Какие основные параметры транзистора КТ819. Где применяется транзистор КТ819. Как правильно использовать транзистор КТ819 в схемах. На что обратить внимание при работе с КТ819.
Основные характеристики транзистора КТ819
Транзистор КТ819 представляет собой кремниевый биполярный транзистор структуры n-p-n. Он относится к мощным высоковольтным транзисторам и обладает следующими ключевыми параметрами:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 100-140 В (в зависимости от модификации)
- Максимальный постоянный ток коллектора: 15 А
- Максимальная рассеиваемая мощность: 100-125 Вт (с теплоотводом)
- Коэффициент усиления по току: 10-100
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
- Корпус: TO-3 (металлический)
Транзистор КТ819 выпускается в нескольких модификациях (КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г), различающихся максимальным напряжением коллектор-эмиттер и некоторыми другими параметрами.
Области применения транзистора КТ819
Благодаря своим характеристикам, транзистор КТ819 находит широкое применение в различных электронных устройствах и схемах:
- Мощные усилители низкой частоты
- Импульсные источники питания
- Преобразователи напряжения
- Схемы управления электродвигателями
- Регуляторы напряжения и тока
- Ключевые и коммутационные схемы
Рассмотрим некоторые из этих применений подробнее.
Использование КТ819 в усилителях мощности звуковой частоты
Транзистор КТ819 часто применяется в выходных каскадах мощных усилителей низкой частоты. Его высокая мощность рассеивания и большой допустимый ток коллектора позволяют получать выходную мощность до 100 Вт и более на нагрузке 4-8 Ом. При этом КТ819 обеспечивает хорошие частотные характеристики в звуковом диапазоне частот.
Применение КТ819 в импульсных источниках питания
В импульсных блоках питания транзистор КТ819 может использоваться в качестве силового ключа. Его высокое пробивное напряжение и большой допустимый ток позволяют создавать источники питания мощностью до нескольких сотен ватт. При этом КТ819 способен работать на частотах до 50-100 кГц, что важно для уменьшения габаритов импульсного трансформатора.
Особенности использования транзистора КТ819 в электронных схемах
При работе с транзистором КТ819 следует учитывать некоторые его особенности:
- Необходимость использования теплоотвода для обеспечения заявленной мощности рассеивания
- Относительно низкий коэффициент усиления по току, требующий повышенного тока базы
- Чувствительность к перегрузкам по току и напряжению
- Склонность к самовозбуждению на высоких частотах
Рассмотрим эти моменты подробнее.
Обеспечение теплового режима КТ819
Для эффективного отвода тепла транзистор КТ819 необходимо устанавливать на радиатор достаточной площади. При максимальной мощности рассеивания 100 Вт площадь радиатора должна составлять не менее 200-300 см². Между корпусом транзистора и радиатором следует использовать теплопроводящую пасту.
Выбор рабочей точки и режима КТ819
При проектировании схем с КТ819 важно правильно выбрать ток базы транзистора. Из-за относительно низкого коэффициента усиления ток базы должен составлять примерно 5-10% от тока коллектора. При этом следует избегать глубокого насыщения транзистора, ухудшающего его быстродействие.
Схемотехнические решения для повышения надежности работы КТ819
Для защиты транзистора КТ819 от перегрузок и повышения стабильности его работы применяются различные схемотехнические решения:
- Ограничение максимального тока коллектора с помощью резистора в цепи эмиттера
- Защита от пробоя при индуктивной нагрузке с помощью диода
- Термокомпенсация для стабилизации режима по постоянному току
- Цепи коррекции для подавления самовозбуждения на высоких частотах
Рассмотрим пример простой схемы защиты КТ819 от перегрузки по току.
Схема токовой защиты транзистора КТ819
Для ограничения максимального тока коллектора КТ819 можно использовать следующую схему:
- В цепь эмиттера включается резистор сопротивлением 0.1-0.5 Ом
- Параллельно переходу база-эмиттер подключается маломощный транзистор
- База этого транзистора соединяется с коллектором КТ819 через резистор 1-10 кОм
При превышении заданного тока коллектора КТ819 напряжение на эмиттерном резисторе открывает дополнительный транзистор, который шунтирует базу КТ819, ограничивая ток.
Аналоги и замены транзистора КТ819
В случае отсутствия КТ819 его можно заменить следующими аналогами с близкими параметрами:
- 2N3055 — широко распространенный зарубежный аналог
- КТ818 — отечественный аналог с немного меньшей мощностью
- TIP3055 — современный аналог в пластиковом корпусе
- MJE3055T — аналог с улучшенными частотными свойствами
При замене следует внимательно сравнивать параметры транзисторов, особенно максимальные напряжения и токи.
Методы проверки исправности транзистора КТ819
Для оценки работоспособности КТ819 можно использовать следующие простые методы:
- Проверка сопротивления переходов с помощью мультиметра
- Измерение коэффициента усиления по току
- Проверка остаточного напряжения коллектор-эмиттер
- Тестирование в реальной схеме под нагрузкой
Рассмотрим подробнее процедуру проверки КТ819 мультиметром.
Проверка КТ819 мультиметром
Для проверки исправности КТ819 с помощью мультиметра выполните следующие шаги:
- Установите мультиметр в режим проверки диодов
- Подключите черный щуп к базе, красный к эмиттеру — показания должны быть 0.6-0.7 В
- Подключите черный щуп к базе, красный к коллектору — показания также должны быть 0.6-0.7 В
- При обратном подключении щупов показания должны быть «бесконечность»
- Между коллектором и эмиттером в обоих направлениях должна быть «бесконечность»
Отклонение от этих показаний может свидетельствовать о неисправности транзистора.
Рекомендации по монтажу и эксплуатации КТ819
При работе с транзистором КТ819 следует соблюдать следующие правила:
- Использовать качественный теплоотвод достаточной площади
- Не допускать превышения максимально допустимых токов и напряжений
- Обеспечивать хорошее охлаждение при длительной работе на большой мощности
- Применять схемы защиты от перегрузок
- Соблюдать меры предосторожности при монтаже, т.к. транзистор чувствителен к статическому электричеству
Следование этим рекомендациям позволит обеспечить надежную и долговременную работу транзистора КТ819 в ваших устройствах.
Транзистор кт 819 в категории «Электрооборудование»
Транзистор КТ819 ВМ 80В 15А npn
На складе
Доставка по Украине
40 грн
Купить
Интернет-магазин «Stereopulse»
Транзистор КТ819А npn 10 А 40 В
На складе
Доставка по Украине
10 грн
Купить
Интернет-магазин «Stereopulse»
Транзистор КТ819Б 10А 60вт 50Вольт npn
На складе в г. Чернигов
Доставка по Украине
10 грн
Купить
Интернет-магазин «Stereopulse»
КТ819ВМ транзистор NPN (20А 70В) 100W (ТО3)
Доставка из г. Киев
84 грн
Купить
CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.
КТ819А транзистор NPN (10А 40В) 60W (ТО220)
Доставка из г. Киев
23.10 грн
Купить
CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.
ТРАНЗИСТОР КТ819БМ. НОВЫЕ. В ЛОТЕ 1 ШТУКА!
Доставка из г. Днепр
20 грн
Купить
AlexZuev
Транзистор кт819бм
Доставка по Украине
30 грн
Купить
Радио-ок
КТ819Г транзистор NPN (10А 100В) 60W (ТО220)
Доставка из г.
Киев
42 грн
Купить
CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.
КТ819В транзистор NPN (10А 70В) 60W (ТО220)
Доставка из г. Киев
31.50 грн
Купить
CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.
КТ819Б транзистор NPN (10А 50В) 60W (ТО220)
Доставка из г. Киев
25.20 грн
Купить
CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.
КТ819ГМ (аналог 2N3055) транзистор кремнієвий NPN (20А 90В) 100W (ТО3)
Под заказ
Доставка по Украине
107.10 грн
Купить
CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.
2N3055 (аналог КТ819ГМ) NPN транзистор 100V 15A TO-3 115W
Доставка из г. Киев
75.60 грн
Купить
CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.
2Т819А (аналог КТ819ГМ) транзистор кремнієвий NPN (20А 90В) 100W (ТО3) (військове приймання по якості)
Под заказ
Доставка по Украине
105 грн
Купить
CAR-LED.
Радіокомпоненти.та LED освітлення.
КТ819БМ транзистор кремнієвий NPN (20А 50В) 100W (ТО3)
Доставка по Украине
60.90 грн
Купить
CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.
КТ819АМ транзистор кремнієвий NPN (20А 40В) 100W (ТО3)
Доставка по Украине
50.40 грн
Купить
CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.
Смотрите также
Транзистор BC172B
Доставка по Украине
15 грн
Купить
ТОВ «ЕЛЕКТРОЛОГІСТИК»
КТ819В
Доставка по Украине
35 грн
Купить
ООО «ХайТек»
Элементы серии Логика-Т
Доставка по Украине
от 40 грн
Купить
ТОВ «ЕЛЕКТРОЛОГІСТИК»
Транзисторы серии КТ , МП , SC ,КП , 2N3055 , BU209 , КТ315 , КТ839
Доставка по Украине
от 7 грн
Купить
ТОВ «ЕЛЕКТРОЛОГІСТИК»
Транзистор биполярный КТ819АМ
Недоступен
67 грн
Смотреть
RadioElektro
Транзистор биполярный КТ819ГМ
Недоступен
82 грн
Смотреть
RadioElektro
Транзистор КТ819В КТ819Г КТ829А КТ837Г КТ837К КТ837С КТ850А КТ851А КТ973Б
Недоступен
Цену уточняйте
Смотреть
ТОВ «СНГ-Комплект»
КТ819А ТРАНЗИСТОРЫ ОТЕЧ.
Недоступен
30.30 грн
Смотреть
ФОП Вовк Сергей Иванович
КТ819Б ТРАНЗИСТОРЫ ОТЕЧ.
Недоступен
30.30 грн
Смотреть
ФОП Вовк Сергей Иванович
КТ819В ТРАНЗИСТОРЫ ОТЕЧ.
Недоступен
30.30 грн
Смотреть
ФОП Вовк Сергей Иванович
Транзистор КТ818ГМ КТ819ВМ КТ819ГМ КТ825Г КТ827А КТ827Г КТ841А КТ841Е КТ846В КТ847А КТ878А КТ945Б
Недоступен
Цену уточняйте
Смотреть
ТОВ «СНГ-Комплект»
КТ819В транзистор NPN (10А 70В) 60W (ТО220) есть кт819а. КТ819Б
Недоступен
от 22 грн
Смотреть
Radio Sale
КТ819Г транзистор NPN (10А 100В) 60W (ТО220)
Недоступен
от 38 грн
Смотреть
Radio Sale
КТ819АМ металл ТРАНЗИСТОРЫ ОТЕЧ.
Недоступен
86 грн
Смотреть
ФОП Вовк Сергей Иванович
Транзистор КТ819
Скорее всего в вашем браузере отключён JavaScript.
Вы должны включить JavaScript в вашем браузере, чтобы использовать все возможности этого сайта.
(093) 626-46-46 Viber
(096) 626-46-46
(099) 626-46-46
Поиск:
Больше изображений
Транзистор КТ819
Подписаться на оповещения о цене
Подпишитесь, чтобы получить уведомление, когда товар появится в наличии
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Транзисторы (КТ)2Т819А, (КТ)2Т819Б, (КТ)2Т819В предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Характеристики:
Тип корпуса: КТ-9
Структура транзистора: n-p-n
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 3 Вт
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В (0,1кОм) — КТ819А, 80 В (0,1кОм) — КТ819Б
Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А
Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (40В)
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом
Недоступны варианты для этого товара. |
- Описание
Подробности
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Транзисторы (КТ)2Т819А, (КТ)2Т819Б, (КТ)2Т819В предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Характеристики:
Тип корпуса: КТ-9
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 3 Вт
Структура транзистора: n-p-n
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В (0,1кОм) — КТ819А, 80 В (0,1кОм) — КТ819Б
Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А
Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (40В)
Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом- Отзывы
Транзистор с крутым наклоном, сочетающий фазовый переход и междиапазонное туннелирование для достижения коэффициента тела меньше единицы
1.
Иваи, Х. Дорожная карта технологии для 22 нм и выше. В 2009 2-й международный . Работа . Электронные устройства Semicond . Технол . 1–4, doi:10.1109/EDST.2009.5166100 (IEEE, 2009).
2. Бернштейн К., Кавин Р.К., Пород В., Сибо А., Велзер Дж. Перспективы устройств и архитектуры для коммутаторов Beyond CMOS. проц. IEEE. 2010;98:2169–2184. дои: 10.1109/JPROC.2010.2066530. [CrossRef] [Google Scholar]
3. Seabaugh AC, Zhang Q. Низковольтные туннельные транзисторы для КМОП-логики. проц. IEEE. 2010;98:2095–2110. doi: 10.1109/JPROC.2010.2070470. [CrossRef] [Google Scholar]
4. Лундстрем М.С. Новый взгляд на полевой МОП-транзистор: физика устройств и моделирование в наномасштабе. В 2006 IEEE international SOI Conferencee Proceedings 1–3, doi:10.1109/SOI.2006.284404 (IEEE, 2006).
5. Ионеску А.М., Риэль Х. Туннельные полевые транзисторы как энергоэффективные электронные переключатели. Природа. 2011;479: 329–337.
doi: 10.1038/nature10679. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
6. Салахуддин С., Датта С. Использование отрицательной емкости для усиления напряжения в маломощных наноразмерных устройствах. Нано Летт. 2008; 8: 405–410. doi: 10.1021/nl071804g. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
7. Abele, N. et al . МОП-транзистор с подвесным затвором: привнесение новых функций МЭМС в твердотельный МОП-транзистор. В IEEE Int . Электронные устройства встречают . 2005 . ИЭДМ Тех . Копать . 479–481, doi: 10.1109/IEDM.2005.1609384 (IEEE, 2005).
8. Гопалакришнан К., Гриффин П. Б. и Пламмер Дж. Д. I-MOS: новый полупроводниковый прибор с подпороговым наклоном ниже kT/q. В Копаем . Интервал . Электронные устройства встречают . 289–292, doi: 10.1109/IEDM.2002.1175835 (IEEE, 2002).
9. Букарт К., Ионеску А.М. Туннельный полевой транзистор с двойным затвором и диэлектриком с высоким значением k.
IEEE транс. Электронные устройства. 2007; 54: 1725–1733. дои: 10.1109/ТЭД.2007.899389. [CrossRef] [Google Scholar]
10. Sarkar D, et al. Субтермический туннельный полевой транзистор с атомарно тонким каналом. Природа. 2015; 526:91–95. doi: 10.1038/nature15387. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
11. Newns DM, et al. Полевой транзистор с переходом Мотта. заявл. физ. лат. 1998;73:780. дои: 10.1063/1.121999. [CrossRef] [Google Scholar]
12. Иноуэ И.Х. Электростатическое легирование носителей перовскитных оксидов переходных металлов. Полуконд. науч. Технол. 2005;20:S112–S120. doi: 10.1088/0268-1242/20/4/013. [Перекрестная ссылка] [Академия Google]
13. Иноуэ И.Х., Розенберг М.Дж. Укрощение перехода Мотта для нового транзистора Мотта. Доп. Функц. Матер. 2008;18:2289–2292. doi: 10.1002/adfm.200800558. [CrossRef] [Google Scholar]
14. Ha SD, Ramanathan S. Адаптивная оксидная электроника: обзор. Дж. Заявл. физ. 2011;110:071101. doi: 10.1063/1.3640806. [CrossRef] [Google Scholar]
15.
Ян З., Ко С., Раманатан С. Оксидная электроника с использованием сверхбыстрых переходов металл-изолятор. Анну. Преподобный Матер. Рез. 2011;41:337–367. doi: 10.1146/annurev-matsci-062910-100347. [CrossRef] [Google Scholar]
16. Басов Д.Н., Аверитт Р.Д., Ван Дер Марел Д., Дрессель М., Хауле К. Электродинамика коррелированных электронных материалов. Преподобный Мод. физ. 2011; 83: 471–541. doi: 10.1103/RevModPhys.83.471. [CrossRef] [Google Scholar]
17. Zhou Y, Ramanathan S. Коррелированные электронные материалы и полевые транзисторы для логики: обзор. крит. Преподобный твердотельный материал. науч. 2013; 38: 286–317. doi: 10.1080/10408436.2012.719131. [CrossRef] [Google Scholar]
18. Mannhart J, Haensch W. Физика устройства: нажмите на педаль до упора. Природа. 2012; 487:436–437. doi: 10.1038/487436a. [PubMed] [CrossRef] [Академия Google]
19. Shi J, Zhou Y, Ramanathan S. Колоссальное переключение сопротивления и модуляция запрещенной зоны в никелате перовскита с помощью легирования электронами.
Нац. коммун. 2014;5:4860. doi: 10.1038/ncomms5860. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
20. Морин Ф.Дж. Оксиды, демонстрирующие переход металл-изолятор при температуре Нееля. физ. Преподобный Летт. 1959; 3: 34–36. doi: 10.1103/PhysRevLett.3.34. [CrossRef] [Google Scholar]
21. Мотт Н.Ф. Переход металл-изолятор. Преподобный Мод. физ. 1968; 40: 677–683. doi: 10.1103/RevModPhys.40.677. [Перекрестная ссылка] [Академия Google]
22. Гуденаф Дж.Б. Две составляющие кристаллографического перехода в ВО 2 . J. Химия твердого тела. 1971; 3: 490–500. doi: 10.1016/0022-4596(71)-0. [CrossRef] [Google Scholar]
23. Lee SB, Kim K, Oh JS, Kahng B, Lee JS. Причина изменения напряжения переключения в явлениях порогового переключения тонких пленок ВО 2 . заявл. физ. лат. 2013;102:63501. doi: 10.1063/1.4790842. [CrossRef] [Google Scholar]
24. Саймон Мун, Б. и др. . Роль эффекта джоулева нагрева и объемных поверхностных фаз в переходе металл-изолятор под напряжением в кристалле ВО 2 .
Приложение . Физ . Буква . 103 (2013).
25. Юн Дж., Ли Г., Парк С., Мун Б.С., Джу Х. Исследование зависимых от длины характеристик индуцированного напряжением перехода металлического изолятора в пленочных устройствах VO 2 . заявл. физ. лат. 2014;105:83503. doi: 10.1063/1.4893783. [CrossRef] [Академия Google]
26. Jordan TS, et al. Модель и характеристика VO 2 Тонкопленочные переключающие устройства. IEEE транс. Электронные устройства. 2014;61:813–819. doi: 10.1109/TED.2014.2299549. [CrossRef] [Google Scholar]
27. Rathi S, et al. Влияние постфабрикационного отжига на переходы изолятор-металл в тонкопленочных приборах ВО 2 . Приложение ACS Матер. Интерфейсы. 2014;6:19718–19725. doi: 10.1021/am5046982. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
28. Rathi S, et al. Раскрытие механизмов переключения при индуцированных электрическим полем переходах изолятор–металл в VO 2 нанолучи.
Дж. Физ. Д. Заявл. физ. 2014;47:295101. doi: 10.1088/0022-3727/47/29/295101. [CrossRef] [Google Scholar]
29. Joushaghani A, et al. Управляемое напряжением переключение и тепловые эффекты в нанощелевых переходах ВО 2 . заявл. физ. лат. 2014;104:221904. doi: 10.1063/1.4881155. [CrossRef] [Google Scholar]
30. Singh S, et al. Пролиферация металлических доменов, вызванная неоднородным нагревом вблизи электрически управляемого перехода в нанопучках VO 2 . физ. Ред. Б. 2015;92:155121. doi: 10.1103/PhysRevB.92.155121. [CrossRef] [Google Scholar]
31. Li, D. et al . Джоулев нагрев перехода металл–изолятор в эпитаксиальных устройствах VO 2 /TiO 2 . Приложение ACS . Мать . Интерфейсы acsami.6b03501, doi:10.1021/acsami.6b03501 (2016 г.). [PubMed]
32. Че Б.Г., Ким Х.Т., Юн Д.Х., Кан К.И. В тонких пленках VO 2 наблюдался резкий переход металл-диэлектрик, индуцированный импульсом напряжения переключения.
физ. Б Конденс. Иметь значение. 2005;369: 76–80. doi: 10.1016/j.physb.2005.07.032. [CrossRef] [Google Scholar]
33. Leroy J, et al. Высокоскоростной переход металл-диэлектрик в пленках диоксида ванадия, индуцированный импульсным электрическим напряжением на нанощелевых электродах. заявл. физ. лат. 2012;100:213507. дои: 10.1063/1.4721520. [CrossRef] [Google Scholar]
34. Zhou Y, et al. Инициируемый напряжением сверхбыстрый фазовый переход в переключателях на диоксиде ванадия. IEEE Electron Device Lett. 2013; 34: 220–222. doi: 10.1109/LED.2012.2229457. [Перекрестная ссылка] [Академия Google]
35. Витале, В. А. и др. . Крутой наклон VO 2 переключателя для широкополосной (DC-40 ГГц) реконфигурируемой электроники. In 72nd Device Research Conference 29–30, doi:10.1109/DRC.2014.6872284 (IEEE, 2014).
36. Раду И.П. и др. Механизм переключения в двухполюсниках на диоксиде ванадия. Нанотехнологии. 2015;26:165202. doi: 10.1088/0957-4484/26/16/165202.
[PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
37. Сакаи Дж. Высокоэффективные колебания напряжения в VO 2 плоские соединения с бесконечным отрицательным дифференциальным сопротивлением. Дж. Заявл. физ. 2008;103:103708. doi: 10.1063/1.2930959. [CrossRef] [Google Scholar]
38. Lee, YW et al . Индуцированные переходом металл-изолятор электрические колебания в тонкой пленке диоксида ванадия. Приложение . Физ . Буква . 92 (2008).
39. Шукла Н. и др. Синхронные колебания заряда в коррелированных электронных системах. науч. 2014 г.; 4:4964. doi: 10.1038/srep04964. [CrossRef] [Google Scholar]
40. Beaumont A, Leroy J, Orlianges J-C, Crunteanu A. Индуцированные током электрические автоколебания через внеплоскостные пороговые переключатели на основе слоев VO 2 , интегрированных в геометрию поперечных стержней. Дж. Заявл. физ. 2014;115:154502. doi: 10.1063/1.4871543. [CrossRef] [Google Scholar]
41.
Bae SH, et al. Мемристивные свойства одиночной нанопроволоки ВО 2 с переключением, контролируемым саморазогревом. Доп. Матер. 2013;25:5098–5103. doi: 10.1002/adma.201302511. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
42. Seo G, Kim BJ, Kim HT, Lee YW. Термо- или оптически смещенная мемристивная коммутация в двухполюсниках ВО 2 . Курс. заявл. физ. 2014;14:1251–1256. doi: 10.1016/j.cap.2014.06.015. [CrossRef] [Google Scholar]
43. Vitale WA, et al. Переход металл-изолятор с крутым уклоном VO 2 Выключатели с термостабильным высоким I ON . IEEE Electron Device Lett. 2015; 36: 972–974. doi: 10.1109/LED.2015.2454535. [CrossRef] [Google Scholar]
44. Vitale, WA et al . Усовершенствованная конструкция переключателей с крутым наклоном VO 2 для низкого напряжения срабатывания. In 2016 46th European Solid-State Research Conference ( ESSDERC ), 352–355, doi:10.1109/ESSDERC.2016.7599659 (IEEE, 2016).
45. Krammer, A., Gremaud, A., Bouvard, O., Sanjines, R. & Schüler, A. In situ фотоэлектронная спектроскопическая характеристика реактивно напыленных тонких пленок легированного оксида ванадия. Прибой . Анал интерфейса . 1–5, doi:10.1002/sia.5989 (2016).
46. Kim H-T, et al. Механизм и наблюдение перехода Мотта в двух- и трехполюсниках на основе ВО 2 . New J. Phys. 2004; 6: 52–52. doi: 10.1088/1367-2630/6/1/052. [CrossRef] [Google Scholar]
47. Рузметов Д., Гопалакришнан Г., Ко С., Нараянамурти В., Раманатан С. Трехвыводные устройства с полевым эффектом, использующие тонкопленочный оксид ванадия в качестве канального слоя. Дж. Заявл. физ. 2010;107:114516. дои: 10.1063/1.3408899. [CrossRef] [Google Scholar]
48. Sengupta S, et al. Полевая модуляция проводимости в нанолучевых транзисторах ВО 2 с HfO2 в качестве подзатворного диэлектрика. заявл. физ. лат. 2011;99:62114. дои: 10.1063/1.3624896. [CrossRef] [Google Scholar]
49.
Martens K, et al. Эффект поля и сильно локализованные носители в материале перехода металл-диэлектрик VO -2- . физ. Преподобный Летт. 2015;115:196401. doi: 10.1103/PhysRevLett.115.196401. [PubMed] [CrossRef] [Академия Google]
50. Wei T, Kanki T, Fujiwara K, Chikanari M, Tanaka H. Индуцированная электрическим полем транспортная модуляция в полевых транзисторах VO 2 с гибридным диэлектриком под затвором из оксида high-k/органический парилен-C. заявл. физ. лат. 2016;108:53503. дои: 10.1063/1.4941233. [CrossRef] [Google Scholar]
51. Nakano M, et al. Коллективная делокализация объемного носителя, вызванная накоплением электростатического поверхностного заряда. Природа. 2012; 487:459–62. doi: 10.1038/nature11296. [PubMed] [CrossRef] [Академия Google]
52. Liu K, et al. Плотная электронная система от управляемого затвором поверхностного перехода металл-изолятор. Нано Летт. 2012;12:6272–7. doi: 10.1021/nl303379t. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
53.
Jeong J, et al. Подавление перехода металл-диэлектрик в VO 2 за счет образования кислородных вакансий под действием электрического поля. Наука. 2013; 339:1402–1405. doi: 10.1126/science.1230512. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
54. Karel J, et al. Отчетливая электронная структура проводящей фазы, индуцированной электролитическим затвором, в диоксиде ванадия, обнаруженная с помощью фотоэлектронной спектроскопии высоких энергий. АКС Нано. 2014; 8: 5748–5789. doi: 10.1021/nn501724q. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
55. Jeong J, et al. Гигантские обратимые, зависимые от граней структурные изменения в изоляторе коррелированных электронов, вызванные вентилированием ионной жидкостью. проц. Натл. акад. науч. 2015; 112:1013–1018. doi: 10.1073/pnas.1419051112. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
56. Сибуя К., Сава А. Модуляция перехода металл-изолятор в VO 2 с помощью протонирования, вызванного электролизом. Доп.
Электрон. Матер. 2016;2:1500131. doi: 10.1002/aelm.201500131. [Перекрестная ссылка] [Академия Google]
57. Zhou Y, Ramanathan S. Динамика релаксации интерфейсов ионная жидкость-VO 2 и влияние на электрические двухслойные транзисторы. Дж. Заявл. физ. 2012;111:84508. doi: 10.1063/1.4704689. [CrossRef] [Google Scholar]
58. Peng X, et al. Эффективная и безгистерезисная модуляция полевым эффектом амбиполярно легированных нанопроводов диоксида ванадия. физ. Преподобный заявл. 2016;5:54008. doi: 10.1103/PhysRevApplied.5.054008. [CrossRef] [Google Scholar]
59. Casu, E. A. и др. . Гибридный фазовый переход — туннельный полевой транзистор (PC-TFET) с подпороговым размахом <10 мВ/декада и коэффициентом тела менее 0,1: цифровой и аналоговый бенчмаркинг. В 20 16 IEEE International Electron Devices Meeting (2016).
60. Ионеску А. М. Сегнетоэлектрический туннельный полевой транзистор и память. Патент США (2010 г.).
61. Шукла Н.
и др. Транзистор с крутым наклоном на основе скачкообразного электронного фазового перехода. Нац. коммун. 2015;6:7812. doi: 10.1038/ncomms8812. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
62. Zhao QT, et al. Напряженные Si и SiGe нанопроволоки туннельные полевые транзисторы для логических и аналоговых приложений. IEEE J. Электронные устройства Soc. 2015;3:103–114. doi: 10.1109/JEDS.2015.2400371. [CrossRef] [Google Scholar]
63. Knoll L, et al. Напряженные Si и SiGe туннельные полевые транзисторы и дополнительные инверторы с туннельными полевыми транзисторами с минимальной длиной затвора 50 нм. Твердый. Состояние. Электрон. 2014;97:76–81. doi: 10.1016/j.sse.2014.04.025. [CrossRef] [Google Scholar]
64. Zimmers A, et al. Роль теплового нагрева в индуцированном напряжением переходе изолятор-металл в VO 2 . физ. Преподобный Летт. 2013;110:56601. doi: 10.1103/PhysRevLett.110.056601. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
65. Joushaghani A, et al.
Характеристики управляемого током фазового перехода микропроводов ВО 2 для гибридных оптоэлектронных устройств. Фотоника. 2015;2:916–932. doi: 10.3390/photonics2030916. [CrossRef] [Google Scholar]
66. Витале, В. А., Молдован, К. Ф., Паоне, А., Шулер, А. и Ионеску, А. М. Исследование перехода металл-изолятор в VO 2 для электронных переключателей с крутым подпороговым наклоном менее 1 мВ/декаду. В Silicon Nanoelectronics Workshop , doi:10.1109/SNW.2016.7578041 (2016).
67. Шукла Н. и др. . Гибридные генераторы на двуокиси ванадия и МОП-транзисторах с парной связью (HVFET) для небулевых ассоциативных вычислений. В 2014 IEEE International Electron Devices Meeting 28.7.1-28.7.4, doi:10.1109/IEDM.2014.7047129 (IEEE, 2014).
68. Джерри М. и др. . Оксидный нейрон фазового перехода для импульсных нейронных сетей. В 74-я ежегодная конференция по исследованию устройств 1-2, doi:10.1109/DRC.2016.
7548503 (IEEE, 2016).
69. Витале В.А., Молдавский ФК, Паоне А., Шулер А., Ионеску А.М. Изготовление КМОП-совместимых электронных переключателей на основе диоксида ванадия. Микроэлектрон. англ. 2015; 145:117–119. doi: 10.1016/j.mee.2015.03.055. [CrossRef] [Google Scholar]
70. Луонг Г.В., Трелленкамп С., Чжао К.Т., Мантл С. и Бурдель К.К. Напряженные кремниевые нанопроволоки GAA n-TFET для низких напряжений питания. EUROSOI-ULIS 2015 — 2015 Jt . Интервал . ЕВРОСОИ Рабочий . Интервал . Конф. . Ультим . Интегр . Silicon 65–68, doi:10.1109/ULIS.2015.7063774 (2015).
Д.
