Транзистор кт817г. Транзистор КТ817Г: характеристики, применение и аналоги — Производство и поставка электростанций, Бензиновые и дизельные генераторы от 1 до 100 кВт. Мини ТЭЦ на базе двигателя Стирлинга.

Что такое транзистор КТ817Г. Какие у него основные характеристики. Где применяется КТ817Г. Какие есть аналоги транзистора КТ817Г. Какова цоколевка КТ817Г.

Содержание

Общие сведения о транзисторе КТ817Г

Транзистор КТ817Г представляет собой кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный транзистор структуры n-p-n. Он относится к классу мощных высоковольтных транзисторов и широко применяется в различных электронных устройствах.

Основные особенности КТ817Г:

Структура n-p-n
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер 100 В
Максимальный ток коллектора 3 А
Рассеиваемая мощность до 25 Вт (с теплоотводом)
Коэффициент усиления по току 25-275
Частота единичного усиления до 3 МГц

Области применения транзистора КТ817Г

Благодаря своим характеристикам, транзистор КТ817Г находит применение в следующих областях:

Усилители низкой частоты
Импульсные источники питания
Ключевые и коммутационные схемы
Регуляторы напряжения и тока

Драйверы электродвигателей
Преобразователи напряжения

Где чаще всего используется КТ817Г? Этот транзистор часто применяется в выходных каскадах усилителей мощности звуковой частоты, а также в импульсных блоках питания различной аппаратуры.

Предельные электрические параметры КТ817Г

При выборе и эксплуатации транзистора КТ817Г важно учитывать его предельно допустимые параметры:

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 100 В
Максимальное напряжение коллектор-база: 100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база: 5 В
Максимальный постоянный ток коллектора: 3 А
Максимальный импульсный ток коллектора: 6 А
Максимальная рассеиваемая мощность коллектора: 25 Вт (с теплоотводом), 1 Вт (без теплоотвода)
Максимальная температура перехода: 150°C

Превышение этих параметров может привести к выходу транзистора из строя. При использовании КТ817Г необходимо обеспечивать эффективный теплоотвод для отвода выделяемого тепла.

Электрические характеристики транзистора КТ817Г

Основные электрические параметры КТ817Г при температуре 25°C:

Статический коэффициент передачи тока: 25-275
Граничная частота коэффициента передачи тока: не менее 3 МГц
Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: не более 0,6 В
Напряжение насыщения база-эмиттер: не более 1,5 В
Обратный ток коллектора: не более 100 мкА

Эти параметры необходимо учитывать при проектировании схем с использованием транзистора КТ817Г.

Цоколевка транзистора КТ817Г

Транзистор КТ817Г выпускается в двух типах корпусов:

Пластмассовый корпус КТ-27 (TO-126) для выводного монтажа
Пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK) для поверхностного монтажа

Цоколевка КТ817Г в корпусе КТ-27:

Эмиттер
Коллектор
База

Цоколевка КТ817Г в корпусе КТ-89:

База
Коллектор
Эмиттер

При монтаже транзистора важно правильно определить выводы согласно цоколевке конкретного корпуса.

Аналоги транзистора КТ817Г

У транзистора КТ817Г имеются как отечественные, так и зарубежные аналоги с близкими характеристиками:

Отечественные аналоги: КТ818Г, КТ819Г, КТ8116А
Зарубежные аналоги: BD237, 2N5192, 2N6123, 2SD1356, BD239B, TIP31C

При замене КТ817Г аналогом необходимо тщательно сравнивать их параметры, так как полного совпадения характеристик может не быть.

Особенности применения транзистора КТ817Г

При использовании КТ817Г в электронных схемах следует учитывать некоторые особенности:

Необходимость эффективного теплоотвода при работе на большой мощности
Чувствительность к статическому электричеству
Возможность возникновения паразитных колебаний в импульсных режимах

Зависимость параметров от температуры

Для обеспечения надежной работы КТ817Г рекомендуется использовать радиаторы, защиту от статики, демпфирующие цепи.

Производители транзистора КТ817Г

Основными производителями транзистора КТ817Г являются:

АО «Кремний» (г. Брянск, Россия)
ОАО «Интеграл» (г. Минск, Беларусь)

Продукция этих предприятий широко представлена на рынке электронных компонентов. При выборе транзистора важно обращать внимание на производителя и приобретать компоненты у проверенных поставщиков.

характеристики, аналоги , цоколевка и datasheet

В технических характеристиках написано, что транзистор КТ817Г изготавливается на кремниевой основе по мезаэпитксиально-планарной технологии. Имеет структуру n-p-n. Чаще всего используется в схемах УНЧ, ключевых схемах, а также в операционных усилителях.

Цоколевка

Данные транзисторы бывают двух типов, для дырочного монтажа используется пластмассовый корпус с жёсткими выводами КТ27 и для навесного монтажа КТ-89. На рисунке ниже можно увидеть цоколевку для КТ817Г для каждого типа упаковки.

Здесь для КТ-27 цифрой 1 обозначен эмиттер, 2 – коллектор, 3 – база. Для КТ-89 используются другие обозначения. 1 это база, 2 – коллектор, 3 эмиттер.

Технические характеристики

Предельно допустимые параметры являются важными при выборе замены для вышедшего из строя устройства или при проектировании нового. Нужно помнить, что транзистор может выйти из строя даже при непродолжительном превышении максимальных значений. Если прибор будет работать долгое время при рабочих характеристиках равным или равным наибольшим возможным он также выйдет из строя. Для КТ817Г они равны:

наибольшее допустимое напряжение между К-Э действующее на протяжении длительного времени ( при сопротивлении Б – Э равном бесконечности, температуре окружающей среды Т_К = от 233 до 373 К) – 80 В;
максимально возможное постоянное (действующее длительное время) напряжение между К-Э (при сопротивлении Б – Э равном R_БЭ ≤ 1000 Ом, температуре окружающей среды Т_К = от 233 до 373 К) – 100 В;
предельно допустимое постоянно действующее напряжение между Б – Э (при температуре окружающей среды Т_К = от 233 до 373 К) – 5 В;
наибольший ток через протекающий через коллектор на протяжении длительного времени (при температуре окружающей среды Т_К = от 233 до 373 К) – 3 А;
максимальный импульсный (кратковременный) ток через коллектора (при температуре окружающей среды Т_К = от 233 до 373 К, длительности импульса до 20 мс) – 40 А;

предельный постоянный ток протекающий через базу (при температуре окружающей среды Т_К = от 233 до 373 К) – 1 А;
максимальная постоянная мощность, рассеиваемая на коллекторе (при температуре окружающей среды Т_К = от 233 до 373 К) – с теплоотводом 25 Вт, без теплоотвода 1 Вт;
наибольшая температура кристалла – 423 К;
рабочая температура окружающей среды – от 233 до 373 К.

Электрические параметры показывают функциональные возможности изделия. В таблице расположенной ниже находятся их значения при температуре +25 ^ОС. Остальные условия, в которых тестировался транзистор, можно найти в столбце «Режимы измерения».

Параметры	Режимы измерения	Обозн.	min	max	Ед. изм
Статический к-т передачи тока в схеме с ОЭ	U_КЭ= 2 В, I_Э= 1 A, Т = от 298 до 373 К Т = 233 К	h_21Э	25 15
Граничная частота к-та передачи тока в схеме с ОЭ	U_КЭ= 10 В, I_Э= 0,25 A	f_гр		3	МГц
Граничное напряжение К-Э	I_Э = 100 мA	U_{КЭО гр}		80	В
Напряжение насыщения перехода К-Э	I_К = 1 A, I_Б = 0,1 A	U_КЭ_нас		0,6	В
Напряжение насыщения перехода Б-Э	I_К = 1 A, I_Б = 0,1 A	U_БЭ_нас		1,5	В
Емкость коллекторного перехода	U_КБ = 10 В, f = 1 МГц	c_к		60	пФ
Емкость эмиттерного перехода	U_ЭБ= 0,5 В	c_к		115	пФ
Обратный ток через коллектор	U_КБ= 100 В Т = от 233 до 3298 К Т = 373 К	I_КБО	100 3000		мкА мкА

Из КТ817Г можно добыть 0,0042 грамма золота.

Аналоги

В технической документации одного из производителей, ОАО «Интеграл», предлагается прототип КТ817Г – это зарубежный аналог транзистор BD237. Для него также имеется комплиментарная пара – КТ816. Кроме устройств предложенных изготовителем, имеются также другие зарубежные изделия, близкие по характеристикам:

2N5192;
2N6123;

2SC1827;
2SD1356;
2SD1408;
2SD526;
2SC1826;
BD179;
BD220;
BD222;
BD239B;
BD441;
BD619;
BD937;
TIP31C.

Производители и DataSheet

Производством транзистора КТ817Г (Datasheet по клику на название компании) занимаются два предприятия находящиеся в Белоруссии и России. Это АО «Кремний» г. Брянск и ОАО «Интеграл» г. Минск. В отечественных магазинах представлена продукция обеих этих фирм.

NPN