, МП42А, МП42Б, а также некоторых образцов транзисторов МП39 и МП39Б.
Другой пример. В приемнике прямого усиления, рассчитанном для работы в диапазоне средних волн (СВ), где максимальная частота сигнала 1,6Мгц, рекомендуется применение транзисторов типа ГТ313А, приобрести которые по тем или иным причинам не удалось. Учитывая сказанное ранее о том, что для устранения влияния зависимости усилительных свойств транзисторов от частоты сигнала необходимо применять транзисторы, у которых граничная частота усиления fm по крайней мере в 20—30 раз выше максимальной частоты усиливаемого сигнала, делаем вывод, что возможно использование транзисторов с граничной частотой от 50
К сожалению, дать какой-либо конкретный рецепт замены транзисторов на все случаи жизни нельзя из-за чрезмерно большого числа типов выпускаемых транзисторов, а также вследствие огромного множества различных вариантов схем. Можно только рекомендовать стремиться производить замену транзисторов внутри группы наиболее близких по своему устройству и параметрам транзисторов. При этом допускается замена с улучшением или ухудшением параметров транзисторов. Лучше всего, когда заменяющий транзистор не уступает заменяемому ни по одному из предельно
допустимых параметров (Рк.доп UK3, /K макс), а также по величине гарантированных значений усиления тока (а или бета) и предельной частоты усиления (fa или fbeta). В крайнем случае возможна замена транзисторов с несколько заниженными значениями beta и fa, что хотя и приведет к некоторому изменению параметров устройства, но ненамного.Особо следует сказать о замене транзисторов, выпуск и продажа которых давно прекращены, но упоминание на страницах радиолюбительской литературы еще иногда встречается. Кроме того, в употреблении находится большое количество бытовой радиоэлектронной аппаратуры, где применяются транзисторы старых выпусков, что создает определенные трудности при ремонте. Например, согласно табл. транзистор П15 заменяется через МП41, П105 — МП 115, П420 —П401 и т. д. При такой замене каких-либо дополнительных изменений в схемах не требуется.
Нужно отметить, что труднее всего находить замену транзисторов начинающим радиолюбителям, которые еще не накопили достаточного опыта обращения с параметрами транзисторов, чтобы свободно сравнить их между собой, находя лучшие и худшие варианты для взаимной замены транзисторов.
Граничная частота fm определяет частоту, где гарантируется усиление потоку не менее единицы, а f2 — характеризует максимальную частоту, выше которой наблюдается резкое возрастание внутренних шумов транзистора. Наилучшими шумовыми характеристиками обладают транзисторы ГТ322А—ГТ322Е, у которых коэффициент шума не превосходит 4 дб. Распространенные в любительской практике транзисторы типа П401 — П403, имеют значительно худшие свойства. Из низкочастотных транзисторов в лучшую сторону отличаются транзисторы типа П27А и П27. Эти транзисторы применяются, как правило, в промышленной аппаратуре. Конструктивно они оформлены точно так же, как МП35— МП42, но отличаются от них значительно меньшим шумом. Для сравнения можно указать, что наименее «шумящим» из доступных любителям транзисторов является МП39Б, у которого коэффициент шума не более 12 дб, тогда как у остальных транзисторов типов МП39—МП42 он может составлять до 24Можно, конечно, производить разбраковку транзисторов по величине интересующих параметров и выбирать наилучшие из них. Иногда это бывает полезным или необходимым. Но ввиду влияния на транзисторы различных внешних факторов и процесса естественного старения транзисторов, при конструировании аппаратуры целесообразно ориентироваться на средние, а еще лучше — на минимальные значения параметра.
| Замена | Замена | Замена | |||
| Старый | Новый | Старый | Новый | Старый | Новый |
| П4А | П216А | П10Б | МП37Б | П201 | П213А |
| П4Б | П216Г | П11 | МП38 | П201А | П213Б |
| П4В | П216Б | П11А | МП38А | П202 | П214Б |
| П4Г | П216Г | П13 | МП39 | П202А | П214В |
| П4Д | П216Д | П13А | МП39А | П203 | П214Г |
| П4Д | П216Д | П13Б | МП39Б | П203А | П214В |
| П5А | ГТ108А | П14 | МП40 | П410 | ГТ313А |
| П5Б | ГТ108Б | П14А | МП40А | П410 | ГТ313А |
| П5В | ГТ108В | П14Б | МП40Б | П410А | ГТ313Б |
| П5Г | ГТ108Г | П15 | МП41 | П411 | ГТ313Б |
| П5Д | ГТ108Д | П15А | МП41А | П411А | ГТ313Б |
| П5Е | ГТ108Г | П16 | МП42 | П417 | ГТ313А |
| П6А | МП39 | П16А | МП42А | П417А | ГТ313Б |
| П6Б | МП39А | П16Б | МП42Б | П420 | П401 |
| П6В | МП40 | П101 | МП111 | П421 | П402 |
| П6Г | МП41 | П101А | МП111А | П501 | КТ315А |
| П6Д | МП39Б | П102 | МП112 | П502 | КТ315Б |
| П8 | МП35 | П103 | МП113 | П503 | КТ315В |
| П9 | МП36 | П103А | МП113А | П504 | КТ315Г |
| П9А | МП36А | П104 | МП114 | П504А | КТ315Г |
| П10 | МП37 | П105 | МП115 | П505 | КТ315В |
| П10А | МП37А | П106 | МП116 | П505А | КТ315В |
Форум на сайте
на главную
пишите пожалуйста на
[email protected]
jaxik1.narod.ru
|
Транзистор — аналог |
Транзистор — аналог |
Транзистор — аналог |
|
2N1221 — КТ501Г |
2N4260 — КТ363АМ- Купить | 2N5875 — 2Т818Б- Купить |
| 2N1613 — КТ630Г — Купить | 2N4261 — КТ363ЕМ- Купить | 2N6034 — КТ8130А- Купить |
| 2N1715 — КТ630B — Купить | 2N4271 — 2Т653А — Купить | 2N6035 — КТ8130Б — Купить |
| 2N2218 — КТ928А — Купить | 2N4400 — КТ660А — Купить | 2N6036 — КТ8130В — Купить |
| 2N2219 — КТ928Б — Купить | 2N4401 — КТ660А — Купить | 2N6037 — КТ8131А — Купить |
| 2N2219A — КТ928В — Купить | 2N4402 — КТ685А — Купить | 2N6038 — КТ8131Б — Купить |
| 2N2221 — КТ3117А — Купить | 2N4403 — КТ685В — Купить | 2N6039 — КТ8131В — Купить |
| 2N2222A — КТ3117Б — Купить | 2N4411 — КТ3127А — Купить | 2N6047 — КТ947А — Купить |
| 2N2332 — 2Т208Б — Купить | 2N4440 — 2Т921А — Купить | 2N6053 — КТ825Б — Купить |
| 2N2334 — 2Т208Г — Купить | 2N4494 — KT645А — Купить | 2N6054 — КТ825А — Купить |
| 2N2335 — 2Т208Д — Купить | 2N4930 — КТ505Б — Купить | 2N6093 — КТ912А — Купить |
| 2N2336 — 2Т208Л — Купить | 2N4931 — КТ505А — Купить | 2N6202 — КТ934А — Купить |
| 2N2337 — 2Т208М — Купить | 2N4933 — КТ927А — Купить | 2N6203 — КТ934Б — Купить |
| 2N2369 — КТ3142А — Купить | 2N5069 — КТ3102Е — Купить | 2N6204 — КТ934В — Купить |
| 2N2405 — 2Т630А — Купить | 2N5086 — КТ3107Б — Купить | 2N6253 — 2Т818В — Купить |
| 2N2440 — 2Т630Б — Купить | 2N5087 — КТ3107К — Купить | 2N6278 — КТ879Б — Купить |
| 2N2904 — КТ692А — Купить | 2N5088 — КТ3102Е — Купить | 2N6279 — КТ879А — Купить |
| 2N3055 — КТ8150А — Купить | 2N5092 — КТ504А — Купить | 2N6362 — КТ930А — Купить |
| 2N3250 — КТ3108А — Купить | 2N5177 — КТ909А — Купить | 2N6364 — КТ930Б — Купить |
| 2N3250A — КТ3108Б — Купить | 2N5178 — КT909Б — Купить | 2N6369 — КТ931А — Купить |
| 2N3251 — КТ3108В — Купить | 2N5210 — КТ3102Б — Купить | 2N6388 — КТ899А — Купить |
| 2N3448 — 2Т504А — Купить | 2N5400 — КТ6116Б — Купить | 2N6428 — КТ3117Б — Купить |
| 2N3725 — КТ635Б — Купить | 2N5401 — КТ6116А — Купить |
radioschema.ru
Заменяемость транзисторов
Русский: English:. Бесплатный архив статей статей в Архиве. Справочник бесплатно. Параметры радиодеталей бесплатно.
Поиск данных по Вашему запросу:
Заменяемость транзисторов
Схемы, справочники, даташиты:
Прайс-листы, цены:
Обсуждения, статьи, мануалы:
Дождитесь окончания поиска во всех базах.
По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Как читать даташиты на полевые all-audio.pro читать характеристики на отечественные транзисторы.Замена транзисторов биполярных и полевых
Полные и функциональные аналоги транзисторов. Даташит на каждый транзистор можно посмотреть введя название в поисковую форму datasheet вправой части сайта. Цены на радиодетали смотрите в любом интернет магазине. Мощные полевые транзисторы : Импортные. Снижение расхода топлива в авто. Ремонт зарядного В.
Солнечная министанция. Самодельный ламповый. Фонарики Police. Генератор ВЧ и НЧ. Порядок вывода комментариев: По умолчанию Сначала новые Сначала старые. Обычный мосфет с диодом внутри В на 12 А. Нужна замена транзистору me75n80c подскажите пожалуйста. Помогите найти аналог полевого транзистора NJ11AF. Подскажите пожайлуста аналоги транзистора me75n80c, не могу найти, inog83 rambler. На IRF меняется точно, про этот не знаю. Автомобильная электроника Блоки питания Зарядные устройства Паяльники и инструменты Измерительные приборы Самодельные сигнализации Телевизоры и видео Усилители звука.
Компьютерная электроника Самодельные металлоискатели Контроллеры и микросхемы Начинающим радиолюбителям Приёмные устройства Ламповая техника Светодиоды и лампы Электрика своими руками. Электросхемы для самостоятельной сборки радиоэлектронных приборов и конструкций. Полезная информация для начинающих радиолюбителей и профессионалов.
Все права защищены. Вход Почта Мобильная версия.
Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Аналоги транзистора MJE13009.
Чем смогу помогу. Электрик 6. Транзистор TIP Транзистор TIP41C.
Таблица аналогов отечественных биполярных транзисторов.
Зарубежные аналоги отечественных кремниевых биполярных транзисторов
Ко мне попала небольшая книжка, выпущенная малым тиражом всего экз. В книжке, наряду с устаревшими типами транзисторов, есть и более современные. Имея технические данные на транзисторы замены, приведённые ниже, можно подобрать замену из более современных компонентов. Мною исправлены некоторые явные опечатки, присутствовавшие на страницах книги. Ниже приведена постраничная копия материала. В строках, где приведено несколько аналогов, первый — более полный. В круглых скобках Электронные лампы , видимо, полные аналоги, в квадратных — возможная замена например, со сменой цоколёвки. OC41 П OC42 П29А. CK ДА 4шт.
Зарубежные аналоги отечественных кремниевых биполярных транзисторов
Теория и практика. Кейсы, схемы, примеры и технические решения, обзоры интересных электротехнических новинок. Уроки, книги, видео. Профессиональное обучение и развитие. Сайт для электриков и домашних мастеров, а также для всех, кто интересуется электротехникой, электроникой и автоматикой.
Всем транзисторам, разработанным до года, присвоены условные обозначения по стандарту, установленному в году.
Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Аналоги транзистора 2SD1427.
Биполярный транзистор является чрезвычайно мощным и высоковольтным. Область использования импортных из стран ближнего и дальнего зарубежья транзисторов серии является достаточно широкой по сравнению с транзисторами и бытовыми электроприборами, привезенными из других стран. Как правило, в основном это лампочки, которые сберегают энергию, зарядные устройства, регуляторы по освещению и лампы для дневного освещения. Замена на российский транзистор происходит согласно таблицам аналогов. Транзистор цоколевка возможен так же как вариант.
Транзистор 13001
Таблица взаимозаменяемости импортных и отечественных диодов, несколько сотен типов. Первая часть. Часть вторая. Аналоги отечественных и зарубежных микросхем. Большой сборник всех типов.
Добрый. Имею импульсный бп на Вт, при включении хлопком вырубило два транзистора, фото в аттаче. Что удалось найти в.
Таблица взаимозаменяемости транзисторов – Справочники радиодеталей
Заменяемость транзисторов
В данной статье я хочу описать, на какие критерии нужно обращать внимание при подборе замены транзисторам. Надеюсь, статья будет полезной для начинающих радиолюбителей. Постараюсь информацию изложить очень кратко, но достаточно для правильного подбора транзистора при отсутствии аналогичного.
Имею импульсный бп на Вт, при включении хлопком вырубило два транзистора, фото в аттаче. Мы принимаем формат Sprint-Layout 6! Экспорт в Gerber из Sprint-Layout 6. Это где? Конденсаторы Panasonic. Часть 4.
Поиск новых сообщений в разделах Все новые сообщения Компьютерный форум Электроника и самоделки Софт и программы Общетематический. Нужен аналог транзистора.
Новости: 9. Высказывания: Если товар хорош, его перестают выпускать. Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора 2SD Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора 2SD Перед заменой транзистора на аналогичный,!
Полные и функциональные аналоги транзисторов. Даташит на каждый транзистор можно посмотреть введя название в поисковую форму datasheet вправой части сайта. Цены на радиодетали смотрите в любом интернет магазине.
all-audio.pro
Как подобрать замену для MOSFET-транзистора || AllTransistors.com
Для большинства MOSFET-транзисторов достаточно просто подобрать аналоги, схожие по параметрам. Если заменить неисправный MOSFET-транзистор на такой же невозможно, то для поиска аналога необходимо:
- Узнать полное наименование транзистора по его маркировке. Для MOSFET-транзистора в корпусе СМД название можно расшифровать по маркировке: СМД-коды 🔗.
- Изучить схему включения MOSFET-транзистора для определения режима его работы (ключ в цепях коммутации, импульсное устройство, линейный стабилизатор и т.д.).
- Найти даташит для неисправного MOSFET-транзистора и заполнить форму для подбора аналога на сайте.
- Выбрать наиболее подходящий аналог MOSFET-транзистора, учитывая режим его работы в устройстве.
На что нужно обратить внимание
Открыв PDF-даташит, в первую очередь надо выяснить: тип транзистора (MOSFET или JFET), полярность, тип корпуса, расположение выводов (цоколевку).
Из числовых параметров это, прежде всего предельные характеристики, такие как Pd — максимальная рассеиваемая мощность, Vds — максимальное напряжение сток-исток, Vgs — максимальное напряжение затвор-исток, Id — максимальный ток стока. У подбираемого транзистора эти параметры должны быть не меньше чем у исходного транзистора.
Для MOSFET-транзистора важным параметром является сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds). От значения Rds зависит мощность, выделяемая на транзисторе. Чем меньше значение Rds, тем меньше транзистор будет нагреваться.
Однако необходимо помнить, что чем больше Id и меньше Rds, тем больше ёмкость затвора у MOSFET-транзистора. Это приводит к тому, что требуется большая мощность для управления этим затвором. А если схема не обеспечит нужную мощность, то возрастут динамические потери из-за замедленной скорости переключения транзистора и, как итог, MOSFET будет больше нагреваться. Поэтому необходимо проверить температурный режим (нагрев) транзистора после включения устройства. Если транзистор сильно нагревается, то дело может быть как в самом транзисторе, так и в элементах его обвязки.
Расшифровка основных параметров MOSFET-транзисторов
Тип транзистора – в реальных устройствах могут использоваться полевые транзисторы разных типов: транзистор с управляющим p-n – переходом (J-FET) или униполярные транзисторы МДП-типа (MOSFET).
Полярность — полевые транзисторы могут быть прямой проводимости или обратной, то есть с P-каналом или N-каналом.
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) — необходимо убедиться, что выбранный транзистор может рассеивать достаточную мощность. Этот параметр зависит от максимальной рабочей температуры транзистора — при повышении температуры максимальная рассеиваемая мощность уменьшается. Если рассеиваемая мощность недостаточна — ухудшаются некоторые характеристики транзистора. Например, сопротивление Rds может удвоиться при возрастании температуры от 25°C до 125°C.
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Vds) – это максимальное напряжение сток-исток не вызывающее лавинного пробоя при температуре 25°C. Оно имеет зависимость от температуры: напряжение уменьшаться при уменьшении температуры транзистора. Например, при -50°C, напряжение, не вызывающее лавинного пробоя, может составлять 90% от Vds при 25°C.
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) – при подаче на затвор напряжения более допустимого, возможно повреждение изолирующего оксидного слоя затвора (это может быть и статическое электричество). Не стоит использовать транзисторы с большим запасом по напряжениям Vds и Vgs, т.к. обычно они имеют худшие скоростные характеристики.
Пороговое напряжение включения Vgs(th) — если напряжение на затворе выше Vgs(th), MOSFET транзистор начинает проводить ток через канал сток-исток. Vgs(th) имеет отрицательный температурный коэффициент: с увеличением температуры MOSFET-транзистор начинает открываться при более низком напряжении затвор-исток.
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id) – следует иметь ввиду, что иногда выводы из корпуса транзистора ограничивают максимально допустимый постоянный ток стока (переключаемый ток может быть больше). С ростом температуры максимально допустимый ток уменьшается.
Максимальная температура канала (Tj) — этот параметр ограничивает температуру канала транзистора во включенном состоянии. Если ее превысить, срок службы транзистора может сократиться.
Общий заряд затвора (Qg) — заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора. Чем меньше этот параметр, тем меньшая мощность требуется для управления транзистором.
Время нарастания (tr) — время, за которое ток стока увеличится с 10% до 90% от указанного.
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds) — сопротивление открытого канала сток-исток при заданных параметрах: Id, Vgs и Tj.
Выше описаны наиболее важные параметры MOSFET-транзисторов. В даташитах производитель указывает много дополнительных параметров: заряд затвора, ток утечки затвора, импульсный ток стока, входная емкость и др.
Что важно учесть при монтаже MOSFET-транзистора
При работе с MOSFET транзисторами нужно учесть, что они могут быть повреждены статическим электричеством на ваших руках или одежде. Перед монтажом на печатную плату необходимо соединить выводы транзистора между собой тонкой проволокой. Для пайки лучше используйте паяльную станцию, а не обычный электрический паяльник. Вместо отсоса для удаления припоя используйте медную ленту для удаления припоя. Это уменьшит вероятность пробоя затвора статическим электричеством. Или используйте антистатический браслет.
alltransistors.com
Справочники по радиоэлектронным компонентам — КульбакиМастер.ru
Для радиолюбителей, скачать справочник радиодеталей по транзисторам, микросхемам, SMD компонентам отечественного и импортного производства.
Справочник «микросхемы современных телевизоров». В этом справочном пособии собраны данные о наиболее распространенных интегральных микросхемах, которые применяются в современной телевизионной технике. В книге представлена справочная информация о более чем 100 микросхемах таких известных фирм-производителей, как SAMSUNG, SANYO, SONY, SIEMENS, MATSUSHITA, PHILIPS, SGS-THOMSON и других.
Формат книги DjView. Размер архива – 3,29Mb. СКАЧАТЬ
Справочник «микросхемы для современных мониторов». Данная книга является справочным пособием по микросхемам для современных LCD и CRT мониторов. В ней приведена исчерпывающая информация о 150 микросхемах ведущих производителей полупроводниковых компонентов для мониторов.
Формат книги DjView. Размер архива – 5,77Mb. СКАЧАТЬ
Справочник «отечественные транзисторы для бытовой, промышленной и специальной аппаратуры». В этом справочнике представлена полная информация о номенклатуре, изготовителях, параметрах, корпусах и аналогах 5000 наименований транзисторов!
Формат книги DjView. Размер архива – 16,4Mb СКАЧАТЬ
Сборник их 3х справочников по импортным микросхемам, транзисторам, диодам, тиристорам и SMD компонентам. Книга 1 из 3х. В этом справочнике представлена информация по радиоэлектронным компонентам зарубежных производителей с буквенным индексом от A до R. Приводятся характеристики, цоколевка, аналоги и производители компонентов.
Размер файла – 198Mb. Формат книги DjView. Скачать с Deposit Files
Справочник по импортным микросхемам, тиристорам, диодам, транзисторам и SMD компонентам. Книга 2 из 3х. В этом справочнике представлена информация по радиоэлектронным компонентам зарубежных производителей с буквенным индексом от R до Z.
Размер файла – 319Mb. Формат книги DjView. Скачать с Deposit Files
Справочник по импортным микросхемам, тиристорам, диодам, транзисторам и SMD компонентам. Книга 3 из 3х. В этом справочнике представлена информация по радиоэлектронным компонентам зарубежных производителей с цифровым индексом от 0 до 9.
Размер файла – 180Mb. Формат книги DjView. СКАЧАТЬ
Справочник по активным SMD компонентам. Приводятся SMD коды для 33 тысяч транзисторов, тиристоров, микросхем и диодов, типовые схемы включения SMD микросхем, маркировка, характеристики, замена.
Размер архива — 16Mb. Формат книги DjView. СКАЧАТЬ
Справочник «транзисторы и их зарубежные аналоги» том 1. В первом томе справочника приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов – полевых и биполярных транзисторов малой мощности. Даются классификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке, предельных эксплуатационных режимах и условиях работы. В приложении даются зарубежные аналоги транзисторов, помещенных в справочнике.
Формат книги DjView. Размер архива – 6,19Mb СКАЧАТЬ
Справочник «транзисторы и их зарубежные аналоги» том 2. Во втором томе справочника приводится информация по низкочастотным биполярным транзисторам средней и большой мощности с указанием их зарубежных аналогов.
Формат книги DjView. Размер архива – 5,62Mb. СКАЧАТЬ
Справочник «транзисторы и их зарубежные аналоги» том 3. В третьем томе приводится справочная информация по полевым и высокочастотным биполярным транзисторам средней и большой мощности с указанием их зарубежных аналогов.
Формат книги DjView. Размер архива – 6,28Mb. СКАЧАТЬ
Справочник «маркировка радиодеталей» том 1. В книге приведены данные по буквенной, цветовой и кодовой маркировке компонентов, по кодовой маркировке зарубежных полупроводниковых приборов для поверхностного монтажа (SMD). Приведены рекомендации по использованию и проверке исправности электронных компонентов.
Формат книги DjView. Размер архива – 8Mb СКАЧАТЬ
Справочник «маркировка радиодеталей» том 2. В этой книге читатель найдет много полезной информации по маркировке микросхем, некоторых типов полупроводниковых приборов, установочных и коммутационных изделий и много другой полезной информации.
Формат книги DjView. Размер архива – 3,95Mb СКАЧАТЬ
Справочник «маркировка радиодеталей». В книге описана система маркировки отечественных и зарубежных: резисторов, конденсаторов, индуктивностей, кварцевых резонаторов, пьезоэлектрических и ПАВ-фильтров, полупроводниковых приборов, SMD-компонентов, микросхем. Описаны особенности тестирования электронных компонентов.
Формат книги DjView. Размер архива – 3,60Mb СКАЧАТЬ
Справочник по микросхемам для импортных телевизоров. В книге на Русском языке приводятся структурные схемы и назначение выводов более трехсот микросхем, применяемых в европейских и восточно-азиатских цветных телевизорах. Описание каждого прибора сопровождается функциональными диаграммами и характеристиками.
Формат книги DjWiev. Размер архива – 16Mb СКАЧАТЬ
Справочник по микросхемам для аудио и радиоаппаратуры: генераторы, ключи и переключатели, УНЧ, малошумящие и предварительные усилители, операционные усилители, регуляторы громкости и тембра, схемы управления индикаторами. В книге представлены основные особенности, цоколевки, структурные схемы и типовые схемы применения свыше 300 типов микросхем для аудиотехники.
Формат книги DjWiev. Размер архива – 10,7Mb СКАЧАТЬ
Справочник по интегральным микросхемам для промышленной электронной аппаратуры. В книге приведены условные обозначения, электрические параметры, структурные схемы, функциональное назначение (цоколевка) и конструкции корпусов широко распространенных зарубежных аналоговых и цифровых микросхем.
Формат книги DjWiev. Размер архива – 2,68Mb СКАЧАТЬ
Лучший в Европе справочник по УНЧ. В нем обобщены и систематизированы сведения о большинстве ИМС УНЧ в интегральном исполнении, выпускаемых мировыми производителями. Приведены наиболее важные характеристики микросхем, типы корпусов, цоколевка, внешний вид, аналоги, производители, функциональное назначение.
Формат книги DjWiev. Размер архива – 19,9Mb СКАЧАТЬ
Справочник по интегральным микросхемам для телевидения. В книге дан обзор интегральных микросхем, применяемых в современных телевизионных приемниках, видео- и аудиотехнике. Приведены основные параметры и характеристики микросхем, блок-схемы внутренней структуры и типовые схемы их включения.
Формат книги DjWiev. Размер архива – 2,30Mb СКАЧАТЬ
kulbakimaster.ru
подбор и взаимозаменяемость Транзисторы и диоды
В качестве преобразовательных и усилительных элементов в карманных приемниках применяются транзисторы. Наиболее распространенными и доступным» для любителей являются высокочастотные транзисторы типа П401, П402, П403, П403А, П422, П423 и низкочастотные транзисторы типа П13, П14, П15, П16 с проводимостью р-п-р и П8, П9, П10, П11 с проводимостью п-р-п. Выбирая транзисторы для приемника, следует учитывать взаимозаменяемость многих из них. Например, транзистор типа П401 можно заменить любым транзистором пяти последующих типов 400-й серии. Взаимозаменяемы также и низкочастотные транзисторы. Например, транзистор типа П13 можно заменить транзистором типа П15 или П16, а П8 — П10, П11.
Иногда любители используют в высокочастотных каскадах низкочастотные транзисторы типа П14, П15, а также П10, П11, имеющие сравнительно невысокую граничную частоту усиления. В этом случае первые два типа транзисторов можно заменить друг другом или высокочастотными транзисторами, а во втором только лишь друг другом. Выбирая низкочастотные транзисторы для применения в схеме двухтактного выходного каскада в целях получения наименьших искажений, желательно подбирать пару одинаковых приборов, незначительно отличающихся друг от друга по коэффициенту усиления В и обратному току коллектора /ко-
Полупроводниковые приборы не терпят больших электрических перегрузок, которые могут возникнуть из-за неправильного включения их в схему. Это обстоятельство обязывает начинающих радиолюбителей хорошо запомнить расположение выводов транзисторов. На рис. 1,5 показан общий вид низкочастотного транзистора’ типа П13, П14, П15, П16 (р-п-р) и П8, П9, П10, П11 (п-р-п) и схема расположения выводов базы, эмиттера и коллектора. Определить соответствующие выводы низкочастотного транзистора можно по расстоянию между ними: крайний из двух, близко расположенных, является выводом эмиттера, за ним следует вывод базы (средний) и далее — вывод коллектора. На рис. 1,4 приведен внешний вид высокочастотного транзистора и схема расположения его выводов. Вывод эмиттера обозначен цветной меткой, вывод коллектора, соединенный с корпусом транзистора, расположен по середине.
Приобретая транзисторы, радиолюбителю порой не удается подобрать приборы с рекомендуемым коэффициентом усиления. Начинающие радиолюбители обычно пренебрегают приборами с низким коэффициентом усиления, считая, что они не будут работать в схеме. Это во многих случаях не оправдывается, так как при правильном выборе режима транзистора по постоянному току схема будет вполне работоспособной. Важно лишь убедиться в исправности полупроводникового прибора и хотя бы приближенно замерить его основные параметры.
Сделать это можно с помощью простейших приборов, собранных по схемам рис. 1,5 и 1,6, пользуясь микроамперметром постоянного тока на 100—200 мка и миллиамперметром на 5—10 ма. Первая схема позволяет определить обратный ток коллектора транзистора, а вторая — его усиление. Установив с помощью сопротивления R\ коллекторный ток, равным 1—3 ма, производят отсчет показаний микроамперметра. Отношение коллекторного тока к току базы будет приближенно равно коэффициенту усиления транзистора.
Сопротивление Ri необходимо для предотвращения пробоя испытываемого транзистора при большом обратном токе коллектора.
Не менее распространенными полупроводниковыми приборами, применяемыми в схемах карманных приемников, являются диоды, используемые для детектирования высокочастотного сигнала. В продаже имеются высокочастотные диоды серий Д1, Д2 и Д9. Практически все диоды этих серий с любым буквенным индексом пригодны для указанной выше цели. Определить полярность выводов диода можно по его внешнему виду. У диодов серии Д2 (рис. 1,7) схемный знак выштам- повывается на плоском выводе, а у диодов Д1 и Д9 на корпусе со стороны анода наносится красная метка (рис. 1.8).
nauchebe.net
|
||||||
www.trzrus.ru
