Что такое транзистор IRFZ48N. Каковы его основные характеристики. Для чего применяется IRFZ48N. Какие у него аналоги. В чем преимущества этого транзистора.
Общая характеристика транзистора IRFZ48N
IRFZ48N — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе TO-220AB. Данный транзистор производится компанией Infineon (ранее International Rectifier) и широко используется в силовой электронике.
Основные параметры IRFZ48N:
- Максимальное напряжение сток-исток: 55 В
- Максимальный постоянный ток стока: 64 А
- Сопротивление канала в открытом состоянии: 14 мОм
- Максимальная рассеиваемая мощность: 130 Вт
- Входная емкость: 1970 пФ
- Время включения: 12 нс
- Время выключения: 34 нс
Благодаря низкому сопротивлению канала и высокой скорости переключения, IRFZ48N обеспечивает высокую эффективность в импульсных схемах.
Особенности конструкции и преимущества IRFZ48N
IRFZ48N имеет ряд конструктивных особенностей, обеспечивающих его высокие характеристики:
- Технология TrenchFET — позволяет снизить сопротивление канала
- Встроенные защитные диоды — обеспечивают устойчивость к статическим разрядам до 2 кВ
- Корпус TO-220AB — обеспечивает хороший теплоотвод
- 100% лавинностойкая конструкция — повышает надежность
Каковы основные преимущества IRFZ48N? Это низкое сопротивление канала, высокая скорость переключения, большой допустимый ток и хорошая теплоотдача. Все это делает IRFZ48N отличным выбором для силовых применений.
Области применения транзистора IRFZ48N
Благодаря своим характеристикам, IRFZ48N находит применение во многих областях силовой электроники:
- Импульсные источники питания
- DC-DC преобразователи
- Управление электродвигателями
- Схемы управления светодиодами
- Инверторы солнечных батарей
- Автомобильная электроника
- Зарядные устройства
Где чаще всего используется IRFZ48N? Наиболее широко этот транзистор применяется в импульсных блоках питания, DC-DC преобразователях и схемах управления двигателями.
Распиновка и схема включения IRFZ48N
IRFZ48N выпускается в корпусе TO-220AB с тремя выводами. Распиновка транзистора следующая:
- 1 вывод — затвор (G)
- 2 вывод — сток (D)
- 3 вывод — исток (S)
Как правильно подключить IRFZ48N в схему? Типовая схема включения выглядит следующим образом:
- Сток подключается к нагрузке
- Исток — к общему проводу
- На затвор подается управляющее напряжение через резистор 100 Ом — 1 кОм
При использовании в силовых схемах рекомендуется устанавливать IRFZ48N на радиатор для лучшего отвода тепла.
Аналоги и замены IRFZ48N
IRFZ48N имеет ряд аналогов с близкими характеристиками:
- STP60NF06 — полный аналог от STMicroelectronics
- IRLZ44N — аналог с меньшим током (47 А)
- IRF3205 — аналог с большим током (110 А)
- AOT240L — аналог от Alpha & Omega Semiconductor
- PSMN1R9-60YS — аналог от Nexperia
Какой транзистор можно использовать вместо IRFZ48N? При замене следует подбирать транзистор с близкими параметрами по напряжению, току и сопротивлению канала. В большинстве случаев подойдут указанные выше аналоги.
Основные технические характеристики IRFZ48N
Рассмотрим подробнее ключевые параметры транзистора IRFZ48N:
- Структура: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток: 55 В
- Максимальное напряжение затвор-исток: ±20 В
- Максимальный постоянный ток стока: 64 А
- Максимальный импульсный ток стока: 210 А
- Сопротивление канала в открытом состоянии: 14 мОм
- Входная емкость: 1970 пФ
- Выходная емкость: 470 пФ
- Время нарастания: 78 нс
- Время спада: 50 нс
- Максимальная рассеиваемая мощность: 130 Вт
- Диапазон рабочих температур: -55…+175°C
Какие параметры IRFZ48N наиболее важны? Для большинства применений ключевыми являются максимальное напряжение, ток, сопротивление канала и скорость переключения.
Особенности применения IRFZ48N в силовой электронике
При использовании IRFZ48N в силовых схемах следует учитывать ряд моментов:
- Необходимо обеспечить хороший теплоотвод, устанавливая транзистор на радиатор
- Рекомендуется использовать снабберные цепи для защиты от перенапряжений
- Следует ограничивать скорость нарастания напряжения на затворе для снижения помех
- При параллельном включении транзисторов нужно выравнивать токи
- Важно не превышать максимально допустимые параметры, особенно по току и напряжению
Как повысить надежность схем с IRFZ48N? Ключевые моменты — это правильный теплоотвод, защита от перенапряжений и работа в области безопасной работы транзистора.
Заключение
IRFZ48N является популярным и надежным MOSFET-транзистором для силовых применений. Его основные преимущества — низкое сопротивление канала, высокая скорость переключения и большой допустимый ток. При правильном применении IRFZ48N обеспечивает высокую эффективность и надежность в импульсных источниках питания, преобразователях и схемах управления двигателями.
Транзистор IRFZ48N полевой N-канальный 55V 64A корпус TO-220
Цена:
49 грн
артикул 12858
отсутствует
Тип: Полевые транзисторы
Транзистор IRFZ48N полевой N-канальный 55V 64A корпус TO-220 используется для подключения нагрузки с потребляемым током не более 64A
Описание товара Транзистор IRFZ48N полевой N-канальный 55V 64A корпус TO-220
- Тип транзистора: N-канальный;
- Максимальный ток «сток»-«исток»: 64A;
- Максимальный напряжение «сток»-«исток»: 55V;
- Тип корпуса: TO-220.
Отличительные особенности и преимущества транзистора IRFZ48N полевой N-канальный 55V 64A корпус TO-220
Транзистор IRFZ48N полевой N-канальный 55V 64A корпус TO-220 выполнен на основе пластины из полупроводника N-типа.
Как и в биполярном транзисторе, с двух сторон к пластине присоединены два вывода («сток» и «исток»), а управляющий электрод – затвор.
Меняя полярность и уровень приложенного напряжения к затвору, можно управлять сужением или расширением канала, внутренним сопротивлением, самое главное — током через транзистор.
Поскольку транзистор называется «полевым», управление производится электрическим полем, а не током базы, как в биполярном транзисторе. Это позволяет не тратить дополнительную энергию.
Транзистор IRFZ48N полевой N-канальный 55V 64A корпус TO-220 допускает подключение тремя способами: с общим затвором, с общим стоком, с общим истоком.
Вход полевого транзистора обладает значительным сопротивлением, что позволяет подключать высокоомный источник электрических колебаний.
Основные параметры транзистора IRFZ48N полевого
При расчете усилительных каскадов, необходимо исходить в первую очередь из тока, потребляемого нагрузкой.
Максимальный ток для полевого транзистора IRFZ48N составляет 64A. При превышении этого тока транзистор может выйти из строя.
Если нужен более мощный полупроводниковый прибор, следует купить полевой транзистор с большим выходным током «исток»-«сток».
Вторым по значимости параметром полевого транзистора является напряжение между выводами «сток» и «исток». При превышении этого параметра, транзистор может «пробиться». Для рассматриваемой модели напряжение составляет 55V.
Также транзистор IRFZ48N характеризуется напряжением отсечки на участке «затвор»-«исток». Этот показатель – пороговое значение, при котором ток через канал транзистора полностью прекращается.
От тока через транзистор и сопротивления канала зависит рассеиваемая мощность транзистора.
Если транзистор планируется устанавливать в высокочастотные схемы, дополнительно необходимо учитывать входную емкость и время переключения.
При проектировании схем с применением полевого транзистора IRFZ48N следует учитывать:
- чувствительность к перегреву;
- высокую вероятность пробоя от воздействия статического электричества.
В связи с этим при пайке полевого транзистора следует использовать средства заземления.
Предпочтительный вариант — пайка при помощи паяльника с заземлением и регулировкой температуры.
Однако лучшим решением вопроса было бы применение паяльной станции, паяльник в которой гальванически развязан от сети, снабжен антистатической защитой и регулировкой температуры.
Купить транзистор IRFZ48N полевой N-канальный 55V 64A корпус TO-220 в Киеве можно сделав заказ через корзину сайта Интернет-магазина Electronoff.
Автор на +google
БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА Заказов от 3000 гривен Послегарантийный сервис Ремонт после гарантийного срока
КАЧЕСТВО
каждый заказ мы проверяем
и даем гарантию на все товарыБЫСТРЫЙ СЕРВИС
быстрая и надежная доставка
товаров по Украине: Киев, Харьков,
Днепр, Одесса, ЛьвовВЫГОДНАЯ ЦЕНА
лучшие цены на весь ассортимент
найдете дешевле — мы доплатимПОСЛЕГАРАНТИЙНЫЙ СЕРВИС
отремонтируем любую поломку даже после гарантийного срока
Похожие товары
Транзистор IRFZ48N: Характеристики, аналоги и datasheet
В технических характеристиках на IRFZ48N говорится, что это n-канальный, мощный MOSFET-транзистор.
Благодаря встроенным стабилитронам он защищён от разрядов до 2 кВ. Благодаря использованию передовых технологий он имеет невысокое сопротивление. Это, а также быстрота переключения, позволило получить чрезвычайно эффективное и надёжное устройство для применения в самых разных конструкциях. Чаще он устанавливается в импульсных блоках питания и переключающих схемах.
Цоколевка
Все производители выпускают IRFZ48N в корпусе ТО-220. Чтобы определить назначение выводов, нужно расположить его так, чтобы ножки были внизу, а маркировка была обращена к вам. В этом случае затвор будет находиться слева, посередине сток, а самой правой будет исток. Внешний вид, основные характеристики представлены на рисунке ниже.
Технические характеристики
В начале следует ознакомиться с предельно допустимыми характеристиками. При их превышении во время работы IRFZ48N выйдет из строя. Измеряются они при т-ре +25°С. Для IRFZ48N их значения равны:
- ток стока (при VGS = 10 В):
- при температуре +25°С ID max = 64 А;
- при температуре +100°С ID max = 45 А.
- кратковременный ток стока IDM max = 210 А;
- мощность РD max = 130 Вт;
- линейный к-т снижения мощности при повышении температуры 0,83 Вт/°С;
- напряжение насыщения З – И UGS = ±20 В;
- лавинный ток IAR = 32 А;
- пиковое диодное восстановление dv/dt = 5,0 В/нс;
- температура хранения Tstg = от -55 до +175°С;
- тепловое сопротивление кристалл корпус RθJC = 1,15 °С/Вт;
- тепловое сопротивление кристалл радиатор RθCS = 0,5 °С/Вт;
- тепловое сопротивление кристалл воздух RθJА = 62 °С/Вт.
Электрические характеристики обычно рассматриваются вслед за максимальными. Их измерения проводят при температуре +25°С. Остальные параметры можно найти в отдельном столбце таблицы.
Электрические хар-ки IRFZ48N (при Т = +25 оC) | ||||||
Название | Условия измерения | Обозн | min | Тип. | max | Ед. |
Напряжение пробоя С — И | VGS = 0В, ID = 250мкА | V(BR)DSS | 55 |
|
| В |
Температурный к-т напряжения пробоя | ID = 1мA | ∆V(BR)DSS/∆TJ |
| 0,058 |
| В/°С |
Сопротивление между С — И | VGS = 10 В, ID = 32 A | RDS(on) |
|
| 14 | мОм |
Пороговое напряжение на З | VDS = VGS, ID = 250мкA | VGS(th) | 2 |
| 4 | В |
Проводимость | VDS = 25 В, ID = 32 A | gfs | 24 |
|
| S |
Утечка между С-И | VDS = 55 В, VGS = 0 В | IDSS |
|
| 25 | мкА |
VDS = 44 В, VGS = 0 В, TJ = 150°C |
|
| 250 | |||
Утечка между З-И | VGS = 20 В | IGSS |
|
| 100 | нА |
Утечка между З-И обратная | VGS = -20В |
|
| -100 | нА | |
Электростатический заряд затвора | ID = 28 А, VDS = 44 В, VGS = 10В | Qg |
|
| 81 | нКл |
Электростатический заряд З-И | Qgs |
|
| 19 | нКл | |
Электростатический заряд З-С | Qgd |
|
| 30 | нКл | |
Время задержки вкл. | VDD=28В, ID=25А, RG= 12 Ом, VGS= 10В | td(on) |
| 12 |
| нс |
Время нарастания | tr |
| 78 |
| нс | |
Время задержки выкл. | td(off) |
| 34 |
| нс | |
Время спада | tf |
| 50 |
| нс | |
Индуктивность С |
| LD |
| 4,5 |
| нГн |
Индуктивность И |
| LS |
| 7,5 |
| |
Электрическая ёмкость входа | VGS = 0 В, VDS = 25 В, f=1,0 МГц | Ciss |
| 1970 |
| пФ |
Электрическая ёмкость выхода | Coss |
| 470 |
| ||
Обратная ёмкость | Crss |
| 120 |
| ||
Энергия лавины моноимпульса | IAS = 32 A, L = 0,37 мГн | E AS |
| 700 | 190 | мДж |
Исток-сток характеристики диода | ||||||
Непрерывный ток истока (диод) |
| IS |
|
| 64 | А |
Импульсный ток истока (диод) |
| ISM |
|
| 210 | А |
Прямое напряжение диода | IS = 32 A, VGS = 0 В, TJ = 25°C | VSD |
|
| 1,3 | В |
Время восстановления при переключении в обратном направлении | IF = 32 А, TJ = 25°C, di/dt =100 А/мкс | trr |
| 68 | 100 | нс |
Заряд обратного восстановления | Qrr |
| 220 | 330 | нКл | |
Аналоги
Полным аналогом IRFZ48N является STP60NF06.
На обеих транзисторах имеется полное совпадение по используемому корпусу и расположению выводов. Имеются также ближайшие по техническим характеристикам устройства, это BUZ102S, STP55NF06. В этом случае распиновка одинакова, но могут быть немного другие технические характеристики. В качестве функциональной замены можно использовать BUZ102SL.
Производители и Datasheet
Среди основных производителей можно назвать:
- Inchange Semiconductor Company Limited;
- Kersemi Electronic;
- Philips Semiconductors.
В отечественных магазинах можно продукцию, выпущенную компанией International Rectifier. Скачать Datasheet на IRFZ48N можно кликнув на название компании.
Распиновка транзистораIRFZ48N, применение, эквивалент, особенности и многое другое
Сегодня мы собираемся обсудить распиновку транзистора IRFZ48N, его использование, эквивалент, характеристики и другие важные детали этого силового МОП-транзистора TO-220.
Объявления
Объявления
Характеристики/технические характеристики
- Тип упаковки: 90-20015 90-20015
- Тип транзистора: N Канал
- Максимальное напряжение от стока к источнику: 55 В
- Максимальное напряжение между затвором и источником должно быть: ± 20 В
- Максимальный постоянный ток утечки: 64A
- Максимальный импульсный ток стока: 210 А
- Макс. рассеиваемая мощность: 130 Вт
- Сопротивление сток-исток во включенном состоянии (RDS вкл.): 14 мОм
- Максимальная температура хранения и рабочая температура должна быть: от -55 до +175 по Цельсию
рассеиваемая мощность: 130 Вт Replacement and Equivalent
IRFZ44A, IRLZ44N, NDP7061, RFP70N06, SUP70N06-14, BUK7514-55 , BUK9514-55 , BUZ100S, BUZ100SL, BUZ110SL, IRF1010, MTP52N06V, MTP52N06VL, MTP55N06Z, NDP7061, RFP70N06 , СМП50Н06-25, СМП60Н06-18, СТП53Н06, СУП70Н06-14.
IRFZ48N MOSFET Объяснение / Описание
IRFZ48N — это силовой MOSFET, изготовленный в корпусе транзисторов TO-220. Это транзистор повышенной прочности, который можно использовать для общего использования в различных приложениях. Кроме того, транзистор обладает множеством функций, которые делают его надежным для многих коммерческих приложений, некоторые функции включают возможность быстрого переключения, устойчивость к высоким температурам до 175 градусов Цельсия, очень низкое сопротивление сток-исток во включенном состоянии всего 14 мОм, защита от электростатического разряда до 2 кОм.
вольт и т.д.
Кроме того, максимальный непрерывный ток стока транзистора составляет 64 А, что означает, что он может управлять нагрузкой до 64 А, а максимальное напряжение, подаваемое от стока к истоку, составляет 55 В, что означает, что вы можете управлять нагрузкой до 55 В с этим транзистором. Максимальная рассеиваемая мощность транзистора составляет 130 Вт, а максимальная температура пайки устройства составляет 300 градусов по Цельсию в течение 10 секунд.
Где и как использовать
Транзистор IRFZ48N предназначен для использования в различных приложениях общего назначения, поэтому вы можете использовать этот транзистор в большинстве приложений, которые подпадают под его рейтинг, но помимо этого он может также хорошо работают в некоторых приложениях, таких как импульсные источники питания, ИБП или приложения, где требуется защита от электростатического разряда высокого напряжения. Помимо этого, его также можно использовать для усиления звука.
Цепи с зарядными устройствами батареи
Цепи
Режим переключателя
DC в DC преобразователя
Солневые зарядные устройства и энергосистема
9003
SORE HARGERS и Power Suppire
9003
SOREAR HARGERS и Power Long Long
. Длительный срок службы компонента также является очень важным фактором, который следует учитывать при проектировании схемы или его использовании в схеме, поэтому я рекомендую не использовать компонент с максимальными номинальными значениями, которые сокращают срок его службы, а также снижают производительность с течением времени. Я всегда предлагаю использовать его ниже максимального рейтинга или по крайней мере на 20% ниже. То же самое относится к IRFZ48N MOSFET, максимальный непрерывный ток стока составляет 64 А, поэтому не подключайте нагрузку более 51 А, максимальное напряжение сток-исток составляет 55 В, поэтому не подключайте нагрузку более 44 В, используйте подходящий радиатор с этим транзистором и всегда используйте или храните это устройство при температуре выше -55 градусов по Цельсию и ниже +175 градусов по Цельсию.
Техническое описание
Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте ссылку ниже в адресную строку браузера.
https://cdn.datasheetspdf.com/MoV/web/viewer.html?file=/pdf-down/I/R/F/IRFZ48N-InternationalRectifier.pdf
Полупроводниковые и системные решения — Infineon Technologies
встроенный мир 2023
Посетите нас в Нюрнберге или на нашей цифровой платформе — теперь живите!
Узнать больше
Infineon на выставке APEC 2023
Посетите нас в Орландо, штат Флорида, с 19 по 23 марта!
Узнать больше
Интерактивная интеллектуальная фабрика
Погрузитесь в различные уровни промышленного предприятия и получите подробный обзор портфеля продуктов и решений Infineon для промышленной автоматизации
Исследуйте сейчас
Управление температурным режимом в электромобилях
Узнайте больше о том, как Infineon помогает поддерживать оптимальную температуру аккумуляторов электромобилей и тяговых инверторов.
Откройте для себя наши решения для управления температурным режимом
кликните сюда
Формирование будущего мобильности
Наши полупроводниковые решения обеспечивают переход к экологически чистым, безопасным и интеллектуальным мобильным услугам на всех видах транспорта
Открой для себя больше
Высококачественный звук для интеллектуальных устройств
Микрофоны XENSIV™ MEMS со сверхнизким уровнем шума и сверхнизким энергопотреблением обеспечивают высокое качество звука при вызове, активное шумоподавление и длительное время работы от батареи
Посмотреть вебинар по запросу
AIROC™ CYW43022
Лидер отрасли по мощности Wi-Fi снижает энергопотребление в спящем режиме на 65 % для аккумуляторных приложений
Узнать больше
Новости
13 марта 2023 г.
