Каковы основные параметры транзистора TIP2955. Где он применяется. Какие есть аналоги TIP2955. Как правильно подобрать замену для TIP2955.
Основные характеристики транзистора TIP2955
TIP2955 — это мощный биполярный PNP-транзистор в корпусе TO-218. Основные параметры этого транзистора:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 60 В
- Максимальный ток коллектора: 15 А
- Максимальная рассеиваемая мощность: 90 Вт
- Коэффициент усиления по току: 20-70 (при токе коллектора 4 А)
- Частота единичного усиления: 2,5 МГц
TIP2955 является комплементарной парой для NPN-транзистора TIP3055. Эти транзисторы часто используются совместно в выходных каскадах усилителей мощности.
Области применения транзистора TIP2955
Благодаря своим характеристикам, TIP2955 находит применение в следующих областях:
- Выходные каскады мощных усилителей звуковой частоты
- Импульсные источники питания
- Схемы управления электродвигателями
- Драйверы для управления мощными нагрузками
Какие основные схемы включения используются для TIP2955? Наиболее распространены следующие конфигурации:
- Схема с общим эмиттером — усиление по току и напряжению
- Схема с общим коллектором (эмиттерный повторитель) — повторение сигнала с высоким входным и низким выходным сопротивлением
- Схема Дарлингтона — для получения очень большого усиления по току
Аналоги транзистора TIP2955
При необходимости замены TIP2955 можно использовать следующие аналоги:
- MJ2955 — полный аналог в металлическом корпусе TO-3
- 2SA1943 — близкий по параметрам PNP-транзистор
- BD244C — транзистор с похожими характеристиками
- КТ818Г — отечественный аналог
При выборе замены необходимо обращать внимание на следующие ключевые параметры:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (не менее 60 В)
- Максимальный ток коллектора (не менее 15 А)
- Рассеиваемая мощность (не менее 90 Вт)
- Коэффициент усиления по току (в диапазоне 20-70)
Особенности монтажа и эксплуатации TIP2955
При использовании транзистора TIP2955 следует учитывать несколько важных моментов:
- Необходимо обеспечить хороший теплоотвод, используя радиатор достаточной площади
- Между корпусом транзистора и радиатором нужно использовать теплопроводящую пасту
- Следует соблюдать полярность включения (PNP-структура)
- Не превышать максимально допустимые токи и напряжения
- Защищать от перегрева, используя температурные датчики
Правильный монтаж и эксплуатация в допустимых режимах позволят реализовать все возможности этого мощного транзистора.
Сравнение TIP2955 с другими мощными PNP-транзисторами
Как TIP2955 соотносится по характеристикам с другими популярными мощными PNP-транзисторами? Рассмотрим сравнительную таблицу:
Параметр | TIP2955 | MJ2955 | 2SA1943 | BD244C |
---|---|---|---|---|
Макс. напряжение К-Э | 60 В | 60 В | 140 В | 80 В |
Макс. ток коллектора | 15 А | 15 А | 15 А | 10 А |
Рассеиваемая мощность | 90 Вт | 115 Вт | 130 Вт | 80 Вт |
Коэффициент усиления | 20-70 | 20-70 | 60-160 | 25-100 |
Как видно из таблицы, TIP2955 занимает промежуточное положение по характеристикам. Он уступает некоторым аналогам по отдельным параметрам, но в целом обеспечивает хороший баланс характеристик для большинства применений.
Расчет режима работы TIP2955
При проектировании схем с использованием TIP2955 важно правильно рассчитать режим работы транзистора. Рассмотрим основные шаги:
- Определить требуемый ток коллектора и напряжение коллектор-эмиттер
- Рассчитать ток базы, исходя из минимального коэффициента усиления
- Определить рассеиваемую мощность на транзисторе
- Выбрать радиатор с учетом теплового сопротивления
- Проверить, не превышены ли предельные параметры транзистора
Например, для тока коллектора 5 А и напряжения 30 В:
- Ток базы: Iб = Iк / h21э = 5 А / 20 = 250 мА
- Рассеиваемая мощность: P = Iк * Uкэ = 5 А * 30 В = 150 Вт
В данном случае рассеиваемая мощность превышает максимально допустимую для TIP2955, поэтому необходимо либо уменьшить ток/напряжение, либо использовать несколько транзисторов параллельно.
Проверка работоспособности TIP2955
Как убедиться, что транзистор TIP2955 исправен? Можно выполнить следующие простые тесты:
- Проверка сопротивления переходов мультиметром:
- База-эмиттер: 100-300 Ом в прямом направлении
- База-коллектор: 100-300 Ом в прямом направлении
- Коллектор-эмиттер: высокое сопротивление в обоих направлениях
- Измерение коэффициента усиления транзистора
- Проверка работы в реальной схеме на малой мощности
При каких признаках транзистор считается неисправным?
- Короткое замыкание между выводами
- Обрыв одного из переходов
- Значительное отклонение коэффициента усиления от номинала
- Перегрев при работе на малой мощности
Если обнаружены подобные проблемы, транзистор следует заменить на новый.
отзывы, фото и характеристики на Aredi.ru
1.Ищите по ключевым словам, уточняйте по каталогу слева
Допустим, вы хотите найти фару для AUDI, но поисковик выдает много результатов, тогда нужно будет в поисковую строку ввести точную марку автомобиля, потом в списке категорий, который находится слева, выберите новую категорию (Автозапчасти — Запчасти для легковых авто – Освещение- Фары передние фары). После, из предъявленного списка нужно выбрать нужный лот.
2. Сократите запрос
Например, вам понадобилось найти переднее правое крыло на KIA Sportage 2015 года, не пишите в поисковой строке полное наименование, а напишите крыло KIA Sportage 15 . Поисковая система скажет «спасибо» за короткий четкий вопрос, который можно редактировать с учетом выданных поисковиком результатов.
3. Используйте аналогичные сочетания слов и синонимы
Система сможет не понять какое-либо сочетание слов и перевести его неправильно. Например, у запроса «стол для компьютера» более 700 лотов, тогда как у запроса «компьютерный стол» всего 10.
4. Не допускайте ошибок в названиях, используйтевсегдаоригинальное наименованиепродукта
Если вы, например, ищете стекло на ваш смартфон, нужно забивать «стекло на xiaomi redmi 4 pro», а не «стекло на сяоми редми 4 про».
5. Сокращения и аббревиатуры пишите по-английски
Если приводить пример, то словосочетание «ступица бмв е65» выдаст отсутствие результатов из-за того, что в e65 буква е русская. Система этого не понимает. Чтобы автоматика распознала ваш запрос, нужно ввести то же самое, но на английском — «ступица BMW e65».
6. Мало результатов? Ищите не только в названии объявления, но и в описании!
Не все продавцы пишут в названии объявления нужные параметры для поиска, поэтому воспользуйтесь функцией поиска в описании объявления! Например, вы ищите турбину и знаете ее номер «711006-9004S», вставьте в поисковую строку номер, выберете галочкой “искать в описании” — система выдаст намного больше результатов!
7. Смело ищите на польском, если знаете название нужной вещи на этом языке
Вы также можете попробовать использовать Яндекс или Google переводчики для этих целей. Помните, что если возникли неразрешимые проблемы с поиском, вы всегда можете обратиться к нам за помощью.
Транзистор 2N3055. Аналог, характеристики, datasheet
Транзистор 2N3055 – мощный биполярный транзистор n-p-n типа, который может быть использован в различных устройствах: в источниках питания, в аудио усилителях, в схемах переключения и т.д. В данной статье приведены его подробные электрические характеристики в соответствии с документацией производителя «ON Semiconductor».
Транзистор 2N3055
Наверно многие радиолюбители слышали о 2N3055 транзисторе, поскольку он широко используется в уже течение многих лет. Его металлический корпус идеален для рассеивания большого количества тепла при помощи хорошего радиатора.
Комплементарной парой транзистора 2N3055 является транзистор MJ2955. Он имеет такие же характеристики, но имеет p-n-p структуру.
Если вы хотите собрать усилитель, вы можете использовать эту пару транзисторов. В этом случае, напряжение питания усилителя не должно превышать +/- 30 вольт.
Распиновка транзистора 2N3055
Распиновка транзистора 2N3055 в его классическом металлическом корпусе: корпус является коллектором, а два оставшихся вывода – это база и эмиттер.
Транзистор 2N3055, как и MJ2955, выпускается также в плоском корпусе (TO-218 и TO-247), который проще монтировать на радиаторе: TIP3055 и TIP2955 соответственно. Здесь в отличие от полностью металлического корпуса рассеиваемая мощность чуть ниже, 90 ватт против 115 ватт.
Hantek 2000 — осциллограф 3 в 1
Портативный USB осциллограф, 2 канала, 40 МГц….
Характеристики транзистора 2N3055
- Напряжение коллектор-эмиттер Vкэ : 60В
- Ток коллектора в непрерывном режиме : 15А
- Коэффициент усиления по току: 20-70 (при Iк = 4А)
- Напряжение насыщения Uкэ: 1,1В при Iк макс = 4А, Iб = 400мА
- Напряжение насыщения Uкэ: 3,0В Iк макс = 10А, Iб = 3,3А
- Напряжение база-эмиттер Uбэ (Iк = 4A, Vкэ = 4В): 1,5В
- Обратное напряжение база-эмиттер: 7В
- Рассеиваемая мощность при Uкэ = 30В: 115 Вт
- Рабочая температура: от -50 ° С до + 200 ° C
- Полоса пропускания (частота перехода): 2,5 МГц
Аналог 2N3055
Отечественным аналогом 2N3055 может послужить транзистор 2Т808А
Применение транзистора 2N3055 (MJ2955)
- Транзистор 2N3055 в стабилизированных линейных источниках питания (0-30В до 5A)
- В паре 2N3055 и MJ2955 в аудио усилителях с питанием +/- 30 вольт
Скачать datasheet 2N3055 (42,6 KiB, скачано: 3 662)
DBSS3-транзистор TIP2955/TIP3055, питание, сопряжение, звуковая трубка 15A60VTO218, новый запас, электронный компонент, IC чип TIP2955
В1: какая у вас компания хороша в продаже?
Ответ: наша компания Хорошо Продает электронные компоненты в PCBA, включая интегральную схему (IC), диод, транзистор, конденсатор, резистор,Индуктор, реле, разъем, IGBT Moudle, предохранитель и так далее!
Q2:Какое у вас преимущество?
Ответ: наша компания уже много лет продает электронные компоненты, у нас очень большой склад,
Большинство товаров в наличии, и наша цена очень конкурентоспособная, конечно, наши товары 100% новые и
Оригинал, и 100% хорошее качество, Лучшая цена, хорошее качество и в наличии товаров является нашим лучшим преимуществом!
В3: если наш список BOM имеет так много видов товаров, как долго я могу получить предложение?
Ответ: наша компания имеет очень профессиональную команду продаж, для любого требования к списку спецификации, мы можем убедитьсяЕсли вы хотите заказать товар в течение 24 часов, мы можем заказать товар в течение 3 часов!
В4: каково качество товара вашей компании? Как долго вы можете сделать гарантию на ваши товары?
Ответ: наша компания только что продает новые и оригинальные товары, наш товар 100% хорошего качества, конечно, мы можем сделать гарантию в течение 90 дней после отгрузки, любая проблема качества, мы можем гарантировать возврат или замену, вам не нужноБеспокоитесь об этом!
В5: какое время выполнения заказа?
Ответ:Для большинства товаров, у нас есть в наличии,TНет времени на доставку товаров в наличии,
После проверкиОплата, мы отправим вам в течение 2-3 дней!
В6: какой процесс сделать заказ?
Ответ:
(1) Вы должны показать нам ваши требования, и мы будем цитировать для вашего первого!
(2) если наше qoutation нормально для вас, и вы планируете заказать, вы должны отправить нам ваше имя компании,
Адрес доставки, номер телефона и контактное лицо, чтобы мы могли сделать предварительный счет, включая
Плата за доставку и банковский сбор для вас!
(3) после оплаты, пожалуйста, дайте нам знать, чтобы проверить оплату, тогда мы отправим для васВ соответствии с проформой счета, затем показать вам номер отслеживания!
Послепродажное обслуживание:
1. Мы несем ответственность за все товары от нас. Если у вас есть какие-либо вопросы о товарах, вы можете свободно связаться с нами в любое время.
2. мы можем помочь нашим клиентам организовать/купить комбинированную доставку товаров или другие товары, которые они хотят здесь, Китай.
3. Все, что вам нужно, мы просто здесь для вас.
2N3055 транзистор характеристики и его российские аналоги
Транзистор 2N3055 – мощный биполярный транзистор n-p-n типа, который может быть использован в различных устройствах: в источниках питания, в аудио усилителях, в схемах переключения и т.д. В данной статье приведены его подробные электрические характеристики в соответствии с документацией производителя «ON Semiconductor».
Транзистор 2N3055
Наверно многие радиолюбители слышали о 2N3055 транзисторе, поскольку он широко используется в уже течение многих лет. Его металлический корпус идеален для рассеивания большого количества тепла при помощи хорошего радиатора.
Комплементарной парой транзистора 2N3055 является транзистор MJ2955. Он имеет такие же характеристики, но имеет p-n-p структуру.
Если вы хотите собрать усилитель, вы можете использовать эту пару транзисторов. В этом случае, напряжение питания усилителя не должно превышать +/- 30 вольт.
Распиновка транзистора 2N3055
Распиновка транзистора 2N3055 в его классическом металлическом корпусе: корпус является коллектором, а два оставшихся вывода – это база и эмиттер.
Транзистор 2N3055, как и MJ2955, выпускается также в плоском корпусе (TO-218 и TO-247), который проще монтировать на радиаторе: TIP3055 и TIP2955 соответственно. Здесь в отличие от полностью металлического корпуса рассеиваемая мощность чуть ниже, 90 ватт против 115 ватт.
Характеристики транзистора 2N3055
- Напряжение коллектор-эмиттер Vкэ : 60В
- Ток коллектора в непрерывном режиме : 15А
- Коэффициент усиления по току: 20-70 (при Iк = 4А)
- Напряжение насыщения Uкэ: 1,1В при Iк макс = 4А, Iб = 400мА
- Напряжение насыщения Uкэ: 3,0В Iк макс = 10А, Iб = 3,3А
- Напряжение база-эмиттер Uбэ (Iк = 4A, Vкэ = 4В): 1,5В
- Обратное напряжение база-эмиттер: 7В
- Рассеиваемая мощность при Uкэ = 30В: 115 Вт
- Рабочая температура: от -50 ° С до + 200 ° C
- Полоса пропускания (частота перехода): 2,5 МГц
Аналог 2N3055
Отечественным аналогом 2N3055 может послужить транзистор 2Т808А
Применение транзистора 2N3055 (MJ2955)
- Транзистор 2N3055 в стабилизированных линейных источниках питания (0-30В до 5A)
- В паре 2N3055 и MJ2955 в аудио усилителях с питанием +/- 30 вольт
Скачать datasheet 2N3055 (unknown, скачано: 2 723)
Биполярный транзистор 2N3055 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N3055
Тип материала: Si
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 117 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.2 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO3
2N3055 Datasheet (PDF)
1.1. 2n3055.pdf Size:422K _rca
2N3055(NPN), MJ2955(PNP) Preferred Device Complementary Silicon Power Transistors Complementary silicon power transistors are designed for general-purpose switching and amplifier applications. Features http://onsemi.com • DC Current Gain — hFE = 20-70 @ IC = 4 Adc • Collector-Emitter Saturation Voltage — 15 AMPERE VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4 Adc POWER TRANSISTORS • Exc
2N3055A (NPN), MJ15015 (NPN), MJ15016 (PNP) MJ15015 and MJ15016 are Preferred Devices Complementary Silicon High-Power Transistors http://onsemi.com These PowerBaset complementary transistors are designed for high power audio, stepping motor and other linear applications. These 15 AMPERE devices can also be used in power switching circuits such as relay or solenoid drivers, dc-to-dc
2N3055ESMD Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89 (0.035) min. Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142) 3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max. Package for High Reliability Applications 1 3 Bipolar NPN Device. 2 VCEO = 60V IC = 15A 9.67 (0.381) All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369) 0.50 (0.020) 0.26
1.5. 2n3055.pdf Size:130K _motorola
Order this document MOTOROLA by 2N3055/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN 2N3055 * Complementary Silicon Power PNP MJ2955* Transistors . . . designed for general�purpose switching and amplifier applications. *Motorola Preferred Device � DC Current Gain � hFE = 20�70 @ IC = 4 Adc � Collector�Emitter Saturation Voltage � 15 AMPERE VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4 Adc POWER TRANSISTORS
Order this document MOTOROLA by 2N3055/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN 2N3055 * Complementary Silicon Power PNP MJ2955* Transistors . . . designed for general�purpose switching and amplifier applications. *Motorola Preferred Device � DC Current Gain � hFE = 20�70 @ IC = 4 Adc � Collector�Emitter Saturation Voltage � 15 AMPERE VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4 Adc POWER TRANSISTORS
Order this document MOTOROLA by 2N3055A/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN Complementary Silicon 2N3055A High-Power Transistors * MJ15015 . . . PowerBase complementary transistors designed for high power audio, stepping motor and other linear applications. These devices can also be used in power switching circuits such as relay or solenoid drivers, dc�to�dc converters, inverters, or M
Order this document MOTOROLA by 2N3055/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN 2N3055 * Complementary Silicon Power PNP MJ2955* Transistors . . . designed for general�purpose switching and amplifier applications. *Motorola Preferred Device � DC Current Gain � hFE = 20�70 @ IC = 4 Adc � Collector�Emitter Saturation Voltage � 15 AMPERE VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4 Adc POWER TRANSISTORS
2N3055 SILICON NPN TRANSISTOR n SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE DESCRIPTION The 2N3055 is a silicon epitaxial-base NPN transistor in Jedec TO-3 metal case. It is intended for power switching circuits, series and shunt regulators, output stages and high fidelity amplifiers. 1 2 TO-3 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Vo
2N3055 MJ2955 Complementary power transistors Features � Low collector-emitter saturation voltage � Complementary NPN — PNP transistors Applications � General purpose � Audio Amplifier 1 2 Description TO-3 The devices are manufactured in epitaxial-base planar technology and are suitable for audio, power linear and switching applications. Figure 1. Internal schematic diagram Tab
2N3055A (NPN), MJ15015 (NPN), MJ15016 (PNP) MJ15015 and MJ15016 are Preferred Devices Complementary Silicon High-Power Transistors http://onsemi.com These PowerBaset complementary transistors are designed for high power audio, stepping motor and other linear applications. These 15 AMPERE devices can also be used in power switching circuits such as relay or solenoid drivers, dc-to-dc con
2N3055(NPN), MJ2955(PNP) Preferred Device Complementary Silicon Power Transistors Complementary silicon power transistors are designed for general-purpose switching and amplifier applications. Features http://onsemi.com � DC Current Gain — hFE = 20-70 @ IC = 4 Adc � Collector-Emitter Saturation Voltage — 15 AMPERE VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4 Adc POWER TRANSISTORS � Excellent Sa
1.13. 2n3055.pdf Size:16K _utc
UTC 2N3055 SILICON NPN TRANSISTOR SILICON NPN TRANSISTORS The UTC 2N3055 is a silicon NPN transistor in TO-3 metal case. It is intended for power switching circuits, series and shunt regulators, output stages and high f >1.14. mj15015-16 2n3055a mj2955a.pdf Size:193K _mospec
1.15. 2n3055hv.pdf Size:240K _cdil
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company 2N3055HV NPN POWER TRANSISTOR TO-3 Metal Can Package Switching Regulator and Power Amplifier Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCBO Collector Base Voltage ( Open Emitter) V 100 VCEO Collector Emitter Voltage (Open Base) V 100 VEBO Emitter Base Voltage V 7.
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company 2N3055 NPN SILICON PLANAR POWER TRANSISTORS MJ2955 PNP TO-3 Metal Can Package General Purpose Switching and Amplifier Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL UNITS VALUE Collector Base Voltage VCBO V 100 Collector Emitter Voltage VCEO V 60 Collector Emitter Voltage(RBE=100?)
1.17. 2n3055.pdf Size:237K _jmnic
Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2N3055 DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Complement to type MJ2955 ·DC Current Gain -hFE = 20–70 @ IC = 4 Adc ·Collector–Emitter Saturation Voltage — VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4 Adc ·Excellent Safe Operating Area APPLICATIONS ·Designed for general–purpose switching and amplifier applications. P
1.18. 2n3055a.pdf Size:33K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2N3055A DESCRIPTION ·Excellent Safe Operating Area ·DC Current Gain-hFE=20-70@IC = 4A ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.1 V(Max)@ IC = 4A ·Complement to Type MJ2955A APPLICATIONS ·Designed for high power audio, stepping motor and other linear applications. It can also be us
1.19. 2n3055.pdf Size:107K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2N3055 DESCRIPTION ·Excellent Safe Operating Area ·DC Current Gain-hFE=20-70@IC = 4A ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.1 V(Max)@ IC = 4A ·Complement to Type MJ2955 APPLICATIONS ·Designed for general-purpose switching and amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=2
1.20. 2n3055h.pdf Size:31K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2N3055H DESCRIPTION ·Excellent Safe Operating Area ·DC Current Gain-hFE=20-70@IC = 4A ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.1 V(Max)@ IC = 4A APPLICATIONS ·Designed for general-purpose switching and amplifier Applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25?) SYMBOL PARAMETER VALU
1.21. 2n3055.pdf Size:156K _aeroflex
NPN Power Silicon Transistor 2N3055 Features • Available in JAN, JANTX, and JANTXV per MIL-PRF-19500/407 • TO-3 (TO-204AA) Package Maximum Ratings Ratings Symbol Value Units Collector — Emitter Voltage VCEO 70 Vdc Collector — Base Voltage VCBO 100 Vdc Emitter — Base Voltage VEBO 7.0 Vdc Base Current IB 7.0 Adc Collector Current IC 15 Adc Total Power Dissipation @ TA = 25 °C (
Главная | О сайте | Теория | Практика | Контакты |
Юмор: Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора 2N3055.Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора 2N3055 . Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора. Можно попробовать заменить транзистор 2N3055 транзистором MJ2801; Коллективный разум.дата записи: 2015-11-06 10:42:54 дата записи: 2016-02-02 22:31:59 BDY73 — возможный аналог; MJ2955 — комплементарная пара; Добавить аналог транзистора 2N3055.Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора 2N3055? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения. Другие разделы справочника:Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». |
Тип прибора | Описание |
STA434A | P/N-матрица 2×60В 4A 20Вт |
STA441C | N-матрица 4×160В 1,5А β>40 |
STA451C | P/N-матрица 2×60В ЗА β>40 |
STA471A | N-матрица 4×60В 2А β>2000 |
STA8012 | матрица |
STA901M | матрица |
STP3NA60 | N-FET 600В 2,9А 80Вт |
STP3NA60F | N-FET 600В 2,1А 40Вт |
STP4NA60 | N-FET 600В 4.3А 100Вт |
STP4NA60F | N-FET 600В 2,7А 40Вт |
STP4NA80 | N-FET 800В 4А 110Вт |
STP4NA80F | N-FET 800В 2,5А 45Вт |
STW15NA50 | N-FET 500В 14,6А 190Вт |
SUP70N06-14 | N-FET 60В 70А 142Вт |
THD200FI | SI-N 1500В 10A 60Вт |
TIP102 | N-DARL 100В 8А 80Вт |
TIP107 | P-DARL 100В 15А80Вт |
TIP112 | N-DARL 100В 2А 50Вт |
TIP117 | P-DARL 100В 2А 50Вт |
TIP122 | N-DARL 100В 5А 65Вт |
TIP127 | P-DARL 100В 5А 65Вт |
TIP132 | N-DARL 100В 8А 70Вт |
TIP137 | P-DARL 100В 8А 70Вт |
TIP142 | N-DARL 100В 10А 125Вт |
TIP142T | N-DARL 100В 10А 80Вт |
TIP147 | P-DARL+D 100В 10А 125Вт |
TIP152 | N-DARL+D 400/400В 7А 80Вт |
TIP162 | N-DARL 380В 10А 3Вт |
TIP2955 | SI-Р 100В 15А 90Вт |
TIP29E | SI-N 180В 2А 30Вт >3МГц |
Тип прибора | Описание |
TIP3055 | SI-N 100В 15А 90Вт |
TIP33C | SI-N 115В 10А 80ВТ |
TIP34C | SI-Р 100В 10А 80Вт 3МГц |
TIP35C | SI-N 100В 25А 125Вт 3МГц |
TIP36C | SI-Р 100В 25А 125Вт 3МГц |
TIP41C | SI-N 100В 6А 65Вт 3МГц |
TIP42C | SI-Р 140В 6А 65Вт |
TIP50 | SI-N 400B 1А 40Вт 2мкс |
TIP54 | SI-N 500В ЗА 100Вт >2,5МГц |
TIPL760 | SI-N 850/400В 4А 75Вт |
TIPL760A | SI-N 100В 4А 80ВТ 12МГц |
TIPL761A | SI-N 1000В 4А 100Вт |
TIPL762A | SI-N 800В 6А 120Вт |
TIPL763A | SI-N 1000В 8А 120Вт 8МГц |
TIPL790A | SI-N 150В 10А 70 Вт 10МГц |
TIPL791A | SI-N 450В 4А 75Вт |
U440 | 2xN-FET 25В ЗОмА 0,35Вт |
UPA63H | 2xN-FET 60В ldss>20мA |
UPA81C | N-матрица 8×40В 0,4А β>1000 |
VN10KM | N-FET 60В 0,31A Up |
VN66AFD | N-FET 60В 2А 12Вт Up |
VN88AFD | N-FET 80В 1,ЗА 20Вт Up |
ZTX213 | SI-Р 45В 0,2А 0,3Вт 350МГц |
ZTX342 | SI-N 120В 0,1А 0,3Вт |
ZTX450 | SI-N 60В 1А 1Вт 150МГц |
ZTX550 | SI-P60B 1А 1Вт >150МГц |
ZTX653 | SI-N 120В 2А 1Вт >140МГц |
ZTX753 | SI-P120B 2А 1Вт |
ZTX753M1TA | SI-P 120B 2А 1Вт |
2N3055
2N3055 является кремний NPN мощности транзистор , предназначенный для общего применения. Он был представлен в начале 1960-х годов компанией RCA с использованием процесса гомотаксиального силового транзистора, перешедшего на эпитаксиальную базу в середине 1970-х годов. [1] Его нумерация соответствует стандарту JEDEC . [2] Это транзисторный тип непреходящей популярности. [3] [4] [5]
Точные рабочие характеристики зависят от производителя и даты; до перехода на эпитаксиальную базовую версию в середине 1970-х годов f T могла составлять, например, всего 0,8 МГц.
Упакованный в корпус типа TO-3 , это силовой транзистор на 15 А , 60 В (или более, см. Ниже), 115 Вт с β (усиление прямого тока) от 20 до 70 при токе коллектора 4 А (это может быть больше 100 при испытаниях на меньших токах [6] ). Частота перехода часто составляет около 3,0 МГц, а для 2N3055A типично 6 МГц; на этой частоте расчетное усиление по току (бета) падает до 1, указывая на то, что транзистор больше не может обеспечивать полезное усиление в конфигурации с обычным эмиттером . Частота, при которой усиление начинает падать, может быть намного ниже, см. Ниже.
Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером для 2N3055, как и для других транзисторов, зависит от пути сопротивления, который внешняя цепь обеспечивает между базой и эмиттером транзистора; при 100 Ом номинальное напряжение пробоя 70 В, V CER , и поддерживаемое напряжение коллектор-эмиттер, V CEO (sus) , предоставлено ON Semiconductor. [6] Иногда пробивное напряжение CBO 100 В (максимальное напряжение между коллектором и базой при открытом эмиттере, нереалистичное расположение в практических схемах) указывается как единственное номинальное напряжение, которое может вызвать путаницу. Производители редко указывают номинальное напряжение V CES для 2N3055.
Общая рассеиваемая мощность ( в большинстве американских таблиц данных обозначается P D , а в европейских — P tot ) зависит от радиатора, к которому подключен 2N3055. С «бесконечным» радиатором, то есть: когда температура корпуса определенно составляет 25 градусов, номинальная мощность составляет около 115 Вт (некоторые производители указывают 117 Вт), но для большинства приложений (и, конечно, при высокой температуре окружающей среды) ожидается значительно более низкая номинальная мощность в соответствии с кривой снижения мощности производителя. Устройство разработано для работы с эффективным радиатором, но необходимо соблюдать осторожность, чтобы установить устройство должным образом, [7] [8] [9] в противном случае может произойти физическое повреждение или ухудшение энергопотребления, особенно с корпусами или радиаторами, которые не идеально плоский.
Руководство по RCA-транзисторам 1967 года, SC-13, не упоминает никаких показателей высокочастотных характеристик 2N3055; в руководстве SC-15 1971 года была указана частота перехода f T не менее 800 кГц (при I C = 1 A) и f hfe (частота, на которой усиление тока слабого сигнала падает на 3 дБ). указано при 1А как минимум 10 кГц. Другие производители примерно в это время также указывали аналогичные значения (например, в 1973 году Philips дал f T > 0,8 МГц и f hfe > 15 кГц для своего устройства 2N3055).
Транзистор 2Н3055 установлен на алюминиевом радиаторе. Слюды изолятор электрически изолирует корпус транзистора от радиатора . Транзистор 2Н3055 внутреннее устройство. Транзистор Tesla KD503
Npn и pnp транзистор отличия
PNP-транзистор является электронным прибором, в определенном смысле обратном NPN-транзистору. В этом типе конструкции транзистора его PN-переходы открываются напряжениями обратной полярности по отношению к NPN-типу. В условном обозначении прибора стрелка, которая также определяет вывод эмиттера, на этот раз указывает внутрь символа транзистора.
Конструкция прибора
Конструктивная схема транзистора PNP-типа состоит из двух областей полупроводникового материала p-типа по обе стороны от области материала n-типа, как показано на рисунке ниже.
Стрелка определяет эмиттер и общепринятое направление его тока («внутрь» для транзистора PNP).
PNP-транзистор имеет очень схожие характеристики со своим NPN-биполярным собратом, за исключением того, что направления токов и полярности напряжений в нем обратные для любой из возможных трех схем включения: с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором.
Основные отличия двух типов биполярных транзисторов
Главным различием между ними считается то, что дырки являются основными носителями тока для транзисторов PNP, NPN-транзисторы имеют в этом качестве электроны. Поэтому полярности напряжений, питающих транзистор, меняются на обратные, а его входной ток вытекает из базы. В отличие от этого, у NPN-транзистора ток базы втекает в нее, как показано ниже на схеме включения приборов обоих типов с общей базой и общим эмиттером.
Принцип работы транзистора PNP-типа основан на использовании небольшого (как и у NPN-типа) базового тока и отрицательного (в отличие от NPN-типа) базового напряжения смещения для управления гораздо большим эмиттерно-коллекторным током. Другими словами, для транзистора PNP эмиттер является более положительным по отношению к базе, а также по отношению к коллектору.
Рассмотрим отличия PNP-типа на схеме включения с общей базой
Действительно, из нее можно увидеть, что ток коллектора IC (в случае транзистора NPN) вытекает из положительного полюса батареи B2, проходит по выводу коллектора, проникает внутрь него и должен далее выйти через вывод базы, чтобы вернуться к отрицательному полюсу батареи. Таким же образом, рассматривая цепь эмиттера, можно увидеть, как его ток от положительного полюса батареи B1 входит в транзистор по выводу базы и далее проникает в эмиттер.
По выводу базы, таким образом, проходит как ток коллектора IC, так и ток эмиттера IE. Поскольку они циркулируют по своим контурам в противоположных направлениях, то результирующий ток базы равен их разности и очень мал, так как IC немного меньше, чем IE. Но так как последний все же больше, то направление протекания разностного тока (тока базы) совпадает с IE, и поэтому биполярный транзистор PNP-типа имеет вытекающий из базы ток, а NPN-типа – втекающий.
Отличия PNP-типа на примере схемы включения с общим эмиттером
В этой новой схеме PN-переход база-эмиттер открыт напряжением батареи B1, а переход коллектор-база смещен в обратном направлении посредством напряжения батареи В2. Вывод эмиттера, таким образом, является общим для цепей базы и коллектора.
Полный ток эмиттера задается суммой двух токов IC и IB; проходящих по выводу эмиттера в одном направлении. Таким образом, имеем IE = IC + IB.
В этой схеме ток базы IB просто «ответвляется» от тока эмиттера IE, также совпадая с ним по направлению. При этом транзистор PNP-типа по-прежнему имеет вытекающий из базы ток IB, а NPN-типа – втекающий.
В третьей из известных схем включения транзисторов, с общим коллектором, ситуация точно такая же. Поэтому мы ее не приводим в целях экономии места и времени читателей.
PNP-транзистор: подключение источников напряжения
Источник напряжения между базой и эмиттером (VBE) подключается отрицательным полюсом к базе и положительным к эмиттеру, потому что работа PNP-транзистора происходит при отрицательном смещении базы по отношению к эмиттеру.
Напряжение питания эмиттера также положительно по отношению к коллектору (VCE). Таким образом, у транзистора PNP-типа вывод эмиттера всегда более положителен по отношению как к базе, так и к коллектору.
Источники напряжения подключаются к PNP-транзистору, как показано на рисунке ниже.
Работа PNP-транзисторного каскада
Итак, чтобы вызвать протекание базового тока в PNP-транзисторе, база должна быть более отрицательной, чем эмиттер (ток должен покинуть базу) примерно на 0,7 вольт для кремниевого прибора или на 0,3 вольта для германиевого. Формулы, используемые для расчета базового резистора, базового тока или тока коллектора такие же, как те, которые используются для эквивалентного NPN-транзистора и представлены ниже.
Мы видим, что фундаментальным различием между NPN и PNP-транзистором является правильное смещение pn-переходов, поскольку направления токов и полярности напряжений в них всегда противоположны. Таким образом, для приведенной выше схеме: IC = IE – IB, так как ток должен вытекать из базы.
Как правило, PNP-транзистор можно заменить на NPN в большинстве электронных схем, разница лишь в полярности напряжения и направлении тока. Такие транзисторы также могут быть использованы в качестве переключающих устройств, и пример ключа на PNP-транзисторе показан ниже.
Характеристики транзистора
Выходные характеристики транзистора PNP-типа очень похожи на соответствующие кривые эквивалентного NPN-транзистора, за исключением того, что они повернуты на 180° с учетом реверса полярности напряжений и токов (токи базы и коллектора, PNP-транзистора отрицательны). Точно также, чтобы найти рабочие точки транзистора PNP-типа, его динамическая линия нагрузки может быть изображена в III-й четверти декартовой системы координат.
Типовые характеристики PNP-транзистора 2N3906 показаны на рисунке ниже.
Транзисторные пары в усилительных каскадах
Вы можете задаться вопросом, что за причина использовать PNP-транзисторы, когда есть много доступных NPN-транзисторов, которые могут быть использованы в качестве усилителей или твердотельных коммутаторов? Однако наличие двух различных типов транзисторов — NPN и PNP — дает большие преимущества при проектировании схем усилителей мощности. Такие усилители используют «комплементарные», или «согласованные” пары транзисторов (представляющие собой один PNP-транзистор и один NPN, соединенные вместе, как показано на рис. ниже) в выходном каскаде.
Два соответствующих NPN и PNP-транзистора с близкими характеристиками, идентичными друг другу, называются комплементарными. Например, TIP3055 (NPN-тип) и TIP2955 (PNP-тип) являются хорошим примером комплементарных кремниевых силовых транзисторов. Они оба имеют коэффициент усиления постоянного тока β=IC/IB согласованный в пределах 10% и большой ток коллектора около 15А, что делает их идеальными для устройств управления двигателями или роботизированных приложений.
Кроме того, усилители класса B используют согласованные пары транзисторов и в своих выходной мощных каскадах. В них NPN-транзистор проводит только положительную полуволну сигнала, а PNP-транзистор – только его отрицательную половину.
Это позволяет усилителю проводить требуемую мощность через громкоговоритель в обоих направлениях при заданной номинальной мощности и импедансе. В результате выходной ток, который обычно бывает порядка нескольких ампер, равномерно распределяется между двумя комплементарными транзисторами.
Транзисторные пары в схемах управления электродвигателями
Их применяют также в H-мостовых цепях управления реверсивными двигателями постоянного тока, позволяющих регулировать ток через двигатель равномерно в обоих направлениях его вращения.
H-мостовая цепь выше называется так потому, что базовая конфигурация ее четырех переключателей на транзисторах напоминает букву «H» с двигателем, расположенным на поперечной линии. Транзисторный H-мост, вероятно, является одним из наиболее часто используемых типов схемы управления реверсивным двигателем постоянного тока. Он использует «взаимодополняющие» пары транзисторов NPN- и PNP-типов в каждой ветви, работающих в качестве ключей при управлении двигателем.
Вход управления A обеспечивает работу мотора в одном направлении, в то время как вход B используется для обратного вращения.
Например, когда транзистор TR1 включен, а TR2 выключен, вход A подключен к напряжению питания (+ Vcc), и если транзистор TR3 выключен, а TR4 включен, то вход B подключен к 0 вольт (GND). Поэтому двигатель будет вращаться в одном направлении, соответствующем положительному потенциалу входа A и отрицательному входа B.
Если состояния ключей изменить так, чтобы TR1 был выключен, TR2 включен, TR3 включен, а TR4 выключен, ток двигателя будет протекать в противоположном направлении, что повлечет его реверсирование.
Используя противоположные уровни логической «1» или «0» на входах A и B, можно управлять направлением вращения мотора.
Определение типа транзисторов
Любые биполярные транзисторы можно представить состоящими в основном из двух диодов, соединенных вместе спина к спине.
Мы можем использовать эту аналогию, чтобы определить, относится ли транзистор к типу PNP или NPN путем тестирования его сопротивления между его тремя выводами. Тестируя каждую их пару в обоих направлениях с помощью мультиметра, после шести измерений получим следующий результат:
1. Эмиттер — База. Эти выводы должны действовать как обычный диод и проводить ток только в одном направлении.
2. Коллектор — База. Эти выводы также должны действовать как обычный диод и проводить ток только в одном направлении.
3. Эмиттер — Коллектор. Эти выводы не должен проводить в любом направлении.
Значения сопротивлений переходов транзисторов обоих типов
Пара выводов транзистора | PNP | NPN | |
Коллектор | Эмиттер | RВЫСОКОЕ | RВЫСОКОЕ |
Коллектор | База | RНИЗКОЕ | RВЫСОКОЕ |
Эмиттер | Коллектор | RВЫСОКОЕ | RВЫСОКОЕ |
Эмиттер | База | RНИЗКОЕ | RВЫСОКОЕ |
База | Коллектор | RВЫСОКОЕ | RНИЗКОЕ |
База | Эмиттер | RВЫСОКОЕ | RНИЗКОЕ |
Тогда мы можем определить PNP-транзистор как исправный и закрытый. Небольшой выходной ток и отрицательное напряжение на его базе (B) по отношению к его эмиттеру (E) будет его открывать и позволит протекать значительно большему эмиттер-коллекторному току. Транзисторы PNP проводят при положительном потенциале эмиттера. Иными словами, биполярный PNP-транзистор будет проводить только в том случае, если выводы базы и коллектором являются отрицательным по отношению к эмиттеру.
PNP-транзистор является электронным прибором, в определенном смысле обратном NPN-транзистору. В этом типе конструкции транзистора его PN-переходы открываются напряжениями обратной полярности по отношению к NPN-типу. В условном обозначении прибора стрелка, которая также определяет вывод эмиттера, на этот раз указывает внутрь символа транзистора.
Конструкция прибора
Конструктивная схема транзистора PNP-типа состоит из двух областей полупроводникового материала p-типа по обе стороны от области материала n-типа, как показано на рисунке ниже.
Стрелка определяет эмиттер и общепринятое направление его тока («внутрь» для транзистора PNP).
PNP-транзистор имеет очень схожие характеристики со своим NPN-биполярным собратом, за исключением того, что направления токов и полярности напряжений в нем обратные для любой из возможных трех схем включения: с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором.
Основные отличия двух типов биполярных транзисторов
Главным различием между ними считается то, что дырки являются основными носителями тока для транзисторов PNP, NPN-транзисторы имеют в этом качестве электроны. Поэтому полярности напряжений, питающих транзистор, меняются на обратные, а его входной ток вытекает из базы. В отличие от этого, у NPN-транзистора ток базы втекает в нее, как показано ниже на схеме включения приборов обоих типов с общей базой и общим эмиттером.
Принцип работы транзистора PNP-типа основан на использовании небольшого (как и у NPN-типа) базового тока и отрицательного (в отличие от NPN-типа) базового напряжения смещения для управления гораздо большим эмиттерно-коллекторным током. Другими словами, для транзистора PNP эмиттер является более положительным по отношению к базе, а также по отношению к коллектору.
Рассмотрим отличия PNP-типа на схеме включения с общей базой
Действительно, из нее можно увидеть, что ток коллектора IC (в случае транзистора NPN) вытекает из положительного полюса батареи B2, проходит по выводу коллектора, проникает внутрь него и должен далее выйти через вывод базы, чтобы вернуться к отрицательному полюсу батареи. Таким же образом, рассматривая цепь эмиттера, можно увидеть, как его ток от положительного полюса батареи B1 входит в транзистор по выводу базы и далее проникает в эмиттер.
По выводу базы, таким образом, проходит как ток коллектора IC, так и ток эмиттера IE. Поскольку они циркулируют по своим контурам в противоположных направлениях, то результирующий ток базы равен их разности и очень мал, так как IC немного меньше, чем IE. Но так как последний все же больше, то направление протекания разностного тока (тока базы) совпадает с IE, и поэтому биполярный транзистор PNP-типа имеет вытекающий из базы ток, а NPN-типа – втекающий.
Отличия PNP-типа на примере схемы включения с общим эмиттером
В этой новой схеме PN-переход база-эмиттер открыт напряжением батареи B1, а переход коллектор-база смещен в обратном направлении посредством напряжения батареи В2. Вывод эмиттера, таким образом, является общим для цепей базы и коллектора.
Полный ток эмиттера задается суммой двух токов IC и IB; проходящих по выводу эмиттера в одном направлении. Таким образом, имеем IE = IC + IB.
В этой схеме ток базы IB просто «ответвляется» от тока эмиттера IE, также совпадая с ним по направлению. При этом транзистор PNP-типа по-прежнему имеет вытекающий из базы ток IB, а NPN-типа – втекающий.
В третьей из известных схем включения транзисторов, с общим коллектором, ситуация точно такая же. Поэтому мы ее не приводим в целях экономии места и времени читателей.
PNP-транзистор: подключение источников напряжения
Источник напряжения между базой и эмиттером (VBE) подключается отрицательным полюсом к базе и положительным к эмиттеру, потому что работа PNP-транзистора происходит при отрицательном смещении базы по отношению к эмиттеру.
Напряжение питания эмиттера также положительно по отношению к коллектору (VCE). Таким образом, у транзистора PNP-типа вывод эмиттера всегда более положителен по отношению как к базе, так и к коллектору.
Источники напряжения подключаются к PNP-транзистору, как показано на рисунке ниже.
Работа PNP-транзисторного каскада
Итак, чтобы вызвать протекание базового тока в PNP-транзисторе, база должна быть более отрицательной, чем эмиттер (ток должен покинуть базу) примерно на 0,7 вольт для кремниевого прибора или на 0,3 вольта для германиевого. Формулы, используемые для расчета базового резистора, базового тока или тока коллектора такие же, как те, которые используются для эквивалентного NPN-транзистора и представлены ниже.
Мы видим, что фундаментальным различием между NPN и PNP-транзистором является правильное смещение pn-переходов, поскольку направления токов и полярности напряжений в них всегда противоположны. Таким образом, для приведенной выше схеме: IC = IE – IB, так как ток должен вытекать из базы.
Как правило, PNP-транзистор можно заменить на NPN в большинстве электронных схем, разница лишь в полярности напряжения и направлении тока. Такие транзисторы также могут быть использованы в качестве переключающих устройств, и пример ключа на PNP-транзисторе показан ниже.
Характеристики транзистора
Выходные характеристики транзистора PNP-типа очень похожи на соответствующие кривые эквивалентного NPN-транзистора, за исключением того, что они повернуты на 180° с учетом реверса полярности напряжений и токов (токи базы и коллектора, PNP-транзистора отрицательны). Точно также, чтобы найти рабочие точки транзистора PNP-типа, его динамическая линия нагрузки может быть изображена в III-й четверти декартовой системы координат.
Типовые характеристики PNP-транзистора 2N3906 показаны на рисунке ниже.
Транзисторные пары в усилительных каскадах
Вы можете задаться вопросом, что за причина использовать PNP-транзисторы, когда есть много доступных NPN-транзисторов, которые могут быть использованы в качестве усилителей или твердотельных коммутаторов? Однако наличие двух различных типов транзисторов — NPN и PNP — дает большие преимущества при проектировании схем усилителей мощности. Такие усилители используют «комплементарные», или «согласованные” пары транзисторов (представляющие собой один PNP-транзистор и один NPN, соединенные вместе, как показано на рис. ниже) в выходном каскаде.
Два соответствующих NPN и PNP-транзистора с близкими характеристиками, идентичными друг другу, называются комплементарными. Например, TIP3055 (NPN-тип) и TIP2955 (PNP-тип) являются хорошим примером комплементарных кремниевых силовых транзисторов. Они оба имеют коэффициент усиления постоянного тока β=IC/IB согласованный в пределах 10% и большой ток коллектора около 15А, что делает их идеальными для устройств управления двигателями или роботизированных приложений.
Кроме того, усилители класса B используют согласованные пары транзисторов и в своих выходной мощных каскадах. В них NPN-транзистор проводит только положительную полуволну сигнала, а PNP-транзистор – только его отрицательную половину.
Это позволяет усилителю проводить требуемую мощность через громкоговоритель в обоих направлениях при заданной номинальной мощности и импедансе. В результате выходной ток, который обычно бывает порядка нескольких ампер, равномерно распределяется между двумя комплементарными транзисторами.
Транзисторные пары в схемах управления электродвигателями
Их применяют также в H-мостовых цепях управления реверсивными двигателями постоянного тока, позволяющих регулировать ток через двигатель равномерно в обоих направлениях его вращения.
H-мостовая цепь выше называется так потому, что базовая конфигурация ее четырех переключателей на транзисторах напоминает букву «H» с двигателем, расположенным на поперечной линии. Транзисторный H-мост, вероятно, является одним из наиболее часто используемых типов схемы управления реверсивным двигателем постоянного тока. Он использует «взаимодополняющие» пары транзисторов NPN- и PNP-типов в каждой ветви, работающих в качестве ключей при управлении двигателем.
Вход управления A обеспечивает работу мотора в одном направлении, в то время как вход B используется для обратного вращения.
Например, когда транзистор TR1 включен, а TR2 выключен, вход A подключен к напряжению питания (+ Vcc), и если транзистор TR3 выключен, а TR4 включен, то вход B подключен к 0 вольт (GND). Поэтому двигатель будет вращаться в одном направлении, соответствующем положительному потенциалу входа A и отрицательному входа B.
Если состояния ключей изменить так, чтобы TR1 был выключен, TR2 включен, TR3 включен, а TR4 выключен, ток двигателя будет протекать в противоположном направлении, что повлечет его реверсирование.
Используя противоположные уровни логической «1» или «0» на входах A и B, можно управлять направлением вращения мотора.
Определение типа транзисторов
Любые биполярные транзисторы можно представить состоящими в основном из двух диодов, соединенных вместе спина к спине.
Мы можем использовать эту аналогию, чтобы определить, относится ли транзистор к типу PNP или NPN путем тестирования его сопротивления между его тремя выводами. Тестируя каждую их пару в обоих направлениях с помощью мультиметра, после шести измерений получим следующий результат:
1. Эмиттер — База. Эти выводы должны действовать как обычный диод и проводить ток только в одном направлении.
2. Коллектор — База. Эти выводы также должны действовать как обычный диод и проводить ток только в одном направлении.
3. Эмиттер — Коллектор. Эти выводы не должен проводить в любом направлении.
Значения сопротивлений переходов транзисторов обоих типов
Пара выводов транзистора | PNP | NPN | |
Коллектор | Эмиттер | RВЫСОКОЕ | RВЫСОКОЕ |
Коллектор | База | RНИЗКОЕ | RВЫСОКОЕ |
Эмиттер | Коллектор | RВЫСОКОЕ | RВЫСОКОЕ |
Эмиттер | База | RНИЗКОЕ | RВЫСОКОЕ |
База | Коллектор | RВЫСОКОЕ | RНИЗКОЕ |
База | Эмиттер | RВЫСОКОЕ | RНИЗКОЕ |
Тогда мы можем определить PNP-транзистор как исправный и закрытый. Небольшой выходной ток и отрицательное напряжение на его базе (B) по отношению к его эмиттеру (E) будет его открывать и позволит протекать значительно большему эмиттер-коллекторному току. Транзисторы PNP проводят при положительном потенциале эмиттера. Иными словами, биполярный PNP-транзистор будет проводить только в том случае, если выводы базы и коллектором являются отрицательным по отношению к эмиттеру.
Транзистор — повсеместный и важный компонент в современной микроэлектронике. Его назначение простое: он позволяет с помощью слабого сигнала управлять гораздо более сильным.
В частноти, его можно использовать как управляемую «заслонку»: отсутствием сигнала на «воротах» блокировать течение тока, подачей — разрешать. Иными словами: это кнопка, которая нажимается не пальцем, а подачей напряжения. В цифровой электронике такое применение наиболее распространено.
Транзисторы выпускаются в различных корпусах: один и тот же транзистор может внешне выглядеть совершенно по разному. В прототипировании чаще остальных встречаются корпусы:
Обозначение на схемах также варьируется в зависимости от типа транзистора и стандарта обозначений, который использовался при составлении. Но вне зависимости от вариации, его символ остаётся узнаваемым.
Биполярные транзисторы
Биполярные транзисторы (BJT, Bipolar Junction Transistors) имеют три контакта:
Основной характеристикой биполярного транзистора является показатель hfe также известный, как gain. Он отражает во сколько раз больший ток по участку коллектор–эмиттер способен пропустить транзистор по отношению к току база–эмиттер.
Например, если hfe = 100, и через базу проходит 0.1 мА, то транзистор пропустит через себя как максимум 10 мА. Если в этом случае на участке с большим током находится компонент, который потребляет, например 8 мА, ему будет предоставлено 8 мА, а у транзистора останется «запас». Если же имеется компонент, который потребляет 20 мА, ему будут предоставлены только максимальные 10 мА.
Также в документации к каждому транзистору указаны максимально допустимые напряжения и токи на контактах. Превышение этих величин ведёт к избыточному нагреву и сокращению службы, а сильное превышение может привести к разрушению.
NPN и PNP
Описанный выше транзистор — это так называемый NPN-транзистор. Называется он так из-за того, что состоит из трёх слоёв кремния, соединённых в порядке: Negative-Positive-Negative. Где negative — это сплав кремния, обладающий избытком отрицательных переносчиков заряда (n-doped), а positive — с избытком положительных (p-doped).
NPN более эффективны и распространены в промышленности.
PNP-транзисторы при обозначении отличаются направлением стрелки. Стрелка всегда указывает от P к N. PNP-транзисторы отличаются «перевёрнутым» поведением: ток не блокируется, когда база заземлена и блокируется, когда через неё идёт ток.
Полевые транзисторы
Полевые транзисторы (FET, Field Effect Transistor) имеют то же назначение, но отличаются внутренним устройством. Частным видом этих компонентов являются транзисторы MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor). Они позволяют оперировать гораздо большими мощностями при тех же размерах. А управление самой «заслонкой» осуществляется исключительно при помощи напряжения: ток через затвор, в отличие от биполярных транзисторов, не идёт.
Полевые транзисторы обладают тремя контактами:
N-Channel и P-Channel
По аналогии с биполярными транзисторами, полевые различаются полярностью. Выше был описан N-Channel транзистор. Они наиболее распространены.
P-Channel при обозначении отличается направлением стрелки и, опять же, обладает «перевёрнутым» поведением.
Подключение транзисторов для управления мощными компонентами
Типичной задачей микроконтроллера является включение и выключение определённого компонента схемы. Сам микроконтроллер обычно имеет скромные характеристики в отношении выдерживаемой мощности. Так Ардуино, при выдаваемых на контакт 5 В выдерживает ток в 40 мА. Мощные моторы или сверхъяркие светодиоды могут потреблять сотни миллиампер. При подключении таких нагрузок напрямую чип может быстро выйти из строя. Кроме того для работоспособности некоторых компонентов требуется напряжение большее, чем 5 В, а Ардуино с выходного контакта (digital output pin) больше 5 В не может выдать впринципе.
Зато, его с лёгкостью хватит для управления транзистором, который в свою очередь будет управлять большим током. Допустим, нам нужно подключить длинную светодиодную ленту, которая требует 12 В и при этом потребляет 100 мА:
Теперь при установке выхода в логическую единицу (high), поступающие на базу 5 В откроют транзистор и через ленту потечёт ток — она будет светиться. При установке выхода в логический ноль (low), база будет заземлена через микроконтроллер, а течение тока заблокированно.
Обратите внимание на токоограничивающий резистор R. Он необходим, чтобы при подаче управляющего напряжения не образовалось короткое замыкание по маршруту микроконтроллер — транзистор — земля. Главное — не превысить допустимый ток через контакт Ардуино в 40 мА, поэтому нужно использовать резистор номиналом не менее:
здесь Ud — это падение напряжения на самом транзисторе. Оно зависит от материала из которого он изготовлен и обычно составляет 0.3 – 0.6 В.
Но совершенно не обязательно держать ток на пределе допустимого. Необходимо лишь, чтобы показатель gain транзистора позволил управлять необходимым током. В нашем случае — это 100 мА. Допустим для используемого транзистора hfe = 100, тогда нам будет достаточно управляющего тока в 1 мА
Нам подойдёт резистор номиналом от 118 Ом до 4.7 кОм. Для устойчивой работы с одной стороны и небольшой нагрузки на чип с другой, 2.2 кОм — хороший выбор.
Если вместо биполярного транзистора использовать полевой, можно обойтись без резистора:
это связано с тем, что затвор в таких транзисторах управляется исключительно напряжением: ток на участке микроконтроллер — затвор — исток отсутствует. А благодаря своим высоким характеристикам схема с использованием MOSFET позволяет управлять очень мощными компонентами.
Рекомендуем к прочтению
TIP2955 datasheet — Кремниевый силовой транзистор PNP
GBPC25005 :. Пластиковый материал имеет лабораторную классификацию воспламеняемости страховщика 94V-O Пластиковый пакет имеет лабораторную классификацию воспламеняемости страховщика 94V-O. Допустимые перенапряжения при перегрузке до 300 ампер. Корпус: формованный пластик с радиатором, встроенным в корпус. Монтажное положение: любое. Вес: 1 унция, 30 грамм. Терминалы: с покрытием.
IRFD214 : Одноканальный силовой полевой МОП-транзистор с N-канальным полевым шестигранником 250 В в корпусе Hexdip.Динамический рейтинг dv / dt Повторяющийся лавинный уровень для автоматической вставки конца Стекируемое быстрое переключение Простота параллельной работы Требования к простым приводам HEXFET-транзисторы третьего поколения от International Rectifier предоставляют разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, прочной конструкции устройства, низкого сопротивления и экономической эффективности. DIP-корпус с 4 выводами.
PD200HB120 : Тиристорный модуль. UL; E76102 M Силовой тиристорный / диодный модуль серии PK200HB предназначены для различных выпрямительных схем и регуляторов мощности.Для вашего схемного приложения. Доступны следующие внутренние соединения и широкий диапазон напряжений до 1600 В. Изолированное монтажное основание 200A, IT RMS 310A, ITSM 5500A di / dt A / s dv / dt 500V / s Применение Различные выпрямители двигателя переменного / постоянного тока.
QRS0620T30 : Диодный модуль быстрого восстановления (200 А / 600 В). Powerex, Inc., 200 Hillis Street, Янгвуд, Пенсильвания (724) 925-7272 Диодные модули с быстрым восстановлением Powerex предназначены для использования в приложениях, требующих быстрого переключения. Модули изолированы для облегчения монтажа с другими компонентами на общем радиаторе.QR_0620T30 Модуль диода быстрого восстановления, 200 А / 600 В, Изолированный монтаж с быстрым временем восстановления.
S106-H : Выходные SSR тиристора. Нулевой крест, 400 В, 800 мА, внутр. Резистор 300 Ом. Это двунаправленное, однополюсное, одноходовое, нормально разомкнутое многоцелевое реле. Схема состоит из одного светодиода на входной стороне, который активирует оптически связанную ИС на выходе, управляя углом срабатывания двух установленных друг за другом тиристоров. Эта схема гарантирует отсутствие ложных срабатываний в самых неблагоприятных условиях и ограниченное окно нулевого напряжения.
IRF6716MTRPBF : Одноканальный силовой МОП-транзистор на полевых транзисторах с N-каналом на 25 В в корпусе DirectFET MX, рассчитанный на 39 ампер, оптимизированный с низким сопротивлением. Поставляется только на ленте и катушке. Деталь не продается оптом, в артикуле подразумевается TR.
BYR29X-800 : Сверхбыстрый силовой диод Сверхбыстрый силовой диод в пластиковом корпусе SOD113 (2-выводный TO-220F).
0603N150F100CG : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 10 В, C0G, 0,000015 мкФ, ПОВЕРХНОСТНОЕ КРЕПЛЕНИЕ, 0603.s: Конфигурация / Форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: Многослойная; Диэлектрик: керамический состав; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 1,50E-5 мкФ; Допуск емкости: 1 (+/-%); WVDC: 10 вольт; Температурный коэффициент: 30 частей на миллион / ° C; Стиль монтажа: Поверхность.
AIAC-0603C-10NK-T : ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ. s: Применение: Универсальное. : Сильноточная конструкция. Широкий диапазон частот. Отличный Q & SRF. Стандартная плоская крышка, подходящая для автоматического размещения.ПРИМЕНЕНИЕ: Цифровое оборудование Bluetooth Оборудование беспроводной связи ABRACON P / N: Рабочая температура: Температура хранения: Условия испытаний и оборудование Частота испытаний: 300 МГц Оборудование: HP4286A / HP16191A AIAC-0603C Индуктивность.
B59118-C1080-A70 : РЕЗИСТОР, ЗАВИСИМЫЙ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ, PTC, 70 Ом, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Категория / Применение: Общее использование; Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, радиальные выводы, радиальные выводы, соответствие требованиям ROHS; Диапазон сопротивления: 70 Ом; Допуск: 25 +/-%; Рабочее напряжение переменного тока: 310 вольт; Рабочая температура: от -10 до 80 C (от 14 до 176 F); Стандарты и сертификаты :.
GDZ10B / D5 : 10 В, 0,2 Вт, КРЕМНИЙ, ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ. s: Тип диода: ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ; Соответствует RoHS: RoHS.
S5006M0100CZF10605 : КРЫШКА, AL2O3, 100 мкФ, 6,3 В постоянного тока, 20% -TOL, 20% + TOL. Односторонний вывод 105C, алюминиевые электролитические конденсаторы высотой 5,0 мм Диапазон рабочих температур ~ + 105C Диапазон номинального напряжения ~ 50 В Диапазон номинальной емкости ~ 470F Допустимое отклонение емкости 20C Постоянный ток утечки (A) = 0,01CV (A) или 3A, в зависимости от того, что больше.(После подачи номинального напряжения в течение 2 минут) Коэффициент рассеяния при 120 Гц, Вт В (В): 6,3 10 D.F Серия S5.
SIHF9630S : 6,5 А, 200 В, 0,8 Ом, P-КАНАЛ, Si, ПИТАНИЕ, МОП-транзистор, TO-263AB. s: Полярность: P-канал; Режим работы MOSFET: Улучшение; V (BR) DSS: 200 вольт; rDS (вкл.): 0,8000 Ом; Тип корпуса: ТО-263, ТО-263, Д2ПАК-3; Количество блоков в ИС: 1.
744315067 : 1 ЭЛЕМЕНТ, 0,67 мкГн, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ, SMD. s: Вариант монтажа: Технология поверхностного монтажа; Устройств в упаковке: 1; Стиль вывода: ОБРАТНЫЙ; Стандарты и сертификаты: RoHS; Применение: общего назначения, силовой дроссель; Диапазон индуктивности: 0.6700 мкГн; Номинальный постоянный ток: 25000 миллиампер; Рабочая температура: от -40 до 150 C (от -40 до 302 F).
Купить силовой транзистор TIP2955 в Интернете — QuartzComponents
Политика возврата
В связи с типом продукции, которую мы продаем, мы принимаем ограниченный возврат. Ниже приведены условия, при которых мы можем принять запрос на возврат.
1. Производственный брак
Если вы получили продукт с производственным дефектом, сообщите нам об этом в течение 3 дней с момента получения продукта, сопровождая его соответствующими фотографиями и описанием.Как только наша служба поддержки примет возврат, мы предоставим замену или полный возврат средств, включая стоимость обратной доставки.2. Отправлен не тот товар
Если вы получили продукт, отличный от заказанного, свяжитесь с нами в течение 3 дней с момента получения продукта, приложив соответствующие фотографии и описание. Как только наша служба поддержки примет возврат, мы предоставим замену или полный возврат средств, включая стоимость обратной доставки.
Ограничение возврата
Мы не принимаем возврат товаров, поврежденных в результате неправильного использования.Кроме того, мы не принимаем возврат, если заказанный товар не подходит для какого-либо конкретного применения. Пожалуйста, прочтите спецификации продукта и техническое описание перед выбором и заказом продукта.Доставка
Мы отправляем по всей Индии с фиксированной ставкой 45 индийских рупий для всех заказов на сумму менее 599 индийских рупий. Для всех заказов на сумму более 599 индийских рупий мы предлагаем бесплатную доставку. По любым вопросам, связанным с доставкой, обращайтесь в нашу службу поддержки по адресу [email protected].
Политика возврата
В связи с типом продукции, которую мы продаем, мы принимаем ограниченный возврат.Ниже приведены условия, при которых мы можем принять запрос на возврат.
1. Производственный брак
Если вы получили продукт с производственным дефектом, сообщите нам об этом в течение 3 дней с момента получения продукта, сопровождая его соответствующими фотографиями и описанием. Как только наша служба поддержки примет возврат, мы предоставим замену или полный возврат средств, включая стоимость обратной доставки.2. Отправлен не тот товар
Если вы получили продукт, отличный от заказанного, свяжитесь с нами в течение 3 дней с момента получения продукта, приложив соответствующие фотографии и описание.Как только наша служба поддержки примет возврат, мы предоставим замену или полный возврат средств, включая стоимость обратной доставки.
Ограничение возврата
Мы не принимаем возврат товаров, поврежденных в результате неправильного использования. Кроме того, мы не принимаем возврат, если заказанный товар не подходит для какого-либо конкретного применения. Пожалуйста, прочтите спецификации продукта и техническое описание перед выбором и заказом продукта.Доставка
Мы отправляем по всей Индии с фиксированной ставкой 45 индийских рупий для всех заказов на сумму менее 599 индийских рупий.Для всех заказов на сумму свыше 599 индийских рупий мы предлагаем бесплатную доставку. По любым вопросам, связанным с доставкой, обращайтесь в нашу службу поддержки по адресу [email protected].
TIP2955 Силовой транзистор PNP — Спецификация
TIP2955 — кремниевый планарный PNP-транзистор с эпитаксиальной базой, смонтированный в пластиковом корпусе TO-218 и предназначенный для схем переключения питания, последовательных и шунтирующих стабилизаторов, выходных каскадов и усилителей Hi-Fi.