Каковы основные характеристики транзистора 2N5401. Какие у него есть аналоги и замены. Где применяется 2N5401 в электронных схемах. Как правильно использовать этот PNP-транзистор.
Основные характеристики транзистора 2N5401
2N5401 — это биполярный PNP-транзистор общего назначения в корпусе TO-92. Его ключевые параметры:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: -150 В
- Максимальное напряжение коллектор-база: -160 В
- Максимальный ток коллектора: 600 мА
- Коэффициент усиления по току (h21E): 50-240
- Граничная частота: 100-300 МГц
- Максимальная рассеиваемая мощность: 625 мВт
Эти характеристики делают 2N5401 подходящим для применения в высоковольтных цепях с умеренными токами.
Области применения транзистора 2N5401
Благодаря своим параметрам, 2N5401 находит применение в следующих областях:
- Усилители общего назначения
- Высоковольтные коммутирующие схемы
- Драйверы светодиодов
- Источники питания
- Телефонные и телекоммуникационные устройства
- Схемы управления электродвигателями
Аналоги и замены транзистора 2N5401
При необходимости 2N5401 можно заменить следующими аналогами:
- MPSA92
- 2SA1207
- 2SA1319
- KTA1275
- 2SA1625
При замене важно сверить основные параметры и цоколевку транзисторов.
Цоколевка транзистора 2N5401
2N5401 выпускается в корпусе TO-92 с тремя выводами. Цоколевка транзистора следующая:
- Эмиттер
- База
- Коллектор
При монтаже важно правильно подключить выводы транзистора в соответствии с этой цоколевкой.
Рекомендации по применению 2N5401
При использовании транзистора 2N5401 в схемах следует учитывать следующие рекомендации:
- Не превышать максимально допустимые напряжения и токи
- Использовать подходящий базовый резистор для ограничения тока базы
- Обеспечить достаточный теплоотвод при работе на высоких мощностях
- Учитывать температурную зависимость параметров транзистора
- При необходимости использовать защитные диоды в высоковольтных схемах
Комплементарная пара для 2N5401
Комплементарной парой для PNP-транзистора 2N5401 является NPN-транзистор 2N5551. Их характеристики:
| Параметр | 2N5401 (PNP) | 2N5551 (NPN) |
|---|---|---|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | -150 В | 160 В |
| Максимальный ток коллектора | 600 мА | 600 мА |
| Коэффициент усиления по току | 50-240 | 50-300 |
Комплементарная пара часто используется в двухтактных усилителях и других симметричных схемах.
Сравнение 2N5401 с аналогами
Сравним основные параметры 2N5401 с похожими транзисторами:
| Параметр | 2N5401 | MPSA92 | 2SA1207 |
|---|---|---|---|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | -150 В | -300 В | -160 В |
| Максимальный ток коллектора | 600 мА | 500 мА | 500 мА |
| Коэффициент усиления по току | 50-240 | 40-250 | 70-400 |
| Граничная частота | 100-300 МГц | 100 МГц | 140 МГц |
Как видно, 2N5401 занимает промежуточное положение по характеристикам между аналогами.
Типовые схемы включения 2N5401
Рассмотрим несколько типовых схем включения транзистора 2N5401:
Простой ключ
В этой схеме 2N5401 работает как ключ, управляемый сигналом на базе:
«` «`В этой схеме положительный сигнал на базе открывает транзистор, позволяя току течь от коллектора к эмиттеру.
Усилитель с общим эмиттером
Схема усилителя с общим эмиттером на 2N5401:
«` «`В этой схеме входной сигнал подается на базу через резистор Rb. Усиленный сигнал снимается с коллектора, нагруженного на резистор Rc.
Особенности работы с 2N5401
При работе с транзистором 2N5401 следует учитывать некоторые особенности:
- Как PNP-транзистор, 2N5401 открывается отрицательным напряжением на базе относительно эмиттера
- Ток через транзистор течет от эмиттера к коллектору
- При работе на высоких частотах важно минимизировать паразитные емкости
- В импульсных схемах нужно учитывать время включения и выключения транзистора
- При параллельном включении транзисторов рекомендуется использовать эмиттерные резисторы для выравнивания токов
Выбор режима работы 2N5401
Транзистор 2N5401 может работать в трех основных режимах:
- Активный режим — используется в усилителях
- Режим насыщения — используется в ключевых схемах
- Режим отсечки — транзистор закрыт
Выбор режима определяется напряжениями и токами в цепях транзистора.
Температурные характеристики 2N5401
Важно учитывать зависимость параметров 2N5401 от температуры:
- С ростом температуры увеличивается коэффициент усиления по току
- Напряжение база-эмиттер уменьшается примерно на 2 мВ/°C
- Обратный ток коллектора увеличивается
Эти эффекты нужно компенсировать при разработке схем.
Заключение
Транзистор 2N5401 является универсальным PNP-транзистором для высоковольтных применений. Его характеристики позволяют использовать его в широком спектре электронных устройств. При правильном применении 2N5401 обеспечивает надежную работу схем.
характеристики, аналоги, datasheet и цоколевка
Согласно своим техническим характеристикам, 2N5401 является биполярным транзистором, изготовленным из кремния по эпитаксиально планарной технологии. Структура данного устройства p-n-p. Обычно его используют в усилителях и коммутирующих системах. Он идеально подходит для схем с низким уровнем шума.
Цоколевка
Чаще всего выпускается в пластмассовом корпусе ТО-92 с гибкими ножками. Вес такого изделия не превышает 0,3 г. Данный транзистор также изготавливается в SMD упаковке: SOT-89 и SOT-23. Расположение ножек (цоколевка 2n5401) для каждого типа устройства приведены на рисунке.
Технические характеристики 2n5401
Самыми важными, для транзистора, считаются предельно допустимые характеристики. Именно их производители приводят первыми в своей технической документации. Измерение параметров, как максимальных, так и электрических, происходит при температуре +25°С.
- напряжение К – Б Uкб max (VCBO) = -160 В;
- напряжение К – Э Uкэ max (VCЕO) = -150 В;
- напряжение Э – Б Uэб max (VЕBO) = -5 В;
- ток через коллектор Iк max (IC) = 600 мА;
- максимальная рассеиваемая мощность без теплоотвода:
- для корпуса ТО-92 Pк max (PD) = 0,625 Вт;
- для корпуса SOT-89 Pк max (PD) = 0,5 Вт
- для корпуса SOT-23 Pк max (PD) = 0,35 Вт.
- максимальная рассеиваемая мощность с теплоотводом (корпус ТО-92) Pк max (PD) = 1,5 Вт;
- температура рабочая и хранения Tstg = -50 … +150°С;
- предельная температура кристалла Тj = 150°С.
Следующими по важности характеристиками являются электрические. От них также зависят функциональные возможности транзистора. При их измерении важную роль играют значения внешних параметров. В таблице они расположены в отдельной колонке, которая называется «Условия измерения».
| Электрические характеристики транзистора 2N5401 (при Т = +25°C) | |||||
| Параметры | Обозн. | Условия измерения | min | max | Ед. изм |
| Напряжение пробоя К –Э | Uкэ(проб.) | IК | -150 | В | |
| Напряжение пробоя К – Б | Uкб(проб.) | IК=-100мкA, IЭ=0 | -160 | В | |
| Напряжение пробоя Э – Б | Uэб(проб. ) | IЭ=-10мкA, IК=0 | -5 | В | |
| Обратный ток коллектора | Iкбо | Uкб=-120В, IЭ=0 | -50 | нА | |
| Uкб=-120В, IЭ=0, ТА=100°С | -50 | мкА | |||
| Обратный ток эмиттера | Iэбо | Uэб= — 3 В, IК=0 | -50 | нА | |
| Статический к-т передачи тока | h21э | IК=-1 мA, Uкэ=-5В | 50 | 240 | |
| IК=-10мA, Uкэ=-5В | 60 | ||||
| IК=-50мA, Uкэ=-5В | 50 | ||||
| Напряжение насыщения К — Э | Uкэ(нас.) | IК=-10мA, IБ=-1мA | -0,2 | В | |
| IК=-50мA, IБ=-5мA | -0,5 | ||||
| Напряжение насыщения Б — Э | Uбэ(нас. ) | IК=-10мA, IБ=-1мA | -1 | В | |
| IК=-50мA, IБ=-5мA | -1 | ||||
| Граничная частота к-та передачи тока | fгр | Uкэ=-10B,IК=-10мA | 100 | 300 | МГц |
| Ёмкость коллекторного перехода | Cк | Uкб = -10В, IЭ = 0, f= 1мГц | 6 | пФ | |
| К-т шума | Кш | IК=-250мкA, Uкэ=-5В, RS =1.0 кОм, f =10 Гц … 15.7 кГц | 8 | дБ | |
Аналоги
Среди зарубежных компонентов для замены можно использовать: 2N5400, MPSA92, MPSA93, MMBT5401. Имеются также и российские аналоги 2n5401 — транзисторы похожие по характеристикам на рассматриваемый, это: КТ6116А и КТ698К. Компланарную пару для него, как написано в технической документации, может составить устройство 2N5551.
Производители
Транзистор 2N5401 (datasheet можно скачать нажав на название) является достаточно популярным, и поэтому его производством занимаются многие зарубежные фирмы, перечислим основные из них:
- Diotec Semiconductor;
- Inchange Semiconductor Company Limited;
- ON Semiconductor;
- Samsung semiconductor;
- Foshan Blue Rocket Electronics;
- Fairchild Semiconductor;
- UNISONIC TECHNOLOGIES;
- Micro Electronics;
- Micro Commercial Components.
В отечественных магазинах чаще всего встречается продукция выпущенная на заводах следующих компаний: Diotec Semiconductor, ON Semiconductor, Fairchild Semiconductor, Micro Commercial Components, UNISONIC TECHNOLOGIES.
PNP
Цифровые микросхемы транзисторы.
Поиск по сайту
Микросхемы ТТЛ (74.
..).На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.
Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.
| ТТЛ серия | Параметр | Нагрузка | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Российские | Зарубежные | Pпот. мВт. |
tзд.р. нс | Эпот. пДж. | Cн. пФ. | Rн. кОм. |
| К155 КМ155 | 74 | 10 | 9 | 90 | 15 | 0,4 |
| К134 | 74L | 1 | 33 | 33 | 50 | 4 |
| К131 | 74H | 22 | 6 | 132 | 25 | 0,28 |
| К555 | 74LS | 2 | 9,5 | 19 | 15 | 2 |
| К531 | 74S | 19 | 3 | 57 | 15 | 0,28 |
| К1533 | 74ALS | 1,2 | 4 | 4,8 | 15 | 2 |
| К1531 | 74F | 4 | 3 | 12 | 15 | 0,28 |
При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов.
При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.
| Нагружаемый выход |
Число входов-нагрузок из серий | ||
|---|---|---|---|
| К555 (74LS) | К155 (74) | К531 (74S) | |
| К155, КM155, (74) | 40 | 10 | 8 |
| К155, КM155, (74), буферная | 60 | 30 | 24 |
| К555 (74LS) | 20 | 5 | 4 |
| К555 (74LS), буферная | 60 | 15 | 12 |
| К531 (74S) | 50 | 12 | 10 |
| К531 (74S), буферная | 150 | 37 | 30 |
Выходы однокристальных, т.
е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток Ioвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.
| Параметр | Условия измерения | К155 | К555 | К531 | К1531 | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Мин. |
Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Макс. | ||
| U1вх, В схема |
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах | 2 | 2 | 2 | 2 | |||||||
| U0вх, В схема |
0,8 | 0,8 | 0,8 | |||||||||
| U0вых, В схема | Uи.п.= 4,5 В | 0,4 | 0,35 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | ||||||
| I0вых= 16 мА | I0вых= 8 мА | I0вых= 20 мА | ||||||||||
| U1вых, В схема |
Uи. п.= 4,5 В |
2,4 | 3,5 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | ||||
| I1вых= -0,8 мА | I1вых= -0,4 мА | I1вых= -1 мА | ||||||||||
| I1вых, мкА с ОК схема | U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В | 250 | 100 | 250 | ||||||||
| I1вых, мкА Состояние Z схема |
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В | 40 | 20 | 50 | ||||||||
| I0вых, мкА Состояние Z схема |
U1и. п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В |
-40 | -20 | -50 | ||||||||
| I1вх, мкА схема | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В | 40 | 20 | 50 | 20 | |||||||
| I1вх, max, мА | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В | 1 | 0,1 | 1 | 0,1 | |||||||
| I0вх, мА схема |
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В | -1,6 | -0,4 | -2,0 | -0,6 | |||||||
Iк. з., мА | U1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В | -18 | -55 | -100 | -100 | -60 | -150 | |||||
2N5401 Конфигурация выводов, эквивалент, функции, характеристики и многое другое
2N5401 представляет собой PNP-транзистор в корпусе TO-92, сегодня мы собираемся обсудить его конфигурацию выводов, эквивалент, функции, характеристики и многое другое.
Объявления
Объявления
Характеристики/технические характеристики:- Тип упаковки: ТО-92
- Тип транзистора: NPN
- Максимальный ток коллектора (I C ): 600 мА
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): 150 В
- Максимальное напряжение коллектор-база (В CB ): 160 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 В
- Максимальное рассеивание коллектора (шт. ): 600 мВт
- Максимальная частота перехода (fT): 100–300 МГц
- Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h FE ): 50–240
- Максимальная температура хранения и рабочая температура должна быть: от -65 до +150 градусов по Цельсию
): 600 мВт Дополнительный NPN:
Дополнительный NPN 2N5551
Замена и аналог: 9 0012
2SA1319, 2SA1625, KTA1275, 2SA1625, 2SA1207, 2SC2909 (Другие упомянутые здесь транзисторы могут иметь другую конфигурацию выводов по сравнению с 2N5401, поэтому необходимо проверить конфигурацию контактов перед заменой в цепи.)
2N5401 Транзистор Объяснение / Описание:
2n5401 — это высоковольтный PNP-транзистор общего назначения, который можно использовать в электронных устройствах общего назначения, работающих от 150 В или любого напряжения ниже 150 В.
Транзисторы этого типа весьма полезны, когда нагрузка, подключаемая через транзистор, потребляет меньше тока, но, с другой стороны, она работает на высоком напряжении, например, в цепи переменного тока, в которой не используется какой-либо трансформатор для понижения напряжения перед преобразованием переменного тока в постоянный. диодный мост преобразователя. Эти типы транзисторов также используются в основном в телефонных схемах и в любых электронных схемах, где требуется простое коммутационное приложение или усиление на высоком напряжении. Другие технические характеристики также очень подходят для использования в качестве транзистора общего назначения, например, ток коллектора составляет 600 мА, что вполне достаточно для управления реле, светодиодами и другими транзисторами в цепи.
Где мы можем использовать и как использовать Транзистор BC5401:
Как указано выше, это высоковольтный транзистор, поэтому его можно использовать в любых высоковольтных приложениях, в которых нагрузка потребляет меньше тока.
. Часть этого может также использоваться в приложениях с низким напряжением, например, 30 В, 40 В или 50 В и так далее. С током коллектора 600 мА его можно использовать для управления большими реле, мощными транзисторами, светодиодами и другими нагрузками, требующими тока менее 600 мА.
Применение:
Усиление общего назначения в цепях высокого и нормального напряжения
Коммутация общего назначения в цепях высокого и нормального напряжения с возможностью переключения нагрузки до 600 мА.
Как добиться долговременной работы схемы:
Чтобы добиться долговременной работы с этим транзистором, пользователь должен использовать транзистор в соответствии с его спецификациями. Не работайте с нагрузкой более 600 мА, не работайте с нагрузкой более 150 В, всегда используйте подходящий базовый резистор с транзистором, избегайте случайного неправильного подключения ветвей транзистора в электронных схемах и всегда храните этот транзистор при температуре выше -55 по Цельсию и +150 по Цельсию.
Транзистор 2N5401: аналог, распиновка, спецификация, упаковка, техническое описание 5 2N5401 представляет собой силовой транзистор с биполярным соединением PNP
.| Номер контакта | Имя контакта | Описание |
| 1 | Излучатель | Клемма коллектора действует как выход транзистора |
| 2 | База | Клемма триггера для транзистора |
| 3 | Коллектор | Эмиттер действует как вход для транзистора |
Транзисторный блок 2N5401
Транзистор 2N5401 имеет корпус транзистора TO-92, мы знаем, что транзистор 2n5401 представляет собой высоковольтное устройство, которое имеет множество применений.
ТО-92 представляет собой корпус транзистора, изготовленный из смеси эпоксидной смолы и пластика, эти материалы обладают хорошей термостойкостью, а также компактны или имеют меньший вес.
Транзистор 2N5401 объяснение электрических характеристик и примененияВ этом разделе мы попытаемся объяснить электрические характеристики транзистора 2N5401, а также краткое описание областей применения.
Характеристики напряженияХарактеристики напряжения на клеммах транзистора 2N5401: напряжение между коллектором и базой составляет -160 В, напряжение между коллектором и эмиттером составляет -150 В, а напряжение между эмиттером и базой составляет -5 В, характеристики напряжения этого транзистора показывают, что они способны выдерживать более высокое напряжение.
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером составляет от -200 до -500 мВ, это значение напряжения указывает на конкретное состояние.
Характеристики тока Значение тока коллектора составляет -300 мА, это полная нагрузочная способность транзистора 2N5401.
Значение импульсного тока коллектора составляет -600 мА, значение ровно в два раза больше, чем указано в спецификации тока, это значение рассчитано при условии, что температура не достигает максимума.
Текущее значение показывает, что транзистор 2N5401 способен переключать приложения.
Характеристики рассеянияЗначение рассеиваемой мощности транзистора 2N5401 составляет 630 мВт, это рассеиваемая мощность транзистора.
Коэффициент усиления по токуКоэффициент усиления по току транзистора 2N5401 составляет от 50 до 240hFE, это мощность усиления этого транзистора.
Частота переходаЗначение частоты перехода полосы пропускания транзистора 2N5401 составляет от 100 до 300 МГц, это диапазон частот транзистора.
Температура перехода Температура перехода транзистора составляет от -65 до 150℃, это емкость устройства при изменении температуры.
Тепловое сопротивление между спаем и окружающей средой 200K/Вт
Коэффициент шумаЗначение коэффициента шума транзистора 2N5401 составляет 8 пФ
2N5401 транзистор ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕЕсли вам нужно даташит в pdf пожалуйста Щелкните по этой ссылке
Эквивалент транзистора 2N5401Транзисторные устройства, такие как MPSA92, BF723, 2N5096, 2SA709, 2SA1207 и 2SC2909, являются эквивалентами транзистора 2N5401.
Электрические характеристики каждого транзистора такие же, как у 2N5401, поэтому мы легко заменяем их этими транзисторами в схемах.
Перед процессом замены нам необходимо проверить и проверить PINOUT каждого транзистора.
2N5401 транзистор комплементарный PNP-транзистор 2N5401 имел дополняющую пару NPN-транзисторов 2N5551, эта дополняющая пара используется в некоторых устройствах общего назначения и высоковольтных устройствах.
SMD транзисторов, таких как 2N5401S (SOT-23), MMBT5401 (SOT-23), DZT5401 (SOT-223) и DXT5401 (SOT-89)-SMFIVENTS OF FIVENTS OF FIVENTS OF FIVENTS OF FIVENTENTS OF FIVENTS OF FIVENTS OT OFFIVents и DXT5401 (SOT-89). Транзистор 2N5401.
Большинство электрических характеристик этих SMD-транзисторов аналогичны сквозным транзисторам 2N5401, но отличаются такими характеристиками, как рассеиваемая мощность.
2N5401 по сравнению с A733 по сравнению с 2SA709В таблице мы перечислили электрические характеристики транзисторов 2N5401, A733 и 2SA709, это сравнение поможет нам узнать об этих трех транзисторах и полезно для процесса замены.
| Характеристики | 2N5401 | A733 | 2SA709 |
|---|---|---|---|
| Напряжение между коллектором и базой (VCB) | -160 В | -60 В | -160В |
| Напряжение между коллектором и эмиттером (VCE) | -150 В | -50 В | -150 В |
| Напряжение между эмиттером и базой (VEB) | -5 В | -5 В | -8 В |
| Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (VCE (SAT)) | от -200 В до -500 мВ | от -0,18 до 0,3 В | от -0,3 до -0,4 В |
| Ток коллектора (IC) | -300 мА | -150 мА | -150 мА |
| Рассеиваемая мощность | 630 мВт | 250 мВт | 800 мВт |
| Температура перехода (TJ) | от -65 до +150°C | от -55 до +150°C | от -55 до +150°C |
| Частота перехода (FT) | от 100 до 300 МГц | от 50 до 180 МГц | 50 МГц |
| Коэффициент усиления (hFE) | от 50 до 240hFE | от 90 до 600hFE | от 40 до 400hFE |
| Коэффициент шума | 8 пФ | — | — |
| Пакет | ТО-92 | ТО-92 | ТО-92 |
- Применение переключателей общего назначения
- Цепи усилителя
- Приложения телефонии
- Цепь драйвера двигателя
На рисунке показана схема усилителя с использованием комплементарных пар 2n5401 и 2n5551, схема состоит из двухкаскадного усиления.
Первая пара транзисторов 2N5551 работает в этой схеме как предусилитель, а усиленный сигнал поступает на второй каскад, имеющий две комплементарные пары.
Двухтактная операция происходит на двух дополнительных парах 2n5401-2n5551, создавая усиленный сигнал.
Схема драйвера двигателя на транзисторе 2N5401 Схема драйвера двигателя на транзисторе 2N5401На рисунке показана модель схемы драйвера двигателя с использованием транзистора 2N5401, так как при замыкании ключа ток начинает течь и достигает двигателя.
Более высокий ток, создаваемый двигателем, будет заземлен транзистором 2N5401.
Характеристики транзистора 2N5401 Характеристики области насыщения коллектора транзистора 2N5401На рисунке показаны характеристики области насыщения коллектора транзистора 2N5401, график построен по напряжению между коллектором и эмиттером в зависимости от тока базы.
Кривая строится при различных значениях тока коллектора, значение напряжения увеличивается параболически по отношению к току базы.
