Каковы основные характеристики транзистора D2499. Для каких целей он используется. Какие есть аналоги и замены D2499. Как проверить исправность транзистора мультиметром.
Основные характеристики транзистора D2499
D2499 (также известный как 2SD2499) — это высоковольтный NPN транзистор в корпусе TO-3PF, обладающий следующими ключевыми параметрами:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
- Максимальное напряжение коллектор-база: 1500 В
- Максимальный ток коллектора: 6 А (у некоторых производителей 5 А)
- Рассеиваемая мощность: 50 Вт
- Коэффициент усиления по току (hFE): 8-25
- Частота перехода: 2 МГц
Транзистор имеет низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер (не более 5 В), что делает его эффективным в импульсных схемах. Диапазон рабочих температур составляет от -55°C до +150°C.
Области применения транзистора D2499
Основное предназначение D2499 — использование в схемах горизонтальной развертки телевизоров и мониторов. Однако благодаря своим характеристикам он также может применяться:
- В высоковольтных импульсных источниках питания
- В схемах управления электродвигателями
- В усилителях мощности звуковой частоты
- В других высоковольтных и высокочастотных коммутационных схемах
Высокое пробивное напряжение и быстродействие делают D2499 универсальным транзистором для многих приложений, где требуется работа с высоким напряжением и большими токами.
Аналоги и замены транзистора D2499
При необходимости замены D2499 можно использовать следующие аналоги:
- 2SC5250
- 2SC3896
- 2SC3894
- BU508D
- BU2508DF
- BU2508AX
При выборе замены следует обращать внимание на соответствие ключевых параметров: максимальное напряжение коллектор-эмиттер, ток коллектора, рассеиваемую мощность. Также важно учитывать тип корпуса для совместимости с печатной платой.
Как проверить исправность транзистора D2499 мультиметром
Для проверки работоспособности D2499 с помощью мультиметра выполните следующие шаги:
- Переведите мультиметр в режим проверки диодов
- Проверьте переход база-эмиттер:
- Красный щуп к базе, черный к эмиттеру — должно быть прямое падение напряжения 0.6-0.7 В
- При обратном подключении — высокое сопротивление
- Проверьте переход база-коллектор аналогичным образом
- Между коллектором и эмиттером должно быть высокое сопротивление в обоих направлениях
Если все измерения соответствуют норме, транзистор вероятно исправен. Однако для полной уверенности рекомендуется проверка в реальной схеме.
Особенности монтажа и эксплуатации D2499
При работе с транзистором D2499 следует учитывать несколько важных моментов:
- Обязательно использование радиатора для отвода тепла
- Не превышение максимально допустимых напряжений и токов
- Защита от статического электричества при монтаже
- Обеспечение хорошего теплового контакта с радиатором
Правильный монтаж и эксплуатация в допустимых режимах обеспечат длительную и надежную работу транзистора в устройстве.
Типичные неисправности и их диагностика
Транзистор D2499 может выходить из строя по следующим причинам:
- Превышение допустимого напряжения коллектор-эмиттер
- Перегрев из-за недостаточного охлаждения
- Воздействие статического электричества при монтаже
- Естественное старение полупроводниковой структуры
Признаки неисправности могут включать:
- Отсутствие развертки на экране телевизора/монитора
- Появление горизонтальных полос на изображении
- Сильный нагрев транзистора в рабочем режиме
- Аномальные показания при проверке мультиметром
Перспективы развития и альтернативные технологии
Хотя транзисторы типа D2499 все еще широко применяются, развитие технологий приводит к появлению более совершенных решений:
- MOSFET-транзисторы с меньшими потерями на переключение
- IGBT-модули для работы с большими мощностями
- Интегральные микросхемы, объединяющие несколько функций
Однако благодаря своей надежности и доступности, биполярные транзисторы вроде D2499 еще долго будут находить применение в различной электронной аппаратуре. Их замена происходит постепенно, по мере модернизации устройств и разработки новых моделей.
Транзистор D2499: характеристики, распиновка, аналоги
Главная » Транзистор
D2499 — кремниевый транзистор со структурой NPN, мезапланарный, высоковольтный, высокоскоростной, общепромышленного применения. Конструктивное исполнение – TO-3PHIS.
Содержание
- Предназначение
- Корпус, распиновка и размеры
- Характерные особенности
- Предельные эксплуатационные характеристики
- Электрические параметры
- Схема измерения временных параметров
- Модификации (версии) транзистора
- Аналоги
- Отечественное производство
- Зарубежное производство
- Графические иллюстрации характеристик
Предназначение
Транзистор разработан для применения в системах горизонтальной развертки цветных телеприемников и других импульсных высокоскоростных переключающих устройствах.
Корпус, распиновка и размеры
Характерные особенности
- Высокое пробивное напряжение: UCBO = 1500 В.
- Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: UCE(sat) = 5 В (max).
- Высокая скорость переключения: tf = 0,3 мкс (типовое).
- Встроенный демпфирующий диод и резистор 40 Ом (типовое).
- Металлическая пластина коллектора полностью покрыта формовочной смолой.
- Минимальные отличия по параметрам транзисторов от партии к партии при поставке.
Предельные эксплуатационные характеристики
| Характеристика | Обозначение | Величина |
|---|---|---|
| Напряжение коллектор – база транзистора, В | UCBO | 1500 |
| Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В | UCEO | 600 |
| Напряжение эмиттер – база транзистора, В | UEBO | 5 |
| Ток коллектора постоянный, А | IC | 6 |
| Ток коллектора импульсный, А | ICP | 12 |
| Ток базы постоянный, А | IB | 3 |
| Рассеиваемая мощность (Ta = 25°C), Вт | PC | 50 |
| Предельная температура полупроводниковой структуры, °С | Tj | 150 |
| Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° | Tstg | -55…+150 |
Электрические параметры
| Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Значения | |
|---|---|---|---|---|
| Пробивное напряжение эмиттер-база, В | U(BR)EBO | IC = 400 мА, IB = 0 | ˃ 5,0 | |
| Ток коллектора выключения, мА | ICBO | UCB = 1500 В, IE = 0 | ˂ 1,0 | |
| Ток эмиттера выключения, мА | IEBO | UEB = 5,0 В, IC = 0 | ˂ 200,0 | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | UCE(sat)1 | IC = 4,0 А, IB = 0,8 А | ˂ 5,0 | |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В | UBE(sat) | IC = 4,0 А, IB = 0,8 А | ˂ 1,3 | |
| Статический коэффициент усиления по току | hFE (1) | UCE = 5,0 В, IC = 1,0 А | 8…25 | |
| hFE (2) | UCE = 5,0 В, IC = 4,0 А | 5…9 | ||
| Частотная полоса передачи (частота среза), МГц | fT | UCE = 10 В, IC = 0,1 А | 2 | |
| Выходная емкость коллекторного перехода, пФ | Cob | UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц | 95 | |
| Время переключения, мкс | Время сохранения | ts | ICP = 4 А, IB1 = 0,8 А, fH = 15,75 кГц | ˂ 11 |
| Время спадания | tf | См. схему измерений на Рис. 1. | ˂ 0,6 | |
| Падение напряжения на демпфирующем диоде, В | UF | IF = 6 А | ˂ 2,0 | |
Примечание: данные в таблице действительны при температуре корпуса Tс = 25°C.
Схема измерения временных параметров
Рис. 1. Схема измерения временных параметров ts и tf.
На рисунке:
- INPUT – вход.
- UDD – напряжение смещения сигнала базы испытываемого транзистора (T.U.T).
- UCC – напряжение питания.
Диаграммы входного тока (базы) IB и выходного тока (коллектора) ICP испытываемого транзистора:
Модификации (версии) транзистора
| Тип | PC | UCB | UCE | UBE | IC/ICP | TJ | UCE (sat) | UBE (sat) | fT | Cob | hFE | Временные параметры: ton / tstg / tf мкс | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD2499 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 6/12 | 150 | ˂ 5 | ˂ 1,3 | 2 | 95 | 5…25 | — / 11,0 / 0,6 | TO-3PHIS |
| 3DD2499 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 6/12 | 150 | ˂ 5 | ˂ 1,3 | ˃ 1 | — | 10…40 | — / — / 1,0 | TO-3PHIS |
Аналоги
Для замены могут подойти транзисторы кремниевые со структурой NPN, мезапланарные, предназначенные для использования в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, схемах управления электродвигателями и др.
, аппаратуре общего применения.
Отечественное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UBE | IC/ICP | TJ | UCE (sat) | UBE (sat) | fT | Cob | hFE | Временные параметры: ton / tstg / tf мкс | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD2499 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 6 | 150 | ˂ 5 | ˂ 1,3 | 2 | 95 | 5…25 | — / 11,0 / 0,6 | TO-3PHIS |
| КТ839А | 50 | 1500 | — | 5 | 10 | 150 | ˂ 1,5 | — | 5 | 240 | ˃ 5 | — | TO-3 |
| КТ872А | 100 | 1500 | 700 | 6 | 8 | 150 | ˂ 1,0 | — | — | — | 6 | — / 7,5 / 1,0 | TO-218 |
| КТ872А1 | 34 | 1200 | 700 | 6 | 8 | 150 | ˂ 1,5 | — | — | — | 6 | — / 7,5 / 1,0 | TO-218 |
| КТ8107А | 100 | 1500 | 700 | 6 | 10 | 125 | ˂ 3,0 | — | — | — | 2,3 | — / 3,5 / 0,5 | TO-3 |
| КТ710А | 50 | — | 3000 | 5 | 5 | — | ˂ 3,5 | — | ˃ 1,5 | — | ˃ 3,5 | — | TO-3 |
| 2Т856А | 125 | 950 | 950 | 5 | 10 | — | ˂ 1,5 | — | — | — | 10…60 | — / — / 0,5 | TO-3 |
| КТ8118 | 50 | 900 | 800 | — | 3 | — | — | — | ˃ 15 | — | 10…40 | — | TO-220 |
Зарубежное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UBE | IC/ICP | TJ | UCE (sat) | UBE (sat) | fT | Cob | hFE | Временные параметры: ton / tstg / tf мкс | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD2499 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 6 | 150 | ˂ 5 | ˂ 1,3 | 2 | 95 | 5…25 | — / 11,0 / 0,6 | TO-3PHIS |
| 2SD2498 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 6 | 150 | ˂ 5 | ˂ 1,2 | 2 | 95 | 5…30 | — / 10 / 0,7 | TO-3PHIS |
| 2SD2500 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 10 | 150 | ˂ 3 | ˂ 1,4 | 1,7 | 135 | 10 | — / 11 / 0,7 | TO-3PHIS |
| 2SD5702 | 60 | 1500 | 800 | 6 | 6 | 150 | ˂ 5 | ˂ 1,5 | 3 | — | 10 | — / — / 0,4 | TO-3PHIS |
| 2SC5048 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 12 | 150 | ˂ 3 | ˂ 1,4 | 1,7 | 160 | 10 | — / 4 / 0,3 | TO-3PHIS |
| 2SC5129 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 10 | 150 | ˂ 3 | ˂ 1,4 | 1,7 | 135 | 10 | — / 4 / 0,3 | TO-3PHIS |
| 2SC5150 | 50 | 1700 | 700 | 5 | 10 | 150 | ˂ 3 | ˂ 1,2 | 2 | 185 | 10 | — / 4 / 0,3 | TO-3PHIS |
| 2SC5280 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 8 | 150 | ˂ 5 | ˂ 1,5 | 2 | 115 | 10 | — / 5 / 0,5 | TO-3PHIS |
| 2SC5339 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 7 | 150 | ˂ 5 | ˂ 1,3 | 2,4 | 82 | 10 | — / 8 / 0,5 | TO-3PHIS |
| 2SC5386 | 50 | 150 | 600 | 5 | 8 | 150 | ˂ 3 | ˂ 1,5 | 1,7 | 105 | 15 | — / 3,5 / 0,3 | TO-3PHIS |
| 2SC5404 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 9 | 150 | ˂ 3 | ˂ 1,5 | 2,5 | 115 | 10 | — / 3,5 / 0,3 | TO-3PHIS |
| 2SC5802 | 60 | 1500 | 800 | 6 | 10 | 150 | ˂ 3 | ˂ 1,5 | — | — | 15 | — / — / 0,3 | TO-3PHIS |
| BU4508DZ | 32 | 1500 | 800 | — | 8 | 150 | ˂ 3 | ˂ 1,03 | — | — | 7 | — / 3,75 / 0,4 | SOT186A |
| BU508DXI | 45 | 1500 | 700 | — | 8 | 150 | ˂ 1 | ˂ 1,3 | 7 | 125 | ˂ 30 | — / 6,5 / 0,7 | ISO218 |
| BUH515DX1 | 50 | 1500 | 700 | 5 | 8 | 150 | ˂ 1,5 | ˂ 1,3 | — | — | 3…10 | — / 3,6 / 0,26 | ISO218 |
| BUH515FP | 38 | 1500 | 700 | 10 | 8 | 150 | ˂ 1,5 | ˂ 1,3 | — | — | 4…12 | — / 3,9 / 0,28 | TO-220FP |
Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 2. Внешние характеристики транзистора. Зависимость тока коллектора IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных значениях тока базы IB.
Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером (на поле рисунка: “COMMON EMITTER”).
Температура корпуса Tc = 25°C.
Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления hFE от величины коллекторной нагрузки IC при различных температурах корпуса Tc и значении напряжения коллектор-эмиттер UCE = 5 В.
Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером (на поле рисунка: “COMMON EMITTER”).
Рис. 4. Зависимость напряжения коллектор-эмиттер UCE от величины тока управления (базы) IB при нескольких значениях коллекторного тока IC.
Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером (на поле рисунка: “COMMON EMITTER”).
Температура корпуса Tc = 25°C.
Рис. 5. Зависимость напряжения коллектор-эмиттер UCE от величины тока управления (базы) IB при нескольких значениях коллекторного тока IC.
Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером (на поле рисунка: “COMMON EMITTER”). Температура корпуса Tc = 100°C.
Рис. 6. Передаточная характеристика транзистора. Зависимость тока нагрузки IC от величины входного напряжения UBE.
Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером при трех различных температурах корпуса Tc и при напряжении на коллекторе UCE = 5 В.
Рис. 7. Кривая ограничения рассеиваемой мощности транзистора PC при увеличении температуры корпуса Tc.
Теплоемкость охладителя предполагается бесконечно большой (пояснение на поле рисунка — INFINITE YEAT SINK).
Рис. 8. Зависимость изменения переходного теплового сопротивления rth(j—c) (коллектор-корпус) от длительности tw одиночного неповторяющегося импульса тока.
Температура корпуса транзистора Tc = 25°C, то есть транзистор снабжен охладителем с бесконечно большой теплоемкостью.
Зависимость должна учитываться при всех тепловых ограничениях.
Рис. 9. Область безопасной работы транзистора.
Ограничения нагрузок:
- IC max (PULSED)٭ — импульсные токи коллектора, одиночные неповторяющиеся импульсы различной длительности (10 мкс, 100 мкс, 1 мс, 10 мс, 100 мс). Длительности также помечены символом «٭».
- IC max (CONTINUOUS) – постоянный ток нагрузки при Tc = 25°C (пояснение на поле рисунка DC OPERATION).
- UCEO max – предельное напряжение коллектор-эмиттер.
Ординаты всех кривых должны линейно уменьшаться с увеличением температуры.
Транзистор d2499 замена
Полупроводниковые элементы используются практически во всех электронных схемах. Те, кто называют их наиболее важными и самыми распространенными радиодеталями абсолютно правы.
Поиск данных по Вашему запросу:
Схемы, справочники, даташиты:
Прайс-листы, цены:
Обсуждения, статьи, мануалы:
Дождитесь окончания поиска во всех базах.
По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
Содержание:
- Полевой транзистор a1shb чем я могу заменить?
- Проверка транзистора мультиметром, как прозвонить и проверить
- Forum — VseProsto.
net
- Как проверить различные типы транзисторов мультиметром?
- Как проверить транзистор D2499
- Как проверить различные типы транзисторов мультиметром?
- Мощные транзисторы в строчной развертке
ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Телевизор Samsung не включается ремонт строчной развертки
Полевой транзистор a1shb чем я могу заменить?
Можете спокойно ставить любой из них, не ошибетесь. Да замените его на любой маломощный германиевый транзистор с такой же цоколевкой, иначе придется резать проводники на печатной плате.
Ваш e-mail не будет опубликован.
Поиск: Поиск. Никита К. Можно ли поменять транзистор D на С в строчной развертке? Guest 3. Где применялись транзисторы ГТ? Great Заицъ 1. В компьютерах. Я не шучу. Эти транзисторы оставили довольно приятное впечатление. Картофельный папа 2. Можно ли заменить транзистор в УНЧ на другой? Михасик 3. Сколько транзисторов у самого мощного компьютера? Jean Claude 3. Ответов еще нет.
Ваш ответ может стать первым. Гость 5. Какие испарители подходят на ай джаст некс ген? Какие сайты стоит посетить в даркнете? Почему неандертальцы были вытеснены современными людьми-кроманьонцами?
Почему в Tinder мужчины даже после совместного свайпа вправо не пишут первые? Смогу ли я учиться в колледже, если я изучал немецкий? Почему меняется поведение человека когда он влюблен? Как это объясняется с точки зрения физиологии, работы мозга? Добавить комментарий Отменить ответ Ваш e-mail не будет опубликован.
Проверка транзистора мультиметром, как прозвонить и проверить
Чем смогу помогу.
Электрик 6. Транзистор TIP Транзистор TIP41C.
Чем заменить транзистор строчной развёртки Q(BU DF)?. мощный, например D или D и прекрасно всё работает.
Forum — VseProsto.net
Можете спокойно ставить любой из них, не ошибетесь. Да замените его на любой маломощный германиевый транзистор с такой же цоколевкой, иначе придется резать проводники на печатной плате. Ваш e-mail не будет опубликован. Поиск: Поиск. Никита К. Можно ли поменять транзистор D на С в строчной развертке? Guest 3. Где применялись транзисторы ГТ? Great Заицъ 1. В компьютерах.
Как проверить различные типы транзисторов мультиметром?
Сгорел строчный транзистор? Не все так просто По статистике, выход из строя выходного транзистора строчной развертки относится к одной из наиболее часто встречающейся неисправности в телевизорах. Практически, после блока питания, строчная развертка является основным участком, на котором рассеивается наибольшая мощность. Хорошо, когда ремонт заканчивается банальной заменой строчного транзистора.
Правила форума.
Как проверить транзистор D2499
Forum — VseProsto. Пожалуйста, войдите или зарегистрируйтесь. Новости: SMF. Страницы: [ 1 ] 2 3 4. Видеопроцессор -TABN. ШИМ- D
Как проверить различные типы транзисторов мультиметром?
By Раниль , April 5, in Технофлейм. Решение этого вопроса может быть не актуальным,так как эра кинескопных телевизоров заканчивается. Транзистор чуть теплый,размеры растра не изменились. Далее,заменить С на 33мкф 50в. Хотя перечеркнул тем самым основы работы строчной развёртки,но эффективность и экономия денег всё перевесило. Что budfi, что dfx на на маленьких диагоналях кроме ой всегда ставил любой мощный, например D или D и прекрасно всё работает.
Замена импортных транзисторов на аналоги советского производства. datasheets, datasheet, data sheet, manual, pdf, datenblatt, Electronics, alldatasheet.
Мощные транзисторы в строчной развертке
Форум Новые сообщения. Что нового Новые сообщения Недавняя активность.
Вход Регистрация. Что нового.
Здравствуйте уважаемые читатели сайта sesaga. Сегодня хочу рассказать, как проверить исправность транзистора обычным мультиметром. Хотя для этого существуют специальные пробники, и даже в самом мультиметре имеется гнездо для проверки транзисторов, но, на мой взгляд, все они не совсем практичны. Вот чтобы подобрать пару транзисторов с одинаковым коэффициентом усиления h31э пробники вещь даже очень нужная. А для определения исправности достаточно будет и обыкновенного мультика. Мы знаем, что транзистор имеет два p-n перехода , причем каждый переход можно представить в виде диода полупроводника.
Нужны еще сервисы? Архив Каталог тем Добавить статью.
Как проверить мультиметром исправность строчного транзистора BU Comptech info. Как проверить мультиметром исправность строчного транзистора BU Подписываемся на наш канал ru-clip. Моя Партнерская про.. Проверка BUdfx Мастер Ломастер.
Ваши права в разделе. Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете голосовать в опросах Вы не можете добавлять файлы Вы можете скачивать файлы.
Блок питания двуполярник 7А — Ваш совет Восстановление шлейфов.
D2499 Распиновка транзистора, эквивалент, использование, характеристики и другая подробная информация
В этой статье описывается распиновка транзистора 2SD2499 или D2499, эквивалент, использование, характеристики и другая подробная информация об этом высоковольтном транзисторе в корпусе NPN TO-3PF.
Объявления
Объявления
Характеристики/технические характеристики:
- TOPM 70 OrPF 70 OrPF 70
022
- Тип транзистора: NPN
- Максимальный ток коллектора (I C ): 6A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): 600 В
- Максимальное напряжение коллектор-база (В CB ): 1500 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 В
- Макс.
тепловыделение коллектора (шт.): 50 Вт - Максимальная частота перехода (fT): 2 МГц
- Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (ч FE ): 8–25
- Максимальная температура хранения и эксплуатации: от -55 до +150 градусов по Цельсию
2SD2499 Описание транзистора:
2SD2499 — это NPN-транзистор, изготовленный в корпусе TO-3PF или также называемый корпусом TO-3PM. Транзистор обладает довольно интересными возможностями и в первую очередь предназначен для использования в схемах приложений горизонтального отклонения телевизора или монитора. Но он не ограничивается этими применениями, его высокая скорость и возможности работы с высоким напряжением делают его идеальным для использования во многих высоковольтных приложениях до 600 В, а также в высокоскоростных коммутационных приложениях.
Кроме того, ток коллектора транзистора составляет 6 А, что означает, что он может непрерывно управлять нагрузкой до 6 А.
Но некоторые производители также делают его с током коллектора 5 А, поэтому важно подтвердить ток коллектора транзистора у производителя, которого вы его покупаете, а затем управлять нагрузкой в соответствии с ним.
Еще одним плюсом этого транзистора является его низкое напряжение насыщения, которое составляет всего 5 В макс. Минимальное и максимальное усиление по постоянному току транзистора составляет от 8 до 25. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 50 Вт, а частота перехода составляет 2 МГц.
Где мы можем его использовать и как использовать:
Как упоминалось выше, транзистор в первую очередь предназначен для использования в схемах отклонения телевизора и монитора, но его хорошие характеристики также делают его идеальным для использования во многих высоковольтных и приложения для высокоскоростного переключения и широкий спектр приложений общего назначения. Этот транзистор можно использовать не только для коммутации, но и для усиления звука.
Замена и аналог:
2SC5250, 2SC3896, 2SC3894
Applications:
High voltage AC and DC applications
Motor Driver Circuits
Audio amplification
Drive load of up to 6A
Safe Operating Guidelines / Абсолютные максимальные номинальные значения:
Для получения долгосрочной и стабильной работы с этим транзистором пользователь не должен использовать это устройство при его абсолютных максимальных номинальных значениях и всегда должен оставаться на 20% ниже, чтобы обеспечить длительный срок службы этого устройства. Максимальный ток коллектора транзистора составляет 6 А, поэтому не подключайте нагрузку более 4,8 А. Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером составляет 600 В, поэтому не подключайте нагрузку более 480 В. Используйте подходящий радиатор с транзистором и всегда храните или эксплуатируйте транзистор при температуре выше -55°C и ниже +150°C.
Техническое описание
Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте ссылку ниже в браузере.
https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/2/S/D/2SD2499-INCHANGE.pdf Часть
org/Product»> транзистор%20d2499 Листы данных Context Search
| Каталог Лист данных | MFG и тип | ПДФ | Ярлыки для документов |
|---|---|---|---|
хб*9Д5Н20П
Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема ktd998 транзистор
|
Оригинал |
2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E хб*9Д5Н20П хб9д0н90н 6В стабилитрон хб*2Д0Н60П транзистор КХБ7Д0Н65Ф Транзистор BC557 киа*278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н транзистор ктд998 | |
КИА78*ПИ
Реферат: Транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2Н3904хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ ТРАНЗИСТОР мосфет КИА7812АПИ хб*2Д0Н60П
|
Оригинал |
2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET KIA7812API хб*2Д0Н60П | |
2SC4793 2sa1837
Реферат: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 эквивалент 2sc5198 транзистор 2SC5359 2SC5171 транзистор эквивалент NPN транзистор
|
Оригинал |
2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 эквивалент 2sc5198 транзистор 2SC5359 эквивалент транзистора 2SC5171 НПН-транзистор | |
транзистор
Реферат: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP
|
OCR-сканирование |
2Н3904
2Н3906
2Н4124
2Н4126
2N7000
2Н7002
до н. э.327
до н.э.328
до н.э.337
до н.э.338
транзистор
транзистор ИТТ
BC548 п-н-п транзистор
транзистор п-н-п
BC337 п-н-п транзистор
pnp bc547 транзистор
BC327 NPN-транзистор
MPSA92 168
транзистор 206
2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП
|
|
КХ520Г2
Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn переключающий транзистор 60в транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904T1PT
|
Оригинал |
А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn-переключающий транзистор 60 В транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ | |
транзистор 45 ф 122
Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 tlp 122 634 транзистор транзистор ac 127 TRANSISTOR транзистор 502 транзистор f 421
|
OCR-сканирование |
TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 тлп 122 634 транзистор транзистор переменного тока 127 ТРАНЗИСТОР транзистор 502 транзистор ф 421 | |
СТХ12С
Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
|
Оригинал |
2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | |
Варистор RU
Реферат: Транзистор СЭ110Н 2SC5487 2SA2003 Транзистор СЭ090Н высоковольтный Транзистор СЭ090 РБВ-406 2SC5586
|
Оригинал |
2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 2SA2003 SE090N высоковольтный транзистор SE090 РБВ-406 2SC5586 | |
К2Н4401
Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 D1N750 D02CZ10 D1N751
|
Оригинал |
РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 Д1Н750 D02CZ10 Д1Н751 | |
фн651
Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343
|
Оригинал |
2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1×7 STR20012 sap17n 2сд2619 РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343 | |
2SC5471
Реферат: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP
|
Оригинал |
2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 Транзистор 2SA970 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP | |
Мосфет FTR 03-E
Резюме: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF V/65e9 транзистор транзистор 2SC337
|
OCR-сканирование |
2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389 фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF Транзистор V/65e9 транзистор 2SC337 | |
фгт313
Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диодов ry2a
|
Оригинал |
2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a | |
транзистор 91 330
Реферат: tlp 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор R358 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120
|
OCR-сканирование |
4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 тлп 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор Р358 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120 | |
1999 — Системы горизонтального отклонения телевизора
Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальная секция tv Горизонтальное отклонение переключающие транзисторы TV горизонтальные системы отклонения mosfet CRT TV электронная пушка горизонтальная секция в элт-телевидение TV трансформатор обратного хода
|
Оригинал |
16 кГц
32 кГц,
64 кГц,
100 кГц.
Системы горизонтального отклонения телевизора
РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА
Ан363
Системы горизонтального отклонения телевизора 25
транзистор горизонтальной секции телевизор
Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением
Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора
ЭЛТ ТВ электронная пушка
горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре
Обратный трансформатор для телевизора
|
|
транзистор
Аннотация: силовой транзистор npn к-220 PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР TO220 транзистор PNP демпферный диод транзистор Дарлингтона 2SD2206A силовой транзистор npn транзистор дарлингтона TO220
|
Оригинал |
2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 транзистор PNP демпферный диод Транзистор Дарлингтона 2СД2206А силовой транзистор нпн дарлингтон транзистор ТО220 | |
1999 — транзистор
Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип n-канальный полевой массив Низкочастотный силовой транзистор транзистор mp40 TRANSISTOR P 3 high hfe транзистор список
|
Оригинал |
X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК n-канальный полевой массив Силовой низкочастотный транзистор транзистор мп40 ТРАНЗИСТОР Р 3 высокочастотный транзистор список | |
транзистор 835
Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 TRANSISTOR регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 w 85 транзистор 81 110 w 63 транзистор транзистор 438 TRANSISTOR GUIDE транзистор 649 |
OCR-сканирование |
БК327;
БК327А;
до н. э.328
БК337;
БК337А;
до н.э.338
до н.э.546;
до н.э.547;
до н.э.548
до н.э.556;
транзистор 835
Усилитель на транзисторе BC548
ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор
Усилитель ЗВУКА на транзисторе BC548
транзистор 81 110 Вт 85
транзистор 81 110 Вт 63
транзистор
транзистор 438
ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО
транзистор 649
|
|
2002 — SE012
Реферат: SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050e SE110N SLA-7611
|
Оригинал |
2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050е SE110N SLA-7611 | |
2SC5586
Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 диод СВЧ однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 RG-2A диод Dual MOSFET 606 TFD312S-F
|
Оригинал |
2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод для микроволновой печи однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 Диод РГ-2А Двойной МОП-транзистор 606 ТФД312С-Ф | |
PWM инверторный сварочный аппарат
Реферат: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 демпфирующий конденсатор powerex инвертор сварочная схема kd2245 kd224510 примечания по применению транзистор KD221K75
|
OCR-сканирование |
||
варикап диоды
Реферат: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Hitachi SAW Фильтр gsm-модуль с микроконтроллером P-канальный MOSFET Транзисторы MOSFET P-канальный Mosfet-транзистор Hitachi Низкочастотный силовой транзистор VHF FET LNA
|
OCR-сканирование |
PF0032 PF0040 PF0042 ПФ0045А PF0065 ПФ0065А HWCA602 HWCB602 ХВКА606 HWCB606 варикапные диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Хитачи ПАВ Фильтр gsm модуль с микроконтроллером p-канальный мосфет Транзисторы mosfet p канал МОП-транзистор хитачи Силовой низкочастотный транзистор УКВ Фет лна | |
Транзистор мощности телевизора, техническое описание
Реферат: силовой транзистор 2SD2599 эквивалент 2SC5411 транзистор 2sd2499 транзистор 2Sc5858 эквивалент 2SC5570 компоненты в горизонтальном выходе 2SC5855
|
Оригинал |
2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Технический паспорт силового транзистора телевизора силовой транзистор Эквивалент 2SD2599 транзистор 2sd2499 транзистор эквивалент 2Sc5858 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе 2SC5855 | |
2009 — 2sc3052ef
Реферат: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА КОД s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводниковый перекрестный справочник toshiba smd код маркировки транзистора
|
Оригинал |
24 ГГц BF517 Б132-Х8248-Г5-С-7600 2sc3052ef 2н2222а СОТ23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 смд 1N4148 СОД323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd маркировка код транзистора | |
org/Product»> 
org/Product»> 
org/Product»> 
org/Product»> 
org/Product»> 
org/Product»> 
org/Product»> 
org/Product»> 
org/Product»> 
