Транзистор TIP122: характеристики, применение и аналоги NPN-транзистора Дарлингтона

Каковы основные характеристики транзистора TIP122. Какие существуют аналоги TIP122. Где применяется TIP122 в электронных схемах. Как правильно использовать транзистор TIP122.

Общая характеристика транзистора TIP122

TIP122 — это мощный NPN-транзистор Дарлингтона в корпусе TO-220. Он относится к семейству биполярных транзисторов и имеет следующие ключевые особенности:

• Структура Дарлингтона обеспечивает высокий коэффициент усиления по току (hFE ≥ 1000)
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер 100 В
• Максимальный ток коллектора 5 А
• Рассеиваемая мощность до 65 Вт (при использовании радиатора)
• Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Благодаря этим характеристикам TIP122 широко применяется в силовой электронике, источниках питания, драйверах двигателей и других схемах, требующих управления большими токами.

Основные электрические параметры TIP122

Рассмотрим подробнее ключевые электрические характеристики транзистора TIP122:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): 100 В
• Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO): 100 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 В
• Максимальный постоянный ток коллектора (IC): 5 А
• Максимальный импульсный ток коллектора (ICM): 8 А
• Рассеиваемая мощность (Ptot): 65 Вт при температуре корпуса 25°C
• Коэффициент усиления по току (hFE): ≥1000 при VCE=3В, IC=3А
• Граничная частота коэффициента передачи тока (fT): 4 МГц

Эти параметры позволяют использовать TIP122 в широком диапазоне применений, требующих высокого усиления тока и работы с большими нагрузками.

Области применения транзистора TIP122

Благодаря своим характеристикам, TIP122 находит применение во многих областях электроники:

• Источники питания и преобразователи напряжения
• Драйверы электродвигателей постоянного тока
• Усилители мощности звуковой частоты
• Импульсные источники питания
• Регуляторы напряжения и тока
• Переключатели больших токов
• Драйверы светодиодов высокой мощности

Рассмотрим несколько типовых схем применения TIP122:

Простой регулятор напряжения на TIP122

Транзистор TIP122 можно использовать для создания простого регулируемого источника питания. Вот пример базовой схемы:

«`text +Vin | | R1 | —-[___]—-+ | | B | C +——|——+ | __|__ | | | | | | |TIP122 | | |_____| | | | E | | | | R2 | | RL —-[___]—-+——+—> Vout | | | | GND GND Компоненты: R1: 1k — 10k (подстроечный резистор) R2: 1k RL: Нагрузка TIP122: NPN транзистор Дарлингтона Vin: Входное напряжение (нестабилизированное) Vout: Выходное напряжение (стабилизированное) Принцип работы: 1. R1 и R2 образуют делитель напряжения, задающий базовый ток TIP122 2. TIP122 работает в активном режиме, поддерживая постоянное напряжение на эмиттере 3. Изменяя R1, можно регулировать выходное напряжение Vout 4. Максимальное Vout примерно на 1.4В меньше Vin из-за падения напряжения база-эмиттер «`

В этой схеме TIP122 работает как регулирующий элемент. Изменяя сопротивление R1, можно регулировать выходное напряжение. Схема обеспечивает стабилизацию напряжения и защиту от короткого замыкания.

Драйвер мощного светодиода на TIP122

TIP122 отлично подходит для управления мощными светодиодами. Вот пример простой схемы драйвера светодиода:

«`text +12V | | R1 | —[___]—+ | | B | C +——|——+ | __|__ | | | | | | |TIP122 | | |_____| | | | E | | | | | | | | +——+ | | | | | | +++ +++ | LED R2 | — — | | | | | | | GND GND GND Компоненты: R1: 1k R2: 0.1 — 1 Ом (подбирается под конкретный светодиод) LED: Мощный светодиод (или несколько последовательно соединенных) TIP122: NPN транзистор Дарлингтона Принцип работы: 1. R1 ограничивает базовый ток TIP122 2. TIP122 работает в активном режиме, регулируя ток через светодиод 3. R2 выполняет роль токоограничивающего резистора и датчика тока 4. Ток светодиода определяется формулой: I_LED ≈ 0.65V / R2 5. При необходимости регулировки яркости, можно добавить ШИМ-сигнал на базу TIP122 «`

Эта схема позволяет эффективно управлять мощными светодиодами, обеспечивая стабильный ток. TIP122 здесь работает как токовый источник, поддерживая постоянный ток через светодиод независимо от небольших колебаний напряжения питания.

Особенности работы с TIP122

При использовании TIP122 в схемах следует учитывать несколько важных моментов:

1. Тепловой режим: При работе с большими токами необходимо обеспечить эффективный теплоотвод. Используйте радиатор и термопасту для улучшения теплопередачи.
2. Защита от перенапряжения: Рекомендуется использовать защитные диоды для предотвращения пробоя транзистора при работе с индуктивными нагрузками.
3. Ограничение базового тока: Из-за высокого коэффициента усиления TIP122 может потребоваться ограничение базового тока для предотвращения насыщения.
4. Учет падения напряжения: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер у TIP122 может достигать 2В при больших токах, что нужно учитывать при расчете схем.

Аналоги и замены TIP122

В случае отсутствия TIP122 можно использовать ряд аналогов с похожими характеристиками:

• TIP120 и TIP121 — близкие аналоги с немного отличающимися параметрами по напряжению
• 2N6043, 2N6044 — транзисторы Дарлингтона с похожими характеристиками
• BDW42, BDW43 — мощные составные транзисторы
• Отечественные аналоги: КТ8116А, КТ8116Б, КТ8147А

При замене следует внимательно сравнивать параметры транзисторов, особенно максимальные напряжения и токи, а также тепловые характеристики.

Как проверить исправность TIP122

Для проверки работоспособности TIP122 можно использовать мультиметр в режиме проверки диодов. Вот простая процедура проверки:

1. Проверка перехода база-эмиттер:
   • Подключите красный щуп к базе, черный к эмиттеру
   • Должно быть показание около 0.6-0.7В
   • При обратном подключении — бесконечное сопротивление
2. Проверка перехода база-коллектор:
   • Подключите красный щуп к базе, черный к коллектору
   • Должно быть показание около 0.6-0.7В
   • При обратном подключении — бесконечное сопротивление
3. Проверка перехода коллектор-эмиттер:
   • Подключите красный щуп к коллектору, черный к эмиттеру
   • Должно быть бесконечное сопротивление в обоих направлениях

Если все измерения соответствуют ожидаемым, транзистор, скорее всего, исправен. Однако для полной уверенности рекомендуется проверить транзистор в реальной схеме или с помощью специального тестера транзисторов.

Рекомендации по монтажу TIP122

При монтаже TIP122 в электронные устройства следует соблюдать ряд правил:

1. Используйте качественный радиатор, соответствующий мощности рассеивания в вашей схеме.
2. Применяйте термопасту между транзистором и радиатором для улучшения теплопередачи.
3. Если требуется электрическая изоляция корпуса от радиатора, используйте слюдяные прокладки и изолирующие втулки для крепежных винтов.
4. Не перетягивайте крепежные винты, чтобы не повредить корпус транзистора.
5. При пайке выводов используйте теплоотвод (например, пинцет) между местом пайки и корпусом транзистора.
6. Соблюдайте правила защиты от статического электричества при работе с транзистором.

Правильный монтаж обеспечит надежную работу TIP122 и продлит срок службы устройства.

Характеристики транзистора tip122, его российские аналоги, datasheet

Благодаря своим характеристикам транзистор tip122 возможно использовать в различных преобразователях напряжения, источниках питания, усилителях постоянного тока и коммутационных системах. Это мощный, кремниевый, составной биполярный n-p-n транзистор, изготовленный по эпитаксиально-планарной технологии с применяем схемы Дарлингтона. В связи с этим, он имеет высокий коэффициент усиления в сочетании с очень низким напряжением насыщения.

Содержание

1. Распиновка
2. Технические характеристики
3. Электрические
4. Аналоги и комплементарная пара
5. Примеры использования
6. Усилитель низкой частоты
7. Автоматический регулятор скорости вращения вентилятора
8. Производители

Распиновка

Цоколевка TIP122, если смотреть на транзистор со стороны маркировки, следующая: первая ножка слева — база, вторая — коллектор, третья — эмиттер. Выпускаются исключительно в пластмассовом корпусе TO-220 с жесткими выводами. Может встречается в полностью закрытом TO-220FP и более современном TO-220AB.

Технические характеристики

Приведем технические характеристики на транзистор TIP122. Основными для данного устройства считаются:

• Предельное напряжение между коллектором и эмиттером — 100 В;
• Максимальное напряжение между коллектором и базой — 100 В;
• Допустимое напряжение между эмиттером и базой — 5 В;
• Рассеиваемая мощность до 65 Вт;
•  Коэффициент усиления по току (hfe) от 1000;
• Максимальный ток коллектора — 8 А;
• Диапазон рабочих температур -65…+160 ⁰С, у кристалла до 150 ⁰С.

Электрические

При проектировании схем с транзистором TIP122 нужно учитывать, что прибор не должен работать в условиях, превышающих рекомендуемые производителем. Длительное воздействие напряжений, выше этих значений, может отрицательно сказаться на работоспособности устройства. Ниже, в таблице, приведены его электрические параметры для температуры 25 ⁰С.

Обязательно обращайте внимание на температурные показатели.

Аналоги и комплементарная пара

Российскими аналогами TIP122 можно назвать: КТ8147А, KT716A, KT8116B. У зарубежных производителей также множество похожих устройств: TIP121, TIP121, 2N6043, 2N6044, 2SD1196, 2SD633, 2SD970, D44D3, ECG261. Ближайшими по своим параметрам являются: KSD560(Fairchild), KTD1413 (KEC), NSP701 (National Semiconductor), RCA122 (Vishay), TIP622 (Texas Instruments), 2SC1883 (Sanyo), 2SD1414, 2SD686 (Toshiba), BDT61B (Power Inovation).

Перед заменой исходного транзистора на его аналог всегда нужно внимательно сравнивать все их показатели, и учитывать особенности электрической схемы и режимы работы.

Комплементарной парой для него будет PNP-транзистор TIP127.

Примеры использования

Вариантов применения транзистора TIP122 и его схем включения достаточно много, их просто невозможно уместить в одну статью. Поэтому рассмотрим только некоторые схемы с его участием. Первая — усилитель звуковой частоты на 12 Вт, вторая — автоматический регулятор скорости вращения вентилятора.

Усилитель низкой частоты

Данный усилитель сделан на микросхеме операционном усилителе TL081 и двух выходных транзисторах TIP122 и TIP127. При нагрузке 8 Ом рассматриваемый усилитель способен обеспечить выходную мощность 12 Вт. Напряжение питания данного прибора должно находиться в пределах от 12 до 18 вольт.

Автоматический регулятор скорости вращения вентилятора

Рассматриваемый регулятор скорости вращения вентилятора можно использовать для предотвращения перегрева различной бытовой аппаратуры, например, компьютера. Его устанавливают в корпус охлаждаемого им устройства. Данная схема позволяет автоматически регулировать скорость вращения вентилятора, в зависимости от температуры воздуха.

Температурный датчик LM335 ориентирован на работу при  -40 до +1000 градусов цельсия. Напряжение на нем будет увеличиваться на 10 мВ вместе с ростом вокруг окружающей температуры. Напряжение с него подается на неинвертирующий вход операционного усилителя LM741. Со стабилитрона 1N4733 на инвертирующий вход микросхемы, через потенциометр, подается опорное напряжение 5.1 В.

В данной схеме потенциометр предназначен для регулирования порога срабатывания вентилятора. Транзистор находится в выходном каскаде усилителя и предназначен для непосредственного управления вентилятором.

Производители

DataSheet транзистора TIP122 можно посмотреть от следующих производителей: Motorola Inc, STMicroelectronics, KEC(Korea Electronics), Unisonic Technologies, Diotec Semiconductor, TRANSYS Electronics Limited, TAITRON Components Incorporated, Dc Components, SemiHow Co. Ltd, ON Semiconductor, Micro Commercial Components, Tiger Electronic Co. Ltd, Bourns Electronic Solutions, New Jersey Semi-Conductor Products, Inc, JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD, Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

характеристики (параметры), аналоги отечественные, цоколевка

Главная » Транзистор

TIP122 — Кремниевый, NPN, планарно-эпитаксиальный составной транзистор Дарлингтона. Конструктивное исполнение – преимущественно TO-220.

Содержание

1. Корпус и цоколевка
2. Предназначение
3. Характерные особенности
4. Предельные эксплуатационные характеристики
5. Типовые термические характеристики
6. Электрические параметры
7. Модификации транзистора TIP122
8. Аналоги
9. Отечественное производство
10. Зарубежное производство
11. Графические данные

Корпус и цоколевка

Предназначение

Транзисторы разработаны для применения в усилителях общего назначения и низкоскоростных переключающих устройствах.

Характерные особенности

• Высокий статический коэффициент усиления по току: h_FE ≥ 1000 при I_C = 3 А.
• Низкое напряжение насыщения: U_CE(sat) ≤ 2 В при IC = 3 А; U_CE(sat) ≤ 4 В при I_C = 5 А.
• Комплементарная пара: TIP127.
• Малый разброс основных параметров выпускаемыхизделий от партии к партии.

Предельные эксплуатационные характеристики

Данные в таблице действительны при Ta=25°C, если не указано иное.

Характеристика		Символ	Значение
Напряжение коллектор-база, В		UCBO	100
Напряжение коллектор-эмиттер, В		UCEO	100
Напряжение база-эмиттер, В		UEBO	5
Ток коллектора постоянный, А		ICO	5
Ток коллектора пиковый, А		ICM	8
Ток базы постоянный, мА		IBO	120
Мощность рассеяния, Вт	при TС = 25°С	PC	65
	при Ta = 25°С	PC	2
Предельная температура кристалла, °С		TJ	150
Диапазон температур при хранении, °С		TSTG	от -55 до 150

Типовые термические характеристики

Характеристика	Символ	Величина
Тепловое сопротивление: коллекторный переход – внешняя среда, °С/Вт	RƟJA	62,5
Тепловое сопротивление: коллекторный переход – корпус транзистора, °С/Вт	RƟJC	1,92

Электрические параметры

Данные в таблице действительны при температуре внешней среды Ta = 25°C.

Характеристика	Обознач.	Параметры при измерениях	Значения
Ток коллектора выключения, мА	ICBO	UCB = 100 В, IE = 0	≤ 0,2
Ток выключения коллектор-эмиттер, мА	ICEO	UCE = 50 В, IB = 0	≤ 0,5
Ток базы выключения, мА	IEBO	UEB = 5 В, IC =0	≤ 2
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В *	UCE(sat) (1)	IC = 3 А, IB = 12 мА	≤ 2 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В *	UCE(sat) (2)	IC = 5 А, IB = 20 мА	≤ 4 В
Напряжение включения база-эмиттер, В *	UBE(ON)	IC = 3 А, UCE = 3,0 В	≤ 2,5
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В *	UCEO(sus)	IC = 30 мА, IB = 0	100
Статический коэффициент усиления по току *	hFE (1)	UCE = 3 В, IC = 0,5 А	≥ 1000
	hFE (2)	UCE = 3 В, IC = 3 А	≥ 1000
Выходная емкость, pF	COB	UCB = 10 В, IE = 0, f = 0,1 МГц	300

٭ — параметры сняты в импульсном режиме: ширина импульса 300 мкс, коэффициент заполнения (скважность) ≤ 2 %.

Модификации транзистора TIP122

Модель	PC ٭	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	CC, pF	hFE	Корпус
TIP122	65	100	100	5	5	150	300	≥ 1000	TO-220
TIP122F	65	100	100	5	5	150	200	≥ 1000	TO-220FP ٭٭
TIP122FP	29
TIP122L	40								TO-126
STTIP122	65								TO-220
HTIP122									TO-220AB

٭ — данные для сравнения по мощности приводятся для температуры коллектора транзистора TC = 25°C.

٭٭ — модели транзисторов TIP122F и TIP122FP выполнены в корпусе TO-220FP, обеспечивающем повышенное напряжение пробоя изоляции между выводами и внешним охладителем – 1500 В постоянного тока.

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые планарно-эпитаксиальные, NPN, составные, импульсные. Разработаны для применения в преобразователях напряжения, источниках вторичного электропитания, переключающих устройствах и других схемах аппаратуры широкого применения.

Отечественное производство

Модель	PC *	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	fT	CC, pF	hFE	Корпус
TIP122	65	100	100	5	5	150		300	≥ 1000	TO-220
КТ716А/Б	60	100/80	100/80	5	8/10	150	6	150	от 500 до 750	TO-220, TO-66
КТ8116А/Б	65		100		5		4	—	1000	TO-220
КТ8116А/Б	25		100		3		4	—	1000	DPAK
КТ8141А	60	100	100		8		7	—	750	TO-220
КТ8147А/Б	100	700/500	—	8	10		5	—	5	—
КТ8158В	125	100	100	5	12		5	—	2500	TO-218

Зарубежное производство

Модель	PC *	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	hFE	Корпус
TIP122	65	100	100	5	5	150	≥ 1000	TO-220
NTE261	65	100	100	5	8	150	1000	TO-220
NTE263	65	100	100	5	10	150	1000	TO-220
RCA122	65	100	100	5	8	150	1000	TO-220
SE9302	70	100	100	5	10	150	1000	TO-220
TIP102	80	100	100	5	8	150	1000	TO-220
TIP132	70	100	100	5	8	150	1000	TO-220
WW263	65	100	100	5	10	150	1000	TO-220
2N6045G	75	100	100	5	8	150	1000	TO-220AB
2SD498	75	100	100	5	8	150	1000	TO-220
3DA122	65	100	100	5	5	150	1000	TO-220
3DA142T	80	100	100	5	10	150	1000	TO-220
3DD122	65	100	100	5	5	150	1000	TO-220
BDW93C	80	100	100	5	12	150	15000	TO-220
CFD811	65	110	100	5	8	150	1000	TO-220FP
HEPS9151	65	100	100	5	8	150	1000	TO-220
HP102	80	100	100	5	8	150	1000	TO-220
HP122	65	100	100	5	5	150	1000	TO-220
HP142T/TS	80/70	100	100	5	10/8	150	1000	TO-220
MJE6045/T	75	100	100	5	8	150	1000	TO-220 TO-220AB

Примечание: данные в таблицах взяты из даташит производителя.

Графические данные

Рис. 1. Типичные зависимости коэффициента усиления по постоянному току h_FE от коллекторной нагрузки I_C.

Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора T_C в режиме повторяющихся импульсов длительностью t_p = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. При этом коллекторное напряжение U_CE = 3 В.

Рис. 2. Зависимости напряжения насыщения транзистора U_CE(sat) от коллекторной нагрузки I_C.

Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора T_C в режиме повторяющихся импульсов длительностью t_p = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. Ток базы I_B соотносится с током коллектора I_Cкак 1:100.

Рис. 3. Зависимости напряжения насыщения базы U_BE(sat) от коллекторной нагрузки I_C.

Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора T_C в режиме повторяющихся импульсов длительностью t_p = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. Ток базы I_B соотносится с током коллектора I_Cкак 1:100.

Рис. 4. Зависимости входной C_ib и выходной C_ob емкостей от обратных напряжений, приложенных к коллекторному и базовому p-n переходам U_CB и U_EB.

Зависимости сняты при частоте приложенных напряжений f = 0,1 МГц.

Рис. 5. Ограничение предельной рассеиваемой мощности P_C транзистора при возрастании температуры коллекторного перехода T_C.

Рис. 6. Области безопасной работы транзистора.

Области безопасной работы ограничиваются:

• по напряжению — величиной напряжения коллектор-эмиттер, чреватой невосстановимым пробоем п/п структуры транзистора;
• по величине тока – предельным значением тока в цепи коллектор-эмиттер, при котором происходит локальный перегрев и прожигание п/п структуры;
• по величине рассеиваемой мощности – предельным значением, при котором в результате перегрева параметры транзистора безвозвратно изменяются в сторону их ухудшения.

Графические характеристики сняты при различных значениях предельной импульсной мощности в режимах с однократными неповторяющимися импульсами тока длительностей 100 мкс, 500 мкс, 1 мс, 5 мс, а также при постоянном токе (на графике обозначен как DC).

аналоги отечественные, характеристики транзистора, микросхема, даташит, аналог

Аналоги (замена) транзистора Tip122:

↓ Type	Mat	Struct	Pc	Ucb	Uce	Ueb	Ic	Tj	Hfe	Caps
2N6045G	Si	NPN	75,00	100,00	100,00	5,00	8,00	150,00	1000,00	TO220AB
2SD1026	Si	NPN	100,00	100,00	100,00		15,00	175,00	3000,00	TO220
2SD1027	Si	NPN	100,00	200,00	200,00		15,00	175,00	3000,00	TO220
2SD1122	Si	NPN	80,00	200,00			5,00	150,00	1000,00	TO220
2SD1123	Si	NPN	100,00	200,00			8,00	150,00	1000,00	TO220
2SD1170	Si	NPN	70,00	120,00			5,00	175,00	4000,00	TO220
2SD1525	Si	NPN	150,00	100,00	100,00	5,00	30,00	150,00	2000,00	TO220
2SD1894	Si	NPN	70,00	160,00			7,00	150,00	15000,00	TO220
2SD1895	Si	NPN	100,00	160,00			8,00	150,00	15000,00	TO220
2SD498	Si	NPN	75,00	100,00		5,00	8,00	150,00	3000,00	TO220
3DA122	Si	NPN	65,00	100,00	100,00	5,00	5,00	150,00	1000,00	TO220
3DA142T	Si	NPN	80,00	100,00	100,00	5,00	10,00	150,00	1000,00	TO220
3DD122	Si	NPN	65,00	100,00	100,00	5,00	5,00	150,00	1000,00	TO220
BDT63B	Si	NPN	90,00	100,00	100,00	5,00	15,00	150,00	2000,00	TO220
BDT63C	Si	NPN	90,00	120,00	120,00	5,00	15,00	150,00	2000,00	TO220
BDT65B	Si	NPN	125,00	100,00	100,00		12,00	150,00	2000,00	TO220
BDT65C	Si	NPN	125,00	120,00	120,00		12,00	150,00	2000,00	TO220
BDW42	Si	NPN	85,00	100,00	100,00	5,00	15,00	150,00	2000,00	TO220
BDW43	Si	NPN	85,00	120,00	120,00	5,00	15,00	150,00	2000,00	TO220
BDW93C	Si	NPN	80,00	100,00	100,00	5,00	12,00	150,00	15000,00	TO220
BTC1510E3	Si	NPN	65,00	150,00	150,00	5,00	10,00	150,00	2000,00	TO220
BU941ZLE3	Si	NPN	150,00	350,00	350,00	5,00	15,00	175,00	1000,00	TO220
CFD811	Si	NPN	65,00	110,00	100,00	5,00	8,00	150,00	1000,00	TO220FP
ECG2343	Si	NPN	125,00		120,00		12,00	150,00	1000,00	TO220
HEPS9151	Si	NPN	65,00	100,00			8,00	150,00	1000,00	TO220
HP102	Si	NPN	80,00	100,00	100,00	5,00	8,00	150,00	1000,00	TO220
HP122	Si	NPN	65,00	100,00	100,00	5,00	5,00	150,00	1000,00	TO220
HP142T	Si	NPN	80,00	100,00	100,00	5,00	10,00	150,00	1000,00	TO220
HP142TS	Si	NPN	70,00	100,00	100,00	5,00	8,00	150,00	1000,00	TO220
HTIP122	Si	NPN	65,00	100,00	100,00	5,00	5,00	150,00	1000,00	TO220AB
MJE6045	Si	NPN	75,00	100,00	100,00	5,00	8,00	150,00	1000,00	TO220
MJE6045T	Si	NPN	75,00	100,00	100,00	5,00	8,00	150,00	1000,00	TO220AB
NTE2343	Si	NPN	80,00	120,00	120,00	5,00	12,00		1000,00	TO220
NTE261	Si	NPN	65,00	100,00	100,00	5,00	8,00		1000,00	TO220
NTE263	Si	NPN	65,00	100,00	100,00	5,00	10,00		1000,00	TO220
RCA122	Si	NPN	65,00	100,00	100,00	5,00	8,00	150,00	1000,00	TO220
SE9302	Si	NPN	70,00	100,00	100,00	5,00	10,00	150,00	1000,00	TO220
SGSD00020	Si	NPN	70,00	650,00	400,00		8,00	175,00	1000,00	TO220
SGSD93E	Si	NPN	80,00	160,00	140,00		12,00	175,00	1000,00	TO220
SGSD93F	Si	NPN	80,00	180,00	160,00		12,00	175,00	1000,00	TO220
SGSD93G	Si	NPN	80,00	200,00	180,00		12,00	175,00	1000,00	TO220
SGSF321	Si	NPN	70,00	850,00	400,00		5,00	175,00		TO220
SGSF323	Si	NPN	70,00	850,00	450,00		5,00	175,00		TO220
SGSF341	Si	NPN	85,00	850,00	400,00		10,00	175,00		TO220
SGSF343	Si	NPN	85,00	1000,00	450,00		8,00	175,00		TO220
SGSF344	Si	NPN	85,00	1200,00	600,00		7,00	175,00		TO220
STBDW42	Si	NPN	85,00	100,00	100,00	5,00	15,00	150,00	1000,00	TO220
STTIP122	Si	NPN	65,00	100,00	100,00	5,00	5,00	150,00	1000,00	TO220
TIP102	Si	NPN	80,00	100,00	100,00	5,00	8,00	150,00	1000,00	TO220
TIP122	Si	NPN	65,00	100,00	100,00	5,00	5,00	150,00	1000,00	TO220
TIP122F	Si	NPN	65,00	100,00	100,00	5,00	5,00	150,00	1000,00	TO220FP
TIP132	Si	NPN	70,00	100,00	100,00	5,00	8,00	150,00	1000,00	TO220
WW263	Si	NPN	65,00	100,00	100,00	5,00	10,00	150,00	1000,00	TO220

Биполярный транзистор TIP122 — описание производителя.

Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: TIP122

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
• Корпус транзистора: TO220

Характеристики популярных аналогов

Наименование производителя: 2N6045G

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
• Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
• Корпус транзистора: TO220AB

Наименование производителя: 2SD1026

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 3000
• Корпус транзистора: TO220

Наименование производителя: 2SD1027

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 3000
• Корпус транзистора: TO220

Наименование производителя: 2SD1122

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
• Корпус транзистора: TO220

Наименование производителя: 2SD1123

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
• Корпус транзистора: TO220

эквивалент%20%20tip122 техническое описание и примечания по применению

Лучшие результаты (6)

org/Product»>

Часть	Модель ECAD	Производитель	Описание	Техническое описание Скачать	Купить часть
TMP89FS60AUG		Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	8-разрядный микроконтроллер/производительность процессора, эквивалентная 16-разрядному MCU/LQFP64-P-1010-0.50E
TMP89FS63AUG		Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	8-разрядный микроконтроллер/производительность процессора, эквивалентная 16-разрядному MCU/LQFP52-P-1010-0.65
ТМП89ФС60БФГ		Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	8-разрядный микроконтроллер/производительность процессора, эквивалентная 16-разрядному MCU/P-LQFP64-1414-0. 80-002
TMP89FS63BUG		Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	8-разрядный микроконтроллер/производительность процессора, эквивалентная 16-разрядному MCU/P-LQFP52-1010-0.65-002
ТМП89ФС60АЭФГ		Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	8-разрядный микроконтроллер/производительность процессора, эквивалентная 16-разрядному MCU/QFP64-P-1414-0.80A
TMP89FS62BUG		Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	8-разрядный микроконтроллер/производительность процессора, эквивалентная 16-разрядному MCU/P-LQFP44-1010-0. 80-003

эквивалент%20%20tip122 Листы данных Context Search

org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»>

Каталог данных	MFG и тип	ПДФ	Теги документов
Продолжить PCD3 Резюме: A/ICE2QS03 ​​эквивалент TI040 TI041 эквивалент a/TDA7292 Micro Circuit Engineering IE-V850ES-G1 uPC393G2 эквивалент a/k5a50d 74hc1574 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	144 ГДж ЭА-144-20-0 ГМА144-20-0 U16594EJ1V0UM Продолжить PCD3 Эквивалент A/ICE2QS03 ТИ040 ТИ041 аналог a/TDA7292 Микросхемотехника IE-V850ES-G1 uPC393G2 аналог а/к5а50д 74hc1574
МСМ 7225 Резюме: MOLEX 10PIN SD CARD TT 2146 гнездовой разъем для печатной платы 9pin d-sub 15PIN D-SUB РАЗЪЕМЫ 68pin TO 50 PIN SCSI разъем 50 pin (2×25), разъемы с шагом 2 мм 50PIN D-SUB РАЗЪЕМЫ jst phr-6 68pin SCSI разъем Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	СЛМ-132-01-Г-С СЛМ-140-01-Г-С СЛМ-150-01-Г-С СЛМ-103-01-Г-С СЛМ-104-01-Г-С СЛМ-106-01-Г-С СЛМ-122-01-Г-С СЛМ-104-01-Г-Д СЛМ-105-01-Г-Д СЛМ-106-01-Г-Д МСМ 7225 10-контактная SD-карта MOLEX ТТ 2146 гнездовой разъем для печатной платы 9штифт d-sub 15-КОНТАКТНЫЕ РАЗЪЕМЫ D-SUB 68-контактный 50-контактный разъем SCSI 50-контактные (2×25), разъемы с шагом 2 мм 50-КОНТАКТНЫЕ РАЗЪЕМЫ D-SUB jst фраза-6 68-контактный разъем SCSI
2014 — 2SB646(A) эквивалент Реферат: SKIIP 12NAB126 V23990-K218-F40-PM 11AC126V1 80-M006PNB010SA01-K615D A/APM2055N аналог 23NAB126V1 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF
МРФ947T1 эквивалент Резюме: эквивалентный транзистор MRF947T1 NJ1006 BFP320 fll120mk FLL101ME MGF4919G fujitsu gaas fet fhx76lp HPMA-2086 MMBR521L Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1977 2SA1978 2SC2351 2SC3355 2SC3357 2SC3545 2SC3583 2SC3585 2SC4093 2SC4094 Эквивалент MRF947T1 Эквивалентный транзистор MRF947T1 NJ1006 БФП320 полный120мк FLL101ME MGF4919G fujitsu gaas fet fhx76lp ГПМА-2086 ММБР521Л
1999 — эквивалентные транзисторы BC107 Резюме: эквивалент 2n5401 эквивалент BC557 эквивалент 2N2907 эквивалент 2n2905 замена bc327 эквивалент bc237 эквивалент MPSa06 эквивалент для замены BC337 bc327 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2Н1613 2Н1711 2Н1893 2Н2219 2Н2219А 2Н2222/А 2Н2369/А 2Н2484 2Н2905 2Н2905А Транзисторы, эквивалентные BC107 эквивалент 2n5401 Эквивалент BC557 2Н2907 эквивалент 2н2905 замена эквивалент bc327 эквивалент bc237 Эквивалент MPSa06 эквивалент для BC337 замена бк327
релиматный соединитель Резюме: micro USB 5Pin B SMT VHDCI 68-контактный разъем разъема Molex, штекер 6, разъем для SD-карты 1,27 мм, площадь основания для печатной платы, 48-контактный полуевро разъем, USB-разъем типа A, женский DIP, прямой 68-контактный разъем SCSI, серия MKL, MOLEX 1,5-мм контактный разъем. Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	15PIN релиматный соединитель микро-USB 5Pin B SMT ВХДКИ 68pin Соединитель разъема Molex, штекер 6 1,27 мм Гнездо для SD-карты, отпечаток на печатной плате 48-контактный полуевро разъем USB-разъем типа A Женский DIP Прямой 68-контактный разъем SCSI серия МКЛ Штыревой разъем MOLEX 1,5 мм
СМ160100 Резюме: CM160224 cm160200 cm200400 CM160211 CM200201 KS0066 CM080200 KS0066 техническое описание cm400202 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	CM080200 CM080210 СМ160100 СМ160108 СМ160110 СМ160112 СМ160200 СМ160211 СМ160220 СМ160222 СМ160100 СМ160224 см160200 см200400 СМ160211 СМ200201 KS0066 CM080200 Лист данных KS0066 см400202
ЖК-дисплей 1602G Резюме: 1602a* LCD LCD 2004A 0802A LCD LCD 240*128 T6963C 12864B SG-32240C LCD 1602a LCD 1602B LCD 1602D Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	СК-0802А СК-1202А СК-1601С СК-1601D СК-Б1601А СК-B1601B СК-1602А СК-1602Б СК-1602С СК-1602D ЖК 1602G 1602a* ЖК ЖК 2004А ЖК-дисплей 0802A ЖК-дисплей 240*128 T6963C 12864Б СГ-32240С ЖК 1602а ЖК 1602Б ЖК 1602D
Реле OMRON G2V-2 12 В Реферат: OMRON G2V-2 6V реле JR2a-DC24V FRL264 rz-24 реле Panasonic RELAY Cross Reference NEC OMRON RA4-24WM-K RA12WN-K TF2SA-12V RA5WN-K Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	MK3P5-S-AC12 MK3P5-S-AC120 MK3P5-S-AC24 MK3P5-S-AC240 54024У200 G7L-1A-БУБ-JCB-AC200/240 G7L-1A-ТУБ-JCB-AC200/240 54026У200 АС200/240 Реле OMRON G2V-2 12В Реле OMRON G2V-2 6В JR2a-DC24V 264 франка реле рз-24 Перекрестная ссылка Panasonic RELAY NEC OMRON РА4-24ВМ-К РА12ВН-К ТФ2СА-12В РА5ВН-К
аналог smd mosfet Резюме: Конденсатор 4700 мкФ SMD 6 PIN IC ДЛЯ PWM резистор smd паразитная емкость sk15 усилитель mosfet 2n7000 mosfet SMD 6 PIN IC для PWM smd ic SUPERVISOR RESET 1 Вт драйвер светодиодов SMD ic smd конденсатор распиновка Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	ХВ9606ДБ1 ХВ9606ДБ1 ХВ9606 350 мВт. 150 мВт. 500 мВт. СМД-0805 аналог smd мосфет конденсатор 4700мкФ SMD 6 PIN IC для PWM паразитная емкость резистора smd ск15 усилитель мосфет 2n7000 MOSFET SMD 6 PIN IC для PWM smd ic СУПЕРВАЙЗЕР СБРОС 1 Вт светодиодный драйвер SMD ic распиновка смд конденсатора
CY78991 Резюме: upd76f0047 UPD76F uPD76F00 IE-V850ES-GS1 IEV850ES-GS1 cy78991v PG-FP4 эквивалент gc120 PD76F00 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF
2009 — эквивалент TIC106M-S Резюме: TIC106D-S DO92 DO-92 tic106d TIC106M-S 2009 to92 TISP4080M3LM-S Каталог Борна TIC106M Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF
YQSOCKET100SDF Резюме: CD 5888 CA850 V850ES IE-V850ES-G1 nec Терминология операционных усилителей Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	HQPACK100SD U16879EJ1V0UM YQSOCKET100SDF YQSOCKET100SDF CD 5888 CA850 V850ES IE-V850ES-G1 Терминология операционных усилителей nec
CD 5888 КБ Реферат: uPD703191 CD 5888 tip71 v850es/sj3 uPC393 IE-V850ES-G1 диод P710 диод p711 PCT398 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF
2003 — CLK180 Аннотация: VHDL-код DS485 для DCM Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	DS485 CLK180 vhdl-код для DCM
1N4148 КОМПЛЕКТ ДЛЯ СМД Реферат: 1N4148 эквивалент SMD 1N4148 sod123 эквивалент диода 1n4148 1N4148 эквивалент DL-35 для стабилитрона 1N4148 1N4148 SMD sot23 ПАКЕТ 1n4148 smd диод smd 1a 100v диодный мост Panasonic PPS пленка Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	ХВ9906ДБ3 ХВ9906ДБ3 ХВ9906 СМД1206 СМД0805 1N4148 СМД ПАКЕТ 1N4148 аналог SMD 1Н4148 сод123 Диод эквивалент 1n4148 1Н4148 ДЛ-35 эквивалент для стабилитрона 1N4148 1Н4148 СМД сот23 КОМПЛЕКТ 1н4148 смд диод smd 1a 100v диодный мост Пленка Panasonic PPS
2002 — 1N4148 сод123 Резюме: 1N4148, эквивалентный SMD-диод, эквивалентный 1n4148 1N4148 SMD PACKAGE, эквивалент упаковки DL-41 для стабилитрона 1N4148, эквивалентный диоду 1n4148, мостовой диод 1N4148 SMD, 1N4148 DL-35, пленка Panasonic PPS Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	ХВ9906ДБ3 ХВ9906ДБ3 ХВ9906 ХВ9906 СМД1206 СМД0805 1Н4148 сод123 1N4148 аналог SMD Диод эквивалент 1n4148 1N4148 СМД ПАКЕТ Пакет ДЛ-41 эквивалент для стабилитрона 1N4148 Диодный эквивалент моста 1n4148 диод 1N4148 для поверхностного монтажа 1Н4148 ДЛ-35 Пленка Panasonic PPS
2003 — на2х Резюме: DF211 AA44 na4x AMI350HXSC DL011 DL021 sce 08-40 ami-350 AA2X Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	АМИ350HXSC na2x ДФ211 АА44 на4х DL011 DL021 сц 08-40 ами-350 АА2Х
1N4148 СОД323 Реферат: Диод Эквивалент 1n4148 HV9906DB6 BYD77D Стабилитрон 1n4148 smd-3528 Аналог 1N4148 SMD 1N4148 SMD ПАКЕТ 2,2 мкФ 100В BYD77G Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	ХВ9906ДБ6 ХВ9906ДБ6 ХВ9906 СМД0805 СМД0603 ДЛ-41 1N4148 СОД323 Диод эквивалент 1n4148 BYD77D стабилитрон 1н4148 СМД-3528 1N4148 аналог SMD 1N4148 СМД ПАКЕТ 2,2 мкФ 100В BYD77G
1N4148 СОД323 Реферат: 1N4148 SMD PACKAGE HV9906DB6 sot87 BYD77D philips 1n4148 SMD стабилитрон 4. 7V SMD3528 танталовый конденсатор SMD3528 конденсатор 0.01 мкФ 400v Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	ХВ9906ДБ6 ХВ9906ДБ6 ХВ9906 СМД0805 СМД0603 ДЛ-41 1N4148 СОД323 1N4148 СМД ПАКЕТ сот87 BYD77D Philips 1n4148 для поверхностного монтажа стабилитрон 4,7В Танталовый конденсатор SMD3528 СМД3528 конденсатор 0.01 мкФ 400В
молекс 2759Т 08-50 Реферат: Провод WIESON 2510c888-001 1007 AWG24 Socket 754 C1100 AMD Athlon Socket 754 Dow Corning 340 Радиатор Socket 478 Dow Corning AMD Athlon 5000 k8 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	ФХС-А7015А40/ФХС-А7015Б40 28oC/Вт С1100 СК102 288А0404 молекс 2759Т 08-50 ВИСОН 2510c888-001 провод 1007 AWG24 Сокет 754 АМД атлон сокет 754 Доу Корнинг 340 гнездо радиатора 478 Доу Корнинг АМД Атлон 5000 к8
2004 — Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	ГТ1-1С-2428 ГТ1-1С-30 ГТ1-1С-2022 ГТ1-1П-30 ГТ1-1П-2428
1N4148 КОМПЛЕКТ ДЛЯ СМД Реферат: 1N4148 sod123 100uH SMD 105k 250v конденсатор пленочный 105k 250v 1N4148 DL-35 PNP 200V 2A SOT89Диод эквивалентный 1n4148 TVS DIODE 6K 1N4148_SOD-123 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	ХВ9906ДБ4 ХВ9906ДБ4 750 мА. ХВ9906 СМД0805 1N4148 СМД ПАКЕТ 1Н4148 сод123 100 мкГн для поверхностного монтажа конденсатор 105к 250в фильм 105к 250в 1Н4148 ДЛ-35 ПНП 200В 2А СОТ89 Диод эквивалент 1n4148 ТВС ДИОД 6K 1Н4148_СОД-123
1N4148 СОД323 Реферат: 1N4148 SMD КОМПАКТНЫЙ стабилитрон 4. 7V BYD77D SMD3528 танталовый конденсатор 1N4148 SMD ст микроэлектроника smd стабилитрон philips 1n4148 SMD BYD77D 200V/2A HV9906ДБ6 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	ХВ9906ДБ6 ХВ9906ДБ6 ХВ9906 СМД0805 СМД0603 1N4148 СОД323 1N4148 СМД ПАКЕТ стабилитрон 4,7В BYD77D Танталовый конденсатор SMD3528 1Н4148 СМД ст микроэлектроника smd стабилитрон Philips 1n4148 для поверхностного монтажа БИД77Д 200В/2А
ФМ0х324З Реферат: Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	ФМК0х434ЗТП( ФМ0х324З FM0V224ZTP ФМК0х204З ФМК0х434ЗТП ФМЭ0х323З ФМ0х573З ФМ0х203З ФМ0х203ЗТП ФМ0х204З ФМ0х204ЗТП

Предыдущий 1 2 3 … 23 24 25 Далее

Транзистор TIP122 Распиновка, техническое описание, замена [Часто задаваемые вопросы]

Описание

TIP122 представляет собой транзистор Дарлингтона NPN. Транзистор Дарлингтона означает, что два транзистора в одном корпусе подключены для увеличения коэффициента усиления на выходе. Транзистор TIP122 имеет много хороших характеристик, таких как ток коллектора 5 А, максимальное напряжение эмиттер-база 5 В, максимальное рассеивание коллектора 65 Вт, минимальный и максимальный коэффициент усиления по току равны 1000. Этот транзистор предназначен для использования в качестве переключателя и для усиления. целей.

Catalog

Description

TIP122 Component Datasheet

TIP122 Pinout

TIP122 Features

TIP122 Applications

TIP122 Экологическая и экспортная классификации

TIP122 Параметры

Working of TIP122

How to Safely Long Run in a Circuit

Darlington Circuit Schematic

Where to use TIP122

How to use TIP122

Замена и эквивалент TIP122

Дополнение к TIP122

TIP122 Альтернативные транзисторы NPN

TIP122 Same Family Transistors

Additional Resources

FAQ

Ordering & Quantity

---

TIP122 Component Datasheet

Тип ресурса	Звено
Спецификации	ТИП120-22 ТИП120-22, ТИП125-27 TO220B03 Чертеж упаковки
PCN Устаревание/ EOL	Несколько устройств 19 июня 2009 г. Многофункциональное устройство EOL 19 мая 2017 г.
Конструкция/спецификация PCN	Изменения конструкции радиатора 24 февраля 2014 г. Логотип 17 августа 2017 г.
PCN Упаковка	Обновление штрих-кода ленты и коробки/катушки от 07 августа 2014 г. Мультиустройства 24 октября 2017 г.
HTML Техническое описание	TO220B03 Чертеж упаковки

---

Распиновка TIP122

 

Номер контакта	Название контакта	Описание
1	База	Он управляет смещением транзистора и работает для включения или выключения транзистора.
2	Коллектор	Ток протекает через коллектор, обычно подключенный к нагрузке
3	Излучатель	Ток выходит через эмиттер, он обычно соединен с землей.

---

Особенности TIP122

• Высокий коэффициент усиления постоянного тока —
9

V _{Генеральный директор (SUS)} = 60 В постоянного тока (мин) — TIP120, TIP125

= 80 В постоянного тока (мин.) — TIP121, TIP126

= 100 В пост. Напряжение насыщения —

В _CE(sat) = 2,0 В пост. тока (макс.) при IC = 3,0 А пост. тока

= 4,0 В _{пост. тока (макс.)} при IC = 5,0 А пост. тока

• Монолитная конструкция со встроенными шунтирующими резисторами база-эмиттер
• Доступны пакеты без свинца*

---

TIP122 Приложения

• Аудио -амплификатор

• Стадии аудио -амплификатора

• Аудиционные презервативы

• Экологические нагрузки

9067

TIP1222 • Экологические нагрузки до 5A

9067

TIP122222.

Атрибут

Описание

Статус RoHS

Не соответствует требованиям RoHS

Уровень чувствительности к влаге (MSL)

1 (без ограничений)

---

Параметры TIP122

Базовый номер продукта	ТИП122
Категория	Дискретные полупроводниковые изделия — транзисторы — биполярные (BJT) — одинарные
Коллектор-База Напряжение VCBO	100 В
Конфигурация	Одноместный
Ток — коллектор (Ic) (макс.)	5 А
Отсечка тока коллектора (макс.)	500 мкА
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин. ) при Ic, Vce	1000 при 3А, 3В
Описание	ТРАНС НПН ДАРЛ 100В 5А TO220AB
Подробное описание	Биполярный (BJT) транзистор
Напряжение эмиттер-база VEBO	5 В
Количество в заводской упаковке	200
Высота	9,4 мм
Длина	10,67 мм
Производитель	ПО Полупроводник
Номер продукта производителя	ТИП122
Максимальный ток отсечки коллектора	200 мкА
Максимальный постоянный ток коллектора	5 А
Максимальная рабочая температура	+ 150°С
Минимальная рабочая температура	— 65 С
Тип крепления	Сквозное отверстие
Тип крепления	Сквозное отверстие
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C (ТДж)
Упаковка	оптом
Статус детали	Устаревший
Мощность — Макс.	2 Вт
Тип продукта	Транзисторы Дарлингтона
Серия	TIP122
Подкатегория	Транзисторы
Транзистор Тип	НПН — Дарлингтон
Удельный вес	0,042329 унций
Насыщенность Vce (макс.) @ Ib, Ic	4 В при 20 мА, 5 А
Пробой эмиттера коллектора напряжения (макс.)	100 В
Ширина	4,83 мм

---

Работа TIP122

Этот транзистор известен своим более высоким коэффициентом усиления по току, который составляет 1000, и более высоким током коллектора 5 ампер, поэтому он обычно используется для переключения

Этот транзистор имеет меньшую базу и эмиттер. Напряжение всего 5 В впредь может быть легко организовано с помощью логического устройства, такого как микроконтроллер

Однако необходимо принять меры предосторожности, чтобы проверить, могут ли логические устройства выдерживать ток до 120 мА.

Несмотря на то, что TIP122 имеет чрезвычайно высокий ток на коллекторе и коэффициент усиления по току, беспристрастно скромно переключать устройство, в то время как его напряжение эмиттер-база (VBE) составляет всего 5 В, а Ib всего 120 мА.

---

Как безопасно долго работать в цепи

Чтобы получить лучшую производительность с этим дорогим транзистором, мы рекомендуем всегда оставаться ниже его максимальных значений. Не используйте его в цепях с напряжением более 100 В. Не давайте нагрузку более 5А. Всегда используйте подходящий базовый резистор, чтобы обеспечить требуемый ток на его базе. Используйте подходящий радиатор, чтобы защитить его от перегрева, и храните или используйте его при температуре ниже -65 градусов по Цельсию и выше +150 градусов по Цельсию.

---

Схема цепи Дарлингтона

---

Где использовать TIP122

Этот транзистор известен своим высоким коэффициентом усиления по току (hfe = 1000) и высоким током коллектора (IC = 5A), поэтому он обычно используется для управления нагрузками с высоким током или в приложениях с высоким требуется усиление. Этот транзистор имеет низкое напряжение база-эмиттер всего 5 В, поэтому им легко управлять с помощью логических устройств, таких как микроконтроллеры. Хотя необходимо позаботиться о том, чтобы проверить, может ли логическое устройство подавать ток до 120 мА.

Итак, если вы ищете транзистор, которым можно было бы легко управлять с помощью логического устройства для переключения нагрузок большой мощности или для усиления сильного тока, то этот транзистор может стать идеальным выбором для вашего приложения.

---

Как использовать TIP122

Несмотря на то, что TIP имеет высокий ток коллектора и коэффициент усиления по току, управлять устройством довольно просто, поскольку оно имеет напряжение эмиттер-база (VBE) всего 5 В и ток базы всего 120 мА. В приведенной ниже схеме я использовал TIP122 для управления двигателем 48 В, который имеет непрерывный ток около 3 А.

Непрерывный ток коллектора этого транзистора составляет 5 А, а наша нагрузка потребляет всего 3 А, что нормально. Максимальный базовый ток составляет около 120 мА, но я использовал высокое значение резистора 100 Ом, чтобы ограничить его до 42 мА. Вы можете использовать даже резистор 1K, если ваши требования к току коллектора меньше. Пиковый (импульсный) ток этого транзистора составляет 8 А, поэтому убедитесь, что ваш двигатель не потребляет больше этого. Это всего лишь принципиальная схема модели, показывающая работу этого транзистора, он не может использоваться как таковой. Таким же образом вы можете контролировать свою нагрузку.

---

TIP122 Замена и аналог

TIP132, TIP102, NTE261, NTE263, 2N6045, 2N6045G, 2SD2495, BDT65B, 2N6532, BDT63B, BDW43, TIP142T схема)

TIP22 представляет собой транзистор с парой сердечных сокращений, изготовленный в корпусе TO-220, его хорошо использовать в качестве переключателя с высоким коэффициентом усиления или усилителя.

---

Дополнение TIP122

Дополнение транзистора TIP122 — TIP127.

---

TIP122 Alternative NPN Transistors

BC547, BC548,BC549, BC636, BC639, 2N2369, 2N3055, 2N3904, 2N3906, 2SC5200

---

TIP122 Same Family Transistors

NPN Family transistors are TIP120, TIP121, TIP122, and PNP Family являются TIP125, TIP126, TIP127 (PNP)

---

Дополнительные ресурсы

Атрибут	Описание
Другие названия	ТИП122ФС ТИП122ФС-НД TIP122FS-NDR ТИП122ОС

---

Часто задаваемые вопросы

Что такое транзистор TIP122? Транзистор TIP122 представляет собой транзистор Дарлингтона NPN. … Транзистор Дарлингтона TIP122 имеет много хороших характеристик, таких как ток коллектора 5 А, максимальное напряжение эмиттер-база 5 В, максимальное рассеивание коллектора 65 Вт и так далее. Этот транзистор изготовлен для использования в качестве переключателя и для целей усиления.

Какой тип корпуса используется для транзистора TIP122? TIP122 представляет собой кремниевый NPN-транзистор Дарлингтона в корпусе типа TO-220, предназначенный для применения в усилителях общего назначения и низкоскоростных переключателях.

Как проверить транзистор TIP122? Харвино. Правильный способ проверки — настроить цифровой мультиметр на проверку диодов (обычно 2 кОм по шкале Ом). Транзисторы имеют три ножки; эмиттер, база и коллектор.

Как узнать, перегорел ли мой транзистор? Подсоедините базовую клемму транзистора к клемме, отмеченной положительной (обычно красной) на мультиметре. Подсоедините клемму, помеченную как отрицательная или общая (обычно черного цвета), к коллектору и измерьте сопротивление. Он должен показывать обрыв цепи (для транзистора PNP должно быть отклонение).

Что такое 3 вывода транзистора? Биполярный транзистор имеет клеммы, обозначенные как база, коллектор и эмиттер. Небольшой ток на клемме базы (то есть, протекающий между базой и эмиттером) может контролировать или коммутировать гораздо больший ток между клеммами коллектора и эмиттера.

Как заставить мини-усилитель звука использовать транзистор TIP122 / TIP127?

Введение в TIP122 — Инженерные проекты

В сегодняшнем уроке мы рассмотрим подробное введение в TIP122. Это NPN-транзистор со скобками Дарлингтона. Работает как обычный NPN

Привет, друзья! Надеюсь, у вас все хорошо. В сегодняшнем уроке мы подробно рассмотрим Введение в TIP122. I t представляет собой NPN-транзистор со скобками Дарлингтона. Он работает как обычный NPN-транзистор, но, поскольку он состоит из пары Дарлингтона, он имеет приличную оценку тока коллектора около 5 ампер, а его коэффициент усиления составляет около 1000. Благодаря этой особенности этот транзистор может выдерживать 100 вольт вокруг выводов коллектора и эмиттера. можно использовать при высоких нагрузках. Это транзистор общего назначения, который используется в различных промышленных проектах. Это сделано за меньшее время, требующее переключения представлений. В сегодняшнем посте мы рассмотрим его защиту, крушение, отличие, права и т. д. Я также поделюсь некоторыми ссылками, где я связывал его с другими микроконтроллерами. Вы также можете получить больше материала об этом в комментариях, я расскажу вам об этом подробнее. Итак, давайте начнем с базовой Введение в TIP122.

Знакомство с TIP122

• I t представляет собой NPN-транзистор со скобками Дарлингтона. Он работает как обычный NPN-транзистор, но, поскольку состоит из пары Дарлингтона, имеет приличную оценку тока коллектора около 5 ампер и коэффициент усиления около 1000.

• Этот транзистор известен своим более высоким коэффициентом усиления по току, который составляет 1000, и он использует более высокий ток на коллекторе, который составляет 5 ампер.
• Из-за более высокого коэффициента усиления по току и большого тока коллектора (IC) он используется в таких нагрузках, которые используют более высокий ток, и его использование для таких подач, которые требуют более высокого усиления.
• Этот транзистор потребляет меньше напряжения всего на пять вольт между базой и эмиттером, поэтому его можно легко организовать с помощью логического устройства, такого как микроконтроллер.
• Однако следует принять меры предосторожности, чтобы проверить, может ли логический выход подавать ток до 120 мА.
• Итак, если вы ищете транзистор, который можно легко организовать с помощью логического способа для модификации нагрузок с высоким энергопотреблением или для усиления более высокого тока, то этот транзистор может стать идеальным вариантом для ваших запросов.

  Распиновка TIP122

• Это основная распиновка TIP122:

Номер штифта	Тип	Параметры
Контакт № 1	Излучатель	Ток выходит через эмиттер, он обычно соединен с землей.
Контакт № 2	База	Он управляет смещением транзистора и работает для включения или выключения транзистора.
Контакт № 3	Коллектор	Изменения тока в коллекторе, обычно связанные с нагрузкой

Посмотрим схему распиновки TIP122:

Характеристики TIP122

• Это основные характеристики TIP122.
  • Представлен в Компендиуме ТО-220.
  • Это NPN-транзистор средней мощности Дарлингтона.
  • Имеет большее усиление постоянного тока, значение которого равно 1000.
  • Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 5 А.
  • Его напряжение поперек коллектора и эмиттера составляет 100 вольт.
  • Напряжение коллектора и базы (Vce) составляет 100 вольт.
  • Количество (V _BE ) 5 вольт.
  • Значение тока в базе 120 миллиампер.

Работа TIP122

• • Этот транзистор известен своим более высоким коэффициентом усиления по току, который составляет 1000, и более высоким током коллектора 5 ампер, поэтому он обычно используется для коммутации нагрузок с более высоким током или в приложениях, которые нуждаются в более высоком напряжении.
  •  У этого транзистора меньше база и эмиттер. Напряжение всего 5 В теперь может быть легко организовано с помощью логического устройства, такого как микроконтроллер.
  • Хотя необходимо принять меры предосторожности, чтобы проверить, могут ли логические приборы выдерживать ток до 120 мА.
  • Хотя TIP122 имеет исключительный ток на коллекторе и коэффициент усиления по току, беспристрастно скромно переключать устройство, в то время как его напряжение эмиттер-база (VBE) составляет всего 5 В, а Ib всего 120 мА.
  • На нижней принципиальной схеме я использовал TIP122 для управления двигателем 48 В, который имеет постоянный ток около 3 А.
  • Непрерывный ток коллектора этого транзистора составляет 5А, а наша нагрузка потребляет всего 3А, что хорошо.
  •  Большой базовый ток составляет около 120 мА, но я использовал более мощный резистор на 100 Ом, чтобы ограничить его до 42 мА.
  • Вы также можете использовать резистор даже на 1 кОм, если требуемый ток коллектора меньше.
  • Максимальный ток этого транзистора составляет 8 А, поэтому убедитесь, что ваш двигатель не потребляет больше, чем это.
  •  Это идеальная схема, которая отображает используемый на этом транзисторе, он не может использоваться как таковой.

Приложения TIP122

• Это основные приложения TIP122.
  • Используется для регулировки сильноточных нагрузок, таких как 5 ампер.
  • Используется как средний выключатель питания.
  • Работает там, где желательна более высокая интенсивность.
  • Используется для регулятора скорости двигателей.
  • Используется в инверторах и других схемах выпрямителей.

Итак, это все о TIP122, если у вас есть какие-либо вопросы по этому поводу, пожалуйста, задавайте их в комментариях. Я отвечу вам как можно скорее. Спасибо за чтение.

JLBCB — прототип 10 печатных плат за 2 доллара США (для любого цвета) Китайское крупное предприятие по производству прототипов печатных плат, более 600 000 клиентов и онлайн-заказ Повседневная Как получить денежный купон PCB от JLPCB: https://bit.ly/2GMCH9ж

Теги:

введение в tip122, распиновка тип122, тип122 рабочий, функции tip122, приложения tip122, тип122,

-Автор сайта

седзаиннасир Я Сайед Заин Насир, основатель The Engineering Projects (TEP).