Транзистор кт973б: КТ973Б, Транзистор Дарлингтона, PNP, 45В, 2А, 1,25Вт, h21е = 750 [КТ-27/TO-126], Интеграл

Содержание

Транзистор КТ973Б —

Драгоценные металлы в транзисторе КТ973Б согласно данных и паспортов-формуляров. Бесплатный онлайн справочник содержания ценных и редкоземельных драгоценных металлов с указанием его веса вида которые используются при производстве электрических радио транзисторов.

Содержание драгоценных металлов в транзисторе КТ973Б.
Золото: 0.003865 грамм.
Серебро: 0 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий:  0 грамм.
Примечание: .

Если у вас есть интересная информация о транзисторе КТ973Б сообщите ее нам мы самостоятельно разместим ее на сайте.

Вопросы справочника по транзисторах которые интересуют наших посетителей: найти аналог транзистора, усилитель на транзисторе, замена транзистора, как проверить транзистор или чем заменить транзистор в схеме, правила включения транзистора,

Также интересны ваши рекомендации по мощным транзисторам, импортным и отечественным комплектующим, как самостоятельно проверить транзистор,

Фото транзистора марки КТ973Б:

Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия «перпендикулярного» току электрического поля, создаваемого напряжением на затворе.

Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).

Схемы включения полевых транзисторов

Так же, как и биполярные транзисторы, полевые транзисторы могут иметь три схемы включения: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором. Схема включения определяется тем, какой из трех электродов транзистора является общим и для входной и выходной цепи. Очевидно, что рассмотренный нами пример (рис. 4.2) является схемой с общим истоком (рис. а).

Схема с общим затвором (рис. ) аналогична схеме с общей базой у биполярных транзисторов. Она не дает усиления по току, а входное сопротивление здесь маленькое, так как входным током является ток стока, вследствие этого данная схема на практике не используется.

Схема с общим стоком (рис в) подобна схеме эмиттерного повторителя на биполярном транзисторе и ее называют истоковым повторителем. Для данной схемы коэффициент усиления по напряжению близок к единице. Выходное напряжение по величине и фазе повторяет входное. В этой схеме очень высокое входное сопротивление и малое выходное.

Справочные данные на транзисторы (DataSheet) КТ973Б включая его характеристики:

Актуальные Даташиты (datasheets) транзисторов — Схемы радиоаппаратуры:

Транзистор доступное описание принципа работы.

Жуткая вещь, в детстве все не мог понять как он работает, а оказалось все просто.
В общем, транзистор можно сравнить с управляемым вентилем, где крохотным усилием мы управляем мощнейшим потоком. Чуть повернул рукоятку и тонны дерьма умчались по трубам, открыл посильней и вот уже все вокруг захлебнулось в нечистотах. Т.е. выход пропорционален входу умноженному на какую то величину. Этой величиной является коэффициент усиления.

Делятся эти устройства на полевые и биполярные.
В биполярном транзисторе есть эмиттер, коллектор и база (смотри рисунок условного обозначения). Эмиттер он со стрелочкой, база обозначается как прямая площадка между эмиттером и коллектором. Между эмиттером и коллектором идет большой ток полезной нагрузки, направление тока определяется стрелочкой на эмиттере. А вот между базой и эмиттером идет маленький управляющий ток. Грубо говоря, величина управляющего тока влияет на сопротивление между коллектором и эмиттером. Биполярные транзисторы бывают двух типов: p-n-p и n-p-n принципиальная разница только лишь в направлении тока через них.

Полевой транзистор отличается от биполярного тем
, что в нем сопротивление канала между истоком и стоком определяется уже не током, а напряжением на затворе. Последнее время полевые транзисторы получили громадную популярность (на них построены все микропроцессоры), т.к. токи в них протекают микроскопические, решающую роль играет напряжение, а значит потери и тепловыделение минимальны.
Обозначение транзисторов или камень преткновения всех студентов. Как запомнить тип биполярного транзистора по его условной схеме? Представь что стрелочка это направление твоего движения на машине… Если едем в стенку то дружный вопль «Писец Нам Писец.

В общем, транзистор позволяет тебе слабеньким сигналом, например с ноги микроконтроллера, управлять мощной нагрузкой типа реле, двигателя или лампочки. Если не хватит усиления одного транзистора, то их можно соединять каскадами – один за другим, все мощней и мощней. А порой хватает и одного могучего полевого MOSFET транзистора. Посмотри, например, как в схемах сотовых телефонов управляется виброзвонок. Там выход с процессора идет на затвор силового MOSFET ключа.
Купить транзисторы или продать а также цены на  КТ973Б:

Оставьте отзыв или бесплатное объявление о покупке или продаже транзисторов (полевых транзисторов, биполярных транзисторов, КТ973Б:

Транзистор КТ973 — DataSheet

Перейти к содержимому

Цоколевка транзистора КТ973

 

Параметры транзистора КТ973
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ973А BD876, 2SB1257 *3, BSP61 *3, 2SA1258 *3, 2SA1259 *3
КТ973Б BD466B, BSP60 *3, SDM3203 *3
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ973А 8* Вт
КТ973Б 8*
КТ973В 8*
КТ973Г 8*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h31б, f**h31э, f***max КТ973А ≥200 МГц
КТ973Б ≥200
КТ973В ≥200
КТ973Г ≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб.U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ973А 60* В
КТ973Б 45*
КТ973В 60*
КТ973Г 60*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора U
ЭБО проб., 
КТ973А 5 В
КТ973Б 5
КТ973В 5
КТ973Г 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ973А 4* А
КТ973Б 4*
КТ973В 2
КТ973Г 2
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера I
КБО
, I*КЭR, I**КЭO
КТ973А 60 В ≤1* мА
КТ973Б 45 В ≤1*
КТ973В 60 В ≤1*
КТ973Г 60 В ≤1*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ973А 3 В; 1 А ≥750*
КТ973Б 3 В; 1 А ≥750*
КТ973В 3 В; 1 А 750…5000
КТ973Г 3 В; 1 А 750…5000
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ973А ≤3 пФ
КТ973Б ≤3
КТ973В ≤3
КТ973Г ≤2
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у. р. КТ973А Ом, дБ
КТ973Б
КТ973В
КТ973Г
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ973А Дб, Ом, Вт
КТ973Б
КТ973В
КТ973Г
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ973А ≤200* пс
КТ973Б ≤200*
КТ973В
≤200*
КТ973Г ≤200*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Практикум радиолюбителя: Транзисторы кт972 кт973.Характеристики.Цоколевка.

Транзисторы кт972 кт973.Характеристики.Цоколевка.

Транзисторы КТ972 -n-p-n Кт973-p-n-p.Кремниевые составные транзисторы(Дарлингтона),корпус КТ-27.
Напряжение коллектор-эмиттер:
кт972а,в,г. КТ973а,в,г-60В
кт972б. КТ973б-45В
Напряжение эмиттер-база  5В
Iк ток коллектора-2А  импульс-4А
F гр.-200МГц.
Обратный ток коллектор эмиттер:
 кт972а.в,б.КТ973а,в,б-1мА

кт972г-0.3мА
h31э-750
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
кт972а,б,в. КТ973-1.5В
кт972г-1.7В
Время рассасывания-200нС
Напряжение коллектор-база:
кт972а,в,г. КТ973а,в,г-60В
кт972б. КТ973б-45В
Рассеиваемая мощность коллектора-8Вт
Напряжение насыщения база-эмиттер кт973- 2.

На корпусе треугольник(ки)-КТ972,квадрат(ты)-КТ973.Характеристики КТ973 такие-же что у КТ972,только разные полярности.Выполнены по схеме Дарлингтона,то есть под корпусом два транзистора,применяют в схемах где требуется высокое усиление тока.Их применение:в стабилизаторах,усилителях звуковых частот,токовых ключах.



Главная страница

Подписаться на: Сообщения (Atom)

  • Размножение Ивы черенками.Как просто создать зелен…
  • Плазменная,дуговая,электронная зажигалка своими руками.Схема.
  • Мини плазменная сварка или плазморез своими руками,на блокинг генераторе.Сваривает медный провод.
  • Мини-водяная помпа для самоделок из шприца своими руками.
  • Мини-паяльник из резистора МЛТ своими руками.Для пайки SMD и других деталей.
  • Мощный преобразователь от 1.2В на полевом Mosfet-транзисторе.Две детали.Зажигает более 16-ти светодиодов,питает радиоприемник.
  • Боксерская груша из пластиковой 30-литровой бутылк. ..
  • Главная страница
  • Мини-передатчик АМ на кварцевом генераторе.
  • Самодельный фонарик из DVD привода от ноутбука на …
  • Простой динамо-фонарик своими руками из игрушки китайского пистолета.
  • Размножение сосны семенами из шишек.Пересадка сосны.
  • Имитатор подскакивающего шарика о стол.
  • Имитатор звука капели-дождя.
  • Зарядное устройство для пальчиковых батареек асимметричным током.Как зарядить батарейку.
  • Простой указатель поворота для велосипеда своими руками.Вправо-влево,аварийка.
  • Игрушка «Электронный гимнаст».
  • Диоды КД105,КД208.
  • Транзисторы кт972 кт973.Характеристики.Цоколевка.
  • Автоматическая мигалка на четырех деталях.Ночью мигает,утром выключается.
  • Самовосстанавливающиеся предохранители.
  • Простой датчик влажности для растений.
  • GSM-растяжка.Поступит звонок при обрыве провода.
  • Автоматическая мигалка.Включается и начинает мигать с наступлением темноты,на рассвете выключается.
  • Как вырастить съедобный или посевной каштан из магазина «Магнит».
  • Механический телевизор своими руками.Схемы.
  • УКВ-FM приемник на одном транзисторе.УКВ регенератор на полевом транзисторе.
  • Блокинг-генератор на полевом транзисторе и передатчик на длинные волны.
  • Транзистор IRF3711S.
  • Неоновая и светодиодная подсветка выключателя своими руками.
  • Как определить полярность оксидного-электролитического конденсатора.
  • Реле времени,таймер задержки на полевом транзисторе.
  • Электрозажигалка для газа-газовой плиты своими руками.Схема.
  • Сенсор на одном полевом транзисторе.Всего одна деталь.Bs170-КП501.
  • Определитель полюсов магнита и магнитный включатель-выключатель.Микросхема из кулера fs266 fs277.
  • Лазерная GSM сигнализация на базе сотового телефона и лазерной указки.
  • Детектор скрытой проводки на одном транзисторе сво…
  • Двутональная полицейская сирена на таймерах 555.
  • Электромагнитное реле.Что внутри и как работает.
  • Автоматическое зарядное устройство на микросхеме LTC4054
  • СВЧ n-p-n транзистор BFR93
  • Подстроечные резисторы
  • Демонтаж SMD радиодеталей с помощью электрической …
  • Полевой транзистор КП364.
  • Кремниевый диод КД226
  • Диоды для детекторного приемника
  • Кремниевый транзистор КТ922
  • Двухзатворный полевой транзистор n-типа BF964
  • Клей БФ-2 и БФ-4.
  • Клей ВС-10Т теплостойкий.
  • Где взять медную фольгу
  • Сигнализация-растяжка на базе сотового телефона.По…
  • Коротковолновый АМ передатчик на 3-4 МГц.Выходная мощность более 4Вт на транзисторе КТ805
  • Автоматическая импульсная вспышка для лампы от фотоаппарата.
  • Транзисторы КТ315 и КТ361.Характеристики и их зарубежные аналоги.
  • Резисторы.Как выглядят и как называются.
  • Трассоискатель для поиска скрытой проводки своими . ..
  • Простая ИК-станция для пайки SMD из проволоки.Инфр…
  • Простой паяльник от 7В своими руками.
  • Кремниевый транзистор КТ961.Характеристики
  • Кремниевые транзисторы КТ814 КТ815 КТ816 КТ817. Ха…
  • Автоматическая вспышка из старого фотоаппарата.Переделка две детали-тиристор и неоновая лампа.
  • Тревожное охранное устройство на микросхеме К561ЛА…
  • Простой усилитель низкой частоты на трех транзисто…
  • Музыкальный синтезатор-микросхема УМС. Три мелодии…
  • Супергетеродинный АМ радиоприемник своими руками на частоту 27МГц.
  • Трансформатор ТС-180 для питания радиоламп или сам…
  • Регулируемый стабилизатор напряжения на tl431 и полевом транзисторе.
  • Элемент Пельтье из кулера для воды.Как подключить …
  • Преобразователь напряжения от 1.2В на микросхеме Y…
  • УКВ-FM передатчик.Радиус действия более 2км.
  • Полевой двухзатворный транзистор 3SK224.
  • Детектор излучения микроволновки,раций,передатчико. ..
  • Умножитель для плазменной зажигалки.Из ВЧ дуги в в…
  • Преобразователь на основе несимметричного мультивибратора.
  • УКВ-FM конвертер на микросхеме К174ПС1.
  • Сенсорный включатель-выключатель.
  • Зарядное устройство для миниатюрных дисковых элементов питания.
  • Телеграфный передатчик на 80 метровый диапазон.Мощность 8-10Вт.
  • ВЧ пробник на светодиоде с аттенюатором.
  • Регулируемый понижающий ШИМ стабилизатор напряжения на микросхеме LM2576-ADJ.
  • В.Ч.генераторы для простых опытов.Зажигают люминисцентную лампу и т.д.
  • Широкополосный УКВ глушитель на одном транзисторе.
  • Простой телеграфный трансивер на двух транзисторах на 3.5МГц.
  • КВ-УКВ усилитель для радиоприемника.Усиливаем слабый радиосигнал.
  • Преобразователь на одном полевом транзисторе для светодиода 12В.
  • DC-DC реобразователь напряжения 12-18В на таймере 555 для питания ноутбука.
  • Направленный микрофон с чувствительным усилителем.
  • Бегущие огни и зрелищный искатель скрытой проводки на одной детали-микросхеме к561ие8.
  • Мигалка на динисторе от 220В или как проверить динистор.
  • АМ передатчик на диапазон 80м. 2222+irf510.
  • Термопредохранители для защиты бытовой техники.
  • Солнечный концентратор из зеркал и крышки от кастрюли своими руками.
  • Индикаторы заряда или напряжения аккумуляторной батареи на стабилитроне.
  • УКВ приемник на цифровой микросхеме RDA5807FP.
  • Полевой транзистор BS170.
  • ИК-сигнализация на микросхеме к561ла7.Срабатывает при пересечении.
  • Конвертер УКВ из 88-108 в 66-74МГц на одном полевом транзисторе.
  • Металлоискатель на биениях на микросхеме к561ла7.
  • Бегущие огни на таймере 555 и счетчике к561ие8.Мигают поочередно 10 светодиодов.
  • Всеволновый УКВ-приемник из тв-тюнера и СМРК. Лови…
  • Самодельный пеленгатор из радиоприемника.Как найти передатчик или охота на лис.
  • Генератор звуковых и ультразвуковых колебаний.
  • Транзистор КТ903.Цоколевка и характеристики.
  • Составной транзистор КТ829.Цоколевка.Характеристик…
  • Высокочастотный транзистор КТ908.Цоколевка.Характе…
  • Передатчик на туннельном диоде и генератор звука.
  • Инфракрасный ИК передатчик и приемник звука.
  • Из шагового двигателя своими руками.Фонарик,зарядк…
  • Преобразователь напряжения для питания 12В светодиода от 3.7В.
  • Беспроводное зарядное устройство из электронного т…
  • Кремниевый биполярный n-p-n транзистор КТ805.Харак…
  • Электромагнитная индукция
  • Бесконечный моторчик из китайских часов с плавным …
  • Простой примитивный «Детектор лжи» своими руками.
  • Индуктивный передатчик и приемник на основе усилит…
  • СВЧ p-n-p транзистор BF979.Характеристики.Цоколевк…
  • СВЧ p-n-p транзистор КТ3109.Характеристики.Цоколев…
  • УКВ-FM регенератор на транзисторе кт3109 или bf979.
  • Транзистор КТ639 p-n-p.Характеристики.Цоколевка.
  • Приставка к мультиметру-ESR измеритель конденсатор…
  • Определитель межвиткового замыкания в катушке.Гене…
  • Мигалка на одном транзисторе кт805 и ярким мощным …
  • Металлоискатель на одном транзисторе кт315 и радио…
  • Беспроводной световой наушник на основе светодиода…
  • Упрвление двумя кнопками двумя нагрузками.Симметри…
  • Беспроводная передача электроэнергии своими руками…
  • Светомузыка и развертки из дешевой лазерной указки…
  • Лестница Иакова своими руками на транзисторе кт805…
  • Игрушка Emp jammer своими руками. Безделушка на пяти деталях.
  • Три самоделки для начинающих радиолюбителей на одн…
  • УКВ передатчик средней мощности на транзисторе КТ6…
  • Семь электронных самоделок для начинающих на транз…
  • Высоковольтный преобразователь из деталей эконом-лампы.Питание 3.7В.Зажигает 36В светодиод.
  • Простые самоделки для начинающих радиолюбителей на…
  • Простой четырех-функциональный робот на полевом тр…
  • Бегущие огни на мигающем светодиоде и счетчике 401…
  • Самоделки на мигающем светодиоде для начинающих ра…
  • Звуковой генератор-электронная волынка.
  • Простые электронные конструкции на полевом транзис…
  • Как измерить выходную мощность передатчика.
  • Телеграфный передатчик на 3.5МГц.
  • Линейный датчик Холла.Как работает и распиновка на примере HW108.
  • Двухтактный генератор на транзисторах кт315.Генера…
  • Бесколлекторный моторчик своими руками на микросхе…
  • Моторчики на одном транзисторе.Как раскрутить магн…
  • Импульсный металлоискатель своими руками.Как найти…
  • Отражение лазерного луча от предмета с источником …
  • Счетчик гейгера из неоновой лампы.Простейший детек…
  • Бегущие огни от наводок 220В или разряда пьезозажи. ..
  • Опыты с многовитковой катушкой и светодиодами.Как получить электричество от удара.
  • Регенеративный радиоприемник 3.9-10.5МГц на германиевых транзисторах.
  • Плавное включение-выключение нагрузки на одном пол…
  • Понижающий и регулируемый импульсный dc-dc из дета…
  • Плавный пуск или поджиг ламп на термисторе и реле…
  • Трехфазный мультивибратор на трех мощных полевых т…
  • Телеграфный гетеродин.Как принимать CW и SSB на об…
  • Шунт или резистор из проволоки.Как с его помощью и…
  • Микросхемы RX-2B и TX-2B.Как на них можно собрать …
  • Пинпоинтер или детектор металла на транзисторах
  • Счетчик импульсов на микросхеме к176ие4
  • АМ передатчик на 27 МГц с усилителем мощности на к…
  • Усилитель низкой частоты на микросхеме TDA1557Q
  • Полицейская крякалка на к561ла7 своими руками

Расчет усилителей мощности

⇐ ПредыдущаяСтр 13 из 20Следующая ⇒

 

Сопряжение цепей управления ключами инвертора с низковольтным логическим выходом схемы управления требует обеспечения гальванической развязки и согласования управляющих сигналов по мощности. Гальваническая развязка может быть обеспечена как оптоэлектронными приборами, так трансформаторами. Одно из достоинств оптоэлектронной развязки — технологичность, но при этом имеется ряд недостатков:

– низкий КПД передачи сигнала;

– необходимость в дополнительных, гальванически развязанных источниках питания.

Проще эта задача решается при использовании трансформаторов. Основным недостатком этого решения является наличие моточных изделий. Кроме того, для формирования низкочастотной огибающей выходного напряжения трансформатор усилителя мощности должен быть спроектирован на низкую частоту, а работать должен на частоте преобразования, т.е. повышенной частоте, что приводит к затруднениям в формировании фронтов управляющих импульсов.

Для управления биполярными транзисторами ключей инвертора воспользуемся схемой, приведенной на рис. 2.24.

Рисунок 2.24 — Усилитель мощности с оптоэлектронной развязкой

Такой усилитель обеспечивает активное выключение транзистора по управляющему входу, а также позволяет задавать необходимую степень насыщения транзистора, обеспечивая при этом хорошие динамические характеристики ключа. Работа силового транзистора в ключевом режиме предполагает два состояния.

Первое — транзистор выключен, при этом к его базо-эмит-терному переходу приложено запирающее напряжение отрицательного источника (–UП) за вычетом прямого падения напряжения ∆UЭК открытого транзистора VT3, и это напряжение не должно превышать уровень, предельно допустимый для базо-эмиттерного перехода силового транзистора, т.е. должно соблюдаться условие:

UП2 – ∆U VT3 ≤ UЭБдоп = 5 В.

Выбираем напряжение источников питания UП1 = UП2 = 5 В.

Импульсный ток, протекающий по коллекторной цепи транзистора VT3, определяется максимально необходимым базовым током силового транзистора инвертора:

где Кнас = 1,1 — степень насыщения транзистора инвертора, работающего в ключевом режиме (задаемся сами).

В качестве VT3 выбираем транзистор 2Т830А с параметрами [Приложение П]: UКЭ = 30 В; UБЭ = 5 В; IК = 2А; βmin = 25; ∆UКЭ нас ≤ 0,6 В; ∆UБЭ нас ≤ 1,3 В.

Сопротивление резистора R6:

Выбираем резистор МЛТ-1 — 5,1Ом ±10 %.

При выключенном транзисторе, напряжение на его коллекторе велико, следовательно, заперт диод VD3 и к нему приложено напряжение, определяемое максимальным входным напряжением инвертора 341В. Выбираем диод 2Д204А с параметрами [Приложение С]:

IVDmax = 0,4 А; U VDобр max = 400 В; U VDпр = 1,4 В; f = 50 кГц.

Второе состояние — силовой транзистор открыт. Базовый ток протекает по цепи: плюс источника UП1, R5, коллектор-эмиттер VT2, база-эмиттер силового транзистора, общая точка (земля) источников питания данного усилителя мощности. Допустимый коллекторный ток транзистора VT2 должен быть больше 0,6А. Максимальное допустимое напряжение UVT2 должно быть не меньше напряжения UП1 = 5 В. Выбираем транзистор 2Т630А с параметрами [Приложение П]:

UКЭ = 120 В; UБЭ = 7 В; IК = 1А; βmin = 40; ∆UКЭ нас = 0,3 В;

∆UБЭ нас = 1,1 В.

Сопротивление резистора R 5:

где ∆UБЭ тр.и = 1,5 В — падение напряжения на базо-эмиттерном переходе транзистора инвертора;

IБтр.и = 0,6А — базовый ток транзистора инвертора.

Мощность, рассеиваемая резистором R5:

PR5 = I 2Бтр.и γ R5 = 0,6 2  0,5  6,2 ≈ 1,1 Вт,

где γ = 0,5 — относительная длительность управляющего импульса по низкой частоте.

Выбираем резистор [Приложение Г] МЛТ-2 — 6,2 Ом±10 %.

Сопротивление резистора R7 рекомендуется выбирать для мощных биполярных транзисторов 10 Ом.

Выбираем резистoр С2-13-0,5 — 10 Ом±10 % [Приложение Г].

Коллекторный ток транзистора VT1 равен базовому току транзистора VT2:

Сопротивление резистора R4:

Выбираем резистор [Приложение Г] С2-13-0,5 — 220 Ом±10 %.

Для обеспечения гальванической развязки цепи управления с силовой цепью инвертора используем оптопару диод-диод 3ОД-121 с параметрами [32]:

Uвх = 1,7 В; К пер = 1,0 %; Uвх обр = 5 В; Uвых обр = 20 В;

 I вх = 10 мА; Uизол = 500 В.

 

Для согласования выходного тока оптопары с базовым током транзистора VT2 необходим усилительный каскад с коэффициентом усиления:

для этого выбираем транзистор КТ973Б с параметрами [32]:

UКЭ = 45 В; UБЭ = 5 В; IК = 4А; βmin = 750; ∆UКЭ нас = 1,5 В;

∆UБЭ нас = 2,5 В.

Сопротивление резистора R3:

Выбираем резистор С2-13-05 — 43Ом±10 % [Приложение Г].

Резистор R2, шунтирующий базо-эмиттерный переход транзистора КТ973Б выбирается равным 1 кОм. Для ускорения переходных процессов, возникающих при переключении силового транзистора, используют форсирующую емкость, шунтирующую резистор R3. Емкость обычно составляет примерно сотни или тысячи пикофарад.


Выбираем в качестве С1 конденсатор КМ-5-Н30 — 1500 пФ [Приложение Е].

Для усилителей мощности четырех силовых ключей необходимо иметь четыре источника +5 В по 0,5 А каждый и четыре источника –5 В по 0,25 А каждый.

Такой усилитель мощности обеспечивает гальваническую развязку цепи управления и силовой цепи, хорошую динамику, но при этом требуется многоканальный источник питания, что является большим недостатком. Целесообразнее для этих целей использовать интегральные драйверы, которые подключаются к низковольтному источнику питания и обеспечивают управление затвором IGBT и МОП-транзисторов стоек инвертора с одновременной защитой от высокого напряжения. Для управления (IGBT) ключами стойки силового инвертора с напряжением питания Udmax = 341 В выбираем драйвер IR 2112 (рис. 2.25) с характеристиками [32]:

Uout = (10 ¸ 20) В ; Uoffset = 600 B, I0+ = 0,2A, I0– = 0,42 A,

ton/off = 125/105 нс.

 

Рисунок 2.25 — Схема подключения драйвера IR2112

 

Недостаток такого усилителя — отсутствие гальванической развязки цепи управления с силовой частью.

Для управления ключами, выполненными на основе полевых (MOSFET ) транзисторов типа IRFB 17 N 50 L требуется драйвер с большими выходными импульсными токами (до 0,9А). Можно воспользоваться, например, высоковольтным драйвером IRS 21844 c токами I 0+ = 1,9 A , I 0– = 2,3 A .

 

Схема управления СГЭП

 

Функциональная схема управления силовым инвертором представлена на рис. 2.26, где:

ВЧГ — высокочастотный генератор, определяющий частоту преобразования f пр = 10кГц;

ГПН — генератор пилообразного напряжения частоты преобразования;

ШИМ — широтно-импульсный модулятор;

ФКП — формирователь коммутационных пауз в сигналах управления ключами силового инвертора;

РИ — распределитель импульсов управления ключами высокочастотной и низкочастотной стоек силового инвертора;

ГСН — генератор синусоидального напряжения выходной частоты инвертора;

УР — усилитель рассогласования сигнала ошибки, обеспечивающий заданную статическую точность поддержания выходного напряжения;

КЗ — корректирующее звено, обеспечивающее устойчивость замкнутой САР.

 

 

Рисунок 2.26 — Функциональная схема управления инвертором

 

а) Работа схемы управления инвертором по функциональной схеме

 

Последовательность прямоугольных импульсов частоты 10кГц с выхода задающего генератора поступает на вход генератора пилообразного напряжения, на выходе которого формируется линейно-нарастающее напряжение, поступающее на один из входов широтно-импульсного модулятора, на второй вход которого приходит напряжение сигнала ошибки, согласованное с уровнем пилообразного напряжения. Сигнал ошибки формируется на выходе сумматора, на прямой вход которого подается опорное синусоидальное напряжение частоты 50 Гц, а на инвертирующий вход поступает согласованное по уровню напряжение обратной связи с выхода инвертора. На выходе широтно-импульсного модулятора формируется импульсная последовательность с изменяемой по синусоидальному закону длительностью импульсов, поступающих на вход формирователя коммутационных пауз и один из входов распределителя импульсов. С выхода формирователя коммутационных пауз импульсы, обеспечивающие задержку включения очередных (открывающихся) ключей инвертора на время, пока полностью не закроются выключающиеся ключи, поступают на второй вход распределителя импульсов. На третий вход распределителя импульсов поступает низкочастотный сигнал с выхода генератора синусоидального напряжения для формирования сигналов управления ключами низкочастотной стойки инвертора. На четвертый вход распределителя импульсов подается сигнал с выхода блока защиты, снимающий управление со всех ключей инвертора в случае нештатной (аварийной) ситуации.

Схема управления силового инвертора может быть реализована:

– в аналоговом виде с использованием дискретных полупроводникoвых элементов;

– в цифровом виде;

– комбинированной — с использованием аналоговых и цифровых микросхем;

– на базе микропроцессоров.

Схема управления электрическая принципиальная в цифровом виде приведена на рис. 2.27. С выхода генератора, реализованного на микросхеме DD1, высокочастотный сигнал поступает на вход 1 счетчика DD2, формирующего нарастающий код (цифровой аналог пилообразного напряжения), синхронный аналоговый сигнал которого снимается с выхода цифро-аналогового преобразователя DA1 и подается на зарядное и разрядное устройства.

 

Рисунок 2.27 — Цифровая схема управления

Счетчик DD7 формирует код, пропорциональный фазе требуемого синусоидального напряжения. В ПЗУ на микросхеме DD8 зашита программа, реализующая функцию умножения синусоидального напряжения на коэффициент К, пропорциональный среднему значению выходного напряжения силового инвертора, поступающий с выхода аналого-цифрового преобразователя DA2 через регистр DD10. В ПЗУ (микросхема DD3) зашита программа, реализующая функцию цифрового компаратора, формирующая на выходе широтно-импульсную последовательность в соответствии с кодом выхода регистра DD9, пропорциональным синуидальному напряжению. На выходах регистра DD4 сформированы поступающие на первые входы микросхем DD5 противотактные импульсные последовательности «ШИМ» и «НЕ-ШИМ» с учетом коммутационных пауз, необходимых для формирования траектории переключения ключей с малыми динамическими потерями. Импульсные последовательности с выходов логических элементов «И-НЕ» микросхем DD5, на вторые входы которых поступает сигнал разрешения от схемы защиты, передаются через микросхему DD6 на блок усилителей мощности. Аналогично организовано и управление ключами низкочастотной стойки силового инвертора импульсными последовательностями «UНЧ» и «НЕ-UНЧ» частоты выходного напряжения, формируемыми на выходах микросхемы DD6.

Схема управления силовым инвертором может быть реализована в аналоговом виде, при этом могут быть использованы различные варианты реализации узлов (высокочастотный генератор, ГПН, ШИМ и т. д.), входящих в управление, подробно рассмотренные в ранее изучаемых дисциплинах.

Ток, потребляемый схемой управления от источника питания собственных нужд, по цепи +5 В не превышает 2 А, по цепи +15 В не более 500 мА, по цепи –15 В не более 200 мА.

Вопрос формирования опорных напряжений для цифро-аналогового и аналогово-цифрового преобразователей в данной работе не рассматривается.

 

 

Блок обратной связи

 

Задача блока обратной связи при выбранной схеме управления заключается в преобразовании выходного переменного напряжения частоты 50 Гц в постоянное согласованное со схемой управления по уровню напряжение. Для этого необходимо выходное напряжение инвертора понизить до приемлемого уровня (с помощью дополнительной обмотки на силовом трансформаторе), выпрямить это напряжение и выделить его среднее значение. Принципиальная электрическая схема блока обратной связи приведена на рис. 2.28.

Выходное напряжение СГЭП, пониженное до уровня (2÷3) В, поступает на вход прецизионного выпрямителя, выполненного на операционных усилителях DA1, DA2 и диодах VD1, VD2, включенных в цепь обратной связи усилителя DA1. С помощью интегратора DA3 выделяется среднее значение выпрямленного напряжения за полупериод напряжения питающей сети и через ключ VT2 в конце каждого полупериода частоты измеряемого переменного напряжения передается в ячейку памяти С6, и далее через неинвертирующий усилитель DA4 c необходимым коэффициентом усиления передается на схему управления. После передачи информации в ячейку памяти интегратор обнуляется с помощью включения на короткое время транзистора VT1. При изменении выходного напряжения силового инвертора под воздействием дестабилизирующих факторов на выходе микросхемы DA4 формируется ступенчато-постоянное напряжение. На рис. 2.29 приведены диаграммы напряжений, поясняющие работу блока обратной связи.

Ток, потребляемый схемой обратной связи от источника питания собственных нужд по цепям 15 В, не превышает 100 мА.

 

 

Рисунок 2.28 — Схема обратной связи

 

 

Рисунок 2.29 — Временные диаграммы схемы ОС

 

 

Блок защиты

Защиту основных узлов СГЭП от перегрузки по току нагрузки на уровне 1,2Iном выполняет схема защиты снятием управления с ключей инвертора. Для этого в выходную цепь силового канала установлен датчик тока нагрузки, который может быть выполнен на основе токовых шунтов, трансформаторов тока или других элементов. В данном случае используем трансформатор тока, так как он обеспечивает гальваническую развязку силовой цепи переменного тока высокого напряжения с низковольтной цепью схемы управления. Схема блока защиты приведена на рис. 2.30.

 

 

Рисунок 2.30 — Блок защиты

 

Схема работает следующим образом. При нажатии кнопки S1 на вход 5 микросхемы DD1 поступает сигнал логического нуля и на его выходе 6 формируется сигнал логической единицы, разрешающий подачу сигналов управления на управляющие входы силового инвертора. Если ток нагрузки не превышает допустимых пределов 1,2IНОМ, то напряжение на входе 3 компаратора DA1 меньше, чем на неинвертирующем входе 2, а на выходе 7 компаратора DA1 поддерживается сигнал логической единицы. При увеличении тока нагрузки выше 1,2IНОМ на выходе 6 компаратора появляется логический нуль и RS-триггер, реализованный на элементах 2И-НЕ микросхемы DD1, формирует на выходе сигнал логического нуля, прекращающего подачу импульсов управления на управляющие входы силового инвертора. Повторный запуск осуществляется путем нажатия кнопки S1 после устранения причины, вызвавшей увеличение тока нагрузки. Расчет трансформатора, выполняющего роль датчика тока, производится по известным методикам.

Ток, потребляемый схемой защиты от источника питания собственных нужд по цепям + 5 В и + 15 В, не превышает 10 мА.

 

⇐ Предыдущая891011121314151617Следующая ⇒



Поиск

Номер детали производителя (MPN):
Наличие: На складе
Возможна немедленная отправка
Начальная цена от долларов США за штуку. Все цены указаны за единицу в долларах США (USD).
Минимальный объем заказа от ОДИН штук, вы можете купить столько, сколько захотите.
Доставка: Прямая доставка, заказной авиапочтой, DHL/EMS/FEDEX от 5 долларов США.
Платежи: PayPal, кредитные карты через PayPal, банковский перевод, Western Union.

Мы из HUAQIANGBEI — ЭЛЕКТРОННОЙ УЛИЦЫ № 1 в Китае.

может быть отправлен в тот же день. Paypal принят, закажите онлайн сегодня!

Внимательно выберите номер детали, производителя и упаковку из приведенной ниже таблицы, а затем добавьте в корзину, чтобы перейти к оформлению заказа.

Купите сейчас, вам понравится
✓Отправьте заказ в тот же день!
✓Доставка по всему миру!
✓Ограниченная распродажа
✓Легкий возврат.

Обзор продукта
Название продукта Поиск
Доступное количество Возможна отправка немедленно
Модель №.
Код ТН ВЭД 8529

0
Минимальное количество Начиная с одной детали
Атрибуты продукта
Категории
  • идентификатор продукта
    артикул
    gtin14
    мпн
    Статус детали Активный

    Об оплате
    Все основные кредитные и дебетовые карты через PayPal.
    Paypal (AMEX принимается через Paypal)
    Мы также можем принять банковский перевод. Просто отправьте нам электронное письмо с URL-адресами или кодами продукта. Укажите адрес доставки и предпочтительный способ доставки. Затем мы вышлем вам полные инструкции по электронной почте.

    Мы никогда не храним данные вашей карты, они остаются в Paypal.
    Товары будут отправлены в течение 1-2 рабочих дней после оплаты. Доставка может быть объединена при покупке большего количества.
    Другие способы доставки могут быть доступны при оформлении заказа — вы также можете сначала связаться со мной для получения подробной информации.

    Судоходная компания Расчетное время доставки Информация об отслеживании
    Плоская транспортировочная 30-60 дней Нет в наличии
    Заказная авиапочта 15-25 дней В наличии
    ДХЛ/ЭМС/ФЕДЕРАЛ ЕХПРЕСС/ТНТ 5-10 дней В наличии
    Окончательное время доставки Может быть задержано вашей местной таможней из-за таможенного оформления.

    Благодарим за покупку нашей продукции на нашем веб-сайте.
    Чтобы иметь право на возмещение, вы должны вернуть продукт в течение 30 календарных дней с момента покупки. Товар должен быть в том же состоянии, в котором вы его получили, и не иметь никаких повреждений.
    После того, как мы получим ваш товар, наша команда профессионалов проверит его и обработает ваш возврат. Деньги будут возвращены на исходный способ оплаты, который вы использовали во время покупки. Для платежей по кредитной карте может потребоваться от 5 до 10 рабочих дней, чтобы возмещение появилось в выписке по кредитной карте.
    Если продукт каким-либо образом поврежден или вы инициировали возврат по истечении 30 календарных дней, вы не имеете права на возмещение.
    Если что-то неясно или у вас есть дополнительные вопросы, не стесняйтесь обращаться в нашу службу поддержки клиентов.
    См. подробную информацию о защите покупок PayPal.
    Получите заказанный товар или верните деньги.
    Включает стоимость покупки и первоначальную доставку.
    Если вы не получили товар в течение 25 дней, просто сообщите нам об этом, будет выдан новый пакет или замена.
    Защита покупателя PayPal
    Защита вашей покупки от клика до доставки
    Вариант 1) Полный возврат средств, если вы не получили свой заказ
    Вариант 2) Полный или частичный возврат средств, если товар не соответствует описанию
    Если ваш товар значительно отличается от наше описание продукта, вы можете A: вернуть его и получить полный возврат средств или B: получить частичный возврат средств и сохранить товар.

    Спецификация или техническая спецификация в формате PDF доступны для скачивания по запросу.

    Почему выбирают нас?

  • Расположен в Шэньчжэне, центре электронного рынка Китая.
  • 100% гарантия качества компонентов: Оригинал.
  • Достаточный запас по вашему срочному требованию.
  • Опытные коллеги помогут вам решить проблемы, чтобы снизить риск при производстве по требованию.
  • Быстрая доставка: Компоненты, имеющиеся на складе, могут быть отправлены в тот же день.
  • Круглосуточно.
  • Каковы ваши основные продукты?

    Наши основные продукты
    Интегральные схемы (ИС) Дискретный полупроводник Потенциометры, регулируемые R
    Звук специального назначения Аксессуары Реле
    Часы/хронометраж Мостовые выпрямители Датчики, преобразователи
    Сбор данных Диакс, Сидак Резисторы
    Встроенный Диоды Катушки индуктивности, катушки, дроссели
    Интерфейс МОП-транзисторы Фильтры
    Изоляторы — драйверы затворов БТИЗ Кристаллы и осцилляторы
    Линейный JFET (эффект поля перехода) Соединители, межсоединения
    Логика РЧ полевые транзисторы Конденсаторы
    Память ВЧ-транзисторы (BJT) Изоляторы
    PMIC SCR Светодиод
    Транзисторы (БЮТ)
    Транзисторы
    Триаки

    Какова цена?

  • Все цены указаны за единицу в долларах США (USD).
  • Цена на некоторые детали нестабильна в зависимости от рынка, пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нам за самой последней и лучшей ценой.
  • Какой способ оплаты?

  • PayPal, кредитные карты через PayPal, банковский перевод, Western Union.
  • Покупатель несет ответственность за все расходы по доставке.
  • Пожалуйста, свяжитесь с нами, если вы предпочитаете другой способ оплаты.
  • Что такое возврат и замена?

  • Если есть какие-либо проблемы с качеством, пожалуйста, убедитесь, что все эти предметы должны быть возвращены в их первоначальном состоянии, чтобы иметь право на возмещение или замену. (Любые использованные или поврежденные предметы не могут быть возвращены или заменены).
  • Каков минимальный объем заказа вашей продукции?

  • Минимальный объем заказа от ОДНОЙ штуки.
  • Вы можете купить столько, сколько захотите.
  • Когда вы отправите мне детали?

  • Мы отправим вам детали в тот же день после получения оплаты.
  • Как разместить заказ?

  • Добавьте товар в корзину, а затем перейдите к оформлению заказа на нашем веб-сайте.
  • Предлагаете ли вы техническую поддержку?

  • Да, наш технический инженер поможет вам с информацией о распиновке 2SD1733TLR, примечаниями по применению, замена, даташит в pdf, инструкция, схема, аналог, перекрестная ссылка.
  • Предоставляете ли вы гарантию?

  • Да, мы предоставляем 6-месячную гарантию на наш продукт.
  • Как сделать наш бизнес долгосрочным и хорошим?

  • Мы поддерживаем хорошее качество и конкурентоспособные цены.
  • Мы уважаем каждого клиента как нашего друга и работаем добросовестно!
  • По любым другим вопросам, пожалуйста, обращайтесь к нам. Мы всегда к вашим услугам!

    Цена и запасы: цены и доступные запасы.

    Нет товаров, соответствующих критериям поиска.


    Подобные поиски для «»

    Что говорят о нас наши клиенты

    Петерсон 2022-09-12 16:05:41

    Транзисторы 2SD1266A точно описаны, быстрая доставка, покупатель доволен

    Рахул 2022-09-09 08:39:07

    Прибыл быстрее, чем ожидалось. Как раз то, что нам было нужно. Спасибо.

    Дженри 2022-09-06 09:38:21

    Простая сделка!

    Джеррольд 2022-08-31 14:05:41

    Полное и достоверное описание предмета. Приятно иметь дело.

    Бертран 2022-08-22 21:20:22

    Деталь согласно описанию

    Арена 2022-08-20 15:37:37

    Лучший!

    Тревер 2022-08-15 14:01:19

    Пришло, спасибо!

    Энрика 2022-08-12 18:51:01

    Отлично! Спасибо от www.epromman.com !!!

    Альваро 2022-08-05 15:43:30

    Отличный продавец, рекомендую

    Лестер 2022-07-28 07:50:59

    отлично +++

    Как проверить мультиметром однопереходный транзистор.

    Особенности проверки транзистора мультиметром без пайки. Как проверить однопереходный транзистор

    Проверку транзисторов приходится проводить довольно часто. Даже если у вас в руках явно новый, ни разу не паянный, то лучше его проверить перед установкой в ​​схему. Нередки случаи, когда транзисторы, купленные на радиорынке, оказываются негодными, причем даже не единичным экземпляром, а целой партией в 50-100 штук. Чаще всего это происходит с мощными транзисторами отечественного производства, реже с импортными.

    Иногда в описаниях конструкций приводятся некоторые требования к транзисторам, например рекомендуемый коэффициент усиления. Для этих целей существуют различные тестеры транзисторов, достаточно сложной конструкции и измеряющие почти все параметры, которые приведены в справочниках. Но чаще приходится проверять транзисторы по принципу «хорошо, не годится». Именно об этих способах проверки и пойдет речь в этой статье.

    Часто в домашней лаборатории под рукой лежат бывшие в употреблении транзисторы, когда-то добытые из каких-то старых плат. В этом случае необходим стопроцентный «входной контроль»: гораздо проще сразу выявить негодный транзистор, чем потом искать его в неработающей конструкции.

    Хотя многие авторы современных книг и статей категорически не рекомендуют использовать детали неизвестного происхождения, довольно часто эту рекомендацию приходится нарушать. Ведь не всегда есть возможность пойти в магазин и купить нужную деталь. В связи с такими обстоятельствами необходимо проверить каждый транзистор, резистор, конденсатор или диод. Далее мы сосредоточимся в основном на тестировании транзисторов.

    Проверку транзисторов в любительских условиях обычно проводят либо старым аналоговым авометром.

    Проверка транзисторов мультиметром

    Большинству современных радиолюбителей знаком универсальный прибор под названием мультиметр. С его помощью можно измерять постоянные и переменные напряжения и токи, а также сопротивление проводников постоянному току. Один из пределов измерения сопротивления рассчитан на «звон» полупроводников. Как правило, в этом положении возле переключателя рисуется символ диода и звучащего динамика.

    Перед проверкой транзисторов или диодов следует убедиться в исправности самого устройства. Прежде всего, посмотрите на индикатор батареи, при необходимости немедленно замените батарею. При включении мультиметра в режиме «прозвонка» полупроводников на экране индикатора должна появиться единица в старшем разряде.

    Затем проверьте исправность, для чего соедините их между собой: индикатор покажет нули и прозвучит звуковой сигнал. Это не напрасное предупреждение, так как обрывы проводов в китайских щупах явление достаточно распространенное, и об этом не следует забывать.

    У радиолюбителей и профессиональных электронщиков старшего поколения такой жест (проверка щупов) выполняется автоматически, т. к. при использовании стрелочного тестера каждый раз при переходе в режим измерения сопротивления приходилось стрелку ставить на нулевое деление шкалы.

    После проведения указанных проверок можно приступать к тестированию полупроводников — диодов и транзисторов. Обратите внимание на полярность напряжения на щупах. Отрицательный полюс находится на разъеме с маркировкой «COM» (общий), на разъеме с маркировкой VΩmA положительный. Чтобы не забыть об этом в процессе измерения, в это гнездо следует вставить красный щуп.

    Рисунок 1. Мультиметр

    Это замечание не такое праздное, как может показаться на первый взгляд. Дело в том, что у стрелочных авометров (Ампервольтомметр) в режиме измерения сопротивления положительный полюс измерительного напряжения находится на розетке с пометкой «минус» или «общий», ну с точностью до наоборот, по сравнению с цифровым мультиметром. Хотя в настоящее время более широко используются цифровые мультиметры, циферблатные индикаторы по-прежнему используются и в некоторых случаях дают более надежные результаты. Это будет обсуждаться ниже.

    Рисунок 2. Стрелочный авометр

    Что показывает мультиметр в режиме «прозвонки»

    Проверка диодов

    Простейший полупроводниковый элемент, который содержит только один P-N переход. Основным свойством диода является односторонняя проводимость. Поэтому, если положительный полюс мультиметра (красный щуп) подключить к аноду диода, то на индикаторе появятся цифры, показывающие прямое напряжение на P-N переходе в милливольтах.

    Рисунок 3

    Для кремниевых диодов это будет около 650 — 800 мВ, а для германиевых около 180 — 300, как показано на рисунках 4 и 5. Таким образом, по показаниям прибора возможно определить полупроводниковый материал, из которого изготовлен диод. Следует отметить, что эти цифры зависят не только от конкретного диода или транзистора, но и от температуры, при повышении которой на 1 градус прямое напряжение падает примерно на 2 милливольта. Этот параметр называется вольт-температурным коэффициентом.

    Рисунок 4

    Рисунок 5

    Если после этой проверки щупы мультиметра подключить в обратной полярности, то на индикаторе прибора появится единица в старшем разряде. Такие результаты будут в том случае, если диод оказался исправным. Вот собственно и вся методика проверки полупроводников: в прямом направлении сопротивление ничтожно мало, а в обратном практически бесконечно.

    Если «пробит» диод (короткое замыкание анода и катода), то скорее всего будет звуковой сигнал, причем в обе стороны. В том случае, если диод находится «в обрыве», как бы вы ни меняли полярность подключения щупов, на индикаторе будет светиться единица.

    Проверка транзисторов

    В отличие от диодов транзисторы имеют два P-N перехода, а также структуры P-N-P и N-P-N, причем последняя встречается гораздо чаще. С точки зрения проверки мультиметром, транзистор можно рассматривать как два диода, соединенных задним ходом — последовательно, как показано на рисунке 6. Поэтому проверка транзисторов сводится к «прозвонке» переходов база-коллектор и база-эмиттер в прямом и обратном направлениях.

    Поэтому все, что было сказано чуть выше о проверке диода, полностью справедливо и для исследования переходов транзисторов. Даже показания мультиметра будут такими же, как и для диода.

    Рисунок 6

    На рисунке 7 показана полярность включения прибора в прямом направлении для «прозвонки» перехода база-эмиттер транзисторов структуры N-P-N: положительный щуп мультиметра подключается к выводу базы. Для измерения перехода база-коллектор отрицательный вывод прибора следует соединить с выводом коллектора. В данном случае цифра на дисплее получалась при прозвонке перехода база-эмиттер транзистора КТ3102А.

    Рисунок 7

    Если транзистор оказался P-N-P структуры, то к базе транзистора следует подключить отрицательный (черный) щуп прибора.

    Вместе с этим следует «прозвонить» участок коллектор-эмиттер. У исправного транзистора его сопротивление практически бесконечно, что символизируется единицей в старшем разряде индикатора.

    Иногда бывает, что нарушен переход коллектор-эмиттер, о чем свидетельствует звуковой сигнал мультиметра, хотя переходы база-эмиттер и база-коллектор «звенят» как бы в норме!

    Проводится так же, как и цифровым мультиметром, но не следует забывать, что полярность в режиме омметра обратная по сравнению с режимом измерения постоянного напряжения. Чтобы не забыть об этом в процессе измерения, красный щуп прибора следует подключить к гнезду со знаком «-», как показано на рисунке 2.

    Автометры, в отличие от цифровых мультиметров, не имеют полупроводника» звон», поэтому в этом плане их показания заметно различаются в зависимости от конкретной модели. Здесь уже приходится ориентироваться на собственный опыт, полученный в процессе работы с устройством. На рис. 8 представлены результаты измерений с помощью тестера ТЛ4-М.

    Рисунок 8

    На рисунке показано, что измерения выполняются на пределе *1 Ом. При этом лучше ориентироваться на показания не по шкале измерения сопротивления, а по верхней унифицированной шкале. Видно, что стрелка находится в районе цифры 4. Если измерения производить на пределе *1000Ом, то стрелка будет находиться между цифрами 8 и 9.

    По сравнению с цифровым мультиметр, авометр позволяет более точно определить сопротивление участка база-эмиттер, если этот участок зашунтировать низкоомным резистором (R2_32), как показано на рисунке 9. Это фрагмент схемы выходного каскада усилителя ALTO.

    Рисунок 9

    Все попытки измерить мультиметром сопротивление участка база-эмиттер приводят к звуку динамика (короткое замыкание), так как сопротивление 22Ом воспринимается мультиметром как короткое замыкание. Аналоговый тестер на пределе измерения *1Ом показывает некоторую разницу при измерении перехода база-эмиттер в обратном направлении.

    Еще один приятный нюанс при использовании стрелочного тестера можно обнаружить, если измерения проводить на пределе *1000Ом. При подключении щупов, разумеется, соблюдая полярность (у транзистора структуры N-P-N плюсовой вывод прибора на коллекторе, минус на эмиттере), стрелка прибора не сдвинется, оставаясь на бесконечности отметка шкалы.

    Если сейчас выпустить слюну указательным пальцем, как бы для проверки нагрева утюга, и замкнуть этим пальцем клеммы базы и коллектора, то стрелка прибора будет двигаться, указывая на уменьшение сопротивления утюга участок эмиттер-коллектор (транзистор приоткроется). В ряде случаев эта методика позволяет проверить транзистор, не выпаивая его из схемы.

    Этот метод наиболее эффективен при проверке составных транзисторов, например, КТ 972, КТ973 и т. д. Не следует только забывать, что составные транзисторы часто имеют защитные диоды, включенные параллельно переходу коллектор-эмиттер, причем в обратной полярности. Если транзистор имеет структуру N-P-N, то к его коллектору подключается катод защитного диода. Такие транзисторы можно подключать к индуктивным нагрузкам, например обмоткам реле. Внутренняя структура составного транзистора показана на рисунке 10.

    Рисунок 10.

    Exist два типа биполярных транзисторов : PNP -транзистор и NPN -транзистор.

    На рисунке ниже представлена ​​блок-схема PNP-транзистора:

    Схематическое обозначение PNP-транзистора на схеме выглядит так:

    где E — эмиттер, B — база, K — коллектор.

    Существует еще один тип биполярного транзистора: NPN-транзистор. Здесь материал P уже заключен между двумя материалами N.


    Вот его схематическое изображение на схемах

    Так как диод состоит из одного PN перехода, а транзистор из двух, то значит думайте о транзисторе как о двух диодах! Эврика!


    Теперь мы можем проверить транзистор, проверив эти два диода, из которых, грубо говоря, состоит транзистор. Как проверить диод можно прочитать .

    Проверка исправного транзистора

    Что ж, определим на практике работоспособность нашего транзистора. А вот и наш пациент:


    Внимательно читаем что написано на транзисторе: C4106. Теперь открываем поисковик и ищем документ-описание этого транзистора. По-английски это называется «datasheet». Просто так забиваем в поисковике «C4106 datasheet». Имейте в виду, что импортные транзисторы пишутся английскими буквами.

    Нас больше всего интересует распиновка выводов транзистора, а также его тип: NPN или PNP. То есть, нам нужно узнать, какой вывод. Для этого транзистора нам нужно выяснить, где его база, где эмиттер, а где коллектор.

    А вот и схема распиновки из даташита:


    Теперь мы понимаем что первый пин это база, второй пин коллектор, а третий эмиттер


    Вернуться к наш рисунок

    Из таблицы данных мы узнали, что наш транзистор является проводящим NPN.

    Ставим мультиметр на прозвонку и начинаем проверять «диоды» транзистора. Для начала ставим «плюс» на базу, а «минус» на коллектор


    Все в порядке, на прямом PN переходе должно быть небольшое падение напряжения. Для кремниевых транзисторов это значение составляет 0,5-0,7 Вольта, а для германиевых транзисторов 0,3-0,4 Вольта. На фото 543 милливольта или 0,54 вольта.

    Проверяем переход база-эмиттер, поставив «плюс» на базе, а «минус» на эмиттере.


    Мы снова видим падение напряжения прямого PN перехода. Все в порядке.

    Меняем щупы местами. Ставим «минус» на базу, а «плюс» на коллектор. Теперь измерим обратное падение напряжения на PN-переходе.

    Все в порядке, так как мы видим один.

    Теперь проверим обратное падение напряжения перехода база-эмиттер.


    Вот у нас тоже мультиметр показывает единицу. Так можно поставить диагноз транзистору — исправен.

    Проверка транзистора на неисправность

    Проверим еще один транзистор. Он похож на транзистор, который мы обсуждали выше. Его распиновка (то есть положение и значение пинов) такая же, как и у нашего первого героя. Так же ставим мультиметр на циферблат и цепляем к нашему подопечному.


    Нули… Это нехорошо. Это указывает на то, что соединение PN нарушено. Такой транзистор можно смело выбрасывать на помойку.

    Проверка транзистора транзисторметром

    Очень удобно проверять транзисторы, имея


    Заключение

    В заключение статьи хочется добавить, что всегда лучше найти даташит на транзистор транзистор проверяется. Существуют так называемые составные транзисторы. Это означает, что в одном конструктивном корпусе транзистора могут быть установлены два и более транзистора. Также имейте в виду, что некоторые радиоэлементы имеют такой же корпус, как и транзисторы. Это могут быть тиристоры, преобразователи напряжения или даже какая-нибудь зарубежная микросхема.

    Полупроводниковые элементы используются почти во всех электронных схемах. Совершенно правы те, кто называет их самыми важными и самыми распространенными радиодеталями. Но любые компоненты не вечны, их могут вывести из строя перегрузки по напряжению и току, нарушение температуры и другие факторы. Мы расскажем (не перегружая теорией), как проверить работоспособность различных типов транзисторов (npn, pnp, полярных и составных) с помощью тестера или мультиметра.

    С чего начать?

    Перед проверкой мультиметром на исправность любого элемента, будь то транзистор, тиристор, конденсатор или резистор, необходимо определить его тип и характеристики. Это можно сделать с помощью маркировки. Узнав его, не составит труда найти техническое описание (даташит) на тематических сайтах. С его помощью мы узнаем тип, распиновку, основные характеристики и другую полезную информацию, включая аналоги для замены.

    Например, на телевизоре перестала работать развертка. Подозрение вызывает строчный транзистор с маркировкой D2499 (кстати, довольно распространенный случай). Найдя в Интернете спецификацию (ее фрагмент показан на рисунке 2), мы получаем всю необходимую для тестирования информацию.

    Рисунок 2. Фрагмент спецификации на 2SD2499

    С большой долей вероятности найденный даташит будет на английском языке, ничего страшного, технический текст легко воспринимается даже без знания языка.

    Определившись с типом и распиновкой, выпаиваем деталь и приступаем к тесту. Ниже приведены инструкции, с помощью которых мы будем тестировать наиболее распространенные полупроводниковые элементы.

    Проверка биполярного транзистора мультиметром

    Это самый распространенный компонент, например серии КТ315, КТ361 и т. д. переход в качестве диода. Тогда структуры pnp и npn будут иметь вид двух встречных или встречных диодов со средней точкой (см. рис. 3).


    Рисунок 3. «Диодные аналоги» pnp и npn переходов

    Подключаем щупы к мультиметру, черный к «СОМ» (это будет минус), а красный к гнезду «VΩmA» (плюс). Включаем тестер, переводим его в режим прозвонки или измерения сопротивления (достаточно установить предел 2 кОм), и приступаем к тестированию. Начнем с проводимости pnp:

    1. Черный щуп подключаем к клемме «В», а красный (от розетки «VΩmA») к ножке «Е». Смотрим показания мультиметра, он должен отображать значение переходного сопротивления. Нормальный диапазон составляет от 0,6 кОм до 1,3 кОм.
    2. Таким же образом измеряем между выводами «В» и «К». Показания должны быть в одном диапазоне.

    Если при первом и/или втором измерении мультиметр показывает минимальное сопротивление, то в месте соединения(-ов) имеется пробой и деталь подлежит замене.

    1. Меняем полярность (красный и черный щуп) местами и повторяем измерения. Если электронный блок исправен, сопротивление будет отображаться, стремясь к минимальному значению. Если показание «1» (измеренное значение превышает возможности прибора), можно констатировать внутренний обрыв в цепи, поэтому потребуется замена радиоэлемента.

    Проверка устройства обратной проводимости проводится по тому же принципу, с небольшим изменением:

    1. Подключаем красный щуп к ножке «В» и проверяем черным щупом сопротивление (касаясь поочередно клемм «К» и «Е»), оно должно быть минимальным.
    2. Меняем полярность и повторяем измерения, мультиметр покажет сопротивление в пределах 0,6-1,3 кОм.

    Отклонения от этих значений указывают на неисправность компонента.

    Проверка работы полевого транзистора

    Этот тип полупроводниковых элементов также называют MOSFET и шваброй. На рис. 4 показано графическое обозначение n- и p-канальных полевых драйверов на принципиальных схемах.


    Рис 4. Полевые транзисторы (N- и P-канальные)

    Для проверки этих устройств подключаем щупы к мультиметру, так же, как и при проверке биполярных полупроводников, и устанавливаем тип проверки на «преемственность». Далее действуем по следующему алгоритму (для n-канального элемента):

    1. Черным проводом прикасаемся к ножке «с», а красным проводом к выводу «и». Отобразится сопротивление на встроенном диоде, запомните показание.
    2. Теперь нужно «открыть» переход (получится только частично), для этого подключаем щуп с красным проводом к выходу «h».
    3. Повторяем замер, проведенный в пункте 1, показание изменится в сторону уменьшения, что говорит о частичном «открытии» полевого работника.
    4. Теперь нужно «закрыть» компонент, для этого подключаем минусовой щуп (черный провод) к ножке «h».
    5. Повторяем действия п.1, будет отображаться исходное значение, следовательно, произошло «закрытие», что говорит о работоспособности компонента.

    Для проверки элементов p-канального типа последовательность действий остается прежней, за исключением полярности щупов, она должна быть обратной.

    Обратите внимание, что биполярные элементы с изолированным затвором (IGBT) испытываются так же, как описано выше. На рис. 5 показан компонент SC12850 этого класса.


    Рис. 5. IGBT-транзистор SC12850

    Для проверки необходимо выполнить те же действия, что и для полевого полупроводникового элемента, с учетом того, что сток и исток последнего будут соответствовать коллектору и эмиттеру.

    В некоторых случаях потенциала на щупах мультиметра может не хватить (например, чтобы «открыть» мощный силовой транзистор), в такой ситуации потребуется дополнительное питание (достаточно 12 вольт). Подключать его нужно через сопротивление 1500-2000 Ом.

    Тест составного транзистора

    Такой полупроводниковый элемент еще называют «транзистор Дарлингтона», по сути, это два элемента, собранные в одном корпусе. Например, на рисунке 6 приведен фрагмент спецификации на КТ827А, где показана эквивалентная схема его устройства.


    Рис 6. Замещающая схема транзистора КТ827А

    Проверить такой элемент мультиметром не получится, нужно будет сделать простой щуп, его схема показана на рисунке 7.


    Рис. 7. Схема для проверки составного транзистора

    Обозначение:

    • Т — проверяемый элемент, в нашем случае КТ827А.
    • L — лампочка.
    • R — это резистор, его номинал рассчитывается по формуле h31E*U/I, то есть умножаем значение входного напряжения на минимальное значение коэффициента усиления (для КТ827А — 750), результат делим на ток нагрузки. Допустим, мы используем автомобильную габаритную лампочку мощностью 5 Вт, ток нагрузки будет 0,42А (5/12). Поэтому нам понадобится резистор на 21 кОм (750*12/0,42).

    Тестирование делаем так:

    1. Подключаем к базе плюс от источника, в итоге лампочка должна загореться.
    2. Ставим минус — гаснет свет.

    Данный результат свидетельствует о работоспособности радиодетали, при других результатах потребуется замена.

    Как проверить однопереходный транзистор

    Возьмем для примера КТ117, фрагмент из его спецификации показан на рисунке 8.


    Рис 8. КТ117, графическое изображение и схема замещения

    Проверка элемента выполняется следующим образом:

    Переводим мультиметр в режим прозвонки и проверяем сопротивление между ножками «В1» и «В2», если он незначителен, мы можем констатировать разбивку.

    Как проверить транзистор мультиметром, не выпаивая их цепи?

    Этот вопрос достаточно актуален, особенно в тех случаях, когда необходимо проверить целостность smd элементов. К сожалению, проверить мультиметром без выпайки с платы можно только биполярные транзисторы. Но и в этом случае нельзя быть уверенным в результате, так как нередки случаи, когда элемент p-n перехода зашунтирован низкоомным резистором.

    Ни одна современная схема не обходится без полупроводниковых устройств. Самым распространенным из них является транзистор и именно он часто выходит из строя. Причиной этого являются перепады напряжения, которые есть в наших сетях, нагрузках и т.д. Рассмотрим два способа проверки исправности транзистора с помощью мультиметра.

    Чтобы понять, работает он или нет, надо хотя бы в самых общих чертах знать, как он устроен и работает. Это активный электронный компонент, представляющий собой полупроводниковое устройство. Есть два основных типа — NPN и PNP. Каждый из них имеет три электрода: базу, эмиттер и коллектор.

    Кратко сформулируем принцип работы транзисторов таким образом, это управляемый электронный ключ. Он пропускает ток в направлении от коллектора к эмиттеру в случае типа НПН и от эмиттера к коллектору в случае ПНП, при наличии напряжения на базе. Более того, изменяя потенциал на базе, мы изменяем степень «открытости» перехода, регулируя величину пропускаемого тока. То есть, если на базу подается больший ток, мы имеем больший ток коллектор-эмиттер, мы уменьшаем потенциал на базе, и мы уменьшаем ток, протекающий через транзистор.

    Еще одна важная вещь, которую нужно знать, это то, что ток не может течь в противоположном направлении. И неважно, есть потенциал на базе или нет. Он всегда течет в направлении, указанном стрелкой на диаграмме. Собственно, это вся информация, которая нам нужна, чтобы знать, как работает транзистор.

    Цоколевка

    У биполярных транзисторов средней и большой мощности цоколевка в основном одинаковая, слева направо — эмиттер, коллектор, база. Лучше проверить на маломощные транзисторы. Это важно, потому что эта информация понадобится нам при определении здоровья.

    Внешний вид биполярного транзистора средней мощности и его цоколевка

    То есть если нужно определить рабочий или нет биполярный транзистор, нужно искать его цоколевку. Если хотите убедиться или не знаете, где находится «лицо», то ищите информацию в справочнике или набирайте на компьютере «имя» своего полупроводникового прибора и добавляйте слово «datasheet». Это транслитерация с английского Datasheet, что переводится как «технические данные». По этому запросу вы получите список характеристик устройства и его распиновку.

    Как проверить транзистор встроенным мультиметром

    Начнем с того, что есть мультиметры с функцией проверки работы транзистора и определения коэффициента усиления. Их можно определить по наличию характерного блока на передней панели. Имеет гнездо для установки транзистора, круглую цветную пластиковую вставку с отверстиями для ножек полупроводникового прибора. Цвет вставки может быть любым, но обычно он выделяется.

    В первую очередь переводим переключатель диапазонов (большая ручка) в соответствующее положение. Определить режим можно по надписи — hFE. Перед проверкой транзистора мультиметром определяем тип NPN или PNP.

    Далее рассмотрим разъемы, в которые необходимо вставлять электроды. Обозначаются латинскими буквами: Е – эмиттер, В – база, С – коллектор. В соответствии с надписями вставляем выводы полупроводникового элемента в гнезда. Через несколько мгновений на экране отображается результат измерения, это коэффициент усиления транзистора. Если прибор неисправен, то показаний не будет, неисправен транзистор.

    Как видите, проверить рабочий или нет транзистор легко мультиметром со встроенной функцией проверки. Но не все электроды нормально вставляются в гнёзда. Транзисторы удобно ставить с тонкими выводами С9014, С8550, КТ3107, КТ3102. У крупных надо менять форму выводов пинцетом или пассатижами, но так транзистор на плате не проверишь. В ряде случаев проще проверить переходы транзистора в режим прозвонки и определить его исправность.

    Проверка платы

    Для проверки транзистора мультиметром без пайки, либо нужен мультиметр с функцией прозвонки диода. Переключаем переключатель в это положение, подключение щупов стандартное: черный к общему звену (СОМ или со значком земли), красный к среднему (гнездо для измерения сопротивления, тока, напряжения).

    Как проверить транзистор мультиметром без пайки

    Чтобы понять принцип проверки, надо вспомнить строение биполярных транзисторов. Как уже было сказано, они бывают двух типов: PNP и NPN. То есть это три последовательные области с двумя переходами, объединенные общей областью — базой.

    Структура биполярного транзистора и как его можно представить, чтобы понять как мы его будем проверять

    Условно этот прибор можно представить как два диода. В случае типа ПНП они соединяются навстречу друг другу, в случае НПН — зеркально. Это изображение на картинке в правой колонке и никоим образом не показывает устройство этого полупроводникового прибора, а поясняет, что мы должны увидеть при наборе номера.

    Проверка биполярного транзистора PNP

    Итак, начнем с проверки биполярного типа PNP. Вот что у нас должно получиться:


    Итак, PNP-транзистор откроется только при подаче плюса на эмиттер или коллектор. Если при испытаниях обнаруживаются хоть какие-то отклонения, элемент неисправен.

    Проверяем исправность NPN-транзистора

    Как видите, в NPN-устройстве ситуация будет иной. На практике получается диаметрально противоположно:

    • Если подать плюс (красный щуп) на базу, а минус на эмиттер или коллектор, то переход будет разомкнут, на экран будут выведены показания — от 600 до 800 мВ.
    • Если поменять местами щупы: плюс на коллектор или эмиттер, минус на базу — переходы заблокированы, тока нет.
    • При прикосновении щупами к эмиттеру и коллектору тока все равно быть не должно.

    Как видите, это устройство работает в обратном направлении. Для того, чтобы понять, рабочий транзистор или нет, нужно знать его тип. Только так мы можем проверить транзистор мультиметром, не выпаивая его из платы.

    И еще раз обращаем ваше внимание на то, что картинки с диодами никак не отражают устройство этого полупроводникового прибора. Они нужны только для понимания того, что мы должны увидеть при проверке переходов. Это облегчает запоминание и понимание показаний на экране мультиметра.

    Как определить базу, коллектор и эмиттер

    Иногда бывают ситуации, когда нет под рукой справочника и возможности найти распиновку в интернете, а надпись на корпусе транзистора стала нечитаемой. Тогда по схемам с диодами можно опытным путем подобрать базу и определить тип устройства.

    Перебором ищем положение щупов, при котором «звенят» все три электрода. Заключение относительно того, какие показания появляются на двух других, будет основанием. Поэтому к базе прикладывается плюс-минус, определяем тип, ПНП или НПН. Если даем плюс на базу — это тип NPN, если минус — это PNP.

    Чтобы определить, где находится эмиттер, а где коллектор, нужно во время измерения сравнить показания мультиметра. На эмиттере всегда больше ток. Так мы найдем опытным путем базу, эмиттер и коллектор.

    Современные электронные мультиметры имеют специализированные разъемы для проверки различных радиодеталей, в том числе и транзисторов.

    Это удобно, однако проверка не совсем корректна. Опытные радиолюбители помнят, как проверить транзистор тестером со стрелочной индикацией. Методика проверки цифровых приборов не изменилась. Для точного определения состояния полупроводникового прибора каждый элемент тестируется отдельно.

    Классический вопрос: как проверить биполярный транзистор мультиметром

    Этот популярный проводник выполняет две функции:

    • Режим усиления сигнала. При получении команды на управляющие выходы устройство дублирует форму сигнала на рабочих контактах, только с большей амплитудой;
    • ключевой режим. Подобно крану, полупроводник открывает или закрывает путь электрического тока по команде управляющего сигнала.

    Полупроводниковые кристаллы соединены в корпусе с образованием p-n переходов . Та же технология используется в диодах. Фактически биполярный транзистор состоит из двух диодов, соединенных в одной точке с одинаковыми выводами.
    Чтобы понять, как проверить транзистор мультиметром, рассмотрим разницу между конструкциями pnp и npn.

    Так называемый «прямой» (см. фото)


    С обратным переходом, как показано на фото


    Конечно, если припаять диоды так, как показано на принципиальной схеме, транзистор работать не будет. Но с точки зрения проверки исправности можно представить, что у вас обычные диоды в одном корпусе.

    То есть, положив перед собой схему полупроводниковых переходов, можно легко определить не только исправность детали в целом, но и локализовать конкретный неисправный p-n переход. Это поможет понять причину поломки, ведь полупроводник работает не автономно, а в составе электрической цепи.

    Как проверить биполярный транзистор мультиметром — видео.

    Возникает резонный вопрос: Как определить маркировку выводов транзистора без каталога? Эта практика полезна не только для проверки радиодеталей. При сборке печатной платы незнание конструкции транзистора приведет к его перегоранию.

    Детектор СФЕРА-2 для наблюдения ШАЛ в диапазоне энергий 1 ПэВ — 1 ЭэВ – arXiv Vanity

    Р.А. Антонов Э.А. Бонвеч Д.В. Чернов Т.А. Джатдоев М. Фингер мл. М. Палец Д.А. Подгрудков Т.М. Роганова СРЕДНИЙ. Широков Я. Вайман Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Российская Федерация Карлов университет, факультет математики и физики, Прага, Чехия Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Российская Федерация Физический факультет Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Российская Федерация

    Аннотация

    Описан аэростатный обнаружитель СФЕРА-2, предназначенный для наблюдения за широкими атмосферными ливнями (ШАЛ) с использованием оптического излучения ШАЛ Вавилова-Черенкова («черенковского света»), отраженного от заснеженной поверхности озера Байкал. Мы кратко обсудим концепцию метода отраженного черенковского света, охарактеризуем условия на экспериментальной площадке и рассмотрим конструкцию привязного аэростата, используемого для подъема телескопа СФЕРА-2 над поверхностью. Эта статья в основном посвящена подробному техническому описанию детектора, включая его оптическую систему, чувствительные элементы, электронику и систему сбора данных (DAQ). Представлены результаты некоторых лабораторных и полевых испытаний оптической системы.

    ключевых слов:
    детектор, ФЭУ, электроника, излучение Вавилова-Черенкова, ШАЛ

    журнал: Астрофизика элементарных частиц

    1 Введение

    В диапазоне энергий E>1 ПэВ первичные космические лучи (КЛ) регулярно изучаются путем наблюдения за инициируемыми ими в атмосфере каскадами — так называемыми широкими атмосферными ливнями (ШАЛ). Для изучения состава первичных КЛ необходима точная оценка параметров ЭАС. К сожалению, при E>100 ПэВ плотные массивы ШАЛ на уровне земли, такие как KASCADE Antoni2005 , EAS-TOP Aglietta2004 и CASA-BLANCA Fowler2001 дают низкие статистические результаты из-за очень низкого потока первичных КЛ таких энергий. При таких энергиях ввиду ограниченного бюджета эксперимента приходится либо снижать качество данных, либо придумывать другие методы регистрации ШАЛ.

    Наблюдение отраженного оптического излучения Вавилова-Черенкова («черенковского света») ШАЛ – перспективный метод исследования КЛ в диапазоне энергий 1 ПэВ–10 ЭэВ АНТОНОВ201924 ; Антонов: 2015xta . Такой подход позволяет измерить форму функции поперечного распределения (ФРП) вблизи оси (R<50 м) Антонов:2015aqa . Эта область ЛДФ считается наиболее информативной частью ЛДФ с точки зрения чувствительности к составу ANTONOV201924 ; сфера2009ФИАН-рус . Кроме того, параметры черенковского легкого ЛДФ обычно намного меньше зависят от модели взаимодействия адронов высоких энергий, чем параметры мюонной компоненты ШАЛ.

    Эксперимент «СФЕРА» — первая успешная попытка регистрации и реконструкции значительного числа ШАЛ методом отраженного черенковского света (ОТЧ) Антонов:2015xta . Эти наблюдения проводились с помощью детектора СФЕРА-2 на озере Байкал с использованием привязного аэростата («БАПА» — транслитерированная аббревиатура от русского «Байкальский привязной шар»).

    Концепция эксперимента СФЕРА представлена ​​на рис. 1. Детектор СФЕРА-2 наблюдает черенковское излучение ШАЛ, обозревая часть поверхности озера Байкал площадью ≈(3/4)⋅h3. Направление первичной частицы реконструируется с использованием временной информации, а ее энергия оценивается с использованием полного черенковского светового потока и формы ЛДФ Антонов:2015aqa . Статистическая погрешность определения энергии составляет 10–20 % в зависимости от энергии и условий наблюдения. Наконец, по форме ЛДФ ANTONOV201924 удалось определить долю маломассивного компонента КЛ; Антонов:2015xta ; Антонов:2015aqa .

    Рисунок 1: Концепция наблюдения отраженного черенковского света в эксперименте СФЕРА.

    Данная статья в основном посвящена техническому описанию детектора СФЕРА-2. Также описаны условия наблюдения и конструкция баллона БАПА. Обсуждается применимость подхода RCL к наблюдениям ШАЛ. Было продемонстрировано, что оба спектра всех ядер (подраздел 6.1  Антонов:2015xta и сфера2013JP-результаты ) и композиция Антонов:2015aqa могут быть успешно реконструированы с помощью метода отраженного черенковского света. В настоящее время проводится более подробный анализ с улучшенным учетом систематических эффектов, и результаты этого анализа будут опубликованы в другом месте.

    Рисунок 2: Привязной аэростат «БАПА» вместе с наземным оборудованием стартовой площадки. Воздушный шар показан во время дневного испытательного полета с эквивалентной нагрузкой для регулировки угла атаки. На врезке (вверху слева) показан детектор СФЕРА-2, подвешенный под аэростатом БАПА во время ночного полета.

    2 Условия на экспериментальной площадке

    Все измерения детектором СФЕРА-2 проводились в Байкальском национальном парке. Для этой местности характерен низкий уровень загрязнения воздуха и светового загрязнения. Стартовая площадка привязного аэростата располагалась на льду оз. Байкал на расстоянии около 1 км от берега в точке с координатами N 51∘47′49″, E 104∘23′19″, 455 м. над уровнем моря. Это место находится в нескольких километрах от Байкальского нейтринного телескопа ГВД2018 . До площадки эксперимента СФЕРА можно добраться по Кругобайкальской железной дороге, которая в настоящее время редко используется; его присутствие не повлияло на измерения.

    Хорошая прозрачность атмосферы и отсутствие лунного света являются критическими факторами для успешной работы эксперимента СФЕРА. Прозрачность проверялась визуально, гарантируя отсутствие облаков и видимость Млечного Пути во время сеансов наблюдений. Достаточно толстый ледяной покров (не менее 50 см) также необходим для того, чтобы выдержать большую нагрузку судов, наполненных гелием (не менее 3 т) и другого оборудования, необходимого для запуска шара (подробнее см. Раздел 3). Эти условия выполняются на Байкале в конце февраля и в марте.

    Наконец, предложенный метод регистрации ШАЛ также чувствителен к свойствам снежной поверхности, подробное обсуждение которого выполнено в АНТОНОВ201924 и показано, что неопределенности, связанные со снежной поверхностью, не ухудшают результаты черенковского световые измерения и реконструкция параметров ШАЛ. В ходе измерений стабильность коэффициента отражения от снега периодически контролировалась люксметром.

    С учетом лунного цикла и ледовой обстановки возможно проведение одного-двух сеансов измерений в год продолжительностью около 10 дней каждый. В среднем около половины ночей во время этих сеансов подходят для измерений.

    Рисунок 3: Телескоп СФЕРА-2 на поверхности озера Байкал (март 2013 г.).

    3 Воздушный шар БАПА

    Привязной аэростат БАПА (см. рис. 2) разработан компанией Авгур-РосАэроСистемы Росаэросистемы специально для нужд эксперимента СФЕРА. БАПА представляет собой баллон переменного объема с широким диапазоном рабочего давления. Размеры аэростата следующие: длина — 15,57 м, диаметр — 5,75 м; его начальный/максимальный объем 225/250 м3. Система контракции состояла из 133 резиновых тросов, которые обеспечивали значения избыточного давления 200 Па и 585 Па (т.е. давление выше внешнего давления воздуха) при минимальном и максимальном объеме баллона соответственно. Для дальнейшего контроля избыточного давления был установлен автоматический клапан, открывающийся при значениях избыточного давления около 750 Па и закрывающийся при значениях избыточного давления около 650 Па. Также внутри объема баллона был установлен датчик перепада давления и температуры (см. описание ниже). Это позволяло выбирать оптимальную рабочую высоту и контролировать вертикальную скорость при начальном наборе высоты.

    Оболочка аэростата «БАПА» объемом 250 м3 изготовлена ​​из ламинированной газонепроницаемой ткани Lamcotec lamcotec на нейлоновой основе. Оболочка была дополнена перевернутым Y-образным трехплоскостным оперением для стабилизации полета. По заявлению производителя аэростат имел максимальную высоту полета 1000 м с рабочей температурой на этой высоте от −30∘C до +20∘C и рабочей скоростью ветра до 20 м/с. Максимальная полезная нагрузка составляла 80 кг с запасом 30 кг на высоте 1 км.

    Баллон удерживался стальным тросом диаметром 3,1 мм и плотностью 41,1 г/м с расчетной максимальной рабочей нагрузкой 800 кг. Такелажные стропы аэростата крепились к тросу через вертлюг, чтобы обеспечить свободное вращение аэростата и возможность ориентации по ветру. На другом конце трос проходил через шкив, закрепленный на поверхности льда, к электрической лебедке.

    Рисунок 4: Схема детектора СФЕРА-2.

    4 Детектор СФЕРА-2

    Собранный телескоп СФЕРА-2 показан на рис. 3. Принципиальная схема этого детектора представлена ​​на рис. 4. Он состоял из сферического зеркала, мозаики фотоумножителя (ФЭУ) и блока управления. Каждый ФЭУ имел свой сигнальный кабель. Модули питания ФЭУ устанавливались непосредственно на каждый ФЭУ и управлялись через интерфейс I2C I2C_spec индивидуально с помощью коммутатора, расположенного на мозаике.

    4.1 Оптическая система

    Телескоп СФЕРА-2 (см. рис. 5) выполнен на основе оптической системы Шмидта без пластины-корректора. Эта упрощенная конструкция страдает сферическими аберрациями, но подходит для наших целей, поскольку площадь сфокусированного светового луча сравнима с пространственным разрешением мозаики.

    Рисунок 5: Оптическая схема телескопа СФЕРА-2.

    Зеркало телескопа СФЕРА-2 имело диаметр D= 1,5 м, радиус кривизны Rc= 0,94 м и состоял из семи сегментов. Сегменты были изготовлены из многослойной углеродной ткани, покрытой отражающим алюминиевым слоем толщиной 120 нм и прозрачным защитным слоем SiO2 толщиной 40 нм. Интегральное представление функции рассеяния точки (ФРТ) зеркала, а именно доли полной энергии, попадающей в определенный радиус (функция распределения ФРТ), показано на рис. 6 для светового пучка, параллельного оси детектора. PSF был рассчитан с помощью общедоступного программного обеспечения OSLO EDU (версия 6.6) OSLO и представлен на рис. 6 (врезка) для трех значений угла падения. Все эти расчеты выполнены для параллельных балок. Асимметрия пятна под углами 19∘ и 26∘ обусловлена ​​тенью от мозаики. Общий диаметр ФРТ составляет около 50 мм, что сравнимо с расстоянием между центрами соседних ФЭУ. Таким образом, излучение любого источника на снежной поверхности в пределах поля зрения (FOV) телескопа СФЕРА-2 будет давать существенный сигнал, независимо от местоположения этого источника.

    Рисунок 6: Функция распределения PSF для нормального падения. На вставке (справа) показано изображение ФРТ при нормальном падении (внизу), а также при углах падения 19° (посередине) и 26° (вверху).

    Проверка оптических свойств зеркала проводилась с использованием источника света на основе сверхъяркого светодиода (СИД) APRL-20W-EPA-3040-PW, установленного в центре экрана 100×100 мм за диафрагмой 5 мм с диффузор. Источник света был установлен на стенде, расположенном на оптической оси установки вблизи центра кривизны зеркала. ФРТ всех сегментов были одинаковыми, диаметром около 15 мм (это уширение изображений отражения связано с неидеальной текстурой отражающей поверхности). Фокусные расстояния всех сегментов оказались одинаковыми. Наконец, изображения сегментов в отражении не выявили никаких признаков механической деформации.

    Перед началом наблюдений все семь сегментов были собраны и еще раз проверены с использованием того же источника света. На полученном изображении было обнаружено одно световое пятно диаметром 20 мм (см. рис. 7). Данная процедура проверки зеркала выполнялась на открытом воздухе при температуре воздуха, близкой к зафиксированной во время испытательных полетов.

    Рисунок 7: Изображение светодиодного источника света, сформированное с помощью собранного 7-сегментного зеркала.

    После сборки зеркала на 100 мм выше центра кривизны зеркала была установлена ​​диафрагма диаметром 0,93 м, а на 420 мм ниже зеркала (∼520 мм выше центра кривизны зеркала и ∼50 мм выше его фокальной точки) – мозаика ФЭУ. ). Сама мозаика имела форму сегмента усеченной сферы с кривизной 526 мм, внешним радиусом 250 мм и общей высотой 300 мм (см. рис. 5).

    4.2 Мозаика ФЭУ

    Мозаика состояла из 108 ФЭУ-84-3 ФЭУ84 и одного ФЭУ Hamamatsu R3886 R3886 . ФЭУ-84-3 имеет мультищелочной (Sb-K-Na-Cs) фотокатод диаметром 25 мм с модулятором и мелкоячеистой 12-каскадной динодной системой. Он чувствителен в диапазоне длин волн 300–800 нм с максимальной чувствительностью в районе 420–550 нм. Типичная пиковая квантовая эффективность ФЭУ-84-3 составляет около 18% Антонов2016 . ФЭУ Hamamatsu R3886, установленный в центре мозаики, имел двухщелочной (Sb-K-Cs) фотокатод диаметром 34 мм и 10-ступенчатую динодную систему с круглой клеткой. Он чувствителен в диапазоне длин волн 300–650 нм с максимальной чувствительностью около 25 % в районе 420 нм Антонов2016 .

    На каждом ФЭУ был установлен высоковольтный источник питания (ВИП). ФЭУ с источником питания образовывал оптический модуль (ОМ) (см. рис. 8). ОМ были плотно упакованы в мозаику, поэтому каждый ОМ был закрыт алюминиевой фольгой для уменьшения перекрестных помех ФЭУ. Для питания и управления РЭ использовался четырехжильный экранированный кабель длиной 30 см; два провода использовались для подачи питания 15 В, а два других провода – для передачи команд и данных телеметрии через интерфейс I2C. ОМ подключались параллельными парами (с использованием нечетных и четных адресов в паре) к плате-коммутатору, расположенной непосредственно на мозаике. Аналоговые выходные сигналы со всех ФЭУ передавались на считывающую электронику в блоке управления по коаксиальным кабелям RG-174A/U длиной 3 м с волновым сопротивлением 50 Ом. Мозаика ФЭУ была защищена от ветра, но располагалась вне термостата. Мозаика имела более высокую температуру, чем наружный воздух из-за тепла от высоковольтных источников питания.

    Рисунок 8: Оптический модуль с ФЭУ-84-3 и высоковольтным источником питания. Рисунок 9: Схема высоковольтного источника питания для ФЭУ.

    4.3 Источники питания высокого напряжения

    HVPS представлял собой компактное (62×25×25 мм) устройство с 11 выводами для подключения ФЭУ-84-3. Схема ВИП представлена ​​на рис. 9. ВИП состояла из двух плат: умножителя напряжения и платы управления ВИП. Умножитель напряжения выполнен по схеме Кокрофта-Уолтона с двумя RC-цепочками на каждом диноде. Эти RC-цепи позволяют отфильтровывать низкочастотные колебания напряжения и высокочастотный шум, обеспечивая тем самым стабильность напряжения динода на уровне 2 мВ. Умножители были сконструированы с использованием высоковольтных конденсаторов 0,47 мкФ 240 В (GRM43DR72E474KW01 murata ) и диоды SM4005PL MCC с максимальным обратным напряжением 600 В. Фильтры были построены с использованием конденсаторов той же линейки, но с разными напряжениями, соответствующими напряжениям динодов. Все выходные контакты умножителя были напрямую подключены к контактам ФЭУ, кроме выхода HV10, который был подключен к модулятору ФЭУ для эффективного сбора фотоэлектронов на первом диноде. Плата умножителя напряжения была покрыта толстым слоем силиконового герметика для электрической изоляции и подавления утечек и разрядов.

    На плате управления HVPS размещались индуктивный насос MAX1847, , MAX1847, для генерации импульсов высокого напряжения и 8-разрядный чип Analog Devices AD5245BRJ50, , AD5245BRJ50, , цифро-аналоговый преобразователь (ЦАП) для управления высоким напряжением в диапазоне 800–1500 В. Это напряжение устанавливалось в соответствии со значением, записанным в выходной регистр через интерфейс I2C. Плата контролировала все напряжения относительно выходного значения HV2.

    Другой 4-канальный 12-битный Analog Devices AD79Микросхема медленного АЦП 94BRU AD7994BRU использовалась для управления выходным напряжением HV1, входным напряжением +15 В, средним анодным током ФЭУ с точностью до 0,1 мкА и температурой платы источника питания с термистором B57621C0474J062 NTC EPCOS . Цифровой выход ALERT/BUSY микросхемы AD7994BRU использовался для включения и выключения индуктивной накачки. После включения питания +15В высокое напряжение оставалось выключенным. Высокое напряжение можно было активировать только командой через интерфейс I2C.

    Напряжения на всех остальных (HV2-HV11) выходах не измерялись во время экспериментальных прогонов, а оценивались с использованием напряжения HV1. Зависимость напряжений ВН2-ВН11 от напряжения ВН1 исследовалась на партии случайных ВИП.

    Потребляемая мощность HVPS составляла менее 90 мВт при усредненном во времени анодном токе ФЭУ 100 мкА. В темных условиях (без света на фотокатоде ФЭУ) потребляемая мощность HVPS снизилась до 35 мВт.

    4.4 Мозаичный коммутатор

    Мозаичный коммутатор устанавливался ниже РЭ (общий вид платы коммутатора см. на рис. 10) и состоял из двух плат: объединительной платы со всеми пассивными элементами (фильтры, предохранители и разъемы для подключения питания и управления ВИП) и вставная основная плата, на которой размещены все микросхемы, датчики, стабилизация питания +3,3 В и т. д. Такая конструкция была использована для облегчения замены вышедших из строя активных компонентов без полной разборки мозаики.

    Рисунок 10: 64-канальная плата коммутатора I2C, установленная на мозаике ФЭУ.

    Принципиальная схема коммутатора представлена ​​на рис. 11. Коммутатор служил для доступа бортового компьютера к каждому из ОМ по интерфейсу I2C. Поскольку в бортовом компьютере не было встроенной поддержки I2C, интерфейс эмулировался с использованием сигнальных линий порта LPT. Для преобразования команд использовались две микросхемы Analog Device ADuM1251 ADuM1251 , одна для сигналов SCL и SDA, а другая для независимого сигнала RESET, переключающего коммутатор в исходное состояние (сразу после подачи питания).

    Рисунок 11: Функциональная схема 64-канальной платы коммутатора I2C.

    Ядро коммутатора состояло из восьми микросхем NXP Semiconductor PCA9547PW PCA9547 , каждая с восемью каналами I2C (всего 64 канала). Каналы 1–56 использовались для коммутации ОМ. Поскольку OM с нечетными и четными адресами могут быть подключены к интерфейсу I2C параллельно, всего можно было бы использовать 112 OM. Питание ОМ осуществлялось через плату коммутатора. Каждый РЭ подключался к шине питания +15 В через самовосстанавливающийся предохранитель MF-R005  MF-R005 с максимальным током 50 мА.

    Каналы 57–62 были зарезервированы для различных датчиков. Датчик Analog Devices AD7415 AD7415 регистрировал температуру на мозаике. Коммутатор мозаики ФЭУ имел магнитометр и инклинометр (см. рис. 4) для контроля ориентации мозаики (поворот и наклон соответственно). Поскольку детектор СФЕРА-2 свободно подвешивался под шаром «БАПА», для восстановления геометрических параметров ливня необходимо учитывать наклон мозаики.

    Магнитометр Honeywell HMC6352  HMC6352 (сейчас не производится) был установлен на 18 см ниже платы коммутатора для контроля ориентации мозаики в горизонтальной плоскости с точностью ±2,5∘. 2-х осевой инклинометр НС-25/DQL2-IXA инклинометр устанавливался непосредственно на основную плату коммутатора и позволял измерять наклон детектора относительно горизонтальной плоскости с точностью 0,1∘ (0,3∘ во всем диапазоне температур). ). В ходе наблюдений наклон детектора составлял около 3∘ в безветренную погоду (система подвески детектора была не очень точной) и до 18∘ в ветреную погоду.

    4.5 Блок управления

    Электроника размещена в термостойком контейнере над оптической частью детектора СФЕРА-2. Вся электроника была смонтирована в 19-дюймовом крейте глубиной 240 мм с 21 слотом для модулей высотой 6U. Для подключения электронной платы использовалась пассивная кросс-ISA плата PCA-6120 Advantech с 20 слотами. В ящике размещались четырнадцать 8-канальных плат FADC, плата триггера, плата калибровки светодиодов (которая также содержала внешние датчики давления и температуры) и бортовой компьютер (см. рис. 12). Блок управления имел два датчика температуры для измерения температуры снаружи и внутри блока. В случае перегрева электроники включалась система охлаждения. Другой датчик использовался для измерения температуры внутри оболочки воздушного шара.

    Рисунок 12: Передняя панель электроники.
    4.5.1 Измерительные каналы

    На рис. 13 представлена ​​логическая схема измерительного канала детектора СФЕРА/В2. Канал состоял из двух 10-разрядных АЦП Analog Devices AD9203ARU AD9203ARU с частотой дискретизации 40 МГц и двух операционных усилителей AD8011 AD8011 с коэффициентом умножения −30,0±0,3. Сигнал анодного тока от ОМ разветвлялся на эти два усилители, где он был инвертирован и усилен. Затем сигнал подавался на два АЦП, которые отправляли оцифрованные значения сигнала на микросхему FPGA каждые 25 нс. Сигналы синхронизации подавались на АЦП со сдвигом между ними на 180∘, поэтому анодный сигнал оцифровывался каждые 12,5 нс.

    В микросхеме XILINX FPGA Xilinx (чип конфигурации битового потока) реализован алгоритм обработки цифровых потоков данных. Схема этой процедуры показана на рис. 14. Сначала входящие сигналы разветвлялись на линии задержки 6,4 мкс. Далее сигнал от одной из двух полученных ветвей направлялся на интегратор, вычислявший интегральный сигнал Aint за последние 100 нс (другая ветвь на данном этапе не учитывалась). Затем этот интегральный сигнал сравнивался с порогом Athr, который устанавливался индивидуально для каждого канала. Если Aint>Athr, на плату триггера посылался сигнал дискриминатора.

    Когда плата триггера выдавала «триггерный» сигнал, информация, собранная АЦП за последние 12,8 мкс, копировалась в специально разработанный буфер. Использование линий задержки и буфера позволило записывать сигнал не только вокруг и после момента запуска, но и до этого момента. Буфер способен хранить четыре события. Время, необходимое для чтения одного события из буфера и записи этой информации на твердотельный накопитель (SSD), составило примерно 0,25 с. Поскольку каждое «триггерное» событие сопровождалось событием калибровки, максимальная частота считывания события составляла около 2 Гц.

    Рисунок 13: Функциональная схема одноканального FADC. Рисунок 14: Схема системы сбора данных (DAQ) детектора СФЕРА-2.

    Сигналы дискриминатора непрерывно отправлялись на триггер. Если бы система запуска генерировала сигнал запуска, когда буфер был заполнен, система сбора данных установила бы флаг запуска в 1 и записала 12,8 мкс данных из канала сразу после освобождения буфера. Это приводило к «мертвому времени» детектора. Такая ситуация нетипична для условий работы детектора СФЕРА-2, но все же иногда возникает из-за перекрестных помех ОМ или высокого уровня освещенности.

    Плата измерительного канала, показанная на рис. 15, имела 8 входных разъемов SMA для аналоговых сигналов. Плата состояла из четырех микросхем XILINX Spartan3 XC3S200-4TQ144I XILINX_Spartan FPGA (по одной микросхеме на четыре АЦП или на два канала). Микросхема XILINX CoolRunner XCR3128XL-10TQ144I XCR3128XL CPLD использовалась в качестве клиентского контроллера шины ISA и загрузчика программ для FPGA.

    Рисунок 15: 8-канальная плата FADC.

    Каждая плата канала флэш-АЦП имела отдельный вторичный источник питания. Напряжение шины ISA +5 В было преобразовано в четыре выходных напряжения +2,8 В, -2,8 В, +2,5 В и +1,2 В. Для положительных напряжений MAX1556 9Использовалась микросхема понижающего DC-DC преобразователя 0960 MAX1556 с КПД до 97% и максимальным током 1,2А. Для отрицательного напряжения использовался преобразователь напряжения на переключаемых конденсаторах ADM8660 ADM8660 , который инвертировал +2,8 В в -2,8 В. Суммарная потребляемая мощность платы в полном рабочем режиме была ниже 2 Вт. Спящий режим использовался, когда плата FADC была отключена. загрузился, но ждал начала измерений. В этом режиме все преобразователи были отключены, а потребляемая мощность составляла около 10 мВт. Только микросхема CPLD работала в качестве супервизора и непрерывно ждала команд. Также появилась возможность измерения температурного режима двумя датчиками и напряжения питания дополнительным AD79.Микросхемы АЦП 94BRU AD7994BRU .

    Рисунок 16: Триггерная плата.
    4.5.2 Триггер

    Триггерная система имела 112 входных каналов (109 основных и 3 резервных), которые принимали сигналы дискриминатора от измерительных каналов. Плата запуска показана на рис. 16. Логическая модель мозаики ФЭУ была загружена в микросхему XILINX Spartan XC3S400 FPGA XILINX_Spartan на этапе загрузки детектора. Система запуска детектора поддерживала несколько условий запуска, некоторые из которых могли быть активны одновременно. Два «локальных» условия L2 и L3 (требующие, чтобы по крайней мере два или три (соответственно) соседних канала генерировали сигналы дискриминатора во временном окне 1 мкс) и четыре «глобальных» условия G3, G4, G5 и G7 (требующие, чтобы были доступны не менее трех, четырех, пяти или семи (соответственно) каналов с любым количеством для получения сигналов дискриминатора во временном окне 1 мкс). Триггерная система одновременно использовала одно локальное и одно глобальное условие.

    Плата триггера имеет порт синхронизации для разъема входа сигнала PPS модуля GPS. Входной разъем внешнего триггера позволял создавать принудительные внутренние триггерные сигналы, которые можно было использовать для записи кадров данных с электронным шумом и фоновым светом. Кроме того, триггер мог быть принудительно запущен программной командой. Выходной порт триггера использовался для отправки сигналов на калибровочную плату для получения калибровочных кадров Антонов2016 .

    Рисунок 17: Калибровочная плата.
    4.5.3 Калибровочная плата

    Плата калибровки светодиодов является важной частью извещателя СФЕРА/̄2. Эта плата позволяла производить автоматическую оперативную относительную калибровку каждого ФЭУ в мозаике для каждого обнаруженного события. Это, в свою очередь, позволило уменьшить неопределенность в реконструкции ЛДФ. Подробное описание процедур калибровки СФЕРА/̄2 приведено в Антонов 2016 .

    Калибровочная плата (показана на рис. 17) включает в себя семь драйверов для светодиодов Foryard FYL-5013VC1V foryard_cite с максимальным коэффициентом излучения около 402–405 нм. Светодиоды устанавливались на плату (в термостабилизированном боксе), а свет передавался на мозаику по оптическим волокнам. Драйверы светодиодов позволяли формировать световые импульсы с запрограммированной интенсивностью и близкой к прямоугольной форме. Амплитуда импульсного напряжения задавалась индивидуально для каждого светодиода в диапазоне 3,3–8,9 В с помощью ЦАП AD5245BRJ50 AD5245BRJ50 (такой же, как в ВИП) и стабилизатора напряжения LM217 LM217 . Импульс прямоугольной формы формировался с помощью дифференциального каскада на транзисторах КТ972А Интеграл_972 и КТ973А Интеграл_973 и переключателя «вкл-выкл» на микросхеме КП1533ЛЕ1 (аналог СН74АЛС02 ТИ_СН74АЛС02А ). Длительность импульсов и порядок переключения (см. таблицу в Antonov2016 ) контролировались микропрограммой калибровочной платы, загруженной в микросхему CPLD XILINX XCR3128XL XCR3128XL .

    Серия калибровочных вспышек была запущена внешним входом с платы триггера или командой программного обеспечения (используется только в целях тестирования, поскольку этот способ относительно медленный). Задержка между приходом триггерного сигнала и первой вспышкой светодиода устанавливалась в прошивке ПЛИС. Драйверы светодиодов питались от линии +12 В с помощью TMA0512S TRACO Преобразователь постоянного тока в постоянный. 8-й канал калибровочной платы был зарезервирован для лампы накаливания, используемой для имитации мозаичного освещения фоном звездного света.

    На калибровочную плату был установлен локальный датчик давления и температуры HP03S HP03S . Поскольку условия в термостатическом боксе могли отличаться от внешних условий, был использован дополнительный (внешний) датчик давления и температуры, а на переднюю панель калибровочной платы был добавлен дополнительный разъем для этого датчика. А также датчик перепада давления CPCL04DFC  CPCL04DFC использовался для контроля избыточного давления внутри баллона (см. раздел 3) во время первоначального наполнения баллона и на каждом этапе полета. Избыточное давление быстро увеличивается с высотой, но медленно уменьшается с течением времени на постоянной высоте из-за охлаждения газа в воздушном шаре. Напомним, что при избыточном давлении 750 Па предохранительный клапан открывается, что приводит к потере газа. Таким образом, измерения избыточного давления оказались особенно полезными во время начального всплытия, что позволило нам выбрать такую ​​скорость всплытия, когда газ достаточно остынет, чтобы избежать ненужной утечки.

    4.5.4 Бортовой компьютер

    В качестве бортового компьютера использовался промышленный компьютер Advantech PCA-6781VE Advantech с процессором Intel Celeron M 600 МГц, работающий под управлением ОС Slackware Linux 13.37 Slack . Компьютер был напрямую подключен к измерительным платам, триггерной и калибровочной плате через ISA-шину (см. раздел 4.5). На передней панели компьютерной платы находились выключатель питания, выключатель нагревателя, четыре порта USB 2.0 для D-Link DWA-126  D-link_DWA126 Модуль Wi-Fi с подключением флешки и внешней антенной ANT24-1201  D-link_ANT24 . Кроме того, можно было подключить клавиатуру и монитор для прямого доступа и настройки ОС.

    Вторичные источники питания детектора находились внутри модуля бортового компьютера. Данные источники питания были собраны с использованием DC-DC преобразователей XP Power XP-Power ICh20024S05 (+5 В, 20 А), JTA1024S12 (+12 В, 0,83 А) и ICH5024WS15 (+15 В, 3,33 А) на отдельная плата источника питания низкого напряжения (LVPS) с XILINX Xilinx XCR3128XL Чип CPLD в качестве контроллера. Этот контроллер служил мостом между портом LPT и интерфейсом I2C. Интерфейс I2C, эмулированный на выводах LPT-порта бортового компьютера, использовался для доступа и управления мозаичным коммутатором ФЭУ (см. раздел 4.4) и вентиляторами системы охлаждения, а также для измерения напряжения и тока аккумуляторов основного источника питания.

    Сам бортовой компьютер питался от двух источников питания: +5 В и +12 В (см. рис. 18). Так как рабочие температуры компьютера были от 0∘ до 60∘ C, на задней стороне платы компьютера был установлен электрический нагреватель мощностью 25 Вт, чтобы обеспечить нормальную загрузку при температуре окружающей среды около -20 ∘ C. Нагрев требовал 10-15 минут и после успешной загрузки системы обогреватель отключался, так как бортовая электроника при работе выделяла достаточно тепла для поддержания необходимого диапазона температур.

    Рисунок 18: Бортовой компьютер и блок питания.

    4.6 Передача данных и телеметрия

    Аппарат СФЕРА-2 имел многочисленные датчики температуры и давления для контроля как условий полета, так и состояния электроники, и был спроектирован как полностью автоматический. Однако в блок управления также входили Wi-Fi USB-адаптер и антенна, что позволяло управлять детектором дистанционно с земли. Для поддержания связи на расстоянии более 300 м использовалась направленная антенна, поэтому Wi-Fi соединение было нестабильным из-за изменения положения извещателя СФЕРА-2 из-за ветра. Сигнал пропадал, когда детектор выходил из конуса 45∘ относительно антенны. Эта проблема была решена путем изменения направления антенны вручную.

    Канал Wi-Fi использовался для передачи данных телеметрии, зарегистрированных уведомлений о событиях с краткими обзорами этих событий, а также для отправки команд на блок управления (в т.ч. обновление состояния срабатывания, включение ФЭУ, условия срабатывания и т. д.). Высота и координаты детектора СФЕРА-2 контролировались приборами Garmin 16HVS GPS GarminGPS через последовательный порт RS-232. У GPS был выходной сигнал PPS с точностью до 1 мкс, чтобы связать обнаруженные события с мировым временем. Датчик давления HP03S HP03S измеренное атмосферное давление снаружи блока. Датчик перепада давления CPCL04DFC CPCL04DFC с приборным усилителем INA128P INA128P позволял измерять избыточное давление внутри оболочки баллона с точностью лучше 3 Па. Мозаика ФЭУ была дополнена собственным датчиком температуры Analog Devices AD7415 AD7415 .

    4.7 Система электропитания

    За электроникой шесть блоков литий-ионных аккумуляторов UNB-01 (EL1901) общей емкостью около 900 Вт/ч были установлены в отдельном объеме. Система питания извещателя СФЕРА-2 использовала несколько батареек в упаковке и была спроектирована таким образом, чтобы можно было производить «горячую» замену батареек в пачке без необходимости выключения извещателя. При максимальной потребляемой аппаратом мощности около 50 Вт система питания гарантировала 15 часов стабильной работы. При минимальном энергопотреблении (бортовой компьютер активен, системы связи активны, температурный контроль активен, все остальные системы отключены) батареи обеспечивают питание детектора примерно на 50 часов. Второй блок из шести аккумуляторов и возможность горячей перезагрузки системы питания позволили поддерживать работу прибора в течение всей продолжительности цикла измерений (т.е. около 10 дней).

    5 Обсуждение и выводы

    В данной статье мы даем описание эксперимента СФЕРА с учетом всех изменений в конструкции детектора СФЕРА-2, внесенных после испытательных полетов 2008-2010 гг. Мы провели детальное моделирование отклика детектора СФЕРА-2, включая расчет его инструментальной акцептной способности (см. АНТОНОВ201924 ). В 2011-2013 гг. на озере Байкал было проведено три успешных замера, в результате которых было зарегистрировано более 103 событий ШАЛ Антонов:2015xta . Анализ и интерпретация экспериментальных данных приведены в Антонов:2015хта; Антонов:2015aqa . В этих работах показано, что метод регистрации ШАЛ по отраженному черенковскому свету можно использовать не только для восстановления энергии первичной частицы, но и для оценки состава КЛ. Проводится более подробный анализ с уточненным учетом систематики; его результаты будут опубликованы в другом месте.

    К сожалению, общее количество ливней, зарегистрированных детектором СФЕРА-2, все еще мало по сравнению с наземными установками типа KASCADE-Grande ape12 , EAS-TOP agl89 и TALE abb18 . В основном это связано с двумя причинами, а именно: 1) скромной чувствительной площадью и квантовой эффективностью используемого в эксперименте ФЭУ-84-3 ФЭУ, 2) техническими трудностями с поддержанием баллона «БАПА» в эксплуатационных условиях и некоторыми логистическими проблемами. Использование более чувствительных ФЭУ увеличило бы количество регистрируемых событий в несколько раз. Кроме того, условия российской зимы позволяют проводить до пяти измерений в год при достаточном запасе гелия. В целом ожидаемое количество событий после этих улучшений может возрасти примерно на порядок.

    Разработка аппаратуры детектора СФЕРА-2 в основном осуществлялась в период 2005-2010 гг. с использованием существующих и доступных на тот момент электронных компонентов и материалов. В настоящее время с увеличением функциональных возможностей и миниатюризацией электроники, а также с появлением новых кремниевых фотоумножителей стало возможным достижение тех же технических целей более простыми и эффективными способами. Использование кремниевых ФЭУ и современных электронных компонентов позволит снизить массу оборудования не менее чем в 10 раз. В свою очередь, меньшая масса детектора позволила бы отказаться от громоздкой аэростатной аппаратуры и перейти к использованию в качестве носителя беспилотных летательных аппаратов типа коптера или дрона.

    6 Благодарностей

    Выражаем благодарность группе С.Б. Шаулова из Физического института им. П.Н. Лебедева РАН за помощь в сборке и испытании электронной аппаратуры и подготовке экспедиций. Мы также благодарим коллаборацию Байкал-ГВД и Г.В. Домогацкого (Институт ядерных исследований РАН) за поддержку эксперимента СФЕРА на научной станции «Озеро Байкал». Работа выполнена при поддержке РФФИ [гранты 11-02-01475-а, 12-02-10015-к] и Президиума РАН. Работа Т.Д. была поддержана Мюнхенским институтом астрофизики и физики элементарных частиц (МИАПП) кластера передового опыта DFG «Происхождение и строение Вселенной».

    Каталожные номера

    • (1) Т. Антони и соавт. Сотрудничество с KASCADE, измерения энергии KASCADE спектры элементарных групп космических лучей: результаты и открытые проблемы, Астрофизика частиц 24 (1-2) (2005) 1–25. doi: 10.1016/j.astropartphys.2005.04.001.
    • (2) М. Аглиетта и др., Первичный состав космических лучей в область «колена» через ШАЛ электромагнитные и мюонные измерения на EAS-TOP, Астрофизика частиц 21 (6) (2004) 583–596. doi: 10.1016/j.astropartphys.2004.04.005.
    • (3) Дж. Фаулер и др., Измерение спектра и состава космических лучей в колено, Астрофизика частиц 15 (1) (2001) 49–64. doi: 10.1016/s0927-6505(00)00139-0.
    • (4) Антонов Р. и др., Пространственно-временная структура ШАЛ в отражении Черенкова световой сигнал, Астрофизика частиц 108 (2019) 24 – 39. doi:10.1016/j.astropartphys.2019.01.002.
    • (5) Р. А. Антонов и др., Обнаружение отраженного черенковского света от обширных атмосферные ливни в эксперименте СФЕРА как метод изучения сверхвысоких энергий космические лучи, физ. Часть. Нукл. 46 (1) (2015) 60–93. дои: 10.1134/S1063779615010025.
    • (6) Р. А. Антонов и др., Пособытийное исследование состава КЛ с помощью СФЕРЫ эксперимент по данным 2013 г., J. Phys. конф. сер. 632 (1) (2015) 012090. архив: 1503.04998, дои: 10.1088/1742-6596/632/1/012090.
    • (7) Анохина и др., Метод измерения спектра протонов ПЦР в диапазон энергий >1016 эВ, Вестник ФИАН 36 (5) (2009) 146–149. дои: 10.3103/s106833560

      42.

    • (8) Антонов Р. и др., Результаты по спектру и составу первичных КЛ. реконструировано с помощью детектора СФЕРА-2, Journal of Physics CS 409(1) (2013) 012088–012091. дои: 10.1088/1742-6596/409/1/012088.
    • (9) Домогацкий Г. и др., Детектор гигатонного объема на озере Байкал: состояние проект, 2018, с. 063. дои: 10.22323/1.307.0063.
    • (10) Авгур РосАэроСистемы, сайт.
      URL http://rosaerosystems.com
    • (11) L. Inc., Ламинирующие технологии покрытий, Inc., Веб-сайт.
      URL-адрес http://www.lamcotec.com/
    • (12) «Спецификация интерфейса».
      URL-адрес http://www.i2c-bus.org/
    • (13) Программное обеспечение для оптики для компоновки и оптимизации, Веб-сайт.
      URL https://www.lambdares.com/oslo
    • (14) П. Дунаевская, М. Подоксина, Ю. Ронкин, Фотоэлектронный умножитель ФЭУ-84, Приборы и техника эксперимента. 5 (1970) 252–255.
    • (15) Хамамацу Фотоникс К.К., Товар Технические характеристики. (2010).
      URL-адрес http://www.hamamatsu.com/resources/pdf/etd/L11416_L11494_TACC1057E.pdf
    • (16) Антонов Р. и др., Система светодиодной калибровки детектора СФЕРА-2, Астрофизика частиц 77 (2016) 55–65. doi:10.1016/j.astropartphys.2016.01.004.
    • (17) Мурата, «Спецификация продукта».
      URL https://www. murata.com/~/media/webrenewal/support/library/catalog/products/capacitor/mlcc/c02e.ashx?la=en-us
    • (18) Корпорация Микро Коммерческих Компонентов, «Товар Технические характеристики».
      URL https://www.mccsemi.com/pdf/Products/SM4001PL-SM4007PL(SOD-123FL)-V3.pdf
    • (19) Максим Интегрейтед, «Товар Технические характеристики».
      URL https://datasheets.maximintegrated.com/en/ds/MAX1846-MAX1847.pdf
    • (20) Аналоговые устройства, «Товар Технические характеристики».
      URL http://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/AD5245.pdf
    • (21) Аналоговые устройства, «Товар Технические характеристики».
      URL http://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/AD7993_7994.pdf
    • (22) ЭПКОС АГ, «Товар спецификация (сейчас не выпускается)».
      URL http://datasheetz.com/data/Sensors,%20Transducers/Thermistors%20-%20NTC/B57621C474J62-datasheetz.html
    • (23) Аналоговые устройства, «Товар Технические характеристики».
      URL http://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/ADUM1250_1251.pdf
    • (24) НСП Полупроводники, «Товар Технические характеристики». URL-адрес
      https://www.nxp.com/docs/en/data-sheet/PCA9547.pdf
    • (25) Борнс, Инк., «Товар Технические характеристики». URL-адрес
      http://bourns.com/docs/product-datasheets/mfr.pdf?sfvrsn=bc732717_30
    • (26) Аналоговые устройства, «Товар Технические характеристики».
      URL http://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/AD7414_7415.pdf
    • (27) Ханивелл, HMC6352 Техническая спецификация. URL-адрес
      https://datasheet4u.com/datasheet-pdf/Honeywell/HMC6352/pdf.php?id=632821
    • (28) Даремские инструменты, «Товар Технические характеристики».
      URL-адрес https://disensors.com/product/dql-dual-axis-inclinometer/
    • (29) Advantech Co., Ltd., веб-сайт.
      URL-адрес http://www.advantech.com/
    • (30) Аналоговые устройства, «Товар Технические характеристики».
      URL http://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/AD9203.pdf
    • (31) Аналоговые устройства, «Товар Технические характеристики».
      URL http://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/AD8011.pdf
    • (32) Xilinx Inc., веб-сайт.
      URL https://www.xilinx.com/
    • (33) ксилинкс, «Товар Технические характеристики». URL-адрес
      https://www.xilinx.com/support/documentation/data_sheets/ds099.pdf
    • (34) ксилинкс, «Товар Технические характеристики». URL-адрес
      https://www.xilinx.com/support/documentation/data_sheets/ds016.pdf
    • (35) Максим Интегрейтед, «Товар Технические характеристики».
      URL https://datasheets.maximintegrated.com/en/ds/MAX1556-MAX1557.pdf
    • (36) Аналоговые устройства, «Товар Технические характеристики».
      URL https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/ADM660_8660.pdf
    • (37) Нинбо Форярд Оптоэлектроника, FYL-5013VC1C Техническая спецификация. URL-адрес
      {https://datasheet4u.com/datasheet-pdf/NingboForyard/FYL-5013VC1C/pdf.php?id=1096448}
    • (38) СТМикроэлектроника, «Товар Технические характеристики».
      URL-адрес www.st.com/resource/en/datasheet/lm217.pdf
    • (39) ООО ИНТЕГРАЛ, «Товар спецификация (на русском языке)».
      URL https://www.integral.by/sites/default/files/pdf/kt972.pdf
    • (40) ООО ИНТЕГРАЛ, «Товар спецификация (на русском языке)».
      URL https://www.integral.by/sites/default/files/pdf/kt973.pdf
    • (41) Texas Instruments, «Продукт Технические характеристики».
      URL https://www.ti.com/lit/gpn/SN74ALS02A
    • (42) ТРАКО Электроник АГ, «Товар Технические характеристики».
      URL-адрес https://www.tracopower.com/products/tma.pdf
    • (43) НАДЕЖДА Микроэлектроника КО., HP03S Техническая спецификация.
      URL https://datasheet4u.com/datasheet-pdf/HOPERF/HP03S/pdf.php?id=748092
    • (44) Ханивелл Интернэшнл, Инк., «Товар Технические характеристики. Сейчас не в производстве».
      URL https://www.elfa.se/Web/Downloads/_t/ds/CPC_eng_tds.pdf
    • (45) Slackware Linux, Inc., «Распространение ОС разработчик».
      URL-адрес http://www.slackware.com/
    • (46) Д-Линк (Европа) Лтд., «Товар Технические характеристики».
      URL http://dlink.ru/mn/products/2/1297.html
    • (47) Д-Линк (Европа) Лтд., «Товар Технические характеристики».
      URL http://www.dlink.ru/mn/products/2/229_b.html
    • (48) Мощность XP, веб-сайт.
      URL-адрес https://www.xppower.com/
    • (49) ООО Гармин, «Товар Технические характеристики».
      URL-адрес http://static.garmin.com/pumac/470_GPS16_17TechnicalSpecification.pdf
    • (50) Texas Instruments, «Продукт Технические характеристики».
      URL https://www.ti.com/lit/gpn/INA128
    • (51) В. Апель и соавт. (Сотрудничество KASCADE-Grande), Спектр космические лучи высоких энергий, измеренные с помощью KASCADE-Grande, APh 36 (2012 г.) 183–194. doi:10. 1016/j.astropartphys.2012.05.023.
    • (52) М. Аглиетта и соавт. (Сотрудничество EAS-TOP), Массив EAS-TOP в E0= 1014–1016 эВ: стабильность и разрешение, NIM A 277 (1989) 23–28. дои: 10.1016/0168-9002(89)-7.
    • (53) Р. Аббаси и соавт. Сотрудничество TALE, Энергетический спектр космических лучей между 2 ПэВ и 2 ЭэВ Наблюдается детектором TALE в монокулярном режиме, ApJ 865 (2018) 74. дои: 10.3847/1538-4357/aada05.

    Транзисторный эквивалент

    (1)

    Часть

    Деталь Штырь к Штырю Штырь к Штырю Совместимость

    Совместимость ПолярностьПолярность

    Р РСС Максимум, Максимум, Вт Вт В VCBCB Максимум, Максимум, В В В VCECE Максимум, Максимум, В В В ВЭБЭБ Максимум, Максимум, В В IICC Максимум, Максимум, м мАА час hFEFE В VCECE сидел, сидел, В В ИИКБО, CBO, А А Ф ФТ, Т, М МГц Гц Нф, Нф, дБ дБ Упаковка Упаковка (колодки) (колодки) КТ КТ220220 А А99 КТ КТ220220ББ99 КТ КТ220220ВВ99 КТ КТ220220ГГ99 KSC1623 KSC1623 NPN NPN 0,2 0,2 ​​60 60 50 50 5 5 100 100 90…18090…180 135…270 135…270 200…400 200…400 300…600 300…600 0,3 0,3 0,1 0,1 250 250 СОТ-23СОТ-23 КТ КТ31023102 А АММ КТ КТ31023102ББММ КТ КТ31023102ВВММ КТ КТ31023102ГГММ КТ КТ31023102ДДММ КТ КТ31023102ЕЕММ КТ КТ31023102ЖММ КТ КТ31023102ИИММ КТ КТ31023102ККММ BC547A BC547A BC547B BC547B BC548B BC548B BC548C BC548C до н. э.549Б BC549B BC238B BC238B BC549C BC549C НПН НПН 0,25 0,25 5050 50 50 30 30 20 20 30 30 20 20 50 50 50 50 30 30 50 50 50 50 30 30 20 20 30 30 20 20 50 50 50 50 30 30 5 5 200 200 100…250100…250 200…500 200…500 200…500 200…500 400…800 400…800 200…500 200…500 400…1000 400…1000 100…250 100…250 200…500 200…500 200…500 200…500 0 0..2255 00..0055 0,05 0,05 0,015 0,015 0,015 0,015 0,015 0,015 0,015 0,015 0,05 0,05 0,05 0,05 0,015 0,015 200 200 200 200 200 200 200 200 300 300 300 300 200 200 200 200 200 200 10 10 10 10 10 10 10 10 4 4 4 4 ТО ТО-92-92 КТ КТ31073107 А А КТ КТ31073107ББ КТ КТ31073107ВВ КТ КТ31073107ГГ КТ КТ31073107ДД КТ КТ31073107ЕЕ КТ КТ31073107ЖЖ КТ КТ31073107ИИ КТ КТ31073107КК КТ КТ31073107ЛЛ BC307A BC307A BC308A BC308A BC308B BC308B BC309B BC309B BC307B BC307B BC308C BC308C BC309C BC309C ПНП ПНП 0,3 0,3 5050 50 50 30 30 30 30 30 30 25 25 25 25 50 50 30 30 25 25 45 45 45 45 25 25 25 25 25 25 20 20 20 20 45 45 25 25 20 20 5 100 70…140 5 100 70…140 120…220 120…220 70…140 70…140 120…220 120…220 180…460 180…460 120…220 120…220 180…460 180…460 180…460 180…460 380…800 380…800 380…800 380…800 0,2 0,2 0,1 0,1 250 250 1010 10 10 10 10 10 10 10 10 4 4 4 4 10 10 10 10 4 4 ТО ТО-92-92 КТ КТ31173117 А А КТ КТ31173117ББ КТ КТ31173117 А А11 2Н2221 2Н2221 2Н2222 2Н2222 PN2222 PN2222 НПН 0,3 НПН 0,3 0,3 0,3 0,5 0,5 60 60 75 75 60 60 60 60 75 75 60 60 4 400 40…200 4 400 40…200 100…300 100…300 40…200 40…200 0,6 0,6 10 10 200 200 ТО-18ТО-18 ТО-92 ТО-92 КТ КТ31263126 А А КТ КТ31263126ББ BF506 BF506 PNP PNP 0,15 0,15 30 30 30 30 3 3 30 30 25…10025…100 60…180 60…180 1,2 1,2 0,5 0,5 500 500 55 ТОТО-92-92 КТ3127А

    КТ3127А 2N4411 2N4411 ПНП ПНП 0,1 0,1 20 20 20 20 3 3 25 25 25…150 25…150 1,0 1,0 600 600 5 5 ТО-72ТО-72 КТ3128А1

    КТ3128А1 БФ272 БФ272 ПНП ПНП 0,3 0,3 40 40 35 35 4 4 30 30 35…150 35…150 0,1 0,1 800 800 5 5 ТО-92ТО-92 КТ3129А9 КТ3129А9 КТ3129 КТ3129ББ99 КТ3129Б9 КТ3129Б9 КТ3129 КТ3129ГГ99 КТ3129 КТ3129ДД99 BC857A BC857A BC858A BC858A BC858B BC858B ПНП ПНП 0,1 0,1 5050 50 50 30 30 30 30 30 30 40 40 40 40 20 20 20 20 20 20 5 100 30…120 5 100 30…120 80…250 80…250 80…250 80…250 200…500 200…500 200…500 200…500 0 0. .22 11..0 0 22000 0 ССООТТ—2233 КТ3130А9 КТ3130А9 КТ3130 КТ3130ББ99 КТ3130Б9 КТ3130Б9 КТ3130 КТ3130ГГ99 КТ3130 КТ3130ДД99 КТ3130Е9 КТ3130Е9 КТ КТ31303130ЖЖ99 БКВ71 БКВ71 БКВ72 БКВ72 БКВ32 БКВ32 НПН НПН 0,1 0,1 5050 50 50 30 30 20 20 30 30 20 20 30 30 40 40 40 40 20 20 15 15 20 20 15 15 25 25 5 5 100 100 100…250100…250 200…500 200…500 200…500 200…500 400…1000 400…1000 200…500 200…500 400…1000 400…1000 100…500 100…500 0,1 0,1 150150 150 150 150 150 300 300 150 150 300 300 150 150 10 10 10 10 10 10 4 4 4 4 СОТ-23 СОТ-23 КТ КТ31423142 А А 2Н22Н2369 369 НПН НПН 0,30,36 6 40 40 40 40 4,5 4,5 200 200 40…40…120 120 0,20,255 0,4 0,4 ​​500 500 ТО-ТО-1818 КТ КТ31315353А9A9 BCBCW6W60,0,7070,7,706 06 НПН НПН 0,0,3 3 60 60 50 50 5 5 40400 0 10100…0…303000 0,0,3535 0,0,05 05 25250 0 СОСОТ-Т-2323 КТ КТ31315757А А ББФ4Ф4223 3 ПНПНП П 0.0.2 2 25250 0 225050 5 5 30 30 >5>50 0 1.1.00 0.0.1 1 60 60 ТОТО-9-922 КТ3189А9 КТ3189А9 КТ3189 КТ3189ББ99 КТ3189Б9 КТ3189Б9 BC847A BC847A BC847B BC847B BC847C BC847C НПН НПН 0,225 0,225 50 50 45 45 6 6 100 100 110…220110…220 200…450 200…450 420…800 420…800 0. 0,66 0,0,01015 5 30300 0 10 10 СОСОТ-Т-2323 КТ368А9КТ368А9 КТ368 КТ368ББ99 BF599 BF599 KSC2757 KSC2757 НПН НПН 0,1 0,1 15 15 15 15 4 4 30 30 50…300 50…300 0,5 0,5 900 900 3,3 3,3 СОТ-23СОТ-23 КТ502А КТ502А КТ502 КТ502ББ КТ502 КТ502ВВ КТ502 КТ502ГГ КТ502 КТ502ДД КТ502 КТ502ЕЕ КСА539 КСА539 до н.э.212 до н.э.212 ПНП ПНП 0,35 0,35 4040 40 40 60 60 60 60 80 80 90 90 25 25 25 25 40 40 40 40 60 60 80 80 5 150 40…120 5 150 40…120 80…240 80…240 40…120 40…120 80…240 80…240 40…120 40…120 40…120 40…120 0 0..66 1 1 5 5 TTOO—9922

    (2)

    (продолжение)

    Деталь, штифт к штифту

    Совместимость Полярность ПК Максимум, Вт ВЦБ Максимум, В ВКЭ Максимум, В ВЭБ ма Икс, В IC Максимум, мА hFE ВКЭ сидел, В ИКБО, А ФТ, МГц Нф, дБ Упаковка (колодки) КТ503А КТ503Б КТ503В КТ503Г КТ503Д КТ503Е KSC815 до н.э.183 НПН 0,35 40 40 60 60 80 100 25 25 40 40 60 80 5 150 40…120 80…240 40…120 80…240 40…120 40…120 0,6 1 5 ТО-92 КТ520 А КТ520Б MPSA42 MPSA43 НПН 0,625 300 200 300 200 6 500 >40 0,5 0,4 100 50 ТО-92 КТ521 А КТ521Б MPSA92 MPSA93 ПНП 0,625 300 200 300 200 5 500 >40 0,5 0,4 100 50 ТО-92 КТ6109А КТ6109Б КТ6109Б КТ6109Г КТ6109Д СС9012Д SS9012E СС9012Ф СС9012Г СС9012Х ПНП 0,625 40 20 5 500 64…91 78…112 96…135 112…166 144…202 0,6 0,1 ТО-92 КТ6110А КТ6110Б КТ6110Б КТ6110Г КТ6110Д SS9013D SS9013E СС9013Ф СС9013Г СС9013Х НПН 0,625 40 20 5 500 64…91 78…112 96…135 112…166 144…202 0,6 0,1 ТО-92 КТ6111А КТ6111Б КТ6111Б КТ6111Г СС9014А СС9014Б СС9014К СС9014Д НПН 0,45 50 45 5 100 60…150 100…300 200…600 400…1000 0,3 0,05 150 10 ТО-92 КТ6112А КТ6112Б КТ6112Б СС9015А СС9015Б СС9015К ПНП 0,45 50 45 5 100 60…150 100…300 200…600 0,7 0,05 100 10 ТО-92 КТ6113А КТ6113Б КТ6113Б КТ6113Г КТ6113Д КТ6113Э SS9018D SS9018E СС9018Ф СС9018Г СС9018Х СС9018И НПН 0,4 30 15 5 50 28…45 39…60 54…80 72…108 97…146 132…198 0,5 0,05 700 ТО-92 КТ6114А КТ6114Б КТ6114Б КТ6114Г КТ6114Д КТ6114Э СС8050Б СС8050К SS8050D НПН 1. 0 1,0 1,0 0,7 0,7 0,7 40 25 6 1500 1500 1500 1100 1100 1100 85…160 120…200 160…300 85…160 120…200 160…300 0,5 0,1 100 ТО-92 КТ6115А КТ6115Б КТ6115Б КТ6115Г КТ6115Д КТ6115Э СС8550Б SS8550C SS8550D ПНП 1.0 1,0 1,0 0,7 0,7 0,7 40 25 6 1500 1500 1500 1100 1100 1100 85…160 120…200 160…300 85…160 120…200 160…300 0,5 0,1 100 ТО-92 КТ6116А КТ6116Б 2Н5401 2Н5400 ПНП 0,625 160 130 150 120 5 600 60…240 40…180 0,5 0,05 0,1 100 8 ТО-92 КТ6117А КТ6117Б 2Н5551 2Н5550 НПН 0,625 180 160 160 140 6 600 80…250 60…250 0,2 0,25 0,05 0,1 100 8 ТО-92 2N5551X NPN 180 160 6 600 80…250 0,15 0,05 100 8 Только чип KSC1623X NPN 50 40 5 100 90…600 0,3 0,1 200 6 Только микросхема КТ6128А КТ6128Б КТ6128В СС9016Д SS9016E СС9016Ф НПН 0,4 30 20 4 25 28…45 39…60 54…80 0,3 0,1 400 5 ТО-92

     Биполярные транзисторы

    (3)

    Деталь штифт к штырю Полярность совместимости ПК Максимум, Вт ВЦБ Максимум, В ВКЭ Максимум, В ВЭБ Максимум, В IC Максимум, мА hFE ВКЭ сидел, В ИКБО, А ФТ, МГц Нф, дБ Упаковка (колодки) КТ6136А 2Н3906 ПНП 0,625 40 40 5 200 100…300 0,4 0,05 250 ТО-92 КТ6137А 2Н3904 НПН 0,625 60 40 6 200 100…300 0,3 0,05 300 ТО-92 до н. э.182 BC182A BC182B НПН 0,5 60 50 6 100 120…450 120…220 200…450 0,6 0,015 150 10 ТО-92 до н.э.183 BC183A BC183B BC183C НПН 0,5 45 30 6 100 110…800 110…220 200…450 420…800 0,6 0,015 150 10 ТО-92 КТ607 А-4 КТ607Б-4 2N4073 НПН 1,5 40 30 40 35 30 35 4 150 0,1 1000 700 ТО-92 BC639 NPN 0,625 100 80 5 1500 ≥ 25 0,5 0,1 100 ТО-92 ВС640 ПНП 0,625 100 80 5 1500 ≥ 25 0,5 0,1 100 ТО-92 КТ646 А КТ646Б КТ646В 2SC495 2CS496 НПН 1,0 60 40 40 60 40 40 4 1000 40…200 >150 150…340 0,85 0,25 0,25 10 10 0,05 250 ТО-126 КТ660А КТ660Б до н.э.337 до н.э.338 НПН 0,5 50 30 45 30 5 800 110…220 200…450 0,5 1,0 200 ТО-92 КТ805 АМ КТ805БМ КТ805ВМ КТ805ИМ КСД362 КСД773 НПН 30 300 45 30 5 5000 ВКЕР >15 >15 >15 >25 2,5 3.0 1.0 ТО-92 КТ814А КТ814Б КТ814Б КТ814Г БД136 БД138 БД140 ПНП 10 40 50 70 100 5 1500 40…275 40…275 40…275 30…275 0,6 50 40 ТО-126 КТ815А КТ815Б КТ815Б КТ815Г БД135 БД137 БД139 НПН 10 40 50 70 100 5 1500 40…275 40…275 40…275 30…275 0,6 50 40 ТО-126 КТ816А КТ816Б КТ816Б КТ816Г БД234 БД236 БД238 ПНП 25 40 45 60 100 5 3000 25…275 0,6 100 3,0 ТО-126 КТ817А КТ817Б КТ817Б КТ817Г БД233 БД235 БД237 НПН 25 40 45 60 100 5 3000 25…275 0,6 100 3,0 ТО-126 КТ8126 А1 КТ8126Б1 MJE13007 MJE13006 НПН 80 700 600 400 300 98000 8…60 1,0 1000 4,0 ТО-220 КТ8164 А КТ8164Б MJE13005 MJE13004 НПН 75 700 600 400 300 9 4000 8…40 1,0 1000 ТО-220 КТ8170 А1 КТ8170Б1 MJE13003 MJE13002 НПН 40 700 600 400 300 9 9 1500 8…40 1,0 1000 4,0 ТО-126 КТ8176 А КТ8176Б КТ8176В ТИП31А TIP31B TIP31C НПН 40 60 80 100 60 80 100 5 3000 >25 1,2 3,0 ТО-220

    (4)

    (продолжение)

    Деталь, штифт к штифту

    Совместимость Полярность ПК Максимум, Вт ВЦБ Максимум, В ВКЭ Максимум, В ВЭБ Максимум, В IC Максимум, мА hFE ВКЭ сидел, В ИКБО, А ФТ, МГц Нф, дБ Упаковка (колодки) КТ8177 А КТ8177Б КТ8177В ТИП32А TIP32B TIP32C ПНП 40 60 80 100 60 80 100 5 3000 >25 1,2 3,0 ТО-220 КТ8212 А КТ8212Б КТ8212В ТИП41С TIP41B TIP41A НПН 65 60 80 100 60 80 100 5 6000 15…75 1,5 ИКЕС=400 3,0 ТО-220 КТ8213 А КТ8213Б КТ8213В TIP42C TIP42B TIP42A ПНП 65 60 80 100 60 80 100 5 6000 15…75 1,5 ИКЕС=400 3,0 ТО-220 MJE2955 ПНП 75 70 60 5 10000 20…100 1,1 1000 ТО-220 MJE3055 NPN 75 70 60 5 10000 20…100 1,1 1000 ТО-220 КТ738 А КТ739 А TIP3055 TIP2955 НПН ПНП 90 70 60 5 15000 20…100 1,1 1000 ТО-218 КТ732 А КТ733 А MJE4343 MJE4353 НПН ПНП 125 160 160 7 16000 8…15 2,0 750 1,0 ТО-218 КТ8224 А КТ8224Б* БУ2508А БУ2508Д NPN 100 1500 700 7,5 8000 4…7 1,0 Iebo=1,0 100. .187 ТО-218

    КТ8225А БУ941ЗП NPN 155 350 5 15000 >300 1,8 Вэб=5,0В

    Иэбо=20 ТО-218 КТ8228 А КТ8228Б* БУ2525А БУ2525Д НПН 125 1500 800 7,5 12000 5,0…9.5 5,0 Iebo=1,0 80… 150 ТО-218

    КТ8229 А ТИП35Ф НПН 125 180 180 5 25000 15…75 1,8 ICEo=1,0 3,0 ТО-218

    КТ8230 А ТИП36Ф ПНП 125 180 180 5 25000 15…75 1,8 1,0 3,0 ТО-218 КТ8261 А БУД44Д2 НПН 25 700 400 9 2000 >10 0,65 0,1 ТО-126 BUL44D2 НПН 40 700 400 9 5000 >10 0,65 0,1 ТО-220 КТ8247 А БУЛ45Д2 НПН 75 700 400 12 5000 >22 0,5 100 ТО-220 КТ8248 А БУ2506Ф НПН 90 Вчек 1500 700 7,5 5000 3,8…9,0 3,0 Айсек, мА 1,0 ТО-218

    КТ538А MJE13001 NPN 0,7 600 400 9 0,5 5…90 0,5 1000 4 ТО-92

    КТ8248 А1 БУ2506Ф НПН 90 Учек 1500 700 7,5 5000 3,8…9,0 3,0 Iсек,мА 1,0 ТО-218 КТ8290А БУх200 НПН 100 700 400 9 10000 >10 1,0 0,1 ТО-220 КТ8255 А БУ407 НПН 60 330 160 6 7000 >15 1,0 1,0 ТО-220

    KT8270A MJE13001 NPN 0,7 600 400 9 0,5 5…90 0,5 1000 4 ТО-126

    КТ8296А КТ8296Б КТ8296В КТ8296Г КСД882Р КСД882О KSD882Y КСД882Г НПН 10 40 30 5 3000 60…120 100…200 160…320 200…400 0,5 100 ТО-126 КТ8297А КТ8297Б КТ8297В КТ8297Г КСБ772Р КСБ772О КСБ772И КСБ772Г ПНП 10 40 30 5 3000 60…120 100…200 160…320 200…400 0,5 100 ТО-126 КТ872А КТ872Б КТ872Б КТ872Г* с зажимом диод БУ508 А BU508 БУ508Д НПН 100 1500 1500 1200 1500 700 700 600 700 6 1000 >6 1,0 5,0 1,0 1,0 4. 0 ТО-218 КТ928А 2Н2218 НПН 0,5 60 60 5 0,8 20…100 1,0 5,0 250 ТО-126 КТ928Б 2Н2219 НПН 0,5 60 60 5 0,8 50…200 1,0 5,0 250 ТО-126 КТ928Б 2Н2219А НПН 0,5 75 75 5 0,8 100…300 1,0 1,0 250 ТО-126 КТ940А КТ940Б КТ940Б BF459 BF458 НПН 10 300 250 160 300 250 160 5 100 >25 1,0 0,05 ТО-126

     Биполярные транзисторы

    (5)

    Деталь между контактами Полярность совместимости ПК Максимум, Вт ВЦБ Максимум, В ВКЭ Максимум, В ВЭБ Максимум, В IC Максимум, мА hFE ВКЭ сидел, В ИКБО, А ФТ, МГц Упаковка КТ8115А КТ8115Б КТ8115Б СОВЕТ127 СОВЕТ126 СОВЕТ125 65 100 000 рублей 80 60 100 80 60 5 5000 >1000 2,0 200 4 ТО-220 КТ8116А КТ8116Б КТ8116Б СОВЕТ122 СОВЕТ121 СОВЕТ120 НПН 65 100 80 60 100 80 60 5 5000 >1000 2,0 200 4 ТО-220 КТ8214 А КТ8214Б КТ8214В СОВЕТ110 СОВЕТ111 СОВЕТ112 НПН 50 60 80 100 60 80 100 5 2000 >500 2,5 1000 ТО-220 КТ8215 А КТ8215Б КТ8215В СОВЕТ115 СОВЕТ116 СОВЕТ117 ПНП 50 60 80 100 60 80 100 5 2000 >500 2,5 1000 ТО-220 КТ8156А КТ8156Б БУ807 НПН 60 330 150 200 6 8000 >100 1,5 1000 ТО-220 КТ8158А КТ8158Б КТ8158Б БДВ65А БДВ65Б БДВ65С НПН 125 60 80 100 60 80 100 5 12000 >1000 2,0 400 ТО-218 КТ8159А КТ8159Б КТ8159В БДВ64А БДВ64Б БДВ64С ПНП 125 60 80 100 60 80 100 5 12000 >1000 2,0 400 ТО-218 КТ8225 А БУ941ЗП НПН 155 350 350 5 15000 >300 2,7 100 ТО-218 КТ8251 А БДВ65Ф НПН 125 180 180 5 10000 >100 2,0 0,4 ТО-218 КТ972А КТ972Б КТ972Б КТ972Г БД875 НПН 8,0 60 45 60 60 60 45 60 60 5 2000 >750 >750 750…5000 750…5000 1,5 1,5 1,5 0,95 200 ТО-126 КТ973А КТ973Б КТ973Б БД876 ПНП 8,0 60 45 60 60 45 60 5 2000 >750 >750 750…5000 1,5 1,5 1,5 200 ТО-126

    Деталь, штифт к штифту Совместимость Р макс, Вт Вб, б2 макс, В то есть пульс, А т. е. оборот, А Веб сел, Пакет V КТ132А КТ132Б 2Н2646 2N2647 0,3 35 2,0 12,0 0,2 3,5 0,56… 0,75 0,68… 0,82 Дело 22А-01 КТ133А КТ133Б 2Н4870 2N4871 0,3 35 1,5 1,0 2,5 0,56… 0,75 0,70… 0,85 ТО-92

    N-канальные полевые МОП-транзисторы логического уровня

    Часть от контакта к выводу Совместимость Vds макс, В RDS (вкл.) Ом Идентификатор макс, А Вгс макс, В Р макс, Вт Вгс (й), Пакет V КП723Г ИРЛЗ44 60 0,028 50 ± 10 150 1,0…2,0 ТО-220 КП727В ИРЛЗ34 60 0,05 30 ± 10 88 1,0…2,0 ТО-220 КП744Г ИРЛ520 100 0,27 9,2 ± 10 60 1,0…2,0 ТО-220 КП745Г ИРЛ530 100 0,22 15 ± 10 88 1,0…2,0 ТО-220 КП746Г ИРЛ540 100 0,077 28 ± 10 150 1,0…2,0 ТО-220 КП737Г ИРЛ630 200 0,4 18 ± 10 50 1,0…2,0 ТО-220 КП750Г ИРЛ640 200 0,18 18 ± 10 50 1,0…2,0 ТО-220 КП775 А КП775Б КП775В 2SK2498 А-В 60 55 60 0,009 0,009 0,011 50 ± 20 150 1,0…2,0 1,0…2,0 1,0…2,0 ТО-220

     Однопереходные транзисторы

    (6)

    Маломощные полевые МОП-транзисторы

    Часть от контакта к выводу Совместимость Р макс, Вт Вгс макс, В Vds макс, В Вгс(выкл. ), В RDS(вкл.), Ом Идентификатор макс, А г фс, Аудио/видео пакет КП501 А КП501Б КП501В ЗВН2120 0,5 ± 20 240 200 200 1,0…3,0 1,0…3,0 10 10 15 10 >0,1 ТО-92 КП502 А БСС124 1,0 ± 10 400 1,5…2,5 28 0,12 0,1 ТО-92 КП503 А БСС129 1,0 ± 10 400 1,5…2,5 28 0,12 0,1 ТО-92 КП504 А КП504Б КП504В КП504Г КП504Д КП504Е BSS88 1.0 1,0 0,7 0,7 0,7 0,7 ± 10 250 250 200 180 200 200 0,6…1,2 8 8 8 10 8 8 0,32 0,14 ТО-92 КП505 А КП505Б КП505В КП505Г БСС295 1.0 1,0 1,0 0,7 ± 10 50 50 60 8 0,8…2,0 0,8…2,0 0,8…2,0 0,4…0,8 0,3 0,3 0,3 1,2 1,4 0,5 0,5 0,5 ТО-92 КП507А БСС315 1,0 ± 20 -50 -0,8…-2,0 0,8 -1,1 ТО-92 КП508А БСС92 1,0 ± 20 -240 -0,8…-2,0 20 -0,15 ТО-92 КП509 А9 КП509Б9 КП509В9 БСС131 0,36 0,50 0,36 ± 14 240 240 200 0,8…-2,0 0,6…-1,2 0,8…-2,0 16 8 16 0,1 0,25 0,1 0,06 0,14 0,06 СОТ-23

    КП510А9 ИРМЛ2402 0,54 ± 12 20 0,7…-1,6 0,25 1,2 1,3 СОТ-23

    КП511А КП511Б TN0535 TN0540 0,75 ± 20 350 400 0,8…-2,0 22 0,14 0,125 ТО-92 КП523 А КП523Б БСС297 1. 0 1,0 ± 20 ± 14 200 200 0,8…2,0 0,8…2,0 2.0 4.0 0,48 0,34 0,5 0,5 ТО-92 КП214 А9 2N7002LT1 0,2 ± 40 60 1,0…2,5 7,5 0,115 0,08 СОТ-23

    Силовые N-канальные полевые МОП-транзисторы

    Деталь между контактами Совместимость Vds макс, В RDS (вкл.), Ом Идентификатор макс, А Вгс макс, В Р макс, Вт Вгс (й), Пакет V КП723 А КП723Б КП723В ИРФЗ44 ИРФЗ45 ИРФЗ40 60 60 50 0,028 0,035 0,028 50 50 50 ± 20 150 2,0…4,0 ТО-220 КП726 А КП726Б БУЗ90А БУЗ90 600 2,0 1,6 4.0 4,5 ± 20 75 2,0…4,0 ТО-220 КП727 А КП727Б БУЗ71 ИРФЗ34 50 60 0,1 0,05 14 30 ± 20 75 2,0…4,0 ТО-220 КП728Г1,Г2 КП728С1,С2 КП728Е1,Е2 БУЗ80А 700 650 600 5,0 4.0 3.0 3,0 ± 20 75 2,0…4,0 ТО-220 КП739 А КП739Б КП739В ИРФЗ14 ИРФЗ10 ИРФЗ15 60 50 60 0,2 0,2 0,3 10 10 8.3 ± 20 43 2,0…4,0 ТО-220 КП740 А КП740Б КП740В ИРФЗ24 ИРФЗ20 ИРФЗ25 60 50 60 0,1 0,1 0,12 17 17 14 ± 20 60 2,0…4,0 ТО-220 КП741 А КП741Б ИРФЗ48 ИРФЗ46 60 50 0,018 0,024 50 ± 20 190 150 2,0…4,0 ТО-220 КП742 А КП742Б STH75N06 STH80N05 60 50 0,014 0,012 75 80 ± 20 200 2,0…4,0 ТО-218

    (7)

    Деталь штырь к штырьку Совместимость Vds макс, В RDS (вкл. ), Ом Идентификатор макс, А Вгс макс, В Р макс, Вт Вгс (й), Пакет V КП743 А КП743Б КП743В IRF510 IRF511 IRF512 100 80 100 0,54 0,54 0,74 5.6 5.6 4.9±  20 43 2,0…4,0 ТО-220 ТО-126 КП743 А1 100 0,54 5,5 ± 20 40 2,0…4,0 ТО-126 КП744 А КП744Б КП744В IRF520 IRF521 IRF522 100 80 100 0,27 0,27 0,36 9.2 9.2 8,0 ± 20 60 2,0…4,0 ТО-220 КП745 А КП745Б КП745В IRF530 IRF531 IRF532 100 80 100 0,16 0,16 0,23 14,0 14,0 12,0 ± 20 88 2,0…4,0 ТО-220 КП746 А КП746Б КП746В IRF540 IRF541 IRF542 100 80 100 0,077 0,077 0,1 28,0 28,0 25,0 ± 20 150 2,0…4,0 ТО-220 КП747 А ИРФП150 100 0,055 41,0 ± 20 230 2,0…4,0 ТО-218 КП748 А КП748Б КП748В IRF610 IRF611 IRF612 200 150 200 1,5 1,5 2,4 3.3 3.3 2,6 ±20 36 2,0…4,0 ТО-220 КП749 А КП749Б КП749В IRF620 IRF621 IRF622 200 150 200 0,8 0,8 1,2 5.2 5.2 4.0 ± 20 50 2,0…4,0 ТО-220 КП737 А КП737Б КП737В IRF630 IRF634 IRF635 200 250 200 0,4 0,45 0,68 9,0 8.1 6,5 ± 20 74 2,0…4,0 ТО-220 КП750 А КП750Б КП750В IRF640 IRF641 IRF642 200 150 200 0,18 0,18 0,22 18,0 18,0 16,0 ± 20 125 2,0…4,0 ТО-220 КП731 А КП731Б КП731В IRF710 IRF711 IRF712 400 350 400 3,6 3,6 5,0 2. 0 2.0 1,7 ± 20 36 2,0…4,0 ТО-220 КП751 А КП751Б КП751В IRF720 IRF721 IRF722 400 350 400 1,8 1,8 2,5 3.3 3.3 2,8 ± 20 50 2,0…4,0 ТО-220 КП752 А КП752Б КП752В Опытное производство IRF730 IRF731 IRF732 400 350 400 1,0 1,0 1,5 5,5 5,5 4,5 ± 20 74 2,0…4,0 ТО-220 КП753 А КП753Б КП753В Опытное производство IRF830 IRF831 IRF832 500 450 500 1,5 1,5 2.0 4,5 4,5 4.0 ± 20 74 2,0…4,0 ТО-220 КП771 А СТП40Н10 100 0,04 40 ± 20 150 2,0…4,0 ТО-220 КП776 А КП776Б КП776В КП776Г Опытное производство IRF740 IRF741 IRF742 IRF744 400 350 400 450 0,55 0,55 0,8 0,63 10,0 10,0 8.3 8,8 ± 20 125 2,0…4,0 ТО-220

    (8)

    (продолжение)

    Деталь, штифт к штифту Совместимость Vds макс, В RDS (вкл.), Ом Идентификатор макс, А Вгс макс, В Р макс, Вт Вгс (й), Пакет V КП777 А КП777Б КП777В Опытное производство IRF840 IRF841 IRF842 500 450 500 0,85 0,85 1.1 8,0 8,0 7,0 ± 20 125 2,0…4,0 ТО-220 КП778 А ИРФП250 200 0,085 30,0 ± 20 190 2,0…4,0 ТО-220 КП779 А Опытное производство ИРФП450 500 0,4 14,0 ±20 190 2,0…4,0 ТО-220 КП780 А КП780Б КП780В IRF820 IRF821 IRF822 500 450 500 3. 0 3.0 4.0 2,5 2,5 2.2 ± 20 50 2,0…4,0 ТО-220 КП781 А Опытное производство ИРФП350 400 0,3 16,0 ± 20 190 2,0…4,0 ТО-220 КП783 А Опытное производство ИРФ3205 55 0,008 70,0 ± 20 200 2,0…4,0 ТО-220 КП786 А Пилот Производство БУЗ80А 800 3,0 4,0 ± 20 100 2,0…4,0 ТО-220 КП787 А Пилот Производство БУЗ91А 600 0,9 8,0 ± 20 150 2,0…4,0 ТО-220 КП789 А Опытное производство БУЗ111С 320 0,008 80,0 ± 20 250 2,1…4,0 ТО-220

    Деталь, штифт к штифту Совместимость Vds макс, В RDS (вкл.), Ом Идентификатор макс, А Вгс макс, В Р макс, Вт Вгс (й), Пакет V

    КП784А IRF9Z34 -60 0,14 -18,0 ± 20 88 -2,0…-4,0 ТО-220

    КП785А ИРФ9540 -100 0,20 -19,0 ​​± 20 150 -2,0…-4,0 ТО-220

    КП796 А

    Под Разработка

    IRF9634 -250 1,0 -4,3 ± 20 74 -2,0…-4,0 ТО-220

    Силовые N-канальные МОП-транзисторы

    Составной транзистор npn pnp. Работа и оборудование для транзисторов Композиты Дарлингтона.

    Основные характеристики транзистора Дарлингтон

    Darlington), sot souvent des éléments, составляющих структуру радиолюбителей. Comme vous le savez, avec un tel interrupteur, le gain de courant est généralement multiplié par dix. Cependant, il n’est pas toujoursвозможный d’atteindre une marge d’opérabilité Importante en termes de voltage agissant sur la cascade. Les Amplificateurs pour, constitués de deux traffic bipolaires (рис. 1.23), échouent souvent lorsqu’ils sont exposés à une voltage de choc, même si elle ne dépasse pas la valeur des paramètres électriques spécifiés dans la littérature de référence.

    Vous pouvez fighttre cet effet désagréable. différentes façons… L’un d’eux — le plus simple — есть ла присутствие в паре транзисторов с важным резервом (plusieurs fois) de ressource de voltage collecteur-émetteur. Относительное расположение транзисторов тел «высокого напряжения» в канале, расширяющем структуру. Vous pouvez bien sûr acheter du silicium Compécial dans un seul emballage, например: KT712, KT829, KT834, KT848, KT852, KT853, KT894, KT897, KT898, KT973 и т. д. Cette liste comprend des Appareils puissants et de moyenne puissance conçus pour presque l’ensemble du spectre des dispositifs d’ingénierie radio. Вы можете использовать классические транзисторы с двумя транзисторами, соединенными параллельно типа KP501V, или использовать KP501A… B, KP540 и другие устройства с аналогичными электрическими характеристиками (рис. 1.24). Dans ce cas, la sortie de la grille est connectée à la place de la base VT1, et la sortie de la source est à la place de l’metteur VT2, la sortie du дренаж est à la place des Collecteurs combinés VT1, VT2.

    Риз. 1.24. Замена транзисторов на эффекте транзисторного композита

    После простой ревизии, а также полной замены компонентов в электрических схемах, всеобщего применения, ознакомления с транзисторами VT1, VT2 в одном месте meme avec une surtension de 10 fois ou plus. De plus, la résistance de limited dans le Circuit de porte VT1 augmente également plusieurs fois. Cela conduit au fait qu’ils ont une entrée plus élevée et, par consequent, peuvent support des surcharges avec un control de nature pulsée de cette unité électronique.

    Le gain de courant de l’étage résultant n’est pas inférieur à 50. Il augmente en пропорция directe de l’augmentation de la voltage d’alimentation du nœud.

    ВТ1, ВТ2. При отсутствии дискретных транзисторов типа КП501А…Б, вы можете использовать микросхему 1014КТ1В без потери качества аппаратуры. При возврате, например, в паре с 1014KT1A и 1014KT1B, целюи-си устойчивы к надбавкам, а также повышенным напряжениям в приложении естественного импульса — только 200 В постоянного тока. Брошюра по напряжению транзисторов микросхемы 1014КТ1А…1014К1Б проиллюстрирована на рис. 1.25.

    Comme dans la version précédente (рис. 1.24), ils sont allumés en parallèle.

    Брошюра «Транзисторы с эффектом в микросхеме 1014KT1A … B» De tels nœuds sont utilisés данс ле концепции де радиолюбителя en tant дие commutateurs де courant similaires aux транзисторы композиты activés пар. Aux caractéristiques ci-dessus des транзисторы à effet de champ, on peut ajouter leur efficacité énergétique, car à l’état fermé, en raison de l’entrée élevée, ils ne consomment pratiquement pas de courant. Quant au cout de tels транзисторы, il est aujourd’hui pratiquement le même que le cout des moyenne puissance du type (et similaires), qui sont généralement utilisés comme amplificateur de courant pour contrôler les dispositifs de charge.

    Si vous connectez les транзисторы comme indiqué sur la fig. 2,60, alors le Circuit résultant fonctionnera comme un seul транзистор и сын коэффициент β sera égal au produit des коэффициенты транзисторов конститутивных. Cette метод est utile pour les application à courant élevé (telles que les régulateurs de voltage ou les étages de sortie d’amplificateur de puissance) ou pour les étages d’entrée d’amplificateur où une impedance d’entrée élevée est requise.

    Риз. 2,60. Транзистор составной Дарлингтон.

    В транзисторе Дарлингтон, лоток напряжения между базой и еметером, который имеет двойную ячейку обыкновенного, а также напряжение насыщения, равное а-ля желобу напряжения aux борн де ла диод (puisque le potentiel d’ émetteur du транзистор T 1 doit dépasser le potentiel d’emetteur du транзистор T 2 по номиналу желоба напряжения aux борн де ла диод). De plus, les транзисторы ainsi connectés se comportent comme un seul транзистор avec une vitesse suffisamment faible, puisque le транзистор T 1 ne peut pas bloquer quickement le транзистор T 2. Compte tenu de cette propriété, une résistance est généralement incluse entre la base et l ‘Эметтер дю транзистор Т 2 (рис. 2.61). La résistance R empeche T 2 de se melanger dans la région de Conduct en raison des courants de fuite de T 1 et T 2. La résistance de la résistance est choisie de telle sorte que les courants de fuite (измерения в наноамперах для транзисторов à малый сигнал и эн центаны де микроампер залить ле транзисторы де сильная сила) créent une chute де напряжения à ses Bornes Qui ne dépasse pas la chute де напряжения aux борнес де ла диод, et en même temps pour que le courant le traverse. faible par rapport au courant de base du транзистор T 2. Typiquement, R vaut plusieurs centaines d’ohms dans un транзистор Darlington à high puissance et plusieurs millers d’ohms dans un транзистор Darlington à малый сигнал.

    Риз. 2.61. Увеличение мощности купюра на транзисторном композите Дарлингтона.

    Производство транзисторов в Дарлингтоне, предназначенное для изготовления модулей, комплектующих, по общему правилу, с повышенным сопротивлением. Пример стандартной схемы n-p-n-Транзистор Дарлингтона типа 2N6282 с номинальным током 4000 (типичное значение) для 10-амперного коллектора. Соединение транзисторов в схеме Shiklai представляет собой схему, аналогичную celui-ci. que nous venons de respecter. Четыре значения коэффициента увеличения β. Парфуа, единственное соединение с дополнительным транзистором Дарлингтона (рис. 2.62). Схема представляет собой транзистор типа n-p-n с большим коэффициентом. Dans le Circuit, il y a une voltage entre la base et l’emetteur, et la voltage de saturation, comme dans le Circuit précédent, est au moins égale à la chute de voltage aux Bornes de la диод. Entre la base et l’emetteur du транзистор T 2, il est recommandé d’inclure une résistance de faible résistance. Les concepteurs utilisent ce Circuit Dans les étages de sortie push-pull haute puissance lorsqu’ils souhaitent utiliser des транзисторы de sortie d’une seule polarité. Пример телефонной цепи показан на рис. 2.63. Comme précédemment, la résistance est une résistance de Коллектор транзистора T 1. Un Транзистор Дарлингтона, сформированный из транзисторов T 2 и T 3. Он сочетается с простым транзистором NPN. avec un gain de courant élevé. Транзисторы T 4 и T 5, соединенные по схеме Шиклаи, совместимы с мощными транзисторами типа pnp. авек ип получить élevé. Comme précédemment, les resistances R 3 и R 4 ont peu de résistance. Ce schéma est parfois appelé répéteur push-pull à symétrie квазидополняющая. Дан этот шаг в symétrie supplémentaire (complémentaire), les транзисторы T 4 и T 5 seraient connectés en Darlington.

    Риз. 2.62. Соединение транзистора Шиклаи («транзистор Дарлингтона комплементарный»).

    Риз. 2.63. Мощный двухтактный режим, в котором используются уникальные транзисторы типа n-p-n.

    Транзистор с ультравысоким сопротивлением. Транзисторные композиты — транзистор Дарлингтона и аналогичные им — не согласуются с тем, что транзисторы приобретают сверхвысокий уровень, в соответствии с коэффициентом h 21e, полученным в ходе технологического процесса изготовления элементов. Пример элемента на транзисторе 2N5962. Минимальный гарантированный уровень заряда, равный 450, низкий уровень заряда, накопленный на уровне 10 мкА до 10 мА; Транзистор относится к серии элементов 2N5961-2N5963, имеет характеристики максимального напряжения U, например, от 30 до 60 В (напряжение коллектора очень высокое, значение C меньше, чем меньше). Промышленность производит пары транзисторов с очень большим коэффициентом β. Ils sont utilisés dans des Amplificateurs à faible niveau de signal, pour lesquels les les tranzisters doivent avoir des caractéristiques adapterées; ce numéro est consacré à la Sec. 2.18. Примеры стандартных схем для схем LM394 и МАТ-01; ce sont des paires de транзисторы à Gain élevé, dans lesquelles la voltage U est adapterée à des des ds de милливольт (в цепях meilleurs, l’adaptation est prévue jusqu’à 50 V), et le facteur h 21e est jusqu’à 1 %. Схема типа MAT-03 представляет собой пару p-n-p-транзисторов.

    Транзисторы со сверхбольшим коэффициентом β и комбинацией отдельных цепей Дарлингтона. Данс ce cas, le courant de polarization de base peut être égal à 50 pA (на примерах цепей телефонов, используемых в операционных усилителях LM111 и LM316.

    Si vous prenez, например, транзистор MJE3055T , рассчитанный на максимальный ток 10 A и коэффициент усиления, соответствующий окружающей среде 50, соответственно, для того, чтобы обеспечить его комплектацию, или сделать его помпой без порога d ‘environ deux cents миллиампер dans la base. Привычный MK не работает автоматически, но имеет транзисторный вход и выход из строя (например, BC337), способный выдавать ток до 200 мА, но очень легкий. Mais c’est ainsi qu’il savait. Soudainement, vous devrez clôturer le contrôle de la poubelle à portée de main — cela vous sera utile.

    Практический, готовый к употреблению Сборка транзисторов … Внешний вид, не отличающийся от условного транзистора. Le même corps, les mêmes trois jambes. C’est juste que la puissance à l’intérieur fait mal à dofiga et que le courant de control est microscopique 🙂 По цене, ils ne se soucient généralement pas d’écrire simplement — транзистор Дарлиньона или транзисторный композит.

    Парный пример для пары BDW93C (NPN) и BDW94С (PNP) Технология Voici leurstructure interne tirée de la fiche.

    De plus, il exists assemblées de darlington … Lorsque plusieurs sont emballés dans une caisse à la fois. Une выбрал незаменимый lorsque vous devez diriger un puissant écran LED ou un moteur pas à pas (). Отличный пример сборки телефона, который является очень популярным и доступным, ULN2003 , способным тренировать jusqu’à 500 мА для сборки сепараторов. Les sorties peuvent , параллельный , для увеличения лимита воды. В общей сложности, ULN peut tirr jusqu’à 3,5 A à travers lui-même si toutes ses entrées et sorties sont mises en parallèle. Ce qui me plaît c’est que la sortie est en face de l’entrée, c’est très pratique d’y installer une planche. Право.

    Техника La fiche montre la структура внутренней микросхемы. Comme vous pouvez le voir, существует защита диодов également des. Malgré le fait qu’ils soient dessinés comme des amplificateurs opérationnels, la sortie est ici de type collecteur ouvert. C’est-à-dire qu’il ne sait se fermer qu’au sol. Ce qui ressort де ла meme fiche метод си уоус в отношении структуры d’une porte.

    Si vous ouvrez un livre sur l’ingénierie électronique, vous pouvez unmédiatement voir combien d’éments portent le nom de leurs createurs : диод Шоттки, диод Зенера (он же диод Зенера), диод Ганна, транзистор Дарлингтона.

    L’ingénieur électricien Sidney Darlington a expérimenté des moteurs à balais courant continu et des schémas de control pour eux. Les Circuits utilisaient des Amplificateurs de Courant.

    Техническое описание Дарлингтона, изобретение и краткое описание транзистора, состоящего из двух биполярных транзисторов и состоящего из одного кристалла кремния и диффузии м (отрицательных) и p переходов (положительных). Nouvelle dispositif semi-conducteur a été nommé d’après lui.

    Национальная литературная техника, транзистор Дарлингтон является составным приложением. Alors apprenons à mieux le connaître!

    Композиционные материалы для транзисторов.

    Comme déjà упоминания, il s’agit de deux транзисторы ou plus fabriqués sur un cristal semiconducteur et emballés dans un boîtier commun. Il y a également une résistance de charge dans le Circuit d’émetteur du премьер-транзистор.

    Транзистор Дарлингтона является выводом мемов, которые относятся к семейству биполярных транзисторов: база, мастер и коллекционер.


    Circuit de Darlington

    Comme vous pouvez le voir, un tel транзистор est une combinaison de plusieurs. Выделите мощь, il peut contenir plus de deux bipolaires транзисторов. Il est à noter qu’un транзистор bipolaire et à effet de champ est également utilisé dans l’électronique high voltage. Il s’agit d’un транзистор IGBT. Это высококлассный полупроводниковый гибридный композит.

    Основные характеристики транзистора Дарлингтона.

    Главное преимущество транзисторного композита, полученного в результате повышения мощности.

    L’un des principaux paramètres doit être rappelé bipolaire… C’est le gain ( heures 21 ). Il est également indiqué par la letter β («бета») греческого алфавита. Il est toujours superieur ou égal à 1. Si le Gain Du Premier Transist Est 120, et Le Second Est 60, Alors Le Gain Du Composite Est Déjà égal au Produit de ces valeurs, soit 7200, ce qui est très bon. En consequence, un très faible courant de base est suffisant pour que le s’allume транзистора.

    L’ingénieur Shiklai (Sziklai) — модификация соединения Дарлингтона и поиск транзистора, дополнительный транзистор Дарлингтона. Rappelons qu’une two complémentaire est appelée deux éléments avec absolument les mêmes paramètres électriques, mais une Conductivité différente. Наденьте пару на KT315 и KT361. Противоположность транзистору Дарлингтона, композитный транзистор Шиклай состоит из двух частей транзисторов с разной проводимостью: pnp и n-p-n . .. Голоса, представляющие собой составной транзисторный композит Shiklai, который функционирует как транзистор n-p-n, который состоит из двух различных структур.


    Схема Shiklai

    Неудобные композитные транзисторы comprennent faible niveau de rendement , par consequent, ils n’ont trouvé une big application que dans les Circuits à base frequence. Де телс транзисторы ont parfaitement fait leurs preuves dans les étages de sortie de puissants amplificateurs basse fréquence, dans les Circuits de commande de moteurs électriques, dans les commutateurs. схемы électroniques allumage де voitures.

    Электрические параметры основания:

      Коллектор напряжения 500 В ;

      Tension de l’émetteur — база 5 В;

      Курантосборник — 15 А;

      Курантосборник максимальный — 30 А;

      Мощность рассеивания 25 0–135 Вт;

      Температура кристалла (переходная) — 175 0 .

    Схемы диаграмм, не предназначенные для специального символа-символа для конструктора композитных транзисторов. Dans l’écrasante majorité des cas, il est désigné sur le schéma comme un транзистор classique. Или cependant des исключений. Voici une de ses désignations mays sur un schéma de principe.

    Permettez-moi de vous rappeler que l’assemblage de Darlington peut avoir à la fois une структура p-n-p et une структура n-p-n. Cet égard, Les Fabricants de Composants électroniques produisent des paires complémentaires. Cux-ci включает серии TIP120-127 и MJ11028-33. Например, транзисторы TIP120, TIP121, TIP122 имеют структуру n-p-n и TIP125, TIP126, TIP127 — pnp .

    Vous pouvez également trouver cette обозначение на схематических схемах.

    Примеры использования композитного транзистора.

    Рассмотрение схемы управления для двигателя коллектора, использующего транзистор Дарлингтона.

    Экологический ток 1 мА с аппликацией на базе основного транзистора, ток 1000 мА, а также переход через коллектор, током 1000 мА. Il s’avère qu’un схема проста и достойна. Au вместо moteur, уоиз pouvez соединитель ампулы или ип relais avec lequel уоиз пригородных pouvez де заряды puissantes.

    Si, на месте сборки в Дарлингтоне, сборка Shiklai используется, ла заряжает соединение с цепью вторичного транзистора и не подключается к плюсу, больше с питанием.

    Объедините транзистор Дарлингтона и монтаж Шиклая, получите двухтактный усилитель. On l’appelle push-pull car à un Instant donné seul un des deux транзисторы, superieur ou inférieur, peut être ouvert. Цепь, обратная сигналу входа, c’est-à-dire que la voltage de sortie reviendra à latension d’entrée.

    Ce n’est pas toujours pratique et donc un autre inverseur est ajouté à l’entrée de l’amplificateur de courant push-pull. Dans ce cas, le signal de sortie répète requirement le signal à l’entrée.

    Заявка на сборку Дарлингтона в микросхемах.

    Интегральные схемы, содержащие плюс транзисторы, составные части, не используемые для увеличения. L’un des plus courants est l’assemblage intégral L293D. Il est souvent utilisé dans leurs produits faits maison par les Amateurs de robotique. Ле микросхема L293D является составной частью quatre amplificateurs de courant dans un boîtier commun. Étant donné que dans l’amplificateur push-pull décrit ci-dessus, un seul транзистор est toujours ouvert, la sortie de l’amplificateur est alternément connectée au plus ou au moins de l’almentation. Села зависит от амплитуды напряжения входа. En fait, nous avons une clé électronique. C’est-à-dire Que le микросхема L293 peut être défini comme quatre clés électroniques.

    Voici un «morceau» du Circuit de l’étage de sortie du microcircuit L293D, внештатная техника (fiche de référence).

    Comme vous pouvez le voir, l’étage de sortie se compose d’une combinaison de Circuits Darlington et Shiklai. Высшая часть цепи является составным транзистором Шиклаи, а низшая партия — транзистором Дарлингтона.

    Beaucoup de gens se souviennent de l’époque où il y avait des Magnetoscopes au вместо lecteurs de DVD. Et avec l’aide du микросхема L293, два двигателя électriques магнитоскопа ont été controllés et en mode pleine foction. Pour chaque moteur, il était, возможно, де-контроллер не seulement le sens de вращения, mais en envoyant des signaux du contrôleur PWM, il était возможно-де-controller la vitesse де вращения в больших пределах.

    Микросхемы, специализирующиеся на базе схемы Дарлингтона, имеют значительное увеличение. Пример микросхемы ULN2003A (аналог К1109КТ22). Это интегральная схема, состоящая из семи транзисторов Дарлингтона. Ансамбли тел всеобщих peuvent être facilement appliqués данс схемы радиолюбителей тель qu’un реле радиоуправления. C’est ce que je suis.

    Для получения основных параметров TC, определяющих модель биполярного транзистора (BT) или мема для басовых частот на рис. 1a.

    Риз. 1. Варианты схемы, эквивалентные BT n-p-n

    Или n’y a que deux principaux paramètres расчеты: коэффициент усиления и сопротивление входа транзистора. Après les avoir reçus, pour un chain specifique, à l’aide de formules connues, vous pouvez calculer le gain de voltage, la résistance d’entrée et de sortie de l’étage.

    Схемы, эквивалентные составным транзисторам Дарлингтона (STD) и Шиклаи (STS), проиллюстрированы на рис. 2, все формулы верны для расчета параметров — в таблице. ООН.

    Таблица 1 — Формулы расчета параметров ST

    Голоса сопротивления вычислений по формуле:

    04 R. 2 варианта составных транзисторов

    На сайте, который зависит от курантного коллекционера (график зависимости является индикацией в методе fiche). Si le courant de base VT2 (c’est le courant émetteur ou collecteur VT1) s’avère trop petit, les parametres réels du TC s’avereront bien inférieurs à ceux calculés. Par consequent, pour maintenir le courant Collecteur Initial VT1, il suffit d’insérer une résistance supplémentaire Radd dans le Circuit (рис. 2с). Например, KT315 используется вместе с VT1 и STD с минимальными требованиями Ik.min, в отличие от дополнительной защиты, равной 9.0051

    Вы можете получить сопротивление до 680 Ом.

    Эффект шунтирования Радда, связанный с параметрами TC, по существу, в микросхемах и других сложных схемах, заменяется исходным источником.

    Comme le montrent les formules du tableau. 1, le gain et l’impédance d’entrée du STD sont superieurs à ceux du STS. Cependant, cette dernière a ses avantages:

    1. à l’entrée du STS, une chute de voltage inférieure à celle du STD (Ube по сравнению с 2Ube);
    2. le Collecteur VT2 является соединением с общим файлом, c’est-à-dire dans un Circuit avec un OE pour le refroidissement, VT2 peut être planté directement sur le boîtier métallique de l’appareil.

    Рис. 3 варианта montre trois для построения l’étage de sortie (отметить suiveur). Lors de la sélection des транзисторы, il faut tendre vers b1 ~ b2 et b3 ~ b4. La différence peut être compensée en sélectionnant des Paires selon l’égalité des facteurs d’amplification du TC b13 ~ b24 (таблица 1).

    • Схема на рис. 3а на импеданс входа плюс élevée, mais c’est le pire des schémas ci-dessus : il necessite l’isolement des невесты де транзисторов puissants (ou dissipateurs thermiques séparés) et Fournit la plus petite Variation de Voltage, car ~ 2 V devraient tomber entre les bases du CT, sinon des distorsions en «étape» se manifesteront fortement.
    • Схема, показанная на рис. 3b, является наследником эпохи или пары дополнительных транзисторов, способных реализоваться. Le seul avantage par rapport à la version précédente est une chute de voltage inférieure de ~ 1,8 V et plus de swing sans distortion.
    • Схема на рис. 3c демонстрирует преимущества STS: минимальное напряжение между основаниями TC и транзисторами, которые могут создавать помехи для радиаторов без соединений.

    Рис. 4 montre deux stabilisateurs paramétriques. La Voltage de Sortie pour la version avec STD est:

    Étant donné que Ube Marche en fonction de la température et du courant du collecteur, le Circuit avec le STD aura un plus grand étalement de la voltage de la sortie, et donc l Вариант с STS предпочтительнее.

    Риз. 3. Опции для проверки вылазки на CT

    Riz. 4. Application de CT comme régulateur dans un stabilisateur lineaire

    Подходящая комбинация транзисторов, которая может использоваться в линейных схемах. L’Auteur a rencontré des appareils électroménagers soviétiques dans lesquels le STSh était utilisé sur les Paires KT315 + KT814 и KT3107 + KT815 (bien que / KT361 и KT3102 / KT3107 soient acceptés). En Paire Complémentaire, vous pouvez prendre les C945 et A733, que l’on retrouve souvent dans les anciennes alimentations informatiques.

    Discuter de l’article THÉORIE ET ​​PRATIQUE D’UN TRANSISTOR COMPOSITE

    Схема Дарлингтона о транзисторах местности. Составной транзистор (схема Дарлингтона). Примеры применения составного транзистора

    Соединение транзисторов, аналогичное рис. sera égal à l’œuvre des коэффициенты β компонентов транзисторов.

    Рис. 2.60. Составной транзистор Дарлингтон .

    Cette réception est utile pour les chains d’exploitation de verrouillage (например, pour les stabilisants de voltage ou les capuchons de sortie d’amplificateurs de puissance) ou pour les les dentrée d’entrée d’amplificateurs de puissance, s’il est nécessaire de Fournir une Importante Impédance d’entrée.

    В транзисторе Дарлингтона, лоток напряжения между базой, et l’emetteur est deux fois plus, que d’habitude et la voltage de saturation est au moins la chute de voltage de la диод (car le potentiel de l’emetteur du транзистор T 1 Депассер потенциала срабатывания транзистора T 2. Значение номинала желоба напряжения на диоде). Кроме того, транзисторы не подключаются к этому типу управления, как к транзистору, с дополнительным расширением базы, как к транзистору T 1 , а затем к быстродействующему транзистору T 2. . Предварительный расчет этого свойства, общее значение между базой и измерением транзистора T 2. Comprend une Résistance (рис. 2.61).

    Рис. 2.61. Augmentez le taux d’arrêt в транзисторном композите Дарлингтона.

    Сопротивление R Включение смещения транзистора T 2. в зоне проводимости из-за дополнительных выходов транзисторов T 1 и T 2. . La résistance de la résistance est choisie de manière à ce que les courants de fuite (mesurés dans des nano-parfumeurs pour petits транзисторы et dans des centaines de micrompères pour des транзисторы puissants) ont créé une chute de voltage dessus, ne dépassant pas les chutes напряжение на диоде, et au même temps afin que le courant ait coulé, petit par rapport au courant de base Т 2. . Общее сопротивление R Увеличивает сопротивление сотенных омов на мощном транзисторе Дарлингтона и миллионных омов на малом транзисторе Дарлингтона.

    L’industrie produit des транзисторы Darlington sous la form de module achevés, notamment en règle générale, une résistance d’emetteur. Пример стандартной схемы N-p-n — Транзистор Дарлингтона, тип 2N6282, коэффициент усиления 4000 (типичное значение) для стандартного тока 10 A.

    Подключение транзисторов к схеме Shikla ( Sziklai. ). Соединение транзисторов, выбранное по схеме Шиклаи, является диаграммой, похожей на celui que nous venons de considérer. Четырехкратный коэффициент увеличения коэффициента β . Parfois, un tel composé s’appelle le транзистор complémentaire du Darlington (рис. 2.62).

    Рис. 2.62. . Connexion des транзисторы selon le schéma Shiklaia («Дополнение к транзистору Дарлингтона»).

    Схема соединения с транзистором n-p-n -Тип с большим коэффициентом β . Le schéma agit une voltage entre la base et l’emetteur, et la voltage de saturation, comme dans le schéma précédent, est au moins une chute de la диод. Entre la base et l’emetteur du транзистор T 2. Il est recommandé d’inclure une résistance avec une résistance. Les développeurs appliquent ce schéma dans de puissantes cascades de sortie à deux temps lorsqu’ils veulent utiliser des транзисторы de sortie d’une seule polarité. Un example d’un tel schéma est montré à la Fig. 2.63.

    Рис. 2.63. Мощный каскад с двумя временами, в сочетании с транзисторами выходного дня, использует уникальный N-p-n -Taper.

    Comme Auparavant, la résistance est une résistance de Collecteur du Transistor Τ 1. . Транзистор Дарлингтона, сформированный из транзисторов T 2. и T. 3, сочетается с транзистором N-p-n — Тип, с большим коэффициентом усиления. Транзисторы T 4. и T 5. Соединение со схемой Shiklai, совмещенное с мощным транзистором p-n-p — Тип с большим коэффициентом усиления. Comme avant, des résistances R 3. и R 4. avoir une petite résistance. Ce schéma est parfois appelé répétiteur à deux temps avec une symetrie Quasi pharmaceutique. Каскад актуализируется с дополнительными транзисторами симметрии (complémentaires) T 4. и T 5. Serait connecté selon le schéma Darlington.

    Транзистор с очень высоким коэффициентом усиления. Композитные транзисторы — транзистор Дарлингтона и им подобные — ne doit pas être confondu avec des транзисторы avec une valeur ultra-élevée du factor de gain Actuel dans lequel la valeur très важный коэффициент H 21e. получено в ходе технологического процесса изготовления статьи. Например, элемент транзистора типа 2N5962 для минимального коэффициента усиления с гарантированным номиналом 450, для коллектора с номинальным током от 10 мкА до 10 мА; Транзистор из серии 2N5961-2N5963, характеристика соответствует максимальному напряжению U CE от 30 до 60 В (напряжение от коллектора доисторического значения, значение доит до пониженного. β ). L’Industrie Fabrique des Pairs de Transoss Cohérentes avec une valeur de коэффициенты super élevée β . Ils sont utilisés dans des Amplificateurs de signaux faibles pour lesquels les транзисторы doivent avoir des caractéristiques cohérentes; Dédié à ce problème раздел. 2.18. . Примеры стандартных схем тел для режимов типа LM394 и МАТ-01; Соотношение пар транзисторов с большим коэффициентом усиления при меньшем напряжении Tu es Координация дополнительных действий милливольта (в лучших режимах, одобрение 50 мкВ на четыре) и коэффициент h 21e. — только 1%. Схема MAT-03 представляет собой единую пару p-n-p -Транзисторы.

    Транзисторы со сверхвысоким коэффициентом ценности β У вас есть комбайнер по схеме Darlington. Dans ce cas, le courant de décalage de base peut etre effectué égal à seulement 50 pKa (примеры схем тел, служащих усилителям функций типа LM111 и LM316.

    Отношение к поезду

    Определение напряжения поляризации в специальном порядке, например, в цепях, разделенных базой, sélectionnés de sorte que le diviseur source de la base de comnées agit , c’est-à-dire que la résistance de parallèlement aux résistances de réception était significativement moins que la résistance d’entrée du schéma des bases latérales. Cet égard, la résistance d’entrée de l’ensemble du Circuit est déterminée par le diviseur de voltage — pour le signal entrant dans son entrée, la résistance d’entrée s’avère beaucoup moins que nécessaire. Эн фиге. 2.64 корреспондент montre l’example.

    Рис. 2.64.

    Полное сопротивление на входе цепи в окружающей среде 9 кОм и сопротивление делителя напряжения на входе сигнала на 10 ком. Il est souhaitable que la résistance d’entrée soit toujours importante et, dans tous les cas, il est impredent de charge la source de signal d’entrée par un diviseur, ce qui n’était finalement nécessaire que pour assurer le déplacement du транзистор. La трудность вылазки permet la метод де ла связи де suivi (рис. 2.65).

    Рис. 2,65. Дополнительный импеданс входа в сеть для передачи сигналов по частоте сигнала, включенный в цепь связи канала связи делителя, четырнадцатикратное перемещение базы данных.

    Замещения транзисторов с сопротивлением R 1, R 2, R 3 . Condensateur Avec 2 Выбор типа сопротивления для полного сопротивления сигнала не имеет достаточной связи с сопротивлением перемещению. Comme toujours, le décalage sera stable si la résistance de sa source par dcindiqué dans la base de données (данс ce cas 9,7 com), de manière significative moins de résistance au courant continu de la base (dans ce cas, ~ 100 com). Mais ici, la résistance d’entrée pour les fréquences de signal n’est pas égale à la résistance à courant Constant.

    Рассмотрение схемы прохода: сигнал входа U vh Общий сигнал на входе U E. ~= u vh Пар. R 3., сыворотка Дж. Э. = ( u vh u E. )/ R 3. ~ = 0, c’est-à-dire Z. Vh =. u vh / je vh ) ~=

    Nous avons obtenu que la résistance de l’entrée (filtering) du schéma de déplacement est très grande pour frequences du signal .

    Une autre approche de l’analyse du régime est sur le fait que la voltage chute de la résistance R 3. Pour toutes les fréquences du signal de manière égale (puisque la voltage entres ses outputs change de même), c ‘est-à-dire la source du courant. Mais la résistance de la source actuelle est infinie. En fait, la valeur de résistance réelle n’est pas infinie, car le коэффициент де реабилитации est légèrement inférieur à 1. Ce dernier est appelé par le fait que la chute de voltage entre la base et l’emetteur dépend du courant du collecteur, qui change lorsque le niveau de signal change change. Le même résultat peut être obtenu si nous considérons un diviseur formé par une résistance de sortie de l’émetteur [ r E. = 25/ Je k. (Ma) om] et la résistance de l’émetteur. Si le d’amplification du répéteur de voltage à désigner MAIS ( MAIS ~ = 1), alors la valeur de résistance active R 3. Aux frequences du signal est égale

    R 91 (90 – MAIS ). En pratique, la valeur de résistance active R 3. Il a plus de 100 fois sa valeur et la résistance d’entrée du транзистор базы est dominée dans la résistance d’entrée. Dans ип Amplificateur d’inversion avec ип émetteur commun, une connexion де suivi similaire peut être effectuée car le signal sur l’émetteur répète le signal sur la base. Notez дие ле цепи де séparateur де напряжение де déplacement est alimenté par courant переменная (aux frequences де сигнала) avec ипе вылазка d’émetteur де bas niveau, ле сигнал d’entrée n’a donc pas à faire cela.

    В связи с обязанностью коллекционера. Le principe de la Relation de suivi peut être utilisé pour augmenter la résistance active (efficace) de la résistance de charge de collecteur si la cascade est chargée au répéteur. Il augmentera considérablement le коэффициент усиления каскада стресса ·

    Рис. 2.66 montre un example de cascade de sortie à deux temps avec une connexion de suivi construite de la même manière considérée comme superieure au диаграмма дю répéteur à deux temps.

    Рис. 2.66. Соединение, обеспечиваемое сборщиком мощности усилителя, является каскадным.

    Мощный повторитель сигнала в функции транзистора T 2. , конденсатор DE Crée une connexion de suivi à la Charge de Collector du Transistor T 1 et maintient 9sis 1 goutte la dententee R 2. Присутствие сигнала (импеданс конденсатора 9)0690 DE doit être petit comparé à R 1. и R 2. в широком диапазоне частот). Merci à cette résistance R 2. Il devient similaire à la source actuelle, le croissant du traffic augmente T 1 на напряжение и достаточное напряжение на базу транзистора T 2. Même avec des valeurs de pointe дю сигнал. Lorsque le signal devient proche de la voltage d’alimentation U qk Potentiel au point de connexion des resistances R 1. и R 2. devient plus que U qk , льготный, накопительный конденсат DE . Dans ce cas R 1. = R 2. (отличная опция для выбора сопротивления), le potentiel au point de leur connexion dépassera U qk 1,5 fois au moment où la sortie sera 1,5 U кв . Ce schéma a acquis une grande Popularité dans le développement d’amplificateurs ménagers à basse fréquence, bien que la simple source de courant précente des avantages sur un program avec une обязательство де suivi, car elle disparait la necessité d’utiliser un élément indésirable — un конденсатор électrolytique — и Les meilleures caractéristiques sont Fournies à Bass Fréquences.

    Композитный транзистор (транзистор Дарлингтона) представляет собой комбинацию двух двухполярных транзисторов или плюс дополнительный усилитель для усиления тока. Un tel транзистор est utilisé dans des schémas fonctionnant avec des courants élevés (например, dans des schemas stabilisateurs de voltage, des capuchons de sortie d’amplificateurs de puissance) et dans les cascades d’entrée d’amplificateurs, s’il est necessaire de Fournir une Importante Impédance d’entrée.

    Конвенциональный транзистор

    Транзисторный составной компорт втрое (базовый, émetteur et Collecteur), который эквивалентен дополнительным выводам дю транзистора, уникального привычка. Типовой коэффициент усиления составного транзистора (parfois appelé erroneusement appelé «superbet»), коэффициент мощности транзисторов ≈ 1000 и коэффициент полезного действия транзисторов ≈ 50000. Значение означает, что малый размер базы является достаточным для транзистора составной оверт.

    Contrairement à Bipolaire, транзисторы местности, не используемые в композитном включении. Налейте комбайнер на транзисторы, не требующие ухода за землей, а также на машину, которая не требует особых усилий. В зависимости от того, существует ли схема (в частности, двухполярный транзистор с изолированным вольтажем), существует ансамбль двухполюсных транзисторов и двухполюсников. En un sens, de tels schémas peuvent également être рассматривает состав транзисторов. Aussi для того, чтобы транзистор композитный pouvez obtenir ипе увеличение де ла valeur де усиления en réduisant l’épaisseur де ла базы, mais cela представляет определенные technologiques трудных.

    Пример супербета (супер-β)лесных транзисторов peuvent servir de série KT3102, KT3107. Cependant, ils peuvent également être combinés selon le schéma Darlington. Dans ce cas, le courant de base du décalage peut être égal à seulement 50 pKa (де-примеры схемы tels sont des amplificateurs de foctionnement de type LM111 et LM316).

    Типовой фотоусилитель на композитных транзисторах

    Схема Дарлингтона

    Типы транзисторов, изобретенных инженером-электриком Сидни Дарлингтон (Sidney Darlington).

    Понятие составного транзистора

    Составной транзистор, состоящий из каскада дополнительных транзисторов, включающих управление зарядом в предшествующем каскаде, с est-à-dire Que Les Transitions Sont Connectés Par des Collecteurs et l’Emetteur de Le Транзистор d’entrée est connecté à la base de sortie. Кроме того, сопротивление заряда главного транзистора может быть использовано в рамках схемы ускорения ферметуры. Un tel composé est généralement учитывается как транзистор, le коэффициент усиления auquel lorsque les транзисторы dans mode actif Il est apquimativement égal au product des коэффициенты дю усиления первого и второго транзисторов:

    β c = β 1 ∙ β 2

    Nous montrons que le транзистор составной a vraiment un коэффициент β , beaucoup plus grand que ses composants. Другие увеличивают rÉ. л. Б. = Д. л. В1. На:

    rÉ. л. е1 = (1 + β 1)∙D л. Б. = Д. л. В2.

    рЭ. л. à = Д. л. К1. + Д. л. К2. = β 1 ∙ D л. Б. + β 2 ∙ ((1 + β 1) ∙ Д л. Б. )

    Partage красный. л к. sur le dl B. , nous trouvons le коэффициент передачи différentiel résultant:

    β σ = β 1 + β 2 + β 1 ∙ β 2

    Депюи тужур β >1 , на заправке:

    β Σ = β 1 β 1

    Il convient de souligner que les коэффициенты β 1 и β 1 peut différer même dans le cas du même type de транзисторы, depuis le courant de l’emetteur Je e2. dans 1 + β 2 fois plus d’émetteur courant Je e1 (Cela découle de l’égalité évidente Je b2 = i e1 ).

    Схема Шиклаи

    Пара Дарлингтона, похожая на соединение транзисторов, выбираемая по схеме Шиклаи, именуемая в честь сына изобретателя Джорджа Шиклаи, именуемая по имени подлинник транзистора, дополняющего Дарлингтона. В отличие от схемы Дарлингтона, составленной из двух транзисторов типа проводимости мема, схема транзисторов содержит транзисторы разной полярности (p-n-p и n-p-n). Пара комбинаций — p — n -транзистор с большим коэффициентом усиления. Входное напряжение определяется напряжением между базой и сопротивлением транзистора Q1, а напряжение насыщения определяется напряжением на диоде. Entre la base et l’emetteur du транзистор Q2, il est recommandé d’inclure un ésistance avec une irésistance. Схема Un tel est utilisé dans de puissantes cascades de sortie à deux temps lors de l’utilisation des транзисторов de sortie d’une polarité.

    Cascade shiklai, аналогичный транзистору avecn — P — N Transition

    Схема Casco

    Составной транзистор, созданный по схеме каскада, имеет характеристики, соответствующие транзистору VT1, включающему отдельную схему Общий вывод, и транзистор VT2 соответствует диаграмме с общей базой. Композитный транзистор, эквивалентный одному транзистору, включает в себя функцию схемы с общими параметрами, главными преимуществами которых являются более высокие свойства частоты и мощности, не фиксируемые выше уровня заряда, и при этом у вас есть возможность сохранять значительное влияние du meunier (une augmentation. Dans le conteneur équivalent de l’element d’amplification inverseur en raison de la rétroaction de la sortie de l’entrée de cet élément lorsqu’elle est éteinte).

    Преимущества и недостатки составных транзисторов

    Ценность усиления в композитных транзисторах не реализована уникально в статическом режиме. Транзисторные композиты не используются в больших каскадах для входных усилителей. В схемах с высокими частотами, составных транзисторах нет плюс преимущества тел — предельная частота коэффициента усиления и мощности транзисторов составляет меньшую часть параметров для транзисторов VT1 и VT2.

    Преимущества:

    Коэффициент усиления.

    b) Le Darlington Chema является фабрикой по производству интегральных цепей и материалов, работающих на поверхности кремния, в нижней части ячейки биполярных транзисторов. Ces régimes present un grand intérêt à des élevées напряженности.

    Désavantages:

    (дополнительно) Basse vitesse, в частности, переход от земли к земле. Pour cette raison, транзисторные композиты используют принцип работы в системах ключевого слова и усиления басовой частоты, à haute fréquence, leurs paramètres sont pires qu’un seul транзистор.

    b) Направляющий лоток напряжения в основании перехода по схеме Дарлингтон, est presque deux fois plus grande que dans un классический транзистор et est d’environ 1,2 à 1,4 V транзисторы из кремния (pas moins d’une double chute de voltage sur p-N Transition).

    dans) Большое напряжение захвата насыщения, залитого кремниевым транзистором в окружающей среде 0,9 В (сравните с 0,2 В в классических транзисторах) для транзисторов с низким напряжением и окружающей средой 2 В для транзисторов grande puissance (Il ne peut pas être inférieur à la chute de voltage sur la transition PN plus la chute de voltage sur le транзистор d’entrée saturé).

    Использование сопротивления заряда R1 позволяет улучшить определенные характеристики составного транзистора. Таль де ла сопротивления является выбранным с помощью тел-расчета сортировки коллектора, приводящего в действие транзистор VT1, в том, что касается фермы, и создания желоба напряжения сюр-ла-сопротивления, недостаточного для измерения транзистора VT2. Кроме того, необходимо, чтобы транзистор VT1 был усилен по сравнению с транзистором VT2, а также уменьшено значение полного сопротивления композитного транзистора в закрытом помещении. Кроме того, использование сопротивления R1 способствует увеличению мощности композитного транзистора в связи с ферметурой транзистора VT2. Habituellement, la résistance R1 est des centaines d’OM в мощном транзисторе Дарлингтона и plusieurs com в транзисторе, не подключенном к Дарлингтону. Пример схемы с сопротивлением n-P-N puissant — Транзистор CT825 типа CT825 Darlington, коэффициент усиления составляет 10000 (типичное значение) для стандартного коллектора на 10 A.

    Дарлингтон), sont souvent Éléments любительские композитные конструкции. Давай на сайте, добавь включение, le gain du courant, en règle générale, augmente dix fois. Cependant, il n’est pas toujours, возможно, d’obtenir une reserve d’opérabilité, важный для натяжения, влияющего на каскад. Усилители потока, составляющие два биполярных транзистора (рис. 1.23), являются источником напряжения влияния, определяемого напряжением пула.

    Avec cet effet désagréable, vous pouvez vous battre différentes façons. L’un d’entre eux — la plus simple — это наличие транзистора с большим запасом (plusieurs fois) в резервах ресурсов для собирателя напряжения. По поводу более высоких транзисторов Ces «высокое напряжение» используется для расширения концепции. Vous pouvez, bien sûr, acheter un sicicium compécial dans un cas, например: KT712, CT829, KT834, KT848, KT852, KT853, KT894, KT897, KT898, KT973 и т. д. Cette liste включает в себя мощную и мощную систему устройств, разработанных заранее для ансамбля устройств радиооборудования Spectre. Вы можете использовать классические устройства с двумя транзисторами, полностью совместимыми с аналогами типа KP501B, или использовать устройства KP501A…B, KP540 и другие устройства с аналогичными электрическими характеристиками (рис. 1.24). Dans le même temps, la sortie d’obturation est connectée au вместо base VT1 et la sortie source est au вместо l’emetteur VT2, la sortie de flux est au вместо Collecteurs unis VT1, VT2.

    Рис. 1.24. Заменитель транзисторов, составной элемент транзистора

    После рафинации достаточно простой замены электрических цепей B., универсальное использование, замена транзисторов VT1, VT2 не требует дополнительной платы за напряжение 10 фуа и плюс. De plus, la résistance ограничительный в цепи d’obturateur VT1 est également augmentée plusieurs fois. Cela conduit au fait qu’ils ont une entrée plus élevée et, par consequent, la surcharge avec un caractère d’impulsion du control de ce nœud électronique.

    Прирост каскада актюэль obtenue est d’au moins 50. augmente directement propornelle à l’augmentation de la voltage d’alimentation du nœud.

    Вт1, Вт2. При отсутствии дискретных транзисторов типа KP501A … в случае использования микросхемы 1014ct1b без учета ее качества. En Revanche, например, à partir de 1014ct1a и 1014ct1b, cela peut support des surcharges plus élevées sur la voltage pulsée appliquée — jusqu’à 200 V courant continu. COFCOLOGRE Выделите транзисторы микросхемы 1014ct1a…1014K1V, собранные на рис. 1.25.

    Comme dans le mode de réalisation précédent (рис. 1.24), inclure en parallèle.

    Transistors de champ de codolve dans la puce 1014ct1a … dans

    Автор эссе дизайнеров новых электронных устройств, включающих логику. Ces nœuds sont utilisés данс де структур любители comme des touches actuelles де ла même manière дие ле транзисторы композиты comprenaient ле логики. Pour les caractéristiques де транзисторы де Terrain énumérés ci-dessus, Vous pouvez ajouter leur efficacité énergetique, car dans l’état fermé en raison de la haute entrée, ils ne consomment pratiquement pas de courant. Quant à la valeur de ces транзисторы, il est presque le même que le coût du type de mediterranéen транзисторов (et similares à ceux-ci), qui sont utilisés comme amplificateur de courant pour controlr les periphériques de charge.

    Si vous prenez, например, транзистор Mje3055t. Il a un courant maximal 10a et le gain n’est que d’environ 50, соответственно, de sorte qu’il s’ouvre complètement, il doit pomper environ deux cents Permanentes dans la base de données. Привычный вывод MK не работает автоматически, и он входит в состав транзистора с определенным параметром (quelque BC337), который блестит на 200 мА, легко. Mais c’est pour que je sache. Soudainement, il devra faire le contrôle du piège de la fille — ce sera utile.

    Практичная, предварительная Сборка транзисторов . Extérieurement à partir du traffic ordinaire n’est pas différent. Le même corps, les mêmes trois jambes. C’est juste le pouvoir de la puissance de la Dofiga douloureusement et le microscopie actuel de control 🙂 Dans les prix, ils ne se dérangent généralement pas et n’écrivent simplement pas — le транзистор de la darligneone ou du транзисторный композит.

    Пример, пункт Bdw93c. (НПН) и бдв94с. (PNP) Voici leur, техника внутреннего описания структуры.

    De plus, существующий сборка Darlington . Quand dans un cas pack à la fois plusieurs. Une выбрал незаменимый lorsque vous devez diriger une puissante table à LED ou un moteur pas à pas (). Отличный образец сборки телефона — очень популярный и удобный доступ ULN2003. способный блестеть 500 мА для сборки сепараторов. Les sorties peuvent être параллельный элемент Дополнительный предел. Total One OLN peut être glissé sur lui-même 3.5A, si vous publiez toutes ses entrées et ses sorties. Ce qui me fait plaisir — en face de l’entrée, très pratique pour y planter des frais. Droit

    Dans le Datashet, la framework interne de cette puce est indiquée. Comme Vous pouvez le constater, il y aussi des диоды де защиты ici. Malgré le fait que les amplificateurs opérationnels soient dessinés, voici la sortie d’un Collecteur ouvert. C’est-à-dire qu’il sait se fermer uniquement sur la terre. Ce qui devient clair dans le meme datasheet си уоус рассматривает структуру d’une vanne.

    Lors de la concept de schémas radioélectriques, Il Existe souvent des lorsqu’il est souhaitable d’avoir des транзисторы avec de meilleurs paramètres offrant des изготовители радиоэлементов. Dans sures cas, nous pourrions avoir besoin d’un plus grand gain du courant dans le H 21 actuel, dans l’autre plus grande valeur de la résistance d’entrée H 11, et dans la troisieme valeur la plus faible de la Conductivité de вылазка H 22. Pour résoudre les problèmes énumérés, l’option Utiliser est parfaite composant élèctronique Sur lequel nous allons parler ci-dessous.

    Схема, соответствующая полупроводнику N-P-N. Танцевальная цепь, le courant émetteur VT1 est le courant de la base VT2. Le courant де коллектор дю транзистор композитный est determiné Principlement au courant VT2.

    Два двухполярных транзистора, отличающиеся эффектом от кристалла и от корпуса. Il execte également une résistance de charge dans la chaîne émettrice du Premier bipolaire транзистора. Dans le транзистор Дарлингтона, выводы мемов о биполярном стандарте транзистора — база, сборщик и émetteur.

    Comme vous pouvez le constater à partir de la figure ci-dessus, составной стандарт транзистора, представляющий собой комбинацию транзисторов plusieurs. En foction du niveau de complexité et de Pouvoir diversé dans la состав транзистора Дарлингтона, il peut y avoir plus de deux.

    Принципиальная схема плюс транзистор, составляющая значащую величину в терминах куранта H 21, которая представляет собой приближенное вычисление по формуле, соответствующей формуле продукта параметров H 21, включая схему транзистора.

    h 21 = H 21VT1 × h31VT2 (1)

    Donc, si le factor de renforcement du premier est de 120, et le second 60, le gain global du Circuit Darlington est égal au produit de ces valeurs — 7200.

    Mais considerez que le paramètre h31 dépend fortement du courant du collecteur. В этом случае базовый транзистор VT2 является базовым суффиксом, а коллектор VT1 не имеет суффикса, подтверждающего значение коэффициента усиления H 21. Ensuite, с увеличением h31 и, как следствие, с уменьшением коэффициента усиления H 21. транзистор композитный peut être obtenue par le courant de collecteur RT1. Pour cela, il y a une résistance supplémentaire entre l’emetteur et la base VT2, comme indiqué dans le диаграмма ci-dessous.

    Расчет элементов схемы Дарлингтона, например, для двухполярных транзисторов BC846A, ток VT2 рассчитан на 1 мА. Ensuite, son courant de base est déterminé à partir de l’expression:

    i kvt1 = i bvt2 = i kvt2 / h 21vt2 = 1×10 -3 a / 200 = 5×10 -6 a

    Avec un tel courant de courant en 5 мкA, коэффициент H 21, уменьшение крепости и общий коэффициент peut être un ordre de grandeur inférieur à celui calculé. En augmentant le courant du déservoir du Premier Transmission en utilisant une résistance supplémentaire, vous pouvez gagner de manière significative de la valeur. paramètre commun H 21. Étant donné que la voltage de la base de données est une Constante (pour le semi-conducteur de silicium typique de trois sorties de silicium, vous devez = 0,7 В), puis la résistance peut être calculée par :

    R = u bevt2 / i evt1 — i bvt2 = 0,7 вольта / 0,1 мА — 0,005MA = 7К агит d’un тел схема Que де транзисторы nombreux де superbett sont construits.

    В связи с расчетом по схеме Дарлингтона важно учитывать напряжение, возникающее в U. Si в классических транзисторах, напряжение составляет 0,2 В, мощность в композитном транзисторе, il augmente jusqu’au niveau de 0,9V. Ceci est dû à la nécessité d’ouvrir VT1 et, pour cela, il est nécessaire de soumettre une voltage à 0,7 V à son base (si dans le semi-conducteur de factory, le silicium utilisé).

    В связи с этим, исключая неудобные упоминания, модификации используются в классической системе и не используются в качестве дополнительных транзисторов Дарлингтона. Композитный транзистор состоит из двухполярных устройств, отличающихся большей проводимостью: p-n-p и n-p-n.

    Russe, et de nombreux радиолюбители étrangères, un tel composé s’appelle Schema Shiklai, bien que ce schéma soit appelé une couple de paradoxe.

    Транзисторы, типичные для композиций, имеют ограничения по применению в самых низких диапазонах, а также в том, что касается широкого применения, уникального в цепях с низкой частотой. Ils travaillent parfaitement dans les cascades de викэнд де puissants UNG, dans les dispositifs de control du moteur et d’automatisation, dans des systèmes d’allumage de voitures.

    Sur le schémas concept Композитный транзистор является индикацией обычного биполярного транзистора. Bien дие редкость, il est utilisé de manière conditionnelle graphique Transistor composé dans le диаграмма.

    L’un des plus courants est l’ensemble intégral L293D est consideré — ce sont quatre amplificateurs de courant dans un cas. De plus, Le Microsite L293 peut être défini comme quatre clés électroniques du транзистор.

    Каскад микросхем состоит из комбинаций схем Дарлингтон и Шиклай.

    De plus, специализированные микропилы, базирующиеся на программе Дарлингтон, не пользуются уважением радиолюбителей. Пример пар. Интегральная схема представляет собой единую матрицу транзисторов Дарлингтона. Де-телс ассамбляжи универсальные сочинения parfaitement decorés. схемы аффективного радио Et les rendre plus fonctionnels.

    Микросхема является коммутатором, состоящим из нескольких мощных зарядов на базе композитных транзисторов Дарлингтона с открытым коллектором. Les commutateurs contiennt des диодов защиты, ce qui vous permet de basculer des индуктивных зарядов, Telles qu’un enroulement de relais. Коммутатор ULN2004 является необходимым для картографирования зарядов с использованием логики CMOS.

    Зарядка батареи через функцию напряжения на ячейке (применение к Transition BT VT1), регулирование для транзистора VT1, отсутствие контроля напряжения коллектора по индикатору заряда на светодиоде ( car le courant de charge est chargé, le voyant s’éteint Progression) и мощнейший транзисторный составной элемент VT2, VT3, VT4.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован.