K3918 datasheet на русском — Вместе мастерим
Даташит поиск по электронным компонентам в формате pdf на русском языке. Бесплатная база содержит более 1 000 000 файлов доступных для скачивания. Воспользуйтесь приведенной ниже формой или ссылками для быстрого поиска (datasheet) по алфавиту.Если вы не нашли нужного Вам элемента, обратитесь к администрации проекта .
2SK3918 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2SK3918
Тип транзистора: MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 29 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 48 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 14 ns
Выходная емкость (Cd): 310 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.
0075 Ohm
Тип корпуса: TO251_MP3
2SK3918 Datasheet (PDF)
DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK3918 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION ORDERING INFORMATION The 2SK3918 is N-channel MOS FET device that PART NUMBER PACKAGE features a low on-state resistance and excellent switching 2SK3918 TO-251 (MP-3) characteristics, and designed for low voltage high current 2SK3918-ZK TO-252 (MP-3ZK) applications such as DC/DC co
4.1. 2sk3911.pdf Size:193K _toshiba
2SK3911 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (MACHII ?-MOSVI) 2SK3911 Switching Regulator Applications Unit: mm • Small gate charge: Qg = 60 nC (typ.) • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.22? (typ.) • High forward transfer admittance: |Yfs| = 11 S (typ.) • Low leakage current: >4.2. 2sk3914-01.pdf Size:205K _fuji
2SK3914-01 FUJI POWER MOSFET 200509 N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Super FAP-G Series Outline Drawings [mm] Features TO-220AB High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators DC-DC converters UPS (Uninterruptible Power Supply) Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings (Tc=25°C unless
2SK3913-01MR FUJI POWER MOSFET 200509 N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Super FAP-G Series Features Outline Drawings [mm] High speed switching Low on-resistance TO-220F No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators DC-DC converters UPS (Uninterruptible Power Supply) Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings (Tc=25°C unles
2SK3917-01MR FUJI POWER MOSFET 200509 N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Super FAP-G Series Outline Drawings [mm] Features TO-220F High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators DC-DC converters UPS (Uninterruptible Power Supply) Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings (Tc=25°C unles
2SK3916-01 FUJI POWER MOSFET 200509 N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Super FAP-G Series Outline Drawings [mm] Features TO-220AB High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators DC-DC converters UPS (Uninterruptible Power Supply) Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings (Tc=25°C unless
2SK3915-01MR FUJI POWER MOSFET 200509 N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Super FAP-G Series Outline Drawings [mm] Features TO-220F High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators DC-DC converters UPS (Uninterruptible Power Supply) Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings (Tc=25°C unles
4.
7. 2sk3919.pdf Size:97K _tysemi
SMD Type SMD Type SMD Type SMD Type SMD Type IC SMD Type IC Product specification 2SK3919 TO-252 Unit: mm +0.1 6.50+0.15 2.30-0.1 -0.15 +0.8 5.30+0.2 0.50-0.7 -0.2 Features Low on-state resistance RDS(on)1 =5.6 m MAX. (VGS =10 V, >
Semiconductor Pinout Informations
K3918 Datasheet PDF – 25V, 48A, N-Ch, Power MOSFET – Renesas
Part Number : K3918
Function : 48A, 25V, Switching N-Channel Power MOSFET
Package : TO-251, TO-252 Type
The 2SK3918, K3918 is N-channel MOS FET device thatfeatures a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and designed for low voltage high current applications such as DC/DC converter with synchronous rectifier.
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
1. Drain to Source Voltage (VGS = 0 V) : VDSS = 25 V
2. Gate to Source Voltage (VDS = 0 V) : VGSS = ±20 V
3. Drain Current (DC) (TC = 25°C) : > 4. Drain Current (pulse) : > 5. Total Power Dissipation (TC = 25°C) : PT1 = 29 W
6.
Total Power Dissipation : PT2 = 1.0 W
7. Channel Temperature : Tch = 150 °C
8. Storage Temperature : Tstg = 55 to +150 °C
9. Single Avalanche Current : IAS = 22 A
10. Single Avalanche Energy : EAS = 48 mJ
1. Low on-state resistance : RDS(on)1 = 7.5 mΩ MAX. (VGS= 10 V, > 2. Low Ciss : Ciss= 1300 pF TYP.
3. 5 V drive available
Other data sheets within the file : 2SK3918, 2SK3918-ZK, K3918-ZK
Транзистор к3918 характеристика
Артикул: SKU: w Состояние: Новый товар. Шэньчжэнь Fengshengxin электроники Co. В помощь и поддержку большинства клиентов, в условиях жесткой рыночной конкуренции, корпоративной инновационной деятельности, постепенно развивающийся в формирующейся сфере электронной торговли добился больших успехов, и создал набор уникальной системы управления и эксплуатации. В управлении клиентами и управлении продажами, добилась автоматизации делопроизводства.
Поиск данных по Вашему запросу:
Схемы, справочники, даташиты:
Прайс-листы, цены:
Обсуждения, статьи, мануалы:
Дождитесь окончания поиска во всех базах.
По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
Содержание:
- Параметры MOSFET транзисторов
- forum.gigabyte.ru
Мосфеты — проверка, подбор аналогов - Транзистор КП934А
- Возможность скачать даташит (datasheet) K3918 в формате pdf электронных компонентов
- Какой может быть аналог транзистора K3918?
- Параметры MOSFET транзисторов
- K3918 Даташит — Switching N-CH Power MOSFET — Renesas
- Аналоги для k3918
ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Как читать даташиты на полевые all-audio.
pro читать характеристики на отечественные транзисторы.
Параметры MOSFET транзисторов
Транзисторы кремниевые структуры n-p-n, высоковольтные усилительные. Производство транзисторов локализовано в странах Юго-восточной Азии и в Индии. Применяются в маломощных импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов, планшетов и т. При близких почти идеинтичных общих параметрах у разных производителей транзисторы могут отличаться по расположению выводов. Выпускаются в пластмассовых корпусах TO, с гибкими выводами и TO с жесткими.
Тип прибора указывается на корпусе. На рисунке ниже — цоколевка MJE и разных производителей, с разными корпусами. У MJEA — от 10 до У MJEB — от 15 до У MJEC — от 20 до У MJED — от 25 до У MJEE — от 30 до У MJEF — от 35 до У MJEG — от 40 до У MJEH — от 45 до У MJEI — от 50 до У MJEJ — от 55 до У MJEK — от 60 до У MJEL — от 65 до Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — в.
Максимальный ток коллектора постоянный — мА. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА. Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА. Рассеиваемая мощность коллектора — в корпусе TO — 0. MJE и Транзисторы MJE и кремниевые мощные низкочастотные высоковольтные, структуры n-p-n, Как и производятся в странах ЮВА, применяются в импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов и планшетов.
Выпускаются в самых различных корпусах, обратите внимание на имеющиеся отличия в порядке расположения выводов цоколевке а так же — мощности рассеивания. Маркировка буквенно — цифровая, на корпусе. На рисунке ниже — цоколевка с различными корпусами. У MJEB — от 12 до У MJEC — от 18 до У MJED — от 27 до Максимальный ток коллектора — постоянный 1,5 А, пульсирующий — 3 А. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 1 А, базы 0,25 А. Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 1 А, базы 0,25 А —.
Рассеиваемая мощность коллектора: В корпусе TO — 1. R1 — 1 Ом, 1Ватт. R2 — 20 кОм. R3 — кОм. R4 — кОм. R5 — 43 Ом. R6 — 5,1 Ом. R7 — 33 Ом. R8 — 1 кОм. R9 — 1,5 кОм. C1 — 22 мФ,25в оксидный. C2 — 1 нФ, в. C3 — 3,3 нФ, в. C4 — 2,2 мФ,в оксидный. C5 — мФ,25в оксидный. VD1 — стабилитрон 5,6в. VD2,VD3 — диод 1N VD4 — диод 1N VD5 — индикаторный светодиод. Цоколевка транзистора MJE Автолюбителям Схемы Своими руками Датчики Усилители.
Поиск для:. Распиновка кнопки подогрева сидений ваз — Перенос кнопок подогрева сидений Каталог самоделок. Похожие записи. Уведомление о.
forum.gigabyte.ru
Shenzhen goldtech electroics co. Компания основана в Гонконге, в Шэньчжэне. Особенно в Европе. Общий объем продаж в году превысил 10 миллионов долларов. Большинство наших продуктов являются новыми и оригинальными, пожалуйста, свяжитесь со мной. Как сайту Goldtech?
Объявления по запросу «транзистор». 1 . Транзисторы ктам ктБ ктА ктА ктА. 40 ₽. Ржев .. Транзисторы (mosfet) K ₽.
Мосфеты — проверка, подбор аналогов
Если снять память и оставить процессор, то ситуация не меняется. Домашняя страница платы: gigabyte. Если блок питания уходит в защиту после включения, а без доп. Вроде логично? Для начала. Все 9 штук. Что бы лишнего не поднимать, можно прозвонить данные транзисторы прямо на плате. Как правило, виновника торжества можно вычислить.
Транзистор КП934А
В технике и радиолюбительской практике часто применяются полевые транзисторы. Такие устройства отличаются от обычных, биполярных, транзисторов тем, что в них управление выходным сигналом осуществляется управляющим электрическим полем. Особенно часто используются полевые транзисторы с изолированным затвором. В зависимости от технологии изготовления такие транзисторы могут быть n- или p-канальными. Транзистор n-канального типа состоит из кремниевой подложки с p-проводимостью, n-областей, получаемых путем добавления в подложку примесей, диэлектрика, изолирующего затвор от канала, расположенного между n-областями.
Транзисторы кремниевые структуры n-p-n, высоковольтные усилительные. Производство транзисторов локализовано в странах Юго-восточной Азии и в Индии.
Возможность скачать даташит (datasheet) K3918 в формате pdf электронных компонентов
Новости: 9. Высказывания: Богатство — для услады жизни, но жизнь не для того, чтобы копить богатства. Основные параметры полевого n-канального транзистора 2SK Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора 2SK Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Обозначение контактов: Международное: G — затвор, D — сток, S — исток.
Какой может быть аналог транзистора K3918?
Ваши права в разделе. Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете голосовать в опросах Вы не можете добавлять файлы Вы можете скачивать файлы.
Винт Seagate Baracuda написано 80 определяет Игровая приставка Sony PSone Не работают джостики. ИК порт глючит. Проблема с запуском компьютера. Моноблок Acerz s Перезагружается компьютер.
Номер в каталоге: K Function: Switching N-CHANNEL Power MOSFET Производитель: Renesas Electronics, NEC цоколевка.
Параметры MOSFET транзисторов
Помогите с подбором аналога транзистора MDD У нас 2 магазина радиодеталей и ни в одном не слышали о таком. Транзисторы которые у меня есть не подходят. В интернете информации нет.K3918 Даташит — Switching N-CH Power MOSFET — Renesas
ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Биполярный транзистор. Основные параметры, схемы включения и all-audio.pro
На материнской плате погорели транзисторы K в количестве 6-ти штук. Мамка сейчас вне доступа, модель не помню. Чем заменить — не знаю, но таких деталей в наличии нету у меня.
Мучил гугл, да не выудил вариантов вменяемых. Ответы Фото Блоги Перлы.
В публикации будут отображены аналоги и возможные замены для транзисторов зарубежного производства. Данная публикация будет пополняться по мере появления новых материалов.
Аналоги для k3918
Технологические возможности и успехи в разработке мощных полевых транзисторов привели к тому, что в настоящее время не составляет особого труда приобрести их за приемлемую цену. В связи с этим возрос интерес радиолюбителей к применению таких MOSFET транзисторов в своих электронных самоделках и проектах. Пришло время ближе познакомиться с устройством и параметрами мощных MOSFET транзисторов, чтобы в случае необходимости более осознанно подобрать аналог для конкретного экземпляра, а также иметь возможность понимать суть тех или иных величин, указанных в даташите. Их принцип работы основан на весьма оригинальном техническом решении. Их структура представляет собой несколько тысяч МОП ячеек включенных параллельно.
Ячеистые структуры образуют шестиугольник. Получается, что мощный MOSFET, по сути представляет собой эдакую супер-микросхему, в которой объединены тысячи отдельных простейших полевых транзисторов.
О компании Реквизиты Сотрудники Вакансии. Информация Сертификаты Вопрос-ответ Справочники. Общие положения Оплата и доставка Гарантия на товар Заказать товар.
K3918 Datasheet PDF — 25 В, 48 А, N-Ch, Power MOSFET
Опубликовано от Pinout
Это один из типов MOSFET. Это своего рода транзистор.
Номер по каталогу: K3918
Функция: 48 А, 25 В, N-канальное переключение питания MOSFET
Упаковка: TO-251, TO-252 Тип
Производители: NEC, Renesas Electronics
Изображение
2
Описание
2SK3918, K3918 — это N-канальный МОП-транзистор на полевых транзисторах с низким сопротивлением в открытом состоянии и отличными характеристиками переключения, предназначенный для низковольтных сильноточных приложений, таких как преобразователь постоянного тока в постоянный с синхронным выпрямителем.
Упаковка
Абсолютные максимальные значения (Ta = 25°C)
1. Напряжение сток-исток (VGS = 0 В): VDSS = 25 В
2. Напряжение затвор-исток (VDS = 0 В) ) : ВГСС = ±20 В
3. Ток стока (DC) (TC = 25°C): ID(DC) = ±48 A
4. Ток стока (импульс) : ID(puls) = ±192 A
5. Суммарная рассеиваемая мощность (TC = 25°C): PT1 = 29 Вт
6. Полная рассеиваемая мощность: PT2 = 1,0 Вт
7. Температура канала: Tch = 150 °C
8. Температура хранения: Tstg = от 55 до +150 °C
9. Одиночная лавина Ток: IAS = 22 A
10. Энергия одиночной лавины: EAS = 48 мДж
Распиновка для K3918
Особенности
1. Низкое сопротивление в открытом состоянии: RDS(on)1 = МАКС.5 мОм 7. (VGS= 10 В, ID= 24 А)
2. Низкий Ciss : Ciss= 1300 пФ ТИП.
Доступен привод 3,5 В
Другие спецификации в файле: 2SK3918, 2SK3918-ZK, K3918-ZK
K3918 Техническое описание в формате PDF
Связанные статьи в Интернете для автомобильных сетей камер, обеспечивающих передачу видео с камер высокого разрешения через несколько систем с чрезвычайно малым временем задержки менее 1 мс
Добавьте постоянную ссылку в закладки.Избранные сообщения
- YX8018 — Драйвер солнечного светодиода — Shiningic
- LTK5128 — Микросхема усилителя звука
- 4558D — двойной операционный усилитель
- 17HS4401 – 40 мм, шаговый двигатель
- 30F124 – GT30F124, 300 В, 200 А, БТИЗ
- 78L05 — 5 В, регулятор положительного напряжения
Последние сообщения
- Техническое описание M5840 в формате PDF — Автономный ШИМ-контроллер, СОП 8
- Техническое описание 17HS2408 PDF — 2-фазный гибридный шаговый двигатель
- Техническое описание 1N5223B в формате PDF — 2,7 В, 500 мВт, стабилитрон
Datasheet Search Site
- DataSheet39.com
- DataSheetsPDF.com
- Новый список обновлений
Поиск по блогам
Искать:Архив
Мета
- Войти
- Записи RSS
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
