Транзистор фото. Фототранзистор: принцип работы, применение и проверка — Производство и поставка электростанций, Бензиновые и дизельные генераторы от 1 до 100 кВт. Мини ТЭЦ на базе двигателя Стирлинга.

Как устроен фототранзистор. Какие бывают типы фототранзисторов. Где применяются фототранзисторы в электронике. Как проверить работоспособность фототранзистора мультиметром.

Содержание

Что такое фототранзистор и как он работает

Фототранзистор — это полупроводниковый прибор, который объединяет в себе свойства фотодиода и обычного биполярного транзистора. Его основное отличие заключается в том, что управление током коллектора происходит не только за счет тока базы, но и под воздействием светового потока.

Принцип работы фототранзистора основан на внутреннем фотоэффекте. При освещении области базы в ней генерируются электронно-дырочные пары. Неосновные носители (дырки в n-p-n транзисторе) втягиваются электрическим полем в базу, увеличивая ее потенциал. Это приводит к открытию эмиттерного перехода и инжекции электронов в базу. В результате усиливается ток коллектора.

Основные типы и характеристики фототранзисторов

По конструкции и принципу работы различают следующие типы фототранзисторов:

Биполярные фототранзисторы — наиболее распространенный тип
Полевые фототранзисторы
Фототиристоры
Фототранзисторы с изолированным затвором (ФТИЗ)

Ключевые характеристики фототранзисторов:

Чувствительность (отношение фототока к световому потоку)
Быстродействие (время нарастания и спада фототока)
Спектральная характеристика (зависимость чувствительности от длины волны)
Темновой ток (ток коллектора при отсутствии освещения)

Области применения фототранзисторов в электронике

Благодаря высокой чувствительности к свету и усилительным свойствам фототранзисторы широко используются в различных электронных устройствах:

Оптические датчики и детекторы света
Системы автоматического управления освещением
Оптроны и оптопары для гальванической развязки цепей
Считыватели штрих-кодов и QR-кодов

Дистанционные пульты управления
Счетчики предметов на конвейерах
Датчики приближения и движения

Как проверить работоспособность фототранзистора

Для проверки фототранзистора можно использовать обычный мультиметр:

Установите мультиметр в режим проверки диодов или измерения сопротивления
Подключите щупы к выводам коллектора и эмиттера фототранзистора
В темноте прибор должен показывать высокое сопротивление (разрыв цепи)
При освещении фототранзистора сопротивление должно резко падать
Если показания не меняются, фототранзистор неисправен

Преимущества и недостатки фототранзисторов

Основные достоинства фототранзисторов:

Высокая чувствительность к свету
Большой коэффициент усиления
Низкое управляющее напряжение
Простота применения

Недостатки фототранзисторов:

Нелинейность характеристик

Зависимость параметров от температуры
Ограниченное быстродействие
Наличие темнового тока

Сравнение фототранзисторов с фотодиодами и фоторезисторами

По сравнению с другими фотоприемниками фототранзисторы имеют следующие особенности:

Выше чувствительность, чем у фотодиодов
Больший коэффициент усиления по току
Меньшее быстродействие, чем у фотодиодов
Более широкий динамический диапазон, чем у фоторезисторов
Меньшая линейность характеристик по сравнению с фотодиодами

Особенности выбора фототранзисторов для различных применений

При выборе фототранзистора следует учитывать следующие факторы:

Требуемую чувствительность и спектральный диапазон
Быстродействие схемы
Допустимый уровень шумов и темнового тока
Диапазон рабочих температур
Конструктивное исполнение (корпус, количество выводов)
Совместимость с другими компонентами схемы

Схемы включения и базовые применения фототранзисторов

Наиболее распространенные схемы включения фототранзисторов:

С общим эмиттером — для усиления фототока
С общим коллектором — для согласования высокоомной нагрузки
Дифференциальный каскад — для компенсации температурной зависимости
Оптрон — для гальванической развязки цепей

Типовые применения включают:

Оптические датчики приближения и движения
Преобразователи оптических сигналов в электрические
Оптические переключатели и прерыватели
Устройства позиционирования и юстировки

Транзистор КТ732А

Срок доставки:

5 — 15 дней

Цена:

По запросу

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ732А предназначены для применения в ключевых схемах, в преобразователях напряжения, других узлах и блоках аппаратуры широкого применения.

Особенности

диапазон рабочих температур от — 60 до + 100C
комплиментарная пара КТ733А

Обозначение технических условий

АДБК. 432140.775 ТУ

Корпусное исполнение

пластмассовый корпус КТ-43 (ТО-218)

Назначение выводов
Вывод	Назначение
№1	База
№2	Коллектор
№3	Эмиттер

Основные электрические параметры КТ732А при Токр. среды = 25 С
Параметры	Обозначение	Ед. изм.	Режимы измерения	Min	Max
Граничное напряжение коллектор-эмиттер	Uкэо гp.	В	Iк=0,2 A, Iб=0	160	—
Обратный ток коллектора	Iкбо	мА	Uкб=160В,Iэ=0	—	0,75
Обратный ток коллектор-эмиттер	Iкэо Iкэr	мА мА	Uкэ=80В, Iб=0 Uкэ=160В, Rбэ=100Ом	— —	0,75 1,0
Обратный ток эмиттера	Iэбо	мА	Uэб=7 B, Iк=0	—	1,0
Статический коэффициент передачи тока	h31Е	—	Uкэ=2 B, Iк=8 A Uкэ=4 B, Iк=16 A	>15 >8	— —
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	Uкэ(нас)	В	Iк=8 A, Iб=0,8 A Iк=16 A, Iб=2 A	—	2,0 3,5
Напряжение насыщения база-эмиттер	Uбэ(нас)	В	Iк=16 A, Iб=2 A	—	3,9
Граничная частота коэф. передачи тока	fгр.	МГц	Uкэ=20B, Iк=1A, f=0.5Мгц	1,0	—

Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ732А
Параметры	Обозначение	Единица измер.	Значение
Напряжение коллектор-база	Uкб max	В	160
Напряжение коллектор-эмиттер	Uкэ max	В	160
Напряжение эмиттер-база	Uэб max	В	7
Постоянный ток коллектора	Iк max	А	16
Импульсный ток коллектора (tи10)	Iк, и max	А	20
Постоянный ток базы	Iб max	А	5
Рассеиваемая мощность коллектора	Pк max	Вт	90
Температура перехода	Tj	C	150

Первый спиновый транзистор на основе кремния — ФПФЭ

Исследовательской группе во главе с Ианом Аппельбаумом из Делавэрского университета (США) удалось передать спин-электронный ток на марафонскую по меркам микроэлектроники дистанцию в 350 мкм сквозь беспримесную кремниевую подложку. Эта пионерская работа обозначила путь к разработке более дешевых, более быстрых и мало энергопотребляющих устройств для обработки и хранения информации.

Рис. 1. Слева: Иан Аппельбаум, создавший вместе с Бицинем Хуаном (на заднем плане) и Доу Монмой первый спиновый транзистор на кремнии, способный перемещать спины электронов на расстояния в сотни мкм и управлять ими. Справа: кремниевый спиновый чип, содержащий более десятка спиновых транзисторов. Фото с сайтов www.udel.edu и www.sciencedaily.com

Спинтроника — электроника нового поколения

Достаточно молодая область современной физики — спиновая электроника, или спинтроника, — притягивает всё больше исследователей многообещающими практическими применениями.

Если в традиционной электронике используется обычный электрический ток (перемещаются заряды), то электроника нового поколения основана на ином физическом принципе — в ней перемещаются спины электронов.

Спин электрона (собственный момент количества движения) — это внутренняя характеристика электрона, имеющая квантовую природу и не зависящая от движения электрона. Спин электрона может находиться в одном из двух состояний — либо «спин-вверх» (направление спина совпадает с направлением намагниченности магнитного материала), либо «спин-вниз» (спин и намагниченность разнонаправлены). Обычно электроны в веществе в среднем неполяризованы — электронов со спином вверх и со спином вниз примерно поровну. Орудием спинтроники является ток, создаваемый электронами с однонаправленными спинами (спиновый ток). Для получения достаточно сильного тока необходимо поляризовать спины, упорядочив их в одном направлении.

Важно, чтобы еще и время жизни спина (время, в течение которого направление спина не меняется) было достаточно большим для передачи его на нужные расстояния.

Если традиционные электронные устройства, основанные на электрических свойствах вещества, управляются преимущественно приложенным напряжением, то для манипуляции спиновыми свойствами, характеризующимися направлением спина и временем его жизни, необходимо использовать внешнее магнитное поле.

В чём секрет повышенного интереса к спинтронике? Во-первых, спиновые приборы будут многофункциональны — они позволят совмещать на одном чипе функции накопителя для хранения информации, детектора для ее считывания, логического анализатора для ее обработки и коммутатора для последующей ее передачи к другим элементам чипа.

Во-вторых, такие устройства будут обладать высокой скоростью реагирования на управляющий сигнал и потреблять значительно меньше энергии, чем устройства традиционной электроники. Это объясняется тем, что переворот спина, в отличие от перемещения заряда, практически не требует затрат энергии, а в промежутках между операциями спинтронное устройство отключается от источника питания. При изменении направления спина кинетическая энергия электрона не меняется, и значит, тепла почти не выделяется. Скорость же изменения положения спина очень высока: эксперименты показали, что переворот спина осуществляется за несколько пикосекунд (триллионных долей секунды).

Эти преимущества позволят спинтронным устройствам стать основой для ЭВМ нового поколения — квантовых компьютеров. Но чтобы это стало возможно, необходимо создать ключевые элементы «спиновых микросхем» — спиновые транзисторы, то есть устройства, в которых можно усиливать, ослаблять или выключать спиновый ток. А на базе спинового транзистора уже будут создаваться новые компьютерные процессоры, сенсоры, перепрограммируемые логические устройства и энергонезависимая быстродействующая память высокой плотности.

Спиновый транзистор: трудно сделать первый шаг

В спиновом транзисторе состояния «включен» и «выключен» зависят от направления спинов электронов, участвующих в токе. Любое спин-электронное устройство, в том числе и спиновый транзистор, должно содержать три основных элемента:

    1) механизм для электрического инжектирования (проще говоря «впрыска») спин-поляризованных (то есть выстроенных в выбранном направлении) электронов в полупроводник (будем называть этот механизм «инжектор»),
    2) средства для управления спиновым током в полупроводнике (например, приложенное напряжение, заставляющее двигаться электроны),
    3) электрическая схема для прецизионного детектирования (измерения) результирующего спинового тока (будем называть ее «детектор»).

Но наличия этих трех кирпичиков недостаточно, чтобы построить конечное устройство. Нужно еще добиться высокой эффективности электрической инжекции спинов в полупроводник и достаточной длины диффузии (перемещения) спина. А чтобы спин смог преодолеть это расстояние в полупроводнике и достичь детектора, он должен обладать достаточным временем жизни. И желательно, чтобы всё это происходило при комнатной температуре (трудно себе представить домашний компьютер с процессором на базе спиновых транзисторов, который работает только при охлаждении его до температуры жидкого гелия!).

Человечество уже десять лет вкушает плоды спинтроники в виде компьютерных жестких дисков и прецизионных сенсоров магнитного поля, в которых использован эффект гигантского магнетосопротивления. Именно за открытие этого явления Альбер Фер и Петер Грюнберг были удостоены Нобелевской премии по физике в этом году. Но создание спинового транзистора и спиновой памяти до сих пор оставалось неразрешимой задачей. Все предыдущие попытки с использованием дорогостоящих технологий и материалов (таких как GaAs, ZnO, CdS) не увенчались успехом: получавшиеся спиновые транзисторы либо работали только при очень низких температурах, либо работали при температурах, близких к комнатной, но имели при этом очень малую величину эффективности, либо позволяли передавать спиновый ток на очень незначительные расстояния, измеряемые сотнями нанометров.

Революция в спинтронике свершилась

И вот настал момент, когда с уверенностью можно сказать, что создан первый в мире спин-электронный транзистор, удовлетворяющий всем перечисленным выше критериям! Причем он создан на базе кремния, которому пророчили позицию аутсайдера в современной электронике.

Исследовательская группа в составе Иана Аппельбаума (Ian Appelbaum) и его аспиранта Бициня Хуана (Biqin Huang) из Делавэрского университета (University of Delaware), а также Доу Монмы (Douwe Monsma) из компании «Кембридж НаноТех» (Cambridge NanoTech) показала, что спин может быть транспортирован (перемещен) на марафонскую по меркам микроэлектроники дистанцию — 350 мкм!!! — сквозь беспримесную кремниевую подложку (использование беспримесной подложки позволяет добиться протекания «чистого» спинового тока в полупроводнике, что очень важно для точного детектирования результирующего сигнала).

Результаты этой пионерской работы были опубликованы 26 октября этого года в престижнейшем физическом журнале Physical Review Letters. До этого та же группа ученых впервые экспериментально продемонстрировала, что спиновый ток можно инжектировать (впрыскивать) в кремниевую подложку, управлять им и измерять его (см. статью в Nature за 17 мая 2007 года).

В работе, опубликованной 13 августа 2007 года в авторитетном журнале Applied Physics Letters , исследователи показали, как достичь очень высокой (на сегодняшний день) степени спиновой поляризации — 37%. Это означает, что от общего числа спинов, поступивших на инжектор, 37% однонаправленных спинов удалось доставить до детектора. Стопроцентной поляризации соответствует случай, когда все спины, выстроенные в выделенном направлении (чаще всего «спин-вверх»), дошли до детектора. Так как в реальных системах есть различного рода рассеивания и поглощения (система не идеальная), стопроцентной эффективности пока получить не удается.

Открытие подтверждает, что с кремния — рабочей лошадки современной электроники — можно не снимать упряжку еще многие десятилетия, используя его для создания спин-электронных устройств, таких как спиновый транзистор и спиновая память. Исследователи показали, что кремний уже сейчас может быть использован для совершения многочисленных манипуляций над спином на масштабе в несколько сот микрометров и в течение времени, достаточном для осуществления нескольких тысяч логических операций (десятки наносекунд), тем самым открывая широкую дорогу для спин электронных систем на базе кремния. Соединив в единую схему сотни или даже тысячи созданных спиновых чипов (рис. 1, справа), можно получить сверхбыстродействующее устройство для обработки информации, по своей эффективности превышающее современные процессоры в десятки раз!

Как работает спиновый транзистор

Методика экспериментов, вкратце, такова. Вначале авторы изготовили слоистую структуру, составленную из слоя ферромагнетика, слоя чистого кремния, затем второго слоя ферромагнетика, но уже другого, и наконец слоя кремния с примесями. К разным слоям этой структуры прикладывается специально подобранное напряжение, управляющее течением электронов. Поток электронов на входе неполяризован, но после прохождения ферромагнитной прослойки он приобретает поляризацию — то есть становится спиновым током. Эти электроны попадают в прослойку из чистого кремния, проходят достаточно большую дистанцию, затем попадают во второй ферромагнитный слой и выходят наружу.

Эксперименты показали, что при движении через кремний поляризация электронов частично сохраняется. Благодаря этому, изменяя взаимную ориентацию магнитных полей в двух слоях ферромагнетика, можно включать или выключать спиновый ток на выходе. Это позволяет для осуществления сверхбыстрых логических операций над информацией использовать два устойчивых состояния прибора, при которых ток либо есть (логическая «1»), либо нет (логический «0»), по аналогии с традиционным транзистором, для осуществления сверхбыстрых логических операций над информацией.

Вначале исследователи работали со слойками толщиной примерно 10 мкм, но в последней статье, опубликованной в Physical Review Letters, они увеличили промежуточный слой чистого кремния до 350 мкм — а это уже вполне макроскопический размер. Даже на таких больших расстояниях спиновый ток по-прежнему сохранялся. Таким образом, представленное устройство демонстрирует долгое время жизни спина электрона, за которое он способен преодолеть слой полупроводника толщиной до 350 мкм.

Вид транзистора, принцип действия и зонная диаграмма (диаграмма энергетических состояний барьеров, которые встречают электроны, при прохождении через вещества) показаны на рис. 2.

Рис. 2. а — изображение кремниевого спинового транзистора, b — схема работы и c — зонная диаграмма его компонентов. При постоянном напряжении на эмиттере V_e измерялся «первый коллекторный ток» I_c1 на NiFe-контакте и «второй коллекторный ток» I_c2 на индиевом контакте, осажденном на кремниевой подложке n-типа. Рис. из обсуждаемой статьи в Phys. Rev. Lett.

На первом этапе при приложенном напряжении V_e неполяризованные электроны инжектируются из алюминиевого эмиттера (источника) в ферромагнитный слой Co₈₄Fe₁₆. Благодаря спин-зависимому рассеиванию электронов в магнитном слое, электроны с выделенным направлением спина (например, «спин-вниз») отсеиваются, так как направление намагниченности слоя Co₈₄Fe₁₆ не совпадает с направлением спинов. Отобранные электроны с однонаправленными спинами туннелируют через тонкий слой Al₂O₃. В данном случае туннельный барьер проходят только «горячие» электроны (с энергией, достаточно высокой для преодоления энергетических барьеров), создавая эмиттерный ток (ток источника). «Горячие» электроны нужны для увеличения эффективности прибора.

Пройдя через барьер Шоттки (потенциальный барьер, возникающий на границе металл—полупроводник) в беспримесный монокристаллический слой кремния, электроны занимают свободные места в зоне проводимости полупроводника и, под действием приложенного к нему напряжения V_c1, начинают упорядоченное движение. При этом возникает коллекторный ток I_c1 (ток на детекторе). После прохождения через 350-микрометровый слой кремния, спин-поляризованные электроны детектируются вторым спиновым транзистором. Ферромагнитный слой Ni₈₀Fe₂₀ регистрирует спины электронов, которые инжектируются в кремний n-типа (то есть кремний, основными носителями тока в котором являются электроны) для увеличения чувствительности детектора (в зоне проводимости n-типа кремния есть избыточные электроны, которые усиливают спиновый ток), создавая коллекторный ток I_c2. Спиновый ток зависит от относительной намагниченности обоих ферромагнитных слоев.

Рис. 3. Механизм работы инжектора и детектора. а — слои Co₈₄Fe₁₆ и Ni₈₀Fe₂₀ намагничены параллельно, b — антипараллельно (emmiter — источник тока, F — первый и второй ферромагнитные слои соответственно, silicon — кремниевая прослойка, collector — приемник спинового тока). Рис. с сайта noorderlicht.vpro.nl

На рис. 3 показан механизм работы детектора. В случае параллельного направления намагниченностей в слоях Co₈₄Fe₁₆ и Ni₈₀Fe₂₀ (рис. 3а) ток выше, чем при антипараллельном направлении намагниченностей (рис. 3b). Первый режим функционирования детектора можно сравнить с футбольным матчем без вратаря: все мячи, посланные в сетку ворот, оборачиваются голом. Второму же режиму соответствует игра с очень хорошим голкипером, отражающим все летящие в ворота мячи.

Следует отметить, что при комнатной температуре транзистор всё же имеет не очень высокую эффективность работы. Хорошие результаты работы прибор показал при температуре –73°C (150 K). Так что исследователям еще нужно поработать над увеличением температурных интервалов функционирования транзистора. Авторы уверены, что с помощью их устройства вполне достижима стопроцентная спиновая поляризация, при которой все инжектированные электроны имеют ориентацию либо «спин-вверх», либо «спин-вниз» . Высокая степень поляризация позволяет более точно определять величину спинового тока, избавляя логическое устройство (в данном случае подразумевается конечное устройство на базе массива из спиновых транзисторов) от ошибок при анализе и обработке информации.

Итак, создание революционного устройства — спинового транзистора на кремнии, способного перемещать спины с выделенным направлениям на сотни микрометров в пространстве, — состоялось, ознаменовав тем самым старт для создания сверхбыстрой и низко энергопотребляющей электроники нового поколения. Это первое в мире спин-электронное устройство на кремнии, имеющее высокую степень спиновой поляризации при температуре, близкой к комнатной. По своей важности это событие может быть сравнимо с открытием классического полупроводникового транзистора шесть десятилетий назад. Нам остается только пожелать исследователям новых научных успехов и ждать появления электронной техники нового поколения.

Александр Самардак

Эта статья на «Элементах».

Transistor — Bilder und stockfotos

Bilder

Bilder
FOTOS
Grafiken
Vektoren
Видео

Durchstöbern SI 28.

808
Durchstöbern SI 2808
. Например, компьютер или конденсатор, а также более faszinierende Stock-Bilder zu entdecken.
Сортировать по номеру:
Проверить достоверность
alte funkteile — Транзисторные фотографии и фото
Alte Funkteile
Alte Funkkomponenten und Mikroschaltungen
ретро-винтажное вакуумное электронное радио. — фото и фото транзисторов
Retro Vintage Vakuum elektronische Radioröhre.
Электронная плата-деталь — фото и изображения транзисторов
Электронные детали платы
schwarze machttransistoren — транзисторы со складами и изображения
Schwarze Machttransistoren
электронный транзистор (2n2222) isoliert — транзистор со склада и изображения
электронный транзистор (2n2222) isoliert
электронный транзистор (2n2222) isoliert auf weißer Hintergrund-Makroaufnahme
halbleiter-symbolsatz изображение
транзистора
встроенных плат с изготовителем — транзисторы стоковые фотографии и изображения
Внутренние платы с включением преобразователя
Внутренние платы с включением преобразователя, конденсатора, конденсатора и других компонентов
Микрочипы, транзисторы и радиоприемники, изолированные на белом фоне — фотографии и изображения транзисторов
Микрочипы, транзисторы и радиоприемники, изолированные на белом фоне. .. Radio aus den fünfziger Jahren
ein uraltes radioelektronisches gerät. teil eines röhrenfernshers. — Фото и фото транзисторов
Ein uraltes radioelektronisches Gerät. Teil eines Röhrenfernshers
Ein uraltes radioelektronisches Gerät. Teil eines Röhrenfernshers. Старый Radioteile на Metallsockel.
Transistor-Funkempfänger auf holztisch im innenraum 3d — Транзисторные фото и изображения 3D-рендеринг
основных компонентов. — Транзисторные стоковые фотографии и изображения
Gedruckte Schaltungskomponenten.
viele integrierte schaltungschips oder ics auf weißem hintergrund, 3d-иллюстрация — стоковые фотографии и изображения транзисторов
Общие интегральные микросхемы или интегральные микросхемы на основе Hintergrund,
Все интегрированные микросхемы или микросхемы на внутреннем Hintergrund, 3D-Darstellung
-grafiken, -clipart, -cartoons und -symbole
Transistor-Icon-Vektor-Konzept-Design-Element
macro-nahaufnahme der hand halten решающий микрочип от микрона и ноутбук-компьютер-tastatur zum ersetzen toter festplatte — транзистор сток-фото и картинка
Makro-Nahaufnahme der Hand Halten Crucial Mikrchip von Micron. ..
Banner Elk, USA — 23 июня 2021: Makro-Nahaufnahme der Hand, die den Crucial Mikrchip von Micron und die Laptop-Computertatur zum Ersetzen der toten Festplatte hält
Europäischen Antike Plastik Transistorradio — фото и фото транзисторов
Europäischen Antike Plastik Transistorradio
Europäisches Transistorradio aus antikem Kunststoff auf weißem Hintergrund
makro des siliziumwaferhalbleiters — сток фото и фото транзисторов
Makro des Siliziumwaferhalbleiters
elektrische grundkomponente besteht aus widerstandsinduktivität und transistordesign flache symbolabbildung — transistor stock-grafiken, -clipart, -cartoons und -symbole
Elektrische Grundkomponente besteht aus Widerstandsinduktivität…
Grundlegende elektrische Komponente besteht aus Widerstandsinduktivität und Transistordesign flache Symbolvektorillustration
старинное ретро-радио-empfänger isoliert auf weiß. — стоковые фото и изображения транзисторов
Rote Vintage Retro-Radio-Empfänger isoliert auf weiß.
Dunkler Hintergrund der Silhouette des Computer-Motherboards für die gestaltung der it-site des unternehmens. Лейтерплатте. электронные компьютерно-аппаратные технологии. чип дигитайзера материнской платы в перспективе. — Транзисторные фотографии и изображения
Dunkler Hintergrund der Silhouette des Computer-Motherboards für…
Dunkler Hintergrund der Silhouette des Computer-Motherboards für das Design der IT-Site des Unternehmens. Лейтерплатте. Электронные компьютерно-аппаратные технологии. Оцифровка материнской платы Чип в перспективе.
Элегантный винтажный радиоприемник — транзисторное фото и фотографии
Элегантный винтажный радиоприемник
Макро-накладка на современную материнскую плату lga 1200 для процессора на черной настольной материнской плате. — фото и фото транзисторов
Makro-Aufnahme von leeren modernen LGA 1200 Sockel für CPU auf. ..
nahaufnahme von bauteilen und mikrochips auf leiterplatten — фото и фото транзисторов
Nahaufnahme von Bauteilen und Mikrochips auf 9 Mak0003platten Nahaufnahme von Bauteilen und Mikrochips auf PC-Leiterplatte
Электронный техник, пинцет и сборка. — Транзисторные стоковые фотографии и изображения
Электронный техник, штамповка и сборка в…
Плата с центральным процессором компьютера, цифровой чип для материнских плат, der mit tausenden von verbindungen in rotem und blauem licht läuft. 3d-abbildung — транзистор стоковые фото и изображение
Плата с центральным процессором для компьютера,…
Платина с центральным процессором для компьютера, цифровая функциональная материнская плата-чип с установленным на нем центральным процессором и фиолетовым цветом. 3D-иллюстрация
eine kleine grüne leiterplatte — транзисторные стоковые фотографии и изображения
Eine kleine grüne Leiterplatte
Makrofoto einer elektronischen Leiterplatte eines tragbaren Ladegeräts. Rechts eine Induktionsspule mit Kupferdrahtwicklung, eine Ringkerninduktivität
cpu, ciruits, Transtoren und halbleiter auf dem computer-материнская плата. — Транзисторные стоковые фото и изображения
Процессор, микросхемы, переходники и разъемы для компьютера-материны
, идеальный звук для электронной гитары на бюне — Транзисторные стоковые фото и изображения
Perfect Sound for E-Gitarre auf der Bühne
Электротехническое оборудование для транзисторов с цифровым мультиметрическим зондом — фотографии и изображения транзисторов
Электротехническое оборудование для транзисторов с цифровыми изображениями…
Integrierter Schaltkreis
integrierter schaltkreis — фотографии и фото транзисторов
Integrierter Schaltkreis
techniker repariert das elektronische gerät. führt den papierkondensator in die platine ein — транзистор стоковые фотографии и изображения
Techniker repariert das elektronische Gerät. Führt den…
Чип ЦП для высокотехнологичного оборудования — транзисторные фото и фотографии
Чип ЦП для высокотехнологичного оборудования
computertechnischer hintergrund. eine grüne digitale elektronische platine mit einem alten lochband (speicher) darauf und einer schwarzen tafel mit einem paarchen elliptischer zahnräder auf einem tisch. natürliche lichtschatten. — фото и фото транзисторов
Computertechnischer Hintergrund. Eine grüne digitale…
кремниевая вафля с чипами в УФ-излучении. неон. ультрафиолетовая литография. — Транзисторные фотографии и изображения
Siliziumwafer с чипами в УФ-излучении. Neon….
konzeptidee: аппаратная материнская плата pc Technic Hintergrund — Транзистор фото и фото
konzeptidee: Аппаратная Материнская плата PC Technic Hintergrund
schaltkreis nahaufnahme up — транзистор сток фото и изображение
Schaltkreis Nahaufnahme
светодиоды. электрическая глухота. мини-светодиодная лампа. — стоковые фото и изображения транзисторов
Светодиоды Die kleinen. Электрише Глюбирнен. Мини-светодиодная лампа.
Светодиоды Kleine. Электрише Глюбирнен. Мини-светодиодная лампа.
eine kleine grüne leiterplatte — транзисторные стоковые фотографии и изображения
eine kleine grüne Leiterplatte
Makrofoto einer elektronischen Leiterplatte eines tragbaren Ladegeräts. Rechts eine Induktionsspule mit Kupferdrahtwicklung, eine Ringkerninduktivität
demotage eines tragbaren ladegeräts für смартфоны и т. д. — стоковые фото и фото транзисторов
Demontage eines tragbaren Ladegeräts für Smartphones etc
Die Hand eines Mannes, der ein deektes tragbares Ladegerät auseinandernimmt. Материнская плата Dieses kleine ist ein Teil davon
leiterplatte und farbige LEDs — транзисторные фотографии и фото
leiterplatte und farbige LEDs
versuch, ein tragbares ladegerät für smartphones usw. zu reparieren — стоковые фото и фотографии транзисторов
Versuch, ein tragbares Ladegerät für Smartphones usw. zu…
Die Hände eines Mannes, der mit einer Pinzette ein defektes tragbares Ladegerät auseinandernimmt
detailaufnahme von elektronischen bauteilen auf schwarzemhintergrund. — фото и фото транзисторов
Detailaufnahme von elektronischen Bauteilen auf schwarzem…
Nahaufnahme von weißen elektronischen Farbbauteilen auf schwarzem Hintergrund.
внутренние запасы других радиоприемников — транзисторные фото и изображения
внутренние запасы других радиоприемников
Veraltet, Elektronikcomponenten, alt, Vintage, Radio, Medien,
cpu und halbleiter auf der computerplatine — транзисторные стоковые изображения и изображения
CPU und Halbleiter auf der Computerplatine
Nahaufnahme des Motherboards mit Hauptprozessor, Transistor, Siliziumschaltungen, Widerständen, Induktivität, Relais und Arbeitsspeicher. Computertechnologie, digitales Gerät und integriertes Schaltungskonzept. 3D-иллюстрация
конденсаторов в других формах — фото и изображения транзисторов
Конденсаторы в различных формах
Drei unterschiedlich große Kondensatoren in Blau und Violett auf weißem Hintergrund. Kondensatoren oder Kondensatoren werden zum Anschließen elektrischer Stromkreise verwendet und verarbeiten verschiedene Währungen von Strom auf einer Leiterplatte.
cpu und halbleiter auf der computerplatine — транзисторные фотографии и изображения
CPU und halbleiter auf der Computerplatine
Основные материнские платы с Hauptprozessor, Transistor, Siliziumschaltungen, Widerständen, Induktivität, Relais und Arbeitsspeicher. Computertechnologie, digitales Gerät und integriertes Schaltungskonzept. 3D-иллюстрация
ram, arbeitsspeicher mit wahlfreiem zugriff, steckplatz-nahaufnahme — стоковые фотографии и изображения транзисторов
RAM, Arbeitsspeicher mit wahlfreiem Zugriff, Steckplatz-Nahaufnahm
RAM, Arbeitsspeicher, Steckplatz-Nahaufnahme
Reparatur leitern — стоковые фотографии и изображения транзисторов
Reparatur leittern
Радиосимвол-векторная иллюстрация. дизайн векторной иллюстрации логотипа радио. — транзистор стоковой графики, -клипарт, -мультфильмы и -символ
Radio-Symbol-Vektor-Illustration. Radio Icon Vektor Logo Vorlage…
makroaufnahme eines siliziumwafers während der produktion in der Advanced Semiconductor Foundry, die microchips herstellt — транзисторные фотографии и фото
Makroaufnahme eines Siliziumwafers während der Produktion in der…
Nahaufnahme von Siliziumwafern während der Produktion bei Advanced Semiconductor Foundry, die Mikrochips herstellt
computerprozessor-technologie. аппаратное обеспечение процессора — транзистор фото и изображения
Computerprozessor-Technologie. CPU Halbleiter Hardware
Компьютерныепроцессортехнологии. Компьютерная печатная плата CPU-Halbleiter-Hardware in der Hand
— стоковые фотографии и изображения транзисторов
Computer circuit board
Technologie Motherboard Nahaufnahme
der chip — transistor stock-fotos und bilder
Der chip
Makroaufnahme eines schwarzen Computerchips auf einer grünen Platine
elektronische circuit board — transistor stock-fotos und bilder
Elektronische circuit board
alte transistor радио auf hölzernen Hintergrund. — Транзисторное фото и изображение
Старое транзисторное радио на Hölzernen Hintergrund.
technikhintergrund — графика стоковых транзисторов, -клипарт, -мультфильмы и -символ
Technik Hintergrund
nft-zeichen auf einem mikrochip auf einer Goldenen elektronikplatine — транзистор стоковые фото и изображения
NFT-Zeichen auf einem Mikrochip на золотом… Концепция цифрового искусства, технологий, блокчейна, метавселенной и NFTs.3d Rendering
из 100
Транзистор Фото и фотографии — Getty Images0006
Beste Übereinstimmung
Neuestes
Ältestes
Am beliebtesten
Alle Zeiträume24 Stunden48 Stunden72 Stunden7 Tage30 Tage12 MonateAngepasster Zeitraum
Lizenzfrei
Lizenzpflichtig
RF und RM
Durchstöbern Sie 3.086
transistor Stock-Fotografie und Bilder . Odersuchen Sie nach computer oder computerchip, um noch mehr faszinierende Stock-Bilder zu entdecken. Elegante Vintage Tragbares Radio — Транзисторные стоковые фотографии и бильдерэлектронные платы-детали — Транзисторные стоковые фото и бильярдные высокотехнологичные устройства Чип процессора — Транзисторные стоковые фото и бильдеррепаратур лейтерн — Транзисторные стоковые фото и бледно-голубой компьютерный чип на кончике указательного пальца — Транзисторные стоковые фотографии и изображения с символами — Транзисторные стоковые изображения, -клипарт, -мультфильмы и -символическая техника — Транзисторные стоковые изображения, -клипарты, -мультфильмы и -символы механического радио — Транзисторные стоковые фото и изображения для компьютерной платы — Транзисторные стоковые фотографии и фотографии современного компьютераплатиновый аус nächster nähe — Транзисторные стоковые фотографии и бильдершальткрайс нахауфнахме вверх — Транзисторные стоковые фотографии и бильдерреплика первого транзистора — Транзисторные стоковые фотографии и бильдерэлектронные компоненты на белом фоне — Транзисторные стоковые фотографии и бильдеринтегрьертер шальткрайс — Транзисторные фото и фотографии для ремонта мобильных телефонов в течение длительного времени — tra nsistor stock-fotos und bilderwafer — Транзисторные фото- и бильярдные фото, лучшие конструкции для персонального компьютера. — фотографии и изображения транзисторовПервый в мире транзистор, выставленный в лаборатории Alcatel-Lucent Bell Labs.старая портативная транзисторная антенна с радиоселектором фокус — изображения и изображения транзисторовРеплика первого работающего транзистора, изобретенного в 1947 Джоном Бардином, Уолтером Браттейном и Уильямом Шокли в Bell Laboratories в Соединенных Штатах… электронное техническое, пинцетное и сборочное производство. — Транзисторные стоковые фотографии и изображения, многоцветная компьютерная макрофотография пластин — Транзисторные стоковые фотографии и изображения Японский гигант электроники Sony демонстрирует транзисторный радиоприемник «TR-63», произведенный в 1957 году, который называется «карманным радиоприемником» на… Японский гигант электроники Sony демонстрирует Транзисторный радиоприемник «ТР-55» выпуска 1955 на ретроспективной выставке компании «Это Sony… ретро-фанк — стоковые фото и фотографии транзистораРеплика первого работающего транзистора, изобретенного в 1947 году Джоном Бардином, Уолтером Браттейном и Уильямом Шокли в Bell Laboratories в США… пинцет держите микросхему с фоном схемы и копирайтом — транзисторные стоковые фотографии и производство бильярдных вафель — транзисторные стоковые фотографии и бильдерпример того, как молекулярная электроника может заменить целых 50 транзисторов, диодов, резисторов и конденсаторов в виде этой миниатюры. .. компьютерная плата — транзистор стоковые фотографии и изображения процессора и компьютерный чип-концепт — транзистор стоковые фотографии и изображения транзисторов, белый фон — транзистор стоковые фотографии и изображения значок-электронный символ — транзистор стоковые изображения, -клипарт, -мультфильмы и — Symbolefehlerbehebung elektronische Circuit — Транзисторные стоковые фото и бильдерразличные транзисторы — Транзисторные стоковые фото и бильдеррайфер Манн мит колбен на дермуттере — Транзистор стоковые фотографии и фотографии схемы абстрактный макрос — Транзистор стоковые фотографии и изображениякрупный план старого ретро радио на белом фоне — Транзистор стоковые фотографии и изображения разъема чипа на кончике пальца — Транзисторные стоковые фотографии и изображения как инженерное проектирование и электронные компоненты — Транзистор стоковые фотографии и фотографииРеплика первого работающего транзистора, изобретенного в 1947, авторы Джон Бардин, Уолтер Браттейн и Уильям Шокли из Bell Laboratories в США.