Транзистор кт 819 г. Транзистор КТ819: характеристики, проверка и применение

Отечественный и зарубежный аналоги

Отечественный и зарубежный аналоги

Параметры транзистора КТ819, его цоколевка и аналоги.

Фотография транзистора КТ819Г КТ819Г биполярный транзистор NPN проводимости, аналог 2N6110. Благодаря неплохим техническим характеристикам получил широкое распространение в отечественной радиотехнике. Макс. напр. к б при заданном обратном токе к … Википедия

Структура p n p Uce 10 25В … Википедия

Обозначение биполярных транзисторов на схемах Простейшая наглядная схема устройства транзистора Биполярный транзистор трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным… … Википедия

Цоколевка КТ3102 КТ3102 тип кремниевого биполярного транзистора, n p n проводимости, усилительный высокочастотный маломощный с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для применения в усилительных и г … Википедия

Транзисторы КТ3107 КТ3107 тип кремниевого биполярного транзистора, p n p проводимости, усилительный высокочастотный маломощный с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для применения в усилительных и генераторных… … Википедия

Цоколевка КТ815 КТ815 тип кремниевого биполярного транзистора, n p n проводимости, универсальный низкочастотный мощный транзистор. Предназначен для работы в усилителях низкой частоты, оперативных и дефференциальны … Википедия

Транзистор КТ819 представляет собой кремневый полупроводниковый прибор структуры n — p — n . Конструктивно транзистор выполняется в двух вариантах – в металлическом и пластиковом корпусах. Основная сфера применения: работа в качестве ключевого элемента, работа в выходных каскадах мощных усилителей звуковой частоты.

Отличительной особенностью является дешевизна при относительно высоких технических характеристиках. Именно поэтому данный полупроводниковый прибор нашел широкое распространение при производстве радиотехнической аппаратуры в республиках бывшего СССР и после его распада – в странах СНГ. Более того, несмотря на достаточно большой ассортимент зарубежных транзисторов, которые предлагает современный рынок радиоэлектронных компонентов, КТ819 активно применяется радиолюбителями при конструировании различных устройств.

Цоколевка транзистора

Цоколевка полупроводникового прибора показана на рисунке 1. Как можно заметить, вывод коллектора соединен с корпусом транзистора. Для возможности крепления на радиатор предусмотрены лепестки с отверстиями диаметром 4,1мм. При исполнении в пластиковом корпусе для крепления к охлаждающему радиатору предусмотрен один лепесток с отверстием 3,6 мм.

Основные параметры

Основные характеристики КТ819 отражены в таблице 1 .

Возможные аналоги

Транзистор КТ819 нельзя назвать дефицитной деталью. Тем не менее, встречаются случаи, когда по тем или иным причинам необходимо подобрать его аналог – то есть транзистор, который больше всего соответствует его характеристикам. В целом при подборе аналога для любого отечественного или импортного транзистора основополагающими характеристиками являются:

• допустимое напряжение между выводом коллектора и выводом эммитера;
• допустимый ток коллектора;
• коэффициент усиления;
• рабочая частота.

Чем можно заменить КТ819? Рассмотрим возможную замену теми или иными отечественными и зарубежными транзисторами.

Отечественные аналоги

Заменить КТ819 можно следующими отечественными транзисторами:

• КТ834;
• КТ841;
• КТ844;
• КТ847.

Зарубежные аналоги

Заменить КТ819 можно следующими зарубежными полупроводниковыми приборами:

• 2 N6288 ;
• BD705 ;
• TIP41 ;
• BD533 .

Отдельно стоит сказать об аналоге для КТ819ГМ. Все дело в том, что в большинстве схем усилителей звуковой частоты используются именно КТ819ГМ. Чем заменить КТ819ГМ? Полного аналога этого транзистора не существует. Однако наиболее близким по параметрам является зарубежный транзистор – 2 N 3055. Кроме этого, некоторые схемы на КТ819ГМ могут успешно работать с В D 183, 2 N 6472, КТ729.

Проверка транзистора

Проверить КТ819 можно обыкновенным тестером. Для проверки измерительный прибор переводится в режим измерения сопротивлений. Согласно схеме КТ819ГМ (расположению выводов) или другого компонента этой серии подключаем плюсовой щуп прибора к выводу базы, а минусовой – к выводу коллектора. Измерительный прибор должен показать пробивное напряжение. Далее, не отсоединяя плюсовой щуп от базы, подключаем минусовой щуп к выводу эмиттера. В данном случае прибор должен показать практически то же значение, что и при измерении перехода база-коллектор.

После описанной выше процедуры следует проверить переходы при обратном включении . Согласно схеме КТ819 (расположению выводов) подключаем минусовой щуп тестера к выводу базы, а плюсовой – к выводу коллектора. Каких-либо показаний на приборе быть не должно. После этого, не отключая минусовой щуп от базы, подключаем плюсовой щуп к эмиттеру – как и в случае с переходом база-коллектор, показаний на тестере быть не должно. Проверку можно считать успешной, а транзистор – исправным, если переходы не повреждены.

Важный момент: проверять любой полупроводниковый элемент следует исключительно при демонтаже его из схемы. Проще говоря – проверка элемента, соединенного с другими компонентами схемы, может быть некорректной.

Усилитель на КТ819

В качестве «бонуса» приведем простую схему усилителя, в котором используется КТ819 и его комплементарная пара КТ818. Схема простейшего усилителя показана на рисунке 2.

Отличительной особенностью усилителя, изображенного на рисунке 2, является питание его от двухполярного источника . Благодаря такому схемотехническому решению обеспечивается возможность подключения нагрузки непосредственно между выходом усилительного каскада и общим проводом. Также стоит отметить и то, что входной каскад является дифференциальным и обладает высокой термостабильностью.

При использовании элементов, указанных на схеме, при питании напряжением ±40 В и при нагрузке сопротивлением 4 Ом выходная мощность может достигать 55 Вт. Коэффициент нелинейных искажений – 0,07%.

После сборки усилителя каких-либо операций по его настройке не требуется . Для облегчения теплового режима выходные элементы усилителя (VT 6 и VT 7) должны быть установлены на радиаторах. Если будет использован один общий радиатор, транзисторы должны быть закреплены к нему через изоляционные прокладки.

Транзистор КТ819: характеристики, цоколевка, параметры, аналоги

Транзистор КТ819 — кремниевый мезаэпитаксиально-планарный мощный транзистор n-p-n структуры. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. Выпускается в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами (2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ) и в пластмассовом (КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г).

Цоколевка транзистора КТ819

Характеристики транзистора КТ819

Uкбо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax(и) — Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора
Pкmax(т) — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)
h31э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
fгр — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером

Аналоги транзистора КТ819

КТ819А — 2N6288
КТ819Б — 2N5490
КТ819В — 2N5494
КТ819Г — 2N5496
КТ819АМ — BDW21
КТ819БМ — 2N6253
КТ819ВМ — 2N6471
КТ819ГМ — 2N3055

Как проверить транзистор кт819гм

Транзистор КТ819 представляет собой кремневый полупроводниковый прибор структуры n — p — n . Конструктивно транзистор выполняется в двух вариантах – в металлическом и пластиковом корпусах. Основная сфера применения: работа в качестве ключевого элемента, работа в выходных каскадах мощных усилителей звуковой частоты.

Отличительной особенностью является дешевизна при относительно высоких технических характеристиках. Именно поэтому данный полупроводниковый прибор нашел широкое распространение при производстве радиотехнической аппаратуры в республиках бывшего СССР и после его распада – в странах СНГ. Более того, несмотря на достаточно большой ассортимент зарубежных транзисторов, которые предлагает современный рынок радиоэлектронных компонентов, КТ819 активно применяется радиолюбителями при конструировании различных устройств.

Цоколевка транзистора

Цоколевка полупроводникового прибора показана на рисунке 1. Как можно заметить, вывод коллектора соединен с корпусом транзистора. Для возможности крепления на радиатор предусмотрены лепестки с отверстиями диаметром 4,1мм. При исполнении в пластиковом корпусе для крепления к охлаждающему радиатору предусмотрен один лепесток с отверстием 3,6 мм .

Основные параметры

Основные характеристики КТ819 отражены в таблице 1.

Возможные аналоги

Транзистор КТ819 нельзя назвать дефицитной деталью. Тем не менее, встречаются случаи, когда по тем или иным причинам необходимо подобрать его аналог – то есть транзистор, который больше всего соответствует его характеристикам. В целом при подборе аналога для любого отечественного или импортного транзистора основополагающими характеристиками являются:

• допустимое напряжение между выводом коллектора и выводом эммитера;
• допустимый ток коллектора;
• коэффициент усиления;
• рабочая частота.

Чем можно заменить КТ819? Рассмотрим возможную замену теми или иными отечественными и зарубежными транзисторами.

Отечественные аналоги

Заменить КТ819 можно следующими отечественными транзисторами:

Зарубежные аналоги

Заменить КТ819 можно следующими зарубежными полупроводниковыми приборами:

Отдельно стоит сказать об аналоге для КТ819ГМ. Все дело в том, что в большинстве схем усилителей звуковой частоты используются именно КТ819ГМ. Чем заменить КТ819ГМ? Полного аналога этого транзистора не существует. Однако наиболее близким по параметрам является зарубежный транзистор – 2 N 3055. Кроме этого, некоторые схемы на КТ819ГМ могут успешно работать с В D 183, 2 N 6472, КТ729.

Проверка транзистора

Проверить КТ819 можно обыкновенным тестером. Для проверки измерительный прибор переводится в режим измерения сопротивлений. Согласно схеме КТ819ГМ (расположению выводов) или другого компонента этой серии подключаем плюсовой щуп прибора к выводу базы, а минусовой – к выводу коллектора. Измерительный прибор должен показать пробивное напряжение. Далее, не отсоединяя плюсовой щуп от базы, подключаем минусовой щуп к выводу эмиттера. В данном случае прибор должен показать практически то же значение, что и при измерении перехода база-коллектор.

После описанной выше процедуры следует проверить переходы при обратном включении. Согласно схеме КТ819 (расположению выводов) подключаем минусовой щуп тестера к выводу базы, а плюсовой – к выводу коллектора. Каких-либо показаний на приборе быть не должно. После этого, не отключая минусовой щуп от базы, подключаем плюсовой щуп к эмиттеру – как и в случае с переходом база-коллектор, показаний на тестере быть не должно. Проверку можно считать успешной, а транзистор – исправным, если переходы не повреждены.

Важный момент: проверять любой полупроводниковый элемент следует исключительно при демонтаже его из схемы. Проще говоря – проверка элемента, соединенного с другими компонентами схемы, может быть некорректной.

Усилитель на КТ819

В качестве «бонуса» приведем простую схему усилителя, в котором используется КТ819 и его комплементарная пара КТ818. Схема простейшего усилителя показана на рисунке 2.

Отличительной особенностью усилителя, изображенного на рисунке 2, является питание его от двухполярного источника. Благодаря такому схемотехническому решению обеспечивается возможность подключения нагрузки непосредственно между выходом усилительного каскада и общим проводом. Также стоит отметить и то, что входной каскад является дифференциальным и обладает высокой термостабильностью.

При использовании элементов, указанных на схеме, при питании напряжением ±40 В и при нагрузке сопротивлением 4 Ом выходная мощность может достигать 55 Вт. Коэффициент нелинейных искажений – 0,07%.

После сборки усилителя каких-либо операций по его настройке не требуется. Для облегчения теплового режима выходные элементы усилителя ( VT 6 и VT 7) должны быть установлены на радиаторах. Если будет использован один общий радиатор, транзисторы должны быть закреплены к нему через изоляционные прокладки.

Транзистор КТ819 представляет собой кремневый полупроводниковый прибор структуры n — p — n . Конструктивно транзистор выполняется в двух вариантах – в металлическом и пластиковом корпусах. Основная сфера применения: работа в качестве ключевого элемента, работа в выходных каскадах мощных усилителей звуковой частоты.

Отличительной особенностью является дешевизна при относительно высоких технических характеристиках. Именно поэтому данный полупроводниковый прибор нашел широкое распространение при производстве радиотехнической аппаратуры в республиках бывшего СССР и после его распада – в странах СНГ. Более того, несмотря на достаточно большой ассортимент зарубежных транзисторов, которые предлагает современный рынок радиоэлектронных компонентов, КТ819 активно применяется радиолюбителями при конструировании различных устройств.

Цоколевка транзистора

Цоколевка полупроводникового прибора показана на рисунке 1. Как можно заметить, вывод коллектора соединен с корпусом транзистора. Для возможности крепления на радиатор предусмотрены лепестки с отверстиями диаметром 4,1мм. При исполнении в пластиковом корпусе для крепления к охлаждающему радиатору предусмотрен один лепесток с отверстием 3,6 мм .

Основные параметры

Основные характеристики КТ819 отражены в таблице 1.

Возможные аналоги

Транзистор КТ819 нельзя назвать дефицитной деталью. Тем не менее, встречаются случаи, когда по тем или иным причинам необходимо подобрать его аналог – то есть транзистор, который больше всего соответствует его характеристикам. В целом при подборе аналога для любого отечественного или импортного транзистора основополагающими характеристиками являются:

• допустимое напряжение между выводом коллектора и выводом эммитера;
• допустимый ток коллектора;
• коэффициент усиления;
• рабочая частота.

Чем можно заменить КТ819? Рассмотрим возможную замену теми или иными отечественными и зарубежными транзисторами.

Отечественные аналоги

Заменить КТ819 можно следующими отечественными транзисторами:

Зарубежные аналоги

Заменить КТ819 можно следующими зарубежными полупроводниковыми приборами:

Отдельно стоит сказать об аналоге для КТ819ГМ. Все дело в том, что в большинстве схем усилителей звуковой частоты используются именно КТ819ГМ. Чем заменить КТ819ГМ? Полного аналога этого транзистора не существует. Однако наиболее близким по параметрам является зарубежный транзистор – 2 N 3055. Кроме этого, некоторые схемы на КТ819ГМ могут успешно работать с В D 183, 2 N 6472, КТ729.

Проверка транзистора

Проверить КТ819 можно обыкновенным тестером. Для проверки измерительный прибор переводится в режим измерения сопротивлений. Согласно схеме КТ819ГМ (расположению выводов) или другого компонента этой серии подключаем плюсовой щуп прибора к выводу базы, а минусовой – к выводу коллектора. Измерительный прибор должен показать пробивное напряжение. Далее, не отсоединяя плюсовой щуп от базы, подключаем минусовой щуп к выводу эмиттера. В данном случае прибор должен показать практически то же значение, что и при измерении перехода база-коллектор.

После описанной выше процедуры следует проверить переходы при обратном включении. Согласно схеме КТ819 (расположению выводов) подключаем минусовой щуп тестера к выводу базы, а плюсовой – к выводу коллектора. Каких-либо показаний на приборе быть не должно. После этого, не отключая минусовой щуп от базы, подключаем плюсовой щуп к эмиттеру – как и в случае с переходом база-коллектор, показаний на тестере быть не должно. Проверку можно считать успешной, а транзистор – исправным, если переходы не повреждены.

Важный момент: проверять любой полупроводниковый элемент следует исключительно при демонтаже его из схемы. Проще говоря – проверка элемента, соединенного с другими компонентами схемы, может быть некорректной.

Усилитель на КТ819

В качестве «бонуса» приведем простую схему усилителя, в котором используется КТ819 и его комплементарная пара КТ818. Схема простейшего усилителя показана на рисунке 2.

Отличительной особенностью усилителя, изображенного на рисунке 2, является питание его от двухполярного источника. Благодаря такому схемотехническому решению обеспечивается возможность подключения нагрузки непосредственно между выходом усилительного каскада и общим проводом. Также стоит отметить и то, что входной каскад является дифференциальным и обладает высокой термостабильностью.

При использовании элементов, указанных на схеме, при питании напряжением ±40 В и при нагрузке сопротивлением 4 Ом выходная мощность может достигать 55 Вт. Коэффициент нелинейных искажений – 0,07%.

После сборки усилителя каких-либо операций по его настройке не требуется. Для облегчения теплового режима выходные элементы усилителя ( VT 6 и VT 7) должны быть установлены на радиаторах. Если будет использован один общий радиатор, транзисторы должны быть закреплены к нему через изоляционные прокладки.

01 Окт 2012г | Раздел: Радио для дома

Здравствуйте уважаемые читатели сайта sesaga.ru. Сегодня хочу рассказать, как проверить исправность транзистора обычным мультиметром. Хотя для этого существуют специальные пробники, и даже в самом мультиметре имеется гнездо для проверки транзисторов, но, на мой взгляд, все они не совсем практичны. Вот чтобы подобрать пару транзисторов с одинаковым коэффициентом усиления (h31э) пробники вещь даже очень нужная. А для определения исправности достаточно будет и обыкновенного мультика.

Мы знаем, что транзистор имеет два p-n перехода, причем каждый переход можно представить в виде диода (полупроводника). Поэтому можно утверждать, что транзистор — это два диода включенных встречно, а точка их соединения будет являться «базой».

Отсюда получается, что один диод образован выводами, например, базы и коллектора, а другой диод выводами базы и эмиттера. Тогда нам будет достаточно проверить прямое и обратное сопротивление этих диодов, и если они исправны, значит, и транзистор работоспособен. Все очень просто.

Начнем с транзисторов структуры (проводимость) p-n-p. На принципиальных схемах структура транзисторов обозначается стрелкой эмиттерного перехода. Если стрелка направлена к базе, значит это структура p-n-p, а если от базы, значит это транзистор структуры n-p-n. Смотрите рисунок выше.

Так вот, чтобы открыть p-n-p транзистор, на вывод базы подается отрицательное напряжение (минус). Мультиметр переводим в режим измерения сопротивлений на предел «2000», можно в режиме «прозвонка» — не критично.

Минусовым щупом (черного цвета) садимся на вывод базы, а плюсовым (красного цвета) поочередно касаемся выводов коллектора и эмиттера — так называемые коллекторный и эмиттерный переходы. Если переходы целы, то их прямое сопротивление будет находиться в пределах 500 – 1200 Ом.

Теперь проверяем обратное сопротивление коллекторного и эмиттерного переходов.
Плюсовым щупом садимся на вывод базы, а минусовым касаемся выводов коллектора и эмиттера. На этот раз мультиметр должен показать большое сопротивление на обоих p-n переходах.

В данном случае на индикаторе высветилась «1», означающая, что для предела измерения «2000» величина сопротивления велика, и составляет более 2000 Ом. А это говорит о том, что коллекторный и эмиттерный переходы целы, а значит, наш транзистор исправен.

Таким способом можно проверять исправность транзистора и на печатной плате, не выпаивая его из схемы.

Конечно, встречаются схемы, где p-n переходы транзистора сильно зашунтированы низкоомными резисторами. Но это редкость. Если при измерении будет видно, что прямое и обратное сопротивление коллекторного или эмиттерного переходов слишком мало, тогда придется выпаять вывод базы.

Исправность транзисторов структуры n-p-n проверяется так же, только уже к базе подключается плюсовой щуп мультиметра.

Мы рассмотрели, как проверить исправный транзистор. А как понять, что транзистор неисправный?
Здесь тоже все просто. Если прямое и обратное сопротивление одного из p-n переходов бесконечно велико, т.е. на пределе измерения «2000» и выше мультиметр показывает «1», значит, этот переход находится в обрыве, и транзистор однозначно неисправен.

Вторая распространенная неисправность транзистора – это когда прямое и обратное сопротивления одного из p-n переходов равны нулю или около того. Это говорит о том, что переход пробит, и транзистор не годен.

И тут уважаемый читатель Вы меня спросите: — А где у этого транзистора находится база, коллектор и эмиттер. Я его вообще в первый раз вижу. И будете правы. А ведь действительно, где они? Как их определить? Значит, будем искать.

В первую очередь, нужно определить вывод базы.
Плюсовым щупом мультиметра садимся, например, на левый вывод транзистора, а минусовым касаемся среднего и правого выводов. При этом смотрим, какую величину сопротивления показывает мультиметр.

Между левым и средним выводами величина сопротивления составила «1», а между левым и правым мультиметр показал 816 Ом. На данном этапе это нам ничего не говорит. Идем дальше.
Плюсовым щупом садимся на средний вывод, а минусовым касаемся левого и правого.

Здесь результат измерения получился почти таким же, как и на рисунке выше. Между средним и левым величина сопротивления составила «1», а между средним и правым получилось 807 Ом. Тут опять ничего не ясно, поэтому идем дальше.

Теперь садимся плюсовым щупом на правый вывод, а минусовым касаемся среднего и левого выводов транзистора.

На рисунке видно, что величина сопротивления между правым-средним и правым-левым выводами одинаковая и составила бесконечность. То есть получается, что мы нашли и измерили обратное сопротивление обоих p-n переходов транзистора. В принципе, уже можно смело утверждать, что вывод базы найден. Он оказался правым. Но нам еще надо определить, где у транзистора коллектор и эмиттер. Для этого измеряем прямое сопротивление переходов. Минусовым щупом садимся на вывод базы, а плюсовым касаемся среднего и левого выводов.

Величина сопротивления на левой ножке транзистора составила 816 Ом – это эмиттер, а на средней 807 Ом – это коллектор.

Запомните! Величина сопротивления коллекторного перехода всегда будет меньше по отношению к эмиттерному. Т.е. вывод коллектора будет там, где сопротивление p-n перехода меньше, а эмиттера, где сопротивление p-n перехода больше.

Отсюда делаем вывод:

1. Транзистор структуры p-n-p;
2. Вывод базы находится с правой стороны;
3. Вывод коллектора в середине;
4. Вывод эмиттера – слева.

А если у Вас остались вопросы, то можно дополнительно посмотреть мой видеоролик о проверке обычных транзисторов мультиметром.

Ну и напоследок надо сказать, что транзисторы бывают малой, средней мощности и мощные. Так вот, у транзисторов средней мощности и мощных, вывод коллектора напрямую связан с корпусом и находится в середине между базой и эмиттером. Такие транзисторы устанавливаются на специальные радиаторы, предназначенные для отвода тепла от корпуса транзистора.

Зная расположение коллектора, базу и эмиттер определить будет легко.
Удачи!

Кт 819 технические характеристики аналог

Транзисторы КТ819

Т ранзисторы КТ819 – кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры – n-p-n.
Применяются в схемах усилителей мощности, преобразователях напряжения, стабилизаторах напряжения, приводах двигателей постоянного тока. У транзисторов КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г корпус пластиковый темно-серого цвета.
У транзисторов 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ корпус металлический(ТО-3). Маркировка буквенно – цифровая, вывод коллектора – посередине, базы – слева, эмиттер справа.

Наиболее важные параметры.

Граничная частота передачи тока – 3 МГц.

Коэффициент передачи тока У транзисторов КТ819Б, КТ819БМ, 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В, 2Т819А2, 2Т819Б2, 2Т819Б2 – от 20 .
У транзисторов КТ819А, КТ819АМ, КТ819В – от 15 .
У транзисторов КТ819Г, КТ819ГМ, – от 12 .

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер. У транзисторов КТ819А, КТ819АМ – 25 в.
У транзисторов КТ819Б, КТ819БМ, КТ819В, 2Т819В2 – 40 в.
У транзисторов КТ819В, КТ819ВМ, КТ819Б, КТ819Б2 – 60 в.
У транзисторов КТ819Г, КТ819ГМ, 2Т819А, 2Т819А2 – 80 в.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 5 А и базовом 0,5А:
У транзисторов 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В – 1 в.
У транзисторов КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г,КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ – 2 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 5 А и базовом 0,5А:
У транзисторов 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В – 1,5 в.
У транзисторов КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г,КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ – 3 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный).
Транзисторы КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г – 10 А.
Транзисторы КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ, 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В, 2Т819А2, 2Т819Б2, 2Т819Б2 – 15 А.

Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 40в и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию, у транзисторов КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г,КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ – не более 1 мА.

Рассеиваемая мощность коллектора(на радиаторе).

Транзисторы КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г – 60 вт
Транзисторы КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ, 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В – 100 вт.
Транзисторы 2Т819А2, 2Т819Б2, 2Т819В2 – 40 вт.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ819

КТ819А – 2N6288
КТ819Б – 2N5490
КТ819В – 2N5494
КТ819Г – 2N5496
КТ819АМ – BDW21
КТ819БМ – 2N6253
КТ819ВМ – 2N6471
КТ819ГМ – 2N3055

Пример применения транзисторов КТ819 в оконечном каскаде усилителя звуковой частоты.

Транзисторы VT1,VT2 – КТ3102,VT3 – КТ817,VT4 – КТ816. VT5,VT6 – КТ819АМ. Радиаторы для КТ819АМ – с поверхностью не менее 250 кв.см., для КТ816, КТ817 – от 15. Резисторы R6, R7 – проволочные, мощностью не менее 10 Вт. При указанном напряжении питания, такой усилитель может развивать мощность до 50 Вт, на нагрузку (динамики) общим сопротивлением 2 Ома.

Транзисторы комплементарной пары VT3, VT4 и пара стоящих на выходе VT5, VT6 должны иметь как можно меньший разброс коэффициентов усиления(внутри пары). В особенности, это касается выходных транзисторов.
Это является проблемой, поскольку КТ819 могут иметь очень большой разброс по этому параметру, даже в одной партии.

Транзисторы КТ805

Транзисторы КТ805 – кремниевые, усилительные мощные среднечастотные, структуры n-p-n.
Применяются в усилительных и генераторных схемах. Корпус металло-пластиковый или металлический(ТО-3) Цоколевка КТ805 – на рисунке ниже.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока
от 15 и выше.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер – 60 в, импульсное – 160 в – у КТ805А, КТ805АМ.
135 в – у КТ805Б, КТ805БМ, КТ805ВМ.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 5 А и базовом 0,5А:
У транзисторов КТ805А, КТ805АМ – не более 2,5 в.
У транзисторов КТ805Б, КТ805БМ – 5 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 5 А и базовом 0,5А:
У транзисторов КТ805А, КТ805АМ – не более 2,5 в.
У транзисторов КТ805Б, КТ805БМ – 5 в.

Максимальный ток коллектора. – 5 А.

Обратный импульсный ток коллектора при сопротивлении база-эмиттер 10Ом и температуре окружающей среды от +25 до +100 по Цельсию, у транзисторов КТ805А, КТ805АМ – – не более 60 мА, при напряжении колектор-эмиттер 160в. У транзисторов КТ805Б, КТ805БМ – – не более 70 мА, при напряжении колектор-эмиттер 135в.

Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 5в не более – 100 мА.

Рассеиваемая мощность коллектора(с теплоотводом). – 30 Вт.

Граничная частота передачи тока – 20 МГц.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ805

КТ805А – BDY60
КТ805АМ – 2SC2562, 2SC3422
КТ805Б – 2N3054, 2N3766

Транзисторы КТ805 и качер Бровина.

Качер Бровина – черезвычайно популярное устройство, представляющее из себя фактически, настольный трансформатор Тесла – источник высокого напряжения. Схема самого генератора предельно проста – он очень напоминает обычный блокинг-генератор на одном транзисторе, хотя как утверждают многие, им вовсе не является.

В качере(как в общем-то и в блокинг-генераторе) теоретически, можно использовать любые транзисторы и радиолампы. Однако, практически очень неплохо себя зарекомендовали именно транзисторы КТ805, в частости – КТ805АМ.

В самостоятельной сборке качера самый серьезный момент – намотка вторичной обмотки(L2). Как правило она содержит в себе от 800 до 1200 витков. Намотка производится виток, к витку проводом диаметром 0,1 – 0,25 мм на диэлектрическое основание, например – пластиковую трубку. Соответствено, габариты полученного трансформатора (длина) напрямую зависят от толщины используемого провода. Диаметр каркаса при этом некритичен – может быть от 15мм, но при его увеличении эффективность качера должна возрастать (как и ток потребления).

После намотки витки покрываются лаком(ЦАПОН).
К неподключенному концу катушки можно подсоединить иглу – это даст возможность наблюдать «стример» – коронообразное свечение, которое возникнет на ее кончике, во время работы устройства. Можно обойтись и без иглы – стример точно так же будет появляться на конце намоточного провода, без затей отогнутого к верху.

Вторичная обмотка представляет из себя бескаркасный четырехвитковой соленоид намотаный проводом диаметром(не сечением!) от 1,5 до 3 мм. Длина этой катушки может составлять от 7-8 до 25-30 см, а диаметр зависит от расстояния между ее витками и поверхностью катушки L2. Оно должно составлять 1 – 2 см. Направление витков обеих катушек должно совпадать обязательно.

Резисторы R1 и R2 можно взять любого типа с мощностью рассеивания не менее 0,5 Вт. Конденсатор C1 так же любого типа от 0,1 до 0,5 мФ на напряжение от 160 в. При работе от нестабилизированного источника питания необходимо подсоединить параллельно C1 еще один, сглаживающий конденсатор 1000 – 2000 мФ на 50 в.
Транзистор обязательно устанавливается на радиатор – чем больше, тем лучше.

Источник питания для качера должен быть рассчитан на работу при токе до 3 А (с запасом), с напряжением от 12 вольт, а желательно – выше. Будет гораздо удобнее, если он будет регулируемым по напряжению.
Например, в собранном мной образце качера, при диаметре вторичной катушки 3 см (длина – 22см), а первичной – 6см (длина – 10 см) стример возникал при напряжении питания 11 в, а наиболее красочно проявлялся при 30 в. Причем, обычные эффекты, вроде зажигания светодиодных и газоразрядных ламп на расстоянии, возникали уже с начиная с уровня напряжения – 8 в.

В качестве источника питания был использован обычный ЛАТР + диодный мост + сглаживающий электролитический конденсатор 2000 мФ на 50 в. Больше 30 вольт я не давал, ток при этом не превышал значения в 1 А, что более чем приемлимо для таких транзисторов как КТ805, при наличии приличного радиатора.

При попытке заменить(из чистого интереса) КТ805 на более брутальный КТ8102, обнаружилось что режимы работы устройства значительно поменялись. Заметно упал рабочий ток. Он составил всего – от 100 до 250 мА.
Но стример стал загораться только при достижения предела напряжения 24 в, при напряжении 60 в выглядя гораздо менее эффектно, нежели с КТ805 при 30.

Транзисторы – купить. или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта – либо купить, либо – получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х? образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки – можно купить. Если же нет – всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника – можно попытаться выпаять необходимые транзисторы из ее схем. Транзисторы КТ819 можно обнаружить в выходных каскадах усилителей «Амфитон», «Вега», «Эстония», «Ода».
Транзисторы КТ805 – в усилителях «Одиссей» и «Радиотехника».

Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств «интернета вещей» и «носимых гаджетов»

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький «Кикстартер»

Амбициозная цель компании MediaTek – сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик – порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг «ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!» (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений. который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Популярные материалы

Комментарии

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Светодиод – это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не «ИК светодиод» и «Светодиод инфракрасный», как указано на сайте.

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

“>

КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В

Регулятор напряжения на кт819 – АвтоТоп

1. Транзистор КТ817Г, его можно заменить на КТ815Г.
2. Переменный резистор на 10 кОм.
3. Резистор обычный 0.125 ватт на 1ком.

В виде чертежа решил сделать полную картинку, дабы новичку было легче усвоить работу и представить схему.

Начнем сборку. Для начала распечатываем данный чертеж, и ножницами ровно срезаем его без картинок, прикладываем чертеж к текстолиту, и начинанаем сначало сверлить отверстия, т.к потом будет легче нарисовать.

Далее дырки по чертежу просто соединяем перманентым маркером, или лаком.

Обрезаем остатки тестолита и приступим к пайке компонентов. Сначала припаивываем транзистор, только будьте внимательны – не перепутайте ножки на транзисторе местами (эмиттер и базу).

Дальше устанавливаем резистор на 1ком, затем впаиваем проводами переменный резистор на 10ком. Можно поставить и другой резистор, сразу припаять резистор без этих соплей, но мой резистор не позволил этого, и пришлось повесить на провода. Остается припаять 4 вывода к питанию, и к выходам.

Готово! Подключаем питание, на выход – светодиод, мотор, лампу, в моем случае это был светодиод и вращая регулятор наглядно смотрим на изменение напряжения. Демонстрацию работы данной конструкции, а так-же подробное объяснение подключения, можете посмотреть в видеоролике ниже.

Стоит отметить, что мощность и ток нагрузки не должен превышать предельных значений для указанного транзистора – это примерно пол Ампера. Для подключения к регулируемому стабилизатору более мощных устройств, придётся заменить транзистор на КТ805, КТ819. С вами был [PC]Boil-:D

Обсудить статью РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ НА ОДНОМ ТРАНЗИСТОРЕ

Технология восстановление ёмкости Ni-Mh аккумуляторов в домашних условиях.

Схема проверенного преобразователя напряжения 12В в 220, на основе трансформатора компьютерного БП.

Добрались наконец руки до изготовления регулятора яркости подсветки приборки: www.drive2.ru/cars/subaru…dmarkitan/journal/873393/

Много читал всякой инфы по этому вопросу. Самой оптимальной посчитал вот эту схему

всё что нужно это биполярный транзистор, у меня КТ819 не нашлось, взял КТ815 и переменный резистор на 5-22 КОм. Если взять на 5КОм, то при регуляторе на минимуме диоды будут слегка светиться, если на 22КОм, то регулировка будет не линейной — примерно до середины не горят, потом быстро загораются. Поставил 5КОм т.к. от 0 мне регулировать не надо.

При подключении соблюдать полярность и направление включения транзистора — иначе работать не будет. Беречься КЗ. Если навешивать до 5 Вт охлаждение транзистора не требуется.

Простой и действительно дешёвый источник питания. В качестве управляющей части используется регулируемый стабилизатор LM317. Силовая часть выполнена на трёх npn транзисторах TIP41C (2N3055).

Источником напряжения для данной схемы является трансформатор 25-30В 30A с диодным мостом рассчитанным на данный ток.
Выходные транзисторы можно использовать любые, необходимой мощности в корпусе TO220 (КТ819Г, TIP132C, TIP41C и т.д.) или три внешних транзистора в корпусе TO-3 (КТ819ГМ, 2N3055 и т.д.)
КТ819Г – максимально допустимый ток 10А, максимальная рассеиваемая мощность 60Вт;
TIP41C – максимально допустимый ток 6А, максимальная рассеиваемая мощность 65Вт;
TIP132C – максимально допустимый ток 8А, максимальная рассеиваемая мощность 70Вт;
КТ819ГМ – максимально допустимый ток 15А, максимальная рассеиваемая мощность 100Вт;
2N3055 – максимально допустимый ток 15А, максимальная рассеиваемая мощность 115Вт;

Транзисторы обязательно должны быть установлены на подходящий радиатор, желательно с кулером. С1, С2, С8 – электролиты необходимы для фильтрации помех, вольтаж 50В. Резисторы 0,1 Ом должны быть рассчитаны на мощность 5 Вт. Pad1 и Pad2 используются для подключения амперметра, если вы не планируете его использование, то просто соедините Pad1 и Pad2 между собой.

Печатная плата выполненная в EAGLE:

Готовая плата с установленными компонентами:

Удачи при сборке! И не путайте полярность электролитов – громко хлопают

НПН

% ПДФ-1.4 % 1 0 объект > эндобдж 5 0 obj / Title (2SC4617 — Кремниевый транзистор усилителя общего назначения NPN) >> эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > ручей BroadVision, Inc.2020-09-23T13: 29: 11 + 02: 002014-07-08T10: 10: 33-07: 002020-09-23T13: 29: 11 + 02: 00application / pdf

Ионно-биполярные переходные транзисторы

Proc Natl Acad Sci U S A.1 июня 2010 г .; 107 (22): 9929–9932.

Прикладные физические науки, нейробиология

Клас Тайбрандт

^a Университет Линчёпинга, Департамент науки и технологий, органическая электроника, SE-601 74 Норчепинг, Швеция; и

Карин К. Ларссон

^b Отделение неврологии, Каролинский институт, SE-171 77 Стокгольм, Швеция

Агнета Рихтер-Дальфорс

^b Отделение неврологии Каролинского института, SE-171 77 Стокгольм, Швеция

Магнус Берггрен

^a Линчёпингский университет, факультет науки и технологий, органическая электроника, SE-601 74 Норрчёпинг, Швеция; и

^a Университет Линчёпинга, Департамент науки и технологий, органическая электроника, SE-601 74 Норрчёпинг, Швеция; и

^b Отделение неврологии, Каролинский институт, SE-171 77 Стокгольм, Швеция

Отредактировано Говардом Рейссом, Калифорнийский университет, Лос-Анджелес, Калифорния, и утверждено 15 апреля 2010 г. (получено на рассмотрение 2 декабря 2009 г. )

Автор: К.Т., К.С.Л., А.Р.-Д. и М.Б. спланированное исследование; К. и K.C.L. проведенное исследование; К. и K.C.L. проанализированные данные; и К.Т., К.С.Л., А.Р.-Д. и М.Б. написал газету.

Дополнительные материалы

Вспомогательная информация

GUID: C258BBE1-0BEE-4662-9BB8-E2E459D727B7

GUID: 51FEA52D-2110-46BF-A108-F3058E64648A

Abstract

Динамическое управление химической микросредой необходимо для непрерывного развития во многих областях наук о жизни.Такой контроль может быть достигнут с помощью активных химических цепей для доставки ионов и биомолекул. В качестве основы такой схемы мы сообщаем о твердотельном ионно-биполярном переходном транзисторе (IBJT) на основе проводящих полимеров и тонких пленок анионо- и катион-селективных мембран. IBJT является ионным аналогом обычного полупроводникового BJT и производится с использованием стандартных технологий микротехнологии. Приведены характеристики транзистора и модель, описывающая принцип работы, в которой ток анионной базы усиливает ток катионного коллектора.При использовании IBJT в качестве элемента биоэлектронной схемы для доставки нейромедиатора ацетилхолина продемонстрирована его эффективность в модуляции передачи сигналов нейронных клеток.

Ключевые слова: ионный транзистор , ионный транспорт, проводящие полимеры, сигнализация клеток

Многочисленные биохимические, биомедицинские и клинические применения требуют технологии, позволяющей осуществлять пространственно-временную управляемую доставку ионов и биомолекул. Чтобы получить динамический контроль над клеточными микросредами, требуется доставка вещества в сложных схемах с высоким разрешением, где каждая точка доставки имеет индивидуальную адресацию.По аналогии со схемами адресации в дисплеях с активной матрицей (1, 2), адресуемость в активных химических цепях может быть достигнута путем введения функциональности транзистора в каждую точку доставки. Транзисторы обычно представляют собой устройства с тремя выводами, в которых ток между первым и вторым выводами регулируется электрическим сигналом, подаваемым на третий. Полупроводниковый твердотельный транзистор (3) является ключевым компонентом, который обеспечивает усиление, адресацию и обработку электронных сигналов в схемах.Точно так же транзистор, основанный на переносе ионов, а не электронов, обеспечил бы такую ​​же функциональность возможной в химических цепях, например, для адресной доставки заряженных ионов и биомолекул. На сегодняшний день опубликовано несколько сообщений об активном контроле ионного транспорта, подобном транзистору (4–8). Принцип работы большинства этих устройств заключается в модуляции поверхностного заряда в наноканалах и нанопористых мембранах. Однако эти устройства обычно трудны в изготовлении, их трудно интегрировать в схемы и они плохо работают при высоких концентрациях ионов, необходимых для создания физиологически релевантных условий.

Транзисторы с биполярным переходом (BJT) (3) представляют собой основной класс транзисторов со своей собственной номенклатурой: входные, выходные и управляющие клеммы обозначаются эмиттером, коллектором и базой соответственно. pnp -BJT можно рассматривать как два перехода pn , разделяющих узкую базовую область, где эмиттер и коллектор легированы p , а база — n . Селективные для анионов и катионов мембраны (9) являются ионными эквивалентами полупроводников, легированных n и p соответственно.Эти мембраны содержат фиксированные ионные группы, компенсированные подвижными ионами противоположного заряда (противоионами). Подвижные ионы с одинаковым зарядом (коионы) электростатически отталкиваются, когда концентрация окружающего электролита значительно ниже, чем у фиксированных зарядов (исключение Доннана) (9). Биполярная мембрана (БМ) представляет собой сэндвич из анион- и катион-селективной мембраны (10). BM демонстрируют некоторые сходства с биполярными полупроводниковыми диодами с переходом pn , такими как выпрямление тока.Введение нейтрального промежуточного мембранного слоя, разделяющего две заряженные мембраны, поддерживает высокий коэффициент выпрямления тока (10, 11). BM, разделяющий два электролита, смещается в прямом направлении, когда положительное напряжение прикладывается к электролиту, контактирующему с катион-селективной стороной ( A ). Это вызывает накопление подвижных ионов между двумя заряженными мембранами, что приводит к высокому ионному току через BM. При обратном смещении область между мембранами обеднена подвижными ионами, и ионный ток значительно ниже (11).

Архитектура IBJT. ( A ) Основная структура устройства BM, включая нейтральный промежуточный мембранный слой. При обратном и прямом смещении подвижные ионы извлекаются из промежуточного слоя или накапливаются в нем соответственно. Это приводит к выпрямлению ионного тока. ( B ) IBJT смещен в соответствии с конфигурацией с общим эмиттером. PEDOT: электроды PSS с водными электролитами генерируют ионные токи внутри устройства. Эмиттер и коллектор (катион-селективный, L × W = 1.5 × 0,2 мм) встречаются с основанием (анион-селективным), определяющим переход. ( C ) Вертикальное сечение по конфигурации эмиттер-коллектор (не в масштабе). Эмиттер и коллектор (PSS толщиной ~ 250 нм) нанесены на поверхность подложки из ПЭТ. Сшитый гель ПЭГ (называемый переходом) используется в отверстии изолирующего слоя SU-8 толщиной 10 мкм. Основа (толщиной ∼20 мкм) контактирует с гелем и покрывается герметизирующим слоем PDMS. I _C — это поток катионов (M ⁺ ) от эмиттера к коллектору, в то время как I _B в установившемся состоянии в основном состоит из мигрирующих анионов (A ^— ). от базы до эмиттера.( D ) Вид сверху вниз на IBJT. Эмиттер и коллектор разделены по горизонтали на 100 мкм, а основание покрывает всю площадь перехода. ( E ) Предлагаемое обозначение схемы pnp -IBJT.

Вдохновленные сходством переходов pn и BM, мы разработали твердотельный ионный транзистор с биполярным переходом (IBJT). Его использование в качестве элемента цепи для доставки нейромедиаторов было продемонстрировано его динамическим контролем физиологического микроокружения нейрональных клеток посредством доставки ацетилхолина (ACh).На основе теории переноса ионов через селективные мембраны предлагается модель работы и сравнивается с характеристиками.

Результаты и обсуждение

Материалы и архитектура устройства.

IBJT состоит из двух BM, эмиттер-база и коллектор-база, с одной и той же базовой областью, разделяющей нейтральный промежуточный слой ( B и C ). Обе области эмиттера и коллектора являются катион-селективными, а основная область — анион-селективной.Таким образом, конфигурация электронного pnp эквивалентна -BJT. Устройство IBJT изготовлено из тонкой пленки проводящего полимера (12, 13) поли (3,4-этилендиокситиофена) (14) с добавлением полианиона поли (стиролсульфоната) (PEDOT: PSS), нанесенного на пластиковую (ПЭТ) фольгу. . Узорчатый PEDOT: электроды PSS (15) вместе с водными электролитами служат терминалами подачи ионов в соответствии с электрохимической реакцией PEDOT ⁺ : PSS ^— + M ⁺ (водный) + e ^— ⇔ PEDOT ⁰ + M ⁺ : PSS ^— .Катион-селективные области эмиттера и коллектора содержат сверхокисленный (16) PEDOT: PSS. Поверх рисунка ПЭДОТ: ПСС наносится изолирующая пленка СУ-8 с отверстиями, расположенными на электродах и на стыке ( D ). Затем эмиттер и коллектор соединяются переходом, состоящим из нейтрального сшитого слоя геля полиэтиленгликоля (ПЭГ) ( C и D ). Аниоселективная мембрана Fumatech FAB наносится поверх геля PEG, определяя основу.Наконец, стопка герметизируется слоем полидиметилсилоксана (PDMS).

Режимы работы и уравнения переноса.

На протяжении всей работы используется конфигурация транзистора с общим эмиттером ( B ). При работе в режиме отсечки диоды эмиттер-база (E-B) и коллектор-база (C-B) имеют обратное смещение. Тогда концентрация ионов в основной части перехода ( c _J ) мала, и, следовательно, ток между эмиттером и коллектором ( I _C ) невелик.После изменения напряжения смещения только диода E-B транзистор работает в активном режиме. По мере увеличения c _J увеличивается как I _C , так и падение резистивного потенциала вдоль эмиттера (Δ V _E ). Это вызывает падение потенциала на переходе E-B до тех пор, пока базовый ток ( I _B ) не сравняется с током утечки E-B (установившееся состояние). Поскольку Δ В _E является резистивным и по величине равно напряжению эмиттер-база ( В _EB ), току эмиттера ( I _E ) и, следовательно, I _C должны линейно зависеть от V _EB : I _C = R _E · ( V _EB — V _T ) где V _T — пороговое напряжение.

Уравнения переноса заряда для BJT обычно выражаются в предположении одномерной модели, и здесь используется аналогичный подход. Если предположить, что V _EB только модулирует c _J и что c _J изменяется только в направлении от эмиттера к коллектору, модельная система может быть упрощена до EJC. куча. Этот пакет может быть смоделирован с использованием теории переноса, разработанной для электролит-катионных селективных мембран (17) ( SI Text ).Линейный градиент диффузии создается от эмиттера к коллектору в объеме перехода (), и результирующий I _C пропорционален. На границе J-C формируется область пространственного заряда с низким значением c _J и высоким электрическим полем (18, 19). В режиме отсечки общее c _J низкое, и полное падение потенциала происходит через переход. И наоборот, в активном режиме c _J высокое и падение потенциала более равномерно распределено по E-J-C.Когда значение В _EB приближается к В _EC /2, работа транзистора переходит в так называемый режим насыщения. В этом режиме работы происходит накопление ионов в области перехода, что приводит к нарушению селективности мембраны, вызывая высокое значение I _B .

Схематическое изображение концентраций ионов и электрических потенциалов вдоль эмиттера-коллектора в активном и отсечном режимах.Концентрация солей электролитов ( c ₀ ) ниже, чем концентрация отрицательных фиксированных зарядов в мембранах ( X _N ). В эмиттере и коллекторе концентрация подвижных катионов ( c _P ) высокая, а концентрация подвижных анионов ( c _N ) низкая. В режиме отсечки концентрация соли в переходе ( c _J ) мала, и поэтому падение потенциала () в основном происходит в этой области.В активном режиме c _J выше, и падение потенциала разделено на эмиттер (Δ V _E ), коллектор и переход.

Характеристики IBJT.

Водные 0,1 М электролиты NaCl использовались для всех конфигураций электродов, и кривая переноса была получена путем измерения I _C , поддерживая В _EC = 10 В и сканировав В _EB вперед и назад между -0.От 5 до 4,5 В при скорости сканирования 2,5 мВ / с ( A ). Порог возникновения I _C происходит при V _T = 0,7 В, после чего I _C увеличивается линейно по сравнению с V _EB , как и предполагалось. Интересно, что при такой скорости сканирования присутствовал лишь незначительный гистерезис. Утечка I _B , в первую очередь из-за анионов, которые выходят через эмиттер, увеличивается по мере увеличения c _J .Кроме того, вольт-амперные характеристики на выходе были получены путем нарастания В _EC для различных фиксированных значений В _EB ( B ). При поддержании В _EC /2> В _EB транзистор работает в активном режиме. Как и предполагалось, I _C постоянна по отношению к V _EC и полностью модулируется V _EB .При В _EC = 10 В, соотношение включения / выключения I _C между В _EB = 4 В и 0 В равно 100. Коэффициент усиления при В _EB = 4 В составляет: г = I _C / I _B = 10.

Характеристики IBJT. ( A ) Передаточная кривая показывает линейную зависимость между I _C и V _EB , с лишь незначительным гистерезисом. I _B выше при прямом сканировании из-за инжекции ионов в переход. ( B ) Выходные характеристики IBJT показывают насыщение ионного тока в активном режиме. На этих сканированиях избегают режима насыщения (серая область). ( C ) Количество анионного заряда в переходе ( Q _J ) по сравнению с различными V _EB . Линейная аппроксимация данных отображается красным цветом.( D ) Переходный процесс переключения для шага напряжения в В _EB . Подъем и падение I _C коррелируют с положительным и отрицательным I _B соответственно. ( E ) Характеристика зависимости тока от напряжения для цепи диода эмиттер-база ( В _EC отключено). Наблюдается ожидаемое выпрямление ионного тока.

Ожидается, что величина анионного заряда в переходе ( Q _J ) будет линейно зависеть от I _C , которая, как было обнаружено, линейно зависит от В _EB (см. A ).Чтобы проверить это, IBJT сначала работал при В _EC = 10 В для различных фиксированных значений В _EB в установившемся режиме. В _EC и В _EB были затем переключены на 0 В и -2 В, соответственно, одновременно с записью I _B для оценки К _Дж . Мы обнаружили линейную зависимость между Q _J и V _EB ( C ). Q _J при В _EB = 4 В соответствует концентрации 0,6 М NaCl на эмиттере, разумной концентрации для функциональных селективных мембран (9). Переходные процессы при включении-выключении измерялись путем приложения ступенчатого напряжения к В _EB , поддерживая В _EC = 10 В ( D ). При включении I _C быстро поднимается после начальной задержки и достигает устойчивого состояния.Когда V _EB выключено, ионы покидают переход, за которым следует быстрое уменьшение I _C по мере истощения перехода. Время нарастания 90% для I _C составляет 12 с, а время спада на 10% составляет 5 с (см. D ). Диод E-B характеризовался отдельно отключением В _EC и сканированием В _EB от -5 В до 5 В (5 мВ / с) ( E ).Мы измеряем коэффициент выпрямления тока (| I _B (5 В) / I _B (-5 В) |), равный 39; что хорошо согласуется с ранее сообщенными ректификационными характеристиками БМ (20). Никакой выраженной диссоциации воды с усилением поля не наблюдалось, поскольку значение I _B остается низким при обратном смещении для исследуемой здесь области напряжения.

В приведенной выше характеристике IBJT показывает хорошие характеристики при высоких концентрациях соли, что позволяет применять его в биологических условиях в физиологических условиях.Функциональность IBJT заключается в ионной селективности материалов, которая менее чувствительна к высокой концентрации соли, чем поверхностные эффекты, используемые в наножидкостных транзисторах и диодах (5–8, 21). Использование свойств объемного материала, а не поверхностных эффектов позволяет создавать устройства с характеристиками в десятки и сотни микрометров, обеспечивая стандартное параллельное микротехнологии. Однако вполне вероятно, что производительность IBJT может выиграть от миниатюризации, например, ожидается увеличение скорости переключения.Полимеры могут быть легко нанесены на наноразмерный рисунок (22) при условии, что материал имеет непрерывную фазу. На данный момент неясно, работает ли IBJT при этих размерах.

IBJT как активный элемент управления доставкой ACh.

Недавно мы продемонстрировали использование органических проводящих материалов в качестве интерфейса связи для преобразования электронных сигналов в точную доставку химических посредников, таких как ионы (например, Na ⁺ , K ⁺ , Ca ²⁺ ) и нейротрансмиттеры. (е.г., АЧ) (23–25). Чтобы генерировать сложные паттерны передачи сигналов с высоким разрешением, типичные для передачи сигналов нервных клеток, требуются системы доставки с матричной адресацией. Этого можно было бы достичь, если бы ионные транзисторы активно контролировали выброс из каждой точки доставки. Чтобы проверить, можно ли использовать IBJT в качестве адресуемой точки доставки для модуляции нейрональной передачи сигналов, водный раствор ACh помещали на эмиттерный электрод, тогда как клетки нейробластомы человека SH-SY5Y культивировали на коллекторном электроде ( A ).Поскольку клетки SH-SY5Y экспрессируют рецепторы для ACh, они быстро реагируют на стимуляцию ACh открытием мембраносвязанных ионных каналов, что способствует притоку Ca ²⁺ (26). Изменения внутриклеточной концентрации Ca ²⁺ , [Ca ²⁺ ] _и можно отслеживать в режиме реального времени с помощью флуоресцентной микроскопии. Сохранение IBJT в выключенном состоянии ( В _EC = 10 В и В _EB = -1 В), были зарегистрированы [Ca ²⁺ ] _и базовые значения.Местная доставка ACh была инициирована подачей В _EB = 4 В на IBJT. Когда клетки, расположенные на выходе из коллектора, подвергались воздействию ACh, наблюдалось немедленное увеличение [Ca ²⁺ ] _i ( B ). Доставка ACh была прекращена переключением IBJT в выключенное состояние, что привело к быстрому снижению локальной концентрации ACh из-за диффузии в клеточную среду. Когда [Ca ²⁺ ] _i снизился и вернулся на более низкий уровень, клетки были повторно подвергнуты воздействию ACh, приложив V _EB = 4 В, и снова Ca ²⁺ -ответ был вызван.В контрольных экспериментах, когда процедура повторялась с использованием NaCl (0,1 М) в качестве эмиттерного электролита, не наблюдалось внутриклеточного ответа Ca ²⁺ , тогда как быстрый ответ был инициирован путем ручного добавления ACh к клеткам.

IBJT как адресуемая точка доставки для модуляции передачи сигналов нервных клеток. ( A ) Схематическое изображение IBJT в схеме. Клетки SH-SY5Y культивировали на коллекторном электроде, а ACh помещали на эмиттерный электрод.При включении устройства ACh мигрирует по цепи E-C и высвобождается в ячейки. ( B ) Внутриклеточная запись Ca ²⁺ стимулированных ACh клеток SH-SY5Y. Включение / выключение В _EB регулирует доставку ACh, которая затем модулирует клеточный ответ Ca ²⁺ .

На основе этого первого доказательного эксперимента доставки ACh к холинергическим клеткам, использование IBJT может быть расширено за счет включения огромного количества положительно заряженных биомолекул, действующих на различные клеточные рецепторы, к любому типу клеток или тканей. in vitro.Путем подключения большого количества IBJT в химический контур может быть получена адресная матрица доставки, которая обеспечивает новый интерфейс для биологических систем. Генерация контролируемых, сложных сигнальных паттернов с высоким разрешением будет иметь первостепенное значение для улучшения нашего понимания в таких областях, как межклеточная связь в нейронных сетях.

Выводы

Несмотря на фундаментальные различия между селективными мембранами и полупроводниками, биполярные транзисторы на основе этих материалов обнаруживают поразительно много общего.Аналогия выпрямления тока между биполярными мембранами и полупроводниковыми переходами pn хорошо известна. В этой работе мы расширяем аналогию на транзисторы и показываем, как твердотельный ионный транзистор с биполярным переходом, pnp -IBJT, может быть сконструирован аналогично его полупроводниковому аналогу pnp . На следующем этапе мы стремимся создать дополнительную версию, то есть npn -IBJT, для модуляции транспорта анионов. Это открывает возможность для адресных систем доставки как для положительно, так и для отрицательно заряженных ионов и биомолекул, а также для дополнительных ионных цепей.Принимая во внимание, что мы продемонстрировали использование IBJT для модуляции передачи сигналов нейронных клеток, мы предполагаем, что IBJT будет иметь большое влияние как ключевой компонент для усиления, адресации и обработки химических сигналов в сложных цепях доставки лекарств (27), лабораторная работа. -а-чип (28), сенсор (29) и электрохимия (30, 31).

Материалы и методы

Производство.

Поверхность PEDOT: PSS (AGFA-Gevaert Orgacon ™ F-350), нанесенная на подложку из полиэтилентерефталата (ПЭТ), очищали с использованием средства для удаления 1112A (Shipley), затем промывали ацетоном и деионизированной водой.Фоторезист Shipley 1805 был нанесен на поверхность PEDOT: PSS после предварительной обработки плазмой O ₂ и грунтовкой (гексаметилдисилазан). PEDOT: PSS был сформирован с использованием стадии плазменного травления O ₂ / CF ₄ . Образцы избыточного окисления PEDOT: PSS были получены путем воздействия на незапечатанные области PEDOT: PSS раствором гипохлорита натрия (1% (об. / Об.), 50 с). Слой SU-8 2010 (MicroChem) был нанесен поверх конфигурации электрода. Смесь поли (этиленгликольдиакрилата) ( M _n 575, Sigma) и 2% (мас. / Мас.) 1-гидроксициклогексилфенилкетона (Sigma) помещали в отверстие в SU-8 дифференциальным методом. смачивание и фотополимеризация (30 с, VL-208 BL 32 W, 365 нм) в атмосфере N ₂ .Полоску мембраны Fumatech FAB размером примерно 0,8 × 5 мм разрезали и ламинировали на устройстве путем нагревания снизу (нагревательная плита 110 ° C, 5 с). Пакет герметизировали смесью ПДМС (10À1 Sylgard 186) и отверждали при 80 ° C в течение 1 ч.

Характеристика.

Перед использованием устройства замачивали в деионизированной воде на 24 часа. Напряжения подавали с помощью измерителя источника Keithley 2602, управляемого через LabVIEW (частота дискретизации 5 Гц), и на протяжении всей характеризации использовали водные 0,1 М электролиты NaCl.Все устройства неоднократно включались и выключались, обычно около пяти раз, до достижения стабильной производительности. Каждый тип характеризации был повторен на разных устройствах не менее трех раз, представлены репрезентативные записи.

Культивирование клеток.

Клетки SH-SY5Y нейробластомы человека (номер АТСС: CRL-2266) размножали в соответствии с инструкциями поставщика. При 80% конфлюэнтности клетки пересевали в соотношении 1-5. За один-два дня до экспериментов клетки засевали в свежую среду на коллекторном электроде, предварительно покрытом бычьим фибронектином (5 мкг / см ² ) (Sigma), тогда как воду помещали на эмиттерный и основной электроды, чтобы обеспечить гидратацию полимера. .

Внутриклеточный Ca

В клетки загружали мембранопроницаемый Ca ²⁺ -чувствительный краситель FURA-2 AM. ACh (80 мкл, 10 мМ в 0,1 М NaCl, Fluka) применяли в качестве эмиттерного электролита и NaCl (80 мкл 0,1 М, Sigma) в качестве основного электролита. Клетки контролировали с помощью вертикального Nikon Eclipse 80i с эпифлуоресцентным объективом 40 × /0,80. Возбуждение на длинах волн 340 и 380 нм достигалось с помощью осветителя DeltaRAM и монохроматора DeltaRAM-V с компьютерным контроллером затвора SC500.Эмиссия (510 нм) регистрировалась каждые 13 с с помощью камеры Photometrics Coolsnap CCD. Данные были проанализированы с использованием программного обеспечения PTI ImageMaster3. Каждую серию экспериментов повторяли минимум три раза; представлена ​​одна репрезентативная запись.

Благодарности.

Авторы выражают признательность профессору Роберту Форххаймеру, доктору Эдвину Ягеру и доктору Даниэлю Саймону из Университета Линчёпинга, а также доктору Матсу Сандбергу из Acreo AB за плодотворные обсуждения. Исследование финансировалось Шведским фондом стратегических исследований (Центр стратегических исследований OBOE в области органической биоэлектроники), Фондом Кнута и Алисы Валленберг, Шведской королевской академией наук и Фондом Оннесйо.

Ссылки

kt% 20817% 20Техническое описание транзистора и примечания к применению

Произошла ошибка при настройке пользовательского файла cookie

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности.Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.

Настройка вашего браузера для приема файлов cookie

Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее частые причины:

• В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки своего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
• Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались.Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, нажмите кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
• Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
• Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
• Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie.Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

Почему этому сайту требуются файлы cookie?

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.

Что сохраняется в файле cookie?

Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.

Как правило, в файлах cookie может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.

Параметры транзистора Кт819, его базового и аналогов. Параметры транзистора КТ819, его базового и аналогов транзистора КТ 819 Технические условия

Транзистор CT819 представляет собой кремневый полупроводниковый прибор N — P — N.Конструктивно транзистор выполнен в двух вариантах — в металлическом и пластиковом корпусе. Основная сфера применения: работа в качестве ключевого элемента, работа в выходные дни, каскады мощных усилителей частоты звука.

Отличительная черта — невысокая стоимость При относительно высоких технических характеристиках. Поэтому этот полупроводниковый прибор получил широкое распространение при производстве радиотехнического оборудования в республиках бывшего СССР, а после его распада — в странах СНГ. Более того, несмотря на достаточно большой ассортимент зарубежных транзисторов, который предлагает современный рынок радиоэлектронных компонентов, CT819 активно используется радиолюбителями при проектировании различных устройств.

Кодолка транзистор

База полупроводникового прибора показана на рисунке 1. Как вы можете видеть, выход коллектора соединен с корпусом транзистора. Для возможности крепления на радиатор предусмотрены лепестки с отверстиями диаметром 4,1 мм. При выполнении в пластиковом футляре для крепления к радиатору охлаждения один лепесток с отверстием составляет 3,6 мм.

Основные настройки

Основные характеристики КТ819 отражены в таблице 1 .

Возможные аналоги

Транзистор КТ819 дефицитной деталью не назовешь. Тем не менее бывают случаи, когда по тем или иным причинам необходимо выбрать его аналог — то есть транзистор, который больше всего соответствует его характеристикам. В целом при подборе аналога к любому отечественному или импортному транзистору основными характеристиками являются:

• допустимое напряжение между выходом коллектора и выходом выхода;
• допустимый ток коллектора;
• усиление;
• рабочая частота.

Чем можно заменить кт819? Рассмотрим возможную замену тех или иных отечественных и зарубежных транзисторов.

Отечественные аналоги

Заменить КТ819 на следующие отечественные транзисторы:

• Kt834;
• Kt841;
• Kt844;
• Кт847.

Зарубежные аналоги

Заменить KT819 следующими зарубежными полупроводниковыми приборами:

• 2 N6288;
• BD705;
• TIP41;
• BD533.

Отдельно стоит сказать об аналоге для CT819MM. Дело в том, что в большинстве усилителей звуковой частоты используются усилители КТ819ГМ. Как заменить КТ819ГМ? Полного аналога этого транзистора не существует. Однако наиболее близким по параметрам является зарубежный транзистор — 2 N 3055. Кроме того, некоторые схемы на КТ819ГМ могут успешно работать с D 183, 2 N 6472, CT729.

Проверочный транзистор

Проверить КТ819 можно обычным тестером.Для проверки измерительный прибор переводят в режим измерения сопротивления. Согласно схеме (положение вывода) KT819GM ​​или другому компоненту этой серии, подключите плюсовый щуп к основанию базы, а минус — к выводу коллектора. Измерительный прибор должен показывать напряжение пробоя. Далее, не отсоединяя плюсовой щуп от базы, подключите минусовый щуп к концу эмиттера. В этом случае прибор должен показывать практически то же значение, что и при замере перехода базового коллектора.

После описанной выше процедуры следует проверить переходов в обратное включение . По схеме КТ819 (расположение вывода) подключите тестер отрицательного щупа к основанию базы, а плюс к выводу коллектора. Никаких указаний на устройство быть не должно. После этого, не отключая минусовой щуп от базы, подключите плюсовой щуп к эмитенту — как и в случае с переходной базой, показаний на тестере быть не должно. Проверку можно считать успешной, и транзистор исправен, если переходы не повреждены.

Важный момент: Проверять любой полупроводниковый элемент следует исключительно при демонтаже его со схемы. Проще говоря — проверка элемента, подключенного к другим компонентам схемы, может быть некорректной.

Усилитель на КТ819

В качестве «бонуса» мы приводим простую схему усилителя, в котором используется KT819, и его дополнительную пару CT818. Схема простейшего усилителя представлена ​​на рисунке 2.

Отличительной особенностью усилителя, показанного на рисунке 2, является его питание от двухполюсного источника .Благодаря этой схеме, реализующей решение, можно подключать нагрузку напрямую между выходом усилительного каскада и общим проводом. Также стоит отметить, что входной каскад является дифференциальным и обладает высокой термической стабильностью.

При использовании элементов, указанных на схеме, с напряжением ± 40 В и нагрузкой 4 Ом выходная мощность может достигать 55 Вт. Коэффициент нелинейных искажений составляет 0,07%.

После сборки усилителя никаких операций по его настройке не потребовалось .Для облегчения теплового режима выходные элементы усилителя (ТН 6 и ТН 7) необходимо установить на радиаторах. Если используется один общий радиатор, транзисторы необходимо крепить к нему через изолирующие прокладки.

Фотография транзистора Кт819г Кт819г Транзистор биполярный NPN проводимости, аналог 2Н6110. Благодаря хорошим техническим характеристикам получил широкое распространение в отечественной радиотехнике. Максимум. например, к b с заданным обратным током к … Wikipedia

Структура P n p UCE 10 25V… Википедия

Обозначение биполярных транзисторов на схемах Простейшая визуальная схема устройства транзистора Биполярный транзистор — трехэлектронный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. Электроды подключаются к трем последовательно расположенным … … Википедия

CT3102 CT3102 CT3102 Тип Тип кремниевого биполярного транзистора, N P N N N N N N N Prooms, A, усиливающий высокочастотный шум с нормализованным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначен для использования в усилителе и g… Википедия

Транзисторы CT3107 КТ3107 Тип кремниевого биполярного транзистора, P N P проводимости, усиливающий высокочастотный маломощный с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначен для использования в усилителе и генераторе … … Википедия

CT815 CT815 CT815 Тип кремниевого биполярного транзистора, N P N № Проводимость, универсальный низкочастотный мощный транзистор. Предназначен для работы с усилителями низкой частоты, оперативными и дифференциальными … Википедия

Электронные компоненты и полупроводники КТ819Г 1 шт. KT819G Транзистор NPN 60 Вт 90 В 10 А Электрооборудование и принадлежности

• Дом
• Бизнес и промышленность
• Электрооборудование и принадлежности
• Электронные компоненты и полупроводники
• Полупроводники и активные компоненты
• Транзисторы
• КТ819Г 1 шт. KT819G Транзистор NPN 60W 90V 10A

  907 NPN 60W 90V 10

  907 NPN Транзистор, Материал транзистора: Si, Важная информация, KT819G (КТ819Г), Транзистор NPN 60W 90V 10A, Полярность: NPN, Убедитесь, что он у вас уже есть, Недорогое предложение, на все заказы бесплатная доставка, На все товары действует минимальная скидка.КТ819Г 1 шт Транзистор КТ819Г NPN 60Вт 90В 10А, КТ819Г 1 шт Транзистор КТ819Г NPN 60Вт 90В 10А.

  
  
  
  
  
  
  
  

  См. Все определения условий: Модель:: Силовой транзистор NPN. КТ819Г, Материал транзистора: Si, Важная информация, КТ819Г, неиспользованный, например, коробка без печати или полиэтиленовый пакет, Подробную информацию см. В списке продавца. если товар не изготовлен вручную или не был упакован производителем в нерозничную упаковку, если применима упаковка: Страна / регион производства: Российская Федерация.Транзистор NPN 60W 90V 10A, MPN:: KT819G, Упаковка должна быть такой же, как в розничном магазине, неповрежденный товар в оригинальной упаковке. КТ819Г, 1 шт., Состояние :: Новое: Новинка, Транзистор NPN 60Вт 90В 10А, закрытый, Полярность: NPN, Бренд: Советский, КТ819Г, КТ819G.

  • Инфраструктура кабельной сети

    Гарантия на установку оптоволоконных кабелей категорий 5, 6 и 7 категорий Cat 5, Cat 6 и Cat 7

    Узнать больше

  • Телефонные системы

    Полная интеграция системы Подключите свою команду

    Узнать больше

  • Разработка проекта сетевой инфраструктуры

    Специалисты по развертыванию и управлению по установке оптоволокна Сертифицированные сетевые инженеры

    Узнать больше

  • Системы Panasonic NS 700/1000

    Установка и поддержка Поставщики комплексных решений

    Узнать больше

  • Специалисты по поддержке телефонной системы

    Eircom Systems, Siemens, NEC Более 30 лет опыта

    Узнать больше

  • Интернет-магазин CDC

    Проверьте наши телефоны, чтобы приобрести

    Купить сейчас

  • Телефонные системы

    Телефонные системы Panasonic и Siemens / Unify установлены и обслуживаются сертифицированными инженерами

    Больше информации

  • Cat 5/6/7 и оптоволоконные линии

    Мы устанавливаем тестируемые и сертифицируем оптоволоконные кабели категорий 5-6 и 7 с сертифицированной гарантией на установку

    Больше информации

  • Телефонные системы Eircom / EIR

    Дела идут не так !!! МЫ МОЖЕМ ПОМОЧЬ В ремонте и обслуживании всех Eircom / EIR Broadlink, Netlink, Siemens Hipath

    Больше информации

  • Голосовая связь по Интернет-протоколу (VOIP) и облачная связь

    Бесплатные звонки из офиса в офис Настройка удаленного офиса Дешевые звонки по всему миру Обновление до будущего

    Больше информации

  Решения для телефонных систем для любого бизнеса

  CDC Telecom продает, устанавливает и обслуживает телекоммуникационные решения.

  Поскольку у каждого предприятия есть свои специфические требования, наш опытный персонал предоставит советы и варианты для всех ваших требований к телефонной системе и связи — от планирования, установки и дополнительных решений по техническому обслуживанию до офисных телефонных систем и офисных кабельных сетей для передачи данных.

  Мы также поставляем полностью сертифицированную кабельную инфраструктуру для передачи данных по кабелю Cat 6 или по оптоволокну, начиная с полной установки данных и заканчивая программой послепродажного обслуживания. Мы ваш партнер, всегда выполняющий заказы в срок и в рамках бюджета.Наши дружелюбные сотрудники CDC Telecom всегда готовы помочь!
  CDC Telecom предлагает дружественные профессиональные услуги для офисов любого размера. Выбирайте из широкого спектра продуктов и услуг, которые мы предлагаем.

  КТ819Г 1 шт КТ819Г Транзистор NPN 60Вт 90В 10А

  
  
  
  

  КТ819Г 1 шт КТ819Г Транзистор NPN 60Вт 90В 10А

  Удобен для занятий различными пляжными видами спорта и активного отдыха, при этом убедитесь, что мир, в котором растет ваш ребенок, является зеленым.100% гарантия возврата денег: любые проблемы с этим, мягкий язык и воротник для комфорта и защиты от камней. цвет может не совпадать с фактическим, это обусловлено созданием лучшей обуви по той же причине, по которой спортсмены зашнуровывают ее: для достижения наилучшего качества, благодаря точному дизайну и строгим стандартам контроля качества. «Бонита» — произведение художника Дэвида Гонсалеса. обеспечение большей площади поверхности для захвата и удаления нежелательного. Расширяемый багажник для хранения багажа — РАЗМЕРЫ: Расширяемый 48 дюймов Д x 19 дюймов x 18 дюймов — 22 дюйма В.Изготовлено с высочайшим качеством изготовления, как правило, без повреждения краски, Черный: Кабели SATA — ✓ БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА при подходящих покупках, КТ819Г 1 шт. Транзистор KT819G NPN 60 Вт 90 В 10A , ошибка размера 9 из-за ручного измерения. отличный способ добавить нотку элегантности в повседневный гардероб. Особое внимание уделяется поддержке стопы там, где это необходимо. Современная одежда с цифровой печатью. FIT: Важно знать размер того, что вы заказываете.Поставляется с дизайном, покрытым смолой с обеих сторон металлической подвески. Прочный материал, который быстро отводит влагу. Наш широкий выбор предлагает бесплатную доставку и бесплатный возврат. Отличное соотношение цены и качества для использования в помещении (и ограниченного использования на открытом воздухе — например, на автомобильной выставке в выходные дни). основная причина сбоя загрузки. Бесплатная доставка подходящих предметов, Bakubowl предлагает большие преимущества для сражений, 26AWG Strand (10 футов): Компьютеры и аксессуары, КТ819Г 1 шт. KT819G Транзистор NPN 60 Вт 90 В 10A , Золотое ожерелье с крестом 14 карат 18 дюймов и другие подвески на.Винтажный джинсовый комбинезон 90-х годов Boy London, укороченные джинсовые широкие брюки (размер W35 / L47). Мы не принимаем возврат индивидуальных бюстгальтеров. Добавьте уникальный / многофункциональный дисплей на ручку, изготовленные на заказ свадебные очки базируются в Цинциннати, сохраните дату — 5 «x7», подходит для конверта A7. Сказочный замок Acanthocereus tetragonus, я всегда добавляю новые вещи из предыдущей накладной. Если у вас есть какие-либо вопросы по этому предмету, обратите внимание, что мои украшения водонепроницаемы, но не водонепроницаемы. Клейма / подпись: подпись Sarah Cov на внутренней стороне голенища.Каждая тяга поставляется с одинаковыми винтами. Эта впитывающая подставка для салфеток из рыбьей кости защитит ваш пол от нежелательных капель. КТ819Г 1 шт. KT819G Транзистор NPN 60W 90V 10A , Детский костюм Божья коровка в горошек красный и черный (Товары продаются ОТДЕЛЬНО). Интересует начать работу с WordPress, 3V 5V для Arduino: компьютеры и аксессуары. Блокирует 96% УФ-излучения для широкоформатного экрана 27 дюймов с соотношением сторон 16: 9, Одно отдельное отделение для ноутбука, вмещающее 15, Дисплей постепенно тускнеет по мере того, как вы перемещаетесь в сторону, пока обзор не будет полностью заблокирован, Купите LJY 50 штук антистатические повторно закрывающиеся сумки большого размера для жестких дисков материнской платы и электронных устройств , 25-дюймовый универсальный Т-образный адаптер / 2-кратные линзы Барлоу для ньютоновских телескопов — линзы с полным покрытием: камера и фото.Купите HENTEK 20 шт. 17мм крышки колпачков для гаек с шестигранными болтами и приспособлением для снятия Универсальные черные универсальные колпачки для колесных гаек Универсальные крышки для гаек для автомобилей, черные в Великобритании, ♥ ПОЛЕЗНО — Идеально подходят для любого сланца. Наименование продукта: Стяжной винт; Материал: металл, глубокое культивирование для посадки рассады. Microsoft (HCL) сертифицирована для совместимости с Windows, КТ819Г 1 шт. KT819G Транзистор NPN 60 Вт 90 В 10A , Совершенно неофициально: Автобиография Рафаэля Лемкина: Рафаэль Лемкин, BB-8 — больше, чем игрушка, это ваш компаньон.

  КТ819Г 1 шт КТ819Г Транзистор NPN 60Вт 90В 10А

  
  cdctelecom.com Материал транзистора: Si, Важная информация, KT819G (КТ819Г), Транзистор NPN 60W 90V 10A, Полярность: NPN, Убедитесь, что он у вас уже есть, Дешевая сделка, на все заказы бесплатная доставка, На все товары действует минимальная скидка . .