Транзистор кт812а характеристики. Характеристики транзистора КТ812А: подробный обзор и применение

Каковы основные параметры транзистора КТ812А. Какие особенности имеет эта модель. Где применяется КТ812А в электронных схемах. Какие аналоги существуют для этого транзистора.

Основные характеристики транзистора КТ812А

Транзистор КТ812А представляет собой кремниевый биполярный транзистор n-p-n типа. Он относится к мощным высоковольтным транзисторам и имеет следующие ключевые параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 700 В
• Максимальный ток коллектора: 8 А (импульсный до 12 А)
• Максимальная рассеиваемая мощность: 50 Вт
• Статический коэффициент передачи тока: не менее 4
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц

Эти характеристики делают КТ812А подходящим для применения в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения и других высоковольтных схемах.

Особенности конструкции и корпуса КТ812А

Транзистор КТ812А выпускается в металлическом корпусе КТ-28 (ТО-220). Такой корпус обеспечивает хороший теплоотвод, что важно для мощных транзисторов. Расположение выводов стандартное для корпуса ТО-220:

• 1 вывод — база (B)
• 2 вывод — коллектор (C)
• 3 вывод — эмиттер (E)

Металлический фланец корпуса электрически соединен с коллектором транзистора. Это следует учитывать при монтаже на радиатор.

Области применения транзистора КТ812А

Благодаря своим характеристикам, транзистор КТ812А находит применение в следующих областях:

• Импульсные источники питания
• Преобразователи напряжения
• Драйверы электродвигателей
• Высоковольтные ключи
• Выходные каскады усилителей мощности

Высокое пробивное напряжение и способность работать с большими токами делают этот транзистор востребованным в промышленной электронике и силовой преобразовательной технике.

Параметры переключения КТ812А

Для импульсных применений важны динамические характеристики транзистора. Основные параметры переключения КТ812А:

• Время рассасывания: не более 1.3 мкс
• Время спада: не более 0.5 мкс
• Время нарастания: не более 0.5 мкс

Эти значения позволяют использовать КТ812А на частотах коммутации до нескольких десятков килогерц, что достаточно для большинства импульсных преобразователей.

Предельные эксплуатационные данные

При использовании транзистора КТ812А необходимо соблюдать следующие предельно допустимые режимы:

• Максимальная температура перехода: 150°C
• Диапазон рабочих температур: -60…+150°C
• Тепловое сопротивление переход-корпус: не более 2.5°C/Вт

Превышение этих параметров может привести к необратимому повреждению транзистора. Особое внимание следует уделять обеспечению эффективного теплоотвода.

Аналоги и замены транзистора КТ812А

В качестве возможных аналогов КТ812А можно рассматривать следующие транзисторы:

• BDY94 — близкий зарубежный аналог
• BUY79 — имеет схожие параметры
• КТ812Б — отличается меньшим напряжением пробоя (500 В)
• КТ812В — рассчитан на меньшее напряжение (300 В)

При замене следует внимательно сравнивать параметры и учитывать особенности конкретной схемы. Прямая замена не всегда возможна.

Особенности применения КТ812А в схемах

При использовании транзистора КТ812А в электронных устройствах следует учитывать некоторые нюансы:

• Требуется эффективный теплоотвод, особенно при работе с большими токами
• Рекомендуется применение снабберных цепей для защиты от перенапряжений
• Следует обеспечить надежное управление базой для предотвращения самопроизвольного открывания
• При параллельном включении нужно принимать меры для выравнивания токов

Правильное применение этих мер позволит максимально эффективно использовать возможности транзистора КТ812А в различных схемах.

Маркировка и внешний вид КТ812А

Транзистор КТ812А имеет следующую маркировку на корпусе:

• KT812A — полное обозначение типа
• Дата изготовления в формате ГГНН (год, неделя)
• Логотип или код завода-изготовителя

Внешне КТ812А представляет собой стандартный транзистор в корпусе ТО-220 с тремя выводами. Металлический фланец имеет отверстие для крепления на радиатор. Цвет пластиковой части корпуса обычно черный.

Рекомендации по монтажу КТ812А

При монтаже транзистора КТ812А на печатную плату или радиатор следует соблюдать некоторые правила:

• Не допускать механических напряжений на выводах при изгибе
• Использовать теплопроводящую пасту при установке на радиатор
• Соблюдать полярность и не путать выводы при монтаже
• Применять электростатическую защиту при работе с транзистором

Правильный монтаж обеспечит надежную работу транзистора и позволит реализовать его характеристики в полной мере.

Транзистор КТ812 — DataSheet

Перейти к содержимому

Цоколевка транзистора КТ812

 

Параметры транзистора КТ812

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ812А		BDY94, BUY79, BUY78, SVT300-3 *2
		КТ812Б		BU106, BUY79, BUY78, SVT300-3 *2
		КТ812В		BDY25, BUX97 *2, BUS21A *2, BU109D, 2N6544, 2N6542 *2, 2N6514, 2N6512, SDT31307 *2, SVT300-3 *2, BUS21 *2, 2N6511, BD550B
Структура			—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	КТ812А	50 °C	50*	Вт
		КТ812Б	50 °C	50*
		КТ812В	50 °C	50*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, f*h31б, f**h31э, f***max	КТ812А	—	≥3	МГц
		КТ812Б	—	≥3
		КТ812В	—	≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб. , U*КЭR проб., U**КЭО проб.	КТ812А	0.01к	400*	В
		КТ812Б	0.01к	300*
		КТ812В	0.01к	200*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	КТ812А	—	7	В
		КТ812Б	—	7
		КТ812В	—	7
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	КТ812А	—	8(12*)	А
		КТ812Б	—	8(12*)
		КТ812В	—	8(12*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, I*КЭR, I**КЭO	КТ812А	700 В	≤5*	мА
		КТ812Б	500 В	≤5*
		КТ812В	300 В	≤5*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э,  h*21Э	КТ812А	2. 5 В; 8 А	≥4*
		КТ812Б	2.5 В; 8 А	≥4*
		КТ812В	5 В; 5 А	≥10*
Емкость коллекторного перехода	cк,  с*12э	КТ812А	100 В	≤100	пФ
		КТ812Б	100 В	≤100
		КТ812В	100 В	≤100
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.	КТ812А	—	≤0.3	Ом, дБ
		КТ812Б	—	≤0.3
		КТ812В	—	≤0. 3
Коэффициент шума транзистора	Кш, r*b, P**вых	КТ812А	—	—	Дб, Ом, Вт
		КТ812Б	—	—
		КТ812В	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)	КТ812А	—	tсп≤1.3 мкс	пс
		КТ812Б	—	tсп≤1.3 мкс
		КТ812В	—	tсп≤1.3 мкс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

КТ812А транзистор кремнієвий NPN (10А 400В) 50W, цена 84 грн

Характеристики и описание

 

Наимен.	тип	Uкбо(и),В	Uкэо(и), В	Iкmax(и), мА	Pкmax(т), Вт	h21э	Iкбо, мкА	fгр., МГц	Uкэн, В
КТ812Б	n-p-n	500	500	8000 (12000)	(50)	4	5000	3	<2. 5
КТ812В		300	300	8000 (12000)	(50)	10	5000	3	<2.5
2Т812А		700	700	10000 (17000)	(50)	5	5000	3	<2.5
2Т812Б		500	500	10000 (17000)	(50)	5	5000	3	<2.5

 

Корпус:

 

Uкбо	— Максимально допустимое напряжение коллектор-база
Uкбои	— Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
Uкэо	— Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои	— Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
Iкmax	— Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iкmax и	— Максимально допустимый импульсный ток коллектора
Pкmax	— Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
Pкmax т	— Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
h21э	— Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Iкбо	— Обратный ток коллектора
fгр	— граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Uкэн	— напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Отзывы о продавце

Был online: Сегодня

Продавец CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.

10 лет на Prom.ua

1000+ заказов

• Каталог продавца
• Отзывы

  1409

г. Киев. Продавец CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.

Был online: Сегодня

Код: КТ812А

Под заказ. Доставка с 10.11.2022

Доставка по Украине

84  грн

• Тут принимают

• Тут доставляют

Доставка

Оплата и гарантии

транзистор%20d%201710 спецификация и примечания по применению

Лучшие результаты (6)

org/Product»> org/Product»>

Часть	Модель ECAD	Производитель	Описание	Техническое описание Скачать	Купить Часть
UJ3C065080T3S		UnitedSiC	Мощный полевой транзистор
UF3C065080K3S		UnitedSiC	650 В, 80 мОм SiC FET TO-247-3L
UF3C120400K3S		UnitedSiC	1200 В-410 мОм SiC FET TO-247-3L
UF4C120053K3S		UnitedSiC	1200 В, 53 мОм SiC FET TO-247-3L
UJ3C065080K3S		UnitedSiC	650 В, 80 мОм SiC FET TO-247-3L
UJ4C075023K3S		UnitedSiC	750 В, 23 мОм SiC FET TO-247-3L

транзистор%20d%201710 Листы данных Context Search

org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»>

Каталог Лист данных	MFG и тип	ПДФ	Теги документов
хб*9Д5Н20П Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема ktd998 транзистор Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2N2904E до н. э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E хб*9Д5Н20П хб9д0н90н 6В стабилитрон хб*2Д0Н60П транзистор КХБ7Д0Н65Ф Транзистор BC557 киа*278R33PI КХБ9Схема Д0Н90Н транзистор ктд998
КИА78*ПИ Реферат: Транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2Н3904хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ ТРАНЗИСТОР мосфет КИА7812АПИ хб*2Д0Н60П Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET KIA7812API хб*2Д0Н60П
2SC4793 2sa1837 Реферат: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 эквивалент 2sc5198 транзистор 2SC5359 2SC5171 транзистор эквивалент NPN транзистор Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 2sc5198 эквивалент транзистор 2SC5359 эквивалент транзистора 2SC5171 НПН-транзистор
транзистор Реферат: Транзистор ITT BC548 pnp транзистор pnp BC337 pnp транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 TRANSISTOR PNP Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	2Н3904 2Н3906 2Н4124 2Н4126 2N7000 2Н7002 до н.э.327 до н.э.328 до н.э.337 до н.э.338 транзистор транзистор ИТТ BC548 п-н-п транзистор транзистор п-н-п BC337 п-н-п транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN-транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП
Ч520Г2 Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn переключающий транзистор 60в транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500ма 100ма Ч4904Т1ПТ Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn-переключающий транзистор 60 В транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904T1PT
транзистор 45 f 122 Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 tlp 122 634 транзистор транзистор ac 127 TRANSISTOR транзистор 502 транзистор f 421 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 тлп 122 634 транзистор транзистор переменного тока 127 ТРАНЗИСТОР транзистор 502 транзистор ф 421
СТХ12С Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Варистор RU Реферат: Транзистор SE110N 2SC5487 2SA2003 SE090N высоковольтный транзистор SE090 RBV-406 2SC5586 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 2SA2003 SE090N высоковольтный транзистор SE090 РБВ-406 2SC5586
К2Н4401 Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 D1N750 D02CZ10 D1N751 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 Д1Н750 D02CZ10 Д1Н751
фн651 Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1×7 STR20012 sap17n 2сд2619РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343
2SC5471 Аннотация: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Мосфет ФТР 03-Е Резюме: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF V/65e9 транзистор транзистор 2SC337 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389 фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF V/65e9транзистор транзистор 2SC337
фгт313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a
транзистор 91 330 Реферат: tlp 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор R358 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 тлп 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор Р358 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120
1999 — Системы горизонтального отклонения телевизора Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальная секция tv Горизонтальное отклонение переключающие транзисторы TV горизонтальные системы отклонения mosfet CRT TV электронная пушка горизонтальная секция в элт-телевидение TV трансформатор обратного хода Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц. Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА Ан363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтальной секции телевизор Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора ЭЛТ ТВ электронная пушка горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре Обратный трансформатор для телевизора
транзистор Аннотация: силовой транзистор npn к-220 PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР TO220 транзистор PNP демпферный диод транзистор Дарлингтона 2SD2206A силовой транзистор npn транзистор дарлингтона TO220 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 транзистор PNP демпферный диод Транзистор Дарлингтона 2СД2206А силовой транзистор нпн дарлингтон транзистор ТО220
1999 — транзистор Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип n-канальный полевой массив Низкочастотный силовой транзистор транзистор mp40 TRANSISTOR P 3 high hfe транзистор список Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК n-канальный полевой массив Силовой низкочастотный транзистор транзистор мп40 ТРАНЗИСТОР Р 3 высокочастотный транзистор список
транзистор 835 Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 TRANSISTOR регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 w 85 транзистор 81 110 w 63 транзистор транзистор 438 TRANSISTOR GUIDE транзистор 649 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	БК327; БК327А; до н. э.328 БК337; БК337А; до н.э.338 до н.э.546; до н.э.547; до н.э.548 до н.э.556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель ЗВУКА на транзисторе BC548 транзистор 81 110 Вт 85 транзистор 81 110 Вт 63 транзистор транзистор 438 ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО транзистор 649
2002 — SE012 Реферат: SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050e SE110N SLA-7611 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050е SE110N SLA-7611
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 диод СВЧ однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 RG-2A диод Dual MOSFET 606 TFD312S-F Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод для микроволновой печи однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 Диод РГ-2А Двойной МОП-транзистор 606 ТФД312С-Ф
PWM ИНВЕРТОРНЫЙ сварочный аппарат Реферат: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 демпфирующий конденсатор powerex инвертор сварочная схема kd2245 kd224510 примечания по применению транзистор KD221K75 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF
варикап диоды Реферат: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Hitachi SAW Фильтр gsm-модуль с микроконтроллером P-канальный MOSFET Транзисторы MOSFET P-канальный Mosfet-транзистор Hitachi Низкочастотный силовой транзистор VHF FET LNA Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	PF0032 PF0040 PF0042 ПФ0045А PF0065 ПФ0065А HWCA602 HWCB602 ХВКА606 HWCB606 варикапные диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Хитачи ПАВ Фильтр gsm модуль с микроконтроллером p-канальный мосфет Транзисторы mosfet p канал МОП-транзистор хитачи Силовой низкочастотный транзистор УКВ Фет лна
Транзистор мощности телевизора, техническое описание Реферат: силовой транзистор 2SD2599 эквивалент 2SC5411 транзистор 2sd2499 транзистор 2Sc5858 эквивалент 2SC5570 компоненты в горизонтальном выходе 2SC5855 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Технический паспорт силового транзистора телевизора силовой транзистор Эквивалент 2SD2599 транзистор 2sd2499 транзистор эквивалент 2Sc5858 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе 2SC5855
2009 — 2sc3052ef Реферат: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА КОД s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводниковый перекрестный справочник toshiba smd код маркировки транзистора Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	24 ГГц BF517 Б132-Х8248-Г5-С-7600 2sc3052ef 2н2222а СОТ23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 смд 1N4148 СОД323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd маркировка код транзистора
2007 — ДДА114ТХ Резюме: DCX114EH DDC114TH Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	DCS/PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22кОм 47кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH

Предыдущий 1 2 3 … 23 24 25 Далее

Что такое характеристики транзистора? (с картинками)

`;

Джон Маркли

Дата последнего изменения: 30 сентября 2022 г.

Транзисторы — это компоненты электронных устройств, которые контролируют и усиливают поток электричества в устройстве и считаются одним из самых важных изобретений в развитии современной электроники. Важные характеристики транзистора, влияющие на его работу, включают коэффициент усиления, структуру и полярность транзистора, а также конструкционные материалы. Характеристики транзистора могут сильно различаться в зависимости от назначения транзистора.

Транзистор усиливает электрический ток.

Транзисторы полезны, потому что они могут использовать небольшое количество электричества в качестве сигнала для управления потоком гораздо большего количества. Способность транзистора делать это называется коэффициентом усиления транзистора, который измеряется как отношение выходного сигнала транзистора к входному сигналу, необходимому для создания этого выходного сигнала. Чем выше выход по отношению к входу, тем выше коэффициент усиления. Это отношение может быть измерено с точки зрения мощности электричества, напряжения или тока. Усиление уменьшается по мере увеличения рабочей частоты.

Каждый полупроводниковый вывод в транзисторе может иметь положительную или отрицательную полярность, в зависимости от того, какими веществами был легирован основной полупроводниковый материал транзистора.

Характеристики транзистора зависят от состава транзистора. Общие материалы включают полупроводники кремний, германий и арсенид галлия (GaAs). Арсенид галлия часто используется для транзисторов, работающих на высоких частотах, потому что его электронная подвижность, скорость, с которой электроны движутся через полупроводниковый материал, выше. Он также может безопасно работать при более высоких температурах в кремниевых или германиевых транзисторах. Кремний имеет более низкую подвижность электронов, чем другие материалы для транзисторов, но широко используется, потому что кремний недорог и может работать при более высоких температурах, чем германий.

Одной из наиболее важных характеристик транзистора является конструкция транзистора. Биполярный переходной транзистор (BJT) имеет три вывода, называемые базой, коллектором и эмиттером, при этом база находится между коллектором и эмиттером. Небольшие количества электричества перемещаются от базы к эмиттеру, а небольшое изменение напряжения вызывает гораздо большие изменения в потоке электричества между слоями эмиттера и коллектора. Биполярные транзисторы называются биполярными, поскольку в качестве носителей заряда они используют как отрицательно заряженные электроны, так и положительно заряженные электронные дырки.

В полевом транзисторе (FET) используется только один тип носителей заряда. Каждый полевой транзистор имеет три полупроводниковых слоя, называемых затвором, стоком и истоком, которые аналогичны базе, коллектору и эмиттеру биполярных транзисторов соответственно. Большинство полевых транзисторов также имеют четвертый вывод, называемый корпусом, объемом, основанием или подложкой. Использует ли полевой транзистор электроны или электронные дырки для переноса зарядов, зависит от состава различных слоев полупроводника.

Каждый полупроводниковый вывод в транзисторе может иметь положительную или отрицательную полярность, в зависимости от того, какими веществами был легирован основной полупроводниковый материал транзистора. При легировании N-типа добавляются небольшие примеси мышьяка или фосфора. Каждый атом легирующей примеси имеет пять электронов на внешней оболочке. Внешняя оболочка каждого атома кремния имеет только четыре электрона, поэтому каждый атом мышьяка или фосфора обеспечивает избыточный электрон, который может двигаться через полупроводник, придавая ему отрицательный заряд. При легировании P-типа вместо этого используется галлий или бор, оба из которых имеют три электрона на внешней оболочке. Это дает четвертому электрону внешней оболочки атомов кремния не с чем связываться, создавая соответствующие носители положительного заряда, называемые электронными дырками, в которые могут двигаться электроны.

Транзисторы также классифицируются по полярности компонентов. В NPN-транзисторах средний вывод — база в биполярных транзисторах и затвор в полевых транзисторах — имеет положительную полярность, а два слоя по обе стороны от него — отрицательную.