Транзистор 2X: маркировка, коды SMD и характеристики популярных моделей

Что такое транзистор 2X. Как расшифровать маркировку SMD транзисторов серии 2X. Какие основные характеристики имеют транзисторы MMBT4401 и KST4401. Где применяются транзисторы серии 2X.

Содержание

Что представляет собой транзистор серии 2X

Транзисторы серии 2X относятся к биполярным NPN-транзисторам общего назначения в корпусе для поверхностного монтажа. Основные особенности транзисторов 2X:

  • Корпус SOT-23 или SOT-323
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер 40-60 В
  • Максимальный ток коллектора 500-600 мА
  • Коэффициент усиления по току 100-300
  • Мощность рассеяния 300-350 мВт

Транзисторы серии 2X широко используются в маломощных каскадах усиления, ключевых схемах и цифровой технике благодаря своим универсальным характеристикам и компактным размерам.

Расшифровка маркировки SMD-транзисторов 2X

Маркировка SMD-транзисторов серии 2X обычно состоит из 3 символов, начинающихся с «2». Основные варианты:

  • 2X — базовое обозначение серии
  • 2XA, 2XB, 2XC и т.д. — модификации с разными характеристиками
  • 2X1, 2X2, 2X3 — цифровые индексы для конкретных моделей

Например, маркировка «2XB» может обозначать транзистор MMBT4401 или его аналог. Полное наименование модели обычно указывается в документации производителя.


Основные характеристики популярных транзисторов серии 2X

Рассмотрим параметры двух распространенных моделей транзисторов 2X:

MMBT4401

  • Структура: NPN
  • Корпус: SOT-23
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 40 В
  • Максимальный ток коллектора: 600 мА
  • Коэффициент усиления по току: 100-300
  • Мощность рассеяния: 350 мВт

KST4401

  • Структура: NPN
  • Корпус: SOT-23
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 40 В
  • Максимальный ток коллектора: 600 мА
  • Коэффициент усиления по току: 100-300
  • Мощность рассеяния: 300 мВт

Как видно, характеристики этих моделей очень близки, что позволяет использовать их как взаимозаменяемые в большинстве схем.

Области применения транзисторов серии 2X

Благодаря своим универсальным характеристикам, транзисторы 2X находят применение во многих областях электроники:

  • Маломощные усилители звуковой частоты
  • Переключающие и импульсные схемы
  • Цифровые логические схемы
  • Стабилизаторы напряжения
  • Драйверы светодиодов
  • Интерфейсные схемы

Компактные размеры и возможность поверхностного монтажа делают транзисторы 2X отличным выбором для портативной электроники и устройств с высокой плотностью компоновки.


Особенности выбора транзисторов серии 2X для конкретных применений

При выборе транзистора 2X для конкретной схемы следует учитывать несколько ключевых факторов:

  • Максимальное рабочее напряжение схемы
  • Требуемый ток коллектора
  • Необходимый коэффициент усиления
  • Допустимая мощность рассеяния
  • Частотные характеристики

Важно также учитывать температурный режим работы и обеспечить адекватный теплоотвод, особенно при использовании транзистора на предельных режимах.

Сравнение транзисторов серии 2X с аналогами других производителей

Транзисторы серии 2X имеют множество аналогов от различных производителей. Рассмотрим некоторые популярные альтернативы:

МодельПроизводительМакс. напряжениеМакс. токКоэф. усиления
MMBT4401ON Semiconductor40 В600 мА100-300
2N3904Fairchild40 В200 мА100-300
BC847Philips45 В100 мА110-800

Как видно, характеристики достаточно близки, что позволяет в большинстве случаев использовать эти транзисторы как взаимозаменяемые.


Рекомендации по монтажу и эксплуатации транзисторов 2X

При работе с транзисторами серии 2X следует соблюдать несколько важных правил:

  1. Используйте антистатические меры предосторожности при монтаже
  2. Соблюдайте температурный режим пайки, указанный производителем
  3. Обеспечьте адекватный теплоотвод при работе на высоких мощностях
  4. Не превышайте максимально допустимые значения тока и напряжения
  5. Учитывайте паразитные емкости и индуктивности при разработке высокочастотных схем

Соблюдение этих рекомендаций поможет обеспечить надежную работу устройств с применением транзисторов 2X.

Перспективы развития технологии транзисторов серии 2X

Несмотря на то, что базовая конструкция транзисторов 2X остается неизменной уже много лет, технология продолжает развиваться. Основные направления совершенствования:

  • Уменьшение размеров корпуса при сохранении характеристик
  • Повышение максимальной рабочей частоты
  • Улучшение тепловых характеристик
  • Снижение паразитных параметров
  • Повышение устойчивости к электростатическим разрядам

Эти усовершенствования позволят расширить область применения транзисторов 2X и повысить их конкурентоспособность на рынке электронных компонентов.



MMBT4401, 2X, транзистор биполярный, NPN, 40В, 600мA, 350мВт, корпус SOT23-3

Электронные компоненты +7(960) 490-10-40

Избранное 0 Сравнение 0

Войти Зарегистрироваться

КОРЗИНА

товаров: 0

сумма: 0 р.

  • Аккумуляторы
    • Аккумуляторы литиевые
    • Аккумуляторы свинцово-кислотные Prometheus
    • Аккумуляторы металл-гидридные
  • Аккустические элементы
    • Динамики
    • Пьезоизлучатели, зуммеры
    • Электромагнитные излучатели
  • Ардуино и конструирование
    • Адаптеры интерфейсов для ардуино
    • Адаптеры питания
    • Ардуино платформы
    • Аудио усилители
    • Датчики для ардуино и робототехники
    • Динамики, зуммеры, пьезозвуковые излучатели
    • Дисплеи, индикаторы, светодиодные матрицы
    • Драйверы двигателей
    • Корпуса
    • Макетные панели беспаечные
    • Модули расширения (shields)
    • Модули релейные
    • Наборы обучающие
    • Наборы обучающие для пайки
    • Насосы водяные
    • Программаторы
    • Прочие модули и устройства
    • Радиомодули, Wi-fi, bluetooth, GSM
    • Регуляторы, преобразователи напряжения, зарядки Li-ion АКБ
    • Робототехника
    • Сервоприводы
    • Таймеры настраиваемые, программируемые
    • Устройства ввода (клавиатуры, кнопки и др. )
    • Шаговые двигатели
    • Шлейфы, кабели, провода, соединители
    • 3D печать
    • Хранение модулей и деталей
    • Электродвигатели
  • Батарейки
  • Блоки питания, адаптеры
    • Адаптеры сетевые
    • Лабораторные блоки питания
    • Импульсные блоки питания
    • Источники питания для поверхностного монтажа
    • Трансформаторы силовые 220В
  • Варисторы
  • Вводы кабельные
  • Вентиляторы
    • Напряжение 5В DC
    • Напряжение 12В DC
    • Напряжение 24В DC
    • Напряжение 220В AC
  • Герконы
  • Диоды
    • Диоды
    • Стабилитроны
    • Диодные мосты и сборки
    • Динисторы
  • Зарядные устройства
  • Измерительные приборы
    • Мультиметры
    • Измерители-регуляторы, индикаторы
  • Индуктивности
    • Дроссели
    • Фильтры электромагнитных помех (EMI фильтры)
    • Ферритовые кольца
  • Инструмент
    • Зажимы
    • Инструмент
  • Ионисторы
  • Кабели, Провод, Шнуры
  • Кварцевые резонаторы
  • Клеммники на плату
    • Клеммники акустические
  • Клеммники-соединители проводов
  • Кнопки, выключатели, переключатели, тумблеры и др.
    • Кнопки тактовые
    • DIP переключатели 2,54 мм
    • DS-213 Серия
    • DS-228 Серия
    • KAN Серия (Кнопки триггеры)
    • KCD Переключатели клавишные
    • MPBS Серия, металлические
    • PBS-11 Серия
    • PBS-110 Серия
    • PS-серия (6-пин)
    • PS-2 Серия
    • R13-507 Серия
    • SK -Серия, Микропереключатели ползунковые
    • SS-Серия, Микропереключатели ползунковые
    • Переключатели многосекционные
    • Тумблеры
  • Комплектующие для компьютера
  • Конденсаторы
    • Конденсаторы электролитические
    • Конденсаторы металлопленочные
    • Конденсаторы подстроечные
    • Конденсаторы керамические
    • Конденсаторы корректирующие
    • Конденсаторы подавления ЭМП
    • Конденсаторы пусковые
    • Конденсаторы SMD
  • Концевые выключатели
    • KW7 Серия
    • KW10 Серия
    • КW11 Серия
    • ME Серия
  • Корпуса для РЭА, Ардуино проектов и др.
  • Корпуса для предохранителей
  • Конвертеры постоянного напряжения
  • Лампы накаливания
    • E10 Патрон
  • Лампы подсветки монитора (CCFL лампы)
  • Магниты неодимовые
  • Макетные платы
  • Метизы, крепления, винты, гайки
    • Метизы пластиковые
    • Метизы металлические
  • Микрофоны
  • Микросхемы
    • Аудиоусилители (УНЧ)
    • Драйверы двигателей
    • Драйверы ключей
    • Драйверы питания
    • Драйверы светодиодов и индикаторов
    • Интерфейсы
    • Источники опорного напряжения (ИОН)
    • Компараторы
    • Контроллеры заряда батарей
    • Логика
    • Микросхемы АВТО
    • Микросхемы датчики и сенсоры
    • Микросхемы для ПК, Ноутбук, Планшет
    • Микросхемы телевизионные
    • Микроконтроллеры
    • Мультиконтроллеры
    • Операционные усилители
    • Отечественные микросхемы
    • Память
    • Прочие микросхемы
    • Сборки транзисторов
    • Стабилизаторы, регуляторы напряжения
    • Таймеры
    • ШИМ Контроллеры и коммутаторы напряжения
    • PFC Контроллеры
  • Оптопары и оптодрайверы
  • Панельки для микросхем
  • Пасики магнитофонов и тд.
  • Паяльники
    • Комплектующие паяльников
  • Паяльные материалы и принадлежности
    • Паяльные материалы
  • Перемычки (джамперы)
  • Предохранители
    • 392 Серия, TE5, Предохранители
    • 382 Серия, TE5, Предохранители
    • АВТО, МОТО Предохранители
    • КЕРАМИЧЕСКИЕ Предохранители
    • СТЕКЛЯННЫЕ Предохранители
    • САМОВОССТАНАВЛИВАЮЩИЕСЯ Предохранители
  • Промышленная электроника
    • Датчики промышленные
    • Измерители-регуляторы, индикаторы
    • Регуляторы переменного напряжения
  • Радиаторы охлаждения
  • Разное
    • Диагностика автомобиля
    • Лазерные указатели
    • Разбор ТВ, мониторов и др. техники
    • Сенсорные выключатели
    • Щетки угольные и щеточные узлы
  • Разъемы
    • 2X-Серия Разъемы
    • AC, DC Разъемы питания
    • AC, DC Разъемы приборные
    • AM-Серия Разъемы
    • AMW-Серия Разъемы автомобильные
    • ATX-Серия Разъемы ПК
    • BNC Разъемы ТВ, Радио
    • D-SUB Разъемы ПК
    • DIN-Серия Разъемы аккустические
    • Dupont-2. 54мм Разъемы
    • GX-Серия Разъемы авиационные
    • JTAG-Серия Разъемы приборные
    • KF2510 Разъемы приборные
    • RCA Разъемы
    • SM2.54 Разъемы приборные
    • TCP/IP Разъемы сетевые
    • Mini USB Разъемы
    • Micro USB Разъемы
    • Type-C Разъемы
    • USB Разъемы
    • Xh3.54 Разъемы приборные
  • Расходные материалы
    • Клей
    • Кабельные вводы
    • Наконечники на провод
    • Провод монтажный
    • Прокладки изолирующие теплопроводные
    • Текстолит
    • Трубка термоусадочная (ТУТ)
    • Трубка термостойкая
  • Резисторы
    • Резисторы постоянного сопротивления
    • Резисторы переменные
    • Резисторы подстроечные
    • Фоторезисторы
  • Реле
    • Реле электромагнитные
  • Светодиодная продукция
    • Светодиодные ленты
    • Адресные светодиоды
    • Светодиоды DIP, 3 мм корпус
    • Светодиоды DIP, 5 мм корпус
    • Светодиоды DIP, 8мм
    • Светодиоды DIP, 10 мм корпус
    • Светодиоды SMD, ТВ Подсветка дисплея
    • Светодиоды SMD, 0603
    • Светодиоды SMD, 0805
    • Светодиоды SMD, 1206
    • Светодиоды SMD, 3014
    • Светодиоды SMD, 3528
    • Светодиоды SMD, 5630
    • Светодиоды высокой мощности
    • Светодиоды матричные
    • Светодиодные индикаторы
    • Инфракрасные диоды
  • Текстолит
  • Термисторы
    • Термисторы силовые, защитные
    • Термисторы NTC, Серии MF52
    • Термисторы NTC, Серии MF58
  • Термопредохранители
    • Термопредохранители серии RH01, (250В 2A)
    • Термопредохранители серии RY, (250В 10A)
  • Термостаты
    • KSD301-Серия
  • Тиристоры, симисторы
  • Товары для авто
  • Транзисторы
    • Транзисторы импортные
    • Транзисторы отечественные
  • Трансформаторы
    • Трансформаторы силовые
    • Трансформаторы силовые торроидальные
    • Трансформаторы аудио
    • Трансформаторы измерительные
  • Фонари
  • Шлейфы, ленточные кабели
  • Электровакуумные лампы
  • Электродвигатели
    • Двигатели постоянного тока
    • Двигатели переменного тока
    • Шаговые двигатели
  • Энкодеры

Товары для


сравнения

сравнить

Просмотренные товары

новости

  • 19 сентября 2022, 10:10

    Поступление ШИМ контроллеров
  • 17 августа 2022, 12:56

    Поступление полевых транзисторов
  • 27 июля 2022, 16:08

    Поступление инструмента для ремонта
  • 01 июля 2022, 14:34

    Поступление новых модулей Ардуино
  • 27 июня 2022, 16:16

    СНИЖЕНИЕ ЦЕН!!!

все новости

Бренды

Все бренды

Таблица smd-кодов

Таблица smd-кодов

smd КОДЫ

посетите другие полезные ресурсы этого сайта:
ЛУЧШЕЕ из ПЕРИОДИКИ   ПОДБОР АНАЛОГОВ   ELECTRONICS @ WEB GUIDE   ИСТОРИЯ МИРОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ   SHORT-FORM СПРАВОЧНИК
Новости отрасли в Telegram-канале @ec_land


В этом разделе приводятся smd-коды — сокращенные цифро-буквенные обозначения на активных smd-компонентах, площадь поверхности корпусов которых не позволяет разместить полное наименование компонента. Число таких кодов превышает сотни тысяч и постоянно появляются новые. Проблема еще и в том, что производители могут произвольно менять эти коды. Поэтому их систематизация — довольно непростая задача. И ошибки, увы, возможны 🙁
smd-кодом считаются символы одной значимой, строки из, возможно, нескольких нанесенных на корпус. Символ «О» в обозначениях, считается цифрой «0».
Ссылка на краткую таблицу с типами smd-корпусов приводится в заголовке каждой страницы.
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    Поиск по базам производителей:
  • MAXIM
  • MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
  • MICRON
  • NXP
  • TI

Cемь немецких инновационных идей, меняющих мир / Хабр

Печать, телефон, автомобиль, рентген — изобретения «сделано в Германии», которые впоследствии произвели революцию в мире и в нашем образе жизни. Все прошлое? Изобретения, которые действительно имеют значение, в наши дни приходят только из США и Азии? Ты что, шутишь? Вот семь немецких инноваций для завтрашнего дня.

1. Аккумуляторные элементы с большей мощностью

Они крошечные, всего от 7 до 16 миллиметров в диаметре, но наполнены инновациями «сделано в Германии»: изобретатели компании Varta, специализирующейся на батареях, разработали перезаряжаемые литийно-ионные аккумуляторные элементы, которые могут хранить значительно больше энергии. Эти монетные аккумуляторы имеют значительно более высокую долю кремния в аноде. Результат: плотность энергии увеличивается до 50 процентов — мировой рекорд! Товары для повседневной жизни, такие как смарт-часы или беспроводные наушники, служат гораздо дольше до подзарядки.

Перед прорывом специалистам «Varta» предстояло решить каверзную задачу. Если содержание кремния увеличивается, материал становится более пористым. Решение: технология тонкой фольги «Thin-Foil-Technologie», разработанная компанией. Она предусматривает что электрод наматывается, а не укладывается послойно. Технологии будет присвоено название «Изобретение из Ellwangen».

2. Экологически чистая бумага и картон из сена

Компания Creapaper из Хеннефа производит бумагу и картон из высушенной травы! Это гораздо более экологично, чем производство бумаги из древесины или макулатуры. Чтобы произвести одну тонну травяной бумаги, нужно всего два литра воды — для обычной бумаги требуется 6000 литров! Кроме того, травяное сырье доступно повсюду и его не нужно импортировать. «В общей сложности это сокращает выбросы CO2 на 75 процентов, — говорит основатель компании Уве д’Аньоне.

По его оценке, бумага из сена может заменить почти все бумажные изделия, обычно используемые сегодня. Creapaper начала выпускать в 2020 году коробки для фруктов и овощей, упаковки для яиц, и многое другое. Бумагу из травы используют уже крупные логистические компании. Конечно, пока приходится совмещать с обычной бумагой, однако доля бумаги из сухой травы занимает уже более половины объёмов и будет дальше увеличиваться.

3. Медицинские технологии «Аdvos multi» против полиорганной недостаточности

Молодая медицинская технологическая компания Advitos в Мюнхене разработала аппарат «Аdvos multi», который действительно может произвести революцию в реаниматологии.

В отделении интенсивной терапии пациенты умирают в основном от полиорганной недостаточности. Поражаются в основном почки, легкие и печень. Если раньше эти органы должны были поддерживаться тремя разными устройствами, то изобретение мюнхенской команды объединяет все это в одном устройстве. Кроме того, он также может быстро корректировать значение pH крови.

Компания считает, что это может снизить уровень смертности пациентов интенсивной терапии на 20 процентов.

4. Литография EUV (сокращенно EUVL)

Умный дом, искусственный интеллект, робототехника, автономные транспортные средства — все сферы, которые будут определять нашу жизнь в будущем. Все эти продукты требуют высокопроизводительных микросхем. Исследователи из Института Фраунгофера в Йене совместно с компаниями Zeiss и Trumpf разработали совершенно новый процесс производства микрочипов завтрашнего дня: EUV-литографию.

Процедура сложная. Вкратце: EUV-литография работает с рентгеновскими лучами и позволяет создавать на чипе структуры размером всего несколько нанометров. Результат: благодаря этой технологии десять миллиардов (!) транзисторов можно разместить на площади размером с кончик пальца. Это означает, что благодаря литографии EUV можно производить чипы, которые значительно меньше используемых ранее, но при этом намного мощнее.

Немного о технологии. Основной задачей EUV-литографии является получение излучения с оптимальной длиной волны 13,5 нанометров. Решение: светящаяся плазма, генерируемая лазерным излучением, которое обеспечивает это чрезвычайно коротковолновое излучение. Но как вообще образуется плазма?

Генератор позволяет каплям олова падать в вакуумную камеру (3), затем импульсный высокоэффективный лазер (1) от TRUMPF ударяет по каплям олова (2) со скоростью – 50 000 раз в секунду. Атомы олова ионизируются, создавая интенсивную плазму. Коллекторное зеркало улавливает ЭУФ-излучение, испускаемое плазмой во всех направлениях, собирает его и, наконец, передает в систему литографии (4) для экспонирования пластины (5).

5. Цифровые часы, которые измеряют время точнее, чем когда-либо прежде

Вы когда-нибудь слышали о пикосекундах? Так называется миллионная часть миллионной доли секунды. Невероятные одиннадцать нулей после запятой. Чтобы иметь возможность правильно измерять такие безумно короткие периоды времени, вам нужны сверхточные часы — и они производятся штутгартской компанией «Swabian Instruments».

С их «Time Tagger» швабы установили новые стандарты в технологии цифровых измерений.

Time Taggers — это преобразователи потокового времени в цифру с уникальной архитектурой обработки данных, которая делает их предпочтительным выбором для коррелированного по времени счета одиночных фотонов (TCSPC), счета временных интервалов, счета совпадений и анализа цифровых протоколов.

Сейчас компания является одной из самых инновационных компаний в области квантовых технологий. «Наши устройства можно использовать везде, где требуются сложные цифровые измерения», — говорит Хельмут Феддер, один из трех основателей. «Вы можете использовать его, например, для измерения светового излучения отдельных молекул в опухолевых клетках. Наши устройства также можно использовать для автономного вождения и развивающейся в настоящее время технологии квантовых компьютеров».

Исследовательские институты и промышленные заказчики по всему миру теперь полагаются на самый быстрый секундомер в мире, сделанный в Германии.

6. Масло против пластиковых отходов

Пластиковые отходы в морях – огромная мировая проблема. Одним из способов решения дилеммы отходов является химическая переработка. Например, химическая группа BASF преследует цель коммерческого использования пластиковых отходов и даже автомобильных шин в рамках проекта «ChemCyclingTM» в Людвигсхафене.

Благодаря химической переработке даже неоднородные пластиковые отходы могут быть превращены обратно в ценное сырье. Это делается с помощью термохимического процесса, который расщепляет отходы на молекулярные строительные блоки. При этом получается так называемое пиролизное масло. А это, в свою очередь, может быть использовано для производства продукции нового качества, пригодной даже для пищевой упаковки.

На фото Андреас Кичерер, руководитель Стратегии устойчивого развития компании, с бутылкой пиролизного масла, извлеченного из пластиковых отходов.

7. Покрасочный душ для автомобилестроения, который экономит тонны электроэнергии

На покрасочный цех приходится до 40 процентов энергетических потребностей автомобильного завода. Одна из причин: тонкий туман краски, известный как избыточное распыление, необходимо тщательно удалять из воздуха. Инновация машиностроительного завода Dürr из Битигхайм-Биссинген делает это излишним. «EcoPaintJet», своего рода распылитель краски с 50 крошечными форсунками, не допускает избыточного распыления и потребляет вдвое меньше электроэнергии. Более того: двухцветные рисунки или логотипы можно наносить сразу без предварительного маскирования деталей.

Спасибо, что остаётесь с нами. Вам нравятся наши статьи? Хотите видеть больше интересных материалов? Поддержите нас, оформив заказ или порекомендовав знакомым, 30% скидка для пользователей Хабра на уникальный аналог entry-level серверов, который был придуман нами для Вас: Вся правда о VPS (KVM) E5-2650 v4 (6 Cores) 10GB DDR4 240GB SSD 1Gbps от $20 или как правильно делить сервер? (доступны варианты с RAID1 и RAID10, до 24 ядер и до 40GB DDR4).

Dell R730xd в 2 раза дешевле? Только у нас 2 х Intel TetraDeca-Core Xeon 2x E5-2697v3 2.6GHz 14C 64GB DDR4 4x960GB SSD 1Gbps 100 ТВ от $199 в Нидерландах! Dell R420 — 2x E5-2430 2.2Ghz 6C 128GB DDR3 2x960GB SSD 1Gbps 100TB — от $99! Читайте о том Как построить инфраструктуру корп. класса c применением серверов Dell R730xd Е5-2650 v4 стоимостью 9000 евро за копейки?

smd%20transistor%202x%20sot%2023 техническое описание и примечания по применению

org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»>
Каталог техническое описание MFG и тип ПДФ Теги документов
СМД 43

Реферат: Катушки индуктивности Силовые катушки индуктивности smd диод j 100N 1FW+43+smd
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDC2D18LD 2Д18ЛД СМД 43 Индукторы Силовые индукторы smd-диод j 100Н 1FW+43+СМД
СДК3Д11

Реферат: smd led smd диод j транзистор SMD 41 068 smd
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDC3D11 смд светодиод smd-диод j транзистор СМД 41 068 смд
СМД 356 В

Реферат: дроссель smd we 470 356 AT smd транзистор smd 24 дроссель smd 470 Led smd smd диод j smd транзистор 560 SDC3D16 SMD INDUCTOR 47
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDC3D16LD 3Д16ЛД СМД 356 АТ индуктор смд мы 470 356 В СМД транзистор СМД 24 индуктор смд 470 светодиод смд smd-диод j смд транзистор 560 SDC3D16 СМД ИНДУКТОР 47
СМД d105

Реферат: SMD a34 B34 SMD smd 028 F индукторы 25 34 SMD силовые индукторы k439
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDS3012E 3012Е СМД д105 СМД а34 Б34 СМД СМД 028 Ф катушки индуктивности 25 34 СМД Силовые индукторы к439
к439

Аннотация: B34 SMD SMD a34 SDS301
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDS3015ELD 3015ELD к439 Б34 СМД СМД а34 SDS301
СДК2Д14

Реферат: SDC2D14-2R2N-LF Дроссель bo smd транзистор SMD 24 «Силовые индукторы» СИЛОВЫЕ ДАТЧИКИ smd led smd сопротивление smd p 112
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDC2D14 СДК2Д14-2Р2Н-ЛФ Индуктор бо smd транзистор СМД 24 «Силовые индукторы» СИЛОВЫЕ ИНДУКТОРЫ смд светодиод смд сопротивление смд р 112
СДС2Д10-4Р7Н-ЛФ

Резюме: SDS2D10 smd led smd 83 smd транзистор 560 4263B катушки индуктивности 221 a32 smd
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDS2D10 SDS2D10-4R7N-LF смд светодиод смд 83 смд транзистор 560 4263Б катушки индуктивности 221 а32 смд
2012 — Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDC3D28
СДК2Д11-100Н-ЛФ

Реферат: Катушки индуктивности Силовые катушки smd led «Силовые катушки индуктивности» smd 123 smd диод j 4263B SMD INDUCTOR 47
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDC2D11 СДК2Д11-100Н-ЛФ Индукторы Силовые индукторы смд светодиод «Силовые индукторы» смд 123 smd-диод j 4263Б СМД ИНДУКТОР 47
СДК2Д11ХП-3Р3Н-ЛФ

Реферат: Силовые индукторы Катушки индуктивности smd led smd диод j 4263B
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDC2D11HP 2Д11ХП SDC2D11HP-3R3N-LF Силовые индукторы Индукторы смд светодиод smd-диод j 4263Б
2012 — SDC2D14-1R5N-LF

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDC2D14 СДК2Д14-1Р5Н-ЛФ
А44 СМД

Резюме: смд 5630 5630 смд койлмастер смд B44 SDS4212E-100M-LF
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDS4212E 4212Е A44 СМД смд 5630 5630 смд койлмастер смд б44 SDS4212E-100M-LF
индуктор

Резюме: смд светодиод SDC2D14HPS-221M-LF 13dBo 100N SDC2D14HPS
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF СДК2Д14ХП 2Д14ЛС индуктор смд светодиод SDC2D14HPS-221M-LF 13 дБ Бо 100Н SDC2D14HPS
2012 — Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDC2D18HP 2Д18ХП
катушки индуктивности

Реферат: СИЛОВЫЕ ДАТЧИКИ Диод smd 86 smd диод j 100N SDC2D18HP «Силовые индукторы»
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDC2D18HP 2Д18ХП катушки индуктивности СИЛОВЫЕ ИНДУКТОРЫ Диод смд 86 smd-диод j 100Н «Силовые индукторы»
СМД .А40

Резюме: a40 smd smd D10 Inductors Power Inductors SMD A40 smd g12
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDS4010E 4010Е СМД .А40 а40 смд смд д10 Индукторы Силовые индукторы СМД А40 смд г12
Силовые индукторы

Реферат: smd диод j 100N Катушки индуктивности
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDC3D18 Силовые индукторы smd-диод j 100Н Индукторы
2Д18

Реферат: катушки индуктивности 221 лф 1250 smd j диод SDS2D18
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDS2D18 2Д18 катушки индуктивности 221 1250 лф smd-диод j
СМД 43

Реферат: катушки индуктивности Power Inductors 3D-14 smd диод j «Power Inductors» 3D14
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDC3D14 СМД 43 катушки индуктивности Силовые индукторы 3Д-14 smd-диод j «Силовые индукторы» 3D14
смд 3250

Реферат: SMD-диод Coilmaster Electronics j
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDC2D09 смд 3250 Койлмастер Электроника smd-диод j
пмб 4220

Резюме: Siemens pmb 4220 PMB 27251 4310 SMD IC 2197-T 82526-N smd 2035 DSP/pmb 4220 PMB27201 SICOFI PEF 2465
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF 2025-Н 2025-П 2026Т-П 2026Т-С 20320-Н 2035-Н 2035-П 2045-Н 2045-П 2046-Н 4220 пмб Сименс пмб 4220 ПМБ 27251 ИС 4310 для поверхностного монтажа 2197-Т 82526-Н СМД 2035 DSP/пмб 4220 PMB27201 СИКОФИ ПЭФ 2465
Катушки индуктивности

Реферат: Силовые индукторы 068 smd 0621 smd SMD a34 D160 SDS3015EHP-100M-LF
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDS3015EHP 3015EHP Индукторы Силовые индукторы 068 смд 0621 смд СМД а34 Д160 SDS3015EHP-100M-LF
СМД 43

Реферат: Дроссели транзисторные SMD мы SDS2D12-100M-LF h22 smd smd диод j 2D12 3r smd 340 smd «Дроссели силовые»
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF SDS2D12 СМД 43 Индукторы транзистор SMD мы СДС2Д12-100М-ЛФ h22 смд smd-диод j 2D12 3р смд 340 смд «Силовые индукторы»
2004 — стабилитрон SMD маркировка код 27 4F

Реферат: smd диод шоттки код маркировка 2F smd стабилитрон код 5F panasonic MSL уровень smd стабилитрон код a2 SMD ZENER DIODE a2 smd стабилитрон 27 2f SMD стабилитрон код 102 A2 SMD стабилитрон SMD MARK A1
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2002/95/ЕС) стабилитрон SMD маркировка код 27 4F SMD-диод с кодом Шоттки, маркировка 2F smd стабилитрон код 5F уровень Panasonic MSL smd стабилитрон код a2 SMD ЗЕНЕР ДИОД a2 смд стабилитрон 27 2ф Маркировка стабилитрона SMD код 102 A2 для поверхностного монтажа стабилитрон SMD MARK A1
5a6 стабилитрон

Реферат: Двойной MOSFET dip стабилитрон 6.2v 1w 10v ZENER DIODE 5A6 smd sot23 DG9415
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF Si4418DY 130 мОм@ Si4420BDY Si6928DQ 35 мОм@ Si6954ADQ 53 мОм@ SiP2800 СУМ47Н10-24Л 24 мОм@ стабилитрон 5а6 двойной мосфет провал диод стабилитрон 6. 2в 1вт 10В ЗЕНЕРСКИЙ ДИОД 5А6 смд сот23 ДГ9415

Предыдущий 1 2 3 … 23 24 25 Next

Тройной сплав MoSe2xTe2-2x с регулируемой шириной запрещенной зоны для электронных и оптоэлектронных транзисторов

Сохранить цитату в файл

Формат: Резюме (текст)PubMedPMIDAbstract (текст)CSV

Добавить в коллекции

  • Создать новую коллекцию
  • Добавить в существующую коллекцию

Назовите свою коллекцию:

Имя должно содержать менее 100 символов

Выберите коллекцию:

Не удалось загрузить вашу коллекцию из-за ошибки
Повторите попытку

Добавить в мою библиографию

  • Моя библиография

Не удалось загрузить делегатов из-за ошибки
Повторите попытку

Ваш сохраненный поиск

Название сохраненного поиска:

Условия поиска:

Тестовые условия поиска

Эл. адрес: (изменить)

Который день? Первое воскресеньеПервый понедельникПервый вторникПервая средаПервый четвергПервая пятницаПервая субботаПервый деньПервый рабочий день

Который день? ВоскресеньеПонедельникВторникСредаЧетвергПятницаСуббота

Формат отчета: РезюмеРезюме (текст)АбстрактАбстракт (текст)PubMed

Отправить максимум: 1 шт. 5 шт. 10 шт. 20 шт. 50 шт. 100 шт. 200 шт.

Отправить, даже если нет новых результатов

Необязательный текст в электронном письме:

Создайте файл для внешнего программного обеспечения для управления цитированием

Полнотекстовые ссылки

ООО «ИОП Паблишинг»

Полнотекстовые ссылки

. 2020 21 августа; 31 (34): 345704.

doi: 10.1088/1361-6528/ab90bb. Epub 2020 6 мая.

Хэ Го 1 , Вэнь Чжу, Зия Ур Рехман, Чуанцян Ву, Шуанмин Чен, Ли Сун

принадлежность

  • 1 Национальная лаборатория синхротронного излучения, Центр передового опыта CAS в области нанонауки, Китайский университет науки и технологии, Хэфэй, Аньхой 230029, Китайская Народная Республика.
  • PMID: 32375140
  • DOI: 10.1088/1361-6528/аб90бб

Хэ Го и соавт. Нанотехнологии. .

. 2020 21 августа; 31 (34): 345704.

doi: 10.1088/1361-6528/ab90bb. Epub 2020 6 мая.

Авторы

Хэ Го 1 , Вэнь Чжу, Зия Ур Рехман, Чуанцян Ву, Шуанмин Чен, Ли Сун

принадлежность

  • 1 Национальная лаборатория синхротронного излучения, Центр передового опыта CAS в области нанонауки, Китайский университет науки и технологии, Хэфэй, Аньхой 230029, Китайская Народная Республика.
  • PMID: 32375140
  • DOI: 10. 1088/1361-6528/аб90бб

Абстрактный

Сплавы двумерных дихалькогенидов переходных металлов (2D TMD), состоящие из трех или более элементов, предлагают роскошное разнообразие химических и физических свойств за счет изменения соотношения элементов, поэтому могут стать идеальным кандидатом с настраиваемой шириной запрещенной зоны для конкретных электрических приложений. В этой работе мы демонстрируем высококачественный слоистый MoSe 9.0547 2x Te 2-2x (x = 0 ∼ 1) сплав, синтезированный одностадийным газохимическим транспортом для высокоэффективных электронных и оптоэлектронных транзисторов. Наши характеристики показывают, что полученный тройной сплав образует высококачественные монокристаллические слои с фазой 2H. Интересно, что электронные транзисторы, изготовленные на тонких слоях MoSe 2x Te 2-2x (6 ∼ 7 слоев), обнаруживают аномальный переход от амбиполярного к n-типу в характеристиках проводимости с увеличением значения x замещения. Последующие фотоэлектрические измерения демонстрируют такое высокое отношение включения-выключения для каждого отношения (x = 0,18, 0,38, 0,67, 0,83) с оптической шириной запрещенной зоны в диапазоне 1,6 эВ и 1,1 эВ (ближний инфракрасный диапазон). Оптимизированный MoSe 0,37 TE 1,63 Транзистора на основе достижения до ∼10 7 I на /I OFF и 10 5 I PH /I 5 I PH /I ratio

7.

фоточувствительности и внешней квантовой эффективности 2,38% с высокой фоточувствительностью. Таким образом, такие тройные сплавы MoSe 2x Te 2-2x могут иметь большой потенциал для двумерных электронных и фотоэлектронных приложений.

Похожие статьи

  • Синтез нанолистов сплава WS2xSe2-2x с электронными свойствами, регулируемыми составом.

    Дуань Х, Ван С, Фан З, Хао Г, Коу Л, Халим У, Ли Х, У С, Ван И, Цзян Дж, Пан А, Хуан И, Ю Р, Дуань Х. Дуан Х и др. Нано Летт. 2016 13 января; 16 (1): 264-9. doi: 10.1021/acs.nanolett.5b03662. Epub 2015 3 декабря. Нано Летт. 2016. PMID: 26633760

  • P-N преобразование типов носителей заряда и высокая светочувствительность композиционно-модулированного тройного сплава W(S x Se 1-x ) 2 полевых транзисторов.

    Сунь Х., Чжоу С., Ван С., Сюй Л., Чжан Дж., Цзян К., Шан Л., Ху З., Чу Дж. Сан Х. и др. Наномасштаб. 2020 23 июля; 12 (28): 15304-15317. дои: 10.1039/d0nr04633g. Наномасштаб. 2020. PMID: 32648866

  • Нанолисты из тройных сплавов SnS(2-x)Se(x) и сборки нанолистов с регулируемым химическим составом и запрещенной зоной для фотодетекторных приложений.

    Ю Дж., Сюй С. И., Ли И., Чжоу Ф., Чен Х.С., Ху П.А., Чжэнь Л. Ю Дж. и соавт. Научный представитель 2015 г., 30 ноября; 5:17109. дои: 10.1038/srep17109. Научный представитель 2015. PMID: 26616539 Бесплатная статья ЧВК.

  • Фазовый синтез монослоя W 1- x Re x S 2 Сплав с улучшенной светочувствительностью.

    Ван Z, Чжао X, Ян Y, Qiao L, Lv L, Chen Z, Di Z, Ren W, Pennycook SJ, Чжоу J, Гао Y. Ван Цзи и др. Маленький. 2020 май;16(20):e2000852. doi: 10.1002/smll.202000852. Epub 2020 22 апр. Маленький. 2020. PMID: 32323489

  • Гибкие атомные слои дисульфида молибдена (MoS 2 ) для носимой электроники и оптоэлектроники.

    Сингх Э., Сингх П., Ким К.С., Йом Г. Я., Налва Х.С. Сингх Э. и др. Интерфейсы приложений ACS. 2019 27 марта; 11 (12): 11061-11105. doi: 10.1021/acsami.8b19859. Epub 2019 18 марта. Интерфейсы приложений ACS. 2019. PMID: 30830744 Обзор.

Посмотреть все похожие статьи

Цитируется

  • Двумерные слоистые сплавы материалов: синтез и применение в электронных и оптоэлектронных устройствах.

    Яо Дж., Ян Г. Яо Дж. и др. Adv Sci (Вейн). 2022 Янв;9(1):e2103036. doi: 10.1002/advs.202103036. Epub 2021 31 октября. Adv Sci (Вейн). 2022. PMID: 34719873 Бесплатная статья ЧВК. Обзор.

Полнотекстовые ссылки

ООО «ИОП Паблишинг»

Укажите

Формат: ААД АПА МДА НЛМ

Отправить по телефону

Snapdragon 865 против Tensor G2: тесты и тесты

против

Львиный зев 865

Тензор G2

Мы сравнили два 8-ядерных процессора: Qualcomm Snapdragon 865 (с графикой Adreno 650) и Google Tensor G2 (Mali-G710 MP7). Здесь вы найдете плюсы и минусы каждого чипа, технические характеристики и всесторонние тесты в тестах, таких как AnTuTu и Geekbench.

  1. Обзор
  2. Отличия
  3. Тесты
  4. AnTuTu v9
  5. GeekBench 5
  6. Игры
  7. Характеристики
  8. Комментарии

Обзор

Общее сравнение производительности, энергопотребления и других показателей

Производительность ЦП

Тесты одноядерных и многоядерных процессоров

Snapdragon 865

73

Tensor G2

82

Игровая производительность

GPU performance in games and OpenCL/Vulcan

Snapdragon 865

69

Tensor G2

91

Battery life

Efficiency of battery consumption

Snapdragon 865

79

Tensor G2

92

Оценка NanoReview

Общая оценка чипа

Snapdragon 865

74

Tensor G2

88

Ключевые отличия

Основные отличия и преимущества каждого чипа

Плюсы Qualcomm Snapdragon 865

  • Разработчики чаще оптимизируют игры под процессоры Snapdragon, чем под Tensor

Плюсы Google Tensor G2

  • Анонсировано через 2 года и 11 месяцев
  • Имеет меньший размер транзистора (5 против 7 нм)
  • Показывает лучше (до 23%) Оценка AnTuTu 9 – 799K против 651K

Контрольные показатели

Тесты производительности в популярных бенчмарках

SoC:

Snapdragon 865

против

Tensor G2

Антуту 9

AnTuTu Benchmark измеряет производительность ЦП, ГП, ОЗУ и операций ввода-вывода в различных сценариях.

Львиный зев 865

651595

Тензор G2 +23%

799841

ЦП 186044 216931
ГП 220150 296692
Память 111169 134893
UX 137096 152600
Общий балл 651595 799841

▶️ Отправьте свой результат AnTuTu

GeekBench 5

Тест GeekBench показывает чистую однопоточную и многопоточную производительность процессора.

Оценка одноядерного процессора

Snapdragon 865

926

Tensor G2 +13%

1049

Оценка многоядерности

Snapdragon 865 +9%

3420

Тензор G2

3140

Сжатие изображения 164,1 Мпикс/с
Распознавание лиц 26,1 изображений/с
Распознавание речи 49,6 слов/с
Машинное обучение 50 изображений/с
Фотокамера 29,5 изображений/с
HTML 5 3,25 млн узлов/с
SQLite 880 Krows/s

3DMark

Кроссплатформенный бенчмарк, оценивающий производительность графики в Vulkan (Metal).

3DMark Wild Life Performance

Snapdragon 865

3863

Tensor G2

н/д

Стабильность 91%
Тест графики 23 кадров в секунду
Оценка 3863

Игры

Таблица среднего FPS и настроек графики в мобильных играх

ПУБГ Мобильный 60 кадров в секунду
[Ультра]
Служебный долг: мобильный 61 кадров в секунду
[Ультра]
Фортнайт 30 кадров в секунду
[Ультра]
Мир танков Блиц 60 кадров в секунду
[Ультра]
Геншин Импакт 60 кадров в секунду
[Ультра]
Мобильные легенды: Пиф-паф 59 кадров в секунду
[Ультра]
Устройство Xiaomi Mi 10 Pro
1080 x 2340

Мы предоставляем средние результаты. FPS может отличаться в зависимости от версии игры, ОС и других факторов.

Технические характеристики

Полный список технических характеристик Snapdragon 865 и Tensor G2

Архитектура 1x 2,84 ГГц — Kryo 585 Prime (Cortex-A77)
3x 2,42 ГГц — Kryo 585 Gold (Cortex-A77)
4x 1,8 ГГц — Kryo 585 Silver (Cortex-A55)
2x 2,85 ГГц — Cortex-X1
2x 2,35 ГГц — Cortex-A78
4x 1,8 ГГц — Cortex-A55
Сердечники 8 8
Частота 2840 МГц 2850 МГц
Набор инструкций ARMv8.2-A
Кэш L1 128 КБ
Кэш L2 1 МБ
Кэш L3 4 МБ 4 МБ
Процесс 7 нм 5 нм
Количество транзисторов 10,3 миллиарда
Расчетная мощность 10 Вт

Графика

Имя графического процессора Адрено 650 Мали-G710 MP7
Архитектура Адрено 600 Валхалл
Частота графического процессора 587 МГц
Исполнительные блоки 2 7
Затеняющие блоки 512
ФЛОПС 1228 гигафлопс
Версия Вулкан 1. 1 1.1
Версия OpenCL 2,0 2,0
Версия DirectX 12 12

Память

Тип памяти ЛПДДР5 ЛПДДР5
Частота памяти 2750 МГц 3200 МГц
Автобус 4x 16 бит 4x 16 бит
Максимальная пропускная способность 34,1 Гбит/с
Максимальный размер 16 ГБ 12 ГБ

Мультимедиа (ISP)

Нейронный процессор (NPU) Шестигранник 698 Блок обработки тензоров нового поколения
Тип хранения УФС 3.0, УФС 3.1 УФС 3.1
Максимальное разрешение экрана 3840 x 2160 3840 x 2160
Максимальное разрешение камеры 1x 200 МП, 2x 25 МП
Видеосъемка 8K при 30 кадрах в секунду, 4K при 120 кадрах в секунду 4K при 60FPS
Воспроизведение видео8K при 30 кадрах в секунду, 4K при 120 кадрах в секунду 4K при 60FPS
Видеокодеки Н. 264, Н.265, ВП8, ВП9 Н.264, Н.265, АВ1, ВП9
Аудиокодеки AAC, AIFF, CAF, MP3, MP4, WAV AAC, AIFF, CAF, MP3, MP4, WAV

Связь

Модем Х55
Поддержка 4G LTE ​​Кат. 24 LTE ​​Кат. 24
Поддержка 5G Да Да
Скорость загрузки До 2500 Мбит/с
Скорость загрузки До 316 Мбит/с
Wi-Fi 6 6
Bluetooth 5.1 5,2
Навигация GPS, ГЛОНАСС, Beidou, Galileo, QZSS, SBAS, NAVIC GPS, ГЛОНАСС, Бейдоу, Галилео, QZSS
Объявлено Декабрь 2019 Октябрь 2022
Класс Флагман Флагман
Номер модели СМ8250-АБ
Официальная страница Qualcomm Snapdragon 865 официальный сайт

Отдай свой голос

Итак, какой SoC вы бы выбрали?

Snapdragon 865

10 (34,5%)

Tensor G2

19(65,5%)

Всего голосов: 29

Родственные сравнения

1.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *