Транзистор кт837 технические характеристики. Транзистор КТ837: характеристики, применение и особенности использования

Какие основные характеристики имеет транзистор КТ837. Для каких целей он применяется. Какие существуют разновидности КТ837. На что обратить внимание при выборе и использовании этого транзистора.

Общие сведения о транзисторе КТ837

Транзистор КТ837 представляет собой биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор. Он относится к семейству мощных низкочастотных транзисторов и широко применяется в различных электронных устройствах.

Основные особенности КТ837:

  • Тип проводимости: p-n-p
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: от 30 до 80 В (зависит от модификации)
  • Максимальный ток коллектора: 7,5 А
  • Рассеиваемая мощность: 30 Вт
  • Коэффициент усиления по току: от 10 до 150 (зависит от модификации)
  • Корпус: TO-220 (KT-28)

Области применения транзистора КТ837

Благодаря своим характеристикам, транзистор КТ837 находит применение в следующих областях:

  • Схемы переключения
  • Выходные каскады низкочастотных усилителей
  • Преобразователи напряжения
  • Стабилизаторы постоянного напряжения
  • Импульсные источники питания
  • Драйверы электродвигателей

Широкий спектр применения обусловлен сочетанием высокой мощности и хороших частотных характеристик транзистора.


Разновидности транзистора КТ837

Транзистор КТ837 выпускается в нескольких модификациях, различающихся по электрическим параметрам:

  • КТ837А, КТ837Б, КТ837В — максимальное напряжение коллектор-эмиттер 80 В
  • КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е — максимальное напряжение коллектор-эмиттер 60 В
  • КТ837Ж, КТ837И, КТ837К — максимальное напряжение коллектор-эмиттер 45 В

Модификации также отличаются коэффициентом усиления по току. Например, для КТ837А он составляет 10-40, а для КТ837В — 50-150.

Основные электрические параметры КТ837

Рассмотрим ключевые характеристики транзистора КТ837 на примере модификации КТ837А:

  • Максимальное напряжение коллектор-база: 80 В
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 60 В
  • Максимальное напряжение эмиттер-база: 5 В
  • Максимальный постоянный ток коллектора: 7,5 А
  • Максимальный импульсный ток коллектора: 15 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора: 30 Вт
  • Коэффициент усиления по току: 10-40
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц

Особенности использования транзистора КТ837

При работе с транзистором КТ837 следует учитывать несколько важных моментов:


  1. Необходимость теплоотвода. При работе на максимальной мощности транзистор нуждается в эффективном теплоотводе.
  2. Чувствительность к статическому электричеству. Рекомендуется соблюдать меры защиты от статического электричества при монтаже.
  3. Зависимость параметров от температуры. Характеристики транзистора могут изменяться при нагреве, что следует учитывать при проектировании.
  4. Разброс параметров. Реальные параметры конкретного экземпляра могут отличаться от типовых значений в пределах допуска.

Сравнение КТ837 с аналогами

Транзистор КТ837 имеет ряд отечественных и зарубежных аналогов. Рассмотрим некоторые из них:

  • 2Т837 — полный отечественный аналог КТ837
  • КТ817 — схожий по параметрам, но меньшей мощности (10 Вт)
  • TIP32 — зарубежный аналог с близкими характеристиками
  • BD242 — еще один зарубежный аналог схожего класса

При выборе между КТ837 и аналогами следует учитывать конкретные требования схемы и доступность компонентов.

Рекомендации по выбору транзистора КТ837

При выборе конкретной модификации КТ837 для своего проекта обратите внимание на следующие параметры:


  1. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер. Выбирайте транзистор с запасом по напряжению относительно расчетного значения в схеме.
  2. Коэффициент усиления по току. Учитывайте требуемый коэффициент усиления для вашей схемы.
  3. Максимальный ток коллектора. Убедитесь, что он соответствует расчетному значению с необходимым запасом.
  4. Рассеиваемая мощность. Проверьте, достаточна ли она для вашего применения.
  5. Частотные характеристики. Убедитесь, что они соответствуют требованиям вашей схемы.

Практические аспекты применения КТ837

При использовании транзистора КТ837 в реальных схемах важно учитывать следующие аспекты:

  • Монтаж. Транзистор КТ837 имеет корпус TO-220, что обеспечивает удобство монтажа и хороший теплоотвод.
  • Охлаждение. При работе на больших токах необходимо обеспечить эффективный теплоотвод, используя радиатор соответствующей площади.
  • Защита. Рекомендуется применять схемы защиты от перегрузки по току и напряжению.
  • Режим работы. Учитывайте, что параметры транзистора могут изменяться в зависимости от режима работы (активный, ключевой).

Замена и взаимозаменяемость КТ837

В случае необходимости замены КТ837 другим транзистором, следует обратить внимание на следующие моменты:


  • Тип проводимости (p-n-p)
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер
  • Максимальный ток коллектора
  • Рассеиваемую мощность
  • Коэффициент усиления по току
  • Корпус и расположение выводов

Прямая замена возможна на транзистор 2Т837. В остальных случаях может потребоваться корректировка схемы или параметров режима работы.


Транзистор КТ837А

Биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор КТ837А предназначен для применения в схемах переключения, выходных каскадах низкочастотных усилителей, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения и другой аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.

Номер технических условий

  • аАО.336.403 ТУ / 03

Особенности

  • Диапазон рабочих температур:  — 60 до + 100 С

Корпусное исполнение

  • пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)
Назначение выводов
Вывод Назначение
№1 Эмиттер
№2 Коллектор
№3 База

Uкэ нас

Основные электрические параметры КТ837 при Токр. среды = + 25 С
Параметры Обозн. Ед. изм. Режимы измерения Min Max
Обратный ток коллектор-эмиттер Iкэr мА Uкэ = Uкэ max

при Rэб =

10
Обратный ток коллектор-эмиттер Iкэr мА Uкэ = Uкэ max

при Rэб= 100 Ом

10
Обратный ток коллектор-база Iкбо мА Uкб = Uкб max 0,15
Обратный ток эмиттера

КТ837А — К

КТ837 Л — Ф

Iэбо мА Uэб =15 В

Uэб =5 В

0,3

0,3

Стат. коэффициент передачи тока h31э Uкэ =5 B, Iк =2A 10  

40

КТ837А, Л, Г, П, Ж, Т
КТ837Б, М, Д, Р, И, У 20 80
КТ837В, Н, Е, С, К, Ф 50 150
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер  

В

Iк= 3 A, Iб= 0,37 A2,5
КТ837А — В, Л — Н
КТ837Г — Е, П — С Iк= 3 A, Iб= 0,37 A0,9
КТ837Ж — К, Т — Ф Iк= 2 А, Iб= 0,3 A0,5
Напряжение насыщения база-эмиттер Uбэ нас В Iк= 2 A, Iб=0,5 A 1,5
Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ837
Параметры Обознач. Ед. измер. Знач.
Постоянное напряжение коллектор-база Uкб max В 80
КТ837А, Б, В, Л, М, Н
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С 60
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф 45
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб= Ом Uкэ max В 60
КТ837А, Б, В, Л, М, Н
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С 45
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф 30
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб=100 Ом Uкэ max В 70
КТ837А, Б, В, Л, М, Н
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С 55
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф 40
Постоянное напряжение эмиттер-база

КТ837А — К

КТ837Л — ф

Uэб max В 15

5

Постоянный ток коллектора Iк max А 7. 5
Максимально допустимый постоянный ток базы Iб max А 1
Пост. рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода Pк max Вт 30
Пост. рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом Pк max Pк max 1

Транзисторы кт837 в категории «Электрооборудование»

Транзистор КТ837 Т

На складе в г. Чернигов

Доставка по Украине

Купить

Интернет-магазин «Stereopulse»

Транзистор биполярный КТ837Б

На складе

Доставка по Украине

20 грн

Купить

RadioElektro

КТ837В транзистор PNP (7,5А 80В) (h31э 50-150) 30W (ТО220)

Доставка из г. Киев

23.10 грн

Купить

CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.

КТ837Е транзистор PNP (7,5А 60В) (h31э 50-150) 30W (ТО220)

Доставка из г. Киев

20.58 грн

Купить

CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.

КТ837С транзистор PNP (7,5А 60В) (h31э 50-150) 30W (ТО220)

Доставка из г. Киев

18.90 грн

Купить

CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.

КТ837У транзистор PNP (7,5А 45В) (h31э 50-150) 30W (ТО220)

Доставка по Украине

19.74 грн

Купить

CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.

КТ837Ф транзистор PNP (7,5А 45В) (h31э 50-150) 30W (ТО220)

Доставка из г. Киев

21 грн

Купить

CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.

Транзистор кт837м

Доставка по Украине

12 грн

Купить

Радио-ок

Транзистор кт837н

Доставка по Украине

15 грн

Купить

Радио-ок

Транзистор кт837б

Доставка по Украине

15 грн

Купить

Радио-ок

Транзистор кт837в

Доставка по Украине

15 грн

Купить

Радио-ок

Транзистор кт837е

Доставка по Украине

15 грн

Купить

Радио-ок

КТ837Н транзистор PNP (7,5А 80В) (h31э 50-150) 30W (ТО220)

Под заказ

Доставка по Украине

20. 16 грн

Купить

CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.

КТ837М транзистор PNP (7,5А 80В) (h31э 20-80) 30W (ТО220)

Доставка из г. Киев

20.16 грн

Купить

CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.

КТ837К транзистор PNP (7,5А 80В) (h31э 20-80) 30W (ТО220)

Доставка из г. Киев

20.16 грн

Купить

CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.

Смотрите также

КТ837А транзистор PNP (7,5А 80В) (h31э 10-40) 30W (ТО220)

Доставка из г. Киев

18.90 грн

Купить

CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.

Транзистор КТ837А. КТ837Д КТ837Л КТ837Ф

Доставка по Украине

от 20 грн

Купить

Radio Sale

Транзистор биполярный КТ837Д

Недоступен

20 грн

Смотреть

RadioElektro

Транзистор биполярный КТ837Е

Недоступен

53 грн

Смотреть

RadioElektro

Транзистор КТ819В КТ819Г КТ829А КТ837Г КТ837К КТ837С КТ850А КТ851А КТ973Б

Недоступен

Цену уточняйте

Смотреть

ТОВ «СНГ-Комплект»

Транзистор кремниевый КТ837М

Недоступен

Смотреть

«Лісприладсервіс»

Транзисторы КТ-837Е кремниевые эпитаксиально-диффузионные

Недоступен

10 грн

Смотреть

«Лісприладсервіс»

Транзистор КТ837Ж кремниевый

Недоступен

10 грн

Смотреть

«Лісприладсервіс»

Транзистор КТ837Г кремниевый

Недоступен

10 грн

Смотреть

«Лісприладсервіс»

Транзистор кт837д

Недоступен

15 грн

Смотреть

Радио-ок

КТ837Х транзистор PNP (7,5А 180В) (h31Э >15) 30W (ТО220)

Недоступен

29. 40 грн

Смотреть

CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.

DataSheet PDF Search Site




Новые списки

Номер детали Функция
Производители
ПДФ
2N3866A NPN КРЕМНИЕВЫЙ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ТРАНЗИСТОР
АСИ
2N4427 NPN КРЕМНИЕВЫЙ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ТРАНЗИСТОР
АСИ
2N5109 NPN КРЕМНИЕВЫЙ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ТРАНЗИСТОР
АСИ
74HC541 ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ШИННЫЙ БУФЕР
STMicroelectronics
74HC573A Восьмеричная неинвертирующая прозрачная защелка с 3 состояниями
ПО Полупроводник
АСЕ709 Синхронный повышающий преобразователь постоянного тока в постоянный, 1 А
Технология АСЕ
ACT4060A Монолитный понижающий преобразователь режима переключения
ХУАФУКИНЬ
ACT4060A Понижающий преобразователь с широким входом 2 А
Актив-полуфабрикат
АК5371А 2-канальный аналого-цифровой преобразователь
Асахи Касей Микросистемс
АТ45ДБ642Д 64-мегабитный 2,7 В DataFlash с двойным интерфейсом
Адесто



Лист данных KTA1837 — Описание = Транзистор общего назначения ;; Пакет

Детали, спецификация, цитата по номеру детали: KTA1837
Деталь KTA1837
Категория Дискретные => Транзисторы => Биполярные => Универсальные
Описание Описание = Транзистор общего назначения ;; Пакет = ТО-220ИС
Компания Korea Electronics (KEC)
Спецификация Загрузить KTA1837 Технический паспорт
Цитата

Где купить

 

 

Функции, области применения
ПРИМЕНЕНИЕ УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ. ПРИЛОЖЕНИЯ ДЛЯ УСИЛИТЕЛЯ ДРАЙВЕРА. ХАРАКТЕРИСТИКИ
Высокая частота перехода: fT=70 МГц (тип.) Дополнительная пара с KTC4793.

ХАРАКТЕРИСТИКА Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Коллектор База тока Коллектор тока Рассеиваемая мощность Температура перехода Диапазон температур хранения

ХАРАКТЕРИСТИКА Ток отсечки коллектора Ток отсечки эмиттера Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Усиление постоянного тока Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Частота перехода напряжения база-эмиттер Выходная емкость коллектора

УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЯ IE=0, f=1MHz МИН. -230 100 ТИП. 70 30 МАКС. В МГц пФ ЕДИНИЦА A В

ОДИНОЧНЫЙ НЕПОВТОРЯЮЩИЙСЯ ИМПУЛЬС Tc=25 C КРИВЫЕ ДОЛЖНЫ СНИЖАТЬСЯ ЛИНЕЙНО С ПОВЫШЕНИЕМ ТЕМПЕРАТУРЫ

 

Некоторые номера деталей того же производителя Korea Electronics (KEC)
KTA1862D Описание = Переключающий транзистор ;; Пакет = Дпак
KTA1940 Описание = Транзистор общего назначения ;; Пакет = ТО-3П(Н)
КТА1962
KTA200 Описание = Транзистор общего назначения ;; Пакет = ТО-92
KTA2012E Описание = Транзистор общего назначения ;; Пакет = Эсм
KTA2012V Описание = Транзистор общего назначения ;; Пакет = ВСМ
KTA2014 Описание = Транзистор общего назначения ;; Пакет = Усм
KTA2014E Описание = Транзистор общего назначения ;; Пакет = Эсм
KTA2014V Описание = Транзистор общего назначения ;; Пакет = ВСМ
KTA2015 Описание = Транзистор общего назначения ;; Пакет = Усм
KTA2017 Описание = Малошумящий транзистор ;; Пакет = Усм
KTA2400 Описание = Малошумящий транзистор ;; Пакет = ТО-92
KTA501E Описание = Транзистор общего назначения ;; Пакет = Тесв
KTA501U Описание = Транзистор общего назначения ;; Пакет = УСВ
KTA511T Описание = Транзистор общего назначения ;; Пакет = ТСВ
KTA701E Описание = Транзистор общего назначения ;; Пакет = TES6
KTA701U Описание = Транзистор общего назначения ;; Пакет = US6
KTA702E Описание = Транзистор общего назначения ;; Пакет = TES6
KTA708 Описание = Транзистор общего назначения ;; Пакет = ТО-92
KTA711E Описание = Транзистор общего назначения ;; Пакет = TES6
KTA711T Описание = Транзистор общего назначения ;; Пакет = TS6

B10A90VIC : Описание = диод с барьером Шоттки ;; Пакет = ТО-220ИС

KF474B: Описание = диапазон 400–500 МГц (150 Ом); Пакет = F-11

KHR0515A01 : Описание = Резонатор ;; Пакет = —

KMP47C443M : 4-битные микроконтроллеры

KRA306V : Описание БРТ = Встроенный резистор смещения ;; Пакет = ВСМ

KRX103E : Описание BRT = Встроенный резистор смещения ;; Пакет = Тесв

KTC601U : Описание = Транзистор общего назначения ;; Пакет = УСВ

KTC9016S: Описание = Rf/vhf/uhf транзистор;; Пакет = СОТ-23

KDV251: Кремниевый эпитаксиальный планарный диод с переменной емкостью (vco FOR Cb, c/p PLL)

Та же категория

2N2905 : Маломощные переключающие транзисторы PNP.

2SC5443 : . ЭЛТ-дисплей сверхвысокого разрешения Горизонтальное отклонение выходных данных Применение Высокая скорость (tf=100 нс тип.). Высокое напряжение пробоя (VCBO=1500В). Высокая надежность (принятие процесса HVP). Принятие процесса MBIT. s Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Коллектор тока Коллектор Ток (импульс) Коллектор.

ASI10535 : Кремниевый ВЧ-транзистор NPN. ASI 2304 предназначен для усилителей мощности общего назначения класса C до 3000 МГц. 9,5 дБ мин. / 2300 МГц Герметичный микрополосковый пакет Система металлизации OmnigoldTM .

H7422-40 : Модули ФЭУ.

HER302G : Пассивированное стекло. Пакет = DO-201AD ;; Максимум. Обратное напряжение VRM (В) = 100 ;; Максимум. Авер. Прямо. Ток io (А)= 3 ;; Ifsm (А)= 125,

ЛС3954А-3958 : . НИЗКИЙ ДРЕЙФ НИЗКИЙ УТЕЧКИ НИЗКИЙ ШУМ |VGS1-2 /T|= 5V/C макс. = 20 пА ТИП. en= 10 нВ/Гц ТИП. МОНОЛИТНЫЙ ДВОЙНОЙ N-КАНАЛЬНЫЙ JFET С НИЗКИМ ДРЕЙФОМ И НИЗКИМ ШУМОМ АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРИМЕЧАНИЕ при 25C (если не указано иное) Максимальные температуры Температура хранения Рабочая температура перехода X 32 MILS при 25C ВИД СНИЗУ 5 S2 Максимальное напряжение и ток для каждого транзистора.

MA2Z362MA362 : . Хорошая линейность и большой коэффициент емкости CD Соотношение VR Небольшое последовательное сопротивление rD Корпус типа S-mini, позволяющий уменьшить размеры оборудования и автоматическую вставку через пакет с лентой Параметр Обратное напряжение (DC) Прямой ток (DC) Температура перехода Температура хранения Параметр Обратный ток ( DC) Обратное напряжение (DC) Емкость диода.

PXL-20.115 : Порог процесса реле.

VNQ5050K-E : ЧЕТЫРЕХКАНАЛЬНЫЙ ДРАЙВЕР ДЛЯ АВТОМОБИЛЕЙ. ЧЕТЫРЕХКАНАЛЬНЫЙ ДРАЙВЕР ВЫСОКОГО ПОЛОЖЕНИЯ ДЛЯ АВТОМОБИЛЬНЫХ ПРИЛОЖЕНИЙ ПРЕДВАРИТЕЛЬНЫЕ ДАННЫЕ ОТКЛЮЧЕНИЕ ПРИ ПОНИЖЕННОМ НАПРЯЖЕНИИ ЗАЖИМ ПО ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЮ s ТЕПЛОВОЕ ОТКЛЮЧЕНИЕ s ТОК И МОЩНОСТЬ.

BSX64LEADFREE : 80 В, NPN, Si, МАЛЕНЬКИЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-39. s: Полярность: NPN ; Тип упаковки: ТО-3, ТО-39, ТО-39, 3 PIN.

HSA25330RJ : РЕЗИСТОР, ПРОВОЛОЧНЫЙ, 25 Вт, 5 %, 30 частей на миллион, 330 Ом, КРЕПЛЕНИЕ НА ШАССИ. s: Категория/применение: Общее использование; Технология/конструкция: Wirewound; Монтаж/упаковка: шасси с болтовым креплением, СООТВЕТСТВУЕТ ROHS; Диапазон сопротивления: 330 Ом; Допуск: 5 +/- %; Температурный коэффициент: 30 ±ppm/°C; Номинальная мощность: 25 Вт (0,0335 л.с.); Стандарты и сертификаты:.

SR681K40D : РЕЗИСТОР, ЗАВИСИМЫЙ НАПРЯЖЕНИЕМ, 560 В, 910 Дж, МОНТАЖ НА ШАССИ. s: Категория/применение: Общее использование; Монтаж/упаковка: шасси на болтах; Рабочее напряжение постоянного тока: 560 вольт.

UCD0J101MCL1GS6 : КОНДЕНСАТОР АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 6,3 В, 100 мкФ, МОНТАЖ НА ПОВЕРХНОСТИ. s: Конфигурация/Форм-фактор: Чип-конденсатор; Соответствие RoHS: Да; : поляризованный; Диапазон емкости: 100 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 20 (+/- %); WVDC: 6,3 вольт; Ток утечки: 6,3 мкА; Тип монтажа: технология поверхностного монтажа; Рабочая Температура:.

16ME15SAX : КОНДЕНСАТОР АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 16 В, 15 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНЫМ ОТВЕРСТИЕМ. s: конфигурация/форм-фактор: конденсатор с выводами; Соответствие RoHS: Да; : поляризованный; Диапазон емкости: 15 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 20 (+/- %); WVDC: 16 вольт; Ток утечки: 2,4 мкА; Способ крепления: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -55 до 105 C (-67.

200MXC1000M25X30 : КОНДЕНСАТОР АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 200 В, 1000 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ В СКВОЗНОЕ ОТВЕРСТИЕ. s: конфигурация/форм-фактор: конденсатор с выводами; : поляризованный; Диапазон емкости: 1000 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 20 (+/- %); WVDC: 200 вольт; Ток утечки: 1342 мкА; Способ крепления: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -25 до 105 C (от -13 до 221 F).

2SK882TE85L : ДИАПАЗОН УКВ, Si, N-КАНАЛЬНЫЙ, РЧ МАЛЫЙ СИГНАЛ, МОП-транзистор. s: Полярность: N-канальный ; Режим работы MOSFET: Истощение; V(BR)DSS: 20 вольт; PD: 100 мВт; Количество единиц в ИС: 1.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *