TIP32: характеристики, применение и особенности PNP-транзистора средней мощности

Каковы основные характеристики транзистора TIP32. Где применяется TIP32 в электронных схемах. Какие преимущества имеет TIP32 перед аналогами. Как правильно использовать TIP32 в проектах.

Общая информация о транзисторе TIP32

TIP32 представляет собой кремниевый эпитаксиально-планарный PNP-транзистор средней мощности в корпусе TO-220. Этот транзистор широко применяется в различных электронных схемах благодаря своим характеристикам:

  • Максимальный ток коллектора: 3 А
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 40-100 В (в зависимости от модификации)
  • Рассеиваемая мощность: 40 Вт
  • Коэффициент усиления по току: 10-50
  • Корпус: TO-220

TIP32 выпускается в нескольких модификациях (TIP32A, TIP32B, TIP32C), отличающихся максимально допустимым напряжением коллектор-эмиттер. Это позволяет подобрать оптимальный вариант для конкретной схемы.

Основные электрические характеристики TIP32

Рассмотрим подробнее ключевые параметры транзистора TIP32:


  • Vceo (напряжение коллектор-эмиттер): от -40 В до -100 В
  • Vcbo (напряжение коллектор-база): от -40 В до -100 В
  • Vebo (напряжение эмиттер-база): -5 В
  • Ic (постоянный ток коллектора): -3 А
  • Icm (импульсный ток коллектора): -5 А
  • Ib (ток базы): -3 А
  • Pc (рассеиваемая мощность коллектора): 40 Вт при 25°C
  • Tj (максимальная температура перехода): 150°C

Важно отметить, что TIP32 имеет достаточно высокий ток коллектора (до 3 А) и значительную рассеиваемую мощность (40 Вт), что делает его подходящим для применения в схемах средней мощности.

Применение транзистора TIP32 в электронных схемах

TIP32 находит широкое применение в различных электронных устройствах и схемах:

  1. Усилители мощности звуковой частоты
  2. Импульсные источники питания
  3. Схемы управления электродвигателями
  4. Драйверы светодиодов высокой мощности
  5. Стабилизаторы напряжения
  6. Преобразователи напряжения
  7. Коммутационные схемы с высоким током нагрузки

Благодаря своим характеристикам, TIP32 особенно эффективен в схемах, требующих коммутации токов до 3 А при напряжениях до 100 В. Это делает его универсальным выбором для многих инженерных проектов.


Особенности использования TIP32 в электронных проектах

При работе с TIP32 следует учитывать несколько важных моментов:

  • Теплоотвод: При работе с токами близкими к максимальным, необходимо обеспечить эффективный теплоотвод для предотвращения перегрева транзистора.
  • Защита от пробоя: Рекомендуется использовать защитные диоды для предотвращения пробоя транзистора обратными токами в индуктивных нагрузках.
  • Выбор рабочей точки: Для оптимальной работы важно правильно выбрать рабочую точку транзистора, обеспечив необходимый ток базы.
  • Учет температурных эффектов: При проектировании схем следует учитывать изменение параметров транзистора с температурой.

Правильное применение этих принципов позволит максимально эффективно использовать возможности TIP32 в ваших проектах.

Сравнение TIP32 с аналогами

TIP32 имеет ряд аналогов среди PNP-транзисторов средней мощности. Рассмотрим, как он соотносится с некоторыми из них:

  • BD140: Имеет схожие характеристики, но меньший максимальный ток (1.5 А против 3 А у TIP32).
  • 2N6109: Близок по параметрам, но имеет меньшую рассеиваемую мощность (30 Вт против 40 Вт у TIP32).
  • MJE3055T: Обладает большей мощностью (75 Вт), но меньшим коэффициентом усиления.
  • 2SA1943: Имеет значительно большую мощность (130 Вт) и ток (15 А), но более дорогой и менее доступный.

TIP32 выделяется среди аналогов оптимальным балансом между мощностью, током и доступностью, что делает его популярным выбором для многих применений.


Особенности корпуса TO-220 транзистора TIP32

TIP32 выпускается в корпусе TO-220, который имеет ряд преимуществ:

  • Хорошие теплоотводящие свойства: металлическая подложка корпуса позволяет эффективно отводить тепло.
  • Удобство монтажа: корпус имеет отверстие для крепления к радиатору.
  • Стандартизированные размеры: облегчают проектирование печатных плат и выбор радиаторов.
  • Прочность: корпус устойчив к механическим воздействиям.

Корпус TO-220 также обеспечивает хорошую изоляцию транзистора, что важно для безопасности и надежности устройств.

Рекомендации по выбору режима работы TIP32

Для оптимальной работы TIP32 важно правильно выбрать режим его работы:

  1. Активный режим: Используется для усиления сигналов. Транзистор работает на линейном участке характеристики.
  2. Режим насыщения: Применяется в ключевых схемах. Обеспечивает минимальное падение напряжения на транзисторе.
  3. Режим отсечки: Используется для полного закрытия транзистора в ключевых схемах.

Выбор режима зависит от конкретной задачи и требований к схеме. Например, для эффективного усиления сигнала лучше использовать активный режим, а для коммутации нагрузки — режим насыщения.


Выбор рабочей точки TIP32

Правильный выбор рабочей точки критически важен для эффективной работы TIP32. Как определить оптимальную рабочую точку?

  • Определите требуемый ток коллектора исходя из нагрузки.
  • Выберите напряжение коллектор-эмиттер с учетом питающего напряжения и допустимого падения на транзисторе.
  • Рассчитайте необходимый ток базы, используя коэффициент усиления транзистора.
  • Убедитесь, что выбранная рабочая точка не приводит к превышению максимально допустимой рассеиваемой мощности.

Правильно выбранная рабочая точка обеспечит оптимальное усиление сигнала и минимальные искажения в активном режиме или минимальные потери в ключевом режиме.


Введение в TIP32 — Инженерные проекты

В сегодняшнем уроке мы рассмотрим подробное введение в TIP32. TIP32 представляет собой PNP-транзистор с кремниевой эпитаксиальной базой, который существует в корпусе TO-220.

Привет, друзья, надеюсь, у вас все хорошо. В сегодняшнем уроке мы подробно рассмотрим Введение в TIP32. TIP32 представляет собой PNP-транзистор с кремниевой эпитаксиальной базой в гибком корпусе TO-220. Предлагается для использования в менее энергоемких прямолинейных и попеременных подчинениях. Его качество заключается в том, что он существует в трех различных номиналах коллектора и эмиттера. Соответствующий NPN-транзистор — TIP31. Это коммунальный транзистор, который использовался в различных инженерных проектах. Он создан для минимальной затрат времени на обмен представлениями.

В сегодняшнем посте мы рассмотрим его укрепление, разгром, непохожесть, претензии и т. д. Я также поделюсь некоторыми ссылками, где я связывал его с другими микроконтроллерами. Вы также можете получить больше материала об этом в комментариях, я расскажу вам об этом подробнее. Итак, давайте начнем с базовой Введение в TIP32.

Знакомство с TIP32
  • TIP32 представляет собой PNP-транзистор с кремниевой эпитаксиальной базой в гибком корпусе TO-220.
  •  Поскольку он имеет более высокий ток коллектора около 2 А, его можно использовать для переключения питания или усиления сигнала.
Характеристики TIP32
Символы Рейтинги                                       Параметры
В СВО -40В Это напряжение между коллектором и базой.
В Генеральный директор -40В  Это напряжение вокруг коллектора и эмиттера.
В ЭБО -5 В Это напряжение вокруг эмиттера и базы.
I С -3А Это постоянный ток на коллекторе.
I СР -5А  Это импульс тока коллектора.
I Б -3А Это ток у основания.
ПК 40 Вт Это рассеиваемая мощность на коллекторе (TC=25°C).
Т Дж 150 С  Это температура соединения.

Характеристики TIP32
  • Ниже приведены некоторые важные функции TIP32.
    • Это силовой транзистор PNP средней мощности.
    • Коэффициент усиления по постоянному току составляет от 10 до 50.
    • Непрекращающийся ток на клемме коллектора (I c ) составляет три ампера. Ток коллектора (IC) 3А.
    • Напряжение на выводах коллектора и эмиттера составляет 100 вольт.
    • Величина коллекторного и базового (V CB ) напряжения составляет сто вольт.
    • Напряжение между клеммами эмиттера и базы составляет пять вольт.
    • Этот транзистор существует в упаковке To-220.

Работа TIP32

  • Хотя TIP имеет более высокий ток коллектора и коэффициент усиления, он достаточно скромен, чтобы переключать целесообразно, в то время как у него есть напряжение эмиттера и базы всего 5 В, а ток базы всего 120 мА.
  • Тогда, поскольку мы работаем с более высоким током, будет приличная теплоотдача для обмена данными, и впредь предлагается поглотитель тепла.
  • Также Транзистор может работать открыто от (широтно-импульсного модулятора) сигнала ШИМ, при этом эмиттер и база меньше, хотя ШИМ должен базировать достаточный ток для всей емкости Транзистора.
  • Ток по распиновке базы должен быть недостаточным, вы также можете использовать резистор даже на один килоом, если ваши требования к току коллектора меньше.
Применение TIP32
  • Используется в таких коммутационных цепях, которые потребляют более высокий ток около 2 ампер.
  • Может использоваться на средней мощности с использованием коммутационных схем и высокого усиления сигнала.
  • Его также можно использовать для изменения скорости различных двигателей.
  • Используется в полумостовых схемах.
  • Используется для выпрямления и инвертирования тока.

Итак, речь шла о TIP32, если у вас есть какие-либо вопросы по этому поводу, задавайте их в комментариях. Я дам некоторые решения ваших вопросов. Спасибо за чтение.

JLBCB — Прототип 10 печатных плат за 2 доллара США (для любого цвета) Китайское крупное предприятие по производству прототипов печатных плат, более 600 000 клиентов и онлайн-заказ Повседневная Как получить денежный купон PCB от JLPCB: https://bit. ly/2GMCH9w

Теги:

введение в tip32, тип32 рабочий, распиновка тип32, функции tip32, приложения tip32, тип32,

-Автор сайта

седзаиннасир Я Сайед Заин Насир, основатель The Engineering Projects (TEP). я программист с 2009 года, до этого я просто искал вещи, делал небольшие проекты, а теперь делюсь своим знания через эту платформу. Я также работаю фрилансером и сделал много проектов, связанных с программирование и электрические схемы. Мой профиль Google+Подписаться Присоединиться

Спецификация TIP32 — дополнительные силовые кремниевые пластиковые силовые транзисторы

Категория Дискретные => Транзисторы => Биполярные => Силовые Описание Дополнительные кремниевые пластиковые силовые транзисторы — NPN, упаковка: TO-220, контакты = 3 Компания ON Semiconductor Техническое описание Скачать TIP32 Техническое описание Крест. Аналогичные детали: TIP32A, TIP32C Цитата

Где купить

 

 

Функции, применение
TIP31B, TIP31C, (NPN), TIP32B, TIP32C, (PNP) Комплементарные кремниевые пластиковые силовые транзисторы
Предназначен для использования в усилителях общего назначения и переключателях.

Поддерживающее напряжение коллектор-эмиттер VCEO(sus) = 40 В пост. тока (мин.) = 60 В пост. тока (мин.) = 80 В пост. тока (мин.) = 100 В пост. тока (мин.) TIP31C, TIP32C

МОЩНОСТЬ 3 А ТРАНЗИСТОРЫ ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ СИЛИКОННЫЕ 40-60-80-100 ВОЛЬТ 40 ВАТТ

Номинальное обозначение VCEO Значение Единица Vdc Напряжение коллектор-эмиттер TIP31C, TIP32C Напряжение коллектор-база TIP31C, TIP32C VCB Vdc Напряжение эмиттер-база Ток коллектора Базовый ток VEB IC IB Vdc Adc Непрерывная пиковая общая мощность рассеяния = 25_C Снижение номинальных характеристик выше 25_C Суммарная рассеиваемая мощность = 25_C Снижение номинальных характеристик выше 40 0,32 Вт Вт/_C Вт/_C Вт/_C 0,016 32 Энергия индуктивной нагрузки без зажима (Примечание 1) E Диапазон температур перехода при эксплуатации и хранении TJ, Tstg = 20 мГн, P.R.F. = 10 Гц, VCC 10 В, RBE = 100..

TO-220AB CASE 221A-09 STYLE 1 xxx WW = код конкретного устройства: 32C = место сборки = год = рабочая неделя

Подробную информацию о заказе и доставке см. в разделе «Размеры упаковки» на стр. 6 данного технического описания.

Характеристика Обозначение RJA Макс. единица Тепловое сопротивление, переход к окружающей среде Тепловое сопротивление, переход к корпусу 62,5 _C/Вт RJC 3,125

Ток отсечки коллектора (VCE = 30 В пост. тока, = 0) Ток отсечки коллектора (VCE = 60 В пост. тока, = 0) Ток отсечки коллектора (VCE = 40 В пост. тока, VEB = 0) (VCE = 60 В пост. тока, VEB = 0) (VCE = 80 В пост. тока, VEB = 0) (VCE = 100 В пост. тока, VEB = 0)

Коэффициент усиления постоянного тока (IC = 1,0 А пост. тока, VCE = 4,0 В пост. тока) Коэффициент усиления постоянного тока (IC = 3,0 А пост. тока, VCE = 4,0 В пост. тока)

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (IC = 3,0 А пост. тока, = 375 мА пост. тока) Напряжение включения база-эмиттер ( IC = 3,0 А пост. тока, VCE = 4,0 В пост. тока)

Усиление по току — произведение ширины полосы (IC = 500 мА пост. тока, VCE = 10 В пост. тока, ftest = 1,0 МГц)

Коэффициент усиления по току слабого сигнала (IC = 0,5 А пост. тока, VCE = 10 В пост. тока, = 1,0 кГц) 2. Импульсный тест: ширина импульса v 300 с, рабочий цикл v 2,0%.

 

Сопутствующие товары с одинаковым техпаспортом
TIP31A
TIP31B
TIP31C
TIP32A
TIP32B
TIP32C
Некоторые номера деталей того же производителя ON Semiconductor
TIP32A Дополнительные кремниевые пластиковые силовые транзисторы — NPN, упаковка: TO-220, контакты = 3
ТИП33Б НПН 10 ампер дополнительный кремниевый силовой транзистор
TIP33C Комплементарные кремниевые мощные транзисторы, упаковка: SOT-93 (T0-218), Pin=3
ТИП34Б НПН 10 ампер дополнительный кремниевый силовой транзистор
TIP35A Мощность 25 А 100 В NPN, упаковка: SOT-93 (T0-218), контакты = 3
ТИП35Б НПН 25 ампер дополнительный кремниевый силовой транзистор
TIP35C Power 25A 100V NPN, пакет: SOT-93 (T0-218), контакты = 3
ТИП36Б ПНП 25 ампер дополнительный кремниевый силовой транзистор
TIP36C Мощность 25 А 100 В NPN, упаковка: SOT-93 (T0-218), контакты = 3
TIP41 Дополнительные кремниевые пластиковые силовые транзисторы, пакет: TO-220, штыри = 3
TIP47 Мощность 1 А 250 В NPN, упаковка: TO-220, контакты = 3
TIP49 силовой транзистор NPN 1,0 ампер кремний
TIP50 Power 1A 250V NPN, упаковка: TO-220, контакты = 3
TL062 Маломощный входной операционный усилитель JFET
TL071AC Малошумящий входной операционный усилитель на полевых транзисторах
TL071C
TL072 Малошумящий операционный усилитель с входом на полевых транзисторах
TL081 Входной операционный усилитель на полевых транзисторах
TL431 Программируемый прецизионный эталон
ТЛ431А
TL431ACD Регулируемый шунтовый регулятор 2,5–36 В ±1 % с допуском 1–100 мА, Ta = от -40 до +125 °C, сертифицирован для применения в автомобилестроении, упаковка: Micro-8, контакты = 8

MAC8D: симистор, упаковка: TO-220, контакты = 3

MC74ACT151DR2:

MC78L00ABP : Трехполюсные слаботочные регуляторы положительного напряжения

MMBZ5247BLT3: стабилитрон 2,5 В 5%, упаковка: SOT-23 (TO-236), контакты = 3

MBR30L45 : 30 А, 45 В, выпрямитель Шоттки серии L Усовершенствованные выпрямители Шоттки с более низкими параметрами Vf, более высокими выбросами и более низкими параметрами Ir

1. 5SMC68AT3G : Подавители переходного напряжения Зенера пиковой мощности 1500 Вт, однонаправленные*

MC74ACT640DWG: Четырехканальный 2 входа Exclusive или Gate

CAT25640VI-G : EEPROM CMOS EEPROM Технические характеристики: Производитель: ON Semiconductor ; RoHS: Подробная информация ; Объем памяти: 64 Кбит; Организация: 8 К х 8; Хранение данных: 100 лет; Максимальная тактовая частота: 5 МГц; Максимальный рабочий ток: 3 мА; Рабочее напряжение питания: 2,5 В, 3,3 В, 5 В; Максимальная рабочая температура: +85 С; М

NB2308AI2DR2G : Такты/синхронизация — Генераторы тактовых импульсов, Plls, Интегральная схема синтезатора частоты (ics) Буферная лента и катушка с нулевой задержкой (TR) 3 В ~ 3,6 В; IC BUFFER CLK 8OUT 3.3V 16-SOIC Технические характеристики: Тип: Буфер с нулевой задержкой; PLL: да с байпасом; Вход: Часы; Выход: Часы; Частота — макс.: 133,3 МГц; Количество цепей: 1 ; Отношение — Вход Выход: 1 8 ; Дифференциал — Вход Выход: Нет/Нет; Делитель/Множитель: Да/Да; Напряжение питания: 3 В ~ 3,6 В; Рабочая температура: -4

ADM1031ARQZ-REEL7: Pmic — интегральная схема управления температурным режимом (ics) SMBus Tape & Reel (TR) 3 В ~ 5,5 В; IC SENSOR 2TEMP/FAN CTRL 16QSOP Технические характеристики: Температура измерения: 0C ~ 100C, внешний датчик; Тип вывода: SMBus; Напряжение питания: 3 В ~ 5,5 В; Упаковка/кейс: 16-SSOP (0,154 дюйма, ширина 3,90 мм); Упаковка: лента и катушка (TR); Функция: управление вентилятором, монитор температуры; Статус без свинца: Без свинца; Статус RoHS: Соответствует RoHS

BUD42DG : Транзистор (bjt) — один дискретный полупроводниковый продукт 4A 350V 25W NPN; TRANS NPN 350V 2A BIPOLAR DPAK Технические характеристики: Тип транзистора: NPN; Напряжение — пробой коллектор-эмиттер (макс.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *