Транзистор 5401. Транзистор 2N5401: характеристики, применение и аналоги PNP-транзистора

В этой схеме входной сигнал подается на базу через резистор Rb. Усиленный сигнал снимается с коллектора, нагруженного на резистор Rc.

Особенности работы с 2N5401

При работе с транзистором 2N5401 следует учитывать некоторые особенности:

• Как PNP-транзистор, 2N5401 открывается отрицательным напряжением на базе относительно эмиттера
• Ток через транзистор течет от эмиттера к коллектору
• При работе на высоких частотах важно минимизировать паразитные емкости
• В импульсных схемах нужно учитывать время включения и выключения транзистора
• При параллельном включении транзисторов рекомендуется использовать эмиттерные резисторы для выравнивания токов

Выбор режима работы 2N5401

Транзистор 2N5401 может работать в трех основных режимах:

1. Активный режим — используется в усилителях
2. Режим насыщения — используется в ключевых схемах
3. Режим отсечки — транзистор закрыт

Выбор режима определяется напряжениями и токами в цепях транзистора.

Температурные характеристики 2N5401

Важно учитывать зависимость параметров 2N5401 от температуры:

• С ростом температуры увеличивается коэффициент усиления по току
• Напряжение база-эмиттер уменьшается примерно на 2 мВ/°C
• Обратный ток коллектора увеличивается

Эти эффекты нужно компенсировать при разработке схем.

Заключение

Транзистор 2N5401 является универсальным PNP-транзистором для высоковольтных применений. Его характеристики позволяют использовать его в широком спектре электронных устройств. При правильном применении 2N5401 обеспечивает надежную работу схем.

характеристики, аналоги, datasheet и цоколевка

Согласно своим техническим характеристикам, 2N5401 является биполярным транзистором, изготовленным из кремния по эпитаксиально планарной технологии. Структура данного устройства p-n-p. Обычно его используют в усилителях и коммутирующих системах. Он идеально подходит для схем с низким уровнем шума.

Цоколевка

Чаще всего выпускается в пластмассовом корпусе ТО-92 с гибкими ножками. Вес такого изделия не превышает 0,3 г. Данный транзистор также изготавливается в SMD упаковке: SOT-89 и SOT-23. Расположение ножек (цоколевка 2n5401) для каждого типа устройства приведены на рисунке.

Технические характеристики 2n5401

Самыми важными, для транзистора, считаются предельно допустимые характеристики. Именно их производители приводят первыми в своей технической документации. Измерение параметров, как максимальных, так и электрических, происходит при температуре +25°С.

• напряжение К – Б U_{кб max} (V_CBO) = -160 В;
• напряжение К – Э U_{кэ max} (V_CЕO) = -150 В;
• напряжение Э – Б U_{эб max} (V_ЕBO) = -5 В;
• ток через коллектор I_{к max} (I_C) = 600 мА;
• максимальная рассеиваемая мощность без теплоотвода:
  • для корпуса ТО-92 P_{к max} (P_D) = 0,625 Вт;
  • для корпуса SOT-89 P_{к max} (P_D) = 0,5 Вт
  • для корпуса SOT-23 P_{к max} (P_D) = 0,35 Вт.

• максимальная рассеиваемая мощность с теплоотводом (корпус ТО-92) P_{к max} (P_D) = 1,5 Вт;
• температура рабочая и хранения T_stg = -50 … +150°С;
• предельная температура кристалла Т_j = 150°С.

Следующими по важности характеристиками являются электрические. От них также зависят функциональные возможности транзистора. При их измерении важную роль играют значения внешних параметров. В таблице они расположены в отдельной колонке, которая называется «Условия измерения».

Электрические характеристики транзистора 2N5401 (при Т = +25°C)
Параметры	Обозн.	Условия измерения	min	max	Ед. изм
Напряжение пробоя К –Э	Uкэ(проб.)	IК =-1,0мA, IБ=0	-150		В
Напряжение пробоя К – Б	Uкб(проб.)	IК=-100мкA, IЭ=0	-160		В
Напряжение пробоя Э – Б	Uэб(проб. )	IЭ=-10мкA, IК=0	-5		В
Обратный ток коллектора	Iкбо	Uкб=-120В, IЭ=0		-50	нА
		Uкб=-120В, IЭ=0, ТА=100°С		-50	мкА
Обратный ток эмиттера	Iэбо	Uэб= — 3 В, IК=0		-50	нА
Статический к-т передачи тока	h21э	IК=-1 мA, Uкэ=-5В	50	240
		IК=-10мA, Uкэ=-5В	60
		IК=-50мA, Uкэ=-5В	50
Напряжение насыщения К — Э	Uкэ(нас.)	IК=-10мA, IБ=-1мA		-0,2	В
		IК=-50мA, IБ=-5мA		-0,5
Напряжение насыщения Б — Э	Uбэ(нас. )	IК=-10мA, IБ=-1мA		-1	В
		IК=-50мA, IБ=-5мA		-1
Граничная частота к-та передачи тока	fгр	Uкэ=-10B,IК=-10мA	100	300	МГц
Ёмкость коллекторного перехода	Cк	Uкб = -10В, IЭ = 0, f= 1мГц		6	пФ
К-т шума	Кш	IК=-250мкA, Uкэ=-5В, RS =1.0 кОм, f =10 Гц … 15.7 кГц		8	дБ

Аналоги

Среди зарубежных компонентов для замены можно использовать: 2N5400, MPSA92, MPSA93, MMBT5401. Имеются также и российские аналоги 2n5401 — транзисторы похожие по характеристикам на рассматриваемый, это: КТ6116А и КТ698К. Компланарную пару для него, как написано в технической документации, может составить устройство 2N5551.

Производители

Транзистор 2N5401 (datasheet можно скачать нажав на название) является достаточно популярным, и поэтому его производством занимаются многие зарубежные фирмы, перечислим основные из них:

• Diotec Semiconductor;
• Inchange Semiconductor Company Limited;
• ON Semiconductor;
• Samsung semiconductor;
• Foshan Blue Rocket Electronics;
• Fairchild Semiconductor;
• UNISONIC TECHNOLOGIES;
• Micro Electronics;
• Micro Commercial Components.

В отечественных магазинах чаще всего встречается продукция выпущенная на заводах следующих компаний: Diotec Semiconductor, ON Semiconductor, Fairchild Semiconductor, Micro Commercial Components, UNISONIC TECHNOLOGIES.

PNP

Цифровые микросхемы транзисторы.

Поиск по сайту

Микросхемы ТТЛ (74.

На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие t_{зд,р,ср.}= 13 нс. и среднее значение тока потребления I_пот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.

Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U¹_вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.

Динамические параметры микросхем ТТЛ серии

ТТЛ серия		Параметр			Нагрузка
Российские	Зарубежные	Pпот. мВт.	tзд.р. нс	Эпот. пДж.	Cн. пФ.	Rн. кОм.
К155 КМ155	74	10	9	90	15	0,4
К134	74L	1	33	33	50	4
К131	74H	22	6	132	25	0,28
К555	74LS	2	9,5	19	15	2
К531	74S	19	3	57	15	0,28
К1533	74ALS	1,2	4	4,8	15	2
К1531	74F	4	3	12	15	0,28

При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов. При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.

Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток I^o_вх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.

Статические параметры микросхем ТТЛ

Параметр	Условия измерения	К155			К555			К531			К1531
		Мин.	Тип.	Макс.	Мин.	Тип.	Макс.	Мин.	Тип.	Макс.	Мин.	Макс.
U1вх, В схема	U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах	2			2			2			2
U0вх, В схема				0,8			0,8			0,8
U0вых, В схема	Uи.п.= 4,5 В			0,4		0,35	0,5			0,5		0,5
		I0вых= 16 мА			I0вых= 8 мА			I0вых= 20 мА
U1вых, В схема	Uи. п.= 4,5 В	2,4	3,5		2,7	3,4		2,7	3,4			2,7
		I1вых= -0,8 мА			I1вых= -0,4 мА			I1вых= -1 мА
I1вых, мкА с ОК схема	U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В			250			100			250
I1вых, мкА Состояние Z схема	U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В			40			20			50
I0вых, мкА Состояние Z схема	U1и. п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В			-40			-20			-50
I1вх, мкА схема	U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В			40			20			50		20
I1вх, max, мА	U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В			1			0,1			1		0,1
I0вх, мА схема	U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В			-1,6			-0,4			-2,0		-0,6
Iк. з., мА	U1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В	-18		-55			-100			-100	-60	-150

2N5401 Конфигурация выводов, эквивалент, функции, характеристики и многое другое

2N5401 представляет собой PNP-транзистор в корпусе TO-92, сегодня мы собираемся обсудить его конфигурацию выводов, эквивалент, функции, характеристики и многое другое.

Объявления

Объявления

• Тип упаковки:  ТО-92
• Тип транзистора: NPN
• Максимальный ток коллектора (I _C ):  600 мА
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В _CE ): 150 В
• Максимальное напряжение коллектор-база (В _CB ): 160 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 В
• Максимальное рассеивание коллектора (шт. ): 600 мВт
• Максимальная частота перехода (fT): 100–300 МГц
• Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h _FE ):  50–240
• Максимальная температура хранения и рабочая температура должна быть: от -65 до +150 градусов по Цельсию

Дополнительный NPN 2N5551