Транзистор кт 827. Мощный стабилизатор тока на транзисторах КТ827: схема, расчет и сборка

Как собрать стабилизатор тока на 150А своими руками. Какие детали нужны для стабилизатора большой мощности. Как рассчитать и подобрать элементы схемы. На что обратить внимание при сборке и настройке.

Принцип работы мощного стабилизатора тока на транзисторах КТ827

Представленная схема стабилизатора тока позволяет получить стабильный ток до 150А при напряжении до 15В. Основные особенности данной схемы:

• Использование составных транзисторов КТ827 в качестве регулирующих элементов
• Применение операционных усилителей для управления каждым транзистором
• Параллельное включение 16 идентичных каналов стабилизации
• Регулировка тока в диапазоне 0-150А
• Защита от короткого замыкания

Рассмотрим принцип работы схемы подробнее. Каждый из 16 каналов содержит:

• Мощный составной транзистор КТ827
• Операционный усилитель
• Транзистор КТ315 для согласования
• Резистор в эмиттерной цепи для измерения тока

Операционные усилители поддерживают на своих инвертирующих входах напряжение, равное напряжению на неинвертирующих входах. Это напряжение задается с помощью делителя R2-R3 и может регулироваться в диапазоне 0-2В. Таким образом, на эмиттерных резисторах R4-R19 поддерживается заданное напряжение, что обеспечивает стабильный ток через каждый канал.

Расчет элементов схемы мощного стабилизатора тока

При расчете элементов схемы необходимо учитывать следующие параметры:

• Максимальный ток через один канал — 9А
• Максимальное падение напряжения на транзисторе — 10-11В
• Рассеиваемая мощность на транзисторе — до 100Вт

Исходя из этого, можно рассчитать:

1. Сопротивление эмиттерных резисторов R4-R19: R = U / I = 1.88В / 9А = 0.21 Ом
2. Мощность рассеивания на R4-R19: P = I^2 * R = 9^2 * 0.21 = 17 Вт
3. Напряжение питания ОУ: Uп = Umax + 2-3В = 15В + 3В = 18В

Остальные элементы подбираются исходя из доступной элементной базы и конструктивных соображений.

Особенности выбора комплектующих для стабилизатора тока большой мощности

При выборе комплектующих для данной схемы следует обратить особое внимание на следующие моменты:

• Транзисторы КТ827 должны быть установлены на массивные радиаторы, способные рассеять 100 Вт каждый
• Эмиттерные резисторы R4-R19 изготавливаются из манганинового или константанового провода диаметром 1-2 мм
• Диодный мост VD5-VD8 должен быть рассчитан на ток не менее 150А
• Трансформатор Т2 должен обеспечивать ток не менее 150А при напряжении 14-15В
• Все силовые цепи выполняются проводом соответствующего сечения

Правильный выбор комплектующих обеспечит надежную работу стабилизатора при больших токах нагрузки.

Пошаговая инструкция по сборке мощного стабилизатора тока

Сборку стабилизатора рекомендуется выполнять в следующем порядке:

1. Изготовить печатную плату по предложенному чертежу
2. Установить и припаять на плату все компоненты, кроме мощных транзисторов
3. Подготовить радиаторы для транзисторов КТ827
4. Закрепить транзисторы на радиаторах через изолирующие прокладки
5. Изготовить и установить эмиттерные резисторы R4-R19
6. Собрать силовую часть — трансформатор, диодный мост, конденсаторы фильтра
7. Соединить все узлы согласно принципиальной схеме
8. Установить вентиляторы охлаждения

После сборки необходимо внимательно проверить монтаж, особенно в силовых цепях.

Настройка и проверка работоспособности собранного стабилизатора тока

Настройка стабилизатора заключается в установке максимального выходного тока. Для этого:

1. Подключите к выходу стабилизатора амперметр на 200А
2. Установите движок резистора R3 в крайнее верхнее положение
3. Подключите стабилизатор к сети через ЛАТР
4. Плавно повышая напряжение, установите на выходе ток 150А
5. Подберите сопротивление R2 для получения требуемого тока

После настройки проверьте работу стабилизатора на разных нагрузках. Убедитесь в отсутствии перегрева элементов. При необходимости откорректируйте настройку.

Применение мощного стабилизатора тока в различных областях

Стабилизатор тока на 150А может найти применение в следующих областях:

• Гальванические процессы
• Электролиз
• Сварочные работы
• Зарядка мощных аккумуляторных батарей
• Питание мощных светодиодных систем
• Лабораторные исследования

Высокая мощность и стабильность выходного тока делают данное устройство универсальным источником тока для промышленного и лабораторного применения.

Меры безопасности при работе с мощным стабилизатором тока

При работе со стабилизатором необходимо соблюдать следующие меры безопасности:

• Использовать изолирующие перчатки и инструмент
• Не прикасаться к токоведущим частям во время работы
• Обеспечить надежное заземление корпуса
• Не допускать попадания влаги внутрь устройства
• Периодически проверять затяжку всех соединений
• При любых нештатных ситуациях немедленно отключать питание

Помните, что данное устройство работает с большими токами и представляет потенциальную опасность. Строго соблюдайте технику безопасности при его эксплуатации.

Кт 827 схемы подключения

Регистрация Вход. Ответы Mail. Вопросы — лидеры А разве понятие «эфир» можно всерьёз рассматривать в электронике? Задача по физике 1 ставка.

Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

• Любые схемы
• Набор для сборки простой электронной нагрузки 150 Ватт
• Зарядное устройство автомобильного аккумулятора
• Мощный регулируемый источник питания
• Схема транзистора КТ827
• Мощный регулируемый источник питания
• Лабораторный блок питания своими руками
• Мощный источник питания на составных транзисторах 01-15В 20А (КТ947, КТ827)

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: КАК СДЕЛАТЬ ЛАБОРАТОРНЫЙ БЛОК ПИТАНИЯ 0-30 В 0-3 А

Любые схемы

У каждого радиолюбителя, будь он чайник или даже профессионал, на краю стола должен чинно и важно лежать блок питания. Один выдает максимум 15 Вольт и 1 Ампер черный стрелочный , а другой 30 Вольт, 5 Ампер справа :. Ну еще есть и самопальный блок питания:. Вот здесь можно прочитать про его сборку. Думаю, вы часто их видели в моих опытах, которые я показывал в различных статьях.

Заводские блоки питания я покупал давненько, так что они мне обошлись недорого. Кризис, мать его, имеет всех и вся. Ладно, что-то разошелся… Так о чем это я? Ах да!

Думаю, не у всех карманы лопают от денег… Тогда почему бы нам не собрать простую и надежную схему блока питания своими ручонками, которая будет ничуть не хуже покупного блока? Собственно, так и сделал наш читатель. Нарыл схемку и собрал самостоятельно блок питания:.

Получилось очень даже ничего! Итак, далее от его имени…. Первым делом давайте разберемся, в чем хорош данный блок питания:. Следовательно перегрузки не страшны. Сработает индикатор светодиод обозначающий превышение установленного уровня тока. Итак, теперь обо всем по порядку. Схема давно уже гуляет в интернете кликните по изображению, откроется в новом окне на полный экран :.

Цифры в кружочках — это контакты, к которым надо припаивать провода, которые пойдут на радиоэлементы. Обозначение кружочков на схеме: — 1 и 2 к трансформатору. Можно его купить, а можно и намотать. Диоды D1…D4 соединены в диодный мост.

Можно взять диоды 1N…1N или какие-нибудь другие, которые выдерживают прямой ток до 3 Ампер и выше. Можно также использовать готовый диодный мост, который бы тоже выдерживал прямой ток до 3 Ампер и выше. Я же использовал диоды таблетки КД Микросхемы U1,U2,U3 представляют из себя операционные усилители. Вот их цоколевка расположение выводов. Вид сверху:. Ни к минусу, ни к плюсу питания. В схеме выводы 1 и 5 также никуда не цепляются.

Ниже его распиновка:. Транзистор Q2 возьмите лучше советский, марки КТА. Не забудьте его поставить на радиатор. Транзистор Q4 обязательно КТ! Вот его распиновка:. Схему я перечерчивать не стал, поэтому есть элементы, которые могут ввести в замешательство — это переменные резисторы.

Так как схема блока питания болгарская, то у них переменные резисторы обозначают так:. У нас вот так:. Я даже указал, как узнать его выводы с помощью вращения столбика крутилки. Ну и, собственно, список элементов:. Теперь я расскажу, как я его собирал. Трансформатор уже взял готовый от усилителя. Напряжение на его выходах составило порядка 22 Вольта. Потом стал подготавливать корпус для моего БП блок питания.

Далее с помощью ЛУТа сделал печатную плату печатка и описание работы блока питания будут в конце статьи по ссылке :. Запаял кроватки для ОУ операционных усилителей и все другие радиоэлементы, кроме двух мощных транзисторов они будут лежать на радиаторе и переменных резисторов:.

А вот так плата выглядит уже с полным монтажом:. Подготавливаем место под платку в нашем корпусе:. Приделываем к корпусу радиатор:. Не забываем про кулер, который будет охлаждать наши транзисторы:.

Ну и после слесарных работ у меня получился очень хорошенький блок питания. Ну как вам? Описание работы, печатку и список радиоэлементов я взял здесь в конце статьи. Ну а если кому лень заморачиваться, то всегда можно приобрести за копейки подобный кит-набор этой схемы на Алиэкпрессе по этой ссылке.

Популярные статьи Акустический моргалик Простой блок питания Мигающий светодиод Гирлянда на Arduino version 3. Бегущие огни Блок питания для автомагнитолы Индикатор разряда для аккумуляторной батареи Никола Тесла и тайна эфира Скупка радиодеталей USB паяльник Мультивибратор на транзисторах Самый простой усилитель звука Сторожевое устройство на одном транзисторе Перегреватель для паяльника Автоматический выключатель Выключатель по хлопку Сенсорный включатель на двух транзисторах Схема для проверки тиристоров Как получить нестандартное напряжение ESR-метр Добавить комментарий Отменить ответ Ваш e-mail не будет опубликован.

Лабораторный блок питания своими руками. Бегущие огни Блок питания для автомагнитолы Индикатор разряда для аккумуляторной батареи Никола Тесла и тайна эфира Скупка радиодеталей USB паяльник Мультивибратор на транзисторах Самый простой усилитель звука Сторожевое устройство на одном транзисторе Перегреватель для паяльника Автоматический выключатель Выключатель по хлопку Сенсорный включатель на двух транзисторах Схема для проверки тиристоров Как получить нестандартное напряжение ESR-метр.

Добавить комментарий Отменить ответ Ваш e-mail не будет опубликован.

Набор для сборки простой электронной нагрузки 150 Ватт

Современные автомобильные аккумуляторные батареи выпускаются необслуживаемыми или малообслуживаемыми, а срок их службы напрямую зависит от их правильной эксплуатации. При неправильной эксплуатации автомобильных аккумуляторов их пластины могут сульфатироваться, из-за чего они выходят из строя. Для устранения сульфатации пластин применим способ зарядки таких батарей «асимметричным» током. При этом оптимальным соотношением зарядного и разрядного тока выбирается как Этот способ позволяет не только восстанавливать засульфатированные батареи аккумуляторов, но и проводить профилактическую обработку исправных. Схема простого зарядного устройства, рассчитанного на использование выше описанного способа, приведена на рис.

вольт 20 ампер на транзисторе КТ | РадиоДомВ статье представлена схема Подключение силовых входов и выходов производится при помощи .

Зарядное устройство автомобильного аккумулятора

Похожие статьи:. Для начала наверное стоит сказать, что фактически это первый обзор из как минимум трех, но в планах продолжить эту серию и в конце собрать мощный, линейный БП с цифровым управлением. Каким он в итоге выйдет, я только предполагаю, отчасти на конечную конструкцию скорее всего окажут влияние не только мои мысли, а и предложения в комментариях. Чтобы удобнее было разбираться что данный «конструктор» из себя представляет мне опять пришлось заняться реверсинженерингом и перечертить принципиальную схему. Впрочем буду последователен и все покажу в своем время, а пока перейдем к товару. Заказывался данный комплект на Таобао. Наткнулся я на него совершенно случайно и на других торговых площадках он мне не попадался.

Мощный регулируемый источник питания

Введите электронную почту и получайте письма с новыми самоделками. Не более одного письма в день. Войти Чужой компьютер. В гостях у Самоделкина! Электронная нагрузка с плавной регулировкой тока.

У каждого радиолюбителя, будь он чайник или даже профессионал, на краю стола должен чинно и важно лежать блок питания.

Схема транзистора КТ827

Вот и собрано очередное устройство, теперь встаёт вопрос от чего его питать? Блок питания, о нём и пойдёт речь. Схема его очень проста и надёжна, она имеет защиту от КЗ, плавную регулировку выходного напряжения. Транзисторы были взяты из старого советского телевизора, транзисторы VT2, VT3 можно заменить на один составной например КТ Схема повторялась много раз в настройке не нуждается. Фотографии двух блоков приведены ниже С большим радиатором 2А и маленьким 0,6А.

Мощный регулируемый источник питания

Дневники Файлы Справка Социальные группы Все разделы прочитаны. Земена КТ на КТ для увеличении мощности преобразователя. Уважаемые знатоки подскажите пожалуйста можно ли заменить кт на кт или другой для увеличения мощности преобразователя схема прилагается. Заранее благодарен. Оценка 0. Крупнейшее в Китае предприятие по производству прототипов печатных плат, более , клиентов и более 10, онлайн-заказов ежедневно. Схема сама по себе ущербна,лучше всего применить мосфет транзисторы. У них сопротивление открытого канала,значительно ниже,а сталобыть и нагрев и потери.

На счет защиты я не знаю, по схеме вам думаю самим должно быть понятно. Значит на один усил поставлю КТ, на другой КТ,а третий оставлю . 1)какой резистор подключить на выход усилителя что бы.

Лабораторный блок питания своими руками

Ребята обьясните почему в итальянской схеме нельзя заменить на КТА. Заранее ТНХ Ставь смело — никакой разницы не почувствуешь. Чем выше h31э у регулирующего транзистора — тем лучше.

Мощный источник питания на составных транзисторах 01-15В 20А (КТ947, КТ827)

ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Транзисторы серии КТ827

Еще один простой, но мощный источник питания, выполненный на мощных составных транзисторах рис. Напряжение на выходе устройства регулируется от 0 до 15 В. Ток зависит от степени разряда аккумуляторных батарей и может достигать 20 А. Так как катоды диодов и коллекторы транзисторов соединены между собой, то все эти детали размещаются на одном большом радиаторе без изолирующих прокладок. Если не предъявляются особые требования к стабильности напряжения, то резистор R1 и стабилитрон VD3 из схемы можно исключить.

Высоковольтный высокочастотный двухканальный аналоговый коммутатор для промышленных приложений СРС Автомобильной аппаратуры, рассчитанной на напряжение питания 12 В, у нас накапливается все больше.

Добавить в избранное. Мощный лабораторный источник питания Магнитная рамочная антенна Устройство получения — Серебряной воды Простой генератор телесигналов Измерение проходящей мощности на УКВ Автоматический выключатель освещения Охранный таймер Музыкальная сирена. ПОХОЖИЕ СХЕМЫ: Схема автоматического выключателя аппаратуры Схема стабилизатора напряжения сети В Схема преобразователя напряжения электронных часов Схема простого лабораторного источника питания В Схема мощного лабораторного источника питания Схема поддержания работы резервных аккумуляторов Схема автомата включения освещения Схема питания мультиметра от прикуривателя авто. Ру — Все права защищены. Публикации схем являются собственностью автора. Схема простого зарядного устройства аккумулятора. Категория: Автомобильные устройства , Зарядные устройства Нарушение режима эксплуатации аккумулятора вследствие неправильной работы реле-регулятора автомобиля, или длительного хранения почти всегда приводит к сульфатизации пластин.

Изготовление хорошего усилителя мощности всегда было одним из нелегких этапов при конструировании аудио-аппаратуры. Качество звучания, мягкость басов и отчетливое звучание средних и высоких частот, детализация музыкальных инструментов — все это пустые слова без качественного усилителя мощности низкой частоты. В данной статье я расскажу как изготовить схему усилителя усилителя, которая отлично подойдет для использования в самодельной аудио-аппаратуре.

Схема мощного стабилизатора тока на 100

В литературе не часто можно встретить описания стабилизаторов тока на 100…200 А, однако в некоторых процессах (гальваника, сварка и др.) они необходимы. На первый взгляд, для стабилизации таких токов необходимы и соответствующие мощные транзисторы.

Вашему вниманию предлагается стабилизатор тока на 150 А (с плавной регулировкой от нуля до максимума), выполненный на обычных, широко распространенных транзисторах серии КТ827. Примененное схемотехническое решение позволяет легко увеличить или уменьшить максимальный стабилизируемый ток.

Принципиальная схема

Принципиальная схема предлагаемого стабилизатора тока изображена на рис. 1. Как видно, нагрузка включена несколько необычно — в разрыв провода, соединяющего отрицательный вывод диодного моста VD5…VD8 с общим проводом устройства.

Рис. 1. Принципиальная схема мощного стабилизатора тока 150А на транзисторах.

Все мощные транзисторы VT1…VT16 включены по схеме с общим коллектором, но каждый из них нагружен на свой уравнивающий резистор (R4…R19), также соединенный с общим проводом.

Таким образом, через подключенную к розетке XS1 нагрузку стабилизатора протекает суммарный ток всех 16 транзисторов. Ток через каждый из транзисторов VT1…VT16 выбран около 9 А, что значительно меньше предельно допустимого значения для транзисторов КТ827А…КТ827В. При падении напряжения на транзисторе 10… 11 В рассеиваемая мощность достигает 100 Вт.

Разброс параметров транзисторов и сопротивлений резисторов R4…RI9 не имеет значения, так как каждый транзистор управляется своим операционным усилителем.

Выходы ОУ DA1.1…DA8.2 через транзисторы VT17…VT32 соединены с базами транзисторов VT1…VT16, а напряжения обратных связей поданы на инвертирующие входы с эмиттеров соответствующих транзисторов. ОУ поддерживают на инвертирующих входах (и, соответственно, на эмиттерах транзисторов VT1…VT16) такие же напряжения, какие имеются у них на неинвертирующих входах.

На неинвертирующие входы всех ОУ подано стабильное управляющее напряжение с резистивного делителя R2, R3, подключенного к выходу интегрального стабилизатора DA11. При изменении управляющего напряжения изменяется ток через каждый из резисторов R4…R19 и, соответственно, через общую нагрузку, подключенную к розетке XS1. Питаются ОУ от стабилизатора, выполненного на микросхемах DA9, DA10 и транзисторе VT33.

Детали и конструкция

Вместо составных транзисторов КТ827А в стабилизаторе тока можно применить транзисторы этой серии с индексами Б, В, Г или комбинации из двух транзисторов соответствующей мощности (например, КТ315 + КТ819 с любыми буквенными индексами).

Сдвоенные ОУ КР140УД20 заменимы на К157УД2 или на одинарные ОУ КР140УД6, К140УД7, К140УД14 и им подобные, стабилизатор 78L05 — на КР142ЕН5А, КР142ЕН5В или 78М05, транзисторы КТ315Е — на КТ3102, КТ603, диоды Д200 — на Д160. Вместо трансформатора ТПП232 (Т1) допустимо применение ТПП234, ТПП253 или любого другого с двумя вторичными обмотками на напряжение 16…20 В.

Резистор R1 может быть любого типа, R2 желательно применить высокостабильный, например, С2-29. Для регулирования тока нагрузки был использован переменный резистор СП5-35А (с высокой разрешающей способностью), но можно, конечно, применить и любой другой, обеспечивающий требуемую точность установки тока.

Конденсатор СЗ набран из десяти конденсаторов К50-32А, С4, С6 — К50-35, остальные — любого типа. Использовать в качестве СЗ один конденсатор большой емкости нельзя, так как он будет сильно перегреваться из-за того, что его выводы не рассчитаны на такие большие токи (недостаточное сечение провода).

Сдвоенные ОУ DA1. ..DA8, транзисторы VT17…VT32, интегральный стабилизатор напряжения DA11, резисторы R2, R3 и конденсаторы С4…С7 монтируют на печатной плате, изготовленной по чертежу, показанному на рисунке 2.

Рис. 2. Печатная плата для мощного стабилизатора тока.

Транзисторы VT1-VT16 закрепляют на теплоотводах, способных рассеять не менее 100 Вт каждый. Все 16 теплоотводов собраны в батарею, для их охлаждения применены четыре вентилятора, что позволило включать стабилизатор тока на долговременную постоянную нагрузку. Если нагрузка будет кратковременной или импульсной, можно обойтись и теплоотводами меньших размеров.

Резисторы R4…R19 изготавливают из высокоомного (манганинового или константанового) провода диаметром 1…2 мм и закрепляют на теплоотводах соответствующих им транзисторов Для охлаждения диодов VD5…VD8 используют стандартные теплоотводы, рассчитанные на установку диодов Д200 (обдув их вентилятором не требуется).

Микросхему DA9 и транзистор VT33 размещают на небольших пластинчатых теплоотводах. При монтаже стабилизатора тока нужно учитывать, что через некоторые цепи будет течь ток 150 А, поэтому их необходимо выполнить проводом соответствующего сечения.

Вторичная обмотка трансформатора Т2 должна обеспечивать напряжение около 14 В при токе нагрузки 150 А (хорошо подходит сварочный трансформатор). Падение напряжения на сопротивлении нагрузки стабилизатора должно быть не более 10 В (остальное напряжение падает на транзисторах VT1. VT16 и резисторах R4…R19).

При большем падении напряжения на нагрузке придется повысить напряжение вторичной обмотки трансформатора Т2, однако в этом случае необходимо проследить, чтобы мощность рассеяния каждого из транзисторов не превысила максимально допустимую.

Налаживание

Налаживание собранного из исправных деталей устройства сводится к установке максимального стабилизируемого тока подбором резистора R2. Это удобно сделать временно заменив последний включенным реостатом подстроечным резистором сопротивлением 1,5 — 2 кОм.

Установив его движок в положение максимального сопротивления а движок резистора R3 в верхнее (по схеме) положение и включив последовательно с нагрузкой амперметр на ток 150-200А (или просто подсоединив его к гнездам розетки XS1) включают стабилизатор в сеть и, уменьшая сопротивление подстроенного резистора, добиваются отклонения стрелки амперметра до соответствующей отметки шкалы. Затем измеряют сопротивление введен­ной части подстроенного резистора и заменяют его постоянным ближайшего номинала.

При максимальном токе 150А напряжение на эмиттерах транзисторов VT1 — VT16 должно быть около 1,88В. Поэтому налаживание можно проводить и по напряжению на эмиттере какого-либо из этих транзисторов, хотя точность установки тока при этом будет небольшой из-за разброса сопротивлений резисторов R4-R19.

Если необходимо увеличить или уменьшить отдаваемый в нагрузку максимальный ток можно соответственно увеличить или уменьшить число транзисторов и ОУ.

Таким образом, на основе описанного стабилизатора можно создать значительно более мощный источник тока. Подключая нагрузку к стабилизатору тока, следует помнить, что на «земляном» проводе будет плюсовой выход стабилизатора.

И. Коротков.

su%20транзистор%20кт%20326 спецификация и примечания по применению

org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»>

Каталог спецификация	MFG и тип	ПДФ	Теги документов
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	5-14мм J-132 NIX01
20819X Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	0110/А, 0000 с право21329 21329X 21339X 21349X ТД17Т3С 22059X 20819X
ТЕСЛА КУ 602 Реферат: TESLA KU 601 tesla ku 611 kd 501 KD 3055 vergleichsliste DDR kd 616 tungsram UNITRA vergleichsliste Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	О-220 ТЕСЛА КУ 602 ТЕСЛА КУ 601 тесла ку 611 кд 501 КД 3055 vergleichsliste ГДР кд 616 вольфрам УНИТРА vergleichsliste
2006 — Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF
2004 — ПТСК Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	16мм2 180° ПТСП
ТОКИН D-03C1 Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SSB0505 SBCP-47HY SBCC87 ТОКИН D-03C1
Соединитель Терадин Реферат: 85158 Пресс-инструмент 7990 Блок монтажный 8 шт. РУКОВОДСТВО ПО РЕМОНТУ 220-13400 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	J-206 Терадиновый разъем 85158 пресс-инструмент 7990 монтажный блок 8 РУКОВОДСТВО по ремонту ПК 220-13400
2004 — СУ 179 Аннотация: Atmel 25f1024 31244 PCI-X to Serial ATA Controller Design Guide intel 31244 GD31244 port hdd interconnect sata Схема цепи GD31244 S Intel StrataFlash Parallel NOR Flash PROM SU 161 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	0000ч СУ 179 Атмел 25f1024 31244 Руководство по проектированию контроллера PCI-X to Serial ATA Интел 31244 ГД31244 порт hdd интерконнект схема sata ЦЕПЬ ГД31244 С Intel StrataFlash Parallel NOR Flash PROM СУ 161
2003 — SSB050 Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SSB0505 SBCP-47HY ЛФ-3000 SSB050
2004 — Атмел 25f1024 Реферат: GD31244 GD31244 S SU 179 25F1024 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	0000ч Атмел 25f1024 ГД31244 ГД31244 С СУ 179 25Ф1024
ккс конденсатор Реферат: KCK DISC CAPACITOR керамический конденсатор kck F 104 kck Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF
2008 – Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	50мм2 Overv17 IP20/IP65
2008 — 3ДУ33 Реферат: Трансформатор 110В-220В Трансформатор 220 110 Трансформатор 220В Трансформатор 220 В Трансформатор 110В-220В с двойным напряжением Понижающий трансформатор СУ-75 Трансформатор 220В в 110В 416 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	208ВУ-5 ДУ-10 СУ-10 3ДУ33 трансформатор 110В-220В 220 110 трансформатор трансформаторы 220в трансформатор 220 вольт Трансформатор двойного напряжения 110–220 В понижающий трансформатор СУ-75 220В до 110В 416 трансформатор
с3374 Реферат: C3357 mc1496m маломощный FM-передатчик C1305 DL136 ТЕЛЕФОННАЯ РЕЧЕВАЯ СЕТЬ C13155 C3359 РЕЧЕВАЯ СЕТЬ С ИНТЕРФЕЙСОМ НАБОРНОГО НОМЕРА Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	ДЛ136) c3374 C3357 мк1496м FM-передатчик малой мощности C1305 DL136 ТЕЛЕФОН РЕЧЕВАЯ СЕТЬ C13155 C3359 РЕЧЕВАЯ СЕТЬ С ИНТЕРФЕЙСОМ НОМЕРА
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SSB0505 ЛФ-3000
2001 — СТ72К215Г2М6 Реферат: ST72T771N9B1 P803 Gang Programmer LAB TOOL-48 ST72T589BW5Q6 LABTOOL-48 STAG P803 Gang Programmer System General SU-2000 ST72C334N4B6 ST72T331N4B6 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	ПП100 БП3х00 БП4х00 БП2х00 БП1х00 ПДИП32С СТ72Т251Г2Б6 ST72251Gx Д2000 СУ-2000 СТ72С215Г2М6 СТ72Т771Н9Б1 Программатор групп P803 ЛАБОРАТОРНЫЙ ИНСТРУМЕНТ-48 ST72T589BW5Q6 ЛАБОРАТОРИЯ-48 Программатор групп STAG P803 Система Генеральная СУ-2000 СТ72К334Н4Б6 СТ72Т331Н4Б6
709 П Аннотация: se932 SE648 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF
2007 — 5303A-AW900M Резюме: 90729 XEB09-BIS 110VAC на 12VDC регулятор 888-B «Power over Ethernet» Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	XEB09-BCS XEB09-БИС XEB09-БИС: 150 мА 110 мА 12 В постоянного тока 48 В постоянного тока XEB09-БКС: Р4Н-АВ900М, 5303A-AW900M 90729 XEB09-БИС Регулятор 110 В переменного тока на 12 В постоянного тока 888-Б «Питание через Ethernet»
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	50-301А-500 50-301А-Б1Е 50-301А-Б1Ф 950-301C-B1B 950-301C-B1C 950-301C-B1D 950-301C-B1E 950-301C-B1F 950-301C-B1G 950-301C-B1H
2001 — СТ6387Б Реферат: ST6378B st62t60cb6 Dataman 48 PRO L9000 ST62T32BB6 ST62 ST6225C ST62T00CM6 ST62T01CB3 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	ST6225C PDIP16 ST62T01CB6 ST62T00CB6 ST62T01CB3 ST62T03CB6 PDIP42 ST63E88D1 СТ63Т88Б1 ST6387B ST6378B ст62т60кб6 Датаман 48 PRO L9000 СТ62Т32ББ6 СТ62 ST6225C ST62T00CM6 ST62T01CB3
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	принять13 J-133
А13Д Реферат: R13D 1/SMD a13d Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	СУР25Д СУИ25Д Р13Д-12 A13D Р13Д 1/СМД а13д
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	50-321А-500 50-321А-Б1Д 950-321C-B1B 950-321C-B1C 950-321C-B1D 950-321C-B1E 950-321C-B1F 950-321C-B1G 950-321C-B1H 950-321C-B1J
SSY20 Реферат: СФ828 ВЭБ микроэлектроник фанкаматер BUX 127 SF126 SF 127 SF128 SF826 SF 829 B Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	К950-600А-500 ВЕР02 ВЕР01 50-600А-Б1С 50-600А-Б1Г 50-600А-Б1Ж 950-600C-B1B 950-600C-B1C 950-600C-B1D 950-600C-B1E

Предыдущий 1 2 3 . .. 23 24 25 Next

Плавающее никелевое покрытие высокоподвижных p-канальных тонкопленочных транзисторов SnO

1. Номура К., Охта Х., Такаги А., Камия Т., Хирано М., Хосоно Х. Изготовление транзисторов при комнатной температуре прозрачные гибкие тонкопленочные транзисторы с использованием аморфных оксидных полупроводников. Природа. 2004; 432: 488–49.2. doi: 10.1038/nature03090. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

2. Камия Т., Номура К., Хосоно Х. Современное состояние аморфных тонкопленочных транзисторов In-Ga-Zn-O. науч. Технол. Доп. Матер. 2010;11:044305. doi: 10.1088/1468-6996/11/4/044305. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

3. Ли С.Ю., Ким Д.Х., Чонг Э., Чон Ю.В., Ким Д.Х. Влияние толщины канала на плотность состояний в аморфном тонкопленочном транзисторе InGaZnO. заявл. физ. лат. 2011;98:122105-1–122105-3. doi: 10.1063/1.3570641. [Перекрестная ссылка] [Академия Google]

4. Квон Дж.Ю., Чон Дж.К. Недавний прогресс в высокопроизводительных и надежных тонкопленочных транзисторах n-типа на основе оксида переходного металла. Полуконд. науч. Технол. 2015;30:024002. doi: 10.1088/0268-1242/30/2/024002. [CrossRef] [Google Scholar]

5. Пак М.-Дж., Юн Д.-Дж., Рю М.-К., Ян Дж.-Х., Пи Дж.-Э., Квон О.- С., Ким Г.Х., Хван С.-С., Бак Дж.-Ю., Юн С.-М. Улучшение характеристик изгиба и стабильности смещения гибких тонкопленочных транзисторов InGaZnO и оптимальные барьерные структуры для пластиковых подложек из поли(этиленнафталата). Дж. Матер. хим. К. 2015; 3:4779–4786. doi: 10.1039/C5TC00048C. [CrossRef] [Google Scholar]

6. Новияна И., Лестари А.Д., Путри М., Вон М.-С., Бэ Дж.-С., Хео Ю.-В., Ли Х.Ю. Высокомобильные тонкопленочные транзисторы на основе аморфного оксида индия-цинка-олова. Материалы. 2017;10:702. doi: 10.3390/ma10070702. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

7. Tai Y.-H., Chou L.-S., Chiu H.-L., Chen B.-C. Трехтранзисторная пиксельная схема AMOLED с функцией компенсации порогового напряжения с использованием двухзатворного IGZO TFT. IEEE Электрон. Устройство Летт. 2012;33:393–395. doi: 10.1109/LED.2011.2179282. [CrossRef] [Google Scholar]

8. Kim Y., Kim Y., Lee H. Новая пиксельная схема TFT на основе a-InGaZnO для дисплея AMOLED с повышенной надежностью и светосилой. IEEE Электрон. Устройство Летт. 2013;10:80–83. doi: 10.1109/JDT.2013.2280026. [CrossRef] [Google Scholar]

9. Линь С.-Л., Чен П.-С., Лай П.-С., Хсу С.-С., Чанг Дж.-Х. Аморфный пиксельный буфер на основе IGZO TFT для подавления высокочастотного эффекта жидкого кристалла синей фазы. IEEE Электрон. Устройство Летт. 2017; 38: 1673–1675. дои: 10.1109/LED.2017.2763610. [CrossRef] [Google Scholar]

10. Chen J.-W., Hu Y.-F., Chen Z.-J., Zhou L., Wu W.-J., Zou J.-H., Сюй М., Ван Л., Пэн Дж.-Б. Драйвер затвора с низким энергопотреблением, интегрированный с TFT IZO, использующий один отрицательный источник питания. Полуконд. науч. Технол. 2018;33:065006. doi: 10.1088/1361-6641/aabda0. [CrossRef] [Google Scholar]

11. Номура К., Аоки Т., Накамура К., Камия Т., Наканиши Т. , Хасегава Т., Кимура М., Кавасэ Т., Хирано М., Хосоно Х. Трехмерная многослойная гибкая интегральная схема: гибридный инвертор на основе аморфного оксида и полимера, использующий a-In-Ga-Zn-O n-типа и поли-(9) p-типа., 9-диоктилфлуорен-кобитиофен) тонкопленочные транзисторы. заявл. физ. лат. 2010;96:263509. doi: 10.1063/1.3458799. [CrossRef] [Google Scholar]

12. Nayak P.K., Caraveo-Frescas J.A., Wang Z., Hedhili M.N., Wang Q.X., Alshareef H.N. слой. науч. Отчет 2014; 4: 1–7. doi: 10.1038/srep04672. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

13. Zhang J., Yang J., He J.-C., Hsu S.-M., Lee C.-C., Su D. .-Ю., Таси Ф.-Ю., Ченг И.-С. Гибкие комплементарные схемы на основе оксида и полупроводника, в которых используются тонкопленочные транзисторы n-Channel ZnO и p-Channel SnO. IEEE Электрон. Устройство Летт. 2016; 37:46–49. doi: 10.1109/LED.2015.2501843. [CrossRef] [Google Scholar]

14. Li Y., Zhang J., Yang J., Yuan Y., Hu Z., Lin Z., Song A., Xin Q. Дополнительные интегральные схемы на основе n-типа и оксидные полупроводники p-типа для приложений, выходящих за рамки плоскопанельных дисплеев. IEEE Электрон. Устройство Летт. 2019;66:950–956. doi: 10.1109/TED.2018.2887270. [CrossRef] [Google Scholar]

15. Zhang J., Yang J., Li Y., Wlison J., Ma X., Xin Q., Song A. Высокопроизводительные комплементарные схемы на основе p-SnO и n- Тонкопленочные транзисторы IGZO. Материалы. 2017;10:319. doi: 10.3390/ma10030319. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

16. Zou X., Fang G., Yuan L., Li M., Guan W., Zhao X. Низкопороговое напряжение верхнего затвора p -Cu ₂ O тонкопленочный транзистор, выращенный на подложке SiO ₂ /Si с использованием затворного диэлектрика HfON с высоким k. IEEE Электрон. Устройство Летт. 2010; 31: 827–829. doi: 10.1109/LED.2010.2050576. [CrossRef] [Google Scholar]

17. Yao Z.Q., Liu S.L., Zhang L., He B., Kumar A., ​​Jiang X., Zhang WJ, Shao G. Изготовление p-канала Cu 9 при комнатной температуре0459 2 О Транзисторы тонкопленочные на гибких подложках из полиэтилентерефталата. заявл. физ. лат. 2012;101:042114. doi: 10.1063/1.4739524. [CrossRef] [Google Scholar]

18. Сун С.-Ю., Ким С.-Ю., Джо К.-М., Ли Дж.-Х., Ким Дж.-Дж., Ким С.- Г., Чай К.-Х., Пиртон С.Дж., Нортон Д.П., Хео Ю.-В. Изготовление p-канальных тонкопленочных транзисторов с использованием активных слоев CuO, осажденных при низкой температуре. заявл. физ. лат. 2010;97:222109. дои: 10.1063/1.3521310. [CrossRef] [Академия Google]

19. Мэнг В., Ли С.-Х., Квон Дж.-Д., Пак Дж., Пак Дж.-С. Тонкие пленки оксида меди p-типа, осажденные атомным слоем, и связанные с ними свойства тонкопленочных транзисторов. Керам. Междунар. 2016;42:5517–5522. doi: 10.1016/j.ceramint.2015.12.109. [CrossRef] [Google Scholar]

20. Liu A., Liu G., Zhu H., Shin B., Fortunato E., Martins R., Shan F. Модуляция подвижности дырок в тонкой пленке оксида никеля, обработанной раствором. транзистор на основе high-k диэлектрика. заявл. физ. лат. 2016;108:233506. дои: 10.1063/1.4953460. [CrossRef] [Google Scholar]

21. Lee C.-T., Chen C.-C., Lee H.-Y. Комплементарные тонкопленочные транзисторы с трехмерным стеком с использованием тонкопленочных транзисторов Al: ZnO n-типа и NiO p-типа. науч. Отчет 2018; 8: 3968. doi: 10.1038/s41598-018-22430-6. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

22. Lin T., Li X., Jang J. Высокопроизводительный тонкопленочный транзистор NiOx p-типа с легированием Sn. заявл. физ. лат. 2016;108:233503. doi: 10.1063/1.4953222. [Перекрестная ссылка] [Академия Google]

23. Ли К.-Т., Лин Ю.-Х. Тонкопленочные транзисторы P-типа ZnO и пассивация методом фотоэлектрохимического оксидирования. заявл. физ. Эксп. 2014;7:076502-1–076502-3. doi: 10.7567/APEX.7.076502. [CrossRef] [Google Scholar]

24. Хсу П.-К., Чен В.-К., Таси Ю.-Т., Цай Ю.-Т., Кунг Ю.-К., Чанг К.- Х., Хсу С.-Дж., Ву С.-С., Се Х.-Х. Изготовление тонкопленочных транзисторов p-типа SnO методом напыления практичными металлическими электродами. Япония. Дж. Заявл. физ. 2013;52:05DC07. doi: 10. 7567/JJAP.52.05DC07. [Перекрестная ссылка] [Академия Google]

25. Caraveo-Frescas J.A., Nayak P.K., Al-Jawhari H.A., Granato D.B., Schwingenschlögl U., Alshareef H.N. Рекордная подвижность в прозрачных пленках монооксида олова p-типа и устройствах с помощью фазовой инженерии. АКС Нано. 2013;77:5160–5167. doi: 10.1021/nn400852r. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

26. Kim J.-Y., Bae B., Yun E.-J. Влияние постотжига на электрические свойства тонкопленочных транзисторов SnO с напылением. науч. Доп. Матер. 2016; 8: 272–277. doi: 10.1166/sam.2016.2478. [Перекрестная ссылка] [Академия Google]

27. Ого Ю., Хирамацу Х., Номура К., Янаги Х., Камия Т., Хирано М., Хосоно Х. Тонкопленочный p-канальный транзистор с использованием оксидного полупроводника p-типа, SnO. заявл. физ. лат. 2008;93:032113. doi: 10.1063/1.2964197. [CrossRef] [Google Scholar]

28. Хван С., Ким Ю.Ю., Ли Дж.Х., Сео Д.К., Ли Дж.Ю., Чо Х.К. Нерегулярные типы электропроводности в тонких пленках оксида олова, индуцированные наноразмерным фазовым разделением. Варенье. Керам. соц. 2011;95:324–327. doi: 10.1111/j.1551-2916.2011.04791.x. [Перекрестная ссылка] [Академия Google]

29. Ого Ю., Хирамацу Х., Номура К., Янаги Х., Камия Т., Кимура М., Хирано М., Хосоно Х. Монооксид олова как оксидный полупроводник р-типа на основе s-орбитали: Электронные структуры и применение TFT. физ. Статус Твердый. А. 2009; 206: 2187–2191. doi: 10.1002/pssa.200881792. [CrossRef] [Google Scholar]

30. Bae S.-D., Kwon S.-H., Jeong H.-S., Kwon H.-I. Демонстрация высокопроизводительных тонкопленочных транзисторов на основе оксида олова р-типа с использованием обработки поверхности аргоновой плазмой. Полуконд. науч. Технол. 2017;32:075006. doi: 10.1088/1361-6641/aa72b8. [Перекрестная ссылка] [Академия Google]

31. Азми А., Ли Дж., Гим Т.Дж., Чой Р., Чон Дж.К. Улучшение характеристик p-канальных транзисторов на основе монооксида олова с диэлектриком под затвором из оксида циркония, обработанным раствором. IEEE Электрон. Устройство Летт. 2017; 38:1543–1546. doi: 10.1109/LED.2017.2758349. [CrossRef] [Google Scholar]

32. Qu Y., Yang J., Li Y., Zhang J., Wang Q., Song A., Xin Q. Органическая и неорганическая пассивация тонкопленочных SnO p-типа. транзисторы с различной толщиной активного слоя. Полуконд. науч. Технол. 2018;33:075001. doi: 10.1088/1361-6641/aac3c4. [Перекрестная ссылка] [Академия Google]

33. Зан Х.-В., Чен В.-Т., Йе К.-К., Сюэ Х.-В., Таси К.-К., Мэн Х.-Ф. Тонкопленочный транзистор из оксида индия-галлия-цинка с двойным затвором и неизолированным плавающим металлическим затвором для модуляции порогового напряжения и повышения подвижности. заявл. физ. лат. 2011;98:153506. дои: 10.1063/1.3578403. [CrossRef] [Google Scholar]

34. Zan H.-W., Yeh C.-C., Meng H.-F., Tasi C.-C., Chen L.-H. Достижение высокой полевой подвижности в аморфном оксиде индия-галлия-цинка за счет покрытия сильного восстановительного слоя. Доп. Матер. 2012;24:3509–3514. doi: 10.1002/adma.201200683. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

35. Kim K.T., Kim J., Kim Y.-H., Park S.K. Покрытие из оксида металла на месте для высокомобильных TFT из оксида металла, обработанных раствором. IEEE Электрон. Устройство Летт. 2014; 35:850–852. doi: 10.1109/LED.2014.2329955. [CrossRef] [Google Scholar]

36. Чой Дж.Ю., Ким С., Ким Д.Х., Ли С.Ю. Роль металлического покрывающего слоя в значительно улучшенных электрических характеристиках тонкопленочного транзистора Si-Zn-Sn-O без содержания In. Тонкие твердые пленки. 2015;594: 293–298. doi: 10.1016/j.tsf.2015.04.048. [CrossRef] [Google Scholar]

37. Lee B.H., Sohn A., Kim S., Lee S.Y. Механизм управления носителем с металлическим покрывающим слоем на аморфном оксидном полупроводнике SiZnSnO. науч. 2019; 9:886. doi: 10.1038/s41598-018-37530-6. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

38. Cho I.T., Myeonghun U., Song S.H., Lee J.H., Kwon H.I. Влияние отжига на воздухе на электрические свойства тонкопленочных транзисторов p-типа из монооксида олова. Полуконд. науч. Технол. 2014;29:045001. doi: 10.1088/0268-1242/29/4/045001. [CrossRef] [Google Scholar]

39. Хан Ю.-Дж., Чой Ю.-Дж., Чо И.-Т., Джин С.Х., Ли Дж.-Х., Квон Х.-И. Улучшение долговременной долговечности и устойчивости к напряжениям смещения в тонкопленочных транзисторах p-типа SnO с использованием пассивирующего слоя SU-8. IEEE Электрон. Устройство Летт. 2014; 35:1260–1262. doi: 10.1109/LED.2014.2363879. [CrossRef] [Google Scholar]

40. Jiang Y.-H., Chiu I.-C., Kao P.-K., He J.-C., Wu Y.-H., Yang Y.- J., Hsu C.-C., Cheng I.-C., Chen J.-Z. Влияние температуры быстрого термического отжига на свойства тонких пленок SnOx, полученных методом высокочастотного напыления. заявл. Серф. науч. 2015; 327:358–363. doi: 10.1016/j.apsusc.2014.11.115. [Перекрестная ссылка] [Академия Google]

41. Бозо Ф., Ариас Дж.М., Ханрахан С.П., Йейтс Дж.Т., мл., Метиу Х., Мартин Р.М. Исследование поверхностной ионизации NH ₃ на Ni (111) Surf. науч. 1984; 138: 488–504. doi: 10.1016/0039-6028(84)-9. [CrossRef] [Google Scholar]

42. Парк С., Коломбо Л., Ниши Ю., Чо К. Ab initio исследование работы выхода электрода с металлическим затвором. заявл. физ. лат. 2005;86:073118. дои: 10.1063/1.1865349. [CrossRef] [Google Scholar]

43. Xu Y., Liu C., Amegadez P.S.K., Ryu G.-S., Wei H., Balestra F., Ghibaudo G., Noh Y.-Y. О происхождении улучшенного переноса заряда в тонкопленочных транзисторах In-Ga-Zn-O с двойным затвором: перспектива низкочастотного шума. IEEE Электрон. Устройство Летт. 2015;36:1040–1043. дои: 10.1109/LED.2015.2467164. [CrossRef] [Google Scholar]

44. Zhong C.-W., Lin H.-C., Liu K.-C., Huang T.-Y. Улучшение электрических характеристик тонкопленочных транзисторов p-типа SnO с использованием структуры с двойным затвором. IEEE Электрон. Устройство Летт. 2015;36:1053–1055. doi: 10.1109/LED.2015.2465144. [CrossRef] [Google Scholar]

45. Qiang L., Liu W., Pei Y., Wang G., Yao R. Извлечение состояний ловушки p-канальных тонкопленочных транзисторов SnO на основе перколяции и множественного захвата проводимости носителей.