Каковы основные характеристики полевого транзистора КП305. Где применяется транзистор КП305. Какие есть аналоги КП305 среди зарубежных транзисторов. В чем особенности и преимущества КП305.
Основные характеристики полевого транзистора КП305
Полевой транзистор КП305 относится к высокочастотным малошумящим диффузионно-планарным полевым транзисторам с изолированным затвором и каналом n-типа. Рассмотрим его ключевые параметры:
- Структура: с изолированным затвором и n-каналом
- Максимальное напряжение сток-исток: 15 В
- Максимальное напряжение затвор-исток: ±15 В
- Максимальный ток стока: 15 мА
- Крутизна характеристики: 4-10.5 мА/В (в зависимости от модификации)
- Входная емкость: не более 5 пФ
- Коэффициент шума: не более 7.5 дБ на частоте 250 МГц
Транзистор КП305 выпускается в нескольких модификациях: КП305Д, КП305Е, КП305Ж, КП305И, которые отличаются некоторыми параметрами. Диапазон рабочих температур составляет от -60°C до +125°C.
Область применения транзистора КП305
Благодаря своим характеристикам, полевой транзистор КП305 нашел широкое применение в различных электронных устройствах и схемах:
- Усилители высокой частоты
- Малошумящие усилители
- Преобразователи частоты
- Генераторы
- Коммутаторы сигналов
- Аттенюаторы с электронным управлением
Какие преимущества дает использование КП305 в этих устройствах? Транзистор обеспечивает высокое входное сопротивление, низкий уровень шумов и хорошие высокочастотные характеристики, что критически важно для качественного усиления и обработки сигналов.
Зарубежные аналоги транзистора КП305
При разработке или ремонте электронных устройств часто возникает необходимость замены КП305 на аналогичный зарубежный транзистор. Рассмотрим наиболее близкие аналоги:
- MFE3004 — близкий аналог КП305Д
- 2N4223 — может заменить КП305Д
- 2N4224 — аналог КП305Е
- MFE3002 — подходит для замены всех модификаций КП305
- BF543 — близок по характеристикам к КП305
- 2SK439 — японский аналог КП305
При выборе аналога важно тщательно сравнивать все ключевые параметры, так как полного совпадения характеристик у разных производителей добиться сложно. В некоторых случаях может потребоваться небольшая корректировка схемы.
Особенности и преимущества транзистора КП305
Полевой транзистор КП305 обладает рядом важных особенностей, которые определяют его преимущества:
- Высокое входное сопротивление
- Низкий уровень собственных шумов
- Хорошая линейность характеристик
- Стабильность параметров в широком диапазоне температур
- Высокая крутизна характеристики
- Малая входная емкость
Особенности применения КП305 в схемотехнике
При разработке схем с использованием полевого транзистора КП305 следует учитывать некоторые особенности:
- Необходимость защиты затвора от статического электричества
- Чувствительность к перегреву при монтаже
- Важность правильного выбора режима по постоянному току
- Необходимость экранирования в ВЧ схемах
Соблюдение этих правил позволит максимально эффективно использовать все преимущества транзистора КП305 и обеспечить стабильную работу устройства.
Сравнение КП305 с биполярными транзисторами
Чем отличается полевой транзистор КП305 от биполярных транзисторов? Основные отличия заключаются в следующем:
- Очень высокое входное сопротивление (десятки МОм)
- Управление напряжением, а не током
- Меньший уровень шумов
- Лучшая линейность характеристик
- Отсутствие эффекта накопления заряда
Эти особенности делают КП305 предпочтительным выбором для многих высокочастотных и малошумящих схем по сравнению с биполярными транзисторами.
Перспективы применения и развития технологии КП305
Несмотря на появление новых типов полевых транзисторов, КП305 продолжает активно применяться в электронике. Какие перспективы у этой технологии?
- Дальнейшая оптимизация параметров
- Расширение частотного диапазона
- Улучшение шумовых характеристик
- Повышение надежности и стабильности
- Разработка новых модификаций для специальных применений
Развитие технологии производства позволит и дальше совершенствовать характеристики транзистора КП305, расширяя сферы его эффективного применения в современной электронике.
Транзистор полевой КП305 — DataSheet
Перейти к содержимому
Цоколевка транзистора КП305
Описание
Высокочастотные малошумящие диффузионно-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60…+125 °С.
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КП305Д | MFE3004, 2N4223, MFE3002 *2, BF543 *3, 2SK439 *3 | |||
| КП305Е | 2N4224, MFE3002 *2, BF543 *3, 2SK439 *3 | ||||
| КП305Ж | MFE3002 *2, BF543 *3, 2SK439 *3 | ||||
| КП305И | MFE3002 *2, BF543 *3, 2SK439 *3 | ||||
| Структура | — | C изолированным затвором и n-каналом | |||
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). | PСИ, P*СИ, т max | КП305Д | — | 150 | мВт, (Вт*) |
| КП305Е | — | 150 | |||
| КП305Ж | — | 150 | |||
| КП305И | — | 150 | |||
| Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором). | UЗИ отс, U*ЗИ пор | КП305Д | — | ≥6 | В |
| КП305Е | — | ≥6 | |||
| КП305Ж | — | ≥6 | |||
| КП305И | — | ≥6 | |||
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. | UСИ max, U* ЗC max | КП305Д | — | 15; ±15* | В |
| КП305Е | — | 15; ±15* | |||
| КП305Ж | — | 15; ±15* | |||
| КП305И | — | 15; ±15* | |||
| Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). | UЗИ max | КП305Д | — | ±15 | В |
| КП305Е | — | ±15 | |||
| КП305Ж | — | ±15 | |||
| КП305И | — | ±15 | |||
Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) | IС, I*С, И | КП305Д | — | 15 | мА |
| КП305Е | — | 15 | |||
| КП305Ж | — | 15 | |||
| КП305И | — | 15 | |||
| Начальный ток стока | IС нач, I*С ост | КП305Д | — | — | мА |
| КП305Е | — | — | |||
| КП305Ж | — | — | |||
| КП305И | — | — | |||
| Крутизна характеристики полевого транзистора | S | КП305Д | 10 В; 5 мА | 5. 2…10.5 | мА/В |
| КП305Е | 10 В; 5 мА | 4…8 | |||
| КП305Ж | 10 В; 5 мА | 5.2…10.5 | |||
| КП305И | 10 В; 5 мА | 4…10.5 | |||
| Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком | C11и, С*12и, С*22и | КП305Д | — | ≤5; ≤0.8* | пФ |
| КП305Е | — | ≤5; ≤0.8* | |||
| КП305Ж | — | ≤5; ≤0.8* | |||
| КП305И | — | ≤5; ≤0.8* | |||
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток | RСИ отк, K*у. P, P**вых, ΔUЗИ | КП305Д | 250 МГц | ≥13* | Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***) |
| КП305Е | — | — | |||
| КП305Ж | 250 МГц | ≥13* | |||
| КП305И | — | — | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, U*ш, E**ш, Q*** | КП305Д | 250 МГц | ≤7.5 | Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**) |
| КП305Е | — | — | |||
| КП305Ж | 250 МГц | ≤7.5 | |||
| КП305И | — | — | |||
| Время включения транзистора | tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT | КП305Д | — | — | нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***) |
| КП305Е | — | — | |||
| КП305Ж | — | — | |||
| КП305И | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в буквенных обозначениях параметров полевых транзисторов.
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Полевые транзисторы КП305 основные характеристики, цоколевка и зарубежные аналоги
Рис.1. Полевые транзисторы КП305 внешний вид и цоколевка.
Высокочастотные малошумящие диффузионно-планарные полевые транзисторы КП305 с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях высоких и низких частот с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60…+125 °С.
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Структура | — | C изолированным затвором и n-каналом | |||
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). | PСИ, P*СИ, т max | КП305Д | — | 150 | мВт, (Вт*) |
| КП305Е | — | 150 | |||
| КП305Ж | — | 150 | |||
| КП305И | — | 150 | |||
| Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором). | UЗИ отс, U*ЗИ пор | КП305Д | — | ≥6 | В |
| КП305Е | — | ≥6 | |||
| КП305Ж | — | ≥6 | |||
| КП305И | — | ≥6 | |||
| Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. | UСИ max, U*ЗC max | КП305Д | — | 15; ±15 | В |
| КП305Е | — | 15; ±15 | |||
| КП305Ж | — | 15; ±15 | |||
| КП305И | — | 15; ±15 | |||
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). | UЗИ max | КП305Д | — | ±15 | В |
| КП305Е | — | ±15 | |||
| КП305Ж | — | ±15 | |||
| КП305И | — | ±15 | |||
| Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) | IС, I*С, И | КП305Д | — | 15 | мА |
| КП305Е | — | 15 | |||
| КП305Ж | — | 15 | |||
| КП305И | — | 15 | |||
| Начальный ток стока | IС нач, I*С ост | КП305Д | — | — | мА |
| КП305Е | — | — | |||
| КП305Ж | — | — | |||
| КП305И | — | — | |||
| Крутизна характеристики полевого транзистора | S | КП305Д | 10 В; 5 мА | 5. 2…10.5 | мА/В |
| КП305Е | 10 В; 5 мА | 4…8 | |||
| КП305Ж | 10 В; 5 мА | 5.2…10.5 | |||
| КП305И | 10 В; 5 мА | 4…10.5 | |||
| Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком | C11и, С*12и, С*22и | КП305Д | — | ≤5; ≤0.8* | пФ |
| КП305Е | — | ≤5; ≤0.8* | |||
| КП305Ж | — | ≤5; ≤0.8* | |||
| КП305И | — | ≤5; ≤0.8* | |||
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток | RСИ отк, K*у.P, P**вых, ΔUЗИ | КП305Д | 250 МГц | ≥13* | Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***) |
| КП305Е | — | — | |||
| КП305Ж | 250 МГц | ≥13* | |||
| КП305И | — | — | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, U*ш, E**ш, Q*** | КП305Д | 250 МГц | ≤7. 5 | Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**) |
| КП305Е | — | — | |||
| КП305Ж | 250 МГц | ≤7.5 | |||
| КП305И | — | — | |||
| Время включения транзистора | tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT | КП305Д | — | — | нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***) |
| КП305Е | — | — | |||
| КП305Ж | — | — | |||
| КП305И | — | — |
КП305Д — MFE3004, 2N4223
КП305Е — 2N4224
КП303Д — MFE3004, 2N4223
КП303Е — 2N4224
Смотрите так же: Аналоги отечественных и зарубежных транзисторов.
транзистор%20кп%20305 спецификация и примечания по применению
Лучшие результаты (6)
| Часть | Модель ECAD | Производитель | Описание | Техническое описание Скачать | Купить Часть |
|---|---|---|---|---|---|
| UJ3C065080T3S | UnitedSiC | Мощный полевой транзистор | |||
| UF3C065080K3S | UnitedSiC | 650 В, 80 мОм SiC FET TO-247-3L | |||
| UF3C120400K3S | UnitedSiC | 1200 В-410 мОм SiC FET TO-247-3L | |||
| UF4C120053K3S | UnitedSiC | 1200 В, 53 мОм SiC FET TO-247-3L | |||
| UJ3C065080K3S | UnitedSiC | 650 В, 80 мОм SiC FET TO-247-3L | |||
| UJ4C075023K3S | UnitedSiC | 750 В, 23 мОм SiC FET TO-247-3L |
org/Product»>
org/Product»>транзистор%20кп%20305 Спецификации Context Search
| Каталог Спецификация | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
|---|---|---|---|
хб*9Д5Н20П Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема ktd998 транзистор | Оригинал | 2N2904E
до н. э.859
КДС135С
2N2906E
до н.э.860
KAC3301QN
КДС160
2Н3904
BCV71
KDB2151E
хб*9Д5Н20П
хб9д0н90н
6В стабилитрон
хб*2Д0Н60П
транзистор
КХБ7Д0Н65Ф
Транзистор BC557
киа*278R33PI
КХБ9Схема Д0Н90Н
транзистор ктд998 | |
КИА78*ПИ Реферат: Транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2Н3904хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ ТРАНЗИСТОР мосфет КИА7812АПИ хб*2Д0Н60П | Оригинал | 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET KIA7812API хб*2Д0Н60П | |
2SC4793 2sa1837 Реферат: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 эквивалент 2sc5198 транзистор 2SC5359 2SC5171 транзистор эквивалент NPN транзистор | Оригинал | 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 2sc5198 эквивалент транзистор 2SC5359 эквивалент транзистора 2SC5171 НПН-транзистор | |
транзистор Реферат: Транзистор ITT BC548 pnp транзистор pnp BC337 pnp транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 TRANSISTOR PNP | OCR-сканирование | 2Н3904 2Н3906 2Н4124 2Н4126 2N7000 2Н7002 до н.э.327 до н.э.328 до н.э.337 до н.э.338 транзистор транзистор ИТТ BC548 п-н-п транзистор транзистор п-н-п BC337 п-н-п транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN-транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП | |
Ч520Г2 Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn переключающий транзистор 60в транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500ма 100ма Ч4904Т1ПТ | Оригинал | А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn-переключающий транзистор 60 В транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904T1PT | |
транзистор 45 f 122 Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 tlp 122 634 транзистор транзистор ac 127 TRANSISTOR транзистор 502 транзистор f 421 | OCR-сканирование | TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 тлп 122 634 транзистор транзистор переменного тока 127 ТРАНЗИСТОР транзистор 502 транзистор ф 421 | |
СТХ12С Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | |
Варистор RU Реферат: Транзистор SE110N 2SC5487 2SA2003 SE090N высоковольтный транзистор SE090 RBV-406 2SC5586 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 2SA2003 SE090N высоковольтный транзистор SE090 РБВ-406 2SC5586 | |
К2Н4401 Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 D1N750 D02CZ10 D1N751 | Оригинал | РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 Д1Н750 D02CZ10 Д1Н751 | |
фн651 Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1х7 STR20012 sap17n 2сд2619РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343 | |
2SC5471 Аннотация: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP | Оригинал | 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP | |
Мосфет ФТР 03-Е Резюме: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF V/65e9 транзистор транзистор 2SC337 | OCR-сканирование | 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389 фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF V/65e9транзистор транзистор 2SC337 | |
фгт313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a | Оригинал | 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a | |
транзистор 91 330 Реферат: tlp 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор R358 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 | OCR-сканирование | 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 тлп 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор Р358 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120 | |
1999 — Системы горизонтального отклонения телевизора Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальная секция tv Горизонтальное отклонение переключающие транзисторы TV горизонтальные системы отклонения mosfet CRT TV электронная пушка горизонтальная секция в элт-телевидение TV трансформатор обратного хода | Оригинал | 16 кГц
32 кГц,
64 кГц,
100 кГц. Системы горизонтального отклонения телевизора
РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА
Ан363
Системы горизонтального отклонения телевизора 25
транзистор горизонтальной секции телевизор
Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением
Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора
ЭЛТ ТВ электронная пушка
горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре
Обратный трансформатор для телевизора | |
транзистор Аннотация: силовой транзистор npn к-220 PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР TO220 транзистор PNP демпферный диод транзистор Дарлингтона 2SD2206A силовой транзистор npn транзистор дарлингтона TO220 | Оригинал | 2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 транзистор PNP демпферный диод Транзистор Дарлингтона 2СД2206А силовой транзистор нпн дарлингтон транзистор ТО220 | |
1999 — транзистор Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип n-канальный полевой массив Низкочастотный силовой транзистор транзистор mp40 TRANSISTOR P 3 high hfe транзистор список | Оригинал | X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК n-канальный полевой массив Силовой низкочастотный транзистор транзистор мп40 ТРАНЗИСТОР Р 3 высокочастотный транзистор список | |
транзистор 835 Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 TRANSISTOR регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 w 85 транзистор 81 110 w 63 транзистор транзистор 438 TRANSISTOR GUIDE транзистор 649 | OCR-сканирование | БК327;
БК327А;
до н. э.328
БК337;
БК337А;
до н.э.338
до н.э.546;
до н.э.547;
до н.э.548
до н.э.556;
транзистор 835
Усилитель на транзисторе BC548
ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор
Усилитель ЗВУКА на транзисторе BC548
транзистор 81 110 Вт 85
транзистор 81 110 Вт 63
транзистор
транзистор 438
ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО
транзистор 649 | |
2002 — SE012 Реферат: SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050e SE110N SLA-7611 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050е SE110N SLA-7611 | |
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 диод СВЧ однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 RG-2A диод Dual MOSFET 606 TFD312S-F | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод для микроволновой печи однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 Диод РГ-2А Двойной МОП-транзистор 606 ТФД312С-Ф | |
PWM ИНВЕРТОРНЫЙ сварочный аппарат Реферат: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 демпфирующий конденсатор powerex инвертор сварочная схема kd2245 kd224510 примечания по применению транзистор KD221K75 | OCR-сканирование | ||
варикап диоды Реферат: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Hitachi SAW Фильтр gsm-модуль с микроконтроллером P-канальный MOSFET Транзисторы MOSFET P-канальный Mosfet-транзистор Hitachi Низкочастотный силовой транзистор VHF FET LNA | OCR-сканирование | PF0032 PF0040 PF0042 ПФ0045А PF0065 ПФ0065А HWCA602 HWCB602 ХВКА606 HWCB606 варикапные диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Хитачи ПАВ Фильтр gsm модуль с микроконтроллером p-канальный мосфет Транзисторы mosfet p канал МОП-транзистор хитачи Силовой низкочастотный транзистор УКВ Фет лна | |
Транзистор мощности телевизора, техническое описание Реферат: силовой транзистор 2SD2599 эквивалент 2SC5411 транзистор 2sd2499 транзистор 2Sc5858 эквивалент 2SC5570 компоненты в горизонтальном выходе 2SC5855 | Оригинал | 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Технический паспорт силового транзистора телевизора силовой транзистор Эквивалент 2SD2599 транзистор 2sd2499 транзистор эквивалент 2Sc5858 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе 2SC5855 | |
2009 — 2sc3052ef Реферат: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА КОД s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводниковый перекрестный справочник toshiba smd код маркировки транзистора | Оригинал | 24 ГГц BF517 Б132-Х8248-Г5-С-7600 2sc3052ef 2н2222а СОТ23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 смд 1N4148 СОД323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd маркировка код транзистора | |
2007 — ДДА114ТХ Резюме: DCX114EH DDC114TH | Оригинал | DCS/PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22кОм 47кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH | |
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>Предыдущий 1 2 3 … 23 24 25 Next
X0403BE техническое описание — Sensitine GATE SCR
Детали, техническое описание, цитата по номеру детали: X0403BE
| Деталь | X0403BE |
| Категория | |
| Описание | Sensitine GATE SCR |
| Компания | ST Microelectronics, Inc. |
| Техническое описание | Загрузить X0403BE Техническое описание |
| Цитата | Где купить |
Некоторые номера деталей того же производителя ST Microelectronics, Inc. |
| M41T256Y_07 256 кбит (32K x 8) Последовательный RTC |
| STLVDS31_06 Высокоскоростные дифференциальные линейные приемники |
| AN874 Высокочастотные демпферные диоды |
| ST22L096 Смарт-карта 32-разрядный RISC MCU с 32, 64, 96, 128 Кбайт Eeprom, Javacard HW Execution & Cryptographic Library |
| TL061BID Одиночный операционный усилитель малой мощности на полевых транзисторах |
| STW4102 Двойной USB-адаптер Зарядное устройство для литий-ионных аккумуляторов с газовым манометром |
| M68AW031AL70MS6U 256 Кбит (32K x8) 3,0 В Асинхронная SRAM |
| LD3985 Сверхнизкие малошумящие регуляторы напряжения Bicmos Конденсаторы с низким ESR, совместимые |
| SNDEV-250 Полные, полнофункциональные наборы инструментов для сетей на базе Zigbee |
| ST72E5XX Средства разработки в реальном времени ДЛЯ Семейства микроконтроллеров ST7 |
| LM324D/DT Счетверенные операционные усилители малой мощности |
| PL12Z Диоды Зендер Диоды Зендер |
| ST1S03RPM 1,5a, 1,5 МГц Регулируемый импульсный понижающий регулятор IN DFN6 |
| TC651CGUA Миниатюрный встроенный датчик температуры и бесщеточный контроллер вентилятора постоянного тока с предупреждением о перегреве |
| BUT32V_03 Силовой модуль транзистора NPN |
| Стабилитроны RZ10B Диоды Зенера |
| L7809ABD2T-TR Прецизионные регуляторы 1 A |
| PSD953F2-12J Флэш-память Внутрисистемные программируемые периферийные устройства ISP для 8-разрядных микроконтроллеров |
M27W402-100K6 : 4 Мбит (256 КБ X16) низковольтная OTP EPROM PSD413A1 : PSD (программируемая системная память) Семейство PSD4XX/ZPSD4XX Программируемые пользователем периферийные устройства микроконтроллера PSD835F1V-70U: Настраиваемая система памяти на кристалле для 8-битных микроконтроллеров PSD813F4V-15J : Флэш-программируемая внутрисистемная периферия ISP для 8-битных микроконтроллеров M95256-WBN3TP: 256-килобитная последовательная шина SPI Eeprom с высокоскоростным тактовым генератором M29W400DT55ZE6F : 4 Мбит (512 Кбит x 8 или 256 Кбит x 16, загрузочный блок) 3 В питания Флэш-память M24C02-RMB3TG: 16 кбит, 8 кбит, 4 кбит, 2 кбит и 1 кбит последовательная шина I2C Eeprom L78L10CDTR : Регуляторы положительного напряжения STEVAL-ISA084V1: Оценочная плата аналогового вывода МЭМС на основе Lis3l06al BTA12-600BRG: 600 В, 12 А, симистор Технические характеристики: Тип тиристора: симистор; Тип упаковки: ТО-220, ТО-220, 3 контакта; Количество выводов: 3; ВДРМ: 600 вольт; ИТ (RMS): 12 ампер; Стандарты и сертификаты: RoHS ST72324BLS4B5/XXX: 8-БИТ, MROM, 8 МГц, МИКРОКОНТРОЛЛЕР, PDIP42 Характеристики: Стадия жизненного цикла: АКТИВНЫЙ; Тактовая частота: 16 МГц; Тип ПЗУ: MROM; Напряжение питания: от 3,8 до 5,5 вольт; Порты ввода-вывода: 32; Тип упаковки: CDIP, прочее, 0,600 дюйма, термоусадочная, пластиковая, DIP-42; Рабочий диапазон: коммерческий; Количество выводов: 42; Рабочая температура: от 0 до 70 C (от 32 до 158 F); Особенность STM8L152M8T6 : IC, MICROCONTROLLER, 8-BIT, ST8 CPU, QFP, 48PIN, PLASTIC Характеристики: Стадия жизненного цикла: АКТИВНЫЙ |
Scsi — односторонний, пакет: Sowb_power. Это восемнадцатистрочный активный терминатор для параллельной шины SCSI. Этот стандарт SCSI рекомендует активную терминацию на обоих концах шины SCSI. В режиме отключения LX5205 потребляет мизерный ток питания 500 нА при выходной емкости всего 2,5 пФ. Чтобы войти в этот режим пониженного энергопотребления, контакты отключения можно оставить открытыми (плавающими).
* Перенапряжение 400 Вт в течение 1 мс * Отличная способность фиксации * Низкий импеданс стабилитрона * Быстрое время отклика: обычно менее 1,0 пс от 0 В до VBR (мин.) * Типовое IR менее 1 А выше Pb / RoHS Free ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ ПОДАВИТЕЛЬ ПЕРЕХОДНЫХ НАПРЯЖЕНИЙ ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА * Корпус : Литой пластик SMA * Эпоксидная смола : UL9Огнезащитный состав 4V-O * Свинец: Свинец, сформированный для поверхности.
6NH 10% 0603 SMD. с: Индуктивность: 5,6 нГн; Допуск: 10%; Упаковка/кейс: 0603 (метрическая 1608); Упаковка: Cut Tape (CT); Тип: — ; Ток: 2,1 А; Тип монтажа: поверхностный монтаж; Q при частоте: 9 при 100 МГц; Частота — собственный резонанс: 4,6 ГГц; Сопротивление постоянному току (DCR): макс. 55 мОм; Экранирование:.
