Каковы основные параметры транзистора КТ342. Какие существуют разновидности этого транзистора. Где применяется КТ342 и какие у него есть аналоги. В чем особенности конструкции и маркировки КТ342.
Характеристики и параметры транзистора КТ342
Транзистор КТ342 представляет собой универсальный кремниевый NPN-транзистор эпитаксиально-планарной структуры. Он выпускается в нескольких модификациях: КТ342А, КТ342Б, КТ342В и КТ342Г. Основные параметры транзистора КТ342:
- Структура: n-p-n
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: от 10 В (КТ342В) до 60 В (КТ342Г)
- Максимальный ток коллектора: 50 мА (постоянный), 300 мА (импульсный)
- Коэффициент усиления по току: от 50 до 1000 (в зависимости от модификации)
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 250-300 МГц
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора: 250 мВт
КТ342 выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Масса транзистора не превышает 0,5 г.
Разновидности транзистора КТ342 и их особенности
Существует несколько модификаций транзистора КТ342, различающихся своими характеристиками:
- КТ342А — базовая модель с коэффициентом усиления 100-250
- КТ342Б — улучшенная версия с коэффициентом усиления 200-500
- КТ342В — высокочастотная модификация с коэффициентом усиления 400-1000
- КТ342Г — высоковольтный вариант с максимальным напряжением К-Э 60 В
Кроме того, выпускаются пластмассовые версии транзистора в корпусе КТ-26 (SOT-23):
- КТ342АМ — аналог КТ342А в пластиковом корпусе
- КТ342БМ — аналог КТ342Б в пластиковом корпусе
- КТ342ВМ — аналог КТ342В в пластиковом корпусе
Области применения транзистора КТ342
Транзистор КТ342 нашел широкое применение в различных электронных устройствах благодаря своим универсальным характеристикам. Основные области его использования:
- Усилители низкой частоты
- Импульсные схемы
- Переключающие устройства
- Источники питания
- Генераторы
- Преобразователи сигналов
КТ342 особенно эффективен в импульсных схемах благодаря высокой граничной частоте. Он также часто используется в маломощных усилителях и переключающих каскадах.
Особенности конструкции и маркировки КТ342
Транзистор КТ342 имеет несколько особенностей конструкции и маркировки:
- Металлостеклянный корпус для версий КТ342А, КТ342Б, КТ342В, КТ342Г
- Пластмассовый корпус для версий КТ342АМ, КТ342БМ, КТ342ВМ
- Гибкие выводы для всех модификаций
- Маркировка буквенным кодом и цветной меткой для пластиковых версий
Маркировка цветными метками для пластиковых версий:
- КТ342АМ — синяя метка на боковой части, темно-красная на торце
- КТ342БМ — синяя метка на боковой части, желтая на торце
- КТ342ВМ — синяя метка на боковой части, темно-зеленая на торце
Аналоги транзистора КТ342
Транзистор КТ342 имеет ряд отечественных и зарубежных аналогов с похожими характеристиками:
- КТ342А: BC107A, 2N929, 2SC3879S
- КТ342Б: 2SC454B, 2SC55, BC107B
- КТ342В: BC107C, 2SC4998, 2SC4997
- КТ342Г: BC239B, KTN5019, EN916
- КТ342АМ: BC109C, 2N3710, BF594
- КТ342БМ: BC239C, 2SC3314, BF494A
- КТ342ВМ: BC108C, PN5134
При выборе аналога следует учитывать не только электрические параметры, но и тип корпуса, так как некоторые аналоги могут иметь отличающуюся конструкцию.
Электрические параметры КТ342 в различных режимах работы
Рассмотрим подробнее электрические параметры транзистора КТ342 в различных режимах работы:
Режим малого сигнала
- Коэффициент усиления по току h21э:
- КТ342А, КТ342АМ: 100-250
- КТ342Б, КТ342БМ: 200-500
- КТ342В, КТ342ВМ: 400-1000
- КТ342Г: 50-125
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр:
- КТ342А, КТ342АМ: ≥250 МГц
- КТ342Б, КТ342В, КТ342Г, КТ342БМ, КТ342ВМ: ≥300 МГц
Режим насыщения
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер UКЭнас: ≤0,1 В (при IК = 10 мА, IБ = 1 мА)
- Напряжение насыщения база-эмиттер UБЭнас: ≤0,9 В (при IК = 10 мА, IБ = 1 мА)
Предельные режимы
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер UКЭmax:
- КТ342А, КТ342АМ: 30 В
- КТ342Б, КТ342БМ: 25 В
- КТ342В, КТ342ВМ: 10 В
- КТ342Г: 60 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база UЭБmax: 5 В
- Максимальный постоянный ток коллектора IКmax: 50 мА
- Максимальный импульсный ток коллектора IКи max: 300 мА
Температурные характеристики и надежность КТ342
Транзистор КТ342 характеризуется широким диапазоном рабочих температур и высокой надежностью:
- Диапазон рабочих температур: от -60°C до +125°C
- Максимальная температура перехода: +150°C
- Тепловое сопротивление переход-корпус: не более 0,5°C/мВт
Для обеспечения надежной работы важно соблюдать температурный режим и не превышать максимально допустимые параметры. При правильной эксплуатации КТ342 демонстрирует высокую долговечность и стабильность характеристик.
Особенности применения КТ342 в различных схемах
Рассмотрим некоторые особенности применения транзистора КТ342 в различных схемах:
Усилительные каскады
В усилительных каскадах КТ342 обеспечивает хорошее усиление сигнала благодаря высокому коэффициенту усиления по току. Для оптимальной работы рекомендуется выбирать рабочую точку в линейной области характеристик транзистора.
Импульсные схемы
Высокая граничная частота КТ342 делает его отличным выбором для импульсных схем. При этом следует учитывать время переключения транзистора для обеспечения корректной работы схемы на высоких частотах.
Источники питания
В источниках питания КТ342 может использоваться в качестве регулирующего элемента или в схемах стабилизации. Важно обеспечить адекватный теплоотвод, особенно при работе с большими токами.
Генераторы
При использовании КТ342 в генераторах следует учитывать его частотные характеристики и выбирать соответствующие компоненты обвязки для получения стабильных колебаний на требуемой частоте.
Поиск по сайту Новости FreePCB — свободная программа для разводки печатных плат | ГЛАВНАЯ » ТРАНЗИСТОРЫ » КТ342 Транзистор КТ342 — универсальный, структуры n-p-n, эпитаксиально-планарный, кремниевый. Основное применение — импульсные устройства. КТ342АМ, КТ342БМ, КТ342ВМ выпускаются в пластмассовом корпусе, также с гибкими выводами. Маркируются условными обозначениями:
Существует также маркировка цветными метками.
Металлостеклянные транзисторы весят не более 0.5 г, пластмассовые не более 0.3 г. КТ342 цоколевкаЦоколевка КТ342 показана на рисунке. Электрические параметры КТ342
Предельные эксплуатационные показатели КТ342
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1 В
.. +125°CТранзистор КТ342 — DataSheet
Перейти к содержимому
Цоколевка транзистора КТ342
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ342А | BC107A, 2N929, 2SC3879S *3, 2SC3193 *3, 2SC123 *3, 2N3291 *2, 2N3292 *2, 2SC33, BF185 *2, 2SC2839D *3, 2SC2839E *3, 2SC2839F *3, 2SC4399-3 *3, 2N4435 *2, 2N3293 *2, 2N3294 *2, 2SC105 *2, BF184 *2 | |||
| КТ342Б | 2SC454B, 2SC55 *2, 2SC4618Q *1, 2SC4618P *1, NTE319 *2, 2SC929 *3 | ||||
| КТ342В | ВС107В, 2SC4998U *3, 2SC4998 *3, 2SC4997U *3, 2SC4997 *3 | ||||
| КТ342Г | ВС239В, KTN5019 *2, KTC383 *2, EN916 *3, 2SC4098N *1, 2SC2413KN *1, 2SC4618N *1 | ||||
| КТ342АМ | ВС109С, 2N3710 *2, 2N3707 *2, KTC9016 *2, СХ917 *2, BF594, KSC184 *2, SK3356 *2, 2SC710 *2, BF495 *2, BF494, BF255, 2SC3000E, 2SC3000 *3, 2SC3000D *3, KF125 *2, BF254B, 2SC1032 *2, 2SC380A-R, 2SC380TM-R *2, 2SC2076 *2 | ||||
| КТ342БМ | ВС239С, 2SC388A-TM, КТC388AY *2, KTN5020Y *2, 2SC3314, 2SC3544K *2, BF494A, 2SC3000F *2, КС239В *2 | ||||
| КТ342ВМ | ВС108С, PN5134 *2 | ||||
| КТ342ГМ | 2N4124, 2N3707, 2N3710, 2SC3192 *2, KSC184 *2 | ||||
| КТ342ДМ | 2N4123, 2SC644, KSC900 *2, 2SC870 *2, КС239В | ||||
| Структура | — | n-p-n | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ342А | — | 250 | мВт |
| КТ342Б | — | 250 | |||
| КТ342В | — | 250 | |||
| КТ342Г | — | 250 | |||
| КТ342АМ | — | 250 | |||
| КТ342БМ | — | 250 | |||
| КТ342ВМ | — | 250 | |||
| КТ342ГМ | — | 250 | |||
| КТ342ДМ | — | 250 | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h31б, f**h31э, f***max | КТ342А | — | ≥250 | МГц |
| КТ342Б | — | ≥300 | |||
| КТ342В | — | ≥300 | |||
| КТ342Г | — | ≥300 | |||
| КТ342АМ | — | ≥250 | |||
| КТ342БМ | — | ≥300 | |||
| КТ342ВМ | — | ≥300 | |||
| КТ342ГМ | — | ≥150 | |||
| КТ342ДМ | — | ≥150 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб. , U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ342А | — | 35 | В |
| КТ342Б | — | 30 | |||
| КТ342В | — | 25 | |||
| КТ342Г | 10к | 60* | |||
| КТ342АМ | — | 35 | |||
| КТ342БМ | — | 30 | |||
| КТ342ВМ | 10к | 25 | |||
| КТ342ГМ | 10к | 30* | |||
| КТ342ДМ | — | 25* | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб. , | КТ342А | — | 5 | В |
| КТ342Б | — | 5 | |||
| КТ342В | — | 5 | |||
| КТ342Г | — | 5 | |||
| КТ342АМ | — | 5 | |||
| КТ342БМ | — | 5 | |||
| КТ342ВМ | — | 5 | |||
| КТ342ГМ | — | 5 | |||
| КТ342ДМ | — | 5 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ342А | — | 50(300*) | мА |
| КТ342Б | — | 50(300*) | |||
| КТ342В | — | 50(300*) | |||
| КТ342Г | — | 50(300*) | |||
| КТ342АМ | — | 50(300*) | |||
| КТ342БМ | — | 50(300*) | |||
| КТ342ВМ | — | 50(300*) | |||
| КТ342ГМ | — | 50(300*) | |||
| КТ342ДМ | — | 50(300*) | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ342А | 25 В | ≤0. 05 | мкА |
| КТ342Б | 20 В | ≤0.05 | |||
| КТ342В | 10 В | ≤0.05 | |||
| КТ342Г | 60 В | ≤0.05 | |||
| КТ342АМ | 25 В | ≤0.05 | |||
| КТ342БМ | 20 В | ≤0.05 | |||
| КТ342ВМ | 10 В | ≤0.05 | |||
| КТ342ГМ | 30 В | ≤0.05 | |||
| КТ342ДМ | 25 В | ≤0.05 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ342А | 5 В; 1 мА | 100…250* | |
| КТ342Б | 5 В; 1 мА | 200…500* | |||
| КТ342В | 5 В; 1 мА | 400…1000* | |||
| КТ342Г | 5 В; 1 мА | 50…120* | |||
| КТ342АМ | 5 В; 2 мА | 100…250* | |||
| КТ342БМ | 5 В; 2 мА | 200…500* | |||
| КТ342ВМ | 5 В; 2 мА | 400…1000* | |||
| КТ342ГМ | 5 В; 2 мА | 100…250* | |||
| КТ342ДМ | 5 В; 2 мА | 200…500* | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ342А | 5 В | ≤8 | пФ |
| КТ342Б | 5 В | ≤8 | |||
| КТ342В | 5 В | ≤8 | |||
| КТ342Г | 5 В | ≤8 | |||
| КТ342АМ | 5 В | ≤8 | |||
| КТ342БМ | 5 В | ≤8 | |||
| КТ342ВМ | 5 В | ≤8 | |||
| КТ342ГМ | 5 В | ≤8 | |||
| КТ342ДМ | 5 В | ≤8 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у. р. | КТ342А | — | ≤10 | Ом, дБ |
| КТ342Б | — | ≤10 | |||
| КТ342В | — | ≤10 | |||
| КТ342Г | — | ≤10 | |||
| КТ342АМ | — | ≤10 | |||
| КТ342БМ | — | ≤10 | |||
| КТ342ВМ | — | ≤10 | |||
| КТ342ГМ | — | ≤10 | |||
| КТ342ДМ | — | ≤10 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ342А | — | — | Дб, Ом, Вт |
| КТ342Б | — | — | |||
| КТ342В | — | — | |||
| КТ342Г | — | — | |||
| КТ342АМ | — | — | |||
| КТ342БМ | — | — | |||
| КТ342ВМ | — | — | |||
| КТ342ГМ | — | — | |||
| КТ342ДМ | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ342А | — | ≤200 | пс |
| КТ342Б | — | ≤300 | |||
| КТ342В | — | ≤700 | |||
| КТ342Г | — | — | |||
| КТ342АМ | — | ≤200 | |||
| КТ342БМ | — | ≤300 | |||
| КТ342ВМ | — | ≤700 | |||
| КТ342ГМ | — | — | |||
| КТ342ДМ | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Цветовая и кодовая маркировка транзисторов
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
DataSheet PDF Search Site
| Вы устали рыскать по Интернету в поисках нужных вам спецификаций? Не ищите ничего, кроме Datasheet39.com, основного источника таблиц данных. С обширной коллекцией спецификаций электронных компонентов, от транзисторов до микроконтроллеров, на Datasheet39.com есть все, что вам нужно для завершения ваших электронных проектов. |
Преимущества использования сайта
Вы можете скачать все спецификации бесплатно на Datasheet39. com. Для доступа к необходимой информации не требуется абонентской платы или требований к подписке. Найдите нужную спецификацию и сразу же загрузите ее. Мы стремимся предоставить нашим пользователям максимально возможное качество и скорость. |
Новые листы технических данных
| Номер детали | Функция | Производители | ПДФ |
| 11NB80 | СТВ11НБ80 | STMicroelectronics | |
| 2N3798 | КРЕМНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ PNP | Центральный полупроводник | |
| 2N3798A | КРЕМНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ PNP | Центральный полупроводник | |
| 2N3799 | КРЕМНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ PNP | Центральный полупроводник | |
| 2N3799A | КРЕМНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ PNP | Центральный полупроводник | |
| 2N3810 | КРЕМНИЕВЫЕ ДВОЙНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ PNP | Центральный полупроводник | |
| 2N3810A | КРЕМНИЕВЫЕ ДВОЙНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ PNP | Центральный полупроводник | |
| 2N3811 | КРЕМНИЕВЫЕ ДВОЙНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ PNP | Центральный полупроводник | |
| 2N3811A | КРЕМНИЕВЫЕ ДВОЙНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ PNP | Центральный полупроводник | |
| 2N3859A | КРЕМНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ NPN | Центральный полупроводник |
