Транзистор кт817г: КТ817Г характеристики транзистора, цоколевка, аналоги, datasheet

характеристики, аналоги , цоколевка и datasheet

В технических характеристиках написано, что транзистор КТ817Г изготавливается на кремниевой основе по мезаэпитксиально-планарной технологии. Имеет структуру n-p-n. Чаще всего используется в схемах УНЧ, ключевых схемах, а также в операционных усилителях.

Цоколевка

Данные транзисторы бывают двух типов, для дырочного монтажа используется пластмассовый корпус с жёсткими выводами КТ27 и для навесного монтажа КТ-89. На рисунке ниже можно увидеть цоколевку для КТ817Г для каждого типа упаковки.

Здесь для КТ-27 цифрой 1 обозначен эмиттер, 2 – коллектор, 3 – база. Для КТ-89 используются другие обозначения. 1 это база, 2 – коллектор, 3 эмиттер.

Технические характеристики

Предельно допустимые параметры являются важными при выборе замены для вышедшего из строя устройства или при проектировании нового. Нужно помнить, что транзистор может выйти из строя даже при непродолжительном превышении максимальных значений. Если прибор будет работать долгое время при рабочих характеристиках равным или равным наибольшим возможным он также выйдет из строя. Для КТ817Г они равны:

  • наибольшее допустимое напряжение между К-Э действующее на протяжении длительного времени ( при сопротивлении Б – Э равном бесконечности, температуре окружающей среды ТК = от 233 до 373 К) – 80 В;
  • максимально возможное постоянное (действующее длительное время) напряжение между К-Э (при сопротивлении Б – Э равном RБЭ ≤ 1000 Ом, температуре окружающей среды ТК = от 233 до 373 К) – 100 В;
  • предельно допустимое постоянно действующее напряжение между Б – Э (при температуре окружающей среды ТК = от 233 до 373 К) – 5 В;
  • наибольший ток через протекающий через коллектор на протяжении длительного времени (при температуре окружающей среды ТК = от 233 до 373 К) – 3 А;
  • максимальный импульсный (кратковременный) ток через коллектора (при температуре окружающей среды ТК = от 233 до 373 К, длительности импульса до 20 мс) – 40 А;
  • предельный постоянный ток протекающий через базу (при температуре окружающей среды ТК = от 233 до 373 К) – 1 А;
  • максимальная постоянная мощность, рассеиваемая на коллекторе (при температуре окружающей среды ТК = от 233 до 373 К) – с теплоотводом 25 Вт, без теплоотвода 1 Вт;
  • наибольшая температура кристалла – 423 К;
  • рабочая температура окружающей среды – от 233 до 373 К.

Электрические параметры показывают функциональные возможности изделия. В таблице расположенной ниже находятся их значения при температуре +25 ОС. Остальные условия, в которых тестировался транзистор, можно найти в столбце «Режимы измерения».

Параметры Режимы измерения Обозн. min max Ед. изм
Статический к-т передачи тока в схеме с ОЭ UКЭ = 2 В, IЭ= 1 A,

Т = от 298 до 373 К

Т = 233 К

h21Э  

25

15

 

 

Граничная частота к-та передачи тока в схеме с ОЭ UКЭ = 10 В, IЭ= 0,25 A fгр 3 МГц
Граничное напряжение К-Э IЭ = 100 мA UКЭО гр 80 В
Напряжение насыщения перехода К-Э IК = 1 A, IБ = 0,1 A UКЭнас 0,6 В
Напряжение насыщения перехода Б-Э IК = 1 A, IБ = 0,1 A UБЭнас 1,5 В
Емкость коллекторного перехода UКБ = 10 В, f = 1 МГц cк 60 пФ
Емкость эмиттерного перехода UЭБ = 0,5 В cк 115 пФ
Обратный ток через коллектор
UКБ = 100 В

Т = от 233 до 3298 К

Т = 373 К

IКБО  

100

3000

 

мкА

мкА

Из КТ817Г можно добыть 0,0042 грамма золота.

Аналоги

В технической документации одного из производителей, ОАО «Интеграл», предлагается прототип КТ817Г – это зарубежный аналог транзистор BD237. Для него также имеется комплиментарная пара – КТ816. Кроме устройств предложенных изготовителем, имеются также другие зарубежные изделия, близкие по характеристикам:

  • 2N5192;
  • 2N6123;
  • 2SC1827;
  • 2SD1356;
  • 2SD1408;
  • 2SD526;
  • 2SC1826;
  • BD179;
  • BD220;
  • BD222;
  • BD239B;
  • BD441;
  • BD619;
  • BD937;
  • TIP31C.

Производители и DataSheet

Производством транзистора КТ817Г (Datasheet по клику на название компании) занимаются два предприятия находящиеся в Белоруссии и России. Это АО «Кремний» г. Брянск и ОАО «Интеграл» г. Минск. В отечественных магазинах представлена продукция обеих этих фирм.

NPN

Транзистор КТ817Г

Срок доставки: 

5 — 15 дней

Цена:

По запросу

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ817Г предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Особенности

  • Диапазон рабочих температур: — 60 до + 150 C
  • Комплиментарная пара – КТ816

Обозначение технических условий

  • аАО. 336.187 ТУ / 02

Корпусное исполнение

  • пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126) – КТ817А, Б, В, Г
  • пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK) – КТ817А9, Б9, В9, Г9
Назначение выводов
Вывод

(корпус КТ-27)

Назначение

(корпус КТ-27)

Вывод

(корпус КТ-89)

Назначение

(корпус КТ-89)

№1 Эмиттер №1 База
№2 Коллектор №2 Коллектор
№3 База №3 Эмиттер
Основные электрические параметры КТ817 при Токр. среды = 25 С
Параметры Обозначение Ед.
изм.
Режимы измерения Min Max
Граничное напряжение коллектор-эмиттер Uкэо гр. В Iэ=0,1A, tи=0,3 — 1 мс 25
КТ817А, А9
КТ817Б, Б9 45
КТ817В, В9 60
КТ817Г, Г9 80
Обратный ток коллектора Iкбо мкА Uкэ=40 В 100
КТ817А, А9
КТ817Б, Б9 Uкэ=45 В 100
КТ817В, В9 Uкэ=60 В 100
КТ817Г, Г9 Uкэ=100 В 100
Обратный ток коллектор-эмиттер Iкэr мкА Uкэ=40 В, Rбэ 200
КТ817А, А9
КТ817Б, Б9 Uкэ=45 В, Rбэ 200
КТ817В, В9 Uкэ=60 В, Rбэ 200
КТ817Г, Г9 Uкэ=100В, Rбэ 200
Статический коэффициент передачи тока h31э   Uкб=2 B, Iэ=1A 25 275
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Uкэ нас В Iк=1 A, Iб=0,1A 0,6
Предельно допустимые электрические режимы КТ817
Параметры Обозначение Единица измер. Значение
Напряжение коллектор-эмиттер (Rэб Uкэ max В 40
КТ817А, А9
КТ817Б, Б9 45
КТ817В, В9 60
КТ817Г, Г9 100
Напряжение эмиттер-база Uэб max В 5
Постоянный ток коллектора Iк max А 3
Импульсный ток коллектора Iки max А 6
Максимально допустимый постоянный ток базы Iб max А 1
Рассеиваемая мощность коллектора Pк max Вт 25
Температура перехода Tпер C 150

KT817_2007431.

PDF Загрузить техническое описание — IC-ON-LINE
Номер связанной детали
Сдвоенный транзистор усилителя
ЧАСТЬ Описание Производитель
ФЗТ1151А ФЗТ1151АТА ФЗТ1151А-15 Дискретный — Биполярные транзисторы — Транзистор (BJT) Основная таблица — Транзисторы от 30 В до 50 В
PNP Low Sat Transistor
TRANS PNP -40V -3000MA SOT-223 3 A, 40 V, PNP, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР
PNP КРЕМНИЕВЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР СРЕДНЕЙ МОЩНОСТИ С ВЫСОКИМ УСИЛЕНИЕМ 3 А, 40 В, PNP, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР
Zetex Semiconductors
Diodes Incorporated
Zetex Semiconductor PLC
BB1 BB1A4A BB1A4M BB1L3N BB1A3M BB1F3P BB1J3P BB1L СОЕДИНИТЕЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР Встроенный резистор NPN кремниевый эпитаксиальный транзистор Для переключения на средней скорости
Гибридный транзистор
NEC Corp.
NEC[NEC]
2SB1713 2SB1714 2SB852K1 2SC2412K1 2SC41021 2SC472 -3A / -12В Биполярный транзистор
-2A / -30В Биполярный транзистор
Транзистор усилителя с высоким коэффициентом усиления (?32В, ?0,3А)
Транзистор общего назначения (50В, 0,15А)
Транзистор усилителя высокого напряжения (120В, 50мА) )
Транзистор усилителя высокой частоты (11 В, 50 мА, 3,2 ГГц)
Транзистор мощности (60 В, 3 А)
Транзистор средней мощности (60 В, 2 А)
Транзистор средней мощности (60 В, 0,5 А)
Транзистор усилителя с высоким коэффициентом усиления (32 В) , 0,3А)
Транзистор средней мощности (32 В, 1 А)
Транзистор мощности (80 В, 1 А)
Транзистор с низким значением VCE(sat) (стробоскопическая вспышка)
Транзистор средней мощности с высоким коэффициентом усиления (20 В, 0,5 А)
Усилитель низкой частоты
4 В Драйвер Nch МОП-транзистор на полевых транзисторах
10 В, управляющий N-канальный МОП-транзистор
2,5 В, управляющий N-канальный МОП-транзистор
4 А, 600 В N-КАНАЛЬНЫЙ МОЩНЫЙ МОП-транзистор
UTC
РОМ[Ром]
2N2369AU 2N2369AUA 2N2369AUB 2N4449 2N4449UA 2N444 NPN КРЕМНИЕВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ ТРАНЗИСТОР 200 мА, 15 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-206AB
БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN
Транзистор NPN
Microsemi, Corp.
MICROSEMI[Microsemi Corporation]
ИПБ100Н08С2-07 ИПИ100Н08С2-07 ИПП100Н08С2-07 СП000 OptiMOS Power-Transistor 的OptiMOS㈢功率晶体管
OPTIMOS⑶ POWER-TRANSISTOR
OptiMOS㈢ Power-Transistor
OptiMOS? Силовой транзистор
ИНФИНЕОН [Infineon Technologies AG]
КТЦ1027 КТЦ1027О КТЦ1027-15 ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN
Транзистор общего назначения
800 мА, 120 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-92
KEC (Korea Electronics)
Korea Electronics (KEC)
КТЦ1008 КТЦ1008ГР КТЦ1008-15 ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN
Транзистор общего назначения
1000 мА, 60 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-92
KEC (Korea Electronics)
Korea Electronics (KEC)
GN1A4Z GN1A4Z-T2 GN1A4Z-T1 GN1A4ZM67 ТРАНЗИСТОР | 50В В(BR)Генеральный директор | 100 мА I(С) | SOT-323 晶体管| 50V五(巴西)总裁| 100 мА的一(c)|的SOT — 323
СРЕДНЯЯ СКОРОСТЬ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ РЕЗИСТОР ВСТРОЕННЫЙ ТРАНЗИСТОР PNP
Гибридный транзистор
НЭК, Корп.
2N2060A (сдвоенный маломощный транзистор в герметичном корпусе TO-77)晶体管(双小信号晶体管采用TO — 77气密封装)(具有
ДВОЙНОЙ УСИЛИТЕЛЬ ТРАНЗИСТОР 500 мА, 60 В, 2 КАНАЛА, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, MO-002AF
Central Semiconductor, Corp.
TT electronics Semelab, Ltd.
Semelab (Magnatec)
TT electronics Semelab Limited
SEME-LAB[Seme LAB]
2N5330 SDT99703 2N4211 2N5616 SDT8302 2N5625 SDT16 30 А, 90 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР
300 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР
20 A, 80 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-63
5 A, 80 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-3
30 A, 80 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-63
10 A, 80 В, PNP, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO- 3
5 A, 100 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-66
5 A, 40 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-66
5 A, 60 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO -66
20 A, 60 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-63
10 A, 80 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-61
10 A, 200 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, ТО-3
SOLITRON DEVICES INC
IPB100N08S2L-07 IPP100N08S2L-07 SP0002-19052 SP000 100 A, 75 В, 0,0068 Ом, N-КАНАЛЬНЫЙ, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
OptiMOS? Power-Transistor
OptiMOS㈢ Power-Transistor
OptiMOSPower-Transistor
Инфинеон Текнолоджиз АГ
IRFP443R IRFF430R IRF731R IRF732R IRFP442R IRFP342 ТРАНЗИСТОР | МОП-транзистор | N-КАНАЛ | 500В В(БР)ДСС | 13А I(D) | ТО-204АА
ТРАНЗИСТОР | МОП-транзистор | N-КАНАЛ | 400В В(БР)ДСС | 500 мА I(D) | Мощные МОП-транзисторы серии TO-250VAR
Rugged — N-канальный ТРАНЗИСТОР
| МОП-транзистор | N-КАНАЛ | 500В В(БР)ДСС | 2,75 А I(D) | ТО-205АФ
ТРАНЗИСТОР | МОП-транзистор | N-КАНАЛ | 350В В(БР)ДСС | 5,5 А I(D) | ТО-220АБ
ТРАНЗИСТОР | МОП-транзистор | N-КАНАЛ | 400В В(БР)ДСС | 4,5 А I(D) | ТО-220АБ
ТРАНЗИСТОР | МОП-транзистор | N-КАНАЛ | 500В В(БР)ДСС | 7,7 А I(D) | ТО-247
ТРАНЗИСТОР | МОП-транзистор | N-КАНАЛ | 400В В(БР)ДСС | 8,7 А I(D) | ТО-247АС
ТРАНЗИСТОР | МОП-транзистор | N-КАНАЛ | 350В В(БР)ДСС | 10А I(D) | ТО-204АА
ТРАНЗИСТОР | МОП-транзистор | N-КАНАЛ | 400В В(БР)ДСС | 3,3 А I(D) | ТО-220АБ
ТРАНЗИСТОР | МОП-транзистор | N-КАНАЛ | 350В В(БР)ДСС | 5,5 А I(D) | ТО-204АА
ТРАНЗИСТОР | МОП-транзистор | N-КАНАЛ | 400В В(БР)ДСС | 4,5 А I(D) | ТО-204АА
ТРАНЗИСТОР | МОП-транзистор | N-КАНАЛ | 450В В(БР)ДСС | 4,5 А I(D) | ТО-204АА
ТРАНЗИСТОР | МОП-транзистор | N-КАНАЛ | 600В В(БР)ДСС | 6,8 А I(D) | TO-247 晶体管| МОП-транзистор | N沟道| 600V的五(巴西)直| 6. 8AI(四)|47
ТРАНЗИСТОР | МОП-транзистор | N-КАНАЛ | 600В В(БР)ДСС | 5,4 А I(D) | TO-204AA 晶体管| МОП-транзистор | N沟道| 600V的五(巴西)直| 5.4AI(四)|04AA
ТРАНЗИСТОР | МОП-транзистор | N-КАНАЛ | 500В В(БР)ДСС | 4А I(D) | TO-220AB 晶体管| МОП-транзистор | N沟道| 500V五(巴西)直| 4A条(丁)| TO — 220AB现有
ТРАНЗИСТОР | МОП-транзистор | N-КАНАЛ | 450В В(БР)ДСС | 2,25 А I(D) | ТО-205АФ 晶体管| МОП-транзистор | N沟道| 450V五(巴西)直| 2.25AI(四)|05AF
ТРАНЗИСТОР | МОП-транзистор | N-КАНАЛ | 400В В(БР)ДСС | 1,35 А I(D) | ТО-205АФ 晶体管| МОП-транзистор | N沟道| 400V五(巴西)直| 1.35AI(四)|05AF
ТРАНЗИСТОР | МОП-транзистор | N-КАНАЛ | 450В В(БР)ДСС | 4А I(D) | ТО-204АА
International Rectifier, Corp.
Intersil, Corp.
Infineon Technologies AG
Fairchild Semiconductor, Corp.
 
 Связанное ключевое слово из системы полнотекстового поиска
KT817 тип файла:pdf Автобус КТ817 КТ817 техпаспорт КТ817 СеПИК Понижающий преобразователь КТ817
КТ817 режим KT817 для продажи KT817 преццо баумер КТ817 нпн KT817 Прибор
 

KT817_2007431.

PDF Загрузить техническое описание — IC-ON-LINE
 Номер связанной детали
ЧАСТЬ Описание Производитель
2SB798 2SB798-T2 2SB798-T1 2SB794L 2SB798DK-AZ 2SB 1000 мА, 25 В, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР MINIMOLD PACKAGE-3
ТРАНЗИСТОР | БДТ | ПНП | 60В В(BR)Генеральный директор | 1,5 А I(С) | TO-126
PNP КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР POWER MINI MOLD
Кремниевый транзистор
Усовершенствованная пленка IRC
NEC[NEC]
2SA20881 2SB11321 2SB11841 2SB1198K1 2SB12601 2SB1 Транзистор средней мощности (?60В, ?0,5А)
Транзистор средней мощности (?32В, ?1А)
Силовой транзистор (?60В, ?3А)
Низкочастотный транзистор (-80В, -0,5А)
Силовой транзистор ( ?80В, ?1А)
Низкий VCE(sat) Транзистор (?20В, ?3А)
Мощный транзистор (?20В, ?2А)
Усилитель общего назначения (?30В, ?1А)
Усилитель низкой частоты
Транзистор средней мощности (-60 В, -0,5 А)
РОМ[Ром]
BFP620E7764 RF-Bipolar — NPN кремниевый германиевый RF транзистор, высокочастотный малошумящий RF транзистор в корпусе SOT343
C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Инфинеон Текнолоджиз АГ
КТЦ1027 КТЦ1027О КТЦ1027-15 ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN
Транзистор общего назначения
800 мА, 120 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-92
KEC (Korea Electronics)
Korea Electronics (KEC)
ФН1А4З ФН1А4З-Л ФН1А4З-Т2Б ФН1А4ЗМ69 100 мА, 50 В, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР MINIMOLD, SC-59, 3 PIN
СРЕДНЯЯ СКОРОСТЬ КОММУТИРУЮЩИЙ РЕЗИСТОР ВСТРОЕННЫЙ ТИП PNP ТРАНЗИСТОР MINI MOLD
Составной транзистор
Honeywell International, Inc.
НЭК
HCPL-655X HCPL-257K HCPL-5500 HCPL-5501 HCPL-550K 5962-8767904FC · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-8767906KYC · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-8767902PA · Герметичная оптопара с транзисторным выходом леры для аналоговых и цифровых приложений
5962 -8767906KPC · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-8767905KUA · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-8767905KEA · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-8767905KTA · Герметично закрытые оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений Uplers для аналоговых и цифровых приложений
5962 -8767901TA · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-8767901EA · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-8767902YC · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-8767902YA · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-9085401HXA · Герметичные оптопары с транзисторным выходом ответвители для аналоговых и цифровых приложений
5962 -9085401HPC · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-9085401KPA · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-9085401KYA · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-9085401KYC · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-9085401KXA · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений ответвители для аналоговых и цифровых приложений
5962 -9085401KPC · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-8767901UA · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-9085401HPA · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
4N55/883B · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
HCPL-550K-300 · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений с
HCPL-550K-100 · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
HCPL-553K-100 · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
HCPL-257K-300 · Герметично герметично запечатанные, транзисторные выходные оптокуплееры для аналоговых и цифровых применений
HCPL-257K-100 · Герметично герметично, транзисторные выходные оптокуплаз Цифровые приложения
5962-9085401HYA · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-8767908KFC · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-8767901UC · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-8767905KEC · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-8767905KUC · Герметичная оптопара с транзисторным выходом леры для аналоговых и цифровых приложений
5962 -8767907K2A · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-8767902XA · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
Agilent (Hewlett-Packard)
HP [Agilent (Hewlett-Packard)]
Agilent (Hewlett-Packard.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *