Транзистор кт837в характеристики. КТ837В: Мощный биполярный PNP-транзистор с высоким коэффициентом усиления

Каковы основные характеристики транзистора КТ837В. Какие преимущества дает высокий коэффициент усиления тока. Где применяется данный транзистор. Как правильно выбрать и использовать КТ837В в электронных схемах.

Ключевые характеристики и особенности транзистора КТ837В

КТ837В представляет собой мощный биполярный PNP-транзистор эпитаксиально-планарного типа. Рассмотрим его основные параметры:

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 60 В
  • Максимальный ток коллектора: 7,5 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 30 Вт
  • Статический коэффициент усиления по току (h21э): 50-150
  • Максимальная рабочая частота: 1 МГц
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: < 2,5 В

Каковы преимущества высокого коэффициента усиления? Это позволяет получить большое усиление сигнала при меньшем токе базы, что повышает эффективность и снижает энергопотребление схемы.

Области применения транзистора КТ837В

Благодаря своим характеристикам, КТ837В находит широкое применение в различных электронных устройствах:


  • Выходные каскады низкочастотных усилителей мощности
  • Импульсные источники питания
  • Преобразователи напряжения
  • Стабилизаторы напряжения
  • Схемы управления электродвигателями
  • Коммутационные схемы

Почему КТ837В подходит для этих применений? Высокий ток коллектора позволяет работать с большими нагрузками, а значительная рассеиваемая мощность обеспечивает надежность при высоких нагрузках.

Конструктивные особенности и корпусное исполнение

КТ837В выпускается в пластиковом корпусе TO-220 (КТ-28). Какие преимущества дает такой корпус?

  • Хороший теплоотвод благодаря металлической подложке
  • Удобство монтажа на печатную плату или радиатор
  • Компактные размеры
  • Стандартизированное расположение выводов

Как правильно определить выводы транзистора? Слева направо при взгляде на лицевую сторону корпуса: эмиттер (1), коллектор (2), база (3).

Сравнение КТ837В с другими транзисторами серии КТ837

В чем отличия КТ837В от других модификаций серии КТ837? Рассмотрим основные различия:

ПараметрКТ837АКТ837БКТ837В
Коэффициент усиления (h21э)10-4020-8050-150
Напряжение коллектор-эмиттер60 В60 В60 В
Напряжение насыщения< 2,5 В< 2,5 В< 2,5 В

Какие выводы можно сделать из этого сравнения? КТ837В обладает наибольшим коэффициентом усиления, что делает его оптимальным выбором для схем, требующих высокого усиления при меньшем токе базы.


Особенности применения КТ837В в электронных схемах

При использовании КТ837В в электронных устройствах следует учитывать ряд факторов:

  • Теплоотвод: При работе на больших токах необходимо обеспечить эффективный отвод тепла. Как это сделать? Используйте радиатор достаточной площади, применяйте теплопроводящую пасту.
  • Защита от перегрузок: Рекомендуется использовать схемы защиты от короткого замыкания и перегрева. Какие методы защиты эффективны? Токоограничивающие резисторы, термисторы, схемы отключения при перегреве.
  • Выбор рабочей точки: Для оптимальной работы важно правильно выбрать ток базы и напряжение коллектор-эмиттер. Как это сделать? Используйте справочные данные и расчетные формулы для определения оптимальных параметров.

Какие меры предосторожности нужно соблюдать при работе с КТ837В? Не превышайте максимально допустимые значения напряжений и токов, указанные в документации.

Выбор аналогов и замена КТ837В

В случае отсутствия КТ837В можно использовать аналоги с похожими характеристиками. Какие транзисторы могут служить заменой?


  • 2N6491: Близкий по параметрам PNP-транзистор
  • TIP42: Подходит для многих применений, но имеет меньший максимальный ток
  • BD244: Хорошая альтернатива для низкочастотных применений

На что обратить внимание при выборе аналога? Сравните ключевые параметры: максимальное напряжение, ток коллектора, коэффициент усиления, максимальную рассеиваемую мощность.

Особенности тестирования и проверки КТ837В

Для обеспечения надежной работы устройства важно правильно протестировать транзистор перед установкой. Какие методы проверки можно использовать?

  • Измерение коэффициента усиления: Используйте специализированный тестер транзисторов или соберите простую измерительную схему.
  • Проверка утечек: Измерьте обратные токи переходов с помощью мультиметра.
  • Тест на пробой: Проверьте напряжение пробоя коллектор-эмиттер, постепенно увеличивая напряжение при малом токе базы.

Как интерпретировать результаты тестов? Сравните полученные значения с данными из технической документации. Значительные отклонения могут свидетельствовать о неисправности транзистора.


Измерение коэффициента усиления КТ837В

Для точного определения коэффициента усиления КТ837В можно использовать следующую методику:

  1. Подключите коллектор через резистор 100 Ом к источнику питания 5В.
  2. Подайте на базу ток 10 мА через резистор.
  3. Измерьте ток коллектора.
  4. Рассчитайте коэффициент усиления по формуле h21э = Iк / Iб.

Какое значение коэффициента усиления считается нормальным для КТ837В? Полученное значение должно находиться в диапазоне 50-150.

Проверка температурной стабильности

Для оценки температурной стабильности КТ837В можно провести следующий тест:

  1. Измерьте коэффициент усиления при комнатной температуре.
  2. Нагрейте транзистор до 70-80°C (например, с помощью фена).
  3. Повторно измерьте коэффициент усиления.

Как интерпретировать результаты? Изменение коэффициента усиления не должно превышать 20-30% от начального значения. Большее изменение может свидетельствовать о нестабильности характеристик транзистора.

Рекомендации по монтажу и эксплуатации КТ837В

Для обеспечения надежной и долговременной работы КТ837В следует соблюдать ряд рекомендаций при монтаже и эксплуатации:


  • Пайка: Используйте паяльник мощностью не более 40 Вт. Время пайки не должно превышать 3-5 секунд для каждого вывода.
  • Механическое крепление: При монтаже на радиатор используйте изолирующие прокладки и теплопроводящую пасту.
  • Охлаждение: Обеспечьте достаточную площадь радиатора. Как рассчитать необходимую площадь? Используйте формулу: S = P / (K * ΔT), где P — рассеиваемая мощность, K — коэффициент теплопередачи, ΔT — допустимый перегрев.
  • Защита от помех: В импульсных схемах используйте снабберные цепи для подавления выбросов напряжения.

Какие типичные ошибки при монтаже могут привести к выходу транзистора из строя? Перегрев при пайке, механические напряжения на выводах, недостаточное охлаждение при работе на больших токах.

Расчет цепей смещения для КТ837В

Правильный расчет цепей смещения критически важен для оптимальной работы КТ837В. Рассмотрим пример расчета для типового усилительного каскада:

  1. Выберите рабочую точку: Например, Iк = 1 А, Uкэ = 5 В.
  2. Определите требуемый ток базы: Iб = Iк / h21э (используйте минимальное значение h21э для надежности).
  3. Рассчитайте сопротивление базового делителя с учетом температурной стабилизации.
  4. Выберите эмиттерный резистор для отрицательной обратной связи по току.

Как проверить правильность расчетов? Проведите измерения токов и напряжений в собранной схеме и сравните с расчетными значениями.



Транзистор КТ837В

Биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор КТ837В предназначен для применения в схемах переключения, выходных каскадах низкочастотных усилителей, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения и другой аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.

Номер технических условий

  • аАО.336.403 ТУ / 03

Особенности

  • Диапазон рабочих температур:  — 60 до + 100 С

Корпусное исполнение

  • пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)
Назначение выводов
Вывод Назначение
№1 Эмиттер
№2 Коллектор
№3 База

Uкэ нас

Основные электрические параметры КТ837 при Токр. среды = + 25 С
Параметры Обозн. Ед. изм. Режимы измерения Min Max
Обратный ток коллектор-эмиттер Iкэr мА Uкэ = Uкэ max

при Rэб =

10
Обратный ток коллектор-эмиттер Iкэr мА Uкэ = Uкэ max

при Rэб= 100 Ом

10
Обратный ток коллектор-база Iкбо мА Uкб = Uкб max 0,15
Обратный ток эмиттера

КТ837А — К

КТ837 Л — Ф

Iэбо мА Uэб =15 В

Uэб =5 В

0,3

0,3

Стат. коэффициент передачи тока h31э Uкэ =5 B, Iк =2A 10  

40

КТ837А, Л, Г, П, Ж, Т
КТ837Б, М, Д, Р, И, У 20 80
КТ837В, Н, Е, С, К, Ф 50 150
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер  

В

Iк= 3 A, Iб= 0,37 A2,5
КТ837А — В, Л — Н
КТ837Г — Е, П — С Iк= 3 A, Iб= 0,37 A0,9
КТ837Ж — К, Т — Ф Iк= 2 А, Iб= 0,3 A0,5
Напряжение насыщения база-эмиттер Uбэ нас В Iк= 2 A, Iб=0,5 A 1,5
Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ837
Параметры Обознач. Ед. измер. Знач.
Постоянное напряжение коллектор-база Uкб max В 80
КТ837А, Б, В, Л, М, Н
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С 60
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф 45
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб= Ом Uкэ max В 60
КТ837А, Б, В, Л, М, Н
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С 45
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф 30
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб=100 Ом Uкэ max В 70
КТ837А, Б, В, Л, М, Н
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С 55
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф 40
Постоянное напряжение эмиттер-база

КТ837А — К

КТ837Л — ф

Uэб max В 15

5

Постоянный ток коллектора Iк max А 7. 5
Максимально допустимый постоянный ток базы Iб max А 1
Пост. рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода Pк max Вт 30
Пост. рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом Pк max Pк max 1

КТ837В транзистор PNP (7,5А 80В) (h31э 50-150) 30W (ТО220), цена 23.10 грн — Prom.ua (ID#34866766)

Характеристики и описание

Наимен.типUкбо(и),ВUкэо(и), ВIкmax(и), мАPкmax(т), Втh21эIкбо, мкАfгр., МГцUкэн, В
КТ837А p-n-p80607500(30)10-401501<2. 5
КТ837Б80607500(30)20-801501<2.5
КТ837В80607500(30)50-1501501<2.5
КТ837Г60457500(30)10-401501<0.9
КТ837Д60457500(30)20-801501<0. 9
КТ837Е60457500(30)50-1501501<0.9
КТ837Ж45307500(30)10-401501<0.5
КТ837И45307500(30)20-801501<0.5
КТ837К45307500(30)50-1501501<0. 5
КТ837Л80607500(30)10-401501<2.5
КТ837М80607500(30)20-801501<2.5
КТ837Н80607500(30)50-1501501<2.5
КТ837П60457500(30)10-401501<0. 9
КТ837Р60457500(30)20-801501<0.9
КТ837С60457500(30)50-1501501<0.9
КТ837Т45307500(30)10-401501<0.5
КТ837У45307500(30)20-801501<0. 5
КТ837Ф45307500(30)50-1501501<0.5

 

 

Корпус:

 

Uкбо— Максимально допустимое напряжение коллектор-база
Uкбои— Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
Uкэо— Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои— Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
Iкmax— Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iкmax и— Максимально допустимый импульсный ток коллектора
Pкmax— Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
Pкmax т— Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
h21э— Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Iкбо— Обратный ток коллектора
fгр— граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Uкэн— напряжение насыщения коллектор-эмиттер
 

Был online: Сегодня

Продавец CAR-LED.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *