Какие технические характеристики имеет транзистор КТ819. Где применяется КТ819В. Каковы особенности и параметры транзистора КТ819. Какие существуют модификации КТ819. В чем преимущества использования КТ819 в электронных схемах.
Общее описание транзистора КТ819 и его модификаций
Транзистор КТ819 представляет собой n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор в пластмассовом корпусе. Он разработан для использования в различных электронных схемах, включая ключевые и линейные схемы. Данный транзистор выпускается в нескольких модификациях: КТ819А, КТ819Б, КТ819В и КТ819Г.
Основные особенности КТ819:
- Тип проводимости: n-p-n
- Материал: кремний
- Технология изготовления: эпитаксиально-планарная
- Корпус: пластмассовый КТ-28 (ТО-220)
- Диапазон рабочих температур: от -45°C до +100°C
Технические характеристики транзистора КТ819В
Рассмотрим подробнее технические характеристики модификации КТ819В:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 70 В
- Максимальный постоянный ток коллектора: 10 А
- Максимальный импульсный ток коллектора: 15 А
- Статический коэффициент передачи тока: 15-20
- Граничное напряжение: 60 В
- Максимальная рассеиваемая мощность: 60 Вт
Какие параметры наиболее важны при выборе транзистора для конкретной схемы? Ключевыми характеристиками являются максимальное напряжение коллектор-эмиттер, максимальный ток коллектора и коэффициент усиления по току. Эти параметры определяют возможности транзистора по управлению мощной нагрузкой.
Назначение выводов транзистора КТ819
Транзистор КТ819 имеет три вывода, расположение которых стандартно для корпуса TO-220:
- Эмиттер
- Коллектор
- База
Зачем нужно знать назначение выводов транзистора? Правильное подключение транзистора критически важно для его корректной работы и предотвращения выхода из строя. Ошибка в подключении может привести к немедленному разрушению транзистора или нарушению работы всей схемы.
Применение транзистора КТ819 в электронных схемах
Транзистор КТ819 находит широкое применение в различных областях электроники благодаря своим характеристикам:
- Ключевые схемы в импульсных источниках питания
- Усилители мощности звуковой частоты
- Драйверы управления электродвигателями
- Регуляторы напряжения и тока
- Преобразователи напряжения
Почему КТ819 часто используется в ключевых схемах? Благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии и высокой скорости переключения, этот транзистор обеспечивает эффективную работу в импульсных режимах с минимальными потерями энергии.
Сравнение модификаций КТ819А, КТ819Б, КТ819В и КТ819Г
Различные модификации транзистора КТ819 отличаются некоторыми параметрами:
Параметр | КТ819А | КТ819Б | КТ819В | КТ819Г |
---|---|---|---|---|
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, В | 40 | 50 | 70 | 100 |
Статический коэффициент передачи тока | 15-20 | 20-25 | 15-20 | 12-15 |
Граничное напряжение, В | 25 | 40 | 60 | 80 |
Как выбрать подходящую модификацию КТ819 для конкретной схемы? Выбор зависит от требуемого рабочего напряжения и необходимого коэффициента усиления. Для высоковольтных применений лучше подойдут КТ819В или КТ819Г, а для схем с меньшим напряжением, но требующих большего усиления — КТ819Б.
Особенности эксплуатации и монтажа транзистора КТ819
При использовании транзистора КТ819 следует учитывать несколько важных аспектов:
- Необходимость теплоотвода при работе с большими токами
- Чувствительность к статическому электричеству
- Важность правильного подключения выводов
- Соблюдение температурного режима работы
Как обеспечить надежную работу транзистора КТ819 в мощных схемах? Ключевым фактором является эффективный теплоотвод. Рекомендуется использовать металлический радиатор, площадь которого рассчитывается исходя из максимальной рассеиваемой мощности. Также важно применять теплопроводящую пасту между корпусом транзистора и радиатором для улучшения теплопередачи.
Альтернативы и аналоги транзистора КТ819
Хотя КТ819 является популярным выбором для многих применений, существуют и другие транзисторы с похожими характеристиками:
- 2N3055 — широко распространенный силовой транзистор
- TIP3055 — аналог 2N3055 в корпусе TO-220
- BD243 — мощный транзистор с хорошими частотными характеристиками
- MJE3055T — транзистор с улучшенными тепловыми характеристиками
Когда стоит рассмотреть альтернативы КТ819? Замена может потребоваться при необходимости улучшить определенные параметры схемы, например, повысить рабочую частоту или увеличить допустимую мощность рассеивания. Также выбор альтернативы может быть обусловлен доступностью компонентов или экономическими факторами.
Преимущества использования КТ819 в современной электронике
Несмотря на появление новых типов полупроводниковых приборов, транзистор КТ819 остается востребованным в различных областях электроники. Его преимущества включают:
- Высокая надежность и устойчивость к нагрузкам
- Доступность и низкая стоимость
- Простота применения в схемах
- Хорошая совместимость с другими компонентами
- Широкий выбор модификаций для различных применений
Почему КТ819 продолжает использоваться в современных разработках? Этот транзистор обладает оптимальным соотношением цена/качество для многих применений. Его характеристики хорошо изучены, что упрощает проектирование схем и снижает риски при разработке новых устройств. Кроме того, большой опыт применения КТ819 в различных условиях обеспечивает высокую надежность устройств на его основе.
В заключение можно сказать, что транзистор КТ819 и его модификации являются надежным и проверенным временем решением для широкого спектра электронных устройств. Понимание его характеристик и особенностей применения позволяет разработчикам создавать эффективные и надежные схемы для различных задач.
Транзистор КТ819В
В корзину
- Описание и характеристики
- Отзывы(0)
- Инструкция
Транзистор КТ819В n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в ключевых и линейных схемах; другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.
Номер технических условий
- аАО.336.189 ТУ / 02
Особенности
- Диапазон рабочих температур: — 45 до + 100 С
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)
Вывод | Назначение |
№1 | Эмиттер |
№2 | Коллектор |
№3 | База |
Параметры | Обозначение | Ед.изм. | Режимы измерения | Min | Max |
Обратный ток коллектора | Iкбо | мА | Uкб=40B | 1 | |
Статический коэффициент передачи тока КТ819А, В КТ819Б КТ819Г | h31э | — | Uкб = 5 B, Iэ =5 A | 15 20 12 | — |
Граничное напряжение | Uкэо гр | В | Iэ =0,3 A, tи= 270 330 мкс | 25 | — |
КТ819А | |||||
КТ819Б | 40 | ||||
КТ819В | 60 | ||||
КТ819Г | 80 | ||||
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Uкэ нас | В | Iк=5A, Iб=0,5A | — | 2 |
Параметры | Обознач. | Ед. изм. | Значение |
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rэб | Uкэ max | В | 40 |
КТ819А | |||
КТ819Б | 50 | ||
КТ819В | 70 | ||
КТ819Г | 100 | ||
Напряжение эмиттер-база | Uэб max | В | 5 |
Постоянный ток коллектора | Iк max | А | 10 |
Импульсный ток коллектора tи 100 | Iки max | А | 15 |
Максимально допустимый постоянный ток базы | Iб max | А | 3 |
Импульсный ток базы tи 100 | Iби max | А | 5 |
Рассеиваемая мощность при Ткорп. | Рк мах | Вт | 60 |
Отзывы
APT10M09B2VR,APT10M09B2VR pdf中文资料,APT10M09B2VR引脚图,APT10M09B2VR电路-Datasheet-电子工程世界
APT10M09B2VR
APT10M09LVR
100V 100A 0.009
W
B2VR
POWER MOS V
®
Power MOS V
®
— это новое поколение высоковольтных N-канальных полевых МОП-транзисторов с расширенным режимом
. Эта новая технология сводит к минимуму эффект JFET,
увеличивает плотность упаковки и снижает сопротивление в открытом состоянии. Мощность МОС В
также обеспечивает более высокую скорость переключения за счет оптимизированного расположения вентилей.
T-MAX™
TO-264
LVR
• Идентичные характеристики:
T-MAX™
или пакет TO-264
• Более быстрое переключение 900 03
• Нижняя утечка
МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ
Символ
В
ДСС
И
Д
И
ДМ
В
ГС
В 9 0003
GSM
P
D
T
J
,T
STG
T
L
90 002 IAR
E
AR
E
AS
Параметр
D
G
S
• 100% Лавинное испытание
Все номиналы: T
C
= 25°C, если не указано иное.
APT10M09
ЕДИНИЦА
Вольт
Ампер
Напряжение сток-исток
Непрерывный ток стока @ T
C
= 25°C
Импульсный ток стока
1
5
Gate- Напряжение источника Непрерывное
Переходное напряжение затвор-исток
Суммарная мощность Рассеяние при T
C
= 25°C
Линейный коэффициент снижения
Диапазон температур перехода при эксплуатации и хранении
Температура вывода: 0,063″ от корпуса за 10 с
Лавина
1
5
Энергия повторяющейся лавины
Энергия лавины одиночного импульса
L
A
IC
N 900 03
H
C N
E O
T I
D AT
E
C
M
N
R
A
O
V
D INF
A
10 0
100
400
5
±30
±40
625
5,0
Вольт
Ватт
Вт/°C
°C
Ампер
90 002 мДжот -55 до 150
300
100
50
(повторяющиеся
1
4
3000
СТАТИЧЕСКИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Символ
BV
DSS 90 003
I
D(on)
R
DS(on)
I 9
Характеристики/условия испытаний 2 GS
= 0 В, I
D
= 250 мкА)
Ток стока в рабочем состоянии
2
5
МИН
ТИП
МАКС
ЕДИНИЦА
Вольт
Ампер
100
100
0,009
250
1000
2
4
±100
(V
DS
> I
D(on)
x R
DS(вкл. )
Макс., В
GS
= 10 В)
2
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
(V
GS
= 10 В, 0,5 I
D[Cont.]
) 9 0003
Ом
мкА
нА
Вольт
Ток стока при нулевом напряжении затвора (V
DS
= В
DSS
, В
GS
= 0 В)
Напряжение стока при нулевом напряжении (В
DS
= 0 .8 В
DSS
, В
GS
= 0 В , T
C
= 125°C)
Ток утечки затвор-исток (В
GS
= ±30 В, В
DS
= 0 В )
Пороговое напряжение затвора (В
DS
= В
ГС
, Я
D
= 2,5 мА)
ОСТОРОЖНО:
Эти устройства чувствительны к электростатическому разряду. Следует соблюдать надлежащие процедуры обращения.
Веб-сайт APT — http://www.advancedpower.com
США
ЕВРОПА
405 S.W. Columbia Street
Chemin de Magret
Bend, Oregon 97702 -1035
F-33700 Merignac — France
Телефон: (541) 382-8028
Телефон: (33) 5 5 7 92 15 15
ФАКС: ( 541) 388-0364
ФАКС: (33) 5 56 47 97 61
050-5911
ред. A 4-2000
ДИНАМИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Символ
C
iss
C
oss
C
rss
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t 90 003
r
t
d(off)
t
f
Характеристика
Входная емкость
Выходная емкость
Емкость обратной передачи
Суммарный заряд затвора
3
APT10M09 B2VR — LVR
Условия испытаний
В 9000 3
GS
= 0 В
В
DS
= 25 В
f = 1 МГц
В
GS
= 10 В
МИН.
ТИП
МАКС. 30
3730
1370
340
109
131
18
36
51
9
нК
пФ
90 002 Плата затвора-источникаПлата затвора-стока («Миллер»)
Время задержки включения
Нарастание Время
Время задержки выключения
Время падения
НОМИНАЛЫ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДОВ ИСТОЧНИК-СТОК
Символ
I
S
I 9000 3
SM
В
SD
т
rr
Q
rr
Характеристики/условия испытаний
Непрерывный ток источника
Импульсный ток источника
1
5
90 002 Прямое напряжение диодаL
A
IC
N
H
C N
TE IO
D AT
E
C
M
N
R
A
В
FO
D IN
A
В
DD
= 0,5 В
DSS
I
D
= 0,5 I
D [Продолж. ]
при 25°C
В
GS
= 15 В
В
DD
= 0,5 В
DSS
R
G
= 0,6 Вт
I
D
= I
D[продолжение]
при 25°C
МИН
ТИП
(корпусной диод)
5
нс
МАКС
ЕДИНИЦА
Ампер
Вольт
нс
мкКл
100
9 0002 4001,3
(корпусной диод)
2
(В
GS
= 0 В , I
S
= -I
D[Cont.]
)
Время обратного восстановления (I
S
= -I
D [Продолжение]
, дл
S
/dt = 100 А/мкс)
Обратный восстановительный заряд (I
S
= -I
D[Cont.]
, dl
S
/dt = 100A/мкс)
270
2.9
ТЕПЛОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Символ
R
qJC
R
qJA
Характеристика
Соединение с корпусом
Соединение с окружающей средой
МИН
ТИП
МАКС 90 003
ЕДИНИЦА
°C/Вт
0,20
40
4
Начальная T = +25°C, L = 600 мкГн, R = 25 Вт, пик I = 100 A
j
G
L
5
Максимальный ток ограничен температурой провода.
1
Повторяющийся рейтинг: ширина импульса ограничена максимальным значением T
См. метод MIL-STD-750 3471
APT оставляет за собой право изменять без предварительного уведомления спецификации и информацию, содержащуюся в данном документе.
T-MAX™ (B2) Описание упаковки
4,69 (0,185)
5,31 (0,209)
1,49 (0,059)
2,49 (0,098)
9 0002 15,49 (0,610)16,26 ( 0,640)
5,38 (0,212)
6,20 (0,244)
ТО-264 (L) Внешний вид упаковки
4,60 (0,181)
5,21 (0,205)
1,80 (0,071)
2.01 (.079)
19,51 (.768)
20.50 (.807)
3.10 (.122)
3,48 (.137)
5,79(.228)
6,20 (.244)
Коллектор
Коллектор
20,80 (.819)
21,46 (.845)
25,4 8 (1,003)
26,49 (1,043)
4,50
(. 177) Макс.
0,40 (0,016)
0,79 (0,031)
2,87 (0,113)
3,12 (0,123)
1,65 (0,065)
2,13 (0,084)
2,29 (0,090)
2,69 (0,106)
19,81 (0,780)
21,39 (0,842)
2,29 (0,09)0)
2,69 (0,106)
ред.