Транзистор irf730 – Транзисторы IRF730 — параметры, расположение выводов(цоколевка).

ТРАНЗИСТОР IRF730

Цоколевка транзистора IRF730

Характеристики транзистора IRF730

• Корпус —TO-220AB
• Напряжение пробоя сток-исток400 В
• Максимальное напряжение затвора20 В
• Сопротивление в открытом состоянии1.0 мОм
• Ток стока5.5 А
• Заряд затвора38.0 нКл
• Рассеиваемая мощность74.0 Вт
• КП730, КП752А

Аналоги транзистора IRF730

 

 

 

---

 

 

Цоколевка транзистора IRF530

 

 

 

Характеристики транзистора IRF530

 

• Корпус —TO-220AB
• Напряжение пробоя сток-исток 100 В
• Максимальное напряжение затвора20 В
• Сопротивление в открытом состоянии0.16 мОм
• Ток стока14.0 А
• Заряд затвора26.0 нКл
• Рассеиваемая мощность88.0 Вт
• КП530, КП745А

 

Аналоги транзистора IRF530

 

 

 

ПРОВЕРКА ПОЛЕВЫХ И MOSFET ТРАНЗИСТОРОВ

Существует несколько разных способов проверки полевых и Mosfet транзисторов. Например такой:

1. Проверить сопротивление между затвором — истоком (З-И) и затвором — стоком (З-С). Оно должно быть бесконечно большим.

2. Соединить затвор с истоком. В этом случае переход исток — сток (И-С) должен прозваниваться как диод (исключение для транзисторов, имеющих встроенную защиту от пробоя — стабилитрон с определенным напряжением открывания).

Характерной неисправностью полевых и Mosfet транзисторов является короткое замыкание З-И и З-С.

Другим способом является использование двух омметров. Первый включается для измерения между И-С, второй — между И-З. Второй омметр должен иметь высокое входное сопротивление — около 20 МОм и напряжение на выводах не менее 5 В. При подключении второго омметра в прямой полярности транзистор откроется (первый омметр покажет сопротивление близкое к нулю), при изменении полярности на противоположную транзистор закроется. Недостаток этого способа — требования к напряжению на выводах второго омметра. Естественно, цифровой мультиметр для этих целей не подходит. Это ограничивает применение такого способа проверки.

Еще один способ похож на второй. Сначала кратковременно соединяют между собой выводы З-И для того, чтобы снять имеющийся на затворе заряд. Далее к выводам И-С подключают омметр. Берут батарейку напряжением 9 В и кратковременно подключают ее плюсом к затвору, а минусом — к истоку. Транзистор откроется и будет открыт некоторое время после отключения батарейки за счет сохранения заряда. Большинство полевых и Mosfet транзисторов открывается при напряжении З-И около 2 В.

При тестировании полевых транзисторов следует соблюдать особую осторожность, чтобы не вывести его из строя статическим электричеством.

< Предыдущая		Следующая >

bsh1.ru

ТРАНЗИСТОР IRF730

Цоколевка транзистора IRF730

Характеристики транзистора IRF730

• Корпус —TO-220AB
• Напряжение пробоя сток-исток400 В
• Максимальное напряжение затвора20 В
• Сопротивление в открытом состоянии1.0 мОм
• Ток стока5.5 А
• Заряд затвора38.0 нКл
• Рассеиваемая мощность74.0 Вт
• КП730, КП752А

Аналоги транзистора IRF730

 

 

 

---

 

 

Цоколевка транзистора IRF530

 

 

 

Характеристики транзистора IRF530

 

• Корпус —TO-220AB
• Напряжение пробоя сток-исток100 В
• Максимальное напряжение затвора20 В
• Сопротивление в открытом состоянии0.16 мОм
• Ток стока14.0 А
• Заряд затвора26.0 нКл
• Рассеиваемая мощность88.0 Вт
• КП530, КП745А

 

Аналоги транзистора IRF530

 

 

 

ПРОВЕРКА ПОЛЕВЫХ И MOSFET ТРАНЗИСТОРОВ

Существует несколько разных способов проверки полевых и Mosfet транзисторов. Например такой:

1. Проверить сопротивление между затвором — истоком (З-И) и затвором — стоком (З-С). Оно должно быть бесконечно большим.

2. Соединить затвор с истоком. В этом случае переход исток — сток (И-С) должен прозваниваться как диод (исключение для транзисторов, имеющих встроенную защиту от пробоя — стабилитрон с определенным напряжением открывания).

Характерной неисправностью полевых и Mosfet транзисторов является короткое замыкание З-И и З-С.

Другим способом является использование двух омметров. Первый включается для измерения между И-С, второй — между И-З. Второй омметр должен иметь высокое входное сопротивление — около 20 МОм и напряжение на выводах не менее 5 В. При подключении второго омметра в прямой полярности транзистор откроется (первый омметр покажет сопротивление близкое к нулю), при изменении полярности на противоположную транзистор закроется. Недостаток этого способа — требования к напряжению на выводах второго омметра. Естественно, цифровой мультиметр для этих целей не подходит. Это ограничивает применение такого способа проверки.

Еще один способ похож на второй. Сначала кратковременно соединяют между собой выводы З-И для того, чтобы снять имеющийся на затворе заряд. Далее к выводам И-С подключают омметр. Берут батарейку напряжением 9 В и кратковременно подключают ее плюсом к затвору, а минусом — к истоку. Транзистор откроется и будет открыт некоторое время после отключения батарейки за счет сохранения заряда. Большинство полевых и Mosfet транзисторов открывается при напряжении З-И около 2 В.

При тестировании полевых транзисторов следует соблюдать особую осторожность, чтобы не вывести его из строя статическим электричеством.

< Предыдущая		Следующая >

bsh1.ru

ТРАНЗИСТОР IRF730

Цоколевка транзистора IRF730

Характеристики транзистора IRF730

• Корпус —TO-220AB
• Напряжение пробоя сток-исток400 В
• Максимальное напряжение затвора20 В
• Сопротивление в открытом состоянии1.0 мОм
• Ток стока5.5 А
• Заряд затвора38.0 нКл
• Рассеиваемая мощность74.0 Вт
• КП730, КП752А

Аналоги транзистора IRF730

 

 

 

---

 

 

Цоколевка транзистора IRF530

 

 

 

Характеристики транзистора IRF530

 

• Корпус —TO-220AB
• Напряжение пробоя сток-исток100 В
• Максимальное напряжение затвора20 В
• Сопротивление в открытом состоянии0.16 мОм
• Ток стока14.0 А
• Заряд затвора26.0 нКл
• Рассеиваемая мощность88.0 Вт
• КП530, КП745А

 

Аналоги транзистора IRF530

 

 

 

ПРОВЕРКА ПОЛЕВЫХ И MOSFET ТРАНЗИСТОРОВ

Существует несколько разных способов проверки полевых и Mosfet транзисторов. Например такой:

1. Проверить сопротивление между затвором — истоком (З-И) и затвором — стоком (З-С). Оно должно быть бесконечно большим.

2. Соединить затвор с истоком. В этом случае переход исток — сток (И-С) должен прозваниваться как диод (исключение для транзисторов, имеющих встроенную защиту от пробоя — стабилитрон с определенным напряжением открывания).

Характерной неисправностью полевых и Mosfet транзисторов является короткое замыкание З-И и З-С.

Другим способом является использование двух омметров. Первый включается для измерения между И-С, второй — между И-З. Второй омметр должен иметь высокое входное сопротивление — около 20 МОм и напряжение на выводах не менее 5 В. При подключении второго омметра в прямой полярности транзистор откроется (первый омметр покажет сопротивление близкое к нулю), при изменении полярности на противоположную транзистор закроется. Недостаток этого способа — требования к напряжению на выводах второго омметра. Естественно, цифровой мультиметр для этих целей не подходит. Это ограничивает применение такого способа проверки.

Еще один способ похож на второй. Сначала кратковременно соединяют между собой выводы З-И для того, чтобы снять имеющийся на затворе заряд. Далее к выводам И-С подключают омметр. Берут батарейку напряжением 9 В и кратковременно подключают ее плюсом к затвору, а минусом — к истоку. Транзистор откроется и будет открыт некоторое время после отключения батарейки за счет сохранения заряда. Большинство полевых и Mosfet транзисторов открывается при напряжении З-И около 2 В.

При тестировании полевых транзисторов следует соблюдать особую осторожность, чтобы не вывести его из строя статическим электричеством.

< Предыдущая		Следующая >

bsh1.ru

ТРАНЗИСТОР IRF730

Цоколевка транзистора IRF730

Характеристики транзистора IRF730

• Корпус —TO-220AB
• Напряжение пробоя сток-исток400 В
• Максимальное напряжение затвора20 В
• Сопротивление в открытом состоянии1.0 мОм
• Ток стока5.5 А
• Заряд затвора38.0 нКл
• Рассеиваемая мощность74.0 Вт
• КП730, КП752А

Аналоги транзистора IRF730

 

 

 

---

 

 

Цоколевка транзистора IRF530

 

 

 

Характеристики транзистора IRF530

 

• Корпус —TO-220AB
• Напряжение пробоя сток-исток100 В
• Максимальное напряжение затвора20 В
• Сопротивление в открытом состоянии0.16 мОм
• Ток стока14.0 А
• Заряд затвора26.0 нКл
• Рассеиваемая мощность88.0 Вт
• КП530, КП745А

 

Аналоги транзистора IRF530

 

 

 

ПРОВЕРКА ПОЛЕВЫХ И MOSFET ТРАНЗИСТОРОВ

Существует несколько разных способов проверки полевых и Mosfet транзисторов. Например такой:

1. Проверить сопротивление между затвором — истоком (З-И) и затвором — стоком (З-С). Оно должно быть бесконечно большим.

2. Соединить затвор с истоком. В этом случае переход исток — сток (И-С) должен прозваниваться как диод (исключение для транзисторов, имеющих встроенную защиту от пробоя — стабилитрон с определенным напряжением открывания).

Характерной неисправностью полевых и Mosfet транзисторов является короткое замыкание З-И и З-С.

Другим способом является использование двух омметров. Первый включается для измерения между И-С, второй — между И-З. Второй омметр должен иметь высокое входное сопротивление — около 20 МОм и напряжение на выводах не менее 5 В. При подключении второго омметра в прямой полярности транзистор откроется (первый омметр покажет сопротивление близкое к нулю), при изменении полярности на противоположную транзистор закроется. Недостаток этого способа — требования к напряжению на выводах второго омметра. Естественно, цифровой мультиметр для этих целей не подходит. Это ограничивает применение такого способа проверки.

Еще один способ похож на второй. Сначала кратковременно соединяют между собой выводы З-И для того, чтобы снять имеющийся на затворе заряд. Далее к выводам И-С подключают омметр. Берут батарейку напряжением 9 В и кратковременно подключают ее плюсом к затвору, а минусом — к истоку. Транзистор откроется и будет открыт некоторое время после отключения батарейки за счет сохранения заряда. Большинство полевых и Mosfet транзисторов открывается при напряжении З-И около 2 В.

При тестировании полевых транзисторов следует соблюдать особую осторожность, чтобы не вывести его из строя статическим электричеством.

< Предыдущая		Следующая >

www.bsh1.ru