Транзистор irf730

Какие основные характеристики имеет транзистор IRF730. Как правильно проверить работоспособность MOSFET-транзисторов. Чем отличается IRF730 от IRF530. Какие существуют аналоги IRF730 и IRF530.

Содержание

Основные характеристики и параметры транзистора IRF730

Транзистор IRF730 представляет собой мощный N-канальный MOSFET (полевой транзистор с изолированным затвором), широко применяемый в электронных схемах. Рассмотрим его ключевые параметры:

Корпус: TO-220AB
Напряжение пробоя сток-исток: 400 В
Максимальное напряжение затвора: 20 В
Сопротивление в открытом состоянии: 1.0 мОм
Ток стока: 5.5 А
Заряд затвора: 38.0 нКл
Рассеиваемая мощность: 74.0 Вт

Что означают эти характеристики для практического применения? Высокое напряжение пробоя сток-исток (400 В) позволяет использовать IRF730 в высоковольтных схемах. Низкое сопротивление в открытом состоянии (1.0 мОм) обеспечивает минимальные потери при коммутации больших токов. Ток стока 5.5 А указывает на способность транзистора работать с умеренными нагрузками.

Цоколевка и расположение выводов IRF730

Правильное подключение транзистора критически важно для его корректной работы. Цоколевка IRF730 в корпусе TO-220AB стандартна для MOSFET-транзисторов:

Затвор (Gate)
Сток (Drain)
Исток (Source)

Металлическая пластина на задней стороне корпуса соединена с выводом стока, что необходимо учитывать при монтаже на радиатор. Изолирующая прокладка в этом случае обязательна.

Сравнение IRF730 и IRF530: ключевые отличия

IRF530, хотя и относится к той же серии, имеет существенные отличия от IRF730:

Напряжение пробоя сток-исток: 100 В (против 400 В у IRF730)
Ток стока: 14.0 А (против 5.5 А)
Сопротивление в открытом состоянии: 0.16 мОм (против 1.0 мОм)
Рассеиваемая мощность: 88.0 Вт (против 74.0 Вт)

IRF530 лучше подходит для низковольтных приложений с более высокими токами, тогда как IRF730 оптимален для высоковольтных схем с умеренными токами. Выбор между ними зависит от конкретных требований разрабатываемого устройства.

Аналоги транзисторов IRF730 и IRF530

Для IRF730 отечественными аналогами являются КП730 и КП752А. Эти транзисторы имеют схожие характеристики и могут использоваться в качестве замены в большинстве случаев. Для IRF530 аналогами выступают КП530 и КП745А.

При выборе аналога важно учитывать не только основные параметры, но и такие характеристики, как время переключения, входная и выходная емкость. Это особенно критично для высокочастотных применений.

Методы проверки MOSFET-транзисторов

Существует несколько эффективных способов проверки работоспособности MOSFET-транзисторов:

1. Проверка сопротивления между выводами

Измерьте сопротивление между затвором и истоком (З-И), а также между затвором и стоком (З-С). В обоих случаях оно должно быть очень высоким, практически бесконечным. Это указывает на отсутствие пробоя изоляции затвора.

2. Проверка перехода исток-сток

Соедините затвор с истоком и проверьте сопротивление между истоком и стоком (И-С). Оно должно быть низким в одном направлении и высоким в другом, подобно диоду. Исключение составляют транзисторы со встроенной защитой от пробоя.

3. Метод двух омметров

Подключите один омметр между истоком и стоком (И-С), а второй — между истоком и затвором (И-З). Второй омметр должен иметь высокое входное сопротивление (около 20 МОм) и напряжение на выводах не менее 5 В. При правильной полярности подключения второго омметра транзистор должен открыться, что покажет первый омметр.

4. Метод с использованием батарейки

Сначала разрядите затвор, соединив его с истоком. Подключите омметр к истоку и стоку. Кратковременно подайте напряжение 9 В от батарейки между затвором (плюс) и истоком (минус). Транзистор должен открыться и оставаться открытым некоторое время после отключения батарейки.

Особенности применения IRF730 в электронных схемах

IRF730 часто используется в следующих типах устройств:

Импульсные источники питания
Инверторы
Контроллеры двигателей
Усилители мощности класса D

При проектировании схем с IRF730 необходимо учитывать следующие аспекты:

Теплоотвод: несмотря на низкое сопротивление открытого канала, при больших токах может потребоваться эффективный радиатор.
Защита затвора: рекомендуется использовать стабилитрон для ограничения напряжения на затворе в пределах допустимых значений.
Скорость переключения: при работе на высоких частотах важно оптимизировать цепи управления затвором для минимизации потерь на переключение.

Преимущества и недостатки IRF730 по сравнению с биполярными транзисторами

MOSFET-транзисторы, такие как IRF730, имеют ряд преимуществ перед биполярными транзисторами:

Управление напряжением, а не током, что упрощает схемы управления
Высокое входное сопротивление, минимизирующее нагрузку на управляющую схему
Отсутствие эффекта накопления заряда, позволяющее работать на более высоких частотах
Положительный температурный коэффициент, обеспечивающий лучшую температурную стабильность

Однако у IRF730 есть и некоторые недостатки:

Более высокая стоимость по сравнению с биполярными транзисторами аналогичной мощности
Чувствительность к статическому электричеству, требующая осторожности при обращении
Необходимость в более сложных схемах защиты от перенапряжений

Цоколевка транзистора IRF730

Характеристики транзистора IRF730

Корпус —TO-220AB
Напряжение пробоя сток-исток400 В
Максимальное напряжение затвора20 В
Сопротивление в открытом состоянии

1.0 мОм
Ток стока5.5 А
Заряд затвора38.0 нКл
Рассеиваемая мощность74.0 Вт
КП730, КП752А

Аналоги транзистора IRF730

Цоколевка транзистора IRF530

Характеристики транзистора IRF530

Корпус —TO-220AB
Напряжение пробоя сток-исток100 В
Максимальное напряжение затвора20 В
Сопротивление в открытом состоянии0.16 мОм
Ток стока14.0 А
Заряд затвора26.0 нКл
Рассеиваемая мощность88.0 Вт
КП530, КП745А

Аналоги транзистора IRF530

ПРОВЕРКА ПОЛЕВЫХ И MOSFET ТРАНЗИСТОРОВ

Существует несколько разных способов проверки полевых и Mosfet транзисторов. Например такой:

1. Проверить сопротивление между затвором — истоком (З-И) и затвором — стоком (З-С). Оно должно быть бесконечно большим.

2. Соединить затвор с истоком. В этом случае переход исток — сток (И-С) должен прозваниваться как диод (исключение для транзисторов, имеющих встроенную защиту от пробоя — стабилитрон с определенным напряжением открывания).

Характерной неисправностью полевых и Mosfet транзисторов является короткое замыкание З-И и З-С.

Другим способом является использование двух омметров. Первый включается для измерения между И-С, второй — между И-З. Второй омметр должен иметь высокое входное сопротивление — около 20 МОм и напряжение на выводах не менее 5 В. При подключении второго омметра в прямой полярности транзистор откроется (первый омметр покажет сопротивление близкое к нулю), при изменении полярности на противоположную транзистор закроется. Недостаток этого способа — требования к напряжению на выводах второго омметра. Естественно, цифровой мультиметр для этих целей не подходит. Это ограничивает применение такого способа проверки.

Еще один способ похож на второй. Сначала кратковременно соединяют между собой выводы З-И для того, чтобы снять имеющийся на затворе заряд. Далее к выводам И-С подключают омметр. Берут батарейку напряжением 9 В и кратковременно подключают ее плюсом к затвору, а минусом — к истоку. Транзистор откроется и будет открыт некоторое время после отключения батарейки за счет сохранения заряда. Большинство полевых и Mosfet транзисторов открывается при напряжении З-И около 2 В.

При тестировании полевых транзисторов следует соблюдать особую осторожность, чтобы не вывести его из строя статическим электричеством.

< Предыдущая		Следующая >

bsh1.ru