Транзистор КТ855 — DataSheet
Перейти к содержимому
Цоколевка транзисторов КТ853, КТ854, КТ855
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ855А | BD566, MJ15019 *3, TIP42F, TIP42D *2, TIP32F *2, MJE5172 *2, TIP523 *3 | |||
| КТ855Б | BDT42C, 2SB506A *1, MJE5171 *2, TIP546 *3, ECG381 *2, SK3441 *2, 2N6476 *2, BD956 *2, BD540D *2 | ||||
| КТ855В | BDT45C, MJE5171, TIP546 *1, BDT32C *2, TIP32C *2 | ||||
| Структура | — | p-n-p | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ855А | — | 40* | Вт |
| КТ855Б | — | 40* | |||
| КТ855В | — | 40* | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h31б, f**h31э, f***max | КТ855А | — | ≥5 | МГц |
| КТ855Б | — | ≥5 | |||
| КТ855В | — | ≥5 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб. , U*КЭR проб., U**КЭО проб. |
КТ855А | — | 250 | В |
| КТ855Б | — | 150 | |||
| КТ855В | — | 150 | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ855А | — | 5 | |
| КТ855Б | — | 5 | |||
| КТ855В | — | 5 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ855А | — | 5(8*) | А |
| КТ855Б | — | 5(8*) | |||
| КТ855В | — | 5(8*) | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ855А | 250 В | ≤1 | мА |
| КТ855Б | 150 В | ≤1 | |||
| КТ855В | 150 В | ≤1 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ855А | 4 В; 2 А | ≥20* | |
| КТ855Б | 4 В; 2 А | ≥20* | |||
| КТ855В | 4 В; 2 А | ≥15* | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ855А | 10 В | 200 | пФ |
| КТ855Б | 10 В | 200 | |||
| КТ855В | 10 В | 200 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у. р. |
КТ855А | — | ≤0.5 | Ом, дБ |
| КТ855Б | — | ≤0.5 | |||
| КТ855В | — | ≤0.5 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ855А | — | — | Дб, Ом, Вт |
| КТ855Б | — | — | |||
| КТ855В | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ855А | — | — | пс |
| КТ855Б | — | — | |||
| КТ855В | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
TIP32C Силовой PNP-транзистор: схема расположения выводов, эквивалент, техническое описание [Часто задаваемые вопросы]
Обзор продукта
TIP32C представляет собой кремниевый силовой PNP-транзистор с эпитаксиальной базой в пластиковом корпусе Jedec TO-220. Он предназначен для использования в линейных и коммутационных устройствах средней мощности. Дополнительным типом NPN является TIP31C.
В этом блоге систематически рассказывается о TIP32C – его функциях, распиновке – его аналогам, применении, а также о том, где и как использовать этот компонент, и многом другом.
Catalog
| Product Overview |
| TIP32C Features |
| TIP32C Pinouts |
| TIP32C CAD Models |
| TIP32C Replacement and Equivalent |
| Где мы можем использовать TIP32C и как использовать |
| Как безопасно использовать TIP32C в течение длительного времени в цепи |
| TIP32C Applications |
| TIP32C Specification |
| TIP32C VS TIP36C |
| TIP32C Datasheet |
| TIP32C Manufacturer |
| Using Warnings |
| TIP32C Часто задаваемые вопросы |
TIP32C Характеристики
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
— VCE(sat) = 1,2 В пост.
тока (макс.) @ IC = 3,0 А пост. тока
- Поддерживающее напряжение коллектор-эмиттер
-VCEO (SUS) = 60 В постоянного тока (мин) — TIP31A, TIP32A
= 80 В постоянного тока (мин) — TIP31B, TIP32B
= 100 В пост.
fT = 3,0 МГц (мин) при IC = 500 мА пост. тока
- Компактный TO-220 AB Пакет
- Доступны бессвинцовые упаковки
TIP32C Выводы
Ниже приведены выводы TIP32C.
TIP32C РИСКИЙ
TIP32C CAD Model
Символ TIP32C
TIP32C Footprint
TIP32C 3D Model
TIP32C Replacement and Equivalent
TIP32C transistor nearest possible equivalents are CJF32C, TIP32D, BD582, BD592 , BDT32C 2N6475 2N6476, 2SB1016, MJE30C, MJE32C, MJE5195, NSP582, NSP5195, RCA30C, RCA32C, TIP62A, TIP62B, TIP62C, 2SB761B, 2SB762A, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 2.
54, ЭКГ292.
Кроме того, если нагрузка, которой вы управляете, имеет напряжение ниже 40 В или 80 В, вы также можете использовать транзисторы с точным соответствием, такие как TIP32A, TIP32B. может управлять нагрузками до 80В.
Где мы можем использовать TIP32C и как использовать
TIP32C можно использовать во многих общих приложениях. При использовании в качестве переключателя он способен управлять нагрузкой 3 А, поэтому его можно использовать для управления двигателями постоянного тока, светодиодами, реле, лампочками, а также на выходе Arduino, raspberry pi и других платформ. Помимо этого, его также можно использовать для многих общих аудио и других требований по усилению сигнала.
Как безопасно работать в течение длительного времени СОВЕТ3 2 C в цепи оставайтесь на 20% ниже максимальных оценок).
Всегда используйте подходящий радиатор, коллектор также соединен с металлическим язычком, поэтому при использовании в вашей конструкции или схеме необходимо соблюдать осторожность, чтобы металлический язычок не касался какого-либо другого соединения, иначе это может привести к короткому замыканию или повреждению транзистора. И всегда храните или работайте при температуре от -65 до +150 градусов по Цельсию.
TIP32C Приложения
- Отдельный аудиоусилитель
- Каскады усилителя звука
- Для работы с нагрузкой 3 А
- Драйвер и контроллер двигателей постоянного тока
- Пары Дарлингтона
- Выход Arduino, Raspberry Pi и других электронных платформ
TIP32C S спецификация
| Атрибут продукта | Значение атрибута |
| Производитель: | STMicroelectronics |
| Категория продукта: | Биполярные транзисторы — BJT |
| Способ монтажа: | Сквозное отверстие |
| Упаковка/футляр: | ТО-220-3 |
| Полярность транзистора: | ПНП |
| Конфигурация: | Одноместный |
Напряжение коллектор-эмиттер VCEO Макс. : |
100 В |
| Напряжение коллектор-база VCBO: | — 100 В |
| Напряжение эмиттер-база VEBO: | — 5 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | — 1,2 В |
| Максимальный постоянный ток коллектора: | 3 А |
| Pd — рассеиваемая мощность: | 40 Вт |
| Продукт полосы пропускания fT: | 3 МГц |
| Минимальная рабочая температура: | — 65 С |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 С |
| Серия: | ТИП32К |
| Упаковка: | Трубка |
| Высота: | 9,15 мм |
| Длина: | 10,4 мм |
| Технология: | Си |
| Ширина: | 4,6 мм |
| Марка: | STMicroelectronics |
| Непрерывный ток коллектора: | 3 А |
| Тип продукта: | BJT — биполярные транзисторы |
| Подкатегория: | Транзисторы |
| Вес блока: | 0,211644 унции |
TIP32C VS TIP36C
| TIP32C | ТИП36К | ||
| Код жизненного цикла детали | Активный | Передано | |
| Изготовитель | 0021 | МИКРОКОММЕРЧЕСКИЕ КОМПОНЕНТЫ | МОТОРОЛА ИНК |
| Код комплекта деталей | ТО-220АБ | ||
| Описание упаковки | ПЛАСТИКОВЫЙ, TO-220, 3 PIN | ФЛАНЕЦ, R-PSFM-T3 | |
| Количество контактов | 3 | ||
| Достичь кода соответствия | соответствует | неизвестно | |
| Код ЕСКН | EAR99 | EAR99 | |
| Максимальный ток коллектора (IC) | 3 А | 25 А | |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 100 В | 100 В | |
| Конфигурация | ОДИНОЧНЫЙ | ОДИНОЧНЫЙ | |
| Минимальное усиление постоянного тока (hFE) | 10 | 15 | |
| Код JEDEC-95 | ТО-220АБ | ТО-218АС | |
| JESD-30 Код | Р-ПСФМ-Т3 | Р-ПСФМ-Т3 | |
| JESD-609 Код | е0 | е0 | |
| Уровень чувствительности к влаге | 1 | ||
| Количество элементов | 1 | 1 | |
| Количество клемм | 3 | 3 | |
| Материал корпуса упаковки | ПЛАСТИК/ЭПОКСИД | ПЛАСТИК/ЭПОКСИД | |
| Форма упаковки | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | |
| Тип упаковки | ФЛАНЕЦ | ФЛАНЕЦ | |
| Пиковая температура оплавления (Цель) | НЕ УКАЗАНО | ||
| Полярность/Тип канала | ПНП | ПНП | |
| Квалификационный статус | Не соответствует требованиям | Не соответствует требованиям | |
| Поверхностный монтаж | НЕТ | НЕТ | |
| Финишная отделка | Олово/свинец (Sn/Pb) | Олово/свинец (Sn/Pb) | |
| Терминальная форма | СКВОЗНОЕ | СКВОЗНОЕ | |
| Положение терминала | ОДИНОЧНЫЙ | ОДИНОЧНЫЙ | |
Время при пиковой температуре оплавления – макс. (с) |
НЕ УКАЗАНО | ||
| Материал транзисторного элемента | СИЛИКОН | СИЛИКОН | |
| Номинальная частота перехода (fT) | 3 МГц | 3 МГц | |
| Базовый номер соответствует | 54 | 25 |
TIP32C DataShing Teet
TIP32C DataSheet
TIP32C SELICLER. и Thomson-CSF Semiconductor из Франции. Что касается технологического процесса, ST лидирует с передовой технологией FD-SOI (полностью обедненный кремний на изоляторе).
Использование предупреждений
Примечание. Перед заменой в схеме проверьте их параметры и конфигурацию контактов.
TIP32C Часто задаваемые вопросы
① Как работает транзистор PNP?
Транзистор PNP представляет собой тип транзистора, в котором один материал n-типа легирован двумя материалами p-типа.
Это устройство, которое управляется током. И эмиттерный, и коллекторный токи контролировались небольшим током базы. Два кварцевых диода соединены встречно-параллельно в PNP-транзисторе.
② Можно ли использовать TIP31C вместо TIP32C?
В таком случае выходной сигнал датчика обычно низкий и становится высоким при обнаружении руки, поэтому в таком случае вам придется использовать NPN-транзистор, такой как TIP31C, вместо TIP32C.
③ Где используются транзисторы PNP?
Транзисторы PNP используются в схемах усиления. Транзисторы PNP используются в парных схемах Дарлингтона. Транзисторы PNP используются в робототехнике. Транзисторы PNP для управления током в тяжелых приложениях.
④ Какова функция транзистора TIP32C?
TIP32 — силовой транзистор PNP. Поскольку он имеет большой ток коллектора около 2 А, его можно использовать для переключения мощности или усиления большого сигнала.
Транзистор в основном известен своей высокой мощностью усиления, поскольку 2А не намного больше емкости.
⑤ Какова рабочая температура перехода tip32c?
Рабочая температура перехода (Tj): 150 °C
TIP31A TIP31C TIP32A TIP32B TIP32C Datasheet
/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_images/4137-html.htmlTIP31A/31C
TIP32A/32B/32C
COMPLEMENTARY SILICON POWER
TRANSISTORS
APPLICATION
■
LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL
EQUIPMENT
DESCRIPTION
The
TIP31A
and
TIP31C
are
кремний
Epitaxial-Base
NPN
транзисторы
установлены
в
Jedec TO-220 пластиковом корпусе. Они предназначены
для использования в линейных и коммутационных приложениях
средней мощности.
Дополнительными типами PNP являются TIP32A и
TIP32C соответственно.
Также TIP32B относится к типу PNP.
Октябрь 1999
ВНУТРЕННЯЯ СХЕМА
1
2
3
TO-220
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Val ue
Un it
NPN
TIP31A
TIP31C
PNP
TIP32A
T IP32B
TIP32C
9
9
9
9
0006 Напряжение базы коллекционера (I
E
= 0)
60
80
100
V
V
генеральный директор
.
60
80
100
V
V
EBO
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
5
V
I
C
Collector Current
3
A
I
CM
Пиковой ток коллекционера
5
A
I
B
BASE CUMENT
A
P
A
P
C ASE
≤
25
O
C
T
AMB
≤
25
o
C
40
2
W
86 W
7
2
W
.
W
7 W
7
400007
2
W
867
40 0007
2
W
.0006 T
s tg
Температура хранения
-65 до 150
o
C
T
j
6 Макс. Температура рабочего соединения
150
O
C
Для напряжения типов PNP и значения текущих. /4137-html.html
ТЕПЛОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
R
thj -кейс
R
THJ-AMB
Термическая сопротивление COSTANCE-CASE
MAX
Термическая сопротивление соединительной стычке
MAX
3,12
62. 5
O
C/W
7
O
C/W
7
O
C/W
7
9
C/W
7
C/W
7
C/W
7
. W
Электрические характеристики (T
Case
= 25
O
C, если не указано иное)
Symbo L
Параметр
888888999 Параметр 8888888 88888 888 88888 8888 8888880789 Мин.
Тип.
Макс.
Unit
I
CEO
Collector Cut-of f
Current (I
B
= 0)
for T IP31A/ 32A
V
CE
= 30 V
для T IP31C/32B/32C
V
CE
= 60 В
0,3
0,07 6 мА 07 9008 мА
мА
0006 I
CES
Collector Cut-of f
Current (V
BE
= 0)
for T IP31A/ 32A
V
CE
= 60 V
for T IP /32B
V
CE
= 80 V
для T IP31C/32C
V
CE
= 100 V 0. 2
0. 2
0. 2
00006 0. 2
0. 2
0. 2
7
9
66 0. 2
0. 2
0. 2
7
9
6 0. 2
0. 2
0. 2
7
6 0. 2
0. 2
0. 2
.
мА
мА
I
EBO
Emitter Cut-Of F Curance
(I
C
= 0)
V
EB
= 5 В
1
MA
V
CEO (S US)
∗
69
(S US)
∗
667 Collector-Emitt er
Sustaining Volt age
(I
B
= 0)
I
C
= 30 mA
for TIP31A/32A
for TIP32B
for TIP31C/32C
60
80
100
В
В
V
V
CE (SAT)
∗
Collector-EMITT ER
SAT URATION TRATE
I
C
= 3 A
I
B
= 375 MA
6 10006 10007
B
= 375 MA
6 100066 10006 10007
B
= 375 MA
6 10006 10007
B
= 375 MA
1.
2
V
V
BE (ON)
∗
BASE-EMTET VOLT VOSE
I
C
= 3 A
V
CE
= 4 V
1. 80006.
В
ч
ФЭ
∗
DC Curance G Ain
I
C
= 1 A
V
CE
= 4 V
I
C
= 3 A
V
7
9 = 3 A
V
9
= 3 A
V
= 3 A
V
= 3 A
V
= 3 A
V
= 3 A
V
= 3 A
V
. 4 V
25
10
50
H
FE
Малый ток Signall
Усиление
I
C
= 0,5 A
V
CE
= 10 V = 100079777 V
CE
= 10 V = 1 0007
7.
И
С
= 0,5 A
V
CE
= 10 В F = 1 МГц
20
3
∗
Импульс: Продолжительность импульса = 300
µ
с, декальный цикл
≤
µ 2%
Для типов PNP значения напряжения и тока отрицательны.
Безопасная рабочая зона
Кривые снижения
TIP31A/TIP31C/TIP32A/TIP32B/TIP32C
2/5
/var/www/html/html1/datasheets/sitesУсиление тока тока постоянного тока (тип NPN)
Напряжение насыщения насыщения коллекционера-эмиттер (тип NPN)
Напряжение насыщения базового эмиттера (тип NPN)
DC-усиление (тип PNP)
)
Емкость коллектор-база (тип PNP)
TIP31A/TIP31C/TIP32A/TIP32B/TIP32C
3/5
/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdf1html3_ .htmlРАЗМ.
мм
дюймов
МИН.
ТИП.
МАКС.
МИН.
ТИП.
МАКС.
A
4.40
4.60
0.173
0.181
C
1.23
1.32
0.048
0.051
D
2.40
2.72
0.094
0.107
D1
1.
27
0.050
E
0.49
0.70
0.019
0.027
F
0.61
0.88
0.024
0.034
F1
1.14
1.70
0,044
0,067
F2
1,14
1,70
0,044
0,067
G
4,95
5,15
0,194
5,15
0,194
9000
5,15
0,194
5,15
0,194
5,15
0,10007
4,95
5,15
5,15
.0007
G1
2.4
2.7
0.094
0.106
h3
10.0
10.40
0.393
0.409
L2
16.4
0.645
L4
13.0
14.0
0,511
0,551
L5
2,65
2,95
0,104
0,116
L6
15,25
15,75
0,6007
,620715,75
0,6007
60,620
15,75
0,6007
,1,6207
15,75
0,6007
,25
0007
L7
6,2
6,6
0,244
0,260
L9
3,5
3,93
0,137
0,154
.
3.75
3.85
0.147
0.151
P011C
TO-220 MECHANICAL DATA
TIP31A/TIP31C/TIP32A/TIP32B/TIP32C
4/5
/var/www/html/ техническое описание/сайты/по умолчанию/файлы/pdfhtml_images/4137-html.html Предоставленная информация считается точной и надежной. Тем не менее, STMicroelectronics не несет ответственности за последствия использования такой информации, а также за любое нарушение патентов или других прав третьих лиц, которое может возникнуть в результате ее использования. Никакая лицензия не предоставляется косвенно или иным образом в соответствии с каким-либо патентом или патентными правами STMicroelectronics. Технические характеристики, упомянутые в этой публикации, могут быть изменены без предварительного уведомления. Эта публикация отменяет и заменяет всю информацию, предоставленную ранее. Продукция STMicroelectronics
не разрешены для использования в качестве критически важных компонентов в устройствах или системах жизнеобеспечения без письменного разрешения STMicroelectronics.
