Каковы основные параметры и особенности транзистора TIP122. Как правильно использовать TIP122 в схемах. Какие существуют аналоги TIP122. На что обратить внимание при работе с TIP122.
Основные характеристики транзистора TIP122
TIP122 — это мощный составной биполярный транзистор Дарлингтона n-p-n типа в корпусе TO-220. Основные параметры TIP122:
- Структура: n-p-n
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 100 В
- Максимальный ток коллектора: 5 А
- Максимальная рассеиваемая мощность: 65 Вт
- Коэффициент усиления по току: 1000 (минимум)
- Корпус: TO-220
TIP122 обладает высоким коэффициентом усиления и способен коммутировать значительные токи, что делает его популярным выбором для различных силовых применений.
Области применения транзистора TIP122
Благодаря своим характеристикам, TIP122 часто используется в следующих областях:
- Драйверы электродвигателей
- Импульсные источники питания
- Звуковые усилители мощности
- Управление соленоидами и реле
- Линейные стабилизаторы напряжения
- Ключевые схемы с большими токами нагрузки
Высокий коэффициент усиления позволяет управлять TIP122 непосредственно от микроконтроллеров или логических микросхем.
Особенности схемотехники с TIP122
При разработке схем с использованием TIP122 следует учитывать несколько важных моментов:
- Падение напряжения база-эмиттер составляет около 2.5 В из-за составной структуры. Это необходимо учитывать при расчете цепи управления.
- Требуется установка ограничивающего резистора в цепь базы для защиты транзистора.
- Рекомендуется использование защитного диода параллельно индуктивной нагрузке для подавления выбросов напряжения.
- Необходимо обеспечить достаточное охлаждение при работе с большими токами.
- Следует соблюдать меры по снижению паразитных индуктивностей в силовых цепях.
Тепловой режим и охлаждение TIP122
Правильное охлаждение критически важно для надежной работы TIP122 при больших токах. Рассмотрим основные аспекты теплового режима:
- Максимальная температура перехода: 150°C
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 1.92°C/Вт
- Тепловое сопротивление корпус-радиатор: 0.5°C/Вт (при использовании теплопроводящей пасты)
Для расчета необходимого радиатора используется формула:
Rth(SA) = (Tj(max) — Ta) / Pd — Rth(JC) — Rth(CS)
где:
Rth(SA) — тепловое сопротивление радиатор-окружающая среда
Tj(max) — максимальная температура перехода
Ta — температура окружающей среды
Pd — рассеиваемая мощность
Rth(JC) — тепловое сопротивление переход-корпус
Rth(CS)
Аналоги и замены TIP122
При отсутствии TIP122 можно использовать следующие аналоги с близкими характеристиками:
- TIP120 — имеет напряжение коллектор-эмиттер 60 В
- TIP121 — рассчитан на напряжение 80 В
- TIP142 — более мощный вариант с током до 10 А
- 2SD2390 — японский аналог с похожими параметрами
- КТ829 — отечественный транзистор со схожими характеристиками
При замене важно сверить основные параметры, особенно максимальные напряжения и токи.
Типовые схемы включения TIP122
Рассмотрим несколько базовых схем с использованием TIP122:
1. Простой ключ с управлением от микроконтроллера
В этой схеме TIP122 используется для коммутации нагрузки по сигналу от микроконтроллера:
+Vcc
|
|
+-+-+
| |
| L |
| |
+-+-+
|
|
+-+-+
| |
+--+ C |
| | |
| | T |
| | I |
R | P |
| | 1 |
| | 2 |
| | 2 |
| | |
+--+ B |
| |
+-+-+
|
|
GPIO
Здесь R — ограничивающий резистор базы (обычно 1-10 кОм), L — нагрузка. Диод параллельно нагрузке не показан для упрощения.
2. Схема управления двигателем постоянного тока
TIP122 часто применяется для управления двигателями. Вот простая схема:
+Vcc
|
|
+-+-+
| M |
+-+-+
|
+-+-+
| |
+--+ C |
| | |
| | T |
| | I |
R | P |
| | 1 |
| | 2 |
| | 2 |
| | |
+--+ B |
| |
+-+-+
|
|
PWM
Здесь M — двигатель постоянного тока, PWM — ШИМ-сигнал для регулировки скорости. Защитный диод обязателен для защиты от ЭДС самоиндукции при отключении двигателя.
Меры предосторожности при работе с TIP122
При использовании TIP122 важно соблюдать следующие правила:
- Не превышать максимально допустимые напряжения и токи
- Обеспечивать достаточное охлаждение при больших токах нагрузки
- Использовать защитные диоды при работе с индуктивными нагрузками
- Соблюдать правила монтажа для минимизации паразитных параметров
- Учитывать падение напряжения на переходе база-эмиттер около 2.5 В
- Не допускать работы транзистора в линейном режиме длительное время
Соблюдение этих мер позволит обеспечить надежную и долговременную работу устройств на базе TIP122.
Заключение
TIP122 — мощный и надежный транзистор, который находит широкое применение в силовой электронике. Его высокий коэффициент усиления и способность коммутировать большие токи делают его отличным выбором для многих проектов. При правильном применении TIP122 обеспечивает эффективную и стабильную работу различных устройств — от простых ключей до сложных систем управления двигателями.
Аналоги для tip122 — Аналоги
TIP122 2N6043Полный аналог
TIP122 2N6044Полный аналог
TIP122 2SC1883Ближайший аналог
TIP122 2SC1883Ближайший аналог
TIP122 2SD1196Полный аналог
TIP122 2SD1414Ближайший аналог
TIP122Ближайший аналог
TIP122 2SD633Полный аналог
TIP122 2SD686Ближайший аналог
TIP122 2SD970Полный аналог
TIP122 BDT61BБлижайший аналог
TIP122 BDW63CБлижайший аналог
TIP122 BDW63DБлижайший аналог
TIP122 D44D3Полный аналог
TIP122 ECG261Полный аналог
TIP122 KSD560Ближайший аналог
TIP122 KTD1413Ближайший аналог
TIP122 NSP701Ближайший аналог
TIP122 RCA122Полный аналог
TIP122 TIP121Полный аналог
TIP122 TIP122Полный аналог
TIP122 TIP122Полный аналог
TIP122 TIP122Полный аналог
TIP122 TIP122Полный аналог
TIP122 TIP122Полный аналог
TIP122 TIP122Полный аналог
TIP122 TIP122Полный аналог
TIP122 TIP122Полный аналог
TIP122 TIP122Полный аналог
TIP122 TIP622Отечественный и зарубежный аналоги
TIP122 КТ8147АОтечественный и зарубежный аналоги
TIP122FP KSC5803DБлижайший аналог
TIP122FP KSD1413Ближайший аналог
TIP122FP KSD1589Ближайший аналог
TIP122FP MJF122Ближайший аналог
TIP122FP TIP122FPПолный аналог
NPN; биполярный; Дарлингтон; 100В; 5А; 65Вт; TO220AB производства STMicroelectronics TIP122
| Количество | Цена ₽/шт |
|---|---|
| +3 | |
| +10 | 44 |
| +50 | 37 |
| +52 | 33 |
| +141 | 31.5 |
| +1000 | 31 |
38330″>
50Транзистор TIP122, NPN, 100V, 5A, корпус TO-220
Описание товара Транзистор TIP122, NPN, 100V, 5A, корпус TO-220Транзистор TIP122, NPN, 100V, 5A, корпус TO-220 от интернет-магазина Electronoff — уникальный, качественный радиокомпонент. Биполярные транзисторы применяются в различных современных цифровых и аналоговых устройствах. Наиболее часто биполярные транзисторы применяют в радиоприемниках, телевизорах и передающих устройствах. А все благодаря уникальным свойствам этих радиокомпонентов.
Технические характеристики
- Тип транзистора: NPN
- Рабочее напряжение: 100V
- Рабочий ток: 5A
- Тип корпуса: TO-220
Особенности транзисторов TIP122, NPN, 100V, 5A, корпус TO-220
Современные биполярные транзисторы являются отличными, функциональными и качественными радиокомпонентами. Биполярные транзисторы применяются в современных аналоговых и цифровых устройствах. Довольно часто их можно встретить схемах современных радиоприемников, а также в телевизорах, различных усилителях сигнала, в радиопередатчиках и прочих устройствах.
Устройство современных транзисторов
Биполярные транзисторы имеют довольно простое устройство — практически все транзисторы производят из кремниевых кристаллов. Транзистор состоит из трех слоев полупроводника, к каждому из которых подключен электрод. Как правило средний электрод является базой, а два остальных — эмиттером и коллектором.
Свойства транзистора зависят от свойств полупроводниковых слоев, материала, формы и прочих факторов. Собственно от этого зависит и размер транзисторов и тип их корпуса.
Режимы работы биполярных транзисторов
Биполярные транзисторы имеют несколько режимов работы:
- В нормальном режиме работы переход транзистора эмиттер-база открыт, а вот переход коллектор-база закрыт.
- Если же переходы транзистора будут открыты в обратном порядке — эмиттер-база закрыт, а коллектор-база открыт, то получим инверсный активный режим.
- Если оба перехода открыты и направлены к базе, такой режим называют режимом насыщения. При этом, токи насыщения эмиттера и коллектора направлены к базе.
- Существует так называемый режим отсечки, при котором переход коллектора смещается обратно, а на переход эмиттера будет подаваться как прямое, так и обратное смещение напряжения.
- В барьерном режиме транзистор будет работать как своеобразный диод. Чтобы активировать такой режим работы транзистора, перед эмиттером или коллектором устанавливают резистор.
Правила безопасности при работе с биполярными резисторами
Биполярные транзисторы могут работать в цепях с довольно высоким напряжением, поэтому необходимо соблюдать элементарные правила безопасности. Не прикасайтесь к контактам транзистора включенного в высоковольтную сеть.
Если вы меняете испорченный транзистор на новый, внимательно проследите за тем, чтобы параметры нового компонента были аналогичны таковым у старого. Особенно если вы берете не такой же компонент, а его аналог.
Ну и конечно всегда нужно учитывать как параметры электросети, так и самого транзистора. Если через цепь будет протекать 100 вольт, а транзистор будет рассчитан максимум на 90, он может просто сгореть.
Как рассчитать тепловое сопротивление алюминиевого плоского проката
Вы можете использовать этот калькулятор, чтобы запустить некоторые числа для плоской пластины (ваш дизайн должен иметь плавники). Помните, что у вас ограниченное количество попыток, и для этого требуется параметр скорости воздуха. Включите желаемую температуру корпуса из кривых снижения характеристик, о которых я расскажу позже.
Вы застряли с TIP122? Как насчет пакета TO-220? Оба TIP122 и TO-220 предназначены только для приложений средней мощности. Этот тип применения будет лучше обслуживаться мощным транзистором и металлической банкой.
Разница между мощным, средним или малосигнальным транзистором заключается не только в их комплектации, но и в конструкции устройства. Таблица максимальных значений для [TIP122 Datasheet ] показывает, что максимальная мощность рассеивания Pc коллектора составляет 2 Вт в воздухе при 25 ° C или 65 Вт при Tc = 25 ° C. Вторая статистика предполагает, что у вас может быть бесконечный радиатор, связанный с окончательным соединением радиатора с вкладкой (технически случай, но вкладка имеет все значение) на TO-220, так что вкладка радиатора находится на уровне 25 ° С. Даже в этом случае переход транзистора, который вас беспокоит, будет превышать 150 ° C. Между соединением и вкладкой имеется тепловое сопротивление. (Замечание: я бы согласился с jluciani — мне нравится мой кремний 125 ° C или кулер). (Sidenote 2: Металлические радиаторы на BJT обычно подключаются к коллектору, так что вы будете иметь источник 3A, подключенный к корпусу, при напряжении, превышающем эмиттер / землю, и не захотите, чтобы он находился где-то, что он может замкнуть вне.)
Посмотрите на кривые снижения номинальных характеристик (Рисунок 5 в техническом описании TIP122):
Если вам нужно рассеять 72 Вт, вы просто не сможете это сделать. Если вам нужна мощность 36 Вт, вы должны держать радиатор менее чем на 50 ° C выше температуры окружающей среды (25 ° C. Именно этот градиент температуры в 50 градусов обеспечивает рассеивание мощности). Сравните эту кривую с мощным транзистором, таким как MJ11022 [таблица данных] :
Теперь ваш радиатор может стать причиной ожога задолго до повреждения транзистора. 72 Вт соответствует почти на 100 ° C выше температуры окружающей среды, а 36 Вт — абсолютной рабочей температуре почти 150 ° C. Остерегайтесь термоциклирования, если хотите запустить его по-настоящему горячим.
Я настоятельно рекомендую использовать вместо TIP122 мощный транзистор TO-3 или TO-204.
TIP122. Транзистор биполярный мощный составной n-p-n.
Выберите категорию:
Все Диоды импорт Диодные мосты импорт Диоды отечественные » Диоды со склада » Диоды на заказ Диодные мосты отечественные Тиристоры,симисторы Стабилитроны Вставки плавкие керамика Вставки плавкие стекло Конденсаторы » Конденсаторы электролитические. »» Конденсаторы электролитические 1 мкф »» Конденсаторы электролитические 2,2 мкф »» Конденсаторы электролитические 10 мкФ »» Конденсаторы электролитические 22 мкФ »» Конденсаторы электролитические 47 мкф »» Конденсаторы электролитические 100 мкф »» Конденсаторы электролитические 220 мкФ »» Конденсаторы электролитические 470 мкФ »» Конденсаторы электролитические 1000 мкФ »» Конденсаторы электролитические 2200 мкФ »» Конденсаторы электролитические 3300 мкФ »» Конденсаторы электролитические 4700 мкф »» Конденсатор электролитический 4,7 мкФ » Конденсаторы пленочные » Конденсаторы керамические » Конденсаторы металлобумажные. » Чип конденсаторы керамические Варисторы,терморезисторы, кварцы Резисторы » Резисторы постоянные »» Резисторы пленочные »»» Резисторы пленочные 0,125 Вт »»» Резисторы пленочные 0,5 Вт »»» Резисторы пленочные 1 Вт »»» Резисторы пленочные 2 Вт »»» Резисторы пленочные 0,25 Вт »» Резисторы углеродистые »» Резисторы проволочные »» Чип резисторы »»» ЧИП резисторы 0805 »»» Чип резисторы 1206 »»» Чип резисторы 0603 »» Резисторы цементные мощные »» Наборы резисторов » Резисторы переменные регулировочные » Резисторы переменные подстроечные Разьемы ,тумблера,индикаторы,дисплеи Автоматические выключатели, реле, контакторы » Реле » Автоматические выключатели отечественные » Контакторы. Пускатели магнитные. »» Контакторы.Пускатели магнитные.Импортные » Автоматические выключатели импортные Транзисторы » Транзисторы импортные » Транзисторы отечественные Микросхемы » Микросхемы импортные »» Микросхемы логические »»» Микросхемы драйверов »» Микроконтроллеры »» Микросхемы аналоговые »» Микросхемы памяти »» Микросхемы приемопередатчиков »» Микросхемы таймеров, микросхемы часов »» Микросхемы стабилизаторов напряжения »» Преобразовавтели DC-DC » Микросхемы отчественные »» Микросхемы логические »»» Микросхемы серии К561 »»» Микросхемы серии КР 1533 »»» Микросхемы серии ЭКР 1554 »» Микросхемы памяти »» Микросхемы стабилизаторов напряжения »» Микросхемы микроконтроллеров »» Микросхемы таймеров, микросхемы часов Материалы и оборудование для пайки и электромонтажа Динамические головки, головки громкоговорителя Микрофоны Оптопары импортные Оптоэлектронные приборы отечественные FINDER.Промышленные реле,интерфейсные модули,таймеры. SIEMENS.Контакторы Siemens Sirius 3RT, автоматические выключатели Siemens Sirius 3RV ABB. АВТОМАТИЧЕСКИЕ ВЫКЛЮЧАТЕЛИ ДЛЯ ЗАЩИТЫ ЭЛЕКТРОДВИГАТЕЛЕЙ СЕРИИ MS116, СЕРИИ MS132. WEIDMULLER. Универсальные клеммы EATON/MOELLER Компактные щиты,автоматические выключатели, контакторы, принадлежности AUTONICS.Решения для автоматизации.
Производитель:
ВсеПроизводитель 1Производитель 10Производитель 11Производитель 12Производитель 13Производитель 14Производитель 15Производитель 16Производитель 17Производитель 18Производитель 19Производитель 2Производитель 20Производитель 21Производитель 22Производитель 23Производитель 24Производитель 25Производитель 26Производитель 27Производитель 28Производитель 29Производитель 3Производитель 30Производитель 31Производитель 32Производитель 33Производитель 34Производитель 35Производитель 36Производитель 37Производитель 38Производитель 39Производитель 4Производитель 40Производитель 41Производитель 42Производитель 5Производитель 6Производитель 7Производитель 8Производитель 9
Соленоид работает ненадежно при движении через Raspberry Pi
BJT-переключатели работают неэффективно по сравнению с полевыми транзисторами ….
изменить
… при использовании с сильными магнитными нагрузками при низком напряжении питания из-за падения напряжения Vce, а сила соленоида уменьшается на ток и, следовательно, падение напряжения. Обратите внимание, что примечания андроида нигде не указывают, чтобы использовать этот TIP122 при 5 В. Это говорит о 6 В, чтобы позволить падение 1 В или около того или около 20% от вашей силы соленоида при V + = 5 В. Плохой выбор дизайна с вашей стороны и плохая информация в заметках Android.
Either use a 6V supply for solenoid or use an Nch FET with RdsOn<= 200mOhm with 5V and decouple supply close to solenoid and gnd.
конец редактирования
Другая информация
Для этого Дарлингтона используйте 100-400 квадратов выше для эмпирического правила. Таким образом, если 5В на 1К составляет 3,6 мА, то надежно работает только 1,4А. худший случай. с падением Vce 0,7 до 1V. (чрезмерно здесь)
. Р>
Чтобы сделать хороший переход, Rce должен быть < 10% Pref < 2%, постоянного сопротивления соленоида. и поскольку на соленоиде имеется усиление напряжения от Arduino Voc до V +, Ic / Ib слишком велик для насыщения переключателя, и он нагревается от падения VI = Pd.
вы можете указать соленоид DCR в Омах и попробовать 10-кратное это значение для Rb и не превышать максимальное значение Pd в драйвере Arduino ~ 50 Ом при 5 В.
Или укажите фактические значения DCR и V + для дальнейшего анализа или используйте MOSFET Nch с низким логическим уровнем RdsOn с зажимным диодом того же номинального тока, если он не включен в MOSFET.
Используйте только витые пары и избегайте токовых петель в источнике питания, поэтому используйте также витую пару, так как переходные токи питания излучают импульсы электромагнитных помех.
Также установите диодный выключатель acros, а не соленоид, если он не встроен, так что ток отключения затвора следует в том же направлении вдоль проводов к соленоиду от выключателя для снижения уровня электромагнитных помех.
Транзистор КТ829, kt829 характеристики и цоколевка (datasheet)
Технические характеристики транзисторов КТ829, kt829 с буквенными индексами А, Б, В, Г. Приведено фото транзистора КТ829, его внутренняя схема, а также схема эквивалентной замены.
КТ829 — мощный низкочастотный кремниевый составной транзистор со структурой N-P-N. Транзисторы КТ829 отличаются высоким коэффициентом усиления и применяются в усилителях низкой частоты, ключевых устройствах, электронных переключателях и т.п.
Рис. 1. Изображение транзистора N-P-N структуры на принципиальных схемах.
Внешний вид и описание
Рис. 2. Внешний вид составных транзисторов КТ829.
Транзисторы КТ829 выпускаются в пластмассовом корпусе TO-220. Цоколевка у транзисторов КТ829 — перевернутая. Более мощным аналогом является отечественный транзистор КТ827. Из зарубежных транзисторов наиболее близким по параметрам является TIP122.
Масса транзистора КТ829 составляет не более 2 грамм. Маркировка и обозначение типа ранзистора приводится на корпусе.
Рис. 3. Размеры корпуса и цоколевка транзистора КТ829.
Рис. 4. Электрическая схема транзистора КТ829.
Технические параметры
Таблица 1. Технические харакетристики транзисторов КТ829 с буквенными индексами А-Г.
| Транзистор |
Предельные параметры | Параметры при T = 25°C | RТ п-к, °C/Вт | ||||||||||||||||||
| при T = 25°C | |||||||||||||||||||||
| IК, max, А | IК и, max, А | UКЭ0 гр, В | UКБ0 max, В | UЭБ0 max, В | PК max, Вт | при TК, °C | Tп max, °C | TК max, °C | h21Э | UКЭ, В | IК, А | UКЭ нас, В | IКЭR, мА | fгр, МГц | Кш, дБ | CК, пФ | CЭ, пФ | tвкл, мкс | tвыкл, мкс | ||
| КТ829А | 8 | 12 | 100 | 100 | 5 | 60 | 25 | 150 | 85 | 750 | 3 | 3 | 2 | 1,5 | 4 | — | — | — | — | — | 2,08 |
| КТ829Б | 8 | 12 | 80 | 80 | 5 | 60 | 25 | 150 | 85 | 750 | 3 | 3 | 2 | 1,5 | 4 | — | — | — | — | — | 2,08 |
| КТ829В | 8 | 12 | 60 | 60 | 5 | 60 | 25 | 150 | 85 | 750 | 3 | 3 | 2 | 1,5 | 4 | — | — | — | — | — | 2,08 |
| КТ829Г | 8 | 12 | 45 | 45 | 5 | 60 | 25 | 150 | 85 | 750 | 3 | 3 | 2 | 1,5 | 4 | — | — | — | — | — | 2,08 |
Схема эквивалентной замены
Для замены транзистора КТ829 можно использовать пару КТ817 и КТ819, схема эквивалентного включения приведена ниже.
Рис. 5. Эквивалентная схема для замены мощного составного транзистора КТ829.
Скачать даташит на транзистор КТ829: transistor-kt829-datasheet.pdf (75 КБ).
RadioStorage.net.
% PDF-1.3 % 1 0 объект > поток конечный поток эндобдж 2 0 obj > эндобдж 4 0 obj > / Родительский 2 0 R / Содержание [14 0 R] / Тип / Страница / Ресурсы> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC] / Шрифт >>> / MediaBox [0 0 595.3 = ͛
Схема контактов, технические характеристики, электрическая цепь и ее применение
TIP122, подобный транзистору Дарлингтона NPN, включает скобы Дарлингтона и работает как обычный транзистор, но включает пару Дарлингтона. Этот транзистор имеет приличный ток коллектора, например 5 А, и коэффициент усиления примерно 1000. Этот тип транзистора выдерживает 100 вольт в области как эмиттерных, так и коллекторных выводов, потому что он может использоваться в основном для высоких нагрузок.
Что такое транзистор TIP122?
TIP122 — это транзистор Дарлингтона NPN, который очень популярен благодаря высокому коэффициенту усиления по току и большому току.Как следует из названия, термин Дарлингтон означает, когда два транзистора доступны в одной упаковке для увеличения коэффициента усиления на выходе из пика. Изготовление этого транзистора может осуществляться как переключатель и усиление.
TIP122 ТранзисторКонфигурация контактов
Конфигурация выводов транзистора TIP122 включает следующее. Этот транзистор включает три контакта, каждый из которых и его функция описаны ниже.
Конфигурация выводов и символ TIP122- Вывод 1 (основание): Этот вывод управляет смещением транзистора.
- Вывод 2 (коллектор): На этом выводе будет протекание тока
- Вывод 3 (эмиттер): Этот вывод используется для отвода тока
Характеристики и характеристики
Характеристики и характеристики транзистора TIP122 включают следующее.
- Этот транзистор выпускается в корпусе ТО-220
- Это транзистор типа NPN Дарлингтона
- Максимальный диапазон рабочих температур и температур хранения от -65 до +150 ° C
- Максимальный ток коллектора составляет 5А
- Коэффициент усиления постоянного тока (макс. И мин.) Составляет 1000
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер 100 В
- Максимальное рассеивание коллектора составляет 65 Вт
- Напряжение коллектор-база 100 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база 5 В
- Одиночная конфигурация
- Количество в упаковке с завода 200
- Высота 9.4 мм
- Длина 10,67 мм
- ON Производитель полупроводников
- Тип и стиль монтажа — сквозное отверстие
- Ширина 4,83 мм
Транзистор TIP127 является дополнительным транзистором TIP122. Транзисторы NPN из того же семейства — TIP121, TIP120, TIP122, тогда как транзисторы семейства PNP — TIP126, TIP125 и TIP127.
Где использовать транзистор TIP122 / Приложения?
Этот транзистор может использоваться в качестве переключателя в различных электронных схемах для управления различными нагрузками ниже 5А в зависимости от его характеристик.Цепи применения этого транзистора в основном включают в себя зарядное устройство, источник питания, привод двигателей и т. Д.
Этот транзистор также может использоваться в качестве усилителя и предварительного усилителя звука. Напряжение на этом транзисторе EB составляет 5 В постоянного тока. Этот транзистор может быть подключен к релейным и логическим устройствам микроконтроллера для управления нагрузками ниже 5А.
Этот транзистор используется для управления сильноточными нагрузками, а также там, где необходимо высокое усиление. Этот транзистор просто управляется микроконтроллером, который называется логическим устройством, но необходимо внимательно проверить, может ли микроконтроллер выдерживать ток 120 мА.
Этим транзистором можно легко управлять с помощью логического устройства для переключения нагрузок максимальной мощности для усиления максимального тока. Так что этот транзистор — идеальный выбор для ваших требований.
Как защитить транзистор TIP122 в цепи?
Чтобы обеспечить хорошую производительность этого транзистора Дарлингтона, его максимальные характеристики должны быть ниже. Этот транзистор не следует использовать, когда в цепи работает напряжение выше 100 В, а нагрузка не должна обеспечивать ток выше 5 А. Резистор базы должен использоваться для обеспечения необходимого тока на клемме базы.
От перегрева этот транзистор можно защитить с помощью радиатора. Поддерживать температуру от 65С до +150 С.
Как использовать транзистор TIP122?
Принципиальная схема мощного усилителя звука мощностью 100 Вт показана ниже. В этой схеме используется транзистор TIP122.
Схема усилителя звука с использованием TIP122Простая схема усилителя звука использует слабый звуковой сигнал и преобразует его в мощный, лучший и чистый звуковой сигнал. В настоящее время эти усилители доступны во всех потребительских электронных устройствах, таких как видеокамеры, музыкальные плееры, смартфоны, ПК и ноутбуки.Здесь мы разрабатываем простую схему звукового усилителя мощностью 100 Вт через транзистор TIP122.
транзистор пары Дарлингтона, такой как TIP122, аудиоразъем-3,5 мм / штекер, гнездо-1, смартфон, разъемы клеммной колодки-2, громкоговоритель-8 Ом-1, потенциометр-1 10K, конденсатор-1 470 мкФ, резистор-1 150K, перемычки и аккумулятор постоянного тока с зажимом.
Эта схема работает следующим образом. Эта схема уникальна благодаря мощному транзистору Дарлингтона и надежности. Аудиопреобразователь, такой как микрофон, обеспечивает аудиовход, который действует как управляющий сигнал постоянного тока, используемый для транзистора Q1.
Здесь конденсатор емкостью 470 мкФ работает как разделительный конденсатор, и его основная функция — блокировать сигналы компонентов постоянного тока и позволяет просто подавать сигналы компонентов переменного тока по всей цепи. Здесь транзистор «Q1» изменяет сигнал и передает его на клемму базы транзистора «Q2».
Далее, этот транзистор TIP127 изменяет входной сигнал и передает его на громкоговоритель. Здесь громкоговоритель — это устройство вывода звука. В схеме можно использовать предустановленный потенциометр 10K для регулирования мощности аудиосигнала o / p.
Преимущества и недостатки
К преимуществам транзистора пары Дарлингтона относятся следующие.
- Он обеспечивает чрезвычайно высокий коэффициент усиления по току по сравнению с одиночным транзистором.
- По сравнению с фототранзистором, включая внешний усилитель, этот преобразователь обеспечивает меньший шум.
- Входной импеданс, обеспечиваемый этим транзистором, чрезвычайно высок
- Используя источник тока с несколькими мА, разработчик может управлять большим количеством приложений, основанных на мощности.
- Для создания схемы используется меньшее количество компонентов.
- Он очень чувствителен к току.
- Усиление сигнала можно делать долго
К недостаткам транзистора пары Дарлингтона относятся следующие
- Как только этот транзистор находится в области насыщения, на клеммах BE возникает падение напряжения.
- Ток утечки первого транзистора можно усилить через второй транзистор. Таким образом, общий выходной ток транзистора Дарлингтона выше.
- Меньшая скорость переключения
- Обеспечивает максимальное рассеивание мощности из-за высокого напряжения насыщения.
- Ограниченная полоса пропускания (пропускная способность)
- На определенных частотах эта конструкция может вносить фазовый сдвиг в цепь отрицательной обратной связи.
Приложения
Применения транзистора TIP122 включают следующее.
- Этот транзистор используется для регулировки сильноточных нагрузок, например, 5 ампер.
- Используется как выключатель питания.
- Используется там, где желательно высокое усиление.
- Используется как регулятор скорости в двигателях
- Применяется в выпрямительных схемах и инверторах
- Используется в смартфонах, MP3-плеерах и т. Д.
- Используется в слуховом оружии.
- Применяется на концертах живой музыки, производстве и записи.
- Используется в различных электронных схемах, таких как выпрямитель, усиление, схема переключения с меньшей мощностью, схема инвертора и управление скоростью двигателя.
Таким образом, это все об обзоре таблицы данных транзистора TIP122, включая высокое напряжение и ток. Этот тип транзистора в основном используется в обычном усилении и в схеме переключения с меньшей скоростью. Этот транзистор включает пару Дарлингтона, поэтому его номинальный ток CC (ток коллектора) составляет 5 А, а коэффициент усиления — 1000 В. Этот транзистор включает в себя напряжение 5 В BE и может управляться напрямую через устройство логического уровня, такое как микроконтроллер. Вот вам вопрос, какова функция транзистора TIP122?
1Gh56 : аналого-цифровой преобразователь CMOS на полевом транзисторе (для импульсных источников питания). 2SK2768-01L : N-канальный МОП-транзистор. BCR108S : общего назначения. Массив кремниевых цифровых транзисторов NPN. Обозначение VCEO VCBO VEBO Vi (on) IC Ptot Tj Tstg Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-база Напряжение эмиттер-база Вход on Напряжение Постоянный ток коллектора Общая рассеиваемая мощность, 115 C Температура перехода Температура хранения Терморезистивное соединение Место пайки 1) RthJS 1For Расчет R thJA см. в указаниях по применению «Термическое сопротивление». RURD4120S : сверхбыстрый диод 4 А, 1200 В. RURD4120 и RURD4120S — сверхбыстрые диоды с характеристиками мягкого восстановления (trr <70 нс). Они имеют низкое прямое падение напряжения и представляют собой пассивированную нитридом кремния эпитаксиальную планарную конструкцию с ионной имплантацией. Эти устройства предназначены для использования в качестве обратных / ограничивающих диодов и выпрямителей в различных импульсных источниках питания и других источниках питания. SK6030C :. 18020 Hobart Blvd., Unit B Gardena, CA U.SA Тел .: (310) 767-1052 Факс: (310) 767-7958 Низкий коммутационный шум Низкое прямое падение напряжения Низкое тепловое сопротивление Высокая коммутационная способность Высокая устойчивость к скачкам напряжения Высокая надежность B1 Корпус: TO-247 (TO-3P) литой пластик ( U / L Рейтинг воспламеняемости 94V-0) Клеммы: прямоугольные штыри с зазором Паяемость:. SPD03N50C3 : Высокое напряжение. Для самых низких потерь проводимости и самого быстрого переключения. Характеристика Новая революционная технология высокого напряжения Сверхнизкий заряд затвора Периодическая лавинная номинальная мощность Экстремальный номинальный dv / dt Сверхнизкая эффективная емкость Повышенная крутизна Максимальные характеристики, = 25 ° C, если не указано иное Параметр Непрерывный ток стока Импульсный ток стока, tp ограничен Tjmax Энергия лавины, одиночный импульс Лавинное течение. FDMS3602S : Двойной N-канальный МОП-транзистор PowerTrench, 25 В, двойной N-канальный МОП-транзистор PowerTrench. AP20GT60ASP-HF : 33 А, 600 В, N-КАНАЛЬНЫЙ IGBT, TO-220AB. s: Полярность: N-канал; Тип упаковки: TO-220, БЕЗ ГАЛОГЕНОВ И СООТВЕТСТВИЕ ROHS, TO-220, 3 PIN; Количество блоков в ИС: 1. DMA26401 : 100 мА, 50 В, 2 КАНАЛА, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: PNP; Тип упаковки: БЕЗ ГАЛОГЕНОВ И СООТВЕТСТВУЮЩИМ ROHS, MINI6-G4-B, 6 КОНТАКТОВ. DRA5114E : 100 мА, 50 В, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: PNP; Тип упаковки: ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2-B, 3 PIN. FEPF16AT-G : 16 А, 50 В, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД, TO-220AB. s: Аранжировка: Common Catode; Тип диода: ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: выпрямитель, КПД; IF: 16000 мА; Соответствует RoHS: RoHS; Упаковка: ТО-220, БЕССИНЦОВЫЙ, ПЛАСТИК, ИТО-220, ПОЛНАЯ УПАКОВКА-3; Количество контактов: 3; Количество диодов: 2. TCB100 : ТРАНСФОРМАТОР ТОКА.s: Категория: Сигнал; Другие типы трансформаторов / применения: ТРАНСФОРМАТОР ТОКА; Монтаж: чип-трансформатор; Рабочая температура: от -30 до 75 C (от -22 до 167 F). THS1012RJ : РЕЗИСТОР, ПРОВОДНАЯ НАВИВКА, 10 Вт, 5%, 50 ppm, 12 Ом, КРЕПЛЕНИЕ ШАССИ. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: проволочная обмотка; Монтаж / Упаковка: шасси на болтах, СООТВЕТСТВИЕ ROHS; Диапазон сопротивления: 12 Ом; Допуск: 5 +/-%; Температурный коэффициент: 50 ± ppm / ° C; Номинальная мощность: 10 Вт (0.0134 л.с.); Стандарты и сертификаты :. TP902C3R : 300 В, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: Аранжировка: Common Catode; Тип диода: ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: выпрямитель, БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ; IF: 40000 мА; Количество контактов: 3; Количество диодов: 2. UUX1J330MNL6GS : КОНДЕНСАТОР, АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕ ТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 63 В, 33 мкФ, ПОВЕРХНОСТНОЕ КРЕПЛЕНИЕ. s: Конфигурация / Форм-фактор: Чип-конденсатор; Соответствие RoHS: Да; : Поляризованный; Диапазон емкости: 33 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 63 вольта; Ток утечки: 62.37 микроампер; Тип монтажа: технология поверхностного монтажа; Рабочая Температура:. X6050.004710250 : КОНДЕНСАТОР, МЕТАЛЛИЗИРОВАННАЯ ПЛЕНКА, ПОЛИЭСТЕР, 0,0047 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Конфигурация / Форм-фактор: Конденсатор с выводами; Технология: пленочные конденсаторы; Приложения: общего назначения; Электростатические конденсаторы: полиэстер; Диапазон емкости: 0,0047 мкФ; Допуск емкости: 10 (+/-%); Тип установки: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -25 до 85 C (-13, 12102C103JAT4A : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 200 В, X7R, 0.01 мкФ, УСТАНОВКА НА ПОВЕРХНОСТИ, 1210 сек: Конфигурация / Форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: Многослойная; Приложения: общего назначения; Конденсаторы электростатические: керамический состав; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 0,0100 мкФ; Допуск емкости: 5 (+/-%); WVDC: 200 вольт; Тип установки :. 225СХ200М : КОНДЕНСАТОР, АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕ ТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 100 В, 2,2 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Конфигурация / Форм-фактор: Конденсатор с выводами; Соответствие RoHS: Да; : Поляризованный; Диапазон емкости: 2.2 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 100 вольт; Ток утечки: 6,6 мкА; СОЭ: 60286 миллиом; Тип установки: сквозное отверстие; Операционная. 2350032 : РЕЗИСТОР, СЕТЬ, ПЛЕНКА, ИЗОЛИРОВАННАЯ, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ. s: Конфигурация: Chip Array; Категория / Применение: Общее использование; Монтаж / Упаковка: Технология поверхностного монтажа (SMT / SMD), CHIP; Рабочее напряжение постоянного тока: 50 вольт; Рабочая температура: от -55 до 70 C (от -67 до 158 F). |
TIP122 — Транзистор NPN — ИС на переключающих транзисторах
TIP122 представляет собой NPN-транзистор с парой Дарлингтона.Он работает как обычный NPN-транзистор, но, поскольку внутри него есть пара Дарлингтона, он имеет хороший номинальный ток коллектора около 5 А и коэффициент усиления около 1000. Он также может выдерживать около 100 В на своем коллекторе-эмиттере, следовательно, может использоваться для управления тяжелая ноша. Пара Дарлингтона внутри этого транзистора четко показана на схеме его внутренней схемы ниже. Как вы можете видеть, внутри этого корпуса TO-220 есть два транзистора, в которых эмиттер первого транзистора соединен с базой второго транзистора, а коллекторы обоих транзисторов соединены вместе, образуя пару Дарлингтона.Это увеличивает коэффициент усиления по току и номинальный ток этого транзистора.
Конфигурация контактов:
Номер контакта | Имя контакта | Описание |
1 | База | Управляет смещением транзистора, используется для включения или выключения транзистора |
2 | Коллектор | Ток протекает через коллектор, обычно подключенный к нагрузке |
3 | Излучатель | Ток утекает через эмиттер, обычно соединенный с землей |
Характеристики:
- Дарлингтонский NPN-транзистор средней мощности
- Коэффициент усиления постоянного тока (hFE), обычно 1000
- Непрерывный ток коллектора (IC) 5А
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCE) 100 В
- Напряжение коллектор-база (VCB) составляет 100 В Базовое напряжение эмиттера
- (VBE) составляет 5 В
- Базовый ток (IB) составляет 120 мА
- Доступен в упаковке К-220
Приложения
- Может использоваться для коммутации сильноточных (до 5А) нагрузок
- Могут использоваться как переключатели средней мощности
- Используется там, где требуется высокое усиление
- Контроль скорости двигателей
- Инверторные и другие выпрямительные схемы
Содержимое упаковки:
1 транзистор TIP122
TIP120, TIP121, TIP122
DtSheet- Загрузить
ТИП120, ТИП121, ТИП122
Открыть как PDF- Похожие страницы
- ТОЧКА TIP122
- ТИП125, ТИП126, ТИП127
- ETC TIP120
- ВЫСТАВКА TIP121_08
- СТМИКРОЭЛЕКТРОНИКС ТИП122
- STMICROELECTRONICS TIP120_08
- MOTOROLA TIP125
- TIP120 D
- ONSEMI TIP125
- ONSEMI TIP126
- SAVANTIC TIP120
dtsheet © 2021 г.
О нас DMCA / GDPR Злоупотребление здесьхб * 9Д5Н20П Аннотация: Стабилитрон khb9d0n90n 6v транзистор khb * 2D0N60P KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема транзистора ktd998 | Оригинал | 2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n Стабилитрон 6в хб * 2Д0Н60П транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н ktd998 транзистор | |
KIA78 * pI Реферат: транзистор КИА78 * п ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ МОП-транзистор хб * 2Д0Н60П KIA7812API | Оригинал | 2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E KIA78 * pI транзистор KIA78 * р ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n KID65004AF Транзистор MOSFET хб * 2Д0Н60П KIA7812API | |
2SC4793 2sa1837 Аннотация: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 транзистор 2SC5359 2SC5171 эквивалент транзистора 2sc5198 эквивалентный транзистор NPN | Оригинал | 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор нпн к-220 транзистор 2SC5359 Транзисторный эквивалент 2SC5171 2sc5198 эквивалент NPN транзистор | |
транзистор Аннотация: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 транзистор PNP | OCR сканирование | 2N3904 2N3906 2N4124 2N4126 2N7000 2N7002 BC327 BC328 BC337 BC338 транзистор транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP | |
CH520G2 Аннотация: Транзистор CH520G2-30PT цифровой 47к 22к PNP NPN FBPT-523 транзистор npn коммутирующий транзистор 60в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT | Оригинал | A1100) QFN200 CHDTA143ET1PT FBPT-523 100 мА CHDTA143ZT1PT CHDTA144TT1PT CH520G2 CH520G2-30PT транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН FBPT-523 транзистор npn переключающий транзистор 60 в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT | |
транзистор 45 ф 122 Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021, TRIAC 136, 634, транзистор tlp 122, транзистор, транзистор переменного тока 127, транзистор 502, транзистор f 421. | OCR сканирование | TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор TLP 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421 | |
CTX12S Аннотация: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | |
Варистор RU Аннотация: Транзистор SE110N 2SC5487 SE090N 2SA2003 Транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 RBV-406 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор РУ SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 РБВ-406 | |
Q2N4401 Аннотация: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751 | Оригинал | RD91EB Q2N4401 D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751 | |
fn651 Абстракция: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 fn651 CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 РБВ-4156Б SLA4037 2sk1343 | |
2SC5471 Аннотация: Транзистор 2SC5853 2sa1015 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий PNP-транзистор | Оригинал | 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 A1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP | |
Mosfet FTR 03-E Аннотация: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V / 65e9 транзистор 2SC337 mosfet ftr 03 транзистор DTC143EF | OCR сканирование | 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Mosfet FTR 03-E mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V / 65e9 2SC337 MOSFET FTR 03 транзистор DTC143EF | |
fgt313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A Diode SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096, диод ry2a | Оригинал | 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 fgt313 транзистор fgt313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 fgt412 РБВ-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a | |
транзистор 91330 Аннотация: ТРАНЗИСТОР tlp 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 | OCR сканирование | 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6N136 6N137 6N138 6N139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91330 ТРАНЗИСТОР TLP 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 | |
1999 — ТВ системы горизонтального отклонения Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРОВ AN363 TV горизонтальные отклоняющие системы 25 транзисторов горизонтального сечения tv горизонтального отклонения переключающих транзисторов TV горизонтальных отклоняющих систем mosfet горизонтального сечения в электронном телевидении CRT TV электронная пушка TV обратноходовой трансформатор | Оригинал | 16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц.Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтального сечения тв Транзисторы переключения горизонтального отклонения Системы горизонтального отклонения телевизора MOSFET горизонтальный участок в ЭЛТ телевидении Электронная пушка для ЭЛТ-телевизора Обратный трансформатор ТВ | |
транзистор Реферат: силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP PNP МОЩНЫЙ транзистор TO220 демпферный диод транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn транзистор Дарлингтона TO220 | Оригинал | 2SD1160 2SD1140 2SD1224 2SD1508 2SD1631 2SD1784 2SD2481 2SB907 2SD1222 2SD1412A транзистор силовой транзистор нпн к-220 транзистор PNP ПНП СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР ТО220 демпферный диод Транзистор дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn darlington транзистор ТО220 | |
1999 — транзистор Реферат: МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив fet высокочастотный транзистор TRANSISTOR P 3 транзистор mp40 список | Оригинал | X13769XJ2V0CD00 О-126) MP-25 О-220) MP-40 MP-45 MP-45F О-220 MP-80 MP-10 транзистор МОП-МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2ск 2СК типа Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив FET высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список | |
транзистор 835 Аннотация: Усилитель с транзистором BC548, стабилизатор транзистора AUDIO Усилитель с транзистором BC548, транзистор 81 110 Вт, 85 транзистор, 81 110 Вт, 63 транзистор, транзистор, 438, транзистор, 649, ТРАНЗИСТОР. | OCR сканирование | BC327; BC327A; BC328 BC337; BC337A; BC338 BC546; BC547; BC548 BC556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель АУДИО на транзисторе BC548 транзистор 81110 вт 85 транзистор 81110 вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 НАПРАВЛЯЮЩАЯ ТРАНЗИСТОРА | |
2002-SE012 Аннотация: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 sanken SE140N STA474 UX-F5B | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N STA474 UX-F5B | |
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586, диод RU 3AM 2SA2003, СВЧ диод 2SC5487, однофазный мостовой выпрямитель ИМС с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод СВЧ 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной полевой МОП-транзистор 606 2sc5287 | |
ИНВЕРТОР сварочный аппарат pwm Аннотация: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 Powerex демпфирующий конденсатор инвертор сварочный аппарат KD221K75 kd2245 kd224510 применение транзистора | OCR сканирование | ||
варикап диоды Аннотация: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР GSM-модуль с микроконтроллером МОП-транзистор с p-каналом Hitachi SAW-фильтр с двойным затвором МОП-транзистор в УКВ-усилителе Транзисторы МОП-транзистор с p-каналом Mosfet-транзистор Hitachi VHF fet lna Низкочастотный силовой транзистор | OCR сканирование | PF0032 PF0040 PF0042 PF0045A PF0065 PF0065A HWCA602 HWCB602 HWCA606 HWCB606 варикап диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР модуль gsm с микроконтроллером P-канал MOSFET Hitachi SAW фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в УКВ-усилителе Транзисторы mosfet p channel Мосфет-транзистор Hitachi vhf fet lna Низкочастотный силовой транзистор | |
Лист данных силового транзистора для ТВ Аннотация: силовой транзистор 2SD2599, эквивалент 2SC5411, транзистор 2sd2499, 2Sc5858, эквивалентный транзистор 2SC5387, компоненты 2SC5570 в строчной развертке. | Оригинал | 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Техническое описание силового транзистора для телевизора силовой транзистор 2SD2599 эквивалент транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе | |
2009 г. — 2sc3052ef Аннотация: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводник перекрестная ссылка toshiba smd marking code транзистор | Оригинал | 24 ГГц BF517 B132-H8248-G5-X-7600 2sc3052ef 2n2222a SOT23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ПАКЕТ SMD КОДА ТРАНЗИСТОРА SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 перекрестная ссылка на полупроводник toshiba smd маркировочный код транзистора | |
2007 — DDA114TH Аннотация: DCX114EH DDC114TH | Оригинал | DCS / PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22 кОм 47 кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH | |
| Тип транзистора | NPN | ||
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 8 A | 2 Напряжение эмиттера | 100 В |
| Максимальное базовое напряжение эмиттера | 5 В | ||
| Тип корпуса | TO-220 | ||
| Тип монтажа | Сквозное отверстие | ||
| Конфигурация транзистора | Одиночный | ||
| Количество элементов на микросхеме | 1 | ||
| Минимальное усиление постоянного тока | 1000 | ||
| Максимальное напряжение базы коллектора | 100 В | ||
| 4 V | |||
| Максимальный коллектор Ток отключения | 0.2 мА | ||
| Размеры | 10,4 x 4,6 x 9,15 мм | ||
| Ширина | 4,6 мм | ||
| Высота | 9,15 мм | ||
| Длина | |||
| Минимальная рабочая температура | -65 ° C |
