Транзистор кт819г. Транзистор КТ819Г: Характеристики, применение и особенности мощного биполярного NPN-транзистора — Производство и поставка электростанций, Бензиновые и дизельные генераторы от 1 до 100 кВт. Мини ТЭЦ на базе двигателя Стирлинга.

Каковы основные параметры транзистора КТ819Г. Где применяется этот мощный биполярный NPN-транзистор. Какие особенности конструкции и эксплуатации важно учитывать при работе с КТ819Г. В чем преимущества использования КТ819Г в электронных схемах.

Содержание

Общая характеристика транзистора КТ819Г

Транзистор КТ819Г представляет собой мощный биполярный NPN-транзистор, разработанный для применения в различных электронных устройствах. Этот транзистор обладает рядом важных характеристик, делающих его востребованным в радиоэлектронной аппаратуре:

Структура: кремниевый эпитаксиально-планарный
Тип: NPN
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 100 В
Максимальный ток коллектора: 10 А
Максимальная рассеиваемая мощность: 60 Вт
Граничная частота усиления: 3 МГц
Корпус: пластмассовый КТ-28 (аналог TO-220)

Эти параметры позволяют использовать КТ819Г в мощных усилителях, импульсных источниках питания, преобразователях напряжения и других устройствах, требующих работы с большими токами и напряжениями.

Области применения транзистора КТ819Г

Благодаря своим характеристикам, транзистор КТ819Г находит широкое применение в различных областях электроники:

Усилители низкой частоты
Ключевые схемы
Линейные схемы
Импульсные источники питания
Преобразователи напряжения
Регуляторы напряжения и тока
Драйверы электродвигателей

Транзистор КТ819Г особенно эффективен в устройствах, где требуется коммутация больших токов или работа с высокими напряжениями. Его способность выдерживать значительные нагрузки делает его идеальным выбором для промышленной электроники и силовой автоматики.

Электрические параметры КТ819Г

Рассмотрим подробнее ключевые электрические параметры транзистора КТ819Г:

Обратный ток коллектора (Iкбо): не более 1 мА при Uкб = 40 В
Статический коэффициент передачи тока (h21э): не менее 12 при Uкб = 5 В, Iэ = 5 А
Граничное напряжение (Uкэо гр): 80 В при Iэ = 0,3 А, tи = 270-330 мкс
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Uкэ нас): не более 2 В при Iк = 5 А, Iб = 0,5 А

Эти параметры обеспечивают эффективную работу транзистора в различных режимах, позволяя разработчикам создавать надежные и производительные электронные устройства.

Особенности конструкции и монтажа КТ819Г

Транзистор КТ819Г выпускается в пластмассовом корпусе КТ-28, который аналогичен широко распространенному корпусу TO-220. Это обеспечивает удобство монтажа и хорошие теплоотводящие свойства. При работе с КТ819Г следует учитывать несколько важных моментов:

Масса транзистора не превышает 2,5 г
Назначение выводов: 1 — эмиттер, 2 — коллектор, 3 — база
Пайку выводов рекомендуется производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса
Допускается однократный изгиб выводов на расстоянии не менее 2,5 мм от корпуса под углом 90°
Радиус изгиба выводов должен быть не менее 0,8 мм
Изгиб выводов в плоскости их расположения не допускается

Соблюдение этих правил монтажа позволит избежать повреждения транзистора и обеспечит его надежную работу в составе электронного устройства.

Тепловой режим и охлаждение КТ819Г

Учитывая высокую мощность рассеивания транзистора КТ819Г, особое внимание следует уделить его тепловому режиму:

Максимальная температура перехода: 124,85°С
Диапазон рабочих температур: от -45°С до +100°С
Максимальная рассеиваемая мощность при температуре корпуса 25°С: 60 Вт
Рассеиваемая мощность без теплоотвода: 1,5 Вт

Для эффективного отвода тепла рекомендуется использовать дополнительный теплоотвод. При повышении температуры корпуса выше 25°С максимальная рассеиваемая мощность снижается линейно на 0,015 Вт на каждый градус повышения температуры.

Сравнение КТ819Г с другими транзисторами серии КТ819

Транзистор КТ819Г является частью серии КТ819, которая включает в себя несколько модификаций. Рассмотрим основные отличия КТ819Г от других транзисторов этой серии:

Параметр	КТ819А	КТ819Б	КТ819В	КТ819Г
Макс. напряжение коллектор-эмиттер	40 В	50 В	70 В	100 В
Мин. статический коэффициент передачи тока	15	20	15	12

Как видно из таблицы, КТ819Г обладает наибольшим максимальным напряжением коллектор-эмиттер, что делает его оптимальным выбором для высоковольтных применений.

Преимущества использования КТ819Г в электронных схемах

Транзистор КТ819Г обладает рядом преимуществ, которые делают его привлекательным выбором для разработчиков электронных устройств:

Высокая надежность благодаря использованию кремниевой эпитаксиально-планарной технологии

Способность работать с большими токами и напряжениями
Хорошая теплоотдача благодаря корпусу КТ-28
Широкий диапазон рабочих температур
Доступность и распространенность на рынке электронных компонентов

Эти преимущества позволяют создавать на основе КТ819Г эффективные и надежные электронные устройства различного назначения.

Особенности применения КТ819Г в усилителях низкой частоты

Транзистор КТ819Г часто используется в выходных каскадах усилителей низкой частоты. При этом важно учитывать следующие аспекты:

Необходимость обеспечения эффективного теплоотвода
Выбор оптимального режима работы для минимизации искажений
Использование схем защиты от перегрузки и короткого замыкания
Правильный выбор сопутствующих компонентов для обеспечения стабильности работы

Грамотное применение КТ819Г позволяет создавать мощные и качественные усилители звука с высокими техническими характеристиками.

Применение КТ819Г в импульсных источниках питания

В импульсных источниках питания транзистор КТ819Г может выполнять роль ключевого элемента. При этом следует обратить внимание на следующие моменты:

Выбор оптимальной частоты коммутации с учетом характеристик транзистора
Обеспечение быстрого переключения для минимизации потерь
Использование снабберных цепей для защиты от перенапряжений
Оптимизация топологии печатной платы для минимизации паразитных индуктивностей

Правильное применение КТ819Г в импульсных источниках питания позволяет создавать эффективные и компактные устройства с высоким КПД.

Альтернативы и аналоги транзистора КТ819Г

При разработке электронных устройств иногда возникает необходимость в поиске альтернатив или аналогов КТ819Г. Рассмотрим некоторые транзисторы, которые могут быть использованы в качестве замены:

TIP41C — NPN транзистор с похожими характеристиками
2N3055 — классический мощный NPN транзистор
BU508A — высоковольтный NPN транзистор для ТВ и мониторов
MJE13009 — высоковольтный NPN транзистор для импульсных источников питания

При выборе альтернативы важно тщательно сравнивать все ключевые параметры и убедиться, что замена не повлияет на работоспособность устройства.

Транзистор КТ819Г

Срок доставки:

5 — 15 дней

Цена:

По запросу

Транзистор КТ819Г n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в ключевых и линейных схемах; другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.

Номер технических условий

аАО.336.189 ТУ / 02

Особенности

Диапазон рабочих температур: — 45 до + 100 С

Корпусное исполнение

пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)

Назначение выводов
Вывод	Назначение
№1	Эмиттер
№2	Коллектор
№3	База

Основные электрические параметры КТ819 при Токр. среды = + 25 С
Параметры	Обозначение	Ед.изм.	Режимы измерения	Min	Max
Обратный ток коллектора	Iкбо	мА	Uкб=40B		1
Статический коэффициент передачи тока КТ819А, В КТ819Б КТ819Г	h31э	—	Uкб = 5 B, Iэ =5 A	15 20 12	—
Граничное напряжение	Uкэо гр	В	Iэ =0,3 A, tи= 270 330 мкс	25	—
КТ819А				25
КТ819Б				40
КТ819В				60
КТ819Г				80
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	Uкэ нас	В	Iк=5A, Iб=0,5A	—	2

Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ819
Параметры	Обознач.	Ед. изм.	Значение
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rэб	Uкэ max	В	40
КТ819А			40
КТ819Б			50
КТ819В			70
КТ819Г			100
Напряжение эмиттер-база	Uэб max	В	5
Постоянный ток коллектора	Iк max	А	10
Импульсный ток коллектора tи 100	Iки max	А	15
Максимально допустимый постоянный ток базы	Iб max	А	3
Импульсный ток базы tи 100	Iби max	А	5
Рассеиваемая мощность при Ткорп.	Рк мах	Вт	60

КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В

Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.

Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах. Транзисторы КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами, транзисторы 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В — в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами.

Масса транзисторов КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г не более 2,5 гр., транзисторов 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В не более 20 гр.

Чертёж транзистора КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В

Электрические параметры.

Граничное напряжение при I_К=0,1 А, τ_и≤300 мкс, Q≥100
КТ819А, не более	25 В
КТ819Б, 2Т819В	40-60-80 В
КТ819В, 2Т819Б	60-80-100 В
КТ819Г, 2Т819А	80-100-110 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер не более при I_К=5 А, I_Б=0,5 А
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В	1 В
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г	2 В
при I_К=20 А, I_Б=4 А 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В	5 В
при I_К=15 А, I_Б=3 А КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г	4 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при I_К=5 А, I_Б=0,5 А, не более
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В	1,5 В
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г	3 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при U_КБ=5 В, I_К=5 А, не менее
при Т=24,85°С и Т=Т_{К макс}
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В	20
КТ819А, КТ819В	15
КТ819Б	20
КТ819Г	12
при Т=-60,15°С 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В	9
при Т=-40,15°С
КТ819А, КТ819В	10
КТ819Б	15
КТ819Г	7
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при U_КБ=5 В, I_Э=0,5 А	3-5-12 МГц
Время выключения при I_К=5 А, I_Б=0,5 А, не более	2,5 мкс
Ёмкость коллекторного перехода при U_КБ=5 В	360-600-1000 пФ
Пробивное напряжение коллектор-база при Т=213-298 К, I_К=1 мА и при Т=124,85°С, I_К=5 мА, не менее
2Т819А	100 В
2Т819Б	80 В
2Т819В	60 В
Обратный ток коллектора при U_КБ=40 В, не более КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г
при Т=233-298 К	1 мА
при Т=99,85°С	10 мА
Пробивное напряжение эмиттер-база при I_Э=5 мА, не менее	5 В

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-база
2Т819А	25 В
2Т819Б	40 В
2Т819В	60 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при R_БЭ≤100 Ом, Т=Т_{мин-323 К}
КТ819А	40 В
КТ819Б	50 В
КТ819В	70 В
КТ819Г, 2Т819А	100 В
2Т819Б	80 В
2Т819В	60 В
Постоянное напряжение база-эмиттер	5 В
Постоянный ток коллектора
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г	10 А
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В	15 А
Импульсный ток коллектора при τ_и≤10 мс, Q≥100
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г	15 А
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В	20 А
Постоянный ток базы	3 А
Импульсный ток базы при τ_и≤10 мс, Q≥100	5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом при Т_к≤24,85°С
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г	60 Вт
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В	100 Вт
без теплоотвода при Т_к≤24,85°С
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г	1,5 Вт
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В	3 Вт
Температура перехода
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г	124,85°С
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В	149,85°С
Температура окружающей среды
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г	От -40,15 до Т_к=99,85°С
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В	От -60,15 до Т_к=124,85°С

Примечания: 1. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода при Т_к=298÷373 К снижается линейно на 0,015 Вт через 1 К КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г.

2. Пайку выводов разрешается производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса. При монтаже в схему транзисторов КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г допускается одноразовый изгиб выводов на расстоянии не менее 2,5 мм от корпуса под углом 90°, радиусом не менее 0,8 мм. При этом должны приниматься меры, исключающие возможность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается.

1-2. Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 3. Входная характеристика. 4. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера.