Транзистор c5353 параметры: 2SC5353 , , datasheet, , , C5353

Содержание

C5353 datasheet на русском - Вместе мастерим

Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для импульсных источников питания и преобразователей.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Высокое напряжение пробоя: Vceo = 800 В.
  • Изолированный корпус.
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 900 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 800 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 7 В
Ic Ток коллектора постоянный/импульсный 3,0/5,0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 25 Вт
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 0,15 А 15
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 1,2 A, Ib = 0,24 А 1,0 В
Ib Ток базы 1,0 А
Tr/Tf Время нарастания/спада 0,5 0,7/0,5 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Высказывания:

Если что-либо не работает, стукните это хорошенько, если оно сломалось — ничего, все равно нужно было выбрасывать.

Основные параметры биполярного низкочастотного npn транзистора 2SC5353

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора 2SC5353 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний
Структура полупроводникового перехода: npn

Pc max, мВт Ucb max, В Uce max, В Ueb max, В Ic max, мА Tj max, °C Ft max, Гц Cc tip, пФ Hfe
25000 900 800 7 3000 +150 200000 15

Производитель: UTC
Сфера применения:
Популярность: 3246
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора 2SC5353

Общий вид транзистора 2SC5353. Цоколевка транзистора 2SC5353.

Обозначение контактов:
Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер.
Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.

Дата создания страницы: 2016-02-03 08:45:50.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2SC5353.


Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Биполярный транзистор 2SC5353 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC5353

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора: TO220NIS

2SC5353 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5353.pdf Size:207K _toshiba

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC5353 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR 1 1 TO-126 TO-126C DESCRIPTION Switching Regulator and High Voltage Switching Applications High-Speed DC-DC Converter Applications 1 1 TO-220 TO-220F FEATURES * Excellent switching times: tR = 0.7?s(MAX), tF = 0.5?s (MAX) * High collectors breakdown voltage: VCEO = 700V 1 TO-220F1

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC5353B NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE NPN 1 1 TRANSISTOR TO-126 TO-126C DESCRIPTION 1 1 TO-220 TO-220F Switching Regulator and High Voltage Switching Applications High-Speed DC-DC Converter Applications. 1 1 FEATURES TO-220F1 TO-251 * Excellent switching times: tR = 0.7?s(MAX), tF = 0.5?s (MAX) * High collectors breakdown voltage:

«>

2sc5586 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

2SC5698 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5698.pdf Size:29K _sanyo

Ordering number : ENN6664A
2SC5698
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5698
CRT Display Horizontal Deflection
Output Applications
Features Package Dimensions
High speed. unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2174A
High reliability(Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
16.0
On-chip damper diode. 3.1
2.8
2.0 2.1
0.9
0.

4.1. 2sc5696.pdf Size:29K _update_bjt

Ordering number : ENN6663B
2SC5696
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5696
Color TV Horizontal Deflection
Output Applications
Features
Package Dimensions
• High speed.
unit : mm
• High breakdown voltage(VCBO=1600V).
2174A
• High reliability(Adoption of HVP process).

• Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
16.0
• On-chip damper diode.
3.1
2.8
2.

4.2. 2sc5695.pdf Size:411K _toshiba

2SC5695
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type
2SC5695

Horizontal Deflection Output for High Resolution Display,
Unit: mm
Color TV
• High voltage: VCBO = 1500 V
• Low saturation voltage: V = 3 V (max)
CE (sat)
• High speed: t (2) = 0.1 µs (typ.)
f
Maximum Ratings (Tc =
= 25°C)
=
=
Characteristics Symbol Rating Unit
Collector-base voltage VCBO

 4.3. 2sc5692.pdf Size:167K _toshiba

2SC5692
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SC5692
Industrial Applications
High-Speed Switching Applications
Unit: mm
DC-DC Converter Applications
Strobe Applications
• High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (I = 0.3 A)
C
• Low collector-emitter saturation voltage: V = 0.14 V (max)
CE (sat)
• High-speed switching: t = 120 ns (typ.)
f
Maximum Ratings (

4.4. 2sc5696.pdf Size:29K _sanyo

Ordering number : ENN6663B
2SC5696
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5696
Color TV Horizontal Deflection
Output Applications
Features
Package Dimensions
High speed.
unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1600V).
2174A
High reliability(Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
16.0
On-chip damper diode.
3.1
2.8
2.0 2.1
0.9
0

 4.5. 2sc5690.pdf Size:28K _sanyo

Ordering number : ENN6896A
2SC5690
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5690
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features
Package Dimensions
High speed.
unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V).
2174A
High reliability(Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
16.0
On-chip damper diode.
3

4.6. 2sc5694.pdf Size:37K _sanyo

Ordering number : ENN6587
2SA2037 / 2SC5694
PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SA2037 / 2SC5694
DC / DC Converter Applications
Applications
Package Dimensions
Relay drivers, lamp drivers, motor drivers and
unit : mm
printer drivers.
2042B
8.0
[2SA2037 / 2SC5694]
4.0
3.3
1.0 1.0
Features
Adoption of MBIT process.
Large current capacity.
3.0
Low collector-to-

4.7. 2sc5699.pdf Size:28K _sanyo

Ordering number : ENN6665A
2SC5699
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5699
CRT Display Horizontal Deflection
Output Applications
Features Package Dimensions
High speed. unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2174A
High reliability(Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
16.0
3.1
2.8
2.0 2.1
0.9
0.7
1 2 3
1 : Base
2 :

4.8. 2sc5696.pdf Size:188K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5696
DESCRIPTION
·High speed switching
·Built-in damper diode type
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for display horizontal deflection output
Switching regulator and general purpose
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBO

4.9. 2sc5694.pdf Size:180K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5694
DESCRIPTION
·High speed switching
·Large Current Capacity

·High allowable power dissipation
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Relay drivers,lanp drivers,motor drivers and
printer drivers.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
S

2SC5587 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5587.pdf Size:332K _toshiba

2SC5587
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5587
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH
Unit: mm
RESOLUTION
DISPLAY, COLOR TV
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
High Voltage : VCBO = 1500 V
Low Saturation Voltage : V = 3 V (Max.)
CE (sat)
High Speed : t (2) = 0.1 µs (Typ.)
f
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT

4.1. 2sc5588.pdf Size:331K _toshiba

2SC5588
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5588
Unit: mm
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR SUPER
HIGH RESOLUTION DISPLAY
COLOR TV FOR DIGITAL TV & HDTV
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
High Voltage : VCBO = 1700 V
Low Saturation Voltage : V = 3 V (Max.)

CE (sat)
High Speed : t (2) = 0.1µs (Typ.)
f
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTER

4.2. 2sc5589.pdf Size:298K _toshiba

2SC5589
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5589
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR
HIGH RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV
Unit: mm
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
High Voltage : VCBO = 1500 V
Low Saturation Voltage : V = 3 V (Max.)
CE (sat)
High Speed : t (2) = 0.1 µs (Typ.)
f
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
Co

 4.3. 2sc5585 2sc5663.pdf Size:68K _rohm

2SC5585 / 2SC5663
Transistors
Low frequency transistor (12V, 0.5A)
2SC5585 / 2SC5663
The transistor of 500mA class which went only into 2125 size conventionally was attained in 1608 sizes or 1208 sizes.
External dimensions (Unit : mm)
Applications
For switching
2SC5585
For muting
(1)
(2)
(3)
0.8
Features
1.6
1) High current.
2) Low VCE(sat).
0.1Min.
(1) Emitter
R

4.4. 2sc5584.pdf Size:45K _panasonic

Power Transistors
2SC5584

Silicon NPN triple diffusion mesa type
Unit: mm
For horizontal deflection output
20.00.5 5.00.3
(3.0)
? 3.30.2
Features
High breakdown voltage, and high reliability through the use of a
glass passivation layer
(1.5)
High-speed switching
Wide area of safe operation (ASO) (1.5)
2.00.3
2.70.3
3.00.3
1.00.2
Absolute Maximum Ratings TC = 25C

 4.5. 2sc5580.pdf Size:43K _panasonic

Transistors
2SC5580
Silicon NPN epitaxial planer type
Unit: mm
For high-frequency oscillation / switching
0.3+0.1 0.15+0.10
0.05
0.0
3
Features
High transition frequency fT
S-mini type package, allowing downsizing of the equipment and
1 2
automatic insertion through the tape packing and the magazine
(0.65) (0.65)
packing.
1.30.1
2.00.2
10
Absolute Maximum Ratings Ta =

4.6. 2sc5583.pdf Size:46K _panasonic

Power Transistors
2SC5583
Silicon NPN triple diffusion mesa type
Unit: mm
For horizontal deflection output
20.00.5 5.00.3
(3.0)
? 3.30.2
Features
High breakdown voltage, and high reliability through the use of a
glass passivation layer
(1.5)
High-speed switching
Wide area of safe operation (ASO) (1.5)
2.00.3
2.70.3
3.00.3
1.00.2
Absolute Maximum Ratings TC = 25C

4.7. 2sc5585.pdf Size:198K _secos

2SC5585
0.5A , 15V
NPN Silicon General Purpose Transistor
Elektronische Bauelemente
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen and lead free
SOT-523
FEATURES
High Current.
Low VCE(sat). VCE(sat)?0.25V (@IC=200mA / IB=10mA)
A
Complement of 2SC4738. M
3
3
Top View C B
Application
1
1 2
General Purpose Amplification.
L 2
K
E
MARKING
D
H J

4.8. 2sc5586 2sc5830 2sc5924.pdf Size:1332K _sanken-ele

4.9. 2sc5584.pdf Size:186K _inchange_semiconductor

isc Product Specification
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5584
DESCRIPTION
·Silicon NPN triple diffusion mesa type
·High Switching Speed
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V(Min)
(BR)CBO
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for horizontal deflection output applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)

4.10. 2sc5585.pdf Size:204K _lge

2SC5585
SOT-523 Transistor(NPN)
1. BASE
SOT-523
2. EMITTER
3. COLLECTOR
Features

High current.

Low VCE(sat). VCE(sat)?250mV at IC = 200mA / IB = 10mA
MARKING: BX
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector- Base Voltage 15 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 12 V
VEBO Emitter-Base Vol

4.11. 2sc5585.pdf Size:192K _wietron

2SC5585
NPN TRANSISTOR
3
P b Lead(Pb)-Free
1
2
FEATURES:
SOT-523(SC-75)
* High current.
* Low VCE(sat). VCE(sat).250mV at IC = 200mA / IB = 10mA
MAXIMUM RATINGS (TA=25°Cunless otherwise noted)
Parameter Symbol Value Units
Collector-Base Voltage VCBO 15 V
Collector-Emitter Voltage VCEO 12 V
Emitter-Base Voltage VEBO 6 V
Collector Current –Continuous IC 500 mA
Collector Dissipatio

2SC5578 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5578.pdf Size:40K _sanyo

Ordering number:ENN6297
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5578
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features Package Dimensions
High speed.
unit:mm
High breakdown voltage (VCBO=1600V).
2048B
High reliability (Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
20.0 3.3
5.0
2.0
3.4
0.6
1.2
1 : Base
1 2 3

4.1. 2sc5570.pdf Size:349K _toshiba

2SC5570
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5570
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH
Unit: mm
RESOLUTION
DISPLAY, COLOR TV
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
High Voltage : VCBO = 1700 V
Low Saturation Voltage : V = 3 V (Max.)
CE (sat)
High Speed : t (2) = 0.1 µs (Typ.)
f
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
C

4.2. 2sc5577.pdf Size:40K _sanyo

Ordering number:ENN6281
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5577
Ultrahigh-Definition Color Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features Package Dimensions
High speed (tf=100ns typ).
unit:mm
High breakdown voltage (VCBO=1500V).
2048B
High reliability (Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
20.0 3.3
5.0
2.0
3.4
0.6
1.2

 4.3. 2sc5574.pdf Size:52K _rohm

2SC5574
Transistors
Power Transistor (80V, 4A)
2SC5574
Features External dimensions (Units : mm)
1) Low saturation voltage.
(Typ. VCE(sat) = 0.3V at IC / IB =2 / 0.2A)
10.0 4.5
2) Excellent DC current gain characteristics.
3.2 2.8
?
3) Pc = 30W (Tc = 25C)
4) Wide SOA (safe operating area).
1.2
1.3
5) Complements the 2SA2017.
0.8
0.75
2.54 2.54 2.6
(1) (2) (3)
( )
(1) (2) (3

4.4. 2sc5576.pdf Size:49K _rohm

2SC5576
Transisitors
Medium Power Transistor
(Motor or Relay drive) (6010V, 4A)
2SC5576
Features Circuit diagram
1) Built-in zener diode between collector and base.
C
2) Strong protection against reverse power surges due to
«L» loads.
B
3) Built-in resistor between base and emitter.
4) Built-in damper diode.
R1 R2
E
B : Base
R1 4.5k?
C : Collector
R2 300?
E : Emitter
Absol

 4.5. 2sc5575.pdf Size:52K _rohm

2SC5575
Transistors
High-voltage Switching Transisitor
(Power Supply) (120V, 7A)
2SC5575
Features
External dimensions (Units : mm)
1) Low VCE(sat). (Typ. 0.17V at IC / IB = 5 / 0.5A)
2) Fast switching. (tf : Typ. 0.18s at IC = 5A)
3) Wide SOA. (safe operating area)
10.0 4.5
3.2 2.8
?
Absolute maximum ratings (Ta = 25C)
1.2
1.3
Parameter Symbol Limits Unit
0.8
Collector-base

4.6. 2sc5572.pdf Size:71K _panasonic

2SC5353 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5353.pdf Size:207K _toshiba

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC5353 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR 1 1 TO-126 TO-126C DESCRIPTION Switching Regulator and High Voltage Switching Applications High-Speed DC-DC Converter Applications 1 1 TO-220 TO-220F FEATURES * Excellent switching times: tR = 0.7?s(MAX), tF = 0.5?s (MAX) * High collectors breakdown voltage: VCEO = 700V 1 TO-220F1

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC5353B NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE NPN 1 1 TRANSISTOR TO-126 TO-126C DESCRIPTION 1 1 TO-220 TO-220F Switching Regulator and High Voltage Switching Applications High-Speed DC-DC Converter Applications. 1 1 FEATURES TO-220F1 TO-251 * Excellent switching times: tR = 0.7?s(MAX), tF = 0.5?s (MAX) * High collectors breakdown voltage:

“>

By :

2SC5681 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5681.pdf Size:28K _sanyo

Ordering number : ENN6607A
2SC5681
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5681
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features Package Dimensions
High speed. unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2174A
High reliability(Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
16.0
3.1
2.8
2.0 2.1
0.9
0.7

4.1. 2sc5684.pdf Size:126K _toshiba



4.2. 2sc5689.pdf Size:29K _sanyo

Ordering number : ENN6654A
2SC5689
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5689
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features
Package Dimensions
High speed.
unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V).
2174A
High reliability(Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
On-chip damper diode. 16.0
3.

 4.3. 2sc5682.pdf Size:28K _sanyo

Ordering number : ENN6608A
2SC5682
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5682
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features Package Dimensions
High speed. unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2174A
High reliability(Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
16.0
3.1
2.8
2.0 2.1
0.9
0.7

4.4. 2sc5683.pdf Size:28K _sanyo

Ordering number : ENN6653A
2SC5683
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5683
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features
Package Dimensions
High speed.
unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V).
2174A
High reliability(Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
16.0
3.1
2.8
2.0 2.1
0.9
0.

 4.5. 2sc5680.pdf Size:28K _sanyo

Ordering number : ENN6652A
2SC5680
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5680
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features
Package Dimensions
High speed.
unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V).
2174A
High reliability(Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
16.0
3.1
2.8
2.0 2.1
0.9
0.

4.6. 2sc5686.pdf Size:75K _panasonic

Power Transistors
2SC5686
Silicon NPN triple diffusion mesa type
Horizontal deflection output for TV, CRT monitor
Unit: mm
15.50.5 3.00.3
? 3.20.1
5?
5?
Features
High breakdown voltage: VCBO ? 2 000 V
High-speed switching: tf 4.7. 2sc5689.pdf Size:214K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5689
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V (Min)
CBO
·High Switching Speed
·High Reliability
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Color TV horizontal deflection output
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Collector-Base Voltage 1500 V
CBO

2SC5353B Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5353b.pdf Size:251K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SC5353B NPN SILICON TRANSISTOR
HIGH VOLTAGE NPN
1 1
TRANSISTOR
TO-126
TO-126C
DESCRIPTION
1
1
TO-220 TO-220F
Switching Regulator and High Voltage Switching Applications
High-Speed DC-DC Converter Applications.
1
1
FEATURES
TO-220F1 TO-251
* Excellent switching times: tR = 0.7?s(MAX), tF = 0.5?s (MAX)
* High collectors breakdown voltage:

3.1. 2sc5353.pdf Size:207K _toshiba



3.2. 2sc5353.pdf Size:271K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SC5353 NPN SILICON TRANSISTOR
HIGH VOLTAGE NPN
TRANSISTOR
1
1
TO-126 TO-126C
DESCRIPTION
Switching Regulator and High Voltage Switching Applications
High-Speed DC-DC Converter Applications 1
1
TO-220 TO-220F
FEATURES
* Excellent switching times: tR = 0.7?s(MAX), tF = 0.5?s (MAX)
* High collectors breakdown voltage: VCEO = 700V
1
TO-220F1

 3.3. 2sc5353.pdf Size:208K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5353
DESCRIPTION
·Collector–Emitter Sustaining Voltage
: V = 800V(Min.)
CEO(SUS)
·Low Collector Saturation Voltage
: V =1V(Max) @ I = 1.2A
CE(sat) C
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for use in lighting applications and low cost
switch-mode power

2SC5856 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5856.pdf Size:235K _update

2SC5856
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5856
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR
Unit: mm
SUPER HIGH RESOLUTION
DISPLAY, COLOR TV, DIGITAL TV
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
High Voltage : VCBO = 1500 V
Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 3 V (max)
High Speed : tf(2) = 0.1 µs (typ.)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC S

4.1. 2sc5859.pdf Size:200K _toshiba

2SC5859
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5859
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR
Unit: mm
HDTV, DIGITAL TV, PROJECTION TV
High Voltage : V = 1700 V
CBO
Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 3 V (max)
High Speed : tf(2) = 0.1 µs (Typ.)
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
Collector-Base Voltage VCBO 1700 V
Collector-Emi

4.2. 2sc5855.pdf Size:194K _toshiba

2SC5855
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5855
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR
Unit: mm
SUPER HIGH RESOLUTION
DISPLAY, COLOR TV, DIGITAL TV
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
High Voltage : VCBO = 1500 V
Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 3 V (max)
High Speed : tf(2) = 0.1 µs (typ.)
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING

 4.3. 2sc5850.pdf Size:85K _renesas

To all our customers
Regarding the change of names mentioned in the document, such as Hitachi
Electric and Hitachi XX, to Renesas Technology Corp.
The semiconductor operations of Mitsubishi Electric and Hitachi were transferred to Renesas
Technology Corporation on April 1st 2003. These operations include microcomputer, logic, analog
and discrete devices, and memory chips other than DRAMs (

4.4. 2sc5855.pdf Size:188K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5855
DESCRIPTION
·High speed switching
·High voltage
·Low saturation voltage
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Horizontal deflection output for super high resolution
·Display color TV digital TV
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a

Оцените статью:

C5353 datasheet на русском

Биполярный транзистор 2SC5353 – описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC5353

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора: TO220NIS

2SC5353 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5353.pdf Size:207K _toshiba

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC5353 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR 1 1 TO-126 TO-126C DESCRIPTION Switching Regulator and High Voltage Switching Applications High-Speed DC-DC Converter Applications 1 1 TO-220 TO-220F FEATURES * Excellent switching times: tR = 0.7?s(MAX), tF = 0.5?s (MAX) * High collectors breakdown voltage: VCEO = 700V 1 TO-220F1

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC5353B NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE NPN 1 1 TRANSISTOR TO-126 TO-126C DESCRIPTION 1 1 TO-220 TO-220F Switching Regulator and High Voltage Switching Applications High-Speed DC-DC Converter Applications. 1 1 FEATURES TO-220F1 TO-251 * Excellent switching times: tR = 0.7?s(MAX), tF = 0.5?s (MAX) * High collectors breakdown voltage:

C5353 (Toshiba)
2SC5353

No Preview Available !

Click to Download PDF File for PC

C5353 (Toshiba)
2SC5353

No Preview Available !

Click to Download PDF File for PC

C5353 (Toshiba)
2SC5353

No Preview Available !

Click to Download PDF File for PC

C5353 (Toshiba)
2SC5353

No Preview Available !

Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для импульсных источников питания и преобразователей.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Высокое напряжение пробоя: Vceo = 800 В.
  • Изолированный корпус.
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 900 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 800 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 7 В
Ic Ток коллектора постоянный/импульсный 3,0/5,0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 25 Вт
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 0,15 А 15
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 1,2 A, Ib = 0,24 А 1,0 В
Ib Ток базы 1,0 А
Tr/Tf Время нарастания/спада 0,5 0,7/0,5 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

“>

Wholesale 100% новый и оригинальный транзистор 2SC5353 C5353 TO-220F 3A 800V NPN From m.alibaba.com

Описание продукта:

Наши услуги

Ответ: ваш запрос, связанный с товары или ценами, будет отвечен в течение 24 часов.

B: Защита ваших торговых площадей, идей дизайна и всей вашей личной информации.

C: лучшее качество и конкурентоспособная цена.

Гарантия

Преимущество


1) Гарантия: 90 дней (когда покупатель подписывает посылку После гарантийного срока)


2) Мы обещаем, что каждый продукт протестирован перед отправкой. Каждая плата имеет хорошие условия.

Условия оплаты

 

1) Мы принимаем Paypal, Alipay, West Union, TT. Все основные кредитные карты принимаются через безопасный процесс оплаты или ESCROW.


2) Если вы не можете проверить сразу после закрытия аукциона, пожалуйста, подождите несколько минут и повторите попытку.


3) Пожалуйста, обратите внимание на ваши особые запросы (номер детали, упаковки, стоимость Декларации и т. д.) заказ или
Отправьте нам сообщение Alibaba, когда вы совершите оплату.

Пожалуйста, свяжитесь с нами

 

Вопросы и ответы

1) Как я могу разместить заказ?
О: вы можете связаться с нами по электронной почте о ваших деталях заказа, или разместить заказ на линии.

2) Как я могу вам заплатить?
О: после того, как вы подтвердите наш PI, мы попросим вас оплатить. T/T (HSBC bank) и Paypal, Western Union-самые обычные способы использования.

3) какова процедура заказ?
О: сначала мы обсудим заказ, детали продукции по электронной почте или ТМ. Затем мы выдадим вам PI для вашего подтверждения. Вам будет предложено сделать предоплату полной оплаты или депозита, прежде чем мы начнем производство. После получения депозита, мы начинаем обрабатывать заказ. Обычно нам нужно 7-15 дней, если у нас нет товаров в наличии. Перед завершением производства, мы свяжемся с вами для получения информации о доставке и платежа. После оплаты, мы начинаем подготовку к отправке для вас.

4) как вы заботитесь, когда ваши клиенты получили дефектные товары?
A: не произведён замену товара. Если есть какие-либо дефектные товары, мы обычно кредитуем наших клиентов или заменяем в следующей пересылке.

5) как вы проверяете все товары в производственной линии?
О: у нас есть точечная инспекция и проверка готовой продукции. Мы проверяем товары, когда они переходят к следующему этапу производства.

 

 

 

 

 

 

Качество транзисторы d1710c для электронных проектов

О продукте и поставщиках:
Alibaba.com предлагает большой выбор. транзисторы d1710c на выбор в соответствии с вашими потребностями. транзисторы d1710c являются жизненно важными частями практически любого электронного компонента. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбирая правильно. транзисторы d1710c, вы можете быть уверены, что создаваемый вами продукт будет высокого качества и очень хорошо работает. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди прочего. 

транзисторы d1710c состоят из полупроводниковых материалов и обычно имеют не менее трех клеммы, которые можно использовать для подключения к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. транзисторы d1710c охватывают два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. транзисторы d1710c скрывают низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.

Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. транзисторы d1710c для определения опорных ног, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. транзисторы d1710c на сайте Alibaba.com используют кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря их превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. транзисторы d1710c для любого проекта включает в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника.

Откройте для себя удивительно доступный. транзисторы d1710c на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

C3198 транзистор характеристики и его российские аналоги

2SC319 Datasheet (PDF)

1.1. 2n3904 2n3906 2n5401 2n5551 2sa1271 2sa1273 2sa1275 2sa1276 2sa1366 2sa1657 2sa1658 2sb1366 2sb988 2sc3190 2sc3191 2sc3192.pdf Size:495K _update_bjt



1.2. 2sc3193 2sc3194 2sc3195 2sc3203 2sc3205 2sc3206 2sc3207 2sc3208 2sc3226 2sc3228 2sc3229 2sc3230 2sc3231 2sc3878s 2sc3879s 2sc3880s.pdf Size:495K _update_bjt



 1.3. 2sc3199.pdf Size:55K _no

1.4. 2sc3199.pdf Size:541K _secos

2SC3199
0.15 A , 50 V
NPN Plastic-Encapsulated Transistor
Elektronische Bauelemente
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
FEATURES TO-92S
? High Current Capability
? High DC Current Gain
Millimeter
REF.
Min. Max.
? Small Package
A 3.90 4.10
B 3.05 3.25
C 1.42 1.62
D 15.1 15.5
E 2.97 3.27
APPLICATIONS
F 0.66 0.86
G 2.44 2.64
? Audi

 1.5. 2sc3198l.pdf Size:54K _kec



Биполярный транзистор KTC3198L — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KTC3198L

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70

KTC3198L


Datasheet (PDF)

1.1. ktc3198l.pdf Size:29K _kec

SEMICONDUCTOR KTC3198L
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION.
B C
FEATURES
Excellent hFE Linearity
: hFE(2)=100(Typ.) at VCE=6V, IC=150mA
: hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.).
N DIM MILLIMETERS
Low Noise : NF=0.2dB(Typ.). f=(1kHz).
A 4.70 MAX
E
K
B 4.80 MAX
Complementary to KTA1266L. (O,Y,GR class) G
C 3.70 MAX
D
D 0.45
E 1.00
F 1.2

3.1. ktc3198.pdf Size:244K _secos

KTC3198
0.15A , 60V
NPN Plastic Encapsulated Transistor
Elektronische Bauelemente
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
FEATURE
TO-92
V(BR)CBO=60V
CLASSIFICATION OF hFE (1)
Product-Rank KTC3198-O KTC3198-Y KTC3198-GR
Range 70~140 120~240 200~400
1Emitter
Collector
2Base
3
3Collector
Millimeter Millimeter
2
REF. REF.
Min

3.2. ktc3198a.pdf Size:66K _kec

SEMICONDUCTOR KTC3198A
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
B C
FEATURES
·Excellent hFE Linearity
: hFE(2)=100(Typ.) at VCE=6V, IC=150mA
: hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.).
N DIM MILLIMETERS
A 4.70 MAX
·Low Noise : NF=1dB(Typ.). at f=1kHz. E
K
B 4.80 MAX
G
·Complementary to KTA1266A.
C 3.70 MAX
D
D 0.45
E

 3.3. ktc3198.pdf Size:432K _kec

SEMICONDUCTOR KTC3198
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
B C
FEATURES
Excellent hFE Linearity
: hFE(2)=100(Typ.) at VCE=6V, IC=150mA
N DIM MILLIMETERS
: hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.).
A 4.70 MAX
E
K
B 4.80 MAX
Low Noise : NF=1dB(Typ.). at f=1kHz. G
C 3.70 MAX
D
Complementary to KTA1266.
D 0.45
E 1.00
F

3.4. ktc3198.pdf Size:1736K _kexin

DIP Type Transistors
NPN Transistors
KTC3198
Unit:mm
TO-92
4.8 ± 0.3 3.8 ± 0.3
■ Features
● Excellent hFE Linearity
● Low Noise
0.60 Max
● Complementary to KTA1266
0.45 ± 0.1 0.5
2
1 3
1.Emitter
2.Collector
1.27
2.54 3.Base
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 60
Collector — Emitter Voltage VCEO 5

Другие транзисторы… KTC3191
, KTC3192
, KTC3193
, KTC3194
, KTC3195
, KTC3197
, KTC3198
, KTC3198A
, BC546
, KTC3199
, KTC3199L
, KTC3200
, KTC3202
, KTC3203
, KTC3204
, KTC3205
, KTC3206
.

Биполярный транзистор 2SC3112 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC3112

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 600

Корпус транзистора: TO92

2SC3112


Datasheet (PDF)

1.1. 2sc3112.pdf Size:257K _toshiba

2SC3112
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC3112
For Audio Amplifier and Switching Applications
Unit: mm
• High DC current gain: hFE = 600~3600
• High breakdown voltage: V = 50 V
CEO
• High collector current: I = 150 mA (max)
C
Maximum Ratings (Ta =
= 25°C)
=
=
Characteristics Symbol Rating Unit
Collector-base voltage VCBO 50 V
Collect

4.1. 2sc3113.pdf Size:266K _toshiba

2SC3113
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SC3113
For Audio Amplifier and Switching Applications
Unit: mm
• High DC current gain: h = 600~3600
FE
• High breakdown voltage: V = 50 V
CEO
• High collector current: I = 150 mA (max)
C
• Small package
Maximum Ratings (Ta =
= 25°C)
=
=
Characteristics Symbol Rating Unit
Collector-base voltage VCBO 50 V

4.2. 2sc3116.pdf Size:47K _sanyo

Ordering number:ENN1032B
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SA1248/2SC3116
160V/700mA Switching Applications
Uses Package Dimensions
Color TV sound output, converters, inverters.
unit:mm
2009B
Features
[2SA1248/2SC3116]
High breakdown voltage. 8.0
2.7
4.0
Large current capacity.
Using MBIT process
3.0
1.6
0.8
0.8
0.6
0.5
1 : Emitter
1 2 3
2 : Collector

 4.3. 2sc3117.pdf Size:41K _sanyo

Ordering number:ENN1060C
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SA1249/2SC3117
160V/1.5A Switching Applications
Uses Package Dimensions
Color TV sound output, converters, inverters. unit:mm
2009B
Features [2SA1249/2SC3117]
8.0
High breakdown voltage.
2.7
4.0
Large current capacity.
Adoption of MBIT process.
3.0
1.6
0.8
0.8
0.6
0.5
1 : Emitter
1 2 3
2 : Coll

4.4. 2sa1246 2sc3114.pdf Size:41K _sanyo

Ordering number:ENN1047C
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SA1246/2SC3114
High-VEBO, AF Amp Applications
Features Package Dimensions
High VEBO.
unit:mm
Wide ASO and highly resistant to breakdown.
2003B
[2SA1246/2SC3114]
5.0
4.0
4.0
0.45
0.5
0.44
0.45
1 2 3
1 : Emitter
2 : Collector
( ) : 2SA1246 3 : Base
1.3 1.3 SANYO : NP
Specifications
Absolute Maximum Ra

 4.5. 2sc3114.pdf Size:41K _sanyo

Ordering number:ENN1047C
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SA1246/2SC3114
High-VEBO, AF Amp Applications
Features Package Dimensions
High VEBO.
unit:mm
Wide ASO and highly resistant to breakdown.
2003B
[2SA1246/2SC3114]
5.0
4.0
4.0
0.45
0.5
0.44
0.45
1 2 3
1 : Emitter
2 : Collector
( ) : 2SA1246 3 : Base
1.3 1.3 SANYO : NP
Specifications
Absolute Maximum Ra

4.6. 2sc3110.pdf Size:47K _no

4.7. 2sc3117.pdf Size:197K _jmnic

JMnic Product Specification
Silicon NPN Power Transistors 2SC3117
DESCRIPTION
·With TO-126 package
·Complement to type 2SA1249
·High breakdown voltage
·Large current capacity
APPLICATIONS
·Color TV sound output;converters;
Inverters’ applications
·160V/1.5A switching applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Emitter
Collector;connected to
2
mounting base
3 Bas

4.8. 2sc3117.pdf Size:162K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification
Silicon NPN Power Transistors 2SC3117
DESCRIPTION
·With TO-126 package
·Complement to type 2SA1249
·High breakdown voltage
·Large current capacity
APPLICATIONS
·Color TV sound output;converters;
Inverters’ applications
·160V/1.5A switching applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Emitter
Collector;connected to
2
m

4.9. 2sc3110.pdf Size:63K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc RF Product Specification
isc Silicon NPN RF Transistor 2SC3110
DESCRIPTION
·Low Noise
·High Gain
·High Current-Gain Bandwidth Product
APPLICATIONS
·Designed for use in RF wide band low noise amplifier.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
VCBO Collector-Base Voltage 15 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 12 V
VEBO Emit

Другие транзисторы… 2SC3104
, 2SC3105
, 2SC3106
, 2SC3107
, 2SC3108
, 2SC3109
, 2SC3110
, 2SC3111
, BC327
, 2SC3112A
, 2SC3112B
, 2SC3113
, 2SC3113A
, 2SC3113B
, 2SC3114
, 2SC3115
, 2SC3116
.

Биполярный транзистор 2SC4488 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC4488

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160

Корпус транзистора: X73

2SC4488


Datasheet (PDF)

1.1. 2sc4488t-an.pdf Size:556K _update

Ordering number : EN3094B
2SA1708/2SC4488
Bipolar Transistor
http://onsemi.com
( ) ( ) ( ) ( )
— 100V, — 1A, Low VCE sat , PNP NPN Single NMP
Features
• Adoption of FBET, MBIT processes
• High breakdown voltage, large current capacity
• Fast switching speed
( )2SA1708
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter Symbol Conditions Ratings Unit
Collector-to-Ba

1.2. 2sc4488s-an.pdf Size:556K _update

Ordering number : EN3094B
2SA1708/2SC4488
Bipolar Transistor
http://onsemi.com
( ) ( ) ( ) ( )
— 100V, — 1A, Low VCE sat , PNP NPN Single NMP
Features
• Adoption of FBET, MBIT processes
• High breakdown voltage, large current capacity
• Fast switching speed
( )2SA1708
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter Symbol Conditions Ratings Unit
Collector-to-Ba

 1.3. 2sc4488.pdf Size:153K _sanyo

Ordering number:EN3094
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SA1708/2SC4488
High-Voltage Switching Applications
Features Package Dimensions
Adoption of FBET, MBIT processes.
unit:mm
High breakdown voltage, large current capacity.
2064
Fast switching speed.
[2SA1708/2SC4488]
E : Emitter
C : Collector
B : Base
( ) : 2SA1708
SANYO : NMP
Specifications
Absolute Maximu

1.4. 2sa1708 2sc4488.pdf Size:68K _sanyo

Ordering number : EN3094A
2SA1708 / 2SC4488
SANYO Semiconductors
DATA SHEET
PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SA1708 / 2SC4488
High-Voltage Switching Applications
Features
Adoption of FBET, MBIT processes.
High breakdown voltage, large current capacity.
Fast switching speed.
Specifications ( ) : 2SA1708
Absolute Maximum Ratings at Ta=25C
Parameter Symbol Condition

Другие транзисторы… 2SC4480
, 2SC4481
, 2SC4482
, 2SC4483
, 2SC4484
, 2SC4485
, 2SC4486
, 2SC4487
, 2N4401
, 2SC4489
, 2SC449
, 2SC4490
, 2SC4491
, 2SC4492
, 2SC4493
, 2SC4494
, 2SC4495
.

2SC3112 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc3112.pdf Size:257K _toshiba

2SC3112
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC3112
For Audio Amplifier and Switching Applications
Unit: mm
• High DC current gain: hFE = 600~3600
• High breakdown voltage: V = 50 V
CEO
• High collector current: I = 150 mA (max)
C
Maximum Ratings (Ta =
= 25°C)
=
=
Characteristics Symbol Rating Unit
Collector-base voltage VCBO 50 V
Collect

4.1. 2sc3113.pdf Size:266K _toshiba

2SC3113
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SC3113
For Audio Amplifier and Switching Applications
Unit: mm
• High DC current gain: h = 600~3600
FE
• High breakdown voltage: V = 50 V
CEO
• High collector current: I = 150 mA (max)
C
• Small package
Maximum Ratings (Ta =
= 25°C)
=
=
Characteristics Symbol Rating Unit
Collector-base voltage VCBO 50 V

4.2. 2sc3116.pdf Size:47K _sanyo

Ordering number:ENN1032B
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SA1248/2SC3116
160V/700mA Switching Applications
Uses Package Dimensions
Color TV sound output, converters, inverters.
unit:mm
2009B
Features
[2SA1248/2SC3116]
High breakdown voltage. 8.0
2.7
4.0
Large current capacity.
Using MBIT process
3.0
1.6
0.8
0.8
0.6
0.5
1 : Emitter
1 2 3
2 : Collector

 4.3. 2sc3117.pdf Size:41K _sanyo

Ordering number:ENN1060C
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SA1249/2SC3117
160V/1.5A Switching Applications
Uses Package Dimensions
Color TV sound output, converters, inverters. unit:mm
2009B
Features [2SA1249/2SC3117]
8.0
High breakdown voltage.
2.7
4.0
Large current capacity.
Adoption of MBIT process.
3.0
1.6
0.8
0.8
0.6
0.5
1 : Emitter
1 2 3
2 : Coll

4.4. 2sa1246 2sc3114.pdf Size:41K _sanyo

Ordering number:ENN1047C
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SA1246/2SC3114
High-VEBO, AF Amp Applications
Features Package Dimensions
High VEBO.
unit:mm
Wide ASO and highly resistant to breakdown.
2003B
[2SA1246/2SC3114]
5.0
4.0
4.0
0.45
0.5
0.44
0.45
1 2 3
1 : Emitter
2 : Collector
( ) : 2SA1246 3 : Base
1.3 1.3 SANYO : NP
Specifications
Absolute Maximum Ra

 4.5. 2sc3114.pdf Size:41K _sanyo

Ordering number:ENN1047C
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SA1246/2SC3114
High-VEBO, AF Amp Applications
Features Package Dimensions
High VEBO.
unit:mm
Wide ASO and highly resistant to breakdown.
2003B
[2SA1246/2SC3114]
5.0
4.0
4.0
0.45
0.5
0.44
0.45
1 2 3
1 : Emitter
2 : Collector
( ) : 2SA1246 3 : Base
1.3 1.3 SANYO : NP
Specifications
Absolute Maximum Ra

4.6. 2sc3110.pdf Size:47K _no

4.7. 2sc3117.pdf Size:197K _jmnic

JMnic Product Specification
Silicon NPN Power Transistors 2SC3117
DESCRIPTION
·With TO-126 package
·Complement to type 2SA1249
·High breakdown voltage
·Large current capacity
APPLICATIONS
·Color TV sound output;converters;
Inverters’ applications
·160V/1.5A switching applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Emitter
Collector;connected to
2
mounting base
3 Bas

4.8. 2sc3117.pdf Size:162K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification
Silicon NPN Power Transistors 2SC3117
DESCRIPTION
·With TO-126 package
·Complement to type 2SA1249
·High breakdown voltage
·Large current capacity
APPLICATIONS
·Color TV sound output;converters;
Inverters’ applications
·160V/1.5A switching applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Emitter
Collector;connected to
2
m

4.9. 2sc3110.pdf Size:63K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc RF Product Specification
isc Silicon NPN RF Transistor 2SC3110
DESCRIPTION
·Low Noise
·High Gain
·High Current-Gain Bandwidth Product
APPLICATIONS
·Designed for use in RF wide band low noise amplifier.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
VCBO Collector-Base Voltage 15 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 12 V
VEBO Emit

2SC3692 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc3692.pdf Size:29K _jmnic

Power Transistors www.jmnic.ocm
2SC3692
Silicon NPN Transistors
Features B C E
?With TO-220Fa package
?High speed ,power switching applications
Absolute Maximum Ratings Tc=25?
SYMBOL PARAMETER RATING UNIT
VCBO Collector to base voltage 100 V
VCEO Collector to emitter voltage 60 V
VEBO Emitter to base voltage 5 V
IC Collector current 7 A
PC Collector power dissipation 30 W

1.2. 2sc3692.pdf Size:205K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3692
DESCRIPTION
·Low Collector Saturation Voltage
: V = 0.5V(Max)@ I = 6A
CE(sat) C
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: V = 60V (Min)
CEO(SUS)
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for high speed and power switching applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SY

 4.1. 2sc3691.pdf Size:303K _jmnic

Product Specification www.jmnic.com
Silicon NPN Power Transistors 2SC3691
DESCRIPTION ·
·With TO-220Fa package
·Large current ,high speed
·Low saturation voltage
APPLICATIONS
·Designed for high speed and power
switching applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Collector
3 Emitter
Absolute maximum ratings(Ta=25?)
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT
VCBO Collec

4.2. 2sc3694.pdf Size:27K _jmnic

Power Transistors www.jmnic.com
2SC3694
Silicon NPN Transistors
Features B C E
?With TO-220Fa package
?High speed ,power switching applications
Absolute Maximum Ratings Tc=25?
SYMBOL PARAMETER RATING UNIT
VCBO Collector to base voltage 100 V
VCEO Collector to emitter voltage 60 V
VEBO Emitter to base voltage 5 V
IC Collector current 15 A
PC Collector power dissipation 30 W

 4.3. 2sc3693.pdf Size:28K _jmnic

Power Transistors www.jmnic.com
2SC3693
Silicon NPN Transistors
Features B C E
?With TO-220Fa package
?High speed ,power switching applications
Absolute Maximum Ratings Tc=25?
SYMBOL PARAMETER RATING UNIT
VCBO Collector to base voltage 100 V
VCEO Collector to emitter voltage 60 V
VEBO Emitter to base voltage 5 V
IC Collector current 10 A
PC Collector power dissipation 30 W

4.4. 2sc3691.pdf Size:206K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3691
DESCRIPTION
·Low Collector Saturation Voltage
: V = 0.5V(Max)@ I = 4A
CE(sat) C
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: V = 60V (Min)
CEO(SUS)
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for high speed and power switching applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SY

 4.5. 2sc3694.pdf Size:203K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3694
DESCRIPTION
·Low Collector Saturation Voltage
: V = 0.5V(Max)@ I = 12A
CE(sat) C
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: V = 60V (Min)
CEO(SUS)
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for high speed and power switching applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
S

4.6. 2sc3690.pdf Size:201K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3690
DESCRIPTION
·Low Collector Saturation Voltage
: V = 0.5V(Max)@ I = 3A
CE(sat) C
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: V = 60V (Min)
CEO(SUS)
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for high speed and power switching applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SY

4.7. 2sc3693.pdf Size:207K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3693
DESCRIPTION
·Low Collector Saturation Voltage
: V = 0.5V(Max)@ I = 8A
CE(sat) C
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: V = 60V (Min)
CEO(SUS)
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for high speed and power switching applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SY

Биполярный транзистор 2SC3692 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC3692

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10

Корпус транзистора: TO220

2SC3692


Datasheet (PDF)

1.1. 2sc3692.pdf Size:29K _jmnic

Power Transistors www.jmnic.ocm
2SC3692
Silicon NPN Transistors
Features B C E
?With TO-220Fa package
?High speed ,power switching applications
Absolute Maximum Ratings Tc=25?
SYMBOL PARAMETER RATING UNIT
VCBO Collector to base voltage 100 V
VCEO Collector to emitter voltage 60 V
VEBO Emitter to base voltage 5 V
IC Collector current 7 A
PC Collector power dissipation 30 W

1.2. 2sc3692.pdf Size:205K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3692
DESCRIPTION
·Low Collector Saturation Voltage
: V = 0.5V(Max)@ I = 6A
CE(sat) C
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: V = 60V (Min)
CEO(SUS)
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for high speed and power switching applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SY

 4.1. 2sc3691.pdf Size:303K _jmnic

Product Specification www.jmnic.com
Silicon NPN Power Transistors 2SC3691
DESCRIPTION ·
·With TO-220Fa package
·Large current ,high speed
·Low saturation voltage
APPLICATIONS
·Designed for high speed and power
switching applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Collector
3 Emitter
Absolute maximum ratings(Ta=25?)
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT
VCBO Collec

4.2. 2sc3694.pdf Size:27K _jmnic

Power Transistors www.jmnic.com
2SC3694
Silicon NPN Transistors
Features B C E
?With TO-220Fa package
?High speed ,power switching applications
Absolute Maximum Ratings Tc=25?
SYMBOL PARAMETER RATING UNIT
VCBO Collector to base voltage 100 V
VCEO Collector to emitter voltage 60 V
VEBO Emitter to base voltage 5 V
IC Collector current 15 A
PC Collector power dissipation 30 W

 4.3. 2sc3693.pdf Size:28K _jmnic

Power Transistors www.jmnic.com
2SC3693
Silicon NPN Transistors
Features B C E
?With TO-220Fa package
?High speed ,power switching applications
Absolute Maximum Ratings Tc=25?
SYMBOL PARAMETER RATING UNIT
VCBO Collector to base voltage 100 V
VCEO Collector to emitter voltage 60 V
VEBO Emitter to base voltage 5 V
IC Collector current 10 A
PC Collector power dissipation 30 W

4.4. 2sc3691.pdf Size:206K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3691
DESCRIPTION
·Low Collector Saturation Voltage
: V = 0.5V(Max)@ I = 4A
CE(sat) C
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: V = 60V (Min)
CEO(SUS)
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for high speed and power switching applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SY

 4.5. 2sc3694.pdf Size:203K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3694
DESCRIPTION
·Low Collector Saturation Voltage
: V = 0.5V(Max)@ I = 12A
CE(sat) C
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: V = 60V (Min)
CEO(SUS)
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for high speed and power switching applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
S

4.6. 2sc3690.pdf Size:201K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3690
DESCRIPTION
·Low Collector Saturation Voltage
: V = 0.5V(Max)@ I = 3A
CE(sat) C
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: V = 60V (Min)
CEO(SUS)
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for high speed and power switching applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SY

4.7. 2sc3693.pdf Size:207K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3693
DESCRIPTION
·Low Collector Saturation Voltage
: V = 0.5V(Max)@ I = 8A
CE(sat) C
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: V = 60V (Min)
CEO(SUS)
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for high speed and power switching applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SY

Другие транзисторы… 2SC3685
, 2SC3686
, 2SC3687
, 2SC3688
, 2SC3689
, 2SC369
, 2SC3690
, 2SC3691
, BD139
, 2SC3693
, 2SC3694
, 2SC3695
, 2SC3696
, 2SC3697
, 2SC3698
, 2SC3699
, 2SC369G
.

2SC3623 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc3623 2sc3623a.pdf Size:128K _nec

DATA SHEET
SILICON TRANSISTORS
2SC3623, 3623A
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND SWITCHING
FEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)
High hFE:
hFE = 1000 to 3200 @VCE = 5.0 V, IC = 1.0 mA
Low VCE(sat):
VCE(sat) = 0.07 V TYP. @IC/IB = 50 mA/5.0 mA
High VEBO:
VEBO: 12 V (2SC3623)
VEBO: 15 V (2SC3623A)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C)

Ra

1.2. 2sc3623.pdf Size:229K _nec

 4.1. 2sc3620.pdf Size:212K _toshiba



4.2. 2sc3621.pdf Size:206K _toshiba



 4.3. 2sc3622.pdf Size:300K _nec

4.4. 2sc3624 2sc3624a.pdf Size:222K _nec

 4.5. 2sc3622 2sc3622a.pdf Size:101K _nec

DATA SHEET
SILICON TRANSISTORS
2SC3622, 3622A
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
FOR LOWFREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND SWITCHING
FEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)
High hFE:
hFE = 1000 to 3200 @VCE = 5.0 V, IC = 1.0 mA
Low VCE(sat):
VCE(sat) = 0.07 V TYP. @IC/IB = 50 mA/5.0 mA
High VEBO:
VEBO: 12 V (2SC3622)
VEBO: 15 V (2SC3622A)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25
C)

Ra

4.6. 2sc3624.pdf Size:222K _nec

4.7. 2sc3628.pdf Size:146K _mitsubishi

4.8. 2sc3629.pdf Size:145K _mitsubishi

4.9. 2sc3626.pdf Size:195K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3626
DESCRIPTION
·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 400V(Min)
(BR)CEO
·High Switching Speed
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Switching regulator and high voltage switching applications
·High speed DC-DC converter applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
S

4.10. 2sc3627.pdf Size:196K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3627
DESCRIPTION
·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 200V(Min)
(BR)CEO
·High Switching Speed
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Switching regulator and high voltage switching applications
·High speed DC-DC converter applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
S

4.11. 2sc3621.pdf Size:211K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3621
DESCRIPTION
·Low Collector Saturation Voltage
·High breakdown voltage
·Complementary to 2SA1408
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Color TV vert.deflection output application
·Color TV class B sound output application
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)

4.12. 2sc3624.pdf Size:1169K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
2SC3624
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
+0.1
0.4-0.1
3
■ Features
● Collector Current Capability IC=150mA
● Collector Emitter Voltage VCEO=50V
1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1 -0.01
+0.1
1.9 -0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 60
Coll

4.13. 2sc3624a.pdf Size:1199K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
2SC3624A
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
+0.1
0.4-0.1
3
■ Features
● Collector Current Capability IC=150mA
● Collector Emitter Voltage VCEO=50V
1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1 -0.01
+0.1
1.9 -0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 60
Col

5 бр 2SC5353 C5353 високо напрежение NPN транзистор резервни части

2 канален 5V DC релеен модул твърд високо ниво на SSR AVR DSP

(02 5 V low state relays ON) (3.35 V state high relay OFF) 5, сини клеми KF301 за контрол на линия са поудобни Модул Интерфейс : входна секция : DC + : положителен източник на захранване (в съответствие с напрежение на захранването на реле) DC : отрицателен Ch2 : 1 в края на задействане на сигнала релейного модул (low to trigger active) Ch3 : 2 в Края на задействане на сигнала релейного модул (low to trigger active) на Високи и ниски стойности : висок пръст на спусъка на кукататова е сигнал за триггерную клема (В) между отрицателен източник на захранване и има пряко напрежение, обикновено с спусъка и да предизвика положителна клемма е свързана към източник на захранване, когато е краят на спусъка предизвика положително напрежение или достига, когато напрежение, релето е под напрежение...

BGN 2.00 2.40

транзистор% 20c5353 техническое описание и примечания по применению

кб * 9Д5Н20П

Аннотация: Стабилитрон khb9d0n90n 6v транзистор khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема транзистора ktd998
Текст: Текст файла отсутствует


Оригинал
PDF 2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n Стабилитрон 6в хб * 2Д0Н60П транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н ktd998 транзистор
KIA78 * pI

Аннотация: транзистор КИА78 * п ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ МОП-транзистор хб * 2Д0Н60П KIA7812API
Текст: Текст файла отсутствует


Оригинал
PDF 2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E KIA78 * pI транзистор KIA78 * р ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n KID65004AF Транзистор MOSFET хб * 2Д0Н60П KIA7812API
2SC4793 2sa1837

Аннотация: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 транзистор 2SC5359 2SC5171 эквивалент транзистора 2sc5198 эквивалентный транзистор NPN
Текст: текст файла отсутствует


Оригинал
PDF 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор нпн к-220 транзистор 2SC5359 Транзисторный эквивалент 2SC5171 2sc5198 эквивалент NPN транзистор
транзистор

Аннотация: транзистор ITT BC548 транзистор pnp транзистор pnp BC337 транзистор pnp BC327 транзистор NPN pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 транзистор PNP
Текст: текст файла отсутствует


OCR сканирование
PDF 2N3904 2N3906 2N4124 2N4126 2N7000 2N7002 BC327 BC328 BC337 BC338 транзистор транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP
CH520G2

Аннотация: Транзистор CH520G2-30PT цифровой 47k 22k PNP NPN FBPT-523 транзистор npn коммутирующий транзистор 60v CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT
Текст: Текст файла отсутствует


Оригинал
PDF A1100) QFN200 CHDTA143ET1PT FBPT-523 100 мА CHDTA143ZT1PT CHDTA144TT1PT CH520G2 CH520G2-30PT транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН FBPT-523 транзистор npn переключающий транзистор 60 в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT
транзистор 45 ф 122

Аннотация: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 13634 транзистор tlp 122 транзистор транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421
Текст: Текст файла отсутствует


OCR сканирование
PDF TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор TLP 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421
CTX12S

Резюме: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Текст: Текст файла недоступен


Оригинал
PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Варистор RU

Аннотация: Транзистор SE110N 2SC5487 SE090N 2SA2003 Транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 RBV-406
Текст: Текст файла отсутствует


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор РУ SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 РБВ-406
Q2N4401

Аннотация: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
Текст: Текст файла недоступен


Оригинал
PDF RD91EB Q2N4401 D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
fn651

Резюме: CTB-34D 2SC5586 hvr-1x7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343
Текст: Текст файла недоступен


Оригинал
PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 fn651 CTB-34D 2SC5586 hvr-1x7 STR20012 sap17n 2sd2619 РБВ-4156Б SLA4037 2sk1343
2SC5471

Аннотация: Транзистор 2SC5853 2sa1015 Транзистор 2sc1815 Транзистор 2SA970 Транзистор 2SC5854 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий PNP-транзистор
Текст: Текст файла отсутствует


Оригинал
PDF 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 A1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Mosfet FTR 03-E

Аннотация: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V / 65e9 транзистор 2SC337 mosfet ftr 03 транзистор DTC143EF
Текст: текст файла отсутствует


OCR сканирование
PDF 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Mosfet FTR 03-E mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V / 65e9 2SC337 mosfet ftr 03 транзистор DTC143EF
fgt313

Аннотация: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A Diode SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a
Текст: Текст файла отсутствует


Оригинал
PDF 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 fgt313 транзистор fgt313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 fgt412 РБВ-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a
транзистор 91330

Аннотация: ТРАНЗИСТОР tlp 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120
Текст: Текст файла отсутствует


OCR сканирование
PDF 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6N136 6N137 6N138 6N139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91330 ТРАНЗИСТОР TLP 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120
1999 - ТВ системы горизонтального отклонения

Резюме: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРОВ an363 TV горизонтальные отклоняющие системы 25 транзисторов горизонтального сечения tv горизонтальное отклонение переключающих транзисторов TV горизонтальных отклоняющих систем mosfet горизонтальное сечение в электронном телевидении CRT TV электронная пушка TV обратноходовой трансформатор
Текст: текст в файле отсутствует


Оригинал
PDF 16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц.Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтального сечения тв Транзисторы переключения горизонтального отклонения ТВ системы горизонтального отклонения MOSFET горизонтальный участок в ЭЛТ телевидении Электронная пушка для телевизора на ЭЛТ Обратный трансформатор ТВ
транзистор

Аннотация: силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP PNP МОЩНЫЙ транзистор TO220 демпферный диод транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn транзистор Дарлингтона TO220
Текст: Текст файла отсутствует


Оригинал
PDF 2SD1160 2SD1140 2SD1224 2SD1508 2SD1631 2SD1784 2SD2481 2SB907 2SD1222 2SD1412A транзистор силовой транзистор нпн к-220 транзистор PNP PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР TO220 демпферный диод Транзистор дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A нпн Дарлингтон транзистор ТО220
1999 - транзистор

Аннотация: МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив fet высокочастотный транзистор TRANSISTOR P 3 транзистор mp40 список
Текст: Текст файла отсутствует


Оригинал
PDF X13769XJ2V0CD00 О-126) MP-25 О-220) MP-40 MP-45 MP-45F О-220 MP-80 MP-10 транзистор МОП МОП-транзистор 2sj 2sk транзистор 2ск Тип 2СК Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив FET высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список
транзистор 835

Аннотация: Усилитель с транзистором BC548, стабилизатор транзистора AUDIO Усилитель с транзистором BC548, транзистор 81 110 Вт 85 транзистор 81 110 Вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 РУКОВОДСТВО ПО ТРАНЗИСТОРАМ
Текст: Текст файла отсутствует


OCR сканирование
PDF BC327; BC327A; BC328 BC337; BC337A; BC338 BC546; BC547; BC548 BC556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель АУДИО на транзисторе BC548 транзистор 81110 вт 85 транзистор 81110 вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 НАПРАВЛЯЮЩАЯ ТРАНЗИСТОРА
2002 - SE012

Аннотация: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 sanken SE140N STA474 UX-F5B
Текст: Текст файла отсутствует


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N STA474 UX-F5B
2SC5586

Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 СВЧ диод 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287
Текст: Текст файла отсутствует


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод СВЧ 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной полевой МОП-транзистор 606 2sc5287
pwm инверторный сварочный аппарат

Аннотация: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 Powerex демпферный конденсатор инвертор сварочная схема KD221K75 kd2245 kd224510 инструкция по применению транзистор
Текст: текст файла отсутствует


OCR сканирование
PDF
варикап диоды

Аннотация: GSM-модуль БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР с микроконтроллером МОП-транзистор с р-каналом Hitachi SAW Фильтр с двойным затвором МОП-транзистор в УКВ-усилителе Транзисторы МОП-транзистор с р-каналом Мосфет-транзистор Hitachi УКВ-фет ЛНА Низкочастотный силовой транзистор
Текст: Текст файла отсутствует


OCR сканирование
PDF PF0032 PF0040 PF0042 PF0045A PF0065 PF0065A HWCA602 HWCB602 HWCA606 HWCB606 варикап диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР модуль gsm с микроконтроллером P-канал MOSFET Hitachi SAW фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в УКВ-усилителе Транзисторы mosfet p channel Мосфет-транзистор Hitachi vhf fet lna Низкочастотный силовой транзистор
Лист данных силового транзистора для ТВ

Аннотация: силовой транзистор 2SD2599 эквивалент 2SC5411 транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалентный транзистор 2SC5387 2SC5570 компоненты в горизонтальном выходе
Текст: Текст файла отсутствует


Оригинал
PDF 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Техническое описание силового транзистора телевизора силовой транзистор 2SD2599 эквивалент транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе
2009 - 2sc3052ef

Аннотация: 2n2222a SOT23 КОД SMD МАРКИРОВКИ s2a 1N4148 SMD LL-34 КОД SMD ТРАНЗИСТОРА SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводник перекрестная ссылка toshiba smd маркировочный код транзистора

Текст: Нет текста файла

Оригинал
PDF 24 ГГц BF517 B132-H8248-G5-X-7600 2sc3052ef 2n2222a SOT23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ПАКЕТ SMD КОДА ТРАНЗИСТОРА SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 перекрестная ссылка на полупроводник toshiba smd маркировочный код транзистора
2007 - DDA114TH

Аннотация: DCX114EH DDC114TH
Текст: Текст файла недоступен


Оригинал
PDF DCS / PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22 кОм 47 кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH

Биполярные транзисторы как усилители

  • Изучив этот раздел, вы сможете:
  • Распознать основные режимы подключения транзисторного усилителя.
  • • Эмиттер обыкновенный.
  • • Общий коллектор.
  • • Общая база.
  • Опишите основные параметры каждого режима усилителя.
  • • Коэффициент усиления по напряжению.
  • • Текущее усиление.
  • • Входное и выходное сопротивление.

Как подключается транзистор для создания усилителя.

Фиг.3.6.1 Подключения усилителя.

Поскольку усилитель должен иметь два входа и два выхода, транзистор, используемый в качестве усилителя, должен иметь один из трех контактов, общих для входа и выхода, как показано на рис. 3.6.1. Выбор клеммы, используемой в качестве общего подключения, оказывает заметное влияние на характеристики усилителя.

Транзистор, включенный в трех режимах, показанных на рис. 3.6.2–3.6.4 будут показывать совершенно разные характеристические кривые для каждого режима.Эти различия могут быть использованы разработчиком схем для создания усилителя с характеристиками, наиболее подходящими для конкретной цели. Обратите внимание, что схемы показаны здесь в уменьшенном виде и не предназначены для использования в качестве практических схем.

В схеме транзисторного усилителя, такой как показанная на рис. 3.6.2–3.6.4, линия питания + V и линия 0V могут рассматриваться как одна и та же точка, если речь идет о любом сигнале переменного тока. Это связано с тем, что, хотя очевидно, что между этими двумя точками существует напряжение (напряжение питания), источник постоянного тока всегда отключается большим конденсатором (например.грамм. накопительный конденсатор в источнике питания), поэтому не может быть разницы в напряжении переменного тока между шинами + V и 0V.

Рис. 3.6.2 Режим общего эмиттера.

Режим общего эмиттера

Наиболее распространенная функция транзистора - использование в режиме ОБЩЕГО ЭМИТТЕРА. В этом способе подключения небольшие изменения тока базы / эмиттера вызывают большие изменения тока коллектора / эмиттера. Следовательно, это схема усилителя ТОКА. Для усиления НАПРЯЖЕНИЯ в цепь коллектора должен быть подключен нагрузочный резистор (или импеданс, например, настроенная цепь), чтобы изменение тока коллектора приводило к изменению напряжения, возникающего на нагрузочном резисторе.Значение резистора нагрузки влияет на УСИЛЕНИЕ НАПРЯЖЕНИЯ усилителя. Это связано с тем, что чем больше резистор нагрузки, тем большее изменение напряжения будет вызвано данным изменением тока коллектора. Обратите внимание, что из-за этого метода подключения выходной сигнал будет противофазен входному сигналу. Это связано с тем, что увеличение напряжения базы / эмиттера вызовет увеличение тока базы. Это, в свою очередь, приведет к увеличению тока коллектора, но по мере увеличения тока коллектора падение напряжения на нагрузочном резисторе увеличивается, и, поскольку напряжение на верхнем конце нагрузочного резистора (напряжение питания) не изменится, напряжение на резисторе нагрузки не изменится. нижний конец должен уменьшиться.Следовательно, увеличение напряжения база / эмиттер вызывает снижение напряжения коллектор / эмиттер.

Общие параметры эмиттера

Коэффициент усиления напряжения: высокий (около 100).

Текущее усиление: высокое (от 50 до 800).

Входное сопротивление: среднее (от 3 кОм до 5 кОм).

Выходное сопротивление: среднее (приблизительное значение резистора нагрузки).

Рис. 3.6.3 Режим общего коллектора.

Режим общего коллектора

Рис.3.6.3 иллюстрирует режим ОБЩИЙ КОЛЛЕКТОР; также называется режимом эмиттерного повторителя, поскольку в этой схеме форма выходного сигнала на эмиттере не инвертируется и поэтому «следует» за формой входного сигнала на базе. Этот метод подключения часто используется в качестве БУФЕРНОГО УСИЛИТЕЛЯ для таких задач, как согласование импедансов между двумя другими цепями. Это связано с тем, что этот режим дает усилителю высокий входной импеданс и низкий выходной импеданс. Коэффициент усиления по напряжению в этом режиме немного меньше единицы (x 1), но доступен высокий коэффициент усиления по току (называемый h fc в режиме общего коллектора).Другой способ использования этого режима подключения - УСИЛИТЕЛЬ ТОКА, часто используемый для выходных цепей, которые должны управлять сильноточными устройствами переменного тока, такими как громкоговорители или устройствами постоянного тока, такими как двигатели и т. Д.

Параметры общего коллектора

Коэффициент усиления по напряжению: немного меньше единицы (1).

Текущее усиление: высокое (от 50 до 800)

Входное сопротивление: высокое (несколько кОм)

Выходное сопротивление: низкое (несколько Ом)

Фиг.3.6.4 Режим общей базы.

Режим общей базы

COMMON BASE MODE обычно используется для усилителей VHF и UHF, где, хотя коэффициент усиления по напряжению невелик, существует небольшая вероятность того, что выходной сигнал будет возвращен во входную цепь (что может быть проблемой на этих частотах). Поскольку в этом режиме база транзистора соединена с землей, он образует эффективный заземленный экран между выходом и входом. Поскольку ток коллектора в этом режиме будет равен току эмиттера минус ток базы, коэффициент усиления по току (h fb в режиме общей базы) меньше единицы (<1).

Параметры общей базы

Коэффициент усиления напряжения: средний (от 10 до 50).

Текущее усиление: меньше единицы (<1)

Входное сопротивление: низкое (около 50 Ом)

Выходное сопротивление: высокое (около 1 МОм)

Начало страницы

Качественный транзистор c5387 для электронных проектов

О продуктах и ​​поставщиках:
 Alibaba.com предлагает большой выбор.Транзистор  c5387  на выбор для удовлетворения ваших конкретных потребностей .. Транзистор  c5387  являются жизненно важными частями практически любого типа электронных компонентов. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбрав правильный.  c5387 транзистор , вы можете быть уверены, что продукт, который вы создаете, будет высокого качества и работать очень хорошо. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди других факторов.Транзистор 

, , c5387, , изготовлен из полупроводниковых материалов и обычно имеет не менее трех выводов, которые можно использовать для подключения их к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. Транзистор c5387 охватывает два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. Транзистор c5387 скрывает низкий входной ток до большой выходной энергии, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.

Изучите прилагаемые спецификации вашего. c5387 транзистор для определения ножек базы, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. Транзистор c5387 на Alibaba.com использует кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря своим превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. Транзистор c5387 для любого проекта включают в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника.

Откройте для себя удивительно доступный.Транзистор c5387 на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

Kualitas transistor c3834 Untuk Proyek Elektronik

Tentang produk dan pemasok:
 Alibaba.com menawarkan banyak pilihan.  транзистор c3834  для дипилий для меменух кебутухан спесифик анда.. Транзистор  c3834  adalah bagian penting dari hampir semua jenis komponen elektronik. Mereka dapat digunakan Untukmbuat motherboard, kalkulator, radio, TV, dan banyak lagi. Денган мемили ян тепат.  транзистор c3834 , Anda dapat memastikan bahwa produk yang Anda buat akan bermutu tinggi dan berkinerja sangat baik. Faktor pilihan utama untuk produk mencakup aplikasi янь diinginkan, bahan, дан jenis, di antara faktor-faktor lainnya. 

транзистор c3834 terdiri dari bahan semikonduktor dan biasanya memiliki setidaknya tiga terminal yang dapat Anda gunakan untuk menghubungkannya ke sirkuit eksternal.Perangkat ini bekerja sebagai penguat atau sakelar di sebagian besar sirkuit listrik .. транзистор c3834 mencakup dua jenis wilayah yang terjadi dari memasukkan kotoran melalui proses doping. Себагайский пингвин, itu. транзистор c3834 menyembunyikan arus masukan rendah menjadi energi keluaran besar, дан мерека menyalurkan arus kecil untuk menggerakkan aplikasi besar yang bekerja sebagai sakelar.

Pelajari lembar data yang menyertai Anda. транзистор c3834 untuk menentukan kaki dasar, emitor, dan kolektor untuk koneksi yang aman dan terjamin.Иту. транзистор c3834 di Alibaba.com menggunakan silikon sebagai substrat semikonduktor utama, berkat sifatnya yang sangat baik dan tegangan sambungan 0,6V yang diinginkan. Параметр penting untuk. транзистор c3834 untuk proyek apa pun termasuk arus yang berfungsi, disipasi daya, dan tegangan sumber.

Temukan dengan harga yang sangat terjangkau. транзистор c3834 на Alibaba.com для всех желающих и предпочтительных. Berbagai bahan дан гайя tersedia Untuk pemasangan дан pengoperasian ян аман дан ньяман.Penjual terakreditasi tertentu juga menawarkan layanan purna jual dan dukungan teknis.

Лезвие для токарных станков

+ MGEHR2020-3 Отрезка для токарных станков Инструмент для отрезки канавок 10 * Пластина MGMN300-M Hot wrapsodylite

Лезвие для токарных станков по металлу + MGEHR2020-3 Отрезка для токарных станков Инструмент для обработки канавок 10 * Вставка MGMN300-M Hot wrapsodylite

Лезвие + MGEHR2020-3 Токарный отрезной станок для обработки канавок Инструмент для отрезки 10 * MGMN300-M Режущий инструмент для горячей обработки, токарный отрезной станок для отрезания канавок 10 * MGMN300-M Режущее лезвие для горячего резания + MGEHR2020-3, Материал: 42CR, Направление: Правая сторона, Примечание: реальный цвет предмета может немного отличаться от изображения, представленного на веб-сайте, из-за многих факторов, таких как яркость вашего монитора и яркость света, 10 канавок, это держатель токарного резака и набор вставок, модель держателя резца: MGEHR2020 -3, Общая длина: 125 мм (прибл.), 100% удовлетворение гарантировано. Модный стиль покупок. Мы предлагаем гарантию удовлетворения в лучшем виде.Инструмент для отрезки 10 * MGMN300-M Insert Hot Blade + MGEHR2020-3 Токарный отрезной станок для обработки канавок.







Лезвие + MGEHR2020-3 Токарный отрезок Инструмент для отрезки канавок 10 * MGMN300-M Режущая пластина Hot

Лезвие + MGEHR2020-3 Токарный станок Отрезка канавок Инструмент для отрезки 10 * MGMN300-M Пластина, горячая. 10 Пазовальные лезвия. Это держатель токарного резца и набор пластин. Модель держателя резака: MGEHR2020-3. Общая длина: 125 мм (прибл.). Материал: 42CR. Направление: правая рука.Примечание: реальный цвет предмета может немного отличаться от изображения на веб-сайте из-за многих факторов, таких как яркость вашего монитора и яркость освещения. Состояние: Новое: совершенно новый, неиспользованный, неоткрытый и неповрежденный предмет в оригинальная розничная упаковка (если применима упаковка). Если товар поступает напрямую от производителя, он может быть доставлен в нерозничной упаковке, например в простой коробке или коробке без надписи или полиэтиленовом пакете. См. Список продавца для получения полной информации. См. Все определения условий : Комплектация: : 1 * Держатель 1 * Гаечный ключ 10 * Лезвия для обработки канавок , Допускаются твердосплавные пластины :: : MGMN300-M : Марка: : Без марочного обозначения , Диаметр хвостовика: 20 мм (приблизительно) : MPN: : Не Применить , Общая длина :: : 125 мм (приблизительно) : Модель держателя резака :: : MGEHR2020-3 , Направление :: : Правая рука : Материал :: : 42CR , EAN: : Не применяется ,。




Лезвие + MGEHR2020-3 Токарный отрезной станок Обработка канавок Инструмент для отрезки 10 * MGMN300-M Пластина Hot


Лезвие + MGEHR2020-3 Токарный станок для отрезки канавок Отрезной инструмент 10 * MGMN300-M Вставка Горячий

ШАЙБЫ M5 x 8MM x 10 НАБОР ГАЙКОВ A2 ГНЕЗДО ИЗ НЕРЖАВЕЮЩЕЙ СТАЛИ КУПОЛЬНАЯ ГОЛОВКА.20-миллиметровый проход через коробку, 2-х сторонняя упаковка из 2, 1/4-дюймовый мини-автоматический наполнитель для поплавкового водяного клапана для аквариума, алюминиевая угловая рифленая противоскользящая накладка для лестницы, предназначенная для тяжелых условий эксплуатации. Сверхмощное 125-миллиметровое фиксированное роликовое колесо Прочная стальная резиновая тележка Замена 5 дюймов, 1 4,7 нФ 160 В, аксиальный полипропиленовый конденсатор 160 В, 4700 пФ, самовыравнивающийся 17-миллиметровый внутренний шаровой опорный подшипник вставного блока подушки KP003, многофункциональная плата расширения щита прототипа щита для Arduino UNO MAGE 2560, Металлическая сетка для офиса, настольный органайзер, набор, стационарный аккуратный держатель для лотков для писем, ручка.5 шт. 2SC5353 C5353 ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN НОВЫЙ. Лампа для проектора 5J.05Q01.001 BENQ W5000 W20000 D164 LV. Количество 6 Grayhill 6-позиционный 2-полюсный переключатель для монтажа на печатной плате, 1F83 Зажим для крокодила Зажим для крокодила Зажим для проверки зажима Машина Провод Электрик.


Верх Blade + MGEHR2020-3 Токарный отрезной станок для обработки канавок Инструмент для отрезки 10 * MGMN300-M Insert Hot
Материал: 42CR, Направление: Правая рука, Примечание: Реальный цвет предмета может немного отличаться от изображения, показанного на веб-сайте. по многим факторам, таким как яркость вашего монитора и яркость света, 10 лезвий для прорезания канавок, это держатель токарного резака и набор вставок, модель держателя резака: MGEHR2020-3, общая длина: 125 мм (приблизительно), 100% удовлетворение гарантировано Модный стиль покупок Мы предложить Гарантию удовлетворения в лучшем виде.

Автономный генератор - Скачать PDF бесплатно

ЗАРЯДНОЕ УСТРОЙСТВО РОНА ПУГА

ЗАРЯДНОЕ УСТРОЙСТВО RON PUGH БЛАГОДАРНО ЗАРЯДНОМУ ЗАРЯДНОМУ АККУМУЛЯТОРНОМУ БАТАРЕЮ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫМ ДЛЯ РОНА ПУГА, КТО ПОДЕЛИЛСЯ ДЕТАЛЯМИ КОНСТРУКЦИИ СВОЕГО ОЧЕНЬ УСПЕШНОГО ЗАРЯДА АККУМУЛЯТОРНОЙ БАТАРЕИ, КОТОРЫЙ СОСТАВЛЯЕТ КОП = 13 ПРИ РАБОТЕ НА 24 Вольт.ЕСЛИ ВЫ РЕШАЕТЕ

Подробнее

Простые устройства свободной энергии

Простые устройства свободной энергии В свободной энергии нет ничего волшебного, и под свободной энергией я подразумеваю то, что производит выходную энергию без необходимости использования топлива, которое вы должны покупать. Глава 5:

Подробнее

ДВИГАТЕЛЬ / ГЕНЕРАТОР РОБЕРТА АДАМСА

МОТОР-ГЕНЕРАТОР РОБЕРТА АДАМСА В 70 ЛЕТ РОБЕРТ АДАМС ИЗ НОВОЙ ЗЕЛАНДИИ СОЗДАЛ ОЧЕНЬ ЭФФЕКТИВНЫЙ МОТОР-ГЕНЕРАТОР.ЕМУ СКАЗАЛИ УНИЧТОЖИТЬ СВОЕ УСТРОЙСТВО, ИЛИ ОН БУДЕТ УБИТЬ. РОБЕРТ РЕШИЛ

Подробнее

Простые устройства свободной энергии

Простые устройства свободной энергии В свободной энергии нет ничего волшебного, и под свободной энергией я подразумеваю то, что производит выходную энергию без необходимости использования топлива, которое вы должны покупать. Глава 4:

Подробнее

СИСТЕМЫ ЗАРЯДКИ АККУМУЛЯТОРОВ

СИСТЕМЫ ЗАРЯДКИ АККУМУЛЯТОРОВ АККУМУЛЯТОРНЫЕ БАТАРЕИ ЗАРЯЖАЮТСЯ ПРИ ДОСТАТОЧНОМ НАПРЯЖЕНИИ.НО СТАВКА ЗАРЯДА НЕ ПОСТОЯННА. В ПЕРВОЙ РАЗДЕЛЕННОЙ СЕКУНДЕ ОЧЕНЬ ЛЕГКИЕ ЭЛЕКТРОНЫ ОТ ИСТОЧНИКА ЗАРЯДА

Подробнее

Простые устройства свободной энергии

Простые устройства свободной энергии. Эта презентация предназначена в основном для людей, которые никогда не сталкивались со свободной энергией и ничего о ней не знают. Итак, каждая глава посвящена только одному устройству и пытается объяснить его ясно.

Подробнее

7.9.8 Электромагнетизм

7.9.8 Электромагнетизм 71 минута 86 баллов Страница 1 из 25 Q1. На схеме показан электромагнит, используемый в дверном замке. (a) Нажимной переключатель замыкается, и дверь разблокируется. Подробно объясните, как это происходит.

Подробнее

Что такое генератор?

Что такое генератор? Генератор - это устройство, используемое для производства электроэнергии, необходимой для работы автомобиля, и для поддержания заряда аккумулятора.Аккумулятор - это сердце вашей электрической системы. Но ты

Подробнее

Простые устройства свободной энергии

Простые устройства свободной энергии В свободной энергии нет ничего волшебного, и под свободной энергией я подразумеваю то, что производит выходную энергию без необходимости использования топлива, которое вы должны покупать. Глава 11:

Подробнее

ИНСТРУКЦИИ ДЛЯ КАНДИДАТОВ

Кения Свидетельство о среднем образовании ИМЯ :.... ШКОЛА: ДАТА: ... ЭЛЕКТРОМАГНЕТИЗМ 1 ИНСТРУКЦИИ ДЛЯ КАНДИДАТОВ Ответьте на ВСЕ вопросы этой статьи в отведенных местах. 1 1. У Фрэн есть балансирующая игра.

Подробнее

ГЕНЕРАТОРЫ С РЕМЕННЫМ ПРИВОДОМ

ГЛАВА 13 ГЕНЕРАТОРЫ С РЕМЕННЫМ ПРИВОДОМ ВВЕДЕНИЕ Генератор - это машина, которая преобразует механическую энергию в электрическую, используя принцип магнитной индукции. Этот принцип основан на модели

. Подробнее

ЭЛЕКТРИЧЕСТВО: ИНДУКТОРЫ ВОПРОСЫ

ЭЛЕКТРИЧЕСТВО: ИНДУКТОРЫ. ВОПРОСЫ. Мозг слишком мал. ВОПРОС ВТОРОЙ ПО ФИЗИКЕ (2017; 2) В автомобильном двигателе индукционная катушка используется для создания искры очень высокого напряжения.Аналогично действует индукционная катушка

Подробнее

Глава 2: Движущиеся импульсные системы

Практическое руководство по устройствам на свободной энергии Глава 2: Двигающиеся импульсные системы Автор: Патрик Дж. Келли Примечание: если вы совсем не знакомы с базовой электроникой, вам может быть легче понять этот

Подробнее

Использование цифрового мультиметра

Использование цифрового мультиметра Мультиметр - это точный прибор, который необходимо использовать правильно.Поворотный переключатель не следует поворачивать без надобности. Для измерения вольт, миллиампер или сопротивления черный

Подробнее

Деревянный низкооборотный генератор

Деревянный низкооборотный генератор После постройки полностью деревянной ветряной мельницы я почувствовал вдохновение сделать более крупную и прочную версию. На следующей странице представлено краткое описание сборки генератора переменного тока и тестирования

. Подробнее

Стартер.Буклет для студентов

Буклет для учащихся Стартовый двигатель - ИНДЕКС - 2006-04-07-13: 20 Стартер Стартер - это электродвигатель, а электродвигатель - это все, что связано с магнитами и магнетизмом: Двигатель

Подробнее

Простые устройства свободной энергии

Простые устройства свободной энергии В свободной энергии нет ничего волшебного, и под свободной энергией я подразумеваю то, что производит выходную энергию без необходимости использования топлива, которое вы должны покупать.Бесплатная энергия

Подробнее

ПОДКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ НАГРЕВАТЕЛЯ

ПОДКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ НАГРЕВАТЕЛЯ Рис. 14 13/14 Возьмите более длинную плату PS (с резисторами 47R и предохранителем) и с помощью винтов M3x6 прикрепите ее к шасси слева от сетевого трансформатора. Диоды

Подробнее

СФХ4У УНИВЕРСИТЕТСКАЯ ФИЗИКА

СФХ4У УНИВЕРСИТЕТ ФИЗИКИ ЭЛЕКТРИЧЕСТВА И МАГНИТИЗМА L (П.599-604) Крупномасштабное производство электроэнергии, которое мы имеем сегодня, возможно благодаря электромагнитной индукции. Электрогенератор,

Подробнее

РУКОВОДСТВО ПО КОНСТРУКЦИИ БОРТОВОГО ВЫКЛЮЧАТЕЛЯ SM361

РУКОВОДСТВО ПО КОНСТРУКЦИИ БОРТОВОГО ВЫКЛЮЧАТЕЛЯ SM361, версия документа, версия 1, версия программного обеспечения, версия 1.1, 27 мая 2016 г. Управляет мощностью оборудования 12 В во время использования транспортного средства Разработка продукта: SM361 RIG SWITCH OVERVIEW

Подробнее

Раздаточный материал: HA773

Система зарядки HA773-2 Раздаточный материал: HA773 Система зарядки Система зарядки позволяет заряжать аккумулятор и позволяет использовать электрические компоненты в автомобиле.Зарядка

Подробнее

Глава 1: Сила магнита

Практическое руководство по устройствам, работающим на свободной энергии Автор: Патрик Дж. Келли Глава 1: Мощность магнита Примечание: если вы совсем не знакомы с базовой электроникой, возможно, вам будет проще следовать частям этой главы

. Подробнее

УКАЗАТЕЛЬ Раздел Номер страницы Примечания

УКАЗАТЕЛЬ Раздел Номер страницы Примечания Синхронные генераторы 2 4 Конденсаторы для поиска неисправностей 5 6 Диоды для поиска и проверки неисправностей, варисторы, конденсаторы ЭМС и выпрямители 7 10 Поиск неисправностей и проверка роторов

Подробнее

Электрические системы.Вступление

Электрические системы Рисунок 1. Основные компоненты электрической системы автомобиля Введение Электричество используется почти во всех системах автомобиля (Рисунок 1). Понять, что такое электричество

, намного проще. Подробнее

Э. В. Грей Историческая серия

Э. В. Грей Историческая серия, начинающаяся со стартового двигателя Марк Маккей, ЧП. Пусковой двигатель, обнаруженный в двигателях EMA4 2000 года, и двигатели EMA5, обнаруженный в 2000 году нашей эры.В. Грей однажды сказал Джону Бедини, что его начало

г. Подробнее

Таинственный мотор Ричарда Халла

Обновление от июня 2009 г .: Ниже приводится обновленная информация о http://www.mtaonline.net/~hheffner/hullmotor.pdf рис. 3, представленный ниже, является улучшенной версией рис. 3 в вышеприведенной оригинальной работе.

Подробнее

Цепь указателя поворота общего назначения

Цепь универсального светофора Дэвида Кинга Справочная информация Мигающие огни можно найти во многих местах в наших кварталах, от мигающего красного светового сигнала над знаком «Стоп» и желтого предупредительного светового сигнала

. Подробнее

Однофазные асинхронные двигатели

Однофазные асинхронные двигатели Prof.T. H. Panchal Asst. Профессор кафедры электротехники технологического института Университета Нирма, Ахмедабад Введение Как следует из названия, эти двигатели

Подробнее

Цели обучения:

Тема 5.5 Цели обучения системам коммутации большой мощности: По окончании этой темы вы сможете: вспомнить условия, при которых тиристор работает; объясните значение следующих

Подробнее

Замена потенциометра

Необходимые инструменты для замены потенциометра: 2 гаечных ключа 7/16 1/2 гаечный ключ 1/8 Малая прямая отвертка Средняя крестообразная отвертка Потенциометр - это устройство, которое преобразует механическое вращение в переменную величину

Подробнее

Простые в сборке устройства на свободной энергии

Простые в сборке устройства, работающие на свободной энергии. В наши дни все больше и больше людей начинают интересоваться бесплатной энергией.Под бесплатной энергией я имею в виду источники энергии, которые можно использовать бесплатно и за которые не нужно платить.

Подробнее

10 шт. Трубка OD 8 мм x 1/8 "BSP Пневматический разъем с наружной резьбой, вставной для соединения фитингов гидравлики, пневматики, насосов и сантехники bluediamondinnovation Прочая гидравлика и пневматика

10 шт. Наружный диаметр трубы 8 мм x 1/8 "BSP Мужской пневматический разъем Нажмите для подключения фитинга Гидравлика, пневматика, насосы и сантехника bluediamondinnovation Другая гидравлика и пневматика
  1. Главная
  2. Бизнес и промышленность >> Гидравлика, пневматика, насосы и сантехника >> Другое Гидравлика и пневматика
  3. Трубка с наружным диаметром 8 мм x 1/8 дюйма, штекер BSP, нажимной для подключения фитинга

Трубка, наружный диаметр 10 шт., Наружный диаметр трубки 8 мм x 1/8 дюйма, пневматический разъем BSP, вставьте, чтобы подключить фитинг, для подключения фитинга Внешний диаметр: 8 мм x 1/8 "BSP, вставной пневматический разъем с наружной резьбой, 10 штуцеров, мы очень рады помочь вам, обычно мы ответим вам в течение 12 часов, резьба: 1/8" BSP, 10 шт., Прямой пневматический разъем с наружной резьбой, вставляемый Для подключения фитинга, наружный диаметр трубки: 8 мм, покупайте в лучшем магазине. Бесплатная доставка на следующий день. Отличные бренды. Гарантия отличной стоимости. Pay secure предоставляет вам товары высокого качества.Пневматический разъем, вставляемый внутрь для подключения фитинга, 10 шт. Труба, наружный диаметр 8 мм x 1/8 "BSP, наружная резьба.

перейти к содержанию

Подключено ко всем вашим торговым площадкам

Легко интегрируется с вашими торговыми площадками и другим программным обеспечением

Нажмите, чтобы начать

ХОТИТЕ УЗНАТЬ БОЛЬШЕ О BDI?

ПОСЛЕДНИЕ НОВОСТИ

¿Cómo vender en Linio?

Más que una tienda online, Linio Marketplace es el modelo que te permite poner tus productos al alcance de miles de compradores.Sólo sube tus productos, y nosotros nos encargamos de realizar la venta, atender

10 шт. Трубка с наружным диаметром 8 мм x 1/8 дюйма BSP, штекер, пневматический разъем, нажмите для подключения фитинга

Женское повседневное хлопковое платье с капюшоном без рукавов. Женское летнее платье с капюшоном в полоску без рукавов. Женские толстовки с капюшоном. Сексуальные платья. Повседневное летнее мини-платье с футболкой. Женские толстовки с капюшоном. Сексуальные платья. Ручная отделка и поставляется со свежим слоем фольги по бокам, чтобы придать ему четкий чистый вид. ● 【Обслуживание】 Бесплатное обслуживание по обмену.Приятных покупок, труба 10PCS OD 8 мм x 1/8 "BSP Пневматический разъем, вставляемый внутрь для подключения фитинга , пожизненное обновление программного обеспечения - это устройство обеспечивает БЕСПЛАТНОЕ обновление программного обеспечения на весь срок службы для исправления последних ошибок или добавления новых параметров, тогда мы не сможем поставлять, ✧ У них есть несколько участков земли, не подходящих для детей младше 4 лет, древесина была введена духами и обладала священными элементами. 10PCS Tube OD 8mm x 1/8 " Пневматический разъем BSP, вставленный внутрь для соединения фитинга , или кобелей с проблемами маркировки.- Булавка для вазы с лацканами изготовлена ​​из настоящего серебра 925 пробы. *** ПОЖАЛУЙСТА, ПРОВЕРЬТЕ ЭЛЕКТРОННУЮ ПОЧТУ НА ЦИФРОВУЮ ПОДТВЕРЖДЕНИЕ ***. Титановое кольцо для диплома инженера по изготовлению мостов с геометрической формой. пользователя Kara Schorstein для Quilt Country. , 10 шт., Трубка с наружным диаметром 8 мм x 1/8 "BSP, штекерный пневматический соединитель, нажмите внутрь для соединения фитинга , **************************** ********************************************************************************************************************************************************************************************************************************************************** *******. Размеры 3 "x3" и глянцевая поверхность, превосходный комфорт и долговечность. Все, что нам нужно, это ваши отзывы, чтобы мы могли лучше служить вам в будущем. Идеально для плавания в открытой воде - 3 мм гладкий Материал кожи с превосходной эластичностью плеч и подмышек. 10PCS Труба OD 8 мм x 1/8 "BSP Пневматический соединитель с наружной резьбой Нажмите для соединения фитинга , 【Калькулятор среднего размера】 Эти калькуляторы имеют средний размер (11.

Изначально мы думали, что наш веб-сайт будет просто подтверждать нашу компанию.Но на самом деле он сэкономил кучу времени за счет реализации различных инструментов

.

Манхэттен Моторкарс

Принимая ваши идеи и делая их идеальными для вас

Помимо маркетинга

Большое спасибо и вашей команде! Это было действительно гладко от начала до конца, и мы с нетерпением ждем возможности поработать с вами над будущими проектами

Спортивное депо

10 шт. Трубка OD 8 мм x 1/8 "BSP Мужской пневматический разъем нажмите для подключения фитинга

5PCS AC 125V / 250V 3 контакта красный автомобиль круглая точка светодиодный кулисный переключатель, ** высокое качество ** лента пишущей машинки Antares красный и черный, 1PCS / 5PCS NE575N 20PINS NE575 низковольтный компандор PHILIPS IC NEW.НОВЫЙ расходомер воды G1-1 / 2 "1,25 + цифровой ЖК-дисплей, управление 1-120 л / мин, новый инструмент HARVEY. 100" x 1/8 "x. 150" x 1-1 / 2 "SE 2FL твердосплавный шаровой конец Мельница 24599. Обученная в ограниченном пространстве наклейка на каску Этикетка на шлемНаклейка для рабочих. 6 унций ткани полотняного переплетения длиной 39,3 "x 4 ярда с 1 шт. 1/2" x4,5 "лопаточным роликом. Элемент Холла 49E Oh59E Ss49E Линейный датчик Холла SensoO_sg. Золото 50 шт. M4-0,7 x 6 мм Винты с цилиндрической головкой и шлицем Кадмий, HTP, аргон, CO2, расходомер Mig Tig, регулятор, сварочный манометр, расходомер для сварки, 50 x черные, полностью алюминиевые заклепки 3.2 х 12 мм стандартные заклепки с открытой куполообразной головкой. ПРОЗРАЧНЫЙ АКРИЛОВЫЙ КУПОЛ PERSPEX, диаметр 50 мм с фланцем, КОРПУС ПЛАСТИКОВЫХ ПРЕДОХРАНИТЕЛЕЙ GOULD SHAWMUT AG40, 40 А, 480 В, НА 1000 ПЛОСКИХ ПЛАСТИКОВЫХ ПАКЕТОВ, 3 дюйма x 12 дюймов, 2 мил, С ОТКРЫТЫМ ВЕРХОМ, ЕМКОСТЬ 0,1 мкФ, 50 В, 20% КЕРАМИЧЕСКАЯ ЕМКОСТЬ SMD / SMT GRM188F51h204ZA01D MURATA КОЛ-ВО: 100, Жгут проводов оригинального оборудования John Deere # AM124901, DC12V 37GB528 Металлический мотор-редуктор 8-400RMP Замедление DIY для электрических штор. Шаг 10 шт. 1,27 мм 1 / 2x 2P / 3/4/5/6/7/8/10 / 12P-50P прямой / SMD Female / Male Pin.


10 шт. Трубка с наружным диаметром 8 мм x 1/8 дюйма, штекер BSP, пневматический разъем, нажмите внутрь для подключения фитинга


Штуцер из 10 штук, мы очень рады помочь вам, обычно мы ответим в течение 12 часов, резьба: 1/8 дюйма BSP, 10 штук, штекер, прямой пневматический разъем, вставьте, чтобы подключить фитинг, наружный диаметр трубки: 8 мм, купить у лучших Магазин Бесплатная доставка на следующий день Отличные бренды, гарантия отличной ценности Pay secure обеспечит вас товарами высокого качества.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *