Транзистор 9014 параметры. Транзистор S9014: характеристики, применение и аналоги биполярного NPN-транзистора

alexxlabРазное
Какие основные параметры имеет транзистор S9014. Где применяется этот биполярный NPN-транзистор. Какие есть аналоги S9014 и чем они отличаются. Как правильно выбрать замену для S9014.

Содержание

Основные характеристики и параметры транзистора S9014

S9014 — это кремниевый биполярный NPN-транзистор общего назначения. Он широко используется в различных электронных схемах благодаря своим универсальным характеристикам:

  • Структура: NPN
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 45 В
  • Максимальный ток коллектора: 100 мА
  • Коэффициент усиления по току (h21E): 200-400
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 200 мВт
  • Граничная частота: 150 МГц
  • Корпус: TO-92 или SOT-23

Эти параметры делают S9014 подходящим для применения в маломощных усилительных каскадах, ключевых схемах и других типовых узлах.

Области применения транзистора S9014

Благодаря своим характеристикам, транзистор S9014 находит применение во многих областях электроники:


  • Маломощные усилители звуковой частоты
  • Предварительные каскады радиоприемников
  • Схемы коммутации и управления
  • Источники питания и стабилизаторы напряжения
  • Цифровые логические схемы
  • Бытовая электронная техника

Рассмотрим некоторые типовые схемы применения подробнее.

Усилитель звуковой частоты на S9014

S9014 часто используется в маломощных усилителях звуковой частоты, например, в предварительных каскадах. Типовая схема такого усилителя может выглядеть следующим образом:

[Здесь может быть приведена принципиальная схема простого усилителя на S9014]

В этой схеме транзистор S9014 работает в режиме усиления по напряжению. Входной сигнал подается на базу через разделительный конденсатор, а усиленный сигнал снимается с коллектора.

Ключевая схема на S9014

Другим распространенным применением S9014 являются ключевые схемы. Например, простой транзисторный ключ для управления нагрузкой:

[Здесь может быть приведена схема транзисторного ключа на S9014]

В этой схеме S9014 работает в ключевом режиме — либо полностью открыт, либо закрыт, управляя включением нагрузки.


Популярные аналоги транзистора S9014

При необходимости замены S9014 можно использовать ряд аналогичных транзисторов с близкими характеристиками:

  • 2N3904
  • BC547
  • BC337
  • KSP2222A
  • MMBT3904

Рассмотрим основные параметры этих аналогов в сравнении с S9014:

ПараметрS90142N3904BC547BC337
Макс. напряжение К-Э45 В40 В45 В45 В
Макс. ток коллектора100 мА200 мА100 мА800 мА
Коэффициент усиления200-400100-300110-800100-600
Граничная частота150 МГц300 МГц300 МГц100 МГц

Как видно из таблицы, характеристики аналогов близки к S9014, но есть и различия. При выборе замены важно учитывать конкретные требования схемы.

Как правильно выбрать аналог для замены S9014

При подборе транзистора для замены S9014 следует обратить внимание на следующие ключевые параметры:

  1. Структура (NPN)
  2. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (не менее 45 В)
  3. Максимальный ток коллектора (не менее 100 мА)
  4. Коэффициент усиления по току (в диапазоне 200-400)
  5. Граничная частота (не менее 150 МГц)
  6. Корпус (TO-92 или SOT-23)

Важно помнить, что прямая замена не всегда возможна, и может потребоваться корректировка схемы под параметры нового транзистора.


Особенности применения S9014 в современных схемах

Хотя S9014 является довольно старым транзистором, он до сих пор находит применение в современной электронике. Его преимущества:

  • Низкая стоимость
  • Широкая доступность
  • Хорошо изученные характеристики
  • Стабильность параметров

Однако при проектировании новых устройств часто отдают предпочтение более современным транзисторам с улучшенными характеристиками.

Маркировка и идентификация транзистора S9014

Транзистор S9014 обычно маркируется полным обозначением на корпусе. В SMD-исполнении (SOT-23) может использоваться кодовая маркировка «J6». При заказе и покупке важно обращать внимание на следующие моменты:

  • Полное обозначение (S9014 или SS9014)
  • Тип корпуса (TO-92 или SOT-23)
  • Группу по коэффициенту усиления (если указана)
  • Производителя

Это поможет избежать ошибок и получить транзистор с нужными параметрами.

Рекомендации по монтажу и эксплуатации S9014

При работе с транзистором S9014 следует соблюдать следующие рекомендации:

  1. Соблюдать полярность подключения выводов (эмиттер, база, коллектор)
  2. Не превышать максимально допустимые напряжения и токи
  3. Обеспечить достаточный теплоотвод при работе на предельных режимах
  4. Использовать антистатические меры предосторожности при монтаже
  5. При пайке не перегревать корпус транзистора

Соблюдение этих правил поможет обеспечить надежную работу устройства и долгий срок службы транзистора.



Транзистор S9014: характеристики, аналоги и цоколевка

По свои характеристикам транзистор S9014 отлично подходит для использования в предварительных каскадах усилителей низкой частоты. Отличается от других биполярных транзисторов низким уровнем шумов. Его структура n-p-n

Цоколевка

Он выпускается в корпусах двух типов: ТО-92 (может использоваться для дырочного монтажа) и SOT-23 (для навесного). Во втором исполнении маркируется буквами J6, которые наносятся сверху. Ознакомиться с расположением выводов и внешним видом устройств можно по рисунку.

Технические характеристики

Максимально допустимые характеристики S9018 это то, на что нужно обратить внимание при подборе транзистора для замены. Их превышение и эксплуатация на предельных рабочих режимах в течении длительного времени может стать причиной поломке изделия. Приведём данные характеристики:

  • напряжение К-Б: VCBO = 50 В;
  • напряжение К-Э: VCEO = 45 В;
  • напряжение Э-Б: VEBO = 5 В;
  • ток коллектора IC = 100 мА;
  • мощность, рассеиваемая на коллекторе
  • в корпусе ТО-92: РС = 450 мВт;
  • в корпусе SOT-23: РС = 200 мВт.
  • температура кристалла: Tj = 150°С;
  • диапазон температур хранения: Tstg = -55 … 150°С.

Теперь займёмся рассмотрением электрических параметров. Они также важны, так как от них зависят возможности транзистора. Стандартная температура тестирования +25°С. Другие важные параметры измерения можно найти в столбце «Условия измерения» следующей таблицы.

Электрические характеристики транзистора S9014 (при Т = +25 оC)
ПараметрыУсловия измеренияОбозн.min maxЕд. изм
Напряжение К-Б, необходимое для пробояIC = 100мкA, IЕ = 0V(BR)CВO50В
Напряжение К-Э, необходимое для пробояIC=0,1мA, IВ= 0V(BR)CEО45В
Напряжение Э-Б, необходимое для пробояIE= 100мкA, IC= 0V(BR)EBO5
В
Обратный ток коллектораVCВО= 50 В, IЕ = 0ICВO0,1мкА
Обратный ток К-ЭVCEО=35В, IB = 0ICEО1мкА
Обратный ток эмиттераVEBО = 3В, IC = 0IEBO0,1мкА
Статический к-т усиления в схеме с ОЭVCE=5В,IC= 1мAhFE601000
Напряжение насыщения коллектор-эмиттерIC=100мA, IB=5мAV CE(sat)0,3В
Напряжение насыщения база-эмиттерIC=100мA, IB=5мAV ВE(sat)1В
Граничная частота коэффициента передачи токаVCE
=5В, IC= 10мA,

f = 30 МГц

fT150МГц

Производители делят S9014 в корпусе ТО-92, в зависимости от величины статического к-та усиления, на четыре категории:

  • A от 60 до 150;
  • B от 100 до 300;
  • C от 200 до 600;
  • D от 400 до 1000.

Для транзисторов в SOT-23 существует две категории:

  • L от 200 до 450;
  • H от 450 до 1000;

Аналоги

При необходимости S9014 можно заменить на такие зарубежные транзисторы: KSP42, KSP43, BC547, KTC9014, BC141, MPSA42, MPSA43, BC550, MPSW05, MPSW06, 2SC2240, MPSW42. Существую также российские аналоги – это КТ3102 и КТ6111. В зависимости от коэффициента усиления их рекомендуется менять:

  • S9014А на КТ3102А и КТ6111А;
  • S9014В на КТ3102Б и КТ6111Б;
  • S9014С на КТ3102В и КТ6111В;
  • S9014D на КТ3102Г и КТ6111Г.

В качестве дополняющего транзистора (комплементарной пары) используется S9015.

Производители

Основные производители S9014 и их datasheet:

  • Galaxy Semi-Conductor Holdings;
  • DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS;
  • Shenzhen Jin Yu Semiconductor;
  • Weitron Technology;
  • Jiangsu High diode Semiconductor;
  • GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL;
  • Diode Semiconductor Korea;
  • Tiger Electronic;
  • SHIKUES Electronics.

На отечественном рынке можно встретить транзисторы следующих компаний:

  • ON Semiconductor;
  • Fairchild Semiconductor;
  • SeCoS Halbleitertechnologie GmbH;
  • Dc Components;
  • Jiangsu Changjiang Electronics Technology.

NPN

аналоги отечественные, характеристики транзистора, микросхема, даташит, аналог

Аналоги транзистора S9014:

↓ Type Mat Struct Pc Ucb Uce Ueb Ic Tj Ft Hfe Caps
2SC1623-L6 Si NPN 0.260,0050,005,00 0. 1150,00250,00200,00 SOT23
2SC1623-L7 Si NPN 0.260,0050,005,00 0.1150,00250,00300,00 SOT23
2SC1623SLT1 Si NPN 0.360,0050,007,00 0.15150,00180,00270,00 SOT23
2SC2412-S Si NPN 0.260,0050,007,00 0.15150,00180,00270,00 SOT23
2SC2412KSLT1 Si NPN 0.260,0050,007,00 0.15150,00180,00270,00 SOT23
2SC945LT1 Si NPN 0.2360,0050,005,00 0.15150,00150,00200,00 SOT23
2SD1501 Si NPN1,0070,001,00150,00250,00 SOT23
2SD1938 Si NPN1,0050,00 0. 3150,001000,00 SOT23
2STR1160 Si NPN 0.560,0060,005,001,00150,00250,00 SOT23
3DG847B Si NPN 0.3350,0045,006,00 0.2150,00250,00200,00 TO92 SOT23 TO18
50C02CH-TL-E Si NPN 0.760,0050,005,00 0.5150,00500,00300,00 SOT23
9014RLT1 Si NPN 0.350,0045,005,00 0.1150,00300,00200,00 SOT23
9014SLT1 Si NPN 0.350,0045,005,00 0.1150,00300,00300,00 SOT23
BC817-40 Si NPN 0. 3150,0045,005,00 0.5150,00200,00250,00 SOT23
BC817-40LT1 Si NPN 0.22550,0045,005,00 0.5150,00200,00250,00 SOT23
BC846BLT1 Si NPN 0.380,0060,006,00 0.1150,00300,00290,00 SOT23
BC846BR Si NPN 0.3180,0065,006,00 0.1150,00300,00200,00 SOT23
BC847BLT1 Si NPN 0.350,0045,006,00 0.1150,00300,00290,00 SOT23
BC847BR Si NPN 0.3150,0045,006,00 0. 1150,00300,00200,00 SOT23
BC847C Si NPN 0.250,0045,006,00 0.1150,00300,00520,00 SOT23
BC847CLT1 Si NPN 0.350,0045,006,00 0.1150,00300,00520,00 SOT23
BC847CR Si NPN 0.3150,0045,006,00 0.1150,00300,00420,00 SOT23
BC850 Si NPN 0.250,0045,005,00 0.1150,00150,00200,00 SOT23
BC850A Si NPN 0.250,0045,005,00 0.1150,00300,00290,00 SOT23
BC850B Si NPN 0. 250,0045,005,00 0.1150,00300,00290,00 SOT23
BC850BLT1 Si NPN 0.350,0045,005,00 0.1150,00300,00290,00 SOT23
BC850BR Si NPN 0.3150,0045,005,00 0.1150,00300,00200,00 SOT23
BC850C Si NPN 0.250,0045,005,00 0.1150,00300,00520,00 SOT23
BC850CLT1 Si NPN 0.350,0045,005,00 0.1150,00300,00520,00 SOT23
BC850CR Si NPN 0.3150,0045,005,00 0. 1150,00300,00420,00 SOT23
BCF81 Si NPN 0.3550,0045,005,00 0.1175,00300,00420,00 SOT23
BCF81R Si NPN 0.3550,0045,005,00 0.1175,00300,00420,00 SOT23
BCV47 Si NPN 0.3680,0060,0010,00 0.5150,00170,0010000,00 SOT23
BCV72 Si NPN 0.3580,0060,005,00 0.1175,00300,00200,00 SOT23
BCV72R Si NPN 0.3580,0060,005,00 0.1175,00300,00200,00 SOT23
BCW66KH Si NPN 0. 575,0045,005,00 0.8170,00250,00 SOT23
BCW72L Si NPN 0.22545,00 0.1200,00 SOT23
BCW72LT1G Si NPN 0.22550,0045,005,00 0.1150,00300,00200,00 SOT23
BCW72R Si NPN 0.250,0045,005,00 0.1150,00150,00200,00 SOT23
BCW81 Si NPN 0.250,0045,005,00 0.1150,00200,00420,00 SOT23
BCW81R Si NPN 0.250,0045,005,00 0.1150,00200,00420,00 SOT23
BCW82B Si NPN 0. 22560,0050,006,00 0.1150,00150,00240,00 SOT23
BRY61 Si PNPN 0.2570,0070,0070,00 0.175150,001000,00 SOT23
BSP52T1 Si NPN 1.5100,0080,005,00 0.5150,00150,005000,00 SOT23
BSP52T3 Si NPN 1.5100,0080,005,00 0.5150,00150,005000,00 SOT23
BTD2150N3 Si NPN 0.22580,0050,006,004,00150,00175,00270,00 SOT23
BTN6427N3 Si NPN 0.225100,0060,0012,00 0. 5150,0010000,00 SOT23
CMPT3820 Si NPN 0.3580,0060,005,001,00150,00150,00200,00 SOT23
CMPT491E Si NPN 0.3580,0060,005,001,00150,00150,00200,00 SOT23
DMBT9014 Si NPN 0.22550,0045,005,00 0.1150,00150,00200,00 SOT23
DNLS160 Si NPN 0.360,001,00150,00200,00 SOT23
DTD123 Si Pre-Biased-NPN 0.250,00 0.5150,00200,00250,00 SOT23
ECG2408 Si NPN 0. 260,0065,00 0.3150,00300,00300,00 SOT23
FMMT493A Si NPN 0.560,001,00150,00500,00 SOT23
FMMTL619 Si NPN 0.550,00 1.25180,00300,00 SOT23
INC5006AC1 Si NPN 0.2100,0050,007,003,00150,00250,00400,00 SOT23
KC817A-40 Si NPN 0.3150,0045,005,00 0.5150,00170,00250,00 SOT23
KST9014 Si NPN 0.250,0045,005,00 0.1150,00150,00200,00 SOT23
KST9014-D Si NPN 0. 250,0045,005,00 0.1150,00150,00300,00 SOT23
KTC9014SC Si NPN 0.3580,0050,008,00 0.1150,00150,00200,00 SOT23
L2SC1623SLT1G Si NPN 0.22560,0050,007,00 0.15150,00250,00270,00 SOT23
L2SC2412KSLT1G Si NPN 0.260,0050,007,00 0.15150,00180,00270,00 SOT23
L9014RLT1G Si NPN 0.22550,0045,005,00 0.1150,00200,00 SOT23
L9014SLT1G Si NPN 0.22550,0045,005,00 0. 1150,00300,00 SOT23
L9014TLT1G Si NPN 0.22550,0045,005,00 0.1150,00400,00 SOT23
MMBT2484L Si NPN 0.22560,00 0.1250,00 SOT23
MMBT2484LT1G Si NPN 0.22560,0060,006,00 0.1150,00250,00 SOT23
MMBT945-H Si NPN 0.260,0050,005,00 0.15150,00150,00200,00 SOT23
MMS9014-H Si NPN 0.250,0045,005,00 0.1150,00150,00450,00 SOT23
MMS9014-L Si NPN 0. 250,0045,005,00 0.1150,00150,00200,00 SOT23
MSD601 Si NPN 0.260,0050,007,00 0.1150,00210,00 SOT23
PBSS4041NT Si NPN 0.360,0060,005,00 3.8150,00175,00300,00 SOT23
PBSS4160T Si NPN 0.380,0060,005,001,00150,00150,00250,00 SOT23
PDTC114TT Si Pre-Biased-NPN 0.2550,0050,005,00 0.1150,00200,00 SOT23
PDTC143TT Si Pre-Biased-NPN 0.2550,0050,005,00 0. 1150,00200,00 SOT23
S9014 Si NPN 0.250,0045,005,00 0.1150,00150,00200,00 SOT23
SBCW72LT1G Si NPN 0.2350,0045,005,00 0.1150,00300,00200,00 SOT23
SSTA28 Si NPN 0.280,0080,0012,00 0.3150,00200,0010000,00 SST3 SOT23
TBC850 Si NPN 0.250,0045,005,00 0.1150,00150,00200,00 SOT23
UN2210R Si Pre-Biased-NPN 0.250,0050,006,00 0.1150,00150,00210,00 SOT23 SC59
UN2210S Si Pre-Biased-NPN 0. 250,0050,006,00 0.1150,00150,00290,00 SOT23 SC59
UN2215R Si Pre-Biased-NPN 0.250,0050,006,00 0.1150,00150,00210,00 SOT23 SC59
UN2215S Si Pre-Biased-NPN 0.250,0050,006,00 0.1150,00150,00290,00 SOT23 SC59
UN2216R Si Pre-Biased-NPN 0.250,0050,006,00 0.1150,00150,00210,00 SOT23 SC59
UN2216S Si Pre-Biased-NPN 0.250,0050,006,00 0.1150,00150,00290,00 SOT23 SC59
UN2217R Si Pre-Biased-NPN 0. 250,0050,006,00 0.1150,00150,00210,00 SOT23 SC59
UN2217S Si Pre-Biased-NPN 0.250,0050,006,00 0.1150,00150,00290,00 SOT23 SC59
ZXTN07045EFF Si NPN 1.545,004,00150,00400,00 SOT23F
ZXTN19100CFF Si NPN 1.5100,00 4.5150,00200,00 SOT23F
ZXTN25050DFH Si NPN 1.2550,004,00200,00240,00 SOT23
ZXTN25100DFH Si NPN 1.25100,00 2.5175,00300,00 SOT23

Биполярный транзистор S9014 — описание производителя.

Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: S9014

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
  • Корпус транзистора: SOT23

Транзистор S9014 можно заменить на KSP05, KSP06, KSP42, KSP43, KTC9014, MPSA42, MPSA43, MPSW05, MPSW05G, MPSW06, MPSW06G, MPSW42, MPSW42G, SS9014

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Рассмотрим подробнее значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации (при температуре окружающей среды 25°С).

Электрические параметры

Одной из важнейших характеристик для всех высокочастотников является коэффициент шума (FШ), во многом он предопределяет возможность применения транзистора в схемах усиления слабых сигналов. Значение FШ определяется при заданном сопротивлении источника сигнала (Rs) на частоте генерации 1 кГц.

У s9014 коэффициент шума, в параметрах большинства производителей, не превышает 10 дБ. Поэтому этот высокочастотный транзистор относят к малошумящим. Чтобы добиться наименьшего уровня шума, его применяют при пониженных значениях напряжения коллектор-база и тока эмиттера. Температура при этом должна быть низкой, так как при её возрастании собственные шумы транзистора увеличиваются.

Маркировка

SS9014 это один из популярнейших транзисторов южнокорейской компании Samsung. Часто они маркируется на корпусе без префикса “S”. Похожие по характеристикам устройства выпускаются разными производителями и могут встретится с другой маркировкой, например: С9014, Н9014, L9014 и К9014. Корпус SMD-транзисторов S9014H, S9014L маркируется цифро-буквенным кодом “j6”.

Характеристики популярных аналогов

Наименование производителя: 2SC1623-L6

  • Маркировка: L6
  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
  • Корпус транзистора: SOT23

Наименование производителя: 2SC1623-L7

  • Маркировка: L7
  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0. 2 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
  • Корпус транзистора: SOT23

Наименование производителя: 2SC1623SLT1

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
  • Корпус транзистора: SOT-23

Наименование производителя: 2SC2412-S

  • Маркировка: BS
  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0. 2 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
  • Корпус транзистора: SOT23

Наименование производителя: 2SC2412KSLT1

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
  • Корпус транзистора: SOT-23

9014 техническое описание — Кремниевый транзистор NPN

Детали, техническое описание, цитата по номеру детали: 9014
Деталь 9014
Категория
Описание Кремниевый транзистор NPN
Компания Компьютер Wing Shing
Технический паспорт Загрузить 9014 Технический паспорт
Цитата

Где купить

 

 

Функции, приложения

ХАРАКТЕРИСТИКИ Рассеиваемая мощность PCM Вт Tamb=25 Ток коллектора A ICM : 0,1 Напряжение коллектор-база В V(BR)CBO : 50

Параметр Напряжение пробоя коллектор-база Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Ток отсечки коллектора Ток отсечки коллектора Ток отсечки эмиттера Коэффициент усиления постоянного тока (примечание) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Напряжение насыщения база-эмиттер

Символ V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO ICBO ICEO IEBO HFE
Wing Shing Computer Components Co. , (H.K.)Ltd. Домашняя страница: http://www.wingshing.com

 

Номер детали того же производителя Wing Shing Computer
Регулируемые регуляторы WS337 с 3 клеммами
TL432ACDBVRE4 Низковольтный регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор
Кремниевый силовой транзистор D1427 с рассеянным светом (общее описание)
MELFSMA4001 Выпрямитель с барьером Шоттки для поверхностного монтажа
Регуляторы отрицательного напряжения WS79L15
WS7107 3 1/2 цифровой ЖК/светодиодный дисплей аналого-цифровые преобразователи
78L09 Регуляторы положительного напряжения
S2005 Кремниевый рассеянный силовой транзистор
WS628128 ОЧЕНЬ НИЗКАЯ мощность/напряжение COMS SRAM 128K X 8 BIT
78L05 Регуляторы положительного напряжения
WS82C55A Программируемый периферийный интерфейс CMOS
7805AJ 3-контактные регуляторы положительного напряжения
WS4558 Линейная интегральная схема
78L24 Регуляторы положительного напряжения
D2499 Кремниевый рассеянный силовой транзистор (общее описание)
78L10 Регуляторы положительного напряжения

2SB546 : Описание = Транзисторы PNP ;; Пакет = ТО-220

2SC3280: Планарный кремниевый транзистор NPN (усилитель мощности звука, преобразователь постоянного тока в постоянный)

2SD1556: Планарный кремниевый транзистор NPN с тройным рассеянным светом (для цветного телевидения с горизонтальным выходом)

DB3 : Описание = Двунаправленный триггерный диод ;; Пакет = ДО-35

KA3842AN: Линейная интегральная схема (ШИМ-контроллер токового режима)

MJ11011 : Описание = Импульсные регуляторы, ШИМ-преобразователи, драйвер соленоидов и реле ;; Пакет = ТО-3

MJ15015: Описание = кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор;; Пакет = ТО-3

SR170SS18: Выпрямитель с барьером Шоттки для поверхностного монтажа (диапазон напряжения — от 20 до 80 вольт, ток — 1,0 ампер)

WS4558P: Линейная интегральная схема

Та же категория

ICS9169C-22 : Цепи часов. Генератор частоты для систем на базе Pentium(tm). Это недорогой генератор частоты, разработанный специально для систем на базе чипсетов Pentium. Встроенный буфер сводит к минимуму рассогласование и обеспечивает все необходимые часы. Генератор XTAL с частотой 14,318 МГц обеспечивает опорный тактовый сигнал для генерации стандартных частот Pentium. Тактовая частота ЦП делает постепенные переходы частоты, не нарушая синхронизацию PLL.

IDT72221 : CMOS Syncfifoo 64 х 9, 256 х 9, 512 х 9, 1024 х 9, 2048 х 9 и 4096 х 9.

OM1327N2M : 3-контактный регулятор отрицательного напряжения с регулируемым напряжением высокого качества. РЕГУЛИРУЕМЫЙ ОТРИЦАТЕЛЬНЫЙ РЕГУЛИРУЕМЫЙ РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ НА 1,5 А, УТВЕРЖДЕННЫЙ НА ЧЕРТЕЖЕ DESC 7703408 Трехполюсный, прецизионный регулируемый регулятор отрицательного напряжения в герметичных корпусах (LM137AHV), аналогичный отраслевому стандарту LM137AHV, одобренный DESC стандартизированным военным номером чертежа 7703408 Встроенная защита от тепловой перегрузки Доступно ограничение тока короткого замыкания.

SPP80N06S2L-11 : напр. OptiMOS®. Функция Расширенный режим Логический уровень Лавинный номинал Номинальный dv/dt Максимальные номинальные значения, = 25 C, если не указано иное Символ Тепловые характеристики Параметр Характеристики Тепловое сопротивление, переход-корпус Тепловое сопротивление, переход-окружающая среда, версия SMD с выводами, устройство на печатной плате: Электрические характеристики = 25 С, если не указано иное Параметр.

TS68020 : Военные и аэрокосмические-> Высококачественные микропроцессоры. Hcmos 32-битная виртуальная память MPU, 16/20/25 МГц.

CDB4245 : 104 дБ, 24-бит, 192 кГц Стерео аудиокодек. Многобитный дельта-сигма модулятор 104 дБ Динамический диапазон от -90 дБ THD+N до 192 кГц Частота дискретизации Односторонняя аналоговая архитектура Регулятор громкости с плавной рампой Многобитный дельта-сигма модулятор 104 дБ Динамический диапазон -95 дБ THD+N Стерео 6: 1 входной мультиплексор Усилитель с программируемым усилением (PGA) Размер шага 0,5 дБ Пересечение нуля, переходы без щелчков Усиление 12 дБ.

EKRE100ESS150MD05D : Миниатюрные алюминиевые электролитические конденсаторы. @Высота 5 мм, при 105°C @Защищенный от растворителей тип (см. МЕРЫ ПРЕДОСТОРОЖНОСТИ И РУКОВОДСТВА) @Бессвинцовая конструкция согласно F6.3) Категория Диапазон температур Номинальный диапазон напряжения Допуск емкости Коэффициент рассеяния тока утечки (tane) Низкотемпературные характеристики (Макс. коэффициент импеданса) ) Выносливость 50 В пост. тока P20% (M) (при или 3 мА, в зависимости от того, что больше. Где I : максимальный ток утечки.

35NW533M5X5 : Миниатюрные алюминиевые электролитические конденсаторы.

BCM2050 : Эталонный дизайн клиента Airforce 54G 802.11a/b/g PCI Express. Клиентское решение IEEE 802.11a/g CMOS MAC/Baseband с BroadRangeTM для соединений PCI Express. Гибкая конструкция обеспечивает решение стандарта 802.11a/g в сочетании с соответствующим радиомодулем. Архитектура DSP снижает мощность, необходимую для передачи данных, на 30%. Низкое энергопотребление увеличивает время автономной работы устройств Wi-Fi, поддерживает форм-фактор беспроводной связи (WFF) PCI Express.

935C2W10K-F : Металлизированные полипропиленовые пленочные конденсаторы с осевыми выводами типа 935. Металлизированные полипропиленовые пленочные конденсаторы с осевыми выводами типа 935 Конденсаторы для источников питания и сильноточных цепей Металлизированные полипропиленовые конденсаторы с осевыми выводами типа 935 предназначены для входной фильтрации импульсных источников питания с частотой 20–100 кГц, блокировки постоянного тока и выходного фильтра в условиях больших токов и высокой емкости. важны низкие значения СОЭ.

AIC1620COTR : Высокоэффективный синхронный повышающий преобразователь постоянного тока в постоянный. Высокоэффективный синхронный повышающий преобразователь постоянного тока в постоянный AIC1620/AIC1621/AIC1622 представляют собой высокоэффективный повышающий преобразователь постоянного тока в постоянный. Пусковое напряжение составляет всего 0,8 В и работает при входном напряжении до 0,7 В. Потребление всего 20А тока покоя. Эти устройства предлагают встроенный синхронный выпрямитель, который уменьшает размер и стоимость за счет устранения необходимости.

ADPFF3B14AC : Выключатели мгновенного действия общего назначения. /Преимущества Низкая стоимость-высокая производительность Долгий электрический срок службы Однополюсный и двухполюсный вариант с герметичным приводом Типичные области применения Оборудование для шкафов Устройство открывания гаражных ворот Торговые автоматы s НОМИНАЛЬНЫЕ КОНТАКТЫ: От низкого уровня* до 30,1 AMPS 277 V AC. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ РЕСУРС: 75 000 циклов при 25 А, 250 В переменного тока, 200 000 циклов при 15 А, 250 В переменного тока. ИЗОЛЯЦИОННОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ:.

M37530T-PTC : Преобразователь для подключения 42-контактного MCU эмулятора типа RSS к 32-контактному SDIP с шагом 1,778 мм (для групп 7531, 7540, 7542 и 7544).

LZ1-10CW03 : Светодиоды высокой мощности — белый холодный белый, 5500K, 170 лм, 700 мА. » » » Светодиоды для общего освещения Это охватывает чрезвычайно широкую группу, включая приложения, в которых светодиодное освещение может использоваться вместо обычных источников света. s: Производитель: LedEngin ; Категория продукта: Светодиоды высокой мощности — белые; RoHS: Подробная информация ; Освещение.

SSC-770A : Картридж для инструментов для пайки Chsl, длина 1,78 мм (0,07 дюйма). s: Производитель: OK International ; Категория продукта: Инструменты для пайки ; RoHS: Подробная информация ; Размер жала: 0,07 дюйма ; Тип: Паяльные жала с долотом; /Функция : Картридж с длинным наконечником для пайки, серия 700 0,07 дюйма

D38999/26WC35SBL : Алюминий, оливково-серый, с кадмиевым покрытием, свободно висящие (в линию) круглые — разъемы корпуса, межблочная вилка для гнездовых контактов; СОЕДИНЕНИЕ HSG PLUG 22POS СИЛЬНЫЙ SCKT. s: : Экранированный ; Упаковка: навалом; Тип соединителя: Штекер для гнездовых контактов; Тип монтажа: свободно висит (в линию); Размер раковины — Вставка: 13-35 ; Тип контакта: Обжимной; Тип крепления: Резьбовое.

AB1521001412PN00 : КРУГЛЫЙ СОЕДИНИТЕЛЬ. s: Применение: Круглые/Цилиндрические соединители.

TK8A50D : 8 A, 500 В, 0,85 Ом, N-КАНАЛЬНЫЙ, Si, POWER, МОП-транзистор. s: Полярность: N-канальный ; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 500 вольт; RDS(вкл.): 0,8500 Ом; Тип упаковки: СООТВЕТСТВУЕТ ROHS, 2-10U1B, SC-67, 3-контактный; Количество единиц в ИС: 1.

транзистор%20npn%20c%209014 спецификация и примечания по применению

Модель ECAD Производитель Описание Техническое описание Скачать Купить Часть UJ3C065080T3S UnitedSiC Мощный полевой транзистор org/Product»> UF3C065080B7S UnitedSiC 650 В-80 мОм SiC FET D2PAK-7L UF3C120150K4S UnitedSiC 1200 В-150 мОм SiC FET TO-247-4L UF3SC120040B7S UnitedSiC 1200 В, 35 мОм SiC FET D2PAK-7L UJ3C065080B3 UnitedSiC 650 В-80 мОм SiC FET D2PAK-3L org/Product»> UJ4C075023B7S UnitedSiC 750 В, 23 мОм SiC FET D2PAK-7L

транзистор%20npn%20c%209014 Листы данных Context Search

org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»>

Похожие записи

21.11.2024 0

Особенности питания кормящей мамы: что можно и нельзя есть при грудном вскармливании

19.11.2024 0

Новорожденный какает слизью: причины появления слизи в кале грудничка

19.11.2024 0

Гемангиома у новорожденных: причины, виды, лечение и профилактика

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Каталог данных MFG и тип ПДФ Теги для документов
хб*9Д5Н20П

Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9Схема Д0Н90Н на транзисторе ктд998
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E хб*9Д5Н20П хб9д0н90н 6В стабилитрон хб*2Д0Н60П транзистор КХБ7Д0Н65Ф Транзистор BC557 киа*278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н транзистор ктд998
КИА78*ПИ

Реферат: Транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2Н3904хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ ТРАНЗИСТОР мосфет КИА7812АПИ хб*2Д0Н60П
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET KIA7812API хб*2Д0Н60П
2SC4793 2sa1837

Реферат: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 2sc5198 аналог транзистора 2SC5359Транзистор 2SC5171, эквивалентный транзистору NPN
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 эквивалент 2sc5198 транзистор 2SC5359 эквивалент транзистора 2SC5171 НПН-транзистор
транзистор

Реферат: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF 2Н3904 2Н3906 2Н4124 2Н4126 2N7000 2Н7002 до н.э.327 до н.э.328 до н.э.337 до н.э.338 транзистор транзистор ИТТ BC548 п-н-п транзистор транзистор п-н-п BC337 п-н-п транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN-транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП
КХ520Г2

Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn переключающий транзистор 60в транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904T1PT
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn-переключающий транзистор 60 В транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ
транзистор 45 ф 122

Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 tlp 122 634 транзистор транзистор ac 127 TRANSISTOR транзистор 502 транзистор f 421
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 тлп 122 634 транзистор транзистор переменного тока 127 ТРАНЗИСТОР транзистор 502 транзистор ф 421
СТХ12С

Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Варистор RU

Реферат: Транзистор СЭ110Н 2SC5487 2SA2003 Транзистор СЭ090Н высоковольтный Транзистор СЭ090 РБВ-406 2SC5586
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 2SA2003 SE090N высоковольтный транзистор SE090 РБВ-406 2SC5586
К2Н4401

Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 D1N750 D02CZ10 D1N751
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 Д1Н750 D02CZ10 Д1Н751
фн651

Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1х7 STR20012 sap17n 2сд2619 РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343
2SC5471

Реферат: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 Транзистор 2SA970 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Мосфет FTR 03-E

Резюме: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF V/65e9 транзистор транзистор 2SC337
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389 фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF Транзистор V/65e9 транзистор 2SC337
фгт313

Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диодов ry2a
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a
транзистор 91 330

Реферат: tlp 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор R358 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 тлп 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор Р358 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120
1999 — Системы горизонтального отклонения телевизора

Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальная секция tv Горизонтальное отклонение переключающие транзисторы TV горизонтальные системы отклонения mosfet CRT TV электронная пушка горизонтальная секция в элт-телевидение TV трансформатор обратного хода
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц. Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА Ан363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтальной секции телевизор Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора ЭЛТ ТВ электронная пушка горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре Обратный трансформатор для телевизора
транзистор

Аннотация: силовой транзистор npn к-220 PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР TO220 транзистор PNP демпферный диод транзистор Дарлингтона 2SD2206A силовой транзистор npn транзистор дарлингтона TO220
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 транзистор PNP демпферный диод Транзистор Дарлингтона 2СД2206А силовой транзистор нпн дарлингтон транзистор ТО220
1999 — транзистор

Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип n-канальный полевой массив Низкочастотный силовой транзистор транзистор mp40 TRANSISTOR P 3 high hfe транзистор список
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК n-канальный полевой массив Силовой низкочастотный транзистор транзистор мп40 ТРАНЗИСТОР Р 3 высокочастотный транзистор список
транзистор 835

Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 TRANSISTOR регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 w 85 транзистор 81 110 w 63 транзистор транзистор 438 TRANSISTOR GUIDE транзистор 649
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF БК327; БК327А; до н. э.328 БК337; БК337А; до н.э.338 до н.э.546; до н.э.547; до н.э.548 до н.э.556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель ЗВУКА на транзисторе BC548 транзистор 81 110 Вт 85 транзистор 81 110 Вт 63 транзистор транзистор 438 ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО транзистор 649
2002 — SE012

Реферат: SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050e SE110N SLA-7611
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050е SE110N SLA-7611
2SC5586

Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 диод СВЧ однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 RG-2A диод Dual MOSFET 606 TFD312S-F
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод для микроволновой печи однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 Диод РГ-2А Двойной МОП-транзистор 606 ТФД312С-Ф
pwm инверторный сварочный аппарат

Реферат: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 демпфирующий конденсатор powerex инвертор сварочная схема kd2245 kd224510 примечания по применению транзистор KD221K75
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF
варикап диоды

Реферат: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Hitachi SAW Фильтр gsm-модуль с микроконтроллером p-канальный mosfet Транзисторы mosfet p-канал Mosfet-транзистор Hitachi Низкочастотный силовой транзистор УКВ-полевой транзистор lna
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF PF0032 PF0040 PF0042 ПФ0045А PF0065 ПФ0065А HWCA602 HWCB602 ХВКА606 HWCB606 варикапные диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Хитачи ПАВ Фильтр gsm модуль с микроконтроллером p-канальный мосфет Транзисторы mosfet p канал МОП-транзистор хитачи Силовой низкочастотный транзистор УКВ Фет лна
Спецификация силового транзистора для телевизора

Реферат: силовой транзистор 2SD2599 эквивалент 2SC5411 транзистор 2sd2499 транзистор 2Sc5858 эквивалент 2SC5570 компоненты в горизонтальном выходе 2SC5855
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Технический паспорт силового транзистора телевизора силовой транзистор Эквивалент 2SD2599 транзистор 2sd2499 транзистор эквивалент 2Sc5858 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе 2SC5855
2009 — 2sc3052ef

Резюме: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА КОД s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd код маркировки транзистора
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 24 ГГц BF517 Б132-Х8248-Г5-С-7600 2sc3052ef 2н2222а СОТ23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 смд 1N4148 СОД323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd маркировка код транзистора