Каковы основные характеристики транзистора D2499. Для каких целей он используется. Какие есть аналоги и замены D2499. Как проверить исправность транзистора мультиметром.
Основные характеристики транзистора D2499
D2499 (также известный как 2SD2499) — это высоковольтный NPN транзистор в корпусе TO-3PF, обладающий следующими ключевыми параметрами:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
- Максимальное напряжение коллектор-база: 1500 В
- Максимальный ток коллектора: 6 А (у некоторых производителей 5 А)
- Рассеиваемая мощность: 50 Вт
- Коэффициент усиления по току (hFE): 8-25
- Частота перехода: 2 МГц
Транзистор имеет низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер (не более 5 В), что делает его эффективным в импульсных схемах. Диапазон рабочих температур составляет от -55°C до +150°C.
Области применения транзистора D2499
Основное предназначение D2499 — использование в схемах горизонтальной развертки телевизоров и мониторов. Однако благодаря своим характеристикам он также может применяться:
- В высоковольтных импульсных источниках питания
- В схемах управления электродвигателями
- В усилителях мощности звуковой частоты
- В других высоковольтных и высокочастотных коммутационных схемах
Высокое пробивное напряжение и быстродействие делают D2499 универсальным транзистором для многих приложений, где требуется работа с высоким напряжением и большими токами.
Аналоги и замены транзистора D2499
При необходимости замены D2499 можно использовать следующие аналоги:
- 2SC5250
- 2SC3896
- 2SC3894
- BU508D
- BU2508DF
- BU2508AX
При выборе замены следует обращать внимание на соответствие ключевых параметров: максимальное напряжение коллектор-эмиттер, ток коллектора, рассеиваемую мощность. Также важно учитывать тип корпуса для совместимости с печатной платой.
Как проверить исправность транзистора D2499 мультиметром
Для проверки работоспособности D2499 с помощью мультиметра выполните следующие шаги:
- Переведите мультиметр в режим проверки диодов
- Проверьте переход база-эмиттер:
- Красный щуп к базе, черный к эмиттеру — должно быть прямое падение напряжения 0.6-0.7 В
- При обратном подключении — высокое сопротивление
- Проверьте переход база-коллектор аналогичным образом
- Между коллектором и эмиттером должно быть высокое сопротивление в обоих направлениях
Если все измерения соответствуют норме, транзистор вероятно исправен. Однако для полной уверенности рекомендуется проверка в реальной схеме.
Особенности монтажа и эксплуатации D2499
При работе с транзистором D2499 следует учитывать несколько важных моментов:
- Обязательно использование радиатора для отвода тепла
- Не превышение максимально допустимых напряжений и токов
- Защита от статического электричества при монтаже
- Обеспечение хорошего теплового контакта с радиатором
Правильный монтаж и эксплуатация в допустимых режимах обеспечат длительную и надежную работу транзистора в устройстве.
Типичные неисправности и их диагностика
Транзистор D2499 может выходить из строя по следующим причинам:
- Превышение допустимого напряжения коллектор-эмиттер
- Перегрев из-за недостаточного охлаждения
- Воздействие статического электричества при монтаже
- Естественное старение полупроводниковой структуры
Признаки неисправности могут включать:
- Отсутствие развертки на экране телевизора/монитора
- Появление горизонтальных полос на изображении
- Сильный нагрев транзистора в рабочем режиме
- Аномальные показания при проверке мультиметром
Перспективы развития и альтернативные технологии
Хотя транзисторы типа D2499 все еще широко применяются, развитие технологий приводит к появлению более совершенных решений:
- MOSFET-транзисторы с меньшими потерями на переключение
- IGBT-модули для работы с большими мощностями
- Интегральные микросхемы, объединяющие несколько функций
Однако благодаря своей надежности и доступности, биполярные транзисторы вроде D2499 еще долго будут находить применение в различной электронной аппаратуре. Их замена происходит постепенно, по мере модернизации устройств и разработки новых моделей.
Транзистор D2499: характеристики, распиновка, аналоги
Главная » Транзистор
D2499 — кремниевый транзистор со структурой NPN, мезапланарный, высоковольтный, высокоскоростной, общепромышленного применения. Конструктивное исполнение – TO-3PHIS.
Содержание
- Предназначение
- Корпус, распиновка и размеры
- Характерные особенности
- Предельные эксплуатационные характеристики
- Электрические параметры
- Схема измерения временных параметров
- Модификации (версии) транзистора
- Аналоги
- Отечественное производство
- Зарубежное производство
- Графические иллюстрации характеристик
Предназначение
Транзистор разработан для применения в системах горизонтальной развертки цветных телеприемников и других импульсных высокоскоростных переключающих устройствах.
Корпус, распиновка и размеры
Характерные особенности
- Высокое пробивное напряжение: UCBO = 1500 В.
- Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: UCE(sat) = 5 В (max).
- Высокая скорость переключения: tf = 0,3 мкс (типовое).
- Встроенный демпфирующий диод и резистор 40 Ом (типовое).
- Металлическая пластина коллектора полностью покрыта формовочной смолой.
- Минимальные отличия по параметрам транзисторов от партии к партии при поставке.
Предельные эксплуатационные характеристики
| Характеристика | Обозначение | Величина |
|---|---|---|
| Напряжение коллектор – база транзистора, В | UCBO | 1500 |
| Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В | UCEO | 600 |
| Напряжение эмиттер – база транзистора, В | UEBO | 5 |
| Ток коллектора постоянный, А | IC | 6 |
| Ток коллектора импульсный, А | ICP | 12 |
| Ток базы постоянный, А | IB | 3 |
| Рассеиваемая мощность (Ta = 25°C), Вт | PC | 50 |
| Предельная температура полупроводниковой структуры, °С | Tj | 150 |
| Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° | Tstg | -55…+150 |
Электрические параметры
| Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Значения | |
|---|---|---|---|---|
| Пробивное напряжение эмиттер-база, В | U(BR)EBO | IC = 400 мА, IB = 0 | ˃ 5,0 | |
| Ток коллектора выключения, мА | ICBO | UCB = 1500 В, IE = 0 | ˂ 1,0 | |
| Ток эмиттера выключения, мА | IEBO | UEB = 5,0 В, IC = 0 | ˂ 200,0 | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | UCE(sat)1 | IC = 4,0 А, IB = 0,8 А | ˂ 5,0 | |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В | UBE(sat) | IC = 4,0 А, IB = 0,8 А | ˂ 1,3 | |
| Статический коэффициент усиления по току | hFE (1) | UCE = 5,0 В, IC = 1,0 А | 8…25 | |
| hFE (2) | UCE = 5,0 В, IC = 4,0 А | 5…9 | ||
| Частотная полоса передачи (частота среза), МГц | fT | UCE = 10 В, IC = 0,1 А | 2 | |
| Выходная емкость коллекторного перехода, пФ | Cob | UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц | 95 | |
| Время переключения, мкс | Время сохранения | ts | ICP = 4 А, IB1 = 0,8 А, fH = 15,75 кГц | ˂ 11 |
| Время спадания | tf | См. схему измерений на Рис. 1. | ˂ 0,6 | |
| Падение напряжения на демпфирующем диоде, В | UF | IF = 6 А | ˂ 2,0 | |
Примечание: данные в таблице действительны при температуре корпуса Tс = 25°C.
Схема измерения временных параметров
Рис. 1. Схема измерения временных параметров ts и tf.
На рисунке:
- INPUT – вход.
- UDD – напряжение смещения сигнала базы испытываемого транзистора (T.U.T).
- UCC – напряжение питания.
Диаграммы входного тока (базы) IB и выходного тока (коллектора) ICP испытываемого транзистора:
Модификации (версии) транзистора
| Тип | PC | UCB | UCE | UBE | IC/ICP | TJ | UCE (sat) | UBE (sat) | fT | Cob | hFE | Временные параметры: ton / tstg / tf мкс | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD2499 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 6/12 | 150 | ˂ 5 | ˂ 1,3 | 2 | 95 | 5…25 | — / 11,0 / 0,6 | TO-3PHIS |
| 3DD2499 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 6/12 | 150 | ˂ 5 | ˂ 1,3 | ˃ 1 | — | 10…40 | — / — / 1,0 | TO-3PHIS |
Аналоги
Для замены могут подойти транзисторы кремниевые со структурой NPN, мезапланарные, предназначенные для использования в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, схемах управления электродвигателями и др.
, аппаратуре общего применения.
Отечественное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UBE | IC/ICP | TJ | UCE (sat) | UBE (sat) | fT | Cob | hFE | Временные параметры: ton / tstg / tf мкс | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD2499 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 6 | 150 | ˂ 5 | ˂ 1,3 | 2 | 95 | 5…25 | — / 11,0 / 0,6 | TO-3PHIS |
| КТ839А | 50 | 1500 | — | 5 | 10 | 150 | ˂ 1,5 | — | 5 | 240 | ˃ 5 | — | TO-3 |
| КТ872А | 100 | 1500 | 700 | 6 | 8 | 150 | ˂ 1,0 | — | — | — | 6 | — / 7,5 / 1,0 | TO-218 |
| КТ872А1 | 34 | 1200 | 700 | 6 | 8 | 150 | ˂ 1,5 | — | — | — | 6 | — / 7,5 / 1,0 | TO-218 |
| КТ8107А | 100 | 1500 | 700 | 6 | 10 | 125 | ˂ 3,0 | — | — | — | 2,3 | — / 3,5 / 0,5 | TO-3 |
| КТ710А | 50 | — | 3000 | 5 | 5 | — | ˂ 3,5 | — | ˃ 1,5 | — | ˃ 3,5 | — | TO-3 |
| 2Т856А | 125 | 950 | 950 | 5 | 10 | — | ˂ 1,5 | — | — | — | 10…60 | — / — / 0,5 | TO-3 |
| КТ8118 | 50 | 900 | 800 | — | 3 | — | — | — | ˃ 15 | — | 10…40 | — | TO-220 |
Зарубежное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UBE | IC/ICP | TJ | UCE (sat) | UBE (sat) | fT | Cob | hFE | Временные параметры: ton / tstg / tf мкс | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD2499 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 6 | 150 | ˂ 5 | ˂ 1,3 | 2 | 95 | 5…25 | — / 11,0 / 0,6 | TO-3PHIS |
| 2SD2498 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 6 | 150 | ˂ 5 | ˂ 1,2 | 2 | 95 | 5…30 | — / 10 / 0,7 | TO-3PHIS |
| 2SD2500 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 10 | 150 | ˂ 3 | ˂ 1,4 | 1,7 | 135 | 10 | — / 11 / 0,7 | TO-3PHIS |
| 2SD5702 | 60 | 1500 | 800 | 6 | 6 | 150 | ˂ 5 | ˂ 1,5 | 3 | — | 10 | — / — / 0,4 | TO-3PHIS |
| 2SC5048 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 12 | 150 | ˂ 3 | ˂ 1,4 | 1,7 | 160 | 10 | — / 4 / 0,3 | TO-3PHIS |
| 2SC5129 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 10 | 150 | ˂ 3 | ˂ 1,4 | 1,7 | 135 | 10 | — / 4 / 0,3 | TO-3PHIS |
| 2SC5150 | 50 | 1700 | 700 | 5 | 10 | 150 | ˂ 3 | ˂ 1,2 | 2 | 185 | 10 | — / 4 / 0,3 | TO-3PHIS |
| 2SC5280 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 8 | 150 | ˂ 5 | ˂ 1,5 | 2 | 115 | 10 | — / 5 / 0,5 | TO-3PHIS |
| 2SC5339 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 7 | 150 | ˂ 5 | ˂ 1,3 | 2,4 | 82 | 10 | — / 8 / 0,5 | TO-3PHIS |
| 2SC5386 | 50 | 150 | 600 | 5 | 8 | 150 | ˂ 3 | ˂ 1,5 | 1,7 | 105 | 15 | — / 3,5 / 0,3 | TO-3PHIS |
| 2SC5404 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 9 | 150 | ˂ 3 | ˂ 1,5 | 2,5 | 115 | 10 | — / 3,5 / 0,3 | TO-3PHIS |
| 2SC5802 | 60 | 1500 | 800 | 6 | 10 | 150 | ˂ 3 | ˂ 1,5 | — | — | 15 | — / — / 0,3 | TO-3PHIS |
| BU4508DZ | 32 | 1500 | 800 | — | 8 | 150 | ˂ 3 | ˂ 1,03 | — | — | 7 | — / 3,75 / 0,4 | SOT186A |
| BU508DXI | 45 | 1500 | 700 | — | 8 | 150 | ˂ 1 | ˂ 1,3 | 7 | 125 | ˂ 30 | — / 6,5 / 0,7 | ISO218 |
| BUH515DX1 | 50 | 1500 | 700 | 5 | 8 | 150 | ˂ 1,5 | ˂ 1,3 | — | — | 3…10 | — / 3,6 / 0,26 | ISO218 |
| BUH515FP | 38 | 1500 | 700 | 10 | 8 | 150 | ˂ 1,5 | ˂ 1,3 | — | — | 4…12 | — / 3,9 / 0,28 | TO-220FP |
Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 2. Внешние характеристики транзистора. Зависимость тока коллектора IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных значениях тока базы IB.
Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером (на поле рисунка: “COMMON EMITTER”).
Температура корпуса Tc = 25°C.
Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления hFE от величины коллекторной нагрузки IC при различных температурах корпуса Tc и значении напряжения коллектор-эмиттер UCE = 5 В.
Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером (на поле рисунка: “COMMON EMITTER”).
Рис. 4. Зависимость напряжения коллектор-эмиттер UCE от величины тока управления (базы) IB при нескольких значениях коллекторного тока IC.
Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером (на поле рисунка: “COMMON EMITTER”).
Температура корпуса Tc = 25°C.
Рис. 5. Зависимость напряжения коллектор-эмиттер UCE от величины тока управления (базы) IB при нескольких значениях коллекторного тока IC.
Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером (на поле рисунка: “COMMON EMITTER”). Температура корпуса Tc = 100°C.
Рис. 6. Передаточная характеристика транзистора. Зависимость тока нагрузки IC от величины входного напряжения UBE.
Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером при трех различных температурах корпуса Tc и при напряжении на коллекторе UCE = 5 В.
Рис. 7. Кривая ограничения рассеиваемой мощности транзистора PC при увеличении температуры корпуса Tc.
Теплоемкость охладителя предполагается бесконечно большой (пояснение на поле рисунка — INFINITE YEAT SINK).
Рис. 8. Зависимость изменения переходного теплового сопротивления rth(j—c) (коллектор-корпус) от длительности tw одиночного неповторяющегося импульса тока.
Температура корпуса транзистора Tc = 25°C, то есть транзистор снабжен охладителем с бесконечно большой теплоемкостью.
Зависимость должна учитываться при всех тепловых ограничениях.
Рис. 9. Область безопасной работы транзистора.
Ограничения нагрузок:
- IC max (PULSED)٭ — импульсные токи коллектора, одиночные неповторяющиеся импульсы различной длительности (10 мкс, 100 мкс, 1 мс, 10 мс, 100 мс). Длительности также помечены символом «٭».
- IC max (CONTINUOUS) – постоянный ток нагрузки при Tc = 25°C (пояснение на поле рисунка DC OPERATION).
- UCEO max – предельное напряжение коллектор-эмиттер.
Ординаты всех кривых должны линейно уменьшаться с увеличением температуры.
Транзистор d2499 замена
Полупроводниковые элементы используются практически во всех электронных схемах. Те, кто называют их наиболее важными и самыми распространенными радиодеталями абсолютно правы.
Поиск данных по Вашему запросу:
Схемы, справочники, даташиты:
Прайс-листы, цены:
Обсуждения, статьи, мануалы:
Дождитесь окончания поиска во всех базах.
По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
Содержание:
- Полевой транзистор a1shb чем я могу заменить?
- Проверка транзистора мультиметром, как прозвонить и проверить
- Forum — VseProsto.
- Как проверить различные типы транзисторов мультиметром?
- Как проверить транзистор D2499
- Как проверить различные типы транзисторов мультиметром?
- Мощные транзисторы в строчной развертке
netПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Телевизор Samsung не включается ремонт строчной развертки
Полевой транзистор a1shb чем я могу заменить?
Можете спокойно ставить любой из них, не ошибетесь. Да замените его на любой маломощный германиевый транзистор с такой же цоколевкой, иначе придется резать проводники на печатной плате.
Ваш e-mail не будет опубликован.
Поиск: Поиск. Никита К. Можно ли поменять транзистор D на С в строчной развертке? Guest 3. Где применялись транзисторы ГТ? Great Заицъ 1. В компьютерах. Я не шучу. Эти транзисторы оставили довольно приятное впечатление. Картофельный папа 2. Можно ли заменить транзистор в УНЧ на другой? Михасик 3. Сколько транзисторов у самого мощного компьютера? Jean Claude 3. Ответов еще нет.
Ваш ответ может стать первым. Гость 5. Какие испарители подходят на ай джаст некс ген? Какие сайты стоит посетить в даркнете? Почему неандертальцы были вытеснены современными людьми-кроманьонцами?
Почему в Tinder мужчины даже после совместного свайпа вправо не пишут первые? Смогу ли я учиться в колледже, если я изучал немецкий? Почему меняется поведение человека когда он влюблен? Как это объясняется с точки зрения физиологии, работы мозга? Добавить комментарий Отменить ответ Ваш e-mail не будет опубликован.
Проверка транзистора мультиметром, как прозвонить и проверить
Чем смогу помогу.
Электрик 6. Транзистор TIP Транзистор TIP41C.
Чем заменить транзистор строчной развёртки Q(BU DF)?. мощный, например D или D и прекрасно всё работает.
Forum — VseProsto.net
Можете спокойно ставить любой из них, не ошибетесь. Да замените его на любой маломощный германиевый транзистор с такой же цоколевкой, иначе придется резать проводники на печатной плате. Ваш e-mail не будет опубликован. Поиск: Поиск. Никита К. Можно ли поменять транзистор D на С в строчной развертке? Guest 3. Где применялись транзисторы ГТ? Great Заицъ 1. В компьютерах.
Как проверить различные типы транзисторов мультиметром?
Сгорел строчный транзистор? Не все так просто По статистике, выход из строя выходного транзистора строчной развертки относится к одной из наиболее часто встречающейся неисправности в телевизорах. Практически, после блока питания, строчная развертка является основным участком, на котором рассеивается наибольшая мощность. Хорошо, когда ремонт заканчивается банальной заменой строчного транзистора.
Правила форума.
Как проверить транзистор D2499
Forum — VseProsto. Пожалуйста, войдите или зарегистрируйтесь. Новости: SMF. Страницы: [ 1 ] 2 3 4. Видеопроцессор -TABN. ШИМ- D
Как проверить различные типы транзисторов мультиметром?
By Раниль , April 5, in Технофлейм. Решение этого вопроса может быть не актуальным,так как эра кинескопных телевизоров заканчивается. Транзистор чуть теплый,размеры растра не изменились. Далее,заменить С на 33мкф 50в. Хотя перечеркнул тем самым основы работы строчной развёртки,но эффективность и экономия денег всё перевесило. Что budfi, что dfx на на маленьких диагоналях кроме ой всегда ставил любой мощный, например D или D и прекрасно всё работает.
Замена импортных транзисторов на аналоги советского производства. datasheets, datasheet, data sheet, manual, pdf, datenblatt, Electronics, alldatasheet.
Мощные транзисторы в строчной развертке
Форум Новые сообщения. Что нового Новые сообщения Недавняя активность.
Вход Регистрация. Что нового.
Здравствуйте уважаемые читатели сайта sesaga. Сегодня хочу рассказать, как проверить исправность транзистора обычным мультиметром. Хотя для этого существуют специальные пробники, и даже в самом мультиметре имеется гнездо для проверки транзисторов, но, на мой взгляд, все они не совсем практичны. Вот чтобы подобрать пару транзисторов с одинаковым коэффициентом усиления h31э пробники вещь даже очень нужная. А для определения исправности достаточно будет и обыкновенного мультика. Мы знаем, что транзистор имеет два p-n перехода , причем каждый переход можно представить в виде диода полупроводника.
Нужны еще сервисы? Архив Каталог тем Добавить статью.
Как проверить мультиметром исправность строчного транзистора BU Comptech info. Как проверить мультиметром исправность строчного транзистора BU Подписываемся на наш канал ru-clip. Моя Партнерская про.. Проверка BUdfx Мастер Ломастер.
Ваши права в разделе. Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете голосовать в опросах Вы не можете добавлять файлы Вы можете скачивать файлы.
Блок питания двуполярник 7А — Ваш совет Восстановление шлейфов.
D2499 Распиновка транзистора, эквивалент, использование, характеристики и другая подробная информация
В этой статье описывается распиновка транзистора 2SD2499 или D2499, эквивалент, использование, характеристики и другая подробная информация об этом высоковольтном транзисторе в корпусе NPN TO-3PF.
Объявления
Объявления
Характеристики/технические характеристики:
- TOPM 70 OrPF 70 OrPF 70
022
- Тип транзистора: NPN
- Максимальный ток коллектора (I C ): 6A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): 600 В
- Максимальное напряжение коллектор-база (В CB ): 1500 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 В
- Макс. тепловыделение коллектора (шт.): 50 Вт
- Максимальная частота перехода (fT): 2 МГц
- Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (ч FE ): 8–25
- Максимальная температура хранения и эксплуатации: от -55 до +150 градусов по Цельсию
тепловыделение коллектора (шт.): 50 Вт 2SD2499 Описание транзистора:
2SD2499 — это NPN-транзистор, изготовленный в корпусе TO-3PF или также называемый корпусом TO-3PM. Транзистор обладает довольно интересными возможностями и в первую очередь предназначен для использования в схемах приложений горизонтального отклонения телевизора или монитора. Но он не ограничивается этими применениями, его высокая скорость и возможности работы с высоким напряжением делают его идеальным для использования во многих высоковольтных приложениях до 600 В, а также в высокоскоростных коммутационных приложениях.
Кроме того, ток коллектора транзистора составляет 6 А, что означает, что он может непрерывно управлять нагрузкой до 6 А.
Но некоторые производители также делают его с током коллектора 5 А, поэтому важно подтвердить ток коллектора транзистора у производителя, которого вы его покупаете, а затем управлять нагрузкой в соответствии с ним.
Еще одним плюсом этого транзистора является его низкое напряжение насыщения, которое составляет всего 5 В макс. Минимальное и максимальное усиление по постоянному току транзистора составляет от 8 до 25. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 50 Вт, а частота перехода составляет 2 МГц.
Где мы можем его использовать и как использовать:
Как упоминалось выше, транзистор в первую очередь предназначен для использования в схемах отклонения телевизора и монитора, но его хорошие характеристики также делают его идеальным для использования во многих высоковольтных и приложения для высокоскоростного переключения и широкий спектр приложений общего назначения. Этот транзистор можно использовать не только для коммутации, но и для усиления звука.
Замена и аналог:
2SC5250, 2SC3896, 2SC3894
Applications:
High voltage AC and DC applications
Motor Driver Circuits
Audio amplification
Drive load of up to 6A
Safe Operating Guidelines / Абсолютные максимальные номинальные значения:
Для получения долгосрочной и стабильной работы с этим транзистором пользователь не должен использовать это устройство при его абсолютных максимальных номинальных значениях и всегда должен оставаться на 20% ниже, чтобы обеспечить длительный срок службы этого устройства. Максимальный ток коллектора транзистора составляет 6 А, поэтому не подключайте нагрузку более 4,8 А. Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером составляет 600 В, поэтому не подключайте нагрузку более 480 В. Используйте подходящий радиатор с транзистором и всегда храните или эксплуатируйте транзистор при температуре выше -55°C и ниже +150°C.
Техническое описание
Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте ссылку ниже в браузере.
https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/2/S/D/2SD2499-INCHANGE.pdf Часть
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
э.327
до н.э.328
до н.э.337
до н.э.338
транзистор
транзистор ИТТ
BC548 п-н-п транзистор
транзистор п-н-п
BC337 п-н-п транзистор
pnp bc547 транзистор
BC327 NPN-транзистор
MPSA92 168
транзистор 206
2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
Системы горизонтального отклонения телевизора
РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА
Ан363
Системы горизонтального отклонения телевизора 25
транзистор горизонтальной секции телевизор
Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением
Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора
ЭЛТ ТВ электронная пушка
горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре
Обратный трансформатор для телевизора
org/Product»>
э.328
БК337;
БК337А;
до н.э.338
до н.э.546;
до н.э.547;
до н.э.548
до н.э.556;
транзистор 835
Усилитель на транзисторе BC548
ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор
Усилитель ЗВУКА на транзисторе BC548
транзистор 81 110 Вт 85
транзистор 81 110 Вт 63
транзистор
транзистор 438
ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО
транзистор 649
org/Product»>
org/Product»>
